JP2003520389A - ナイト・ビジョン・デバイス及び方法 - Google Patents

ナイト・ビジョン・デバイス及び方法

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JP2003520389A JP2000599058A JP2000599058A JP2003520389A JP 2003520389 A JP2003520389 A JP 2003520389A JP 2000599058 A JP2000599058 A JP 2000599058A JP 2000599058 A JP2000599058 A JP 2000599058A JP 2003520389 A JP2003520389 A JP 2003520389A
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】イメージ増倍管(14)を有するナイト・ビジョン・デバイス(10)は極端に少ない固有数のガス分子を有する改良されたマイクロチャネルプレート(22)を含む。この少数のガス分子のために、イメージ増倍管(14)の高電圧動作環境内でこれらのガスから生成される正イオンは、たとえマイクロチャネルプレート(22)がイオンバリアフィルムを有しなくともイメージ増倍管(14)は満足な稼動寿命の間動作するくらい少数である。マイクロチャネルプレート(22)は従来可能であったものよりイメージ増倍管(14)のフォトカソード(20)に非常に近く離隔されている。したがって、改良された利得及びイメージハローの減少若しくは除去が本発明によって得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の背景 発明の分野 本発明は概して光増幅型のナイト・ビジョン・デバイス(NVD's)の分野である
。そのようなNVD'Sは風景からの光の光子を受光するためにイメージ増倍管(I2T)
を採用する。この風景は完全な昼光によって照らされるか、または選択的に風景
は低レベルの若しくは長波長（すなわち、赤外線光）のまたは両方の光によって
照らされる結果風景はぼんやりとしか見えないかまたは普通の肉眼では見えない
。I2Tは風景を写す可視イメージを応答的に与える。
【０００２】 関連技術 普通の肉眼にとって暗すぎる夜でさえ、不可視赤外光は夜空の星によるスペク
トルの近赤外部分に豊富に与えられる。スペクトルの赤外部分は人間にとって見
えないため人間の視覚は星からのこの赤外線光を利用することができない。その
ような条件の下で、光増幅型のナイト・ビジョン・デバイス（NVD）は夜間の風景
を写す可視イメージを与えることができる。概してそのようなNVD'sは、イメー
ジ増倍管(I2T)の透明な受光面を通過する夜間風景からの不可視赤外光を集束す
る対物レンズを含む。反対側のイメージ出力面において、I2Tは概して黄緑色の
リン光で可視イメージを与える。その後、このイメージは装置のユーザへ接眼レ
ンズを通じて与えられる。
【０００３】 現在のNVDは概してチューブの受光面の背後にフォトカソード(PC)を有するI2T
を使用する。該PCは光電子を解放させるべく可視及び赤外線の光子に応答する。
夜間風景のイメージはPC上で集束されるため、光電子は風景を写すパターンでPC
から解放される。これらの光電子は広がる静電場によって各々が効果的にダイノ
ードである非常に多数のマイクロチャネルを有するマイクロチャネルプレートへ
移動される。これらのマイクロチャネルは二次電子の高い平均放射率を与える材
料によって実質的に画成される内部表面を有する。言い換えれば、毎回、電子（
光電子若しくはマイクロチャネルプレートによって先に放出される電子のいずれ
か）は、マイクロチャネルの内部表面においてこの材料と衝突し、一つ以上の電
子（すなわち、二次放出電子）が衝突の場所から離れる。この二次電子放出のプ
ロセスは各場合で絶対ではないが、１以上の平均放射率を有する統計的プロセス
である。
【０００４】 結果として、マイクロチャネルに進入する光電子は一つの面から他へマイクロ
チャネルに沿って移動する二次放出電子の幾何学的カスケードを生じさせ、その
結果電子の空間的出力パターン（それは入力パターンを写すが、かなり高い電子
密度である）がマイクロチャネルプレートから生じる。
【０００５】 この電子パターンは他の静電場によってマイクロチャネルプレートからリン光
スクリーン電極へ移動される。マイクロチャネルプレートからの電子シャワーが
リン光スクリーン電極上に衝撃を与えそれによって吸収されるとき、可視イメー
ジが生成される。この可視イメージは見るための透明なイメージ出力窓を通じて
チューブから取り出される。
【０００６】 I2Tの動作に必要な静電場は電源によって与えられる。しばしばバッテリーが
この電源を作動させるのに電力を与え、その結果従来の多くのNVD'sは持ち運び
できる。
【０００７】 しかし、フォトカソードからスクリーン電極に電子を移動させるために効果的
な、従来のイメージ増倍管内に維持された静電場は、イメージ増倍管内に存在す
るあらゆる正イオンをフォトカソード方向へやむを得ず移動させる。そのような
正イオンは相当のサイズのガス原子の原子核（すなわち、例えば、水素、酸素及
び窒素のものでそれらのすべては電子より非常に重い）を含むため、これらの正
のガスイオンはフォトカソードに衝撃を与えることができ物理的及び化学的ダメ
ージを生じさせる。
【０００８】 従来のイメージ増倍管は残念なことにチューブ内に固有の個数のガス原子を有
し、それらは正イオンになるものと、チューブ内であるいは化学的に活性な原子
であるが電気的に中性になるより多くの原子との両方である。歴史的には、この
固有の個数のガス原子はフォトカソード上で多くの正イオンの衝撃を生じさせ、
多くの初期のI2T'sに対して比較的短い動作寿命をもたらした。
【０００９】 関連技術の当業者が理解するように、近接焦点型の後期のI2T'sは、MCPの入口
側にイオンバリアフィルムを与えることによってイオン衝撃の問題を部分的に解
決した。このイオンバリアフィルムは正イオンをブロックしPCへのダメージを回
避する。しかし、イオンバリアフィルムはそれ自身多くの不利益の元である。
【００１０】 MCP上のそのようなイオンバリアフィルムの判明した不利益は、I2TのPCとチュ
ーブの出力スクリーン電極との間でMCPによって与えられる信号対ノイズ比の結
果的減少である。すなわち、イオンバリアフィルムの材料が十分なエネルギーの
電子に対する電子の二次的エミッタとして作用するとしても、より低いエネルギ
ーの光電子に対してこのバリアはいくつかの電子がMCPのマイクロチャネルに達
するのを妨げるようにも作用する。MCPの電子入力面の約５０％はオープンエリ
アであり、同じ割合がマイクロチャネルプレートの固体部分若しくはウエブによ
って画成されることを思い出せば、約半分の光電子がMCPのウエブ上に衝撃を与
えることが簡単にわかる。
【００１１】 プレートのウエブに衝撃を与えるこれらの光電子はバウンド若しくはリバウン
ドし、または二次放出電子の生成を生じさせ、両方の条件はMCPの面に近接する
低エネルギーの電子を生成する。これらの低エネルギー電子はイオンバリアフィ
ルムを貫通するか若しくはこのフィルムに二次電子を解放させるためにはエネル
ギーが不足している。それでこれらの低エネルギー電子はイオンバリアフィルム
によって吸収される。結果として、ある場合には、I2Tによるイメージの形成に
貢献する電子の５０％はイオンバリアフィルムによってブロックされるか吸収さ
れ、上記したように増幅されるべきマイクロチャネルにまで達しない。したがっ
て、理論的にチューブによって与えられる同じ割合のイメージ情報が失われる。
【００１２】 イオンバリアフィルムのもう一つの不利益は、それが従来のイメージ増倍管に
よって与えられるイメージ内のハロー効果に貢献するということである。このハ
ロー効果はMCPのウエブ上か若しくはイオンバリアフィルムそれ自身に入射する
光電子として視覚化され、それら自身はマイクロチャネルに進入し増幅されるべ
くこのフィルムを貫通しないが、他の位置でフィルム若しくはウエブに再び衝撃
を与えるべくバウンドする。他の位置において、処理は繰り返され、いくつかの
電子はマイクロチャネルに進入し、いくつかの電子はふたたびさらに第３の位置
へバウンドする。この効果は見られている風景の明るい領域に対応しないイメー
ジの場所の周辺でハロー若しくは光の放出を生じさせる。このハロー効果はイメ
ージ増倍管によって与えられるイメージの品質を減少させ、このイメージ内のコ
ントラスト値を減少させる。重要なことに、あるエネルギー値以下の光電子に対
して、イオンバリアフィルムそれ自身がハロー効果に関して利得ブロックとして
作用する。
【００１３】 イオンバリアフィルムを使用するイメージ増倍管に関する他の問題は、フィル
ム自身によって表されるエネルギーバリアを単純に補償するために光電子へ（す
なわち、PCとI2Tとの間により高い印加電圧を使用することによって）与えられ
なければならない電圧である。光電子によるイオンバリアフィルムの十分な貫通
には、約600から1000ボルトの印加ポテンシャルが必要である。
【００１４】 さらに従来のMCP'sにおけるイメージハローの他の原因は、PCとこれら従来のI 2 T's内のMCPの正面との間に維持される過度の距離から生まれる。従来のI2T'sは
概してPCからMCPへ約250μm（±5μm）ほどものギャップを有する。ハロー効果
の範囲若しくは程度の重要なファクタはPCとI2TのMCPとの間の間隔である。しか
し、従来のI2T'sは本発明によって達成されたような小さい間隔を与えることが
できなかった。
【００１５】 また、I2T's用の従来の製造方法は、MCP'sから十分な量の固有のガス分子を除
去するには不十分である。したがって、従来のGen IIIイメージ増倍管のPC'sを
保護するためにイオンバリアフィルムを使用することが産業上標準の慣例となっ
た。もし、従来のMCP's上にイオンバリアフィルムが存在しなかったら、Gen III
タイプのPC'sは２時間くらいの短い動作時間内で正イオン衝撃によって破壊され
てしまうであろう。すなわち、現存のGen III I2T'sは、もしそれらがこれらの
チューブのMCP上にイオンバリアフィルムを備えなければ、２時間という短い稼
動寿命しか与えない。現在のイオンバリアフィルムを有すれば、現存のGen III
I2T'sは約2000時間以上の稼動寿命を与える。
【００１６】 1973年3月13日に発行された米国特許第3,720,535号、1973年6月26日に発行さ
れた米国特許第3,742,224号、1973年12月4日に発行された米国特許第3,777,201
号は、マイクロチャネルプレート若しくはマイクロチャネルプレート上にイオン
バリアフィルムを有するイメージ増倍管の例を与える。1991年5月14日に発行さ
れた米国特許第5,015,909号及び1992年4月28日に発行された米国特許第5,108,96
1号は、両方ともCircon Corporationに譲渡されたものであるが、ガラス組成物
及びマイクロチャネルプレートの組立てに使用される方法の例を与える。
【００１７】 1990年12月18日に発行された米国特許第4,978,885号は、十分な量の固有のガ
ス分子をMCPから除去し、MCPがイオンバリアフィルム無しで動作する方法を与え
ることを主張する。しかし、'885特許で教示された方法はいくつかの短所を有す
ると信じられている。まず、この方法で扱われたMCP'sは再生イオンフィードバ
ックを引き起こすのに十分な印加電圧に晒され、それはイオン暴走(runaway)の
閾値か若しくはそれより上である。また、この処理中のMCP'sは自己加熱(self-h
eating)であると主張されその結果MCPの補助的加熱が不要であると主張される（
すなわち、真空が要求される下でベークアウト用の外部的印加熱が不要である）
。
【００１８】 '885特許によって教示された事情の組み合わせは、イオン暴走の状態を伴う熱
暴走のためにMCPをダメージ若しくは破壊の危険にさらすと信じられている。ま
た、MCPがマイクロチャネルの対端の各々付近で生じる自己再生イオンフィード
バックの方向で '885特許の方法によって反転されかつ扱われるときでさえ、自
己再生イオン及び電子フラックスがMCPをガス抜きするのに十分でないところの
マイクロチャネルの中心領域が残る可能性がある。
【００１９】 発明の要旨 従来の関連技術の欠陥に鑑み、所望され本発明の目的であるのは、従来技術の
少なくとも一つの不足の厳しさを克服し若しくは減少させるイメージ増倍管を与
えることである。
【００２０】 したがって、所望される本発明の目的は、独自の低レベルの固有ガス原子を有
する改良されたI2Tを与えることであり、その結果、チューブは、MCPの入口面上
にイオンバリアフィルムを有せず、PCとチューブのMCPとの間に従来の場のレベ
ルを印加する直流電源によって連続的に付勢されながら満足な時間間隔の間動作
する。
【００２１】 さらに、所望される本発明の目的は、そのようなI2Tを利用する改良されたNVD
を与えることである。
【００２２】 特に、本発明は低レベルの固有ガス原子を有する改良されたマイクロチャネル
プレート（MCP）を有する改良されたI2Tに関する。
【００２３】 従来のI2T内に存在する固有のガス原子のいくつかはI2Tの動作中に正イオンに
なることがわかる。そのような正イオンは従来のI2Tのフォトカソードを衝撃す
るように方向付けられ、したがって従来のI2Tの有用な稼動寿命を短くする。さ
らに、他のより多くの固有ガス原子はチューブ内で中性イオンになり、それらの
いくつかはチューブのフォトカソードと化学的に合体し、このフォトカソードを
害しその結果光子に応答して光電子を解放する効果が減少し若しくは損なわれる
。
【００２４】 対照的に、本願のI2Tは固有の低量のガス分子を有し、その結果PCの低レベル
のイオン衝撃が、MCP上にイオンバリアフィルム無しで動作するときでさえ、I2T
の許容可能な長い稼動寿命を与える。
【００２５】 本願のI2Tはまた非常に低レベルのイメージハローを有する。
【００２６】 したがって、本発明の特定の目的は、入口面上にイオンバリアフィルムを有し
ないマイクロチャネルプレートを有し（したがって、チューブのフォトカソード
から直接光電子を受け取るよう開かれたマイクロチャネルを有し）チューブ内に
新規かつ特許性のある低レベルな固有ガス分子を有するイメージ増倍管を有し、
その結果イメージチューブのPCとMCPとの間に従来レベルの電場を印加する連続D
C電源によってチューブが作動されながらチューブのPCが満足な寿命を与える、
ナイトビジョンデバイスを与えることである。
【００２７】 この目的に対して、ひとつの態様に従う本発明は、見ている景色からの光を受
光しこの光をイメージ増倍管へ方向付ける対物レンズと、見ている景色の可視イ
メージを与えるイメージ増倍管と、この可視イメージをナイトビジョンデバイス
のユーザーに与える接眼レンズとから成るナイトビジョンデバイスを与え、該イ
メージ増倍管はチャンバを設けられかつ排気されたハウジングを有し及びこのハ
ウジングのチャンバ内に景色からの光子を受光しかつ景色を写すパターンで光電
子を解放するフォトカソードと、光電子を受光するべくフォトカソード方向に開
いたマイクロチャネルを有し景色を映すパターンで二次放出電子のシャワーを応
答して与えるマイクロチャネルプレートと、二次放出電子のシャワーを受け取り
景色を写す可視イメージを生成するスクリーンとを含み、ハウジングのチャンバ
は連続DC電力と一緒に動作しながらチューブの動作中にイメージ増倍管が少なく
とも約400若しくは500時間以上の間動作するぐらい十分に少ない正イオンとなる
固有のガス分子レベルを有する。
【００２８】 本発明の利点及び目的は従来のI2T'sによって達成されたよりもチューブのPC
とMCPとの間により短い間隔をI2Tに与えることである。
【００２９】 さらに、本発明の目的は実質的に減少し若しくは除去されたイメージハローを
イメージにもたらすI2Tを与えることである。
【００３０】 本発明から引き出される利点は、イオンバリアフィルムを有しないマイクロチ
ャネルプレートを有するイメージ増倍管を付与すること及びそれがイメージチュ
ーブのPCとMCPとの間に本質的に従来のレベルの電場を印加するDC電源によって
付勢されながら満足できる時間間隔の間動作する（すなわち、満足な稼動寿命を
与える）ことである。
【００３１】 出願人は従来の技術と対照的に本発明を使用することによって、I2T内のPCとM
CPとの間の間隔は従来の値の約50％から従来の間隔より実質的に小さいオーダー
の距離までの範囲内の距離に短縮されることを発見した。すなわち、PCとMCPと
の間隔は実質的に約50μmかそれ以下に短縮される。最も好適には、PCからMCPへ
のギャップは約15μmと同じくらい小さく短縮される。改良されたI2Tのイメージ
ハロー効果は対応して減少する。
【００３２】 また、本発明に従うI2TはPCとMCPとの間のより低い印加電圧で動作する結果、
PCとMCPとの間に印加された電場は従来のI2T's内で採用されるものと同じレベル
で維持される。
【００３３】 さらに、出願人は従来のイメージ増倍管内の正イオンの数量の多くはMCP自身
の表面上に吸着されたガス分子（すなわち、MCPに固有なガス分子）がもとであ
ると決定した。典型的なMCPはそれ自身比較的小さい構造であって、本質的に直
径約25ｍｍで対向面上に電極を有する厚さ約1ｍｍ若しくはそれ以下のガラスプ
レートである。しかし、MCPが千百万個若しくはそれ以上のマイクロチャネルを
有することを知れば、MCPのすべての外側及び内側面の総面積（すなわち、これ
らのマイクロチャネルのすべての内側面積を含む）は非常に大きいことがわかる
。したがって、MCPはかなりの量の固有（若しくは吸着）ガスを収容することが
できる。
【００３４】 I2T'sを作るための従来の製造方法は、ベーク(bake)及びスクラブ(scrub)処理
を含みその間MCPは上昇した温度に晒されるか及び／または電子ビームにスクラ
ッビングされ、一方それはMCPを横切って異なる電圧に晒され、すべてはできる
だけ多くの固有ガス分子を除去するためである。従来のMCPが排気処理されてい
る間、イメージ増倍管（及びMCP）は高真空及び上昇温度にさらされる。この排
気処理はI2Tのボディ用の真空炉内蝋付け操作の一部である。
【００３５】 従来のイメージ増倍管と対照的に、本発明を実施するチューブはより強烈な電
子ビームスクラブに晒される。この電子ビームスクラブが実際には非常に強烈で
あるので従来のMCP'sはそれによって破壊される。この非常に従来になく強烈な
電子ビームスクラブの効果は、MCPがとてもクリーン（すなわち、固有ガス原子
がない）であるため、たとえチューブがイオンバリアフィルムをMCP上に含まな
くてもI2Tは満足な稼動寿命の間動作するということである。
【００３６】 したがって、従来のイメージ増倍管に比べMCPのマイクロチャネル内に電子を
導入するのに必要な電子エネルギーの減少から利点が生まれる。本発明を実施す
るイメージ増倍管のマイクロチャネルがフォトカソードに面する方向へ開いてい
る（電子の進入を制限するイオンバリアフィルムが存在しない）ため及び光電子
が本質的に克服すべきバリアを有しないためである。これは、MCPの入力側にイ
オンバリアを有する従来の近接集束イメージ増倍管と対照的である。上で説明し
たように、従来のI2T's内の電子は従来のイメージ増倍管のマイクロチャネル内
に入るためにイオンバリアを効果的に貫通しなければならない。したがって、発
明にしたがって動作するイメージチューブのフォトカソードに印加される電圧は
、ハローを減少させるよう所望されるようにPCからMCPまでの間隔の短縮に比例
して下げられるが、適切なレベルの印加電場を与え、マイクロチャネルプレート
への光電子の適切な流れも与えつづける。この利点により、より小さい低電圧電
源の使用が可能となる。
【００３７】 また、イオンバリアフィルムが無いため、本発明を実施するI2T内でイメージ
ハロー効果に貢献する電子の生成がさらに減少される。
【００３８】 本発明を実施するI2Tの製造は、フィルムをMCPに加える製造工程が不要である
ため従来のチューブより高価ではない。さらに、発明のチューブを動作するため
の高電圧電源は、それがPCとMCPの正面との間で電位差を高くして与える必要が
ないため、より高価ではない。
【００３９】 本発明の他の目的、特徴及び利点は、関連する図面と共に以下の好適実施例の
詳細な説明の考察から当業者に明白である。
【００４０】 発明の好適実施例の詳細な説明 本発明は多くの異なる形式で実施され得るが、ここに開示されるのは発明の原
理を示しかつ説明する特定の実施例である。本発明は図示されかつ説明された特
定の実施例に制限されないことは強調されるべきである。
【００４１】 まず、図１を参照して、光増幅型のナイト・ビジョン・デバイス10の一つのバー
ジョンの基本要素が略示されている。ナイト・ビジョン・デバイス10は概して前
方対物光学レンズ組立体12（点線で示されたレンズを有する機能的ブロック要素
として略示され、ひとつ若しくはそれ以上のレンズ要素を有する）から成る。こ
の対物レンズ12はイメージ増倍管(I2T)14の前方受光端面14aを通過して離れた景
色（説明されるような完全な昼光で照らされた日中の景色か、または星の光のみ
か若しくは他のソースからの赤外線によって照らされた夜間の景色）からの入射
光12aを集束する。見てわかるように、この面14aは以下でさらに詳細に説明され
るように、チューブの透明窓部分によって画成されている。概して上記されたよ
うに、I2Tは光出力端14bにおいてリンの黄緑色の可視光でイメージを与え、その
イメージは視認された若しくは夜間の景色を写す。
【００４２】 これ以下、景色が装置のユーザーに肉眼で見える場合と、星の光若しくは他の
赤外線光によってのみ照らされているため景色が全体的に肉眼では見えない場合
との間で区別はない。装置10はこれら両方の極端な条件の下で及びそれらの間の
すべての照度レベルでユーザーに対し景色を写す可視イメージを与える。再び、
夜間の景色は概して肉眼には見えない（またはほとんど見えない）。I2Tからの
可視イメージは、ユーザーの目18においてチューブ14の後方光出力端の仮想イメ
ージを生成する単一レンズ16として略示される接眼レンズを通じてユーザーに対
し装置10によって与えられる。
【００４３】 特に図２を参照して、I2T14は、光電子を解放させるべく赤外線光の光子に応
答するフォトカソード(PC)20と、夜間の景色を写すパターンで光電子を受け取り
この景色を写す電子の増幅パターンを与えるマイクロチャネルプレート(MCP)22
と、ディスプレイ電極組立体24とを含む。この実施例において、ディスプレイ電
極組立体24は、アルミめっきされた蛍光体被膜若しくは蛍光体スクリーン26を有
すると考えられる。この蛍光体被膜がマイクロチャネルプレート22からの電子シ
ャワーによって衝撃されるとき、それは電子シャワーのパターンを写す可視イメ
ージを生成する。パターン強度の電子シャワーがレンズ12を通じて見える景色を
写すため、装置のユーザーは星の光または他の低レベル若しくは不可視赤外線光
によってのみ照らされた景色を見ながら暗闇でも効果的に見ることができる。組
立体14の透明窓部分24a（以下にさらに説明される）はイメージをスクリーン26
からチューブ14の外側へ運びその結果それはユーザー18に与えられる。窓部分24
aは平板ガラス若しくは図２に示されるようにファイバーオプティックでもよい
。当業者はファイバーオプティック出力窓24aがスクリーン26によって与えられ
るイメージを反転させることを理解するであろう。
【００４４】 さらに図２及び図２aを考察すると、MCP22はPC20のすぐ後ろに配置され、MCP2
2は電子受容面28及び反対側の電子放出面30を有する。本発明にしたがってMCP22
の電子受容面28は好適には後ろのPC20と15μm若しくはそれより近く配置されて
いる。特に、PC20から面28までの間隔は125μm以下であり、15μm若しくはそれ
以下であってもよい。
【００４５】 マイクロチャネルプレート22はさらに電子受容面28及び反対側の電子放出面30
上に開く複数の角度付けされたマイクロチャネル32を含む。マイクロチャネル32
は通路壁34によって分離されている。チャネル32の境界をなす通路壁34の少なく
とも表面部分は材料34aによって画成され、それは二次電子のエミッタである。
この場合、示された近接集束タイプの従来のイメージ増倍管と対照的に、マイク
ロチャネルプレートはイオンバリアフィルム若しくは被膜を入力面28上に有しな
い。したがって、マイクロチャネル32はプレートの両面（すなわち、面28及び面
30）上に開き、イオンバリアフィルム（すなわち、図２及び図２aに示されるマ
イクロチャネルの左端部において、面28上にあってPC20に向かって配置されてい
る）によってそれらの入口で妨げられない。
【００４６】 図1及び２に示されるように、MCP22は文字Gで示されるギャップによってPC20
の後ろと離隔されている。本発明のI2Tにおいて、ギャップGは好適には約125μm
から約15μmかそれ以下の範囲である。本発明にしたがって最も好適には、ギャ
ップGは約15μm若しくはそれ以下である。
【００４７】 概して数字38で示される電源回路の電源部36は、PC20とMCP22の面28との間に
電位差を与える。PCとMCP22の面28との間の間隔（すなわち、間隔ギャップG）は
従来よりもかなり小さいにも係らず、これらの間の電場レベルを従来と同じに保
持するために、従来の電圧よりもかなり低い電源部36の電圧が要求される。すな
わち、電源部36は従来のI2T'sを作動させるのに使用される電源に要求されるよ
りも低い電圧を与えるよう要求される。また、電源部36はPC20に直流電流電源を
与えるか、またはデューティサイクルでゲートオン及びオフされる電圧を与える
。本発明に従うI2T14は直流電圧で動作されるときでさえ（及びMCP入力面28上に
イオンバリアフィルムを有しないにも係らず）動作寿命が満足できるだけの十分
に低レベルの固有ガス分子を有するが、ゲート電力を使用する動作利点がそのよ
うな電源をチューブ14に使用することが利益になるように緩和するところのいく
つかの応用が存在する。ゲート電源はチューブ14の動作寿命をさらに延長する。
【００４８】 最も好適には、マイクロチャネルプレート22の壁34は上で参照したCircon Cor
porationの特許の教示に従ってクラッディング(cladding)ガラスから作られる。
しかし、従前、概してGen III I2T's用のマイクロチャネルプレート（たとえ同
じCircon Corporationのガラスから作られるとしても）はMCPの電子入力面28上
にイオンバリアフィルムの使用を要求した。また、上で参照された'885特許に教
示されたそれらのMCP'sはこの同じガラスから作られていないと信じられ、上記
したように従来のMCP'sをガス抜きするのに使用される処理のために付加的にMCP
を熱暴走及びダメージ若しくは破壊の危険にさらすと信じられている。結果的に
、そのようなMCPの信頼できる製造方法及びそのようなMCPを使用するイメージ増
倍管はこの発明以前は知られていなかったと信じられている。
【００４９】 さらに図２及び図２aを見ると、MCP22の各面28及び30は導体電極層28a及び30a
をそれぞれ有するのがわかる。これらの導体電極層は金属であるか、またはマイ
クロチャネルプレート22のそれぞれの面にわたって静電電荷を分布させるように
他の導体材料から形成されてもよい。これらの電極被膜はマイクロチャネル32の
開口を横切ってかかってはいないしこれらのマイクロチャネルの開口を閉じても
いない。また、面28及び面30のいずれにもイオンバリアフィルム若しくは被膜が
存在せず、その結果マイクロチャネル32はフォトカソードが配置された方向（図
２及び図２aで見て左側）へ開いている。回路38の電源部40は面28及び面30を横
切って（すなわち、電極層28a及び30aに印加することによって）電位差を与える
。結果として、MCP22は（イオンバリアフィルムにおいて電子吸収が生じないた
め）改良された信号対ノイズ比を有し、ハロー効果への寄与も有しない−ハロー
効果は従来のMCP'sの電子の入力側にあるイオンバリアフィルムによって従前寄
与される。さらに、MCP22の製造は、そのようなイオンバリアフィルムを取付け
る工程を除去することにより廉価である。
【００５０】 概して導体被膜蛍光スクリーン26を有するディスプレイ電極組立体24はMCP22
の電子放出面30と電子見通し線連結する蛍光スクリーン26とともにマイクロチャ
ネルプレート22の背後に配置される。ディスプレイ電極組立体24は典型的に窓部
24aの光学透明材料の真空露出面上にデポジットされたアルミ化蛍光体スクリー
ン26から形成される。回路38の電源部42は電極30aとディスプレイ電極組立体24
との間に電位差を与える。
【００５１】 集束接眼レンズ16はディスプレイ電極組立体24の背後に配置され、それによっ
て観察者18は最初に受けた低レベルイメージに対応する正しい方向のイメージを
見ることができる。
【００５２】 （特に図２を参照して）当業者に理解されるように、I2T14の個々の要素は、
低圧で排気されたチャンバを画成するべく協働する前方及び後方の透明プレート
を有するチューブ若しくはチャンバ（以下でさらに説明される）のボディ内にす
べてマウントされかつ支持される。この排気によってチューブ内の真空自由空間
内に解放した電子は大気の相互作用無しで広がった静電場によってさまざまな要
素の間を移動することができる。このタイプのイメージ増倍管の要素の近接のた
めに、それは近接集束タイプのチューブと呼ばれる。
【００５３】 上で示したように、フォトカソード20はチューブの窓部の内側真空露出面上の
対物レンズ12のすぐ後ろであってマイクロチャネルプレート22の前にマウントさ
れる。典型的に、このフォトカソード20は半導体材料の所定の構成を有する円形
のディスク状の構造物であって、周知の方法で基板上に載置されている。適切な
Gen IIIフォトカソード材料は概してガリウムヒ素(GaAs)のような半導体であっ
て、単純に手に入る透明基板上に載置されている。さまざまなガラス及びファイ
バーオプティック基板材料が商業的に入手できる。
【００５４】 I2T14の動作をさらに詳しく考察すると、光12aはナイト・ビジョン・デバイス10
の前方端に入射し対物レンズ12を通過する光子を含む。これらの光子12aはフォ
トカソード20上で集束され、該フォトカソードは見ている夜間の景色の受光エネ
ルギーに比例する数で（すなわち、光子フラックスに比例して）及びそれを写す
場所で光電子44が放出される活性面20aを有する。再び、概して、受光されたイ
メージは暗すぎて肉眼では見えないか、全体的若しくは部分的に人間の目には見
えない赤外線放射であってもよい。したがって、フォトカソード20から放出され
た光電子はI2T14の前方端に入射するイメージを表すパターンであることが理解
できる。
【００５５】 フォトカソード20上の光子入力ポイントから放出された典型的な光電子の経路
は図１内で矢印44で表されている。フォトカソード20から放出された光電子44は
フォトカソード20とMCP22の電子受容面28上の電極28aとの間に確立された所定の
強度傾斜の電場を通じてエネルギーを得る。その傾斜場は電源部36によって与え
られる。光電子はイオンバリアフィルムによって与えられる貫通エネルギー要求
を克服する必要がなく、その代わりMCP22の開いたマイクロチャネル内に直接入
射するため、電源部36によって印加される電圧は従来のI2TのMCPを動作する電源
に要求されるものより非常に低い。しかし、好適には、I2T14において、従来のG
en III I2TのPCとMCPとの間に存在するのと実質的に同じレベルの電場がギャッ
プG内で維持される。典型的に、電源部36は所望の強度の場を作るために40から1
00 volts/milのオーダーで静電場電圧を印加する。
【００５６】 フォトカソード20とマイクロチャネルプレート22の入力面28との間の距離にわ
たって（すなわち、ギャップGを横切って）加速した後、これらの光電子44はマ
イクロチャネルプレート22のマイクロチャネル32に進入する。上述したように、
電源部40はMCP22の電極28aと30aとの間を横切って電位差を与える。以下で詳細
に説明されるように、マイクロチャネルプレート22のマイクロチャネル32を通過
すると同時に比例して多くの電子を生成するよう光電子44が二次電子の放出によ
って増幅される。この二次放出電子の増幅されたシャワーは、電源部40によって
供給されるそれぞれの静電場によってマイクロチャネル32内で加速され、その後
マイクロチャネルプレート22のマイクロチャネル32の電子放出面30から出る。
【００５７】 再び自由空間にあって、二次放出電子の増幅されたシャワーは電源部42によっ
て与えられた静電場内で再び加速される。この電場は電子放出面30とディスプレ
イ電極組立体24との間で確立される。典型的に、電源部42は、増加電子46に所望
のエネルギーを分け与えるべく3000から7000ボルトのオーダーで、より好適には
6000ボルトのオーダーでポテンシャルを生成する。
【００５８】 光電子及び二次放出電子のシャワー46は統計的に考えてほとんど若しくは完全
に光電子を欠いており、完全に若しくはほとんど完全に二次放出電子から成ると
いうことを当業者は知っている（すなわち、統計的に、マイクロチャネル32内で
吸収されない光電子の確率は低いため）。しかし、シャワー46は光電子44の最初
のシャワーより数オーダー大きい強度であるが、まだフォトカソード20上に集束
されたイメージを写すパターンである。この増幅された電子のシャワーは可視光
イメージを生成するべくディスプレイ電極組立体24の蛍光スクリーン26上に落ち
る。
【００５９】 図２をより詳しく見ると、I2T14はチューブボディ50を含み、それは前方受光
窓52付近の２つの対端の一端と、後方ファイバーオプティックイメージ出力窓54
付近の反対端で閉じられている。窓54はチューブ14に対する光出力面14bを画成
し、さらに説明されるように、蛍光被膜26を含むディスプレイ電極組立体を有す
る。図２に示されるように、後方窓54はユーザーに正立像を与えるためにイメー
ジ反転タイプである（すなわち、ファイバーオプティックタイプの、一緒に結合
され窓54の反対面の間で180°まとまってねじられた光ファイバーを有する）。
窓部材54は必ずしもそのような反転タイプではない。
【００６０】 窓52及び54の両方はボディ50と密封して係合され、その結果ボディ50の内部チ
ャンバ56は大気に関して真空で維持される。中空ボディ50は複数の金属製リング
から作られ、互いに個別リングを区別する必要があるときに各々はアルファベッ
トの添え字を有する数字58で示される（すなわち、チューブボディ50の前方から
後方へ連続して58a、58b、58c及び58d）。リング58dは58d'及び58d''で示される
２つのリング部分から成り、それらは溶接部58eで互いに密封して接合されるの
が図２からわかる。この重要な構成上の特徴は以下にさらに説明される。
【００６１】 中空ボディ部58は離隔されかつ挿入された絶縁リングによって互いに電気的に
絶縁され、それらの各々は数字60で示され、アルファベットの添え字がつけられ
ている（すなわち、ボディ50の前方から後方へ連続して60a、60b及び60c）。区
画58及び絶縁体60は密封して互いに取付けられている。端部58a及び58b（すなわ
ち、リング部58d''）はそれぞれの窓52及び54に密封して取付けられている。関
連技術の当業者は、ボディ部58が電源回路38（上記したように、部分36、40及び
42を与える）へ電気的に独立に接続されていることを知るであろう。この電源回
路は、部分58aで最も負の及び部分58bで最も正の静電場を維持するようにI2T14
の動作中有効である。
【００６２】 さらに図２を見ると、前方窓52はフォトカソード20のチャンバ56内の後方面上
に達することがわかる。ボディ部58aは部分58aとフォトカソード20との間に伸長
する薄いメタライゼーション（図２において数字58a'で示される）を使用するこ
とによってフォトカソードと電気的に連通する。したがって、フォトカソード20
はこの電気的結合及びその半導体的性質によってこのディスク状のフォトカソー
ド構造の領域を横切って分配され静電電荷を有する。
【００６３】 上述したように、導体被膜若しくは層28a、30aはマイクロチャネルプレート22
の反対面28及び30の各々に与えられる（図２aで矢印28a及び30aで示されるよう
に）。電源部40はハウジング部58b及び58cと結合することによってこれらの被膜
と電気的に結合される。最後に、電源部42はディスプレイ電極組立体24において
窓部材54の真空露出面を横切って伸長する導体層若しくは被膜54a（被膜58a'と
同様にアルミニウムメタライゼーション）と伝導する。
【００６４】 NVD10及びI2T14の構造を考察すると、このI2Tの製造に注意が向けられる。関
連技術の当業者は、MCP22が延伸する小さい寸法のガラス繊維から作られ、それ
はコア（コアガラス成分）及びクラッディング（クラッディングガラス成分）を
含み、そのクラッディングガラスは電子の二次エミッタとして電気的に活性に作
られていることを理解するであろう。MCP22が作られるガラスの可能なフォーミ
ュレーションのために、Circon Corporationの特許の教示が再び参照される。こ
れらのクラッディングガラスのひとつはNV-30Pとして知られる。このクラッディ
ングガラスは本発明を実施するのに使用されてもよい。選択されたガラスの繊維
は（コアガラスを除去した後）部分的に貫通した（すなわち、マイクロチャネル
32によって貫通された）プレートに形成され、電極28a及び30aを付加するべく続
けて処理される。このMCPが組立てられた後、それはチューブ14のボディ50内に
シールされる。チャンバ56内に深い真空を獲得するためにチューブボディのシー
リングまで導く製造工程中に、MCP22は実質的にMCP22をガス抜きする効果を有す
る以下の例に従って処理される。
【００６５】 図３及び３aを参照すると、チャンバ68を画成する壁66aを有するハウジング66
を有する真空ベーク及び電子ビームスクラッビング装置64が略示されている。チ
ャンバ68は大気と選択的に連通（以下に説明される）し、内部に高真空条件下で
イメージ増倍管14を組立てるための装置（以下により完全に説明される）を有す
る。換言すれば、イメージ増倍管14の要素は一緒に動作するためにチャンバ68内
に準備され、チューブボディ50の部品はその後チャンバ56内に深い真空を獲得す
るために密封して結合される。ハウジング66はチャンバ68及び開口若しくはポー
タル66bを画成する壁部66a（上記したように）を含む。この開口66bはドア66c（
図３に閉止位置に示され、X記号で表された）によって選択的に及び密封して閉
じられる。すなわち、このドア66cは装置64の外側から選択的に開閉される。開
口66bはロードロック装置70に通じ、それはチャンバ68内へ若しくは外へ通じる
ことができるエアロックの形式である。ロードロック装置70は予熱室72を画成し
、真空ポンプ74はこのチャンバが深い真空に選択的に排気されるようにこの予熱
室と連結する。
【００６６】 チャンバ68の内部で動作するのは矢印76で示されるコンベア装置であり、それ
によって前方窓52及びその上に置かれたPC20を含むフォトカソード組立体は開口
66bを通じて予熱室72からチャンバ68内へ連続して移動されることができる。チ
ャンバ68内で、窓52及びPC20の組立体は最初に活性化ドーム78と位置合わせされ
かつシールされた状態で置かれる。コンベア装置76によって窓52及びPC20の組立
体は活性化ドーム78から次の処理のためのチャンバ68内の他の場所へ続けて移動
されることができる。最初に活性化ドーム78と関連する際、窓52及びPC20のフォ
トカソード組立体は開口78aにおいて活性化ドーム上に載置され密封して組み重
ねられる。したがって、PC20はドーム78内に画成されるチャンバ78bに晒される
。
【００６７】 この活性ドームは選択的に活性化ガスのソース80に連結し、それの一つはセシ
ウムガスであり、その結果PC20はこれらのガスに晒されることによって活性化さ
れる。ソース80からチャンバ78b内への活性化ガスの流れは、バルブ80a（図３で
点線で示される）によって制御され、または例えば少なくとも一つ所望の活性化
ガスを放つ制御された化学反応を使用することによって影響される。チャンバ78
aは真空ポンプ80bに連結されその結果ソース80からのガスはチャンバ78bから引
かれる。
【００６８】 付加的に、ヒータ82は活性ドーム78に配置されるときフォトカソード組立体52
と並置される。このヒータは電源84によって選択的に電力を供給され、その結果
I2T14の動作に関連して上述したように、PC20は光電子を解放するべく活性ドー
ム78での活性化のために光子に敏感である状態に準備される。
【００６９】 チャンバ68内に配置されるのは、概して数字86で示される（図３a参照）固定
具である。この固定具86はハウジング66に取付けられた除去可能な真空シーリン
グに保持されるが、I2T14用のサブアセンブリがチャンバ68内に置かれかつ完成
したI2T14が装置64から除去可能であるように除去可能（矢印88aで示されるよう
に）である。
【００７０】 図３aは固定具86をより詳細に示し、この固定具がフランジ88上に保持された
反応プレート90を含むことを示している。この反応プレート90は窓54及びディス
プレイ電極24に沿ってボディリング部58d''を支持する。反応プレート90はフラ
ンジ88内に設置されたサイトグラス88bと位置あわせされた孔90aを有し、その結
果ディスプレイ電極24の照度はこのサイトグラス88bを覗き込むことによって装
置68の外部から見ることができる。
【００７１】 反応プレート90及びその上に支持されたリング58d''の上に配置されるのはI2T
14の部分的に組立てられたボディである。すなわち、ボディリング58d'は58d''
と向かい合いかつ離隔され、残りのリング58b-c及び60a-dは互いに組立てられる
。リング58d'はフランジ88によって支持される複数のガイドポスト94上にスライ
ド可能に保持されるクランププレート92で支持される。フランジ88とクランププ
レート92との間でポスト94の回りに挿着されるのはクランププレート92及びI2T1
4の部分的に組立てられたボディ50を撓むことができるように図３aに示された位
置まで上にバイアスする。
【００７２】 固定具86はこの組立体のさまざまな部分に電気的結合を与えると同時に部分的
に完全なI2T組立体14aの支持を与える。図３に示された製造ステージにおいて、
組立体14aは上記したように前方窓52がなく、後方窓54から分離されている。し
たがって、この組立体14aのMCP22は図３aに示されるようにチャンバ68へ外側に
さらされている。しかしスクリーン電極24は図３aに示されるようにMCP22と位置
合わせされている。
【００７３】 また、動作電圧は前方ボディリング58a及びリング部58d''と共にMCP22の面28a
及び30aを横切って装置64に付随する概して数字98で示される（図３a参照）電源
回路によって印加される。もう一つの電源100はハウジング66付近に配置された
ヒータ102に選択的に電力を与え、その結果装置64及びそのコンテンツは大気よ
り上の温度に加熱される。図３に示されるように、電源100はハウジング66の壁6
6a上のさまざまな場所に配置された複数のヒータ102へ電力を与える。MCP22上の
チャンバ68内に配置されるのは電子ソース104である。矢印104aで示される電子
は電源106によって印加される電位差によって選択的にソース104から晒されたMC
P22方向へ移動させられる。電源106はソース104から電子を放出するのを補助す
るべくヒータ106aへ電力を与える。
【００７４】 結果として、矢印104aで示される選択的に制御された電子フラックスはソース
104からチャンバ68内の固定具86内で保持されたMCP22へ方向づけられる。電源98
はMCP22を横切って電位差を同時に印加しかつ結果的に増幅された電子フラック
ス104bをスクリーン電極24へ伝達するべく採用される。したがって、MCP22は電
子フラックス104a及び104bによってスクラブされ、かつチャンバ68の深い真空の
下でヒータ102により制御された加熱によってベークされる。
【００７５】 電子ソース104の付近で固定具86に位置合わせされて配置されるのは、ボディ
リング58aと位置合わせされて外側周辺付近で窓52と強力に係合するよう構成さ
れたエッジ面108aを有する圧縮スリーブ108である。ハウジング66aは壁66aとハ
ウジング66の圧縮プレート部66cとの間に伸長するベローズ部66bを含み、その結
果圧縮プレート66cは強力かつ制御可能に図３で示される位置から固定具86の方
向へ下側に移動させられる。ハウジング66の圧縮プレート部66cの強力かつ制御
可能な移動を有効にするために、ジャッキング装置110（図３で矢印で示される
）がハウジング66の外側に配置され、図３の矢印で示されるように内側若しくは
外側の力をプレート66cへ制御可能に印加する。したがって、ジャッキング装置1
10は固定具86及びI2T14用に部分的に組立てられたボディに関して、圧縮プレー
ト66c及び圧縮スリーブ110の位置を制御する。
【００７６】 装置66を使用する際、MCP22が固定具86内で真空ベークされかつ電子スクラブ
され、フォトカソード20がソース80からの活性ガスにさらすことによって活性化
された後、コンベア76は活性ドームから窓52及びPC20を固定具86と位置合わせし
て圧縮スリーブ108の下へ持ってくるために採用される。最も好適には、MCPの電
子スクラブの間に、組立体14aがチャンバ68内で深い真空及び熱に晒されている
とき、電子ソース104はこのMCPからガス原子が放出するのを補助するべくMCP22
の電子ビームスクラッビングを有効にするために採用される。本発明の方法に従
って、電子ビームスクラブ104aは少なくとも25μA/cm2の電流密度を有する。さ
らに好適には、電子ビーム密度は75μA/cm2であり、300μA/cm2若しくはそれ以
上であってもよい。
【００７７】 加熱、高真空及び電子ビームスクラッビングの処理が完了し組立体14aのMCP22
がきれいになったとき、窓部材52を固定具86と位置合わせして移動するのにコン
ベア76が採用される。したがって、I2Tの要素は完全なイメージ増倍管14を作る
べく最終組立てのために準備される。ジャッキング装置110はその後チャンバ68
の内側に（図３及び図３aで下側へ）スリーブ108を制御可能に付勢し、リング58
aと位置あわせされている窓52と係合させるために使用される。窓52及びリング5
8aはそれらの位置合わせ面（図２で矢印Wの文字で示される）においてインジウ
ム被膜を有し、それはスリーブ108によって印加された圧力の下でこれらの部品
間の冷間圧接シールを有効にするのに使用される。
【００７８】 このとき、スリーブ108はまずバネ96のバイアスに対抗してクランププレート9
2を下側へ付勢しその結果ボディリング58d'はボディリング58d''と接触する。こ
れら２つのボディリングは同様にそれらの位置合わせ面上にインジウム被膜を有
し、その結果それらはスリーブ108及びジャッキ110によって印加される圧力の下
でインジウム冷間圧接を形成する。反応プレート90は、ボディ50の部分を密封し
て結合するべく十分な圧力が印加されるように、ジャッキ装置110からのこの力
を受け取る。
【００７９】 MCP22のガス抜き動作を考えると（すなわち、電子フラックス104a及び生成さ
れた増幅フラックス104bの効果の下で）それはチューブ14の要素が組立てられる
前にチャンバ68内で実行され、好適には電子フラックス104aは25μamp/cm2から3
00μamp/cm2若しくはそれ以上の範囲内にあることが理解される。同様に、MCP22
を横切って印加される電圧は概してI2T14内にインストールされるときMCP22が動
作する印加電圧よりも少しだけ高いのが好適である。電子フラックス104aはMCP2
2がI2T内で動作するときMCP22内で電子が移動するのと同じ方向へ印加される。
図３を参照してわかるのは、この電子衝撃及び生成された電子フラックス104bは
PC組立体52がI2Tの他の要素の上に配置される前に発生するということであるが
、電子フラックス104aの印加の間MCP22に印加される電位差のために、最初に利
得はMCP22を横切って経験し、電子の多数のシャワーはMCP22から流れ出る（図３
及び図３aにおいて矢印104bで示されるように）。
【００８０】 電子フラックス104a及びMCP22内で生成される電子の大きなシャワー104bはMCP
22から固有ガス原子を実質的に除去するのに有効である。MCP22を通過する電子
フラックスはイメージ増倍管14の動作時にMCP22内で適用される電子フラックス
の方向に関して反転される必要はない。すなわち、このMCPからの固有ガスを完
全にかつ満足するようにきれいにするために、電子の一方向流が十分であると信
じられている。この電子フラックスはスクリーン26のイルミネーションを生じさ
せ、それはポート88bを通じて見ることができる。
【００８１】 好適には、真空ベーク温度、時間、MCP22への印加電圧及び電子フラックス104
aのレベルの組み合わせが、上記したようにチューブ14のボディ50が密封して閉
止される前にMCP22内の固有ガス分子の所望の低レベルを達成するために必要に
より調節される。本発明に従ってI2T内で達成された固有ガス分子の所望の低レ
ベルの測定は、完成したI2T's（MCP上にイオンバリアフィルムを有しない）の稼
動寿命によって与えられる。好適には、発明に係るI2T14は、PCとMCPとの間に通
常レベルの電場（すなわち、ギャップ寸法の１マイクロメーター当たり1.6から4
.0ボルトの電場）を与える印加電圧レベルで動作しながら、400から2000時間若
しくはそれ以上の稼動寿命を与える。
【００８２】 通常の印加電場レベルを与えるPCとMCPとの間の印加電圧でチューブ14が動作
中に、I2T14の処理されたMCP22は大量の正イオン生成が無く、中性原子若しくは
PC20のイオン損失もなく電子増幅の機能を実行する。動作因子のこの組み合わせ
はI2T14に対して許容できる長い寿命を与え、チューブの長い寿命はチューブ14
内の固有ガス原子の所望の低レベルを示す。この長い稼動寿命は、イオンバリア
フィルムがMCP22上に利用されていないという事実にも係らず、本発明によって
達成される。
【００８３】 上で指摘したように、Circon Corporation所有の２つの特許に開示されたガラ
スは本発明を実施する際に利用することができるガラスの例である。しかし、従
前はここに設定される非常に高い電子ビームスクラブ電流レベルにおいてそのよ
うなガラス（若しくは他のガラス）を処理するための関連技術において教示若し
くは提案は存在しなかった。しかし、本発明はこれらのガラスの使用に制限され
るものではない。本発明の処理がMCP22を破壊することなく実行されるようにす
るこれらのガラスのひとつの特徴は、Circonガラスの増加温度許容(tolerance)
にあると信じられている。従来の8161ガラスの軟化温度より少なくとも約100℃
上の軟化温度増加は、本発明の積極的な真空ベーク及び電子ビームスクラブ処理
がMCP22を破壊することなく実行されることを許す一つのファクタであると信じ
られる。好適なクラッディングガラスに対するこの軟化温度は実質的に600℃で
ある。従来の8161ガラスに対して同様のより高い軟化温度増加を有する他のガラ
スが本発明にしたがってうまく処理されてもよい。
【００８４】 ここに示され及び説明されている実施例は発明を網羅していないことは当業者
に理解される。例えば、Circon Corporation以外のガラスが本発明の実施に対し
て許容可能であることがわかる。当業者はさらに本発明が発明の思想及び中心属
性から離れることなく他の特定の形式で実施され得ることを理解する。本発明の
上記説明は発明の実施例のみを開示するため、他のバリエーションが本発明の態
様内にあることが理解されるべきである。したがって、本発明はここに詳細に説
明された特定の実施例に限定されない。逆に、本発明の態様及び内容を定義する
ために請求の範囲が参照されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明を実施するナイト・ビジョン・デバイスを略示したものである
。
【図２】 図２は、付随する電源を有するI2Tの長さ方向断面図を示す。
【図２ａ】 図２aは、図２に示されたI2Tのマイクロチャネルプレートの部分の大きく拡大
された断片的な断面図である。
【図３】 図３は、本発明を実施するI2T用の改良されたMCPを作成する製造方法の工程及
びこの工程を実行する際に使用される装置を略示したものである。
【図３ａ】 図３aは、図３に示された装置の一部の拡大断片図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/40 Ｈ０１Ｊ 9/40 Ａ Ｈ０４Ｎ 5/30 Ｈ０４Ｎ 5/30 // Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｂ Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｇ２１Ｋ 4/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G083 AA02 AA08 CC10 DD16 EE02 EE03 5C012 AA05 BC03 BC04 BD01 BD02 5C024 AX01 AX06 BX04 EX02 5C027 EE01 EE05 EE12 5C037 GG02 GG06 GH02 GH05 GH11

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】イメージ増倍管であって、排気されたチャンバを内部に閉じ込
    めるチューブボディと、前記排気されたチャンバ内に配置されるフォトカソード
    と、前記排気されたチャンバ内に配置されフォトカソードとギャップ寸法を画成
    するべく前記フォトカソードから離れて並置されるマイクロチャネルプレートと
    、から成り、前記マイクロチャネルプレートはマイクロチャネルプレート用の電
    子入力面及び電子出力面の両方を画成するべく非常に多数のマイクロチャネル開
    口を有し、前記多数のマイクロチャネル開口は前記電子入力面上に障害物を有せ
    ず、前記ギャップ寸法は約125μm以下の範囲内にある、ところの装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載のイメージ増倍管であって、前記ギャップ寸法
    は約50μm以下の範囲内にある、ところの装置。
  3. 【請求項３】請求項１に記載のイメージ増倍管であって、前記ギャップ寸法
    は約25μmから約15μm以下までの範囲にある、ところの装置。
  4. 【請求項４】請求項１に記載のイメージ増倍管であって、さらに約1.6から4
    .0volt/μmの電場を前記フォトカソードと前記マイクロチャネルプレートとの間
    に印加する電源を含む、装置。
  5. 【請求項５】ナイト・ビジョン・デバイスであって、見ている景色からの光
    を受け取りこの光をイメージ増倍管へ方向付ける対物レンズであって、前記イメ
    ージ増倍管は前記光及び景色の可視イメージを与える電力の印加に応答するとこ
    ろの対物レンズと、ナイト・ビジョン・デバイスのユーザーにこの可視イメージ
    を与える接眼レンズであって、前記ナイト・ビジョン・デバイスは前記イメージ倍
    増管に前記電力を供給する電源を含むところの接眼レンズと、から成り、前記イ
    メージ増倍管はチャンバを設けられ排気されたハウジングを有しかつこのハウジ
    ングの排気されたチャンバ内に景色からの光子を受け取りかつ景色を写すパター
    ンで応答的に光電子を解放するフォトカソードと、該フォトカソードと離隔され
    並置されかつ光電子を受け取るためにフォトカソードの方向に開いたマイクロチ
    ャネル開口を有するマイクロチャネルプレートであって、景色を写すパターンで
    二次放出電子のシャワーを応答的に与えるところのマイクロチャネルプレートと
    、二次放出電子のシャワーを受け取りかつ景色を写す可視イメージを生成するス
    クリーンとを含み、イメージ増倍管ハウジングのチャンバはイメージ増倍管の動
    作中に正イオンになることができる固有のガス分子レベルを有し、固有のガス分
    子の個数は前記電源がイメージ増倍管の動作のために連続直流電力を供給しなが
    ら前記イメージ増倍管が少なくとも約400から500時間若しくはそれ以上の間動作
    するように十分に少ない、ところの装置。
  6. 【請求項６】請求項５に記載のナイト・ビジョン・デバイスであって前記フ
    ォトカソード及び前記マイクロチャネルプレートが協働してギャップ寸法を画成
    し、前記ギャップ寸法は約125μm以下の範囲にある、ところの装置。
  7. 【請求項７】請求項６に記載のナイト・ビジョン・デバイスであって、前記ギ
    ャップ寸法は約25μmから約15μm以下の範囲内にある、ところの装置。
  8. 【請求項８】請求項５に記載のナイト・ビジョン・デバイスであって、前記電
    源は前記フォトカソードと前記マイクロチャネルプレートとの間に印加される電
    場を供給し、前記電場は約1.6から4.0volts/μmの強さを有するところの装置。
  9. 【請求項９】イメージ増倍管を作る方法であって、 マイクロチャネルプレートを与える工程と、 マイクロチャネルプレートを深い真空にさらす真空ベーク環境内に配置する工
    程と、 前記マイクロチャネルプレートに対し、約25μamp/cm2から約300μamp/cm2以
    上までの範囲の電子フラックスを印加する工程と、 から成る方法。
  10. 【請求項１０】請求項９に記載の方法であって、さらにイメージ増倍管ボデ
    ィ内で約125μm以下の範囲のギャップ寸法だけフォトカソードからマイクロチャ
    ネルプレートを離隔させる工程を含む方法。
  11. 【請求項１１】請求項１０に記載の方法であって、さらに前記ギャップ寸法
    を約25μmから15μm以下までの範囲になるよう形成する工程を含む方法。
  12. 【請求項１２】請求項１０に記載の方法であって、さらに商業的に入手可能
    でありNV-30Pとして知られるガラスと実質的に同じフォーミュレーションを有す
    るクラッディングガラスから前記マイクロチャネルプレートを作る工程を含む方
    法。
  13. 【請求項１３】イメージ増倍管であって、チャンバが設けられたチューブボ
    ディと、前記チャンバが設けられたチューブボディ内に配置されたフォトカソー
    ドと、前記チャンバが設けられたチューブボディ内に配置されギャップ寸法を画
    成するべく前記フォトカソードと実質的に平行に並置されて離隔されたマイクロ
    チャネルプレートとを有し、前記マイクロチャネルプレートは電子入力面を有し
    かつ前記電子入力面及び反対側の電子放出面上に非常に多くのマイクロチャネル
    開口を含み、前記電子入力面にはイオンバリアフィルムが無くその結果前記マイ
    クロチャネルは電子入力面上で障害物がなく開いており、前記ギャップ寸法は約
    125μm以下の範囲である、ところの装置。
  14. 【請求項１４】請求項１３に記載のイメージ倍増管であって、電場が前記フ
    ォトカソードと前記マイクロチャネルプレートとの間に印加され、前記電場は約
    1.6volt/μmから約4.0 volt/μmまでの範囲にある、ところの装置。
  15. 【請求項１５】ナイト・ビジョン・デバイスであって、景色から光を受光しか
    つこの光をイメージ増倍管へ向ける対物レンズと、前記イメージ増倍管に動作電
    力を供給する電源であって、前記イメージ増倍管は応答的に可視イメージを与え
    るところの電源と、ナイト・ビジョン・デバイスのユーザーに前記可視イメージを
    与える接眼レンズとを有し、前記イメージ増倍管は排気されたチャンバを内部に
    閉じ込めるチューブボディと、前記排気されたチャンバ内に配置されたフォトカ
    ソードと、前記排気されたチャンバ内に配置されかつギャップ寸法を画成するべ
    く前記フォトカソードから離隔されて並置されたマイクロチャネルプレートとを
    有し、前記マイクロチャネルプレートはマイクロチャネルプレート用の電子入力
    面及び電子出力面の両方を画成する非常に多くのマイクロチャネル開口を有し、
    前記多数のマイクロチャネルは障害物及びイオンバリアフィルム無しで前記電子
    入力面上に開いており、前記ギャップ寸法は約125μm以下の範囲であるところの
    装置。
  16. 【請求項１６】請求項１５に記載のナイト・ビジョン・デバイスであって、
    前記ギャップ寸法は約50μm以下の範囲である、ところの装置。
  17. 【請求項１７】請求項１６に記載のナイト・ビジョン・デバイスであって、
    前記ギャップ寸法は約25μmから15μm以下の範囲である、ところの装置。
  18. 【請求項１８】請求項１５に記載のナイト・ビジョン・デバイスであって、
    前記電源は前記フォトカソードと前記マイクロチャネルプレートとの間に約1.6
    から4.0volt/μmの電場を印加する、ところの装置。
  19. 【請求項１９】応答的に可視イメージを与えるイメージ増倍管へ景色からの
    光を方向付ける対物レンズと、装置のユーザーに可視イメージを写し出す接眼レ
    ンズとを有するナイト・ビジョン・デバイスであって、前記イメージ増倍管が、 排気されたチャンバを内部に画成するチューブボディと、 前記チャンバ内に配置されかつ景色を写すパターンで光電子を応答的に解放さ
    せるべく景色からの光を受光するフォトカソードと、 前記光電子を受光しかつ景色を写すパターンで二次放出電子のシャワーを応答
    的に与え、固有の個数のガス分子を有するマイクロチャネルプレートと、 二次放出電子の前記シャワーを受け取りかつ景色を写す可視イメージを応答的
    に与えるスクリーン電極と、 から成り、 前記マイクロチャネルプレートは、前記固有の個数のガス分子から生成される
    正イオンによる前記フォトカソードの実質的な損害なしで前記イメージ増倍管の
    少なくとも400時間の動作を与えるレベルまで前記固有の個数のガス分子を減少
    させるのに十分な電子ビーム強度を有する自続イオン再生を生成するのに必要な
    電圧より低い印加電圧で低圧でスクラブされた、ところの装置。
  20. 【請求項２０】イメージ増倍管であって、 排気されたチャンバを内部に画成するチューブボディと、 前記チャンバ内に配置されかつ景色を写すパターンで光電子を応答的に解放す
    るべく景色から光を受光するフォトカソードと、 互いの間にギャップを画成するべく前記フォトカソードから離隔され、景色を
    写すパターンで二次放出電子のシャワーを応答的に与えるべく前記光電子を受け
    取るマイクロチャネルプレートであって、前記マイクロチャネルプレートと前記
    フォトカソードは互いに約125μmから実質的にゼロギャップまでの範囲でギャッ
    プ寸法を画成するところのマイクロチャネルプレートと、 から成る装置。
  21. 【請求項２１】イメージ増倍管を与える方法であって、 排気されたチャンバを内部に画成するチューブボディを与える工程と、 光を受光しかつ景色を写すパターンで光電子を応答的に解放するべく前記チャ
    ンバ内にフォトカソードを配置する工程と、 前記光電子を受け取りかつ景色を写すパターンで二次放出電子のシャワーを応
    答的に与えるべくマイクロチャネルプレートを配置する工程と、 前記マイクロチャネルプレートが前記フォトカソードと前記マイクロチャネル
    プレートとの間にイオンバリアフィルムを有せずに少なくとも400時間のイメー
    ジ増倍管の直流電流動作を許す固有の数のガス分子を有するように、前記マイク
    ロチャネルプレートから固有ガス分子を除去する工程と、 前記二次放出電子のシャワーを受け取りかつ景色を写す可視イメージを応答的
    に与えるスクリーン電極を与える工程と、 から成る方法。
  22. 【請求項２２】請求項２１に記載の方法であって、前記マイクロチャネルプ
    レートから固有ガス分子を除去する前記工程は、自続イオン再生を生成するのに
    必要な電圧より低い電圧をマイクロチャネルプレートを横切って印加し真空下で
    前記マイクロチャネルプレートを少なくとも25μamp/cm2のスクラッビング電子
    ビーム強度でスクラッビングする工程を含む、ところの方法。
  23. 【請求項２３】請求項２２に記載の方法であって、前記マイクロチャネルプ
    レートから固有ガス分子を除去する前記工程は、自続イオン再生を生成するのに
    必要な電圧より低い電圧をマイクロチャネルプレートを横切って印加し真空下で
    前記マイクロチャネルプレートを少なくとも75μamp/cm2のスクラッビング電子
    ビーム強度でスクラッビングする工程を含む、ところの方法。
  24. 【請求項２４】請求項２３に記載の方法であって、前記マイクロチャネルプ
    レートから固有ガス分子を除去する前記工程は、自続イオン再生を生成するのに
    必要な電圧より低い電圧をマイクロチャネルプレートを横切って印加し真空下で
    前記マイクロチャネルプレートを少なくとも200μamp/cm2のスクラッビング電子
    ビーム強度でスクラッビングする工程を含む、ところの方法。
  25. 【請求項２５】請求項２４に記載の方法であって、前記マイクロチャネルプ
    レートから固有ガス分子を除去する前記工程は、自続イオン再生を生成するのに
    必要な電圧より低い電圧をマイクロチャネルプレートを横切って印加し真空下で
    前記マイクロチャネルプレートを少なくとも300μamp/cm2以上のスクラッビング
    電子ビーム強度でスクラッビングする工程を含む、ところの方法。
  26. 【請求項２６】イメージ増倍管であって、排気されたチャンバを内部に閉じ
    込めるチューブボディと、前記排気されたチャンバ内に配置されるフォトカソー
    ドと、前記排気されたチャンバ内に配置されフォトカソードとギャップ寸法を画
    成するべく前記フォトカソードから離れて並置されるマイクロチャネルプレート
    と、から成り、前記マイクロチャネルプレートはマイクロチャネルプレート用の
    電子入力面及び電子出力面の両方を画成するべく非常に多数のマイクロチャネル
    開口を有し、前記多数のマイクロチャネル開口は前記電子入力面上に障害物を有
    せず、前記ギャップ寸法は約125μmから約15μm以下の範囲内にあり、前記マイ
    クロチャネルプレートは真空下で少なくとも25μamp/cm2以上のスクラッビング
    電子ビーム強度でスクラッビングされた前記マイクロチャネルプレートによって
    示される低レベルの固有数のガス分子を有する、ところの装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6483231B1 (en) * 1999-05-07 2002-11-19 Litton Systems, Inc. Night vision device and method
US8431881B2 (en) * 2000-09-15 2013-04-30 Kollsman, Inc. Night vision goggles with pellicle
US7800043B2 (en) * 2000-09-15 2010-09-21 Night Vision Corporation Night vision goggles with detachable or reattachable modular components
US11256094B2 (en) 2008-03-13 2022-02-22 Everysight Ltd. Wearable optical display system for unobstructed viewing
US10488660B2 (en) 2008-03-13 2019-11-26 Everysight Ltd. Wearable optical display system for unobstructed viewing
US7791809B2 (en) * 2008-03-13 2010-09-07 Day And Night Display Systems, Inc. Visor heads-up display
US11513349B2 (en) 2008-03-13 2022-11-29 Everysight Ltd. Optical see-through (OST) near-eye display (NED) system integrating ophthalmic correction
EP2106252A4 (en) * 2008-05-16 2010-12-08 Day & Night Display Systems Ll NIGHTLIGHT VIEW GLASSES
CA2684811C (en) * 2009-11-06 2017-05-23 Bubble Technology Industries Inc. Microstructure photomultiplier assembly
US8410442B2 (en) * 2010-10-05 2013-04-02 Nathaniel S. Hankel Detector tube stack with integrated electron scrub system and method of manufacturing the same
GB201116778D0 (en) * 2011-09-29 2011-11-09 Secr Defence Bright source protection for image intensification devices
JP2016521480A (ja) 2013-03-22 2016-07-21 セイコーエプソン株式会社 赤外線ビデオ表示アイウェア

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142101A (en) * 1977-07-20 1979-02-27 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Low intensity X-ray and gamma-ray imaging device
JPH02291658A (ja) * 1989-03-02 1990-12-03 Galileo Electro Opt Corp イオン・フィードバックの減少を伴う電子増倍管
JPH06267466A (ja) * 1992-01-31 1994-09-22 Thomson Tubes Electron イメージ増倍管
US5493169A (en) * 1994-07-28 1996-02-20 Litton Systems, Inc. Microchannel plates having both improved gain and signal-to-noise ratio and methods of their manufacture
US5883380A (en) * 1997-06-04 1999-03-16 Sinor; Timothy W. Night vision device, improved image intensifier tube for such a device having reduced particulate contamination and method of making

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142101A (en) * 1977-07-20 1979-02-27 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Low intensity X-ray and gamma-ray imaging device
US4142101B1 (en) * 1977-07-20 1991-02-19 Low intensity x-ray and gamma-ray imaging device
JPH02291658A (ja) * 1989-03-02 1990-12-03 Galileo Electro Opt Corp イオン・フィードバックの減少を伴う電子増倍管
JPH06267466A (ja) * 1992-01-31 1994-09-22 Thomson Tubes Electron イメージ増倍管
US5493169A (en) * 1994-07-28 1996-02-20 Litton Systems, Inc. Microchannel plates having both improved gain and signal-to-noise ratio and methods of their manufacture
US5883380A (en) * 1997-06-04 1999-03-16 Sinor; Timothy W. Night vision device, improved image intensifier tube for such a device having reduced particulate contamination and method of making

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