JP2004062196A - Electro-optic apparatus and electronic appliance - Google Patents

Electro-optic apparatus and electronic appliance Download PDF

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JP2004062196A
JP2004062196A JP2003209431A JP2003209431A JP2004062196A JP 2004062196 A JP2004062196 A JP 2004062196A JP 2003209431 A JP2003209431 A JP 2003209431A JP 2003209431 A JP2003209431 A JP 2003209431A JP 2004062196 A JP2004062196 A JP 2004062196A
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electro
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Masao Murade
村出　正夫
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the light resistance and to display a high-quality image in an electro-optic apparatus such as a liquid crystal apparatus. <P>SOLUTION: The electro-optic apparatus is equipped with a pixel electrode (9a) and a TFT (30) connected to the electrode on a TFT array substrate (10), an upper light shielding layers (300, 6a) covering the upper side of at least the channel region of the TFT, and a lower light shielding layer (11a) covering the lower side of the channel region. The upper light shielding film has an overhang part (401) in the intersection region where a data line and a scanning line intersect with each other, with the overhang part regulating a corner cut in the opening region of each pixel. The channel region (1a') of the TFT is disposed in the intersection region. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置及び電子機器の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と称す）を、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその隣接領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。
【０００３】
そこで従来は、対向基板に設けられた各画素において、表示に寄与する光が透過或いは反射する開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴの上を通過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその隣接領域を遮光するように構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上において画素スイッチング用ＴＦＴ下側にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。
【０００５】
即ち、先ず対向基板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に含んでいる。例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度含むこともあるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。
【０００６】
加えて、遮光膜のない領域から電気光学装置内に侵入した光が、基板或いは基板上に形成された遮光膜の上面やデータ線で反射された後に、係る反射光或いはこれが更に基板或いは遮光膜やデータ線で反射された多重反射光が最終的にＴＦＴのチャネル領域に到達してしまう場合もある。
【０００７】
特に近年の表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示すべく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうという問題点がある。
【０００８】
尚、このような耐光性を高めるためには、単純に遮光膜の形成領域を広げれば良いようにも考えられるが、これでは、各画素の開口率を高めることが根本的に困難になり、表示画像が暗くなってしまうという問題点が生じる。
【０００９】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域を上側から覆うと共に前記データ線及び前記走査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定する上側遮光膜とを備えており、前記上側遮光膜は、前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されている。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば薄膜トランジスタのソースに、データ線を介して画像信号が供給され、薄膜トランジスタのゲートに、走査線を介して走査信号が供給される。すると、例えば薄膜トランジスタのドレインに接続された画素電極を、薄膜トランジスタによりスイッチング制御することによって、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。そして、薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域は、上側遮光膜によって、その上側から覆われているので、基板面に対して上方からの入射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。
【００１２】
ここで特に、上側遮光膜は、データ線及び走査線が相交差する交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有する。例えば、四角形の開口領域を基準に考えれば、一から四つの隅切りがなされて、五角形から八角形の開口領域が、規定される。そして、チャネル領域は、このような隅切りを有する交差領域内に配置されている。従って、このような張り出し部が存在しない場合と比べて、基板面に対して上方から垂直に或いは斜めに進行する強力な入射光及びこれに基づく内面反射光及び多重反射光などが、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を有する上側遮光膜によって有効に阻止できる。
【００１３】
加えて、このような上側遮光膜は、格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定しており、当該上側遮光膜によって、各画素の非開口領域を精度よく規定できる。
【００１４】
これらの結果、各画素の開口率を高めつつ、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減でき、最終的に明るく高品位の画像を表示できる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記画素電極は、前記隅切りに対応して角が落とされた平面形状を有する。
【００１６】
この態様によれば、画素電極についても隅切りが施されており、その平面形状は、例えば五角形から八角形などである。ところで、この種の電気光学装置における画素電極は、一般に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜等をパターニングすることで形成している。従って、パターニングの際のレジスト残りに起因した膜残りが多少発生するので、相隣接する画素電極間には、ある程度の間隙をとることが望ましい。相隣接する画素電極間で電気的なショートが発生しかねないからである。そして、このような膜残りは、下地に段差或いは凹凸が大きい領域ほど発生し易くなる。しかるに、この種の電気光学装置において下地に段差或いは凹凸が大きくなるのは、走査線とデータ線との両者が積層されている、交差領域に他ならない。そこで、この態様では、膜残りが発生しやすい交差領域において局所的に、膜残りが根本的に減少するように、この領域内に対応する角が落とされた平面形状を有する画素電極を形成する。即ち、このような平面形状であれば、パターニングの際に、画素電極間のショートが発生し難くなる。これにより、交差領域から外れたデータ線に沿った遮光領域部分内や走査線に沿った遮光領域部分内における相隣接する画素電極の間隙を、両者間にショートを起こさずに狭めることが可能となる。よって、歩留まりを低下させること無く画素電極間の間隙を狭めることにより、画素ピッチの微細化を図り、当該技術分野における基本的要請である表示画像の高精細化を促進できる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記チャネル領域は、前記交差領域の中央に配置されている。
【００１８】
この態様では、チャネル領域は、交差領域の中央に配置されており、特に隅切りが存在する分だけ、光が通過する各画素の開口領域から離間している。このため、チャネル領域に対する遮光性能を効率良く向上させられる。尚、「交差領域の中央に配置されている」とは、交差領域における重心等の中心点にチャネル領域の中心点が一致する場合の他、チャネル領域が交差領域内でその縁から多少なりともその中心点の側に寄って位置する場合も含む意味である。
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極に接続された蓄積容量を更に備えており、前記上側遮光膜は、前記蓄積容量を構成する固定電位側容量電極又は該固定電位側容量電極を含む容量線を兼ねる。
【００２０】
この態様によれば、蓄積容量によって、薄膜トランジスタを介して画素電極に書き込んだ電位を、その書き込み時間に比べて長期に亘って維持できる。そして特に、上側遮光膜は、蓄積容量を構成する固定電位側容量電極或いは容量線を兼ねるので、両者を別々に作り込む場合と比較して、基板上における積層構造及び製造方法の単純化を図れる。このような上側遮光膜は、金属膜、合金膜、金属シリサイド膜など導電性の遮光膜から構成すればよい。
【００２１】
但し、本発明において蓄積容量を作り込む場合、上側遮光膜は、蓄積容量の画素電位側容量電極を兼ねてもよい。或いは、固定電位側容量電極及び画素電位側容量電極の両者を導電性の遮光膜から構成することも可能である。また、基板上における、これら両容量電極の上下配置は、どちらが上でも下でも構わない。
【００２２】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極に接続された蓄積容量を更に備えており、前記蓄積容量は、前記遮光領域内に形成されており、前記張り出し部に重なる領域にも形成されている。
【００２３】
この態様によれば、各画素の開口領域側に張り出した張り出し領域の下をも有効利用して蓄積容量を作り込むので、限られた遮光領域内にて蓄積容量の増大を図れる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記少なくともチャネル領域及びその隣接領域を、下側から覆うと共に前記格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定する下側遮光膜を更に備える。
【００２５】
この態様によれば、薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域は、下側遮光膜によって、その下側から覆われているので、基板面に対して下方からの戻り光及びそれに起因する内面反射光或いは多重反射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びチャネル隣接領域に入射するのを基本的に阻止できる。ここに「戻り光」とは例えば、基板の裏面反射や、当該電気光学装置をライトバルブとして複数用いた複板式プロジェクタにおける他のライトバルブから出射され合成光学系を突き抜けてくる光などの、入射光と反対方向に戻ってくる、表示に寄与しない光をいう。
【００２６】
加えて、このような下側遮光膜は、格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定しており、同一基板上に形成された上側遮光膜及び下側遮光膜によって、各画素の非開口領域を精度よく規定できる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、前記交差領域において、前記隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有する。
【００２８】
この態様によれば、上側遮光膜と同様に、下側遮光膜は交差領域において隅切りを規定する張り出し部を有する。従って、このような張り出し部が存在しない場合と比べて、基板面に対して下方から垂直に或いは斜めに進行する戻り光及びこれに基づく内面反射光及び多重反射光などが、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を有する下側遮光膜によって有効に阻止できる。
【００２９】
この態様では、前記下側遮光膜の平面形状は、前記上側遮光膜の平面形状と比べて、前記交差領域において一回り小さいように構成してもよい。
【００３０】
このように構成すれば、通常戻り光よりも強力な入射光が、上側遮光膜の脇を抜けて下側遮光膜の表面で反射して、内面反射光が発生する事態を効果的に防止できる。
【００３１】
本発明の他の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域を下側から覆うと共に前記データ線及び前記走査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定する下側遮光膜とを備えており、前記下側遮光膜は、前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されている。
【００３２】
本発明の他の電気光学装置によれば、下側遮光膜は、交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有する。従って、このような張り出し部が存在しない場合と比べて、基板面に対して下方から垂直に或いは斜めに進行する戻り光及びこれに基づく内面反射光及び多重反射光などが、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を有する下側遮光膜によって有効に阻止できる。
【００３３】
加えて、このような下側遮光膜は、格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定しており、当該下側遮光膜によって、各画素の非開口領域を精度よく規定できる。
【００３４】
これらの結果、各画素の開口率を高めつつ、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減でき、最終的に明るく高品位の画像を表示できる。
【００３５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、遮光性の導電膜からなると共に前記走査線と複数個所で接続され且つ前記走査線に沿って延びており、前記走査線の冗長配線として機能する。
【００３６】
この態様によれば、導電性の遮光膜からなる下側遮光膜は、走査線の冗長配線として機能するので、走査線の低抵抗化を図ることができ、言い換えれば、走査線の形成領域或いは走査線に沿った遮光領域部分の幅を狭めることも可能となる。よって、一層明るく高品位の画像表示が可能となる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板に電気光学物質層を介して対向配置された対向基板を更に備えており、前記開口領域の四隅のうち、少なくとも前記電気光学物質層における動作不良が相対的に大きい一又は複数の隅に、前記張り出し部が設けられている。
【００３８】
この態様によれば、例えば液晶層の配向不良の如き、電気光学物質層の動作不良が大きい隅に対して、隅切りを規定する。従って、例えば液晶層の配向不良がラビング方向との関係で四隅に均等に発生しない場合の如き、動作不良が四隅に均等に発生しない場合に、当該動作不良となる領域を積極的に隠すことになる。よって、各開口領域の隅における光抜けの防止等により、コントラスト比を効率的に高めることができる。同時に、動作不良が小さい隅については、正常動作或いは正常に近い動作が行われるので、この部分を隠さないことで開口領域の一部として利用し、張り出し部の存在による各画素の開口率の低下を抑制することも可能となる。
【００３９】
尚、このような張り出し部は、一つの開口領域に対して、動作不良の発生個所や程度に応じて、一箇所設けてもよいし、二箇所或いは三箇所設けてもよい。
【００４０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板又は前記基板に対向配置された対向基板に、前記画素電極に対向配置されたマイクロレンズを更に備える。
【００４１】
この態様によれば、入射光は、マイクロレンズを介して、各画素の開口領域の中央寄りに導かれる。ここで特に、マイクロレンズにより適切に集光され表示に寄与する入射光は、交差領域にて隅切りを規定する上側遮光膜の張り出し部には、殆ど到達しない筈である。従って、張り出し部によって、マイクロレンズによって適切に集光されない光成分を遮光できるので、明るさを維持しつつ画質向上を図れる。
【００４２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極は、第１の周期で反転駆動されるための第１の画素電極群及び該第１の周期と相補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極群を含むと共に前記第１基板上に平面配列されており、前記張り出し部は、前記交差領域の中央を基準に前記第１の画素電極群の側に位置する二隅、又は前記第２の画素電極群の側に位置する二隅に設けられている。
【００４３】
この態様によれば、その動作時に、（ｉ）反転駆動時に各時刻において相互に逆極性の駆動電圧で駆動される相隣接する画素電極と（ｉｉ）反転駆動時に各時刻において相互に同一極性の駆動電圧で駆動される相隣接する画素電極との両者が存在している。このような両者は、例えば行毎に駆動電圧の極性をフィールド単位で反転させる１Ｈ反転駆動方式や、列毎に駆動電圧の極性をフィールド単位で反転させる１Ｓ反転駆動方式などの反転駆動方式を採るマトリクス駆動型の液晶装置等の電気光学装置であれば存在する。従って、異なる画素電極群に属する相隣接する画素電極の間には、横電界が生じる。しかるに本態様では、交差領域の中央を基準に第１の画素電極群の側に位置する二隅、又は第２の画素電極群の側に位置する二隅に隅切りが設けられている。このため、交差領域の付近における横電界が発生する領域を、張り出し部で遮光することができ、横電界による悪影響が表面化或いは顕在化するのを効果的に防止できる。これらの結果、高コントラストで明るい高品位の画像表示を行える。
【００４４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記開口領域の四隅に夫々、左右上下対称な張り出し部が設けられている。
【００４５】
この態様によれば、開口領域の四隅に夫々、左右上下対称な張り出し部が設けられており、各画素の開口領域の平面形状は、張り出し部が存在しない場合と比較して、円形或いは多角形に近付く。この結果、円形或いは多角形に近い平面形状の開口領域を用いて、各開口領域内に光抜け領域や動作不良領域が低減された良好な画像表示を行うことも可能となる。特に、円形或いは円形に近いマイクロレンズを用いる場合に、このような構成を採ると、適切に集光される入射光を開口領域を介して通すと同時に適切に集光されない入射光を遮光できるので、大変有効である。
【００４６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、平面的に見て前記張り出し部に重なる領域に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極が配置されている。
【００４７】
この態様によれば、平面的に見て前記張り出し部に重なる遮光領域を利用して、薄膜トランジスタのドレイン電極を設けることができ、ドレイン電極の存在により、各画素の開口領域を狭めないように構成することも可能である。
【００４８】
尚、上述した本発明の電気光学装置は、例えば、液晶装置として構築されてもよいし、ＥＬ表示装置として構築されてもよい。
【００４９】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。
【００５０】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、明るく高品位の画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５１】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５３】
（電気光学装置の画素部における構成）
先ず本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図５を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。また、図４は、比較例における画素電極を抽出して、その平面パターンを示す部分拡大図であり、図５は、実施形態における画素電極を抽出して、その平面パターンを示す部分拡大図であり、尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００５４】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレイン領域と容量線３００の間で形成される。
【００５５】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００５６】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの細かい斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。特に本実施形態では、走査線３ａは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５７】
図２及び図３に示すように、容量線３００は、走査線３ａ上に形成されている。容量線３００は、平面的に見て走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びる本線部と、走査線３ａ及びデータ線６ａの交点における該本線部からデータ線６ａに沿って図２中上下に突出した突出部とを含んでなる。
【００５８】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり上側遮光膜の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３００は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。容量線３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等の他の金属を含んでもよい。或いは、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００５９】
他方、容量線３００に対して、誘電体膜７５を介して対向配置される中継層７１は、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する中間導電層としての機能を持つ。
【００６０】
このように本実施形態では、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより構築されている。
【００６１】
そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の上側遮光膜が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【００６２】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａについても、容量線３００と同様に各種金属膜等から形成される。
【００６３】
本実施形態では特に、容量線３００は、このような格子状の遮光領域のうち走査線３ａ及びデータ線６ａが交差する交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４０１を有する。そして、このような隅切りを規定する張り出し部４０１に対向しても容量を形成するように、中継層７１は、張り出し部４０２を有する。更に、下側遮光膜１１ａも、この交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４１１を有する。このような張り出し部４０１、４０２及び４１１に係る構成及び作用効果については後に詳述する。
【００６４】
また図３において、容量電極としての中継層７１と容量線３００との間に配置される誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄い程良い。
【００６５】
図２及び図３に示すように、画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。このように中継層７１を中継層として利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めることが可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【００６６】
他方、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、データ線６ａと高濃度ソース領域１ａとを中継層により中継接続することも可能である。
【００６７】
容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続することにより固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続しても良い。
【００６８】
図２及び図３において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００６９】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００７０】
本実施形態では特に、画素電極９ａの平面パターンは、単純な四角形ではなく、各画素の開口領域における隅切りに対応して、四角形の各角が落とされた形状を有する。即ち、図３において、容量線３００の張り出し部４０１及び中継層７１の張り出し部４０２に対応するように、隅切り部４０３を有する。画素電極９ａに係るこのような構成及び作用効果については、図４及び図５を参照して後に詳述する。
【００７１】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００７２】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００７３】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。
【００７４】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７５】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７６】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００７７】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００７８】
以上図１から図３を参照して説明したように本実施形態によれば、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域（即ち、図２及び図３に示した低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ）は、上側から上側遮光膜たる容量線３００及びデータ線６ａにより覆われている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向からの入射光に対する遮光は、上側遮光膜たる容量線３００及びデータ線６ａにより高めることができる。他方、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域は、下側から下側遮光膜１１ａにより覆われている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面反射光や、複数の電気光学装置をライトバルブとして用いた複板式のプロジェクタにおける他の電気光学装置から出射され合成光学系を突き抜けてくる光等の、戻り光に対する遮光は、下側遮光膜１１ａにより高めることができる。
【００７９】
本実施形態では、対向基板２０には、各画素の開口領域以外の領域に遮光膜２３が格子状又はストライプ状に形成される。このような構成を採ることで、上述の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該遮光膜２３により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’及びその隣接領域に侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、遮光膜２３は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、遮光膜２３は好ましくは、平面的に見て容量線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内側に位置するように形成する。これにより、遮光膜２３により、各画素の開口率を低めることなく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。
【００８０】
尚、このような対向基板２０に形成される遮光膜２３の平面パターンに係る各種変形形態については、図８から図１５を参照して後述する。また、このような遮光膜２３の材料については、容量線３００と同様に各種金属膜等から形成されてもよく、樹脂から形成されてもよい。
【００８１】
ここで、入射光は、ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜め方向から入射する斜め光を含んでいる。例えば、入射角が垂直から１０度〜１５度位までずれる成分を１０％程度含む場合がある。更に、このような斜め光が、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された下側遮光膜１１ａの上面で反射されて、当該電気光学装置内に、斜めの内面反射光が生成される。更にまた、このような斜めの内面反射光が当該電気光学装置内の他の界面で反射されて斜めの多重反射光が生成される。特に入射光は、戻り光に比べて遥かに強力であり、このような入射光に基づく斜めの内面反射光や多重反射光も強力である。加えて、戻り光についても、斜め方向から入射する光を含んでおり、これに基づく内面反射光や多重反射光も発生する。
【００８２】
しかるに、本実施形態では特に、容量線３００は、交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４０１を有する（図２参照）。同様に、下側遮光膜１１ａは、交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４１１を有する（図２参照）。そして、チャネル領域１ａ’は、交差領域内の中央に配置されており、隅切りが存在する分だけ入射光が通過する或いは戻り光が入射する各画素の開口領域から離間している。このため、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に対する遮光性能は、張り出し部４０１及び４１１の存在によって、飛躍的に高められている。即ち、張り出し部４０１及び４１１が存在しない場合と比べて、斜めに進行する強力な入射光や戻り光、更にこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などが、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に入射するのを有効に阻止できる。
【００８３】
これらの結果、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減できる。
【００８４】
加えて、本実施形態では、図２に示したように開口領域の四隅に夫々、左右上下対称な張り出し部が設けられている。従って、各画素の開口領域の平面形状は、張り出し部４０１等が存在しない場合と比較して、円形或いは多角形に近付く。よって、ＴＦＴ３０に対して四方についてバランスのとれた遮光を行うことができ、各開口領域内に光抜け領域や動作不良領域が低減された良好な画像表示を行える。
【００８５】
また特に、各開口領域の入射光を概ね円形に集光するマイクロレンズを当該電気光学装置の対向基板２０側或いはＴＦＴアレイ基板１０側に設ける場合には、集光された光の形状との関係で、このように四隅を隅切りして各画素の開口領域を円形に近付けることは有利である。より具体的には、マイクロレンズが設けられると、入射光は、マイクロレンズを介して、各画素の開口領域の中央寄りに導かれる。ここで特に、マイクロレンズにより適切に集光され表示に寄与する入射光は、集光されるが故に、張り出し部４０１及び４１１には、殆ど到達しない。従って、張り出し部４０１及び４１１によって、マイクロレンズによって適切に集光されない光成分を遮光できることになる。特に、アレイ状に相隣接するマイクロレンズの境界のうち交差領域に対向する部分はレンズの性質上、集光特性が悪い。よって、交差領域付近で局所的に遮光領域を増加させる張り出し部４０１及び４１１の存在は、集光特性が悪いマイクロレンズ部分を通過した光を遮光する、言い換えれば、集光特性が悪いマイクロレンズ部分を隠す意味からも大変有意義である。
【００８６】
但し、このように四隅全てに張り出し部４０１及び４１１を設けるのではなく、四隅のうち、液晶層５０における配向不良が相対的に大きい一又は複数の隅に、張り出し部４０１や張り出し部４１１を設けるように構成してもよい。例えば液晶層５０の配向不良が、配向膜１６及び２２に対するラビング方向との関係で最も顕著となる隅についてのみ、このような張り出し部４０１や張り出し部４１１を設けるようにしてもよい。これにより、非開口領域が過度に広がるのを抑えつつ液晶層５０の配向不良を隠すことで、コントラスト比を効率的に高めることができる。
【００８７】
尚、本実施形態では、容量線３００が張り出し部４０１を有し且つ下側遮光膜１１ａが張り出し部４１１を有するが、どちらか一方の張り出し部があるだけでもよい。この場合にも、何らの張り出し部も設けない場合と比較すれば、遮光性能を向上させることは可能である。
【００８８】
ここで図４及び図５を参照して、画素電極９ａにおける角が落とされた平面パターンに係る構成及び作用効果について説明を加える。
【００８９】
図４に示した比較例では、画素電極９ｂは、四角形の平面パターンを有する。従って、交差領域及び交差領域以外の遮光領域において、左右上下に相隣接する画素電極９ｂ間の間隙は、一定である。しかるに、画素電極９ｂは、ＩＴＯ膜等をパターニングすることで形成しているので、パターニングの際のレジスト残りに起因した膜残りが多少発生する。特に、データ線６ａと走査線３ａ等とが交差して大きな段差が生じる交差領域では、平坦な個所と比べてパターニングが困難であり、このような膜残りが発生しやすい。よって、左右上下に相隣接する画素電極９ｂ間の一定間隙を、交差領域でも、膜残りがショートを引き起こさない程度にまで広げておく必要がある。
【００９０】
これに対し、図５に示した本実施形態では、画素電極９ａは、隅切り部４０３を含む平面パターンを有する。そして膜残りによるショートを避ける際の間隙を律則する交差領域において、隅切り部４０３の存在によって画素電極９ａ自体が殆ど又は全く存在しないので、この領域内における膜残りは考慮する必要がない。即ち、パターニングの際に本来的に膜残りが少ない、交差領域以外の遮光領域内にて、膜残りによるショートが発生しない程度にまで、画素電極９ａ間の間隙を狭めることが可能となる。よって、その分だけ、各画素の開口領域を広げること、即ち各画素の開口率を高めることができ、この際、装置歩留まり或いは信頼性を犠牲にすることもない。また、画素ピッチの微細化を進める上でも大変有利となり、高精細の画像表示も可能となる。
【００９１】
加えて、例えば画素電極９ａ間の間隔を３μｍとすれば、１μｍの位置精度のステッパを用いても、図５に示した如き隅切り部４０３を有する画素電極９ａであれば、比較的容易にして十分に高い信頼性でパターニングを行える。
【００９２】
このように本実施形態では、画素電極９ａが隅切り部４０３を有しているので、高開口率化による明るい画像表示を実行可能となる。しかも、隅切り部４０３に対応して、遮光性能を有する張り出し部４０１及び張り出し部４１１が設けられているので、隅切り部４０３で光り抜けが生じてコントラスト比を低下させることもない。
【００９３】
他方で、本実施形態によれば、蓄積容量７０は、このような隅切りを規定する遮光領域内にも作り込まれているので、容量値を増大しつつ、各画素の開口領域が狭まるのを効率良く回避できる。同様に、ＴＦＴ３０のドレイン電極についても、隅切りを規定する遮光領域内に配置して、各画素の開口領域を狭めないようにしてもよい。
【００９４】
以上図１から図５を参照して説明したように本実施形態によれば、トランジスタ特性に優れた画素スイッチング用ＴＦＴ３０により、表示ムラやフリッカ等が低減されており、明るく高精細或いは高品位の画像表示を行える電気光学装置が実現される。
【００９５】
以上説明した実施形態では、下側遮光膜１１ａを、周辺領域にて固定電位に落としたりフローティング電位とするが、下側遮光膜１１ａを、画像表示領域内にて容量線３００に接続して固定電位に落としてもよい。この場合、下側遮光膜１１ａを容量線３００の冗長配線として機能させることができ、容量線３００の低抵抗化を図ることも可能となる。或いは、下側遮光膜１１ａを、走査線３ａに沿って走査線３ａと一画素毎に又は複数画素毎に接続して、且つ、下側遮光膜１１ａを走査線３ａ毎に分断された略ストライプ状に形成してもよい。この場合、下側遮光膜１１ａを走査線３ａの冗長配線として機能させることができ、走査線３ａの低抵抗化を図ることができる。加えて、このように下側遮光膜１１ａを冗長配線として用いることで、容量線３００或いは走査線３ａに沿った遮光領域の幅を狭めることも可能となる。
【００９６】
以上説明した実施形態では、画素電極９ａの下地面におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、ＴＦＴアレイ基板１０に溝を掘って、又は下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよい。或いは、第３層間絶縁膜４３や第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）を用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【００９７】
更に以上説明した実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００９８】
（画素電極パターンの変形形態）
次に、上述した実施形態で採用可能な画素電極の平面パターンについて、図６及び図７を参照して説明する。図６及び図７は夫々、図５に示した画素電極９ａに代えて、本実施形態で採用可能な平面パターンを有する画素電極を示す。尚、図６及び図７においては、図１から図５に示したものと同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
即ち図６に示すように、画素電極９ｃは、図中、下側に位置する二つの角が落とされた隅切り部４０３を有してもよい。
【００９９】
或いは図７に示すように、画素電極９ｄは、図中、上側に位置する二つの角が落とされた隅切り部４０３を有してもよい。
【０１００】
図６或いは図７に示す変形形態であっても、上述の如く交差領域にパターニング時の膜残りを少なくできるので、画素電極９ａ間の間隙を効率的に狭めることが可能となる。よって、その分だけ、各画素の開口領域を広げること、即ち各画素の開口率を高めることができ、この際、装置歩留まり或いは信頼性を犠牲にするもない。
【０１０１】
更に、例えば行毎に駆動電圧の極性をフィールド単位で反転させる１Ｈ反転駆動方式の場合、図６や図７中で、縦に相隣接する画素電極９ｃ間或いは縦に相隣接する画素電極９ｄ間で横電界が生じる。また例えば列毎に駆動電圧の極性をフィールド単位で反転させる１Ｓ反転駆動方式の場合、図６や図７中で、横に相隣接する画素電極９ｃ間或いは縦に相隣接する画素電極９ｄ間で横電界が生じる。しかも、このような横電界による液晶層５０の配向不良は、各画素内の領域全体に均等に発生することは稀であり、配向膜１６及び２２に対するラビング方向に応じていずれかの隅にて発生しやすい。従って、このような配向不良の原因となる横電界が発生する画素電極間については、当該横電界を弱めるために、図６又は図７に示したように選択的に隅切り部４０３を設けるようにしてもよい。より具体的には、各画素内で、配向不良が生じる隅には、隅切りがなされるように構成するとよい。この結果、高コントラストで明るい高品位の画像表示を行える。
【０１０２】
尚、このような隅切り部４０３を設ける隅に対応させるように、前述の張り出し部４０１や張り出し部４１１を設けてもよい。或いは、隅切り部４０３を設けない隅にも、前述の張り出し部４０１や張り出し部４１１を設けてもよい。
【０１０３】
（対向基板上の遮光膜パターンの変形形態）
次に、上述した実施形態で採用可能な対向基板２０上の遮光膜２３の平面パターンについて、図８から図１５を参照して説明する。図８から図１５は夫々、
実施形態において採用可能な、対向基板２０側の遮光膜２３の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。尚、図８から図１５においては、図１から図５に示したものと同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
上述の実施形態では、対向基板２０上の遮光膜２３は、格子状又はストライプ状であり、容量線３００及びデータ線６ａからなる上側遮光膜と比べて平面形状が一回り小さく、各画素の非開口領域を規定していない。即ち、係る上側遮光膜に対して、補助的な遮光膜であり、概ね熱対策用に設けられている。これに対し、図８から図１１の変形形態では、対向基板２０上の遮光膜２３ａ〜２３ｄは、係る上側遮光膜よりも少なくとも部分的に一回り大きく形成されており、少なくとも部分的に各画素の非開口領域を規定するように構成されている。そして、これらいずれの変形形態においても、張り出し部４０１に対向する領域にも遮光膜が設けられている。
【０１０４】
即ち図８の変形形態では、遮光膜２３ａは、上側遮光膜（即ち容量線３００及びデータ線６ａ）が存在する遮光領域のうち交差領域にのみ、島状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ａを用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近における遮光性能を格段に高められる。また、交差領域における各画素の非開口領域を規定できる。
【０１０５】
図９の変形形態では、遮光膜２３ｂは、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域及び走査線３ａに沿った領域にのみ、概ね横ストライプ状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｂを用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近及び走査線３ａに沿った領域における遮光性能を格段に高められる。また、交差領域及び走査線３ａに沿った領域における各画素の非開口領域を規定できる。
【０１０６】
図１０の変形形態では、遮光膜２３ｃは、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域及びデータ線６ａに沿った領域にのみ、概ね縦ストライプ状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｃを用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近及びデータ線６ａに沿った領域における遮光性能を格段に高められる。また、交差領域及びデータ線６ａに沿った領域における各画素の非開口領域を規定できる。
【０１０７】
図１１の変形形態では、遮光膜２３ｄは、上側遮光膜が存在する領域に、概ね格子状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｄを用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、格子状の非開口領域全体における遮光性能を格段に高められる。また、当該格子状の非開口領域を規定できる。
【０１０８】
以上のように図８から図１１の変形形態では、対向基板２０上の遮光膜２３ａ〜２３ｄによって、格子状の非開口領域が少なくとも部分的に規定されている。これに対し、図１２から図１５の変形形態では、対向基板２０上の遮光膜２３ａ’〜２３ｄ’は、係る上側遮光膜よりも一回り小さく形成されており、非開口領域を規定しないように構成されている。そして、これらいずれの変形形態においても、張り出し部４０１に対向する領域に、これより一回り小さい遮光膜が設けられている。
【０１０９】
即ち図１２の変形形態では、遮光膜２３ａ’は、上側遮光膜（即ち容量線３００及びデータ線６ａ）が存在する遮光領域のうち交差領域にのみ、島状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ａ’を用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近における遮光性能を格段に高められる。しかも、遮光膜２３ａ’は、張り出し部４０１よりも一回り小さく形成されているので、製造時におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板１０との機械的な組みずれによって、遮光膜２３ａ’が開口領域を狭める事態を有効に回避できる。
【０１１０】
図１３の変形形態では、遮光膜２３ｂ’は、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域及び走査線３ａに沿った領域にのみ、概ね横ストライプ状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｂ’を用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近及び走査線３ａに沿った領域における遮光性能を格段に高められる。しかも、遮光膜２３ｂ’は、張り出し部４０１及び容量線３００よりも一回り小さく形成されているので、製造時におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板１０との機械的な組みずれによって、遮光膜２３ｂ’が開口領域を狭める事態を有効に回避できる。
【０１１１】
図１４の変形形態では、遮光膜２３ｃ’は、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域及びデータ線６ａに沿った領域にのみ、概ね縦ストライプ状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｃ’を用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近及びデータ線６ａに沿った領域における遮光性能を格段に高められる。しかも、遮光膜２３ｃ’は、張り出し部４０１及びデータ線６ａよりも一回り小さく形成されているので、製造時におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板１０との機械的な組みずれによって、遮光膜２３ｃ’が開口領域を狭める事態を有効に回避できる。
【０１１２】
図１５の変形形態では、遮光膜２３ｄ’は、上側遮光膜が存在する領域に、概ね格子状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｄ’を用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、格子状の非開口領域全体における遮光性能を格段に高められる。しかも、遮光膜２３ｄ’は、張り出し部４０１並びに容量線３００及びデータ線６ａよりも一回り小さく形成されているので、製造時におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板１０との機械的な組みずれによって、遮光膜２３ｄ’が開口領域を狭める事態を有効に回避できる。
【０１１３】
以上図８から図１５を参照して説明したように、本実施形態では、容量線３００、中継層４０２及び下側遮光膜１１ａの張り出し部や、画素電極９ａの隅切り部について各種形態が採用可能であり、これらの多種多様な組み合わせが可能である。そしていずれの組み合わせを採用するかについては、実際の装置仕様に鑑み、実験的或いは経験的に最も好ましい組み合わせを決定して、これを採用すればよい。
【０１１４】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１６及び図１７を参照して説明する。尚、図１６は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１７は、図１６のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１１５】
図１６において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１７に示すように、図１６に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１１６】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１１７】
以上図１から図１７を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１１８】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０１１９】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１８は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２０】
図１８において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２１】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】比較例における画素電極の平面パターンを抜粋して示す部分平面図である。
【図５】実施形態における画素電極の平面パターンを抜粋して示す部分平面図である。
【図６】実施形態において採用可能な、画素電極の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図７】実施形態において採用可能な、画素電極の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図８】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図９】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１０】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１１】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１２】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１３】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１４】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１５】実施形態において採用可能な、対向基板側の遮光膜の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。
【図１６】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１７】図１６のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１８】本発明の電子機器の実施形態の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２３…遮光膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
７１…中継層
３００…容量線
４０１、４０２、４１１…張り出し部
４０３…隅切り部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention belongs to the technical field of an electro-optical device and an electronic apparatus of an active matrix drive system, and particularly includes a thin film transistor for pixel switching (hereinafter, appropriately referred to as a TFT (Thin Film Transistor)) in a laminated structure on a substrate. The invention belongs to the technical field of an electro-optical device of the above-mentioned type and an electronic apparatus such as a projector provided with such an electro-optical device.
[0002]
[Background Art]
In an electro-optical device such as a liquid crystal device of a TFT active matrix driving type and an EL (Electro-Luminescence) display device, when incident light is applied to a channel region of a pixel switching TFT provided in each pixel, light is excited by light. Leakage current occurs and the characteristics of the TFT change. In particular, in the case of an electro-optical device for a light valve of a projector, since the intensity of incident light is high, it is important to shield incident light to a channel region of a TFT and an adjacent region thereof.
[0003]
Therefore, conventionally, in each pixel provided on the opposing substrate, a light-shielding film that defines an opening area through which light contributing to display is transmitted or reflected, or from a metal film such as Al (aluminum) that passes over the TFT and passes therethrough. This data line is configured to shield the channel region and its adjacent region from light. Further, a light-shielding film made of, for example, a refractory metal may be provided below the pixel switching TFT on the TFT array substrate. If a light-shielding film is provided below the TFT as described above, the light reflected from the back surface from the TFT array substrate side or a plurality of electro-optical devices combined through a prism or the like to constitute one optical system can be used. It is possible to prevent return light such as projection light that penetrates the prism or the like from the electro-optical device from entering the TFT of the electro-optical device.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the various light-shielding techniques described above, there are the following problems.
[0005]
That is, according to the technique of forming a light-shielding film on a counter substrate or a TFT array substrate, the light-shielding film and the channel region are three-dimensionally viewed, for example, via a liquid crystal layer, an electrode, and an interlayer insulating film. Therefore, the light obliquely incident between them is not sufficiently shielded. In particular, in a small electro-optical device used as a light valve of a projector, incident light is a light beam obtained by focusing light from a light source with a lens, and includes components obliquely incident so as not to be ignored. For example, about 10% of a component inclined about 10 to 15 degrees from the direction perpendicular to the substrate may be included, so that insufficient blocking of such oblique incident light poses a practical problem.
[0006]
In addition, after the light that has entered the electro-optical device from the region without the light-shielding film is reflected by the substrate or the upper surface of the light-shielding film formed on the substrate or the data line, the reflected light or the reflected light is further reflected by the substrate or the light-shielding film. In some cases, multi-reflected light reflected by the data line eventually reaches the channel region of the TFT.
[0007]
In particular, as the electro-optical device has been improved in definition or the pixel pitch has been reduced to meet the general demand for higher quality display images in recent years, the light intensity of incident light has been increased to display brighter images. Therefore, according to the above-described conventional various light-shielding techniques, it is more difficult to perform sufficient light-shielding, and a change in the transistor characteristics of the TFT causes flicker or the like, thereby deteriorating the quality of a displayed image. There are points.
[0008]
In order to increase the light resistance, it is considered that it is sufficient to simply increase the area where the light-shielding film is formed. However, in this case, it is fundamentally difficult to increase the aperture ratio of each pixel. There is a problem that the display image becomes dark.
[0009]
The present invention has been made in view of the above problems, and provides an electro-optical device which is excellent in light resistance and capable of displaying a bright and high-quality image, and an electronic apparatus including such an electro-optical device. The task is to
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes, on a substrate, a pixel electrode, a thin film transistor for controlling switching of the pixel electrode, a data line for supplying an image signal to the thin film transistor, and a scanning signal for the thin film transistor. And a scanning line that intersects with the data line and a grid-shaped light-shielding region along the data line and the scanning line while covering at least a channel region and an adjacent region of a semiconductor layer constituting the thin film transistor from above. An upper light-shielding film that at least partially defines the upper light-shielding film, wherein the upper light-shielding film has a corner cut into an opening region of each pixel corresponding to the pixel electrode in an intersection region where the data line and the scanning line cross each other. And the channel region is disposed in the intersection region.
[0011]
According to the electro-optical device of the present invention, during its operation, for example, an image signal is supplied to a source of a thin film transistor via a data line, and a scanning signal is supplied to a gate of the thin film transistor via a scanning line. Then, for example, by performing switching control of the pixel electrode connected to the drain of the thin film transistor by the thin film transistor, driving by the active matrix driving method can be performed. Then, at least the channel region and the adjacent region of the semiconductor layer forming the thin film transistor are covered from above by the upper light-shielding film, so that incident light from above with respect to the substrate surface is applied to the channel region of the thin film transistor and the same. Basically, it can be prevented from entering the adjacent area.
[0012]
Here, in particular, the upper light-shielding film has an overhang portion that overhangs the opening region of each pixel so as to define a corner cut in an intersecting region where the data line and the scanning line intersect. For example, considering a rectangular opening area as a reference, one to four corners are cut out to define a pentagonal to octagonal opening area. Then, the channel region is arranged in the intersection region having such a corner cut. Therefore, as compared with the case where such an overhang is not present, strong incident light traveling vertically or obliquely from above with respect to the substrate surface, and internally reflected light and multiple reflected light based on the strong incident light, are generated by the channel of the thin film transistor. The light can be effectively prevented from entering the region and the region adjacent thereto by the upper light-shielding film having the overhanging portion.
[0013]
In addition, such an upper light-shielding film at least partially defines a lattice-shaped light-shielding region, and the non-opening region of each pixel can be accurately defined by the upper light-shielding film.
[0014]
As a result, while increasing the aperture ratio of each pixel, display unevenness or flicker caused by the occurrence or variation of light leakage current in the thin film transistor can be efficiently reduced, and a bright and high-quality image can be finally displayed.
[0015]
In one aspect of the electro-optical device of the present invention, the pixel electrode has a planar shape whose corner is cut corresponding to the corner cut.
[0016]
According to this aspect, the pixel electrode is also corner-cut, and its planar shape is, for example, a pentagon to an octagon. By the way, the pixel electrode in this type of electro-optical device is generally formed by patterning, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film or the like. Therefore, some film residue due to the resist residue at the time of patterning occurs. Therefore, it is desirable to provide a certain gap between adjacent pixel electrodes. This is because an electrical short may occur between adjacent pixel electrodes. Such a film residue is more likely to occur in a region having a large step or unevenness in the base. However, in this type of electro-optical device, the only difference in the level difference or unevenness on the base is the intersection area where both the scanning lines and the data lines are stacked. Therefore, in this embodiment, a pixel electrode having a planar shape with a corresponding angle reduced is formed in this region so that the film residue is reduced fundamentally locally in the intersection region where the film residue is likely to occur. . That is, with such a planar shape, a short circuit between pixel electrodes hardly occurs during patterning. This makes it possible to reduce the gap between adjacent pixel electrodes in a light-shielded area along a data line or a light-shielded area along a scan line outside a crossing area without causing a short circuit therebetween. Become. Therefore, by narrowing the gap between the pixel electrodes without lowering the yield, the pixel pitch can be reduced, and the high definition of the display image, which is a basic requirement in the technical field, can be promoted.
[0017]
In another aspect of the electro-optical device according to the present invention, the channel region is disposed at the center of the intersection region.
[0018]
In this embodiment, the channel region is disposed at the center of the intersection region, and is separated from the opening region of each pixel through which light passes, particularly by the presence of the corner cut. Therefore, the light-shielding performance for the channel region can be efficiently improved. Note that “disposed at the center of the intersection region” means that the center point of the channel region coincides with the center point of the center of gravity or the like in the intersection region, and also that the channel region is slightly more than its edge in the intersection region. This includes the case where it is located closer to the center point.
[0019]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the electro-optical device further includes a storage capacitor connected to the pixel electrode, wherein the upper light-shielding film includes a fixed potential side capacitor electrode or the fixed potential side capacitor constituting the storage capacitor. Also serves as a capacitance line including electrodes.
[0020]
According to this aspect, the potential written to the pixel electrode via the thin film transistor can be maintained by the storage capacitor for a longer time than the writing time. In particular, since the upper light-shielding film also serves as a fixed potential side capacitor electrode or a capacitor line that constitutes a storage capacitor, the stacked structure on the substrate and the manufacturing method can be simplified as compared with a case where both are separately formed. . Such an upper light-shielding film may be formed of a conductive light-shielding film such as a metal film, an alloy film, and a metal silicide film.
[0021]
However, when a storage capacitor is formed in the present invention, the upper light-shielding film may also serve as a pixel potential side capacitor electrode of the storage capacitor. Alternatively, both the fixed potential side capacitor electrode and the pixel potential side capacitor electrode can be formed of a conductive light shielding film. Either one of the upper and lower capacitors may be arranged on the substrate.
[0022]
Alternatively, in another aspect of the electro-optical device according to the invention, the electro-optical device further includes a storage capacitor connected to the pixel electrode, wherein the storage capacitor is formed in the light-shielding region, and is provided in a region overlapping the overhanging portion. Is also formed.
[0023]
According to this aspect, the storage capacity is created by effectively utilizing the area below the overhanging area that protrudes toward the opening area of each pixel, so that the storage capacity can be increased within a limited light-shielded area.
[0024]
According to another aspect of the electro-optical device of the present invention, the electro-optical device further includes a lower light-shielding film that covers at least the channel region and an adjacent region from below and at least partially defines the lattice-shaped light-shielding region.
[0025]
According to this aspect, at least the channel region and the adjacent region of the semiconductor layer forming the thin film transistor are covered from below by the lower light-shielding film, so that the return light from below with respect to the substrate surface and the It is basically possible to prevent the resulting internally reflected light or multiple reflected light from being incident on the channel region and the channel adjacent region of the thin film transistor. Here, the term "return light" refers to, for example, incident light such as reflection from the back surface of the substrate or light emitted from another light valve in a multi-plate projector using a plurality of the electro-optical devices as light valves and penetrating through the combined optical system. Light that returns in the opposite direction to light and does not contribute to display.
[0026]
In addition, such a lower light-shielding film at least partially defines a grid-shaped light-shielding region, and the upper light-shielding film and the lower light-shielding film formed on the same substrate allow the non-opening region of each pixel to be formed. Can be accurately defined.
[0027]
In another aspect of the electro-optical device according to the invention, the lower light-shielding film has an overhanging portion in the intersection area so as to define the corner cut.
[0028]
According to this aspect, similarly to the upper light-shielding film, the lower light-shielding film has the overhanging portion that defines the corner cut in the intersection region. Therefore, compared with the case where such an overhang is not present, return light that travels perpendicularly or obliquely from below with respect to the substrate surface, and internally reflected light and multiple reflected light based on the return light, are generated in the channel region and the thin film transistor of the thin film transistor. It can be effectively prevented from being incident on the adjacent area by the lower light-shielding film having the overhang.
[0029]
In this aspect, the planar shape of the lower light-shielding film may be configured to be slightly smaller in the intersection region than the planar shape of the upper light-shielding film.
[0030]
With this configuration, incident light stronger than the normal return light passes through the upper light-shielding film and is reflected on the surface of the lower light-shielding film, thereby effectively preventing a situation in which internally reflected light is generated. .
[0031]
In order to solve the above-described problems, another electro-optical device according to the present invention includes, on a substrate, a pixel electrode, a thin film transistor for controlling switching of the pixel electrode, a data line for supplying an image signal to the thin film transistor, and A scanning line that supplies a scanning signal and intersects with the data line, and covers at least a channel region and a region adjacent to the channel region of the semiconductor layer forming the thin film transistor from below and forms a grid along the data line and the scanning line. A lower light-shielding film that at least partially defines a light-shielding region, wherein the lower light-shielding film is provided for each pixel corresponding to the pixel electrode in an intersection area where the data line and the scanning line cross each other. An overhanging portion that overhangs the opening region to define a corner cut, wherein the channel region is disposed within the intersection region; That.
[0032]
According to another electro-optical device of the present invention, the lower light-shielding film has an overhanging portion in the intersection region that extends over the opening region of each pixel so as to define a corner cut. Therefore, compared with the case where such an overhang is not present, return light that travels perpendicularly or obliquely from below with respect to the substrate surface, and internally reflected light and multiple reflected light based on the return light, are generated in the channel region and the thin film transistor of the thin film transistor. It can be effectively prevented from being incident on the adjacent area by the lower light-shielding film having the overhang.
[0033]
In addition, such a lower light-shielding film at least partially defines a lattice light-shielding region, and the non-opening region of each pixel can be accurately defined by the lower light-shielding film.
[0034]
As a result, while increasing the aperture ratio of each pixel, display unevenness or flicker caused by the occurrence or variation of light leakage current in the thin film transistor can be efficiently reduced, and a bright and high-quality image can be finally displayed.
[0035]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the lower light-shielding film is made of a light-shielding conductive film, is connected to the scanning line at a plurality of locations, and extends along the scanning line. Function as redundant wiring.
[0036]
According to this aspect, since the lower light-shielding film made of the conductive light-shielding film functions as a redundant wiring of the scanning line, the resistance of the scanning line can be reduced. In other words, the scanning line formation region or It is also possible to reduce the width of the light shielding area along the scanning line. Therefore, brighter and higher quality image display is possible.
[0037]
According to another aspect of the electro-optical device of the present invention, the electro-optical device further includes an opposing substrate disposed to oppose the substrate with an electro-optical material layer interposed therebetween. The overhang is provided at one or more corners where defects are relatively large.
[0038]
According to this aspect, for example, a corner cut is defined for a corner where a malfunction of the electro-optical material layer is large, such as a poor alignment of the liquid crystal layer. Therefore, for example, when the operation failure does not occur evenly at the four corners, such as when the alignment failure of the liquid crystal layer does not occur evenly at the four corners in relation to the rubbing direction, it is possible to actively hide the region where the operation failure occurs. Become. Therefore, the contrast ratio can be efficiently increased by preventing light leakage at the corner of each opening region. At the same time, in the corner where the malfunction is small, the normal operation or the operation close to the normal operation is performed. Therefore, this portion is used as a part of the opening area by not being hidden, and the aperture ratio of each pixel is reduced due to the presence of the overhang portion. Can also be suppressed.
[0039]
Incidentally, such an overhanging portion may be provided at one place, two places or three places in one opening region, depending on a place and a degree of operation failure.
[0040]
In another aspect of the electro-optical device according to the invention, the substrate or the opposing substrate opposing the substrate further includes a microlens opposing the pixel electrode.
[0041]
According to this aspect, the incident light is guided toward the center of the opening area of each pixel via the microlens. Here, in particular, the incident light appropriately condensed by the microlenses and contributing to the display should hardly reach the overhanging portion of the upper light-shielding film that defines the corner cut in the intersection area. Therefore, the light component which is not appropriately condensed by the microlens can be shielded by the overhang portion, so that the image quality can be improved while maintaining the brightness.
[0042]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the pixel electrode is driven in reverse in a first cycle and is driven in reverse in a second cycle complementary to the first cycle. And a second pixel electrode group to be formed is arranged on the first substrate in a plane, and the overhang is located on the side of the first pixel electrode group with reference to the center of the intersection area. It is provided at two corners or two corners located on the side of the second pixel electrode group.
[0043]
According to this aspect, during the operation, (i) adjacent pixel electrodes driven by driving voltages having mutually opposite polarities at each time during inversion driving and (ii) mutually identical polarities at each time during inversion driving. There are both adjacent pixel electrodes driven by the driving voltage. These two methods employ an inversion drive method such as a 1H inversion drive method in which the polarity of the drive voltage is inverted in units of fields for each row, and a 1S inversion drive method in which the polarity of the drive voltage is inverted in units of fields for each column. There is an electro-optical device such as a matrix drive type liquid crystal device. Therefore, a horizontal electric field is generated between adjacent pixel electrodes belonging to different pixel electrode groups. However, in this embodiment, corner cuts are provided at two corners located on the side of the first pixel electrode group or two corners located on the side of the second pixel electrode group with reference to the center of the intersection region. For this reason, the region where the horizontal electric field is generated in the vicinity of the intersection region can be shielded from light by the overhanging portion, and the adverse effect of the horizontal electric field can be effectively prevented from being surfaced or revealed. As a result, a high-contrast, bright, high-quality image can be displayed.
[0044]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, left and right symmetrical overhangs are provided at four corners of the opening region.
[0045]
According to this aspect, the four corners of the opening area are provided with symmetrical overhangs, respectively, and the planar shape of the opening area of each pixel is circular or polygonal as compared with the case where no overhang exists. Approach. As a result, it is also possible to perform good image display in which light leakage areas and operation failure areas are reduced in each of the opening areas by using the opening areas having a planar shape close to a circle or a polygon. In particular, when a circular or near-circular microlens is used, such a configuration allows the appropriately condensed incident light to pass through the opening region and at the same time, shields the uncondensed incident light. , Very effective.
[0046]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, a drain electrode of the thin film transistor is disposed in a region overlapping the overhang when viewed in plan.
[0047]
According to this aspect, the drain electrode of the thin film transistor can be provided by utilizing the light-shielding region that overlaps with the overhang when viewed in a plan view. It is also possible.
[0048]
Note that the above-described electro-optical device of the present invention may be constructed as, for example, a liquid crystal device or an EL display device.
[0049]
In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device (including various aspects thereof) according to the present invention.
[0050]
Since the electronic apparatus of the present invention includes the above-described electro-optical device of the present invention, a projection display apparatus, a liquid crystal television, a mobile phone, an electronic organizer, a word processor, and a view finder capable of displaying a bright and high-quality image are provided. Various types of electronic devices such as a video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized.
[0051]
The operation and other advantages of the present invention will become more apparent from the embodiments explained below.
[0052]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the present invention is applied to a liquid crystal device.
[0053]
(Structure in the pixel portion of the electro-optical device)
First, the configuration of the pixel portion of the electro-optical device according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wiring, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device. FIG. 2 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed. FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. FIG. 4 is a partially enlarged view illustrating a planar pattern by extracting a pixel electrode in a comparative example, and FIG. 5 is a partially enlarged view illustrating a planar pattern by extracting a pixel electrode in the embodiment. In FIG. 3, the scale of each layer and each member is different for each layer and each member so that each layer and each member have a size recognizable in the drawing.
[0054]
In FIG. 1, a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device according to the present embodiment are each provided with a pixel electrode 9a and a TFT 30 for controlling the switching of the pixel electrode 9a. The data line 6a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied to a plurality of adjacent data lines 6a for each group. good. Also, the scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the scanning line 3a in a pulsed manner in this order at a predetermined timing. It is configured. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30. By closing the switch of the TFT 30, which is a switching element, for a predetermined period, the image signals S1, S2,... Write at a predetermined timing. The image signals S1, S2,..., Sn of a predetermined level written in the liquid crystal as an example of the electro-optical material via the pixel electrode 9a are connected to a counter electrode (described later) formed on a counter substrate (described later). For a certain period of time. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, thereby enabling gray scale display. In the normally white mode, the transmittance for the incident light decreases according to the voltage applied in each pixel unit, and in the normally black mode, the light enters according to the voltage applied in each pixel unit Light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the electro-optical device as a whole. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. The storage capacitor 70 is formed between the drain region of the TFT 30 and the capacitor line 300.
[0055]
2, a plurality of transparent pixel electrodes 9a (indicated by dotted lines 9a ') are provided in a matrix on a TFT array substrate of the electro-optical device. A data line 6a and a scanning line 3a are provided along each of the boundaries.
[0056]
In addition, the scanning line 3a is arranged so as to face the channel region 1a 'indicated by a finely hatched region in the semiconductor layer 1a which rises to the right in the figure, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. In particular, in the present embodiment, the scanning line 3a is formed wide in a portion to be the gate electrode. As described above, at the intersections of the scanning lines 3a and the data lines 6a, the pixel switching TFTs 30 in which the scanning lines 3a are opposed to each other as gate electrodes in the channel region 1a 'are provided.
[0057]
As shown in FIGS. 2 and 3, the capacitance line 300 is formed on the scanning line 3a. The capacitance line 300 projects vertically in FIG. 2 along the data line 6a from the main line portion extending in a stripe shape along the scanning line 3a and the data line 6a at the intersection of the scanning line 3a and the data line 6a in plan view. And a projected portion.
[0058]
The capacitance line 300 is made of a conductive light-shielding film containing, for example, a metal or an alloy, constitutes an example of an upper light-shielding film, and also functions as a fixed potential side capacitance electrode. The capacitance line 300 is made of, for example, a simple metal, an alloy, or a metal including at least one of refractory metals such as Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). It is made of silicide, polysilicide, or a material obtained by laminating these. The capacitance line 300 may include another metal such as Al (aluminum), Ag (silver), Au (gold), Cu (copper). Alternatively, the capacitance line 300 may have a multilayer structure in which a first film made of, for example, a conductive polysilicon film and a second film made of a metal silicide film containing a refractory metal are stacked.
[0059]
On the other hand, the relay layer 71 arranged opposite to the capacitor line 300 via the dielectric film 75 has a function as a pixel potential side capacitor electrode of the storage capacitor 70, and furthermore, has a high density of the pixel electrode 9 a and the TFT 30. It has a function as an intermediate conductive layer for relay connection with the drain region 1e.
[0060]
As described above, in the present embodiment, the storage capacitor 70 includes the relay layer 71 serving as the pixel potential side capacitor electrode connected to the high-concentration drain region 1 e and the pixel electrode 9 a of the TFT 30, and the capacitor line 300 serving as the fixed potential side capacitor electrode. Are arranged facing each other with the dielectric film 75 interposed therebetween.
[0061]
The data lines 6a extending in the vertical direction in FIG. 2 and the capacitance lines 300 each extending in the horizontal direction in FIG. 2 are formed so as to intersect with each other. A lattice-shaped upper light-shielding film is formed as viewed, and defines an opening area of each pixel.
[0062]
On the other hand, below the TFT 30 on the TFT array substrate 10, a lower light-shielding film 11a is provided in a grid pattern. The lower light-shielding film 11a is also formed of various metal films and the like in the same manner as the capacitance line 300.
[0063]
In the present embodiment, in particular, the capacitor line 300 includes an overhanging portion 401 that defines a corner cut in an opening region of each pixel in an intersecting region where the scanning line 3a and the data line 6a intersect in such a lattice-shaped light shielding region. Have. The relay layer 71 has an overhang 402 so as to form a capacitance even when facing the overhang 401 defining such a corner cut. Further, the lower light-shielding film 11a also has an overhang portion 411 that defines a corner cut in the opening region of each pixel in the intersection region. The configuration, operation, and effect of such overhangs 401, 402, and 411 will be described later in detail.
[0064]
In FIG. 3, a dielectric film 75 disposed between the relay layer 71 as a capacitor electrode and the capacitor line 300 is a relatively thin silicon oxide film such as an HTO film or an LTO film having a thickness of about 5 to 200 nm. Or a silicon nitride film or the like. From the viewpoint of increasing the storage capacitance 70, the thinner the dielectric film 75 is, the better the reliability of the film can be obtained.
[0065]
As shown in FIGS. 2 and 3, the pixel electrode 9 a is electrically connected to the high-concentration drain region 1 e in the semiconductor layer 1 a via the contact holes 83 and 85 by relaying the relay layer 71. . If the relay layer 71 is used as a relay layer in this way, even if the interlayer distance is long, for example, about 2000 nm, two or more of relatively small diameters can be avoided while avoiding the technical difficulty of connecting them with one contact hole. The contact holes can be satisfactorily connected by the series contact holes, and the pixel aperture ratio can be increased, which is also useful for preventing penetration of the etching when the contact holes are opened.
[0066]
On the other hand, the data line 6a is electrically connected to the high-concentration source region 1d of the semiconductor layer 1a made of, for example, a polysilicon film via the contact hole 81. Note that the data line 6a and the high-concentration source region 1a can be connected via a relay layer.
[0067]
The capacitance line 300 extends from the image display area where the pixel electrode 9a is arranged to the periphery thereof, and is set to a fixed potential by being electrically connected to a constant potential source. As such a constant potential source, a scanning line driving circuit (described later) for supplying a scanning signal for driving the TFT 30 to the scanning line 3a and a data line driving circuit for controlling a sampling circuit for supplying an image signal to the data line 6a. A constant potential source such as a positive power supply or a negative power supply supplied to a circuit (described later) or a constant potential supplied to the counter electrode 21 of the counter substrate 20 may be used. Further, the lower light-shielding film 11a also extends from the image display area to the periphery thereof and is connected to a constant potential source, similarly to the capacitor line 300, in order to prevent the potential fluctuation from adversely affecting the TFT 30. You may.
[0068]
2 and 3, the electro-optical device includes a transparent TFT array substrate 10 and a transparent opposing substrate 20 disposed to face the TFT array substrate. The TFT array substrate 10 is made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate, and the counter substrate 20 is made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate.
[0069]
As shown in FIG. 3, a pixel electrode 9a is provided on the TFT array substrate 10, and an alignment film 16 on which a predetermined alignment process such as a rubbing process is performed is provided above the pixel electrode 9a. The pixel electrode 9a is made of, for example, a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film. The alignment film 16 is made of, for example, an organic film such as a polyimide film.
[0070]
In the present embodiment, in particular, the planar pattern of the pixel electrode 9a is not a simple square, but has a shape in which each corner of the square is dropped corresponding to the corner cut in the opening region of each pixel. That is, in FIG. 3, a corner cut portion 403 is provided so as to correspond to the overhang portion 401 of the capacitance line 300 and the overhang portion 402 of the relay layer 71. Such a configuration and an operation effect of the pixel electrode 9a will be described later in detail with reference to FIGS.
[0071]
On the other hand, a counter electrode 21 is provided on the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 on which a predetermined alignment process such as a rubbing process is performed is provided below the counter electrode 21. The counter electrode 21 is made of, for example, a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 22 is made of an organic film such as a polyimide film.
[0072]
Between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20, which are arranged so that the pixel electrode 9a and the opposing electrode 21 face each other, an electro-optical material is provided in a space surrounded by a sealing material described later. A liquid crystal, which is an example of the above, is sealed, and a liquid crystal layer 50 is formed. The liquid crystal layer 50 assumes a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 22 when no electric field is applied from the pixel electrode 9a. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several kinds of nematic liquid crystals are mixed. The sealing material is an adhesive made of, for example, a photo-curing resin or a thermosetting resin for bonding the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 around the periphery thereof, and for setting the distance between the two substrates to a predetermined value. Gap material such as glass fiber or glass beads.
[0073]
Further, a base insulating film 12 is provided below the pixel switching TFT 30. The base insulating film 12 has a function of interlayer insulating the TFT 30 from the lower light-shielding film 11a and is formed on the entire surface of the TFT array substrate 10 so that the surface of the TFT array substrate 10 becomes rough during polishing or remains after cleaning. It has a function of preventing a change in characteristics of the pixel switching TFT 30 due to dirt or the like.
[0074]
In FIG. 3, the pixel switching TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and includes a scanning line 3a, a channel region 1a 'of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 3a, and a scan. An insulating film 2 including a gate insulating film that insulates the line 3a from the semiconductor layer 1a; a low-concentration source region 1b and a low-concentration drain region 1c of the semiconductor layer 1a; a high-concentration source region 1d and a high-concentration drain region 1e of the semiconductor layer 1a It has.
[0075]
On the scanning line 3a, a first interlayer insulating film 41 having a contact hole 81 leading to the high-concentration source region 1d and a contact hole 83 leading to the high-concentration drain region 1e is formed.
[0076]
A relay layer 71 and a capacitance line 300 are formed on the first interlayer insulating film 41, and a second interlayer insulating film 42 in which a contact hole 81 and a contact hole 85 are respectively formed is formed thereon. ing.
[0077]
The data lines 6 a are formed on the second interlayer insulating film 42, and a third interlayer insulating film 43 having a contact hole 85 leading to the relay layer 71 is formed thereon. The pixel electrode 9a is provided on the upper surface of the third interlayer insulating film 43 configured as described above.
[0078]
As described above with reference to FIGS. 1 to 3, according to the present embodiment, the channel region 1 a ′ and its adjacent regions (ie, the low-concentration source region 1 b and the low-concentration drain region shown in FIGS. 2 and 3). 1c) is covered by the capacitance line 300 and the data line 6a, which are upper light-shielding films from the upper side. Therefore, the light shielding for the incident light from the direction perpendicular to the TFT array substrate 10 can be enhanced by the capacitance line 300 and the data line 6a as the upper light shielding film. On the other hand, the channel region 1a 'and the adjacent region are covered by the lower light-shielding film 11a from below. Accordingly, return light, such as reflected light on the back surface of the TFT array substrate 10 and light emitted from another electro-optical device in a multi-plate type projector using a plurality of electro-optical devices as light valves and penetrating through the combined optical system, is used. Light shielding can be enhanced by the lower light shielding film 11a.
[0079]
In the present embodiment, the light-shielding film 23 is formed in a lattice shape or a stripe shape on the counter substrate 20 in a region other than the opening region of each pixel. By adopting such a configuration, as described above, the light shielding film 23 together with the capacitance line 300 and the data line 6a constituting the upper light shielding film allows incident light from the counter substrate 20 side to reach the channel region 1a 'and the adjacent region. Intrusion can be more reliably prevented. Further, the light-shielding film 23 has a function of preventing a temperature rise of the electro-optical device by forming at least a surface to be irradiated with incident light with a highly reflective film. The light-shielding film 23 is preferably formed so as to be located inside the light-shielding layer composed of the capacitance line 300 and the data line 6a when viewed in a plan view. Thus, the effect of the light shielding and the prevention of temperature rise can be obtained by the light shielding film 23 without lowering the aperture ratio of each pixel.
[0080]
Various modifications of the planar pattern of the light shielding film 23 formed on the counter substrate 20 will be described later with reference to FIGS. Further, the material of the light shielding film 23 may be formed of various metal films or the like as in the case of the capacitance line 300, or may be formed of resin.
[0081]
Here, the incident light includes oblique light incident on the TFT array substrate 10 from an oblique direction. For example, there is a case where about 10% of a component whose incident angle deviates from vertical by about 10 to 15 degrees. Further, such oblique light is reflected on the upper surface of the lower light-shielding film 11a formed on the TFT array substrate 10, and oblique internal reflected light is generated in the electro-optical device. Furthermore, such oblique internal reflected light is reflected at another interface in the electro-optical device to generate oblique multiple reflected light. In particular, incident light is much stronger than return light, and oblique internal reflected light and multiple reflected light based on such incident light are also stronger. In addition, the return light also includes light incident from an oblique direction, and based on this, internally reflected light and multiple reflected light are also generated.
[0082]
However, particularly in the present embodiment, the capacitance line 300 has the overhanging portion 401 that defines a corner cut in the opening region of each pixel in the intersection region (see FIG. 2). Similarly, the lower light-shielding film 11a has an overhang portion 411 that defines a corner cut in the opening region of each pixel in the intersection region (see FIG. 2). The channel region 1a 'is arranged at the center of the intersection region, and is separated from the opening region of each pixel through which incident light passes or return light enters by an amount corresponding to the presence of the corner cut. For this reason, the light-shielding performance for the channel region 1a 'and the adjacent region is dramatically improved by the presence of the overhang portions 401 and 411. That is, as compared with the case where the overhang portions 401 and 411 are not present, strong incident light and return light that proceed obliquely, and further, the inner surface reflected light and the multiple reflected light based on these, enter the channel region 1a ′ and its adjacent region. The incidence can be effectively prevented.
[0083]
As a result, display unevenness or flicker caused by the occurrence or variation of light leakage current in the TFT 30 can be efficiently reduced.
[0084]
In addition, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, left and right and up and down symmetric overhangs are provided at the four corners of the opening region. Therefore, the planar shape of the opening region of each pixel approaches a circle or a polygon as compared with the case where the overhang portion 401 or the like does not exist. Therefore, the TFT 30 can be shielded from light on all sides in a well-balanced manner, and a good image display with reduced light leakage areas and operation failure areas in each opening area can be performed.
[0085]
In particular, when a microlens for condensing the incident light of each opening region into a substantially circular shape is provided on the counter substrate 20 side or the TFT array substrate 10 side of the electro-optical device, the relationship with the shape of the condensed light is provided. It is advantageous to cut the four corners so that the opening area of each pixel approaches a circle. More specifically, when a microlens is provided, incident light is guided to the center of the opening area of each pixel via the microlens. Here, particularly, the incident light appropriately condensed by the microlenses and contributing to the display hardly reaches the overhang portions 401 and 411 because it is condensed. Therefore, the overhanging portions 401 and 411 can shield light components that are not appropriately collected by the microlenses. In particular, the portion of the boundary between the micro lenses adjacent to each other in the array and facing the intersection region has poor light collecting characteristics due to the properties of the lens. Therefore, the presence of the overhang portions 401 and 411 that locally increase the light-shielding region near the intersection region shields light passing through the microlens portion having poor light-collecting characteristics, in other words, the microlens portion having poor light-collecting characteristics. It is very significant from the viewpoint of hiding.
[0086]
However, the overhangs 401 and 411 are not provided at all four corners as described above, but overhangs 401 and overhangs 411 are provided at one or more corners of the four corners where the alignment failure in the liquid crystal layer 50 is relatively large. It may be configured as follows. For example, such an overhang portion 401 or overhang portion 411 may be provided only at a corner where the alignment defect of the liquid crystal layer 50 is most remarkable in relation to the rubbing direction with respect to the alignment films 16 and 22. Thereby, the contrast ratio can be efficiently increased by hiding the alignment failure of the liquid crystal layer 50 while suppressing the non-opening region from excessively widening.
[0087]
In this embodiment, the capacitance line 300 has the overhang portion 401 and the lower light-shielding film 11a has the overhang portion 411. However, only one of the overhang portions may be provided. Also in this case, the light-shielding performance can be improved as compared with the case where no overhang is provided.
[0088]
Here, with reference to FIG. 4 and FIG. 5, a description will be given of the configuration, the operation, and the effect of the planar pattern in which the corners of the pixel electrode 9 a are cut.
[0089]
In the comparative example shown in FIG. 4, the pixel electrode 9b has a square planar pattern. Therefore, in the intersecting region and the light-shielding region other than the intersecting region, the gap between the pixel electrodes 9b adjacent to each other in the left, right, up, and down directions is constant. However, since the pixel electrode 9b is formed by patterning an ITO film or the like, a small amount of film residue due to the remaining resist at the time of patterning occurs. In particular, in an intersecting region where the data line 6a intersects with the scanning line 3a or the like and a large step occurs, patterning is more difficult than in a flat portion, and such a film residue is likely to occur. Therefore, it is necessary to widen a certain gap between the pixel electrodes 9b adjacent to each other in the right, left, up, and down directions to such an extent that the film residue does not cause a short circuit even in the intersection region.
[0090]
On the other hand, in the present embodiment shown in FIG. 5, the pixel electrode 9a has a plane pattern including the corner cutout 403. Since the pixel electrode 9a itself hardly or not exists due to the corner cut portion 403 in the intersecting region where the gap is determined when the short-circuit due to the film residue is avoided, the film residue in this region does not need to be considered. That is, the gap between the pixel electrodes 9a can be reduced to such an extent that a short circuit due to the remaining film does not occur in the light-shielding region other than the intersection region where the remaining film is originally small during patterning. Accordingly, the opening area of each pixel can be increased correspondingly, that is, the aperture ratio of each pixel can be increased, and at this time, the device yield or reliability is not sacrificed. In addition, it is very advantageous in miniaturizing the pixel pitch, and a high-definition image can be displayed.
[0091]
In addition, for example, if the interval between the pixel electrodes 9a is 3 μm, the pixel electrode 9a having the corner cutout 403 as shown in FIG. Patterning can be performed with sufficiently high reliability.
[0092]
As described above, in the present embodiment, since the pixel electrode 9a has the corner cut portion 403, a bright image display can be performed by increasing the aperture ratio. In addition, since the overhanging portion 401 and the overhanging portion 411 having the light shielding performance are provided corresponding to the corner cutout portion 403, light leakage does not occur at the corner cutout portion 403 and the contrast ratio does not decrease.
[0093]
On the other hand, according to the present embodiment, the storage capacitor 70 is also formed in the light-shielding region that defines such a corner cut, so that the opening region of each pixel is reduced while increasing the capacitance value. Can be efficiently avoided. Similarly, the drain electrode of the TFT 30 may be arranged in a light-shielding region that defines a corner cut so that the opening region of each pixel is not narrowed.
[0094]
As described above with reference to FIGS. 1 to 5, according to the present embodiment, display unevenness, flicker, and the like are reduced by the pixel switching TFT 30 having excellent transistor characteristics, and bright, high-definition or high-quality An electro-optical device capable of displaying an image is realized.
[0095]
In the embodiment described above, the lower light-shielding film 11a is dropped to a fixed potential in the peripheral region or has a floating potential. However, the lower light-shielding film 11a is connected to the capacitor line 300 in the image display region and fixed. The potential may be dropped. In this case, the lower light-shielding film 11a can function as a redundant wiring for the capacitance line 300, and the resistance of the capacitance line 300 can be reduced. Alternatively, the lower light-shielding film 11a is connected to the scanning line 3a along with the scanning line 3a for each pixel or for each of a plurality of pixels, and the lower light-shielding film 11a is divided for each scanning line 3a. It may be formed in a shape. In this case, the lower light-shielding film 11a can function as a redundant wiring for the scanning line 3a, and the resistance of the scanning line 3a can be reduced. In addition, by using the lower light-shielding film 11a as a redundant wiring, the width of the light-shielding region along the capacitor line 300 or the scanning line 3a can be reduced.
[0096]
In the embodiment described above, a step is formed in the area below the pixel electrode 9a along the data line 6a and the scanning line 3a by digging a groove in the TFT array substrate 10 or by forming the base insulating film 12 and the first A flattening process may be performed by digging a groove in the interlayer insulating film 41, the second interlayer insulating film 42, and the third interlayer insulating film 43 and burying the wiring such as the data line 6a or the TFT 30 or the like. Alternatively, a step formed on the upper surface of the third interlayer insulating film 43 or the second interlayer insulating film 42 may be polished by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process or the like, or may be formed flat using an organic SOG (Spin On Glass). , The flattening process may be performed.
[0097]
Further, in the embodiment described above, the pixel switching TFT 30 preferably has an LDD structure as shown in FIG. 3, but has an offset structure in which impurities are not implanted into the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c. Alternatively, a self-aligned TFT in which impurities are implanted at a high concentration using the gate electrode formed of a part of the scanning line 3a as a mask to form high-concentration source and drain regions in a self-aligned manner may be used.
[0098]
(Modified form of pixel electrode pattern)
Next, a planar pattern of a pixel electrode that can be employed in the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7 each show a pixel electrode having a planar pattern that can be adopted in the present embodiment, instead of the pixel electrode 9a shown in FIG. 6 and 7, the same components as those shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
That is, as shown in FIG. 6, the pixel electrode 9c may have a corner cut portion 403 located at the lower side in the figure and having two corners dropped.
[0099]
Alternatively, as shown in FIG. 7, the pixel electrode 9d may have a corner cutout portion 403 in which two corners are located at the upper side in the figure.
[0100]
Even in the modification shown in FIG. 6 or FIG. 7, as described above, the film residue at the time of patterning can be reduced in the intersecting region, so that the gap between the pixel electrodes 9a can be narrowed efficiently. Therefore, the opening area of each pixel can be increased correspondingly, that is, the aperture ratio of each pixel can be increased, and at this time, the device yield or reliability is not sacrificed.
[0101]
Further, for example, in the case of the 1H inversion driving method in which the polarity of the driving voltage is inverted for each row in a field unit, in FIG. 6 and FIG. 7, between the vertically adjacent pixel electrodes 9c or between the vertically adjacent pixel electrodes 9d. Generates a horizontal electric field. For example, in the case of the 1S inversion driving method in which the polarity of the driving voltage is inverted in units of fields for each column, in FIG. 6 and FIG. 7, between the horizontally adjacent pixel electrodes 9c or vertically adjacent pixel electrodes 9d. A transverse electric field is generated. In addition, such poor alignment of the liquid crystal layer 50 due to the lateral electric field rarely occurs evenly in the entire region in each pixel. Likely to happen. Therefore, between the pixel electrodes where a horizontal electric field causing such an alignment defect occurs, a corner cut portion 403 is selectively provided as shown in FIG. 6 or FIG. 7 in order to weaken the horizontal electric field. It may be. More specifically, it is preferable to form a corner in each pixel at a corner where poor alignment occurs. As a result, a high-contrast, bright, high-quality image can be displayed.
[0102]
Note that the above-described overhanging portion 401 and overhanging portion 411 may be provided so as to correspond to the corner where the corner cutout portion 403 is provided. Alternatively, the above-described overhang portion 401 or overhang portion 411 may be provided at a corner where the corner cutout portion 403 is not provided.
[0103]
(Modification of light-shielding film pattern on counter substrate)
Next, a planar pattern of the light-shielding film 23 on the counter substrate 20 that can be employed in the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 15 respectively.
FIG. 9 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the light shielding film 23 on the counter substrate 20 side that can be adopted in the embodiment. In FIGS. 8 to 15, the same components as those shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
In the above-described embodiment, the light-shielding film 23 on the counter substrate 20 has a lattice shape or a stripe shape, has a plane shape slightly smaller than the upper light-shielding film including the capacitor lines 300 and the data lines 6a, and has a non- The opening area is not specified. That is, it is an auxiliary light-shielding film for the upper light-shielding film, and is generally provided as a measure against heat. On the other hand, in the modified examples of FIGS. 8 to 11, the light-shielding films 23a to 23d on the counter substrate 20 are formed at least partially larger than the upper light-shielding film, and are at least partially Are defined so as to define the non-opening region. In any of these modified embodiments, a light-shielding film is provided also in a region facing the overhang portion 401.
[0104]
That is, in the modification shown in FIG. 8, the light-shielding film 23a is provided on the counter substrate 20 in an island shape only in the intersection region among the light-shielding regions in which the upper light-shielding film (that is, the capacitance line 300 and the data line 6a) exists. . By using such a light-shielding film 23a, the light-shielding performance of the pixel switching TFT 30 in the vicinity of the intersection region can be remarkably improved. Further, a non-opening area of each pixel in the intersection area can be defined.
[0105]
In the modification of FIG. 9, the light-shielding film 23b is provided on the counter substrate 20 in a substantially horizontal stripe shape only in the intersecting region and the region along the scanning line 3a in the light-shielding region where the upper light-shielding film exists. By using such a light shielding film 23b, the light shielding performance of the pixel switching TFT 30 in the vicinity of the intersection region and in the region along the scanning line 3a can be remarkably improved. Further, the non-opening area of each pixel in the intersection area and the area along the scanning line 3a can be defined.
[0106]
In the modification of FIG. 10, the light shielding film 23c is provided on the counter substrate 20 in a substantially vertical stripe shape only in the intersection region and the region along the data line 6a in the light shielding region where the upper light shielding film exists. By using such a light-shielding film 23c, the light-shielding performance of the pixel switching TFT 30 in the vicinity of the intersection area and in the area along the data line 6a can be remarkably improved. Further, a non-opening area of each pixel in the intersection area and the area along the data line 6a can be defined.
[0107]
In the modification of FIG. 11, the light-shielding film 23d is provided on the counter substrate 20 in a substantially lattice shape in a region where the upper light-shielding film exists. By using such a light-shielding film 23d, the light-shielding performance in the entire lattice-shaped non-opening region can be remarkably improved with respect to the pixel switching TFT 30. Further, the lattice-shaped non-opening region can be defined.
[0108]
As described above, in the modified examples of FIGS. 8 to 11, the lattice-shaped non-opening region is at least partially defined by the light shielding films 23 a to 23 d on the counter substrate 20. On the other hand, in the modified examples of FIGS. 12 to 15, the light-shielding films 23a ′ to 23d ′ on the counter substrate 20 are formed one size smaller than the upper light-shielding film, and do not define the non-opening region. It is configured. In each of these modified embodiments, a light-shielding film slightly smaller than the overhanging portion 401 is provided in a region facing the overhang portion 401.
[0109]
That is, in the modification shown in FIG. 12, the light-shielding film 23a 'is provided on the counter substrate 20 in an island shape only in the intersecting region of the light-shielding region where the upper light-shielding film (that is, the capacitance line 300 and the data line 6a) exists. I have. By using such a light-shielding film 23a ', the light-shielding performance in the vicinity of the intersection region with respect to the pixel switching TFT 30 can be remarkably improved. Moreover, since the light-shielding film 23a 'is formed one size smaller than the overhang portion 401, the light-shielding film 23a' may cause the opening region to be reduced due to mechanical misalignment between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 10 during manufacturing. The situation of narrowing can be effectively avoided.
[0110]
In the modification of FIG. 13, the light-shielding film 23b 'is provided on the counter substrate 20 in a substantially horizontal stripe shape only in the crossing region and the region along the scanning line 3a in the light-shielding region where the upper light-shielding film exists. . By using such a light-shielding film 23b ', the light-shielding performance of the pixel switching TFT 30 in the vicinity of the intersection region and in the region along the scanning line 3a can be remarkably improved. In addition, since the light shielding film 23b 'is formed a little smaller than the overhang portion 401 and the capacitance line 300, the light shielding film 23b' is mechanically misaligned between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 10 during manufacturing. Can effectively avoid the situation where the opening area is narrowed.
[0111]
In the modification of FIG. 14, the light-shielding film 23c 'is provided on the counter substrate 20 in a substantially vertical stripe shape only in the crossing region and the region along the data line 6a in the light-shielding region where the upper light-shielding film exists. . By using such a light-shielding film 23c ', the light-shielding performance of the pixel switching TFT 30 in the vicinity of the intersection area and in the area along the data line 6a can be remarkably improved. In addition, since the light shielding film 23c 'is formed one size smaller than the overhang portion 401 and the data line 6a, the light shielding film 23c' is mechanically misaligned between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 10 during manufacturing. Can effectively avoid the situation where the opening area is narrowed.
[0112]
In the modification shown in FIG. 15, the light-shielding film 23d 'is provided on the counter substrate 20 in a substantially lattice shape in a region where the upper light-shielding film exists. By using such a light-shielding film 23d ', the light-shielding performance in the entire lattice-shaped non-opening region can be remarkably improved with respect to the pixel switching TFT 30. Moreover, since the light-shielding film 23d 'is formed to be slightly smaller than the overhang portion 401 and the capacitance line 300 and the data line 6a, a mechanical misalignment between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 10 at the time of manufacturing causes The situation where the light-shielding film 23d 'narrows the opening area can be effectively avoided.
[0113]
As described above with reference to FIGS. 8 to 15, in the present embodiment, various forms are employed for the protruding portion of the capacitance line 300, the relay layer 402 and the lower light-shielding film 11 a, and the corner cut portion of the pixel electrode 9 a. Many different combinations of these are possible. Regarding which combination is to be adopted, the most preferable combination is determined experimentally or empirically in view of the actual device specifications, and may be employed.
[0114]
(Overall configuration of electro-optical device)
The overall configuration of the electro-optical device according to each embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. 16 is a plan view of the TFT array substrate 10 together with the components formed thereon as viewed from the counter substrate 20, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along the line HH 'of FIG.
[0115]
In FIG. 16, a sealing material 52 is provided along the edge of the TFT array substrate 10, and a light shielding film 53 as a frame defining the periphery of the image display area 10a is provided in parallel with the inside of the sealing material 52. Is provided. In a region outside the sealing material 52, a data line driving circuit 101 for driving the data line 6a by supplying an image signal to the data line 6a at a predetermined timing and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10. A scanning line driving circuit 104 for driving the scanning line 3a by supplying a scanning signal to the scanning line 3a at a predetermined timing is provided along two sides adjacent to this one side. If the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 3a does not matter, it goes without saying that the scanning line driving circuit 104 may be provided on only one side. Further, the data line driving circuits 101 may be arranged on both sides along the side of the image display area 10a. Further, on one remaining side of the TFT array substrate 10, a plurality of wirings 105 for connecting between the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display area 10a are provided. In at least one of the corners of the opposing substrate 20, a conductive material 106 for electrically connecting the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 is provided. Then, as shown in FIG. 17, the opposite substrate 20 having substantially the same contour as the sealing material 52 shown in FIG. 16 is fixed to the TFT array substrate 10 by the sealing material 52.
[0116]
In addition, on the TFT array substrate 10, in addition to the data line driving circuit 101, the scanning line driving circuit 104, etc., a sampling circuit for applying an image signal to a plurality of data lines 6a at a predetermined timing, a plurality of data lines 6a, a precharge circuit for supplying a precharge signal of a predetermined voltage level prior to the image signal, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, and the like of the electro-optical device during manufacturing or shipping are formed. Is also good.
[0117]
In the embodiment described above with reference to FIGS. 1 to 17, instead of providing the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 104 on the TFT array substrate 10, for example, they are mounted on a TAB (Tape Automated Bonding) substrate. The driving LSI may be electrically and mechanically connected to the driving LSI via an anisotropic conductive film provided around the TFT array substrate 10. For example, a TN (Twisted Nematic) mode, an STN (Super Twisted Nematic) mode, and a VA (Vertically Aligned) mode are respectively provided on the side of the opposite substrate 20 on which the projected light is incident and on the side of the TFT array substrate 10 from which the emitted light is emitted. A polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as a mode, a PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal) mode, and a normally white mode / a normally black mode.
[0118]
Since the electro-optical device in the embodiment described above is applied to a projector, three electro-optical devices are used as light valves for RGB, respectively, and each light valve is provided with a dichroic mirror for RGB color separation. The light of each color decomposed is then incident as projection light. Therefore, in each embodiment, the opposing substrate 20 is not provided with a color filter. However, an RGB color filter may be formed on the opposing substrate 20 in a predetermined area facing the pixel electrode 9a together with its protective film. In this way, the electro-optical device in each embodiment can be applied to a direct-view or reflective color electro-optical device other than the projector. Alternatively, it is also possible to form a color filter layer with a color resist or the like under the pixel electrode 9a facing the RGB on the TFT array substrate 10. With this configuration, a bright electro-optical device can be realized by improving the efficiency of collecting incident light. Furthermore, a dichroic filter that produces RGB colors using light interference may be formed by depositing a number of interference layers having different refractive indexes on the counter substrate 20. According to the counter substrate with the dichroic filter, a brighter color electro-optical device can be realized.
[0119]
(Embodiment of electronic device)
Next, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a projection type color display device as an example of an electronic apparatus using the electro-optical device described above in detail as a light valve will be described. FIG. 18 is a schematic sectional view of a projection type color display device.
[0120]
In FIG. 18, a liquid crystal projector 1100, which is an example of a projection type color display device according to the present embodiment, prepares three liquid crystal modules each including a liquid crystal device 100 in which a driving circuit is mounted on a TFT array substrate, and respectively supplies light for RGB. The projector is used as the bulbs 100R, 100G, and 100B. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB. B, and are led to the light valves 100R, 100G, and 100B corresponding to each color. At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an entrance lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B, respectively, are recombined by the dichroic prism 1112, and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.
[0121]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or the idea of the invention which can be read from the claims and the entire specification, and the electro-optic with such changes The device and the electronic device are also included in the technical scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like provided in a plurality of pixels in a matrix forming an image display area in an electro-optical device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed in the electro-optical device of the embodiment.
FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2;
FIG. 4 is a partial plan view extracting and showing a plane pattern of a pixel electrode in a comparative example.
FIG. 5 is a partial plan view extracting and showing a plane pattern of a pixel electrode in the embodiment.
FIG. 6 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the pixel electrode that can be adopted in the embodiment.
FIG. 7 is a partial plan view showing a modification related to a plane pattern of a pixel electrode, which can be adopted in the embodiment.
FIG. 8 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the light-shielding film on the counter substrate side which can be adopted in the embodiment.
FIG. 9 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the light-shielding film on the counter substrate side, which can be adopted in the embodiment.
FIG. 10 is a partial plan view showing a modification related to a plane pattern of a light-shielding film on the counter substrate side, which can be adopted in the embodiment.
FIG. 11 is a partial plan view showing a modified example of a planar pattern of a light shielding film on the counter substrate side which can be adopted in the embodiment.
FIG. 12 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the light-shielding film on the counter substrate side that can be adopted in the embodiment.
FIG. 13 is a partial plan view showing a modification related to a plane pattern of a light-shielding film on the counter substrate side, which can be adopted in the embodiment.
FIG. 14 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the light-shielding film on the counter substrate side that can be adopted in the embodiment.
FIG. 15 is a partial plan view showing a modification of the planar pattern of the light-shielding film on the counter substrate side which can be adopted in the embodiment.
FIG. 16 is a plan view of the TFT array substrate in the electro-optical device according to the embodiment, together with the components formed thereon, as viewed from the counter substrate side.
FIG. 17 is a sectional view taken along line HH ′ of FIG. 16;
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view illustrating a color liquid crystal projector as an example of an embodiment of an electronic apparatus according to the invention.
[Explanation of symbols]
1a: Semiconductor layer
1a ': Channel region
1d: High concentration source region
1e: High concentration drain region
3a: scanning line
6a Data line
9a: Pixel electrode
10 ... TFT array substrate
11a: Lower light-shielding film
20: Counter substrate
21 ... Counter electrode
23 ... Light shielding film
30 ... TFT
50 ... Liquid crystal layer
70 ... Storage capacity
71 ... relay layer
300 ... Capacitance line
401, 402, 411 ... overhang portion
403: Corner cut

Claims (16)

基板上に、
画素電極と、
該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、
前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、
前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域を上側から覆うと共に前記データ線及び前記走査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定する上側遮光膜と
を備えており、
前記上側遮光膜は、前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、
前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されていることを特徴とする電気光学装置。On the substrate,
A pixel electrode;
A thin film transistor for switching control of the pixel electrode;
A data line for supplying an image signal to the thin film transistor;
A scanning line that supplies a scanning signal to the thin film transistor and crosses the data line,
An upper light-shielding film that covers at least a channel region and an adjacent region of a semiconductor layer constituting the thin-film transistor from above and at least partially defines a grid-shaped light-shielding region along the data lines and the scanning lines. ,
The upper light-shielding film has a protruding portion that protrudes to define a corner cut in an opening region of each pixel corresponding to the pixel electrode in an intersection region where the data line and the scanning line cross each other,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the channel region is disposed in the intersection region. 前記画素電極は、前記隅切りに対応して角が落とされた平面形状を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the pixel electrode has a planar shape whose corner is cut corresponding to the corner cut. 3. 前記チャネル領域は、前記交差領域の中央に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein the channel region is disposed at a center of the intersection region. 前記画素電極に接続された蓄積容量を更に備えており、
前記上側遮光膜は、前記蓄積容量を構成する固定電位側容量電極又は該固定電位側容量電極を含む容量線を兼ねることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。A storage capacitor connected to the pixel electrode;
4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the upper light-shielding film also serves as a fixed potential side capacitance electrode constituting the storage capacitor or a capacitance line including the fixed potential side capacitance electrode. 5. apparatus. 前記画素電極に接続された蓄積容量を更に備えており、
前記蓄積容量は、前記遮光領域内に形成されており、前記張り出し部に重なる領域にも形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。A storage capacitor connected to the pixel electrode;
4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the storage capacitor is formed in the light-shielding region, and is also formed in a region overlapping the overhang. 前記少なくともチャネル領域及びその隣接領域を、下側から覆うと共に前記格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定する下側遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。6. The light-emitting device according to claim 1, further comprising a lower light-shielding film that covers at least the channel region and an adjacent region from below and that at least partially defines the lattice-shaped light-shielding region. An electro-optical device according to the item. 前記下側遮光膜は、前記交差領域において、前記隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 6, wherein the lower light-shielding film has an overhanging portion in the intersection area so as to define the corner cut. 前記下側遮光膜の平面形状は、前記上側遮光膜の平面形状と比べて、前記交差領域において一回り小さいことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 7, wherein a planar shape of the lower light-shielding film is slightly smaller in the intersection region than a planar shape of the upper light-shielding film. 基板上に、
画素電極と、
該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、
前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、
前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域を下側から覆うと共に前記データ線及び前記走査線に沿った格子状の遮光領域を少なくとも部分的に規定する下側遮光膜と
を備えており、
前記下側遮光膜は、前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、
前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されていることを特徴とする電気光学装置。On the substrate,
A pixel electrode;
A thin film transistor for switching control of the pixel electrode;
A data line for supplying an image signal to the thin film transistor;
A scanning line that supplies a scanning signal to the thin film transistor and crosses the data line,
A lower light-shielding film that covers at least a channel region and an adjacent region of a semiconductor layer constituting the thin film transistor from below and at least partially defines a lattice-shaped light-shielding region along the data lines and the scanning lines. And
In the intersection region where the data line and the scanning line cross each other, the lower light-shielding film has a projecting portion that projects so as to define a corner cut in an opening region of each pixel corresponding to the pixel electrode,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the channel region is disposed in the intersection region. 前記下側遮光膜は、遮光性の導電膜からなると共に前記走査線と複数個所で接続され且つ前記走査線に沿って延びており、前記走査線の冗長配線として機能することを特徴とする請求項６から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。The lower light-shielding film is formed of a light-shielding conductive film, is connected to the scanning line at a plurality of locations, extends along the scanning line, and functions as a redundant wiring of the scanning line. Item 10. The electro-optical device according to any one of items 6 to 9. 前記基板に電気光学物質層を介して対向配置された対向基板を更に備えており、
前記開口領域の四隅のうち、少なくとも前記電気光学物質層における動作不良が相対的に大きい一又は複数の隅に、前記張り出し部が設けられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。It further comprises an opposing substrate disposed opposite to the substrate via an electro-optical material layer,
11. The overhang portion is provided at at least one or a plurality of corners of the four corners of the opening region where a malfunction in the electro-optical material layer is relatively large. An electro-optical device according to claim 1. 前記基板又は前記基板に対向配置された対向基板に、前記画素電極に対向配置されたマイクロレンズを更に備えたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to any one of claims 1 to 11, further comprising a microlens disposed on the substrate or a facing substrate facing the substrate, the microlens facing the pixel electrode. 前記画素電極は、第１の周期で反転駆動されるための第１の画素電極群及び該第１の周期と相補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極群を含むと共に前記第１基板上に平面配列されており、
前記張り出し部は、前記交差領域の中央を基準に前記第１の画素電極群の側に位置する二隅、又は前記第２の画素電極群の側に位置する二隅に設けられていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。The pixel electrode includes a first pixel electrode group to be inverted and driven at a first cycle and a second pixel electrode group to be inverted and driven at a second cycle complementary to the first cycle. Are arranged in a plane on the first substrate,
The overhanging portion is provided at two corners located on the side of the first pixel electrode group or two corners located on the side of the second pixel electrode group with reference to the center of the intersection area. The electro-optical device according to any one of claims 1 to 12, wherein 前記開口領域の四隅に夫々、左右上下対称な張り出し部が設けられていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein left and right symmetric overhangs are provided at four corners of the opening area, respectively. 平面的に見て前記張り出し部に重なる領域に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極が配置されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to any one of claims 1 to 12, wherein a drain electrode of the thin film transistor is arranged in a region overlapping the overhang when viewed in plan. 請求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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