JP2004014927A - 半導体製造装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備える半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体製造装置を実際に稼動させることなく半導体製造装置の一連の正常動作を確認することができる半導体製造装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備える半導体製造装置を提供することにある。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は制御装置（ＡＰＣサーバ）４１を備え、制御装置４１には入出力装置５１が接続されている。制御装置４１は、プラズマ処理装置１１がデバイス製造の実処理時には、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、圧力センサ１２ａ、プラズマ発光分光器３１が検出した検出データに基づいてプラズマ処理装置１１に所定のエッチング処理を実行させる。一方、制御装置４１は、プラズマ処理装置１１がデバイス製造の実処理時でないときには、プラズマ処理装置１１の動作シミュレーションを行う。
【選択図】　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備える半導体製造装置に関し、特に、半導体製造装置を実際に稼動させることなく該半導体製造装置の一連の動作を確認することができる半導体製造装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備える半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程では、半導体ウエハ等の被処理体のエッチング工程等において、例えばプラズマ処理装置が用いられている。
【０００３】
従来のプラズマ処理装置は、内部が半導体ウエハのエッチング処理を行うべく高真空に保持される処理室と、処理室内の下部に配設され且つ半導体ウエハを載置する載置台を兼ねる下部電極と、処理室内において下部電極の上方に配設され、プロセスガスを処理室内に供給するシャワーヘッドを兼ねる上部電極とを備える。
【０００４】
上記プラズマ処理装置は、上部電極や下部電極に高周波電力を供給する高周波電源、これらの高周波電力の基本周波数及び高調波の電圧、電流等を検出する電気測定器、プロセスガスの流量を制御する流量制御装置，プロセスガスの流量を計測するガス流量センサ、処理室内の温度を検出する温度センサ、処理室内の圧力を検出する圧力センサ、及びプラズマ発光分光器を有する。
【０００５】
一方、高周波電源、流量制御装置、電気測定器、ガス流量センサ、温度センサ、圧力センサ、及びプラズマ発光分光器には、夫々制御装置が接続されている。また、制御装置には入出力装置が接続されている。
【０００６】
上記制御装置は、入出力装置を介して高周波電源及び流量制御装置のエッチング処理用装置パラメータを設定すると共に、電気測定器、ガス流量センサ、温度センサ、プラズマ発光分光器、及び圧力センサを介してエッチング処理の状況を検出し、これらの検出値等を入出力装置に出力する。この制御装置は、上記のように検出された検出値に基づいて所望のエッチング処理を行うようにプラズマ処理装置を制御する。
【０００７】
電気測定器、ガス流量センサ、温度センサ、及び圧力センサはパラメータセンサとして働き、プラズマ発光分光器は追加センサとして働く。また、電気測定器は、高周波電源の基本周波数及び高調波の電圧、電流等を検出するための追加センサとしても働く。
【０００８】
さらに、制御装置は、パラメータセンサや追加センサからの検出データを記憶し、この記憶した検出データに基づいてパラメータセンサ及び追加センサからの検出値の変動許容範囲を設定する。この変動許容範囲は、実際に半導体ウエハにプラズマ処理を行って製品としてのデバイスを製造する「実処理」前に、実処理時と同一の材質及び構造の半導体ウエハを用いて試用デバイスを製造し、エッチング前の試用半導体ウエハの仕様及び製造した試用デバイスの仕様を夫々測定し、所望のデバイス仕様（期待仕様）を満たす試用デバイスを製造した時のパラメータセンサ及び追加センサの検出データの最大値及び最小値により設定される。
【０００９】
このような制御装置は、デバイス製造の実処理時に得られるパラメータセンサ及び追加センサからの検出データが変動許容範囲内にある場合は、正常なエッチングにより期待仕様を満たすデバイスが製造されていると判断し、検出データの内のいずれか１つの検出データが変動許容範囲内にない場合は、異常なエッチングにより期待仕様を満たさないデバイスが製造されていると判断している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プラズマ処理装置の、制御装置は、正常なエッチングにより期待仕様を満たすデバイスが製造されているか否かの判断を、デバイス製造の実処理時にのみ行うことができるだけであり、プラズマ処理装置の故障等によりデバイス製造の実処理ができないときは、制御装置の正常動作を確認することはできない。
【００１１】
本発明の目的は、半導体製造装置を実際に稼動させることなく半導体製造装置の一連の正常動作を確認することができる半導体製造装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備える半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、請求項１記載のシミュレーション装置は、半導体ウエハを処理する半導体製造装置に接続され且つ該半導体製造装置の動作シミュレーションを行う半導体製造装置のシミュレーション装置において、前記半導体製造装置の複数の処理パラメータを夫々測定する複数のセンサと、前記半導体製造装置の複数の装置パラメータを設定する設定手段と、前記測定された複数の処理パラメータ及び前記設定された複数の装置パラメータを前記半導体製造装置の実処理のイベントの時系列として関連付ける関連付け手段と、当該関連付けられた処理パラメータ及び装置パラメータの少なくとも１つに基づいて前記半導体製造装置を模擬的に作動させる作動手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項１記載のシミュレータによれば、測定された複数の処理パラメータ及び設定された複数の装置パラメータを半導体製造装置の実処理のイベントの時系列として関連付け、この関連付けられた処理パラメータ及び装置パラメータの少なくとも１つに基づいて前記半導体製造装置を模擬的に作動させるので、半導体製造装置を実際に稼動させることなく半導体製造装置の一連の動作を確認することができる。
【００１４】
請求項２記載のシミュレーション装置は、請求項１記載のシミュレーション装置において、前記半導体製造装置はプラズマエッチング装置であることを特徴とする。
【００１５】
請求項３記載のシミュレーション装置は、請求項２記載のシミュレーション装置において、前記処理パラメータは、処理室の温度と、前記処理室の圧力と、前記処理室に印加される高周波電源の特性値と、前記処理室に供給されるエッチングガスの供給量と、前記処理室に供給されるキャリアガスの供給量と、エッチング処理の終点を含み、前記装置パラメータは、前記高周波電源の特性値の制御量と、前記エッチングガスの供給量の制御量と、前記キャリアガスの供給量の制御量とを含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項４記載の半導体製造装置は、半導体ウエハを処理し、シミュレーション装置を備える半導体製造装置であって、前記シミュレーション装置は、前記半導体製造装置の複数の処理パラメータを夫々測定する複数のセンサと、前記半導体製造装置の複数の装置パラメータを設定する設定手段と、前記測定された複数の処理パラメータ及び前記設定された複数の装置パラメータを前記半導体製造装置の実処理のイベントの時系列として関連付ける関連付け手段と、当該関連付けられた処理パラメータ及び装置パラメータの少なくとも１つに基づいて前記半導体製造装置を模擬的に作動させる作動手段とを備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の半導体製造装置によれば、請求項１と同様の効果を奏することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置のシミュレーション装置、及び該シミュレーション装置を備えた半導体製造装置に関して図面を参照しながら詳述する。
【００１９】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す図である。
【００２０】
図１において、プラズマ処理装置１１は、アルミニウム等の導電性材料から成り、内部が被処理体としての半導体ウエハＷのエッチング処理を行うべく高真空に保持される処理室１２と、処理室１２内の下部に配設され且つ半導体ウエハＷを載置する載置台を兼ねる下部電極１３と、処理室１２内において下部電極１３の上方に配設され、後述するプロセスガスを処理室１２内に供給するシャワーヘッドを兼ねる上部電極１４と、後述する図２の制御装置４１とを備える。下部電極１３の頂部の周縁には、後述する処理室１２内で発生するプラズマＰを半導体ウエハＷに集束してプラズマ処理の効率を向上させるためのフォーカスリング１３ａが配設され、フォーカスリング１３ａの内側には半導体ウエハＷを静電吸着する図示しない静電チャックを有する。また、処理室１２は、その内部圧力を検出する圧力センサ１２ａを有する。
【００２１】
上部電極１４には、共通ガス配管２１を介してガス配管２２及びガス配管２３が接続されており、ガス配管２２には、流量制御装置２６を介してＣＦ系ガス等のエッチングガス用のエッチングガス供給源２４が接続され、また、ガス配管２３には、流量制御装置２８を介してＡｒガス等のキャリアガス用のキャリアガス供給源２５が接続されている。流量制御装置２６はエッチングガスの供給量を制御し、流量制御装置２８はキャリアガスの供給量を制御する。エッチングガス供給源２４から供給されたエッチングガスと、キャリアガス供給源２５から供給されたキャリアガスとは、共通ガス管２１で混合されてプロセスガスとして上部電極（シャワーヘッド）１４を介して処理室１２内に均等に分散して放出される。また、ガス配管２２にはエッチングガスの流量を検出するガス流量センサ２７が配され、ガス配管２３にはキャリアガスの流量を検出するガス流量センサ２９が配されている。
【００２２】
また、上部電極１４には、整合器１８を介して高周波電源１９が接続され、高周波電源１９は、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を上部電極１４に印加する。上部電極１４と整合器１８の間には電気測定器２０が接続され、電気測定器２０は、上部電極１４に印加される高周波電源１９の基本周波数及び高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の電気信号を検出する。
【００２３】
下部電極１３には、整合器１５を介して高周波電源１６が接続され、高周波電源１６は、例えば２ＭＨｚの高周波電力を下部電極１３に印加する。下部電極１３と整合器１５の間には電気測定器１７が接続され、電気測定器１７は、下部電極１３に印加される高周波電源１６の基本周波数及び高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の電気信号を検出する。
【００２４】
また、下部電極１３には、エッチング処理時における下部電極１３の温度及び半導体ウエハＷの温度を検出する温度センサ１３ｂが配されている。
【００２５】
上記のように構成されたプラズマ処理装置１１は、高真空に維持された処理室１２内に供給されたプロセスガスに上部電極１４を介して、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を作用させてＲＦ放電によりプラズマＰを生成すると共に下部電極１３を介して、例えば２ＭＨｚの高周波電力によりバイアス電位を印加して半導体ウエハＷに対して反応性イオンエッチング処理を行う。
【００２６】
処理室１２の側壁には、例えば石英ガラスを埋め込んだ窓３０が形成され、窓３０には、プラズマ発光分光器３１が配設されている。プラズマ発光分光器３１は、特定波長のプラズマを分光し、この特定波長のプラズマの強度の変化に基づいてエッチング処理の終点を検出する。
【００２７】
高周波電源１６，１９、流量制御装置２６，２８、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、プラズマ発光分光器３１、及び圧力センサ１２ａは、夫々後述する図２の制御装置（ＡＰＣサーバ）４１に接続されている。また、制御装置４１には入出力装置５１が接続されている。
【００２８】
制御装置４１は、入出力装置５１を介して高周波電源１６，１９及び流量制御装置２６，２８のエッチング処理用装置パラメータを設定する（設定手段）と共に、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂプラズマ発光分光器３１、及び圧力センサ１２ａを介してエッチング処理の状況を検出し、これらの検出値等を入出力装置５１に出力する。この制御装置４１は、上記のように検出された検出値に基づいて所望のエッチング処理を行うようにプラズマ処理装置１１を制御する。
【００２９】
装置パラメータは、高周波電源１６，１９の高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の電気信号（特性値）の制御値や、流量制御装置２６の制御するエッチングガスの供給量及び流量制御装置２８の制御するキャリアガスの供給量を含む。
【００３０】
電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、及び圧力センサ１２ａは、パラメータセンサとして働き、プラズマ発光分光器３１は、追加センサとして働く。また、電気測定器１７，２０は、高周波電源１６，１９の基本周波数及び高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の電気信号を検出するための追加センサとしても働く。
【００３１】
また、プラズマ処理装置１１は、図示しない装置データ検出部を有しており、この装置データ検出部は、エッチングが行われている半導体ウエハＷのＩＤデータやイベントデータ等の装置データを検出する。
【００３２】
図２は、本発明の実施の形態に係るシミュレーション装置の概略構成を示すブロック図である。
【００３３】
図２において、シミュレーション装置としての制御装置４１は、パラメータセンサとしての電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、及び圧力センサ１２ａが検出した検出データ、並びに追加センサとしてのプラズマ発光分光器３１が検出した検出データ（以下、これらの検出データを総称して「センサデータ」という。）（処理パラメータ）を記憶するセンサデータ記憶部４２と、センサデータ記憶部４２で記憶されたセンサデータに基づいてプラズマ処理装置１１を制御して所定のエッチング処理を実行させる処理部４３と、センサデータ格納部４４（関連付け手段）と、センサシミュレータ４５（作動手段）と、装置データ格納部４６（関連付け手段）と、装置シミュレータ４７（作動手段）と、センサデータ記憶手段４２、処理部４３、センサデータ格納部４４、センサシュミレータ４５、装置データ格納部４６、及び装置シミュレータ４７を制御するＣＰＵ４８とを備える。上記センサデータ格納部４４、センサシミュレータ４５、装置データ格納部４６、及び装置シミュレータ４７は後述する制御装置４１の動作シミュレーションを行う。
【００３４】
センサデータは、電気測定器１７の検出する下部電極１３に印加される高周波電源１６、及び電気測定器２０の検出する上部電極１４に印加される高周波電源１９についての基本周波数及び高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の各電気信号や、ガス流量センサ２７が検出するエッチングガスの流量や、ガス流量センサ２９が検出するキャリアガスの流量や、温度センサ１３ｂが検出するエッチング処理時における下部電極１３及び半導体ウエハＷの温度や、圧力センサ１２ａが検出する処理室１２の内部圧力や、プラズマ発光分光器３１が検出するエッチング処理の終点を含む。
【００３５】
制御装置４１は、プラズマ処理装置１１がデバイス製造の実処理時には、パラメータセンサ及び追加センサの検出したセンサデータをセンサデータ記憶手段４１に記憶し、この記憶されたセンサデータに基づいて処理部４３がプラズマ処理装置１１に半導体ウエハＷに対するエッチング処理を実行させてデバイスを製造させる。このとき、センサデータ格納部４４は、パラメータセンサ及び追加センサが検出したセンサデータを格納し、装置データ格納部４６は、装置データ検出部が検出した装置データを格納する。この格納されたセンサデータ及び装置データは、半導体ウエハＷに予め付されているＩＤ番号毎に、プラズマ処理装置１１の実処理の工程であるイベントの時系列として関連付けられている。
【００３６】
一方、制御装置４１は、プラズマ処理装置１１がデバイス製造の実処理時でないときには、以下に述べるようにプラズマ処理装置１１の動作シミュレーションを行うことができる。
【００３７】
即ち、プラズマ処理装置１１の実処理時において、任意の半導体ウエハＷのＩＤ番号が入出力装置５１に入力されると、センサデータ格納部４４及び装置データ格納部４６に夫々ＩＤ番号毎にイベントの時系列により関連付けられて格納されたセンサデータ及び装置データの中から当該入力されたＩＤ番号に対応するセンサデータ及び装置データが選択され、この選択されたセンサデータはセンサシミュレータ４５に、同装置データは装置シミュレータ４７に夫々送信され、センサシミュレータ４５及び装置シミュレータ４７は、上述の実処理と同様にこの選択されたＩＤ番号に対応する半導体ウエハＷの仮想処理を行い、この仮想処理時のセンサデータがセンサデータ記憶部４２に記憶され、記憶されたセンサデータに基づき処理部４３が所定の処理を模擬的に行う。
【００３８】
本実施の形態における制御装置４１が行う動作を以下に説明する。
【００３９】
プラズマ処理装置１１の実処理時において、制御装置４１は、上述のパラメータセンサ及び追加センサからのセンサデータをセンサデータ記憶部４２に記憶し、処理部４３において、予め記憶されている変動許容範囲群と、センサデータ記憶部４２に記憶されたセンサデータとの比較を行い、正常なエッチングにより期待仕様を満たすデバイスが製造されているか否かの判断を行う。
【００４０】
変動許容範囲群は、期待仕様を満足するエッチングが行われた時のセンサデータのデータ群によって構成されたものである。この変動許容範囲群は期待仕様を満足するデバイスを製造した時のセンサデータの最大値及び最小値の範囲で構成されており、半導体ウエハＷの実処理時に得られるセンサデータの全てがこの最大値と最小値の範囲内にあるときは、正常なエッチングが行われており期待仕様を満足する良好なデバイスが製造されていると判断でき、実処理時のセンサデータのうちいずれか１つでも上記範囲内にないときは異常なエッチングにより期待仕様を満足しない不良のデバイスが製造されていると判断することができる。
【００４１】
変動許容範囲群はプラズマ処理装置１１の実処理前に試用半導体ウエハｗを用いて作成される。試用半導体ウエハｗは半導体ウエハＷと同一の材質及び構造を有している。変動許容範囲群の作成は、まずエッチング前の試用半導体ウエアｗの仕様、当該試用半導体ウエハｗのエッチング後のデバイスの仕様、デバイスの期待仕様、期待仕様の許容範囲、及びプラズマ処理装置の特性ライブラリに基づいて最適と思われる装置パラメータを従来と同様の手法によって求める。
【００４２】
試用半導体ウエハｗの仕様としては、下地材料の仕様（膜種、膜厚、構造、製法等）や、被エッチング膜の仕様（膜種、膜厚、構造、製法等）や、マスク材料の仕様（膜種、膜厚、マスクパターン等）があり、デバイスの期待仕様としては、デバイスの形状面のパターン幅、エッチング深さ、テーパ角度、ボーイング度合い、及びマスク材料のエッチング量等や、電気的特性面の配線抵抗、コンタクと抵抗、帯電量、リーク電流、及び絶縁破壊等がある。プラズマ処理装置１１の特性ライブラリ仕様としては、プラズマ処置装置１１の型式、処理室、電極構造、及び高周波電流等がある。最適な装置パラメータはこれらの仕様に基づいて従来の知見及び実験等によって求められる。
【００４３】
上述のように求められた最適な装置パラメータを用いて、実験計画法等により装置パラメータの変動許容範囲及びセンサデータの変動許容範囲群を求める。すなわち、上記最適な装置パラメータを中心にデバイスの期待仕様を満足すると予測される複数の装置パラメータに基づいて実際に試用半導体ウエハｗに対しエッチングを行い、装置パラメータの変動許容範囲及びセンサデータの変動許容範囲群を求める。
【００４４】
試用半導体ウエハｗを用いてエッチングを、各装置パラメータを最大、最小及びこれらの間で変化させて行い、この時の電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、圧力センサ１２ａ、及びプラズマ発光分光器３１からのセンサデータを試用半導体ウエハｗ毎にセンサデータ記憶部４２に記憶し、同時にセンサデータ記憶部４２はこのセンサデータをパラメータセンサの検出値及び追加センサの検出値に分けて、この夫々対して演算処理を行い、平均値を算出して試用半導体ウエハｗ毎に記憶する。
【００４５】
上述のように、変動許容範囲群は、所定の試用半導体ウエハｗに対して所定の装置パラメータに基づいてエッチング処理を行った際に得られるセンサデータの集合であり、センサデータがこの変動許容範囲群内にあるときは期待仕様のデバイスが製造されていると判断できる。
【００４６】
一方、プラズマ処理装置１１が実処理時ではないときは、制御装置４１は、入出力装置５１に任意に半導体ウエハＷのＩＤ番号が入力されると、プラズマ処理装置１１の実処理時にセンサデータ格納部４４及び装置データ格納部４６に半導体ウエハＷのＩＤ番号毎に夫々実処理のイベントの時系列で関連付けられて格納されたセンサデータ及び装置データの中から、上記入力されたＩＤ番号に対応するセンサデータ及び装置データが選択され、この選択されたセンサデータがセンサデータシミュレータ４５に、選択された装置データが装置データシミュレータ４７に送信される。次いで、センサデータシミュレータ４５はセンサデータを、装置データシミュレータ４７は装置データを処理部４３に送信し、処理部４３は、予め記憶されている変動許容範囲群と、受信したセンサデータとの比較を行い、正常なエッチングにより期待仕様を満たすデバイスが製造されているか否かの判別を行うことによりプラズマ処理装置１１の動作シミュレーションを行う。
【００４７】
本実施の形態において制御装置４１は、予め記憶された変動許容範囲とセンサデータとの比較を行うことによりプラズマ処理装置１１の処理の結果を予測する制御装置４１の行う処理はこれに限られるものではなく、例えばプラズマ処理装置１１の処理の監視等がある。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１記載のシミュレータ及び請求項４記載の半導体製造装置によれば、測定された複数の処理パラメータ及び設定された複数の装置パラメータを半導体製造装置の実処理のイベントの時系列として関連付け、この関連付けられた処理パラメータ及び装置パラメータの少なくとも１つに基づいて前記半導体製造装置を模擬的に作動させるので、半導体製造装置を実際に稼動させることなく半導体製造装置の一連の動作を確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るシミュレーション装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１１　プラズマ処理装置
３１　プラズマ発光分光器
４１　制御装置
４２　センサデータ記憶手段
４３　処理コントローラ
４４　センサシミュレータ
４５　装置シミュレータ
４６　ＣＰＵ
４７　センサデータ格納手段
４８　装置データ格納手段
５１　入出力手段

Claims (4)

1. 半導体ウエハを処理する半導体製造装置に接続され且つ該半導体製造装置の動作シミュレーションを行う半導体製造装置のシミュレーション装置において、前記半導体製造装置の複数の処理パラメータを夫々測定する複数のセンサと、前記半導体製造装置の複数の装置パラメータを設定する設定手段と、前記測定された複数の処理パラメータ及び前記設定された複数の装置パラメータを前記半導体製造装置の実処理のイベントの時系列として関連付ける関連付け手段と、当該関連付けられた処理パラメータ及び装置パラメータの少なくとも１つに基づいて前記半導体製造装置を模擬的に作動させる作動手段とを備えることを特徴とするシミュレーション装置。
2. 前記半導体製造装置はプラズマエッチング装置であることを特徴とする請求項１記載のシミュレーション装置。
3. 前記処理パラメータは、処理室の温度と、前記処理室の圧力と、前記処理室に印加される高周波電源の特性値と、前記処理室に供給されるエッチングガスの供給量と、前記処理室に供給されるキャリアガスの供給量と、エッチング処理の終点を含み、前記装置パラメータは、前記高周波電源の特性値の制御量と、前記エッチングガスの供給量の制御量と、前記キャリアガスの供給量の制御量とを含むことを特徴とする請求項２記載のシミュレーション装置。
4. 半導体ウエハを処理し、シミュレーション装置を備える半導体製造装置であって、前記シミュレーション装置は、前記半導体製造装置の複数の処理パラメータを夫々測定する複数のセンサと、前記半導体製造装置の複数の装置パラメータを設定する設定手段と、前記測定された複数の処理パラメータ及び前記設定された複数の装置パラメータを前記半導体製造装置の実処理のイベントの時系列として関連付ける関連付け手段と、当該関連付けられた処理パラメータ及び装置パラメータの少なくとも１つに基づいて前記半導体製造装置を模擬的に作動させる作動手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。

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