JP2004031372A

JP2004031372A - Solution feeder, feeding method, deposition equipment, and method of deposition

Info

Publication number: JP2004031372A
Application number: JP2002174853A
Authority: JP
Inventors: Hozumi Usui; 碓井　穂積; Hisayoshi Yamoto; 矢元　久良; Kosaku Ueda; 植田　耕作
Original assignee: Watanabe Shoko KK; M Watanabe and Co Ltd
Current assignee: Watanabe Shoko KK; M Watanabe and Co Ltd
Priority date: 2002-04-30
Filing date: 2002-06-14
Publication date: 2004-01-29

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solution feeder and a feeding method capable of feeding a solution which has no possibilities of dissolving a gas in it or deteriorating it, and deposition equipment and a deposition method making the reproducibility of deposition properties (especially, a deposition rate) satisfactory. <P>SOLUTION: A solution feeder 6 stores a solution housing 5 having flexibility and a connecting port 4 in the space 7 of a vessel 3 having a fluid induction port 1 and a solution outlet 2 with the connecting port 4 connected to the solution outlet 2. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、溶液供給装置及び供給方法並びに成膜装置及び成膜方法に係る。より詳細には、ガスの混入がない溶液を供給することが可能な溶液供給装置及び供給方法と、成膜を再現性良く行うことが可能な成膜装置及び成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近　強誘電体薄膜を採用した高速不揮発性メモリーが商品化され、急速に応用範囲が拡大する傾向にあり、このため、強誘電体薄膜を再現性・制御性良く形成するＣＶＤ技術の実用化が期待されている。　図１〜５に、京都大学・塩崎によるＣＶＤ法によるＰＺＴ薄膜の形成例を示す。
【０００３】
この発表例では、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ化合物を昇華　または蒸発させて、反応容器に導き、酸化反応をによって、強誘電体薄膜ＰＺＴの形成に成功している。
ただし、この技術では、成膜速度が小さい（３５Å／分程度）。そのため、強誘電体薄膜（厚さ約１０００Å）を採用した高速不揮発性メモリーを製作するには、ウエーハ１枚当たり３０分以上　掛かり到底　量産する事はできない。
【０００４】
図６〜９に、ソニー磯辺等が発表した、フラッシュＣＶＤ法によるＳＢＴ薄膜の形成例を示す。この技術は、大きな成膜速度（１５０〜２００Å／分）、良好な電気特性・段差被覆性・結晶性を示している。
【０００５】
フラッシュＣＶＤ法は、Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔａ化合物を溶剤に溶解し、これを圧送して、流量計を用いて流量を制御し、気化器を用いて、Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔａ化合物と溶剤を一気に蒸発・気化させる方式であるから、Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔａ化合物の蒸発速度を増大させる事が容易で、大きな成膜速度１５０〜２００Å／分を容易に実現することができる。
【０００６】
ただし、気化器を用いるため、気化器に起因する、成膜特性（特に堆積速度）の再現性が悪いという大きな課題があり、本発明はこの課題を解決するものである。
【０００７】
図１３に、フラッシュＣＶＤ装置の構成を示す。
【０００８】
Ｂｉ，Ｓｒ，Ｔａ化合物をヘキサンに溶解した溶液タンクＡ，Ｂを用意し、これをアルゴンまたはヘリウムガスを用いて３気圧（ゲージ圧）に加圧し、圧送する。圧送された溶液を流量計（ＬＭＦＣ１，２）を用いて流量を制御し、気化器を経由して、約４２０℃に加熱したプロセスチャンバーに流し酸素ガスと反応させてＳｒ，Ｂｉ，Ｔａ酸化物を形成し、シリコンウエーハ上に薄膜を堆積する。
【０００９】
ところが、Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔａ酸化物薄膜のシリコンウエーハ上の堆積速度が大きくばらつく現象を発見し、この原因が、溶液圧送用加圧ガスの溶解と気泡化によるものであることを発見した。
【００１０】
溶液の気化器構造を図６，１０〜１３に示す。また、図１４〜１７には、気泡の評価について示す。
【００１１】
ヘキサン溶液は、アルゴンかヘリウムによって３気圧（ゲージ）に加圧されるが、流量計によって０．　０２〜０．１０　ｃｃ／ｍｉｎ．に制御されると溶液の圧力は約１気圧（ゲージ）に低下する。
【００１２】
溶液へのガスの溶解量は圧力に比例するから、溶液の圧力低下に伴い、溶解していたガスが気泡になる。
【００１３】
溶液配管を従来のステンレスから白色透明のフッ素樹脂パイプに変更すると、気泡を目視で観察する事ができる。これを表１に示す。従来のアルゴン加圧（図６）では、気泡が５０％に達する事が観察されたが、ヘリウム加圧では、気泡発生を０％に低下させる事もできた（表１）。
【００１４】
溶解した加圧ガスを脱気する装置を図１５，１６に示す。
【００１５】
表６、表７には、溶媒の蒸気圧と気体の溶解度を示した。表７には、溶媒がヘキサンの場合アルゴンは　２．５２×１０^−３ｍｏｌ、ヘリウムは２．６０１０^−４ｍｏｌ溶解する事が記載されている（ただし分圧が１ａｔｍの場合）。アルゴンは、ヘキサン１ｃｃに０．４３ｃｃ溶解するがヘリウムは０．０４ｃｃしか溶解しない事が計算できるが、これは観察結果と概ね一致する。
【００１６】
気泡は、溶液の圧力が急低下すると発生するが、この原因は溶存ガスの脱気である。さらに気化器は減圧された反応チャンバー（約１Ｔｏｒｒ）に接続して使用されるから、溶媒の圧力を溶媒の蒸気圧以下に減圧すると、今度は溶媒が気化し気泡が発生する。発生した気泡は溶液流量の精密制御を不可能にする。これを表１〜５に示す。
【００１７】
【表１】

【００１８】
【表２】

【００１９】
【表３】

【００２０】
【表４】

【００２１】
【表５】

容器圧力はゲージ圧で示す。
液体用マスフローコントローラの略であり、２５℃、１ａｔｍでの値を示す。
ライン出口の圧力［Ｔｏｒｒ］は、絶対圧で示す。
【００２２】
各チューブの外径，内径は
ＰＦＡ　１／８^〃　チューブ　　：外径　φ３．２　　内径　φ１．３２
ＰＦＡ　１／１６^〃　チューブ：外径　φ１．６　　内径　φ０．８
ポリイミドチューブ：外径　φ２．６　　内径　φ２．２５
【００２３】
気泡発生、気泡占有率における記号の説明
○：気泡の発生が視認出来なかったことを示す。
△：気泡の発生がわずかに視認されたことを示す。
×：気泡の発生が大量に視認されたことを示す。
気泡占有率は一定時間ＬＭＦＣから観測位置にでてきた気泡と液体の長さを計測して、気泡の長さを全長で割った値を気泡率とした。
【００２４】
【表６】

【００２５】
【表７】

【００２６】
溶液気化式ＣＶＤ法において、液体を気化器へ圧送する際に気体を用いて、液体を加圧する方法が広く採用されている。これは加圧が簡単な装置で、安価に、高精度で行う事ができるである。
【００２７】
ところが、高圧気体（圧力２〜５気圧）で液体を加圧すると、この気体が溶液に大量に溶存するため、様々な問題を起すことが分った。
【００２８】
すなわち、従来の技術には次ぎの諸々の課題がある。
【００２９】
１．従来の気体加圧による圧送は、容器に圧送される液体を入れ、容器内を加圧気体で直接圧送している。その為に加圧気体が圧送される液体に溶け、それがプロセスに大きく影響を及ぼす場合が観測され、脱気する必要があった。
２．十二分に脱気するのは容易には出来ない。
３．圧送される液に、加圧気体が直接ふれるため、十二分に高純度な気体即ち高価なガスを必要とする。
４．同様に圧送される液の性質を変化させるような気体は使用できないため加圧気体の種類を検討し、適切な気体を採用する必要がある。
５．加圧容器は繰り返し使用するので、再度　溶液を充填する前に、容器内部を十二分に洗浄する必要がある。
６．ポンプを使用した圧送では、異物の発生や脈動が発生してしまう。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は従来の加圧圧送による溶液供給が有する課題を解決するものである。
【００３１】
強誘電体等の薄膜をＣＶＤ法によって形成する際に生じる問題点を解決するものである。
【００３２】
本発明は、気体が溶け込んだり、変質させることが無い溶液を供給することが可能な溶液供給装置及び供給方法を提供することを目的とする。
【００３３】
本発明は、成膜特性（特に堆積速度）の再現性を良好たらしめる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
本発明の溶液供給装置は、流体導入口と溶液出口とを有する加圧容器内に、柔軟性を有し、接続口を有する溶液収納体を、該接続口と該溶液出口とを接続して収納してなることを特徴とする。
【００３５】
本発明の溶液供給装置は、流体導入口と溶液出口とを有する容器内に、開口部を有するベーローズを、該開口部と該溶液出口とを連通させて収納してなることを特徴とする。
【００３６】
本発明の溶液供給装置は、原料溶液源に逆止弁を介して連通する溶液入口、と原料溶液供給先に連通する溶液出口を有する容器と、該容器内に往復運動可能に設けられたピストンと、該ピストンを駆動するための手段とを有することを特徴とする。
【００３７】
本発明の溶液供給装置は、原料溶液供給先に連通する溶液出口を有する可撓性の袋状容器と、該袋状容器を圧縮するためのローラとを有することを特徴とする。
【００３８】
本発明の溶液供給方法は、流体導入口と溶液出口とを有する容器内に、柔軟性を有し、接続口を有する溶液収納体を、該接続口と該溶液出口とを連通させて収納し、該流体導入口から流体を導入し、該溶液収納体内に収納された溶液を該溶液出口から外部へ供給することを特徴とする。
【００３９】
本発明の成膜装置は、流体導入口と溶液出口とを有し、容器内に、柔軟性を有し、接続口を有する溶液収納体を、該接続口と該溶液出口とを連通させて収納してなる溶液供給装置を有することを特徴とする。
【００４０】
本発明の成膜方法は、流体導入口と溶液出口とを有する容器内に、柔軟性を有し、接続口を有する溶液収納体を、該接続口と該溶液出口とを連通させて収納し、該流体導入口から流体を導入し、該溶液収納体内に収納された溶液を該溶液出口から成膜装置へ供給することを特徴とする。
【００４１】
本発明における溶液としては、気泡の混入を嫌う溶液が好適用いられる。従来の技術の欄において述べたものがより好適に用いられる。なお、膜の組成成分を溶解前の溶媒・溶剤自体もここでいう溶液ないし原料溶液に含まれる。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
図１８に本発明の実施例に係る溶液供給装置を示す。
【００４３】
本例に示す溶液供給装置６は、流体導入口１と溶液出口２とを有する加圧容器３の空間７内に、柔軟性を有し、接続口４を有する溶液収納体５を、接続口４と溶液出口２とを連通させて収納してある。。
【００４４】
容器３は、その流体導入口から内部の空間７内に流体が導入されたときの圧力に耐えうる材料により構成される。例えば、金属、耐圧ガラスなどにより構成すればよい。また、外部から空間７を見ることができるようにすることが好ましい。
【００４５】
容器３の内部を外部から見ることができるようにしておくことが好ましい。容器３の全部又は一部を透明とすることが好ましい。あるいは覗き窓を設けてもよい。他の実施例においても同様である。本例では、溶液収納体５を外部から観察できその大きさから残存溶液量を知ることができる。
【００４６】
なお、溶液収納体５の一部又は全部を透明とすることにより、残存する溶液量を直接知ることができる。
【００４７】
容器３は、流体導入口１と溶液出口２とを有している。これらの位置は特に限定されない。なお、本例では、図示していないが容器３の空間７内に溶液収納体５を収納するために容器３は開閉可能となっている。
【００４８】
流体導入口１は、バルブを介して流体源に接続されている。流体源から流体が、容器３の空間７に導入される。流体は加圧流体が用いられる。流体としてはガスが取り扱いの容易性から好適に用いられるが、液体であってもよい。また、半流動体でもよい。流体には、特に高純度が要求されるわけではなく、例えば、空気、水を用いてもよい。
【００４９】
一方、溶液出口２はバルブを介して溶液使用先に接続されている。溶液使用先は溶液の種類により異なるが、例えば、ＭＯＣＶＤ装置その他の成膜装置、半導体製造装置、洗浄装置、薬剤・薬品製造装置などがあげられる。
【００５０】
容器３を開閉してその空間７内に溶液収納体５を収納する。
【００５１】
溶液収納体５は柔軟性の材料により構成される。すなわち、溶液収納体５の外部に圧力がかかった場合、収縮する材料により構成される。例えば、可撓性を有するプラスチック材料により構成すればよい。また、内部に収納する溶液に対する耐食性を有することが必要である。なお、溶液収納体５の外側を加圧気体に侵されない材質でコーティングし、耐久性を上げる事が出来る。また、溶液収納体５の内部を、溶液に対する耐食性を有するう材料によりコーティングしてもよい。
【００５２】
溶液収納体５は、接続口４を有している。この接続口４と溶液出口２とを接続する。この接続により容器３の空間７と溶液出口２とは非連通状態となる。
【００５３】
なお、図に示す例では、溶液出口２の空間７側に接続ポート８を設けてあり、この接続ポート８と接続口４とを例えば継手（図示せず）により接続する。また、接続ポート８の先端を針状としておき、この針状の部分を溶液収納体５に突き刺すことにより溶液収納体５と溶液出口２とを接続してもよい。この場合、接続口４は、突き出しを突き刺した部分となる。なお、針状の部分の先端を矢形状としておけば、針状の部分を溶液収納体５に突き刺した後に針状の部分は溶液収納体５からはずれ難くなるため好ましい。
【００５４】
溶液収納体５は、柔軟性あるいは可撓性を有し、内部に収納する溶液に対する耐食性を有する材料から構成される。また、溶液の量が目視できるようにするために透明とすることが好ましい。
【００５５】
溶液供給装置により供給する溶液としては、ガスの混入を嫌う溶液に適用することが発明の効果をよりよく発揮できる。半導体の洗浄用薬液、超純水の供給にも好適に用いられる。また、特に、ＭＯＣＶＤ用の原料溶液により好適に用いられる。例えば、Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔａ化合物などを溶剤に溶解した原料溶液が例示される。これら原料溶液は。ＭＯＣＶＤ装置の気化器に供給される。ガスが混入していない原料溶液を気化器に供給することにより成膜特性（特に成膜速度）の再現をきわめて高くすることが可能となる。
【００５６】
内部に所定の溶液を収納した溶液収納体５を容器３の空間７内に収納し、接続口４と溶液出口２とを接続した後、容器３を閉じて密閉状態とする。
【００５７】
密閉状態とした後、流体導入口１から容器３の空間７内に流体を導入する。流体が導入されると空間７の圧力は増加する。溶液収納体５は柔軟性を有しているため、空間７の圧力が増加すると収縮し、接続口４から溶液は、外部に供給される。
【００５８】
空間７内の圧力を制御することにより溶液の供給量を制御することが可能となる。流体導入口１の上流側に圧力計ないしマスフローコントローラを設けておけば溶液の供給量をより精度高く制御することが可能となる。
【００５９】
このように、溶液はガスなどの流体と接触することがないためガスの混入のない溶液をユースポイントに供給することが可能となる。
【００６０】
（実施例２）
図１９に実施例２に係る溶液供給装置を示す。
【００６１】
溶液供給装置６は、流体導入口１と溶液出口２とを有する容器３内に、開口部１０を有するベーローズ１１を、開口部１０と溶液出口２とを連通させて収納してある。
【００６２】
本例では、ベローズ１１は、容器３の上部に接着により取り付けてある。もちろん取りつけ位置は任意の場所でよい。溶液出口２と開口部１０とが連通していればよい。
【００６３】
ベローズ１１の内部に供給しようとする原料溶液を９を収納しておく。流体導入口１からガスあるいは液体、半流動体などの流体を導入する。流体は、ベーローズ１１の外側と容器３の内側により形成される空間１３に導入される。流体の導入を続けるとこの空間１３は、流体により充填され、空間１３内の圧力が増加し、ベローズ１１の収縮が始まる。ベローズ１１の収縮により、ベローズ１１内に収納された原料溶液は加圧され、開口部１０２を介して溶液出口２から外部へ供給される。
【００６４】
供給を終了した時点で流体導入口１に設けられたバルブ１４を閉じる。供給を再開する場合は、バルブ１４を開にして流体を導入すればよい。
【００６５】
なお、本例では、排出口１５及びバルブ１６を設けてあり、空間１３内に導入された流動体を必要に応じで排出することができる。例えば、容器３の内部を清掃する場合に用いられる。この際には、流体導入口１を清掃用流体源に接続を切り替えて、清掃用流体を空間１３に導入すればよい。
【００６６】
また、流体導入口１から導入する流体の流量、圧力を制御することにより、供給する原料溶液の流量、圧力を制御すればよい。溶液出口２に流量、圧力のセンサを設けておき、そこからの信号に基づき、流体導入口１から導入する流体の流量、圧力を制御してもよい。
【００６７】
なお、ベローズの材質としては、原料溶液により侵されない材質であれば特に限定されない。金属、合金、樹脂が好適に用いられる。例えばテフロン（登録商標）を用いればよい。他の実施例においても同様である。
【００６８】
（実施例３）
図２０に実施例３に係る溶液供給装置を示す。
【００６９】
溶液供給装置６は、流体導入口１と溶液出口２とを有する容器３内に、開口部１０を有するベーローズ１１を、開口部１１と流体導入口１とを連通させて収納してある。
【００７０】
すなわち、図１９に示す例では、原料溶液はベローズ１１内に収納されていたが、本例では、ベローズ１１の外面と容器３の内面で形成される空間１３内に原料溶液９を収納している。ベローズ１１の開口部１０は、流体導入口１に連通させてある。
【００７１】
本例では、ベローズ１１の内部に流体導入口１を介して流体を導入する。ベローズ１１内部が流体により充填されるとベローズは、伸長し、空間１３内の原料溶液９に圧力を与える。その結果、原料溶液９は、溶液出口２から外部に供給される。
【００７２】
本例では、容器３の内部をみることができるようにしておけば、原料溶液の状態を直接観察することが可能となる。
【００７３】
（実施例４）
図２１に本例に係る溶液供給装置を示す。
【００７４】
本例の溶液供給装置６は、原料溶液源である予備タンク２１に逆止弁２２を介して連通する溶液入口２４と原料溶液供給先に連通する溶液出口２５を有する容器３と、容器３内に往復運動可能に設けられたピストン２８と、ピストン２８を駆動するための手段であるピストンロッド２７とエアシリンダー２６とを有する。
【００７５】
本例における容器３は円筒形状をしている。ピストン２８としては本例では円板を用いている。ピストン２８にはピストンロッド２７が取りつけてあり，ピストンロッド２７はエアシリンダー２８により駆動される。
【００７６】
なお、本例では、溶液出口２５と溶液供給先との間に減圧弁２３を設けてある。これにより溶液供給先には減圧した原料溶液を供給することができる。なお、加圧されたまま原料溶液を供給したい場合には減圧弁２３は設ける必要はない。必要応じて溶液出口下流にはマスフローコントローラなどを設けてもよい。他の実施例においても同様である。
【００７７】
ピストン２８の上昇により容器３内のピストン２８の下方部は減圧状態となり、原料溶液９は、予備タンク２１から溶液入口２４を介して容器３内に導入される。原料溶液９が容器３内に導入された後、ピストン２８を下方に移動させると原料溶液９を溶液出口２５を介して溶液供給先に供給される。なお、逆止弁２２のため原料溶液９は、予備タンク２１側には逆流しない。
【００７８】
容器３の内面は、表面仕上げが中心線平均粗さＲａで１．６ａ以下（三角記号で、▽▽▽以上）であることが好ましい。また、容器３はステンレス鋼からなることが望ましい。さらに、内面にクロムなどからなるめっきを施しておくことが好ましい。またテフロンコートなどにより、使用後の洗浄などを容易にすることも可能である。
【００７９】
予備タンク２１は、容器３内の溶液を圧送した時に減少した溶液を、容器３内に補充する溶液を貯蔵するためのタンクである。圧送毎に溶液を作成する労力を省くためのものである。容器３には、溶液の上面に接し溶液を圧送するステンレス鋼からなるピストンとなる円板を設けてある。円板の溶液に接する面の表面仕上げは、容器３の内面と同じ程度にし、この場合もテフロンコートした板を使用することも可能である。この円板にピストンロッド２７を介してエアーシリンダー２６を接続し、エアシリンダー２６内の圧力の調整により円板を上下できる機構とし、円板を降下する時に溶液を溶液供給先へ圧送する。
【００８０】
この圧送する時に、円板と容器３の内面との隙間から溶液が漏れる恐れがある。この溶液の漏れを防止する機構の例を図２１における（ａ）、（ｂ）に示す。図２１の（ａ）、（ｂ）の斜線部で現したように円板の円周に沿って、テフロン（登録商標）などの耐磨耗性に優れた軟質の材料を容器３の内面に押しつけ密着するように取りつけ、溶液の漏れ防止と容器３の内面と円板の側面の擦れを防止する。原料溶液９と円板の空間にガスが生じた場合にそのガスを抜くための空気孔をつけることも可能である。
【００８１】
（実施例５）
図２２に本実施例に係る溶液供給装置を示す。
【００８２】
原料溶液供給先に連通する溶液出口２５を有する可撓性の袋状容器３と、袋状容器３を圧縮するためのロール３２とを有する。
【００８３】
袋状容器３内に原料溶液９を収納しておき、袋状容器３をロール３２で圧縮する。袋状容器３内の原料溶液９は溶液出口２５から溶液供給先である気化器に供給される。
【００８４】
以上の実施例のいずれにおいても溶液がガスと接触することがないため成膜装置などの溶液供給先に外部からのガスの混入がない溶液を供給することができる。
【００８５】
特に、気化器に供給する場合には気泡の存在による従来の技術で述べた問題は生じることがない。例えば、気化器を通して成膜装置に供給する場合、気泡に起因する原料溶液を一時的途切れもなく供給することができる。その結果、安定した気化、ひいては成膜装置における安定した堆積速度を達成することができる。
【００８６】
この容器を採用したら、気泡が殆んど発生しない事が観察された。
【００８７】
【発明の効果】
１．　圧送される液体を、それで侵されずまた柔軟性のある材質の袋に入れ、それを圧力容器にいれて袋の外側から気体などの流体にて加圧し液を圧送する。
これにより直接加圧気体と液が接触しないために気体が溶け込んだり、変質させることが無い。
２．気体が溶け込まないために脱気工程の必要が無くなる。
３．液の充填の際は、液が入れられた袋を交換するようにするため、容器内を洗浄する必要が無い、万が一洗浄するとしても、液に直接に触れていないために簡易な洗浄で使用に耐えられる。
４．袋と配管接続部は、容器内に設けられた針を袋に設けられた接続部に刺すことにより、簡単に接続が出来る。このことにより、従来より液の補充時に雰囲気と遮断することが大変であったがそれを容易に行う事が出来る。
必要においては、容器内を溶媒で満たし、その後に針にて接続し、溶媒を通して加圧する事によって、雰囲気を完全に遮断しての接続が可能となる。
５．容器外壁に透明窓を設置する容器。
６．容器が安価に作成できるため、使い捨てしても、容器再洗浄よりも遥か安価になる。
７．　容器外壁に透明窓を設置し、液を充填した袋の充填液量の減少を簡単に・正確に目視検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＣＶＤ法によるＰＺＴ薄膜の形成例である。
【図２】従来のＣＶＤ法によるＰＺＴ薄膜の形成例である。
【図３】従来のＣＶＤ法によるＰＺＴ薄膜の形成例である。
【図４】従来のＣＶＤ法によるＰＺＴ薄膜の形成例である。
【図５】従来のＣＶＤ法によるＰＺＴ薄膜の形成例である。
【図６】従来のフラッシュＣＶＤ法によるＳＢＴ薄膜の形成例である。
【図７】従来のフラッシュＣＶＤ法によるＳＢＴ薄膜の形成例である。
【図８】従来のフラッシュＣＶＤ法によるＳＢＴ薄膜の形成例である。
【図９】従来のフラッシュＣＶＤ法によるＳＢＴ薄膜の形成例である。
【図１０】従来の溶液の気化器構造である。
【図１１】従来の溶液の気化器構造である。
【図１２】従来の溶液の気化器構造である。
【図１３】従来のフラッシュＣＶＤ装置の構成例をである。
【図１４】従来の気泡の評価について表す図である。
【図１５】従来の溶解した加圧ガスを脱気する装置である。
【図１６】従来の溶解した加圧ガスを脱気する装置である。
【図１７】気泡発生の滞在時間・圧力依存性を示す図である。
【図１８】本発明の実施例に係る溶液供給装置を示す。
【図１９】他の実施例にかかる溶液供給装置の断面図である。
【図２０】他の実施例にかかる溶液供給装置の断面図である。
【図２１】他の実施例にかかる溶液供給装置の断面図である。
【図２２】他の実施例にかかる溶液供給装置の側面図である。
【符号の説明】
１　流体導入口
２　溶液出口
３　容器
４　接続口
５　溶液収納体
６　溶液供給装置
７　空間
８　接続ポート
９　原料溶液
１０　開口部
１１　ベローズ
１３　空間
１４　バルブ
１６　バルブ
２１　予備タンク
２２　逆止弁
２３　減圧弁
２４　溶液出口
２６　エアシリンダー
２７　ピストンロッド
２８　ピストン（円板）
３２　ロール[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a solution supply device and a supply method, and a film formation device and a film formation method. More specifically, the present invention relates to a solution supply apparatus and a supply method capable of supplying a solution without gas mixture, and a film formation apparatus and a film formation method capable of performing film formation with good reproducibility.
[0002]
[Prior art]
Recently, high-speed non-volatile memories using ferroelectric thin films have been commercialized, and the application range has been rapidly expanding. For this reason, the practical use of CVD technology for forming ferroelectric thin films with good reproducibility and controllability has been increasing. Expected. 1 to 5 show examples of forming a PZT thin film by the CVD method by Kyoto University Shiozaki.
[0003]
In this example, the Pb, Zr, and Ti compounds are sublimated or evaporated, led to a reaction vessel, and an oxidation reaction is successfully performed to form a ferroelectric thin film PZT.
However, in this technique, the film formation rate is low (about 35 ° / min). Therefore, in order to manufacture a high-speed non-volatile memory using a ferroelectric thin film (thickness of about 1000 mm), it takes more than 30 minutes per wafer, and mass production is impossible.
[0004]
6 to 9 show examples of forming an SBT thin film by a flash CVD method published by Sony Isobe et al. This technique shows a high film forming rate (150 to 200 ° / min) and good electrical characteristics, step coverage, and crystallinity.
[0005]
In the flash CVD method, a Sr, Bi, Ta compound is dissolved in a solvent, and the compound is pumped, the flow rate is controlled using a flow meter, and the Sr, Bi, Ta compound and the solvent are evaporated at a stroke using a vaporizer. -Since it is a vaporization method, it is easy to increase the evaporation rate of the Sr, Bi, and Ta compounds, and a large film formation rate of 150 to 200 ° / min can be easily realized.
[0006]
However, since a vaporizer is used, there is a large problem that the reproducibility of film forming characteristics (particularly, deposition rate) is poor due to the vaporizer, and the present invention solves this problem.
[0007]
FIG. 13 shows the configuration of a flash CVD apparatus.
[0008]
Solution tanks A and B, in which Bi, Sr, and Ta compounds are dissolved in hexane, are prepared, pressurized to 3 atm (gauge pressure) using argon or helium gas, and pumped. The flow rate of the pumped solution is controlled using a flow meter (LMFC1, LMFC1), and the solution is allowed to flow through a vaporizer into a process chamber heated to about 420 ° C., where it reacts with oxygen gas to react with Sr, Bi, and Ta oxides. Is formed, and a thin film is deposited on the silicon wafer.
[0009]
However, the inventors discovered a phenomenon in which the deposition rate of the Sr, Bi, Ta oxide thin film on the silicon wafer fluctuates greatly, and discovered that this was due to the dissolution of the pressurized gas for solution pumping and the formation of bubbles.
[0010]
The solution vaporizer structure is shown in FIGS. 14 to 17 show the evaluation of bubbles.
[0011]
The hexane solution is pressurized to 3 atmospheres (gauge) with argon or helium, but with a flow meter. 02 to 0.10 cc / min. , The pressure of the solution drops to about 1 atmosphere (gauge).
[0012]
Since the amount of gas dissolved in the solution is proportional to the pressure, the dissolved gas becomes bubbles as the pressure of the solution decreases.
[0013]
When the solution pipe is changed from a conventional stainless steel to a white transparent fluororesin pipe, bubbles can be visually observed. This is shown in Table 1. With conventional argon pressurization (FIG. 6), it was observed that bubbles reached 50%, but with helium pressurization, it was possible to reduce the bubble generation to 0% (Table 1).
[0014]
An apparatus for degassing the dissolved pressurized gas is shown in FIGS.
[0015]
Tables 6 and 7 show the vapor pressure of the solvent and the solubility of the gas. Table 7 describes that when the solvent is hexane, 2.52 × 10 ⁻³ mol of argon and 2.610 ⁻⁴ mol of helium dissolve (when the partial pressure is 1 atm). It can be calculated that 0.43 cc of argon is dissolved in 1 cc of hexane, but only 0.04 cc of helium is dissolved, which is almost in agreement with the observation result.
[0016]
Bubbles are generated when the pressure of the solution drops sharply, which is caused by degassing of the dissolved gas. Further, since the vaporizer is used by being connected to a reduced pressure reaction chamber (about 1 Torr), when the pressure of the solvent is reduced to a value lower than the vapor pressure of the solvent, the solvent is vaporized and bubbles are generated. The generated bubbles make precise control of the solution flow impossible. This is shown in Tables 1-5.
[0017]
[Table 1]

[0018]
[Table 2]

[0019]
[Table 3]

[0020]
[Table 4]

[0021]
[Table 5]

Container pressure is indicated by gauge pressure.
It is an abbreviation for mass flow controller for liquid, and indicates a value at 25 ° C. and 1 atm.
The pressure [Torr] at the line outlet is indicated by an absolute pressure.
[0022]
The outer diameter of each tube, an inner diameter of PFA 1/8 ^〃 tube: Outer diameter φ3.2 inner diameter φ1.32
PFA 1/16 ^〃 tube: Outer diameter φ1.6 inner diameter φ0.8
Polyimide tube: Outer diameter φ2.6 Inner diameter φ2.25
[0023]
Explanation of symbols in bubble generation and bubble occupancy ratio ：: Indicates that bubble generation was not visually recognized.
Δ: Indicates that the generation of bubbles was slightly visually recognized.
X: It shows that generation of air bubbles was visually recognized in large quantities.
The bubble occupancy was determined by measuring the lengths of the bubbles and the liquid that came out of the observation position from the LMFC for a certain period of time, and dividing the length of the bubbles by the total length as the bubble ratio.
[0024]
[Table 6]

[0025]
[Table 7]

[0026]
In a solution vaporization type CVD method, a method of pressurizing a liquid by using a gas when the liquid is pressure-fed to a vaporizer is widely used. This is an apparatus that can be easily pressurized, and can be performed at low cost and with high accuracy.
[0027]
However, it has been found that when a liquid is pressurized with a high-pressure gas (pressure 2 to 5 atm), a large amount of this gas is dissolved in the solution, which causes various problems.
[0028]
That is, the conventional technique has the following various problems.
[0029]
1. In conventional pumping by gas pressurization, a liquid to be pumped is put into a container, and the inside of the container is directly pumped by a pressurized gas. For this reason, it has been observed that the pressurized gas dissolves in the liquid to be pumped, which greatly affects the process, and it is necessary to degas.
2. It is not easy to degas enough.
3. Since the pressurized gas directly touches the liquid to be pumped, a gas having a sufficiently high purity, that is, an expensive gas is required.
4. Similarly, a gas that changes the properties of the liquid to be pumped cannot be used, so it is necessary to consider the type of pressurized gas and to adopt an appropriate gas.
5. Since the pressurized container is used repeatedly, it is necessary to thoroughly clean the inside of the container before refilling the solution.
6. In the case of pumping using a pump, the generation of foreign substances and pulsation occur.
[0030]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention is to solve the problem of the conventional solution supply by pressurized pumping.
[0031]
An object of the present invention is to solve a problem that occurs when a thin film such as a ferroelectric is formed by a CVD method.
[0032]
An object of the present invention is to provide a solution supply device and a supply method capable of supplying a solution that does not cause gas to dissolve or deteriorate.
[0033]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of improving reproducibility of film forming characteristics (particularly, deposition rate).
[0034]
[Means for Solving the Problems]
Solution supply device of the present invention, in a pressurized container having a fluid inlet and a solution outlet, has flexibility, a solution container having a connection port, by connecting the connection port and the solution outlet It is characterized by being stored.
[0035]
The solution supply device according to the present invention is characterized in that a bellows having an opening is housed in a container having a fluid inlet and a solution outlet so that the opening and the solution outlet communicate with each other.
[0036]
The solution supply device of the present invention includes a container having a solution inlet communicating with a source solution source via a check valve, a solution outlet communicating with a source solution supply destination, and a piston provided in the container so as to be able to reciprocate. And means for driving the piston.
[0037]
The solution supply apparatus according to the present invention includes a flexible bag-shaped container having a solution outlet communicating with a raw material solution supply destination, and a roller for compressing the bag-shaped container.
[0038]
In the solution supply method of the present invention, in a container having a fluid inlet and a solution outlet, a solution container having flexibility and a connection port is stored by connecting the connection port and the solution outlet. A fluid is introduced from the fluid inlet, and the solution contained in the solution container is supplied to the outside from the solution outlet.
[0039]
The film forming apparatus of the present invention has a fluid introduction port and a solution outlet, and has a flexibility, a solution container having a connection port in a container, and the connection port and the solution outlet are communicated. It is characterized by having a solution supply device housed therein.
[0040]
In the film forming method of the present invention, in a container having a fluid inlet and a solution outlet, a solution container having flexibility and a connection port is stored by connecting the connection port and the solution outlet. A fluid is introduced from the fluid inlet, and the solution contained in the solution container is supplied to the film forming apparatus from the solution outlet.
[0041]
As the solution in the present invention, a solution that refuses to mix air bubbles is preferably used. Those described in the section of the prior art are more preferably used. The solvent or solvent itself before dissolving the constituent components of the film is also included in the solution or the raw material solution.
[0042]
【Example】
(Example 1)
FIG. 18 shows a solution supply device according to an embodiment of the present invention.
[0043]
The solution supply device 6 shown in the present example includes a solution container 5 having a flexible connection port 4 in a space 7 of a pressurized container 3 having a fluid inlet 1 and a solution outlet 2. 4 and the solution outlet 2 are stored in communication with each other. .
[0044]
The container 3 is made of a material that can withstand the pressure when a fluid is introduced into the internal space 7 from the fluid introduction port. For example, it may be made of metal, pressure-resistant glass, or the like. Further, it is preferable that the space 7 can be seen from the outside.
[0045]
It is preferable that the inside of the container 3 can be seen from the outside. It is preferable that all or part of the container 3 be transparent. Alternatively, a viewing window may be provided. The same applies to other embodiments. In this example, the solution container 5 can be observed from the outside, and the amount of the remaining solution can be known from its size.
[0046]
By making part or all of the solution container 5 transparent, the amount of the remaining solution can be directly known.
[0047]
The container 3 has a fluid inlet 1 and a solution outlet 2. These positions are not particularly limited. In this example, although not shown, the container 3 is openable and closable in order to store the solution container 5 in the space 7 of the container 3.
[0048]
The fluid inlet 1 is connected to a fluid source via a valve. Fluid from a fluid source is introduced into the space 7 of the container 3. The fluid used is a pressurized fluid. As the fluid, gas is preferably used because of easy handling, but liquid may be used. Further, a semi-liquid may be used. The fluid does not need to have particularly high purity. For example, air and water may be used.
[0049]
On the other hand, the solution outlet 2 is connected to a solution use destination via a valve. The place where the solution is used varies depending on the type of the solution, and examples thereof include a MOCVD apparatus and other film forming apparatuses, semiconductor manufacturing apparatuses, cleaning apparatuses, and chemical / chemical manufacturing apparatuses.
[0050]
The container 3 is opened and closed, and the solution container 5 is stored in the space 7.
[0051]
The solution container 5 is made of a flexible material. That is, when a pressure is applied to the outside of the solution container 5, it is made of a material that contracts. For example, it may be made of a plastic material having flexibility. Further, it is necessary to have corrosion resistance to the solution contained therein. The outside of the solution container 5 can be coated with a material that is not affected by the pressurized gas, and the durability can be improved. Further, the inside of the solution container 5 may be coated with a material having corrosion resistance to the solution.
[0052]
The solution container 5 has a connection port 4. The connection port 4 and the solution outlet 2 are connected. By this connection, the space 7 of the container 3 and the solution outlet 2 are in a non-communication state.
[0053]
In the example shown in the figure, a connection port 8 is provided on the space 7 side of the solution outlet 2, and the connection port 8 and the connection port 4 are connected by, for example, a joint (not shown). Alternatively, the tip of the connection port 8 may be needle-shaped, and the needle-shaped portion may be pierced into the solution container 5 to connect the solution container 5 and the solution outlet 2. In this case, the connection port 4 is a portion where the protrusion is pierced. In addition, it is preferable that the tip of the needle-shaped portion is formed in an arrow shape because the needle-shaped portion hardly comes off from the solution container 5 after the needle-shaped portion is pierced into the solution container 5.
[0054]
The solution container 5 is made of a material having flexibility or flexibility and having corrosion resistance to a solution contained therein. Further, it is preferable to make the solution transparent so that the amount of the solution can be visually checked.
[0055]
As the solution supplied by the solution supply device, the effect of the present invention can be better exhibited when applied to a solution that refuses to mix gas. It is also suitably used for supplying semiconductor cleaning chemicals and ultrapure water. Particularly, it is more preferably used as a raw material solution for MOCVD. For example, a raw material solution in which an Sr, Bi, Ta compound or the like is dissolved in a solvent is exemplified. These raw material solutions are: It is supplied to the vaporizer of the MOCVD apparatus. By supplying a raw material solution containing no gas to the vaporizer, the reproduction of the film forming characteristics (particularly, the film forming speed) can be extremely enhanced.
[0056]
A solution container 5 containing a predetermined solution therein is accommodated in the space 7 of the container 3 and the connection port 4 and the solution outlet 2 are connected, and then the container 3 is closed to be in a sealed state.
[0057]
After the hermetically closed state, a fluid is introduced from the fluid introduction port 1 into the space 7 of the container 3. When the fluid is introduced, the pressure in the space 7 increases. Since the solution container 5 has flexibility, it contracts when the pressure in the space 7 increases, and the solution is supplied from the connection port 4 to the outside.
[0058]
By controlling the pressure in the space 7, the supply amount of the solution can be controlled. If a pressure gauge or a mass flow controller is provided on the upstream side of the fluid introduction port 1, the supply amount of the solution can be controlled with higher accuracy.
[0059]
As described above, since the solution does not come into contact with a fluid such as a gas, it is possible to supply a solution containing no gas to the point of use.
[0060]
(Example 2)
FIG. 19 shows a solution supply device according to the second embodiment.
[0061]
In the solution supply device 6, a bellows 11 having an opening 10 is housed in a container 3 having a fluid inlet 1 and a solution outlet 2 by communicating the opening 10 with the solution outlet 2.
[0062]
In this example, the bellows 11 is attached to the upper part of the container 3 by adhesion. Of course, the mounting position may be any position. It is sufficient that the solution outlet 2 and the opening 10 communicate with each other.
[0063]
A raw material solution 9 to be supplied is stored in the bellows 11. A fluid such as gas, liquid, or semi-fluid is introduced from the fluid inlet 1. The fluid is introduced into a space 13 formed by the outside of the bellows 11 and the inside of the container 3. When the introduction of the fluid is continued, the space 13 is filled with the fluid, the pressure in the space 13 increases, and the bellows 11 starts to contract. Due to the contraction of the bellows 11, the raw material solution stored in the bellows 11 is pressurized and supplied to the outside from the solution outlet 2 through the opening 102.
[0064]
When the supply is completed, the valve 14 provided at the fluid inlet 1 is closed. When the supply is restarted, the valve 14 may be opened to introduce the fluid.
[0065]
In this example, the discharge port 15 and the valve 16 are provided, and the fluid introduced into the space 13 can be discharged as needed. For example, it is used when cleaning the inside of the container 3. In this case, the connection of the fluid inlet 1 to the cleaning fluid source may be switched to introduce the cleaning fluid into the space 13.
[0066]
Also, the flow rate and pressure of the raw material solution to be supplied may be controlled by controlling the flow rate and pressure of the fluid introduced from the fluid inlet 1. A flow rate and pressure sensor may be provided at the solution outlet 2 and the flow rate and pressure of the fluid introduced from the fluid inlet 1 may be controlled based on a signal from the sensor.
[0067]
The material of the bellows is not particularly limited as long as it is a material that is not attacked by the raw material solution. Metals, alloys, and resins are preferably used. For example, Teflon (registered trademark) may be used. The same applies to other embodiments.
[0068]
(Example 3)
FIG. 20 illustrates a solution supply device according to the third embodiment.
[0069]
In the solution supply device 6, a bellows 11 having an opening 10 is housed in a container 3 having a fluid inlet 1 and a solution outlet 2 with the opening 11 communicating with the fluid inlet 1.
[0070]
That is, in the example shown in FIG. 19, the raw material solution is stored in the bellows 11, but in this example, the raw material solution 9 is stored in the space 13 formed by the outer surface of the bellows 11 and the inner surface of the container 3. I have. The opening 10 of the bellows 11 communicates with the fluid inlet 1.
[0071]
In this example, a fluid is introduced into the bellows 11 through the fluid introduction port 1. When the inside of the bellows 11 is filled with the fluid, the bellows expands and applies pressure to the raw material solution 9 in the space 13. As a result, the raw material solution 9 is supplied from the solution outlet 2 to the outside.
[0072]
In this example, if the inside of the container 3 can be viewed, the state of the raw material solution can be directly observed.
[0073]
(Example 4)
FIG. 21 shows a solution supply device according to this example.
[0074]
The solution supply device 6 of the present embodiment includes a container 3 having a solution inlet 24 communicating with a reserve tank 21 serving as a source solution source via a check valve 22 and a solution outlet 25 communicating with a source solution supply destination. And a piston rod 27 and an air cylinder 26, which are means for driving the piston 28.
[0075]
The container 3 in this example has a cylindrical shape. In this example, a disk is used as the piston 28. A piston rod 27 is attached to the piston 28, and the piston rod 27 is driven by an air cylinder 28.
[0076]
In this example, a pressure reducing valve 23 is provided between the solution outlet 25 and the solution supply destination. In this way, a reduced pressure raw material solution can be supplied to the solution supply destination. When it is desired to supply the raw material solution while being pressurized, the pressure reducing valve 23 does not need to be provided. If necessary, a mass flow controller or the like may be provided downstream of the solution outlet. The same applies to other embodiments.
[0077]
The lower portion of the piston 28 in the container 3 is depressurized by the rise of the piston 28, and the raw material solution 9 is introduced into the container 3 from the preliminary tank 21 via the solution inlet 24. After the raw material solution 9 is introduced into the container 3, when the piston 28 is moved downward, the raw material solution 9 is supplied to the solution supply destination via the solution outlet 25. The raw material solution 9 does not flow backward to the auxiliary tank 21 because of the check valve 22.
[0078]
The inner surface of the container 3 preferably has a surface finish having a center line average roughness Ra of 1.6a or less (triangle symbol, ▽▽▽ or more). The container 3 is desirably made of stainless steel. Further, it is preferable that the inner surface is plated with chromium or the like. It is also possible to facilitate cleaning after use by using a Teflon coat or the like.
[0079]
The spare tank 21 is a tank for storing a solution that replenishes the solution reduced when the solution in the container 3 is pumped into the container 3. This is to save the labor of preparing a solution for each pumping. The container 3 is provided with a disk serving as a piston made of stainless steel, which is in contact with the upper surface of the solution and pumps the solution. The surface finish of the surface of the disk that is in contact with the solution is made the same as that of the inner surface of the container 3, and in this case, it is also possible to use a Teflon-coated plate. An air cylinder 26 is connected to this disk via a piston rod 27, and a mechanism capable of moving the disk up and down by adjusting the pressure in the air cylinder 26 is provided. When the disk is lowered, the solution is pressure-fed to a solution supply destination.
[0080]
During this pressure feeding, the solution may leak from the gap between the disc and the inner surface of the container 3. Examples of the mechanism for preventing the solution from leaking are shown in FIGS. 21 (a) and (b). Along with the circumference of the disk, a soft material having excellent wear resistance such as Teflon (registered trademark) is coated on the inner surface of the container 3 along the circumference of the disk as shown by hatched portions in FIGS. 21 (a) and 21 (b). It is pressed and attached so as to prevent the solution from leaking and prevent the inner surface of the container 3 from rubbing against the side surface of the disk. When gas is generated in the space between the raw material solution 9 and the disk, an air hole for removing the gas can be provided.
[0081]
(Example 5)
FIG. 22 shows a solution supply device according to this embodiment.
[0082]
It has a flexible bag-shaped container 3 having a solution outlet 25 communicating with a source solution supply destination, and a roll 32 for compressing the bag-shaped container 3.
[0083]
The raw material solution 9 is stored in the bag-shaped container 3, and the bag-shaped container 3 is compressed by the roll 32. The raw material solution 9 in the bag-shaped container 3 is supplied from a solution outlet 25 to a vaporizer as a solution supply destination.
[0084]
In any of the above embodiments, since the solution does not come into contact with the gas, it is possible to supply a solution to which a gas is not mixed from the outside to a solution supply destination such as a film forming apparatus.
[0085]
In particular, when supplying to a vaporizer, the problem described in the prior art due to the presence of bubbles does not occur. For example, when supplying to a film forming apparatus through a vaporizer, a raw material solution caused by air bubbles can be supplied without interruption. As a result, a stable vaporization and a stable deposition rate in the film forming apparatus can be achieved.
[0086]
When this container was employed, it was observed that almost no bubbles were generated.
[0087]
【The invention's effect】
1. The liquid to be pumped is put into a bag made of a flexible material which is not damaged by the liquid, and is put in a pressure vessel, and pressurized with a fluid such as gas from the outside of the bag to pump the liquid.
As a result, since the pressurized gas does not come into contact with the liquid, the gas does not dissolve or deteriorate.
2. Since the gas does not dissolve, the need for the degassing step is eliminated.
3. When filling liquid, it is not necessary to wash the inside of the container to replace the bag containing the liquid. Even if it is to be cleaned, it is used for simple cleaning because it does not directly touch the liquid Can withstand.
4. The connection between the bag and the pipe connection can be easily made by piercing the connection provided on the bag with a needle provided in the container. This makes it difficult to shut off the atmosphere during replenishment of the liquid than before, but this can be done easily.
If necessary, the container can be filled with a solvent, then connected with a needle, and pressurized through the solvent, thereby making it possible to make a connection while completely shutting off the atmosphere.
5. A container with a transparent window on the outer wall of the container.
6. Because containers can be made at low cost, disposables are much cheaper than re-cleaning containers.
7. By installing a transparent window on the outer wall of the container, it is possible to easily and accurately carry out a visual inspection of the decrease in the amount of the filling liquid in the bag filled with the liquid.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an example of forming a PZT thin film by a conventional CVD method.
FIG. 2 is an example of forming a PZT thin film by a conventional CVD method.
FIG. 3 is an example of forming a PZT thin film by a conventional CVD method.
FIG. 4 is an example of forming a PZT thin film by a conventional CVD method.
FIG. 5 is an example of forming a PZT thin film by a conventional CVD method.
FIG. 6 is an example of forming an SBT thin film by a conventional flash CVD method.
FIG. 7 is an example of forming an SBT thin film by a conventional flash CVD method.
FIG. 8 is an example of forming an SBT thin film by a conventional flash CVD method.
FIG. 9 is an example of forming an SBT thin film by a conventional flash CVD method.
FIG. 10 is a conventional solution vaporizer structure.
FIG. 11 is a conventional solution vaporizer structure.
FIG. 12 is a conventional solution vaporizer structure.
FIG. 13 is a configuration example of a conventional flash CVD apparatus.
FIG. 14 is a diagram illustrating evaluation of a conventional bubble.
FIG. 15 shows a conventional apparatus for degassing dissolved pressurized gas.
FIG. 16 shows a conventional apparatus for degassing a dissolved pressurized gas.
FIG. 17 is a diagram showing the dependence of bubble generation on the residence time and pressure.
FIG. 18 shows a solution supply device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a sectional view of a solution supply device according to another embodiment.
FIG. 20 is a sectional view of a solution supply device according to another embodiment.
FIG. 21 is a sectional view of a solution supply device according to another embodiment.
FIG. 22 is a side view of a solution supply device according to another embodiment.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 1 fluid inlet 2 solution outlet 3 container 4 connection port 5 solution container 6 solution supply device 7 space 8 connection port 9 raw material solution 10 opening 11 bellows 13 space 14 valve 16 valve 21 spare tank 22 check valve 23 pressure reducing valve 24 Solution outlet 26 Air cylinder 27 Piston rod 28 Piston (disk)
32 rolls

Claims

A solution characterized in that a flexible solution container having a connection port is housed in a container having a fluid inlet and a solution outlet by connecting the connection port and the solution outlet. Feeding device.

2. The solution supply device according to claim 1, wherein the inside of the container can be viewed from the outside.

The solution supply device according to claim 1, wherein all or a part of the container is transparent.

4. The solution supply device according to claim 1, wherein a part or the whole of the solution container is made transparent.

A solution supply device, comprising: a bellows having an opening in a container having a fluid inlet and a solution outlet so that the opening and the solution outlet communicate with each other.

A solution supply device comprising: a container having a fluid inlet and a solution outlet; and a bellows having an opening accommodated therein by communicating the opening with the fluid inlet.

7. The solution supply device according to claim 5, wherein the inside of the container can be viewed from the outside.

The solution supply device according to any one of claims 5 to 7, wherein all or a part of the container is transparent.

A container having a solution inlet communicating with the source solution source via a check valve, and a solution outlet communicating with the source solution supply destination, a piston provided in the container in a reciprocating manner, and for driving the piston And a solution supply device.

A solution supply device comprising: a flexible bag-shaped container having a solution outlet communicating with a raw material solution supply destination; and a roller for compressing the bag-shaped container.

The solution supply apparatus according to claim 1, wherein the solution is a raw material solution for MOCVD (metal organic chemical vapor deposition).

12. The solution supply device according to claim 1, wherein the raw material solution is a solution in which a composition component of a film is dissolved in a solvent.

13. The solution supply apparatus according to claim 1, wherein the raw material solution is a raw material solution for forming a ferroelectric thin film.

In a container having a fluid inlet and a solution outlet, a solution container having flexibility and a connection port is housed by connecting the connection port and the solution outlet, and the fluid is introduced from the fluid inlet. A solution supply method comprising: introducing a solution contained in the solution container and supplying the solution from the solution outlet to the outside.

A solution containing a fluid container having flexibility and a connection port in a pressurized container having a fluid introduction port and a solution outlet, and having the connection port and the solution outlet communicated with each other. A film forming apparatus having a supply device.

The film forming apparatus according to claim 15, wherein the film forming apparatus is a MOCVD apparatus.

17. The solution supply method according to claim 15, wherein the raw material solution is a solution in which a composition component of a film is dissolved in a solvent.

18. The solution supply method according to claim 15, wherein the raw material solution is a raw material solution for forming a ferroelectric thin film.

14. A film forming apparatus to which the solution supply device according to claim 1 is connected.

A film forming method comprising supplying a raw material solution to a film forming apparatus using the solution supplying apparatus according to any one of claims 1 to 13.