JP2003533863A - Elastomer electrical connector - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 電気コネクタは、第一電気要素と第二電気要素を接続するために使用される。コネクタの本体は、上面と底面を備えたエラストマーから作られている。エラストマーのバンプが上面及び底面から延出し、バンプのペアと本体とを貫通して孔が延在している。バンプと孔は金属化されている。コネクタを取り付けるために、コネクタが第一要素と第二要素の間で圧縮され保持される。コネクタの圧縮により、バンプはコネクタの金属化層を第一要素と第二要素に対して押圧する。 (57) [Summary] An electrical connector is used to connect a first electrical element and a second electrical element. The body of the connector is made of an elastomer having a top and a bottom. Elastomer bumps extend from the top and bottom surfaces and holes extend through the pair of bumps and the body. The bumps and holes are metallized. To mount the connector, the connector is compressed and held between the first and second elements. Upon compression of the connector, the bumps press the metallized layer of the connector against the first and second elements.
Description
【0001】[0001]
本発明は、一般に二個の導電性要素の間に電気的相互接続を提供する電気コネ
クタに関する。より詳細には、本発明は、シリコーン本体内に設けられた電気的
経路の配列を含み、シリコーン本体の弾性力により、シリコンダイと回路基板と
の間等、二個の導電性要素の間に優れた電気的接続を提供するためのコネクタに
関するものである。The present invention relates generally to electrical connectors that provide electrical interconnection between two electrically conductive elements. More specifically, the present invention includes an array of electrical pathways provided within a silicone body, wherein the elastic force of the silicone body provides a force between two conductive elements, such as between a silicon die and a circuit board. The present invention relates to a connector for providing excellent electrical connection.
【0002】[0002]
シリコンダイや他の電子デバイスの回路基板への接続は、通常、シリコンダイ
上の導電性パッドと最終的には回路基板上にはんだ付けされる金属リード線との
間のワイヤボンディングによってなされてきた。金属リード線は、シリコンダイ
と回路基板との間の入力/出力接続を提供する。回路基板上の決められた領域に
より多くのデバイスを実装するのが最近の傾向であり、その結果、より多くの数
のリード線が必要になってきている。従来は、リード線のピッチをより小さくす
ること、及びリード線が延出する側面又は表面の数を増やすことによってリード
線の数を増加させていた。しかしながら、この技術は、より小さな金属リードフ
レームを打ち抜き加工することが不可能になった時に限界に到達する。その結果
、ダイ面積当たりの入力/出力接続の数を増大させること及び電力密度(即ち、
熱)を高めることが必要となり、更に、より優れたパッケージング技術が必要と
なる。The connection of a silicon die or other electronic device to a circuit board has typically been made by wire bonding between conductive pads on the silicon die and metal leads that are ultimately soldered onto the circuit board. . Metal leads provide input / output connections between the silicon die and the circuit board. A recent trend is to mount more devices in a defined area on a circuit board, resulting in a greater number of leads required. Conventionally, the number of lead wires has been increased by reducing the pitch of the lead wires and increasing the number of side surfaces or surfaces from which the lead wires extend. However, this technique reaches its limits when it becomes impossible to stamp smaller metal leadframes. As a result, increasing the number of input / output connections per die area and power density (ie,
It is necessary to increase heat), and further, superior packaging technology is required.
【0003】
現在使用されているそのような相互接続の例としては、ボールグリッドアレイ
(BGA)、特表平3−506094号公報及び米国特許4,988,306号
に述べられている基板内中実接続技術、Form Factorによって開発さ
れたワイヤオンウェーハ(WOW)技術、電子パッケージング及び検査のための
エラストマーコネクタ(米国特許第4,932,883号)、並びに、Thom
as and Bettsによって使用されている金属化粒子相互接続法が挙げ
られる。Examples of such interconnects currently in use include ball grid arrays (BGA), in-board substrates described in JP-A-3-506094 and US Pat. No. 4,988,306. Real Connection Technology, Wire on Wafer (WOW) Technology Developed by Form Factor, Elastomer Connector for Electronic Packaging and Inspection (US Pat. No. 4,932,883), and Thom
The metallized particle interconnection method used by as and Betts is mentioned.
【0004】
BGAは、フラットパッケージ等の金属リードを備えたパッケージングで可能
であった入力/出力接続の数よりも多くの入力/出力接続を備えた回路基板上に
シリコンダイを実装するために開発された。この実装方法はシリコンダイの底面
側のパッドに付けられた「高温」はんだ球を利用する。ダイの周囲ではなくダイ
の底面全体を利用することにより、回路基板への接点の数をフラットパッケージ
に比べて著しく増大できる。この方法は、上面のワイヤボンドパッドと底面上の
バンプパッドとの間にめっきされたスルーホールを備えたFR4やセラミック等
の基板を必要とする。底面上のバンプパッドには高温はんだ球が取り付けられ、
その後完成した組立体が回路基板に取り付けられる。この実装方法は比較的高価
(入力/出力接続当たり0.015ドル〜0.05ドル)であり、バーンインテ
ストの前にダイが実装されていなければならないため、ウェーハレベルでのテス
トを行うのに向いていない。典型的な70ポジションのパッケージの価格は1.
00ドルから3.00ドルの間である。BGA is for mounting a silicon die on a circuit board with more input / output connections than was possible with packaging with metal leads such as flat packages. It has been developed. This mounting method utilizes a "high temperature" solder ball attached to a pad on the bottom side of the silicon die. By utilizing the entire bottom surface of the die rather than the perimeter of the die, the number of contacts to the circuit board can be significantly increased over flat packages. This method requires a substrate such as FR4 or ceramic with plated through holes between the wire bond pads on the top surface and the bump pads on the bottom surface. High temperature solder balls are attached to the bump pads on the bottom,
The completed assembly is then attached to the circuit board. This mounting method is relatively expensive ($ 0.01- $ 0.05 per input / output connection), and the die must be mounted before the burn-in test, making it ideal for wafer level testing. Not suitable. The price for a typical 70-position package is 1.
It is between $ 00 and $ 3.00.
【0005】
第二の相互接続方法である基板内中実接続技術は、高性能なシリコンデバイス
を回路基板に接続するために主に使用される。0.8mm〜2mmのピッチで孔
を格子状に形成した平坦なプラスチックフレームが使用され、孔内に金めっきし
た「スチールウール(steel wool)」が圧入される。この組立体は二個の導電性
パッドの間で圧縮され、それらの間に電気的接触を提供する。このコネクタの典
型的な押付け力は接点当たり2オンスであり、総押付け力は数100ポンドにも
なる可能性がある。基板内中実接続技術を使用するコネクタの価格は、平均して
接点当たり0.04ドルである。従って、典型的な70ポジションのデバイスは
2.80ドルである。この電気部品実装方法は比較的高価であり、ウェーハレベ
ルでのテストを行うのに向いていない。The second interconnect method, solid-in-board technology, is primarily used to connect high performance silicon devices to circuit boards. A flat plastic frame with holes formed in a grid pattern with a pitch of 0.8 mm to 2 mm is used, and gold-plated "steel wool" is pressed into the holes. The assembly is compressed between two conductive pads to provide electrical contact between them. The typical pressing force of this connector is 2 ounces per contact and the total pressing force can be hundreds of pounds. The price of connectors using solid-in-board technology is $ 0.04 per contact on average. Therefore, a typical 70-position device costs $ 2.80. This electrical component mounting method is relatively expensive and is not suitable for testing at the wafer level.
【0006】
第三の技法であるワイヤオンウェーハ(WOW)は、金属ばねをシリコンダイ
上に直接取り付けることに依存している。これらのばねは、ダイと回路基板等の
相手側の面との間の電気的相互接続を提供する。利点としては、比較的低コスト
であること及びウェーハレベルでのテストを行えることが挙げられる。欠点は、
ばねを製造してダイ上に取り付けるためにメモリー製造業者は大量の設備を導入
しなければならないことである。この実装方法の実施可能性及びコスト面での有
効性は未だ定まっていない。A third technique, wire-on-wafer (WOW), relies on mounting metal springs directly on the silicon die. These springs provide electrical interconnection between the die and a mating surface such as a circuit board. The advantages include relatively low cost and wafer level testing. The downside is
Memory manufacturers must introduce a large amount of equipment to manufacture and mount springs on the die. The feasibility and cost effectiveness of this mounting method have not yet been determined.
【0007】
第4のシリコン実装方法は、表面を選択的に金属化したエラストマー基板の使
用に依存している。底部パッドを上部パッドに電気的に接続するためにスルーホ
ールが使用される。平坦なエラストマー表面上の金属化したパッドはめっきした
スルーホールからオフセットされており、エラストマーが圧縮された時に、それ
がめっきしたスルーホールの筒内で電気コネクタを壊さないようにしている。こ
の形式のコネクタの例は、米国特許第5,071,359号及び米国特許第5,
245,751号に記載されている。A fourth silicon packaging method relies on the use of elastomeric substrates with selectively metallized surfaces. Through holes are used to electrically connect the bottom pad to the top pad. The metallized pads on the flat elastomer surface are offset from the plated through holes so that when the elastomer is compressed it does not break the electrical connector within the plated through hole barrel. Examples of this type of connector are US Pat. No. 5,071,359 and US Pat.
245,751.
【0008】[0008]
本発明は、従来技術の問題を克服し、且つ従来技術にはない付加的な利点を提
供する電気コネクタを提供する。係る利点は、図面を検討するとともに明細書を
読むことにより明らかになるであろう。The present invention provides an electrical connector that overcomes the problems of the prior art and provides additional advantages not found in the prior art. Such advantages will become apparent upon examining the drawings and reading the specification.
【0009】
本発明の一般的な目的は、ワイヤーボンディング用金属リード線を不用にする
電気コネクタを提供することである。A general object of the present invention is to provide an electrical connector that eliminates the use of metal leads for wire bonding.
【0010】
本発明の目的は、従来の実装技術に比べて回路基板上の面積当たりの入力/出
力接続の数を増加できる電気コネクタを提供することである。It is an object of the present invention to provide an electrical connector that can increase the number of input / output connections per area on a circuit board compared to conventional packaging techniques.
【0011】
本発明の更なる目的は、コネクタと、回路基板、シリコンダイ、又は、その他
の電子デバイスに設けられた導電性パッドとの間の電気的接触を可能にする電気
コネクタを提供することである。A further object of the present invention is to provide an electrical connector that enables electrical contact between the connector and a conductive pad on a circuit board, silicon die, or other electronic device. Is.
【0012】
本発明の別の目的は、コスト面で効果的に製造できる電気コネクタを提供する
ことである。[0012] Another object of the present invention is to provide an electrical connector that can be manufactured cost effectively.
【0013】
本発明の特定の目的は、ウェーハレベルでのテストが可能な電気コネクタを提
供することである。A particular object of the present invention is to provide an electrical connector that can be tested at the wafer level.
【0014】[0014]
上記の問題に鑑みて、本発明は、金属リードフレームを不用にでき、回路基板
上の面積当たりの入力/出力接続の数を増大でき、接続すべきデバイス間に優れ
た電気的接続を提供でき、完成した集積チップのアレイ全体についてのウェーハ
レベルでのテストを可能にし、コスト面で効果的に製造できる電気コネクタを開
示している。電気コネクタは、スルーホールと隆起したエラストマーバンプとを
備えるように形成されたエラストマー基部を含む。スルーホール及びバンプは金
属化され、シリコンダイや回路基板等の接続すべきデバイス間に電気的経路を提
供する。隆起したバンプはエラストマー基部の上面と底面に設けられ、圧縮力の
使用により電気的デバイス上の導電性パッドとめっきした孔との間の電気的接触
を可能にする。この隆起したバンプは、良好な電気的接触を生み出す弾性力、及
び、相互接続されるデバイス間にコンプライアンスを提供する。In view of the above problems, the present invention can eliminate the need for metal leadframes, increase the number of input / output connections per area on a circuit board, and provide excellent electrical connections between the devices to be connected. Discloses an electrical connector that enables wafer level testing of an entire array of completed integrated chips and is cost effective to manufacture. The electrical connector includes an elastomeric base formed with a through hole and a raised elastomeric bump. The through holes and bumps are metallized to provide electrical paths between devices to be connected such as silicon dies and circuit boards. Raised bumps are provided on the top and bottom surfaces of the elastomeric base and allow the use of compressive forces to make electrical contact between the conductive pads on the electrical device and the plated holes. The raised bumps provide elastic forces that create good electrical contact and compliance between interconnected devices.
【0015】
使用範囲の例としては、表面実装コネクタの取り付け、例えば液晶ディスプレ
イ(LCD)で使用されるような表示デバイスの接続、及び、種々のシリコンデ
バイスの接続が挙げられる。Examples of ranges of use include mounting surface mount connectors, connecting display devices such as those used in liquid crystal displays (LCDs), and connecting various silicon devices.
【0016】[0016]
本発明は、種々の形態で実施できるが、特定の実施形態を図面に示し、明細書
中で詳細に記載する。しかし、本開示は、本発明の原理の例示であると考えられ
るべきであり、明細書に記載し図面に示したものに本発明を限定することを意図
したものではない。While the invention may be embodied in various forms, specific embodiments are shown in the drawings and are described in detail in the specification. However, this disclosure is to be considered as an exemplification of the principles of the invention and is not intended to limit the invention to that described in the specification and illustrated in the drawings.
【0017】
本発明の第一実施形態が図1〜図4に示され、本発明の第二実施形態が図5に
示され、本発明の第三実施形態が図6に示され、本発明の第四実施形態が図7に
示され、本発明の第五実施形態が図8に示され、本発明の第六実施形態が図9に
示されている。The first embodiment of the present invention is shown in FIGS. 1 to 4, the second embodiment of the present invention is shown in FIG. 5, and the third embodiment of the present invention is shown in FIG. A fourth embodiment of the present invention is shown in FIG. 7, a fifth embodiment of the present invention is shown in FIG. 8, and a sixth embodiment of the present invention is shown in FIG.
【0018】
図1〜図4に示す第一実施形態のコネクタ10に注目されたい。図1に示すよ
うに、電気コネクタ10は、シリコンダイ12と回路基板16との間等、二つの
デバイス間の接続を提供する。シリコンダイ12と回路基板16との接続につい
て記載するが、本発明の電気コネクタ10は、種々の電気的デバイスを接続する
ために使用できることを理解すべきである。シリコンダイ12は、互いに離間さ
れ行と列に沿って整列された金属接点パッド(不図示)を含む。シリコンダイ1
2はカバー14に収容されている。四本の取付ポスト22(その内の三本が示さ
れている)が、後述の理由によりカバー14に設けられている。回路基板16は
、互いに離間され行と列に沿って整列された接点パッド20を含む。また、回路
基板16は、それを貫通する四つの取付孔26を含む。Attention is drawn to the connector 10 of the first embodiment shown in FIGS. As shown in FIG. 1, electrical connector 10 provides a connection between two devices, such as between silicon die 12 and circuit board 16. Although the connection of the silicon die 12 and the circuit board 16 is described, it should be understood that the electrical connector 10 of the present invention can be used to connect a variety of electrical devices. Silicon die 12 includes metal contact pads (not shown) spaced from each other and aligned along rows and columns. Silicon die 1
2 is accommodated in the cover 14. Four mounting posts 22 (three of which are shown) are provided on the cover 14 for reasons described below. The circuit board 16 includes contact pads 20 spaced apart from one another and aligned along rows and columns. The circuit board 16 also includes four mounting holes 26 penetrating therethrough.
【0019】
図2及び図3に示すように、電気コネクタ10は、以下に記載するように、選
択的にめっき又は金属化されたエラストマーから形成された本体30を含む。本
体30は、底面30a(図2)と上面30b(図3)を有する。これらの図面に
示すように、本体30は長方形であるが、本体30を他の形状にすることもでき
ると理解すべきである。As shown in FIGS. 2 and 3, electrical connector 10 includes a body 30 formed of an elastomer that is selectively plated or metallized, as described below. The body 30 has a bottom surface 30a (FIG. 2) and a top surface 30b (FIG. 3). As shown in these figures, the body 30 is rectangular, but it should be understood that the body 30 can have other shapes.
【0020】
エラストマーバンプ32の配列が本体30の底面30aから延出し、エラスト
マーバンプ34の配列が本体30の上面30bから延出している。バンプ32の
直径はバンプ34の直径よりも大きい。バンプ32、34は環状に形成されてお
り、本体30の表面30a、30bの近傍での各バンプ32、34の直径が最も
外側の表面でのバンプ32、34の直径よりも大きくなるように、各バンプ32
、34の表面には傾斜がつけられている。バンプ32は、回路基板16上の接点
パッド20と同様の方法で、本体30の表面30a上で互いに離間され行と列に
沿って整列されている。バンプ34は、シリコンダイ12上の接点パッド(不図
示)と同様の方法で、本体30の表面30b上で互いに離間され行と列に沿って
整列されている。バンプ32のそれぞれは、バンプ34のそれぞれと垂直方向に
整列され、バンプのペアを作っている。バンプ32、34は、本体30の表面3
0aと30bから隆起しており、例えば、皿ばね(Bellville spring washer )
座金等のばね座金の様に作動する形状にするのが好ましい。The array of elastomeric bumps 32 extends from the bottom surface 30 a of the body 30, and the array of elastomeric bumps 34 extends from the top surface 30 b of the body 30. The diameter of the bump 32 is larger than the diameter of the bump 34. The bumps 32, 34 are formed in an annular shape so that the diameters of the bumps 32, 34 near the surfaces 30a, 30b of the main body 30 are larger than the diameters of the bumps 32, 34 on the outermost surfaces. Each bump 32
, 34 has a sloped surface. The bumps 32 are spaced apart from one another on the surface 30a of the body 30 and aligned in rows and columns in a manner similar to the contact pads 20 on the circuit board 16. The bumps 34 are spaced apart from one another on the surface 30b of the body 30 and aligned in rows and columns in a manner similar to contact pads (not shown) on the silicon die 12. Each of the bumps 32 is vertically aligned with each of the bumps 34, forming a pair of bumps. The bumps 32 and 34 are on the surface 3 of the main body 30.
Raised from 0a and 30b, for example, Belleville spring washer
It is preferable to have a shape that operates like a spring washer such as a washer.
【0021】
壁によって画定されるスルーホール36が、整列されたバンプ32、34の各
ペアを貫通し、且つ本体30を貫通して延在している。各スルーホール36は、
バンプ32、34内の中心に位置するのが好ましい。図4に最も良く示すように
、各スルーホール36は輪郭(contour )又はテーパが付けられており、その結
果、各バンプ32にある各スルーホール36の直径は、各バンプ34にある各ス
ルーホール36の直径よりも大きい。A through hole 36 defined by a wall extends through each pair of aligned bumps 32, 34 and through the body 30. Each through hole 36 is
It is preferably centered within the bumps 32, 34. As best shown in FIG. 4, each through hole 36 is contoured or tapered so that the diameter of each through hole 36 in each bump 32 is equal to the diameter of each through hole in each bump 34. Larger than 36 diameters.
【0022】
取付孔24が、本体30を貫通して底面30aから上面30bまで延在してい
る。取付孔24は、本体30の各コーナーから離間している。A mounting hole 24 extends through the body 30 from the bottom surface 30a to the top surface 30b. The mounting holes 24 are separated from the corners of the main body 30.
【0023】
バンプ32、34は、本体30と一体的に形成するのが好ましい。本体30及
びバンプ32、34は、例えば、シリコーン等のエラストマー材料又は、例えば
、フッ素ゴムから作られる。本体30、バンプ32、34、スルーホール36及
び取付孔24は、液状射出成形(LIM)と呼ばれる方法を使用して成形できる
。例えば、シリコーン及びフッ素ゴムは、望ましい特性を有している。即ち、そ
れらは成形可能であり、高温特性、低圧縮ひずみ特性、良好な電気的特性を提供
し、且つ選択的に金属化処理可能である。コネクタ10の熱膨張特性(CTE)
を銅等の金属の熱膨張特性に近づけるために、適切なフィラーをこれらの材料に
添加できる。例えば、シリコーンのCTEは150〜300ppm/℃の範囲で
あるが、珪(ケイ)酸充填剤を添加することにより約75ppm/℃に減らすこ
とができる。銅のCTEは約17ppm/℃である。アルミニウムのCTEは約
27ppm/℃である。CTEが20ppm/℃であるシリコーン材料の例はG
E MC550である。The bumps 32, 34 are preferably formed integrally with the body 30. The body 30 and the bumps 32, 34 are made of, for example, an elastomeric material such as silicone or, for example, fluororubber. The body 30, the bumps 32 and 34, the through holes 36, and the mounting holes 24 can be molded using a method called liquid injection molding (LIM). For example, silicones and fluororubbers have desirable properties. That is, they are moldable, provide high temperature properties, low compressive strain properties, good electrical properties, and are selectively metallizable. Thermal expansion characteristics (CTE) of connector 10
Appropriate fillers can be added to these materials to approximate the thermal expansion properties of metals such as copper. For example, the CTE of silicones is in the range of 150-300 ppm / ° C, but can be reduced to about 75 ppm / ° C by adding silicic acid filler. The CTE of copper is about 17 ppm / ° C. The CTE of aluminum is about 27 ppm / ° C. An example of a silicone material having a CTE of 20 ppm / ° C is G
E MC550.
【0024】
スルーホール36とバンプ32、34の表面は金属化されている。図4に示す
ように、金属化は、バンプ32、34の表面及びスルーホール36を形成する壁
に沿って金属層40を蒸着することによって達成される。この金属化は、銅、ニ
ッケル、金、スズ、アルミニウム、クロム、チタンやこれらの金属の組み合せ、
又は、他の適切な導電性金属で可能である。銅及び金は延性に優れているために
好ましい。スルーホール36及びバンプ32、34は、例えば、金属が蒸発され
、金属化すべき表面に向けられるスパッタリング等の異方性真空蒸着法を使用す
ることによって金属化できる。この方法は、所定の厚さの層を金属化によって完
全に作るか、或いは基部又は種子層を作るために使用できる。後者の場合、種々
の他のめっき方法で層の厚さを増大できる。また、電気めっき、無電界めっき等
の他の技法を用いて金属化を行うこともできる。The surfaces of the through holes 36 and the bumps 32, 34 are metallized. As shown in FIG. 4, metallization is accomplished by depositing a metal layer 40 along the surfaces of the bumps 32, 34 and the walls forming the through holes 36. This metallization consists of copper, nickel, gold, tin, aluminum, chromium, titanium and combinations of these metals,
Alternatively, it can be any other suitable conductive metal. Copper and gold are preferable because they have excellent ductility. Through holes 36 and bumps 32, 34 can be metallized, for example, by using an anisotropic vacuum deposition method such as sputtering in which the metal is evaporated and directed at the surface to be metallized. This method can be used to make a layer of a given thickness entirely by metallization, or to make a base or seed layer. In the latter case, the layer thickness can be increased by various other plating methods. Further, the metallization can be performed by using other techniques such as electroplating and electroless plating.
【0025】
シリコンダイ12と回路基板16との間の電気的接続を提供するために必要な
これらのスルーホール36及び関連のバンプ32、34を金属化することだけが
必要なので、スルーホール36及びバンプ32、34を選択的に金属化してもよ
い。スルーホール36及びバンプ32、34を選択的に金属化する簡単でコスト
面で効果的な方法は、シリコーンアレイコネクタ10の表面上に適切な金属化層
を蒸着する前にシリコーンアレイコネクタ10の表面にマスクを置くことである
。スルーホール36及びバンプ32、34を選択的に金属化するために別の方法
を利用することもできる。Since it is only necessary to metallize these through holes 36 and the associated bumps 32, 34, which are needed to provide the electrical connection between the silicon die 12 and the circuit board 16, the through holes 36 and The bumps 32, 34 may be selectively metallized. A simple and cost effective method of selectively metallizing the through holes 36 and bumps 32, 34 is to provide a surface of the silicone array connector 10 prior to depositing a suitable metallization layer on the surface of the silicone array connector 10. Is to put a mask on. Other methods may be utilized to selectively metallize the through holes 36 and the bumps 32,34.
【0026】
使用にあたっては、コネクタ10は、シリコンダイ12と回路基板16との間
で圧縮される。カバー14の取付ポスト22は、コネクタ10の本体30上の取
付孔24を貫通し、そして回路基板16の取付孔26を貫通する。四本のポスト
22の端部での形状(不図示)により、カバー14とシリコンダイ12がコネク
タ10と回路基板16に固定される。ポスト22を回路基板16に結合すること
により、圧縮力がコネクタ10に加えられる。圧縮力が加えられると、コネクタ
10の底面30a上のバンプ32は、回路基板16の上面上の接点パッド20に
対して押圧され、コネクタ10の上面30b上のバンプ34は、シリコンダイ1
2の底面上の接点パッド(不図示)に対して押圧される。バンプ32、34と相
手側接点パッドとの間の典型的な接触力は各接触部当たり約5〜50グラムであ
る。これはバンプ32、34を圧縮し、シリコンダイ12の相手側接点(不図示
)とバンプ32との間に一定の力を提供する。また、回路基板16上の接点20
とバンプ34との間にも一定の力が提供される。バンプ32、34は、コネクタ
10とダイ12との間及びコネクタ10と回路基板16との間に一定の力を提供
するが、また、これらの金属化された表面の間にワイピング動作が生じ、これら
の表面の間に良好な電気的接触を確保する。一種類のクランプ組立体だけを示し
記載してきたが、シリコンダイ12をコネクタ10及び回路基板16に取り付け
るために、種々のクランプ組立体を使用できる。In use, the connector 10 is compressed between the silicon die 12 and the circuit board 16. The mounting post 22 of the cover 14 penetrates the mounting hole 24 on the body 30 of the connector 10 and the mounting hole 26 of the circuit board 16. The shape (not shown) at the ends of the four posts 22 fixes the cover 14 and the silicon die 12 to the connector 10 and the circuit board 16. By coupling the post 22 to the circuit board 16, a compressive force is applied to the connector 10. When a compressive force is applied, the bumps 32 on the bottom surface 30a of the connector 10 are pressed against the contact pads 20 on the top surface of the circuit board 16, and the bumps 34 on the top surface 30b of the connector 10 are sized to the
2 is pressed against a contact pad (not shown) on the bottom surface. A typical contact force between the bumps 32, 34 and the mating contact pad is about 5-50 grams per contact. This compresses the bumps 32, 34 and provides a constant force between the mating contacts (not shown) of the silicon die 12 and the bumps 32. In addition, the contacts 20 on the circuit board 16
A constant force is also provided between the bump and the bump. The bumps 32, 34 provide a constant force between the connector 10 and the die 12 and between the connector 10 and the circuit board 16, but also cause a wiping action between these metallized surfaces, Ensure good electrical contact between these surfaces. Although only one type of clamp assembly has been shown and described, various clamp assemblies can be used to attach the silicon die 12 to the connector 10 and the circuit board 16.
【0027】
図4から分かるように、スルーホール36に輪郭が付けられている。スルーホ
ール36に輪郭を付ける目的は二つある。第一に、スルーホール36に輪郭を付
けることにより、シリコンダイとカバー14を回路基板16に取り付ける際に加
えられる圧縮力から生じる金属化層40とエラストマー本体30との間の応力を
最小にできる。真直ぐな壁を有するスルーホールを使用した場合、スルーホール
の表面に沿う金属が圧縮の間に「座屈する」傾向が強くなり、バンプ32とバン
プ34との間の回路を開いてしまう可能性がある。第二に、スルーホール36に
輪郭を付けることにより、スルーホール36を金属化する方法を単純にできる。
何故ならば、輪郭により、スルーホールを金属化するために使用される手段に関
してめっきすべきスルーホールの表面を「照準線(line-of-sight )」内、即ち
コネクタ10の側面から見て可視位置に置くことを可能にするからである。As can be seen in FIG. 4, the through hole 36 is contoured. The purpose of outlining the through hole 36 is twofold. First, the contouring of the through holes 36 minimizes the stress between the metallization layer 40 and the elastomer body 30 that results from the compressive forces applied when attaching the silicon die and cover 14 to the circuit board 16. . If a through hole with a straight wall is used, the metal along the surface of the through hole will be more likely to "buckle" during compression, potentially opening the circuit between bump 32 and bump 34. is there. Second, the contouring of the through holes 36 simplifies the method of metallizing the through holes 36.
Because the contours make the surface of the through-hole to be plated visible in the "line-of-sight" with respect to the means used to metallize the through-hole, i.e. from the side of the connector 10. This is because it makes it possible to place it in a position.
【0028】
図5〜図7に示すように、コネクタ10のエラストマーバンプ32、34及び
スルーホール36は種々の形状とすることができる。これらのバンプ62、64
、72、74、82、84及びスルーホール60、70、80は第一実施形態に
示すバンプ32,34及びスルーホール36の代わりになるものであると理解す
べきである。As shown in FIGS. 5-7, the elastomeric bumps 32, 34 and the through holes 36 of the connector 10 can have various shapes. These bumps 62, 64
, 72, 74, 82, 84 and the through holes 60, 70, 80 should be understood as alternatives to the bumps 32, 34 and the through holes 36 shown in the first embodiment.
【0029】
図5は本発明の第二実施形態の特徴を組み入れたスルーホール60とこれに対
応する弾性バンプ62、64を示す。スルーホール60の直径は、コネクタ10
の本体30の底面30aから本体30の上面30bまで不変である。エラストマ
ーバンプ62、64は円筒形状で平坦な接触表面62a、64aを備えている。FIG. 5 shows through holes 60 and corresponding elastic bumps 62, 64 incorporating features of the second embodiment of the present invention. The diameter of the through hole 60 is the connector 10
It is unchanged from the bottom surface 30a of the body 30 to the top surface 30b of the body 30. The elastomeric bumps 62, 64 have cylindrical, flat contact surfaces 62a, 64a.
【0030】
図6は本発明の第三実施形態の特徴を組み入れたスルーホール70とこれに対
応するエラストマーバンプ72、74を示す。スルーホール70はくびれた形状
をしており、その中心部における直径は底面30a及び上面30bでの直径より
も小さい。エラストマーバンプ72、74は円筒形状で平坦な接触表面72a、
74aを備えている。FIG. 6 shows a through hole 70 and corresponding elastomeric bumps 72, 74 incorporating features of the third embodiment of the present invention. The through hole 70 has a constricted shape, and the diameter at the center thereof is smaller than the diameters at the bottom surface 30a and the top surface 30b. The elastomeric bumps 72, 74 are cylindrical shaped flat contact surfaces 72a,
74a.
【0031】
図7は本発明の第四実施形態の特徴を組み入れたスルーホール80とこれに対
応するエラストマーバンプ82、84を示す。スルーホール80はくびれた形状
をしており、その中心部における直径は底面30a及び上面30bでの直径より
も小さい。バンプ82、84は、ほぼ円筒形状であるが、バンプ82の接触表面
82aは波打っており、バンプ84の接触表面84aは平坦である。波打った表
面82aは、コネクタ10と回路基板16との間に数個の接触点を可能にし、接
触表面82aと回路基板16上の接点20との間の電気抵抗を減らす。波打った
表面82aは、種々の形状を取り得ることを理解すべきである。例えば、表面8
2aは、互いに離間した任意の数のピークを含むことが出来る。多数のピークを
設けるのに加えて、本発明の第一実施形態に関して記載したように表面82aに
傾斜を付けることも出来る。更に、図7に示す波打った表面は図7の実施形態に
限定されるものではなく、本明細書に記載又は予測される如何なる実施形態にお
いて使用してもよく、且つ波打った表面はコネクタの一方の側のみ又は両側に位
置するバンプ上に設けてもよい。FIG. 7 illustrates a through hole 80 and corresponding elastomeric bumps 82, 84 incorporating features of the fourth embodiment of the present invention. The through hole 80 has a constricted shape, and the diameter at the center thereof is smaller than the diameters at the bottom surface 30a and the top surface 30b. The bumps 82, 84 are substantially cylindrical, but the contact surface 82a of the bump 82 is wavy and the contact surface 84a of the bump 84 is flat. The corrugated surface 82a allows for several contact points between the connector 10 and the circuit board 16 and reduces the electrical resistance between the contact surface 82a and the contacts 20 on the circuit board 16. It should be appreciated that the wavy surface 82a can take a variety of shapes. For example, surface 8
2a can include any number of peaks spaced apart from each other. In addition to providing multiple peaks, the surface 82a can be sloped as described with respect to the first embodiment of the invention. Further, the corrugated surface shown in FIG. 7 is not limited to the embodiment of FIG. 7 and may be used in any of the embodiments described or contemplated herein, and the corrugated surface is a connector. The bumps may be provided on only one side or on both sides.
【0032】
上述のように、スルーホール36及びバンプ32、34は、マスキングプロセ
スを使用することにより選択的に金属化できる。或いは、図8に示すように、バ
ンプ32、34及びスルーホール36を含む本体30の少なくとも一方の表面3
0a、30bを金属化して、コネクタ10の少なくとも一方の表面全体に金属化
層90を設けることができる。好適な金属は、銅、ニッケル、金、スズ、アルミ
ニウム、チタン、クロムやこれらの金属の組み合せ、又は他の適切な導電性金属
を含む。その後、レーザスクライビング等により、金属化された表面90を貫通
して溝92がエッチングにより刻まれ、それによりレーザによって刻設された溝
92に沿って本体30のエラストマー表面が露出する。各スルーホール36及び
その関連のバンプ32、34のペアの周囲にレーザによって刻設された溝92を
設けることにより、各スルーホール36及びバンプ32、34の各ペアは、残り
のスルーホール36及びバンプ32、34のペアから絶縁される。各スルーホー
ルは、各バンプ対の周囲にレーザにより刻設された経路を設けることなしに残り
のスルーホールから電気的に絶縁できるということを理解すべきである。経路が
バンプ32、34の一部を通って設けられていれば、絶縁は達成できる。更に、
経路を選択的に選ぶことによって、或るスルーホールを他のスルーホールから選
択的に絶縁し、同時にスルーホールの他のものを電気的に接続することが出来る
。As mentioned above, the through holes 36 and the bumps 32, 34 can be selectively metallized by using a masking process. Alternatively, as shown in FIG. 8, at least one surface 3 of the body 30 including the bumps 32, 34 and the through holes 36.
0a, 30b may be metallized to provide a metallization layer 90 over at least one surface of connector 10. Suitable metals include copper, nickel, gold, tin, aluminum, titanium, chromium and combinations of these metals, or other suitable conductive metals. Thereafter, laser scribing or the like penetrates the metallized surface 90 to engrave a groove 92 by etching, thereby exposing the elastomeric surface of the body 30 along the groove 92 engraved by the laser. By providing a laser-engraved groove 92 around each through-hole 36 and its associated pair of bumps 32, 34, each through-hole 36 and each pair of bumps 32, 34 is made to remain in the remaining through-hole 36 and Insulated from the pair of bumps 32, 34. It should be understood that each through hole can be electrically isolated from the remaining through holes without providing a laser engraved path around each bump pair. Isolation can be achieved if the path is provided through a portion of the bumps 32,34. Furthermore,
By selectively choosing a path, one through hole can be selectively isolated from another through hole while at the same time electrically connecting another through hole.
【0033】
別の形態では、図9に示すように、表面全体が金属化され、その後、選択され
たスルーホール36の間でコネクタ10のエラストマー表面30a及び30bに
届くように金属化層内にパターン96が作られる。これによりパターン96は、
これらの選択されたスルーホール36を互いに絶縁する。スルーホールの或るも
のの間にはパターンが作られておらず、これらの選択されたスルーホールは電気
的に接続される。パターンは、任意の公知の方法、例えば、レーザスクライビン
グやフォトリソグラフィーによって作ることが出来る。In another form, as shown in FIG. 9, the entire surface is metallized and then within the metallization layer to reach the elastomeric surfaces 30 a and 30 b of the connector 10 between the selected through holes 36. A pattern 96 is created. This results in pattern 96
These selected through holes 36 are insulated from each other. No pattern is made between some of the through holes, and these selected through holes are electrically connected. The pattern can be created by any known method, such as laser scribing or photolithography.
【0034】
本発明のコネクタ10は、使用者がシリコンダイ12を回路基板16上に直接
接続することを可能にする。プラスチックカバー14のポスト22は、シリコン
ダイ12をカバー14と回路基板16との間でクランプする。このクランプ動作
から生じる圧縮力は、コネクタ10上の金属化されたバンプ32、34とシリコ
ンダイ12及び回路基板16上の接点との間に優れた電気的接触を生み出す。シ
リコーンアレイコネクタの製造にかかるコストは、従来技術の方法に比べて大幅
に低いことが予想される。更に、殆どのダイ製造業者は、本発明のコネクタ10
を製造するために如何なる付加的な設備も導入する必要がなく、シリコンダイ1
2を回路基板16に電気的に実装するコスト面で効果的な方法となる。The connector 10 of the present invention allows a user to connect the silicon die 12 directly onto the circuit board 16. The posts 22 on the plastic cover 14 clamp the silicon die 12 between the cover 14 and the circuit board 16. The compressive force resulting from this clamping action creates excellent electrical contact between the metallized bumps 32, 34 on the connector 10 and the contacts on the silicon die 12 and circuit board 16. The cost of manufacturing a silicone array connector is expected to be significantly lower than prior art methods. In addition, most die manufacturers will find the connector 10 of the present invention.
Silicon die 1 without the need to install any additional equipment to manufacture
2 is an effective method in terms of cost for electrically mounting 2 on the circuit board 16.
【0035】
バンプ32、34及びスルーホール36の配列を示し記載したが、バンプ及び
スルーホールは、行と列に沿って配置する必要はなく、要求に応じて任意の配置
にすることができる。必要なことは、表面30a上のバンプ32が回路基板16
上の選択された接点パッド20と位置が一致し、表面30b上のバンプ34がシ
リコンダイ12上の選択された接点パッドと位置が一致し、バンプのペアの位置
が相互に一致していることだけである。更に、コネクタ10は、幾つかのスルー
ホール36とバンプ32、34の幾つかのペアを含んでいるとして記載したが、
特定のアプリケーションでは、必要な電気的接続を提供するために、単一のスル
ーホールとバンプの単一のペアのみが必要とされる。Although the arrangement of the bumps 32, 34 and the through holes 36 has been shown and described, the bumps and through holes need not be arranged along rows and columns, but can be arranged arbitrarily as required. All that is required is that the bumps 32 on the surface 30a are
In position with the selected contact pads 20 above, with bumps 34 on the surface 30b in position with selected contact pads on the silicon die 12, and in pairs of bumps with each other. Only. Further, while the connector 10 has been described as including some through holes 36 and some pairs of bumps 32, 34,
In particular applications, only a single through-hole and a single pair of bumps are required to provide the required electrical connection.
【0036】
本発明の好ましい実施形態を示し記載したが、当業者であれば、添付の特許請
求の範囲の精神及び範囲から逸脱することなしに本発明の種々の変形を考え出す
ことができるであろうことが予見される。While the preferred embodiment of the invention has been illustrated and described, it will be appreciated by those skilled in the art that various modifications of the invention can be devised without departing from the spirit and scope of the appended claims. Deafness is foreseen.
【図1】
本発明の第一実施形態の特徴を組み入れた電気コネクタ、カバー内に置かれたシ
リコンダイ、及び電気コネクタによってシリコンダイが接続される回路基板の分
解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of an electrical connector incorporating features of the first embodiment of the present invention, a silicon die placed in a cover, and a circuit board to which the silicon die is connected by the electrical connector.
【図2】 図1の電気コネクタの下側から見た斜視図である。[Fig. 2] It is the perspective view seen from the lower side of the electric connector of FIG.
【図3】 図1の電気コネクタの上側から見た斜視図である。[Figure 3] It is the perspective view seen from the upper side of the electric connector of FIG.
【図4】 図2の3−3線に沿った電気コネクタの断面図である。[Figure 4] FIG. 3 is a sectional view of the electric connector taken along line 3-3 of FIG. 2.
【図5】 本発明の第二実施形態の特徴を組み入れた電気コネクタの部分断面図である。[Figure 5] FIG. 6 is a partial cross-sectional view of an electrical connector incorporating features of the second embodiment of the present invention.
【図6】 本発明の第三実施形態の特徴を組み入れた電気コネクタの部分断面図である。[Figure 6] FIG. 7 is a partial cross-sectional view of an electrical connector incorporating features of the third embodiment of the present invention.
【図7】 本発明の第四実施形態の特徴を組み入れた電気コネクタの部分断面図である。[Figure 7] FIG. 9 is a partial cross-sectional view of an electrical connector incorporating features of the fourth embodiment of the present invention.
【図8】 本発明の第五実施形態を組み入れた電気コネクタの下側から見た斜視図である。[Figure 8] It is the perspective view seen from the lower side of the electric connector incorporating the 5th embodiment of the present invention.
【図9】
本発明の第六実施形態の特徴を組み入れたコネクタの下側から見た平面図である
。FIG. 9 is a bottom plan view of a connector incorporating features of the sixth embodiment of the present invention.
【手続補正書】特許協力条約第19条補正の翻訳文提出書[Procedure Amendment] Patent Cooperation Treaty Article 19 Amendment Translation Form
【提出日】平成14年4月9日(2002.4.9)[Submission date] April 9, 2002 (2002.4.9)
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正の内容】[Contents of correction]
【特許請求の範囲】[Claims]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF ,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW, ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ, MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM, AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK ,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE, GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK, MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ, VN,YU,ZA,ZW─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (81) Designated countries EP (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, I T, LU, MC, NL, PT, SE, TR), OA (BF , BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, G M, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ , UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, B Z, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK , DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, J P, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR , LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, R O, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ , TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Claims (22)
続するためのコネクタであって、 第一表面及び第二表面を備えるエラストマー本体と、 前記第一表面から延出するエラストマーバンプと、 前記第二表面から延出するエラストマーバンプと、 壁によって画定され、前記バンプ及び前記本体を貫通して延在する孔と、 前記バンプ上及び前記孔を画定する前記壁上の金属被膜とを有するコネクタ。1. A connector for electrically connecting electrical contacts on a first element to electrical contacts on a second element, the elastomer body comprising a first surface and a second surface, said first surface An elastomeric bump extending from the second surface; an elastomeric bump extending from the second surface; a hole defined by a wall and extending through the bump and the body; A connector having a metal coating on the wall.
に形成されている、請求項1に記載のコネクタ。2. The connector according to claim 1, wherein the elastomer body and the elastomer bump are integrally formed.
は一体的に形成されている、請求項1に記載のコネクタ。3. The connector according to claim 1, wherein the elastomer body, the elastomer bump and the hole are integrally formed.
ppm/℃以下である、請求項1に記載のコネクタ。4. The thermal expansion coefficient of the elastomer body and the bump is about 75.
The connector according to claim 1, which has a ppm / ° C or less.
と垂直方向に整列されている、請求項1に記載のコネクタ。5. The connector of claim 1, wherein the bumps on the first surface are vertically aligned with the bumps on the second surface.
も一個のバンプの前記表面は波打っている、請求項1に記載のコネクタ。6. The connector of claim 1, wherein each of the bumps includes a surface, and the surface of at least one of the bumps is wavy.
項1に記載のコネクタ。7. The connector of claim 1, wherein the wall defining the hole is tapered.
記バンプの前記直径は前記第二表面上の前記バンプの前記直径よりも小さい、請
求項1に記載のコネクタ。8. The method of claim 1, wherein each of the bumps has a predetermined diameter, and the diameter of the bumps on the first surface is less than the diameter of the bumps on the second surface. connector.
ン及びクロムから成る群の内の一種、又は、銅、ニッケル、金、スズ、アルミニ
ウム、チタン及びクロムの組み合わせから形成される、請求項1に記載のコネク
タ。9. The coating is formed from one of the group consisting of copper, nickel, gold, tin, aluminum, titanium and chromium, or a combination of copper, nickel, gold, tin, aluminum, titanium and chromium. The connector according to claim 1, wherein
接続するためのコネクタであって、 第一表面及び第二表面を備えたエラストマー本体と、 前記第一表面から延出する複数のエラストマーバンプと、 前記第二表面から延出する複数のエラストマーバンプとを有し、 前記第一表面から延出する前記エラストマーバンプの各々は前記第二表面から延
出する前記エラストマーバンプの各々と整列されて複数のバンプ対を形成してお
り、更に 各々が壁によって画定され、バンプ対及び前記本体を貫通して延在する複数の孔
と、 前記複数のバンプ上及び前記複数の孔を画定する前記壁上の金属被膜とを有する
コネクタ。10. A connector for electrically connecting an electrical contact on a first element to an electrical contact on a second element, comprising an elastomer body having a first surface and a second surface, said first body comprising: A plurality of elastomer bumps extending from the surface and a plurality of elastomer bumps extending from the second surface, each of the elastomer bumps extending from the first surface extending from the second surface. A plurality of holes aligned with each of the elastomeric bumps to form a plurality of bump pairs, each further defined by a wall, extending through the bump pair and the body; A metal coating on the wall defining the plurality of holes.
5ppm/℃以下である、請求項10に記載のコネクタ。11. The thermal expansion coefficient of the elastomer body and the bump is about 7.
The connector according to claim 10, which has a concentration of 5 ppm / ° C or less.
ている、請求項10に記載のコネクタ。12. The connector of claim 10, wherein at least one of the first and second surfaces is metallized.
気的に絶縁されている、請求項10に記載のコネクタ。13. The connector according to claim 10, wherein at least one hole of the plurality of holes is electrically insulated from other holes.
ている、請求項10に記載のコネクタ。14. The connector of claim 10, wherein the bumps forming the pair of bumps are vertically aligned.
も一つは波打っている、請求項10に記載のコネクタ。15. The connector of claim 10, wherein each of the bumps includes a surface and at least one of the surfaces is wavy.
々を画定する前記壁は各々のテーパーが付けられている、請求項10に記載のコ
ネクタ。16. The connector of claim 10, wherein the walls defining each of the pair of bumps and each of the holes extending through the body are each tapered.
前記バンプの前記直径は前記第二表面上の前記バンプの前記直径よりも小さい、
請求項10に記載のコネクタ。17. Each of said bumps has a predetermined diameter, said diameter of said bumps on said first surface being less than said diameter of said bumps on said second surface.
The connector according to claim 10.
タン及びクロムから成る群の内の一種、又は、銅、ニッケル、金、スズ、アルミ
ニウム、チタン及びクロムの組み合わせから形成される、請求項10に記載のコ
ネクタ。18. The coating is formed from one of the group consisting of copper, nickel, gold, tin, aluminum, titanium and chromium, or a combination of copper, nickel, gold, tin, aluminum, titanium and chromium. The connector according to claim 10, wherein
のエラストマー第二バンプが延出する第二表面を備えたエラストマー本体であっ
て、前記第一バンプと前記第二バンプの各々が整列されてバンプ対を形成し、前
記本体及び前記バンプ対の各々を貫通して延在する孔を備えることにより、各々
が壁によって画定される複数の孔を画定するエラストマー本体を形成するステッ
プと、 前記バンプ対及び孔を金属化するステップとを有する電気コネクタ形成方法。19. An elastomer body having a first surface from which a plurality of elastomer first bumps extend and a second surface from which a plurality of elastomer second bumps extend, wherein the first bump and the second bump. Each of which is aligned to form a pair of bumps and has a hole extending through each of the body and each of the pair of bumps to form an elastomeric body that defines a plurality of holes each defined by a wall. And a step of metallizing the bump pair and the hole.
19に記載の方法。20. The method of claim 19, wherein the metallization is formed by anisotropic vacuum deposition.
金属化される、請求項19に記載の方法。21. The method of claim 19, wherein at least one of the first and second surfaces of the body is metallized.
ッチングにより形成され、前記複数の孔の少なくとも一個の孔が他の孔から電気
的に絶縁される、請求項21に記載の方法。22. A path is etched around at least one hole of the plurality of holes to electrically isolate at least one hole of the plurality of holes from another hole. The method described in.
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