JP2004039120A - Optical pickup, optical integrated element, light emitting/receiving element, and light emitting device - Google Patents

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Kiyoshi Mano
真能 清志
Kiyoshi Yamauchi
山内 淨
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical pickup capable of efficiently radiating heat generated in a semiconductor laser diode, an optical integrated element, a light emitting/receiving element, and a light emitting device. <P>SOLUTION: When a drive signal is supplied to the semiconductor laser diode 1204 through a 1st conductive layer 42 of a flexible substrate 40, the diode 1204 is driven and starts light emitting. Heat generated in the diode 1204 due to the light emitting is transmitted to a radiating plate 1202. The heat transmitted to the radiating plate 1202 is transmitted to a holder (pickup casing) 50 and radiated from the holder (pickup casing) 50 and the heat is transmitted to the 1st conductive layer 42 of the flexible substrate 40 through a side plate 1202A, further transmitted to the 2nd conductive layer 44 through a conductive area 46 and radiated from the 2nd conductive layer 44. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】
光ディスクドライブ装置には、近年、高密度化への要求と共に小型情報端末への搭載を前提とした小型化への要求が高まっており、その基幹デバイスである光ピックアップにおいても、小型化を追求した開発が活発に行なわれている。
光ピックアップは、例えば、半導体レーザダイオード、再生信号検出用PDIC(Photodiode IC)、サーボ信号生成用ホログラム等を有する光集積素子が組み込まれて構成されている。
このような光集積素子は、小型軽量を特徴とする光ディスクドライブへ適用するため、および、近年の高密度化への要求に対応するため、その光源には短波長の青紫色半導体レーザダイオードが用いられるようになってきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このような青紫色半導体レーザダイオードは光ディスク面上でのビーム径を従来よりも小さく絞り込むことが出来ると言う特徴を持っているため、高密度化に大きく貢献するが、赤色レーザダイオードなどと比較すると、同じ光パワーを出力するために必要な投入電力が大きく、従って動作時のレーザダイオードからの発熱量が大きいという不利な面も併せ持っている。
また、光集積素子のように小型のデバイスにおいては、素子自体の熱容量が小さい為、青紫色半導体レーザダイオードを搭載した場合、かなり効率よく放熱を行なわせないと、著しい温度上昇が起こってしまうという問題があった。
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体レーザダイオードで発生する熱を効率よく放熱することができる光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ピックアップは、前記目的を達成するため、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、光検出手段と、前記光ビームを光記録媒体に照射するとともに、前記照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光学系とを備える光ピックアップにおいて、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
また、本発明の光集積素子は、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、光検出手段と、前記半導体レーザダイオードから出射された光ビームを光記録媒体に導くとともに、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光路を形成する光学部品と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、前記半導体レーザダイオードと光検出手段と光学部品とが一体的に構成された光集積素子において、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
また、本発明の受発光素子は、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを受光する光検出手段と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備え、前記半導体レーザダイオードと光検出手段が一体的に構成された光集積素子において、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
また、本発明の発光デバイスは、光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号の配線パターンが設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備えた発光デバイスにおいて、前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されていることを特徴とする。
【0005】
そのため、本発明の光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスによれば、発光動作に伴って半導体レーザダイオードで発生した熱は、放熱材に伝達される。前記放熱材に伝達された熱は、プリント基板の第2の導電層に伝達され、この第2の導電層で放熱される。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による光集積素子および光ピックアップの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図2は、本発明の第1の実施の形態による光ピックアップの構成図である。
光ピックアップ10は、光集積素子12、コリメータレンズ14、アナモプリズム16、エキスパンダ18、1/4波長板20、対物レンズ22を備えており、これらの各部品がホルダ(ピックアップ筐体)50(図1、図3参照)にマウントされて構成されている。
【0007】
図3は光集積素子の拡大図である。
前記光集積素子12は、放熱板1202、半導体レーザダイオード1204、立ち上げミラー1206、1/2波長板1208、モールド複合素子1210、積層プリズム1212、再生信号検出PDIC1214、フレキシブル基板40(図1参照)などを含んで構成されている。
前記放熱板1202は、放熱性の良い材料から長さと長さよりも短い寸法の幅を有する矩形板状に形成され、本実施の形態では放熱板1202として銅板が用いられている。
前記半導体レーザダイオード1204は、放熱板1202の下面で長さ方向の中央よりもやや一方寄りの箇所にサブマウント1204Aを介して半田付けによって取付けられている。
前記立ち上げミラー1206は、前記半導体レーザダイオード1204に臨む放熱板1202の下面箇所に設けられ、立ち上げミラー1206の近傍の放熱板1202箇所には開口1203が形成されている。
前記1/2波長板1208は、前記開口1203に臨む放熱板1202の上面箇所に取着されている。
前記再生信号検出PDIC1214は、前記放熱板1202の上面で長さ方向の中央よりもやや他方寄りの箇所に取着されている。
【0008】
前記モールド複合素子1210は、前記1/2波長板1208および再生信号検出PDIC1214の上方に臨むように、その両端の脚部が前記放熱板1202の上面の長さ方向の両端に取着されて配設されている。
前記モールド複合素子1210の上面には、前記1/2波長板1208の上方に臨むようにDPP(Differential Push−pull)サイドスポット生成用のグレーティング1210Aが設けられている。
また、前記モールド複合素子1210の上面には、前記再生信号検出PDIC1214の上方に臨むようサーボ信号生成用のホログラム1210Bが設けられている。
前記積層プリズム1212は、偏光ビームスプリッタ1212Aと全反射ミラー1212Bを含んで構成され、前記モールド複合素子1210の上面に取着されている。前記偏光ビームスプリッタ1212Aは、グレーティング1210Aの上方に臨み、全反射ミラー1212Bは、前記ホログラム1210Bの上方に臨んでいる。
【0009】
前記光ピックアップ10における光ビームの光路について説明すると、前記半導体レーザダイオード1204から出射された光ビームは、前記立ち上げミラー1204で反射されることにより90度屈曲され、前記放熱板1202の開口1203を通って放熱板1202の下面から上面に導かれ、前記1/2波長板1208、グレーティング1210A、偏光ビームスプリッタ1212Aをこれらの順で通過して前記コリメータレンズ14に導かれる。
前記コリメータレンズ14によって平行光とされた光ビームは、前記アナモプリズム16でビーム整形され、前記エキスパンダレンズ18に導かれる。なお、前記エキスパンダレンズ18は、本実施の形態では2群レンズよりなり、その2群レンズ間の距離を調整することにより、高NA対物レンズを用いた場合に顕著に現れる球面収差を補正するように構成されている。
前記エキスパンダレンズ18を通過した光ビームは、前記1/4波長板20及び2群レンズよりなる対物レンズ22を通ることにより、光ディスク30上の記録膜に集光される。
前記光ディスク30上の相変化膜の反射率変化により光強度変調された反射光ビームは、上述と同じ光路を通って前記光集積素子12に導かれる。
すなわち、前記反射光ビームは、前記コリメータレンズ14を介して積層プリズム1212に入射され偏光ビームスプリッタ1212A、全反射ミラー1212Bで反射され前記ホログラム1210Bによってメインビームに加えて2つのサイドビームが生成されこれら3つのビームが前記再生信号検出PDIC1214に入射される。
【0010】
図1(A)は放熱板とフレキシブル基板とが連結された状態を示す平面図、(B)は側面図、図4(A)はフレキシブル基板を一方の面から見た図、(B)はフレキシブル基板を他方の面から見た図、図5はフレキシブル基板の断面図である。
図1(A)、(B)に示すように、本実施の形態では、前記放熱板1202の幅方向の両側にそれぞれフレキシブル基板40が取着されている。
図5に示すように、前記各フレキシブル基板40は、絶縁材料48からなる板材の内部に第1の導電層42と第2の導電層44とが前記板材の厚さ方向に間隔をおいて配置されることで構成されている。
前記第1の導電層42は、前記半導体レーザダイオードに駆動電流を供給するための配線パターン4202、前記再生信号検出PDIC1214で検出された検出信号の伝達を行なうための配線パターン4204、グランドパターン4206を含んで構成されている。
また、このような駆動信号および検出信号の授受は、前記フレキシブル基板40に接続される外部回路との間で行なわれる。
前記第2の導電層44は、前記フレキシブル基板40のほぼ全域にわたって矩形状に広がるグランドパターン4402から構成されている。
前記第2の導電層44の面積は前記第1の導電層42の面積よりも大きな値となり、前記第2の導電層44の厚さは前記第1の導電層42の厚さよりも大きな値となるように形成されている。
図4、図5に示すように、第2の導電層44のグランドパターン4402と、前記第1の導電層42のグランドパターン4206とは、円柱状の導通領域46を介して電気的に接続され、かつ、熱伝達可能に連結されている。
また、前記第1の導電層42の配線パターン4202、4204、グランドパターン4206の長手方向の端部のそれぞれは接続端子4202A、4204A、4206Aとして構成され、これら各接続端子4202A、4204A、4206Aの表面には前記絶縁材料48が形成されておらず、外部に露出している。
【0011】
図1(A)、(B)に示すように、前記放熱板1202の幅方向の両側で長さ方向の中間部にはサイドプレート1202Aが形成され、各サイドプレート1202Aは下方に延在し、各フレキシブル基板40の第1の導電層42のグランドパターン4206の接続端子4206Aに半田付けによって接続されている。
したがって、前記放熱板1202と前記第2の導電層44は前記第1の導電層42を介して電気的に接続され、かつ、熱伝達可能に連結されている。
また、前記第2の導電層44のグランドパターン4402は、前記フレキシブル基板40が接続される前記外部回路によってグランド電位に接続されている。したがって、第2の導電層44のグランドパターン4402と、該グランドパターン4402に接続された第1の導電層42のグランドパターン4206と、該グランドパターン4206に接続された放熱板1202は、全てグランド電位に保持されることになる。
【0012】
各フレキシブル基板40の第1の導電層42のパターン4202、4204の接続端子4202Aのそれぞれにはリードピン47が設けられ、各リードピン47と前記半導体レーザダイオード1204の端子の間、および、各リードピン47と前記再生信号検出PDIC1214の端子との間はワイヤ48により接続されている。
また、前記放熱板1202の上面の長さ方向の両端箇所から前記ホルダ(ピックアップ筐体)50がそれぞれ立設され、放熱板1202と前記ホルダ(ピックアップ筐体)50は熱伝達可能に連結されている。
【0013】
本実施の形態においては、前記光集積素子12、コリメータレンズ14、アナモプリズム16、エキスパンダ18、1/4波長板20、対物レンズ22によって特許請求の範囲の光学系が構成されている。
また、前記立ち上げミラー1206、1/2波長板1208、モールド複合素子1210、積層プリズム1212によって特許請求の範囲の光学部品が構成されている。
また、前記放熱板1202によって特許請求の範囲の放熱材が構成され、前記フレキシブル基板40によって特許請求の範囲のプリント基板が構成されている。
【0014】
このように構成された光ピックアップ10および光集積素子12の作用について説明する。
前記半導体レーザダイオード1204に前記フレキシブル基板40の第1の導電層42を介して駆動信号が供給されると、該半導体レーザダイオード1204が駆動され発光動作を行う。
この発光動作に伴って半導体レーザダイオード1204で発生した熱は、放熱板1202に伝達される。前記放熱板1202に伝達された熱は、前記ホルダ(ピックアップ筐体)50に伝達されて該ホルダ(ピックアップ筐体)50で放熱されるとともに、前記サイドプレート1202Aを介してフレキシブル基板40の第1の導電層42に伝達され、さらに前記導通領域46を介して前記第2の導電層44に伝達され、第2の導電層44で放熱される。
【0015】
したがって、本実施の形態によれば、半導体レーザダイオード1204で発生した熱が放熱材1202に伝達された後、該放熱板1202から第1の導電層42から第2の導電層44に伝達されて第2の導電層44で放熱され、この放熱が行なわれる第2の導電層44は、前記第1の導電層42の面積よりも大きく、前記フレキシブル基板40のほぼ全域にわたって広がり放熱面積が大きいので、放熱効果を向上する上で有利である。
また、第2の導電層44の厚さを前記第1の導電層42の厚さよりも大きな値としたことにより、第2の導電層44内部における熱の伝達効率を上げることができ、放熱効果を向上する上で有利となる。
また、前記第2の導電層44は、グランド電位に接続されているため、高周波ノイズの影響を抑制する作用も奏される。
【0016】
次に、第2の実施の形態について説明する。
第2の実施の形態が第1の実施の形態と異なるのは、フレキシブル基板の第2の導電層に、前記放熱材に加え、別の放熱材が熱伝達可能に連結されている点である。
図6(A)は第2の実施の形態におけるフレキシブル基板を一方の面から見た図、(B)はフレキシブル基板を他方の面から見た図、(C)は第2の実施の形態における光ピックアップの組立図である。図6において第1の実施の形態と同様の部分には同一の符号を付して説明する。
図6(B)に示すように、フレキシブル基板40Aの長さ方向の中間箇所において第2導電層44の表面に絶縁材料48を形成しない連結部49が設けられている。
そして、図6(C)に示すように、前記連結部49の箇所には銅製の放熱材52が半田付けによって熱伝達可能に連結されている。
光集積素子12の放熱板1202は第1の実施の形態と同様に前記ホルダ(ピックアップ筐体)50に熱伝達可能に連結され、前記放熱材52は銀ペーストなどを介して前記ホルダ(ピックアップ筐体)50に熱伝達可能に連結される。
前記ホルダ(ピックアップ筐体)50には回路基板54が設けられ、フレキシブル基板40Aの光集積素子12と反対側の端部と前記回路基板54はフレキシブル基板用コネクタを介して接続される。前記回路基板54は、前述した外部回路を構成するものであり、前記フレキシブル基板40Aを介して、半導体レーザダイオード1204に駆動信号を供給するとともに前記再生信号検出PDIC1214の再生信号を入力するように構成されている。
【0017】
このように構成された第2の実施の形態によれば、前記半導体レーザダイオード1204で発生した熱を、前記第2導電層44の連結部49から放熱部52に伝達して該放熱部52で放熱し、さらに該放熱材52からホルダ(ピックアップ筐体)50に熱を伝達して該ホルダ(ピックアップ筐体)50で放熱することができるので、放熱効果をより向上させる上で有利となる。
本実施例では、放熱部52を介して該ホルダ(ピックアップ筐体)50に対して放熱させているが、放熱部52を介してドライブシャーシ等、熱容量の大きい別の部材に対して放熱させても同様の効果が得られる。
【0018】
なお、第1、第2の実施の形態においては、放熱板1202を第1の導電層42を介して第2の導電層44に熱伝達可能に連結したが、放熱板1202を第2の導電層44に熱伝達可能に直接接続してもよい。この場合には、前記導通領域46を設ける必要がないのでフレキシブル基板40の構成を簡素化できる効果がある。
また、第1、第2の実施の形態においては、前記半導体レーザダイオード1204をサブマウント1204Aを介して放熱板1202に取着したが、前記サブマウント1204Aを用いることなく半導体レーザダイオード1204を直接放熱板1202に取着してもよい。
また、第1、第2の実施の形態においては、2つの導電層を持つプリント基板を用いているが、第1の導電層、又は第2の導電層が、さらに複数の導電層から構成されていても良い。
また、本発明は、半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを受光する光検出手段と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備え、前記半導体レーザダイオードと光検出手段が一体的に構成された光集積素子に適用可能である。
また、本発明は、半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、前記半導体レーザダイオードへの駆動信号の配線パターンが設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備えた発光デバイスにも適用可能である。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体レーザダイオードで発生する熱を効率よく放熱することができる光ピックアップ、光集積素子、受発光素子および発光デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は放熱板とフレキシブル基板とが連結された状態を示す平面図、(B)は側面図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態による光ピックアップの構成図である。
【図3】光集積素子の拡大図である。
【図4】フレキシブル基板を一方の面から見た図、(B)はフレキシブル基板を他方の面から見た図である。
【図5】フレキシブル基板の断面図である。
【図6】(A)は第2の実施の形態におけるフレキシブル基板を一方の面から見た図、(B)はフレキシブル基板を他方の面から見た図、(C)は第2の実施の形態における光ピックアップの組立図である。
【符号の説明】
10……光ピックアップ、12……光集積素子、1202……放熱板、1204……半導体レーザダイオード、22……対物レンズ、40……フレキシブル基板、42……第1の導電層、44……第2の導電層。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical pickup, an optical integrated element, a light emitting / receiving element, and a light emitting device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, there has been an increasing demand for optical disc drive devices to be miniaturized assuming that they are mounted on small information terminals, as well as to higher densities. Active development is taking place.
The optical pickup includes, for example, an integrated optical device having a semiconductor laser diode, a PDIC (Photodiode IC) for detecting a reproduction signal, a hologram for generating a servo signal, and the like.
In order to apply such an optical integrated device to an optical disk drive characterized by its small size and light weight, and to respond to recent demands for higher density, a short-wavelength blue-violet semiconductor laser diode is used as its light source. It is becoming possible.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Such a blue-violet semiconductor laser diode has the feature that the beam diameter on the optical disk surface can be narrowed down as compared with the conventional one, so it greatly contributes to high density, but compared with red laser diode etc. In addition, there is a disadvantage in that the input power required to output the same optical power is large, and thus the amount of heat generated from the laser diode during operation is large.
Also, in a small device such as an optical integrated device, the heat capacity of the device itself is small, and if a blue-violet semiconductor laser diode is mounted, a significant temperature rise will occur unless heat is dissipated fairly efficiently. There was a problem.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical pickup, an optical integrated device, a light receiving / emitting device, and a light emitting device that can efficiently radiate heat generated by a semiconductor laser diode. It is to provide a light emitting device.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an optical pickup according to the present invention includes a semiconductor laser diode for emitting a light beam, a heat dissipating member to which the semiconductor laser diode is attached, a drive signal to the semiconductor laser diode, or light detection means. A printed circuit board provided with at least one of the wiring patterns for output signals from, and connected to the heat dissipating material, a light detection unit, and irradiating the optical beam to the optical recording medium, An optical pickup comprising: an optical system for guiding a light beam reflected by an optical recording medium to the light detection means; wherein the printed circuit board includes a first conductive layer including the wiring pattern and a second conductive layer provided for heat radiation. Wherein the heat dissipating material and the second conductive layer are connected so that heat can be transferred.
Further, the optical integrated device of the present invention comprises a semiconductor laser diode that emits a light beam, a heat radiating member to which the semiconductor laser diode is attached, light detection means, and a light beam emitted from the semiconductor laser diode. An optical component that forms an optical path for guiding the reflected light beam of the irradiated light beam from the optical recording medium to the light detection means, and a drive signal to the semiconductor laser diode, or a light detection means. A printed circuit board provided with at least one of the output signal wiring patterns and connected to the heat dissipating material; and an optical integrated device in which the semiconductor laser diode, the light detecting means, and the optical component are integrally formed. The substrate includes a first conductive layer including the wiring pattern, and a second conductive layer provided for heat dissipation. Wherein the wood second conductive layer is characterized in that it is linked to heat transfer.
In addition, the light emitting and receiving element of the present invention includes a semiconductor laser diode that emits a light beam, a heat radiating material to which the semiconductor laser diode is attached, and a light receiving member that receives the irradiated light beam reflected by an optical recording medium. And a printed circuit board provided with at least one of a wiring pattern for a driving signal to the semiconductor laser diode or an output signal from the light detecting means and connected to the heat radiating material. And an optical integrated device in which the light detection means is integrally formed, wherein the printed board has a first conductive layer including the wiring pattern, and a second conductive layer provided for heat dissipation. The heat dissipation material and the second conductive layer are connected so that heat can be transferred.
Further, the light emitting device of the present invention is provided with a semiconductor laser diode that emits a light beam, a heat radiation material to which the semiconductor laser diode is attached, and a wiring pattern of a drive signal to the semiconductor laser diode, wherein the heat radiation material is provided. In a light emitting device including a connected printed board, the printed board is configured to include a first conductive layer including the wiring pattern and a second conductive layer provided for heat dissipation, The heat dissipating material and the second conductive layer are connected so that heat can be transferred.
[0005]
Therefore, according to the optical pickup, the optical integrated device, the light receiving / emitting element, and the light emitting device of the present invention, the heat generated in the semiconductor laser diode during the light emitting operation is transmitted to the heat radiating material. The heat transferred to the heat dissipating material is transferred to the second conductive layer of the printed circuit board, and is radiated by the second conductive layer.
[0006]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of an optical integrated device and an optical pickup according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 2 is a configuration diagram of the optical pickup according to the first embodiment of the present invention.
The optical pickup 10 includes an optical integrated element 12, a collimator lens 14, an anamorphic prism 16, an expander 18, a quarter-wave plate 20, and an objective lens 22, and these components are used as a holder (pickup housing) 50 ( (See FIGS. 1 and 3).
[0007]
FIG. 3 is an enlarged view of the optical integrated device.
The optical integrated device 12 includes a heat sink 1202, a semiconductor laser diode 1204, a rising mirror 1206, a half-wave plate 1208, a molded composite device 1210, a laminated prism 1212, a reproduction signal detection PDIC 1214, and a flexible substrate 40 (see FIG. 1). It is comprised including.
The heat radiating plate 1202 is formed in a rectangular plate shape having a length and a width shorter than the length from a material having good heat radiating properties. In the present embodiment, a copper plate is used as the heat radiating plate 1202.
The semiconductor laser diode 1204 is mounted on the lower surface of the heat radiating plate 1202 by soldering via a submount 1204A at a position slightly closer to one side than the center in the length direction.
The rising mirror 1206 is provided on the lower surface of the heat sink 1202 facing the semiconductor laser diode 1204, and an opening 1203 is formed in the heat sink 1202 near the rising mirror 1206.
The half-wave plate 1208 is attached to the upper surface of the heat sink 1202 facing the opening 1203.
The reproduction signal detection PDIC 1214 is mounted on the upper surface of the heat sink 1202 at a position slightly closer to the other side than the center in the length direction.
[0008]
The mold composite element 1210 is provided with legs at both ends thereof attached to the longitudinal ends of the upper surface of the heat sink 1202 so as to face above the half-wave plate 1208 and the reproduction signal detection PDIC 1214. Is established.
A grating 1210A for generating a differential push-pull (DPP) side spot is provided on the upper surface of the mold composite element 1210 so as to face above the half-wave plate 1208.
Also, a hologram 1210B for generating a servo signal is provided on the upper surface of the mold composite element 1210 so as to face above the reproduction signal detection PDIC 1214.
The laminated prism 1212 includes a polarizing beam splitter 1212A and a total reflection mirror 1212B, and is attached to the upper surface of the molded composite element 1210. The polarizing beam splitter 1212A faces above the grating 1210A, and the total reflection mirror 1212B faces above the hologram 1210B.
[0009]
The optical path of the light beam in the optical pickup 10 will be described. The light beam emitted from the semiconductor laser diode 1204 is bent by 90 degrees by being reflected by the rising mirror 1204, and passes through the opening 1203 of the heat sink 1202. The light is guided from the lower surface of the heat radiating plate 1202 to the upper surface, passes through the 波長 wavelength plate 1208, the grating 1210A, and the polarizing beam splitter 1212A in this order, and is guided to the collimator lens.
The light beam collimated by the collimator lens 14 is shaped by the anamorphic prism 16 and guided to the expander lens 18. In the present embodiment, the expander lens 18 is composed of a two-group lens, and the distance between the two-group lenses is adjusted to correct spherical aberration that appears remarkably when a high NA objective lens is used. It is configured as follows.
The light beam that has passed through the expander lens 18 passes through the quarter-wave plate 20 and the objective lens 22 composed of a second group lens, and is condensed on a recording film on the optical disk 30.
The reflected light beam whose light intensity is modulated by the change in the reflectance of the phase change film on the optical disk 30 is guided to the optical integrated device 12 through the same optical path as described above.
That is, the reflected light beam enters the laminated prism 1212 via the collimator lens 14 and is reflected by the polarizing beam splitter 1212A and the total reflection mirror 1212B. The hologram 1210B generates two side beams in addition to the main beam. Three beams are incident on the reproduction signal detection PDIC 1214.
[0010]
1A is a plan view showing a state in which a heat sink and a flexible board are connected, FIG. 1B is a side view, FIG. 4A is a view of the flexible board viewed from one side, and FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the flexible substrate when the flexible substrate is viewed from the other surface.
As shown in FIGS. 1A and 1B, in the present embodiment, flexible boards 40 are attached to both sides of the heat sink 1202 in the width direction.
As shown in FIG. 5, each of the flexible substrates 40 has a first conductive layer 42 and a second conductive layer 44 arranged inside a plate made of an insulating material 48 at intervals in the thickness direction of the plate. It is configured to be.
The first conductive layer 42 includes a wiring pattern 4202 for supplying a drive current to the semiconductor laser diode, a wiring pattern 4204 for transmitting a detection signal detected by the reproduction signal detection PDIC 1214, and a ground pattern 4206. It is comprised including.
The transmission and reception of the drive signal and the detection signal are performed with an external circuit connected to the flexible substrate 40.
The second conductive layer 44 is formed of a ground pattern 4402 that extends in a rectangular shape over substantially the entire area of the flexible substrate 40.
The area of the second conductive layer 44 is larger than the area of the first conductive layer 42, and the thickness of the second conductive layer 44 is larger than the thickness of the first conductive layer 42. It is formed so that it becomes.
As shown in FIGS. 4 and 5, the ground pattern 4402 of the second conductive layer 44 and the ground pattern 4206 of the first conductive layer 42 are electrically connected to each other via a cylindrical conductive region 46. And are connected so that heat can be transmitted.
The longitudinal ends of the wiring patterns 4202 and 4204 of the first conductive layer 42 and the ground pattern 4206 are respectively formed as connection terminals 4202A, 4204A and 4206A, and the surfaces of these connection terminals 4202A, 4204A and 4206A are formed. Is not formed with the insulating material 48 and is exposed to the outside.
[0011]
As shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B), side plates 1202A are formed at both sides in the width direction of the heat radiating plate 1202 and in the middle part in the length direction, and each side plate 1202A extends downward. Each flexible substrate 40 is connected to the connection terminal 4206A of the ground pattern 4206 of the first conductive layer 42 by soldering.
Therefore, the heat radiating plate 1202 and the second conductive layer 44 are electrically connected via the first conductive layer 42 and are connected so that heat can be transmitted.
The ground pattern 4402 of the second conductive layer 44 is connected to a ground potential by the external circuit to which the flexible board 40 is connected. Therefore, the ground pattern 4402 of the second conductive layer 44, the ground pattern 4206 of the first conductive layer 42 connected to the ground pattern 4402, and the heat sink 1202 connected to the ground pattern 4206 are all ground potentials. Will be held.
[0012]
Each of the connection terminals 4202A of the patterns 4202 and 4204 of the first conductive layer 42 of each flexible substrate 40 is provided with a lead pin 47, between each lead pin 47 and the terminal of the semiconductor laser diode 1204, and between each lead pin 47 and The terminal of the reproduction signal detection PDIC 1214 is connected by a wire 48.
Also, the holders (pickup housing) 50 are erected from both ends in the longitudinal direction of the upper surface of the heat sink 1202, respectively, and the heat sink 1202 and the holder (pickup housing) 50 are connected so as to be able to transfer heat. I have.
[0013]
In the present embodiment, the optical integrated device 12, the collimator lens 14, the anamorphic prism 16, the expander 18, the quarter-wave plate 20, and the objective lens 22 constitute an optical system according to the claims.
The rising mirror 1206, the half-wave plate 1208, the molded composite element 1210, and the laminated prism 1212 constitute an optical component according to the present invention.
The radiator plate 1202 constitutes a radiator of the present invention, and the flexible substrate 40 constitutes a printed circuit board of the present invention.
[0014]
The operation of the optical pickup 10 and the optical integrated device 12 thus configured will be described.
When a driving signal is supplied to the semiconductor laser diode 1204 via the first conductive layer 42 of the flexible substrate 40, the semiconductor laser diode 1204 is driven to perform a light emitting operation.
The heat generated by the semiconductor laser diode 1204 due to the light emitting operation is transmitted to the heat sink 1202. The heat transmitted to the heat radiating plate 1202 is transmitted to the holder (pickup housing) 50 and radiated by the holder (pickup housing) 50, and the first of the flexible substrate 40 via the side plate 1202 </ b> A. Is transmitted to the second conductive layer 44 via the conductive region 46 and is radiated by the second conductive layer 44.
[0015]
Therefore, according to the present embodiment, after the heat generated in semiconductor laser diode 1204 is transmitted to heat radiating material 1202, it is transmitted from first heat conductive layer 42 to second conductive layer 44 from heat radiating plate 1202. The heat is radiated by the second conductive layer 44, and the second conductive layer 44 radiating the heat is larger than the area of the first conductive layer 42 and spreads over almost the entire area of the flexible substrate 40, so that the heat radiating area is large. This is advantageous in improving the heat radiation effect.
Further, by setting the thickness of the second conductive layer 44 to a value larger than the thickness of the first conductive layer 42, the efficiency of heat transfer inside the second conductive layer 44 can be increased, and the heat dissipation effect can be improved. This is advantageous in improving.
Further, since the second conductive layer 44 is connected to the ground potential, an effect of suppressing the influence of high-frequency noise is also exerted.
[0016]
Next, a second embodiment will be described.
The second embodiment is different from the first embodiment in that, in addition to the heat dissipating material, another heat dissipating material is connected to the second conductive layer of the flexible substrate so as to allow heat transfer. .
FIG. 6A is a diagram of the flexible substrate according to the second embodiment as viewed from one surface, FIG. 6B is a diagram of the flexible substrate as viewed from the other surface, and FIG. 6C is a diagram of the second embodiment. It is an assembly drawing of an optical pickup. In FIG. 6, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and described.
As shown in FIG. 6B, a connecting portion 49 in which the insulating material 48 is not formed is provided on the surface of the second conductive layer 44 at an intermediate position in the length direction of the flexible substrate 40A.
As shown in FIG. 6C, a heat radiating member 52 made of copper is connected to the connecting portion 49 so as to be able to transfer heat by soldering.
The heat radiating plate 1202 of the optical integrated device 12 is connected to the holder (pickup housing) 50 so as to be able to conduct heat similarly to the first embodiment, and the heat radiating material 52 is connected to the holder (pickup housing) via silver paste or the like. Body) 50 so as to be able to transfer heat.
The holder (pickup housing) 50 is provided with a circuit board 54, and the end of the flexible board 40A on the opposite side to the optical integrated device 12 and the circuit board 54 are connected via a flexible board connector. The circuit board 54 constitutes the above-described external circuit, and is configured to supply a drive signal to the semiconductor laser diode 1204 and input a reproduction signal of the reproduction signal detection PDIC 1214 via the flexible substrate 40A. Have been.
[0017]
According to the second embodiment configured as described above, the heat generated by the semiconductor laser diode 1204 is transmitted from the connecting portion 49 of the second conductive layer 44 to the heat radiating portion 52, and the heat is radiated by the heat radiating portion 52. Since heat can be dissipated and further transferred from the heat dissipating material 52 to the holder (pickup housing) 50 and dissipated by the holder (pickup housing) 50, this is advantageous in further improving the heat radiation effect.
In the present embodiment, heat is radiated to the holder (pickup housing) 50 via the heat radiating portion 52, but is radiated to another member having a large heat capacity such as a drive chassis via the heat radiating portion 52. Has the same effect.
[0018]
In the first and second embodiments, the heat radiating plate 1202 is connected to the second conductive layer 44 via the first conductive layer 42 so that heat can be transferred. It may be connected directly to the layer 44 in a heat-transferable manner. In this case, since it is not necessary to provide the conductive region 46, there is an effect that the configuration of the flexible substrate 40 can be simplified.
In the first and second embodiments, the semiconductor laser diode 1204 is attached to the heat sink 1202 via the submount 1204A. However, the semiconductor laser diode 1204 is directly radiated without using the submount 1204A. It may be attached to the plate 1202.
Further, in the first and second embodiments, a printed circuit board having two conductive layers is used, but the first conductive layer or the second conductive layer is further formed of a plurality of conductive layers. May be.
Also, the present invention provides a semiconductor laser diode, a heat radiating member to which the semiconductor laser diode is attached, light detecting means for receiving a reflected light beam of the irradiated light beam on an optical recording medium, and the semiconductor laser. A printed circuit board provided with at least one of a wiring pattern for a drive signal to the diode or an output signal from the light detecting means and connected to the heat radiating material, wherein the semiconductor laser diode and the light detecting means are integrally formed. The present invention can be applied to an integrated optical device.
Further, the present invention includes a semiconductor laser diode, a heat radiator to which the semiconductor laser diode is attached, and a printed circuit board provided with a wiring pattern of a drive signal to the semiconductor laser diode and connected to the heat radiator. It can also be applied to light emitting devices.
[0019]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an optical pickup, an optical integrated element, a light receiving / emitting element, and a light emitting device that can efficiently radiate heat generated by a semiconductor laser diode.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a plan view showing a state in which a heat sink and a flexible board are connected, and FIG. 1B is a side view.
FIG. 2 is a configuration diagram of an optical pickup according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an enlarged view of the optical integrated device.
FIG. 4 is a diagram of the flexible substrate as viewed from one surface, and FIG. 4B is a diagram of the flexible substrate as viewed from the other surface.
FIG. 5 is a sectional view of a flexible substrate.
6A is a diagram of the flexible substrate according to the second embodiment viewed from one surface, FIG. 6B is a diagram of the flexible substrate viewed from the other surface, and FIG. 6C is a diagram of the second embodiment. It is an assembly drawing of the optical pickup in a form.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 10 optical pickup 12 optical integrated device 1202 heat sink 1204 semiconductor laser diode 22 objective lens 40 flexible substrate 42 first conductive layer 44 A second conductive layer.

Claims (11)

光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、
光検出手段と、
前記光ビームを光記録媒体に照射するとともに、前記照射された光ビームの前記光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光学系とを備える光ピックアップにおいて、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする光ピックアップ。
A semiconductor laser diode for emitting a light beam;
A radiator to which the semiconductor laser diode is attached,
A drive signal to the semiconductor laser diode, or a printed circuit board provided with at least one of a wiring pattern for an output signal from a photodetector and connected to the heat radiating material;
Light detection means;
Irradiating the optical beam to the optical recording medium, and an optical system that guides the reflected light beam of the illuminated light beam on the optical recording medium to the light detection means,
The printed board includes a first conductive layer including the wiring pattern, and a second conductive layer provided for heat dissipation.
The heat dissipating material and the second conductive layer are connected so as to be able to transfer heat.
An optical pickup characterized in that:
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
光検出手段と、
前記半導体レーザダイオードから出射された光ビームを光記録媒体に導くとともに、前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを前記光検出手段に導く光路を形成する光学部品と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板と、
前記半導体レーザダイオードと光検出手段と光学部品とが一体的に構成された光集積素子において、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする光集積素子。
A semiconductor laser diode for emitting a light beam;
A radiator to which the semiconductor laser diode is attached,
Light detection means;
An optical component that guides a light beam emitted from the semiconductor laser diode to an optical recording medium and forms an optical path that guides a reflected light beam of the irradiated light beam on the optical recording medium to the light detection unit,
A drive signal to the semiconductor laser diode, or a printed circuit board provided with at least one of a wiring pattern for an output signal from a photodetector and connected to the heat radiating material;
An optical integrated device in which the semiconductor laser diode, the light detection means, and the optical component are integrally formed,
The printed board includes a first conductive layer including the wiring pattern, and a second conductive layer provided for heat dissipation.
The heat dissipating material and the second conductive layer are connected so as to be able to transfer heat.
An optical integrated device, comprising:
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
前記照射された光ビームの光記録媒体での反射光ビームを受光する光検出手段と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号、又は光検出手段からの出力信号用の配線パターンの少なくとも一方が設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備え、
前記半導体レーザダイオードと光検出手段が一体的に構成された光集積素子において、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする受発光素子。
A semiconductor laser diode for emitting a light beam;
A radiator to which the semiconductor laser diode is attached,
Light detection means for receiving a light beam reflected by the optical recording medium of the irradiated light beam,
A drive signal to the semiconductor laser diode, or a printed circuit board provided with at least one of a wiring pattern for an output signal from a photodetector and connected to the heat dissipating material,
In the optical integrated device in which the semiconductor laser diode and the light detecting means are integrally formed,
The printed board includes a first conductive layer including the wiring pattern, and a second conductive layer provided for heat dissipation.
The heat dissipating material and the second conductive layer are connected so as to be able to transfer heat.
A light receiving and emitting element characterized by the above-mentioned.
光ビームを出射する半導体レーザダイオードと、
前記半導体レーザダイオードが取着された放熱材と、
前記半導体レーザダイオードへの駆動信号の配線パターンが設けられ前記放熱材に連結されたプリント基板とを備えた発光デバイスにおいて、
前記プリント基板は、前記配線パターンを含んだ第1の導電層と、放熱用として設けられた第2の導電層とを有して構成され、
前記放熱材と前記第2の導電層は熱伝達可能に連結されている、
ことを特徴とする発光デバイス。
A semiconductor laser diode for emitting a light beam;
A radiator to which the semiconductor laser diode is attached,
In a light emitting device comprising a printed circuit board provided with a wiring pattern of a drive signal to the semiconductor laser diode and connected to the heat radiating material,
The printed board includes a first conductive layer including the wiring pattern, and a second conductive layer provided for heat dissipation.
The heat dissipating material and the second conductive layer are connected so as to be able to transfer heat.
A light emitting device characterized by the above-mentioned.
前記放熱材と前記第2の導電層との連結は前記第1の導電層を介して行われていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。The optical pickup according to claim 1, wherein the connection between the heat radiating material and the second conductive layer is performed through the first conductive layer. A light emitting / receiving element according to claim 3 or a light emitting device according to claim 4. 前記プリント基板は、絶縁材料からなる板材の内部に前記第1の導電層と第2の導電層とが前記板材の厚さ方向に間隔をおいて配置されることで構成され、前記第1の導電層と第2の導電層との間に、これら導電層を連結する導電材料からなる導通領域が設けられ、前記放熱材と前記第2の導電層とは前記第1の導電層および前記導通領域を介して連結されているを介して行われていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。The printed circuit board is configured by arranging the first conductive layer and the second conductive layer at an interval in a thickness direction of the plate material inside a plate material made of an insulating material; Between the conductive layer and the second conductive layer, a conductive region made of a conductive material connecting the conductive layers is provided, and the heat dissipation material and the second conductive layer are connected to the first conductive layer and the conductive layer. The optical pickup according to claim 1, wherein the optical pickup is performed via a region, the optical integrated device according to claim 2, the light emitting / receiving element according to claim 3, or the light emitting / receiving device according to claim 4. Light emitting device. 前記第2の導電層の面積は前記第1の導電層の面積よりも大きな値となるように構成されていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。3. The optical pickup according to claim 1, wherein the area of the second conductive layer is larger than the area of the first conductive layer. A light emitting / receiving element according to claim 3 or a light emitting device according to claim 4. 前記第2の導電層は前記プリント基板のほぼ全域にわたって広がっていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。The optical pickup according to claim 1, wherein the second conductive layer extends over substantially the entire area of the printed circuit board, the optical integrated device according to claim 2, or the light emitting / receiving element according to claim 3, or the claim. 5. The light emitting device according to 4. 前記第2の導電層の厚さは前記第1の導電層の厚さよりも大きな値となるように構成されていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。3. The optical pickup according to claim 1, wherein the thickness of the second conductive layer is larger than the thickness of the first conductive layer. An element, a light emitting / receiving element according to claim 3, or a light emitting device according to claim 4. 前記第2の導電層はグラウンド電位に接続されていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。5. The optical pickup according to claim 1, wherein the second conductive layer is connected to a ground potential, an optical integrated device according to claim 2, a light emitting / receiving element according to claim 3, or a light emitting / receiving element according to claim 4. Light emitting device. 前記第2の導電層には前記放熱材とは別の放熱材が熱伝達可能に連結されていることを特徴とする請求項1記載の光ピックアップまたは請求項2記載の光集積素子または請求項3記載の受発光素子または請求項4記載の発光デバイス。3. The optical pickup according to claim 1, wherein a heat radiation material different from the heat radiation material is connected to the second conductive layer so that heat can be transmitted. The light emitting and receiving element according to claim 3 or the light emitting device according to claim 4.
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