JP2003333828A - Semiconductor device and power supply using the same - Google Patents

Semiconductor device and power supply using the same

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JP2003333828A
JP2003333828A JP2002136673A JP2002136673A JP2003333828A JP 2003333828 A JP2003333828 A JP 2003333828A JP 2002136673 A JP2002136673 A JP 2002136673A JP 2002136673 A JP2002136673 A JP 2002136673A JP 2003333828 A JP2003333828 A JP 2003333828A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve low power consumption, an improvement in detection voltage accuracy (detection at a constant and low-ripple voltage), reduction in the number of parts with regard to a semiconductor device for controlling the voltage of a terminal to which power is supplied at a desired voltage. <P>SOLUTION: The semiconductor device largely reduces a current into a detection signal transmission means (photocoupler 17) and reduces the circuit current of a voltage detection semiconductor device 12 by replacing a portion equivalent to a conventional-type shunt regulator with the voltage detection semiconductor device 12. A ripple voltage is controlled at a value determined by a current 14 which is always supplied from a constant-current supply 4 of the voltage detection semiconductor device 12 and resistors 15, 16. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧検出用半導体
装置に関するものである。特に、電源装置(スイッチン
グ電源など)の出力電圧検出回路部に使用する出力電圧
検出用半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage detecting semiconductor device. In particular, it relates to an output voltage detecting semiconductor device used in an output voltage detecting circuit unit of a power supply device (switching power supply or the like).

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は従来の電源装置の2次側出力に
使用される電圧検出回路の構成図である。図11は図1
0に示す従来の電圧検出回路の回路動作を説明するため
の動作波形図、また、図12は従来の電圧検出回路を使
用した電源装置の回路構成図である。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a block diagram of a voltage detection circuit used for a secondary side output of a conventional power supply device. 11 is shown in FIG.
0 is an operation waveform diagram for explaining the circuit operation of the conventional voltage detection circuit shown in FIG. 0, and FIG. 12 is a circuit configuration diagram of a power supply device using the conventional voltage detection circuit.

【0003】図10に示すように、従来の電圧検出回路
は、VOUT端子13の電圧を抵抗35、36で抵抗分
割して、シャントレギュレータ33により検出するとい
うものである。VOUT端子13にはコンデンサ14が
接続されており、外部よりこのコンデンサ14へ電荷が
供給されることで、VOUT端子13の電圧が上昇す
る。また、VOUT端子13の検出電圧レベルVOは、
シャントレギュレータ33の閾値電圧Vth、抵抗35
の抵抗値R35、抵抗36の抵抗値R36により、以下
の式で決まる。
As shown in FIG. 10, the conventional voltage detection circuit is one in which the voltage of the VOUT terminal 13 is resistance-divided by the resistors 35 and 36 and detected by the shunt regulator 33. A capacitor 14 is connected to the VOUT terminal 13, and charges are supplied to the capacitor 14 from the outside, so that the voltage of the VOUT terminal 13 rises. Further, the detection voltage level VO of the VOUT terminal 13 is
Threshold voltage Vth of shunt regulator 33, resistance 35
The resistance value R35 and the resistance value R36 of the resistor 36 are determined by the following equation.

【0004】VO=Vth・(R35+R36)/R3
5 検出電圧レベルVOに安定して制御するために、以下の
対応が必要である。 (1) 抵抗37、及びコンデンサ38を図10のよう
に直列接続する。 (2) 検出電圧レベルを安定化させるために、図10
にあるように抵抗34を追加接続することで、シャント
レギュレータへの検出電流値を上げる。
VO = Vth. (R35 + R36) / R3
5 In order to stably control the detection voltage level VO, the following measures are necessary. (1) The resistor 37 and the capacitor 38 are connected in series as shown in FIG. (2) In order to stabilize the detection voltage level, FIG.
By additionally connecting the resistor 34 as shown in, the detection current value to the shunt regulator is increased.

【0005】図11は図10の電圧検出回路のVOUT
端子13、VO、及びシャントレギュレータ33に流れ
る電流I33の波形を示す。VOUT端子13のリップ
ル電圧は抵抗37とコンデンサ38の時定数により決ま
る(ヒステリシス特性を持たせる必要があるため)。
FIG. 11 shows VOUT of the voltage detection circuit of FIG.
The waveform of the current I33 flowing through the terminal 13, VO, and the shunt regulator 33 is shown. The ripple voltage of the VOUT terminal 13 is determined by the time constant of the resistor 37 and the capacitor 38 (because it is necessary to have a hysteresis characteristic).

【0006】図12は、図10に示す従来の電圧検出回
路を2次側電圧検出回路として使用した電源装置の回路
構成を示す図である。検出信号伝達手段としてはフォト
カプラ17を使用している。図10の従来の電圧検出回
路により電圧が検出されると、シャントレギュレータ3
3が導通状態となるため、フォトカプラ17の発光部1
7aに電流が流れ、発光する(検出信号の出力)。この
発光による検出信号の出力をフォトカプラ17の受光部
17bにより検出し、1次側の制御回路26によるスイ
ッチング素子27のオンオフ制御を停止(又は休止)状
態とする。これにより、1次側から2次側へのエネルギ
ー供給が停止(又は休止)するため、VOUT端子13
の電圧は徐々に低下する。検出電圧レベル以下になる
と、フォトカプラ17とシャントレギュレータ33によ
る検出信号の出力は無くなるため、再び制御回路26に
よるスイッチング素子27のオンオフ制御が再開され、
1次側から2次側へエネルギーが供給される。これによ
りVOUT端子13の電圧が上昇する。VOUT端子1
3のリップル電圧は、抵抗37とコンデンサ38の時定
数に依存するため、VOUT端子13の負荷状態により
異なる。
FIG. 12 is a diagram showing a circuit configuration of a power supply device using the conventional voltage detection circuit shown in FIG. 10 as a secondary side voltage detection circuit. A photo coupler 17 is used as the detection signal transmission means. When the voltage is detected by the conventional voltage detection circuit of FIG. 10, the shunt regulator 3
Since 3 becomes conductive, the light emitting unit 1 of the photocoupler 17
An electric current flows through 7a to emit light (output of a detection signal). The output of the detection signal by this light emission is detected by the light receiving portion 17b of the photocoupler 17, and the on / off control of the switching element 27 by the control circuit 26 on the primary side is stopped (or stopped). As a result, the energy supply from the primary side to the secondary side is stopped (or stopped), so that the VOUT terminal 13
Voltage gradually decreases. When the voltage becomes lower than the detection voltage level, the output of the detection signal by the photocoupler 17 and the shunt regulator 33 disappears, so that the on / off control of the switching element 27 by the control circuit 26 is restarted.
Energy is supplied from the primary side to the secondary side. As a result, the voltage of the VOUT terminal 13 rises. VOUT terminal 1
The ripple voltage of No. 3 depends on the time constant of the resistor 37 and the capacitor 38, and therefore varies depending on the load state of the VOUT terminal 13.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の電圧検出回路に
おいて、以下の課題がある。 (1)検出電圧精度を上げるためには、シャントレギュ
レータ33に流れる電流I33の電流値を上げる必要が
ある。この検出時に流れる電流は一般的に、数mAレベ
ルである。そのため、現在世界的な取り組みとされてい
る高効率化(即ち、省エネルギー化)の支障となる。 (2)シャントレギュレータ33に流れる電流I33の
電流値が不十分な場合、検出電圧精度が悪くなる。その
ため、抵抗34を追加する必要がある。 (3)VOUT端子13の電圧制御は抵抗37とコンデ
ンサ38の時定数に依存するため、VOUT端子13の
リップル電圧幅は負荷の状態により大きく異なることと
なる。 (4)電圧検出回路を構成する部品点数が多く、図10
に示すように、少なくとも8点は必要となる。
The conventional voltage detection circuit has the following problems. (1) In order to improve the detection voltage accuracy, it is necessary to increase the current value of the current I33 flowing through the shunt regulator 33. The current flowing at the time of this detection is generally on the order of several mA. Therefore, it is an obstacle to high efficiency (that is, energy saving), which is currently a global effort. (2) When the current value of the current I33 flowing through the shunt regulator 33 is insufficient, the detection voltage accuracy deteriorates. Therefore, it is necessary to add the resistor 34. (3) Since the voltage control of the VOUT terminal 13 depends on the time constant of the resistor 37 and the capacitor 38, the ripple voltage width of the VOUT terminal 13 varies greatly depending on the load condition. (4) Since the number of components forming the voltage detection circuit is large,
As shown in, at least 8 points are required.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の半導体装
置は、一端が被電圧検出端子に接続するための接続端子
に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレギュレー
タと、前記基準電圧端子に接続された第1の定電流源、
第2の定電流源、及び起動・停止回路と、前記起動・停
止回路の他端が第1の入力端子に接続されたNAND回
路と、前記第1の定電流源と、第1のスイッチ素子と第
2のスイッチ素子からなり、且つ前記第1のスイッチ素
子の出力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力
端子が接続されたカレントミラー回路と、前記カレント
ミラー回路の前記第1の定電流源と前記第2のスイッチ
素子の間に接続され、且つ前記NAND回路の出力端子
が接続された制御端子を有する第3のスイッチ素子と、
一端が前記第2の定電流源に接続され、他端が電圧検出
用端子に接続され、且つ制御端子が前記NAND回路の
出力端子に接続された第4のスイッチ素子と、前記電圧
検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基準電圧源
が接続され、出力端子が前記NAND回路の第2の入力
端子に接続されたコンパレータを有することを特徴とす
る。
A first semiconductor device according to the present invention is a regulator having one end connected to a connection terminal for connecting to a voltage detection terminal and the other end connected to a reference voltage terminal, and the reference. A first constant current source connected to the voltage terminal,
A second constant current source, a start / stop circuit, a NAND circuit in which the other end of the start / stop circuit is connected to a first input terminal, the first constant current source, and a first switch element. And a second switch element, and a detection signal output terminal for transmitting a detection signal to the output terminal of the first switch element is connected to the current mirror circuit, and the first constant circuit of the current mirror circuit. A third switch element having a control terminal connected between a current source and the second switch element and having an output terminal of the NAND circuit connected thereto;
A fourth switch element having one end connected to the second constant current source, the other end connected to a voltage detection terminal, and a control terminal connected to the output terminal of the NAND circuit; and the voltage detection terminal. Is connected to a detection terminal, a reference voltage source to a reference terminal, and an output terminal to a second input terminal of the NAND circuit.

【0009】また、本発明の第2の半導体装置は、一端
が被電圧検出端子に接続するための接続端子に、そして
他端が基準電圧端子に接続されたレギュレータと、前記
基準電圧端子に接続された第1の定電流源、第2の定電
流源、第3の定電流源、及び起動・停止回路と、前記起
動・停止回路の他端が第1の入力端子に接続されたNA
ND回路と、前記第3の定電流源と、第1のスイッチ素
子と第2のスイッチ素子からなり、且つ前記第1のスイ
ッチ素子の出力端子に検出信号を伝達するための検出信
号出力端子が接続されたカレントミラー回路と、前記第
1の定電流源と前記第2のスイッチ素子の間に接続さ
れ、且つ前記NAND回路の出力端子が接続された制御
端子を有する第3のスイッチ素子と、一端が前記第2の
定電流源に接続され、他端が電圧検出用端子に接続さ
れ、且つ制御端子が前記NAND回路の出力端子に接続
された第4のスイッチ素子と、前記電圧検出用端子が検
出端子に、そして基準端子に基準電圧源が接続され、出
力端子が前記NAND回路の第2の入力端子に接続され
たコンパレータを有することを特徴とする。
The second semiconductor device of the present invention is connected to a regulator having one end connected to a connection terminal for connecting to a voltage detection terminal and the other end connected to a reference voltage terminal, and the reference voltage terminal. The first constant current source, the second constant current source, the third constant current source, and the start / stop circuit, and the NA having the other end of the start / stop circuit connected to the first input terminal
An ND circuit, the third constant current source, a first switch element and a second switch element, and a detection signal output terminal for transmitting a detection signal to the output terminal of the first switch element. A connected current mirror circuit, a third switch element connected between the first constant current source and the second switch element, and having a control terminal connected to the output terminal of the NAND circuit, A fourth switch element having one end connected to the second constant current source, the other end connected to a voltage detection terminal, and a control terminal connected to the output terminal of the NAND circuit; and the voltage detection terminal. Is connected to a detection terminal, a reference voltage source to a reference terminal, and an output terminal to a second input terminal of the NAND circuit.

【0010】上記第1、2の半導体装置において、好ま
しくは、グランド端子と、接続端子と、基準電圧端子
と、電圧検出用端子と、検出信号出力端子の少なくとも
5つの端子からなることを特徴とする。
In the first and second semiconductor devices, it is preferable that at least five terminals of a ground terminal, a connection terminal, a reference voltage terminal, a voltage detection terminal, and a detection signal output terminal are provided. To do.

【0011】本発明の第1の電圧検出回路は、本発明の
第1、2の半導体装置の接続端子と電圧検出用端子の間
に接続された第1の抵抗と、前記電圧検出用端子とグラ
ンド端子の間に接続された第2の抵抗と、基準電圧端子
とグランド端子間に接続された第1のコンデンサと、前
記接続端子とグランド端子間に接続された第2のコンデ
ンサと、検出信号出力端子に接続された電圧検出信号伝
達手段を有することを特徴とする。
The first voltage detection circuit of the present invention includes a first resistor connected between the connection terminal and the voltage detection terminal of the first and second semiconductor devices of the present invention, and the voltage detection terminal. A second resistor connected between the ground terminals, a first capacitor connected between the reference voltage terminal and the ground terminal, a second capacitor connected between the connection terminal and the ground terminal, and a detection signal It is characterized by having a voltage detection signal transmission means connected to the output terminal.

【0012】以上のように、電圧検出回路を本発明の第
1、2の半導体装置を使用した構成にすることにより、
構成部品点数を低減することができる(前述の従来例で
は8点であるが、後述する実施例では6点となり、2点
削減となる)。
As described above, the voltage detecting circuit is constructed by using the first and second semiconductor devices of the present invention,
The number of constituent parts can be reduced (8 points in the above-mentioned conventional example, but 6 points in the embodiment described later, which is a reduction of 2 points).

【0013】更に、第1の抵抗と第2の抵抗により電圧
が検出されると、第2の定電流源から抵抗2へ電流が供
給されるため、被電圧検出端子の電圧が僅かに持ち上が
ることでヒステリシス特性を有する。この持ち上がった
電圧幅がリップル電圧幅となるため、このリップル電圧
幅は、被電圧検出端子の負荷状態に依存せずに常に一定
となる。
Further, when the voltage is detected by the first resistor and the second resistor, the current is supplied from the second constant current source to the resistor 2, so that the voltage at the voltage-detected terminal is slightly raised. It has a hysteresis characteristic. Since this lifted voltage width becomes the ripple voltage width, this ripple voltage width is always constant regardless of the load state of the voltage-detected terminal.

【0014】そして、更に、本発明の第1、2の半導体
装置における検出信号出力端子に接続された第1のスイ
ッチ素子に流す検出電流は、第1のスイッチ素子と第2
のスイッチ素子とで構成されるカレントミラー回路のミ
ラー比により調整できるため、低電流化を実現すること
ができる。
Further, the detection current flowing through the first switch element connected to the detection signal output terminal in the first and second semiconductor devices of the present invention is the same as that of the first switch element and the second switch element.
Since it can be adjusted by the mirror ratio of the current mirror circuit configured with the switch element of, the current can be reduced.

【0015】本発明の第1の電源装置は、本発明の第1
の電圧検出回路を出力電圧検出部に使用することを特徴
とする。
The first power supply device of the present invention is the first power supply device of the present invention.
The voltage detecting circuit is used for the output voltage detecting section.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.

【0017】図1は本発明の第1の実施形態である半導
体装置を表す。図2は図1の半導体装置を用いた電圧検
出回路、図3はこの電圧検出回路のVO1端子電圧波
形、VCC端子電圧波形、VO2端子電圧波形、及びI
PC電流波形を示す。
FIG. 1 shows a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 2 is a voltage detection circuit using the semiconductor device of FIG. 1, and FIG. 3 is a VO1 terminal voltage waveform, a VCC terminal voltage waveform, a VO2 terminal voltage waveform, and I of this voltage detection circuit.
The PC current waveform is shown.

【0018】図1の半導体装置は、検出する端子に接続
するための接続用端子VO1、基準電圧端子VCC、電
圧検出用端子VO2、検出信号を伝達するための検出信
号出力端子VPC、及びグランド端子であるGND/S
OURCEの計5つの端子から構成される。VO1とV
CCの間にはレギュレータ1があり、動作中は基準電圧
VCCを常に一定に保つ。VCCには、起動・停止回路
2、定電流源3、そして定電流源4が接続されている。
定電流源4とVO2の間にはスイッチ素子5が接続さ
れ、基準電圧源6(以下、この基準電圧をVBGとす
る)を有するコンパレータ7の検出端子にはVO2が接
続されている。コンパレータ7の出力端子と起動・停止
回路2の出力端子は共にNAND回路8の入力端子に接
続され、このNAND回路8の出力信号はスイッチ素子
5、9のゲート端子に接続されている。定電流源3はス
イッチ素子10、スイッチ素子11とからカレントミラ
ー回路を構成しているが、定電流源3とスイッチ素子1
1の間にはスイッチ素子9が接続されている。スイッチ
素子10は検出信号出力端子VPCに接続されている。
The semiconductor device of FIG. 1 has a connection terminal VO1 for connecting to a detection terminal, a reference voltage terminal VCC, a voltage detection terminal VO2, a detection signal output terminal VPC for transmitting a detection signal, and a ground terminal. Is GND / S
It consists of a total of five terminals. VO1 and V
There is a regulator 1 between CC and keeps the reference voltage VCC constant during operation. A start / stop circuit 2, a constant current source 3, and a constant current source 4 are connected to VCC.
A switch element 5 is connected between the constant current source 4 and VO2, and VO2 is connected to a detection terminal of a comparator 7 having a reference voltage source 6 (hereinafter, this reference voltage is VBG). The output terminal of the comparator 7 and the output terminal of the start / stop circuit 2 are both connected to the input terminal of the NAND circuit 8, and the output signal of the NAND circuit 8 is connected to the gate terminals of the switch elements 5 and 9. The constant current source 3 constitutes a current mirror circuit with the switch element 10 and the switch element 11, but the constant current source 3 and the switch element 1
A switch element 9 is connected between 1 and 1. The switch element 10 is connected to the detection signal output terminal VPC.

【0019】図2に示す電圧検出回路は、図1の半導体
装置12のVO1を電圧検出されるVOUT端子13
に、VO2端子をVOUT端子13とGND/SOUR
CE端子の間に直列接続された抵抗15(抵抗値をR1
5とする)と抵抗16(抵抗値をR16とする)の接続
点にそれぞれ接続されたものである。VPC端子には検
出信号出力手段としてフォトカプラ17の発光部が接続
され、VCCにはコンデンサ18が接続されている。ま
た、フォトカプラの発光部17aが発光していない場合
は、VOUT端子13に接続されたコンデンサ14には
電力供給がなされ、フォトカプラの発光部17aが発光
している場合は、コンデンサ14への電力供給は停止す
る。
The voltage detection circuit shown in FIG. 2 has a VOUT terminal 13 for detecting the voltage of VO1 of the semiconductor device 12 of FIG.
, VO2 terminal to VOUT terminal 13 and GND / SOUR
A resistor 15 (resistance value is R1
5) and a resistor 16 (whose resistance value is R16). A light emitting portion of the photocoupler 17 is connected to the VPC terminal as a detection signal output means, and a capacitor 18 is connected to VCC. When the light emitting portion 17a of the photocoupler is not emitting light, power is supplied to the capacitor 14 connected to the VOUT terminal 13, and when the light emitting portion 17a of the photocoupler is emitting light, the power is supplied to the capacitor 14. The power supply is stopped.

【0020】図2を用いて、本発明の第1の半導体装
置、及びこれを用いた電圧検出回路の動作を説明する。
The operation of the first semiconductor device of the present invention and the voltage detection circuit using the same will be described with reference to FIG.

【0021】VOUT端子13に接続されたコンデンサ
14に電力が供給されるとコンデンサ14の両端電圧が
上昇する。そのため、VOUT端子13に接続された電
圧検出用半導体装置12のVO1からレギュレータ1を
介してVCCに接続されたコンデンサ18に電流が供給
され、VCCの電圧も上昇する。VCCの電圧が、起動
・停止回路2で設定された起動電圧VCC0以上になる
と、電圧検出用半導体装置12は起動し、そして起動・
停止回路2からの出力信号は『L(ロー)』信号から
『H(ハイ)』信号となる。これにより、NAND回路
8の出力信号はコンパレータ7の出力信号に依存し、V
OUT端子13の電圧検出を開始する。ここで、VCC
端子の電圧は、VOUT端子13からレギュレータ1を
介してVCC端子に接続されたコンデンサ18へ電流が
供給され、レギュレータ1により一定電圧VCC1(>
VCC0)となるように制御されている。電圧検出用半
導体装置12への電力供給は、このコンデンサ18から
供給され、且つ各構成回路は低消費電力化が図られてい
る。
When power is supplied to the capacitor 14 connected to the VOUT terminal 13, the voltage across the capacitor 14 rises. Therefore, current is supplied from VO1 of the voltage detection semiconductor device 12 connected to the VOUT terminal 13 to the capacitor 18 connected to VCC via the regulator 1, and the voltage of VCC also rises. When the voltage of VCC becomes equal to or higher than the starting voltage VCC0 set by the starting / stopping circuit 2, the semiconductor device 12 for voltage detection starts, and
The output signal from the stop circuit 2 changes from the "L (low)" signal to the "H (high)" signal. As a result, the output signal of the NAND circuit 8 depends on the output signal of the comparator 7, and V
The voltage detection of the OUT terminal 13 is started. Where VCC
As for the voltage of the terminal, a current is supplied from the VOUT terminal 13 to the capacitor 18 connected to the VCC terminal via the regulator 1, and the regulator 1 supplies the constant voltage VCC1 (>
It is controlled to become VCC0). Power is supplied to the voltage detecting semiconductor device 12 from the capacitor 18, and the power consumption of each component circuit is reduced.

【0022】VOUT端子13の電圧が上昇、即ちVO
2端子電圧が上昇し、コンパレータ7の基準電圧VBG
(VOUT端子13の検出電圧をVoとすると、VBG
=Vo・R16/(R15+R16))以上になると、
コンパレータ7の出力信号は『L(ロー)』信号から
『H(ハイ)』信号となる。起動・停止回路2の出力信
号とコンパレータ7の出力信号は共に『H(ハイ)』信
号であるため、NAND回路8の出力信号は『L(ロ
ー)』となる。これにより、スイッチ素子9がオン状態
となるため、定電流源3からスイッチ素子9を介してス
イッチ素子11に電流が流れる。これにより、スイッチ
素子10もオン状態となる。スイッチ素子10がオン状
態となることにより、フォトカプラの発光素子17aに
電流が流れ、フォトカプラの発光素子17aは発光し、
外部のコンデンサ14への電力供給源へ出力信号を伝
達、そしてコンデンサ14への電力供給は停止する。こ
のとき同時にスイッチ素子5もNAND回路8の出力信
号によりオン状態となるため、定電流源4からI4がス
イッチ素子5を介してVO2端子に接続された抵抗16
に流れ、VOUT端子13の電圧はI4・(R15+R
16)だけ持ち上がり、VOUT端子13の電圧はVo
+I4・(R15+R16)となる。このフォトカプラ
の発光素子17aの伝達信号により、コンデンサ14へ
の電力供給は停止しているため、VOUT端子13の電
圧はVo+I4・(R15+R16)から徐々に低下
(VO2端子電圧も低下)する。
The voltage at the VOUT terminal 13 rises, that is, VO
2 terminal voltage rises, the reference voltage VBG of the comparator 7
(If the detection voltage of the VOUT terminal 13 is Vo, VBG
= Vo · R16 / (R15 + R16)) or more,
The output signal of the comparator 7 changes from the "L (low)" signal to the "H (high)" signal. Since the output signal of the start / stop circuit 2 and the output signal of the comparator 7 are both “H (high)” signals, the output signal of the NAND circuit 8 becomes “L (low)”. As a result, the switch element 9 is turned on, so that a current flows from the constant current source 3 to the switch element 11 via the switch element 9. As a result, the switch element 10 is also turned on. When the switch element 10 is turned on, a current flows through the light emitting element 17a of the photocoupler, and the light emitting element 17a of the photocoupler emits light.
The output signal is transmitted to the power supply source for the external capacitor 14, and the power supply to the capacitor 14 is stopped. At this time, since the switch element 5 is also turned on by the output signal of the NAND circuit 8 at the same time, the constant current sources 4 to I4 are connected to the VO2 terminal via the switch element 5 and the resistor 16 is connected.
And the voltage of the VOUT terminal 13 is I4. (R15 + R
16), and the voltage of VOUT terminal 13 is Vo
+ I4 · (R15 + R16) Since the power supply to the capacitor 14 is stopped by the transmission signal of the light emitting element 17a of the photocoupler, the voltage of the VOUT terminal 13 gradually decreases from Vo + I4. (R15 + R16) (the VO2 terminal voltage also decreases).

【0023】VO2端子電圧がコンパレータ7の基準電
圧VBG以下となると、コンパレータ7の出力信号は
『L(ロー)』、そしてNAND回路8の出力信号は
『H(ハイ)』となり、スイッチ素子5とスイッチ素子
9はオフ状態となる。従って、スイッチ素子10はオフ
状態となるため、フォトカプラの発光部17aには電流
が流れなくなり、コンデンサ14への電力供給源への出
力信号は停止するため、再びコンデンサ14へ電力が供
給される。これにより、VOUT13の電圧は再び上昇
(VO2端子電圧も上昇)する。
When the VO2 terminal voltage becomes equal to or lower than the reference voltage VBG of the comparator 7, the output signal of the comparator 7 becomes "L (low)" and the output signal of the NAND circuit 8 becomes "H (high)", and the switch element 5 and The switch element 9 is turned off. Therefore, since the switch element 10 is turned off, no current flows in the light emitting portion 17a of the photocoupler, and the output signal to the power supply source to the capacitor 14 is stopped, so that power is supplied to the capacitor 14 again. . As a result, the voltage of VOUT13 rises again (VO2 terminal voltage also rises).

【0024】以降、この動作を繰り返すことで、VOU
T端子13の電圧は所望する電圧Voとなるように制御
される。
After that, by repeating this operation, the VOU
The voltage of the T terminal 13 is controlled to be a desired voltage Vo.

【0025】ここで、VOUT端子13のリップル電圧
幅は上記にも記した通り、VOUT端子13に接続され
る負荷の状態に関わらず、I4・(R15+R16)と
一定になる。
Here, as described above, the ripple voltage width of the VOUT terminal 13 is constant as I4 · (R15 + R16) regardless of the state of the load connected to the VOUT terminal 13.

【0026】以上より、以下の効果がある。 (1)フォトカプラの発光部17aに流れる電流IPC
(=α・I3、ここでαはミラー比を表す)を電圧検出
用半導体装置12の定電流源3とスイッチ素子10,1
1で構成されるカレントミラー回路で調整することがで
きるため、このIPCを絞ることで、検出時の低消費電
力化を図ることができる。そして、上記にも記したが、
電圧検出用半導体装置12の回路電流を低減しているた
め、通常動作時に消費される電力を低減することができ
る。具体的に、この電圧検出用半導体装置12と抵抗1
5,16、そしてフォトカプラ17で消費される電流の
合計値は、従来例の約1/10以下にすることが可能で
ある。 (2)VOUT端子13のリップル電圧は、I4・(R
15+R16)で決まり、VOUT端子13に接続され
る負荷の状態に関わらず一定であるため、I4,R1
5,R16を調整することにより、リップル電圧をより
低くすることができる。 (3)出力電圧検出回路の部品点数は6点となり、部品
点数が削減される。
From the above, the following effects are obtained. (1) Current IPC flowing through the light emitting portion 17a of the photocoupler
(= Α · I3, where α represents a mirror ratio) is defined as the constant current source 3 of the voltage detection semiconductor device 12 and the switch elements 10, 1.
Since it can be adjusted by the current mirror circuit configured by 1, the power consumption at the time of detection can be reduced by narrowing down the IPC. And as mentioned above,
Since the circuit current of the voltage detection semiconductor device 12 is reduced, the power consumed during normal operation can be reduced. Specifically, the voltage detecting semiconductor device 12 and the resistor 1
The total value of the currents consumed by the photo couplers 5, 16 and the photo coupler 17 can be about 1/10 or less of that of the conventional example. (2) The ripple voltage of the VOUT terminal 13 is I4 · (R
15 + R16) and is constant regardless of the state of the load connected to the VOUT terminal 13, I4, R1
By adjusting 5 and R16, the ripple voltage can be made lower. (3) The number of parts of the output voltage detection circuit is 6, and the number of parts is reduced.

【0027】また、図4は本発明の第2の実施形態を表
す半導体装置である。図5は図4の半導体装置を用いた
電圧検出回路、図6はこの電圧検出回路のVO1端子電
圧波形、VCC端子電圧波形、VO2端子電圧波形、及
びIPC電流波形を示す。
Further, FIG. 4 shows a semiconductor device representing a second embodiment of the present invention. 5 shows a voltage detection circuit using the semiconductor device of FIG. 4, and FIG. 6 shows a VO1 terminal voltage waveform, a VCC terminal voltage waveform, a VO2 terminal voltage waveform, and an IPC current waveform of this voltage detection circuit.

【0028】図4で示す半導体装置は図1に定電流源1
9が追加されていることで、VOUT端子13の電圧が
所望する電圧Vo以下において、ある一定の電流α・I
3が流れている(但し、この電流によりフォトカプラの
発光部17aは発光しないレベル)だけで、その他の構
成、動作、及び特徴は図1と同じである。この定電流源
19が接続されていることにより、電圧検出用半導体装
置12によるVOUT端子13の電圧検出中は、スイッ
チ素子10とスイッチ素子11のゲート電圧を常に『H
(ハイ)』状態に固定されているため、半導体装置とし
ての動作を確実なものとする。
The semiconductor device shown in FIG. 4 has the constant current source 1 shown in FIG.
Since 9 is added, when the voltage of the VOUT terminal 13 is equal to or lower than the desired voltage Vo, a certain current α · I
3 is flowing (however, the light emitting portion 17a of the photocoupler does not emit light due to this current), and other configurations, operations, and characteristics are the same as those in FIG. Since the constant current source 19 is connected, the gate voltages of the switch elements 10 and 11 are constantly set to "H" while the voltage detecting semiconductor device 12 is detecting the voltage of the VOUT terminal 13.
Since it is fixed in the (high) state, the operation as a semiconductor device is ensured.

【0029】図7はトランスを使用したスイッチング電
源装置で、図2の電圧検出回路を使用した本発明の第1
の電源装置である。入力電圧電源21はフィルタ回路2
2を介して整流回路23で整流され、入力側平滑コンデ
ンサ24で平滑される。入力側平滑コンデンサ24で平
滑された電圧は、トランス20の1次側巻線20aに接
続され、制御回路26によるスイッチング素子27のス
イッチングによりトランスの2次側巻線20bにエネル
ギーが伝達される。ここで、図7中の28にあるよう
に、制御回路26とスイッチング素子27は同一基板上
に集積されれば、部品点数削減、低コスト化を図れると
いう利点がある。
FIG. 7 shows a switching power supply device using a transformer, which is the first embodiment of the present invention using the voltage detection circuit of FIG.
Power supply device. The input voltage power supply 21 is the filter circuit 2
2 is rectified by the rectifier circuit 23 and smoothed by the input-side smoothing capacitor 24. The voltage smoothed by the input-side smoothing capacitor 24 is connected to the primary winding 20a of the transformer 20, and energy is transmitted to the secondary winding 20b of the transformer by the switching of the switching element 27 by the control circuit 26. Here, as indicated by 28 in FIG. 7, if the control circuit 26 and the switching element 27 are integrated on the same substrate, there is an advantage that the number of parts can be reduced and the cost can be reduced.

【0030】2次側巻線20bに伝達されたエネルギー
は出力側平滑コンデンサ14に供給される。出力側平滑
コンデンサ14の両端電圧は、抵抗15と抵抗16によ
り分圧され、電圧検出用半導体装置12により所望する
電圧に制御される。制御動作内容は図3と同じであり、
電源としては低消費電力でリップル電圧の低い精度の高
い出力電圧が得られるという特徴がある。フォトカプラ
の発光部17aから出力信号がフォトカプラの受光部1
7bに伝達されると、受光部17bはオン状態となり、
制御回路26によるスイッチング素子27のオンオフ制
御は停止する。ここで、図5で示す電圧検出回路を使用
した場合も、動作としては同様である。
The energy transferred to the secondary winding 20b is supplied to the output smoothing capacitor 14. The voltage across the output-side smoothing capacitor 14 is divided by the resistors 15 and 16, and is controlled to a desired voltage by the voltage detection semiconductor device 12. The control operation contents are the same as in FIG.
The power supply is characterized by low power consumption and highly accurate output voltage with low ripple voltage. The output signal from the light emitting portion 17a of the photo coupler is the light receiving portion 1 of the photo coupler.
When it is transmitted to 7b, the light receiving unit 17b is turned on,
The on / off control of the switching element 27 by the control circuit 26 is stopped. Here, the operation is similar when the voltage detection circuit shown in FIG. 5 is used.

【0031】図8はコイルを使用した降圧型チョッパ方
式のスイッチング電源装置で、図2の電圧検出回路を使
用した本発明の第2の電源装置である。図8中のVIN
端子より入力電圧電源21が入力され、ダイオードから
なる整流回路30により整流されると、入力側平滑コン
デンサ24により、平滑される。入力側平滑コンデンサ
24で平滑された電圧は、制御回路26によるスイッチ
ング素子27のスイッチングにより、スイッチング素子
27のオン状態時にはコイル32から出力側平滑コンデ
ンサ14に、そしてスイッチング素子27がオフ状態に
おいては回生用ダイオード31からコイル32を介して
出力側平滑コンデンサ14に電力供給がなされる。ここ
で、図8中の28にあるように、図7の場合と同様、制
御回路26とスイッチング素子27は同一基板上に集積
されれば、部品点数削減、低コスト化が図れるという利
点がある。
FIG. 8 shows a step-down chopper type switching power supply device using a coil, which is a second power supply device of the present invention using the voltage detection circuit of FIG. VIN in Figure 8
When the input voltage power supply 21 is input from the terminal and rectified by the rectifier circuit 30 composed of a diode, it is smoothed by the input-side smoothing capacitor 24. The voltage smoothed by the input-side smoothing capacitor 24 is regenerated by the switching of the switching element 27 by the control circuit 26 from the coil 32 to the output-side smoothing capacitor 14 when the switching element 27 is on, and when the switching element 27 is off. Power is supplied to the output-side smoothing capacitor 14 from the diode for use 31 via the coil 32. Here, as in 28 in FIG. 8, if the control circuit 26 and the switching element 27 are integrated on the same substrate as in the case of FIG. 7, there is an advantage that the number of parts can be reduced and the cost can be reduced. .

【0032】出力側平滑コンデンサ14の両端電圧は、
抵抗15と抵抗16により分圧され、電圧検出用半導体
装置12により所望する電圧に制御される。制御動作内
容は図3と同じであり、電源としては低消費電力でリッ
プル電圧の低い精度の高い出力電圧が得られるという特
徴がある。フォトカプラの発光部17aから出力信号が
フォトカプラの受光部17bに伝達されると、受光部1
7bはオン状態となり、制御回路26によるスイッチン
グ素子27のオンオフ制御は停止する。これにより、出
力側平滑コンデンサ14への電力供給は停止する。ここ
で、図5で示す電圧検出回路を使用した場合も、動作と
しては同様である。
The voltage across the output-side smoothing capacitor 14 is
The voltage is divided by the resistors 15 and 16 and is controlled to a desired voltage by the voltage detection semiconductor device 12. The content of the control operation is the same as that of FIG. 3, and the power supply is characterized by low power consumption and highly accurate output voltage with low ripple voltage. When the output signal is transmitted from the light emitting portion 17a of the photo coupler to the light receiving portion 17b of the photo coupler, the light receiving portion 1
7b is turned on, and the on / off control of the switching element 27 by the control circuit 26 is stopped. As a result, the power supply to the output side smoothing capacitor 14 is stopped. Here, the operation is similar when the voltage detection circuit shown in FIG. 5 is used.

【0033】図9はコイルを使用した降圧型チョッパ方
式のスイッチング電源装置で、図2の電圧検出回路を使
用した本発明の第3の電源装置である。図8に示す降圧
型チョッパ方式のスイッチング電源装置においては、電
圧検出信号伝達手段としてフォトカプラ17を使用して
いるが、図9においては、制御回路26によるスイッチ
ング素子27のオンオフ制御を停止するためのFB端子
に直接電圧検出用半導体装置12のVPC端子を接続
し、VOUT端子13の所望する電圧Voを検出時にス
イッチ素子10がオン状態となるため、強制的に制御回
路26によるスイッチング素子27のオンオフ制御を停
止させる。ここで、スイッチ素子10は入力電圧VIN
が高電圧である場合、高耐圧素子を使用する必要があ
る。制御動作内容については、図8と同じであり、電源
としては低消費電力でリップル電圧の低い精度の高い出
力電圧が得られるという特徴がある。
FIG. 9 shows a step-down chopper type switching power supply device using a coil, which is a third power supply device of the present invention using the voltage detection circuit of FIG. In the step-down chopper type switching power supply device shown in FIG. 8, the photocoupler 17 is used as the voltage detection signal transmitting means, but in FIG. 9, the control circuit 26 stops the on / off control of the switching element 27. The VPC terminal of the voltage detection semiconductor device 12 is directly connected to the FB terminal of the switch element 10 and the switch element 10 is turned on when the desired voltage Vo of the VOUT terminal 13 is detected. Stop the on-off control. Here, the switch element 10 has an input voltage VIN
Is high voltage, it is necessary to use a high breakdown voltage element. The content of the control operation is the same as that of FIG. 8, and is characterized in that the power supply can obtain an accurate output voltage with low power consumption and low ripple voltage.

【0034】図9の降圧型チョッパ方式のスイッチング
電源装置において、図5で示す電圧検出回路を使用した
場合も、制御動作内容は図8と同じであり、電源として
は低消費電力でリップル電圧の低い精度の高い出力電圧
が得られるという特徴がある。ここで、制御回路26に
よるスイッチング素子27のオンオフ制御を停止させる
ためにFB端子から流れる電流値IFBと図6のα・I
3の大小関係はIFB>α・I3である。
Even when the voltage detection circuit shown in FIG. 5 is used in the step-down chopper type switching power supply device of FIG. 9, the control operation contents are the same as those of FIG. 8, and the power supply is low in power consumption and of ripple voltage. It is characterized in that a high output voltage with low accuracy can be obtained. Here, the current value IFB flowing from the FB terminal to stop the on / off control of the switching element 27 by the control circuit 26 and α · I in FIG.
The magnitude relationship of 3 is IFB> α · I3.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、電圧検出回路におい
て、低消費電力化が測れることができる。特に、本発明
の電圧検出用半導体装置を使用した電源装置において、
電源の高効率化を図ることができる。
According to the present invention, the power consumption can be reduced in the voltage detection circuit. In particular, in a power supply device using the semiconductor device for voltage detection of the present invention,
The efficiency of the power supply can be improved.

【0036】また、リップル電圧を常に一定に制御する
ことができる、そしてリップル電圧を抑えることもでき
るため、電源としての高精度制御が可能である。
Further, since the ripple voltage can be constantly controlled and the ripple voltage can be suppressed, highly accurate control as a power source is possible.

【0037】また、電圧検出回路を構成する構成部品を
削減できるため、小型化、低コスト化を図ることができ
る。
Further, since the number of components constituting the voltage detection circuit can be reduced, the size and cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る電圧検出用半導
体装置内部の回路構成図
FIG. 1 is a circuit configuration diagram inside a semiconductor device for voltage detection according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態に係る電圧検出回路の
回路構成図
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a voltage detection circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図3】第1の実施形態に係る電圧検出回路の回路動作
を説明するための図
FIG. 3 is a diagram for explaining the circuit operation of the voltage detection circuit according to the first embodiment.

【図4】本発明の第2の実施形態に係る電圧検出用半導
体装置内部の回路構成図
FIG. 4 is a circuit configuration diagram inside a voltage detection semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施形態に係る電圧検出回路の
回路構成図
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of a voltage detection circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】第2の実施形態に係る電圧検出回路の回路動作
を説明するための図
FIG. 6 is a diagram for explaining the circuit operation of the voltage detection circuit according to the second embodiment.

【図7】本発明の第3の実施形態に係る電源装置の回路
構成図
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a power supply device according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施形態に係る電源装置の回路
構成図
FIG. 8 is a circuit configuration diagram of a power supply device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5の実施形態に係る電源装置の回路
構成図
FIG. 9 is a circuit configuration diagram of a power supply device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】従来の電圧検出回路を示す回路構成図FIG. 10 is a circuit configuration diagram showing a conventional voltage detection circuit.

【図11】従来の電圧検出回路の回路動作を説明するた
めの図
FIG. 11 is a diagram for explaining the circuit operation of a conventional voltage detection circuit.

【図12】従来の電圧検出回路を用いた電源装置全体の
構成図
FIG. 12 is a configuration diagram of an entire power supply device using a conventional voltage detection circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レギュレータ 2 起動・停止回路 3 定電流源 4 定電流源 5 スイッチ素子 6 基準電圧源 7 コンパレータ 8 NAND回路 9 スイッチ素子 10 スイッチ素子 11 スイッチ素子 12 電圧検出用半導体装置 13 出力電圧端子 14 出力側平滑コンデンサ 15,16 抵抗 17 フォトカプラ 17a フォトカプラの発光部 17b フォトカプラの受光部 18 コンデンサ 19 定電流源 20 トランス 20a トランス1次側巻線 20b トランス2次側巻線 21 入力電圧源 22 フィルタ回路 23 整流回路 24 入力側平滑コンデンサ 25 スナバ回路 26 制御回路 27 スイッチング素子 28 同一の半導体基板上に集積される範囲 29 コンデンサ 30 整流回路 31 回生用ダイオード 32 コイル 1 regulator 2 Start / stop circuit 3 constant current source 4 constant current source 5 switch elements 6 Reference voltage source 7 comparator 8 NAND circuit 9 switch elements 10 switch elements 11 Switch element 12 Semiconductor device for voltage detection 13 Output voltage terminal 14 Output side smoothing capacitor 15,16 resistance 17 Photocoupler 17a Light emitting part of photocoupler 17b Photodetector of photocoupler 18 capacitors 19 constant current source 20 transformers 20a transformer primary winding 20b transformer secondary winding 21 Input voltage source 22 Filter circuit 23 Rectifier circuit 24 Input side smoothing capacitor 25 snubber circuit 26 Control circuit 27 switching elements 28 Range integrated on the same semiconductor substrate 29 capacitors 30 rectifier circuit 31 Regeneration diode 32 coils

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一端が被電圧検出端子に接続するための
接続端子に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレ
ギュレータと、 前記基準電圧端子に接続された第1の定電流源、第2の
定電流源、及び起動・停止回路と、 前記起動・停止回路の他端が第1の入力端子に接続され
たNAND回路と、 前記第1の定電流源と、第1のスイッチ素子と第2のス
イッチ素子からなり、且つ前記第1のスイッチ素子の出
力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力端子が
接続されたカレントミラー回路と、 前記カレントミラー回路の前記第1の定電流源と前記第
2のスイッチ素子の間に接続され、且つ前記NAND回
路の出力端子が接続された制御端子を有する第3のスイ
ッチ素子と、 一端が前記第2の定電流源に接続され、他端が電圧検出
用端子に接続され、且つ制御端子が前記NAND回路の
出力端子に接続された第4のスイッチ素子と、 前記電圧検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基
準電圧源が接続され、出力端子が前記NAND回路の第
2の入力端子に接続されたコンパレータを有することを
特徴とする半導体装置。
1. A regulator having one end connected to a connection terminal for connecting to a voltage detection terminal and the other end connected to a reference voltage terminal; a first constant current source connected to the reference voltage terminal; 2. A constant current source and a start / stop circuit, a NAND circuit in which the other end of the start / stop circuit is connected to a first input terminal, the first constant current source, and a first switch element. A current mirror circuit comprising a second switch element and having a detection signal output terminal for transmitting a detection signal connected to the output terminal of the first switch element; and the first constant current of the current mirror circuit. A third switch element having a control terminal connected between a power source and the second switch element and having an output terminal of the NAND circuit connected; one end connected to the second constant current source; Terminal for voltage detection A fourth switch element connected to the NAND circuit and having a control terminal connected to the output terminal of the NAND circuit, the voltage detection terminal connected to the detection terminal, and the reference terminal connected to the reference voltage source, and the output terminal connected to the NAND. A semiconductor device having a comparator connected to a second input terminal of a circuit.
【請求項2】 一端が被電圧検出端子に接続するための
接続端子に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレ
ギュレータと、 前記基準電圧端子に接続された第1の定電流源、第2の
定電流源、第3の定電流源、及び起動・停止回路と、 前記起動・停止回路の他端が第1の入力端子に接続され
たNAND回路と、 前記第3の定電流源と、第1のスイッチ素子と第2のス
イッチ素子からなり、且つ前記第1のスイッチ素子の出
力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力端子が
接続されたカレントミラー回路と、 前記第1の定電流源と前記第2のスイッチ素子の間に接
続され、且つ前記NAND回路の出力端子が接続された
制御端子を有する第3のスイッチ素子と、 一端が前記第2の定電流源に接続され、他端が電圧検出
用端子に接続され、且つ制御端子が前記NAND回路の
出力端子に接続された第4のスイッチ素子と、前記電圧
検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基準電圧源
が接続され、出力端子が前記NAND回路の第2の入力
端子に接続されたコンパレータを有することを特徴とす
る半導体装置。
2. A regulator having one end connected to a connection terminal for connecting to a voltage detection terminal and the other end connected to a reference voltage terminal; a first constant current source connected to the reference voltage terminal; A second constant current source, a third constant current source, and a start / stop circuit, a NAND circuit in which the other end of the start / stop circuit is connected to a first input terminal, and the third constant current source A current mirror circuit comprising a first switch element and a second switch element, and a detection signal output terminal for transmitting a detection signal connected to an output terminal of the first switch element; A third switch element connected between a constant current source and the second switch element and having a control terminal to which an output terminal of the NAND circuit is connected; and one end connected to the second constant current source , The other end is connected to the voltage detection terminal. A fourth switch element having a control terminal connected to the output terminal of the NAND circuit, the voltage detection terminal connected to the detection terminal, and the reference terminal connected to the reference voltage source, and the output terminal connected to the NAND circuit. A semiconductor device having a comparator connected to a second input terminal.
【請求項3】 グランド端子と、接続端子と、基準電圧
端子と、電圧検出用端子と、検出信号出力端子の少なく
とも5つの端子からなることを特徴とする請求項1、2
記載の半導体装置。
3. A ground terminal, a connection terminal, a reference voltage terminal, a voltage detection terminal, and at least five terminals of a detection signal output terminal.
The semiconductor device described.
【請求項4】 前記請求項1、2、3記載の半導体装置
の接続端子と電圧検出用端子の間に接続された第1の抵
抗と、前記電圧検出用端子とグランド端子の間に接続さ
れた第2の抵抗と、基準電圧端子とグランド端子間に接
続された第1のコンデンサと、前記接続端子とグランド
端子間に接続された第2のコンデンサと、検出信号出力
端子に接続された電圧検出信号伝達手段を有することを
特徴とする前記請求項1、2、3記載の半導体装置を用
いた電圧検出回路。
4. A first resistor connected between a connection terminal and a voltage detection terminal of the semiconductor device according to claim 1, and a connection between the voltage detection terminal and a ground terminal. A second resistor, a first capacitor connected between the reference voltage terminal and the ground terminal, a second capacitor connected between the connection terminal and the ground terminal, and a voltage connected to the detection signal output terminal. A voltage detection circuit using the semiconductor device according to any one of claims 1, 2, and 3, further comprising a detection signal transmission means.
【請求項5】 前記請求項4記載の電圧検出回路を出力
電圧検出部に使用することを特徴とする電源装置。
5. A power supply device using the voltage detection circuit according to claim 4 in an output voltage detection unit.
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