JP2003346316A - Information-recording medium, manufacturing method of glass substrate for the information recording medium and the glass substrate for information recording medium manufactured by the method - Google Patents

Information-recording medium, manufacturing method of glass substrate for the information recording medium and the glass substrate for information recording medium manufactured by the method

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JP2003346316A
JP2003346316A JP2003074352A JP2003074352A JP2003346316A JP 2003346316 A JP2003346316 A JP 2003346316A JP 2003074352 A JP2003074352 A JP 2003074352A JP 2003074352 A JP2003074352 A JP 2003074352A JP 2003346316 A JP2003346316 A JP 2003346316A
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JP
Japan
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information recording
recording medium
glass substrate
less
polishing
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Application number
JP2003074352A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuishi Mitani
一石 三谷
Hiroshi Komura
浩史 小村
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an information recording medium which decreases the take-off height (TOH) in an HDD, for example, and to provide the manufacturing method of a glass substrate for the information recording medium and the glass substrate for the information recording medium manufactured by the method. <P>SOLUTION: The surface shape of the information recording medium is measured in a prescribed area with an optical interferometer or an AFM, to conduct line analysis in the direction along the circumference, the product of a PSD, corresponding to a prescribed wavelength ν and frequency f being the reciprocal of the prescribed wavelength ν, that is, PSD×f, is computed, and the maximum value of PSD×f is at most a prescribed value. Using this, waviness components which can be an obstacle to a flying head are eliminated, and TOH is set to 4.5 nm or smaller. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体並び
に該情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および該方法
によって製造された情報記録媒体用ガラス基板に関し、
特に、パワースペクトルによって表面形状が評価された
情報記録媒体並びに該情報記録媒体用ガラス基板の製造
方法および該方法によって製造された情報記録媒体用ガ
ラス基板に関する。
The present invention relates to an information recording medium, a method for producing a glass substrate for the information recording medium, and a glass substrate for an information recording medium produced by the method.
In particular, the present invention relates to an information recording medium whose surface shape is evaluated by a power spectrum, a method for manufacturing a glass substrate for the information recording medium, and a glass substrate for an information recording medium manufactured by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報のデジタル化は目覚ましく進
展しており、デジタル化された情報を情報記録媒体に記
録するための情報記録装置が各種開発製造されている。
これら情報記録媒体の改良進歩はまさに日進月歩であ
り、これら情報記録媒体の記録容量、並びに情報記録装
置の記録速度、および再生速度が年率十数%で向上して
いる。このような状況において、現在最も広く使用され
ている情報記録装置は、ハードディスクドライブ(Hard
Disk Drive:以下、「HDD」と省略することがあ
る)であり、このHDDの改良進歩速度は、他の情報記
録装置のそれ以上である。
2. Description of the Related Art In recent years, digitization of information has been remarkably progressing, and various information recording apparatuses for recording digitized information on information recording media have been developed and manufactured.
These information recording media are being improved at an ever-increasing pace, and the recording capacities of these information recording media and the recording speed and reproduction speed of the information recording device are increasing at an annual rate of about ten percent. In such a situation, the most widely used information recording device at present is a hard disk drive (Hard Disk Drive).
Disk Drive: hereinafter may be abbreviated as “HDD”), and the improvement progress speed of this HDD is higher than that of other information recording devices.

【0003】ハードディスク用媒体(以下、「ディス
ク」ということがある)は、ディスク用基板上に情報記
録層が形成され、この情報記録層にデジタル化された情
報が記録される(書き込まれる)。
[0003] A hard disk medium (hereinafter, sometimes referred to as a "disk") has an information recording layer formed on a disk substrate, and digitized information is recorded (written) on the information recording layer.

【0004】HDDにおける磁気ヘッドのロード・アン
ロード方式には、CSS(contactstart stop:コンタ
クト・スタート・ストップ)方式とランプロード方式と
がある。CSS方式は、ディスクが回転中であるとき
は、磁気ヘッドがディスクの情報記録領域上を滑空し、
ディスクが回転を開始または回転を停止するときは、デ
ィスクのCSSゾーン上を滑走する方式である。なおC
SS方式では、ディスクの停止中に磁気ヘッドとディス
クは接触している。
[0004] There are a CSS (contact start stop) method and a ramp load method as the load / unload method of the magnetic head in the HDD. In the CSS method, when the disk is rotating, the magnetic head glides over the information recording area of the disk,
When the disk starts or stops rotating, it slides on the CSS zone of the disk. Note that C
In the SS system, the magnetic head and the disk are in contact while the disk is stopped.

【0005】ここで、ディスクのCSSゾーンとは、デ
ィスクの主に内周または外周に沿って、高さ数十nmオ
ーダーの均一な凹凸が意図的に設けられた領域をいう。
[0005] Here, the CSS zone of the disk refers to an area in which uniform unevenness having a height of several tens nm is intentionally provided mainly along the inner or outer circumference of the disk.

【0006】また、ランプロード方式は、ディスクが回
転中であるときは、磁気ヘッドがディスク上を滑空し、
ディスクが回転を停止するときは、磁気ヘッドが格納位
置に収納される方式である。なおランプロード方式で
は、ディスクの停止中においても、磁気ヘッドとディス
クは接触することはない。
In the ramp load method, when the disk is rotating, the magnetic head glide on the disk,
When the disk stops rotating, the magnetic head is stored in the storage position. In the ramp load method, the magnetic head does not come into contact with the disk even when the disk is stopped.

【0007】以下、この磁気ヘッドの最低浮上高さをテ
イク・オフ・ハイト(以下、「TOH」と省略すること
がある)という。このTOHを低くすると、滑空高さも
低くすることができる。なお、テイク・オフ・ハイト
は、タッチダウン・ハイトと呼ばれることがある。
Hereinafter, the minimum flying height of the magnetic head is referred to as take-off height (hereinafter sometimes abbreviated as “TOH”). When the TOH is reduced, the glide height can be reduced. Note that the take-off height may be called a touch-down height.

【0008】CSS方式またはランプロード方式におい
ては、ハードディスクが回転中であるときは、磁気ヘッ
ドがTOHをもってその情報記録領域上を滑空するの
で、記録情報高密度化を体現するためには、TOHを小
さくすることが求められる。
In the CSS method or the ramp load method, when the hard disk is rotating, the magnetic head glides over the information recording area with the TOH. It is required to be smaller.

【0009】磁気ヘッドによりディスクに情報の記録再
生を行う場合において、ハードディスクの表面に大きい
凹凸が形成されているときは、ハードディスクの回転中
に磁気ヘッドがハードディスクの表面の大きい凸部に接
触または衝突し、飛行中のヘッド揺らぎが大きくなるの
で、ヘッドクラッシュが発生し易い。
When recording and reproducing information on a disk using a magnetic head, when large irregularities are formed on the surface of the hard disk, the magnetic head contacts or collides with a large convex portion on the surface of the hard disk during rotation of the hard disk. However, head fluctuation during flight becomes large, so that a head crash is likely to occur.

【0010】また、ヘッドクラッシュの発生に至らない
までも、上記接触または衝突により磁気ヘッドに熱が発
生し、発生した熱により磁気ヘッドが異常な信号を検知
する、いわゆるサーマルアスペリティー(thermal asper
ity)が発生し易い。
Further, even if a head crash does not occur, the contact or collision generates heat in the magnetic head, and the generated heat causes the magnetic head to detect an abnormal signal, that is, a so-called thermal asperity.
ity) easily occurs.

【0011】特に、最近の磁気ヘッドでは、高精度に読
込みを行うMR(磁気抵抗型)ヘッド、またはGMR
(巨大磁気抵抗型)ヘッドが主流となっており、高精度
に読込みを行うがゆえに、サーマルアスペリティーの発
生し難いものが求められている。
Particularly, in recent magnetic heads, an MR (magnetoresistive) head or a GMR which reads data with high precision
(Giant magnetoresistive) heads are the mainstream, and since reading is performed with high precision, a head that does not easily generate thermal asperity is required.

【0012】従来、ハードディスク用基板としては、ア
ルミニウム基板が主流であったが、現在ではガラス基板
に置き替わりつつある。ハードディスク用基板をガラス
基板とすると、高精度な研磨加工を施すことができるの
で、ヘッドの滑空高さを低くすることができる。その結
果、磁気ヘッドとの間隔をより狭くでき、高精度に読込
みを行う磁気ヘッドに応えることができる。このよう
に、情報記録媒体用基板には、高い表面平坦性や表面平
滑性が求められ、さらには高い剛性も求められている。
Conventionally, an aluminum substrate has been mainly used as a substrate for a hard disk, but is now being replaced by a glass substrate. When the hard disk substrate is a glass substrate, highly accurate polishing can be performed, so that the gliding height of the head can be reduced. As a result, the distance between the magnetic head and the magnetic head can be narrowed, and the magnetic head can be read with high accuracy. As described above, the information recording medium substrate is required to have high surface flatness and surface smoothness, and is also required to have high rigidity.

【0013】このようなガラス基板を用いた情報記録媒
体は、以下に述べるような製造工程を順に実行すること
により製造される。
An information recording medium using such a glass substrate is manufactured by sequentially performing the following manufacturing steps.

【0014】図10は、従来の情報記録媒体用ガラス基
板を用いた記録媒体の製造方法を示す工程図である。
FIG. 10 is a process chart showing a conventional method for manufacturing a recording medium using a glass substrate for an information recording medium.

【0015】図10において、ステップS21では、ア
ルミノシリケートガラスからなる母材ガラスからシート
状のガラスを生産し、シート状のガラスからドーナッツ
状のワークを抜き出す(ワーク抜出工程)。
In FIG. 10, in step S21, a sheet-like glass is produced from a base glass made of aluminosilicate glass, and a donut-like work is extracted from the sheet-like glass (work extracting step).

【0016】次に、抜き出されたワークの外周端面およ
び内周端面に所定の面取り加工を施し、回転ナイロンブ
ラシやアルミナ砥粒研磨剤を用いて研磨し(端面研磨工
程,ステップS22)、そして、内外周端面が研磨され
たワークの情報記録面を、酸化セリウムスラリーを用い
ながら硬質布からなるポリシャーを用いて研磨加工を施
す(記録面研磨工程,ステップS23)。
Next, a predetermined chamfering process is performed on the outer peripheral end surface and the inner peripheral end surface of the extracted work, and the work is polished using a rotating nylon brush or an alumina abrasive polishing agent (end surface polishing step, step S22), and Then, the information recording surface of the work whose inner and outer peripheral end surfaces have been polished is polished using a polisher made of a hard cloth while using a cerium oxide slurry (recording surface polishing step, step S23).

【0017】情報記録面が研磨されたワークに、化学強
化処理を施し、洗浄処理を施して(化学強化処理工
程)、情報記録媒体用ガラス基板とする(ステップS2
4)。また、製造されたガラス基板について、必要に応
じて表面平坦性等について検査する。
The work whose information recording surface has been polished is subjected to a chemical strengthening treatment and a cleaning treatment (chemical strengthening treatment step) to obtain a glass substrate for an information recording medium (step S2).
4). In addition, the manufactured glass substrate is inspected for surface flatness and the like as necessary.

【0018】このガラス基板に磁性膜や光記録膜を成膜
して、情報記録媒体とし(成膜工程,ステップS2
5)、所定の検査を行って(検査工程,ステップS2
6)、情報記録媒体の製造を終了する。
A magnetic film or an optical recording film is formed on this glass substrate to form an information recording medium (film forming step, step S2).
5) Perform a predetermined inspection (inspection process, step S2)
6) End the production of the information recording medium.

【0019】なお、ガラス基板や情報記録媒体におけ
る、表面平坦性を評価するために、例えば平均粗さR
a、自乗平均粗度RMS、カットオフをかけて特定波長
範囲のみにつき測定したウネリ、または微小ウネリの平
均粗さ等の値を測定するとよい。
In order to evaluate the surface flatness of a glass substrate or an information recording medium, for example, an average roughness R
a, the root mean square roughness RMS, and values such as the average roughness of undulations or micro undulations measured only in a specific wavelength range by applying a cutoff may be measured.

【0020】ここで、平均粗さRaは、中心線平均粗さ
として、JIS規格(JIS B 0601)で定められており、中
心線から測定曲線までの偏差の絶対値の平均である。自
乗平均粗度RMSは、自乗平均平方根粗さ(RMS)と
して、JIS規格(JIS B 0601)で定められており、中
心線から粗さ曲線(測定曲線)までの偏差の自乗を評価
長さの区間で積分し、その区間で平均した値の平方根で
ある。
Here, the average roughness Ra is defined by the JIS standard (JIS B 0601) as the center line average roughness, and is the average of the absolute values of the deviation from the center line to the measurement curve. The root-mean-square roughness RMS is defined as the root-mean-square roughness (RMS) in the JIS standard (JIS B 0601), and the square of the deviation from the center line to the roughness curve (measurement curve) is used as the evaluation length. The square root of the value integrated over an interval and averaged over that interval.

【0021】また、上記ステップS23のポリシャーを
用いる研磨加工に代えて、スウェード(人工皮革)を用
いて、情報記録媒体用ガラス基板の表面層を削り取るこ
とにより研磨加工を施す方法が提案されている(例え
ば、特開2000−53450号公報)(第1の従来技
術)。この第1の従来技術によれば、高い表面平滑性を
有する情報記録媒体用ガラス基板を用いた情報記録媒体
を製造することができる、とされる。
In addition, instead of the polishing using the polisher in step S23, a method has been proposed in which a surface layer of a glass substrate for an information recording medium is polished by using a suede (artificial leather). (For example, JP-A-2000-53450) (first conventional technique). According to the first prior art, it is stated that an information recording medium using a glass substrate for an information recording medium having high surface smoothness can be manufactured.

【0022】さらに、上記ステップS24の後の検査工
程およびS26の検査工程において、ウネリ、微小ウネ
リ等を波長で評価する方法に代えて、それらよりもより
波長の長いウネリ成分を評価する方法として、所定の領
域50〜4000μm2における波長2〜4000μm
の微小ウネリの平均高さ、または波長300〜5000
μmのウネリの平均高さを指標として用いて評価する方
法が提案されている(例えば、特開2000−3483
30号公報、特開2000−348331号公報、およ
び特開2000−348332号公報等)(第2の従来
技術)。
Further, in the inspection step after the step S24 and the inspection step in S26, instead of the method of evaluating the undulation, the minute undulation, etc. by the wavelength, the method of evaluating the undulation component having a longer wavelength than them is as follows. Wavelength 2 to 4000 μm in predetermined area 50 to 4000 μm 2
Average height of micro swelling, or wavelength 300-5000
A method has been proposed in which evaluation is performed using the average height of the swelling of μm as an index (for example, JP-A-2000-3483).
30, JP-A-2000-348331, JP-A-2000-348332, etc.) (second conventional technique).

【0023】また、特開2000−31224号公報に
は、微小ウネリを評価するために波長νまたは周波数f
に対するパワースペクトル密度(Power Spectral Densi
ty:以下、「PSD」という)関数を用いて表面平坦性
を評価することが提案されている(第3の従来技術)。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-31224 discloses that a wavelength ν or a frequency f
Power Spectral Density
(ty: hereinafter, referred to as “PSD”) has been proposed to evaluate surface flatness (third conventional technique).

【0024】ところで、HDD用のディスク表面の平坦
性において、磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリに
は、以下のようなものがある。すなわち、波長が数mm
〜20mm程度の凹凸形状であるウネリ、波長が2〜4
000μm程度の凹凸形状である微小ウネリ、波長が1
00μm以下の凹凸形状であるマイクロラフネスと呼ば
れるもの等である(以下、本明細書ではこれらを単に
「ウネリ成分」という)。ただし、これらの波長領域に
ついては、明確な定義や規格が定められていない。
By the way, in the flatness of the disk surface for the HDD, there are the following types of swelling that hinder the flight of the magnetic head. That is, the wavelength is several mm
Undulation with irregularities of about 20 mm, wavelength of 2-4
Micro undulations with irregularities of about 000 μm, wavelength 1
Micro-roughness having an irregular shape of 00 μm or less (hereinafter, these are simply referred to as “unelli components” in the present specification). However, clear definitions and standards have not been established for these wavelength regions.

【0025】[0025]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第1の
従来技術のように、情報記録媒体用ガラス基板におい
て、その表面平坦性を評価する際に測定される、例えば
平均粗さRa、自乗平均粗度RMS、カットオフをかけ
たウネリまたは微小ウネリの平均粗さ等の値を小さくす
るだけでは、基板表面を十分に平坦にすることができな
い。その理由は、研磨加工等を施した情報記録媒体用ガ
ラス基板の表面には、様々な周期を持ったウネリ成分が
重なり合っているからである。その結果、HDDでは磁
気ヘッドの滑空高さを低くすることに限界がある。
However, as in the first prior art, in the glass substrate for an information recording medium, when the surface flatness is evaluated, for example, the average roughness Ra and the root mean square roughness are measured. The substrate surface cannot be sufficiently flattened only by reducing the values such as the degree of RMS and the average roughness of cut-off undulations or minute undulations. The reason is that undulation components having various periods overlap on the surface of the glass substrate for an information recording medium that has been subjected to polishing or the like. As a result, there is a limit to reducing the gliding height of the magnetic head in the HDD.

【0026】この重なり合っているウネリ成分では、例
えば平均粗さRa、自乗平均粗度RMS、カットオフを
かけたウネリまたは微小ウネリの平均粗さ等の平均化さ
れた粗さを測定して、表面平坦性を評価するだけでは、
表面平坦性を十分に表現することができない。
For the overlapping undulation components, the average roughness such as the average roughness Ra, the root-mean-square roughness RMS, and the average roughness of the cut-off undulation or the fine undulation is measured, and the surface roughness is measured. Just by evaluating flatness,
The surface flatness cannot be sufficiently expressed.

【0027】また、上記第2の従来技術では、ウネリ成
分の平均高さを表面平坦性の評価として用いているが、
これらもあくまで平均化された値であるので特定波長の
ウネリ成分の寄与を十分に記述することができない。
In the second prior art, the average height of the undulation component is used as the evaluation of the surface flatness.
Since these are also averaged values to the last, the contribution of the undulation component of a specific wavelength cannot be sufficiently described.

【0028】さらに、2次元方向において平均化するの
で、例えばHDDの磁気ヘッド飛行方向(情報記録媒体
の円周方向)の寄与と、磁気ヘッド飛行に対して垂直方
向(情報記録媒体の半径方向)の寄与とを分離すること
ができない。
Furthermore, since the averaging is performed in the two-dimensional direction, for example, the contribution of the magnetic head flight direction of the HDD (circumferential direction of the information recording medium) and the direction perpendicular to the magnetic head flight (radial direction of the information recording medium) Cannot be separated from the contribution of

【0029】このことは、特に円周状テクスチャーが形
成されたディスクにおける磁気ヘッドの飛行特性の評価
において重要である。すなわち円周状テクスチャーが形
成された表面では、ウネリ成分が磁気ヘッド飛行方向
(円周方向)とその垂直方向(半径方向)とで異なるの
で、2次元方向において平均化されたウネリでは、磁気
ヘッドの飛行に障害となるウネリを十分に記述できな
い。
This is particularly important in evaluating the flight characteristics of the magnetic head on a disk on which a circumferential texture is formed. That is, on the surface on which the circumferential texture is formed, the undulation component differs in the magnetic head flight direction (circumferential direction) and the vertical direction (radial direction). Unable to sufficiently describe the swelling that hinders the flight.

【0030】また、第3の従来技術では、一般にPSD
関数のままで比較すると、PSD関数は、そのベースラ
インとして1/f(場合によっては1/f2)の傾きを
持つ(図11)ため、ある特定波長における強度(パワ
ー)を比較するのはできる。しかし、ある特定波長近傍
の波長領域で強度(パワー)を定量的に比較するのは困
難であり、TOHを容易に評価することができない。
In the third prior art, a PSD is generally used.
Comparing the functions as they are, the PSD function has a slope of 1 / f (or 1 / f 2 in some cases) as its baseline (FIG. 11). it can. However, it is difficult to quantitatively compare the intensity (power) in a wavelength region near a specific wavelength, and TOH cannot be easily evaluated.

【0031】本発明の目的は、例えばHDDにおける磁
気ヘッドの飛行の障害となるウネリを低減し、TOHを
低くすることができる情報記録媒体、およびそれに用い
る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide an information recording medium capable of reducing undulation and TOH which hinders flight of a magnetic head in an HDD, for example, and a method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium used in the information recording medium. Is to do.

【0032】[0032]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の第1形態である請求項1記載の情報記録
媒体は、基板上に記録層が形成された情報記録媒体にお
いて、少なくとも1つの記録層が基板上に形成された情
報記録媒体であって、前記記録層の表面形状が前記表面
の所定領域において、所定波長で測定され、前記所定波
長に対応するパワースペクトル密度と前記所定波長の逆
数の積の最大値が所定の値以下であることを特徴とす
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an information recording medium having a recording layer formed on a substrate. An information recording medium having at least one recording layer formed on a substrate, wherein a surface shape of the recording layer is measured at a predetermined wavelength in a predetermined region of the surface, and a power spectrum density corresponding to the predetermined wavelength and The maximum value of the product of the reciprocal of the predetermined wavelength is not more than a predetermined value.

【0033】請求項1記載の情報記録媒体によれば、所
定の波長に対応するパワースペクトル密度と当該所定の
波長の逆数との積の最大値が所定の値以下であるので、
磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分が低減されて
おり、もってTOHが低い情報記録媒体を提供すること
ができる。
According to the information recording medium of the present invention, the maximum value of the product of the power spectral density corresponding to the predetermined wavelength and the reciprocal of the predetermined wavelength is equal to or less than the predetermined value.
An undulation component that hinders the flight of the magnetic head is reduced, so that an information recording medium with a low TOH can be provided.

【0034】請求項2記載の情報記録媒体は、請求項1
記載の情報記録媒体において、前記測定は光干渉計を用
いて行われ、前記所定領域の面積が0.1mm平方〜5
mm平方であるときに、前記所定の値が1600cm2
以下であることを特徴とする。
The information recording medium according to the second aspect is the first aspect.
In the information recording medium described above, the measurement is performed using an optical interferometer, and the area of the predetermined region is 0.1 mm square to 5 mm.
mm square, the predetermined value is 1600 cm 2
It is characterized by the following.

【0035】請求項2記載の情報記録媒体によれば、所
定の値が1600cm2以下であるので、TOHを4.
5nm以下とすることができる。
According to the information recording medium of the second aspect, since the predetermined value is 1600 cm 2 or less, the TOH is set to 4.
It can be 5 nm or less.

【0036】請求項3記載の情報記録媒体は、請求項2
記載の情報記録媒体において、前記所定の値は1300
cm2以下であることを特徴とする。
The information recording medium according to the third aspect is the second aspect.
In the information recording medium, the predetermined value is 1300
cm 2 or less.

【0037】請求項3記載の情報記録媒体によれば、所
定の値が1300cm2以下であるので、TOHを4.
0nm以下とすることができる。
According to the information recording medium of the third aspect, since the predetermined value is 1300 cm 2 or less, the TOH is set to 4.
It can be 0 nm or less.

【0038】請求項4記載の情報記録媒体は、請求項1
記載の情報記録媒体において、前記所定領域の面積が1
0μm平方〜200μm平方であるときに、前記所定の
値が1100cm2以下であることを特徴とする。
The information recording medium according to the fourth aspect is the first aspect.
In the information recording medium described above, the area of the predetermined area is 1
When the square is from 0 μm square to 200 μm square, the predetermined value is 1100 cm 2 or less.

【0039】請求項4記載の情報記録媒体によれば、所
定の値が1100cm2以下であるので、TOHを4.
5nm以下とすることができる。
According to the information recording medium of the fourth aspect, since the predetermined value is 1100 cm 2 or less, the TOH is set to 4.
It can be 5 nm or less.

【0040】請求項5記載の情報記録媒体は、請求項4
記載の情報記録媒体において、前記所定の値は900c
2以下であることを特徴とする。
The information recording medium according to the fifth aspect is the fourth aspect of the present invention.
In the information recording medium described above, the predetermined value is 900c
m 2 or less.

【0041】請求項5記載の情報記録媒体によれば、所
定の値が900cm2以下であるので、TOHを4.0
nm以下とすることができる。
According to the information recording medium of the fifth aspect, since the predetermined value is 900 cm 2 or less, TOH is set to 4.0.
nm or less.

【0042】請求項6記載の情報記録媒体は、請求項1
記載の情報記録媒体において、前記測定は原子間力顕微
鏡の探針で走査することによって行われ、前記所定領域
の面積が1μm平方〜50μm平方であるときに、前記
所定の値が100nm2以下であることを特徴とする。
The information recording medium according to the sixth aspect is the first aspect.
In the information recording medium described above, the measurement is performed by scanning with a probe of an atomic force microscope, and when the area of the predetermined region is 1 μm square to 50 μm square, the predetermined value is 100 nm 2 or less. There is a feature.

【0043】請求項6記載の情報記録媒体によれば、所
定の値が100nm2以下であるので、TOHを4.5
nm以下とすることができる。
According to the information recording medium of the sixth aspect, since the predetermined value is 100 nm 2 or less, TOH is set to 4.5.
nm or less.

【0044】請求項7記載の情報記録媒体は、請求項6
記載の情報記録媒体において、前記所定の値は80nm
2であることを特徴とする。
[0044] The information recording medium according to claim 7 provides the information recording medium according to claim 6.
In the information recording medium described above, the predetermined value is 80 nm
It is characterized by being 2 .

【0045】請求項7記載の情報記録媒体によれば、所
定の値が80nm2以下であるので、TOHを4.0n
m以下とすることができる。
According to the information recording medium of the present invention, since the predetermined value is 80 nm 2 or less, TOH is reduced to 4.0 n.
m or less.

【0046】請求項8記載の情報記録媒体は、請求項1
から7のいずれか1項に記載の情報記録媒体において、
前記記録層または前記基板の主表面には、円周状テクス
チャーが形成されていることを特徴とする。
The information recording medium according to the eighth aspect is the first aspect.
8. The information recording medium according to any one of items 1 to 7,
A circumferential texture is formed on a main surface of the recording layer or the substrate.

【0047】請求項8記載の情報記録媒体によれば、円
周状テクスチャーによって、情報記録媒体の円周方向と
半径方向において、記録層が磁気異方性を持つため、情
報記録密度を向上させることができる。
According to the information recording medium of the present invention, since the recording layer has magnetic anisotropy in the circumferential direction and the radial direction of the information recording medium due to the circumferential texture, the information recording density is improved. be able to.

【0048】本発明の第2形態である請求項9記載の情
報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、基板上に記録層
が形成された情報記録媒体用ガラス基板の製造方法にお
いて、前記ガラス基板の表面を、100%モデュラスが
7840〜24500kPa(80〜250kg/cm
2)である樹脂を加工した研磨部材によって研磨する工
程を含むことを特徴とする。
The method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to claim 9, which is a second embodiment of the present invention, is a method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium having a recording layer formed on a substrate. The surface of 100% modulus is 7840-24500 kPa (80-250 kg / cm
2 ) The method includes a step of polishing a resin by a polishing member that has been processed.

【0049】ただし、100%モデュラスとは、断面積
1cm2の試料片を2倍の長さに伸ばすのに要する力を
いう。
However, 100% modulus refers to the force required to stretch a sample having a cross-sectional area of 1 cm 2 to twice its length.

【0050】請求項9記載の情報記録媒体用ガラス基板
の製造方法によれば、ウネリ成分を除去することがで
き、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティーが発生
するのを防止することができ、TOHを低くすることが
できる。
According to the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the ninth aspect, it is possible to remove undulation components, prevent head crash and thermal asperity, and reduce TOH. can do.

【0051】請求項10記載の情報記録媒体の製造方法
は、請求項9記載の情報記録媒体用ガラス基板製造方法
方法において、前記研磨部材を0.0333/秒〜0.
25/秒(2rpm〜15rpm)で回転させることを
特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the ninth aspect, wherein the polishing member is set at 0.0333 / sec.
It is characterized by rotating at a rate of 25 / sec (2 rpm to 15 rpm).

【0052】請求項10記載の情報記録媒体の製造方法
によれば、ガラス基板の表面にウネリ成分やファインス
クラッチが発生するのを低減することができる。
According to the method for manufacturing an information recording medium according to the tenth aspect, it is possible to reduce generation of undulation components and fine scratches on the surface of the glass substrate.

【0053】請求項11記載の情報記録媒体の製造方法
は、請求項9記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方
法において、前記研磨工程では、最大粒径が1〜3μm
である研磨剤を含有するスラリーを用いることを特徴と
する。
According to a method of manufacturing an information recording medium according to an eleventh aspect, in the method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the ninth aspect, the polishing step has a maximum particle size of 1 to 3 μm.
Characterized in that a slurry containing an abrasive is used.

【0054】請求項11記載の情報記録媒体の製造方法
によれば、ガラス基板表面のウネリ成分を除去すると共
に、ファインスクラッチが発生するのを低減することが
できる。
According to the method of manufacturing an information recording medium according to the eleventh aspect, it is possible to remove undulation components on the surface of the glass substrate and to reduce the occurrence of fine scratches.

【0055】請求項12記載の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法は、請求項9記載の情報記録媒体用ガラス
基板の製造方法において、前記研磨工程では、最大粒径
が1〜3μmのものがスラリー固形分の質量の10%以
下である研磨剤を含有するスラリーを用いることを特徴
とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the ninth aspect, in the polishing step, the one having a maximum particle size of 1 to 3 μm is used. It is characterized in that a slurry containing an abrasive that is 10% or less of the mass of the slurry solid content is used.

【0056】請求項12記載の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法によれば、ガラス基板表面のウネリ成分を
除去すると共に、ファインスクラッチが発生するのを低
減することができる。
According to the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the twelfth aspect, it is possible to remove undulation components on the surface of the glass substrate and to reduce the occurrence of fine scratches.

【0057】請求項13記載の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法は、請求項9記載の情報記録媒体用ガラス
基板の製造方法において、前記研磨工程では、粒径が
0.01〜1μmのシリカを含有するスラリーを用いる
ことを特徴とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium, wherein the polishing step comprises the step of polishing the silica having a particle size of 0.01 to 1 μm. Characterized by using a slurry containing

【0058】請求項13記載の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法によれば、ガラス基板表面のウネリ成分を
除去すると共に、ファインスクラッチが発生するのを低
減することができる。さらに、ガラス基板に研磨剤が与
える衝撃を低減することができる。
According to the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the thirteenth aspect, it is possible to remove undulation components on the surface of the glass substrate and to reduce the occurrence of fine scratches. Further, the impact of the abrasive on the glass substrate can be reduced.

【0059】請求項14記載の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法は、請求項9記載の情報記録媒体用ガラス
基板の製造方法において、前記研磨部材は、100%モ
デュラスが9800〜19600kPa(100〜20
0kg/cm2)の樹脂を加工したことを特徴とする。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the ninth aspect, the polishing member has a 100% modulus of 9800 to 19600 kPa (100 to 100 kPa). 20
0 kg / cm 2 ) resin is processed.

【0060】請求項14記載の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法によれば、ウネリ成分を除去することがで
き、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティーが発生
するのを防止することができ、TOHを低くすることが
できる。
According to the method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the present invention, undulation components can be removed, head crash and thermal asperity can be prevented, and TOH can be reduced. can do.

【0061】本発明の第3形態である請求項15記載の
情報記録媒体用ガラス基板は、請求項9〜14記載の情
報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって製造された
情報記録媒体用ガラス基板であって、前記基板の表面形
状が前記表面の所定領域において、所定波長で測定さ
れ、前記所定波長に対応するパワースペクトル密度と前
記所定波長の逆数の積の最大値を所定の値以下としたこ
とを特徴とする。
A glass substrate for an information recording medium according to claim 15, which is a third embodiment of the present invention, is a glass substrate for an information recording medium manufactured by the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to claims 9 to 14. The surface shape of the substrate is measured at a predetermined wavelength in a predetermined region of the surface, and a maximum value of a product of a power spectral density corresponding to the predetermined wavelength and a reciprocal of the predetermined wavelength is set to a predetermined value or less. It is characterized by the following.

【0062】請求項15記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の波長に対応するパワースペクトル密
度と当該所定の波長の逆数の積の最大値が所定の値以下
であるので、これに記録層を形成した情報記録媒体で
は、磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分が低減さ
れており、もってTOHが低い情報記録媒体を提供する
ことができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the present invention, the maximum value of the product of the power spectral density corresponding to the predetermined wavelength and the reciprocal of the predetermined wavelength is equal to or less than the predetermined value. In the information recording medium on which the recording layer is formed, the undulation component that hinders the flight of the magnetic head is reduced, so that an information recording medium with a low TOH can be provided.

【0063】請求項16記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項15記載の情報記録媒体用ガラス基板にお
いて、前記測定は光干渉計を用いて行われ、前記所定領
域の面積が0.1mm平方〜5mm平方であるときに、
前記所定の値が1600cm 2以下であることを特徴と
する。
A glass substrate for an information recording medium according to claim 16
The plate may be a glass substrate for an information recording medium according to claim 15.
And the measurement is performed using an optical interferometer, and
When the area of the area is 0.1 mm square to 5 mm square,
The predetermined value is 1600 cm TwoIt is characterized by the following
I do.

【0064】請求項16記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の値が1600cm2以下であるの
で、これに記録層を形成した情報記録媒体では、TOH
を4.5nm以下とすることができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the present invention, the predetermined value is 1600 cm 2 or less.
Can be set to 4.5 nm or less.

【0065】請求項17記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項16記載の情報記録媒体用ガラス基板にお
いて、前記所定の値は1300cm2以下であることを
特徴とする。
A glass substrate for an information recording medium according to a seventeenth aspect is the glass substrate for an information recording medium according to the sixteenth aspect, wherein the predetermined value is 1300 cm 2 or less.

【0066】請求項17記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の値が1300cm2以下であるの
で、これに記録層を形成した情報記録媒体では、TOH
を4.0nm以下とすることができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the present invention, the predetermined value is 1300 cm 2 or less.
Can be set to 4.0 nm or less.

【0067】請求項18記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項15記載の情報記録媒体用ガラス基板にお
いて、前記所定領域の面積が10μm平方〜200μm
平方であるときに、前記所定の値が1100cm2以下
であることを特徴とする。
The glass substrate for an information recording medium according to the eighteenth aspect is the glass substrate for an information recording medium according to the fifteenth aspect, wherein the area of the predetermined region is 10 μm square to 200 μm.
When square, the predetermined value is 1100 cm 2 or less.

【0068】請求項18記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の値が1100cm2以下であるの
で、これに記録層を形成した情報記録媒体では、TOH
を4.5nm以下とすることができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the present invention, the predetermined value is 1100 cm 2 or less.
Can be set to 4.5 nm or less.

【0069】請求項19記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項18記載の情報記録媒体用ガラス基板にお
いて、前記所定の値は900cm2であることを特徴と
する。
A glass substrate for an information recording medium according to a nineteenth aspect is the glass substrate for an information recording medium according to the eighteenth aspect, wherein the predetermined value is 900 cm 2 .

【0070】請求項19記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の値が900cm 2以下であるので、
これに記録層を形成した情報記録媒体では、TOHを
4.0nm以下とすることができる。
A glass substrate for an information recording medium according to claim 19
According to the plate, the predetermined value is 900cm TwoSince
In an information recording medium on which a recording layer is formed, TOH is used.
It can be set to 4.0 nm or less.

【0071】請求項20記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項15記載の情報記録媒体用ガラス基板にお
いて、前記測定は原子間力顕微鏡の探針で走査すること
によって行われ、前記所定領域の面積が1μm平方〜5
0μm平方であるときに、前記所定の値が100nm2
以下であることを特徴とする。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the glass substrate for an information recording medium according to the fifteenth aspect, the measurement is performed by scanning with a probe of an atomic force microscope, and Area is 1 μm square to 5
When the square is 0 μm, the predetermined value is 100 nm 2
It is characterized by the following.

【0072】請求項20記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の値が100nm 2以下であるので、
これに記録層を形成した情報記録媒体では、TOHを
4.5nm以下とすることができる。
A glass substrate for an information recording medium according to claim 20.
According to the plate, the predetermined value is 100 nm TwoSince
In an information recording medium on which a recording layer is formed, TOH is used.
It can be 4.5 nm or less.

【0073】請求項21記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項20記載の情報記録媒体用ガラス基板にお
いて、前記所定の値は80nm2であることを特徴とす
る。
A glass substrate for an information recording medium according to a twenty-first aspect is the glass substrate for an information recording medium according to the twentieth aspect, wherein the predetermined value is 80 nm 2 .

【0074】請求項21記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、所定の値が80nm2以下であるので、こ
れに記録層を形成した情報記録媒体では、TOHを4.
0nm以下とすることができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the present invention, the predetermined value is 80 nm 2 or less.
It can be 0 nm or less.

【0075】請求項22記載の情報記録媒体用ガラス基
板は、請求項15から21のいずれか1項に記載の情報
記録媒体用ガラス基板において、前記基板の主表面に、
円周状テクスチャーが形成されていることを特徴とす
る。
The glass substrate for an information recording medium according to claim 22 is the glass substrate for an information recording medium according to any one of claims 15 to 21, wherein:
It is characterized in that a circumferential texture is formed.

【0076】請求項22記載の情報記録媒体用ガラス基
板によれば、これに記録層を形成した情報記録媒体で
は、円周状テクスチャーによって、情報記録媒体の円周
方向と半径方向において、記録層が磁気異方性を持つた
め、情報記録密度を向上させることができる。
According to the glass substrate for an information recording medium of the present invention, in the information recording medium having the recording layer formed thereon, the recording layer is formed in the circumferential direction and the radial direction of the information recording medium by the circumferential texture. Has magnetic anisotropy, so that the information recording density can be improved.

【0077】[0077]

【発明の実施の形態】本発明者は、上記目的を達成すべ
く鋭意研究を行った結果、基板上に記録層が形成された
情報記録媒体において、前記記録層の表面形状が前記表
面の所定領域において、所定波長で測定され、前記所定
波長に対応するパワースペクトル密度と前記所定波長の
逆数の積の最大値を所定の値以下とすると、例えばHD
Dの磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分の有無の
評価が容易になされ、もってTOHの低い情報記録媒体
を提供できることを見出した。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has found that, in an information recording medium having a recording layer formed on a substrate, the surface shape of the recording layer is a predetermined shape of the surface. In a region, measured at a predetermined wavelength, and the maximum value of the product of the power spectrum density corresponding to the predetermined wavelength and the reciprocal of the predetermined wavelength is set to a predetermined value or less, for example, HD
The present inventor has found that it is easy to evaluate the presence or absence of a swelling component that hinders the flight of the magnetic head D, and that an information recording medium with a low TOH can be provided.

【0078】また本発明者は、基板上に記録層が形成さ
れた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前
記ガラス基板の表面を、100%モデュラスが7840
〜24500kPa(80〜250kg/cm2)であ
る樹脂を加工した研磨部材によって研磨すると、例えば
HDDの磁気ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分の低
減することができる。その結果、ヘッドクラッシュやサ
ーマルアスペリティーの発生を防止でき、TOHを低く
することができることを見出した。
The present inventor further provides a method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium having a recording layer formed on a substrate, wherein the surface of the glass substrate has a 100% modulus of 7840.
Polishing with a polishing member processed from a resin having a pressure of 2424500 kPa (80 to 250 kg / cm 2 ) can reduce, for example, undulation components which hinder the flight of the magnetic head of the HDD. As a result, it has been found that head crash and thermal asperity can be prevented and TOH can be reduced.

【0079】本発明は、上記研究の結果に基づいてなさ
れたものである。
The present invention has been made based on the results of the above research.

【0080】以下、本発明の実施の形態に係る情報記録
媒体の製造方法を、図面を参照しながら説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing an information recording medium according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0081】図1は、本発明の実施の形態に係る情報記
録媒体の製造方法の工程図である。なお、本発明は、係
る実施の形態に限定されるものではない。
FIG. 1 is a process chart of a method for manufacturing an information recording medium according to an embodiment of the present invention. Note that the present invention is not limited to such an embodiment.

【0082】母材ガラス選択工程(ステップS1) まず、情報記録媒体用のガラス基板用母材ガラスとして
は、例えば、SiO2,Na2O,およびCaOを主な成
分としたソーダライムガラス、SiO2,A1 23,N
2O,およびLi2Oを主な成分としたアルミノシリケ
ートガラス、ボロシリケートガラス、Li2O−SiO2
系ガラス、Li2O−A123−SiO2系ガラス、また
はRO−A123−SiO2系ガラス(R=Mg,C
a,Sr,Ba,Zn,Ni,Mnなど)等であって、
かつさらに他の成分としてZrO2,TiO2,およびS
iO2等を含んだ化学強化処理用ガラス、または化学強
化処理を施していない結晶化ガラス等が選択される。
[0082]Base glass selection process (Step S1) First, as a base glass for glass substrates for information recording media,
Is, for example, SiOTwo, NaTwoO and CaO are the main components
Soda lime glass, SiOTwo, A1 TwoOThree, N
aTwoO, and LiTwoAlumino silique containing O as main component
Glass, borosilicate glass, LiTwoO-SiOTwo
Glass, LiTwoO-A1TwoOThree-SiOTwoGlass,
Is RO-A1TwoOThree-SiOTwoGlass (R = Mg, C
a, Sr, Ba, Zn, Ni, Mn, etc.)
And ZrO as another component.Two, TiOTwo, And S
iOTwoGlass for chemical strengthening including
Crystallized glass that has not been subjected to a chemical treatment is selected.

【0083】選択されるガラス基板用母材ガラスは、表
面平滑性が高く、表面加工処理を施すことが容易で、か
つ弾性率と剛性、強度が高い点で結晶化ガラスからなる
ことが好ましい。
The selected base glass for a glass substrate is preferably made of crystallized glass because of its high surface smoothness, easy surface treatment, and high elasticity, rigidity and strength.

【0084】一方、表面平滑性が高い点においては、結
晶化ガラスよりもアモルファス状態のガラスからなるこ
とが好ましく、特に機械的強度が高い点や耐衝撃性等の
点からアルミノシリケートガラスからなることが好まし
い。
On the other hand, in terms of high surface smoothness, it is preferable to use amorphous glass rather than crystallized glass, and particularly to use aluminosilicate glass in terms of high mechanical strength and impact resistance. Is preferred.

【0085】また、ガラス基板の表面層を改質すること
ができる点で、化学強化処理用ガラスからなることが好
ましいが、予め母材ガラス表層面に化学強化処理を施し
て圧縮応力層が形成された化学強化ガラスからなっても
よい。ガラス基板用の母材ガラスは、特に上述したもの
に限定されることはない。
Further, it is preferable to use a glass for chemical strengthening in that the surface layer of the glass substrate can be modified, but a compressive stress layer is formed by previously performing chemical strengthening on the surface of the base glass. It may be made of chemically strengthened glass. The base glass for the glass substrate is not particularly limited to those described above.

【0086】シート状ガラス生産工程(ステップS2) 選択されたガラス基板用母材ガラスから所定の厚みのシ
ート状ガラスを生産する。シート状ガラスの生産方法
は、いかなる生産方法であってもよく、例えば、熔融金
属の上で成形するフロート法、重力を利用して成形する
ダウンドロー法、またはインゴットガラスを再熔融して
成形するリドロー法等であってもよい。
Sheet glass production step (step S2) Sheet glass having a predetermined thickness is produced from the selected base glass for a glass substrate. The production method of the sheet-like glass may be any production method, for example, a float method for molding on molten metal, a down-draw method for molding using gravity, or re-melting and molding ingot glass. The redraw method may be used.

【0087】ワーク抜出工程(ステップS3) 例えばフロート法によって生産されたアルミノシリケー
ト組成のシート状ガラスを、超硬合金製またはダイヤモ
ンド製のカッターを用いて、内径および外径に沿って同
時に切断する。上記外径はガラス基板製品寸法の外径よ
り少し大きめに、上記内径はガラス基板製品寸法より少
し小さめに設定される。このように内径および外径に沿
って同時に切断することにより、外径および内径の同心
度のよいドーナッツ状のワークを抜き出す。
Work Extraction Step (Step S3) For example, a sheet-like glass having an aluminosilicate composition produced by a float method is cut simultaneously along the inner diameter and the outer diameter using a cemented carbide or diamond cutter. . The outer diameter is set slightly larger than the outer diameter of the glass substrate product dimensions, and the inner diameter is set slightly smaller than the glass substrate product dimensions. By simultaneously cutting along the inner diameter and the outer diameter in this manner, a donut-shaped work having good concentricity of the outer diameter and the inner diameter is extracted.

【0088】ドーナッツ状のワークを抜き出す方法は、
上述した同時に切断する方法だけに限られることはな
く、まず、外径に沿ってシート状ガラスを切断し、その
後、円筒形のダイヤモンド砥石を用いて内径に沿って穴
開けする方法、またはプレス法によって所望の外径とな
るようにシート状ガラスを生産し、その後で円筒形のダ
イヤモンド砥石を用いて内径に沿って穴開けする方法等
であってもよい。
A method for extracting a donut-shaped work is as follows.
The method is not limited to the above-described simultaneous cutting method.First, a sheet-like glass is cut along an outer diameter, and then, a method of punching a hole along an inner diameter using a cylindrical diamond grindstone, or a pressing method. May be used to produce a sheet-like glass so as to have a desired outer diameter, and then punch holes along the inner diameter using a cylindrical diamond grindstone.

【0089】端面研磨加工工程(ステップS4) 次に、抜き出されたワークのガラス基板を、製品の寸法
に正確に合わせるために、ワーク内外周の端面部に研削
加工を施す。この研削加工を施すには、ダイヤモンド砥
粒を付着させた研削砥石を用いる。研削加工は、粗さが
#325のダイヤモンド砥粒を付着させた研削砥石を用
いる研削加工と、続いて粗さが#500のダイヤモンド
砥粒を付着させた研削砥石を用いる研削加工との2段階
からなる。
Edge Polishing Step (Step S4) Next, the glass substrate of the extracted work is ground on the inner and outer end faces of the work in order to accurately match the dimensions of the product. To perform this grinding, a grinding wheel to which diamond abrasive grains are attached is used. Grinding is performed in two steps: grinding using a grinding wheel having diamond abrasive grains having a roughness of # 325 attached thereto, and grinding processing using a grinding wheel having diamond abrasive grains having a roughness of # 500 attached thereto. Consists of

【0090】この端面の研削加工を施すのと同時に、ガ
ラス基板製品が所定の寸法となるように作製された研削
砥石を用いて、端面の面取り加工も施す。この端面の研
削加工と面取り加工とは、同時に施してもよいし、別々
に施してもよい。また、用いるダイヤモンド砥粒の粗さ
は、要求されるガラス基板製品の品質に応じて他の粗さ
であってもよい。さらに、ステップS3のワーク抜出工
程において、ガラス基板製品の寸法に近い寸法にワーク
が抜き出されているときは、本工程において2段階の研
削加工を施す必要性がないのはいうまでもない。
At the same time as the grinding of the end face, the chamfering of the end face is also performed using a grinding wheel manufactured so that the glass substrate product has a predetermined size. The grinding and chamfering of the end face may be performed simultaneously or separately. Further, the roughness of the diamond abrasive grains used may be another roughness depending on the required quality of the glass substrate product. Further, in the work extraction process of step S3, when the work is extracted to a size close to the size of the glass substrate product, it goes without saying that there is no need to perform two-stage grinding in this process. .

【0091】次いで、端面の面取り加工が施された面の
粗さを滑らかにするために、研磨剤としての酸化セリウ
ムを含有するスラリーを用いて端面に研磨加工を施す。
Next, in order to smooth the roughness of the chamfered surface of the end surface, the end surface is polished using a slurry containing cerium oxide as an abrasive.

【0092】ラッピング加工工程(ステップS5) 次に、後述するワークの情報記録面の精密研磨加工に先
だって、粗研磨加工(ラッピング加工)を施す。これ
は、ワークの厚みをそろえ、ワークの平坦度を向上させ
ウネリ成分を改善し、かつワークの情報記録面に必然的
に生じているクラックや傷等の欠陥を除去するためであ
る。
Lapping Step (Step S5) Rough polishing (lapping) is performed prior to precision polishing of the information recording surface of the work described later. This is because the thickness of the work is made uniform, the flatness of the work is improved, the undulation component is improved, and defects such as cracks and scratches inevitably generated on the information recording surface of the work are removed.

【0093】具体的には、固形分の濃度が20質量%程
度のアルミナ砥粒を含有するスラリーを、研磨機の金属
定盤とワークの情報記録面との間に供給しながら、該研
磨機によりワークの情報記録面(上面および下面)を同
時にラッピング加工を施す。このラッピング加工は、粗
さが#600のアルミナ砥粒を含有するスラリーを用い
るラッピング加工と、続いて粗さが#1000のアルミ
ナ砥粒を含有するスラリーを用いるラッピング加工との
2段階からなる。
More specifically, while supplying a slurry containing alumina abrasive grains having a solid content of about 20% by mass between the metal platen of the polishing machine and the information recording surface of the work, The information recording surfaces (upper surface and lower surface) of the work are simultaneously subjected to lapping. The lapping process includes two steps, a lapping process using a slurry containing alumina abrasive grains having a roughness of # 600 and a lapping process using a slurry containing alumina abrasive grains having a roughness of # 1000.

【0094】このラッピング加工を、前述したステップ
S4の端面研磨加工工程の前に施してもよく、または、
第1段階目の粗研削加工を端面研磨加工工程の前に施
し、第2段階目の粗研削加工を端面研磨加工工程の後に
施してもよい。
This lapping may be performed before the end face polishing step of step S4, or
The first-stage rough grinding may be performed before the end surface polishing process, and the second-stage rough grinding may be performed after the end surface polishing process.

【0095】本製造方法におけるラッピング工程では、
ラッピング加工を施す加工速度が大きいので、ガラス基
板製品の最終厚みの近くまでワークを研磨するのが一般
的である。
In the lapping step in the present production method,
Since the processing speed at which the lapping process is performed is high, it is common to polish the work to near the final thickness of the glass substrate product.

【0096】また、母材ガラスの厚みが、製品の最終厚
みに近いときは、2段階でラッピング加工を施す必要性
はなく、粗さが#600より粗いアルミナ砥粒含有する
スラリーを用いるラッピング加工を1段階で施してもよ
い。また、スラリーを用いたラッピング加工の代わり
に、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒を埋設した固定砥
石を用いて、ワークの情報記録面にラッピング加工を施
してもよい。
When the thickness of the base glass is close to the final thickness of the product, there is no need to perform lapping in two steps, and lapping using a slurry containing alumina abrasive grains having a roughness greater than # 600. May be applied in one stage. Instead of lapping using slurry, lapping may be performed on the information recording surface of the work using a fixed grindstone in which diamond abrasive grains or alumina abrasive grains are embedded.

【0097】そして、ラッピング加工を施した後、用い
た研磨剤およびスラリーが付着したワークに水や洗剤等
を用いて洗浄処理を施す。この洗浄処理を施す場合にお
いて、適当な周波数の超音波を付与するのが好ましい。
これにより、ワークの表面に付着した研磨剤およびスラ
リーが落ち易くなる。
After the lapping process, the work to which the used abrasive and slurry are adhered is subjected to a cleaning treatment using water, a detergent, or the like. When performing this cleaning treatment, it is preferable to apply ultrasonic waves having an appropriate frequency.
As a result, the abrasive and the slurry attached to the surface of the work easily fall off.

【0098】ガラス基板製品に要求される表面平坦度や
ウネリの程度に応じて、本工程を省いてもよい。
This step may be omitted according to the degree of surface flatness and undulation required for the glass substrate product.

【0099】一次研磨加工工程(ステップS6) 次に、ラッピング加工工程を施した際に、ワーク表面に
生じた凹凸の表面粗さを改善し、かつクラックや傷等を
除去するために、研磨剤としての酸化セリウムを主な成
分とするスラリーを用いて、ワークの情報記録面に一次
研磨加工を施す。このスラリーは、平均粒径が1.5μ
m程度、濃度が20質量%程度のランタノイド酸化物
(酸化セリウムおよび酸化ランタンなど)を含有する。
具体的には、このスラリーを研磨機に供給することによ
ってワークの情報記録面に一次研磨加工を施す。
Primary Polishing Step (Step S6) Next, when a lapping step is performed, an abrasive is used to improve the surface roughness of the unevenness generated on the work surface and to remove cracks and scratches. Primary polishing is performed on the information recording surface of the work using a slurry containing cerium oxide as a main component. This slurry has an average particle size of 1.5μ.
It contains lanthanoid oxide (such as cerium oxide and lanthanum oxide) having a concentration of about 20 m% and a concentration of about 20% by mass.
Specifically, the slurry is supplied to a polishing machine to perform primary polishing on the information recording surface of the work.

【0100】研磨機には、ワークと接触する面に、酸化
セリウムを含浸させた発泡ウレタン系樹脂の研磨パッド
が貼り付けられており、この研磨パッドを介してワーク
に49N(5kgf)程度の荷重をかけると共に、ワー
クの上面および下面を同時に研磨し、ワークが所定の厚
みになるまで研磨機を稼働させる。
The polishing machine has a polishing pad made of urethane foam resin impregnated with cerium oxide adhered to the surface in contact with the work, and a load of about 49 N (5 kgf) is applied to the work via the polishing pad. And simultaneously grind the upper and lower surfaces of the work, and operate the grinder until the work has a predetermined thickness.

【0101】そして、一次研磨加工を施した後、用いた
研磨剤およびスラリーが付着したワークに水や洗剤等を
用いて洗浄処理を施す。この洗浄処理を施す場合におい
て、適当な周波数の超音波を付与するのが好ましい。超
音波の付与により、ワークの表面に付着した研磨剤およ
びスラリーが落ち易くなる。
After the primary polishing, the work to which the used abrasive and slurry are adhered is subjected to a cleaning treatment using water, a detergent or the like. When performing this cleaning treatment, it is preferable to apply ultrasonic waves having an appropriate frequency. By applying the ultrasonic wave, the abrasive and the slurry attached to the surface of the work easily fall off.

【0102】精密研磨加工工程(ステップS7) 次に、二次研磨加工として精密研磨加工を施す。 Precision Polishing Step (Step S7) Next, precision polishing is performed as secondary polishing.

【0103】研磨パッドは、その最表面層がナップ層か
らなり、このナップ層には、表面硬度の指標としての1
00%モデュラスが7840〜24500kPa(80
〜250kg/cm2)の範囲にある硬さの樹脂を溶融
し発泡させたのちに、その最表面を削りとって空孔を露
出させることで製造される研磨部材が用いられる。この
ような100%モデュラスが大きい樹脂をナップ層に用
いることより、精密研磨加工を施しているときにナップ
層の表面層が微視的にみて硬いために、ワークの情報記
録面の波長0.1〜5mmのウネリ成分を改善すること
ができる。
The polishing pad has a nap layer as the outermost surface layer, and the nap layer has 1 as an index of surface hardness.
00% modulus is 7840 to 24500 kPa (80
After melting and foaming a resin having a hardness in the range of about 250 kg / cm 2 ), a polishing member manufactured by shaving the outermost surface to expose pores is used. By using such a resin having a large 100% modulus for the nap layer, since the surface layer of the nap layer is microscopically hard when precision polishing is performed, the wavelength of the information recording surface of the work is 0.1 mm. The swelling component of 1 to 5 mm can be improved.

【0104】100%モデュラスが7840〜2450
0kPa(80〜250kg/cm 2)の範囲のとき、
ナップ層の表面が微視的にみて硬い。例えばポリウレタ
ン樹脂では、微視的にみると非晶質層と、非晶質層より
も大きな硬度を持つ結晶層から構成され、結晶化度の指
標として100%モデュラスを用いることができる。
100% modulus is 7840-2450
0 kPa (80-250 kg / cm Two),
The surface of the nap layer is microscopically hard. For example, polyurethane
Microscopically, the amorphous resin and the amorphous layer
It is also composed of a crystal layer with large hardness,
100% Modulus can be used as a target.

【0105】例えば結晶化度の大きい樹脂、すなわち1
00%モデュラスが大きな樹脂で作ったナップ層は、微
視的にみると硬く、巨視的にみるとナップ層に含まれる
空孔があるため柔らかいという性質を持つ。詳細なメカ
ニズムは定かでないが、ナップ層の微視的な硬さが波長
0.1〜5mmのウネリ除去に有効と考えている。
For example, a resin having a high crystallinity, ie, 1
A nap layer made of a resin having a large modulus of 00% has a property that it is hard when viewed microscopically and soft when viewed macroscopically due to the pores contained in the nap layer. Although the detailed mechanism is not clear, it is considered that the microscopic hardness of the nap layer is effective for removing undulations having a wavelength of 0.1 to 5 mm.

【0106】100%モデュラスは、大きいほど好まし
いが、100%モデュラスが大きすぎると、発泡体から
なる樹脂を均一に成型することが困難になる。100%
モデュラスが24500kPa(250kg/cm2
を越えると、均質でかつ平坦なナップ層を成型すること
が困難となり、精密研磨加工を施す際に、ファインスク
ラッチが発生し易くなる。
The larger the 100% modulus is, the more preferable. However, if the 100% modulus is too large, it becomes difficult to uniformly mold a resin made of a foam. 100%
Modulus is 24500 kPa (250 kg / cm 2 )
If it exceeds, it is difficult to form a uniform and flat nap layer, and fine scratches are likely to occur when precision polishing is performed.

【0107】100%モデュラスが9800〜1960
0kPa(100〜200kg/cm2)の範囲である
ときは、ワークの情報記録面の波長0.1〜5mmのウ
ネリ成分を改善し最も好ましい。100%モデュラスが
9800〜19600kPa(100〜200kg/c
2)の範囲では、ナップ層の表面層の硬度が十分に大
きく、かつ均質性が高いので、ウネリを最も改善すると
考えられる。
The 100% modulus is 9800 to 1960
When the pressure is in the range of 0 kPa (100 to 200 kg / cm 2 ), the undulation component having a wavelength of 0.1 to 5 mm on the information recording surface of the work is most preferably improved. The 100% modulus is 9800 to 19600 kPa (100 to 200 kg / c
In the range of m 2 ), since the hardness of the surface layer of the nap layer is sufficiently large and the homogeneity is high, it is considered that undulation is most improved.

【0108】ナップ層が上面に成型される下層は、特に
限定されないが、例えばナップ層をベース層の上に成型
したスウェードタイプの研磨パッドにおけるベース層で
あってもよい。また、研磨機が備える定盤であってもよ
く、この定盤にナップ層を粘着剤で直接貼り付けてもよ
い。スウェードタイプの研磨パッドにおけるベース層と
しては不織布や樹脂シー卜を用いることができる。
The lower layer on which the nap layer is formed on the upper surface is not particularly limited, but may be, for example, a base layer in a suede type polishing pad in which the nap layer is formed on the base layer. Further, a platen provided in the polishing machine may be used, and a nap layer may be directly attached to the platen with an adhesive. A nonwoven fabric or a resin sheet can be used as a base layer in a suede type polishing pad.

【0109】不織布の素材としてはウレタン系樹脂等を
用いることができ、樹脂シートの素材としては塩化ビニ
ル、PET等を用いることができる。ナップ層の厚み
は、特に限定されることはなく、例えば0.2〜lmm
のものを使用することができる。ナップ層の開口径は特
に限定されることはなく、例えば30〜100μmのも
のを使用することができる。
As a material for the nonwoven fabric, a urethane resin or the like can be used, and as a material for the resin sheet, vinyl chloride, PET, or the like can be used. The thickness of the nap layer is not particularly limited, for example, 0.2 to 1 mm
Can be used. The opening diameter of the nap layer is not particularly limited, and for example, those having a diameter of 30 to 100 μm can be used.

【0110】ワークを支持するキャリアの自転の回転速
度の範囲を、0.0333/秒〜0.25/秒(2rp
m〜15rpm)として精密研磨加工を施す。精密研磨
加工を施している際、キャリアの自転の回転速度を0.
0333/秒(2rpm)以上とするのが好ましい。こ
れにより、研磨パッドがワークを一定方向に精密研磨加
工を施す時間が相対的に短くなり、波長10〜50μm
のウネリ成分が発生し難くなる。キャリアの自転の回転
速度を0.25/秒(15rpm)を越えると、研磨機
やキャリアにかかる負荷が大きくなり、キャリアがスム
ーズに回転しなくなったりするので、ワーク表面に研磨
斑やファインスクラッチと呼ばれる微細な傷等が、発生
し易くなる。
The rotation speed range of the rotation of the carrier supporting the work is set to 0.0333 / sec to 0.25 / sec (2 rpm).
m to 15 rpm). When performing precision polishing, the rotation speed of the carrier is set to 0.
It is preferably at least 0333 / sec (2 rpm). As a result, the time required for the polishing pad to perform precision polishing of the work in a certain direction is relatively shortened, and the wavelength is 10 to 50 μm.
The swelling component is less likely to occur. If the rotation speed of the carrier exceeds 0.25 / sec (15 rpm), the load applied to the polishing machine and the carrier increases, and the carrier may not rotate smoothly. Such fine scratches and the like easily occur.

【0111】研磨液としては、研磨剤としての酸化セリ
ウムおよび/または酸化ランタンを含有するランタノイ
ド酸化物系スラリー、または微粒子状のシリカを含有す
るシリカ系スラリーが用いられる。ランタノイド系酸化
物系スラリーには0.01〜5%程度のフッ素が含まれ
ていてもよい。
As the polishing liquid, a lanthanoid oxide slurry containing cerium oxide and / or lanthanum oxide as a polishing agent, or a silica slurry containing fine silica particles is used. The lanthanoid-based oxide slurry may contain about 0.01 to 5% of fluorine.

【0112】スラリーを用いて精密研磨加工を施す場合
においては、ランタノイド酸化物系スラリー固形分の最
大粒径が3μm以下であることが好ましい。これによ
り、ワークの情報記録面の波長1〜10μmのウネリ成
分が減少し、また、研磨斑やファインスクラッチ等の発
生を防止することができる。さらに、研磨剤の粒径が1
〜3μm程度のものの含有量が研磨剤の固形分質量の1
0%以下とすると、波長1〜10μmのウネリ成分がさ
らに減少するので好ましい。
When precision polishing is performed using the slurry, the maximum particle size of the lanthanoid oxide-based slurry solid content is preferably 3 μm or less. Thereby, the undulation component having a wavelength of 1 to 10 μm on the information recording surface of the work is reduced, and the occurrence of polishing unevenness and fine scratches can be prevented. Further, when the particle size of the abrasive is 1
Content of about 3 μm is 1% of the solid content mass of the abrasive.
When the content is 0% or less, the amount of swelling component having a wavelength of 1 to 10 μm is further reduced, which is preferable.

【0113】ランタノイド酸化物系スラリー固形分の平
均粒径は、特に限定されないが、例えば平均粒径を0.
1〜1.6μmとしてもよい。ランタノイド酸化物から
なる研磨剤は、その平均粒径が小さ過ぎると、研磨効率
を低下させるか、または研磨剤粒子が凝集して、ワーク
表面に研磨斑を発生し易くする。
The average particle size of the solid content of the lanthanoid oxide slurry is not particularly limited.
It may be 1 to 1.6 μm. If the average particle size of the abrasive made of a lanthanoid oxide is too small, the polishing efficiency is reduced, or the abrasive particles are agglomerated to easily cause polishing unevenness on the work surface.

【0114】微粒子状のシリカを含有するスラリーを用
いて研磨加工を施す場合においては、市販のコロイダル
シリカまたはヒュームドシリカを用いることができる。
コロイダルシリカは、平均粒径0.03〜0.5μmの
シリカをコロイドの状態で分散したスラリーである。こ
のような平均粒径のコロイダルシリカであるときは、シ
リカの平均粒径が小さくてもコロイド状のシリカが凝集
することがなく、局所的な研磨ムラを発生し難いので、
特にシリカの平均粒径は限定されない。
When polishing is performed using a slurry containing finely divided silica, commercially available colloidal silica or fumed silica can be used.
Colloidal silica is a slurry in which silica having an average particle size of 0.03 to 0.5 μm is dispersed in a colloidal state. When the colloidal silica having such an average particle diameter is used, colloidal silica does not aggregate even if the average particle diameter of the silica is small, and local polishing unevenness is unlikely to occur.
In particular, the average particle size of silica is not limited.

【0115】精密研磨加工が施されたワークは、そのま
までも情報記録媒体用ガラス基板製品とできるほどに、
ウネリが改善されている。ウネリが改善されているの
で、後述する工程を行うことなく、ハードディスク用ガ
ラス基板として、その最表面に円周状にテクスチャー処
理を施してもよい。
The work that has been subjected to the precision polishing process can be used as a glass substrate product for an information recording medium as it is.
Unelli has been improved. Since the undulation is improved, the outermost surface of the glass substrate for a hard disk may be subjected to texture processing in a circumferential shape without performing the steps described later.

【0116】次に、精密研磨加工を施す際にワーク表面
に軟弱に付着した研磨剤およびスラリーに簡易洗浄処理
を施す。例えば、精密研磨加工停止前にスラリーを水に
切り替えてリンスを施したり、シャワー洗浄を施した
り、ワークを取り上げて純水浴中に投入後超音波を付与
しながら純水洗浄を施したりする。
Next, a simple cleaning process is performed on the abrasive and the slurry that have softly adhered to the surface of the work when the precision polishing is performed. For example, the slurry is switched to water and rinsed, shower cleaning is performed, or the work is picked up and placed in a pure water bath, and then subjected to pure water cleaning while applying ultrasonic waves before stopping the precision polishing process.

【0117】簡易洗浄処理を施した後の精密洗浄では、
強固に付着した研磨剤を除去するために、ワークの表面
層にエッチング処理を僅かに施す。エッチング液として
は、特に限定されることはないが、フッ化水素酸を含む
酸性水溶液等を使用することができる。酸性水溶液で処
理した後は、市販のアルカリ性水溶液で処理し、純水浴
中に浸漬してリンスしてアルカリ性水溶液を除去した後
に、ワークを純水浴中に浸漬してリンスし、イソプロピ
ルアルコール浴中に浸漬してワーク表面の水をイソプロ
ピルアルコールに置換した後、イソプロピルアルコール
蒸気中で乾燥させる。
In the precision cleaning after the simple cleaning process,
In order to remove the firmly attached abrasive, the surface layer of the work is slightly etched. The etchant is not particularly limited, but an acidic aqueous solution containing hydrofluoric acid or the like can be used. After treatment with an acidic aqueous solution, treat with a commercially available alkaline aqueous solution, rinse in a pure water bath to remove the alkaline aqueous solution, then immerse the work in a pure water bath, rinse, and place in a isopropyl alcohol bath. After immersion to replace the water on the work surface with isopropyl alcohol, the work surface is dried in isopropyl alcohol vapor.

【0118】化学強化処理工程(ステップS8) 次に、ワークを取扱う際の機械的な衝撃、ワークの表面
に磁気膜等の膜を形成する際の熱の影響、またはハード
ディスクドライブに組込まれた後の長期間の使用に対す
る強度や耐久性等の信頼性を高めるために、ワークの表
面層に化学強化処理を施す。これにより、確実にガラス
基板の強度を強くすることができる。
Chemical Strengthening Step (Step S8) Next, a mechanical shock when handling the work, an influence of heat when forming a film such as a magnetic film on the surface of the work, or after being incorporated in the hard disk drive The surface layer of the workpiece is subjected to chemical strengthening treatment in order to increase the reliability such as strength and durability for long-term use. Thus, the strength of the glass substrate can be reliably increased.

【0119】具体的には、まず、硝酸カリウムおよび硝
酸ナトリウムを化学強化槽に投入し、400℃程度の温
度に加熱熔融して、混合熔融塩とする。そして、ワーク
を化学強化槽に投入し、混合熔融塩の中に数時間浸漬す
る。これにより、ガラスに含まれるリチウムイオンおよ
びナトリウムイオンと、混合熔融塩中に含まれるカリウ
ムイオンとのイオン交換を行う。
Specifically, first, potassium nitrate and sodium nitrate are charged into a chemical strengthening tank, and heated and melted at a temperature of about 400 ° C. to obtain a mixed molten salt. Then, the work is put into the chemical strengthening tank and immersed in the mixed molten salt for several hours. Thus, ion exchange between lithium ions and sodium ions contained in the glass and potassium ions contained in the mixed molten salt is performed.

【0120】母材ガラスとして、Li2Oを含むアルミ
ノシリケートガラスを用いると、ワークの表面から10
0μm程度の深さまで化学強化層とすることができる。
When an aluminosilicate glass containing Li 2 O is used as the base glass, 10%
The chemically strengthened layer can be formed to a depth of about 0 μm.

【0121】次に、ワークを化学強化槽から取り出し、
化学強化処理が施されたワークを徐冷し、その後、純水
または温水中に長時間浸漬することにより、ワークの表
面層に残存している混合塩を水に溶解させて、除去す
る。
Next, the work is taken out of the chemical strengthening tank,
The workpiece that has been subjected to the chemical strengthening treatment is gradually cooled, and then immersed in pure water or warm water for a long time to dissolve and remove the mixed salt remaining in the surface layer of the workpiece in water.

【0122】スクラブ処理工程(ステップS9) 本工程では、精密研磨加工を施した後に、ワークにスク
ラブ処理を施す。精密研磨加工を施した後である理由
は、研磨剤等の大きな異物がワーク表面上に多数存在す
る状態でスクラブ処理を施すと、ワークに当該大きな異
物を擦りつけることになり傷が発生し易い。そこで、本
工程は、清浄度の高い工程、すなわち洗浄処理工程より
後続の工程であることが好ましい。
Scrubbing Step (Step S9) In this step, the workpiece is subjected to scrubbing after precision polishing. The reason after the precision polishing is that if the scrubbing treatment is performed in a state where a large number of large foreign substances such as abrasives are present on the surface of the work, the large foreign substances are rubbed against the work, and the work is easily scratched. . Therefore, it is preferable that this step is a step having high cleanliness, that is, a step subsequent to the cleaning processing step.

【0123】また、テクスチャー処理後に化学強化処理
を施したときは、化学強化処理を施した後に、スクラブ
処理を施す。化学強化処理を施した後である理由は、鉄
をはじめとする異物がワークに付着しているので、より
確実に異常突起を除去するために、スクラブ処理を施す
のが好ましいからである。さらに、化学強化処理を施し
た後で、かつ後述するスクラブ洗浄処理を施す前に、酸
性水溶液を用いてワークに洗浄処理を施すのが好まし
い。これにより、異物等をより完全に除去することがで
きる。
When a chemical strengthening process is performed after the texture process, a scrub process is performed after the chemical strengthening process. The reason after the chemical strengthening treatment is that since a foreign substance such as iron adheres to the work, it is preferable to perform a scrub treatment in order to more reliably remove the abnormal projection. Further, it is preferable to perform a cleaning treatment on the work using an acidic aqueous solution after performing the chemical strengthening treatment and before performing a scrub cleaning treatment described later. Thereby, foreign substances and the like can be more completely removed.

【0124】具体的には、ワークとの接触部の形状が線
状または短冊状等のスポンジを用いて、ワークの円周方
向に向かって、ワーク表面にスクラブ処理を施す。スポ
ンジでスクラブ処理を施す方法としては、ワークとの接
触部の形状が円筒状のブラシスポンジでワークを挟持
し、ワークとブラシスポンジとを回転させる方法、ワー
クとの接触部の形状がテープ状のスポンジでワークを挟
持し、ワークとスポンジとを回転させる方法等を挙げる
ことができる。スクラブ処理を施す装置は、市販のスク
ラブ洗浄装置を用いてもよい。
More specifically, the surface of the work is scrubbed in the circumferential direction of the work by using a sponge having a shape of a line or a strip in contact with the work. As a method of performing scrubbing with a sponge, a method of holding a work with a cylindrical brush sponge having a cylindrical contact portion with a work and rotating the work and the brush sponge, and a shape of a contact portion with the work having a tape shape are used. A method of holding a work with a sponge and rotating the work and the sponge can be used. A commercially available scrub cleaning device may be used as the device for performing the scrub treatment.

【0125】スクラブ処理を施した後に、スクラブ洗浄
処理を施す。スクラブ洗浄処理を施す際の洗浄液として
は、特に限定されることはなく、例えば、純水、電解イ
オン水、オゾン水、水素添加水、酸性水溶液、もしくは
アルカリ性水溶液、またはこれらにキレート剤、界面活
性剤、もしくは塩類を添加したものを用いることができ
る。このうち、アルカリ性水溶液を用いるのが好まし
い。これにより、異物とワークとの間に静電反発力が働
くので、異物がワークへ再付着するのを防止しつつスク
ラブ洗浄処理を施すことができる。
After performing the scrubbing process, a scrub cleaning process is performed. The cleaning liquid for performing the scrub cleaning treatment is not particularly limited, for example, pure water, electrolytic ionic water, ozone water, hydrogenated water, acidic aqueous solution, or alkaline aqueous solution, or a chelating agent, surfactant Agents or salts to which salts have been added can be used. Of these, it is preferable to use an alkaline aqueous solution. Accordingly, an electrostatic repulsion acts between the foreign matter and the work, so that the scrub cleaning process can be performed while preventing the foreign matter from re-adhering to the work.

【0126】スクラブ洗浄処理を施すときは、ワークに
洗浄液を介して超音波を付与する。これにより、ワーク
へのダメージ、テクスチャーの形状変化等が発生するの
を防止することができる。超音波の周波数、超音波の出
力、超音波を付与する時間、洗浄液の温度等のスクラブ
洗浄処理を施すための条件は、特に限定されることはな
いが、通常、超音波の周波数が38kHz以上、超音波
の出力がlW/cm2以下、超音波を付与する時間が1
〜20min、洗浄液の温度が70℃以下である。
When performing the scrub cleaning treatment, ultrasonic waves are applied to the work through a cleaning liquid. Thereby, it is possible to prevent the damage to the work, the change in the shape of the texture, and the like. The conditions for performing the scrub cleaning treatment such as the frequency of the ultrasonic wave, the output of the ultrasonic wave, the time for applying the ultrasonic wave, and the temperature of the cleaning liquid are not particularly limited, but usually, the frequency of the ultrasonic wave is 38 kHz or more. The output of the ultrasonic wave is 1W / cm 2 or less, and the time for applying the ultrasonic wave is 1
2020 min, the temperature of the cleaning liquid is 70 ° C. or less.

【0127】その後、純水を用いてリンスを施し、そし
てワークを乾燥させる。純水を用いてリンスを施す方法
としては、特に限定されることはなく、浸漬、超音波を
付与しながらの浸漬、シャワー、または噴射等を施す方
法等を挙げることができる。また、ワークを乾燥させる
方法も、限定されることはなく、スピン乾燥、またはイ
ソプロピルアルコール乾燥等、精密洗浄処理としてのス
クラブ洗浄処理に対応した処理を施す方法であれば、い
かなる方法であってもよい。
Thereafter, rinsing is performed using pure water, and the work is dried. The method of rinsing using pure water is not particularly limited, and examples thereof include immersion, immersion while applying ultrasonic waves, showering, and spraying. Also, the method of drying the work is not limited, and any method may be used as long as it performs a process corresponding to a scrub cleaning process as a precision cleaning process, such as spin drying or isopropyl alcohol drying. Good.

【0128】そして、所定の検査を行って、検査をパス
したワークを情報記録媒体用ガラス基板として出荷す
る。
Then, a predetermined inspection is performed, and the work that passes the inspection is shipped as a glass substrate for an information recording medium.

【0129】成膜加工工程(ステップS10) 情報記録媒体用ガラス基板からハードディスク用媒体を
製造するときは、ガラス基板上に、少なくとも下地層、
磁性層(記録層)、および保護膜を順次形成して成膜加
工を施す。例えば、ガラス基板に円周状テクスチャー処
理を施していない場合は、磁性層に円周状テクスチャー
処理を施してもよい。なお、必要に応じて、ハードディ
スク用ガラス基板と下地層との間にシード層を形成して
成膜加工を施してもよいし、各層毎にバッファー層およ
びシールド層を形成してディスクが多層構造となるよう
に成膜加工を施してもよい。
Film Forming Process (Step S10) When a hard disk medium is manufactured from an information recording medium glass substrate, at least an underlayer,
A magnetic layer (recording layer) and a protective film are sequentially formed and a film forming process is performed. For example, when the glass substrate has not been subjected to the circumferential texture processing, the magnetic layer may be subjected to the circumferential texture processing. If necessary, a seed layer may be formed between the glass substrate for the hard disk and the underlayer to form a film, or a buffer layer and a shield layer may be formed for each layer to form a multi-layer disk. The film forming process may be performed so that

【0130】なお、成膜加工を施した後に、テープバー
ニッシュ処理を施してもよい。これにより、保護膜上に
付着した異物や汚れを除去することができる。
After the film forming process, a tape burnishing process may be performed. This makes it possible to remove foreign substances and dirt attached to the protective film.

【0131】上記の下地層、磁性層、および保護膜は、
種類、膜厚、および成膜加工を施す方法は、特にそれぞ
れ限定されることはないが、例えば、ガラス基板を用い
る場合は、シード層としてNiAl合金、下地層として
CrまたはCr系合金、磁性層としてCo系合金を用い
るのが好ましい。これにより、ハードディスク用媒体の
記録再生特性を確保することができる。成膜加工を施す
方法としては、通常スパッタリング法を用いるのが好ま
しい。これにより、ガラス基板の表面平坦性がそのまま
維持されたハードディスク用媒体を製造することができ
る。
The above-described underlayer, magnetic layer, and protective film include:
The type, film thickness, and method of forming the film are not particularly limited. For example, when a glass substrate is used, a NiAl alloy is used as a seed layer, a Cr or Cr-based alloy is used as an underlayer, and a magnetic layer is used. It is preferable to use a Co-based alloy. Thereby, the recording and reproducing characteristics of the hard disk medium can be secured. As a method of forming a film, a sputtering method is usually preferably used. Thereby, a hard disk medium in which the surface flatness of the glass substrate is maintained as it is can be manufactured.

【0132】検査工程(ステップS11) 製造されたハードディスク用媒体の表面形状を所定領域
において、光干渉計または原子間力顕微鏡(AFM)を
用いて測定し、磁気ヘッドの飛行方向、すなわち円周方
向に沿ってライン解析を行う。
Inspection Step (Step S11) The surface shape of the manufactured hard disk medium is measured in a predetermined area using an optical interferometer or an atomic force microscope (AFM), and the flying direction of the magnetic head, that is, the circumferential direction is measured. Perform line analysis along.

【0133】ライン解析では、所定の波長νに対応する
PSDを算出し(図11参照)、PSDと当該所定の波
長νの逆数である周波数fとの積PSD×fを算出する
(図2参照)。これによりPSD関数のベースラインを
水平にすることができ、所定の波長νの範囲に対応する
PSDの値を容易に比較することができる。また、好ま
しくはライン解析を複数のラインに対して実行し、その
結果を平均化する。これにより、より正確にライン解析
を行うことができる。
In the line analysis, a PSD corresponding to a predetermined wavelength ν is calculated (see FIG. 11), and a product PSD × f of the PSD and a frequency f which is the reciprocal of the predetermined wavelength ν is calculated (see FIG. 2). ). Thereby, the baseline of the PSD function can be made horizontal, and the values of the PSD corresponding to the range of the predetermined wavelength ν can be easily compared. Preferably, the line analysis is performed on a plurality of lines, and the results are averaged. Thereby, more accurate line analysis can be performed.

【0134】図2を参照すると、所定の波長νの範囲、
例えば1〜10μmに対応するPSD×fの最大値は、
約100nm2以下となる。この値は、後述するピエゾ
信号の検出により測定されたTOHとよい相関関係が得
られている。なおPSD×fの最大値が約100nm2
以下のときのTOHは、4.5nm以下である。
Referring to FIG. 2, a range of a predetermined wavelength ν,
For example, the maximum value of PSD × f corresponding to 1 to 10 μm is
It is about 100 nm 2 or less. This value has a good correlation with TOH measured by detection of a piezo signal described later. The maximum value of PSD × f is about 100 nm 2
In the following cases, TOH is 4.5 nm or less.

【0135】すなわち、ピエゾ素子を用いてTOHを測
定しなくても、PSD×fを算出するだけで、TOHを
推定することができる。ピエゾ素子を用いた測定は、媒
体表面にピエゾ素子を接触させることになる。
That is, TOH can be estimated only by calculating PSD × f without measuring TOH using a piezo element. Measurement using a piezo element involves bringing the piezo element into contact with the medium surface.

【0136】一方、光干渉計または原子間力顕微鏡(A
FM:非接触モード)を用いた測定は、媒体表面に接触
する必要がないので、好ましい測定方法である。
On the other hand, an optical interferometer or an atomic force microscope (A
Measurement using FM (non-contact mode) is a preferable measurement method because it is not necessary to make contact with the medium surface.

【0137】例えば、TOHが4.5nm以下であるハ
ードディスク用媒体は、優れた記録再生特性を有し、磁
気ヘッドの飛行の障害となるウネリが低減され、ヘッド
揺らぎが小さく、ヘッドクラッシュが発生しにくい。ま
た、サーマルアスペリティーも発生しにくいハードディ
スク用媒体である(以下、このことを優れたメディア特
性を有する、と称する)。
For example, a hard disk medium having a TOH of 4.5 nm or less has excellent recording / reproducing characteristics, reduces undulation that hinders the flight of a magnetic head, has small head fluctuation, and causes a head crash. Hateful. Further, it is a hard disk medium that does not easily generate thermal asperity (hereinafter, this is referred to as having excellent media characteristics).

【0138】このようにして、媒体表面のPSD×fの
最大値が所定の値以下であることを確認して、最終製品
として出荷して、本処理を終了する。なお、上記所定の
領域および上記所定の値については、後述する。
In this way, it is confirmed that the maximum value of PSD × f on the surface of the medium is equal to or less than the predetermined value, the medium is shipped as a final product, and this processing is completed. The predetermined area and the predetermined value will be described later.

【0139】そして、媒体表面のPSD×fの最大値が
所定の値以下であるハードディスク用媒体を、HDDの
スピンドルに組み込みつけ、磁気ヘッド等を取り付け
て、ハードディスクドライブを完成させる。
Then, a hard disk medium in which the maximum value of PSD × f on the medium surface is equal to or less than a predetermined value is mounted on a spindle of the HDD, and a magnetic head and the like are mounted to complete a hard disk drive.

【0140】上記ステップS11の検査工程で、媒体表
面のPSD×fの最大値が所定の値以下であることを確
認したが、ステップS9のスクラブ処理工程を終了して
製造された情報記録媒体用ガラス基板に、ステップS1
1の検査工程と同様にして、基板表面のPSD×fの最
大値が所定の値以下であることを確認してもよい。
In the inspection step of step S11, it was confirmed that the maximum value of PSD × f on the medium surface was not more than a predetermined value. However, the information recording medium manufactured after the scrubbing step of step S9 was completed. Step S1 on a glass substrate
In the same manner as in the first inspection step, it may be confirmed that the maximum value of PSD × f on the substrate surface is equal to or less than a predetermined value.

【0141】表面のPSD×fの最大値が約100nm
2以下であれば、情報記録媒体用ガラス基板またはハー
ドディスク用媒体において、TOHが4.5nm以下で
あることが容易に確認される。さらに、それを用いて製
造されたハードディスクドライブや情報記録装置は、ガ
ラス基板や媒体の表面形状がそのまま維持されたもので
あるので、TOHを低いものとすることができる。
The maximum value of PSD × f on the surface is about 100 nm.
If it is 2 or less, it is easily confirmed that TOH is 4.5 nm or less in the glass substrate for information recording medium or the medium for hard disk. Further, in a hard disk drive or an information recording device manufactured using the same, since the surface shape of the glass substrate or the medium is maintained as it is, the TOH can be reduced.

【0142】本実施の形態では、情報記録媒体の表面形
状を所定領域において、光干渉計またはAFMの探針を
用いて測定し、円周方向に沿って所定の波長νに対応す
るPSDと当該所定の波長νの逆数である周波数fとの
積PSD×fを算出し、この最大値を所定の値以下とし
ている。このため、ヘッドの飛行の障害となるウネリ成
分をなくすことができ、例えばTOHを4.5nm以下
とすることができる。さらに、このPSD×fの最大値
が所定の値以下であることを容易に確認することができ
る。
In the present embodiment, the surface shape of the information recording medium is measured in a predetermined area using an optical interferometer or an AFM probe, and a PSD corresponding to a predetermined wavelength ν along the circumferential direction and the PSD are measured. The product PSD × f with the frequency f, which is the reciprocal of the predetermined wavelength ν, is calculated, and the maximum value is set to a predetermined value or less. For this reason, it is possible to eliminate the undulation component that hinders the flight of the head, and for example, it is possible to reduce the TOH to 4.5 nm or less. Further, it can be easily confirmed that the maximum value of PSD × f is equal to or less than a predetermined value.

【0143】以下、図1のステップS11における検査
工程の第1の例を詳細に説明する。この例では、円周状
テクスチャーが形成された場合である。
Hereinafter, a first example of the inspection process in step S11 of FIG. 1 will be described in detail. In this example, a case where a circumferential texture is formed.

【0144】ステップS11の検査工程において、製造
されたハードディスク用媒体表面の0.1mm平方〜5
mm平方の領域における円周状テクスチャー近傍の表面
形状を光干渉計(Zygo社製、「ZygoNewview」)を
用いて、円周方向に沿って所定の波長νの範囲が0.1
〜5mmで測定し、ライン解析を行う。
In the inspection step of step S11, the surface of the manufactured hard disk medium is 0.1 mm square to 5 mm.
Using a light interferometer (“ZygoNewview”, manufactured by Zygo), the surface shape in the vicinity of the circumferential texture in the area of mm square is adjusted to have a predetermined wavelength ν in the range of 0.1 along the circumferential direction.
Measure at 55 mm and perform line analysis.

【0145】所定の領域を0.1mm平方〜5mm平方
とする理由は、光干渉計の視野エリアが、2.5倍の対
物レンズを用いた場合において、0.5倍のズーム機能
を用いたときに2406×1796μm2、1.0倍の
ズーム機能を用いたときに4390×3310μm2
あるからである。
The reason why the predetermined area is set to be 0.1 mm square to 5 mm square is that when the visual field area of the optical interferometer uses an objective lens of 2.5 times, the zoom function of 0.5 times is used. This is because 2406 × 1796 μm 2 , and 4390 × 3310 μm 2 when the 1.0 × zoom function is used.

【0146】ライン解析では、図11のような所定の波
長νに対応するPSDを算出し、算出された所定の波長
νに対応するPSDと、当該所定の波長νの逆数である
周波数fとの積PSD×fを算出する(図2参照)。そ
して、媒体表面のPSD×fの最大値が1600cm2
以下であることを確認し、最終製品として出荷する。
In the line analysis, a PSD corresponding to a predetermined wavelength ν as shown in FIG. 11 is calculated, and the PSD corresponding to the calculated predetermined wavelength ν and the frequency f which is the reciprocal of the predetermined wavelength ν are calculated. The product PSD × f is calculated (see FIG. 2). The maximum value of PSD × f on the medium surface is 1600 cm 2
Confirm the following and ship as a final product.

【0147】媒体表面のPSD×fの最大値を1600
cm2以下とすると、このようなハードディスク用媒体
のTOHが必然的に4.5nm以下となり、良好なメデ
ィア特性を持たせることができるからである。好ましく
は、PSD×fの最大値を1300cm2以下とするの
がよい。こうすることにより、ハードディスク用媒体の
TOHを4.0nm以下とすることができる。
The maximum value of PSD × f on the medium surface is 1600
When the density is set to not more than cm 2, the TOH of such a hard disk medium is inevitably 4.5 nm or less, so that good media characteristics can be provided. Preferably, the maximum value of PSD × f is 1300 cm 2 or less. By doing so, the TOH of the hard disk medium can be set to 4.0 nm or less.

【0148】以下、図1のステップS11における検査
工程の第2の例を詳細に説明する。
Hereinafter, a second example of the inspection process in step S11 of FIG. 1 will be described in detail.

【0149】ステップS11の検査工程において、製造
されたハードディスク用媒体表面の10μm平方〜20
0μm平方の領域における円周状テクスチャー近傍の表
面形状を、光干渉計を用いて円周方向に沿って所定の波
長νの範囲が10〜200μmで測定し、ライン解析を
行う。
In the inspection step of step S11, the surface of the manufactured hard disk medium is
The surface shape in the vicinity of the circumferential texture in the area of 0 μm square is measured along the circumferential direction using an optical interferometer at a predetermined wavelength ν range of 10 to 200 μm, and line analysis is performed.

【0150】所定の領域を10μm平方〜200μm平
方とする理由は、光干渉計の視野エリアが、50倍の対
物レンズおよび2倍のズーム機能を用いたときに62×
42μm2であるからである。
The reason why the predetermined area is 10 μm square to 200 μm square is that the field of view of the optical interferometer is 62 × when a 50 × objective lens and a 2 × zoom function are used.
This is because it is 42 μm 2 .

【0151】ライン解析では、図11のような所定の波
長νに対応するPSDを算出し、算出された所定の波長
νに対応するPSDと当該所定の波長νの逆数である周
波数fとの積PSD×fを算出する(図2参照)。
In the line analysis, a PSD corresponding to a predetermined wavelength ν as shown in FIG. 11 is calculated, and a product of the calculated PSD corresponding to the predetermined wavelength ν and a frequency f which is the reciprocal of the predetermined wavelength ν is calculated. Calculate PSD × f (see FIG. 2).

【0152】そして、媒体表面のPSD×fの最大値が
1100cm2以下であることを確認し、最終製品とし
て出荷する。
Then, it is confirmed that the maximum value of PSD × f on the medium surface is 1100 cm 2 or less, and the medium is shipped as a final product.

【0153】媒体表面のPSD×fの最大値が1100
cm2以下とすると、当該ハードディスクのTOHが必
然的に4.5nm以下となり、良好なメディア特性を持
たせることができるからである。好ましくは、ハードデ
ィスクのPSD×fの最大値を900cm2以下とする
のがよい。こうすることにより、当該ハードディスク用
媒体のTOHを4.0nm以下とすることができる。
The maximum value of PSD × f on the medium surface is 1100
When the density is set to not more than cm 2 , the TOH of the hard disk is inevitably set to 4.5 nm or less, so that good media characteristics can be provided. Preferably, the maximum value of PSD × f of the hard disk is 900 cm 2 or less. By doing so, the TOH of the hard disk medium can be set to 4.0 nm or less.

【0154】以下、図1のステップS11における検査
工程の第3の例を詳細に説明する。
Hereinafter, a third example of the inspection process in step S11 of FIG. 1 will be described in detail.

【0155】ステップS11の検査工程において、製造
されたハードディスク用媒体表面の1μm平方〜50μ
m平方の領域における円周状テクスチャー近傍の表面形
状を、AFM(ビーコ社(旧デジタルインスツルメンツ
社)製走査型プローブ顕微鏡「NanoscopeIV」)を用い
て、1〜50μmの波長範囲で測定し、円周方向に沿っ
てライン解析を行う。
In the inspection step of step S11, the surface of the manufactured hard disk medium is 1 μm square to 50 μm.
The surface shape in the vicinity of the circumferential texture in the area of m square is measured in the wavelength range of 1 to 50 μm using an AFM (scanning probe microscope “Nanoscope IV” manufactured by Beco (formerly Digital Instruments)). Perform line analysis along the direction.

【0156】所定の領域を1μm平方〜50μm平方と
する理由は、AFMの視野エリアが50×50μm2
あるからである。
The reason why the predetermined area is 1 μm square to 50 μm square is that the field of view of the AFM is 50 × 50 μm 2 .

【0157】ライン解析では、図11のような所定の波
長νに対応するPSDを算出し、算出された所定の波長
νに対応するPSDと当該所定の波長νの逆数である周
波数fとの積PSD×fを算出する(図2参照)。そし
て、媒体表面のPSD×fの最大値が100nm2以下
であることを確認し、最終製品として出荷する。
In the line analysis, a PSD corresponding to a predetermined wavelength ν as shown in FIG. 11 is calculated, and a product of the calculated PSD corresponding to the predetermined wavelength ν and a frequency f which is the reciprocal of the predetermined wavelength ν is calculated. Calculate PSD × f (see FIG. 2). Then, it is confirmed that the maximum value of PSD × f on the medium surface is 100 nm 2 or less, and the medium is shipped as a final product.

【0158】媒体表面のPSD×fの最大値が100n
2以下とすると、当該ハードディスクのTOHが必然
的に4.5nm以下となり、良好なメディア特性を持た
せることができるからである。好ましくは、ハードディ
スクのPSD×fの最大値を80nm2以下とするのが
よい。こうすることにより、当該ハードディスク用媒体
のTOHを4.0nm以下とすることができる。
The maximum value of PSD × f on the medium surface is 100 n
This is because, when it is set to m 2 or less, the TOH of the hard disk is inevitably 4.5 nm or less, and good media characteristics can be provided. Preferably, the maximum value of PSD × f of the hard disk is set to 80 nm 2 or less. By doing so, the TOH of the hard disk medium can be set to 4.0 nm or less.

【0159】上記検査工程の第1の例から第3の例によ
れば、ハードディスク用媒体表面の所定の領域における
円周状テクスチャーの表面形状を光干渉計またはAFM
を用いて測定し、PSD×fの最大値が所定の値以下で
あることを容易に確認できるので、磁気ヘッドの飛行の
障害となるウネリ成分の有無の検査が容易であり、TO
Hを低くすることができる。
According to the first to third examples of the inspection process, the surface shape of the circumferential texture in a predetermined area on the surface of the hard disk medium is determined by using an optical interferometer or an AFM.
And it can be easily confirmed that the maximum value of PSD × f is equal to or less than a predetermined value. Therefore, it is easy to inspect whether or not there is a swelling component which hinders the flight of the magnetic head.
H can be lowered.

【0160】上記検査工程の第1の例から第3の例にお
けるライン解析では、円周状テクスチャーに沿った複数
のラインについてPS(パワースペクトル)を抽出し、
抽出された結果を平均化するのが好ましい。これによ
り、ライン解析をより正確に行うことができる。AFM
では、例えば1024本までのラインについてPSを抽
出することができる。光干渉計では、例えば3次元の画
像に対するライン解析を行うこともできる。
In the line analysis in the first to third examples of the inspection process, PS (power spectrum) is extracted for a plurality of lines along the circumferential texture,
Preferably, the extracted results are averaged. Thereby, the line analysis can be performed more accurately. AFM
Then, for example, PS can be extracted for up to 1024 lines. In the optical interferometer, for example, line analysis can be performed on a three-dimensional image.

【0161】上記検査工程の第1の例から第3の例で
は、円周方向に沿ってライン解析するとしたが、半径方
向に沿ってライン解析してもよい。この場合は、円周方
向および半径方向に沿って実行したライン解析によって
得られた双方の結果を考慮することが好ましい。
In the first to third examples of the inspection process, the line analysis is performed along the circumferential direction. However, the line analysis may be performed along the radial direction. In this case, it is preferable to consider both results obtained by line analysis performed along the circumferential direction and the radial direction.

【0162】例えば、円周方向に沿って実行して得られ
たライン解析結果を低い数値に抑え、半径方向に沿って
得られたライン解析結果を高い数値になるようにする
と、ヘッド飛行方向に対して垂直方向に情報記録媒体の
表面形状が適度に荒れるので、揺らぎながら飛行するヘ
ッドに作用する抵抗を低減させることができる。
For example, if the line analysis result obtained along the circumferential direction is suppressed to a low numerical value and the line analysis result obtained along the radial direction is set to a high numerical value, the On the other hand, since the surface shape of the information recording medium is appropriately roughened in the vertical direction, the resistance acting on the head flying while fluctuating can be reduced.

【0163】しかしながら、半径方向に沿って得られた
ライン解析結果が高い数値になりすぎると、揺らぎなが
ら飛行するヘッドによって情報記録媒体の表面形状が摩
耗しやすくなると考えられる。したがって、ヘッドクラ
ッシュまでに要する時間がより長くなる程度の高い数値
がもっとも好ましい。
However, when the line analysis result obtained along the radial direction has an excessively high numerical value, it is considered that the surface shape of the information recording medium is likely to be worn by the head flying while fluctuating. Therefore, a numerical value as high as the time required for head crash becomes longer is most preferable.

【0164】また、上記検査工程の第1の例から第3の
例では、算出された所定の波長νに対応するPSDと当
該所定の波長νの逆数である周波数fとの積PSD×f
を算出することによりベースラインを水平にすることが
できるとしたが、2次元測定であるときは積PSD×f
2を算出すればよい。
In the first to third examples of the inspection process, the product PSD × f of the calculated PSD corresponding to the predetermined wavelength ν and the frequency f which is the reciprocal of the predetermined wavelength ν is used.
Is calculated, the baseline can be made horizontal. However, for two-dimensional measurement, the product PSD × f
What is necessary is just to calculate 2 .

【0165】上記検査工程の第1の例から第3の例は、
本製造方法における各工程を実行した後に実行すること
ができるのはいうまでもないが、特にステップS10の
成膜工程が実行される前に、本工程を実行してもよい。
The first to third examples of the inspection process are as follows:
Needless to say, this step can be executed after each step in the present manufacturing method is executed. However, this step may be executed before the film formation step in step S10 is executed.

【0166】以上、ハードディスク用媒体を主な例とし
て説明してきたが、もちろんこれに限られることなく、
光磁気ディスク、光ディスク等であってもよい。
In the above, the hard disk medium has been mainly described. However, the present invention is not limited to this.
It may be a magneto-optical disk, an optical disk, or the like.

【0167】[0167]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【0168】本発明者等は、図1の情報記録媒体の製造
方法にしたがって以下の工程を順に実行し、情報記録媒
体のサンプル1〜19および比較例1〜11を作製し
た。
The present inventors carried out the following steps in accordance with the method of manufacturing the information recording medium shown in FIG. 1 to produce samples 1 to 19 and comparative examples 1 to 11 of the information recording medium.

【0169】母材ガラス選択工程(ステップS1) 情報記録媒体用のガラス基板用の母材ガラスとして、S
iO2:66.0:mol%,Al23:11.0mo
l%,Li2O:8.0mol%,Na2O:9.0mo
l%,MgO:2.4mol%,CaO:3.6mol
%,K2O:0.2mol%,およびSrO:2.0m
ol%からなるアルミノシリケートガラスを選択した。
Base Glass Selection Step (Step S1) As a base glass for a glass substrate for an information recording medium,
iO 2 : 66.0: mol%, Al 2 O 3 : 11.0 mo
1%, Li 2 O: 8.0 mol%, Na 2 O: 9.0 mol
1%, MgO: 2.4 mol%, CaO: 3.6 mol
%, K 2 O: 0.2 mol%, and SrO: 2.0 m
Aluminosilicate glass consisting of ol% was selected.

【0170】シート状ガラス生産工程(ステップS2) 選択されたガラス基板用母材ガラスからフロート法によ
って、均一な厚みのシート状ガラスを生産した。
Sheet Glass Production Step (Step S2) A sheet glass having a uniform thickness was produced from the selected base glass for a glass substrate by a float method.

【0171】ワーク抜出工程(ステップS3) フロート法によって生産されたアルミノシリケート組成
のシート状ガラスを、超合金製のカッターを用いて、外
径96mm、内径24mmに沿って同時に切断し、外径
および内径が同心度のよいドーナッツ状のワークを抜き
出した。
Work Extraction Step (Step S3) Sheet glass of aluminosilicate composition produced by the float method is cut simultaneously along an outer diameter of 96 mm and an inner diameter of 24 mm using a superalloy cutter. And a donut-shaped work with good concentricity was extracted.

【0172】端面研磨加工工程(ステップS4) 次に、ワーク内外周の端面部に番手が#325、続いて
番手が#500のダイヤモンド砥粒を付着させた研削砥
石を用いて2段階からなる研削加工を施し、ワークを製
品寸法に正確に合わせた。この端面の研削加工を施すの
と同時に、研削砥石を用いて端面の面取り加工も施し、
所定のガラス基板製品寸法を得た。次いで、研削加工、
および面取り加工を施した後に、酸化セリウムを含有す
るスラリーを用いて端面に研磨加工を施し、端面の面取
り加工が施された面を滑らかにした。
End-Surface Polishing Step (Step S4) Next, grinding is performed in two steps using a grinding wheel having # 325 diamond and # 500 diamond abrasive adhered to the inner and outer peripheral end surfaces. Processing was performed, and the work was precisely adjusted to the product dimensions. At the same time as grinding this end face, also perform chamfering of the end face using a grinding wheel,
The specified glass substrate product dimensions were obtained. Next, grinding,
After the chamfering, the end face was polished using a slurry containing cerium oxide to smooth the chamfered face of the end face.

【0173】ラッピング加工工程(ステップS5) 番手が#600、続いて番手が#1000の、0.1〜
65質量%のアルミナ砥粒を含有するスラリーを研磨機
の金属定盤とワークの情報記録面との間に供給しなが
ら、該研磨機により同時にワークの上面および下面を2
段階からなるラッピング加工を施した。そして、水や洗
剤を用いて周波数が約48kHz、出力がlW/cm2
の超音波を付与しながら洗浄を行った。
In the lapping process (step S5), the number is # 600, and the number is # 1000.
While supplying a slurry containing 65% by mass of alumina abrasive grains between the metal platen of the polishing machine and the information recording surface of the work, the upper surface and the lower surface of the work are simultaneously removed by the polishing machine.
A wrapping process consisting of stages was applied. Then, using water or a detergent, the frequency is about 48 kHz, and the output is 1 W / cm 2.
The cleaning was performed while applying ultrasonic waves.

【0174】一次研磨加工工程(ステップS6) 次に、平均粒径が0.05〜1.6μm、固形分の濃度
が20質量%程度である酸化セリウムおよび酸化ランタ
ンを含有するランタノイド酸化物系スラリーを、研磨機
に供給しながらワークの情報記録面に一次研磨加工を施
した。ワークと接触する面に酸化セリウムを含浸させた
発泡ウレタン系樹脂からなる研磨パッドを貼り付けた研
磨機を用いて、この研磨パッドを介してワークに49N
(5kgf)程度の荷重をかけると共に、ワークの上面
および下面を同時に研磨し、ワークが所定の厚みになる
まで研磨機を稼働させた。
Primary Polishing Step (Step S6) Next, a lanthanoid oxide-based slurry containing cerium oxide and lanthanum oxide having an average particle diameter of 0.05 to 1.6 μm and a solid content of about 20% by mass. Was supplied to a polishing machine to perform primary polishing on the information recording surface of the work. Using a polishing machine in which a polishing pad made of urethane foam resin impregnated with cerium oxide is adhered to a surface that comes into contact with the work, 49 N is applied to the work through the polishing pad.
A load of about (5 kgf) was applied and the upper and lower surfaces of the work were simultaneously polished, and the polishing machine was operated until the work had a predetermined thickness.

【0175】そして、ワークに水や洗剤を用いて周波数
が約48kHz、出力がlW/cm 2の周波数の超音波
を付与しながら洗浄処理を施した。
Then, the frequency is adjusted by using water or detergent for the work.
Is about 48kHz, output is lW / cm TwoFrequency of ultrasound
While applying a cleaning treatment.

【0176】精密研磨加工工程(ステップS7) キャリアの自転の回転速度の範囲が、0.0166/秒
〜0.2833/秒(1〜17rpm)程度となるよう
に、上定盤回転数および下定盤回転数を調整して、ワー
クの上面および下面同時に精密研磨加工を施した。精密
研磨加工を施す際に、スウェードタイプの研磨パッドを
用いた。このスウェードタイプの研磨パッドにおけるナ
ップ層は、100%モデュラスの範囲が、4900〜2
4500kPa(50〜250kg/cm2)である樹
脂を溶融し発泡させたのちに、その最表面を削りとって
空孔を露出させることで製造される研磨部材であり、そ
の厚みは0.2〜lmm、その開口径は30〜100μ
mであった。また、このスウェードタイプの研磨パッド
におけるベース層は樹脂シートからなる。さらに、最大
粒径1〜5μm程度、平均粒径0.05〜1.6μm、
粒径1〜5μmの研磨剤の含有量が固形分全質量の0.
1〜65質量%程度の酸化セリウムおよび酸化ランタン
を主な成分とするランタノイド酸化物系スラリー、また
は微粒子状のシリカを含有するスラリーを用いた。
Precision Polishing Step (Step S7) The upper platen rotation speed and lower plate rotation speed are set so that the rotation speed of the carrier rotation is about 0.0166 / sec to 0.2833 / sec (1 to 17 rpm). The number of revolutions of the board was adjusted, and the upper and lower surfaces of the work were simultaneously subjected to precision polishing. When performing precision polishing, a suede type polishing pad was used. The nap layer in this suede type polishing pad has a 100% modulus range of 4900 to 2900.
It is a polishing member manufactured by melting and foaming a resin of 4500 kPa (50 to 250 kg / cm 2 ), and then shaving the outermost surface to expose pores. lmm, the opening diameter of which is 30-100μ
m. The base layer of the suede type polishing pad is made of a resin sheet. Further, the maximum particle size is about 1 to 5 μm, the average particle size is 0.05 to 1.6 μm,
The content of the abrasive having a particle size of 1 to 5 μm is 0.1% of the total mass of the solid content.
A lanthanoid oxide slurry containing about 1 to 65% by mass of cerium oxide and lanthanum oxide as a main component, or a slurry containing finely divided silica was used.

【0177】そして、精密研磨加工停止前にスラリーを
水に切り替えてリンスを施し、ワークを純水中に投入し
て周波数が約48kHz、出力がlW/cm2の超音波
を付与しながら純水洗浄、次いで純水のシャワーを施し
た。その後、40℃に保持したフッ化水素酸:0.01
質量%、およびフッ化アンモニウム:0.2質量%の混
合液であるバッファードフッ酸水溶液浴中に周波数が約
48kHz、出力がlW/cm2の超音波を付与しなが
ら1分間ワークを浸漬し、エッチング処理を施した。
Then, before stopping the precision polishing, the slurry was switched to water and rinsed, and the workpiece was put into pure water to apply pure water while applying ultrasonic waves having a frequency of about 48 kHz and an output of 1 W / cm 2. Washing followed by a shower of pure water. Then, hydrofluoric acid kept at 40 ° C .: 0.01
The work is immersed for 1 minute in a buffered hydrofluoric acid aqueous solution bath, which is a mixture of 0.2% by mass and ammonium fluoride: 0.2% by mass, while applying ultrasonic waves having a frequency of about 48 kHz and an output of 1 W / cm 2. And an etching process.

【0178】その後、ワークを40℃に保持した市販の
pHllのアルカリ性水溶液(株式会社ケミカルプロダ
クツ製「RBS25」)浴中に投入した後、周波数が約
48kHz、出力がlW/cm2の超音波を付与しなが
ら1分間浸漬した。このワークをアルカリ性水溶液浴中
から引き上げて、純水浴中に浸漬してリンスし、最後
に、ワークを純水浴中でリンスし、イソプロピルアルコ
ール浴中に周波数が約48kHzの超音波を2分間付与
しながら浸漬した後、イソプロピルアルコール蒸気中で
1分間乾燥させた。
Thereafter, the work was placed in a commercially available alkaline aqueous solution of pH 11 (“RBS25” manufactured by Chemical Products Co., Ltd.) maintained at 40 ° C., and ultrasonic waves having a frequency of about 48 kHz and an output of 1 W / cm 2 were applied. It was immersed for 1 minute while applying. This work is taken out of the alkaline aqueous solution bath, immersed in a pure water bath and rinsed, and finally, the work is rinsed in a pure water bath and ultrasonic waves having a frequency of about 48 kHz are applied in an isopropyl alcohol bath for 2 minutes. After immersion, it was dried in isopropyl alcohol vapor for 1 minute.

【0179】化学強化処理工程(ステップS8) 具体的には、まず、共に1級試薬でかつその比が4:6
の硝酸カリウムおよび硝酸ナトリウムからなると共に3
80℃に保持された混合熔融塩の中にワークを3時間浸
漬し、ワークの表面層にイオン交換による化学強化処理
を施し、化学強化処理を施したワークを徐冷し、純水浴
中に長時間浸漬した。
Chemical Strengthening Step (Step S8) Specifically, first, both are primary reagents and the ratio is 4: 6.
Consisting of potassium nitrate and sodium nitrate and 3
The work is immersed in the mixed molten salt kept at 80 ° C. for 3 hours, the surface layer of the work is subjected to chemical strengthening treatment by ion exchange, and the chemically strengthened work is gradually cooled, and then placed in a pure water bath. Soaked for hours.

【0180】スクラブ処理工程(ステップS9) 短冊状に切断したポリカーボネート系ポリウレタン製樹
脂の表面層を、ワークとの接触部の形状が短冊状にすべ
く両面テープで貼り合わせるようにして、円柱型ロール
に螺旋状に巻き付けたスクラブ用ウレタンスポンジを作
製した。ワークの円周方向に向かって、市販のスクラブ
洗浄装置が備える内周エッジ部でワークを挟持しながら
回転させ、2本のスクラブ用ウレタンスポンジでこの回
転しているワークを挟持して、10秒間ワーク表面にス
クラブ処理を施した。このとき、ワークの回転速度を5
/秒(300rpm)、スポンジの押付圧は39200
Pa(400g/cm2)とし、pHllの水酸化カリ
ウム水溶液をワークとスクラブ用ウレタンスポンジとの
間に30ml/minで供給した。
Scrubbing Step (Step S9) The surface layer of the polycarbonate-based polyurethane resin cut into a strip shape is bonded with a double-sided tape so that the shape of the contact portion with the work is made into a strip shape. The urethane sponge for scrub wound spirally was prepared. In the circumferential direction of the work, the work is rotated while pinching the work at the inner peripheral edge provided in the commercially available scrub cleaning device, and the rotating work is held between two scrub urethane sponges for 10 seconds. The work surface was scrubbed. At this time, the rotation speed of the work is set to 5
/ Sec (300 rpm), the pressing pressure of the sponge is 39200
Pa (400 g / cm 2 ) and a pH 11 aqueous potassium hydroxide solution were supplied at 30 ml / min between the work and the urethane sponge for scrubbing.

【0181】40℃に保持したpHllのアルカリ性水
溶液浴中にワークを1分間、周波数が約48kHz、出
力がlW/cm2の超音波を付与しながら浸漬した。こ
のワークをアルカリ性水溶液浴中から引き上げて、純水
浴中に浸漬してリンスし、アルカリ性水溶液を除去し
た。最後に、ワークを純水浴中でリンスし、イソプロピ
ルアルコール浴中に48kHzの周波数の超音波を付与
しながら2分間浸漬した後、イソプロピルアルコール蒸
気中で1分間乾燥させ、乾燥処理を施した。
The workpiece was immersed in a pH 11 alkaline aqueous solution bath maintained at 40 ° C. for 1 minute while applying ultrasonic waves having a frequency of about 48 kHz and an output of 1 W / cm 2 . The work was taken out of the alkaline aqueous solution bath, immersed in a pure water bath and rinsed to remove the alkaline aqueous solution. Finally, the work was rinsed in a pure water bath, immersed in an isopropyl alcohol bath for 2 minutes while applying ultrasonic waves at a frequency of 48 kHz, and then dried in isopropyl alcohol vapor for 1 minute to perform a drying treatment.

【0182】成膜加工工程(ステップS10) この情報記録媒体用ガラス基板上にスパッタリング法を
用いて、NiAl合金からなるシード層、CrMo合金
からなる下地層、CoCrPt合金からなる磁性層、お
よびC系保護膜を順次形成して成膜加工を施した。な
お、磁性層には円周状テクスチャー処理を施した。この
後、浸漬法を用いてパーフルオロポリエーテル系の潤滑
剤を塗布し、さらに表面にテープバーニッシュ処理を施
して、ハードディスク用媒体を製造した。
Film forming process (Step S10) A seed layer made of a NiAl alloy, an underlayer made of a CrMo alloy, a magnetic layer made of a CoCrPt alloy, and a C-based layer were formed on this information recording medium glass substrate by sputtering. A protective film was sequentially formed and a film forming process was performed. The magnetic layer was subjected to a circumferential texture treatment. Thereafter, a perfluoropolyether-based lubricant was applied using an immersion method, and a tape burnishing treatment was applied to the surface to produce a hard disk medium.

【0183】検査工程(ステップS11) 製造された情報記録媒体の情報記録面の所定の領域にお
ける表面形状を、NanoscopeIVの探針またはZygoNewview
を用いて円周方向に沿ってライン解析を行った。ライン
解析では、所定の波長νに対応するPSDと周波数fと
の積PSD×fを算出した(図2参照)。
Inspection Step (Step S11) The surface shape in a predetermined area of the information recording surface of the manufactured information recording medium is measured by a probe of Nanoscope IV or ZygoNewview.
Was used to perform line analysis along the circumferential direction. In the line analysis, a product PSD × f of the PSD corresponding to the predetermined wavelength ν and the frequency f was calculated (see FIG. 2).

【0184】ライン解析では、複数のラインに対して実
行したライン解析結果を平均化し、算出されたPSD×
fの最大値から、ヘッドの飛行の障害となるウネリ成分
の有無の評価を行った。評価した結果、情報記録媒体の
PSD×fの最大値が所定の値以下であることを確認し
た。TOHが4.5nm以下、より好ましくは4.0n
m以下の当該情報記録媒体とした。なお、上記所定の領
域および上記所定の値については、第2〜第4の実施例
で後述する。
In the line analysis, the results of the line analysis performed on a plurality of lines are averaged, and the calculated PSD ×
From the maximum value of f, the presence or absence of a swelling component that hinders the flight of the head was evaluated. As a result of the evaluation, it was confirmed that the maximum value of PSD × f of the information recording medium was equal to or less than a predetermined value. TOH is 4.5 nm or less, more preferably 4.0 n
m or less of the information recording medium. The predetermined area and the predetermined value will be described later in second to fourth embodiments.

【0185】以下、第1の実施例に係る情報記録媒体の
サンプル1〜19および比較例1〜11について、それ
ぞれ説明する。
Hereinafter, samples 1 to 19 and comparative examples 1 to 11 of the information recording medium according to the first embodiment will be described.

【0186】そして、図1のステップS11で実行され
た検査工程において、作製されたサンプル1〜19およ
び比較例1〜11のTOH〔nm〕、ファインスクラッ
チ〔有/無〕、研磨斑〔有/無〕、およびウネリの大き
さ〔nm〕を測定し、100%モデュラスで表記した樹
脂硬さ〔kPa(kg/cm2)〕とPSD×fの最大
値〔cm2〕との関係(サンプル1〜7,比較例1〜
3)、キャリアの自転の回転速度である〔/秒(rp
m)〕とPSD×fの最大値〔cm2〕との関係(サン
プル8〜12,比較例4〜6)、および研磨剤の最大粒
径〔μm〕とPSD×fの最大値〔nm2〕との関係
(サンプル13〜19,比較例7〜11)等を研究し
た。
In the inspection process executed in step S11 of FIG. 1, TOH [nm], fine scratch [presence / absence], and polishing spots [presence / absence] of the manufactured samples 1 to 19 and comparative examples 1 to 11 were obtained. No], and the size [nm] of the undulation was measured, and the relationship between the resin hardness [kPa (kg / cm 2 )] and the maximum value of PSD × f [cm 2 ] expressed in 100% modulus (Sample 1) ~ 7, Comparative Examples 1 ~
3) The rotation speed of the carrier rotation [/ sec (rp
m)] and the maximum value of PSD × f (cm 2 ) (samples 8 to 12, comparative examples 4 to 6), and the maximum particle size of the abrasive [μm] and the maximum value of PSD × f [nm 2] (Samples 13 to 19, Comparative Examples 7 to 11) and the like.

【0187】なお、TOH〔nm〕は、情報記録媒体の
回転速度を徐々に下げることによってヘッドの滑空高さ
を小さくし、そのときヘッドに装着したピエゾ信号検出
装置によりピエゾ信号の変化を検出し、信号出力が急激
に立ち上がったときの回転速度から算出した。
TOH [nm] reduces the gliding height of the head by gradually lowering the rotation speed of the information recording medium. At this time, a change in the piezo signal is detected by a piezo signal detecting device attached to the head. , Calculated from the rotation speed when the signal output sharply rises.

【0188】以下、研究における測定結果を表1に示
す。
Table 1 shows the measurement results in the study.

【0189】[0189]

【表1】 [Table 1]

【0190】[サンプル1]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが7840kPa(80kg/
cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの自転
の回転速度が0.1/秒(6rpm)の研磨機、および
平均粒径が1μmで、最大粒径が2μmで、かつ粒径が
1μm以上のものがスラリー固形分の3質量%である、
酸化セリウムを主な成分とするスラリー固形分を用い
た。このような精密研磨加工工程を実行して製造された
サンプル1の情報記録媒体は、ファインスクラッチがな
く、研磨斑がなく、TOHが4.4nmだった。
[Sample 1] In the precision polishing step, 100% modulus was 7840 kPa (80 kg /
cm 2 ) resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.1 / sec (6 rpm), an average particle size of 1 μm, a maximum particle size of 2 μm, and a particle size of 1 μm The above is 3% by mass of the solid content of the slurry.
A slurry solid containing cerium oxide as a main component was used. The information recording medium of Sample 1 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no uneven polishing, and had a TOH of 4.4 nm.

【0191】[サンプル2]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが8820kPa(90kg/
cm2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外は、
サンプル1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用い
た。このような精密研磨加工工程を実行して製造された
サンプル2の情報記録媒体は、ファインスクラッチがな
く、研磨斑がなく、TOHが4.0nmだった。
[Sample 2] In the precision polishing step, 100% modulus was 8820 kPa (90 kg /
cm 2 ) except that a polishing member made of resin was used.
The same polisher and slurry solids as Sample 1 were used. The information recording medium of Sample 2 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 4.0 nm.

【0192】[サンプル3]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが9800kPa(100kg
/cm2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外
は、サンプル1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用
いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造され
たサンプル3の情報記録媒体は、ファインスクラッチが
なく、研磨斑がなく、TOHが3.3nmだった。
[Sample 3] In the precision polishing step, the 100% modulus was 9800 kPa (100 kg).
/ Cm 2 ), except that a polishing member made of resin was used. The information recording medium of Sample 3 manufactured by executing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and TOH of 3.3 nm.

【0193】[サンプル4]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが11760kPa(120k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外
は、サンプル1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用
いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造され
たサンプル4の情報記録媒体は、ファインスクラッチが
なく、研磨斑がなく、TOHが3.2nmだった。
[Sample 4] In the precision polishing process, 100% modulus was 11760 kPa (120 kPa).
g / cm 2 ) except that a polishing member made of a resin was used. The information recording medium of Sample 4 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 3.2 nm.

【0194】[サンプル5]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが14700kPa(150k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外
は、サンプル1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用
いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造され
たサンプル5の情報記録媒体は、ファインスクラッチが
なく、研磨斑がなく、TOHが3.4nmだった。
[Sample 5] In the precision polishing step, 100% modulus was 14700 kPa (150 kPa).
g / cm 2 ) except that a polishing member made of a resin was used. The information recording medium of Sample 5 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and TOH of 3.4 nm.

【0195】[サンプル6]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが19600kPa(200k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外
は、サンプル1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用
いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造され
たサンプル6の情報記録媒体は、ファインスクラッチが
なく、研磨斑がなく、TOHが3.5nmだった。
[Sample 6] In the precision polishing step, 100% modulus was set to 19600 kPa (200 kPa).
g / cm 2 ) except that a polishing member made of a resin was used. The information recording medium of Sample 6 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 3.5 nm.

【0196】[サンプル7]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが24500kPa(250k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外
は、サンプル1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用
いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造され
たサンプル7の情報記録媒体は、ファインスクラッチが
なく、研磨斑がなく、TOHが4.0nmだった。
[Sample 7] In the precision polishing step, the 100% modulus was 24500 kPa (250 kPa).
g / cm 2 ) except that a polishing member made of a resin was used. The information recording medium of Sample 7 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and TOH of 4.0 nm.

【0197】[サンプル8]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが12740kPa(130k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの
自転の回転速度が0.0333/秒(2rpm)の研磨
機、および平均粒径が1μmで、最大粒径が2μmで、
かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の3質量
%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリー固形
分を用いた。このような精密研磨加工工程を実行して製
造されたサンプル8の情報記録媒体は、ファインスクラ
ッチがなく、研磨斑がなく、TOHが4.4nmだっ
た。
[Sample 8] In the precision polishing step, 100% modulus was 12740 kPa (130 kPa).
g / cm 2 ) resin, a polishing machine having a rotation speed of the carrier of 0.0333 / sec (2 rpm), an average particle diameter of 1 μm, a maximum particle diameter of 2 μm,
A slurry solid containing cerium oxide as a main component and having a particle diameter of 1 μm or more was 3% by mass of the slurry solid was used. The information recording medium of Sample 8 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 4.4 nm.

【0198】[サンプル9]精密研磨加工工程におい
て、キャリアの自転の回転速度が0.05/秒(3rp
m)の研磨機を用いた以外は、サンプル8と同じ樹脂か
ら作られる研磨部材およびスラリー固形分を用いた。こ
のような精密研磨加工工程を実行して製造されたサンプ
ル9の情報記録媒体は、ファインスクラッチがなく、研
磨斑がなく、TOHが4.0nmだった。
[Sample 9] In the precision polishing process, the rotation speed of the carrier was 0.05 / sec (3 rpm).
A polishing member made of the same resin as Sample 8 and a slurry solid content were used except that the polishing machine of m) was used. The information recording medium of Sample 9 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 4.0 nm.

【0199】[サンプル10]精密研磨加工工程におい
て、キャリアの自転の回転速度が0.0666/秒(4
rpm)の研磨機を用いた以外は、サンプル8と同じ樹
脂から作られる研磨部材およびスラリー固形分を用い
た。このような精密研磨加工工程を実行して製造された
サンプル10の情報記録媒体は、ファインスクラッチが
なく、研磨斑がなく、TOHが3.8nmだった。
[Sample 10] In the precision polishing step, the rotation speed of the carrier was 0.0666 / sec (4
A polishing member made of the same resin as that of Sample 8 and a slurry solid content were used except that a polishing machine (rpm) was used. The information recording medium of Sample 10 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 3.8 nm.

【0200】[サンプル11]精密研磨加工工程におい
て、キャリアの自転の回転速度が0.15/秒(9rp
m)の研磨機を用いた以外は、サンプル8と同じ樹脂か
ら作られる研磨部材およびスラリー固形分を用いた。こ
のような精密研磨加工工程を実行して製造されたサンプ
ル11の情報記録媒体は、ファインスクラッチがなく、
研磨斑がなく、TOHが3.6nmだった。
[Sample 11] In the precision polishing process, the rotation speed of the carrier was 0.15 / sec (9 rpm).
A polishing member made of the same resin as Sample 8 and a slurry solid content were used except that the polishing machine of m) was used. The information recording medium of Sample 11 manufactured by performing such a precision polishing process has no fine scratch,
There was no polishing unevenness, and TOH was 3.6 nm.

【0201】[サンプル12]精密研磨加工工程におい
て、キャリアの自転の回転速度が0.25/秒(15r
pm)の研磨機を用いた以外は、サンプル8と同じ樹脂
から作られる研磨部材およびスラリー固形分を用いた。
このような精密研磨加工工程を実行して製造されたサン
プル12の情報記録媒体は、ファインスクラッチがな
く、研磨斑がなく、TOHが3.5nmだった。
[Sample 12] In the precision polishing step, the rotation speed of the carrier was 0.25 / sec (15 rpm).
pm), except that a polishing member made of the same resin as in Sample 8 and a slurry solid content were used.
The information recording medium of Sample 12 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and TOH of 3.5 nm.

【0202】[サンプル13]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが11760kPa(120k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの
自転の回転速度が0.1/秒(6rpm)の研磨機、お
よび平均粒径が0.1μmで、最大粒径が1.1μm
で、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の
0.1質量%である、酸化セリウムを主な成分とするス
ラリー固形分を用いた。このような精密研磨加工工程を
実行して製造されたサンプル13の情報記録媒体は、フ
ァインスクラッチがなく、研磨斑がなく、TOHが3.
4nmだった。
[Sample 13] In the precision polishing step, 100% modulus was 11760 kPa (120 kPa).
g / cm 2 ) resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.1 / sec (6 rpm), an average particle size of 0.1 μm, and a maximum particle size of 1.1 μm
In addition, a slurry solid containing cerium oxide as a main component and having a particle size of 1 μm or more was 0.1% by mass of the slurry solid was used. The information recording medium of Sample 13 manufactured by performing such a precision polishing process has no fine scratches, no polishing unevenness, and has a TOH of 3.
It was 4 nm.

【0203】[サンプル14]精密研磨加工工程におい
て、平均粒径が1μmで、最大粒径が1.9μmで、か
つ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の3質量%
である、酸化セリウムを主な成分とするスラリー固形分
を用いた以外は、サンプル13と同じ樹脂から作られる
研磨部材および研磨機を用いた。このような精密研磨加
工工程を実行して製造されたサンプル14の情報記録媒
体は、ファインスクラッチがなく、研磨斑がなく、TO
Hが3.5nmだった。
[Sample 14] In the precision polishing step, a sample having an average particle size of 1 μm, a maximum particle size of 1.9 μm, and a particle size of 1 μm or more accounted for 3% by mass of the solid content of the slurry.
A polishing member and a polishing machine made of the same resin as Sample 13 were used except that a slurry solid containing cerium oxide as a main component was used. The information recording medium of Sample 14 manufactured by performing such a precision polishing process has no fine scratches, no polishing unevenness, and a TO
H was 3.5 nm.

【0204】[サンプル15]精密研磨加工工程におい
て、平均粒径が0.5μmで、最大粒径が1.5μm
で、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の9
質量%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリー
固形分を用いた以外は、サンプル13と同じ樹脂から作
られる研磨部材および研磨機を用いた。このような精密
研磨加工工程を実行して製造されたサンプル15の情報
記録媒体は、ファインスクラッチがなく、研磨斑がな
く、TOHが3.8nmだった。
[Sample 15] In the precision polishing step, the average particle size was 0.5 μm and the maximum particle size was 1.5 μm.
With a particle size of 1 μm or more
A polishing member and a polishing machine made of the same resin as in Sample 13 were used except that a slurry solid content containing cerium oxide as a main component, which was a mass%, was used. The information recording medium of Sample 15 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 3.8 nm.

【0205】[サンプル16]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが19600kPa(200k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの
自転の回転速度が0.25/秒(15rpm)の研磨
機、および平均粒径が0.1μmで、最大粒径が1.1
μmで、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分
の0.1質量%である、酸化セリウムを主な成分とする
スラリー固形分を用いた。このような精密研磨加工工程
を実行して製造されたサンプル16の情報記録媒体は、
ファインスクラッチがなく、研磨斑がなく、TOHが
3.6nmだった。
[Sample 16] In the precision polishing step, the 100% modulus was set to 19600 kPa (200 kPa).
g / cm 2 ) of a resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.25 / sec (15 rpm), an average particle size of 0.1 μm, and a maximum particle size of 1.1.
A slurry solid containing cerium oxide as a main component and having a particle size of 1 μm or more and having a particle size of 1 μm or more was 0.1% by mass of the slurry solid. The information recording medium of the sample 16 manufactured by performing such a precision polishing process includes:
There was no fine scratch, no polishing unevenness, and TOH was 3.6 nm.

【0206】[サンプル17]精密研磨加工工程におい
て、平均粒径が0.03μmで、最大粒径が0.1μm
であり、かつ粒径が1μm以上のものを含まないシリカ
を主な成分とするスラリー固形分を用いた以外は、サン
プル16と同じ樹脂から作られる研磨部材および研磨機
を用いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造
されたサンプル17の情報記録媒体は、ファインスクラ
ッチがなく、研磨斑がなく、TOHが3.3nmだっ
た。
[Sample 17] In the precision polishing step, the average particle size was 0.03 μm and the maximum particle size was 0.1 μm.
A polishing member and a polishing machine made of the same resin as Sample 16 were used except that a slurry solid containing silica as a main component not containing particles having a particle size of 1 μm or more was used. The information recording medium of Sample 17 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and had a TOH of 3.3 nm.

【0207】[サンプル18]精密研磨加工工程におい
て、平均粒径が0.1μmで、最大粒径が0.15μm
であり、かつ粒径が1μm以上のものを含まないシリカ
を主な成分とするスラリー固形分を用いた以外は、サン
プル16と同じ樹脂から作られる研磨部材および研磨機
を用いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造
されたサンプル18の情報記録媒体は、ファインスクラ
ッチがなく、研磨斑がなく、TOHが3.3nmだっ
た。
[Sample 18] In the precision polishing step, the average particle size was 0.1 μm and the maximum particle size was 0.15 μm.
A polishing member and a polishing machine made of the same resin as Sample 16 were used except that a slurry solid containing silica as a main component not containing particles having a particle size of 1 μm or more was used. The information recording medium of Sample 18 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and TOH of 3.3 nm.

【0208】[サンプル19]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが12740kPa(130k
g/cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの
自転の回転速度が0.2/秒(12rpm)の研磨機、
および平均粒径が0.5μmで、最大粒径が2.5μm
で、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の1
8質量%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリ
ー固形分を用いた。このような精密研磨加工工程を実行
して製造されたサンプル19の情報記録媒体は、ファイ
ンスクラッチがなく、研磨斑がなく、TOHが3.8n
mだった。
[Sample 19] In the precision polishing step, 100% modulus was 12740 kPa (130 kPa).
g / cm 2 ) resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.2 / sec (12 rpm),
And the average particle size is 0.5 μm and the maximum particle size is 2.5 μm
And having a particle size of 1 μm or more is 1% of the solid content of the slurry.
A slurry solid content of 8% by mass containing cerium oxide as a main component was used. The information recording medium of Sample 19 manufactured by performing such a precision polishing process has no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 3.8 n.
m.

【0209】[比較例1]精密研磨加工工程において、
100%モデュラスが4900kPa(50kg/cm
2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの自転の回
転速度が0.05/秒(3rpm)の研磨機、および平
均粒径が1μmで、最大粒径が2μmで、かつ粒径が1
μm以上のものがスラリー固形分の3質量%である、酸
化セリウムを主な成分とするスラリー固形分を用いた。
このような精密研磨加工工程を実行して製造された比較
例1の情報記録媒体は、ファインスクラッチがなく、研
磨斑がなく、TOHが6.2nmだった。
[Comparative Example 1] In the precision polishing process,
100% Modulus is 4900 kPa (50 kg / cm
2 ) a polishing member made of the resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.05 / sec (3 rpm), an average particle diameter of 1 μm, a maximum particle diameter of 2 μm, and a particle diameter of 1 μm.
A slurry solid containing cerium oxide as a main component and having a size of 3 μm or more was 3% by mass of the slurry solid was used.
The information recording medium of Comparative Example 1 manufactured by performing such a precision polishing step had no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 6.2 nm.

【0210】[比較例2]精密研磨加工工程において、
100%モデュラスが5880kPa(60kg/cm
2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外は、比較
例1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用いた。この
ような精密研磨加工工程を実行して製造された比較例2
の情報記録媒体は、ファインスクラッチがなく、研磨斑
がなく、TOHが5.9nmだった。
[Comparative Example 2] In the precision polishing step,
The 100% modulus is 5880 kPa (60 kg / cm
The same polishing machine and the same slurry solid content as those of Comparative Example 1 were used except that a polishing member made of the resin of 2 ) was used. Comparative Example 2 manufactured by performing such a precision polishing process
No. information recording medium had no fine scratches, no polishing unevenness, and had a TOH of 5.9 nm.

【0211】[比較例3]精密研磨加工工程において、
100%モデュラスが6860kPa(70kg/cm
2)の樹脂から作られる研磨部材を用いた以外は、比較
例1と同じ研磨機およびスラリー固形分を用いた。この
ような精密研磨加工工程を実行して製造された比較例3
の情報記録媒体は、ファインスクラッチがなく、研磨斑
がなく、TOHが5.1nmだった。
[Comparative Example 3] In the precision polishing step,
The 100% modulus is 6860 kPa (70 kg / cm
The same polishing machine and the same slurry solid content as those of Comparative Example 1 were used except that a polishing member made of the resin of 2 ) was used. Comparative Example 3 manufactured by performing such a precision polishing process
No. information recording medium had no fine scratches, no polishing unevenness, and had a TOH of 5.1 nm.

【0212】[比較例4]精密研磨加工工程において、
100%モデュラスが7840kPa(80kg/cm
2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの自転の回
転速度が0.0166/秒(1rpm)の研磨機、およ
び平均粒径が1μmで、最大粒径が2μmで、かつ粒径
が1μm以上のものがスラリー固形分の3質量%であ
る、酸化セリウムを主な成分とするスラリー固形分を用
いた。このような精密研磨加工工程を実行して製造され
た比較例4の情報記録媒体は、ファインスクラッチがあ
り、研磨斑がなく、TOHが5.5nmだった。
[Comparative Example 4] In the precision polishing process,
100% modulus is 7840 kPa (80 kg / cm
2 ) A polishing member made of the resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.0166 / sec (1 rpm), an average particle size of 1 μm, a maximum particle size of 2 μm, and a particle size of 1 μm or more Is a slurry solid content containing cerium oxide as a main component, which is 3% by mass of the slurry solid content. The information recording medium of Comparative Example 4 manufactured by performing such a precision polishing process had fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 5.5 nm.

【0213】[比較例5]精密研磨加工工程において、
キャリアの自転の回転速度が0.2833/秒(17r
pm)の研磨機を用いた以外は、比較例4と同じ樹脂か
ら作られる研磨部材およびスラリー固形分を用いた。こ
のような精密研磨加工工程を実行して製造された比較例
5の情報記録媒体は、ファインスクラッチがあり、研磨
斑がなく、TOHが5.0nmだった。
[Comparative Example 5] In the precision polishing step,
The rotation speed of the carrier rotation is 0.2833 / sec (17r
pm), except that a polishing member made of the same resin as in Comparative Example 4 and a slurry solid content were used. The information recording medium of Comparative Example 5 manufactured by performing such a precision polishing process had fine scratches, no polishing unevenness, and TOH of 5.0 nm.

【0214】[比較例6]精密研磨加工工程において、
キャリアの自転の回転速度が0.333/秒(20rp
m)の研磨機を用いた以外は、比較例4と同じ樹脂から
作られる研磨部材およびスラリー固形分を用いた。この
ような精密研磨加工工程を実行して製造された比較例6
の情報記録媒体は、ファインスクラッチがなく、研磨斑
が有り、TOHが5.1nmだった。
[Comparative Example 6] In the precision polishing step,
The rotation speed of the carrier rotation is 0.333 / sec (20 rpm).
A polishing member and a slurry solid made of the same resin as in Comparative Example 4 were used except that the polishing machine of m) was used. Comparative Example 6 manufactured by performing such a precision polishing process
The information recording medium No. had no fine scratches, had uneven polishing, and had a TOH of 5.1 nm.

【0215】[比較例7]精密研磨加工工程において、
100%モデュラスが7840kPa(80kg/cm
2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの自転の回
転速度が0.0333/秒(2rpm)の研磨機、およ
び平均粒径が0.05μmで、最大粒径が1μmで、か
つ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の0.1質
量%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリー固
形分を用いた。このような精密研磨加工工程を実行して
製造された比較例7の情報記録媒体は、ファインスクラ
ッチがなく、研磨斑がなく、TOHが5.5nmだっ
た。
[Comparative Example 7] In the precision polishing step,
100% modulus is 7840 kPa (80 kg / cm
2 ) a polishing member made of the resin, a polishing machine having a carrier rotation speed of 0.0333 / sec (2 rpm), an average particle size of 0.05 μm, a maximum particle size of 1 μm, and a particle size of A slurry solid containing cerium oxide as a main component and having a particle size of 1 μm or more was 0.1% by mass of the slurry solid was used. The information recording medium of Comparative Example 7 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no uneven polishing, and had a TOH of 5.5 nm.

【0216】[比較例8]精密研磨加工工程において、
キャリアの自転の回転速度が0.15/秒(9rpm)
の研磨機、および平均粒径が1.5μmで、最大粒径が
5μmで、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形
分の65質量%である、酸化セリウムを主な成分とする
スラリー固形分を用いた以外は、比較例7と同じ樹脂か
ら作られる研磨部材を用いた。このような精密研磨加工
工程を実行して製造された比較例8の情報記録媒体は、
ファインスクラッチがなく、研磨斑があり、TOHが
5.7nmだった。
[Comparative Example 8] In the precision polishing step,
The rotation speed of carrier rotation is 0.15 / sec (9 rpm)
A polisher having an average particle size of 1.5 μm, a maximum particle size of 5 μm, and a particle size of 1 μm or more is 65 mass% of the slurry solid content, and a slurry solid containing cerium oxide as a main component. A polishing member made of the same resin as that of Comparative Example 7 was used except that the amount of the abrasive was used. The information recording medium of Comparative Example 8 manufactured by performing such a precision polishing process is:
There was no fine scratch, there was a polishing unevenness, and TOH was 5.7 nm.

【0217】[比較例9]精密研磨加工工程において、
100%モデュラスが11760kPa(120kg/
cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの自転
の回転速度が0.1/秒(6rpm)の研磨機、および
平均粒径が1.6μmで、最大粒径が3.3μmで、か
つ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の40質量
%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリー固形
分を用いた。このような精密研磨加工工程を実行して製
造された比較例9の情報記録媒体は、ファインスクラッ
チがなく、研磨斑がなく、TOHが4.9nmだった。
[Comparative Example 9] In the precision polishing step,
The 100% modulus is 11760 kPa (120 kg /
polishing member made of resin cm 2), the polishing machine rotating speed of 0.1 / sec rotation of the carrier (6 rpm), and the average particle size is at 1.6 [mu] m, maximum particle size at 3.3 [mu] m, and A slurry solid having cerium oxide as a main component and having a particle size of 1 μm or more was 40% by mass of the slurry solid. The information recording medium of Comparative Example 9 manufactured by performing such a precision polishing process had no fine scratches, no polishing unevenness, and TOH was 4.9 nm.

【0218】[比較例10]精密研磨加工工程におい
て、平均粒径が0.5μmで、最大粒径が3.2μm
で、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の2
2質量%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリ
ー固形分を用いた以外は、比較例9と同じ樹脂から作ら
れる研磨部材および研磨剤を用いた。このような精密研
磨加工工程を実行して製造された比較例10の情報記録
媒体は、ファインスクラッチがあり、研磨斑がなく、T
OHが4.8nmだった。
Comparative Example 10 In the precision polishing step, the average particle size was 0.5 μm and the maximum particle size was 3.2 μm.
Having a particle size of 1 μm or more
An abrasive member and an abrasive made of the same resin as in Comparative Example 9 were used, except that a slurry solid content of cerium oxide as a main component, which was 2% by mass, was used. The information recording medium of Comparative Example 10 manufactured by performing such a precision polishing process has fine scratches, no polishing unevenness,
OH was 4.8 nm.

【0219】[比較例11]精密研磨加工工程におい
て、100%モデュラスが7840kPa(80kg/
cm2)の樹脂から作られる研磨部材、キャリアの自転
の回転速度が0.0666/秒(4rpm)の研磨機、
および平均粒径が0.5μmで、最大粒径が3.1μm
で、かつ粒径が1μm以上のものがスラリー固形分の1
8質量%である、酸化セリウムを主な成分とするスラリ
ー固形分を用いた。このような精密研磨加工工程を実行
して製造された比較例11の情報記録媒体は、ファイン
スクラッチがなく、研磨斑がなく、TOHが5.3nm
だった。
[Comparative Example 11] In the precision polishing step, 100% modulus was 7840 kPa (80 kg /
a polishing member made of a resin of 2 cm 2 ), a polishing machine having a rotation speed of rotation of the carrier of 0.0666 / sec (4 rpm),
And an average particle size of 0.5 μm and a maximum particle size of 3.1 μm
And having a particle size of 1 μm or more is one of the slurry solid content.
A slurry solid content of 8% by mass containing cerium oxide as a main component was used. The information recording medium of Comparative Example 11 manufactured by performing such a precision polishing process has no fine scratches, no polishing unevenness, and a TOH of 5.3 nm.
was.

【0220】サンプル1〜7および比較例1〜3によれ
ば、表1,2および図3に示したように、100%モデ
ュラスで表記される樹脂硬さを表す〔kPa(kg/c
2)〕とPSD×fの最大値〔cm2〕との関係から、
TOHが4.5nm以下に相当するPSD×fの最大値
が1600cm2以下となるようにするためには、樹脂
の100%モデュラスが7840〜24500kPa
(80〜250kg/cm2)であればよいことが分か
った。また、より好ましくは、樹脂の100%モデュラ
スを9800〜19600kPa(100〜200kg
/cm2)とすれば、TOHが3.5nm以下に相当す
るPSD×fの最大値が900cm2以下とすることが
できることが分かった。
According to Samples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, as shown in Tables 1 and 2 and FIG. 3, the resin hardness represented by 100% modulus was expressed as [kPa (kg / c
m 2 )] and the maximum value of PSD × f [cm 2 ],
In order for the maximum value of PSD × f corresponding to TOH of 4.5 nm or less to be 1600 cm 2 or less, the 100% modulus of the resin should be 7840 to 24500 kPa.
(80 to 250 kg / cm 2 ). More preferably, the 100% modulus of the resin is 9800 to 19600 kPa (100 to 200 kg).
/ Cm 2 ), it was found that the maximum value of PSD × f corresponding to TOH of 3.5 nm or less can be 900 cm 2 or less.

【0221】これは、100%モデュラスが大きいほ
ど、ナップ層の表面層が変形しにくく、樹脂を形成する
分子の分子構造において非晶部の割合が減少し結晶部の
割合が増加する、すなわちナップ層の表面層が微視的な
構造において硬くなるので、ワークの情報記録面のウネ
リ成分を除去することができるからである、と考えられ
る。
The reason for this is that the larger the 100% modulus, the more difficult the surface layer of the nap layer is to be deformed, and the ratio of the amorphous portion and the ratio of the crystal portion in the molecular structure of the molecules forming the resin are increased. It is considered that because the surface layer of the layer becomes hard in a microscopic structure, it is possible to remove undulation components on the information recording surface of the work.

【0222】一方、樹脂の100%モデュラスが大きす
ぎると、発泡体を均質かつ平坦に成型することが困難に
なると共に、ファインスクラッチが発生しやすくなるか
らである、と考えられる。すなわち、100%モデュラ
スが9800〜19600kPa(100〜200kg
/cm2)の範囲では、ナップ層の表面層の微視的な硬
度が十分に大きく、かつ均質性が高いので、ウネリを最
も除去することができたからである、と考えられる。
On the other hand, it is considered that if the 100% modulus of the resin is too large, it is difficult to mold the foam uniformly and flatly, and fine scratches are likely to occur. That is, the 100% modulus is 9800 to 19600 kPa (100 to 200 kg).
/ Cm 2 ), the microscopic hardness of the surface layer of the nap layer is sufficiently large and the homogeneity is high, so that it is possible to remove the undulations most.

【0223】サンプル8〜12および比較例4〜6によ
れば、表1,3および図4に示したように、キャリアの
自転の回転速度〔/秒(rpm)〕とPSD×fの最大
値〔cm2〕との関係から、TOHが4.5nm以下に
相当するPSD×fの最大値が1100cm2以下とな
るようにするためには、キャリアの自転の回転速度を
0.0333/秒〜0.25/秒(2rpm〜15rp
m)とすればよいことが分かった。
According to Samples 8 to 12 and Comparative Examples 4 to 6, as shown in Tables 1 and 3 and FIG. 4, the rotation speed [/ sec (rpm)] of the rotation of the carrier and the maximum value of PSD × f were obtained. From the relationship with [cm 2 ], in order for the maximum value of PSD × f corresponding to TOH of 4.5 nm or less to be 1100 cm 2 or less, the rotation speed of the carrier rotation is 0.0333 / sec. 0.25 / sec (2 rpm to 15 rpm
m).

【0224】これは、キャリア自転の回転速度を0.0
333/秒(2rpm)未満としたときは、研磨パッド
がワークに精密研磨加工を一定方向に施す時間が相対的
に長くなり、波長が10〜50μmのウネリ成分が発生
しやすくなったからであると考えられる。また、キャリ
アの自転の回転速度が0.25/秒(15rpm)を超
えると、研磨機やキャリアにかかる負担が大きくなり、
キャリアがスムーズに回転しなくなる。このため、ワー
クの表面にウネリ成分やファインスクラッチが発生した
ものと考えられる。
This is because the rotation speed of the carrier rotation is 0.0
When the rate is less than 333 / sec (2 rpm), the time required for the polishing pad to perform precision polishing on the work in a certain direction becomes relatively long, and undulation components having a wavelength of 10 to 50 μm are easily generated. Conceivable. When the rotation speed of the carrier exceeds 0.25 / sec (15 rpm), the load on the polishing machine and the carrier increases,
The carrier does not rotate smoothly. Therefore, it is considered that undulation components and fine scratches occurred on the surface of the work.

【0225】サンプル13〜19および比較例7〜11
によれば、表1,4および図5に示したように、研磨剤
の最大粒径〔μm〕とPSD×fの最大値〔nm2〕と
の関係から、TOHが4.5nm以下に相当するPSD
×fの最大値が100nm2以下となるようにするため
には、研磨剤の最大粒径を2.5μm程度以下とすれば
よいことが分かった。これにより、ウネリ成分を減少さ
せることができると共に、研磨斑やファインスクラッチ
等の発生を防止することができる。
Samples 13 to 19 and Comparative Examples 7 to 11
According to Table 1, as shown in Tables 1 and 4 and FIG. 5, from the relationship between the maximum particle size [μm] of the abrasive and the maximum value [nm 2 ] of PSD × f, TOH is equivalent to 4.5 nm or less. PSD
It has been found that the maximum particle size of the abrasive should be about 2.5 μm or less in order to make the maximum value of × f 100 nm 2 or less. Thereby, the undulation component can be reduced and the occurrence of polishing unevenness, fine scratches, and the like can be prevented.

【0226】また、表1,4および図6に示したよう
に、スラリー固形分のうち粒径1μm以上の研磨剤が占
める割合〔質量%〕とPSD×fの最大値〔nm2〕と
の関係から、TOHが4.5nm以下に相当するPSD
×fの最大値が100nm2以下となるようにするため
には、研磨剤の粒径が1〜2.5μm程度のものをスラ
リー固形分全質量の10%程度とすればよいことが分か
った。これにより、ウネリ成分を減少させることができ
る。
Further, as shown in Tables 1 and 4 and FIG. 6, the ratio [mass%] of the abrasive having a particle size of 1 μm or more in the slurry solid content to the maximum value of PSD × f [nm 2 ] was determined. From the relationship, PSD corresponding to TOH of 4.5 nm or less
In order to make the maximum value of xf equal to or less than 100 nm 2 , it was found that the abrasive having a particle size of about 1 to 2.5 μm should be about 10% of the total mass of the slurry solids. . Thereby, the undulation component can be reduced.

【0227】さらに、サンプル17〜19および比較例
7によれば、表1に示したように、微粒子状のシリカを
含有するスラリー用いたときに、シリカの平均粒径およ
び最大粒径が小さくても研磨斑がないことから、凝集等
を起こすことがないことが分かった。
Further, according to Samples 17 to 19 and Comparative Example 7, as shown in Table 1, when a slurry containing finely divided silica was used, the average particle size and the maximum particle size of silica were small. Also, since there was no polishing unevenness, it was found that aggregation did not occur.

【0228】以下、第2の実施例を説明する。Hereinafter, a second embodiment will be described.

【0229】図1のステップS11で実行された検査工
程において、第1の実施例に係る情報記録媒体のサンプ
ル(サンプル1〜7,比較例1〜3)の0.1mm平方
〜5mm平方における円周状テクスチャー近傍の表面形
状を、ZygoNewviewを用いて円周方向に沿って所定の波
長νの範囲が0.1〜5mmで測定し、平均ウネリWa
〔nm〕を測定し、サンプルの平均ウネリWa〔nm〕
とTOH〔nm〕との関係、およびPSD×fの最大値
〔cm2〕とTOH〔nm〕との関係について研究し
た。ライン解析では、円周状テクスチャーに沿って探針
を用いて測定し、1024本のラインについてPS(パ
ワースペクトル)を抽出し、抽出された結果を平均化し
た。
In the inspection process executed in step S11 of FIG. 1, the circle of the information recording medium samples (samples 1 to 7 and comparative examples 1 to 3) of 0.1 mm square to 5 mm square in the first embodiment was used. The surface shape in the vicinity of the circumferential texture was measured along the circumferential direction using ZygoNewview in a range of a predetermined wavelength ν of 0.1 to 5 mm, and the average undulation Wa was measured.
[Nm] and the average undulation Wa [nm] of the sample.
And the relationship between TOH [nm] and the maximum value of PSD × f [cm 2 ] and TOH [nm] were studied. In the line analysis, measurement was performed using a probe along the circumferential texture, PS (power spectrum) was extracted for 1024 lines, and the extracted results were averaged.

【0230】以下、測定された結果を表2および図7に
示す。
Hereinafter, the measured results are shown in Table 2 and FIG.

【0231】[0231]

【表2】 [Table 2]

【0232】測定された結果から、図7(a)に示され
た平均ウネリWa〔nm〕とTOH〔nm〕との関係か
らは、それらの相関関係を何ら見出すことができなかっ
たのに対して、図7(b)に示されたPSD×fの最大
値〔cm2〕とTOH〔nm〕との関係からは、それら
の相関関係が比例関係であることを見出すことができ
た。
From the measured results, no correlation could be found from the relationship between the average swell Wa [nm] and TOH [nm] shown in FIG. 7 (a). From the relationship between the maximum value of PSD × f [cm 2 ] and TOH [nm] shown in FIG. 7B, it was found that their correlation was proportional.

【0233】第2の実施例によれば、PSD×fの最大
値〔cm2〕とTOH〔nm〕との相関関係が比例関係
であるので、TOHが4.5nm以下の優れたメディア
特性を持つ情報記録媒体とするためには、PSD×fの
最大値が1600cm2以下の値とすればよいことが分
かった。また、より好ましくは、PSD×fの最大値を
1300cm2以下の値とすると、TOHが4.0nm
以下である、より優れたメディア特性を持つ情報記録媒
体にできることが分かった。
According to the second embodiment, since the correlation between the maximum value [cm 2 ] of PSD × f and TOH [nm] is proportional, excellent media characteristics with TOH of 4.5 nm or less are obtained. It has been found that the maximum value of PSD × f should be 1600 cm 2 or less in order to use the information recording medium. More preferably, when the maximum value of PSD × f is a value of 1300 cm 2 or less, TOH is 4.0 nm.
It has been found that an information recording medium having the following superior media characteristics can be obtained.

【0234】以下、第3の実施例を説明する。Hereinafter, a third embodiment will be described.

【0235】図1のステップS11で実行された検査工
程において、第1の実施例に係る情報記録媒体のサンプ
ル8〜12および比較例4〜6の10μm平方〜200
μm平方における円周状テクスチャー近傍の表面形状を
ZygoNewviewを用いて、円周方向に沿って所定の波長ν
の範囲が10〜200μmで測定し、平均ウネリWa
〔nm〕を測定し、サンプルの平均ウネリWa〔nm〕
とTOH〔nm〕との関係、およびPSD×fの最大値
〔cm2〕とTOH〔nm〕との関係について研究し
た。ライン解析では、円周状テクスチャーに沿って探針
を用いて測定し、256本のラインについてPS(パワ
ースペクトル)を抽出し、抽出された結果を平均化し
た。
In the inspection process performed in step S11 of FIG. 1, the samples 8 to 12 of the information recording medium according to the first embodiment and the 10 μm square to 200 μm of the comparative examples 4 to 6 were used.
The surface shape near the circumferential texture in μm square
Using ZygoNewview, a predetermined wavelength ν along the circumferential direction
Is measured in the range of 10 to 200 μm, and the average undulation Wa
[Nm] and the average undulation Wa [nm] of the sample.
And the relationship between TOH [nm] and the maximum value of PSD × f [cm 2 ] and TOH [nm] were studied. In the line analysis, measurement was performed using a probe along the circumferential texture, PS (power spectrum) was extracted for 256 lines, and the extracted results were averaged.

【0236】以下、測定された結果を表3および図8に
示す。
The measured results are shown in Table 3 and FIG.

【0237】[0237]

【表3】 [Table 3]

【0238】測定された結果から、図8(a)に示され
た平均ウネリWa〔nm〕とTOH〔nm〕との関係か
らは、それらの相関関係を何ら見出すことができなかっ
たのに対して、図8(b)に示されたPSD×fの最大
値〔cm2〕とTOH〔nm〕との関係からは、それら
の相関関係が比例関係であることを見出すことができ
た。
From the measured results, no correlation could be found from the relationship between the average undulation Wa [nm] and the TOH [nm] shown in FIG. 8 (a). From the relationship between the maximum value of PSD × f [cm 2 ] and TOH [nm] shown in FIG. 8B, it was found that their correlation was proportional.

【0239】第3の実施例によれば、PSD×fの最大
値〔cm2〕とTOH〔nm〕との相関関係が比例関係
であるので、TOHが4.5nm以下の優れたメディア
特性を持つ情報記録媒体とするためには、PSD×fの
最大値を1100cm2以下の値とすればよいことが分
かった。また、より好ましくは、PSD×fの最大値を
900cm2以下の値とすると、TOHが4.0nm以
下である、より優れたメディア特性を持つ情報記録媒体
にできることが分かった。
According to the third embodiment, since the correlation between the maximum value [cm 2 ] of PSD × f and TOH [nm] is proportional, excellent media characteristics with TOH of 4.5 nm or less are obtained. It has been found that the maximum value of PSD × f may be set to a value of 1100 cm 2 or less in order to use the information recording medium. More preferably, when the maximum value of PSD × f was 900 cm 2 or less, it was found that an information recording medium having TOH of 4.0 nm or less and having more excellent media characteristics could be obtained.

【0240】以下、第4の実施例を説明する。Hereinafter, a fourth embodiment will be described.

【0241】図1のステップS11で実行された検査工
程において、第1の実施例に係る情報記録媒体のサンプ
ル13〜19および比較例7〜11の1μm平方〜50
μm平方における円周状テクスチャー近傍の表面形状を
NanoscopeIVの探針を用いて、円周方向に沿って所定の
波長νの範囲が1〜50μmで測定し、平均粗さRa
〔nm〕を測定し、サンプルの平均粗さRa〔nm〕と
TOH〔nm〕との関係、およびPSD×fの最大値
〔nm2〕とTOH〔nm〕との関係について研究し
た。
In the inspection process executed in step S11 of FIG. 1, the samples 13 to 19 of the information recording medium according to the first embodiment and the 1 μm square to 50 μm of the comparative examples 7 to 11 were obtained.
The surface shape near the circumferential texture in μm square
Using a probe of Nanoscope IV, the range of the predetermined wavelength ν is measured along the circumferential direction at 1 to 50 μm, and the average roughness Ra
[Nm] was measured, and the relationship between the average roughness Ra [nm] of the sample and TOH [nm] and the relationship between the maximum value of PSD × f [nm 2 ] and TOH [nm] were studied.

【0242】以下、測定された結果を表4および図9に
示す。
The measured results are shown in Table 4 and FIG.

【0243】[0243]

【表4】 [Table 4]

【0244】測定された結果から、図9(a)に示され
た平均粗さRa〔nm〕とTOH〔nm〕との関係から
は、それらの相関関係を何ら見出すことができなかった
のに対して、図9(b)に示されたPSD×fの最大値
〔nm2〕とTOH〔nm〕との関係からは、それらの
相関関係が比例関係であることを見出すことができた。
From the measured results, no correlation could be found from the relationship between the average roughness Ra [nm] and TOH [nm] shown in FIG. 9 (a). On the other hand, from the relationship between the maximum value [nm 2 ] of PSD × f and TOH [nm] shown in FIG. 9B, it was found that their correlation was proportional.

【0245】第4の実施例によれば、PSD×fの最大
値〔nm2〕とTOH〔nm〕との相関関係が比例関係
であるので、TOHが4.5nm以下の優れたメディア
特性を持つ情報記録媒体とするためには、PSD×fの
最大値を100nm2以下の値とすればよいことが分か
った。また、より好ましくは、PSD×fの最大値を8
0nm2以下の値とすると、TOHが4.0nm以下で
ある、より優れたメディア特性を持つ情報記録媒体にで
きることが分かった。
According to the fourth embodiment, since the correlation between the maximum value [nm 2 ] of PSD × f and TOH [nm] is proportional, excellent media characteristics with TOH of 4.5 nm or less are obtained. It has been found that the maximum value of PSD × f should be set to a value of 100 nm 2 or less in order to use the information recording medium. More preferably, the maximum value of PSD × f is set to 8
It was found that when the value was 0 nm 2 or less, an information recording medium having TOH of 4.0 nm or less and having more excellent media characteristics could be obtained.

【0246】第2ないし第4の実施例において、PSD
×fの最大値が低下するとTOHが低下するのは、ヘッ
ド飛行方向の障害物を減らす効果があるためと考えられ
る。一方、平均化された値からなるWaやRaとTOH
との関係に相関関係が見出すことができない理由は、W
aやRaにヘッド飛行方向以外の成分が含まれるためと
考えられる。
In the second to fourth embodiments, the PSD
It is considered that the reason why the TOH decreases when the maximum value of xf decreases is that there is an effect of reducing obstacles in the head flight direction. On the other hand, Wa and Ra and TOH, which are averaged values,
The reason why no correlation can be found in the relationship with
It is considered that a and Ra include components other than the head flight direction.

【0247】[0247]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の第
1形態である情報記録媒体や、第3形態である情報記録
媒体用ガラス基板によれば、所定の波長に対応するパワ
ースペクトル密度と当該所定の波長の逆数との積を所定
の値以下としたので、TOHが低い媒体やガラス基板を
提供することができる。
As described above in detail, according to the information recording medium of the first embodiment of the present invention and the glass substrate for the information recording medium of the third embodiment, the power spectral density corresponding to a predetermined wavelength is obtained. Since the product of the predetermined wavelength and the reciprocal of the predetermined wavelength is equal to or less than a predetermined value, a medium or a glass substrate having a low TOH can be provided.

【0248】さらに上述した表面の検査方法によれば、
TOHの検査を表面に触れることなく容易に行うことが
できる。
According to the surface inspection method described above,
Inspection of TOH can be easily performed without touching the surface.

【0249】また、本発明の第2形態である情報記録媒
体用ガラス基板の製造方法によれば、前記ガラス基板の
表面を、100%モデュラスが7840〜24500k
Paである樹脂を加工して製造される研磨部材によって
研磨することによって、優れたメディア特性を有する情
報記録媒体用ガラス基板を製造することができる。
According to the method of manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to the second embodiment of the present invention, the surface of the glass substrate is made to have a 100% modulus of 7840 to 24500 k.
By polishing with a polishing member manufactured by processing a resin of Pa, a glass substrate for an information recording medium having excellent media characteristics can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る情報記録媒体の製造
方法を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing a method for manufacturing an information recording medium according to an embodiment of the present invention.

【図2】測定した波長νとPSD×fとの関係を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a measured wavelength ν and PSD × f.

【図3】樹脂硬さ(100%モデュラス)とPSD×f
の最大値との関係を示す図である。
FIG. 3 Resin hardness (100% modulus) and PSD × f
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between the maximum value and the maximum value.

【図4】キャリアの自転の回転速度とPSD×fの最大
値との関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the rotation speed of the carrier and the maximum value of PSD × f.

【図5】研磨剤の最大粒径とPSD×fの最大値との関
係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the maximum particle size of the abrasive and the maximum value of PSD × f.

【図6】スラリー固形分のうち粒径1μm以上の研磨剤
の割合とPSD×fの最大値との関係を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a ratio of an abrasive having a particle diameter of 1 μm or more in a slurry solid content and a maximum value of PSD × f.

【図7】光干渉計を用いて、0.1〜5mmの波長範囲
で測定したときのウネリの指標とTOHとの関係を示す
図であり、(a)は、平均ウネリWa〔nm〕とTOH
〔nm〕との関係を示し、(b)は、PSD×fの最大
値〔cm2〕とTOH〔nm〕との関係を示している。
FIGS. 7A and 7B are diagrams showing a relationship between an index of undulation and TOH when measured in a wavelength range of 0.1 to 5 mm using an optical interferometer, and FIG. TOH
(B) shows the relationship between the maximum value [cm 2 ] of PSD × f and TOH [nm].

【図8】光干渉計を用いて、10〜200μmの波長範
囲で測定したときのウネリの指標とTOHとの関係を示
す図であり、(a)は、平均ウネリWa〔nm〕とTO
H〔nm〕との関係を示し、(b)は、PSD×fの最
大値〔cm2〕とTOH〔nm〕との関係を示してい
る。
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the index of swelling and TOH when measured in a wavelength range of 10 to 200 μm using an optical interferometer, and (a) shows the mean swelling Wa [nm] and TO
H (nm), and (b) shows the relationship between PSD × f maximum value [cm 2 ] and TOH [nm].

【図9】原子間力顕微鏡を用いて、探針で1〜50μm
の波長範囲で測定したときウネリの指標とTOHとの関
係を示す図であり、(a)は、平均粗さRa〔nm〕と
TOH〔nm〕との関係を示し、(b)は、PSD×f
の最大値〔nm2〕とTOH〔nm〕との関係を示して
いる。
FIG. 9: 1 to 50 μm with a probe using an atomic force microscope
5A and 5B are diagrams showing a relationship between an index of undulation and TOH when measured in a wavelength range of (a), (a) shows a relationship between average roughness Ra [nm] and TOH [nm], and (b) shows a PSD. × f
Shows the relationship between the maximum value [nm 2 ] and TOH [nm].

【図10】従来の情報記録媒体の製造方法を示す工程図
である。
FIG. 10 is a process chart showing a conventional method for manufacturing an information recording medium.

【図11】測定した波長νとPSDとの関係を示す図で
ある。
FIG. 11 is a diagram showing a relationship between measured wavelength ν and PSD.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 5/84 G11B 5/84 A Fターム(参考) 3C058 AA07 AA09 CA01 CA06 CB01 CB10 5D006 BB07 CB04 CB07 DA03 5D112 AA02 AA05 AA24 BA03 GA11 GA14 JJ03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (reference) G11B 5/84 G11B 5/84 A F term (reference) 3C058 AA07 AA09 CA01 CA06 CB01 CB10 5D006 BB07 CB04 CB07 DA03 5D112 AA02 AA05 AA24 BA03 GA11 GA14 JJ03

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に記録層が形成された情報記録媒
体において、 少なくとも1つの記録層が基板上に形成された情報記録
媒体であって、前記記録層の表面形状が前記表面の所定
領域において、所定波長で測定され、前記所定波長に対
応するパワースペクトル密度と前記所定波長の逆数の積
の最大値が、所定の値以下であることを特徴とする情報
記録媒体。
1. An information recording medium having a recording layer formed on a substrate, wherein at least one recording layer is formed on the substrate, wherein the surface shape of the recording layer is a predetermined area on the surface. 2. The information recording medium according to claim 1, wherein a maximum value of a product of a power spectral density measured at a predetermined wavelength and a reciprocal of the predetermined wavelength is equal to or less than a predetermined value.
【請求項2】 前記測定は光干渉計を用いて行われ、前
記所定領域の面積が0.1mm平方〜5mm平方である
ときに、前記所定の値が1600cm2以下である請求
項1記載の情報記録媒体。
2. The measurement according to claim 1, wherein the measurement is performed using an optical interferometer, and when the area of the predetermined region is 0.1 mm square to 5 mm square, the predetermined value is 1600 cm 2 or less. Information recording medium.
【請求項3】 前記所定の値が1300cm2以下であ
る請求項2記載の情報記録媒体。
3. The information recording medium according to claim 2, wherein the predetermined value is 1300 cm 2 or less.
【請求項4】 前記所定領域の面積が10μm平方〜2
00μm平方であるときに、前記所定の値が1100c
2以下である請求項1記載の情報記録媒体。
4. The area of the predetermined region is 10 μm square to 2 μm.
When the square is 00 μm, the predetermined value is 1100c
2. The information recording medium according to claim 1, which has a value of m2 or less.
【請求項5】 前記所定の値が900cm2以下である
請求項4記載の情報記録媒体。
5. The information recording medium according to claim 4, wherein said predetermined value is 900 cm 2 or less.
【請求項6】 前記測定は原子間力顕微鏡の探針で走査
することによって行われ、前記所定領域の面積が1μm
平方〜50μm平方であるときに、前記所定の値が10
0nm2以下である請求項1から7のいずれか1項に記
載の情報記録媒体。
6. The measurement is performed by scanning with a probe of an atomic force microscope, and the area of the predetermined region is 1 μm.
When the square is 50 μm square, the predetermined value is 10
The information recording medium according to any one of claims 1 to 7 is 0 nm 2 or less.
【請求項7】 前記所定の値が80nm2以下である請
求項6記載の情報記録媒体。
7. The information recording medium according to claim 6, wherein the predetermined value is 80 nm 2 or less.
【請求項8】 前記記録層または前記基板の主表面に、
円周状テクスチャーが形成されている請求項1から7の
いずれか1項に記載の情報記録媒体。
8. The recording layer or the main surface of the substrate,
The information recording medium according to claim 1, wherein a circumferential texture is formed.
【請求項9】 基板上に記録層が形成された情報記録媒
体用ガラス基板の製造方法において、 前記ガラス基板の表面を、100%モデュラスが784
0〜24500kPaである樹脂を加工した研磨部材に
よって研磨する工程を含むことを特徴とする情報記録媒
体用ガラス基板の製造方法。
9. A method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium in which a recording layer is formed on a substrate, wherein the surface of the glass substrate has 784% 100% modulus.
A method for producing a glass substrate for an information recording medium, comprising a step of polishing a resin having a pressure of 0 to 24500 kPa with a polishing member.
【請求項10】 前記研磨部材を0.0333/秒〜
0.25/秒の回転速度で回転させる請求項9記載の情
報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
10. The polishing member is set at 0.0333 / sec.
The method for producing a glass substrate for an information recording medium according to claim 9, wherein the glass substrate is rotated at a rotation speed of 0.25 / sec.
【請求項11】 前記研磨工程では、最大粒径が1〜3
μmである研磨剤を含有するスラリーを用いる請求項9
記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
11. In the polishing step, the maximum particle size is 1 to 3.
10. A slurry containing an abrasive having a size of μm is used.
The method for producing a glass substrate for an information recording medium according to the above.
【請求項12】 前記研磨工程では、最大粒径が1〜3
μmのものがスラリー固形分の質量の10%以下である
研磨剤を含有するスラリーを用いる請求項9記載の情報
記録媒体用ガラス基板の製造方法。
12. In the polishing step, the maximum particle size is 1 to 3.
10. The method for producing a glass substrate for an information recording medium according to claim 9, wherein a slurry containing an abrasive whose μm is 10% or less of the mass of the solid content of the slurry is used.
【請求項13】 前記研磨工程では、粒径が0.01〜
1μmのシリカを含有するスラリーを用いる請求項9記
載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
13. The polishing step, wherein the particle diameter is 0.01 to
The method for producing a glass substrate for an information recording medium according to claim 9, wherein a slurry containing 1 µm of silica is used.
【請求項14】 前記研磨部材は、100%モデュラス
が9800〜19600kPaの樹脂を加工した請求項
9の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
14. The method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to claim 9, wherein the polishing member is formed by processing a resin having a 100% modulus of 9800 to 19600 kPa.
【請求項15】 請求項9から14のいずれか1項に記
載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって製造
された情報記録媒体用ガラス基板であって、 前記基板の表面形状が前記表面の所定領域において、所
定波長で測定され、前記所定波長に対応するパワースペ
クトル密度と前記所定波長の逆数の積の最大値を、所定
の値以下にしたことを特徴とする情報記録媒体用ガラス
基板。
15. A glass substrate for an information recording medium manufactured by the method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium according to any one of claims 9 to 14, wherein the surface shape of the substrate is the same as that of the surface. A glass substrate for an information recording medium, wherein a maximum value of a product of a power spectrum density measured at a predetermined wavelength and a reciprocal of the predetermined wavelength in a predetermined region is set to a predetermined value or less.
【請求項16】 前記測定は光干渉計を用いて行われ、
前記所定領域の面積が0.1mm平方〜5mm平方であ
るときに、前記所定の値が1600cm2以下である請
求項15記載の情報記録媒体用ガラス基板。
16. The measurement is performed using an optical interferometer,
16. The glass substrate for an information recording medium according to claim 15, wherein the predetermined value is 1600 cm 2 or less when the area of the predetermined region is 0.1 mm square to 5 mm square.
【請求項17】 前記所定の値が1300cm2以下で
ある請求項16記載の情報記録媒体用ガラス基板。
17. The glass substrate for an information recording medium according to claim 16, wherein the predetermined value is 1300 cm 2 or less.
【請求項18】 前記所定領域の面積が10μm平方〜
200μm平方であるときに、前記所定の値が1100
cm2以下である請求項15記載の情報記録媒体用ガラ
ス基板。
18. The area of the predetermined region is 10 μm square or less.
When the area is 200 μm square, the predetermined value is 1100
16. The glass substrate for an information recording medium according to claim 15, which has a size of not more than cm 2 .
【請求項19】 前記所定の値が900cm2以下であ
る請求項18記載の情報記録媒体用ガラス基板。
19. The glass substrate for an information recording medium according to claim 18, wherein the predetermined value is 900 cm 2 or less.
【請求項20】 前記測定は原子間力顕微鏡の探針で走
査することによって行われ、前記所定領域の面積が1μ
m平方〜50μm平方であるときに、前記所定の値が1
00nm2以下である請求項15記載の情報記録媒体用
ガラス基板。
20. The measurement is performed by scanning with a probe of an atomic force microscope, and the area of the predetermined region is 1 μm.
When the square is from m square to 50 μm square, the predetermined value is 1
The glass substrate for an information recording medium according to claim 15, which has a thickness of 00 nm 2 or less.
【請求項21】 前記所定の値が80nm2以下である
請求項20記載の情報記録媒体用ガラス基板。
21. The glass substrate for an information recording medium according to claim 20, wherein the predetermined value is 80 nm 2 or less.
【請求項22】 前記基板の主表面に、円周状テクスチ
ャーが形成されている請求項15から21のいずれか1
項に記載の情報記録媒体用ガラス基板。
22. The method according to claim 15, wherein a circumferential texture is formed on a main surface of the substrate.
Item 10. A glass substrate for an information recording medium according to item 9.
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