JP2004079647A

JP2004079647A - Semiconductor light emitting device, its manufacturing method and laser beam printer

Info

Publication number: JP2004079647A
Application number: JP2002235392A
Authority: JP
Inventors: Koichi Miyazaki; 宮崎　公一
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-08-13
Filing date: 2002-08-13
Publication date: 2004-03-11

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress adverse influences of irregular reflection in a package which is caused by the reflection from a window glass on the output side of a semiconductor light emitting device. <P>SOLUTION: In the semiconductor light emitting device, the light Lf output from a semiconductor light emitting element 19 arranged in a package 13 penetrates a translucent sealing member 15 formed in a window 14 opened in the package 13. and output. In a part of the sealing member except a region A which the light Lf output from the light emitting element 19 penetrates, a light absorbing film 21 for absorbing the light Lb output from the light emitting element 19 is formed. The irregular reflection component in the package 13 is absorbed by the light absorbing film 21. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光装置およびその製造方法およびレーザビームプリンタに関し、詳しくは半導体発光装置のパッケージ内での反射光の散乱を抑えた半導体発光装置およびその製造方法およびこの半導体発光装置を用いたレーザビームプリンタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビームプリンタに用いられる半導体レーザ装置は、微分効率が高いものより低いもののほうが好まれて使用されている。このような微分効率が低い半導体レーザ装置では、その後部からの射出出力が高くなるため、発光ダイオードの表面で反射した光が半導体レーザ装置のパッケージ内で乱反射を起こし、その一部が射出ビームの中に入り込むという問題が起こっている。その対策としては、発光ダイオードの角度を変える、パッケージの内部を黒く塗る、射出側の窓ガラスの面積を小さくする等の対策が試みられている。
【０００３】
ここで、半導体発光装置の従来例について、図３の概略構成断面図によって説明する。
【０００４】
図３に示すように、ベース１１を備え、このベース１１に被さるキャップ１１２が設けられている。このように、ベース１１とキャップ１２とでパッケージ１３が構成されている。上記キャップ１２にはベース１１に対向する位置に窓１４が開口され、この窓１４には透光性の封止部材１５が接着層１６を介してキャップ１２を密閉するように形成されている。上記透光性の封止部材１５にはガラスが用いられ、上記接着層１６には例えば低融点ガラスが用いられている。
【０００５】
上記ベース１１には、上記透光性の封止部材１５方向にヒートシンク１７が形成され、このヒートシンク１７の側面にサブマウント１８を介してレーザダイオードからなる半導体発光素子１９が設置されている。したがって、半導体発光素子１９の前部の射出方向は上記透光性の封止部材１５方向となり、後部の射出方向は上記ベース１１方向となる。上記ベース１１には傾斜面が設けられていて、この傾斜面にはフォトダイオード２０が設置されている。
【０００６】
上記半導体発光素子１９の後部から射出される光線Ｌｂは、フォトダイオード２０に反射し、透光性の封止部材１５に反射しているが、半導体発光素子１９の前部から射出される光Ｌｆに影響を与えないようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、透光性の封止部材には、通常、高い透過率が得られるように誘電体膜が多層にコーティングされている。このため、半導体発光素子の後部から射出される光線は、パッケージ内で反射し、さらに透光性の封止部材および接着層を透過して窓周囲付近のキャップ内面で反射される。この反射された光は散乱光となり、乱反射の原因となっている。
【０００８】
また、製造ばらつきによっても乱反射が作り出されている。例えば、フォトダイオードを載置するベースの傾斜面の傾斜角、フォトダイオードを固定するためのはんだの傾斜角、レーザダイオードを固定するためのはんだの傾斜角等である。
【０００９】
このように、射出側の透光性の封止部材（ガラス）での反射については、パッケージ内での乱反射の悪影響を抑制する効果がほとんど得られていなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた半導体発光装置およびその製造方法およびレーザビームプリンタである。
【００１１】
本発明の半導体発光装置は、パッケージ内に設けた半導体発光素子から射出される光が該パッケージに設けた窓に形成された透光性の封止部材を透過して射出される半導体発光装置において、前記透光性の封止部材は前記半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に前記半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜が形成されているものである。
【００１２】
上記半導体発光装置では、透光性の封止部材は半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に前記半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜が形成されていることから、半導体発光素子から射出された光の散乱光は光吸収膜によって吸収される。このため、半導体発光素子から射出される光に散乱光が入り込むことが抑制される。
【００１３】
本発明の半導体発光装置の製造方法は、パッケージ内に設けた半導体発光素子から射出される光が該パッケージに設けた窓に形成された透光性の封止部材を透過して射出される半導体発光装置の製造方法において、前記透光性の封止部材の前記半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に前記半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
上記半導体発光装置の製造方法では、透光性の封止部材の半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜を形成することから、半導体発光素子から射出された光の散乱光は光吸収膜によって吸収される半導体発光装置を製造することが可能になる。このため、半導体発光素子から射出される光に散乱光が入り込むことが抑制された半導体発光装置が製造される。
【００１５】
光源に半導体発光装置を備えたレーザビームプリンタにおいて、前記半導体発光装置は、パッケージ内に設けた半導体発光素子から射出される光が該パッケージに設けた窓に形成された透光性の封止部材を透過して射出されるものであって、前記透光性の封止部材は前記半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に前記半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜が形成されているものである。
【００１６】
上記レーザビームプリンタでは、光源に上記半導体発光装置を用いているので、半導体発光素子から射出される光に散乱光が入り込むことが抑制されるため、レーザビームは整形されたものとなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体発光装置に係る一実施の形態を、図１によって説明する。図１は、（１）に半導体発光装置の概略構成断面図を示し、（２）に透光性の封止部材の平面図を示す。
【００１８】
図１に示すように、ベース１１を備え、このベース１１に被さるキャップ１２が設けられている。このように、ベース１１とキャップ１２とでパッケージ１３が構成されている。上記キャップ１２にはベース１１に対向する位置に窓１４が形成され、この窓１４には透光性の封止部材１５が接着層１６を介して窓１４を密閉するように形成されている。
【００１９】
上記ベース１１には、上記透光性の封止部材１５方向に延出されたヒートシンク１７が形成され、その側面にサブマウント１８を介して半導体発光素子１９が設置されている。この半導体発光素子１９は例えば半導体レーザ素子からなる。したがって、半導体発光素子１９の前部の射出方向は上記透光性の封止部材１５方向となり、後部の射出方向は上記ベース１１の方向となる。上記ベース１１には傾斜面１１Ｓが設けられていて、この傾斜面１１Ｓにはフォトダイオード２０が設置されている。
【００２０】
上記透光性の封止部材１５には、通常、例えばガラスを用いる。この透光性の封止部材１５はガラスに限定されることはなく、半導体発光素子１９から射出される光Ｌｆを透過する材料であればよい。例えばメタクリル酸メチル樹脂のような透光性のプラスチック材料、サファイアのような透光性の結晶性材料等を用いることができる。また、上記接着層１６には例えば低融点ガラスもしくは樹脂製の接着剤を用いる。
【００２１】
上記透光性の封止部材１５には、半導体発光素子１９から射出される光Ｌｆが透過する領域Ａ以外の部分に、半導体発光素子の後部から射出する光Ｌｂの反射光Ｌｒを吸収する光吸収膜２１が形成されている。
【００２２】
上記光吸収膜２１の一例としては、透光性の封止部材１５側より順に、厚さが１μｍのモリブデン膜、厚さが４０ｎｍの酸化アルミニウム膜、厚さが１０ｎｍのモリブデン膜、厚さが６０ｎｍの酸化アルミニウム膜を積層させた積層膜により実現できる。この積層膜は、波長が０．４μｍ〜１．０μｍの光を９９％以上吸収することができる。この光吸収膜２１は、少なくとも上記反射光Ｌｒの波長の光を吸収するものであればよい。
【００２３】
したがって、上記半導体発光素子１９の後部から射出される光線Ｌｂは、フォトダイオード２０に反射し、透光性の封止部剤１５に照射されているが、上記光吸収膜２１によって吸収されるため、半導体発光素子１９の前部から射出される光Ｌｆに影響を与えない。
【００２４】
上記光吸収膜２１には、上記積層膜以外に、酸化シリコン（ＳｉＯ）／アルミニウム（Ａｌ）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）／モリブデン（Ｍｏ）等を用いることもできる。また、上記光吸収膜２１は、レーザダイオードの発光波長を８０％程度吸収するものであっても効果がある。
【００２５】
上記半導体発光装置１では、透光性の封止部材１５は半導体発光素子１９から射出される光Ｌｆが透過する領域Ａ以外の部分に半導体発光素子１９の後部から射出される光Ｌｂを吸収する光吸収膜２１が形成されていることから、半導体発光素子１９から射出された光Ｌｂの反射光Ｌｒは光吸収膜２１によって吸収される。このため、半導体発光素子１９から射出される光Ｌｆに反射光Ｌｒが入り込むことが抑制される。
【００２６】
上記光吸収膜２１は、以下のようにして製造することができる。この製造方法の一例を、図２の製造工程図によって説明する。
【００２７】
図２の（１）に示すように、透光性の封止部材１５の半導体発光素子（図示せず）から射出される光が透過する領域Ａにマスク３１を設ける。このマスク３１は、例えば後に形成される光吸収膜の厚さよりも厚いレジスト膜で形成することができる。
【００２８】
次いで、図２の（２）に示すように、スパッタリング法、蒸着法等の成膜方法により、透光性の封止部材１５表面に光吸収膜２１を形成する。一例として、透光性の封止部材１５側より、厚さが１μｍのモリブデン膜、厚さが４０ｎｍの酸化アルミニウム膜、厚さが１０ｎｍのモリブデン膜、厚さが６０ｎｍの酸化アルミニウム膜を順に積層させて、上記光吸収膜２１を形成する。この積層膜は、波長が０．４μｍ〜１．０μｍの光を９９％以上吸収することができる。上記成膜の際には、マスク３１表面にも光吸収膜２１が堆積される。
【００２９】
その後、上記マスク３１とともにマスク３１上に堆積された光吸収膜２１を除去することで、図２の（３）に示すように、半導体発光素子（図示せず）から射出される光が透過する領域Ａが開口された光吸収膜２１を透光性の封止部材１５上に形成することができる。このように形成された透光性の封止部材１５をキャップの窓に接着すればよい。この接着技術は従来の技術を用いる。
【００３０】
上記光吸収膜の製造方法としては、図示はしないが、以下のような製造方法を用いることもできる。
【００３１】
透光性の封止部材の半導体発光素子から射出される光が透過する領域をくりぬいた耐熱性のテープもしくは透光性の封止部材の半導体発光素子から射出される光が透過する領域にマスクを設けた耐熱性のテープを用意し、スパッタリング法、蒸着法等の成膜方法により、耐熱性のテープ表面に光吸収膜を形成する。その後、この耐熱性のテープを透光性の封止部材に貼りつけることでも、透光性の封止部材に光吸収膜を形成することができる。なお、マスクを用いた場合には、光吸収膜を成膜した後、そのマスクを除去する。
【００３２】
上記製造方法では、耐熱性のテープを用いた。これは光吸収膜を成膜する際に１００℃〜４００℃程度の高温になるためである。したがって、テープには成膜時の温度に耐え得るものを用いる必要がある。なお、成膜時の温度がほとんど上昇しない場合には、テープに耐熱性は求められない。
【００３３】
上記半導体発光装置の製造方法では、透光性の封止部材１５の半導体発光素子１９から射出される光Ｌｆが透過する領域Ａ以外の部分に半導体発光素子１９から射出される光Ｌｂを吸収する光吸収膜２１を形成することから、半導体発光素子１９から射出された光Ｌｂの反射光Ｌｒが光吸収膜２１によって吸収される半導体発光装置１を製造することが可能になる。このため、半導体発光素子１９から射出される光に反射光Ｌｒが入り込むことが抑制された半導体発光装置１が製造される。
【００３４】
本発明の半導体発光装置１は、レーザビームプリンタの光源に用いることができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の半導体発光装置によれば、透光性の封止部材は半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に前記半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜が形成されているので、半導体発光素子から射出された光のパッケージ内での反射による散乱光は光吸収膜によって吸収できる。このため、半導体発光素子から射出される光に入り込む散乱光を抑制することができるので、半導体発光装置の外部に射出されるビーム形状は、悪影響を及ぼすような乱反射成分が含まれない整形されたものとすることができる。
【００３６】
本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、透光性の封止部材の半導体発光素子から射出される光が透過する領域以外の部分に半導体発光素子から射出される光を吸収する光吸収膜を形成することから、半導体発光素子から射出された光の散乱光は光吸収膜によって吸収される半導体発光装置を製造することが可能になる。このため、半導体発光素子から射出される光に散乱光が入り込むことが抑制された半導体発光装置が製造される。
【００３７】
本発明のレーザビームプリンタによれば、本発明の半導体発光装置を光源に用いているので、安定した画質を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体発光装置に係る一実施の形態を示す図面であり、（１）は半導体発光装置の概略構成断面図であり、（２）に透光性の封止部材の平面図である。
【図２】本発明の半導体発光装置の製造方法に係る一実施の形態を示す製造工程断面図である。
【図３】従来の半導体発光装置を示す概略構成断面図である。
【符号の説明】
１…半導体発光装置、１３…パッケージ、１４…窓、１５…透光性の封止部材、１９…半導体発光素子、２１…光吸収膜、Ａ…光が透過する領域、Ｌｆ…光[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a method of manufacturing the same, and a laser beam printer, and more particularly to a semiconductor light emitting device in which scattering of reflected light in a package of the semiconductor light emitting device is suppressed, a method of manufacturing the same, and a laser using the semiconductor light emitting device Related to a beam printer.
[0002]
[Prior art]
As a semiconductor laser device used for a laser beam printer, a device having a low differential efficiency is more preferably used than a device having a high differential efficiency. In such a semiconductor laser device having a low differential efficiency, the emission output from the rear portion is high, so that the light reflected on the surface of the light emitting diode causes irregular reflection in the package of the semiconductor laser device, and a part of the light is reflected by the emission beam. There is a problem of getting inside. As a countermeasure, there have been attempted to change the angle of the light emitting diode, paint the inside of the package black, or reduce the area of the window glass on the emission side.
[0003]
Here, a conventional example of the semiconductor light emitting device will be described with reference to a schematic configuration sectional view of FIG.
[0004]
As shown in FIG. 3, a base 11 is provided, and a cap 112 that covers the base 11 is provided. Thus, the package 13 is constituted by the base 11 and the cap 12. A window 14 is opened in the cap 12 at a position facing the base 11, and a translucent sealing member 15 is formed in the window 14 so as to seal the cap 12 via an adhesive layer 16. Glass is used for the translucent sealing member 15, and low melting point glass is used for the adhesive layer 16, for example.
[0005]
A heat sink 17 is formed on the base 11 in the direction of the translucent sealing member 15, and a semiconductor light emitting element 19 made of a laser diode is provided on a side surface of the heat sink 17 via a submount 18. Therefore, the emission direction of the front portion of the semiconductor light emitting element 19 is in the direction of the transparent sealing member 15, and the emission direction of the rear portion is in the direction of the base 11. The base 11 is provided with an inclined surface, and the photodiode 20 is installed on the inclined surface.
[0006]
The light beam Lb emitted from the rear part of the semiconductor light emitting element 19 is reflected by the photodiode 20 and reflected by the translucent sealing member 15, but is reflected by the light Lf emitted from the front part of the semiconductor light emitting element 19. Is not affected.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, the light-transmitting sealing member is usually coated with a dielectric film in multiple layers so as to obtain a high transmittance. For this reason, the light beam emitted from the rear part of the semiconductor light emitting element is reflected in the package, further transmitted through the light-transmitting sealing member and the adhesive layer, and reflected on the inner surface of the cap near the periphery of the window. The reflected light becomes scattered light, causing irregular reflection.
[0008]
Diffuse reflection is also created by manufacturing variations. For example, the inclination angle of the inclined surface of the base on which the photodiode is mounted, the inclination angle of the solder for fixing the photodiode, the inclination angle of the solder for fixing the laser diode, and the like.
[0009]
As described above, with respect to the reflection on the light-transmitting sealing member (glass) on the emission side, the effect of suppressing the adverse effect of irregular reflection in the package was hardly obtained.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is directed to a semiconductor light emitting device, a method of manufacturing the same, and a laser beam printer which have been made to solve the above problems.
[0011]
The semiconductor light-emitting device of the present invention is a semiconductor light-emitting device in which light emitted from a semiconductor light-emitting element provided in a package is emitted through a light-transmitting sealing member formed in a window provided in the package. The light-transmitting sealing member has a light-absorbing film for absorbing light emitted from the semiconductor light-emitting element formed in a portion other than a region through which light emitted from the semiconductor light-emitting element is transmitted. .
[0012]
In the semiconductor light emitting device, the light-transmitting sealing member has a light absorbing film that absorbs light emitted from the semiconductor light emitting element formed in a portion other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. Therefore, the scattered light of the light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the light absorbing film. Therefore, it is possible to prevent scattered light from entering the light emitted from the semiconductor light emitting element.
[0013]
The method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention is directed to a semiconductor device in which light emitted from a semiconductor light emitting element provided in a package passes through a light transmitting sealing member formed in a window provided in the package. In the method for manufacturing a light emitting device, a light absorbing film that absorbs light emitted from the semiconductor light emitting element is formed on a portion of the translucent sealing member other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. It is characterized by doing.
[0014]
In the method for manufacturing a semiconductor light emitting device, a light absorbing film that absorbs light emitted from the semiconductor light emitting element is formed in a portion of the light-transmitting sealing member other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. This makes it possible to manufacture a semiconductor light emitting device in which scattered light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the light absorbing film. For this reason, a semiconductor light emitting device in which scattered light is suppressed from entering the light emitted from the semiconductor light emitting element is manufactured.
[0015]
In a laser beam printer provided with a semiconductor light emitting device as a light source, the semiconductor light emitting device is configured such that a light emitted from a semiconductor light emitting element provided in a package is formed in a window provided in the package. And the light-transmitting sealing member absorbs light emitted from the semiconductor light-emitting element in a portion other than a region through which light emitted from the semiconductor light-emitting element is transmitted. A light absorbing film is formed.
[0016]
In the laser beam printer, since the semiconductor light emitting device is used as a light source, scattered light is suppressed from entering the light emitted from the semiconductor light emitting element, so that the laser beam is shaped.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
One embodiment according to the semiconductor light emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 1A and 1B are schematic sectional views of a semiconductor light emitting device, and FIG. 1B is a plan view of a light-transmitting sealing member.
[0018]
As shown in FIG. 1, a base 11 is provided, and a cap 12 that covers the base 11 is provided. Thus, the package 13 is constituted by the base 11 and the cap 12. A window 14 is formed in the cap 12 at a position facing the base 11, and a translucent sealing member 15 is formed in the window 14 so as to seal the window 14 with an adhesive layer 16 interposed therebetween.
[0019]
A heat sink 17 is formed on the base 11 so as to extend in the direction of the translucent sealing member 15, and a semiconductor light emitting element 19 is provided on a side surface of the base 11 via a submount 18. The semiconductor light emitting device 19 is, for example, a semiconductor laser device. Therefore, the emission direction of the front part of the semiconductor light emitting element 19 is the direction of the translucent sealing member 15, and the emission direction of the rear part is the direction of the base 11. The base 11 is provided with an inclined surface 11S, and the photodiode 20 is installed on the inclined surface 11S.
[0020]
For example, glass is typically used for the translucent sealing member 15. The translucent sealing member 15 is not limited to glass, and may be any material that transmits the light Lf emitted from the semiconductor light emitting element 19. For example, a light-transmitting plastic material such as methyl methacrylate resin, a light-transmitting crystalline material such as sapphire, or the like can be used. The adhesive layer 16 is made of, for example, a low-melting glass or resin adhesive.
[0021]
The light-transmitting sealing member 15 has a portion other than the region A through which the light Lf emitted from the semiconductor light emitting element 19 is transmitted, the light absorbing the reflected light Lr of the light Lb emitted from the rear portion of the semiconductor light emitting element. An absorption film 21 is formed.
[0022]
As an example of the light absorbing film 21, a molybdenum film having a thickness of 1 μm, an aluminum oxide film having a thickness of 40 nm, a molybdenum film having a thickness of 10 nm, and a thickness of 10 nm are arranged in this order from the light-transmitting sealing member 15 side. This can be realized by a laminated film in which a 60 nm aluminum oxide film is laminated. This laminated film can absorb 99% or more of light having a wavelength of 0.4 μm to 1.0 μm. The light absorbing film 21 only needs to absorb at least light having the wavelength of the reflected light Lr.
[0023]
Therefore, the light beam Lb emitted from the rear part of the semiconductor light emitting element 19 is reflected by the photodiode 20 and is irradiated on the light-transmitting sealing material 15, but is absorbed by the light absorbing film 21. The light Lf emitted from the front part of the semiconductor light emitting element 19 is not affected.
[0024]
The light absorbing film 21 may be made of silicon oxide (SiO) / aluminum (Al), cerium oxide (CeO ₂ ) / molybdenum (Mo), or the like, in addition to the laminated film. Also, the light absorbing film 21 is effective even if it absorbs about 80% of the emission wavelength of the laser diode.
[0025]
In the semiconductor light emitting device 1, the translucent sealing member 15 absorbs the light Lb emitted from the rear part of the semiconductor light emitting element 19 in a portion other than the region A through which the light Lf emitted from the semiconductor light emitting element 19 is transmitted. Since the light absorbing film 21 is formed, the reflected light Lr of the light Lb emitted from the semiconductor light emitting element 19 is absorbed by the light absorbing film 21. Therefore, the reflected light Lr is prevented from entering the light Lf emitted from the semiconductor light emitting element 19.
[0026]
The light absorbing film 21 can be manufactured as follows. An example of this manufacturing method will be described with reference to the manufacturing process diagram of FIG.
[0027]
As shown in FIG. 2A, a mask 31 is provided in a region A of the translucent sealing member 15 through which light emitted from a semiconductor light emitting element (not shown) is transmitted. The mask 31 can be formed of, for example, a resist film thicker than the thickness of a light absorption film to be formed later.
[0028]
Next, as shown in FIG. 2 (2), the light absorbing film 21 is formed on the surface of the translucent sealing member 15 by a film forming method such as a sputtering method and an evaporation method. As an example, a molybdenum film having a thickness of 1 μm, an aluminum oxide film having a thickness of 40 nm, a molybdenum film having a thickness of 10 nm, and an aluminum oxide film having a thickness of 60 nm are sequentially stacked from the light-transmitting sealing member 15 side. Thus, the light absorbing film 21 is formed. This laminated film can absorb 99% or more of light having a wavelength of 0.4 μm to 1.0 μm. At the time of the film formation, the light absorption film 21 is also deposited on the surface of the mask 31.
[0029]
Thereafter, by removing the light absorbing film 21 deposited on the mask 31 together with the mask 31, the light emitted from the semiconductor light emitting element (not shown) is transmitted as shown in (3) of FIG. The light absorbing film 21 in which the region A is opened can be formed on the translucent sealing member 15. The translucent sealing member 15 thus formed may be adhered to the window of the cap. This bonding technique uses a conventional technique.
[0030]
Although not shown, the following manufacturing method can be used as a method for manufacturing the light absorbing film.
[0031]
A heat-resistant tape in which a region through which light emitted from the semiconductor light-emitting element of the light-transmitting sealing member is transmitted or a mask in a region through which light emitted from the semiconductor light-emitting element of the light-transmitting sealing member is transmitted Is prepared, and a light-absorbing film is formed on the surface of the heat-resistant tape by a film forming method such as a sputtering method and a vapor deposition method. Thereafter, the light-absorbing film can also be formed on the translucent sealing member by attaching the heat-resistant tape to the translucent sealing member. In the case where a mask is used, the mask is removed after forming the light absorbing film.
[0032]
In the above manufacturing method, a heat-resistant tape was used. This is because a high temperature of about 100 ° C. to 400 ° C. occurs when the light absorbing film is formed. Therefore, it is necessary to use a tape that can withstand the temperature during film formation. If the temperature during film formation hardly rises, the tape is not required to have heat resistance.
[0033]
In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device, the light Lb emitted from the semiconductor light emitting element 19 is absorbed in a portion of the translucent sealing member 15 other than the region A through which the light Lf emitted from the semiconductor light emitting element 19 is transmitted. Since the light absorbing film 21 is formed, the semiconductor light emitting device 1 in which the reflected light Lr of the light Lb emitted from the semiconductor light emitting element 19 is absorbed by the light absorbing film 21 can be manufactured. Therefore, the semiconductor light emitting device 1 in which the reflected light Lr is prevented from entering the light emitted from the semiconductor light emitting element 19 is manufactured.
[0034]
The semiconductor light emitting device 1 of the present invention can be used as a light source of a laser beam printer.
[0035]
【The invention's effect】
As described above, according to the semiconductor light emitting device of the present invention, the light-transmitting sealing member transmits light emitted from the semiconductor light emitting element to a portion other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element transmits. Since the light-absorbing film that absorbs light is formed, scattered light of light emitted from the semiconductor light-emitting element due to reflection in the package can be absorbed by the light-absorbing film. For this reason, the scattered light entering the light emitted from the semiconductor light emitting element can be suppressed, so that the beam shape emitted to the outside of the semiconductor light emitting device is shaped so as not to include a diffuse reflection component that has an adverse effect. Things.
[0036]
According to the method for manufacturing a semiconductor light emitting device of the present invention, the light absorbing member absorbs the light emitted from the semiconductor light emitting element in a portion other than the region through which the light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. By forming the film, it becomes possible to manufacture a semiconductor light emitting device in which scattered light of light emitted from the semiconductor light emitting element is absorbed by the light absorbing film. For this reason, a semiconductor light emitting device in which scattered light is suppressed from entering the light emitted from the semiconductor light emitting element is manufactured.
[0037]
According to the laser beam printer of the present invention, since the semiconductor light emitting device of the present invention is used as a light source, stable image quality can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing one embodiment of a semiconductor light emitting device of the present invention, (1) is a schematic sectional view of the configuration of the semiconductor light emitting device, and (2) is a plan view of a light-transmitting sealing member. FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a manufacturing process showing one embodiment of the method for manufacturing a semiconductor light emitting device of the present invention.
FIG. 3 is a schematic sectional view showing the configuration of a conventional semiconductor light emitting device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor light emitting device, 13 ... Package, 14 ... Window, 15 ... Translucent sealing member, 19 ... Semiconductor light emitting element, 21 ... Light absorption film, A ... Light transmissive area, Lf ... Light

Claims

In a semiconductor light emitting device in which light emitted from a semiconductor light emitting element provided in a package is emitted through a light-transmitting sealing member formed in a window provided in the package,
The light-transmitting sealing member is characterized in that a light absorbing film that absorbs light emitted from the semiconductor light emitting element is formed in a portion other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. Semiconductor light emitting device.

In a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, light emitted from a semiconductor light emitting element provided in a package is emitted through a light transmitting sealing member formed in a window provided in the package.
A semiconductor, wherein a light absorbing film for absorbing light emitted from the semiconductor light emitting element is formed in a portion of the translucent sealing member other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. A method for manufacturing a light emitting device.

In a laser beam printer having a semiconductor light emitting device as a light source,
In the semiconductor light emitting device, light emitted from a semiconductor light emitting element provided in a package is emitted through a light-transmitting sealing member formed in a window provided in the package,
The light-transmitting sealing member is characterized in that a light absorbing film that absorbs light emitted from the semiconductor light emitting element is formed in a portion other than a region through which light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted. Laser beam printer.