JP2004031456A - Optical interconnection device and interconnection module - Google Patents

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JP2004031456A
JP2004031456A JP2002182143A JP2002182143A JP2004031456A JP 2004031456 A JP2004031456 A JP 2004031456A JP 2002182143 A JP2002182143 A JP 2002182143A JP 2002182143 A JP2002182143 A JP 2002182143A JP 2004031456 A JP2004031456 A JP 2004031456A
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optical element
substrate
optical
electrode
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JP2002182143A
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Inventor
Takashi Mikawa
三川 孝
Osamu Ibaraki
茨木 修
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Fujitsu Ltd
NTT Advanced Technology Corp
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Fujitsu Ltd
NTT Advanced Technology Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical interconnection device which can be miniaturized still more, can easily cope with a change of a circuit and can reduce production costs; and an interconnection module structuring the optical interconnection device. <P>SOLUTION: For example, a surface-emitting semiconductor laser 21 and a driver IC 22 are three-dimensionally disposed across a sub-mount substrate 20a, and an LSI 23 such as a CPU or the like is mounted on the driver IC 22. Through holes are provided in all of the sub-mount substrate 20a, the surface-emitting semiconductor laser 21, the driver IC 22 and the LSI 23, and these parts are electrically connected through conductors in the through holes. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サーバ及びクライアント等のコンピュータ並びにルータ等の装置内部に搭載し、CPU及びメモリなどのLSIと光電気混載基板との間のインタフェースとして使用する光インタコネクション装置、及びその光インタコネクション装置を構成するインタコネクションモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
情報通信技術及び情報処理技術の発達と共に、コンピュータや大容量交換機等の装置内の電子回路間を接続する電気配線が高密度化して、システムの大規模化及び高性能化を阻む要因となってきた。また、近年のLSIの著しい発達はLSIの入出力端子の高密度化とLSI内部における電気配線の高密度化をもたらし、性能向上の隘路となってきている。このような問題を解決するために、電子回路間を光で接続する光インタコネクション技術が注目されるようになった。
【0003】
光インタコネクション装置は、一般的に、面発光半導体レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)等の発光素子、該発光素子を駆動するドライバIC、フォトダイオード等の受光素子及び該受光素子を駆動するレシーバIC等の部品(以下、インタコネクションモジュールという)をサブマウント基板上に2次元配置して構成されている。これらのインタコネクションモジュールと共にCPU回路又はメモリ回路等が形成されたLSIをサブマウント基板上に搭載する場合も多い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光インタコネクション装置は、各インタコネクションモジュールが2次元的に配置されているので実装面積が大きくなり、小型化が難しいという欠点がある。また、各インタコネクションモジュール間を接続する電気配線の配線長が長くなるので、高速動作が阻害されたり、クロストーク雑音によりS/N比が劣化するという問題点もある。
【0005】
サブマウント基板としてシリコン基板を使用し、このシリコン基板にドライバ回路、レシーバ回路及びCPU回路等を形成して、シリコン基板上に発光素子及び受光素子を実装した光インタコネクション装置も開発されている。しかし、この種の光インタコネクション装置では、ドライバ回路、レシーバ回路及びCPU回路等がモノリシック集積されているため、回路を変更することが難しく、汎用性が低い。
【0006】
光インタコネクション装置を小型化するために、各インタコネクションモジュールを立体的(3D)に配置することが考えられる。例えばサブマウント基板の下に光素子(発光素子又は受光素子)を搭載し、サブマウント基板の上にドライバIC又はレシーバICを搭載する。しかし、インタコネクションモジュールを立体的に配置すると、各インタコネクションモジュール間を電気的に接続することができなくなる。
【0007】
また、例えば面発光半導体レーザでは光放出側の面とその反対側の面にそれぞれ電極があるため、一方の面側の電極はサブマウント基板に直接接続できるが、他方の面側の電極はワイヤボンディング等の方法によりサブマウント基板に接続する必要がある。このため、実装工程が煩雑であるという問題点もある。
【0008】
更に、従来の光インタコネクション装置では、サブマウント基板としてセラミック基板やシリコンPLC(Planar Lightwave Circuit)基板等の比較的高価な基板を用いているため、製品コストが高くなるという欠点もある。
【0009】
以上から、本発明の目的は、より一層の小型化が可能であり、回路の変更に容易に対応することができて、製品コストを低減できる光インタコネクション装置及びその光インタコネクション装置を構成するインタコネクションモジュールを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の光インタコネクション装置は、メイン基板と、前記メイン基板の上方に配置されたサブマウント基板と、前記サブマウント基板を支持する支持部材と、前記サブマウント基板を挟んで搭載された光素子モジュール及び光素子駆動モジュールとを有し、前記サブマウント基板、前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、いずれも一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を有し、前記サブマウント基板の配線、前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、前記貫通孔内の導電体を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【0011】
前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールを、サブマウント基板の一方の面側に積み重ねて搭載してもよい。また、サブマウント基板を使用せず、メイン基板の上に光素子モジュール及び光素子駆動モジュールを直接搭載してもよい。
【0012】
本発明においては、面発光半導体レーザ及びフォトダイオード等の光素子モジュールと、光素子を駆動するドライバIC又はレシーバIC等の光素子駆動モジュールとを立体的に配置している。光素子モジュール及び光素子駆動モジュールにはいずれも貫通孔が設けられており、光素子モジュールと光素子駆動モジュールとの間は貫通孔内の導電体を介して電気的に接続されているので、これらのモジュールを立体的に配置することができる。これにより、光インタコネクション装置を小型化することができる。また、各モジュール間を貫通孔内の導電体を介して電気的に接続しているので、配線長が短く、S/N比等の特性が良好である。
【0013】
また、各機能毎にモジュール化しておくことにより、回路の変更に容易に対応できる。更に、サブマウント基板として通常のプリント配線基板やフレキシブル基板を使用することが可能であり、セラミック基板やシリコンPLC基板等が不要であるので、従来に比べて製品コストを低減できる。
【0014】
また、本発明のインタコネクションモジュールは、第1の面に設けられた第1の電極と、第2の面に設けられた第2の電極と、前記第1の面から前記第2の面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に形成されて前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する導電体とを有することを特徴とする。
【0015】
本発明においては、インタコネクションモジュールに貫通孔が設けられており、第1の面側の第2の電極と第2の面側の第2の電極とが貫通孔内の導電体を介して電気的に接続されている。従って、インタコネクションモジュールを積み重ねたときに各モジュール間が貫通孔内の導電体を介して電気的に接続される。つまり、本発明のインタコネクションモジュールは、各モジュールを積み重ねて配置し、各モジュールの貫通孔内の導電体を介して電力を供給したり、信号の入出力を行う。これにより、所望のモジュールを組み合わせて光インタコネクション装置を構成することができるので、汎用性が高い。また、各モジュール間の配線長が短くてすみ、S/N比が向上する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【0017】
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態の光コネクション装置の一例を示す模式図である。
【0018】
光電気混載基板(メイン基板)10には、光導波路11及び電気配線(図示せず)がそれぞれ所定のパターンで形成されている。本実施の形態では、光電気混載基板10として、プリント配線基板に高分子材料からなるシート状の光導波路を貼り付けたものを使用する。但し、本発明において、メイン基板の構造はこれに限定するものではない。
【0019】
光導波路11の所定の位置にはミラー11aが設けられており、後述する面発光半導体レーザ21から出射された光を光導波路11に導いたり、光導波路11を通る光を後述するフォトダイオード24に向けて反射するようになっている。
【0020】
光電気混載基板10の上には支持部材15a,15bが配置されており、サブマウント基板20a,20bは支持部材15a,15bに支持されて光電気混載基板10の上方に配置されている。本実施の形態では、サブマウント基板20a,20bは、例えば有機ポリマーにより形成されたリジッド基板である。これらのサブマウント基板20a,20bには電気配線(パターン配線)が形成されており、これらの配線はフレキシブル基板12a,12bを介して光電気混載基板10の電気配線と接続されている。
【0021】
サブマウント基板20aの下には面発光半導体レーザ21が搭載されている。この面発光半導体レーザ21から出射された光はミラー11aにより反射されて光導波路11内に導かれるようになっている。
【0022】
また、サブマウント基板20aの上には面発光半導体レーザ21を駆動する回路が形成されたドライバIC22が搭載されており、ドライバIC22の上にはCPU又はメモリ等の回路が形成されたLSI23が搭載されている。
【0023】
これらのサブマウント基板20a、面発光半導体レーザ21、ドライバIC22及びLSI23は、いずれも上面及び下面に電極が設けられている。また、これらのサブマウント基板20a、面発光半導体レーザ21、ドライバIC22及びLSI23には、上面から下面に貫通する貫通孔(図1中に破線で示す)が設けられており、一方の面側の電極は、貫通孔内の導電体を介して他方の面側の電極のうちの所定の電極と電気的に接続されている。そして、サブマウント基板20aの電極と面発光半導体レーザ21及びドライバIC22の電極、並びにドライバIC22の電極とLSI23の電極は、はんだバンプ(図示せず)により相互に接続されている。
【0024】
すなわち、本実施の形態においては、面発光半導体レーザ21、ドライバIC22及びLSI23の間、及びこれらの部品とサブマウント基板20aとの間の電気的接続は、各部品及びサブマウント基板20aに設けられた貫通孔内の導電体を介して行われる。
【0025】
また、サブマウント基板20aの電気配線はフレキシブル基板12aを介して光電気混載基板10の電気配線に接続されており、これらの電気配線を介して面発光半導体レーザ21、ドライバIC22及びLSI23への電力の供給や電気信号の入出力が行われる。
【0026】
これと同様に、サブマウント基板20bの下にはフォトダイオード24が搭載されており、サブマウント基板20bの上にはフォトダイオード24を駆動する回路が形成されたレシーバIC25が搭載されている。また、レシーバIC25の上にはCPU又はメモリ等の回路が形成されたLSI26が搭載されている。
【0027】
サブマウント基板20b、フォトダイオード24、レシーバIC25及びLSI26には、いずれも上面及び下面に電極が設けられている。また、これらのサブマウント基板20b、フォトダイオード24、レシーバIC25及びLSI26には上面から下面に貫通する貫通孔が設けられており、一方の面側の電極は、貫通孔内の導電体を介して他方の面側の電極のうちの所定の電極と電気的に接続されている。そして、サブマウント基板20bの電極とフォトダイオード24及びレシーバIC25の電極、並びにレシーバIC25の電極とLSI26の電極は、はんだバンプ(図示せず)により相互に接続されている。
【0028】
また、サブマウント基板20bの電気配線はフレキシブル基板12bを介して光電気混載基板10の電気配線に接続されており、これらの電気配線を介してフォトダイオード24、レシーバIC25及びLSI26への電力の供給及び電気信号の入出力が行われる。
【0029】
図2は面発光半導体レーザ21の模式断面図である。面発光半導体レーザ21では、光出射側の面にアノード電極31が設けられ、その裏面側にカソード電極32が設けられている。本実施の形態では、光放出側の面に設けられたアノード電極31は、引出電極36と貫通孔30内の導電体膜35とを介して裏面側の電極33と電気的に接続している。
【0030】
貫通孔30は、例えば反応性イオンエッチング(RIE)法により形成する。その後、スパッタ法又はCVD法等により貫通孔30内の壁面にSiO2 又はSiN等の絶縁膜34を被着形成し、更にスパッタ法又はCVD法等により絶縁膜34の上にPt(白金)又はAu(金)等の導電体膜35を形成する。そして、カソード電極32と同じ面側に、貫通孔30内の導電体膜35と電気的に接続した電極33を形成し、アノード電極31側の面にアノード電極31と導電体膜35とを電気的に接続する引出電極36を形成する。
【0031】
図3はフォトダイオード24の断面模式図である。フォトダイオード24では、光受光面側にアノード電極41及びカソード電極42が設けられている。これらの電極41,42は、貫通孔40内の導電体膜44を介して裏面側の電極45,46と電気的に接続されている。なお、貫通孔40の壁面と導電体膜44との間には絶縁膜43が形成されている。
【0032】
図4はドライバIC22の断面模式図である。ドライバIC22も、一方の面から他方の面に貫通する貫通孔50が設けられている。この貫通孔50は、例えば反応性イオンエッチングにより形成する。そして、貫通孔50の内壁面を覆う絶縁膜51及び導電体膜52を順次形成した後、一方の面側に電極53を形成し、他方の面側に電極55を形成する。なお、図4ではドライバIC22には1つの貫通孔しか図示していないが、実際には電力の供給や信号の伝達に必要な数の貫通孔が設けられている。
【0033】
レシーバIC25、LSI23,26にも、ドライバIC22と同様に、複数の貫通孔が設けられている。また、図2〜4では貫通孔30,40,50の内部が中空であるとしたが、貫通孔の内壁面に絶縁膜を形成した後に、貫通孔内に導電体を埋め込んでもよい。
【0034】
本実施の形態では、光インタコネクション装置を構成する面発光半導体レーザ21、サブマウント基板20a,20b、ドライバIC22、フォトダイオード24、レシーバIC25及びLSI23,26がいずれも貫通孔を有し、これらの貫通孔内の導電体を介して各部品間が電気的に接続されるので、各部品を立体的に配置して駆動することができる。これにより、光インタコネクション装置を従来に比べてより一層高集積化することができる。
【0035】
また、本実施の形態では、インタコネクションモジュールとサブマウント基板20a,20bとをワイヤボンディング等で接続する工程が不要であり、組み立てが容易である。
【0036】
更に、本実施の形態においては、各モジュール間を接続する配線の長さが短縮されるので、高速動作が可能になり、S/N比等の特性が向上する。更にまた、本実施の形態においては各機能を個別のモジュールとしているので、回路の変更に容易に対応することができると共に、製品の信頼性を向上させることができる。
【0037】
なお、本実施の形態ではサブマウント基板20a,20bがフレキシブル基板12a,12bを介して光電気混載基板10と電気的に接続している場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば支持部材15a,15bにサブマウント基板20a,20bと光電気混載基板10との間を電気的に接続するリードを設けてもよい。
【0038】
また、支持部材15a,15bに設けたリードを介してドライバIC22、レシーバIC25及びLSI23,26に電力を供給し、フレキシブル基板を介して信号の入出力を行うようにしてもよい。
【0039】
更に、本実施の形態ではサブマウント基板20a,20bが有機ポリマーにより形成されたリジッド基板の場合について説明したが、図5に示すように、サブマウント基板として、スルーホールが設けられたフレキシブル基板27a,27bを使用してもよい。この場合は、サブマウント基板の電気配線と光電気混載基板10の電気配線とを直接接続することが可能である。これにより、構造がより一層簡素化され、更なる低コスト化を実現できる。
【0040】
更にまた、上記実施の形態では面発光半導体レーザ21とドライバIC22とがサブマウント基板20aを挟んで配置され、フォトダイオード24とレシーバIC25とがサブマウント基板20bを挟んで配置されている場合について説明したが、図6に示すように、サブマウント基板20a,20bの一方の面側に面発光半導体レーザ21とドライバIC22、及びフォトダイオード24とレシーバIC25とを配置してもよい。なお、図6に示す光インタコネクション装置の場合は、CPU及びメモリ等のLSI(図示せず)は光電気混載基板10上に搭載されており、フレキシブル基板12a,12bを介してドライバIC22及びレシーバIC25に電気的に接続される。
【0041】
(第2の実施の形態)
図7は本発明の第2の実施の形態の光インタコネクション装置を示す模式図,図8は図7中に丸印で示す部分の拡大図である。
【0042】
光電気混載基板60には光導波路61及び電気配線(図示せず)がそれぞれ所定のパターンで形成されている。光導波路61の所定の位置にはミラー61aが設けられており、面発光半導体レーザ71から出射された光を光導波路61に導いたり、光導波路61を通る光を後述するフォトダイオード73に向けて反射するようになっている。
【0043】
本実施の形態においては、面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73は光電気混載基板60の上に直接搭載されている。すなわち,図8に示すように、光電気混載基板60には面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73を接続するために電極60aが設けられており、面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73に設けられた電極70aとはんだバンプ63により接合されている。なお、面発光半導体レーザ71の光出射側の面に段差がある場合は、ポリイミド等により段差を無くすことが好ましい。
【0044】
面発光半導体レーザ71の上にはドライバIC72が搭載されており、フォトダイオード73の上にはレシーバIC74が搭載されている。これらの面発光半導体レーザ71、ドライバIC72、フォトダイオード73及びレシーバIC74にはいずれも貫通孔(図7に破線で示す)が設けられている。これらの貫通孔内の導電体を介して光電気混載基板60の電気配線と面発光半導体レーザ71、ドライバIC72、フォトダイオード73及びレシーバIC74の電極とが電気的に接続される。
【0045】
なお、本実施の形態では、CPU及びメモリ等のLSI(図示せず)は光電気混載基板60上に搭載され、光電気混載基板60の電気配線と面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73の貫通孔を介してドライバIC72及びレシーバIC74に接続されている。
【0046】
本実施の形態においては、サブマウント基板を使用せず、光電気混載基板60の上に各光コネクションモジュールが立体的に配置されているので、第1の実施の形態に比べて、光導波路と面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73とのアライメントが自己整合的に行われ、アライメント工程が削減できる。すなわち、図9に示すように、光電気混載基板60の電極60aと面発光半導体レーザ71(又は、フォトダイオード73)の電極70aとをはんだバンプ63で接合する場合に、光電気混載基板60に対し面発光半導体レーザ71(又はフォトダイオード73)の位置が若干ずれていたとしても、はんだバンプ63の表面張力により面発光半導体レーザ71(又はフォトダイオード73)の位置が自動的に所定の位置に修正される。これにより、面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73と光導波路とのアライメントを調整する工程が不要になり、製造コストが削減される。
【0047】
また、本実施の形態においては、サブマウント基板やフレキ基板が不要であるため、第1の実施の形態に比べてより一層の低コスト化が可能である。
【0048】
なお、本実施の形態ではCPU又はメモリ等のLSIが光電気混載基板60上に搭載されており、光電気混載基板60上の配線、並びに面発光半導体レーザ71及びフォトダイオード73の貫通孔を介して電気的に接続されている場合について説明したが、第1の実施の形態と同様に、面発光半導体レーザ71及びレシーバIC74の上にCPU又はメモリ等の回路が形成されたLSIを搭載するようにしてもよい。
【0049】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光インタコネクション装置によれば、光素子モジュール及び光素子駆動モジュールに貫通孔が設けられており、各モジュール間が貫通孔内の導電体を介して接続するようになっているので、メイン基板又はサブマウント基板に光素子モジュール及び光素子駆動モジュールを立体的に搭載することができる。これにより、光インタコネクション装置を従来に比べて小型化できると共に、回路の変更に容易に対応することができる。また、サブマウント基板として通常のプリント配線基板を使用することができるので、製品コストを低減することもできる。
【0050】
また、本発明のインタコネクションモジュールは、第1の面に設けられた第1の電極と第2の面に設けられた第2の電極とが貫通孔内の導電体を介して電気的に接続されているので、複数のモジュールを立体的に積み重ねて各モジュール間を電気的に接続することができる。これにより、回路の変更に容易に対応することができると共に、実装面積を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1の実施の形態の光コネクション装置の一例を示す模式図である。
【図2】図2は第1の実施の形態で用いた面発光半導体レーザの模式断面図である。
【図3】図3は第1の実施の形態で用いたフォトダイオードの断面模式図である。
【図4】図4は第1の実施の形態で用いたドライバICの断面模式図である。
【図5】図5は第1の実施の形態の変形例を示す模式図であり、サブマウント基板としてスルーホールが設けられたフレキシブル基板を用いた例を示している。
【図6】図6は第1の実施の形態の他の変形例を示す模式図であり、サブマウント基板の一方の面側に2つのインタコネクションモジュールを積み重ねて搭載した例を示している。
【図7】図7は本発明の第2の実施の形態の光インタコネクション装置を示す模式図である。
【図8】図8は図7中に丸印で示す部分の拡大図である。
【図9】図9ははんだバンプの表面張力により面発光半導体レーザの位置が自動的に調整されるようすを示す模式図である。
【符号の説明】
10,60…光電気混載基板、
11,61…光導波路、
11a,61a…ミラー、
12a,12b,27a,27b…フレキシブル基板、
15a,15b…支持部材、
20a,20b…サブマウント基板、
21,71…面発光半導体レーザ(VCSEL)、
22,72…ドライバIC,
23,26…LSI、
24,73…フォトダイオード、
25,74…レシーバIC,
30,40,50…貫通孔、
31,32,33,35,41,42,45,46,53,54,60a,70a…電極、
34,43,51…絶縁膜、
35,44,52…導電体膜、
63…はんだバンプ。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical interconnection device mounted inside a computer such as a server and a client and a device such as a router and used as an interface between an LSI such as a CPU and a memory and an opto-electric hybrid board, and the optical interconnection device thereof Related to the interconnection module.
[0002]
[Prior art]
With the development of information and communication technology and information processing technology, the density of electric wiring connecting electronic circuits in devices such as computers and large-capacity exchanges has been increasing, which has become a factor that hinders the increase in scale and performance of systems. Was. In addition, the remarkable development of LSI in recent years has resulted in a higher density of input / output terminals of the LSI and a higher density of electric wiring inside the LSI, which has become a bottleneck for performance improvement. In order to solve such a problem, attention has been paid to an optical interconnection technology for connecting electronic circuits with light.
[0003]
An optical interconnection device generally drives a light emitting element such as a surface emitting semiconductor laser (VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser), a driver IC for driving the light emitting element, a light receiving element such as a photodiode, and the light receiving element. Components such as a receiver IC (hereinafter referred to as an interconnection module) are two-dimensionally arranged on a submount substrate. In many cases, an LSI on which a CPU circuit or a memory circuit is formed together with these interconnection modules is mounted on a submount substrate.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional optical interconnection device has a drawback that since each interconnection module is two-dimensionally arranged, the mounting area is large, and miniaturization is difficult. In addition, since the wiring length of the electric wiring connecting between the interconnection modules becomes long, there is a problem that high-speed operation is hindered and the S / N ratio is deteriorated due to crosstalk noise.
[0005]
An optical interconnection device in which a silicon substrate is used as a submount substrate, a driver circuit, a receiver circuit, a CPU circuit, and the like are formed on the silicon substrate, and a light emitting element and a light receiving element are mounted on the silicon substrate has been developed. However, in this type of optical interconnection device, since the driver circuit, the receiver circuit, the CPU circuit, and the like are monolithically integrated, it is difficult to change the circuit, and the versatility is low.
[0006]
In order to reduce the size of the optical interconnection device, it is conceivable to arrange each interconnection module three-dimensionally (3D). For example, an optical element (light emitting element or light receiving element) is mounted under the submount substrate, and a driver IC or a receiver IC is mounted on the submount substrate. However, when the interconnection modules are three-dimensionally arranged, it becomes impossible to electrically connect the interconnection modules.
[0007]
Also, for example, in a surface emitting semiconductor laser, electrodes are provided on a light emitting side and a surface opposite to the light emitting side, so that the electrode on one side can be directly connected to the submount substrate, while the electrode on the other side is a wire. It is necessary to connect to the submount substrate by a method such as bonding. For this reason, there is also a problem that the mounting process is complicated.
[0008]
Further, in the conventional optical interconnection device, since a relatively expensive substrate such as a ceramic substrate or a silicon PLC (Planar Lightwave Circuit) substrate is used as a submount substrate, there is a disadvantage that the product cost is increased.
[0009]
In view of the above, it is an object of the present invention to provide an optical interconnection device which can be further miniaturized, can easily cope with circuit changes, and can reduce product cost, and an optical interconnection device thereof. It is intended to provide an interconnection module.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
An optical interconnection device of the present invention includes a main substrate, a submount substrate disposed above the main substrate, a support member for supporting the submount substrate, and an optical element mounted with the submount substrate interposed therebetween. A module and an optical element driving module, wherein the sub-mount substrate, the optical element module and the optical element driving module each have a through hole penetrating from one surface to the other surface, and the sub-mount substrate , The optical element module and the optical element drive module are electrically connected via a conductor in the through hole.
[0011]
The optical element module and the optical element drive module may be stacked and mounted on one surface side of a submount substrate. Further, the optical element module and the optical element drive module may be directly mounted on the main substrate without using the submount substrate.
[0012]
In the present invention, an optical element module such as a surface emitting semiconductor laser and a photodiode and an optical element driving module such as a driver IC or a receiver IC for driving the optical element are three-dimensionally arranged. Both the optical element module and the optical element drive module are provided with through holes, and the optical element module and the optical element drive module are electrically connected via the conductor in the through hole. These modules can be arranged three-dimensionally. Thereby, the size of the optical interconnection device can be reduced. Further, since the modules are electrically connected to each other via the conductor in the through-hole, the wiring length is short and the characteristics such as the S / N ratio are good.
[0013]
Further, by modularizing each function, it is possible to easily cope with circuit changes. Further, a normal printed wiring board or a flexible board can be used as the sub-mount board, and a ceramic board, a silicon PLC board, and the like are not required, so that the product cost can be reduced as compared with the related art.
[0014]
Further, the interconnection module of the present invention includes a first electrode provided on the first surface, a second electrode provided on the second surface, and a second electrode provided on the second surface. It has a through hole penetrating therethrough, and a conductor formed in the through hole and electrically connecting the first electrode and the second electrode.
[0015]
In the present invention, the interconnection module is provided with a through hole, and the second electrode on the first surface side and the second electrode on the second surface side are electrically connected to each other through the conductor in the through hole. Connected. Therefore, when the interconnection modules are stacked, each module is electrically connected via the conductor in the through hole. That is, in the interconnection module of the present invention, the respective modules are stacked and arranged, and power is supplied through the conductors in the through holes of the respective modules, and signals are input / output. This makes it possible to configure an optical interconnection device by combining desired modules, so that the versatility is high. Further, the wiring length between the modules can be reduced, and the S / N ratio is improved.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0017]
(First Embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the optical connection device according to the first embodiment of the present invention.
[0018]
On the opto-electric hybrid board (main board) 10, an optical waveguide 11 and electric wiring (not shown) are formed in a predetermined pattern. In the present embodiment, a substrate in which a sheet-shaped optical waveguide made of a polymer material is attached to a printed wiring board is used as the opto-electric hybrid board 10. However, in the present invention, the structure of the main board is not limited to this.
[0019]
A mirror 11 a is provided at a predetermined position of the optical waveguide 11, and guides light emitted from a surface emitting semiconductor laser 21 described later to the optical waveguide 11, and transmits light passing through the optical waveguide 11 to a photodiode 24 described later. It is designed to reflect toward.
[0020]
Support members 15a and 15b are arranged on the opto-electric hybrid board 10, and the submount substrates 20a and 20b are supported by the support members 15a and 15b and arranged above the opto-electric hybrid board 10. In the present embodiment, the submount substrates 20a and 20b are rigid substrates formed of, for example, an organic polymer. Electric wiring (pattern wiring) is formed on these sub-mount substrates 20a and 20b, and these wirings are connected to the electric wiring of the opto-electric hybrid board 10 via the flexible substrates 12a and 12b.
[0021]
A surface emitting semiconductor laser 21 is mounted under the submount substrate 20a. Light emitted from the surface emitting semiconductor laser 21 is reflected by the mirror 11 a and guided into the optical waveguide 11.
[0022]
A driver IC 22 on which a circuit for driving the surface emitting semiconductor laser 21 is formed is mounted on the submount substrate 20a, and an LSI 23 on which a circuit such as a CPU or a memory is formed is mounted on the driver IC 22. Have been.
[0023]
These submount substrate 20a, surface emitting semiconductor laser 21, driver IC 22, and LSI 23 are all provided with electrodes on the upper and lower surfaces. The submount substrate 20a, the surface emitting semiconductor laser 21, the driver IC 22, and the LSI 23 are provided with through holes (shown by broken lines in FIG. 1) penetrating from the upper surface to the lower surface. The electrode is electrically connected to a predetermined one of the electrodes on the other surface via a conductor in the through hole. The electrodes of the submount substrate 20a and the electrodes of the surface emitting semiconductor laser 21 and the driver IC 22, and the electrodes of the driver IC 22 and the LSI 23 are connected to each other by solder bumps (not shown).
[0024]
That is, in the present embodiment, the electrical connection between the surface emitting semiconductor laser 21, the driver IC 22, and the LSI 23, and between these components and the submount substrate 20a are provided on each component and the submount substrate 20a. Through the conductor in the through hole.
[0025]
The electric wiring of the sub-mount substrate 20a is connected to the electric wiring of the opto-electric hybrid board 10 via the flexible substrate 12a, and the electric power to the surface emitting semiconductor laser 21, the driver IC 22, and the LSI 23 via these electric wirings. Supply and input / output of electric signals.
[0026]
Similarly, a photodiode 24 is mounted below the submount substrate 20b, and a receiver IC 25 having a circuit for driving the photodiode 24 is mounted above the submount substrate 20b. On the receiver IC 25, an LSI 26 in which a circuit such as a CPU or a memory is formed is mounted.
[0027]
The submount substrate 20b, the photodiode 24, the receiver IC 25, and the LSI 26 are all provided with electrodes on the upper and lower surfaces. The sub-mount substrate 20b, the photodiode 24, the receiver IC 25, and the LSI 26 are provided with through-holes penetrating from the upper surface to the lower surface, and the electrode on one surface side is provided through a conductor in the through-hole. It is electrically connected to a predetermined electrode on the other surface. The electrodes of the submount substrate 20b and the electrodes of the photodiode 24 and the receiver IC 25, and the electrodes of the receiver IC 25 and the LSI 26 are connected to each other by solder bumps (not shown).
[0028]
Further, the electric wiring of the submount substrate 20b is connected to the electric wiring of the opto-electric hybrid board 10 via the flexible substrate 12b, and power is supplied to the photodiode 24, the receiver IC 25, and the LSI 26 through these electric wirings. And input and output of electrical signals.
[0029]
FIG. 2 is a schematic sectional view of the surface emitting semiconductor laser 21. In the surface-emitting semiconductor laser 21, an anode electrode 31 is provided on a surface on the light emission side, and a cathode electrode 32 is provided on the back surface side. In the present embodiment, the anode electrode 31 provided on the light emission side surface is electrically connected to the back surface side electrode 33 via the extraction electrode 36 and the conductor film 35 in the through hole 30. .
[0030]
The through holes 30 are formed by, for example, a reactive ion etching (RIE) method. Thereafter, an insulating film 34 such as SiO 2 or SiN is formed on the wall surface in the through hole 30 by sputtering or CVD, and Pt (platinum) or Pt (platinum) is formed on the insulating film 34 by sputtering or CVD. A conductor film 35 such as Au (gold) is formed. Then, an electrode 33 electrically connected to the conductor film 35 in the through hole 30 is formed on the same surface side as the cathode electrode 32, and the anode electrode 31 and the conductor film 35 are electrically connected to the surface on the anode electrode 31 side. An extraction electrode 36 is formed to be electrically connected.
[0031]
FIG. 3 is a schematic sectional view of the photodiode 24. In the photodiode 24, an anode electrode 41 and a cathode electrode 42 are provided on the light receiving surface side. These electrodes 41 and 42 are electrically connected to the electrodes 45 and 46 on the back side via the conductor film 44 in the through hole 40. Note that an insulating film 43 is formed between the wall surface of the through hole 40 and the conductor film 44.
[0032]
FIG. 4 is a schematic sectional view of the driver IC 22. The driver IC 22 also has a through hole 50 penetrating from one surface to the other surface. The through holes 50 are formed by, for example, reactive ion etching. Then, after an insulating film 51 and a conductor film 52 covering the inner wall surface of the through hole 50 are sequentially formed, an electrode 53 is formed on one surface side, and an electrode 55 is formed on the other surface side. Although only one through-hole is shown in FIG. 4 in the driver IC 22, actually, as many through-holes as necessary for power supply and signal transmission are provided.
[0033]
The receiver IC 25 and the LSIs 23 and 26 also have a plurality of through holes as in the driver IC 22. Although the insides of the through holes 30, 40, and 50 are hollow in FIGS. 2 to 4, a conductor may be embedded in the through holes after forming an insulating film on the inner wall surface of the through holes.
[0034]
In the present embodiment, the surface emitting semiconductor laser 21, the submount substrates 20a and 20b, the driver IC 22, the photodiode 24, the receiver IC 25, and the LSIs 23 and 26 which constitute the optical interconnection device all have through holes. Since the components are electrically connected via the conductor in the through-hole, the components can be three-dimensionally arranged and driven. As a result, the optical interconnection device can be more highly integrated than in the past.
[0035]
Further, in the present embodiment, the step of connecting the interconnection module and the sub-mount substrates 20a and 20b by wire bonding or the like is unnecessary, and the assembly is easy.
[0036]
Further, in the present embodiment, since the length of the wiring connecting the modules is reduced, high-speed operation is enabled, and characteristics such as S / N ratio are improved. Furthermore, in the present embodiment, since each function is an individual module, it is possible to easily cope with a change in the circuit and to improve the reliability of the product.
[0037]
In the present embodiment, the case where the submount substrates 20a and 20b are electrically connected to the opto-electric hybrid board 10 via the flexible substrates 12a and 12b has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the support members 15a and 15b may be provided with leads for electrically connecting the submount substrates 20a and 20b and the opto-electric hybrid board 10.
[0038]
Alternatively, power may be supplied to the driver IC 22, the receiver IC 25, and the LSIs 23 and 26 via leads provided on the support members 15a and 15b, and signals may be input and output via a flexible substrate.
[0039]
Further, in the present embodiment, a case has been described in which the submount substrates 20a and 20b are rigid substrates formed of an organic polymer. However, as shown in FIG. 5, as a submount substrate, a flexible substrate 27a provided with through holes is provided. , 27b may be used. In this case, it is possible to directly connect the electric wiring of the submount substrate and the electric wiring of the opto-electric hybrid board 10. Thus, the structure is further simplified, and further cost reduction can be realized.
[0040]
Furthermore, in the above embodiment, the case where the surface emitting semiconductor laser 21 and the driver IC 22 are arranged with the sub-mount substrate 20a interposed therebetween, and the photodiode 24 and the receiver IC 25 are arranged with the sub-mount substrate 20b interposed therebetween will be described. However, as shown in FIG. 6, the surface emitting semiconductor laser 21 and the driver IC 22, and the photodiode 24 and the receiver IC 25 may be arranged on one surface side of the submount substrates 20a and 20b. In the case of the optical interconnection device shown in FIG. 6, an LSI (not shown) such as a CPU and a memory is mounted on the opto-electric hybrid board 10, and the driver IC 22 and the receiver are connected via the flexible boards 12a and 12b. It is electrically connected to the IC 25.
[0041]
(Second embodiment)
FIG. 7 is a schematic diagram showing an optical interconnection device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an enlarged view of a portion indicated by a circle in FIG.
[0042]
On the opto-electric hybrid board 60, an optical waveguide 61 and electric wiring (not shown) are respectively formed in a predetermined pattern. A mirror 61a is provided at a predetermined position of the optical waveguide 61, and guides light emitted from the surface emitting semiconductor laser 71 to the optical waveguide 61, and directs light passing through the optical waveguide 61 to a photodiode 73 described later. It is designed to reflect.
[0043]
In the present embodiment, the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73 are directly mounted on the opto-electric hybrid board 60. That is, as shown in FIG. 8, the photoelectric hybrid substrate 60 is provided with an electrode 60a for connecting the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73, and is provided on the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73. The electrodes 70a are joined by the solder bumps 63. When there is a step on the light emitting side surface of the surface emitting semiconductor laser 71, it is preferable to eliminate the step by using polyimide or the like.
[0044]
A driver IC 72 is mounted on the surface emitting semiconductor laser 71, and a receiver IC 74 is mounted on the photodiode 73. These surface emitting semiconductor laser 71, driver IC 72, photodiode 73, and receiver IC 74 are all provided with through holes (shown by broken lines in FIG. 7). The electrical wiring of the opto-electric hybrid board 60 and the electrodes of the surface emitting semiconductor laser 71, the driver IC 72, the photodiode 73, and the receiver IC 74 are electrically connected via the conductors in these through holes.
[0045]
In this embodiment, LSIs (not shown) such as a CPU and a memory are mounted on the opto-electric hybrid board 60, and the electric wiring of the opto-electric hybrid board 60 and the penetration of the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73 are provided. It is connected to the driver IC 72 and the receiver IC 74 via the hole.
[0046]
In the present embodiment, each optical connection module is three-dimensionally arranged on the opto-electric hybrid board 60 without using a sub-mount board. The alignment between the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73 is performed in a self-aligned manner, and the number of alignment steps can be reduced. That is, as shown in FIG. 9, when the electrode 60 a of the opto-electric hybrid board 60 and the electrode 70 a of the surface emitting semiconductor laser 71 (or the photodiode 73) are joined by the solder bump 63, On the other hand, even if the position of the surface emitting semiconductor laser 71 (or the photodiode 73) is slightly shifted, the position of the surface emitting semiconductor laser 71 (or the photodiode 73) is automatically set to a predetermined position due to the surface tension of the solder bump 63. Will be modified. Thus, the step of adjusting the alignment between the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73 and the optical waveguide becomes unnecessary, and the manufacturing cost is reduced.
[0047]
Further, in this embodiment, since a submount substrate and a flexible substrate are not required, the cost can be further reduced as compared with the first embodiment.
[0048]
In this embodiment, an LSI such as a CPU or a memory is mounted on the opto-electric hybrid board 60, and the wiring on the opto-electric hybrid board 60 and the through holes of the surface emitting semiconductor laser 71 and the photodiode 73 are provided. In the same manner as in the first embodiment, an LSI in which a circuit such as a CPU or a memory is formed on a surface emitting semiconductor laser 71 and a receiver IC 74 is mounted. It may be.
[0049]
【The invention's effect】
As described above, according to the optical interconnection device of the present invention, the through-holes are provided in the optical element module and the optical element drive module, and the modules are connected to each other via the conductor in the through-hole. Therefore, the optical element module and the optical element drive module can be mounted three-dimensionally on the main board or the sub-mount board. This makes it possible to reduce the size of the optical interconnection device as compared with the conventional one, and to easily cope with circuit changes. Further, since a normal printed wiring board can be used as the submount board, the product cost can be reduced.
[0050]
Further, in the interconnection module of the present invention, the first electrode provided on the first surface and the second electrode provided on the second surface are electrically connected to each other via a conductor in the through hole. Therefore, a plurality of modules can be stacked three-dimensionally to electrically connect the modules. Thus, it is possible to easily cope with a change in the circuit and to reduce the mounting area.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of an optical connection device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the surface emitting semiconductor laser used in the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the photodiode used in the first embodiment.
FIG. 4 is a schematic sectional view of a driver IC used in the first embodiment.
FIG. 5 is a schematic diagram showing a modification of the first embodiment, and shows an example in which a flexible substrate provided with through holes is used as a submount substrate.
FIG. 6 is a schematic view showing another modified example of the first embodiment, and shows an example in which two interconnection modules are stacked and mounted on one surface side of a submount substrate.
FIG. 7 is a schematic diagram showing an optical interconnection device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an enlarged view of a portion indicated by a circle in FIG. 7;
FIG. 9 is a schematic diagram showing how the position of a surface emitting semiconductor laser is automatically adjusted by the surface tension of a solder bump.
[Explanation of symbols]
10, 60 ... photoelectric hybrid board,
11, 61 ... optical waveguide,
11a, 61a ... mirror,
12a, 12b, 27a, 27b ... flexible substrate,
15a, 15b ... support members,
20a, 20b ... submount substrate,
21, 71 ... surface emitting semiconductor laser (VCSEL),
22, 72 ... Driver IC,
23, 26 ... LSI,
24, 73 ... photodiode,
25, 74 ... receiver IC,
30, 40, 50 ... through-hole,
31, 32, 33, 35, 41, 42, 45, 46, 53, 54, 60a, 70a ... electrodes,
34, 43, 51 ... insulating film,
35, 44, 52 ... conductive film,
63: Solder bump.

Claims (6)

メイン基板と、
前記メイン基板の上方に配置されたサブマウント基板と、
前記サブマウント基板を支持する支持部材と、
前記サブマウント基板を挟んで搭載された光素子モジュール及び光素子駆動モジュールとを有し、
前記サブマウント基板、前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、いずれも一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を有し、前記サブマウント基板の配線、前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、前記貫通孔内の導電体を介して電気的に接続されていることを特徴とする光インタコネクション装置。
A main board,
A sub-mount substrate disposed above the main substrate,
A support member for supporting the submount substrate,
Having an optical element module and an optical element drive module mounted with the sub-mount substrate in between,
The submount substrate, the optical element module, and the optical element drive module each have a through hole penetrating from one surface to the other surface, and the wiring of the submount substrate, the optical element module, and the optical element The optical interconnection device, wherein the drive module is electrically connected through a conductor in the through hole.
メイン基板と、
前記メイン基板の上方に配置されたサブマウント基板と、
前記サブマウント基板を支持する支持部材と、
前記サブマウント基板の一方の面側に積み重ねて搭載された光素子モジュール及び光素子駆動モジュールとを有し、
前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、いずれも一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を有し、前記サブマウント基板の配線、前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、前記貫通孔内の導電体を介して電気的に接続されていることを特徴とする光インタコネクション装置。
A main board,
A sub-mount substrate disposed above the main substrate,
A support member for supporting the submount substrate,
Having an optical element module and an optical element driving module stacked and mounted on one surface side of the submount substrate,
Each of the optical element module and the optical element drive module has a through-hole penetrating from one surface to the other surface, and the wiring of the submount substrate, the optical element module and the optical element drive module, An optical interconnection device electrically connected through a conductor in a through hole.
前記サブマウント基板の電気配線と前記メイン基板の電気配線とがフレキシブル基板を介して接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の光インタコネクション装置。The optical interconnection device according to claim 1, wherein the electric wiring of the sub-mount substrate and the electric wiring of the main substrate are connected via a flexible substrate. 前記サブマウント基板がフレキシブル基板からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の光インタコネクション装置。The optical interconnection device according to claim 1, wherein the submount substrate is made of a flexible substrate. メイン基板と、
前記メイン基板に積み重ねて搭載された光素子モジュール及び光素子駆動モジュールとを有し、
前記光素子モジュール及び前記光素子駆動モジュールは、いずれも第1の面に設けられた第1の電極と、第2の面に設けられた第2の電極と、前記第1の面から前記第2の面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に形成されて前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する導電体とを有し、各モジュール間がはんだバンプにより接合されていることを特徴とする光インタコネクション装置。
A main board,
Having an optical element module and an optical element drive module stacked and mounted on the main substrate,
Each of the optical element module and the optical element driving module includes a first electrode provided on a first surface, a second electrode provided on a second surface, and a second electrode provided on the first surface. And a conductor formed in the through-hole and electrically connecting the first electrode and the second electrode, and a solder bump is provided between each module. An optical interconnection device characterized by being joined.
電子回路間を光で接続する光インタコネクション装置を構成するインタコネクションモジュールにおいて、
第1の面に設けられた第1の電極と、
第2の面に設けられた第2の電極と、
前記第1の面から前記第2の面に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に形成されて前記第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する導電体と
を有することを特徴とするインタコネクションモジュール。
In an interconnection module constituting an optical interconnection device for connecting electronic circuits with light,
A first electrode provided on the first surface;
A second electrode provided on the second surface;
A through hole penetrating from the first surface to the second surface;
An interconnection module comprising: a conductor formed in the through hole to electrically connect the first electrode and the second electrode.
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