JP2004022438A - Display device - Google Patents

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JP2004022438A JP2002178314A JP2002178314A JP2004022438A JP 2004022438 A JP2004022438 A JP 2004022438A JP 2002178314 A JP2002178314 A JP 2002178314A JP 2002178314 A JP2002178314 A JP 2002178314A JP 2004022438 A JP2004022438 A JP 2004022438A
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Kosuke Terada
寺田 幸祐
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which the life of an element is extended by preventing element deterioration caused by the unevenness of a scattering layer or a reflection scattering layer. <P>SOLUTION: While an organic EL display 1 is provided with an Al reflection film 6 in which light is made to be scattered and reflected on the surface of a glass substrate 5 by the unevenness and an element 3 displaying a picture, and with a flat layer 7 prepared between the Al reflection film 6 and the element 3 and in which its contact face with the element 3 is flat. Because a layer thickness in each layer of the element 3 can be made uniform, the element deterioration caused by the unevenness does not occur, and the life of the element 3 can be extended. Furthermore, light emission efficiency is improved by increasing the refractive index of the flat layer 7 more than that of a light-emission layer 10. Furthermore, the bleeding of the light on the side of sealing glass 13 as a display surface is prevented by making the layer thickness of the flat layer 7 10 μm or less. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、凹凸を有する凹凸層が形成された基板の一面に、画像を表示する素子部を備えた表示装置に関するものであり、より詳細には、例えば凹凸層としての散乱層が形成された基板の一面にエレクトロルミネッセンス素子からなる発光層を含む素子部を備えた表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報化社会の発展に伴い表示装置の軽量化、低容量化、低消費電力化、大画面化等の要求が高まっている。このような中で、例えば、液晶表示装置、無機および有機EL(Electroluminescent)ディスプレイ、プラズマディスプレイのような平面薄型ディスプレイの開発が推進されている。
【0003】
有機ELディスプレイは、直流電流で発光する有機EL素子で構成されている。この有機ELディスプレイは、自発光であるため視認性の良い表示が実現できることに加えて、発光効率が高いことによる低消費電力化や、軽量化、低容量化等が期待できる。このため、平面薄型ディスプレイの中でも、近年その開発が特に注目されている。
【0004】
ここで、上述の有機EL素子は、一般的には、ガラス等の透明基板上に、透明電極、ホール輸送層、発光層、および電子注入電極が順次積層形成された構成である。
【0005】
透明電極は、ホール注入のための電極であってITOなどからなる。ホール輸送層は、例えばトリフェニルジアミンからなる。発光層は、例えばキリノールアルミ錯体からなる。すなわち、ホール輸送層と発光層とは、有機膜である。電子注入電極は、AgMg合金、AlLi合金、Ca等からなる。
【0006】
なお、発光層と電子注入電極との間に電子輸送層を設けた構造であってもよい。また、有機膜の作製方法の違いにより、低分子の有機材料を加熱蒸着により薄膜形成する低分子有機EL素子と、高分子材料を塗布法等で薄膜形成する高分子有機EL素子の2種類が知られている。
【0007】
上記構成の有機EL素子に対して、透明電極を陽極とし、電子注入電極を陰極として、電流を供給する。すると、ダイオードと同様に、透明電極からはホールが、電子注入電極からは電子が、それぞれ素子中に注入される。これによって発光層においてホールと電子とが再結合して発光を示すようになっている。
【0008】
なお、素子の上部の電子注入電極をも透明電極として、基板から離れた電子注入電極の側から発光を取り出す構造の有機ELディスプレイも提案されている。
【0009】
上述のような有機ELディスプレイにおいては、高い発光輝度を得るために電流量を増やすと、それに応じて電流による素子劣化が生じて、素子の寿命が減少してしまうという問題があった。
【0010】
これに対して、例えば電流量を増やさずに発光輝度を向上させることによって、実質的に素子の寿命を延長させる試みがなされている。すなわち、発光効率を高くして消費電力を低下させると、素子が一定輝度を得るための必要電流量が少なくなり、実質的に素子の寿命を長くする効果を得ることができる。
【0011】
そこで、上述のような構成をもつ、有機ELディスプレイのような表示装置においては、光を発する発光層から透明基板を介して光が外部に照射される際に、透明基板の界面において光の全反射が生じて光が閉じ込められ、発光層から発光する光の一部しか表示発光に寄与しないという問題があった。このため、ディスプレイの発光効率が低下していた。
【0012】
これに対して、例えば日本国の公開特許公報「特開2001−167889号公報(公開日:2001年6月22日)」に記載された表示装置においては、透明基板と有機EL素子との間に屈折率の低い層(介在層)を含めることによって、発光効率を上げるとともに光のにじみを防いだ構成が開示されている。
【0013】
すなわち、上記公報記載の構成においては、発光層からの光が透明基板に到達する前に一部が介在層の界面において全反射してしまう。この全反射した光は、電子注入電極によって反射され、一部が透明基板へと到達して外部に照射されるので、表示発光に寄与する。
【0014】
また、発光層からの光は一部が介在層において全反射するので、透明基板の界面における全反射を減らすことができる。これによって、光のにじみを防ぐことができる。すなわち、透明基板の界面において全反射する場合には、この光がさらに反射されることによって、発光層からの光が外部に照射される本来の位置から透明基板の厚みに応じて隔たった位置において外部に照射される場合があるが、上記構成においてはこれを防ぐことができる。
【0015】
また、上述の方法とは異なった方法によって、電流量を増やさずに発光輝度を向上させる方法として、光を散乱させる散乱層を透明基板に形成する構成も提案されている。この構成によれば、発光層からの光が散乱層によって散乱され、進行方向を変えられるので、光の閉じ込めを無くすことができる。したがって、この方法によっても、発光効率を上げるとともに光のにじみを防ぐことができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の散乱層を形成する構成においては、電極間において素子劣化が進行して、素子の寿命が減少するという問題を生ずる。
【0017】
すなわち、上記構成において、素子部を形成する場合には、基板の一面に凹凸を有する散乱層を形成した後に、その上に素子部を形成する。
【0018】
ここで、上記素子部において、電極間に挟まれる各層の層厚は、0.15μm程度と薄くなっている。
【0019】
このため、散乱層の上に素子部の各層を形成する際に、散乱層の凹凸に応じて層に凹凸が生じる虞れがある。このとき、電極間の層厚は不均一となる。この場合には、電極間の層厚の薄い部分において素子劣化が進行し、素子の寿命を減少させて、信頼性を低下させてしまう。
【0020】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、散乱層などの凹凸層の凹凸によって生じる素子劣化を防止して素子の寿命を延長させた表示装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、凹凸を有する凹凸層が形成された基板の一面に、画像を表示する素子部を備える表示装置において、上記凹凸層と上記素子部との間に備えられ、上記素子部との接触面が平坦である平坦化層を有することを特徴としている。
【0022】
上記構成においては、凹凸層と素子部との間に平坦化層を設けるので、例えば基板上に凹凸層を形成してその上部に素子部を形成する際に、凹凸層による凹凸の影響を無くして、平坦化層の平坦な面上に素子部を形成する。このため、素子部の各層における層厚を均一にできる。
【0023】
したがって、素子部の各層における不均一による素子劣化、すなわち例えば各層における間隔の小さい部分からの素子劣化を生じさせず、素子の寿命を延長することができる。
【0024】
なお、上記平坦化層は、透明であるとともに、絶縁性を有することが好ましい。
【0025】
また、上記凹凸層は、例えば、凹凸によって光を散乱させる散乱層であって、入射される光を散乱させて、入射された光と同じ進行方向に照射する構成であってもよいし、また、入射される光を散乱させるとともに反射させる反射散乱層であって、入射される光を入射方向と反対の方向に照射する構成であってもよい。
【0026】
また、本発明の構成は例えばELディスプレイに限るものではなく、基板に凹凸層を形成し、さらにその上に素子部を形成し、素子部において画像を表示する表示装置であれば適用できる。
【0027】
また、上記表示装置は、素子部を用いて画像を表示する機能を有するのみでなく、その他の機能を備えていてもよい。
【0028】
したがって、凹凸層の凹凸によって生じる素子劣化を防止して素子の寿命を延長させた表示装置を提供することができる。
【0029】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記素子部は、画像を表示する表示素子層と、上記表示素子層を挟んで上記表示素子層に電流を供給する第1の電極層と第2の電極層とを含むことを特徴としている。
【0030】
上記構成によれば、素子部に含まれる表示素子層、第1の電極層および第2の電極層のそれぞれの層厚を均一に形成して、表示素子層に電流を供給する際に、層厚の不均一による素子劣化を生じさせない。
【0031】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記表示素子層は、エレクトロルミネッセンス素子からなる発光層であることを特徴としている。
【0032】
上記構成によれば、上述の効果を有する表示装置としてのELディスプレイを実現できる。
【0033】
また、表示装置としての有機ELディスプレイにおいては、素子部の内部に散乱層または反射散乱層を形成することが困難であるので、本発明のように、基板に凹凸層としての散乱層または反射散乱層を形成して、さらに平坦化層と素子部とを形成して、発光効率を高めるとともに素子劣化を防止すれば、特に好ましい。
【0034】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記平坦化層の屈折率は、上記表示素子層の屈折率よりも大きいことを特徴としている。
【0035】
上記構成において、表示素子層からの光は、平坦化層を介して凹凸層へと入射する。
【0036】
ここで、平坦化層の屈折率は表示素子層の屈折率よりも大きいので、表示素子層から入射する光が平坦化層界面で全反射する可能性をなくし、表示素子層内における光の閉じ込めを防止できる。
【0037】
これによって、発光効率を高めることができる。したがって、例えば発光輝度が同じとなるように電流量を減少させて、消費電力を減少できるとともに素子の寿命を延長できる。
【0038】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記平坦化層は、10μm以下の層厚であることを特徴としている。
【0039】
ここで、平坦化層の層厚が厚い場合には、平坦化層において光の反射が生じたときに、この光がさらに反射されることによって、光が外部に照射される本来の位置から平坦化層の厚みに応じて隔たった位置において外部に照射される虞れがある。この場合には、これによって光のにじみを生じて、表示品位を低下させてしまう。
【0040】
このため、上記構成のように、平坦化層の層厚を10μm以下にすれば、平坦化層において光の反射が生じた場合であっても、光が照射される位置を本来の位置からそれほど異ならせないので、光のにじみを押さえて、表示品位を保った表示装置を提供できる。
【0041】
なお、この平坦化層の層厚は、凹凸層の凹凸の影響を無くして、平坦化層の面を確実に平坦なものとするために、例えば凹凸層の凹凸の大きさの少なくとも数倍程度である構成も好ましい。また、凹凸層の凹凸が例えば1μm以下である構成も好ましい。
【0042】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記素子部と、上記画像が表示される表示面側基板との間に、上記表示面側基板よりも低い屈折率を有する低屈折率層を有することを特徴としている。
【0043】
ここで、素子部からの光が表示面側基板と空気との界面で全反射される場合、これらの光が散乱層により再び外部に放出される時に、本来の位置から隔たったところから放出され、表示のにじみが生じる可能性がある。
【0044】
一方、上記構成によれば、表示面側基板と空気との界面で全反射される入射角の光は、表示面基板に到達する前に、一部または全部が低屈折率層の界面において全反射される。この光は、散乱層により再び外部に放出される時に本来の位置からそれほど異ならない位置から放出されるので、表示発光に寄与して、発光効率を高めることができると同時に、表示のにじみを生じることがない。
【0045】
なお、この表示面側基板は、例えば上述の散乱層を有する基板であってもよいし、または、反射散乱層を有する基板と素子部を挟んで対向する、逆側の基板であってもよい。
【0046】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記凹凸層は、上記凹凸によって光を散乱させるとともに反射させる反射散乱層であることを特徴としている。
【0047】
したがって、基板に凹凸によって光を散乱させるとともに反射させる反射散乱層を形成した構成において、上述のように素子劣化を防止した表示装置を提供することができる。
【0048】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記凹凸層は、上記凹凸によって光を散乱させる散乱層であることを特徴としている。
【0049】
したがって、基板に凹凸によって光を散乱させる散乱層を形成した構成において、上述のように素子劣化を防止した表示装置を提供することができる。
【0050】
本発明に係る表示装置は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記平坦化層は、上記散乱層とは屈折率が異なることを特徴としている。
【0051】
ここで、もし平坦化層と散乱層とが同じ屈折率を有する場合には、平坦化層から散乱層へと入射する光は屈折せず、進行方向を変えないので、十分な散乱効果を得ることができない。このため、光の閉じ込めを無くすことができない虞れがある。
【0052】
したがって、上記構成のように、平坦化層の屈折率を散乱層と異ならせれば、確実に散乱を生じさせて、光の閉じ込めを無くすことができる。これにより、光の外部取り出し効率がより向上するので、発光効率が高く、消費電力、寿命特性に優れた表示装置を提供できる。
【0053】
【発明の実施の形態】
本発明に係る表示装置は、画像を表示する素子部が有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence:EL)素子からなる発光層を含んでいる、有機ELディスプレイである。
【0054】
上記表示装置は、基板上に、凹凸によって光を散乱させる凹凸層が形成され、その上に平坦化層が形成され、さらにその上に上記素子部が設けられている構成である。これによって素子部と平坦化層との接触面を平坦にして、素子部における素子の劣化を防止して、素子の寿命を延長させるようになっている。
【0055】
〔実施の形態1〕
本発明の一実施の形態について図1および図2に基づいて説明すると以下の通りである。
【0056】
有機ELディスプレイ(表示装置)1は、図1に示すように、概略的に、基板部2と素子部3と封止部4とから構成される。
【0057】
基板部2は、ガラス基板(基板)5とAl反射膜(凹凸層、反射散乱層)6と平坦化層7とからなる。
【0058】
Al反射膜6は、素子部3からの表示のための光を反射して封止部4側へと導くためのものである。このAl反射膜6は、以下のように形成される。
【0059】
まず、ガラス基板5の一方の面(一面)の表面を、目の荒い研磨剤を用いて削り、表面に凹凸を形成する。本実施形態においては、研磨剤の粒子は1μm程度とし、1μm程度の大きさの凹凸を表面に形成した。そしてその表面にAlの膜を真空蒸着等により形成した。これによって、Al反射膜6は、入射される光を反射させるとともに散乱させるようになっている。
【0060】
なお、表面の凹凸は、例えば凹凸を生ずる膜を基板表面に形成するといった他の方法で作製することもできる。すなわち、例えば、白色顔料となるTiO等に代表される酸化物の材料ペーストをスクリーン印刷等によりガラス基板5の表面に塗布し、焼成することによって、凹凸層としての粉末焼成膜を形成してもよい。
【0061】
また本実施形態においては、反射散乱層の材料としてAlを用いたAl反射膜6について説明しているが、その他例えばAgのような反射率に優れた材料を用いた反射散乱層であってもよい。
【0062】
平坦化層7は、Al反射膜6の凹凸による影響を無くすためのものであり、以下のようにAl反射膜6の上に積層して形成する。
【0063】
この平坦化層7は、透明であるとともに絶縁性であることが好ましい。本実施形態においては平坦化層7を光硬化性樹脂を用いて形成する。まず、光硬化性樹脂をスピンナー法等により、Al反射膜6の表面に、10μm以下となるように例えば約8μm程度の膜厚で塗布する。塗布後しばらく放置して液状の樹脂表面が平坦化された後に、光照射により光硬化性樹脂を硬化させる。これによって、Al反射膜6の凹凸にもかかわらず、平坦化層7の表面を平坦にすることができる。
【0064】
また、本実施形態においては、平坦化層7の層厚が8μmなので、光のにじみを生じさせない。すなわち、例えば、散乱光が厚さ1mmのガラスを進行する場合には、ガラス表面において、本来の発光位置から3mm程度までの領域に光のにじみがはっきりと観測された。これはガラスの厚さの3倍にあたるので、散乱光が全反射しながら所定の厚みの層を進行する場合に、表示面において厚みの3倍程度までの領域に光のにじみが生じると推定できる。
【0065】
本実施形態のような表示装置においては、表示面において隣り合う画素同士の間隔は、30〜50μm程度とすることが多い。このため、平坦化層7の層厚を10μm以下とすれば、仮に全反射が生じても、隣の画素まで光のにじみが達しないので、表示品位を劣化させない有機ELディスプレイ1を提供できる。
【0066】
なお、平坦化層7に用いた光硬化性樹脂の屈折率は、光の閉じ込めを防ぐため、後述する表示素子層より大きいことが望ましい。
【0067】
ここで、後述する素子部3の発光層(表示素子層)の屈折率はほぼ1.7程度である。一方、平坦化層7に用いた光硬化性樹脂の屈折率は、その値よりも大きい値として、1.7程度に調整される。これによって、光の閉じ込めを防ぐことができる。
【0068】
また、後述する素子部3の透明電極8の屈折率は2程度である。このように、透明電極の屈折率が、平坦化層7の屈折率よりも大きい場合であっても、表示素子層としての素子部3の発光層の屈折率が平坦化層7の屈折率より低ければ透明電極8から平坦化層7へと入射しようとする光の全反射条件には影響しない。
【0069】
なお、本実施形態においては、画像が表示される表示面はガラス基板5側でなく封止部4側であるので、このガラス基板5は透明の基板でなくてもよい。
【0070】
以上のように形成した基板部2の上に、素子部3を形成する。このため、基板部2のガラス基板5、Al反射膜6および平坦化層7の各層は、素子部3を作成するための各工程の作業温度においても劣化しにくい材質であることが望ましい。
【0071】
本実施形態のように、有機EL素子を有する素子部3を形成する場合には、作業温度は100℃以下である。したがって、例えばガラス基板5はこの作業温度においても劣化しない。
【0072】
なお、例えばTFTのような駆動素子をも用いる有機ELディスプレイにおいては、TFT形成などにおいて高い作業温度が必要となり、光硬化性樹脂による平坦化層7が劣化してしまう虞れがある。この場合には、例えば高温にも耐える酸化物材料をゾルゲル法により塗布形成し、平坦化膜を形成すればよい。
【0073】
有機ELディスプレイ1の素子部3は、透明電極(第1の電極層)8、ホール輸送層9、発光層(表示素子層)10、電子注入電極(第2の電極層)11および上部透明電極(第2の電極層)12を含んでいる。
【0074】
透明電極8は、ホール注入のための電極であってITOなどからなる。ホール輸送層9は、例えばトリフェニルジアミンからなる。発光層10は、例えばキリノールアルミ錯体からなる、有機EL素子である。すなわち、ホール輸送層9と発光層10とは、有機膜である。電子注入電極11は、電子注入のための電極であってAgMg合金、AlLi合金、Ca等からなり、表示面側の電極であるため透明性を確保するため薄く形成する。上部透明電極12は、ITOなどからなる。
【0075】
上記構成の素子部3を、基板部2の上に、以下のように順次積層して形成する。
【0076】
本実施形態においては、基板部2上に、亜鉛添加酸化インジウム膜(In−Zn−O膜)をDC(直流)スパッタ法により100nm程度に形成して透明電極8とした。次に真空蒸着法によって、トリフェニルジアミンを用いて0.15μm程度の厚さのホール輸送層9を形成した。発光層10は、真空蒸着法によって、キリノールアルミ錯体を用いて0.15μm程度の厚さに形成した。電子注入電極11は真空蒸着法によりCaを2nmの層厚となるよう形成した。上部透明電極12は、DCスパッタ法により、In−Zn−O膜を100nm程度の層厚となるよう形成した。
【0077】
なお、本発明においては、発光層10に用いる有機膜は、通常用いられる材料であればどのような材料であってもよい。材料によらず、同じ効果を得ることができる。
【0078】
また、上記構成においては、金属からなる電子注入電極11は、できるだけ薄く形成することが望ましい。そうすれば、電子注入電極11の透明度を上げて、発光層10からの光を無駄なく外部に照射することができる。なお、この場合には、上記構成のように上部透明電極12を用いて、電子注入電極11が薄いことによる電気伝導性の不足を補うようにすることが好ましい。
【0079】
有機ELディスプレイ1の封止部4は、上述のように形成した素子部3を保護するためのものであり、より詳細には、水分を含んだ外気から保護するためのものである。
【0080】
封止部4は、封止ガラス(表示面側基板)13、封止空間(低屈折率層)14および光硬化性樹脂15を含んでいる。まず、深さ1mm程度に掘り込み加工された封止ガラス13を、掘り込み部分に素子部3が封じられるようにして配置する。そして、封止空間14を密封するために、封止ガラス13の周辺部を光硬化性樹脂15によって接着する。この作業は乾燥窒素中で行うので、封止空間14中を乾燥窒素で満たすことができる。したがって、素子部3を外気から保護することができる。
【0081】
なお、封止空間14は屈折率1となるので、封止ガラス13の屈折率(1.5程度)よりも小さい。このため、光を封止ガラス13と空気との界面で全反射させず、光のにじみを防げる。すなわち、以上のように構成した有機ELディスプレイ1は、屈折率が大気とほぼ等しい乾燥窒素を満たした封止空間14によって低屈折率層を実現できる。このため、封止空間14と封止ガラス13とを介して外部へと照射する光が封止ガラス13において全反射することを、完全に防ぐことができる。したがって、光のにじみを完全に防げる。
【0082】
以上のように、有機ELディスプレイ1は、基板としてのガラス基板5に凹凸を有する凹凸層としてのAl反射膜6を形成し、表面が平坦となるように平坦化層7を形成し、そして素子部3の各層を順次形成することによって製造される。このように形成された有機ELディスプレイ1の素子部3は、平坦化層7との接触面が平坦であるので、各層の層厚が均一となっており、素子劣化を防止することができる。
【0083】
ここで、有機ELディスプレイ1の内部における、光の反射または屈折について、図2に基づいて説明する。
【0084】
図2に示すように、発光層10からの光は、図示しないホール輸送層9を介して、透明電極8、平坦化層7へと入射される。なお、ホール輸送層9の屈折率は発光層10とほぼ等しいので、図2においてはホール輸送層9を省略した。
【0085】
ここで、発光層10から透明電極8への入射角をθ1、透明電極8から平坦化層7への入射角をθ2、平坦化層7における進行方向の角度をθ3とする。また、発光層10の屈折率をn1、透明電極8の屈折率をn2、平坦化層7の屈折率をn3とする。
【0086】
以上の配置における屈折の様子は、スネルの法則より、
sinθ1/sinθ2 = n2/n1          (1)
sinθ2/sinθ3 = n3/n2          (2)
と表すことができる。ここで、上記式(1)・(2)から、
sinθ1/sinθ3 = n3/n1          (3)
が成り立つ。したがって、平坦化層7の界面において全反射が起きる条件、すなわちθ3=90°となる角度θ1cは、式(3)から、
θ1c = sin−1(n3/n1)              (4)
によって得ることができる。
【0087】
したがって、式(4)から分かるように、透明電極8の屈折率n2にかかわらず、本実施形態のように平坦化層7の屈折率n3が発光層10の屈折率n1よりも大きければ、平坦化層7に入射する際の界面での全反射を生じさせない。したがって、光の閉じ込めを防いで、発光効率を向上できる。
【0088】
一方、例えば、もし平坦化層7の屈折率n3が発光層10の屈折率n1よりも小さい場合には、式(4)から得られる角度θ1cよりも大きい入射角の光は全反射されてしまう。このため光の閉じ込めを生じてしまうのである。
【0089】
以上のように、本実施形態に係る有機ELディスプレイ1は、ガラス基板5の一面に、凹凸によって光を散乱させるAl反射膜6と画像を表示する素子部3とを備えるとともに、Al反射膜6と素子部3との間に備えられ、素子部3との接触面が平坦である平坦化層7を有している。
【0090】
したがって、素子部3の各層における層厚を均一にできるので、不均一による素子劣化を生じさせず、素子の寿命を延長することができる。また、例えば反射散乱層としてのAl反射膜6を含まない構成と比較して、Al反射膜6による反射によって、発光効率を高めることができる。
【0091】
また、上述の各構成によって有機ELディスプレイ1の発光効率を高めているので、所定の輝度を得るための駆動電流量を低下でき、実質的にディスプレイの寿命を延長できる。よって、消費電力、発光輝度、寿命特性に優れた有機ELディスプレイ1を提供できる。
【0092】
〔実施の形態2〕
本発明の他の実施の形態について図3に基づいて説明すると以下の通りである。
【0093】
有機ELディスプレイ(表示装置)1aは、図3に示すように、概略的に、基板部2aと素子部3aと封止部4aとから構成される。
【0094】
基板部2aは、ガラス基板(基板、表示面側基板)5a、低屈折率層16a、散乱層(凹凸層)6aおよび平坦化層7aからなる。
【0095】
本実施形態においては、画像が表示される表示面は、透明の基板であるガラス基板5a側である。
【0096】
低屈折率層16aとして、ガラス基板5aの上に、1μm程度の層厚で、例えばMgF膜をEB(electron beam)蒸着法により形成する。MgFは屈折率1.37程度の材料であり、ガラス基板5aの屈折率1.5より低い屈折率を有している。このため、ガラス基板5aと空気との界面での光の全反射を減少させ、その光がさらに反射されて本来の位置より外れた位置から外部に照射されることによって生じる表示のにじみを改善できる。
【0097】
散乱層6aは、素子部3からの表示のための光を散乱させて、低屈折率層16aおよびガラス基板5aを介して外部へと導くためのものである。この散乱層6aを形成するには、まずガラス基板5aの一方の面(一面)に、例えば1μm程度の膜厚で硫化亜鉛層をEB蒸着法により形成する。その後、研磨によって表面に凹凸を形成して散乱層6aとする。
【0098】
平坦化層7aは、散乱層6aの凹凸の影響を無くすためのものである。この平坦化層7aは、光硬化性樹脂を用いて形成する。この形成の手順は、上述の実施の形態1における平坦化層7の形成と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【0099】
ここで、本実施形態において散乱層6aの材料に用いる硫化亜鉛は、屈折率が2.47程度である。平坦化層7aの材料に、本実施形態のように屈折率1.7程度の光硬化性樹脂を用いた場合には、屈折率の違いにより散乱層6aと平坦化層7aとの間で光の屈折が生ずる。散乱層6aの表面は凹凸を形成した粗面、凹凸面であるので、平坦化層7aから散乱層6aへと入射する光は、凹凸面において屈折して、全体としてはランダムに進行角度を変えられて散乱される。このように光を効率よく散乱させることによって、光の閉じ込めを防ぐことができる。
【0100】
一方、例えば、散乱層6aと平坦化層7aとで屈折率が同じである場合には、平坦化層7aから散乱層6aに光が入射する際に、光が屈折されずに散乱されないことになる。この場合には、上述のように光の閉じ込めを解消する効果を得ることはできない。
【0101】
以上のように形成した基板部2aの上に、素子部3aおよび封止部4aを順次形成する。
【0102】
素子部3aは、透明電極(第1の電極層)8a、ホール輸送層9a、発光層(表示素子層)10a、および電子注入電極(第2の電極層)11aを含んでいるこれらは、上述の実施の形態1における素子部3の透明電極8、ホール輸送層9、発光層10、および電子注入電極11にそれぞれ対応するものである。
【0103】
透明電極8a、ホール輸送層9a、発光層10aは、上述の実施の形態1と同様に形成される。
【0104】
一方、本実施形態においてはガラス基板5a側が表示面となっているので、電子注入電極を透明にする必要がなくなるため電子注入電極11aの厚みを厚くすることができる。これによって、十分な電気伝導性を得て、実施の形態1における上部透明電極12を不要にできる。この電子注入電極11aは、真空蒸着法によりCaを形成し、さらにその上に保護のためのAlの電極を形成した構成である。
【0105】
封止部4aは、封止ガラス13a、封止空間14aおよび光硬化性樹脂15aを含んでいる。これらは、実施の形態1の封止ガラス13、封止空間14および光硬化性樹脂15とそれぞれ対応するものであり、同様に形成されるので、ここでは説明を省略する。
【0106】
なお、本実施形態においては、封止ガラス13a側は表示面ではないので、封止空間14aは乾燥窒素によって満たされる構成でなくてもよい。
【0107】
以上のように、有機ELディスプレイ1aは、基板としてのガラス基板5aに凹凸を有する凹凸層としての散乱層6aを形成し、表面が平坦となるように平坦化層7aを形成し、そして素子部3aの各層を順次形成することによって製造される。このように形成された有機ELディスプレイ1aの素子部3aは、平坦化層7aとの接触面が平坦であり、各層の層厚が均一となっており、素子劣化を防止することができる。また、例えば散乱層6aを含まない構成と比較して、散乱層6aによる散乱によって、発光効率を高めることができる。
【0108】
なお、以上のように構成した有機ELディスプレイ1aは、屈折率が大気よりも大きい低屈折率層16aをガラス基板5a上に形成する構成である。この構成においては、低屈折率層16aの材料としてMgF膜(屈折率1.37程度)を用いる場合であっても、光のにじみを完全になくすことは難しい。しかしながら、有機EL素子の製造方法としては、実施の形態1の場合よりも簡易であり、また一般的である。
【0109】
なお、以上に説明した表示装置としての有機ELディスプレイ1・1aにおいては、表示装置としての有機ELディスプレイの場合を例にして説明したが、これに限らず、その他の表示装置であってもよい。ただし、上記各実施形態のように、有機ELディスプレイにおいては、特にガラス基板5・5aに凹凸層としてのAl反射膜6・散乱層6aを形成することが多いので、本発明の実施に特に適している。
【0110】
また、本発明に係る表示装置は、画像を表示する機能だけでなく、その他の機能を有していてもよい。
【0111】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【0112】
上述の具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明はそのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【0113】
【発明の効果】
本発明に係る表示装置は、以上のように、凹凸層と素子部との間に備えられ、上記素子部との接触面が平坦である平坦化層を有する構成である。
【0114】
それゆえ、凹凸層における凹凸の影響を無くして、その上に素子部を形成して、素子部の各層における層厚を均一にするので、素子部の各層における不均一による素子劣化を生じさせず、素子の寿命を延長することができるという効果を奏する。
【0115】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記素子部は、画像を表示する表示素子層と、上記表示素子層を挟んで上記表示素子層に電流を供給する第1の電極層と第2の電極層とを含む構成である。
【0116】
それゆえ、素子部に含まれる表示素子層、第1の電極層および第2の電極層のそれぞれの層厚を均一に形成するので、表示素子層に電流を供給する際に、層厚の不均一による素子劣化を生じさせないという効果を奏する。
【0117】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記表示素子層は、エレクトロルミネッセンス素子からなる発光層である構成である。
【0118】
それゆえ、上述の効果を有する表示装置としてのELディスプレイを実現できるという効果を奏する。
【0119】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記平坦化層の屈折率は、上記表示素子層の屈折率よりも大きい構成である。
【0120】
それゆえ、表示素子層から平坦化層に入射される光が全反射される可能性をなくし、表示素子層内での光の閉じ込めを防止できるという効果を奏する。
【0121】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記平坦化層は、10μm以下の層厚である構成である。
【0122】
それゆえ、平坦化層内において全反射により散乱光が進行しても、光が照射される位置を本来の位置からそれほど異ならせずに、光のにじみを押さえることができるという効果を奏する。
【0123】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記素子部と、上記画像が表示される表示面側基板との間に、上記表示面側基板よりも低い屈折率を有する低屈折率層を有する構成である。
【0124】
それゆえ、表示面側基板と空気との界面で全反射される入射角の光が表示面基板に到達する前に、一部または全部を低屈折率層の界面において全反射させるので、発光効率を高めることができると同時に、表示のにじみを防ぐことができるという効果を奏する。
【0125】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記凹凸層は、上記凹凸によって光を散乱させるとともに反射させる反射散乱層である構成である。
【0126】
それゆえ、基板に反射散乱層を形成した構成において、上述のように素子劣化を防止した表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【0127】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記凹凸層は、上記凹凸によって光を散乱させる散乱層である構成である。
【0128】
それゆえ、基板に散乱層を形成した構成において、上述のように素子劣化を防止した表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【0129】
本発明に係る表示装置は、以上のように、上記構成において、上記平坦化層は、上記散乱層とは屈折率が異なる構成である。
【0130】
それゆえ、散乱層において確実に散乱を生じさせて、光の閉じ込めを無くすことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る表示装置の概略の断面図である。
【図2】上記表示装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図3】本発明の他の実施の形態に係る表示装置の概略の断面図である。
【符号の説明】
1、1a   有機ELディスプレイ(表示装置)
3、3a   素子部
5      ガラス基板(基板)
5a     ガラス基板(基板、表示面側基板)
6      Al反射膜(凹凸層、反射散乱層)
6a     散乱層(凹凸層)
7、7a   平坦化層
8、8a   透明電極(第1の電極層)
10、10a 発光層(表示素子層)
11、11a 電子注入電極(第2の電極層)
12     上部透明電極(第2の電極層)
13     封止ガラス(表示面側基板)
14     封止空間(低屈折率層)
16a    低屈折率層
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a display device provided with an element portion for displaying an image on one surface of a substrate on which an uneven layer having unevenness is formed, and more specifically, for example, a scattering layer as the uneven layer is formed. The present invention relates to a display device provided with an element portion including a light emitting layer composed of an electroluminescence element on one surface of a substrate.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of an information-oriented society, demands for lighter, lower-capacity, lower-power consumption, and larger screens of display devices have increased. Under such circumstances, for example, flat thin displays such as liquid crystal display devices, inorganic and organic EL (Electroluminescent) displays, and plasma displays are being developed.
[0003]
The organic EL display is composed of an organic EL element that emits light by direct current. Since the organic EL display is self-luminous, it is possible to realize a display with good visibility, and further, it is expected that power consumption, weight and capacity are reduced due to high luminous efficiency. For this reason, among flat-panel displays, their development has been particularly noted in recent years.
[0004]
Here, the above-described organic EL element generally has a configuration in which a transparent electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection electrode are sequentially laminated on a transparent substrate such as glass.
[0005]
The transparent electrode is an electrode for injecting holes and is made of ITO or the like. The hole transport layer is made of, for example, triphenyldiamine. The light-emitting layer is made of, for example, a quinolol aluminum complex. That is, the hole transport layer and the light emitting layer are organic films. The electron injection electrode is made of an AgMg alloy, an AlLi alloy, Ca, or the like.
[0006]
Note that a structure in which an electron transport layer is provided between the light emitting layer and the electron injection electrode may be used. Further, two types of low molecular organic EL elements, which form a thin film of a low molecular organic material by heating and vapor deposition, and a high molecular organic EL element, which forms a thin film of a high molecular material by a coating method or the like, depending on the method of forming the organic film. Are known.
[0007]
A current is supplied to the organic EL device having the above-described configuration, using the transparent electrode as an anode and the electron injection electrode as a cathode. Then, similarly to the diode, holes are injected from the transparent electrode and electrons are injected from the electron injection electrode into the device. As a result, holes and electrons are recombined in the light emitting layer to emit light.
[0008]
An organic EL display having a structure in which light is emitted from the side of the electron injection electrode remote from the substrate using the electron injection electrode above the element as a transparent electrode has also been proposed.
[0009]
In the organic EL display as described above, when the amount of current is increased in order to obtain high emission luminance, there is a problem that the element is deteriorated due to the current and the life of the element is shortened.
[0010]
On the other hand, attempts have been made to substantially extend the life of the device by, for example, improving the emission luminance without increasing the amount of current. That is, when the luminous efficiency is increased and the power consumption is reduced, the amount of current required for the element to obtain a constant luminance is reduced, and the effect of substantially extending the life of the element can be obtained.
[0011]
Therefore, in a display device such as an organic EL display having the above-described configuration, when light is emitted from a light-emitting layer that emits light to the outside through a transparent substrate, the entirety of light at the interface between the transparent substrates is reduced. There is a problem that light is confined due to reflection and only a part of light emitted from the light emitting layer contributes to display light emission. For this reason, the luminous efficiency of the display has been reduced.
[0012]
On the other hand, for example, in a display device described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2001-167889 (publication date: June 22, 2001), the distance between a transparent substrate and an organic EL element is disclosed. A structure is disclosed in which a layer having a low refractive index (intervening layer) is included to increase luminous efficiency and prevent light bleeding.
[0013]
That is, in the configuration described in the above publication, a part of the light from the light emitting layer is totally reflected at the interface between the intervening layers before reaching the transparent substrate. The totally reflected light is reflected by the electron injection electrode, and a part of the light reaches the transparent substrate and is radiated to the outside, thereby contributing to display light emission.
[0014]
Further, since part of the light from the light emitting layer is totally reflected in the intervening layer, the total reflection at the interface of the transparent substrate can be reduced. This can prevent light from bleeding. That is, when the light is totally reflected at the interface of the transparent substrate, the light is further reflected, so that the light from the light emitting layer is separated from the original position where the light is emitted to the outside according to the thickness of the transparent substrate. There is a case where light is radiated to the outside, but this can be prevented in the above configuration.
[0015]
Further, as a method for improving the light emission luminance without increasing the amount of current by a method different from the above-described method, a configuration in which a scattering layer for scattering light is formed on a transparent substrate has been proposed. According to this configuration, since the light from the light emitting layer is scattered by the scattering layer and the traveling direction can be changed, confinement of the light can be eliminated. Therefore, according to this method as well, the luminous efficiency can be increased and light bleeding can be prevented.
[0016]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described configuration in which the scattering layer is formed, there is a problem that the element is deteriorated between the electrodes and the life of the element is reduced.
[0017]
That is, in the above structure, when an element portion is formed, a scattering layer having irregularities is formed on one surface of a substrate, and then the element portion is formed thereon.
[0018]
Here, in the element portion, the thickness of each layer sandwiched between the electrodes is as thin as about 0.15 μm.
[0019]
For this reason, when forming each layer of an element part on a scattering layer, there is a possibility that unevenness may occur in the layer according to the unevenness of the scattering layer. At this time, the layer thickness between the electrodes becomes uneven. In this case, the element is deteriorated in a portion where the layer thickness between the electrodes is thin, and the life of the element is reduced, thereby lowering the reliability.
[0020]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a display device in which element lifetime caused by unevenness of an uneven layer such as a scattering layer is prevented and element life is extended. It is in.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
The display device according to the present invention, in order to solve the above problems, in a display device provided with an element portion for displaying an image on one surface of a substrate on which an uneven layer having unevenness is formed, wherein the uneven portion and the element portion And a flattening layer having a flat contact surface with the element portion.
[0022]
In the above configuration, since the flattening layer is provided between the uneven layer and the element portion, for example, when forming the uneven layer on the substrate and forming the element portion thereon, the influence of the unevenness due to the uneven layer is eliminated. Then, an element portion is formed on the flat surface of the flattening layer. For this reason, the layer thickness of each layer of the element portion can be made uniform.
[0023]
Therefore, it is possible to extend the life of the element without causing element deterioration due to unevenness in each layer of the element portion, that is, for example, element deterioration from a small interval in each layer.
[0024]
Note that the flattening layer is preferably transparent and has insulating properties.
[0025]
Further, the uneven layer is, for example, a scattering layer that scatters light due to unevenness, may scatter incident light, and may be configured to irradiate in the same traveling direction as the incident light, It may be a reflection / scattering layer that scatters and reflects incident light, and irradiates the incident light in a direction opposite to the incident direction.
[0026]
Further, the configuration of the present invention is not limited to, for example, an EL display, but may be applied to any display device in which an uneven layer is formed on a substrate, an element portion is formed thereon, and an image is displayed on the element portion.
[0027]
Further, the display device may have not only a function of displaying an image using the element portion but also other functions.
[0028]
Therefore, it is possible to provide a display device in which element deterioration caused by unevenness of the uneven layer is prevented and the life of the element is extended.
[0029]
In order to solve the above problem, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the element unit supplies a current to the display element layer for displaying an image and the display element layer with the display element layer interposed therebetween. It is characterized by including a first electrode layer and a second electrode layer.
[0030]
According to the above configuration, when the display element layer, the first electrode layer, and the second electrode layer included in the element portion are each formed to have a uniform thickness, and a current is supplied to the display element layer, Does not cause element deterioration due to uneven thickness.
[0031]
In order to solve the above problems, the display device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the display element layer is a light emitting layer formed of an electroluminescence element.
[0032]
According to the above configuration, an EL display as a display device having the above-described effects can be realized.
[0033]
Further, in an organic EL display as a display device, it is difficult to form a scattering layer or a reflection scattering layer inside an element portion. It is particularly preferable if a layer is formed, and further, a planarizing layer and an element portion are formed to enhance luminous efficiency and prevent element deterioration.
[0034]
In order to solve the above problem, the display device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the refractive index of the flattening layer is larger than the refractive index of the display element layer.
[0035]
In the above structure, light from the display element layer enters the concave / convex layer through the flattening layer.
[0036]
Here, since the refractive index of the flattening layer is larger than the refractive index of the display element layer, there is no possibility that the light incident from the display element layer is totally reflected at the flattening layer interface, and the light is confined in the display element layer. Can be prevented.
[0037]
Thereby, luminous efficiency can be increased. Therefore, for example, by reducing the amount of current so that the light emission luminance becomes the same, the power consumption can be reduced and the life of the element can be extended.
[0038]
In order to solve the above problems, the display device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the flattening layer has a layer thickness of 10 μm or less.
[0039]
Here, when the thickness of the flattening layer is large, when light is reflected on the flattening layer, the light is further reflected, so that the light is flattened from the original position where the light is radiated to the outside. There is a possibility that the light may be irradiated to the outside at positions separated according to the thickness of the chemical conversion layer. In this case, this causes light bleeding, thereby deteriorating the display quality.
[0040]
For this reason, if the thickness of the flattening layer is set to 10 μm or less as in the above configuration, even if light is reflected on the flattening layer, the position where the light is irradiated is not so far away from the original position. Since it is not different, it is possible to provide a display device which suppresses blurring of light and maintains display quality.
[0041]
The thickness of the flattening layer is, for example, at least about several times the size of the unevenness of the uneven layer in order to eliminate the influence of the unevenness of the uneven layer and to make the surface of the flattening layer surely flat. Is also preferable. A configuration in which the unevenness of the uneven layer is, for example, 1 μm or less is also preferable.
[0042]
In order to solve the above problems, the display device according to the present invention, in the above configuration, has a lower refractive index than the display surface side substrate between the element portion and the display surface side substrate on which the image is displayed. Characterized by having a low refractive index layer having
[0043]
Here, when the light from the element portion is totally reflected at the interface between the display surface side substrate and the air, when the light is emitted to the outside again by the scattering layer, it is emitted from a place separated from the original position. , The display may be blurred.
[0044]
On the other hand, according to the above configuration, the light of the incident angle which is totally reflected at the interface between the display surface side substrate and the air is partially or wholly reflected at the interface of the low refractive index layer before reaching the display surface substrate. Is reflected. This light is emitted from a position that is not so different from the original position when the light is emitted to the outside again by the scattering layer, so that it contributes to display light emission and can increase luminous efficiency, and at the same time, causes display bleeding Nothing.
[0045]
Note that the display surface side substrate may be, for example, a substrate having the above-described scattering layer, or may be a substrate on the opposite side that faces the substrate having the reflection scattering layer with the element portion interposed therebetween. .
[0046]
In order to solve the above problem, the display device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the uneven layer is a reflection scattering layer that scatters and reflects light by the unevenness.
[0047]
Therefore, in a configuration in which light is scattered and reflected by unevenness on the substrate, a display device in which element deterioration is prevented as described above can be provided.
[0048]
In order to solve the above problem, the display device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the uneven layer is a scattering layer that scatters light by the unevenness.
[0049]
Therefore, in a configuration in which a scattering layer that scatters light by unevenness is formed on a substrate, a display device in which element deterioration is prevented as described above can be provided.
[0050]
In order to solve the above problem, a display device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the flattening layer has a different refractive index from the scattering layer.
[0051]
Here, if the flattening layer and the scattering layer have the same refractive index, light incident on the scattering layer from the flattening layer is not refracted and does not change the traveling direction, so that a sufficient scattering effect is obtained. I can't. For this reason, there is a possibility that confinement of light cannot be eliminated.
[0052]
Therefore, if the refractive index of the flattening layer is made different from that of the scattering layer as in the above-described configuration, scattering can be surely caused and light confinement can be eliminated. Accordingly, the efficiency of extracting light to the outside is further improved, so that a display device with high luminous efficiency, excellent power consumption, and excellent life characteristics can be provided.
[0053]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The display device according to the present invention is an organic EL display in which an element portion for displaying an image includes a light emitting layer formed of an organic electroluminescence (EL) element.
[0054]
The display device has a structure in which a concavo-convex layer that scatters light due to concavities and convexities is formed on a substrate, a flattening layer is formed thereon, and the element portion is further provided thereon. Thereby, the contact surface between the element portion and the flattening layer is flattened, thereby preventing the element in the element portion from being deteriorated and extending the life of the element.
[0055]
[Embodiment 1]
One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0056]
As shown in FIG. 1, the organic EL display (display device) 1 includes a substrate part 2, an element part 3, and a sealing part 4.
[0057]
The substrate unit 2 includes a glass substrate (substrate) 5, an Al reflection film (an uneven layer, a reflection scattering layer) 6, and a flattening layer 7.
[0058]
The Al reflection film 6 reflects light for display from the element unit 3 and guides the light to the sealing unit 4 side. This Al reflection film 6 is formed as follows.
[0059]
First, the surface of one surface (one surface) of the glass substrate 5 is shaved using a coarse abrasive to form irregularities on the surface. In the present embodiment, the particles of the abrasive were about 1 μm, and irregularities having a size of about 1 μm were formed on the surface. Then, an Al film was formed on the surface by vacuum evaporation or the like. Thus, the Al reflecting film 6 reflects and scatters the incident light.
[0060]
In addition, the unevenness on the surface can be produced by another method, for example, by forming a film on which the unevenness is formed on the substrate surface. That is, for example, TiO that becomes a white pigment 2 An oxide material paste typified by, for example, may be applied to the surface of the glass substrate 5 by screen printing or the like, followed by firing to form a fired powder film as an uneven layer.
[0061]
Further, in the present embodiment, the Al reflection film 6 using Al as the material of the reflection / scattering layer is described. However, the reflection / scattering layer using a material having a high reflectance such as Ag may be used. Good.
[0062]
The flattening layer 7 is for eliminating the influence of the unevenness of the Al reflective film 6, and is formed by being laminated on the Al reflective film 6 as follows.
[0063]
This flattening layer 7 is preferably transparent and insulative. In the present embodiment, the flattening layer 7 is formed using a photocurable resin. First, a photocurable resin is applied to the surface of the Al reflective film 6 by a spinner method or the like to a thickness of, for example, about 8 μm so as to be 10 μm or less. After the liquid resin surface is flattened by being left for a while after the application, the photocurable resin is cured by light irradiation. Thereby, the surface of the flattening layer 7 can be flattened despite the unevenness of the Al reflective film 6.
[0064]
Further, in the present embodiment, since the thickness of the flattening layer 7 is 8 μm, light bleeding does not occur. That is, for example, when the scattered light travels through the glass having a thickness of 1 mm, light bleeding was clearly observed in a region of about 3 mm from the original light emitting position on the glass surface. Since this corresponds to three times the thickness of the glass, it can be estimated that when the scattered light travels through a layer having a predetermined thickness while being totally reflected, light bleeds in a region up to about three times the thickness on the display surface. .
[0065]
In the display device as in the present embodiment, the interval between adjacent pixels on the display surface is often about 30 to 50 μm. For this reason, if the layer thickness of the flattening layer 7 is 10 μm or less, even if total reflection occurs, light bleeding does not reach adjacent pixels, so that the organic EL display 1 which does not deteriorate display quality can be provided.
[0066]
Note that the refractive index of the photocurable resin used for the flattening layer 7 is desirably larger than that of a display element layer described later in order to prevent light from being confined.
[0067]
Here, the refractive index of the light emitting layer (display element layer) of the element section 3 described later is about 1.7. On the other hand, the refractive index of the photocurable resin used for the flattening layer 7 is adjusted to about 1.7 as a value larger than that value. Thereby, light confinement can be prevented.
[0068]
The refractive index of the transparent electrode 8 of the element section 3 described later is about 2. As described above, even when the refractive index of the transparent electrode is larger than the refractive index of the flattening layer 7, the refractive index of the light emitting layer of the element section 3 as the display element layer is higher than that of the flattening layer 7. If it is low, it does not affect the condition for total reflection of light that is going to enter the flattening layer 7 from the transparent electrode 8.
[0069]
In the present embodiment, since the display surface on which an image is displayed is not the glass substrate 5 side but the sealing portion 4 side, the glass substrate 5 may not be a transparent substrate.
[0070]
The element section 3 is formed on the substrate section 2 formed as described above. For this reason, it is desirable that each layer of the glass substrate 5, the Al reflective film 6, and the flattening layer 7 of the substrate unit 2 be made of a material that is hardly deteriorated even at the working temperature of each process for forming the element unit 3.
[0071]
When forming the element section 3 having the organic EL element as in the present embodiment, the working temperature is 100 ° C. or lower. Therefore, for example, the glass substrate 5 does not deteriorate even at this working temperature.
[0072]
In an organic EL display using a driving element such as a TFT, for example, a high working temperature is required for forming the TFT and the like, and there is a possibility that the planarizing layer 7 made of a photocurable resin may be deteriorated. In this case, for example, an oxide material that can withstand high temperatures may be applied and formed by a sol-gel method to form a flattening film.
[0073]
The element section 3 of the organic EL display 1 includes a transparent electrode (first electrode layer) 8, a hole transport layer 9, a light emitting layer (display element layer) 10, an electron injection electrode (second electrode layer) 11, and an upper transparent electrode. (Second electrode layer) 12.
[0074]
The transparent electrode 8 is an electrode for injecting holes and is made of ITO or the like. The hole transport layer 9 is made of, for example, triphenyldiamine. The light emitting layer 10 is an organic EL device made of, for example, a quinolol aluminum complex. That is, the hole transport layer 9 and the light emitting layer 10 are organic films. The electron injection electrode 11 is an electrode for electron injection, made of an AgMg alloy, an AlLi alloy, Ca, or the like. Since the electron injection electrode 11 is an electrode on the display surface side, it is formed to be thin to ensure transparency. The upper transparent electrode 12 is made of ITO or the like.
[0075]
The element section 3 having the above configuration is formed on the substrate section 2 by sequentially laminating as follows.
[0076]
In this embodiment, a zinc-added indium oxide film (In-Zn-O film) is formed on the substrate 2 to a thickness of about 100 nm by a DC (direct current) sputtering method to form the transparent electrode 8. Next, a hole transport layer 9 having a thickness of about 0.15 μm was formed using triphenyldiamine by a vacuum evaporation method. The light emitting layer 10 was formed to a thickness of about 0.15 μm by using a quinolinol aluminum complex by a vacuum evaporation method. The electron injection electrode 11 was formed by vacuum evaporation so as to have a Ca thickness of 2 nm. The upper transparent electrode 12 was formed by a DC sputtering method to have an In—Zn—O film having a thickness of about 100 nm.
[0077]
In the present invention, the organic film used for the light emitting layer 10 may be any material as long as it is a commonly used material. The same effect can be obtained regardless of the material.
[0078]
Further, in the above configuration, it is desirable that the electron injection electrode 11 made of metal is formed as thin as possible. Then, the transparency of the electron injection electrode 11 can be increased, and the light from the light emitting layer 10 can be irradiated to the outside without waste. In this case, it is preferable to use the upper transparent electrode 12 as described above to compensate for the lack of electrical conductivity due to the thin electron injection electrode 11.
[0079]
The sealing section 4 of the organic EL display 1 is for protecting the element section 3 formed as described above, and more specifically, for protecting the element section 3 from moisture-containing outside air.
[0080]
The sealing portion 4 includes a sealing glass (display surface side substrate) 13, a sealing space (low refractive index layer) 14, and a photocurable resin 15. First, the sealing glass 13 dug into a depth of about 1 mm is arranged so that the element portion 3 is sealed in the dug portion. Then, in order to seal the sealing space 14, the peripheral portion of the sealing glass 13 is bonded with a photocurable resin 15. Since this operation is performed in dry nitrogen, the sealed space 14 can be filled with dry nitrogen. Therefore, the element section 3 can be protected from the outside air.
[0081]
Since the sealing space 14 has a refractive index of 1, it is smaller than the refractive index of the sealing glass 13 (about 1.5). For this reason, the light is not totally reflected at the interface between the sealing glass 13 and the air, and the bleeding of the light can be prevented. That is, in the organic EL display 1 configured as described above, a low refractive index layer can be realized by the sealed space 14 filled with dry nitrogen having a refractive index substantially equal to that of the atmosphere. Therefore, it is possible to completely prevent the light irradiated to the outside via the sealing space 14 and the sealing glass 13 from being totally reflected by the sealing glass 13. Therefore, light bleeding can be completely prevented.
[0082]
As described above, in the organic EL display 1, the glass substrate 5 as the substrate is formed with the Al reflection film 6 as the uneven layer having the unevenness, the flattening layer 7 is formed so that the surface becomes flat, and the element is formed. It is manufactured by sequentially forming each layer of the portion 3. Since the element section 3 of the organic EL display 1 thus formed has a flat contact surface with the flattening layer 7, the layer thickness of each layer is uniform, so that element deterioration can be prevented.
[0083]
Here, the reflection or refraction of light inside the organic EL display 1 will be described with reference to FIG.
[0084]
As shown in FIG. 2, light from the light emitting layer 10 is incident on the transparent electrode 8 and the flattening layer 7 via the hole transport layer 9 (not shown). Since the refractive index of the hole transport layer 9 is substantially equal to that of the light emitting layer 10, the hole transport layer 9 is omitted in FIG.
[0085]
Here, the incident angle from the light emitting layer 10 to the transparent electrode 8 is θ1, the incident angle from the transparent electrode 8 to the flattening layer 7 is θ2, and the angle of the flattening layer 7 in the traveling direction is θ3. The refractive index of the light emitting layer 10 is n1, the refractive index of the transparent electrode 8 is n2, and the refractive index of the flattening layer 7 is n3.
[0086]
The state of refraction in the above arrangement is based on Snell's law,
sin θ1 / sin θ2 = n2 / n1 (1)
sin θ2 / sin θ3 = n3 / n2 (2)
It can be expressed as. Here, from the above equations (1) and (2),
sin θ1 / sin θ3 = n3 / n1 (3)
Holds. Therefore, the condition under which total internal reflection occurs at the interface of the flattening layer 7, that is, the angle θ1c at which θ3 = 90 ° is obtained from the equation (3).
θ1c = sin -1 (N3 / n1) (4)
Can be obtained by
[0087]
Therefore, as can be seen from Expression (4), regardless of the refractive index n2 of the transparent electrode 8, if the refractive index n3 of the flattening layer 7 is larger than the refractive index n1 of the light emitting layer 10 as in the present embodiment, the flatness is obtained. Does not cause total reflection at the interface when the light enters the oxide layer 7. Therefore, luminous efficiency can be improved by preventing light from being confined.
[0088]
On the other hand, for example, if the refractive index n3 of the flattening layer 7 is smaller than the refractive index n1 of the light emitting layer 10, light having an incident angle larger than the angle θ1c obtained from Expression (4) is totally reflected. . For this reason, light is confined.
[0089]
As described above, the organic EL display 1 according to the present embodiment includes, on one surface of the glass substrate 5, the Al reflective film 6 that scatters light due to unevenness and the element unit 3 that displays an image, and the Al reflective film 6. And a planarizing layer 7 provided between the semiconductor device 1 and the element section 3 and having a flat contact surface with the element section 3.
[0090]
Therefore, since the thickness of each layer of the element section 3 can be made uniform, the element life can be extended without causing the element deterioration due to the non-uniformity. In addition, as compared with a configuration that does not include the Al reflection film 6 as the reflection scattering layer, for example, the luminous efficiency can be increased by reflection by the Al reflection film 6.
[0091]
Further, since the luminous efficiency of the organic EL display 1 is increased by the above-described respective configurations, the amount of drive current for obtaining a predetermined luminance can be reduced, and the life of the display can be substantially extended. Therefore, it is possible to provide the organic EL display 1 having excellent power consumption, emission luminance, and life characteristics.
[0092]
[Embodiment 2]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIG.
[0093]
As shown in FIG. 3, the organic EL display (display device) 1a is roughly composed of a substrate portion 2a, an element portion 3a, and a sealing portion 4a.
[0094]
The substrate portion 2a includes a glass substrate (substrate, display surface side substrate) 5a, a low refractive index layer 16a, a scattering layer (concavo-convex layer) 6a, and a flattening layer 7a.
[0095]
In the present embodiment, the display surface on which an image is displayed is on the glass substrate 5a side, which is a transparent substrate.
[0096]
As the low refractive index layer 16a, a layer thickness of about 1 μm 2 The film is formed by EB (electron beam) evaporation. MgF 2 Is a material having a refractive index of about 1.37, and has a refractive index lower than the refractive index 1.5 of the glass substrate 5a. Therefore, the total reflection of light at the interface between the glass substrate 5a and the air can be reduced, and the bleeding of the display caused by the light being further reflected and irradiated to the outside from a position different from the original position can be improved. .
[0097]
The scattering layer 6a scatters light for display from the element section 3 and guides the light to the outside via the low refractive index layer 16a and the glass substrate 5a. To form the scattering layer 6a, first, a zinc sulfide layer having a thickness of, for example, about 1 μm is formed on one surface (one surface) of the glass substrate 5a by an EB vapor deposition method. Thereafter, irregularities are formed on the surface by polishing to form the scattering layer 6a.
[0098]
The flattening layer 7a is for eliminating the influence of the unevenness of the scattering layer 6a. This flattening layer 7a is formed using a photocurable resin. The procedure of this formation is the same as the formation of the flattening layer 7 in the above-described first embodiment, and the description is omitted here.
[0099]
Here, in this embodiment, zinc sulfide used as a material of the scattering layer 6a has a refractive index of about 2.47. When a photocurable resin having a refractive index of about 1.7 is used as the material of the flattening layer 7a as in the present embodiment, the light between the scattering layer 6a and the flattening layer 7a depends on the difference in the refractive index. Refraction occurs. Since the surface of the scattering layer 6a is a rough surface having irregularities and an irregular surface, the light incident on the scattering layer 6a from the flattening layer 7a is refracted on the irregular surface, and the traveling angle is randomly changed as a whole. Being scattered. By efficiently scattering light as described above, light confinement can be prevented.
[0100]
On the other hand, for example, when the refractive index is the same between the scattering layer 6a and the flattening layer 7a, when light is incident on the scattering layer 6a from the flattening layer 7a, the light is not scattered without being refracted. Become. In this case, the effect of eliminating light confinement as described above cannot be obtained.
[0101]
The element section 3a and the sealing section 4a are sequentially formed on the substrate section 2a formed as described above.
[0102]
The element section 3a includes a transparent electrode (first electrode layer) 8a, a hole transport layer 9a, a light emitting layer (display element layer) 10a, and an electron injection electrode (second electrode layer) 11a. These correspond to the transparent electrode 8, the hole transport layer 9, the light emitting layer 10, and the electron injection electrode 11 of the element section 3 in the first embodiment, respectively.
[0103]
The transparent electrode 8a, the hole transport layer 9a, and the light emitting layer 10a are formed in the same manner as in the first embodiment.
[0104]
On the other hand, in the present embodiment, since the glass substrate 5a side is the display surface, it is not necessary to make the electron injection electrode transparent, so that the thickness of the electron injection electrode 11a can be increased. Thereby, sufficient electric conductivity can be obtained, and the upper transparent electrode 12 in the first embodiment can be made unnecessary. The electron injection electrode 11a has a structure in which Ca is formed by a vacuum deposition method, and an Al electrode for protection is further formed thereon.
[0105]
The sealing portion 4a includes a sealing glass 13a, a sealing space 14a, and a photo-curable resin 15a. These correspond to the sealing glass 13, the sealing space 14, and the photo-curable resin 15 of the first embodiment, respectively, and are formed in the same manner, so that the description is omitted here.
[0106]
In this embodiment, since the sealing glass 13a side is not a display surface, the sealing space 14a may not be configured to be filled with dry nitrogen.
[0107]
As described above, in the organic EL display 1a, the scattering layer 6a as the uneven layer having the unevenness is formed on the glass substrate 5a as the substrate, the flattening layer 7a is formed so that the surface becomes flat, and the element portion is formed. It is manufactured by sequentially forming each layer of 3a. The element section 3a of the organic EL display 1a thus formed has a flat contact surface with the flattening layer 7a, and the thickness of each layer is uniform, so that element deterioration can be prevented. Further, for example, as compared with a configuration that does not include the scattering layer 6a, the light emission efficiency can be increased by scattering by the scattering layer 6a.
[0108]
The organic EL display 1a configured as described above has a configuration in which the low refractive index layer 16a having a refractive index higher than that of the atmosphere is formed on the glass substrate 5a. In this configuration, the material of the low refractive index layer 16a is MgF 2 Even when a film (refractive index: about 1.37) is used, it is difficult to completely eliminate light bleeding. However, the method of manufacturing the organic EL element is simpler and more general than in the case of the first embodiment.
[0109]
In the organic EL displays 1 and 1a as the display devices described above, the case of the organic EL display as the display device has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and other display devices may be used. . However, as in each of the above embodiments, in the organic EL display, the Al reflection film 6 and the scattering layer 6a as the concavo-convex layer are often formed particularly on the glass substrates 5, 5a, so that they are particularly suitable for implementing the present invention. ing.
[0110]
Further, the display device according to the present invention may have not only a function of displaying an image but also other functions.
[0111]
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
[0112]
The above-described specific embodiments or examples only clarify the technical contents of the present invention, and the present invention is not limited to such specific examples and should not be interpreted in a narrow sense. Various modifications are possible within the scope shown in the claims, and the modified embodiments are also included in the technical scope of the present invention.
[0113]
【The invention's effect】
As described above, the display device according to the present invention has a configuration including the flattening layer provided between the uneven layer and the element portion and having a flat contact surface with the element portion.
[0114]
Therefore, the influence of the unevenness in the uneven layer is eliminated, and the element portion is formed thereon, and the layer thickness in each layer of the element portion is made uniform, so that the element deterioration due to unevenness in each layer of the element portion does not occur. This has the effect of extending the life of the device.
[0115]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the element portion includes a display element layer for displaying an image, and a first element for supplying a current to the display element layer with the display element layer interposed therebetween. The configuration includes an electrode layer and a second electrode layer.
[0116]
Therefore, since the respective thicknesses of the display element layer, the first electrode layer, and the second electrode layer included in the element portion are formed to be uniform, the thickness of the display element layer is not affected when current is supplied to the display element layer. This has the effect of preventing element degradation due to uniformity.
[0117]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the display element layer is a light emitting layer including an electroluminescence element.
[0118]
Therefore, there is an effect that an EL display as a display device having the above-described effects can be realized.
[0119]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above-described configuration, the refractive index of the flattening layer is larger than the refractive index of the display element layer.
[0120]
Therefore, it is possible to eliminate the possibility that light incident on the flattening layer from the display element layer is totally reflected, thereby preventing the light from being confined in the display element layer.
[0121]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the flattening layer has a layer thickness of 10 μm or less.
[0122]
Therefore, even if the scattered light progresses due to the total reflection in the flattening layer, there is an effect that the blurring of the light can be suppressed without making the position irradiated with the light much different from the original position.
[0123]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above-described configuration, a low refractive index having a lower refractive index than the display surface side substrate is provided between the element portion and the display surface side substrate on which the image is displayed. This is a configuration having a refractive index layer.
[0124]
Therefore, before the light at the incident angle totally reflected at the interface between the display surface substrate and air reaches the display surface substrate, part or all of the light is totally reflected at the interface of the low refractive index layer, so that the luminous efficiency is improved. And at the same time, it is possible to prevent the blur of the display.
[0125]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the uneven layer is a reflection scattering layer that scatters and reflects light by the unevenness.
[0126]
Therefore, in the configuration in which the reflection scattering layer is formed on the substrate, there is an effect that a display device in which element deterioration is prevented as described above can be provided.
[0127]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the uneven layer is a scattering layer that scatters light by the unevenness.
[0128]
Therefore, in the configuration in which the scattering layer is formed on the substrate, it is possible to provide a display device in which element deterioration is prevented as described above.
[0129]
As described above, in the display device according to the present invention, in the above configuration, the flattening layer has a different refractive index from the scattering layer.
[0130]
Therefore, there is an effect that scattering can be surely generated in the scattering layer and confinement of light can be eliminated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a part of the display device.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1, 1a Organic EL display (display device)
3, 3a element part
5 Glass substrate (substrate)
5a Glass substrate (substrate, display side substrate)
6 Al reflective film (uneven layer, reflective scattering layer)
6a Scattering layer (uneven layer)
7, 7a Flattening layer
8, 8a Transparent electrode (first electrode layer)
10, 10a Light emitting layer (display element layer)
11, 11a Electron injection electrode (second electrode layer)
12 Upper transparent electrode (second electrode layer)
13 Sealing glass (display side substrate)
14 Sealed space (low refractive index layer)
16a Low refractive index layer

Claims (9)

凹凸を有する凹凸層が形成された基板の一面に、画像を表示する素子部を備える表示装置において、
上記凹凸層と上記素子部との間に備えられ、上記素子部との接触面が平坦である平坦化層を有することを特徴とする表示装置。
On a display device including an element portion for displaying an image on one surface of a substrate on which an uneven layer having unevenness is formed,
A display device, comprising: a flattening layer provided between the uneven layer and the element portion and having a flat contact surface with the element portion.
上記素子部は、画像を表示する表示素子層と、上記表示素子層を挟んで上記表示素子層に電流を供給する第1の電極層と第2の電極層とを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。The element section includes a display element layer for displaying an image, and a first electrode layer and a second electrode layer for supplying a current to the display element layer with the display element layer interposed therebetween. Item 2. The display device according to Item 1. 上記表示素子層は、エレクトロルミネッセンス素子からなる発光層であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。The display device according to claim 2, wherein the display element layer is a light emitting layer including an electroluminescence element. 上記平坦化層の屈折率は、上記表示素子層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。The display device according to claim 2, wherein a refractive index of the flattening layer is larger than a refractive index of the display element layer. 上記平坦化層は、10μm以下の層厚であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の表示装置。The display device according to claim 1, wherein the flattening layer has a thickness of 10 μm or less. 上記素子部と、上記画像が表示される表示面側基板との間に、上記表示面側基板よりも低い屈折率を有する低屈折率層を有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の表示装置。6. The liquid crystal display according to claim 1, further comprising a low refractive index layer having a lower refractive index than the display surface substrate, between the element portion and the display surface substrate on which the image is displayed. 2. The display device according to claim 1. 上記凹凸層は、上記凹凸によって光を散乱させるとともに反射させる反射散乱層であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の表示装置。The display device according to claim 1, wherein the uneven layer is a reflection scattering layer that scatters and reflects light by the unevenness. 上記凹凸層は、上記凹凸によって光を散乱させる散乱層であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の表示装置。The display device according to claim 1, wherein the uneven layer is a scattering layer that scatters light by the unevenness. 上記平坦化層は、上記散乱層とは屈折率が異なることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。The display device according to claim 8, wherein the flattening layer has a different refractive index from the scattering layer.
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Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285708A (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Hitachi Ltd Organic light emitting element, picture display device, and its manufacturing method
WO2006035811A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescence display device
WO2006035625A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Organic el display
JP2006107745A (en) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp Organic el display device
JP2006108093A (en) * 2004-10-05 2006-04-20 Samsung Sdi Co Ltd Organic light-emitting element and method for manufacturing the same
JP2006269328A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp Light emitting device
JP2006286616A (en) * 2005-03-11 2006-10-19 Mitsubishi Chemicals Corp Electroluminescence element and lighting system
JP2007073219A (en) * 2005-09-05 2007-03-22 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
KR100721052B1 (en) 2005-03-25 2007-05-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Light emitting apparatus
JP2007265871A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and display device
JP2007265869A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and display device
WO2007114350A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Pioneer Corporation Organic el element
JP2007265870A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and display device
JP2008016347A (en) * 2006-07-06 2008-01-24 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element
JPWO2005115740A1 (en) * 2004-05-26 2008-03-27 日産化学工業株式会社 Surface emitter
US7372075B2 (en) 2004-07-15 2008-05-13 Nec Corporation Optical substrate, light emitting element, display device and manufacturing methods thereof
JP2010097953A (en) * 2010-02-01 2010-04-30 Nec Corp Method for manufacturing organic el display, and organic el display
FR2944145A1 (en) * 2009-04-02 2010-10-08 Saint Gobain METHOD FOR MANUFACTURING TEXTURED SURFACE STRUCTURE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE DEVICE AND STRUCTURE WITH TEXTURED SURFACE
FR2944147A1 (en) * 2009-04-02 2010-10-08 Saint Gobain METHOD FOR MANUFACTURING TEXTURED EXTERNAL SURFACE STRUCTURE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE DEVICE AND STRUTURE WITH TEXTURED EXTERNAL SURFACE
JP2010272515A (en) * 2009-04-20 2010-12-02 Fujifilm Corp Organic electroluminescence display device
US8125128B2 (en) 2005-03-11 2012-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
JP2012142270A (en) * 2010-12-16 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and illuminating device
KR101176885B1 (en) 2010-06-25 2012-08-27 서울대학교산학협력단 Organic Light Emission Device Comprising the Nanostructure Planarizated and Method for Preparing the Same
KR20120101995A (en) * 2011-03-04 2012-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device, lighting device, substrate, and manufacturing method of substrate
US8519413B2 (en) 2009-12-14 2013-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
WO2013136697A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-19 パナソニック株式会社 Organic electroluminescence element
KR20130135791A (en) * 2012-06-01 2013-12-11 주식회사 엘지화학 Organic electronic device
JP2014011094A (en) * 2012-07-02 2014-01-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd Substrate for organic el element and organic el element
JP2014013714A (en) * 2012-07-05 2014-01-23 Udc Ireland Ltd Organic electroluminescent element
JP2014532276A (en) * 2011-10-17 2014-12-04 エルジー・ケム・リミテッド Substrates for organic electronic devices
CN104303329A (en) * 2012-05-25 2015-01-21 法国圣戈班玻璃厂 Organic light-emitting diode device comprising a substrate including a transparent layered element
CN104321898A (en) * 2012-03-23 2015-01-28 株式会社Lg化学 Substrate for organic electronic device

Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005285708A (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Hitachi Ltd Organic light emitting element, picture display device, and its manufacturing method
JPWO2005115740A1 (en) * 2004-05-26 2008-03-27 日産化学工業株式会社 Surface emitter
US7811947B2 (en) 2004-07-15 2010-10-12 Nec Corporation Optical substrate, light emitting element, display device and manufacturing methods thereof
US7372075B2 (en) 2004-07-15 2008-05-13 Nec Corporation Optical substrate, light emitting element, display device and manufacturing methods thereof
WO2006035625A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Organic el display
EP1795051A4 (en) * 2004-09-27 2009-12-16 Toshiba Matsushita Display Tec Organic el display
EP1795051A1 (en) * 2004-09-27 2007-06-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Organic el display
JP2006107745A (en) * 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp Organic el display device
WO2006035811A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescence display device
JP4511440B2 (en) * 2004-10-05 2010-07-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT
JP2006108093A (en) * 2004-10-05 2006-04-20 Samsung Sdi Co Ltd Organic light-emitting element and method for manufacturing the same
JP2006286616A (en) * 2005-03-11 2006-10-19 Mitsubishi Chemicals Corp Electroluminescence element and lighting system
US8125128B2 (en) 2005-03-11 2012-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
KR100760967B1 (en) * 2005-03-25 2007-09-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Light-emitting device
US7888866B2 (en) 2005-03-25 2011-02-15 Seiko Epson Corporation Light-emitting device
KR100721052B1 (en) 2005-03-25 2007-05-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Light emitting apparatus
JP2006269328A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp Light emitting device
KR100782066B1 (en) * 2005-09-05 2007-12-04 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2007073219A (en) * 2005-09-05 2007-03-22 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
US7567030B2 (en) 2005-09-05 2009-07-28 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, and electronic apparatus
JP2007265870A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and display device
JP2007265869A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and display device
JP2007265871A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and display device
WO2007114350A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Pioneer Corporation Organic el element
JP2008016347A (en) * 2006-07-06 2008-01-24 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element
JP4739133B2 (en) * 2006-07-06 2011-08-03 凸版印刷株式会社 Organic electroluminescence device
FR2944147A1 (en) * 2009-04-02 2010-10-08 Saint Gobain METHOD FOR MANUFACTURING TEXTURED EXTERNAL SURFACE STRUCTURE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE DEVICE AND STRUTURE WITH TEXTURED EXTERNAL SURFACE
WO2010112786A3 (en) * 2009-04-02 2011-01-13 Saint-Gobain Glass France Method for manufacturing a structure with a textured surface for an organic light-emitting diode device, and structure with a textured surface
FR2944145A1 (en) * 2009-04-02 2010-10-08 Saint Gobain METHOD FOR MANUFACTURING TEXTURED SURFACE STRUCTURE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE DEVICE AND STRUCTURE WITH TEXTURED SURFACE
US8753906B2 (en) 2009-04-02 2014-06-17 Saint-Gobain Glass France Method for manufacturing a structure with a textured surface for an organic light-emitting diode device, and structure with a textured surface
JP2010272515A (en) * 2009-04-20 2010-12-02 Fujifilm Corp Organic electroluminescence display device
US8519413B2 (en) 2009-12-14 2013-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP4561935B2 (en) * 2010-02-01 2010-10-13 日本電気株式会社 Manufacturing method of organic EL display device
JP2010097953A (en) * 2010-02-01 2010-04-30 Nec Corp Method for manufacturing organic el display, and organic el display
KR101176885B1 (en) 2010-06-25 2012-08-27 서울대학교산학협력단 Organic Light Emission Device Comprising the Nanostructure Planarizated and Method for Preparing the Same
US9882165B2 (en) 2010-12-16 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
KR101802409B1 (en) 2010-12-16 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device and lighting device
US9502690B2 (en) 2010-12-16 2016-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light-emitting device and lighting device with organic resin and glass substrate
JP2012142270A (en) * 2010-12-16 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and illuminating device
JP2012199230A (en) * 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device, lighting system, substrate, and method of manufacturing substrate
KR20120101995A (en) * 2011-03-04 2012-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device, lighting device, substrate, and manufacturing method of substrate
KR101922603B1 (en) * 2011-03-04 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device, lighting device, substrate, and manufacturing method of substrate
US9401498B2 (en) 2011-03-04 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, substrate, and manufacturing method of substrate
JP2014532276A (en) * 2011-10-17 2014-12-04 エルジー・ケム・リミテッド Substrates for organic electronic devices
US9461275B2 (en) 2011-10-17 2016-10-04 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
WO2013136697A1 (en) * 2012-03-12 2013-09-19 パナソニック株式会社 Organic electroluminescence element
JPWO2013136697A1 (en) * 2012-03-12 2015-08-03 パナソニック株式会社 Organic electroluminescence device
EP2830113A4 (en) * 2012-03-23 2015-12-30 Lg Chemical Ltd Substrate for organic electronic device
JP2015517178A (en) * 2012-03-23 2015-06-18 エルジー・ケム・リミテッド Substrates for organic electronic devices
EP2830113A1 (en) * 2012-03-23 2015-01-28 LG Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device
CN104321898A (en) * 2012-03-23 2015-01-28 株式会社Lg化学 Substrate for organic electronic device
US9530979B2 (en) 2012-03-23 2016-12-27 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
US9666828B2 (en) 2012-03-23 2017-05-30 Lg Display Co., Ltd. Method for producing a substrate for organic electronic devices
US9698366B2 (en) 2012-03-23 2017-07-04 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
US9716242B2 (en) 2012-03-23 2017-07-25 Lg Display Co., Ltd. Substrate for organic electronic device
CN104303329A (en) * 2012-05-25 2015-01-21 法国圣戈班玻璃厂 Organic light-emitting diode device comprising a substrate including a transparent layered element
KR101657448B1 (en) * 2012-06-01 2016-09-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic electronic device
KR20130135791A (en) * 2012-06-01 2013-12-11 주식회사 엘지화학 Organic electronic device
JP2014011094A (en) * 2012-07-02 2014-01-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd Substrate for organic el element and organic el element
JP2014013714A (en) * 2012-07-05 2014-01-23 Udc Ireland Ltd Organic electroluminescent element

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