JP2004031852A - Device for processing substrate and method therefor - Google Patents

Device for processing substrate and method therefor Download PDF

Info

Publication number
JP2004031852A
JP2004031852A JP2002189087A JP2002189087A JP2004031852A JP 2004031852 A JP2004031852 A JP 2004031852A JP 2002189087 A JP2002189087 A JP 2002189087A JP 2002189087 A JP2002189087 A JP 2002189087A JP 2004031852 A JP2004031852 A JP 2004031852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ozone water
ozone
gas
substrate processing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002189087A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ichiro Kagami
鏡 一郎
Daichi Tsunoda
角田 大地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2002189087A priority Critical patent/JP2004031852A/en
Publication of JP2004031852A publication Critical patent/JP2004031852A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for processing a substrate and a method therefor capable of processing by adjusting the ozone concentration of ozone water supplied to the substrate. <P>SOLUTION: The device and the method using it comprises an ozone water generating means 11 that generates the ozone water, a substrate treating means 12 that the substrate by supplying the ozone water, an ozone water supplying pipe 21 treats that supplies the ozone water from the ozone water generating means 11 to the means 12 for processing the substrate, a gas-liquid separation means 13 that is placed in the ozone water supplying pipe 21 and separates the ozone gas and oxygen gas generated from the ozone water, a ozone water regenerating means 14 that is placed adjacent to the substrate treating means 12 and regenerates the ozone water from the ozone gas and the oxygen gas separated with the means 13 for separating liquid and gas, and a regenerated ozone water supplying pipe 26 that supplies the regenerated ozone water from the ozone water regenerating means 14 to a position nearer to the substrate treating means 12 of the pipe 21. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理装置および基板処理方法に関し、特には、半導体基板、液晶表示装置のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等をオゾン水により処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化および高集積化にともない、半導体基板上に付着するパーティクル(微小粒子)や金属汚染、有機物汚染等がデバイスの歩留りや特性に大きな影響を与えるようになってきている。したがって、デバイスの歩留りやその特性を向上させるためには、全製造プロセスにわたって、半導体基板の表面および裏面を清浄に保つ必要がある。そこで、各々の製造プロセスにおいては、適宜、半導体基板の洗浄処理工程が行われている。
【0003】
上記洗浄処理工程においては、半導体基板の大口径化、コスト削減の観点から、ウェット処理が主流となっている。このような半導体基板のウェット処理においては、過酸化水素水や硫酸、アンモニア水、塩酸等の薬液やこれらの混合液、さらにはその水溶液等が処理液として用いられている。
しかし、上述した処理方法では、薬液自体のコストに加えて廃液処理にもコストがかかりランニングコストを増加させる要因となっている。
【0004】
そこで、近年、半導体基板の洗浄に、純水にオゾンを溶解させたオゾン溶解水(以下、オゾン水とする)が処理液として用いられるようになってきている。
オゾンは酸素から製造されるためオゾン水自体が比較的安価であり、また、オゾン水中のオゾンが自然分解するため、廃液処理のコストも発生しない。
また、オゾン水はフッ酸に次ぐ酸化力を有しており、洗浄処理にも適している。このような洗浄処理には高濃度のオゾン水が用いられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、オゾンは水に難溶性であり、分解速度が速いため、オゾン水生成手段から基板処理手段へオゾン水を供給するオゾン水供給管内において、オゾン水に溶解しきれなくなったオゾンガスがオゾン水から溶出したり、このオゾンガスが分解されて酸素ガスが発生し、基板処理手段における洗浄処理の段階で所望のオゾン濃度が得られないという問題があった。
また、オゾン水供給管内ではオゾン水から溶出したオゾンガスやこれが分解した酸素ガスがオゾン水とともに流動する状態となり、オゾン水が流れ難くなるという問題も生じていた。
【0006】
さらに、オゾン水生成手段から複数の基板処理手段にオゾン水を供給して使用する場合、それぞれの基板処理手段においてオゾン水のオゾン濃度が低下してしまい、半導体基板を十分に洗浄することができなかった。
【0007】
したがって、オゾン水生成手段で生成したオゾン水のオゾン濃度を維持した状態で基板処理手段にオゾン水を供給するには、基板処理手段の近くにオゾン水生成手段を配置する必要があり、複数の基板処理手段を設ける場合には複数のオゾン水生成手段が必要になる等、コスト的にも問題であった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記のような課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、オゾン水を生成するオゾン水生成手段と、オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理手段と、オゾン水生成手段から基板処理手段へオゾン水を供給するオゾン水供給管と、オゾン水供給管に設けられ、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段と、基板処理手段に近接して設けられるとともに、気液分離手段により分離されたオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段と、オゾン水再生手段からオゾン水供給管の基板処理手段により近い位置に、再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管とを備えたことを特徴としている。
【0009】
このような基板処理装置によれば、オゾン水供給管にオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段を備えていることから、オゾン水から溶出したオゾンガスやこのオゾンガスが分解した酸素ガスをオゾン水と分離することができるため、ガスとともにオゾン水が流動するのを抑制することができ、オゾン水を流動し易い状態に維持することが可能である。
【0010】
また、この気液分離手段により分離されたオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段を備えていることから、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスを利用してオゾン水を再生することができる。
そして、オゾン水再生手段からオゾン水供給管の基板処理手段により近い位置に再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管を備えていることから、オゾン濃度の損失がないようにオゾン水再生手段で再生されたオゾン水を基板処理手段の直前で供給することができるため、オゾン水供給管を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うことができる。
したがって、オゾン水生成手段で生成されるオゾン水のオゾン濃度を維持して、基板処理手段に供給することが可能である。
【0011】
また、本発明の基板処理方法は、オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理方法であって、オゾン水の供給経路途中でオゾン水から発生するオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離した後、オゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生し、この再生したオゾン水を供給経路の下流側で分離したオゾン水に添加することにより、基板に供給されるオゾン水の濃度を調整して、基板の処理を行うことを特徴としている。
【0012】
このような基板処理方法によれば、オゾン水の供給経路途中でオゾン水から発生するオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水から分離し、分離したオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生する。そして、この再生したオゾン水を供給経路の下流側で分離したオゾン水に添加することにより、供給経路途中でオゾン水のオゾン濃度が低下した分を補うことができる。したがって、オゾン水のオゾン濃度を維持して、基板の処理を行うことができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板処理装置および基板処理方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は実施形態の基板処理方法に用いられる基板処理装置の一例を示す概略構成図である。
この図に示す基板処理装置は、例えば半導体基板(基板)表面をオゾン水により処理するものであり、オゾン水を生成するオゾン水生成手段11と供給されたオゾン水により基板の処理を行う基板処理手段12とを備えている。
【0014】
オゾン水生成手段11は、例えば酸素を無声放電させてオゾンガスを発生させ、このオゾンガスを純水中にバブリングさせて、純水に溶解させることにより、オゾン水が生成されるように構成されている。
一方、基板処理手段12はオゾン水により基板の処理を行うものであり、例えばオゾン水を薬液槽に貯留して、基板を浸漬させることにより基板表面の洗浄処理を行う、または基板を回転させながら基板表面にオゾン水を供給して洗浄処理を行うように構成されている。
【0015】
このオゾン水生成手段11と基板処理手段12とは、オゾン水供給管21により接続されており、オゾン水生成手段11から基板処理手段12に向けてオゾン水が供給されるように構成されている。
また、オゾン水供給管21にはオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離するための複数の気液分離手段13がガス供給管21に沿って設けられている。
ここでは、オゾン水生成手段11から基板処理手段12までのオゾン水供給管21に例えば3つの気液分離手段13が設けられていることとするが、本発明はこれに限定されず、オゾン水の分解速度に応じて最適な個数設けられるのが好ましい。一例として、ここではオゾン水供給管21に1m間隔で設けられていることとする。
【0016】
また、気液分離手段13にはガス供給管22が接続され、このガス供給管22の他端はオゾン水再生手段14に接続されている。これにより、気液分離手段13で分離されたオゾンガスおよび酸素ガスが、このガス供給管22からオゾン水再生手段14に供給されるように構成されている。
また、オゾン水生成手段11で純水に溶解しきれなかったオゾンガスも、オゾン水再生手段14に供給されるように、上記のガス供給管22がオゾン水生成手段11からオゾン水再生手段14へ接続されている。
このオゾン水再生手段14は基板処理手段12に近接して設けられていることとする。
【0017】
ここで、上述した気液分離手段13とオゾン水再生手段14について詳細に説明する。
図2の要部拡大図に示すように気液分離手段13は重量によりガスと液体とを上下に分離する装置であって、気液分離手段13の上部に接続されたオゾン水供給管21からオゾン水が供給され、気液分離手段13の下部に接続されたオゾン水供給管21から分離後のオゾン水が排出されるように構成されている。
また、気液分離手段13の上部にはガス供給管22が接続されており、上述したように分離された酸素ガスおよびオゾンガスがオゾン水再生手段14(前記図1参照)に供給されるように構成されている。
【0018】
また、図3の要部拡大図に示すように、オゾン水再生手段14は紫外線を照射してオゾンガスを発生させるための紫外線照射部31と、紫外線照射部31内のオゾンガスからオゾン水を再生するためのオゾン水再生部32とを備えている。
【0019】
紫外線照射部31にはガス供給管22が接続されており、気液分離装置13(前記図1参照)で分離されたオゾンガスおよび酸素ガス、また、オゾン水生成手段11(前記図1参照)で純水に溶解しきれなかったオゾンガスが供給されるように構成されている。
また、紫外線照射部31には例えばその上部に紫外線照射手段33が設けられており、供給されたガスに紫外線Vを照射することにより、酸素ガスからオゾンガスが生成される。
【0020】
ここで、オゾン水再生手段14における紫外線照射部31には、酸素ガスだけではなくオゾンガスも供給されるため、この中の酸素ガスからオゾンガスを生成させればよいことから、紫外線照射手段33といった比較的安価な手段を用いてオゾンガスを生成することができる。
ここでの紫外線Vの波長は例えば172nmまたは、182nmであることが好ましく、この波長であれば、効率よくオゾンガスを生成することができる。
また、この波長における紫外線Vの光源としては低圧水銀ランプおよびエキシマレーザーを用いることができる。
【0021】
そして、紫外線照射部31に隣接して配置されるオゾン水再生部32にはオゾンガスを純水に溶解させるために例えば中空糸膜34が配置されている。そして、この中空糸膜34の周囲から供給されたオゾンガスが、中空糸膜34を通過することにより、中空糸膜34の中空部を流動する純水に溶解されるように構成されている。
【0022】
オゾン水再生部32には、紫外線照射部31からオゾンガスを供給するための配管23が接続されるとともに、中空糸膜34を通過しないオゾンガスを排気するための排気管24が接続されている。
なお、この排気管24はオゾン水再生部32から紫外線照射部31に接続されていてもよく、中空糸膜34を通過しないオゾンガスが再び紫外線照射部31に供給されるように構成されていてもよい。
【0023】
また、中空糸膜34にはその中空部に純水を供給するための配管25が接続されているとともに、オゾンガスが溶解されることにより再生したオゾン水をオゾン水供給管21に供給するための再生オゾン水供給管26が接続されている。
このようにしてオゾン水再生手段14から再生されたオゾン水が再生オゾン水供給管26に供給される。
【0024】
ここで、オゾン水再生手段14で再生されるオゾン水のオゾン濃度は配管25からの純水供給量、または紫外線照射部31における紫外線照射量により調整可能である。ただし、後述するように、再生されたオゾン水は、オゾン水供給管21内を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うために供給されるため、再生されたオゾン水が供給される直前のオゾン水供給管21内のオゾン水よりも高濃度に調整される。
【0025】
そして、再び図1に示すように、再生オゾン水供給管26の他端は、気液分離手段13よりも基板処理手段12側のオゾン水供給管21に接続され、この合流点Gで、再生されたオゾン水がオゾン水供給管21に供給されるように構成されている。
【0026】
ここで、オゾン水再生手段14とオゾン水供給管21の合流点Gとを接続する再生オゾン水供給管26の長さは短い方が好ましい。このように構成することで、再生されたオゾン水のオゾン濃度の低下が抑制される。
また、オゾン水供給管21における合流点Gから基板処理手段12までの距離も短い方が好ましい。このような構成にすることで、合流点G以降のオゾン水のオゾン濃度が基板処理手段12に供給されるまで高濃度のまま維持される。
そして、オゾン水再生手段14を基板処理手段12に近接して配置させることで、上述したような再生オゾン水供給管26の長さを短くするとともに、合流点Gから基板処理手段12までの距離を短くすることが可能となる。
【0027】
次に供給されるオゾン水により基板の処理を行うための基板処理機構17について説明する。
基板処理機構17は、基板の処理を行うための基板処理手段12と、基板処理手段12に供給されるオゾン水の濃度を測定するオゾン濃度測定手段15と、オゾン濃度測定手段15の測定結果に基づき、基板処理手段12に供給されるオゾン水の濃度を制御するオゾン濃度制御手段16とから構成される。
【0028】
オゾン濃度測定手段15は、合流点Gより基板処理手段12側のオゾン水供給管21に設けられており、これにより、基板処理手段12に供給されるオゾン水のオゾン濃度が測定される。
そして、ここでの測定結果がオゾン濃度制御手段16にフィードバックされ、このオゾン濃度制御手段16により、オゾン水再生手段14において再生されるオゾン水のオゾン濃度が制御される。そして、オゾン水再生手段14からオゾン濃度の制御されたオゾン水が合流点Gに供給される。
【0029】
ただし、図3を用いて説明したように、再生されるオゾン水のオゾン濃度は、合流点G直前のオゾン水供給管21を流動するオゾン水のオゾン濃度よりも高くなるように調整されることから、合流点G以降のオゾン水の濃度、すなわち、基板処理手段12に供給されるオゾン水の濃度は合流点G以前よりも高濃度に調整される。
このようにして、オゾン濃度制御手段16により基板処理手段12に供給されるオゾン水の濃度が制御される。
【0030】
ここではオゾン水再生手段14で再生されるオゾン水の濃度を制御することにより、基板処理手段12に供給されるオゾン水の濃度が制御されることとしたが、オゾン水再生手段14からオゾン水供給管21に供給されるオゾン水の供給量を制御することで、基板処理手段12に供給されるオゾン水の濃度が制御されてもよい。
この場合には、例えば再生オゾン水供給管26に設けられたバルブがオゾン濃度制御手段16により開閉自在に構成されることで、その供給量が制御されることとする。
【0031】
上記のように、再生されたオゾン水の供給量で調整する場合には、再生オゾン水供給管26にもオゾン濃度測定手段15が設けられ、ここでの測定結果もオゾン濃度制御手段16にフィードバックさせることで、再生オゾン水供給管26から供給される再生されたオゾン水の濃度を制御する必要がある。
ただし、再生されたオゾン水の濃度が飽和濃度である場合には、再生オゾン水供給管26にオゾン濃度測定手段15を設けなくても、その供給量で制御することが可能である。
【0032】
ここで、基板の洗浄処理を行うには基板処理手段12に供給されるオゾン水のオゾン濃度を30ppm〜60ppmに調整することが好ましい。30ppmより低いと基板を十分に洗浄することができず、60ppmより高いと、基板の表面に損傷を与える可能性がある。
【0033】
このような基板処理装置を用いて基板の洗浄処理を行う場合には、図1に示すように、まず、基板処理手段12に基板(図示せず)を配置する。
一方、オゾン水生成手段11によりオゾン水を生成し、オゾン水供給管21内を流動させる。オゾン水供給管21内を流動する間に、オゾン水はオゾンガスおよび酸素ガスを発生するため、気液分離手段13により発生したオゾンガス、酸素ガスとオゾン水とに分離する。
この気液分離手段13による分離を繰り返すことにより、オゾン水がガスともにオゾン水供給管21内を流動するのを抑制することができる。
【0034】
一方、気液分離装手段13により分離したオゾンガス、酸素ガスおよびオゾン水生成手段11で純水に溶解しきれなかったオゾンガスをオゾン水再生手段14に供給し、紫外線照射部31において紫外線Vを照射することにより、酸素ガスをオゾンガスに変化させる。
そして、紫外線照射部31からのオゾンガスを中空糸膜34により純水に溶解させてオゾン水を再生する。
【0035】
ここで、再生したオゾン水を合流点Gでオゾン水供給管21内を流動するオゾン水に添加した後、オゾン水のオゾン濃度を測定する。
ここで測定したオゾン濃度をオゾン濃度制御手段16にフィードバックすることにより、オゾン水再生手段14で再生するオゾン水の濃度、またはオゾン水再生手段14から供給されるオゾン水の供給量を調整する。
これにより、基板処理手段12に供給するオゾン水のオゾン濃度を調整する。このようにして、基板処理手段12に配置された基板にオゾン濃度を調整したオゾン水を供給し、基板の処理を行う。
【0036】
このような基板処理装置および基板処理方法によれば、複数の気液分離手段13によりオゾン水供給管21内を流動する間にオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離することから、ガスとともにオゾン水が流動するのを抑制し、オゾン水を流動し易い状態に維持することが可能である。
【0037】
また、オゾン水再生手段14により気液分離手段13から分離されたオゾンガス、酸素ガスおよびオゾン水生成手段11で純水に溶解しきれなかったオゾンガスからオゾン水を再生し、オゾン水再生手段14から再生オゾン水供給管26によりオゾン水供給管21の基板処理手段12により近い合流点Gに再生されたオゾン水を供給することから、オゾン水供給管21内を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うことができる。
したがって、オゾン水生成手段11で生成されるオゾン水のオゾン濃度を維持して、基板処理手段12に供給することが可能である。
【0038】
さらに、本実施形態においては、オゾン濃度測定手段15によりオゾン水供給管21における合流点G以降のオゾン水のオゾン濃度を測定し、その測定結果に基づき、オゾン濃度制御手段16によりオゾン水再生手段14で再生するオゾン水の濃度、またはオゾン水再生手段14から供給されるオゾン水の供給量を制御することから、基板処理手段12に配置された基板に供給されるオゾン水のオゾン濃度を所望の濃度に調整して基板の洗浄処理を行うことができる。
【0039】
なお、本実施形態ではオゾン水生成手段11に対して1つの基板処理機構17が設けられた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、図4に示すように、複数の基板処理機構17が設けられていてもよい。
この場合には、1つの基板処理機構17に対して、気液分離手段13とオゾン水再生手段14が近接して設けられていることとする。
ただし、ここでは気液分離手段13は1つであることとしたが、オゾン水生成手段11からの距離に応じてオゾン水供給管21に複数設けられるのが好ましい。
【0040】
このような構成にすることで、それぞれの基板処理機構17における基板処理手段12(前記図1参照)に供給されるオゾン水のオゾン濃度を、異なる濃度に設定して調整することができるため、それぞれの処理に適したオゾン濃度で処理を行うことが可能である。
また、複数の基板処理機構17が設けられる場合においても、オゾン水生成手段11は1つ設けられていればよいことから、従来のように、1つの基板処理手段12に対して1つのオゾン水生成手段11を設けなくてもよい。オゾン水生成手段11は高価であるため、このような構成はコスト的にも有利である。
【0041】
また、本実施形態では、半導体基板の洗浄処理を例にとり説明したが、本発明はこれに限定されず、半導体装置や液晶表示装置、さらにはその他の基板製品の製造工程において、オゾン水を用いて、半導体基板や液晶基板の基板上に形成されたレジスト膜を除去したり、これらの基板表面に酸化膜を形成する場合についても適用可能である。
さらに、本発明では純水にオゾンを溶解させたオゾン溶解水をオゾン水と定義して説明したが、純水に限らず、純水中に他の酸等を添加した薬液や、溶剤であってもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板処理装置によれば、気液分離手段により、オゾン水がガスとともにオゾン水供給管内を流動するのを抑制することができ、オゾン水を流動し易い状態に維持することが可能である。
また、オゾン水再生手段によりオゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスを利用してオゾン水を再生することができ、再生オゾン水供給管により、オゾン水供給管の基板処理手段により近い位置に再生されたオゾン水が供給されることから、オゾン水供給管を流動する間にオゾン水のオゾン濃度が低下する分を補うことができる。
したがって、オゾン水生成手段で生成されるオゾン水のオゾン濃度を維持して、基板処理手段に供給することが可能である。
【0043】
また、本発明の基板処理方法によれば、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生し、この再生したオゾン水を分離したオゾン水に添加することにより、オゾン濃度の低下した分を補うことができる。したがって、オゾン水のオゾン濃度を維持して、基板の処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板処理装置の一例の概略構成図である(その1)。
【図2】本発明の基板処理装置の一例の要部拡大図である(その1)。
【図3】本発明の基板処理装置の一例の要部拡大図である(その2)。
【図4】本発明の基板処理装置の一例の概略構成図である(その2)。
【符号の説明】
11…オゾン水生成手段、12…基板処理手段、13…気液分離手段、14…オゾン水再生手段、16…オゾン濃度制御手段、21…オゾン水供給管、26…再生オゾン水供給管、33…紫外線照射手段
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing apparatus and a substrate for processing a semiconductor substrate, a glass substrate of a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. with ozone water. Regarding the processing method.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, with the miniaturization and high integration of semiconductor devices, particles (fine particles), metal contamination, organic contamination, and the like adhering to a semiconductor substrate have a great effect on device yield and characteristics. It is becoming. Therefore, in order to improve the device yield and its characteristics, it is necessary to keep the front and back surfaces of the semiconductor substrate clean throughout the entire manufacturing process. Therefore, in each of the manufacturing processes, a semiconductor substrate cleaning treatment step is appropriately performed.
[0003]
In the above-described cleaning process, wet processing is mainly used from the viewpoint of increasing the diameter of a semiconductor substrate and reducing costs. In such wet processing of a semiconductor substrate, a chemical solution such as aqueous hydrogen peroxide, sulfuric acid, ammonia water, or hydrochloric acid, a mixed solution thereof, or an aqueous solution thereof is used as a processing liquid.
However, in the above-described treatment method, waste liquid treatment is costly in addition to the cost of the chemical solution itself, which is a factor of increasing running cost.
[0004]
Therefore, in recent years, ozone-dissolved water obtained by dissolving ozone in pure water (hereinafter referred to as ozone water) has been used as a treatment liquid for cleaning semiconductor substrates.
Since ozone is produced from oxygen, the ozone water itself is relatively inexpensive, and the ozone in the ozone water is naturally decomposed, so that there is no waste liquid treatment cost.
In addition, ozone water has an oxidizing power next to hydrofluoric acid and is suitable for cleaning treatment. High concentration ozone water is used for such a cleaning process.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, ozone is hardly soluble in water and has a high decomposition rate. Therefore, in the ozone water supply pipe for supplying ozone water from the ozone water generation means to the substrate processing means, ozone gas which cannot be completely dissolved in ozone water is converted from ozone water. There is a problem that the ozone gas is eluted or this ozone gas is decomposed to generate oxygen gas, so that a desired ozone concentration cannot be obtained at the stage of the cleaning process in the substrate processing means.
Further, in the ozone water supply pipe, the ozone gas eluted from the ozone water and the oxygen gas decomposed from the ozone water flow together with the ozone water, so that the ozone water becomes difficult to flow.
[0006]
Further, when the ozone water is supplied from the ozone water generation unit to the plurality of substrate processing units and used, the ozone concentration of the ozone water decreases in each of the substrate processing units, and the semiconductor substrate can be sufficiently cleaned. Did not.
[0007]
Therefore, in order to supply ozone water to the substrate processing means while maintaining the ozone concentration of the ozone water generated by the ozone water generation means, it is necessary to arrange the ozone water generation means near the substrate processing means. In the case where the substrate processing means is provided, a plurality of ozone water generating means are required, which is a problem in terms of cost.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus according to the present invention includes an ozone water generating unit that generates ozone water, a substrate processing unit that supplies ozone water to process a substrate, and an ozone water generating unit. An ozone water supply pipe for supplying ozone water from the ozone water to the substrate processing means; a gas-liquid separation means provided on the ozone water supply pipe for separating ozone gas and oxygen gas generated from the ozone water from the ozone water; And ozone water regenerating means for regenerating ozone water from the ozone gas and oxygen gas separated by the gas-liquid separating means, and regenerating the ozone water from the ozone water regenerating means to a position closer to the substrate processing means of the ozone water supply pipe. And a recycled ozone water supply pipe for supplying ozone water.
[0009]
According to such a substrate processing apparatus, since the ozone water supply pipe is provided with the gas-liquid separation means for separating the ozone gas and the oxygen gas generated from the ozone water from the ozone water, the ozone gas eluted from the ozone water and the ozone gas Oxygen gas, which is decomposed into oxygen gas, can be separated from the ozone water, so that the ozone water can be prevented from flowing together with the gas, and the ozone water can be maintained in a state where it can easily flow.
[0010]
Further, since the apparatus is provided with the ozone water regenerating means for regenerating ozone water from the ozone gas and oxygen gas separated by the gas-liquid separation means, the ozone water is regenerated using the ozone gas and oxygen gas generated from the ozone water. be able to.
Further, since the regenerating ozone water supply pipe for supplying the regenerated ozone water from the ozone water regenerating means to a position closer to the substrate processing means of the ozone water supply pipe is provided, the ozone water regenerating is performed so that the ozone concentration is not lost. Since the ozone water regenerated by the means can be supplied immediately before the substrate processing means, it is possible to compensate for the decrease in the ozone concentration of the ozone water while flowing through the ozone water supply pipe.
Therefore, it is possible to supply the ozone water generated by the ozone water generation means to the substrate processing means while maintaining the ozone concentration.
[0011]
Further, the substrate processing method of the present invention is a substrate processing method of performing processing of a substrate by supplying ozone water, wherein ozone gas and oxygen gas generated from the ozone water are separated from the ozone water in the middle of the supply path of the ozone water. After that, the ozone water is regenerated from the ozone gas and the oxygen gas, and the regenerated ozone water is added to the ozone water separated on the downstream side of the supply path, so that the concentration of the ozone water supplied to the substrate is adjusted. Is performed.
[0012]
According to such a substrate processing method, ozone gas and oxygen gas generated from ozone water in the supply path of ozone water are separated from ozone water, and the ozone water is regenerated from the separated ozone gas and oxygen gas. Then, by adding the regenerated ozone water to the ozone water separated on the downstream side of the supply path, it is possible to compensate for the decrease in the ozone concentration of the ozone water in the supply path. Therefore, the substrate can be processed while maintaining the ozone concentration of the ozone water.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus used in the substrate processing method according to the embodiment.
The substrate processing apparatus shown in this figure is for processing the surface of a semiconductor substrate (substrate), for example, with ozone water. The substrate processing apparatus performs processing of the substrate with ozone water generating means 11 for generating ozone water and supplied ozone water. Means 12.
[0014]
The ozone water generating means 11 is configured to generate ozone gas by, for example, silently discharging oxygen to generate ozone gas, bubbling the ozone gas into pure water, and dissolving the ozone gas in pure water, thereby generating ozone water. .
On the other hand, the substrate processing means 12 is for processing the substrate with ozone water. For example, ozone water is stored in a chemical solution tank and the substrate surface is cleaned by immersing the substrate, or while the substrate is rotated. The cleaning process is performed by supplying ozone water to the substrate surface.
[0015]
The ozone water generation unit 11 and the substrate processing unit 12 are connected by an ozone water supply pipe 21, and are configured so that ozone water is supplied from the ozone water generation unit 11 to the substrate processing unit 12. .
A plurality of gas-liquid separation means 13 for separating ozone gas and oxygen gas generated from the ozone water from the ozone water are provided in the ozone water supply pipe 21 along the gas supply pipe 21.
Here, for example, three gas-liquid separation units 13 are provided in the ozone water supply pipe 21 from the ozone water generation unit 11 to the substrate processing unit 12, but the present invention is not limited to this. It is preferable to provide an optimum number according to the decomposition rate of the slag. As an example, it is assumed here that the ozone water supply pipe 21 is provided at intervals of 1 m.
[0016]
Further, a gas supply pipe 22 is connected to the gas-liquid separation means 13, and the other end of the gas supply pipe 22 is connected to the ozone water regeneration means 14. Thus, the ozone gas and the oxygen gas separated by the gas-liquid separation unit 13 are supplied from the gas supply pipe 22 to the ozone water regeneration unit 14.
Further, the gas supply pipe 22 is connected to the ozone water regenerating means 14 from the ozone water generating means 11 so that the ozone gas which has not been completely dissolved in the pure water by the ozone water generating means 11 is also supplied to the ozone water regenerating means 14. It is connected.
The ozone water regenerating means 14 is provided near the substrate processing means 12.
[0017]
Here, the gas-liquid separation unit 13 and the ozone water regeneration unit 14 described above will be described in detail.
As shown in the enlarged view of the main part of FIG. 2, the gas-liquid separation means 13 is a device for separating gas and liquid up and down by weight, and is provided from an ozone water supply pipe 21 connected to the upper part of the gas-liquid separation means 13. Ozone water is supplied, and the ozone water after separation is discharged from an ozone water supply pipe 21 connected to the lower part of the gas-liquid separation means 13.
A gas supply pipe 22 is connected to an upper portion of the gas-liquid separation unit 13 so that the oxygen gas and the ozone gas separated as described above are supplied to the ozone water regeneration unit 14 (see FIG. 1). It is configured.
[0018]
3, the ozone water regenerating means 14 regenerates ozone water from the ozone gas in the ultraviolet ray irradiating section 31 for irradiating ultraviolet rays to generate ozone gas, and the ozone gas in the ultraviolet ray irradiating section 31. And an ozone water regenerating unit 32.
[0019]
The gas supply pipe 22 is connected to the ultraviolet irradiation unit 31, and the ozone gas and the oxygen gas separated by the gas-liquid separator 13 (see FIG. 1), and the ozone water generation unit 11 (see FIG. 1). Ozone gas that has not been completely dissolved in pure water is supplied.
The ultraviolet irradiation unit 31 is provided with, for example, an ultraviolet irradiation unit 33 above the ultraviolet irradiation unit 31. By irradiating the supplied gas with ultraviolet V, ozone gas is generated from oxygen gas.
[0020]
Here, not only oxygen gas but also ozone gas is supplied to the ultraviolet irradiation section 31 of the ozone water regenerating means 14, and the ozone gas may be generated from the oxygen gas therein. Ozone gas can be generated using an inexpensive means.
Here, the wavelength of the ultraviolet ray V is preferably, for example, 172 nm or 182 nm. With this wavelength, ozone gas can be efficiently generated.
A low-pressure mercury lamp and an excimer laser can be used as a light source of the ultraviolet ray V at this wavelength.
[0021]
The ozone water regenerating section 32 disposed adjacent to the ultraviolet irradiation section 31 is provided with, for example, a hollow fiber membrane 34 for dissolving ozone gas in pure water. Then, the ozone gas supplied from around the hollow fiber membrane 34 passes through the hollow fiber membrane 34 to be dissolved in pure water flowing in the hollow portion of the hollow fiber membrane 34.
[0022]
The ozone water regenerating section 32 is connected to a pipe 23 for supplying ozone gas from the ultraviolet irradiation section 31 and an exhaust pipe 24 for exhausting ozone gas that does not pass through the hollow fiber membrane 34.
The exhaust pipe 24 may be connected from the ozone water regeneration unit 32 to the ultraviolet irradiation unit 31, and may be configured such that ozone gas that does not pass through the hollow fiber membrane 34 is supplied to the ultraviolet irradiation unit 31 again. Good.
[0023]
A pipe 25 for supplying pure water to the hollow portion of the hollow fiber membrane 34 is connected to the hollow fiber membrane 34, and ozone water regenerated by dissolving ozone gas is supplied to the ozone water supply pipe 21. A regenerated ozone water supply pipe 26 is connected.
The ozone water thus regenerated from the ozone water regenerating means 14 is supplied to the regenerated ozone water supply pipe 26.
[0024]
Here, the ozone concentration of the ozone water regenerated by the ozone water regenerating means 14 can be adjusted by the amount of pure water supplied from the pipe 25 or the amount of ultraviolet irradiation in the ultraviolet irradiation unit 31. However, as described later, the regenerated ozone water is supplied to compensate for a decrease in the ozone concentration of the ozone water while flowing in the ozone water supply pipe 21. The concentration is adjusted to be higher than that of the ozone water in the ozone water supply pipe 21 immediately before the supply.
[0025]
Then, as shown in FIG. 1 again, the other end of the regenerated ozone water supply pipe 26 is connected to the ozone water supply pipe 21 closer to the substrate processing means 12 than the gas-liquid separation means 13. The configured ozone water is supplied to the ozone water supply pipe 21.
[0026]
Here, it is preferable that the length of the regenerated ozone water supply pipe 26 connecting the ozone water regenerating means 14 and the junction G of the ozone water supply pipe 21 is shorter. With this configuration, a decrease in the ozone concentration of the regenerated ozone water is suppressed.
Further, it is preferable that the distance from the junction G in the ozone water supply pipe 21 to the substrate processing means 12 is also short. With such a configuration, the ozone concentration of the ozone water after the junction G is maintained at a high concentration until it is supplied to the substrate processing unit 12.
By arranging the ozone water regenerating means 14 close to the substrate processing means 12, the length of the regenerated ozone water supply pipe 26 as described above is reduced, and the distance from the junction G to the substrate processing means 12 is reduced. Can be shortened.
[0027]
Next, the substrate processing mechanism 17 for processing the substrate with the supplied ozone water will be described.
The substrate processing mechanism 17 includes a substrate processing unit 12 for processing a substrate, an ozone concentration measuring unit 15 for measuring the concentration of ozone water supplied to the substrate processing unit 12, and a measurement result of the ozone concentration measuring unit 15. And ozone concentration control means 16 for controlling the concentration of ozone water supplied to the substrate processing means 12.
[0028]
The ozone concentration measuring means 15 is provided in the ozone water supply pipe 21 on the substrate processing means 12 side from the junction G, whereby the ozone concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 is measured.
Then, the measurement result is fed back to the ozone concentration control means 16, and the ozone concentration control means 16 controls the ozone concentration of the ozone water regenerated by the ozone water regeneration means 14. Then, ozone water whose ozone concentration is controlled is supplied to the junction G from the ozone water regeneration means 14.
[0029]
However, as described with reference to FIG. 3, the ozone concentration of the regenerated ozone water is adjusted so as to be higher than the ozone concentration of the ozone water flowing through the ozone water supply pipe 21 immediately before the junction G. Therefore, the concentration of ozone water after the junction G, that is, the concentration of ozone water supplied to the substrate processing means 12 is adjusted to a higher concentration than before the junction G.
Thus, the concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 is controlled by the ozone concentration control means 16.
[0030]
Here, the concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 is controlled by controlling the concentration of the ozone water regenerated by the ozone water regenerating means 14. The concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 may be controlled by controlling the supply amount of the ozone water supplied to the supply pipe 21.
In this case, for example, a valve provided in the regenerated ozone water supply pipe 26 is configured to be openable and closable by the ozone concentration control means 16, so that the supply amount is controlled.
[0031]
As described above, when adjusting the supply amount of the regenerated ozone water, the ozone water supply pipe 26 is also provided with the ozone concentration measurement means 15, and the measurement result is also fed back to the ozone concentration control means 16. By doing so, it is necessary to control the concentration of the regenerated ozone water supplied from the regenerated ozone water supply pipe 26.
However, when the concentration of the regenerated ozone water is a saturated concentration, the supply can be controlled by the supply amount without providing the ozone concentration measurement means 15 in the regenerated ozone water supply pipe 26.
[0032]
Here, in order to perform the substrate cleaning process, it is preferable to adjust the ozone concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 to 30 ppm to 60 ppm. If it is lower than 30 ppm, the substrate cannot be sufficiently cleaned, and if it is higher than 60 ppm, the surface of the substrate may be damaged.
[0033]
When performing a substrate cleaning process using such a substrate processing apparatus, first, a substrate (not shown) is disposed in the substrate processing means 12, as shown in FIG.
On the other hand, ozone water is generated by the ozone water generation means 11 and flows in the ozone water supply pipe 21. While flowing through the ozone water supply pipe 21, the ozone water generates ozone gas and oxygen gas, and is separated into ozone gas, oxygen gas and ozone water generated by the gas-liquid separation means 13.
By repeating the separation by the gas-liquid separation means 13, the flow of the ozone water together with the gas in the ozone water supply pipe 21 can be suppressed.
[0034]
On the other hand, the ozone gas and oxygen gas separated by the gas-liquid separation device 13 and the ozone gas not completely dissolved in the pure water by the ozone water generation device 11 are supplied to the ozone water regeneration device 14, and the ultraviolet irradiation section 31 irradiates ultraviolet rays V. Thus, the oxygen gas is changed into the ozone gas.
Then, the ozone gas from the ultraviolet irradiation unit 31 is dissolved in pure water by the hollow fiber membrane 34 to regenerate the ozone water.
[0035]
Here, after the regenerated ozone water is added to the ozone water flowing in the ozone water supply pipe 21 at the junction G, the ozone concentration of the ozone water is measured.
By feeding back the measured ozone concentration to the ozone concentration control means 16, the concentration of ozone water to be regenerated by the ozone water regenerating means 14 or the supply amount of ozone water supplied from the ozone water regenerating means 14 is adjusted.
Thereby, the ozone concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 is adjusted. In this way, the ozone water whose ozone concentration is adjusted is supplied to the substrate disposed in the substrate processing means 12, and the substrate is processed.
[0036]
According to such a substrate processing apparatus and a substrate processing method, ozone gas and oxygen gas generated from ozone water are separated from ozone water while flowing through the ozone water supply pipe 21 by the plurality of gas-liquid separation means 13. In addition, it is possible to suppress the flow of the ozone water together with the gas, and to maintain the ozone water in a state where it can easily flow.
[0037]
Further, ozone water is regenerated from ozone gas and oxygen gas separated from the gas-liquid separation unit 13 by the ozone water regenerating unit 14 and ozone gas not completely dissolved in pure water by the ozone water generating unit 11. Since the regenerated ozone water is supplied to the junction G closer to the substrate processing means 12 of the ozone water supply pipe 21 by the regenerated ozone water supply pipe 26, the ozone concentration of the ozone water during the flow in the ozone water supply pipe 21 Can be compensated for.
Therefore, the ozone water generated by the ozone water generation unit 11 can be supplied to the substrate processing unit 12 while maintaining the ozone concentration.
[0038]
Further, in the present embodiment, the ozone concentration measuring means 15 measures the ozone concentration of the ozone water after the confluence point G in the ozone water supply pipe 21, and based on the measurement result, the ozone water regenerating means Since the concentration of the ozone water to be regenerated at 14 or the supply amount of the ozone water supplied from the ozone water regenerating means 14 is controlled, the ozone concentration of the ozone water supplied to the substrate disposed on the substrate processing means 12 is desired. The substrate can be cleaned by adjusting the concentration of the substrate.
[0039]
In the present embodiment, an example in which one substrate processing mechanism 17 is provided for the ozone water generating means 11 has been described. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. A mechanism 17 may be provided.
In this case, it is assumed that the gas-liquid separation unit 13 and the ozone water regenerating unit 14 are provided close to one substrate processing mechanism 17.
Here, the number of the gas-liquid separation means 13 is one, but a plurality of gas-liquid separation means 13 are preferably provided in the ozone water supply pipe 21 according to the distance from the ozone water generation means 11.
[0040]
With such a configuration, the ozone concentration of the ozone water supplied to the substrate processing means 12 (see FIG. 1) in each of the substrate processing mechanisms 17 can be adjusted by setting the ozone concentration to different concentrations. Processing can be performed at an ozone concentration suitable for each processing.
Further, even in the case where a plurality of substrate processing mechanisms 17 are provided, only one ozone water generation unit 11 needs to be provided. The generation means 11 may not be provided. Since the ozone water generating means 11 is expensive, such a configuration is advantageous in cost.
[0041]
Further, in the present embodiment, the cleaning process of the semiconductor substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. The present invention is also applicable to a case where a resist film formed on a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate is removed or an oxide film is formed on the surface of such a substrate.
Further, in the present invention, the ozone-dissolved water obtained by dissolving ozone in pure water is defined as ozone water, but the present invention is not limited to pure water, but may be a chemical solution in which other acid or the like is added to pure water or a solvent. You may.
[0042]
【The invention's effect】
As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the gas-liquid separation unit can suppress the flow of the ozone water in the ozone water supply pipe together with the gas, so that the ozone water can easily flow. It is possible to maintain.
Further, the ozone water can be regenerated by using the ozone gas and the oxygen gas generated from the ozone water by the ozone water regenerating means. Since the ozone water is supplied, it is possible to compensate for the decrease in the ozone concentration of the ozone water while flowing through the ozone water supply pipe.
Therefore, it is possible to supply the ozone water generated by the ozone water generation means to the substrate processing means while maintaining the ozone concentration.
[0043]
Further, according to the substrate processing method of the present invention, ozone water is regenerated from ozone gas and oxygen gas generated from ozone water, and the regenerated ozone water is added to the separated ozone water, thereby reducing the ozone concentration. Can be supplemented. Therefore, the substrate can be processed while maintaining the ozone concentration of the ozone water.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an example of a substrate processing apparatus of the present invention (part 1).
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of an example of the substrate processing apparatus of the present invention (part 1).
FIG. 3 is an enlarged view of a main part of an example of the substrate processing apparatus of the present invention (part 2).
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an example of a substrate processing apparatus of the present invention (part 2).
[Explanation of symbols]
11 ozone water generating means, 12 substrate processing means, 13 gas-liquid separating means, 14 ozone water regenerating means, 16 ozone concentration control means, 21 ozone water supply pipe, 26 regenerated ozone water supply pipe, 33 ... Ultraviolet irradiation means

Claims (6)

オゾン水を生成するオゾン水生成手段と、
オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理手段と、
前記オゾン水生成手段から前記基板処理手段へオゾン水を供給するオゾン水供給管と、
前記オゾン水供給管に設けられ、オゾン水から発生したオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離する気液分離手段と、
前記基板処理手段に近接して設けられるとともに、前記気液分離手段により分離された前記オゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生するオゾン水再生手段と、
前記オゾン水再生手段から前記オゾン水供給管の前記基板処理手段により近い位置に、再生されたオゾン水を供給する再生オゾン水供給管とを備えた
ことを特徴とする基板処理装置。
Ozone water generating means for generating ozone water,
Substrate processing means for supplying ozone water and processing the substrate,
An ozone water supply pipe for supplying ozone water from the ozone water generation means to the substrate processing means,
A gas-liquid separation unit provided on the ozone water supply pipe, for separating ozone water and ozone gas generated from the ozone water from the ozone water;
An ozone water regenerating unit that is provided close to the substrate processing unit and regenerates ozone water from the ozone gas and the oxygen gas separated by the gas-liquid separating unit;
A substrate processing apparatus, comprising: a regenerated ozone water supply pipe for supplying regenerated ozone water at a position closer to the substrate processing means than the ozone water regenerating means and closer to the substrate processing means.
前記オゾン水供給管から前記基板処理手段に供給されるオゾン水のオゾン濃度に基づき、前記オゾン水再生手段で再生されるオゾン水のオゾン濃度または、前記オゾン水再生手段から供給されるオゾン水の供給量を制御するオゾン濃度制御手段を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
Based on the ozone concentration of the ozone water supplied to the substrate processing unit from the ozone water supply pipe, the ozone concentration of the ozone water regenerated by the ozone water regeneration unit or the ozone water supplied from the ozone water regeneration unit 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an ozone concentration control means for controlling a supply amount.
前記気液分離手段を前記オゾン水供給管に沿って複数備えた
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of said gas-liquid separation means are provided along said ozone water supply pipe.
前記基板処理手段を複数備えており、当該各基板処理手段に対して、1つの前記オゾン水再生手段と少なくとも1つの前記気液分離手段とを備えた
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate according to claim 1, comprising a plurality of said substrate processing means, and one ozone water regenerating means and at least one gas-liquid separating means for each of said substrate processing means. Processing equipment.
前記オゾン水再生手段には紫外線照射手段が設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ozone water regenerating unit includes an ultraviolet irradiation unit.
オゾン水を供給して基板の処理を行う基板処理方法であって、
オゾン水の供給経路途中でオゾン水から発生するオゾンガスおよび酸素ガスをオゾン水と分離した後、
前記オゾンガスおよび酸素ガスからオゾン水を再生し、この再生したオゾン水を前記供給経路の下流側で前記分離したオゾン水に添加することにより、基板に供給するオゾン水の濃度を調整して、基板の処理を行う
ことを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate by supplying ozone water,
After the ozone gas and oxygen gas generated from the ozone water are separated from the ozone water in the middle of the ozone water supply path,
Ozone water is regenerated from the ozone gas and the oxygen gas, and the regenerated ozone water is added to the separated ozone water downstream of the supply path to adjust the concentration of the ozone water supplied to the substrate. A substrate processing method, comprising:
JP2002189087A 2002-06-28 2002-06-28 Device for processing substrate and method therefor Pending JP2004031852A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002189087A JP2004031852A (en) 2002-06-28 2002-06-28 Device for processing substrate and method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002189087A JP2004031852A (en) 2002-06-28 2002-06-28 Device for processing substrate and method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004031852A true JP2004031852A (en) 2004-01-29

Family

ID=31183596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002189087A Pending JP2004031852A (en) 2002-06-28 2002-06-28 Device for processing substrate and method therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004031852A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285989A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Sony Corp Method for cleaning semiconductor wafer
JP2010046589A (en) * 2008-08-20 2010-03-04 Kurita Water Ind Ltd Ozone cleaning tank and ozone cleaning apparatus
KR102234357B1 (en) * 2020-07-23 2021-03-30 이형섭 Ozone water destruction system
KR102242896B1 (en) * 2020-07-23 2021-04-20 전원구 Ozone water destruction system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285989A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Sony Corp Method for cleaning semiconductor wafer
JP2010046589A (en) * 2008-08-20 2010-03-04 Kurita Water Ind Ltd Ozone cleaning tank and ozone cleaning apparatus
KR102234357B1 (en) * 2020-07-23 2021-03-30 이형섭 Ozone water destruction system
KR102242896B1 (en) * 2020-07-23 2021-04-20 전원구 Ozone water destruction system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4001662B2 (en) Method for cleaning silicon and method for producing polycrystalline silicon
JP5083318B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP4088810B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
CN107180774B (en) System and method for gas phase hydroxyl radical processing of substrates
JP2014093357A (en) Method for manufacturing ozone gas dissolved water and method for cleaning electronic material
JP2001015472A (en) Method and device for projecting ultraviolet ray
JP2000037695A (en) Apparatus for supplying ozone water
WO2003088337A1 (en) Resist removing apparatus and method of removing resist
JP2003260341A (en) Ozonized water supplying apparatus
JP2002270575A (en) Etching method, semiconductor device fabricated by that method and etching system
JP2004031852A (en) Device for processing substrate and method therefor
JP4273440B2 (en) Cleaning water for electronic material and cleaning method for electronic material
JPH11166700A (en) Gas-containing extra pure water-supplying device
JPH11138182A (en) Ozonized ultrapure water feeder
JP4221551B2 (en) Ozone water supply device
JP2006007052A (en) Method and apparatus for cleaning of electronic part
JP2017202474A (en) Ozone dissolved water production apparatus
JP2005152803A (en) Ozone water supply method
JP3914624B2 (en) How to reuse cleaning water for electronic materials
JP2004152842A (en) Processing method by ultraviolet irradiation and ultraviolet irradiation device
JP5581090B2 (en) Method and apparatus for treating waste liquid containing acid or base and hydrogen peroxide
JPH01179327A (en) Ashing
JP2001219053A (en) Oxidizing method and oxidizing device using dielectric barrier discharge
JP5954984B2 (en) Cleaning processing apparatus and cleaning processing method
WO2019000216A1 (en) Substrate cleaning device