JP2004079248A - Plasma display panel and its manufacturing method - Google Patents

Plasma display panel and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2004079248A
JP2004079248A JP2002235172A JP2002235172A JP2004079248A JP 2004079248 A JP2004079248 A JP 2004079248A JP 2002235172 A JP2002235172 A JP 2002235172A JP 2002235172 A JP2002235172 A JP 2002235172A JP 2004079248 A JP2004079248 A JP 2004079248A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass layer
glass
dielectric glass
dielectric
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002235172A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Morita
森田 敦
Tatsuo Mifune
三舩 達雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002235172A priority Critical patent/JP2004079248A/en
Publication of JP2004079248A publication Critical patent/JP2004079248A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel having high light transmittance and high withstand voltage. <P>SOLUTION: A front plate 1 is provided with a front substrate 11, a display electrode 12 disposed on the front substrate 11, lower dielectric glass layers 14a disposed on the display electrode 12, and at least one layer of upper dielectric glass layers 14b disposed on the lower dielectric glass layers 14a, and the dielectric constant of a glass material contained in the upper dielectric glass layers 14b is lower than the dielectric constant of a glass material contained in the lower dielectric glass layers 14b. This front plate 1 and a back plate 2 are disposed face to face to form this plasma display panel. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルとその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、大画面の高品質テレビへの期待が高まっている。従来から用いられているCRT(cathode−ray tube)は、解像度や画質の点で、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイに対して優れているが、奥行きと重量の点で、40インチ以上の大画面には不向きである。また、液晶ディスプレイは、消費電力が小さく、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、大画面化や視野角に限界がある。これに対し、プラズマディスプレイは、大画面で狭い奥行きの実現が可能であり、すでに60インチクラスの製品が開発されている。
【0003】
図5は、従来の交流型(AC型)プラズマディスプレイパネルの構成を示した斜視図である。なお、プラズマディスプレイパネルの構成をわかりやすく示すために、図5においては、プラズマディスプレイパネルの前面板と背面板とを別々に(一体化されていない状態で)示している。
【0004】
図5において、101は前面板、102は背面板である。前面板101は、前面基板1011上に表示電極1012およびブラックストライプ1013が設けられ、さらにこれら表示電極1012およびブラックストライプ1013を被覆する誘電体ガラス層1014が設けられ、さらに誘電体保護層1015が設けられて構成されている。前面基板1011は、フロート法により作製された、硼硅酸ナトリウム系ガラスまたは鉛系ガラスよりなる。表示電極1012は、Ag膜またはCr−Cu−Crの積層膜からなる帯状の電極である。誘電体ガラス層1014は、平均粒径0.1μm〜20μmのガラス粉末を用いて形成されており、コンデンサの誘電体層として機能する。誘電体保護層1015は、MgOにて形成されている。一方、背面板102は、背面基板1021上に複数のアドレス電極1022が設けられ、さらにアドレス電極1022を被覆する誘電体ガラス層1023が設けられ、さらにその上に隔壁1024、蛍光体層1025が設けられている。背面基板1021は、前面基板1011と同様にガラスからなる基板である。アドレス電極1022は、前面板101の表示電極1012と直交する帯状の電極であり、ITO(indium tin oxide)とAg膜またはCr−Cu−Crの積層膜からなる電極である。隔壁1024は、帯状に設けられた各アドレス電極1022を隔離して放電空間を形成している。すなわち、隔壁間が放電ガスを封入する放電空間である。蛍光体層1025はアドレス電極1022上から隔壁1024の側面にわたって設けられている。蛍光体層1025は、カラー表示を可能とするために、赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する材質にて形成された3色の蛍光体層1025a,1025b,1025cが隔壁1024を挟んで順に配置されている。
【0005】
このようなプラズマディスプレイパネルにおいては、前面板101に設けられる誘電体ガラス層1014が高絶縁耐電圧および高光透過率を有することが要求される。この誘電体ガラス層1014の絶縁耐電圧および光透過率の特性は、誘電体ガラス層1014の表面状態、膜欠陥、および残留気泡に大きく左右される。
【0006】
従来、このような誘電体ガラス層1014を形成する方法としては、ガラス粉体と、溶剤と、バインダーとして機能する樹脂(以下、バインダー樹脂と記す。)と、可塑剤や分散剤等とから構成されたペーストを、スクリーン印刷法、スプレー法、またはブレードコータ法、またはダイコート法を用いて前面板101の表示電極1012上に塗布し、乾燥後焼成する方法が知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、表示電極1012を被覆する誘電体ガラス層1014の従来の形成方法および材料では、膜中に気泡が多く残留するため誘電体ガラス層1014に絶縁破壊が発生する等の問題が生じ、高い絶縁耐電圧を有する誘電体ガラス層1014を形成することが困難であった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面基板と、前記前面基板上に配置された表示電極と、前記表示電極上に配置された、第1のガラス材料を含む下層誘電体ガラス層と、前記下層誘電体ガラス層上に配置された、第2のガラス材料を含む少なくとも一層の上層誘電体ガラス層とを備えており、前記第2のガラス材料の誘電率は、前記第1のガラス材料の誘電率よりも低いことを特徴とする。
【0009】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、表示電極が設けられた前面基板上に、第1のガラス材料を含む第1のガラス形成用塗料を用いて下層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記下層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って下層誘電体ガラス層を形成する第1の工程と、前記第1のガラス材料よりも誘電率の低い第2のガラス材料を含む第2のガラス形成用塗料を用いて上層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記上層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って上層誘電体ガラス層を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面基板と、前記前面基板上に配置された表示電極と、前記表示電極上に配置された、第1のガラス材料を含む下層誘電体ガラス層と、前記下層誘電体ガラス層上に配置された、第2のガラス材料を含む少なくとも一層の上層誘電体ガラス層とを備えており、前記第2のガラス材料の誘電率は、前記第1のガラス材料の誘電率よりも低いことを特徴とする。このプラズマディスプレイパネルにおいては、誘電体ガラス層が、特性の互いに異なるガラス材料を用いて形成された複数の層(下層誘電体ガラス層、上層誘電体ガラス層)にて構成されている。これにより、表示電極の直上に配置される下層誘電体ガラス層で発生した欠陥(例えば、ピンホール、巨大気泡、異物混入等)を上層誘電体ガラス層で補うことができる。また、下層誘電体ガラス層が含む第1のガラス材料よりも上層誘電体ガラス層が含む第2のガラス材料の方が誘電率が低いので、表示電極間および表示電極とアドレス電極間の耐電圧の負荷を低減することができる。以上の理由から、本発明の構成によれば、絶縁破壊の発生を抑制し、高絶縁耐電圧のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【0011】
本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記上層誘電体ガラス層は前記下層誘電体ガラス層よりも高い光透過率を有することが好ましい。また、前記上層誘電体ガラス層の厚みを前記下層誘電体ガラス層の厚みの2倍以上とすることが好ましい。誘電体ガラス層を多層で構成することによる光学特性の低下を抑制するためである。
【0012】
本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記第2のガラス材料は、BaOを含む鉛系ガラスであることが好ましい。なお、本発明における鉛系ガラスとは、構成元素として必ず鉛を含んでいるガラスのことである。BaOを含む鉛系ガラスを用いると焼成時の泡抜け性が良いため、光学特性が向上する。従って、このようなガラス材料を上層誘電体ガラス層に用いることにより、誘電体ガラス層を多層で構成することによる光学特性の低下を抑制することができる。また、通常、鉛系ガラスの場合は軟化点を下げると誘電率が上昇する傾向にあるが、BaOを含むことにより誘電率の上昇を抑制しつつ軟化点を下げることができる。従って、下層誘電体ガラス層の焼成温度よりも上層誘電体ガラス層の焼成温度を低くすることも可能である。さらに、本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記鉛系ガラスがBaOを15重量%以上含むことがより好ましい。なお、このBaOの重量%は、厳密には、元素の酸化物を化学量論的酸化物に換算したときの値である。
【0013】
本発明のプラズマディスプレイパネルにおいては、前記表示電極をAg膜またはCr−Cu−Crの積層膜にて形成することができる。
【0014】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、表示電極が設けられた前面基板上に、第1のガラス材料を含む第1のガラス形成用塗料を用いて下層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記下層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って下層誘電体ガラス層を形成する第1の工程と、前記第1のガラス材料よりも誘電率の低い第2のガラス材料を含む第2のガラス形成用塗料を用いて上層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記上層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って上層誘電体ガラス層を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする。この方法によれば、絶縁耐電圧の高いプラズマディスプレイパネルを作製することができる。
【0015】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、前記第2の工程における焼成温度は、前記第1の工程における焼成温度よりも10℃以上低いことが好ましい。下層誘電体ガラス層に影響を与えることなく(下層誘電体ガラス層の変色等を生じさせることなく)、上層誘電体ガラス層の形成を行うためである。
【0016】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、前記第1のガラス形成用塗料および第2のガラス形成用塗料は、さらに溶剤およびバインダー樹脂を含むことが好ましい。スクリーン印刷法やスプレー法、あるいはブレードコータ法やダイコート法等を用いて、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層を形成することができるからである。
【0017】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0018】
図1は、本発明の一実施形態におけるAC型のプラズマディスプレイパネルの構成を示した斜視図である。なお、プラズマディスプレイパネルの構成をわかりやすく示すために、図1においては、プラズマディスプレイパネルの前面板と背面板とを別々に(一体化されていない状態で)示している。
【0019】
図1において、1は前面板、2は背面板である。前面板1は、前面基板11上に表示電極12およびブラックストライプ13が設けられ、さらにこれら表示電極12およびブラックストライプ13を被覆する下層誘電体ガラス層14aが設けられている。この下層誘電体ガラス層14a上には、さらに上層誘電体ガラス層14bが設けられている。さらに、誘電体保護層15が設けられている。前面基板11は、フロート法により作製された、硼硅酸ナトリウム系ガラスまたは鉛系ガラスよりなる。表示電極12は、Ag膜またはCr−Cu−Crの積層膜からなる帯状の電極である。下層誘電体ガラス層14aおよび上層誘電体ガラス層14bはガラス材料を用いて形成された層であり、コンデンサの誘電体層として機能する。誘電体保護層15はMgO等の酸化物にて形成されている。
【0020】
一方、背面板2は、背面基板21上に複数のアドレス電極22が設けられ、さらにアドレス電極22を被覆する誘電体ガラス層23が設けられ、さらにその上に隔壁24、蛍光体層25が設けられている。背面基板21は、前面基板11と同様にガラスからなる基板である。アドレス電極22は、前面板1の表示電極12と直交する帯状の電極であり、ITOとAg膜またはCr−Cu−Crの積層膜からなる電極である。隔壁24は、帯状に設けられた各アドレス電極22を隔離して放電空間を形成している。すなわち、隔壁間が放電ガスを封入する放電空間である。蛍光体層25はアドレス電極22上から隔壁24の側面にわたって設けられている。蛍光体層25は、カラー表示を可能とするために、赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する材質にて形成された3色の蛍光体層25a,25b,25cが隔壁24を挟んで順に配置されている。
【0021】
このようなプラズマディスプレイパネルにおいては、前面板1に設けられる誘電体ガラス層(下層誘電体ガラス層14aおよび上層誘電体ガラス層14b)の絶縁耐電圧が高いことおよび光透過率が高いことが要求される。そこで、本実施の形態においては、上層誘電体ガラス層14bを、下層誘電体ガラス層14aに用いられたガラス材料(第1のガラス材料)よりも誘電率の低いガラス材料(第2のガラス材料)を用いて形成している。この場合、下層誘電体ガラス層14aと上層誘電体ガラス層14bとの誘電率の差が1以上であることが好ましい。これにより、表示電極12間および表示電極12とアドレス電極22間の耐電圧の負荷を低減して絶縁耐電圧を向上させることができる。
【0022】
また、上層誘電体ガラス層14bの光透過率は下層誘電体ガラス層14aの光透過率よりも高いことが望ましく、より望ましくは上層誘電体ガラス層14bの光透過率を下層誘電体ガラス層14aの光透過率よりも10%以上高く設定することである。上層誘電体ガラス層14bの光透過率が下層誘電体ガラス層14aの光透過率よりも高くなるように、第2のガラス材料にはBaOを含む鉛系ガラスが用いられている。BaOを組成に含む鉛系ガラスを用いて形成されるガラス層は、ガラス焼成時の泡抜け性が良いので光透過率が高くなる。また、一般的に鉛系ガラスの軟化点を下げた場合には誘電率が上昇してしまうのだが、BaOを含むことにより、誘電率を大幅に上昇させることなく軟化点を(好ましくは10〜30℃)下げることが可能となる。従って、第2のガラス材料にBaOを含む鉛系ガラスを用いれば、焼成時の温度を下げることも可能となる。BaOの含有量は、好ましくは15重量%以上、より好ましくは17重量%以上で、特に限定されていないが25重量%以下である。PbOの含有量は、好ましくは35〜50重量%である。なお、ここでのPbOの重量%も、厳密には、元素の酸化物を化学量論的酸化物に換算したときの値である。さらに、誘電体ガラス層を多層構造としたことによる光透過率の大幅な低下を防ぐためには、誘電体ガラス層全体(下層誘電体ガラス層14aと上層誘電体ガラス層14bとを合わせた層)に占める上層誘電体ガラス層14b(光透過率が高い方の層)の割合を大きくするとよい。本実施の形態のプラズマディスプレイパネルにおいては、誘電体ガラス層を単層で形成した場合と同程度の光透過率を実現するために、上層誘電体ガラス層14bの厚みを下層誘電体ガラス層14aの厚みの2倍以上とすることが好ましい。
【0023】
下層誘電体ガラス層14aに用いられた第1のガラス材料と上層誘電体ガラス層14bに用いられた第2のガラス材料は、平均粒径1〜8μmの鉛系ガラスの粉末が適している。上述したように、特に上層誘電体ガラス層14bに用いる第2のガラス材料には、BaOを含む鉛系ガラスを用いることが好ましい。
【0024】
第1および第2のガラス材料の好ましい組成範囲は、PbOが35〜70重量%、SiOが4〜30重量%、Bが1〜30重量%、BaOが0〜25重量%、Alが0〜10重量%、CuOが0〜1重量%、CaOが0〜10重量%、TiOが0〜5重量%である。
【0025】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの誘電体ガラス層(下層誘電体ガラス層14aおよび上層誘電体ガラス層14b)を形成する方法について説明する。
【0026】
まず、下層誘電体ガラス層14aを形成するためのガラス形成用塗料(第1のガラス形成用塗料)の作製方法を説明する。第1のガラス形成用塗料は、第1のガラス材料からなるガラス粉末と、溶剤と、バインダー樹脂とを混合して作製される。この塗料をスクリーン印刷法、スプレー法、ブレードコータ法、またはダイコート法等を用いて表示電極12が形成された前面基板11上に塗布し、下層誘電体ガラス層形成用膜を形成する。遠赤外線乾燥装置、ホットプレート、または熱風乾燥装置を用いて、60〜120℃で下層誘電体ガラス層形成用膜を乾燥させた後、500℃〜600℃の範囲であって、第1のガラス材料の軟化点付近の温度で焼成して、下層誘電体ガラス層14aを形成する。
【0027】
次に、上層誘電体ガラス層14bを形成するためのガラス形成用塗料(第2のガラス形成用塗料)の作製方法を説明する。第2のガラス形成用塗料は、第2のガラス材料からなるガラス粉末と、溶剤と、バインダー樹脂とを混合して作製される。この塗料をスクリーン印刷法、スプレー法、ブレードコータ法、またはダイコート法等を用いて、下層誘電体ガラス層14a上に上層誘電体ガラス層形成用膜を形成する。遠赤外線乾燥装置、ホットプレート、または熱風乾燥装置を用いて、60〜120℃で上層誘電体ガラス層形成用膜を乾燥させた後、500℃〜600℃の範囲であって、第2のガラス材料の軟化点付近の温度で焼成して、上層誘電体ガラス層14bを形成する。第2のガラス材料はBaOを15重量%以上含む鉛系ガラスであり、このような鉛系ガラスは誘電率の増加を抑えつつ軟化点を下げることが可能である。このため、第1のガラス材料よりも誘電率が小さく、かつ、軟化点も低い第2のガラス材料を実現することができる。このような第2のガラス材料を用いた場合、焼成温度を下層誘電体ガラス層14aの形成時よりも低く設定することができるので、上層誘電体ガラス層14bを形成する際の焼成時に下層誘電体ガラス層14aに含まれる第1のガラス材料が溶融して表示電極を構成するAg等と反応してしまうおそれがない。このため、表示電極にAg膜を用いた場合であっても、下層誘電体ガラス層14aに着色等の問題が生じにくくなる。
【0028】
前記第1および第2のガラス形成用塗料の溶剤には、α−、β−、γ−テルピネオールなどのテルペン類、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールジアルキルエーテルアセテート類、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1−ブタノールなどのアルコール類等から選択される1種、もしくは2種類以上を混合したものを使用することができる。
【0029】
また、前記第1および第2のガラス形成用塗料のバインダー樹脂としては、ニトロセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリブチルアクリレート、ポリメタクリレート等のアクリル系樹脂や共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等から選択される1種、もしくは2種以上を併用して使用することができる。
【0030】
さらに、必要に応じて、これらのガラス形成用塗料に分散剤や可塑剤等を加えることも可能である。
【0031】
以上のように二層で形成された誘電体ガラス層は、単層で形成された誘電体ガラス層と同程度の光透過性を維持しつつ、高い絶縁耐圧を有することができる。これにより、光透過率が高く(透明性が高く)、かつ、絶縁耐電圧が高いプラズマディスプレイパネルを実現することができる。
【0032】
なお、本実施の形態においては、一層の下層誘電体ガラス層と一層の上層誘電体ガラス層とからなる二層構造の誘電体ガラス層を備えたプラズマディスプレイについて説明したが、上層誘電体ガラス層を二層以上で構成して、一層の下層誘電体ガラス層と多層の上層誘電体ガラス層とからなる三層以上の誘電体ガラス層としてもよい。この場合、各上層誘電体ガラス層に含まれるガラス材料が、下層誘電体ガラス層に含まれるガラス材料よりも、低い誘電率を有していればよい。
【0033】
また、本実施の形態においては、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層を形成する際に、ガラス形成用塗料をスクリーン印刷法、スプレー法、ブレードコータ法、ダイコート法等によって直接塗布する方法を用いることを説明したが、これに限らず、ガラス形成用塗料を予めシート状に加工しておき、このシート状物を転写等の間接的な方法でガラス基板や下層の誘電体ガラス層上に配置する方法を用いることも可能である。
【0034】
【実施例】
以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説明する。
【0035】
(実施例1)
本実施例において、下層誘電体ガラス層を形成するための第1のガラス形成用塗料に用いた第1のガラス材料の組成は次の通りである。なお、ここでの各組成の重量%は、厳密には、各元素の酸化物を化学量論的酸化物に換算したときの値である。また、この第1のガラス材料の誘電率は12で、軟化点は585℃であった。
【0036】
PbO   : 62重量%
SiO : 26重量%
3  :  6重量%
CaO   :  6重量%
一方、上層誘電体ガラス層を形成するための第2のガラス形成用塗料に用いた第2のガラス材料の組成は次の通りである。また、第2のガラス材料の誘電率は10で、軟化点は570℃であった。
【0037】
PbO     : 41  重量%
SiO  : 10  重量%
3   : 27.5重量%
BaO     : 16  重量%
Al3  :  5  重量%
CuO     :  0.5重量%
また、第1および第2のガラス形成用塗料のバインダー樹脂としてはエチルセルロース、溶剤としてはα−ターピネオールとブチルカルビトールアセテート(BCA)との混合物(混合比1:1)を用いた。
【0038】
第1および第2のガラス形成用塗料は、共に、上記のガラス材料からなるガラス粉末65重量%、エチルセルロース2重量%、α−ターピネオールとBCAの混合物33重量%を配合し、3本ローラの分散機によって各種成分を均質に混合分散することにより作製した。
【0039】
まず、Ag電極を形成した42インチのガラス基板上に、第1のガラス形成用塗料をダイコート法で塗布して厚さ34μmの下層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その下層誘電体ガラス層用膜を90℃で乾燥させて590℃で焼成を行って、厚さ12μmの下層誘電体ガラス層を作製した。次に、第2のガラス形成用塗料を下層誘電体ガラス層上にダイコート法で塗布して厚さ80μmの上層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その上層誘電体ガラス層用膜を90℃で乾燥させて580℃で焼成を行って、厚さ28μmの上層誘電体ガラス層を作製した。
【0040】
(実施例2)
本実施例において、下層誘電体ガラス層を形成するための第1のガラス形成塗料は実施例1と同様のものを用いた。当然、第1のガラス材料の誘電率および軟化点も同じであった。
【0041】
一方、本実施例の上層誘電体ガラス層は、次のような組成の第2のガラス材料を含む第2のガラス形成用塗料を用いて作製した。また、第2のガラス材料の誘電率は10で、軟化点は560℃であった。
【0042】
PbO     : 45  重量%
SiO  : 10  重量%
3   : 22.5重量%
BaO     : 18  重量%
Al3  :  4  重量%
CuO     :  0.5重量%
なお、用いた溶剤およびバインダー樹脂は実施例1の場合と同様であり、第2のガラス形成用塗料の作製方法も実施例1の場合と同様とした。
【0043】
まず、Ag電極を形成した42インチのガラス基板上に、第1のガラス形成用塗料をダイコート法で塗布して厚さ34μmの下層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その下層誘電体ガラス層用膜を90℃で乾燥させて590℃で焼成を行って、厚さ12μmの下層誘電体ガラス層を作製した。次に、第2のガラス形成用塗料を下層誘電体ガラス層上にダイコート法で塗布して厚さ74μmの上層誘電体ガラス層用膜を形成し、その後、その上層誘電体ガラス層用膜を90℃で乾燥させて570℃で焼成を行って、厚さ28μmの上層誘電体ガラス層を作製した。
【0044】
(比較例1)
実施例1において上層誘電体ガラス層形成用として用いた第2のガラス形成用塗料を、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の両方に用いて、実施例1,2と同様の方法で42インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。すなわち、二層の誘電体ガラス層を同じ誘電率を有するガラス材料を用いて作製したので、実質的には厚さ40μmの単層の誘電体ガラス層を有するパネルとなった。乾燥温度は上下層とも90℃、焼成温度は上下層とも580℃とした。
【0045】
(比較例2)
実施例2において上層誘電体ガラス層形成用として用いた第2のガラス形成用塗料を、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の両方に用いて、実施例1,2と同様の方法で42インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。すなわち、二層の誘電体ガラス層を同じ誘電率を有するガラス材料を用いて作製したので、実質的には厚さ40μmの単層の誘電体ガラス層を有するパネルとなった。乾燥温度は上下層とも90℃、焼成温度は上下層とも570℃とした。
【0046】
(比較例3)
実施例1,2において下層誘電体ガラス層形成用として用いた第1のガラス形成用塗料を、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の両方に用いて、実施例1,2と同様の方法で42インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。すなわち、二層の誘電体ガラス層を同じ誘電率を有するガラス材料を用いて作製したので、実質的には厚さ40μmの単層の誘電体ガラス層を有するパネルとなった。乾燥温度は上下層とも90℃、焼成温度は上下層とも590℃とした。
【0047】
(比較例4)
実施例1において下層誘電体ガラス形成用として用いた第1のガラス形成用塗料を上層誘電体ガラス層に用い、上層誘電体ガラス形成用として用いた第2のガラス形成用塗料を下層誘電体ガラス層に用いて、実施例1と同様の方法で42インチガラス基板上に誘電体ガラス層を形成した。下層誘電体ガラス層の厚さを12μmとし、上層誘電体ガラス層の厚さを28μmとした。
【0048】
以上のように形成された実施例1,2および比較例1〜4の42インチパネルに対して、絶縁破壊テスト(絶縁耐電圧テスト)を行った。絶縁破壊テストは、パネルを封着する前に前面板を抜き取って金属板(ここでは金属としてアルミニウムを用いた。)の上に置き、前面板と金属板との間に希ガス(ここではヘリウムとネオンを1:1の割合で含む混合ガスを用いた。)を通して、表示電極をプラス、金属板をマイナスとして、500VまでのAC電圧を印加した。このような絶縁破壊テストを、実施例1,2および比較例1〜4のパネルの10個のサンプルに対して行った。10個のサンプルのうち絶縁破壊が生じた個数が図2に示されている。この絶縁破壊テストの結果によれば、200V程度の電圧印加で単層構造の誘電体ガラス層を有する比較例1〜4のパネルは絶縁破壊が生じるが、本発明の構成の実施例1,2のパネルは絶縁破壊が生じないことが確認された。
【0049】
また、全光線透過率の測定も行った。この全光線透過率の測定は、Ag電極が設けられていないガラス基板上に実施例1,2および比較例1〜4の誘電体ガラス層を形成したものを用意し、この誘電体ガラス層のみの全光線透過率を、ヘイズメータHM−150((株)村上色彩研究所製)を用いて、波長550nmで測定した。このように、上層誘電体ガラス層および下層誘電体ガラス層の合計厚さが40μmである誘電体ガラス層に対して行った全光線透過率の測定結果が、図3に示されている。この結果から、実施例1,2の二層構造の誘電体ガラス層は比較例1〜3の単層構造の誘電体ガラス層とほぼ同等の全光線透過率を有し、また、比較例4の二層構造の誘電体ガラス層よりも良好な光透過率を有することが確認された。
【0050】
また、下層誘電体ガラス層と上層誘電体ガラス層との厚みの変化と光透過率との関係についても測定を行った。その結果が図4に示されている。なお、ここでは、下層誘電体ガラス層と上層誘電体ガラス層と厚みの合計を40μmに固定して、上層誘電体ガラス層の厚みを0〜40μm、下層誘電体ガラス層の厚みを40〜0μmに変化させて測定を行った。また、下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層は実施例1と同様の方法で作製し、用いたガラス材料、溶剤、およびバインダー樹脂も実施例1の場合と同様にした。この結果より、上層誘電体ガラス層の厚みを下層誘電体ガラス層の厚みよりも約2倍以上厚く形成すると、85%程度の高い光透過率を実現できることがわかった。これより、BaOを含む鉛系ガラスを用いて作製された光学特性の良好な上層誘電体ガラス層の厚みを下層誘電体ガラス層よりも約2倍以上厚くすれば、誘電体ガラス層を二層構造としても良好な光学特性が得られることが確認された。
【0051】
以上の結果より、本発明のような誘電体ガラス層を有するプラズマディスプレイパネルは、十分な光透過率を維持したままで、絶縁耐電圧を向上させることができることが確認できた。
【0052】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明のプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法によれば、十分な光透過率を維持しつつ絶縁耐電圧が向上したプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態のプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【図2】本発明の実施例および比較例のプラズマディスプレイパネルに対して行った絶縁破壊テストの結果を示すグラフである。
【図3】本発明の実施例および比較例のプラズマディスプレイパネルに対して行った全光線透過率測定の結果を示すグラフである。
【図4】下層誘電体ガラス層および上層誘電体ガラス層の厚みの変化と光透過率との関係を示すグラフである。
【図5】従来のプラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
1  前面板
2  背面板
11  前面基板
12  表示電極
13  ブラックストライプ
14a  下層誘電体ガラス層
14b  上層誘電体ガラス層
15  誘電体保護層
21  背面基板
22  アドレス電極
23  誘電体ガラス層
24  隔壁
25  蛍光体層
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma display panel and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
In recent years, expectations for large-screen high-quality televisions have increased. CRTs (cathode-ray tubes) conventionally used are superior to plasma displays and liquid crystal displays in terms of resolution and image quality, but are not suitable for large screens of 40 inches or more in terms of depth and weight. Not suitable. In addition, the liquid crystal display has excellent performance such as low power consumption and low driving voltage, but has a limitation in a large screen and a viewing angle. On the other hand, the plasma display can realize a large screen and a small depth, and a 60-inch class product has already been developed.
[0003]
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a conventional AC (AC) plasma display panel. In order to clearly show the structure of the plasma display panel, FIG. 5 shows the front panel and the rear panel of the plasma display panel separately (in a state where they are not integrated).
[0004]
In FIG. 5, 101 is a front plate, and 102 is a back plate. The front plate 101 is provided with a display electrode 1012 and a black stripe 1013 on a front substrate 1011, further provided with a dielectric glass layer 1014 covering the display electrode 1012 and the black stripe 1013, and further provided with a dielectric protection layer 1015. It is configured. The front substrate 1011 is made of sodium borosilicate glass or lead glass produced by a float method. The display electrode 1012 is a strip-shaped electrode made of an Ag film or a laminated film of Cr—Cu—Cr. The dielectric glass layer 1014 is formed using glass powder having an average particle size of 0.1 μm to 20 μm, and functions as a dielectric layer of a capacitor. The dielectric protection layer 1015 is formed of MgO. On the other hand, on the back plate 102, a plurality of address electrodes 1022 are provided on a back substrate 1021, a dielectric glass layer 1023 covering the address electrodes 1022 is further provided, and a partition 1024 and a phosphor layer 1025 are further provided thereon. Have been. The back substrate 1021 is a substrate made of glass like the front substrate 1011. The address electrode 1022 is a strip-shaped electrode orthogonal to the display electrode 1012 of the front panel 101, and is an electrode made of a laminated film of indium tin oxide (ITO) and an Ag film or Cr—Cu—Cr. The partition 1024 separates each of the address electrodes 1022 provided in a belt shape to form a discharge space. That is, the space between the partitions is a discharge space in which the discharge gas is sealed. The phosphor layer 1025 is provided from above the address electrode 1022 to the side surface of the partition 1024. The phosphor layer 1025 includes three color phosphor layers 1025a, 1025b, and 1025c formed of materials corresponding to red (R), green (G), and blue (B) in order to enable color display. They are arranged in order with the partition wall 1024 interposed therebetween.
[0005]
In such a plasma display panel, the dielectric glass layer 1014 provided on the front plate 101 is required to have high withstand voltage and high light transmittance. The characteristics of the dielectric withstand voltage and the light transmittance of the dielectric glass layer 1014 largely depend on the surface state, film defects, and residual bubbles of the dielectric glass layer 1014.
[0006]
Conventionally, a method for forming such a dielectric glass layer 1014 includes a glass powder, a solvent, a resin that functions as a binder (hereinafter, referred to as a binder resin), a plasticizer, a dispersant, and the like. A method is known in which the paste is applied to the display electrode 1012 of the front plate 101 by using a screen printing method, a spray method, a blade coater method, or a die coating method, and then dried and fired.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method and material for forming the dielectric glass layer 1014 covering the display electrode 1012, many bubbles remain in the film, causing a problem such as dielectric breakdown occurring in the dielectric glass layer 1014, resulting in high insulation. It was difficult to form a dielectric glass layer 1014 having a withstand voltage.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The plasma display panel according to the present invention includes: a front substrate; a display electrode disposed on the front substrate; a lower dielectric glass layer including a first glass material disposed on the display electrode; At least one upper dielectric glass layer including a second glass material disposed on the body glass layer, wherein a dielectric constant of the second glass material is a dielectric constant of the first glass material. Lower than
[0009]
According to the method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, a lower dielectric glass layer forming film is formed on a front substrate provided with a display electrode using a first glass forming paint including a first glass material. A first step of drying and baking the film for forming a lower dielectric glass layer to form a lower dielectric glass layer, and a second step having a lower dielectric constant than the first glass material. An upper dielectric glass layer forming film is formed using a second glass forming paint containing a glass material, and then the upper dielectric glass layer forming film is dried and fired to form an upper dielectric glass layer. And a second step of forming a layer.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The plasma display panel according to the present invention includes: a front substrate; a display electrode disposed on the front substrate; a lower dielectric glass layer including a first glass material disposed on the display electrode; At least one upper dielectric glass layer including a second glass material disposed on the body glass layer, wherein a dielectric constant of the second glass material is a dielectric constant of the first glass material. Lower than In this plasma display panel, the dielectric glass layer is composed of a plurality of layers (lower dielectric glass layer, upper dielectric glass layer) formed of glass materials having mutually different characteristics. Thereby, defects (for example, pinholes, giant air bubbles, inclusion of foreign matter, etc.) generated in the lower dielectric glass layer disposed immediately above the display electrode can be compensated for by the upper dielectric glass layer. Further, since the second glass material included in the upper dielectric glass layer has a lower dielectric constant than the first glass material included in the lower dielectric glass layer, the withstand voltage between the display electrodes and between the display electrode and the address electrodes is reduced. Can be reduced. For the above reasons, according to the configuration of the present invention, it is possible to provide a plasma display panel with high insulation withstand voltage while suppressing the occurrence of dielectric breakdown.
[0011]
In the plasma display panel of the present invention, it is preferable that the upper dielectric glass layer has a higher light transmittance than the lower dielectric glass layer. Preferably, the thickness of the upper dielectric glass layer is at least twice the thickness of the lower dielectric glass layer. This is for suppressing the deterioration of the optical characteristics due to the multilayer structure of the dielectric glass layer.
[0012]
In the plasma display panel of the present invention, it is preferable that the second glass material is a lead-based glass containing BaO. The lead-based glass in the present invention is a glass that always contains lead as a constituent element. When a lead-based glass containing BaO is used, the bubble removal property at the time of firing is good, and thus the optical characteristics are improved. Therefore, by using such a glass material for the upper dielectric glass layer, it is possible to suppress a decrease in optical characteristics due to the multilayer dielectric glass layer. Also, in the case of lead-based glass, the dielectric constant tends to increase when the softening point is lowered. However, the softening point can be lowered by containing BaO while suppressing the increase in the dielectric constant. Therefore, the firing temperature of the upper dielectric glass layer can be lower than the firing temperature of the lower dielectric glass layer. Further, in the plasma display panel of the present invention, it is more preferable that the lead glass contains BaO in an amount of 15% by weight or more. Strictly speaking, the weight percentage of BaO is a value obtained by converting an oxide of an element into a stoichiometric oxide.
[0013]
In the plasma display panel of the present invention, the display electrode may be formed of an Ag film or a Cr—Cu—Cr laminated film.
[0014]
According to the method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, a lower dielectric glass layer forming film is formed on a front substrate provided with a display electrode using a first glass forming paint including a first glass material. A first step of drying and baking the film for forming a lower dielectric glass layer to form a lower dielectric glass layer, and a second step having a lower dielectric constant than the first glass material. An upper dielectric glass layer forming film is formed using a second glass forming paint containing a glass material, and then the upper dielectric glass layer forming film is dried and fired to form an upper dielectric glass layer. And a second step of forming a layer. According to this method, a plasma display panel having a high withstand voltage can be manufactured.
[0015]
In the method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention, it is preferable that the firing temperature in the second step is lower than the firing temperature in the first step by 10 ° C. or more. This is because the upper dielectric glass layer is formed without affecting the lower dielectric glass layer (without causing discoloration or the like of the lower dielectric glass layer).
[0016]
In the method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention, it is preferable that the first glass forming paint and the second glass forming paint further include a solvent and a binder resin. This is because the lower dielectric glass layer and the upper dielectric glass layer can be formed by a screen printing method, a spray method, a blade coater method, a die coating method, or the like.
[0017]
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0018]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an AC type plasma display panel according to an embodiment of the present invention. In order to clearly show the configuration of the plasma display panel, FIG. 1 shows the front panel and the rear panel of the plasma display panel separately (without being integrated).
[0019]
In FIG. 1, 1 is a front plate, and 2 is a back plate. The front plate 1 is provided with a display electrode 12 and a black stripe 13 on a front substrate 11, and further provided with a lower dielectric glass layer 14 a covering the display electrode 12 and the black stripe 13. An upper dielectric glass layer 14b is further provided on the lower dielectric glass layer 14a. Further, a dielectric protection layer 15 is provided. The front substrate 11 is made of sodium borosilicate glass or lead glass manufactured by a float method. The display electrode 12 is a strip-shaped electrode made of an Ag film or a laminated film of Cr—Cu—Cr. The lower dielectric glass layer 14a and the upper dielectric glass layer 14b are layers formed using a glass material, and function as dielectric layers of the capacitor. The dielectric protection layer 15 is formed of an oxide such as MgO.
[0020]
On the other hand, the back plate 2 has a plurality of address electrodes 22 provided on a back substrate 21, a dielectric glass layer 23 covering the address electrodes 22, and a partition 24 and a phosphor layer 25 provided thereon. Have been. The rear substrate 21 is a substrate made of glass, like the front substrate 11. The address electrode 22 is a strip-shaped electrode orthogonal to the display electrode 12 of the front panel 1, and is an electrode made of a laminated film of ITO and an Ag film or Cr—Cu—Cr. The partition wall 24 forms a discharge space by isolating each address electrode 22 provided in a strip shape. That is, the space between the partitions is a discharge space in which the discharge gas is sealed. The phosphor layer 25 is provided from above the address electrode 22 to the side surface of the partition wall 24. The phosphor layer 25 includes three color phosphor layers 25a, 25b, and 25c formed of materials corresponding to red (R), green (G), and blue (B) in order to enable color display. They are arranged in order with the partition wall 24 interposed therebetween.
[0021]
In such a plasma display panel, it is required that the dielectric glass layers (the lower dielectric glass layer 14a and the upper dielectric glass layer 14b) provided on the front panel 1 have high withstand voltage and high light transmittance. Is done. Therefore, in the present embodiment, the upper dielectric glass layer 14b is made of a glass material (second glass material) having a lower dielectric constant than the glass material (first glass material) used for the lower dielectric glass layer 14a. ). In this case, it is preferable that the difference in the dielectric constant between the lower dielectric glass layer 14a and the upper dielectric glass layer 14b is 1 or more. Accordingly, the withstand voltage load between the display electrodes 12 and between the display electrode 12 and the address electrodes 22 can be reduced, and the withstand voltage can be improved.
[0022]
The light transmittance of the upper dielectric glass layer 14b is preferably higher than the light transmittance of the lower dielectric glass layer 14a. More preferably, the light transmittance of the upper dielectric glass layer 14b is set to be lower than that of the lower dielectric glass layer 14a. Is set to be 10% or more higher than the light transmittance. Lead-based glass containing BaO is used as the second glass material so that the light transmittance of the upper dielectric glass layer 14b is higher than the light transmittance of the lower dielectric glass layer 14a. A glass layer formed by using a lead-based glass containing BaO in its composition has a high light transmittance because of good bubble elimination during firing of the glass. In general, when the softening point of lead-based glass is lowered, the dielectric constant increases. However, by including BaO, the softening point can be increased (preferably 10 to 10) without greatly increasing the dielectric constant. 30 ° C.). Therefore, if a lead-based glass containing BaO is used as the second glass material, it is possible to lower the firing temperature. The content of BaO is preferably 15% by weight or more, more preferably 17% by weight or more, and is not particularly limited, but is 25% by weight or less. The content of PbO is preferably 35 to 50% by weight. Strictly speaking, the weight percentage of PbO is a value obtained by converting an oxide of an element into a stoichiometric oxide. Furthermore, in order to prevent a significant decrease in light transmittance due to the multilayer structure of the dielectric glass layer, the entire dielectric glass layer (a layer in which the lower dielectric glass layer 14a and the upper dielectric glass layer 14b are combined) is used. The ratio of the upper dielectric glass layer 14b (the layer with the higher light transmittance) to the total dielectric glass layer 14b may be increased. In the plasma display panel of the present embodiment, the thickness of the upper dielectric glass layer 14b is set to be lower than that of the lower dielectric glass layer 14a in order to realize the same light transmittance as when the dielectric glass layer is formed as a single layer. Is preferably at least twice the thickness of
[0023]
As the first glass material used for the lower dielectric glass layer 14a and the second glass material used for the upper dielectric glass layer 14b, powder of lead-based glass having an average particle diameter of 1 to 8 μm is suitable. As described above, it is preferable to use a lead-based glass containing BaO as the second glass material particularly used for the upper dielectric glass layer 14b.
[0024]
A preferred composition range of the first and second glass materials is as follows: PbO is 35 to 70% by weight; 2 Is 4 to 30% by weight, B 2 O 3 1-30% by weight, BaO 0-25% by weight, Al 2 O 3 0-10% by weight, CuO 0-1% by weight, CaO 0-10% by weight, TiO 2 Is 0 to 5% by weight.
[0025]
Next, a method for forming the dielectric glass layers (lower dielectric glass layer 14a and upper dielectric glass layer 14b) of the plasma display panel in the present embodiment will be described.
[0026]
First, a method for producing a glass-forming paint (first glass-forming paint) for forming the lower dielectric glass layer 14a will be described. The first glass-forming paint is prepared by mixing a glass powder made of a first glass material, a solvent, and a binder resin. This paint is applied on the front substrate 11 on which the display electrodes 12 are formed by using a screen printing method, a spray method, a blade coater method, a die coat method, or the like, to form a film for forming a lower dielectric glass layer. After drying the lower dielectric glass layer forming film at 60 to 120 ° C. using a far-infrared ray drying device, a hot plate, or a hot air drying device, the first glass is dried at a temperature of 500 ° C. to 600 ° C. The lower dielectric glass layer 14a is formed by firing at a temperature near the softening point of the material.
[0027]
Next, a method for producing a glass-forming paint (second glass-forming paint) for forming the upper dielectric glass layer 14b will be described. The second glass-forming paint is prepared by mixing a glass powder made of a second glass material, a solvent, and a binder resin. Using this paint, a film for forming an upper dielectric glass layer is formed on the lower dielectric glass layer 14a by using a screen printing method, a spray method, a blade coater method, a die coating method, or the like. After drying the film for forming the upper dielectric glass layer at 60 to 120 ° C. using a far-infrared ray drying device, a hot plate, or a hot air drying device, the second glass having a temperature in the range of 500 ° C. to 600 ° C. The upper dielectric glass layer 14b is formed by firing at a temperature near the softening point of the material. The second glass material is a lead-based glass containing 15% by weight or more of BaO, and such a lead-based glass can lower the softening point while suppressing an increase in the dielectric constant. Therefore, a second glass material having a lower dielectric constant and a lower softening point than the first glass material can be realized. When such a second glass material is used, the firing temperature can be set lower than when the lower dielectric glass layer 14a is formed, so that the lower dielectric glass layer is fired when the upper dielectric glass layer 14b is formed. There is no risk that the first glass material contained in the body glass layer 14a will melt and react with Ag or the like constituting the display electrode. Therefore, even when the Ag film is used for the display electrode, problems such as coloring of the lower dielectric glass layer 14a hardly occur.
[0028]
Solvents for the first and second glass-forming paints include terpenes such as α-, β-, and γ-terpineol, ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ethers, and diethylene glycol. Dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, ethylene glycol dialkyl ether acetates, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether Acetates, propylene glycol dialkyl ether acetates, meta Lumpur, ethanol, isopropanol, one selected from alcohols such as such as 1-butanol, or it is possible to use a mixture of two or more.
[0029]
Examples of the binder resin for the first and second glass-forming paints include cellulose resins such as nitrocellulose, ethylcellulose, and hydroxyethylcellulose; acrylic resins and copolymers such as polybutyl acrylate and polymethacrylate; and polyvinyl alcohol. , Polyvinyl butyral, etc., or a combination of two or more thereof.
[0030]
Further, if necessary, a dispersant, a plasticizer, and the like can be added to these glass-forming paints.
[0031]
As described above, the dielectric glass layer formed of two layers can have a high dielectric strength while maintaining the same light transmittance as the dielectric glass layer formed of a single layer. Thus, a plasma display panel having high light transmittance (high transparency) and high withstand voltage can be realized.
[0032]
In the present embodiment, a plasma display including a two-layer dielectric glass layer including one lower dielectric glass layer and one upper dielectric glass layer has been described. May be composed of two or more layers, and three or more dielectric glass layers composed of one lower dielectric glass layer and multiple upper dielectric glass layers. In this case, the glass material included in each upper dielectric glass layer only needs to have a lower dielectric constant than the glass material included in the lower dielectric glass layer.
[0033]
In the present embodiment, when forming the lower dielectric glass layer and the upper dielectric glass layer, a method of directly applying a glass forming paint by a screen printing method, a spray method, a blade coater method, a die coat method, or the like. However, the present invention is not limited to this. The coating material for glass formation is processed into a sheet in advance, and the sheet is transferred onto the glass substrate or the lower dielectric glass layer by an indirect method such as transfer. Can be used.
[0034]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples.
[0035]
(Example 1)
In the present embodiment, the composition of the first glass material used for the first glass-forming paint for forming the lower dielectric glass layer is as follows. Strictly speaking, the weight% of each composition is a value obtained by converting an oxide of each element into a stoichiometric oxide. The dielectric constant of the first glass material was 12, and the softening point was 585 ° C.
[0036]
PbO: 62% by weight
SiO 2 : 26% by weight
B 2 O 3 : 6% by weight
CaO: 6% by weight
On the other hand, the composition of the second glass material used for the second glass forming paint for forming the upper dielectric glass layer is as follows. The dielectric constant of the second glass material was 10, and the softening point was 570 ° C.
[0037]
PbO: 41% by weight
SiO 2 : 10% by weight
B 2 O 3 : 27.5% by weight
BaO: 16% by weight
Al 2 O 3 : 5% by weight
CuO: 0.5% by weight
Ethyl cellulose was used as a binder resin for the first and second glass forming paints, and a mixture of α-terpineol and butyl carbitol acetate (BCA) (mixing ratio 1: 1) was used as a solvent.
[0038]
The first and second glass-forming paints each contain 65% by weight of glass powder made of the above glass material, 2% by weight of ethyl cellulose, and 33% by weight of a mixture of α-terpineol and BCA, and are dispersed by three rollers. It was produced by uniformly mixing and dispersing various components by a machine.
[0039]
First, a first glass-forming coating material is applied by a die coating method on a 42-inch glass substrate on which an Ag electrode is formed to form a 34 μm-thick film for a lower dielectric glass layer. The film for a glass layer was dried at 90 ° C. and fired at 590 ° C. to produce a lower dielectric glass layer having a thickness of 12 μm. Next, the second glass forming paint is applied on the lower dielectric glass layer by a die coating method to form an upper dielectric glass layer film having a thickness of 80 μm, and then the upper dielectric glass layer film is formed. After drying at 90 ° C. and firing at 580 ° C., an upper dielectric glass layer having a thickness of 28 μm was prepared.
[0040]
(Example 2)
In this example, the same first glass-forming paint as used in Example 1 was used to form the lower dielectric glass layer. Naturally, the dielectric constant and softening point of the first glass material were also the same.
[0041]
On the other hand, the upper dielectric glass layer of this example was produced using a second glass-forming paint containing a second glass material having the following composition. The dielectric constant of the second glass material was 10, and the softening point was 560 ° C.
[0042]
PbO: 45% by weight
SiO 2 : 10% by weight
B 2 O 3 : 22.5% by weight
BaO: 18% by weight
Al 2 O 3 : 4% by weight
CuO: 0.5% by weight
The solvent and binder resin used were the same as in Example 1, and the method for producing the second glass-forming paint was also the same as in Example 1.
[0043]
First, a first glass-forming coating material is applied by a die coating method on a 42-inch glass substrate on which an Ag electrode is formed to form a 34 μm-thick film for a lower dielectric glass layer. The film for a glass layer was dried at 90 ° C. and fired at 590 ° C. to produce a lower dielectric glass layer having a thickness of 12 μm. Next, a second glass-forming paint is applied on the lower dielectric glass layer by a die coating method to form a film for the upper dielectric glass layer having a thickness of 74 μm, and thereafter, the film for the upper dielectric glass layer is formed. After drying at 90 ° C. and firing at 570 ° C., an upper dielectric glass layer having a thickness of 28 μm was prepared.
[0044]
(Comparative Example 1)
In the same manner as in Examples 1 and 2, the second glass-forming paint used for forming the upper dielectric glass layer in Example 1 was used for both the lower dielectric glass layer and the upper dielectric glass layer. A dielectric glass layer was formed on a 42-inch glass substrate. That is, since two dielectric glass layers were produced using glass materials having the same dielectric constant, a panel having a single dielectric glass layer having a thickness of substantially 40 μm was obtained. The drying temperature was 90 ° C. for both the upper and lower layers, and the firing temperature was 580 ° C. for both the upper and lower layers.
[0045]
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Examples 1 and 2, the second glass forming paint used for forming the upper dielectric glass layer in Example 2 was used for both the lower dielectric glass layer and the upper dielectric glass layer. A dielectric glass layer was formed on a 42-inch glass substrate. That is, since two dielectric glass layers were produced using glass materials having the same dielectric constant, a panel having a single dielectric glass layer having a thickness of substantially 40 μm was obtained. The drying temperature was 90 ° C. for both the upper and lower layers, and the firing temperature was 570 ° C. for both the upper and lower layers.
[0046]
(Comparative Example 3)
The same as in Examples 1 and 2, except that the first glass forming paint used for forming the lower dielectric glass layer in Examples 1 and 2 was used for both the lower dielectric glass layer and the upper dielectric glass layer. A dielectric glass layer was formed on a 42-inch glass substrate by the method. That is, since two dielectric glass layers were produced using glass materials having the same dielectric constant, a panel having a single dielectric glass layer having a thickness of substantially 40 μm was obtained. The drying temperature was 90 ° C. for both the upper and lower layers, and the firing temperature was 590 ° C. for both the upper and lower layers.
[0047]
(Comparative Example 4)
The first glass forming paint used for forming the lower dielectric glass in Example 1 was used for the upper dielectric glass layer, and the second glass forming paint used for forming the upper dielectric glass was used for the lower dielectric glass. A dielectric glass layer was formed on a 42-inch glass substrate in the same manner as in Example 1 by using the layer. The thickness of the lower dielectric glass layer was 12 μm, and the thickness of the upper dielectric glass layer was 28 μm.
[0048]
A dielectric breakdown test (dielectric withstand voltage test) was performed on the 42-inch panels of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 formed as described above. In the dielectric breakdown test, before sealing the panel, the front plate was removed and placed on a metal plate (here, aluminum was used as a metal), and a rare gas (here, helium was used here) was placed between the front plate and the metal plate. And a neon mixed gas in a ratio of 1: 1 was used.), And an AC voltage of up to 500 V was applied with the display electrode being positive and the metal plate being negative. Such a dielectric breakdown test was performed on ten samples of the panels of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4. FIG. 2 shows the number of dielectric breakdowns among the ten samples. According to the results of the dielectric breakdown test, when the voltage of about 200 V was applied, the panels of Comparative Examples 1 to 4 having the single-layer dielectric glass layer caused the dielectric breakdown. It was confirmed that dielectric breakdown did not occur in the panel No.
[0049]
The total light transmittance was also measured. For the measurement of the total light transmittance, the dielectric glass layers of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared on a glass substrate on which no Ag electrode was provided. Was measured at a wavelength of 550 nm using a haze meter HM-150 (manufactured by Murakami Color Research Laboratory). FIG. 3 shows the measurement result of the total light transmittance performed on the dielectric glass layer in which the total thickness of the upper dielectric glass layer and the lower dielectric glass layer is 40 μm. From these results, the two-layered dielectric glass layers of Examples 1 and 2 have almost the same total light transmittance as the single-layered dielectric glass layers of Comparative Examples 1 to 3, and Comparative Example 4 It was confirmed that it had a better light transmittance than the two-layer dielectric glass layer.
[0050]
Further, the relationship between the change in the thickness of the lower dielectric glass layer and the thickness of the upper dielectric glass layer and the light transmittance was also measured. The result is shown in FIG. Here, the total thickness of the lower dielectric glass layer, the upper dielectric glass layer and the thickness is fixed at 40 μm, the thickness of the upper dielectric glass layer is 0 to 40 μm, and the thickness of the lower dielectric glass layer is 40 to 0 μm. And the measurement was performed. The lower dielectric glass layer and the upper dielectric glass layer were produced in the same manner as in Example 1, and the glass materials, solvents, and binder resins used were the same as in Example 1. From this result, it was found that when the thickness of the upper dielectric glass layer was about twice or more as large as the thickness of the lower dielectric glass layer, a light transmittance as high as about 85% could be realized. Thus, if the thickness of the upper dielectric glass layer having good optical properties and made using lead-based glass containing BaO is about twice or more as large as that of the lower dielectric glass layer, two dielectric glass layers can be formed. It was confirmed that good optical characteristics could be obtained as a structure.
[0051]
From the above results, it was confirmed that the plasma display panel having the dielectric glass layer as in the present invention can improve the dielectric strength voltage while maintaining a sufficient light transmittance.
[0052]
【The invention's effect】
As described above, according to the plasma display panel and the method of manufacturing the same of the present invention, it is possible to provide a plasma display panel having an improved dielectric strength voltage while maintaining a sufficient light transmittance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing the results of a dielectric breakdown test performed on the plasma display panels of Examples and Comparative Examples of the present invention.
FIG. 3 is a graph showing the results of the total light transmittance measurement performed on the plasma display panels of the example of the present invention and the comparative example.
FIG. 4 is a graph showing a relationship between a change in thickness of a lower dielectric glass layer and an upper dielectric glass layer and light transmittance.
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a conventional plasma display panel.
[Explanation of symbols]
1 Front panel
2 Back plate
11 Front board
12 Display electrode
13 Black Stripe
14a Lower dielectric glass layer
14b Upper dielectric glass layer
15 Dielectric protection layer
21 Back substrate
22 address electrode
23 Dielectric glass layer
24 partition
25 phosphor layer

Claims (9)

前面基板と、
前記前面基板上に配置された表示電極と、
前記表示電極上に配置された、第1のガラス材料を含む下層誘電体ガラス層と、
前記下層誘電体ガラス層上に配置された、第2のガラス材料を含む少なくとも一層の上層誘電体ガラス層とを備えており、
前記第2のガラス材料の誘電率は、前記第1のガラス材料の誘電率よりも低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A front substrate,
A display electrode disposed on the front substrate,
A lower dielectric glass layer including a first glass material disposed on the display electrode;
And at least one upper dielectric glass layer including a second glass material disposed on the lower dielectric glass layer,
The dielectric constant of the second glass material is lower than the dielectric constant of the first glass material.
前記上層誘電体ガラス層は前記下層誘電体ガラス層よりも高い光透過率を有する請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。The plasma display panel according to claim 1, wherein the upper dielectric glass layer has a higher light transmittance than the lower dielectric glass layer. 前記上層誘電体ガラス層の厚みが前記下層誘電体ガラス層の厚みの2倍以上である請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。2. The plasma display panel according to claim 1, wherein the thickness of the upper dielectric glass layer is at least twice the thickness of the lower dielectric glass layer. 前記第2のガラス材料は、BaOを含む鉛系ガラスである請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。The plasma display panel according to claim 1, wherein the second glass material is a lead-based glass containing BaO. 前記鉛系ガラスは、BaOを15重量%以上含む請求項4に記載のプラズマディスプレイパネル。The plasma display panel according to claim 4, wherein the lead-based glass contains BaO in an amount of 15% by weight or more. 前記表示電極が、Ag膜またはCr−Cu−Crの積層膜を含む請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。The plasma display panel according to claim 1, wherein the display electrode includes an Ag film or a Cr—Cu—Cr laminated film. 表示電極が設けられた前面基板上に、第1のガラス材料を含む第1のガラス形成用塗料を用いて下層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記下層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って下層誘電体ガラス層を形成する第1の工程と、
前記第1のガラス材料よりも誘電率の低い第2のガラス材料を含む第2のガラス形成用塗料を用いて上層誘電体ガラス層形成用膜を形成し、その後、前記上層誘電体ガラス層形成用膜に対して乾燥および焼成を行って上層誘電体ガラス層を形成する第2の工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
A lower dielectric glass layer forming film is formed on a front substrate provided with a display electrode by using a first glass forming paint including a first glass material, and thereafter, the lower dielectric glass layer forming film is formed. A first step of drying and firing the film to form a lower dielectric glass layer;
Forming an upper dielectric glass layer forming film using a second glass forming paint including a second glass material having a lower dielectric constant than the first glass material, and then forming the upper dielectric glass layer forming film; Drying and baking the film for use to form an upper dielectric glass layer.
前記第2の工程における焼成温度は、前記第1の工程における焼成温度よりも10℃以上低い請求項7に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。8. The method according to claim 7, wherein the firing temperature in the second step is lower than the firing temperature in the first step by 10 ° C. or more. 前記第1のガラス形成用塗料および第2のガラス形成用塗料は、さらに溶剤およびバインダー樹脂を含む請求項7に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。The method according to claim 7, wherein the first glass-forming paint and the second glass-forming paint further include a solvent and a binder resin.
JP2002235172A 2002-08-12 2002-08-12 Plasma display panel and its manufacturing method Withdrawn JP2004079248A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002235172A JP2004079248A (en) 2002-08-12 2002-08-12 Plasma display panel and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002235172A JP2004079248A (en) 2002-08-12 2002-08-12 Plasma display panel and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004079248A true JP2004079248A (en) 2004-03-11

Family

ID=32019756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002235172A Withdrawn JP2004079248A (en) 2002-08-12 2002-08-12 Plasma display panel and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004079248A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3389243B1 (en) Plasma display panel and method of manufacturing the same
US6787239B2 (en) Electrode material, dielectric material and plasma display panel using them
US6010973A (en) Dielectric forming material for use in plasma display panel and glass powder used therefor
WO2007040120A1 (en) Plasma display panel
JP2000226229A (en) Material for forming dielectric and paste for forming dielectric
US20110070800A1 (en) Plasma display panel
US20050179385A1 (en) Plasma display panel
JP2003226549A (en) Electrode material, dielectric material, electrode paste, dielectric paste and plasma display panel using them
JP2003249175A (en) Dielectric composition for dielectric film of plasma display panel and manufacturing method therefor
KR100942878B1 (en) Plasma display panel and method for manufacturing same
JP2002373592A (en) Electrode for plasma display panel and its manufacturing method
WO2007094202A1 (en) Plasma display panel
JP2004079248A (en) Plasma display panel and its manufacturing method
KR100496404B1 (en) Glass composition for coating electrode and glass forming coating meterial for coating electrode, and plasma display panel using the same and production method thereof
JP2002367518A (en) Plasma display panel and its electrode
JP2000011898A (en) Plasma display panel
JP2001266753A (en) Plasma display panel
JP2002324484A (en) Method for manufacturing plasma display panel
JP2002015664A (en) Manufacturing method of plasma display panel
JP2003045322A (en) Manufacturing method of plasma display panel
JP2005353514A (en) Manufacturing method for plasma display panel
JP2002124192A (en) Plasma display panel and its manufacturing method
JP2003267751A (en) Glass composition for coating electrode, paint for forming glass to coat electrode, plasma display panel using it and its manufacturing method
JP2005332602A (en) Surface discharge type display device
JP2009283163A (en) Plasma display panel, method for manufacturing the same, and dielectric paste

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20050223

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060407

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20060525

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060705

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20070116

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070126