JP2003338715A - ディジタル増幅器のデッドタイム調整回路 - Google Patents
ディジタル増幅器のデッドタイム調整回路Info
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- JP2003338715A JP2003338715A JP2002146414A JP2002146414A JP2003338715A JP 2003338715 A JP2003338715 A JP 2003338715A JP 2002146414 A JP2002146414 A JP 2002146414A JP 2002146414 A JP2002146414 A JP 2002146414A JP 2003338715 A JP2003338715 A JP 2003338715A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディジタル増幅器において設定されるデッド
タイムの調整を容易かつ迅速に実施すること。 【解決手段】 Hサイド、LサイドPWM信号を第1、
第2の遅延回路を介して遅延させて一対の増幅スイッチ
ング素子に入力し、この一対の増幅スイッチング素子に
デッドタイムを設定するディジタル増幅器において、第
1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第2の遅延
回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差(前側デッ
ドタイム)に比例する第1のDC電圧信号および第2の
遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第1の遅延回路
の出力信号の立ち下がり時間との時間差(後側デッドタ
イム)に比例する第2のDC電圧信号を生成するDC電
圧変換回路と、これら第1、第2のDC電圧信号を用い
て前側デッドタイムおよび後側デッドタイムをそれぞれ
調整する調整信号を生成する調整信号生成回路とを備え
る。
タイムの調整を容易かつ迅速に実施すること。 【解決手段】 Hサイド、LサイドPWM信号を第1、
第2の遅延回路を介して遅延させて一対の増幅スイッチ
ング素子に入力し、この一対の増幅スイッチング素子に
デッドタイムを設定するディジタル増幅器において、第
1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第2の遅延
回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差(前側デッ
ドタイム)に比例する第1のDC電圧信号および第2の
遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第1の遅延回路
の出力信号の立ち下がり時間との時間差(後側デッドタ
イム)に比例する第2のDC電圧信号を生成するDC電
圧変換回路と、これら第1、第2のDC電圧信号を用い
て前側デッドタイムおよび後側デッドタイムをそれぞれ
調整する調整信号を生成する調整信号生成回路とを備え
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、PWM(Pulse
Width Modulation:パルス幅変調)信号でハイサイドと
ローサイドのパワートランジスタを駆動するようなディ
ジタル増幅器や電源回路等において、これらのパワート
ランジスタが同時にONすることで生じる貫通電流防止
のために設定されるデッドタイムの調整作業を容易に実
施するためのディジタル増幅器のデッドタイム調整回路
に関するものである。
Width Modulation:パルス幅変調)信号でハイサイドと
ローサイドのパワートランジスタを駆動するようなディ
ジタル増幅器や電源回路等において、これらのパワート
ランジスタが同時にONすることで生じる貫通電流防止
のために設定されるデッドタイムの調整作業を容易に実
施するためのディジタル増幅器のデッドタイム調整回路
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】PWM信号で直接スピーカを駆動するよ
うなD級アンプ(ディジタルアンプ)では、最終段のパ
ワーMOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-
EffectTransistor)のハイサイド(Hサイド)、ローサ
イド(Lサイド)が同時に導通することにより貫通電流
と呼ばれる電流が流れる。この貫通電流を防止するため
に、HサイドおよびLサイドのMOSFETが同時にO
Nとならないようにデッドタイムと呼ばれる時間を設け
ることがよく行われている(例えば、特開昭57−17
0608号公報など)。
うなD級アンプ(ディジタルアンプ)では、最終段のパ
ワーMOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-
EffectTransistor)のハイサイド(Hサイド)、ローサ
イド(Lサイド)が同時に導通することにより貫通電流
と呼ばれる電流が流れる。この貫通電流を防止するため
に、HサイドおよびLサイドのMOSFETが同時にO
Nとならないようにデッドタイムと呼ばれる時間を設け
ることがよく行われている(例えば、特開昭57−17
0608号公報など)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このデ
ッドタイムは、製造によってかなりばらつくことがあ
り、従来は、製造後に、実際のPWM波形を観測しなが
らデッドタイムの調整を行う必要があった。このため、
デッドタイムの調整に時間がかかるという欠点を有して
いた。また、上記従来技術(特開昭57−170608
号公報)には、遅延回路、ナンド回路、ノア回路による
構成を一対のパワーMOSFETの前段に設け、一対の
パワーMOSFETを同時にオンさせないようにする技
術が開示されているが、デッドタイムの調整を如何にし
て容易にするかについての記載は全くない。
ッドタイムは、製造によってかなりばらつくことがあ
り、従来は、製造後に、実際のPWM波形を観測しなが
らデッドタイムの調整を行う必要があった。このため、
デッドタイムの調整に時間がかかるという欠点を有して
いた。また、上記従来技術(特開昭57−170608
号公報)には、遅延回路、ナンド回路、ノア回路による
構成を一対のパワーMOSFETの前段に設け、一対の
パワーMOSFETを同時にオンさせないようにする技
術が開示されているが、デッドタイムの調整を如何にし
て容易にするかについての記載は全くない。
【0004】この発明は上記に鑑みてなされたもので、
デッドタイムの調整作業を迅速かつ容易に実施すること
ができるディジタル増幅器のデッドタイム調整回路を得
ることを目的とする。
デッドタイムの調整作業を迅速かつ容易に実施すること
ができるディジタル増幅器のデッドタイム調整回路を得
ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかるディジタル増幅器のデッドタイム
調整回路は、HサイドPWM信号およびLサイドPWM
信号を第1および第2の遅延回路を介して遅延させて一
対の第1および第2の増幅スイッチング素子に入力する
ことにより前記第1および第2の増幅スイッチング素子
にデッドタイムを設定するディジタル増幅器において、
前記第1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と前記
第2の遅延回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差
である前側デッドタイムに比例する第1のDC電圧信号
および前記第2の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間
と前記第1の遅延回路の出力信号の立ち下がり時間との
時間差である後側デッドタイムに比例する第2のDC電
圧信号を生成するDC電圧変換回路と、これら第1およ
び第2のDC電圧信号を用いて前記前側デッドタイムお
よび前記後側デッドタイムをそれぞれ調整する調整信号
を生成して出力する調整信号生成回路とを備えることを
特徴とする。
め、この発明にかかるディジタル増幅器のデッドタイム
調整回路は、HサイドPWM信号およびLサイドPWM
信号を第1および第2の遅延回路を介して遅延させて一
対の第1および第2の増幅スイッチング素子に入力する
ことにより前記第1および第2の増幅スイッチング素子
にデッドタイムを設定するディジタル増幅器において、
前記第1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と前記
第2の遅延回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差
である前側デッドタイムに比例する第1のDC電圧信号
および前記第2の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間
と前記第1の遅延回路の出力信号の立ち下がり時間との
時間差である後側デッドタイムに比例する第2のDC電
圧信号を生成するDC電圧変換回路と、これら第1およ
び第2のDC電圧信号を用いて前記前側デッドタイムお
よび前記後側デッドタイムをそれぞれ調整する調整信号
を生成して出力する調整信号生成回路とを備えることを
特徴とする。
【0006】この発明によれば、DC電圧変換回路は、
第1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第2の遅
延回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差である前
側デッドタイムに比例する第1のDC電圧信号と、第2
の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第1の遅延回
路の出力信号の立ち下がり時間との時間差である後側デ
ッドタイムに比例する第2のDC電圧信号とを生成す
る。また、調整信号生成回路は、これら第1および第2
のDC電圧信号を用いて前側デッドタイムおよび前記後
側デッドタイムをそれぞれ調整する調整信号を生成す
る。
第1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第2の遅
延回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差である前
側デッドタイムに比例する第1のDC電圧信号と、第2
の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と第1の遅延回
路の出力信号の立ち下がり時間との時間差である後側デ
ッドタイムに比例する第2のDC電圧信号とを生成す
る。また、調整信号生成回路は、これら第1および第2
のDC電圧信号を用いて前側デッドタイムおよび前記後
側デッドタイムをそれぞれ調整する調整信号を生成す
る。
【0007】つぎの発明にかかるディジタル増幅器のデ
ッドタイム調整回路は、上記の発明において、前記DC
電圧変換回路は、前記第1および第2の遅延回路の出力
信号に基づき前記前側デッドタイムの時間幅の矩形波を
生成する第1の論理回路と、前記第1および第2の遅延
回路の出力信号に基づき前記後側デッドタイムの時間幅
の矩形波を生成する第2の論理回路と、前記前側デッド
タイムの時間幅に比例するDC電圧信号を生成する第1
の積分回路と、前記後側デッドタイムの時間幅に比例す
るDC電圧信号を生成する第2の積分回路とを備え、前
記調整信号生成回路は、前記第1の積分回路の出力と第
1の基準出力とを比較し、この比較結果を前記前側デッ
ドタイム用の調整信号として出力する第1の比較回路
と、前記第2の積分回路の出力と第2の基準出力とを比
較し、この比較結果を前記後側デッドタイム用の調整信
号として出力する第2の比較回路とを備えることを特徴
とする。
ッドタイム調整回路は、上記の発明において、前記DC
電圧変換回路は、前記第1および第2の遅延回路の出力
信号に基づき前記前側デッドタイムの時間幅の矩形波を
生成する第1の論理回路と、前記第1および第2の遅延
回路の出力信号に基づき前記後側デッドタイムの時間幅
の矩形波を生成する第2の論理回路と、前記前側デッド
タイムの時間幅に比例するDC電圧信号を生成する第1
の積分回路と、前記後側デッドタイムの時間幅に比例す
るDC電圧信号を生成する第2の積分回路とを備え、前
記調整信号生成回路は、前記第1の積分回路の出力と第
1の基準出力とを比較し、この比較結果を前記前側デッ
ドタイム用の調整信号として出力する第1の比較回路
と、前記第2の積分回路の出力と第2の基準出力とを比
較し、この比較結果を前記後側デッドタイム用の調整信
号として出力する第2の比較回路とを備えることを特徴
とする。
【0008】この発明によれば、DC電圧変換回路にお
いて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路の
出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波を
生成し、第2の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき後側デッドタイムの時間幅の矩形波
を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの時間
幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回路
は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成する。また、調整信号生成回路において、第1の
比較回路は、第1の積分回路の出力と第1の基準出力と
を比較し、この比較結果を前側デッドタイム用の調整信
号として出力し、第2の比較回路は、第2の積分回路の
出力と第2の基準出力とを比較し、この比較結果を後側
デッドタイム用の調整信号として出力する。
いて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路の
出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波を
生成し、第2の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき後側デッドタイムの時間幅の矩形波
を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの時間
幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回路
は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成する。また、調整信号生成回路において、第1の
比較回路は、第1の積分回路の出力と第1の基準出力と
を比較し、この比較結果を前側デッドタイム用の調整信
号として出力し、第2の比較回路は、第2の積分回路の
出力と第2の基準出力とを比較し、この比較結果を後側
デッドタイム用の調整信号として出力する。
【0009】つぎの発明にかかるディジタル増幅器のデ
ッドタイム調整回路は、前記DC電圧変換回路は、前記
第1および第2の遅延回路の出力信号に基づき前記前側
デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第1の論理回
路と、前記第1および第2の遅延回路の出力信号に基づ
き前記後側デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第
2の論理回路と、前記前側デッドタイムの時間幅に比例
するDC電圧信号を生成する第1の積分回路と、前記後
側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号を生成
する第2の積分回路とを備え、前記調整信号生成回路
は、前記第1の積分回路の出力と前記第2の積分回路の
出力とを比較し、この比較結果を前側および後側デッド
タイム用の調整信号として出力する比較回路を備えるこ
とを特徴とする。
ッドタイム調整回路は、前記DC電圧変換回路は、前記
第1および第2の遅延回路の出力信号に基づき前記前側
デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第1の論理回
路と、前記第1および第2の遅延回路の出力信号に基づ
き前記後側デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第
2の論理回路と、前記前側デッドタイムの時間幅に比例
するDC電圧信号を生成する第1の積分回路と、前記後
側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号を生成
する第2の積分回路とを備え、前記調整信号生成回路
は、前記第1の積分回路の出力と前記第2の積分回路の
出力とを比較し、この比較結果を前側および後側デッド
タイム用の調整信号として出力する比較回路を備えるこ
とを特徴とする。
【0010】この発明によれば、DC電圧変換回路にお
いて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路の
出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波を
生成し、第2の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前記後側デッドタイムの時間幅の矩
形波を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの
時間幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回
路は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信
号を生成する。また、調整信号生成回路において、比較
回路は、第1の積分回路の出力と第2の積分回路の出力
とを比較し、この比較結果を前側および後側デッドタイ
ム用の調整信号として出力する。
いて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路の
出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波を
生成し、第2の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前記後側デッドタイムの時間幅の矩
形波を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの
時間幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回
路は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信
号を生成する。また、調整信号生成回路において、比較
回路は、第1の積分回路の出力と第2の積分回路の出力
とを比較し、この比較結果を前側および後側デッドタイ
ム用の調整信号として出力する。
【0011】つぎの発明にかかるディジタル増幅器のデ
ッドタイム調整回路は、上記の発明において、前記第1
の論理回路は、前記第1および第2の遅延回路の出力信
号の否定論理和出力と、前記第2の遅延回路の出力信号
を所定の設定値だけ遅延させた信号との論理積信号を出
力し、前記第2の論理回路は、前記第1および第2の遅
延回路の出力信号の否定論理和出力と、前記第1の遅延
回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延させた信号との
論理積信号を出力することを特徴とする。
ッドタイム調整回路は、上記の発明において、前記第1
の論理回路は、前記第1および第2の遅延回路の出力信
号の否定論理和出力と、前記第2の遅延回路の出力信号
を所定の設定値だけ遅延させた信号との論理積信号を出
力し、前記第2の論理回路は、前記第1および第2の遅
延回路の出力信号の否定論理和出力と、前記第1の遅延
回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延させた信号との
論理積信号を出力することを特徴とする。
【0012】この発明によれば、第1の論理回路は、第
1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和出力
と、第2の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延
させた信号との論理積信号を出力し、第2の論理回路
は、第1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和
出力と、第1の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ
遅延させた信号との論理積信号を出力する。
1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和出力
と、第2の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延
させた信号との論理積信号を出力し、第2の論理回路
は、第1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和
出力と、第1の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ
遅延させた信号との論理積信号を出力する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明にかかるディジタル増幅器のデッドタイム調整回路
の好適な実施の形態を詳細に説明する。
発明にかかるディジタル増幅器のデッドタイム調整回路
の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【0014】実施の形態1.図1は、ディジタル増幅器
1におけるデッドタイム設定を行う部分の構成と、この
発明の実施の形態1であるデッドタイム調整回路2の構
成とを示すブロック図である。図1の上側には、ディジ
タル増幅器1において、特に、HサイドおよびLサイド
のMOSFET13a、13bが同時にONとならない
ようにHサイドPWM信号およびLサイドPWM信号を
設定時間だけ遅延させる部分の構成例を示している。一
方、デッドタイム調整回路2では、ディジタル増幅器1
のHサイドおよびLサイドのMOSFET13a、13
bのゲート信号をモニタし、このゲート信号からデッド
タイムの時間に比例するDC電圧信号を生成し、このD
C電圧信号に基づき、デッドタイムを調整する。
1におけるデッドタイム設定を行う部分の構成と、この
発明の実施の形態1であるデッドタイム調整回路2の構
成とを示すブロック図である。図1の上側には、ディジ
タル増幅器1において、特に、HサイドおよびLサイド
のMOSFET13a、13bが同時にONとならない
ようにHサイドPWM信号およびLサイドPWM信号を
設定時間だけ遅延させる部分の構成例を示している。一
方、デッドタイム調整回路2では、ディジタル増幅器1
のHサイドおよびLサイドのMOSFET13a、13
bのゲート信号をモニタし、このゲート信号からデッド
タイムの時間に比例するDC電圧信号を生成し、このD
C電圧信号に基づき、デッドタイムを調整する。
【0015】図1において、入力端子31aには、Hサ
イドPWM信号(正相PWM信号)が入力される。入力
端子30bには、HサイドPWM信号の反転信号である
LサイドPWM信号(逆相PWM信号)が入力される。
イドPWM信号(正相PWM信号)が入力される。入力
端子30bには、HサイドPWM信号の反転信号である
LサイドPWM信号(逆相PWM信号)が入力される。
【0016】遅延回路11aは、HサイドPWM信号の
立ち上がり部、すなわちLowからHighに変化する
立ち上がりエッジを、所定の設定時間だけ遅延して出力
する。遅延回路11aの遅延時間は、デッドタイム調整
端子32を介して入力設定される。
立ち上がり部、すなわちLowからHighに変化する
立ち上がりエッジを、所定の設定時間だけ遅延して出力
する。遅延回路11aの遅延時間は、デッドタイム調整
端子32を介して入力設定される。
【0017】遅延回路11bは、LサイドPWM信号の
立ち上がり部、すなわちLowからHighに変化する
立ち上がりエッジを、所定の設定時間だけ遅延して遅延
回路12に出力する。遅延回路12は、後述する前側デ
ッドタイムDaと後側デッドタイムDbを異ならせると
きに使用され、その差分|Da−Db|に対応する時間
だけ、遅延回路11bの出力の立ち上がり部を遅延す
る。遅延回路11b、12の遅延時間は、デッドタイム
調整端子33を介して入力設定される。
立ち上がり部、すなわちLowからHighに変化する
立ち上がりエッジを、所定の設定時間だけ遅延して遅延
回路12に出力する。遅延回路12は、後述する前側デ
ッドタイムDaと後側デッドタイムDbを異ならせると
きに使用され、その差分|Da−Db|に対応する時間
だけ、遅延回路11bの出力の立ち上がり部を遅延す
る。遅延回路11b、12の遅延時間は、デッドタイム
調整端子33を介して入力設定される。
【0018】遅延回路11aの出力は、アンプを介して
CMOSインバータ構成をとる増幅スイッチング素子と
しての一対のMOSFET13a、13bのHサイドM
OSFET13aのゲートに入力される。遅延回路12
の出力は、アンプを介してLサイドMOSFET13b
のゲートに入力される。MOSFET13a、13bの
接続点から出力OUTが取り出され、図示しないスピー
カに出力される。
CMOSインバータ構成をとる増幅スイッチング素子と
しての一対のMOSFET13a、13bのHサイドM
OSFET13aのゲートに入力される。遅延回路12
の出力は、アンプを介してLサイドMOSFET13b
のゲートに入力される。MOSFET13a、13bの
接続点から出力OUTが取り出され、図示しないスピー
カに出力される。
【0019】図1に示すデッドタイム調整回路2では、
HサイドMOSFET13aおよびLサイドMOSFE
T13bのゲート信号、すなわちアンプを介した遅延回
路11aの出力信号およびアンプを介した遅延回路12
の出力信号が、それぞれ遅延回路14aおよび14bで
設定される遅延時間だけ遅延されるとともに、NOR回
路15に入力される。
HサイドMOSFET13aおよびLサイドMOSFE
T13bのゲート信号、すなわちアンプを介した遅延回
路11aの出力信号およびアンプを介した遅延回路12
の出力信号が、それぞれ遅延回路14aおよび14bで
設定される遅延時間だけ遅延されるとともに、NOR回
路15に入力される。
【0020】デッドタイム調整回路2の上側の回路で
は、遅延回路14aおよびNOR回路15の出力がAN
D回路16aに入力され、このAND回路16aの出力
が積分回路17aに入力されて積分される。同様にデッ
ドタイム調整回路2の下側の回路でも、遅延回路14b
およびNOR回路15の出力がAND回路16bに入力
され、このAND回路16bの出力が積分回路17bに
入力されて積分される。
は、遅延回路14aおよびNOR回路15の出力がAN
D回路16aに入力され、このAND回路16aの出力
が積分回路17aに入力されて積分される。同様にデッ
ドタイム調整回路2の下側の回路でも、遅延回路14b
およびNOR回路15の出力がAND回路16bに入力
され、このAND回路16bの出力が積分回路17bに
入力されて積分される。
【0021】コンパレータ18aおよび18bの負入力
端子には、デッドタイムが最適化された場合の基準電圧
が印加され、コンパレータ18aおよび18bの正入力
端子には、積分回路17aおよび17bの出力がそれぞ
れ入力されている。コンパレータ18a、18bは、両
入力端子に加えられる電圧信号を比較し、その大小に応
じてHighまたはLowの信号を出力する。コンパレ
ータ18aの出力は、前側デッドタイムの調整信号とな
り、コンパレータ18bの出力は、後側デッドタイムの
調整信号となる。コンパレータ18a、18bの出力
は、例えば、モニタに出力されており、これらコンパレ
ータ18a、18bの出力電圧がHighからLowま
たはLowからHighに変化する遷移点になるように
デッドタイム調整端子32および33から入力する遅延
時間の設定値を調整することにより、最適なデッドタイ
ムを設定する。
端子には、デッドタイムが最適化された場合の基準電圧
が印加され、コンパレータ18aおよび18bの正入力
端子には、積分回路17aおよび17bの出力がそれぞ
れ入力されている。コンパレータ18a、18bは、両
入力端子に加えられる電圧信号を比較し、その大小に応
じてHighまたはLowの信号を出力する。コンパレ
ータ18aの出力は、前側デッドタイムの調整信号とな
り、コンパレータ18bの出力は、後側デッドタイムの
調整信号となる。コンパレータ18a、18bの出力
は、例えば、モニタに出力されており、これらコンパレ
ータ18a、18bの出力電圧がHighからLowま
たはLowからHighに変化する遷移点になるように
デッドタイム調整端子32および33から入力する遅延
時間の設定値を調整することにより、最適なデッドタイ
ムを設定する。
【0022】図2(a)〜(k)は、図1に示す回路の
複数の観測点A〜Kにおける電圧の変化を示すタイムチ
ャートである。A点およびB点はそれぞれHサイドPW
M信号およびLサイドPWM信号、C点およびD点はそ
れぞれMOSFET13a(Hサイド)および13b
(Lサイド)のゲート入力信号、E点およびF点はそれ
ぞれ遅延回路14aおよび14bの出力信号、G点はN
OR回路15の出力信号、H点およびI点はそれぞれA
ND回路16aおよび16bの出力信号、J点およびK
点はそれぞれ積分回路17aおよび17bの出力信号を
示している。
複数の観測点A〜Kにおける電圧の変化を示すタイムチ
ャートである。A点およびB点はそれぞれHサイドPW
M信号およびLサイドPWM信号、C点およびD点はそ
れぞれMOSFET13a(Hサイド)および13b
(Lサイド)のゲート入力信号、E点およびF点はそれ
ぞれ遅延回路14aおよび14bの出力信号、G点はN
OR回路15の出力信号、H点およびI点はそれぞれA
ND回路16aおよび16bの出力信号、J点およびK
点はそれぞれ積分回路17aおよび17bの出力信号を
示している。
【0023】図2のタイムチャートに示すDaは、Hサ
イドのMOSFET13aに入力されるゲート信号の立
ち上がり時間とLサイドのMOSFET13bに入力さ
れるゲート信号の立ち下がり時間との時間差である前側
デッドタイムを示している。同様に、Dbは、Lサイド
のMOSFET13bに入力されるゲート信号の立ち上
がり時間とHサイドのMOSFET13aに入力される
ゲート信号の立ち下がり時間との時間差である後側デッ
ドタイムを示している。
イドのMOSFET13aに入力されるゲート信号の立
ち上がり時間とLサイドのMOSFET13bに入力さ
れるゲート信号の立ち下がり時間との時間差である前側
デッドタイムを示している。同様に、Dbは、Lサイド
のMOSFET13bに入力されるゲート信号の立ち上
がり時間とHサイドのMOSFET13aに入力される
ゲート信号の立ち下がり時間との時間差である後側デッ
ドタイムを示している。
【0024】遅延回路11aは立ち上がりエッジのみを
遅延させるので、図2(a)(c)に示すように、Hサ
イドPWM信号の立ち上がりエッジが前側デッドタイム
Daだけ遅延される。同様に、図2(b)(c)に示す
ように、遅延回路11b、12によって、LサイドPW
M信号の立ち上がりエッジが後側デッドタイムDbだけ
遅延される。
遅延させるので、図2(a)(c)に示すように、Hサ
イドPWM信号の立ち上がりエッジが前側デッドタイム
Daだけ遅延される。同様に、図2(b)(c)に示す
ように、遅延回路11b、12によって、LサイドPW
M信号の立ち上がりエッジが後側デッドタイムDbだけ
遅延される。
【0025】NOR回路15は、図2(c)(d)に示
すゲート入力信号のNORをとるので、図2(e)に示
すように、前側デッドタイムDaおよび後側デッドタイ
ムDbに相当する時間にHighになる信号を出力す
る。図1の点線で囲まれた論理回路21は、図2(h)
に示すように、前側デッドタイムDaに相当する時間の
みHighとなる矩形信号を生成する。同様に、点線で
囲まれる論理回路22は、図2(i)に示すように、後
側デッドタイムDbに相当する時間のみHighとなる
矩形信号を生成する。すなわち、遅延回路14aでは、
アンド回路16aによって、NOR回路15の出力から
前側デッドタイムDaに相当する時間のみHighとな
る矩形信号が得られるように、LサイドのMOSFET
13bへのゲート信号を遅延する。同様に、遅延回路1
4bでは、アンド回路16bによって、NOR回路15
の出力から後側デッドタイムDbに相当する時間のみH
ighとなる矩形信号が得られるように、HサイドのM
OSFET13aへのゲート信号を遅延する。
すゲート入力信号のNORをとるので、図2(e)に示
すように、前側デッドタイムDaおよび後側デッドタイ
ムDbに相当する時間にHighになる信号を出力す
る。図1の点線で囲まれた論理回路21は、図2(h)
に示すように、前側デッドタイムDaに相当する時間の
みHighとなる矩形信号を生成する。同様に、点線で
囲まれる論理回路22は、図2(i)に示すように、後
側デッドタイムDbに相当する時間のみHighとなる
矩形信号を生成する。すなわち、遅延回路14aでは、
アンド回路16aによって、NOR回路15の出力から
前側デッドタイムDaに相当する時間のみHighとな
る矩形信号が得られるように、LサイドのMOSFET
13bへのゲート信号を遅延する。同様に、遅延回路1
4bでは、アンド回路16bによって、NOR回路15
の出力から後側デッドタイムDbに相当する時間のみH
ighとなる矩形信号が得られるように、HサイドのM
OSFET13aへのゲート信号を遅延する。
【0026】論理回路21および22の出力は、時定数
回路である積分回路17aおよび17bに入力されて積
分され、それぞれ図2(j)(k)に示すような、DC
電圧が生成される。すなわち、積分回路17aは、前側
デッドタイムの時間幅Daに比例するDC電圧信号を生
成し、積分回路17bは、後側デッドタイムの時間幅D
bに比例するDC電圧信号を生成する。したがって、こ
れらのDC電圧をチェックすることがデッドタイム時間
DaおよびDbをチェックすることと等価となる。
回路である積分回路17aおよび17bに入力されて積
分され、それぞれ図2(j)(k)に示すような、DC
電圧が生成される。すなわち、積分回路17aは、前側
デッドタイムの時間幅Daに比例するDC電圧信号を生
成し、積分回路17bは、後側デッドタイムの時間幅D
bに比例するDC電圧信号を生成する。したがって、こ
れらのDC電圧をチェックすることがデッドタイム時間
DaおよびDbをチェックすることと等価となる。
【0027】いま、前側デッドタイムDaおよび後側デ
ッドタイムDbが最適に設定された場合に出力されるそ
れぞれのDC電圧値を、比較用の基準電圧としてコンパ
レータ18aおよび18bの負入力に印加しておけば、
コンパレータ18aおよび18bの出力端子34aおよ
び34bの端子電圧がHighからLowまたはLow
からHighに変化するときが、前側デッドタイムDa
および後側デッドタイムDbが最適に設定される場合と
なる。したがって、デッドタイム調整端子32および3
3に入力する遅延時間の設定値を出力端子34aおよび
34bの端子電圧の変化を見ながら調整することで、簡
易かつ迅速にデッドタイムの調整が可能となる。
ッドタイムDbが最適に設定された場合に出力されるそ
れぞれのDC電圧値を、比較用の基準電圧としてコンパ
レータ18aおよび18bの負入力に印加しておけば、
コンパレータ18aおよび18bの出力端子34aおよ
び34bの端子電圧がHighからLowまたはLow
からHighに変化するときが、前側デッドタイムDa
および後側デッドタイムDbが最適に設定される場合と
なる。したがって、デッドタイム調整端子32および3
3に入力する遅延時間の設定値を出力端子34aおよび
34bの端子電圧の変化を見ながら調整することで、簡
易かつ迅速にデッドタイムの調整が可能となる。
【0028】このように実施の形態1によれば、前側デ
ッドタイムDaおよび後側デッドタイムDbに比例する
DC電圧をそれぞれ生成し、これらDC電圧と最適なデ
ッドタイムに対応する所定の基準電圧とを比較した前側
および後側デッドタイムの調整信号を出力するようにし
ているので、これら前側および後側デッドタイムの調整
信号を観察することによって、デッドタイムの調整作業
を迅速かつ容易に実施することができるデッドタイム調
整回路を得ることができる。また、この場合は、前側お
よび後側デッドタイムの調整信号を別々に出力している
ので、オーディオ諸特性を最適化するために、前側およ
び後側デッドタイムを独立に調整することも可能とな
る。
ッドタイムDaおよび後側デッドタイムDbに比例する
DC電圧をそれぞれ生成し、これらDC電圧と最適なデ
ッドタイムに対応する所定の基準電圧とを比較した前側
および後側デッドタイムの調整信号を出力するようにし
ているので、これら前側および後側デッドタイムの調整
信号を観察することによって、デッドタイムの調整作業
を迅速かつ容易に実施することができるデッドタイム調
整回路を得ることができる。また、この場合は、前側お
よび後側デッドタイムの調整信号を別々に出力している
ので、オーディオ諸特性を最適化するために、前側およ
び後側デッドタイムを独立に調整することも可能とな
る。
【0029】実施の形態2.図3は、ディジタル増幅器
1とこの発明の実施の形態2であるデッドタイム調整回
路の構成とを示すブロック図である。この実施の形態2
においては、デッドタイム調整回路2の上側の積分回路
17aの出力をコンパレータ25の正入力に、下側の積
分回路17bの出力をコンパレータ25の負入力にそれ
ぞれ入力し、積分回路17aおよび17bの出力同士を
比較している。したがって、この実施の形態2は、前側
デッドタイムDaおよび後側デッドタイムDbを等しく
設定する場合に用いられる。その他の構成については、
図1と同様であり、同一部分には同一符号を付してい
る。
1とこの発明の実施の形態2であるデッドタイム調整回
路の構成とを示すブロック図である。この実施の形態2
においては、デッドタイム調整回路2の上側の積分回路
17aの出力をコンパレータ25の正入力に、下側の積
分回路17bの出力をコンパレータ25の負入力にそれ
ぞれ入力し、積分回路17aおよび17bの出力同士を
比較している。したがって、この実施の形態2は、前側
デッドタイムDaおよび後側デッドタイムDbを等しく
設定する場合に用いられる。その他の構成については、
図1と同様であり、同一部分には同一符号を付してい
る。
【0030】図4(a)〜(k)は、図3に示す回路の
複数の観測点A〜Kにおける電圧の変化を示すタイムチ
ャートである。A点およびB点はそれぞれHサイドPW
M信号およびLサイドPWM信号、C点およびD点はそ
れぞれMOSFET13a(Hサイド)および13b
(Lサイド)のゲート入力信号、E点およびF点はそれ
ぞれ遅延回路14aおよび14bの出力信号、G点はN
OR回路15の出力信号、H点およびI点はそれぞれA
ND回路16aおよび16bの出力信号、J点およびK
点はそれぞれ積分回路17aおよび17bの出力信号を
示している。
複数の観測点A〜Kにおける電圧の変化を示すタイムチ
ャートである。A点およびB点はそれぞれHサイドPW
M信号およびLサイドPWM信号、C点およびD点はそ
れぞれMOSFET13a(Hサイド)および13b
(Lサイド)のゲート入力信号、E点およびF点はそれ
ぞれ遅延回路14aおよび14bの出力信号、G点はN
OR回路15の出力信号、H点およびI点はそれぞれA
ND回路16aおよび16bの出力信号、J点およびK
点はそれぞれ積分回路17aおよび17bの出力信号を
示している。
【0031】コンパレータ25の正入力端子には、積分
回路17aの出力が入力され、コンパレータ25の負入
力端子には、積分回路17bの出力が入力されている。
コンパレータ25は、両入力端子に加えられる電圧信号
を比較し、その大小に応じてHighまたはLowの信
号を出力する。コンパレータ25の出力は、例えばモニ
タに出力されており、コンパレータ25の出力電圧がH
ighからLowまたはLowからHighに変化する
遷移点になるようにデッドタイム調整端子32および3
3から入力する遅延時間の設定値を調整することによ
り、前側デッドタイムDaおよび後側デッドタイムDb
を等しくかつ最適な値を設定することができる。
回路17aの出力が入力され、コンパレータ25の負入
力端子には、積分回路17bの出力が入力されている。
コンパレータ25は、両入力端子に加えられる電圧信号
を比較し、その大小に応じてHighまたはLowの信
号を出力する。コンパレータ25の出力は、例えばモニ
タに出力されており、コンパレータ25の出力電圧がH
ighからLowまたはLowからHighに変化する
遷移点になるようにデッドタイム調整端子32および3
3から入力する遅延時間の設定値を調整することによ
り、前側デッドタイムDaおよび後側デッドタイムDb
を等しくかつ最適な値を設定することができる。
【0032】図3に示すデッドタイム調整回路2では、
コンパレータ25の出力がHighからLowまたはL
owからHighに変化する最適点において、前側デッ
ドタイムDaと後側デッドタイムDbとが等しくなる。
このデッドタイム調整回路2は、貫通電流を防止するこ
とが主眼であり、前側デッドタイムDaと後側デッドタ
イムDbとが異なる値をとる必要がない場合に適用され
る。
コンパレータ25の出力がHighからLowまたはL
owからHighに変化する最適点において、前側デッ
ドタイムDaと後側デッドタイムDbとが等しくなる。
このデッドタイム調整回路2は、貫通電流を防止するこ
とが主眼であり、前側デッドタイムDaと後側デッドタ
イムDbとが異なる値をとる必要がない場合に適用され
る。
【0033】このように実施の形態2によれば、前側デ
ッドタイムDaおよび後側デッドタイムDbに比例する
DC電圧をそれぞれ生成し、これらDC電圧を比較した
デッドタイム調整信号を出力するようにしているので、
前側デッドタイムDaと後側デッドタイムDbとが異な
る値をとる必要がない場合におけるデッドタイムの調整
作業を迅速かつ容易に実施することができる。また、一
つのコンパレータを備えればよいので、実施の形態1の
デッドタイム調整回路よりも構成が簡易になる。
ッドタイムDaおよび後側デッドタイムDbに比例する
DC電圧をそれぞれ生成し、これらDC電圧を比較した
デッドタイム調整信号を出力するようにしているので、
前側デッドタイムDaと後側デッドタイムDbとが異な
る値をとる必要がない場合におけるデッドタイムの調整
作業を迅速かつ容易に実施することができる。また、一
つのコンパレータを備えればよいので、実施の形態1の
デッドタイム調整回路よりも構成が簡易になる。
【0034】なお、上記実施の形態では、ディジタル増
幅器の最終段に備えられる一対の増幅スイッチング素子
として、MOSFETを採用するようにしているが、バ
イポーラ型のトランジスタを採用するようにしてもよ
い。
幅器の最終段に備えられる一対の増幅スイッチング素子
として、MOSFETを採用するようにしているが、バ
イポーラ型のトランジスタを採用するようにしてもよ
い。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、DC電圧変換回路は、第1の遅延回路の出力信号の
立ち上がり時間と第2の遅延回路の出力信号の立ち下が
り時間との時間差である前側デッドタイムに比例する第
1のDC電圧信号と、第2の遅延回路の出力信号の立ち
上がり時間と第1の遅延回路の出力信号の立ち下がり時
間との時間差である後側デッドタイムに比例する第2の
DC電圧信号とを生成するとともに、調整信号生成回路
は、これら第1および第2のDC電圧信号を用いて前側
デッドタイムおよび前記後側デッドタイムをそれぞれ調
整する調整信号を生成するので、デッドタイムの調整作
業の容易かつ迅速な実施を可能とするデッドタイム調整
回路が得られるという効果を奏する。
ば、DC電圧変換回路は、第1の遅延回路の出力信号の
立ち上がり時間と第2の遅延回路の出力信号の立ち下が
り時間との時間差である前側デッドタイムに比例する第
1のDC電圧信号と、第2の遅延回路の出力信号の立ち
上がり時間と第1の遅延回路の出力信号の立ち下がり時
間との時間差である後側デッドタイムに比例する第2の
DC電圧信号とを生成するとともに、調整信号生成回路
は、これら第1および第2のDC電圧信号を用いて前側
デッドタイムおよび前記後側デッドタイムをそれぞれ調
整する調整信号を生成するので、デッドタイムの調整作
業の容易かつ迅速な実施を可能とするデッドタイム調整
回路が得られるという効果を奏する。
【0036】つぎの発明によれば、DC電圧変換回路に
おいて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波
を生成し、第2の論理回路は、第1および第2の遅延回
路の出力信号に基づき後側デッドタイムの時間幅の矩形
波を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの時
間幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回路
は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成するとともに、調整信号生成回路において、第1
の比較回路は、第1の積分回路の出力と第1の基準出力
とを比較し、この比較結果を前側デッドタイム用の調整
信号として出力し、第2の比較回路は、第2の積分回路
の出力と第2の基準出力とを比較し、この比較結果を後
側デッドタイム用の調整信号として出力するので、デッ
ドタイムの調整作業の容易かつ迅速な実施を可能とする
デッドタイム調整回路が得られるという効果を奏する。
おいて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波
を生成し、第2の論理回路は、第1および第2の遅延回
路の出力信号に基づき後側デッドタイムの時間幅の矩形
波を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの時
間幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回路
は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成するとともに、調整信号生成回路において、第1
の比較回路は、第1の積分回路の出力と第1の基準出力
とを比較し、この比較結果を前側デッドタイム用の調整
信号として出力し、第2の比較回路は、第2の積分回路
の出力と第2の基準出力とを比較し、この比較結果を後
側デッドタイム用の調整信号として出力するので、デッ
ドタイムの調整作業の容易かつ迅速な実施を可能とする
デッドタイム調整回路が得られるという効果を奏する。
【0037】つぎの発明によれば、DC電圧変換回路に
おいて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波
を生成し、第2の論理回路が第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前記後側デッドタイムの時間幅の矩
形波を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの
時間幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回
路は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信
号を生成するとともに、調整信号生成回路において、比
較回路は、第1の積分回路の出力と第2の積分回路の出
力とを比較し、この比較結果を前側および後側デッドタ
イム用の調整信号として出力するので、デッドタイムの
調整作業の容易かつ迅速な実施を可能とするデッドタイ
ム調整回路が得られるという効果を奏する。
おいて、第1の論理回路は、第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前側デッドタイムの時間幅の矩形波
を生成し、第2の論理回路が第1および第2の遅延回路
の出力信号に基づき前記後側デッドタイムの時間幅の矩
形波を生成し、第1の積分回路は、前側デッドタイムの
時間幅に比例するDC電圧信号を生成し、第2の積分回
路は、前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信
号を生成するとともに、調整信号生成回路において、比
較回路は、第1の積分回路の出力と第2の積分回路の出
力とを比較し、この比較結果を前側および後側デッドタ
イム用の調整信号として出力するので、デッドタイムの
調整作業の容易かつ迅速な実施を可能とするデッドタイ
ム調整回路が得られるという効果を奏する。
【0038】つぎの発明によれば、第1の論理回路は、
第1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和出力
と、第2の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延
させた信号との論理積信号を出力し、第2の論理回路
は、第1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和
出力と、第1の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ
遅延させた信号との論理積信号を出力するので、デッド
タイムの調整作業の容易かつ迅速な実施を可能とするデ
ッドタイム調整回路が得られるという効果を奏する。
第1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和出力
と、第2の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延
させた信号との論理積信号を出力し、第2の論理回路
は、第1および第2の遅延回路の出力信号の否定論理和
出力と、第1の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ
遅延させた信号との論理積信号を出力するので、デッド
タイムの調整作業の容易かつ迅速な実施を可能とするデ
ッドタイム調整回路が得られるという効果を奏する。
【図1】 ディジタル増幅器の構成と、この発明の実施
の形態1であるデッドタイム調整回路の構成とを示すブ
ロック図である。
の形態1であるデッドタイム調整回路の構成とを示すブ
ロック図である。
【図2】 図1に示す回路の複数の観測点における電圧
の変化を示すタイムチャートである。
の変化を示すタイムチャートである。
【図3】 ディジタル増幅器の構成と、この発明の実施
の形態2であるデッドタイム調整回路の構成とを示すブ
ロック図である。
の形態2であるデッドタイム調整回路の構成とを示すブ
ロック図である。
【図4】 図3に示す回路の複数の観測点における電圧
の変化を示すタイムチャートである。
の変化を示すタイムチャートである。
1 ディジタル増幅器、2 デッドタイム調整回路、1
1a,11b,12,14a,14b 遅延回路、13
a,13b MOSFET、15 NOR回路、16
a,16b AND回路、17a,17b 積分回路、
18a,18b,25 コンパレータ、21,22 論
理回路、34a,34b 出力端子。
1a,11b,12,14a,14b 遅延回路、13
a,13b MOSFET、15 NOR回路、16
a,16b AND回路、17a,17b 積分回路、
18a,18b,25 コンパレータ、21,22 論
理回路、34a,34b 出力端子。
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フロントページの続き
Fターム(参考) 5J055 AX27 BX16 CX00 DX22 DX72
DX83 EX01 EY21 EZ01 EZ05
EZ10 EZ25 EZ50 FX18 FX38
GX01 GX04
5J091 AA02 AA19 AA24 AA27 AA41
AA66 CA98 FA19 HA10 KA00
KA15 KA17 KA31 KA33 MA21
SA05 TA01 TA06 UW02 UW10
5J500 AA02 AA19 AA24 AA27 AA41
AA66 AC98 AF19 AH10 AK00
AK15 AK17 AK31 AK33 AM21
AS05 AT01 AT06 WU02 WU10
Claims (4)
- 【請求項1】 HサイドPWM信号およびLサイドPW
M信号を第1および第2の遅延回路を介して遅延させて
一対の第1および第2の増幅スイッチング素子に入力す
ることにより前記第1および第2の増幅スイッチング素
子にデッドタイムを設定するディジタル増幅器におい
て、 前記第1の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間と前記
第2の遅延回路の出力信号の立ち下がり時間との時間差
である前側デッドタイムに比例する第1のDC電圧信号
および前記第2の遅延回路の出力信号の立ち上がり時間
と前記第1の遅延回路の出力信号の立ち下がり時間との
時間差である後側デッドタイムに比例する第2のDC電
圧信号を生成するDC電圧変換回路と、 これら第1および第2のDC電圧信号を用いて前記前側
デッドタイムおよび前記後側デッドタイムをそれぞれ調
整する調整信号を生成して出力する調整信号生成回路
と、 を備えることを特徴とするディジタル増幅器のデッドタ
イム調整回路。 - 【請求項2】 前記DC電圧変換回路は、 前記第1および第2の遅延回路の出力信号に基づき前記
前側デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第1の論
理回路と、 前記第1および第2の遅延回路の出力信号に基づき前記
後側デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第2の論
理回路と、 前記前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成する第1の積分回路と、 前記後側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成する第2の積分回路と、 を備え、 前記調整信号生成回路は、前記第1の積分回路の出力と
第1の基準出力とを比較し、この比較結果を前記前側デ
ッドタイム用の調整信号として出力する第1の比較回路
と、 前記第2の積分回路の出力と第2の基準出力とを比較
し、この比較結果を前記後側デッドタイム用の調整信号
として出力する第2の比較回路と、 を備えることを特徴とする請求項1に記載のディジタル
増幅器のデッドタイム調整回路。 - 【請求項3】 前記DC電圧変換回路は、 前記第1および第2の遅延回路の出力信号に基づき前記
前側デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第1の論
理回路と、 前記第1および第2の遅延回路の出力信号に基づき前記
後側デッドタイムの時間幅の矩形波を生成する第2の論
理回路と、 前記前側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成する第1の積分回路と、 前記後側デッドタイムの時間幅に比例するDC電圧信号
を生成する第2の積分回路と、 を備え、 前記調整信号生成回路は、 前記第1の積分回路の出力と前記第2の積分回路の出力
とを比較し、この比較結果を前側および後側デッドタイ
ム用の調整信号として出力する比較回路を備えることを
特徴とする請求項1に記載のディジタル増幅器のデッド
タイム調整回路。 - 【請求項4】 前記第1の論理回路は、前記第1および
第2の遅延回路の出力信号の否定論理和出力と、前記第
2の遅延回路の出力信号を所定の設定値だけ遅延させた
信号との論理積信号を出力し、 前記第2の論理回路は、前記第1および第2の遅延回路
の出力信号の否定論理和出力と、前記第1の遅延回路の
出力信号を所定の設定値だけ遅延させた信号との論理積
信号を出力することを特徴とする請求項2または3に記
載のディジタル増幅器のデッドタイム調整回路。
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---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2002
- 2002-05-21 JP JP2002146414A patent/JP2003338715A/ja active Pending
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