JP2004084043A - Mask for thin film deposition and thin film deposition system - Google Patents

Mask for thin film deposition and thin film deposition system Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask for thin film deposition which never cause deformation even if sandblast treatment is repeated, and to provide a thin film deposition system provided with the same. <P>SOLUTION: The tip part of the mask for thin film deposition is formed of a hard material, so that deformation hardly occurs even if sandblast treatment is performed, and the service life of the mask can be elongated. Further, the body part of the mask for thin film deposition is formed of a material having satisfactory thermal conductivity such as Cu (copper), so that its heat radiability from a substrate of polycarbonate or the like is secured, and the problem as for the deformation of the substrate caused by heating can be solved as well. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜堆積用マスク及び薄膜堆積装置に関し、例えば光ディスクや光学部品などを製造する際に用いて好適な薄膜堆積用マスク及びそれを備えた薄膜堆積装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、真空中あるいは減圧雰囲気中における薄膜堆積技術が急速に発達し、幅広い産業分野において各種製品の製造工程に採用されつつある。これら薄膜堆積に際して、薄膜を堆積すべき基板の一部を「マスク」により覆った状態で薄膜を堆積すべき場合がある。
【0003】
例えば、CD(Compact Disk)やDVD(Digital Versatile Disk)などの製造に際しては、円盤状のポリカーボネート(PC)基板の中心部と周縁部とをそれぞれマスクにより覆った状態で、所定の領域のみに、スパッタリングにより光学薄膜を堆積する。
【0004】
このような光学薄膜を連続的に堆積する薄膜堆積装置を開示した文献としては、例えば、特開2000−64042号公報を挙げることができる。
【0005】
図9は、この薄膜堆積装置の全体構成を表す概念図である。すなわち、同図に例示した装置は、CDなどのディスク状の基板に薄膜を堆積するスパッタ装置であり、略円筒状の基板搬送チャンバ312と、略円筒状のスパッタチャンバ311とが連結した構成を有する。被処理物であるディスク基板301は、円盤のサセプタ302の上に載置され、さらにこれが搬送テーブル310の上に載置された状態で、回転機構303を矢印Cの方向に回転することにより、基板搬送チャンバ312内を搬送される。
【0006】
ディスク基板301の出し入れは、搬送チャンバ開口部306から行うが、この際に、ディスク基板301はサセプタ302とともにサセプタプッシャ308により矢印Bの方向に持ち上げられる。すると、搬送チャンバ312とサセプタ302との間に設けられたシール機構320と、サセプタ302とサセプタプッシャ308との間に設けられたシール機構322とにより、ディスク基板301は、搬送チャンバ312から遮蔽された状態となる。すなわち、搬送チャンバ312を真空状態に維持したまま、基板301を開口部306から大気中に出し入れすることができる。この際に、図示しない仕切弁を介して、開口部306の下の空間の真空破壊、真空粗引きを適宜実施することができる。
【0007】
一方、スパッタリングの際には、ディスク基板301は回転機構303によりスパッタチャンバ311の下に搬送され、プッシャ309により矢印Dの方向に持ち上げられる。すると、基板301はセンターマスク330とアウターマスク340に圧接され、基板301の中心付近と周縁部とがそれぞれマスキングされた状態となる。この状態でスパッタ源307を動作させることにより、基板301の所定領域のみに薄膜を堆積することができる。なお、これらのマスク330、340は、スパッタリングの際の基板の加熱を抑制するため、熱伝導性の良好なCu(銅)により形成されている。
【0008】
図9に表した装置は、CDやDVDなどのディスク基板上に光学薄膜を堆積するような場合に、非常に高い生産性を実現できる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図9に例示したような装置の場合、スパッタリングチャンバ311に設けられたセンターマスク330やアウターマスク340の表面にも薄膜が堆積するので、所定の間隔でこれらを洗浄する必要がある。
【0010】
従来のCDの製造にあたっては、基板上にAl(アルミニウム)を堆積することが多く、この場合は、マスク330、340を装置から取り外して所定のエッチング液(水酸化ナトリウム溶液など)により洗浄する方法が多く用いられてきた。
【0011】
これに対して、近年急速に需要が伸びているDVDの場合は、Si(シリコン)を堆積する必要がある。ところが、シリコン皮膜を除去する適当なエッチャントがないため、マスク330、340の洗浄は、もっぱら「サンドブラスト」により行う必要がある。「サンドブラスト」とは、例えば粒径1ミリメートル程度の酸化アルミニウムなどの微粒子を、数kgf/cmの程度の圧力で被処理物の表面に噴射する方法である。
【0012】
しかしながら、本発明者の検討の結果、薄膜堆積装置のマスク、特にアウターマスク340をサンドブラスト処理すると、変形が生ずる場合が多いことを知得するに至った。
【0013】
図10(a)は、本発明者が本発明に至る過程で試作したアウターマスク及びそのブラスト治具の断面構造を表す模式図である。すなわち、アウターマスク340と、それを固定するためのマスク押さえ360が薄膜堆積装置から取り外されて、ブラスト治具400に取り付けられる。ここでアウターマスク340とマスク押さえ360は、それぞれ熱伝導性の良好なCu(銅)により形成されている。
【0014】
そして、これらを洗浄する際には、マスク押さえ360に設けられたねじ穴360Mに、ねじ420を挿入してブラスト治具400A及び400Bに固定した状態でサンドブラスト処理を施す。
【0015】
ところが、この状態でサンドブラスト処理を繰り返すと、マスク340の先端付近の部分が、矢印Aで表した方向に「反り返り」、さらに、その最先端部は、矢印Bで表した方向に「伸びる」傾向があることが判明した。
【0016】
図10(b)は、マスク先端部の変形を説明するための模式図である。同図に例示したように、アウターマスク340の先端付近の部分は、サンドブラスト処理により、全体的に矢印Aの方向に持ち上がり、さらに、その先端部が矢印Bの方向に伸びて、「首をもたげたように」変形することが判明した。
【0017】
マスク340がこのように変形すると、基板301においてマスキングされる領域が広がるために、薄膜形成領域の位置とサイズがDVD規格から外れる。これを防ぐためには、マスク340を頻繁に新調しなければならず、マスク340のライフ(寿命)が短いという問題があった。
【0018】
ちなみに、マスク340のライフを伸ばすために、サンドブラストの圧力を下げたり、ブラストの粒径を小さくすることも試みた。
【0019】
しかし、圧力を下げると、ブラストに要する処理時間が加速度的に長くなる傾向が認められ、しかもマスクの変形を効果的に抑制することは困難であった。
【0020】
また、ブラストの粒径を小さくすると、所定のマスクライフに至る前にシリコン皮膜がマスク表面から剥離する傾向が認められた。これは、ブラスト処理によるマスクの表面状態に対応する現象であると考えられる。このために、マスクの寿命は却って短くなってしまう。
【0021】
一方、マスク340の変形を抑制するためには、その先端の厚みを増すことも考えられる。しかし、マスク340の先端の厚みを増すと、いわゆる「シャドウイング(shadowing)効果」によって、それに隣接した薄膜形成領域の膜厚が薄くなる傾向があり、DVD規格により規定される膜厚分布を満たさなくなるという問題が生ずる。
【0022】
以上説明したように、従来の薄膜堆積用マスクを用いてDVDなどの光学薄膜を堆積する場合、サンドブラスト処理によりマスクの変形が生じ、これを解消する有効な手立てがなかった。
【0023】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、サンドブラスト処理を繰り返しても変形が生じない薄膜堆積用マスク及びそれを備えた薄膜堆積装置を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の薄膜堆積用マスクは、基板上に薄膜を堆積する際に前記基板の所定領域をマスキングする薄膜堆積用マスクであって、
前記薄膜堆積用マスクのうちで、前記所定領域をマスキングするマスク先端部は、ステンレスと同等以上の硬度を有する第1の材料からなることを特徴とする。
【0025】
上記構成によれば、サンドブラスト処理を繰り返してもマスク先端部の変形を防ぐことができ、マスク寿命を延ばして生産効率を改善することができる。
【0026】
ここで、前記第1の材料として、ステンレス、Ti(チタン)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)あるいはこれらの合金を主成分とするものを用いると、サンドブラスト処理による変形が生じにくく、真空中でも脱ガスが少ない点で有利である。
【0027】
また、前記第1の材料よりも熱伝導性が高い第2の材料からなるマスク本体部をさらに備えたものとすれば、基板からの放熱を確保することができ、スパッタなどの際の加熱による基板の変形などを効果的に防ぐことができる。
【0028】
また、前記第2の材料としては、Cu(銅)を主成分としたものを用いると熱伝導性が高い点で有利である。
【0029】
さらに、前記マスク先端部にねじ穴が設けられたものとすれば、このねじ穴を用いてサンドブラスト処理の際にブラスト治具に固定することが可能となり、マスク先端部の変形をさらに効果的に抑止することができる。
【0030】
また、前記薄膜堆積用マスクを、DVD製造用のアウターマスクとして用いると、マスクを頻繁に新調することなく、高いレベルの膜厚均一性が要求されるDVD規格に基づいてシリコン薄膜を安定して堆積することができ、極めて有利である。
【0031】
一方、本発明の薄膜堆積装置は、上記したいずれかの薄膜堆積用マスクを備えたものとして構成され、マスク寿命が長く、DVDなどの製造に好適である。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0033】
図1は、本発明の実施の形態にかかる薄膜堆積用マスクの要部断面構成を模式的に例示する概念図である。
【0034】
すなわち、本実施形態の薄膜堆積用マスク140は、円盤状のディスク基板301の周縁部をマスキングするために、略ドーナツ板状の形状を有する。そして、その内周側に設けられたマスク先端部140Aと、外周側に設けられた本体部140Bとを有する。
【0035】
先端部140Aは、例えば、ステンレスなどの比較的硬い材料により形成され、本体部140Bは、Cu(銅)などの熱伝導性の良好な材料により形成されている。
【0036】
このようなマスク140は、例えば、図9に例示したような薄膜堆積装置のスパッタ室に組み込まれ、その先端部140Aが基板の一部をマスキングする役割を有する。
【0037】
本発明によれば、マスクの先端部140Aを硬い材料により形成することにより、サンドブラスト処理を施しても変形が少なく、マスクの寿命を伸ばすことができる。先端部140Aを形成する材料としては、硬く、真空中での脱ガスが少なく、加工が容易であるものが望ましい。具体的には、ステンレスあるいは、それと同等以上の硬度あるいは引っ張り強度を有するものが望ましく、ステンレス(SUS304、316など)、Ti(チタン)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)あるいはこれらの合金などを用いることができる。
【0038】
一方、本体部140Bは、熱伝導性の良好なCu(銅)などの材料により形成することにより、ポリカーボネートなどの基板からの放熱性を確保し、加熱による基板の変形などの問題も解消することができる。
【0039】
マスク先端部140Aとマスク本体部140Bとの接合は、溶接などにより行うことができる。例えば、先端部140Aをステンレス、本体部140BをCu(銅)により形成した場合、電子ビーム溶接あるいはロウ付けにより確実に接合することができる。
【0040】
一方、本発明によれば、ブラスト治具に固定するためのねじ穴140Mをマスク先端部に設けることにより、マスク先端部の「反り返り」などの変形をさらに効果的に抑制することができる。
【0041】
図2は、本発明のアウターマスクをブラスト治具に固定した状態を模式的に表す断面図である。すなわち、本発明のアウターマスク140の場合、固定用のねじ穴140Mがマスク先端部140Aに設けられている。そして、ねじ420によりブラスト治具400A及び400Bに固定される。この状態でサンドブラスト処理を施すと、マスク140の先端部分は、ブラスト治具400に確実に固定され、マスク先端部140Aの「反り返り」を極めて効果的に抑制することができる。
【0042】
さらにまた、本発明によれば、ねじ穴140Mをステンレスなどの硬い材料からなるマスク先端部140Aに設けることにより、ねじ穴の変形も抑制でき、この点からもマスクの寿命を伸ばすことができる。すなわち、図10に例示したような従来のアウターマスク340の場合、Cu(銅)などの柔らかい材料からなるマスク抑え360に固定用のねじ穴360Mを形成し、ステンレスなどのねじ420をねじ込んでブラスト治具400に固定していた。しかし、この場合には、ねじ穴360Mを形成するために、「ヘリサート」などの部品を用いることが必要であり、それでもねじ穴360の寿命はあまり長くできなかった。
【0043】
これに対して、本実施形態によれば、ステンレスなどの硬い材料からなるマスク先端部140Aにねじ穴140Mをタッピングするとができ、ねじ穴140Mの形成も容易でしかも寿命も大幅に伸ばすことができる。
【0044】
一方、図3は、本発明の第2の実施の形態にかかるアウターマスクの断面構造を表す模式図である。すなわち、本実施形態のマスク140は、先端部のみならず、その全体がステンレスなどの硬い材料により形成されている。そして、その先端部付近に、ブラスト治具に固定するためのねじ穴140Mが設けられている。
【0045】
本実施形態においては、マスク140を構成する材料は、第1実施形態におけるマスク先端部140Aの材料を用いることができる。この場合、熱伝導性がCu(銅)などを用いたマスクよりも低下するが、スパッタリング条件や基板の材質などの条件によっては、基板の加熱を許容範囲内に抑えることも可能である。例えば、スパッタリング時に投入する電力パワーが比較的小さい場合などは、基板の昇温も少ないため、ステンレスなどにより形成したアウターマスクを用いても良い場合もある。
【0046】
本実施形態は、このような場合にマスクの変形を確実に抑えることができる点で有利である。
【0047】
本発明者は、以上説明した第1及び第2実施形態のアウターマスクを試作し、比較用に試作したマスクと共に、サンドブラスト処理による変形量を測定した。
【0048】
図4及び図5は、試作したマスクの断面構造を表す模式図である。すなわち、図4(a)は、図10に表したものと同様に全体をCu(銅)により形成した従来のマスクをブラスト治具400に固定した状態を表す。
【0049】
図4(b)は、同図(a)に表したものと同様の従来のマスクを改良したブラスト治具に固定した状態を表す。すなわち、同図のブラスト治具は、マスク先端部の上に、ひさし状の覆い410が設けられ、マスク先端部がブラストに直接晒されないように工夫されている。但し、このブラスト治具は、マスク先端部におけるサンドブラストの影響を調べるためのものであり、マスク先端部の堆積物を除去する点では不利な構造を有する。
【0050】
図5(a)は、本発明の第2実施形態のマスクをブラスト治具に固定した状態を表す。ここで試作したマスクは、全体をステンレス(SUS304)により形成した。
【0051】
図5(b)は、本発明の第1実施形態のマスクをブラスト治具に固定した状態を表す。ここで試作したマスクは、先端部140Aをステンレス(SUS304)、本体部をCu(銅)により形成した。また、これらの接合方法としては、電子ビーム溶接とロウ付けの2種類の方法を採用した。
【0052】
以上説明したそれぞれのマスクについて、サンドブラスト処理を20回繰り返し、各部の寸法を測定した。用いたブラストは、粒径♯20(約1mmφ)の酸化アルミニウム粒であり、噴出圧力は4kgf/cm、1回のブラスト処理の時間は2分間とした。
【0053】
各マスクにおいて測定した寸法は、図4及び図5に表したように、矢印Aの部分における「反り返り」を表す「高さA」と、矢印Bの部分における「高さB」と、マスクの内周先端の「半径R」である。
【0054】
図6は、サンドブラスト処理に伴う高さAの変化を各マスク毎に表したグラフ図である。すなわち、同図の横軸はサンドブラストの回数を表し、同図の縦軸は高さAを表す。
【0055】
ここで、「Cuマスク」は図4(a)、「改良治具」は図4(b)、「SUSマスク」は図5(a)、「Cu+SUS」は図5(b)に表したものをそれぞれ表す。また、「Cu+SUS−EB」は、マスク先端部と本体部とを電子ビーム溶接したものを表し、「Cu+SUS−BR」は、マスク先端部と本体部とをロウ付けしたものを表す。
【0056】
図6において、まず、「Cuマスク」すなわち、全体をCu(銅)で形成した従来のマスクをみると、サンドブラスト処理を繰り返すに従って、先端部が矢印Aの方向に持ち上がり、変形が大きくなることが分かる。
【0057】
また、「改良治具」すなわちマスク先端部をひさし状の覆い410によりカバーした治具を用いた場合にも、マスク先端部が矢印Aの方向に持ち上がり、変形が進行している。
【0058】
一方、本発明の第2実施形態の「SUSマスク」の場合、従来の「Cuマスク」と比較して、変形量Aは半分程度に小さくなっていることが分かる。ただし、次に説明する第1実施形態のマスクと比較して変形量Aは大きい。これは、ねじ420を用いて先端部をブラスト治具400に固定しなかったためであると考えられる。
【0059】
これに対して、本発明の第1実施形態の「Cu+SUS」マスクの場合は、電子ビーム溶接した場合もロウ付けした場合も変形量Aは極めて小さく、マスクの「反り返り」がほぼ解消していることが分かる。
【0060】
図7は、サンドブラスト処理に伴う高さBの変化を各マスク毎に表したグラフ図である。すなわち、同図の横軸はサンドブラストの回数を表し、同図の縦軸は高さBを表す。また、同図に関する凡例も、図6に関して前述したものと同様である。
【0061】
図7から、高さBすなわち、マスク先端の持ち上がり量も、従来のCuマスクの場合は極めて大きく、これに改良治具を用いても高さBはさほど低下しない。
【0062】
これらと比較して、本発明の第2実施形態の「SUSマスク」の場合、高さBは小さく抑制されている。
【0063】
さらに、本発明の第1実施形態の「Cu+SUS」マスクの場合、マスク先端の薄い部分の変形もほぼ解消されていることが分かる。
【0064】
図8は、サンドブラスト処理に伴う各マスクの内周端の半径Rを表したグラフ図である。ここで、同図に関する凡例も、図6に関して前述したものと同様である。
【0065】
図8から、従来のCuマスクの場合は、半径Rは、サンドブラスト処理を繰り返すに従って小さくなることが分かる。これは、マスク先端部の肉薄の部分が先端に向けて伸びるからである。このように、マスクの半径Rが減少すると、マスキング領域が拡大し、DVD規格などの要求を満たさなくなるという問題が生ずる。
【0066】
これに対して、ひさし状の覆い410を設けた改良治具を用いた場合には、マスク先端がブラストから保護されるために、「伸び」も抑制される。但し、この治具を用いた場合は、マスク先端部をブラストで洗浄することはできない。
【0067】
これと比較して、本発明の第2実施形態の「SUSマスク」の場合、半径Rの減少は微少量に抑えられている。つまりマスキング領域の変化が抑制され、マスク寿命を伸ばすことができる。
【0068】
本発明の第1実施形態の「Cu+SUS」マスクの場合も同様に、半径Rの減少は微少量に抑えられ、マスク寿命を伸ばすことができる。
【0069】
以上説明したように、本発明によれば、マスクの少なくとも先端部をステンレスなどの硬い材料により形成することで、サンドブラスト処理に伴う変形を効果的に抑制することかできる。その結果として、マスキング領域の変動に伴うDVDの製造などの製造歩留まりの低下を解消し、マスク寿命を延ばすことができる。
【0070】
次に、本発明者は、第1実施形態のマスクを用いた場合の温度の上昇について測定した。具体的には、図5(b)に例示した「Cu+SUS」マスクを用いて、DVDディスクを連続で500枚スパッタ成膜し、マスク先端部の温度を測定した。スパッタ条件は、投入電力2.4kW、スパッタ時間2.8秒、アルゴン流量25.0SCCM、タクト時間3.8秒である。
【0071】
その結果、先端部140Aと本体部140Bとを電子ビーム溶接したものとロウ付けしたもののいずれにおいても、マスク先端部140Aの温度は48℃未満であり、ポリカーボネート基板の変形温度よりもかなり低い温度に抑制されていることが確認できた。
【0072】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【0073】
例えば、マスクの形状は、図示したものには限定されず、薄膜堆積装置の構造や、被堆積物の形状あるいは堆積すべき領域のパターンなどに応じて適宜変更したものも本発明の範囲に包含される。
【0074】
また、マスク先端部と本体部とのバランスについても、図示したものに限定されず、変形量と熱伝導性とを考慮して適宜決定したものは本発明の範囲に包含される。
【0075】
さらに、薄膜堆積方法についても、スパッタには限定されず、その他、電子ビーム蒸着などの各種の蒸着法、酸化性雰囲気などのもとで行う反応性蒸着法、化学気相堆積法(Chemical Vapor Deposition)、イオンプレーティング法などの各種の方法を用いたものは本発明の範囲に包含される。゜
【発明の効果】
本発明は、以上説明した形態で実施され、以下に説明する効果を奏する。
【0076】
まず、本発明によれば、薄膜堆積用マスクの先端部を硬い材料により形成することにより、サンドブラスト処理を施しても変形が少なく、マスク寿命を伸ばすことができる。
【0077】
また、本発明によれば、薄膜堆積用マスクの本体部は、熱伝導性の良好なCu(銅)などの材料により形成することにより、ポリカーボネートなどの基板からの放熱性を確保し、加熱による基板の変形などの問題も解消することができる。
【0078】
さらに、ブラスト治具に固定するためのねじ穴をマスク先端部に設けることにより、マスク先端部の「反り返り」などの変形をさらに効果的に抑制することができる。
【0079】
またさらに、本発明によれば、薄膜堆積用マスクの全体をステンレスなどの硬い材料により形成することによって、溶接やロウ付けなどの手間が不要となり、変形が少なく寿命の長い薄膜堆積用マスクを提供することができる。
【0080】
以上説明したように、本発明によれば、薄膜堆積用マスクの寿命を延ばし、DVDをはじめとした各種の製品の薄膜製造工程を迅速且つ低コストに実施可能とし、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる薄膜堆積用マスクの要部構成を模式的に例示する断面図である。
【図2】本発明のアウターマスクをブラスト治具に固定した状態を模式的に表す断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態にかかるアウターマスクの断面構造を表す模式図である。
【図4】本発明者が試作したマスクの断面構造を表す模式図である。
【図5】本発明者が試作したマスクの断面構造を表す模式図である。
【図6】サンドブラスト処理に伴う高さAを各マスク毎に表したグラフ図である。
【図7】サンドブラスト処理に伴う高さBを各マスク毎に表したグラフ図である。
【図8】サンドブラスト処理に伴う半径Rを各マスク毎に表したグラフ図である。
【図9】薄膜堆積装置の全体構成を表す概念図である。
【図10】(a)は、本発明者が本発明に至る過程で試作したアウターマスク及びそのブラスト治具の断面構造を表す模式図であり、(b)は、マスク先端部の変形を説明するための模式図である。
【符号の説明】
140 アウターマスク
140A マスク先端部
140B マスク本体部
140M ねじ穴
301 ディスク基板
301 基板
302 サセプタ
303 回転機構
306 搬送チャンバ開口部
306 開口部
307 スパッタ源
308 サセプタプッシャ
309 プッシャ
310 搬送テーブル
311 スパッタチャンバ
311 スパッタリングチャンバ
312 基板搬送チャンバ
312 搬送チャンバ
320 シール機構
322 シール機構
330 センターマスク
340 アウターマスク
360 マスク抑え
360M ねじ穴
400 ブラスト治具
400A,400B ブラスト治具
410 覆い
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thin-film deposition mask and a thin-film deposition apparatus, and more particularly to a thin-film deposition mask suitable for use in manufacturing an optical disc, an optical component, and the like, and a thin-film deposition apparatus having the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, thin film deposition techniques in a vacuum or reduced-pressure atmosphere have been rapidly developed, and are being adopted in a wide range of industrial fields in manufacturing processes of various products. When depositing these thin films, there are cases where the thin films should be deposited with a part of the substrate on which the thin film is to be deposited covered by a "mask".
[0003]
For example, when manufacturing a CD (Compact Disk) or a DVD (Digital Versatile Disk), a central portion and a peripheral portion of a disc-shaped polycarbonate (PC) substrate are respectively covered with a mask, and only in a predetermined region. The optical thin film is deposited by sputtering.
[0004]
As a document which discloses a thin film deposition apparatus for continuously depositing such an optical thin film, for example, JP-A-2000-64042 can be cited.
[0005]
FIG. 9 is a conceptual diagram showing the entire configuration of the thin film deposition apparatus. That is, the apparatus illustrated in the figure is a sputtering apparatus for depositing a thin film on a disk-shaped substrate such as a CD, and has a configuration in which a substantially cylindrical substrate transfer chamber 312 and a substantially cylindrical sputter chamber 311 are connected. Have. The disk substrate 301, which is an object to be processed, is placed on a susceptor 302 of a disk, and the rotating mechanism 303 is rotated in a direction of an arrow C in a state where the disk substrate 301 is placed on a transfer table 310, thereby The substrate is transferred in the substrate transfer chamber 312.
[0006]
The loading and unloading of the disk substrate 301 is performed through the opening 306 of the transfer chamber. At this time, the disk substrate 301 is lifted in the direction of arrow B by the susceptor pusher 308 together with the susceptor 302. Then, the disk substrate 301 is shielded from the transfer chamber 312 by the seal mechanism 320 provided between the transfer chamber 312 and the susceptor 302 and the seal mechanism 322 provided between the susceptor 302 and the susceptor pusher 308. State. That is, the substrate 301 can be taken in and out of the atmosphere through the opening 306 while the transfer chamber 312 is kept in a vacuum state. At this time, vacuum breakage and vacuum roughing of the space below the opening 306 can be appropriately performed via a gate valve (not shown).
[0007]
On the other hand, during sputtering, the disk substrate 301 is transported below the sputtering chamber 311 by the rotating mechanism 303 and lifted in the direction of arrow D by the pusher 309. Then, the substrate 301 is pressed against the center mask 330 and the outer mask 340, and the vicinity of the center and the periphery of the substrate 301 are masked. By operating the sputtering source 307 in this state, a thin film can be deposited only on a predetermined region of the substrate 301. Note that these masks 330 and 340 are formed of Cu (copper) having good thermal conductivity in order to suppress heating of the substrate during sputtering.
[0008]
The apparatus shown in FIG. 9 can realize extremely high productivity when an optical thin film is deposited on a disk substrate such as a CD or DVD.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the case of the apparatus illustrated in FIG. 9, since a thin film is deposited on the surface of the center mask 330 and the outer mask 340 provided in the sputtering chamber 311, it is necessary to clean these at predetermined intervals.
[0010]
In manufacturing a conventional CD, Al (aluminum) is often deposited on a substrate. In this case, a method of removing the masks 330 and 340 from the apparatus and cleaning with a predetermined etching solution (such as a sodium hydroxide solution). Has been widely used.
[0011]
On the other hand, in the case of a DVD whose demand is rapidly increasing in recent years, it is necessary to deposit Si (silicon). However, since there is no suitable etchant for removing the silicon film, the cleaning of the masks 330 and 340 needs to be performed exclusively by “sand blast”. “Sand blasting” is a method of spraying fine particles of, for example, aluminum oxide having a particle diameter of about 1 mm onto the surface of a processing object at a pressure of about several kgf / cm 2 .
[0012]
However, as a result of the study of the present inventor, it has been found that deformation of the mask of the thin film deposition apparatus, particularly the outer mask 340, is often caused by sandblasting.
[0013]
FIG. 10A is a schematic view showing a cross-sectional structure of an outer mask and a blast jig thereof which are prototyped by the inventor in the process leading to the present invention. That is, the outer mask 340 and the mask retainer 360 for fixing the outer mask 340 are removed from the thin film deposition apparatus and attached to the blast jig 400. Here, the outer mask 340 and the mask retainer 360 are each formed of Cu (copper) having good thermal conductivity.
[0014]
When cleaning them, sandblasting is performed in a state where the screws 420 are inserted into the screw holes 360M provided in the mask retainer 360 and fixed to the blast jigs 400A and 400B.
[0015]
However, when the sandblasting process is repeated in this state, the portion near the tip of the mask 340 tends to “warp” in the direction indicated by the arrow A, and the tip thereof tends to “stretch” in the direction indicated by the arrow B. It turned out that there is.
[0016]
FIG. 10B is a schematic diagram for explaining deformation of the mask tip. As illustrated in the figure, the portion near the tip of the outer mask 340 is entirely lifted in the direction of arrow A by sandblasting, and the tip is further extended in the direction of arrow B, so that "the neck is lifted." As if ".
[0017]
When the mask 340 is deformed in this manner, the area to be masked on the substrate 301 expands, so that the position and size of the thin film formation area deviate from the DVD standard. In order to prevent this, the mask 340 needs to be renewed frequently, and there is a problem that the life of the mask 340 is short.
[0018]
By the way, in order to extend the life of the mask 340, an attempt was made to lower the pressure of sandblasting or to reduce the particle size of blasting.
[0019]
However, when the pressure is reduced, the processing time required for blasting tends to be accelerated, and it has been difficult to effectively suppress the deformation of the mask.
[0020]
When the particle size of the blast was reduced, the silicon film tended to peel off from the mask surface before reaching a predetermined mask life. This is considered to be a phenomenon corresponding to the surface state of the mask due to the blast processing. Therefore, the life of the mask is rather shortened.
[0021]
On the other hand, in order to suppress the deformation of the mask 340, it is conceivable to increase the thickness of the tip. However, when the thickness of the tip of the mask 340 is increased, the so-called “shadowing effect” tends to decrease the film thickness of the thin film formation region adjacent thereto, and the film thickness distribution satisfying the DVD standard is satisfied. The problem of disappearing occurs.
[0022]
As described above, when an optical thin film such as a DVD is deposited using a conventional thin film deposition mask, the mask is deformed by sandblasting, and there is no effective means to eliminate the deformation.
[0023]
The present invention has been made based on the recognition of such a problem, and an object of the present invention is to provide a thin film deposition mask that does not deform even when sandblasting is repeated, and a thin film deposition apparatus including the same.
[0024]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, a thin film deposition mask of the present invention is a thin film deposition mask for masking a predetermined region of the substrate when depositing a thin film on the substrate,
In the thin film deposition mask, a mask tip for masking the predetermined region is made of a first material having a hardness equal to or higher than stainless steel.
[0025]
According to the above configuration, it is possible to prevent deformation of the tip of the mask even if the sandblasting process is repeated, thereby extending the life of the mask and improving the production efficiency.
[0026]
Here, if stainless steel, Ti (titanium), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), or an alloy of these as a main component is used as the first material, deformation due to sandblasting can be caused. This is advantageous in that it hardly occurs and degassing is small even in a vacuum.
[0027]
In addition, if a mask body made of a second material having higher thermal conductivity than the first material is further provided, heat radiation from the substrate can be ensured, and heat generated by sputtering or the like can be obtained. Deformation of the substrate can be effectively prevented.
[0028]
Further, it is advantageous to use a material containing Cu (copper) as a main component as the second material in that heat conductivity is high.
[0029]
Further, if a screw hole is provided at the mask tip, it becomes possible to fix the mask tip to the blast jig at the time of sandblasting using the screw hole, and the deformation of the mask tip is more effectively achieved. Can be deterred.
[0030]
Further, when the thin film deposition mask is used as an outer mask for DVD production, the silicon thin film can be stably formed based on the DVD standard that requires a high level of film thickness uniformity without frequently changing the mask. It can be deposited, which is very advantageous.
[0031]
On the other hand, the thin film deposition apparatus of the present invention is configured to include any one of the above masks for thin film deposition, has a long mask life, and is suitable for manufacturing DVDs and the like.
[0032]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0033]
FIG. 1 is a conceptual diagram schematically illustrating a cross-sectional configuration of a main part of a thin film deposition mask according to an embodiment of the present invention.
[0034]
That is, the thin-film deposition mask 140 of the present embodiment has a substantially donut shape in order to mask the peripheral portion of the disk-shaped disk substrate 301. And it has a mask tip part 140A provided on the inner peripheral side and a main body part 140B provided on the outer peripheral side.
[0035]
The tip 140A is formed of a relatively hard material such as stainless steel, for example, and the main body 140B is formed of a material having good heat conductivity such as Cu (copper).
[0036]
Such a mask 140 is incorporated in, for example, a sputtering chamber of a thin film deposition apparatus as illustrated in FIG. 9, and its tip 140A has a role of masking a part of the substrate.
[0037]
According to the present invention, since the tip portion 140A of the mask is formed of a hard material, deformation is small even when sand blasting is performed, and the life of the mask can be extended. As a material for forming the tip portion 140A, a material that is hard, has little degassing in vacuum, and is easy to process is desirable. Specifically, stainless steel or a material having a hardness or tensile strength equal to or higher than that of stainless steel is desirable. These alloys can be used.
[0038]
On the other hand, by forming the main body portion 140B from a material such as Cu (copper) having good thermal conductivity, heat radiation from a substrate such as polycarbonate is secured, and problems such as deformation of the substrate due to heating are eliminated. Can be.
[0039]
Joining of the mask tip 140A and the mask body 140B can be performed by welding or the like. For example, when the distal end portion 140A is formed of stainless steel and the main body portion 140B is formed of Cu (copper), the joining can be reliably performed by electron beam welding or brazing.
[0040]
On the other hand, according to the present invention, by providing a screw hole 140M for fixing to the blast jig at the tip of the mask, deformation such as “warping” of the tip of the mask can be more effectively suppressed.
[0041]
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the outer mask of the present invention is fixed to a blast jig. That is, in the case of the outer mask 140 of the present invention, the fixing screw holes 140M are provided at the mask tip 140A. Then, it is fixed to the blast jigs 400A and 400B by the screws 420. When sandblasting is performed in this state, the tip portion of the mask 140 is securely fixed to the blast jig 400, and "warping" of the mask tip portion 140A can be suppressed extremely effectively.
[0042]
Furthermore, according to the present invention, by providing the screw hole 140M in the mask tip 140A made of a hard material such as stainless steel, deformation of the screw hole can be suppressed, and from this point, the life of the mask can be extended. That is, in the case of the conventional outer mask 340 illustrated in FIG. 10, a screw hole 360M for fixing is formed in a mask retainer 360 made of a soft material such as Cu (copper), and a screw 420 such as stainless steel is screwed into the blast. The jig 400 was fixed. However, in this case, in order to form the screw hole 360M, it is necessary to use a component such as "Helisert", and the life of the screw hole 360 cannot be extended much.
[0043]
On the other hand, according to the present embodiment, the screw hole 140M can be tapped on the mask tip 140A made of a hard material such as stainless steel, so that the screw hole 140M can be easily formed and the life can be greatly extended. .
[0044]
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a cross-sectional structure of an outer mask according to a second embodiment of the present invention. That is, the mask 140 of the present embodiment is formed not only of the tip portion but also of a hard material such as stainless steel as a whole. A screw hole 140M for fixing to a blast jig is provided near the tip.
[0045]
In the present embodiment, the material of the mask tip 140A in the first embodiment can be used as the material forming the mask 140. In this case, the thermal conductivity is lower than that of a mask using Cu (copper) or the like. However, depending on conditions such as sputtering conditions and the material of the substrate, heating of the substrate can be suppressed to an allowable range. For example, when the electric power supplied during sputtering is relatively small, the temperature rise of the substrate is small, so that an outer mask made of stainless steel or the like may be used in some cases.
[0046]
The present embodiment is advantageous in that the deformation of the mask can be reliably suppressed in such a case.
[0047]
The inventor prototyped the outer masks of the first and second embodiments described above and measured the amount of deformation by sandblasting together with the prototype masks for comparison.
[0048]
FIG. 4 and FIG. 5 are schematic diagrams showing a cross-sectional structure of the prototype mask. That is, FIG. 4A shows a state in which a conventional mask formed entirely of Cu (copper) is fixed to a blast jig 400 as in the case of FIG.
[0049]
FIG. 4B shows a state in which a conventional mask similar to that shown in FIG. 4A is fixed to an improved blast jig. That is, the blast jig of FIG. 9 is provided with an eave-shaped cover 410 on the mask tip, and is designed so that the mask tip is not directly exposed to the blast. However, this blast jig is for examining the effect of sandblasting at the tip of the mask, and has a disadvantageous structure in removing deposits at the tip of the mask.
[0050]
FIG. 5A shows a state in which the mask according to the second embodiment of the present invention is fixed to a blast jig. Here, the prototype mask was formed entirely of stainless steel (SUS304).
[0051]
FIG. 5B shows a state in which the mask according to the first embodiment of the present invention is fixed to a blast jig. In the mask manufactured here, the tip 140A was formed of stainless steel (SUS304), and the main body was formed of Cu (copper). Further, as these joining methods, two kinds of methods, ie, electron beam welding and brazing, were employed.
[0052]
Sand blasting was repeated 20 times for each of the masks described above, and the dimensions of each part were measured. The blast used was aluminum oxide particles having a particle size of ♯20 (about 1 mmφ), the ejection pressure was 4 kgf / cm 2 , and the time of one blast treatment was 2 minutes.
[0053]
As shown in FIGS. 4 and 5, the dimensions measured for each mask are “height A” representing “warping” in the portion of arrow A, “height B” in the portion of arrow B, and the height of the mask. This is the “radius R” of the inner peripheral tip.
[0054]
FIG. 6 is a graph showing the change in height A due to the sandblasting process for each mask. That is, the horizontal axis in the figure represents the number of times of sandblasting, and the vertical axis in the figure represents the height A.
[0055]
Here, "Cu mask" is shown in FIG. 4A, "Improved jig" is shown in FIG. 4B, "SUS mask" is shown in FIG. 5A, and "Cu + SUS" is shown in FIG. 5B. Respectively. Further, “Cu + SUS-EB” indicates a result of electron beam welding between the mask tip and the main body, and “Cu + SUS-BR” indicates a result obtained by brazing the mask tip and the main body.
[0056]
In FIG. 6, first, when looking at a “Cu mask”, that is, a conventional mask formed entirely of Cu (copper), as the sandblasting process is repeated, the tip is lifted up in the direction of arrow A, and the deformation is increased. I understand.
[0057]
Also, when the "improved jig", that is, a jig in which the tip of the mask is covered with the eaves-shaped cover 410 is used, the tip of the mask is lifted in the direction of arrow A, and the deformation is progressing.
[0058]
On the other hand, in the case of the “SUS mask” according to the second embodiment of the present invention, it can be seen that the deformation amount A is reduced to about half as compared with the conventional “Cu mask”. However, the deformation amount A is larger than that of the mask according to the first embodiment described below. This is probably because the tip was not fixed to the blast jig 400 using the screw 420.
[0059]
On the other hand, in the case of the “Cu + SUS” mask according to the first embodiment of the present invention, the deformation amount A is extremely small in both the case where the electron beam welding is performed and the case where the mask is brazed, and the “warping” of the mask is almost eliminated. You can see that.
[0060]
FIG. 7 is a graph showing the change in height B associated with the sandblasting process for each mask. That is, the horizontal axis in the figure represents the number of times of sandblasting, and the vertical axis in the figure represents the height B. Also, the legend relating to FIG. 6 is the same as that described above with reference to FIG.
[0061]
From FIG. 7, the height B, that is, the lift amount of the mask tip is extremely large in the case of the conventional Cu mask, and the height B does not decrease so much even if the improved jig is used for this.
[0062]
In comparison with these, in the case of the “SUS mask” of the second embodiment of the present invention, the height B is suppressed to be small.
[0063]
Further, in the case of the “Cu + SUS” mask according to the first embodiment of the present invention, it can be seen that the deformation of the thin portion at the tip of the mask is almost eliminated.
[0064]
FIG. 8 is a graph showing the radius R of the inner peripheral end of each mask accompanying the sandblasting process. Here, the legend related to the figure is the same as that described above with reference to FIG.
[0065]
FIG. 8 shows that in the case of the conventional Cu mask, the radius R becomes smaller as the sandblasting process is repeated. This is because the thin portion at the tip of the mask extends toward the tip. As described above, when the radius R of the mask is reduced, the masking region is enlarged, and there arises a problem that requirements such as the DVD standard cannot be satisfied.
[0066]
On the other hand, when the improved jig provided with the eaves-shaped cover 410 is used, since the mask tip is protected from the blast, “elongation” is also suppressed. However, when this jig is used, the tip of the mask cannot be cleaned by blast.
[0067]
In comparison, in the case of the “SUS mask” according to the second embodiment of the present invention, the decrease in the radius R is suppressed to a very small amount. That is, the change of the masking region is suppressed, and the life of the mask can be extended.
[0068]
Similarly, in the case of the “Cu + SUS” mask according to the first embodiment of the present invention, the decrease in the radius R can be suppressed to a very small amount, and the mask life can be extended.
[0069]
As described above, according to the present invention, by forming at least the tip portion of the mask with a hard material such as stainless steel, it is possible to effectively suppress deformation accompanying sandblasting. As a result, it is possible to eliminate a decrease in the production yield such as DVD production due to the fluctuation of the masking region, and to prolong the mask life.
[0070]
Next, the inventor measured an increase in temperature when the mask of the first embodiment was used. Specifically, using the “Cu + SUS” mask illustrated in FIG. 5B, 500 DVD disks were continuously formed by sputtering, and the temperature at the tip of the mask was measured. The sputtering conditions are as follows: input power: 2.4 kW, sputtering time: 2.8 seconds, argon flow rate: 25.0 SCCM, and tact time: 3.8 seconds.
[0071]
As a result, the temperature of the mask tip 140A is less than 48 ° C. in both the case where the tip 140A and the main body 140B are welded by electron beam and the case where the tip 140A is welded to the main body 140B. It was confirmed that it was suppressed.
[0072]
The embodiment of the invention has been described with reference to the examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.
[0073]
For example, the shape of the mask is not limited to the one shown in the drawings, and the shape of the mask is appropriately changed according to the structure of the thin film deposition apparatus, the shape of the object to be deposited, the pattern of the area to be deposited, and the like. Is done.
[0074]
Further, the balance between the mask tip and the main body is not limited to the illustrated one, and one appropriately determined in consideration of the deformation amount and the thermal conductivity is included in the scope of the present invention.
[0075]
Further, the method of depositing a thin film is not limited to sputtering, but may be any of various other deposition methods such as electron beam evaporation, a reactive evaporation method performed in an oxidizing atmosphere, or the like, and a chemical vapor deposition method (Chemical Vapor Deposition). ) And those using various methods such as an ion plating method are included in the scope of the present invention.゜ [Effect of the invention]
The present invention is implemented in the form described above, and has the effects described below.
[0076]
First, according to the present invention, the tip of the thin film deposition mask is formed of a hard material, so that even if sand blasting is performed, there is little deformation and the life of the mask can be extended.
[0077]
Further, according to the present invention, the main body of the mask for thin film deposition is formed of a material such as Cu (copper) having good thermal conductivity, thereby ensuring heat radiation from a substrate such as polycarbonate, and Problems such as deformation of the substrate can also be solved.
[0078]
Furthermore, by providing a screw hole for fixing to the blast jig at the tip of the mask, deformation such as “warping” of the tip of the mask can be more effectively suppressed.
[0079]
Still further, according to the present invention, by forming the entire thin film deposition mask from a hard material such as stainless steel, there is no need for labor such as welding or brazing, and a thin film deposition mask having a long life and less deformation is provided. can do.
[0080]
As described above, according to the present invention, the life of a thin film deposition mask can be extended, thin film manufacturing processes for various products such as DVDs can be performed quickly and at low cost, and industrial advantages are great. is there.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a main configuration of a thin film deposition mask according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the outer mask of the present invention is fixed to a blast jig.
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a cross-sectional structure of an outer mask according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic view illustrating a cross-sectional structure of a mask prototyped by the present inventors.
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a cross-sectional structure of a mask prototyped by the present inventors.
FIG. 6 is a graph showing a height A associated with sandblasting for each mask.
FIG. 7 is a graph showing height B associated with sandblasting for each mask.
FIG. 8 is a graph showing a radius R associated with sandblasting for each mask.
FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating an entire configuration of a thin film deposition apparatus.
10A is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of an outer mask and a blast jig thereof experimentally manufactured by the inventor in the process leading to the present invention, and FIG. 10B is a diagram illustrating deformation of a mask tip portion. FIG.
[Explanation of symbols]
140 Outer mask 140A Mask tip 140B Mask body 140M Screw hole 301 Disk substrate 301 Substrate 302 Susceptor 303 Rotation mechanism 306 Transport chamber opening 306 Opening 307 Sputter source 308 Susceptor pusher 309 Pusher 310 Transport table 311 Sputter chamber 311 Sputter chamber 312 Substrate transfer chamber 312 Transfer chamber 320 Seal mechanism 322 Seal mechanism 330 Center mask 340 Outer mask 360 Mask hold 360M Screw hole 400 Blast jig 400A, 400B Blast jig 410 Cover

Claims (7)

基板上に薄膜を堆積する際に前記基板の所定領域をマスキングする薄膜堆積用マスクであって、
前記薄膜堆積用マスクのうちで、前記所定領域をマスキングするマスク先端部は、ステンレスと同等以上の硬度を有する第1の材料からなることを特徴とする薄膜堆積用マスク。
A thin film deposition mask for masking a predetermined region of the substrate when depositing a thin film on the substrate,
The thin-film deposition mask according to claim 1, wherein, of the thin-film deposition mask, a mask tip for masking the predetermined region is made of a first material having a hardness equal to or higher than stainless steel.
前記第1の材料は、ステンレス、Ti(チタン)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)あるいはこれらの合金を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の薄膜堆積用マスク。2. The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the first material is mainly composed of stainless steel, Ti (titanium), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), or an alloy thereof. mask. 前記第1の材料よりも熱伝導性が高い第2の材料からなるマスク本体部をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜堆積用マスク。3. The thin film deposition mask according to claim 1, further comprising a mask main body made of a second material having a higher thermal conductivity than the first material. 前記第2の材料は、Cu(銅)を主成分とすることを特徴とする請求項3記載の薄膜堆積用マスク。4. The thin film deposition mask according to claim 3, wherein the second material is mainly composed of Cu (copper). 前記マスク先端部にねじ穴が設けられたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の薄膜堆積用マスク。The thin film deposition mask according to any one of claims 1 to 4, wherein a screw hole is provided at the tip of the mask. 前記薄膜堆積用マスクは、DVD製造用のアウターマスクであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の薄膜堆積用マスク。The thin film deposition mask according to any one of claims 1 to 5, wherein the thin film deposition mask is an outer mask for manufacturing a DVD. 請求項1〜6のいずれか1つに記載の薄膜堆積用マスクを備えたことを特徴とする薄膜堆積装置。A thin film deposition apparatus comprising the thin film deposition mask according to claim 1.
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