JP2003332206A - Aligner using electron beam and processing device using the electronic beam - Google Patents
Aligner using electron beam and processing device using the electronic beamInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置及び電子ビーム処理装置に関する。特に本発明は、電
子ビームにより精度よくウェハにパターンを露光するこ
とができる電子ビーム露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure apparatus and an electron beam processing apparatus. In particular, the present invention relates to an electron beam exposure apparatus capable of accurately exposing a pattern on a wafer with an electron beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の半導体デバイスの微細化に伴い、
高解像度化かつ高スループット化を実現するため、様々
な電子ビーム露光装置が開発されている。例えば、特開
平１１−１７６７３７号公報には、ウェハ上の転写位
置、ウェハの高さ、ビーム電流、及びパターンの散らば
り具合に応じて、電子ビームの偏向収差を補正する分割
転写方式の電子ビーム露光装置が開示されている。ま
た、特開平９−２４５７０８号公報には、電子ビームが
縮小される際に発生する収差を予め補正する電子ビーム
露光装置が開示されている。また、特開２００１−２６
７２２１号公報には、電子ビームを分割することにより
形成された複数の電子ビームの歪曲収差を補正する電子
ビーム露光装置が開示されている。2. Description of the Related Art With the recent miniaturization of semiconductor devices,
Various electron beam exposure apparatuses have been developed in order to realize high resolution and high throughput. For example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 11-176737 discloses a split transfer type electron beam exposure that corrects the deflection aberration of the electron beam according to the transfer position on the wafer, the height of the wafer, the beam current, and the degree of pattern dispersion. A device is disclosed. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-245708 discloses an electron beam exposure apparatus that pre-corrects aberrations that occur when the electron beam is reduced. In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-26
Japanese Patent No. 7221 discloses an electron beam exposure apparatus that corrects distortion aberrations of a plurality of electron beams formed by dividing an electron beam.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−１７６７３７号公報に開示された電子ビーム露光
装置では、複数の偏向器のそれぞれに、ウェハ上の転写
位置、ウェハの高さ、ビーム電流、及びパターンの散ら
ばり具合に応じて算出された補正データを供給するの
で、補正データを算出する関数が複雑になってしまうと
いう課題がある。また、特開平９−２４５７０８号公報
に開示された電子ビーム露光装置、及び特開２００１−
２６７２２１号公報に開示された電子ビーム露光装置で
は、電子ビームが縮小される際に発生する電子ビームの
像の回転を補正することが困難であるという課題があ
る。However, in the electron beam exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-176737, the transfer position on the wafer, the height of the wafer, the beam current, Also, since the correction data calculated according to the degree of dispersion of the pattern is supplied, there is a problem that the function for calculating the correction data becomes complicated. Further, an electron beam exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-245708, and Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2001
The electron beam exposure apparatus disclosed in Japanese Patent No. 267221 has a problem that it is difficult to correct the rotation of the image of the electron beam that occurs when the electron beam is reduced.
【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。Therefore, an object of the present invention is to provide an electron beam exposure apparatus and an electron beam processing apparatus which can solve the above problems. This object is achieved by a combination of features described in independent claims of the invention. The dependent claims define further advantageous specific examples of the present invention.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、電子ビームによりウェハを露光する電子ビ
ーム露光装置であって、第１の面に対して略垂直に入射
された電子ビームを、第２の面に略垂直に入射する第１
電磁レンズ系と、第２の面に対して略垂直に入射された
電子ビームを、ウェハに略垂直に入射する第２電磁レン
ズ系と、第１電磁レンズ系及び／又は第２電磁レンズ系
による、電子ビームの回転を補正する回転補正レンズ
と、ウェハにおける電子ビームを照射すべき位置に、電
子ビームを偏向する偏向系と、偏向系による偏向収差を
補正する偏向補正光学系とを備える。That is, according to a first aspect of the present invention, there is provided an electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with an electron beam, wherein electrons which are incident substantially perpendicular to a first surface. The beam is incident on the second surface substantially perpendicularly to the first
The electromagnetic lens system and the second electromagnetic lens system that makes an electron beam incident substantially perpendicular to the second surface enter the wafer substantially perpendicularly, and the first electromagnetic lens system and / or the second electromagnetic lens system. A rotation correction lens that corrects the rotation of the electron beam, a deflection system that deflects the electron beam at a position on the wafer to be irradiated with the electron beam, and a deflection correction optical system that corrects the deflection aberration caused by the deflection system.
【０００６】第１電磁レンズ系は、第１の面に対して入
射された電子ビームを縮小して第２の面に入射し、第２
電磁レンズ系は、第２の面に対して入射された電子ビー
ムを縮小して第３の面に入射してもよい。The first electromagnetic lens system reduces the electron beam incident on the first surface and makes the electron beam incident on the second surface.
The electromagnetic lens system may reduce the electron beam incident on the second surface and make the electron beam incident on the third surface.
【０００７】回転補正レンズは、第１の面と第２の面と
の間に設けられてもよい。偏向補正光学系は、第２の面
とウェハとの間に設けられてもよい。The rotation correction lens may be provided between the first surface and the second surface. The deflection correction optical system may be provided between the second surface and the wafer.
【０００８】第１電磁レンズ系は、第１の焦点距離を有
する第１電磁レンズと、第２の焦点距離を有し、第１電
磁レンズから、実質的に第１の焦点距離と第２の焦点距
離とを加算した距離隔てて設けられる第２電磁レンズと
を有し、第２電磁レンズ系は、第３の焦点距離を有する
第３電磁レンズと、第４の焦点距離を有し、第３電磁レ
ンズから、実質的に第３の焦点距離と第４の焦点距離と
を加算した距離隔てて設けられる第４電磁レンズとを有
してもよい。The first electromagnetic lens system has a first electromagnetic lens having a first focal length and a second focal length, and from the first electromagnetic lens, substantially the first focal length and the second focal length. A second electromagnetic lens provided with a distance that is the sum of the focal lengths, and the second electromagnetic lens system has a third electromagnetic lens having a third focal length and a fourth focal length, and A third electromagnetic lens may be provided with a fourth electromagnetic lens provided at a distance substantially the sum of the third focal length and the fourth focal length.
【０００９】第１電磁レンズは、第１の方向に磁界を形
成し、第２電磁レンズは、第１の方向と略反対の方向で
ある第２の方向に磁界を形成し、第３の電磁レンズは、
第２の方向に磁界を形成し、第４電磁レンズは、第１の
方向に磁界を形成してもよい。The first electromagnetic lens forms a magnetic field in a first direction, the second electromagnetic lens forms a magnetic field in a second direction that is substantially opposite to the first direction, and a third electromagnetic lens. The lens is
The magnetic field may be formed in the second direction, and the fourth electromagnetic lens may form the magnetic field in the first direction.
【００１０】回転補正レンズは、第１電磁レンズ又は第
２電磁レンズが形成する磁界内に設けられてもよい。回
転補正レンズのレンズ中心は、電子ビームの照射方向に
おいて、第２電磁レンズのレンズ中心と略等しい位置に
設けられてもよい。回転補正レンズのレンズ軸は、電子
ビームの照射方向に略垂直な方向において、第２電磁レ
ンズのレンズ軸と略等しい位置に設けられてもよい。回
転補正レンズは、静電レンズであってもよい。The rotation correction lens may be provided in the magnetic field formed by the first electromagnetic lens or the second electromagnetic lens. The lens center of the rotation correction lens may be provided at a position substantially equal to the lens center of the second electromagnetic lens in the electron beam irradiation direction. The lens axis of the rotation correction lens may be provided at a position substantially equal to the lens axis of the second electromagnetic lens in the direction substantially perpendicular to the irradiation direction of the electron beam. The rotation correction lens may be an electrostatic lens.
【００１１】回転補正レンズは、第１電磁レンズ系及び
／又は第２電磁レンズ系による、電子ビームの倍率をさ
らに補正してもよい。The rotation correction lens may further correct the magnification of the electron beam by the first electromagnetic lens system and / or the second electromagnetic lens system.
【００１２】偏向系は、主偏向器及び副偏向器を有し、
偏向補正光学系は、主偏向器及び副偏向器のうちの少な
くとも１つによる、電子ビームの偏向収差を補正しても
よい。偏向補正光学系は、電子ビームの非点収差を補正
する非点補正部と、電子ビームの焦点を補正する焦点補
正部とを有してもよい。The deflection system has a main deflector and a sub-deflector,
The deflection correction optical system may correct the deflection aberration of the electron beam by at least one of the main deflector and the sub deflector. The deflection correction optical system may include an astigmatism correction unit that corrects the astigmatism of the electron beam and a focus correction unit that corrects the focus of the electron beam.
【００１３】電子ビームを発生する電子銃と、電子銃が
発生した電子ビームを、第１の面に略垂直に入射する照
射電子光学系とをさらに備えてもよい。第１の面対して
略垂直に入射された電子ビームを、複数の電子ビームに
分割する補正電子光学系をさらに備えてもよい。An electron gun for generating an electron beam and an irradiation electron optical system for making the electron beam generated by the electron gun incident substantially perpendicularly to the first surface may be further provided. A correction electron optical system that splits the electron beam incident substantially perpendicularly to the first surface into a plurality of electron beams may be further provided.
【００１４】本発明の第２の形態によると、電子ビーム
によりウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、
第１の面に対して略垂直に入射された電子ビームを、第
２の面に略垂直に入射する第１電磁レンズ系と、第２の
面に対して略垂直に入射された電子ビームを、ウェハに
略垂直に入射する第２電磁レンズ系と、第１電磁レンズ
系及び／又は第２電磁レンズ系による、電子ビームの倍
率を補正する倍率補正レンズと、ウェハにおける電子ビ
ームを照射すべき位置に、電子ビームを偏向する偏向系
と、偏向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系と
を備える。According to a second aspect of the present invention, there is provided an electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with an electron beam,
The first electromagnetic lens system that makes the electron beam incident substantially perpendicular to the first surface enter the second surface substantially perpendicularly, and the electron beam that enters the second surface substantially perpendicularly , A second electromagnetic lens system that is incident on the wafer substantially perpendicularly, a magnification correction lens that corrects the electron beam magnification by the first electromagnetic lens system and / or the second electromagnetic lens system, and the electron beam on the wafer should be irradiated. A deflection system that deflects the electron beam and a deflection correction optical system that corrects the deflection aberration caused by the deflection system are provided at the position.
【００１５】本発明の第３の形態によると、第１の面に
対して略垂直に入射された電子ビームを、第２の面に略
垂直に入射する第１電磁レンズ系と、第２の面に対して
略垂直に入射された電子ビームを、第３の面に略垂直に
入射する第２電磁レンズ系と、第１電磁レンズ系及び／
又は第２電磁レンズ系による、電子ビームの回転を補正
する回転補正レンズと、第３の面における電子ビームを
照射すべき位置に、電子ビームを偏向する偏向系と、偏
向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系とを備え
る。According to the third aspect of the present invention, the first electromagnetic lens system which makes the electron beam incident substantially perpendicular to the first surface incident substantially perpendicular to the second surface, and the second electromagnetic lens system A second electromagnetic lens system that makes an electron beam incident substantially perpendicular to the surface substantially perpendicularly incident on the third surface, a first electromagnetic lens system, and / or
Alternatively, a rotation correction lens for correcting the rotation of the electron beam by the second electromagnetic lens system, a deflection system for deflecting the electron beam to a position on the third surface where the electron beam should be irradiated, and a deflection aberration by the deflection system are corrected. And a deflection correction optical system.
【００１６】本発明の第４の形態によると、第１の面に
対して略垂直に入射された電子ビームを、第２の面に略
垂直に入射する第１電磁レンズ系と、第２の面に対して
略垂直に入射された電子ビームを、第３の面に略垂直に
入射する第２電磁レンズ系と、第１電磁レンズ系及び／
又は第２電磁レンズ系による、電子ビームの倍率を補正
する倍率補正レンズと、第３の面における電子ビームを
照射すべき位置に、電子ビームを偏向する偏向系と、偏
向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系とを備え
る。According to the fourth aspect of the present invention, a first electromagnetic lens system that makes an electron beam incident substantially perpendicularly to the first surface incident substantially perpendicularly to the second surface, and a second electromagnetic lens system A second electromagnetic lens system that makes an electron beam incident substantially perpendicular to the surface substantially perpendicularly incident on the third surface, a first electromagnetic lens system, and / or
Alternatively, a magnification correction lens for correcting the magnification of the electron beam by the second electromagnetic lens system, a deflection system for deflecting the electron beam to a position on the third surface where the electron beam should be irradiated, and a deflection aberration by the deflection system are corrected. And a deflection correction optical system.
【００１７】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。The above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention, and sub-combinations of these feature groups can also be the invention.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the claimed invention, and the features described in the embodiments Not all combinations are essential to the solution of the invention.
【００１９】図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１０の構成の一例を示す。電子ビーム露光
装置１０は、電子ビームにより、ウェハ１４６に所定の
露光処理を施すための露光部１００と、露光部１００の
各構成の動作を制御する制御系２００とを備える。な
お、図中の一点鎖線は、電子ビームの光軸Ａを示し、点
線は、電子ビームの焦点面Ｂ１、焦点面Ｂ２、焦点面Ｂ
３、焦点面Ｂ４を示す。FIG. 1 shows an example of the configuration of an electron beam exposure apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. The electron beam exposure apparatus 10 includes an exposure unit 100 that performs a predetermined exposure process on the wafer 146 with an electron beam, and a control system 200 that controls the operation of each component of the exposure unit 100. The dashed line in the figure indicates the optical axis A of the electron beam, and the dotted lines indicate the focal plane B1, the focal plane B2, and the focal plane B of the electron beam.
3 shows the focal plane B4.
【００２０】露光部１００は、筐体１０２内部に、電子
ビームを発生し焦点面Ｂ１に対して入射する電子銃１１
０と、焦点面Ｂ１に対して入射された電子ビームの断面
を拡大し、焦点面Ｂ２に入射する照射電子光学系１１６
と、電子ビームを複数の電子ビームに分割する補正電子
光学系１１８と、焦点面Ｂ２から入射された電子ビーム
の断面を縮小し、焦点面Ｂ３に入射する第１電磁レンズ
系１２４と、第１電磁レンズ系１２４との組み合わせに
より電子ビームの回転及び／又は倍率を補正する回転・
倍率補正レンズ１２５と、焦点面Ｂ３から入射された電
子ビームの断面を縮小し、焦点面Ｂ４（即ちウェハ１４
６の表面）に入射する第２電磁レンズ系１３０と、電子
ビームの偏向収差を補正する偏向補正光学系１３６と、
ウェハ１４６における電子ビームを照射すべき位置に電
子ビームを偏向する偏向系１４２と、焦点面Ｂ４（即ち
ウェハ１４６の表面）においてマークに照射された電子
ビームの反射電子を検出する反射電子検出部１４４と、
ウェハ１４６が載置されるウェハステージ１４８とを備
える。The exposure section 100 includes an electron gun 11 which generates an electron beam inside the housing 102 and makes it incident on the focal plane B1.
0 and the irradiation electron optical system 116 which enlarges the cross section of the electron beam incident on the focal plane B1 and makes it incident on the focal plane B2.
A correction electron optical system 118 for splitting the electron beam into a plurality of electron beams, a first electromagnetic lens system 124 for reducing the cross section of the electron beam incident from the focal plane B2 and incident on the focal plane B3, and a first electromagnetic lens system 124 Rotation for correcting the electron beam rotation and / or magnification by combination with the electromagnetic lens system 124.
The cross section of the electron beam incident from the magnification correction lens 125 and the focal plane B3 is reduced to a focal plane B4 (that is, the wafer 14).
Second electromagnetic lens system 130, which is incident on the surface 6), and a deflection correction optical system 136 that corrects the deflection aberration of the electron beam,
A deflection system 142 that deflects the electron beam to a position on the wafer 146 to be irradiated with the electron beam, and a backscattered electron detector 144 that detects backscattered electrons of the electron beam irradiated onto the mark on the focal plane B4 (that is, the surface of the wafer 146). When,
A wafer stage 148 on which the wafer 146 is placed.
【００２１】電子銃１１０は、カソード１０４と、グリ
ッド１０６と、アノード１０８とを有する。カソード１
０４から放射された電子ビームは、グリッド１０６とア
ノード１０８との間でクロスオーバ像を形成する。グリ
ッド１０６に印加する電圧を変化させることによりクロ
スオーバ像の大きさを変化させる。The electron gun 110 has a cathode 104, a grid 106, and an anode 108. Cathode 1
The electron beam emitted from 04 forms a crossover image between the grid 106 and the anode 108. The size of the crossover image is changed by changing the voltage applied to the grid 106.
【００２２】照射電子光学系１１６は、３枚の開口電極
を含む静電レンズ１１２及び１１４を有する。静電レン
ズ１１２及び１１４は、電子銃１１０が発生した電子ビ
ームを拡大し、焦点面Ｂ２に垂直に入射する。即ち、補
正電子光学系１１８における所望の領域に、電子ビーム
を略垂直に入射する。The irradiation electron optical system 116 has electrostatic lenses 112 and 114 including three aperture electrodes. The electrostatic lenses 112 and 114 expand the electron beam generated by the electron gun 110 and make it vertically incident on the focal plane B2. That is, the electron beam is made to enter the desired region of the correction electron optical system 118 substantially vertically.
【００２３】補正電子光学系１１８は、後述するアパー
チャアレイ、ブランカアレイ、電磁レンズアレイ、スト
ッパアレイを有し、焦点面Ｂ２対して略垂直に入射され
た電子ビームを複数の電子ビームに分割し、複数の電子
ビームのそれぞれの焦点位置を調整する。補正電子光学
系１１８については、図２において詳細に説明する。The correction electron optical system 118 has an aperture array, a blanker array, an electromagnetic lens array, and a stopper array, which will be described later, and splits the electron beam incident substantially perpendicularly to the focal plane B2 into a plurality of electron beams. The focus position of each of the plurality of electron beams is adjusted. The correction electron optical system 118 will be described in detail with reference to FIG.
【００２４】第１電磁レンズ系１２４は、第１電磁レン
ズ１２０及び第２電磁レンズ１２２を有する。第１電磁
レンズ系１２４は、第１電磁レンズ１２０と第２電磁レ
ンズ１２２とが光軸Ａの方向に並んで設けられたダブレ
ットである。第１電磁レンズ１２０の焦点距離がｆ１で
あり、第２電磁レンズ１２２の焦点距離がｆ２である場
合、第１電磁レンズ１２０と第２電磁レンズ１２２と
は、ｆ１とｆ２とを加算した距離隔てて設けられる。第
１電磁レンズ系１２４の物点は、第１電磁レンズ１２０
の焦点位置（即ち焦点面Ｂ２）にあり、第１電磁レンズ
系１２４の像点は、第２電磁レンズ１２２の焦点位置
（即ち焦点面Ｂ３）である。そして、第１電磁レンズ系
１２４は、電子ビームの断面をｆ２／ｆ１に縮小する。The first electromagnetic lens system 124 has a first electromagnetic lens 120 and a second electromagnetic lens 122. The first electromagnetic lens system 124 is a doublet in which the first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 are arranged side by side in the optical axis A direction. When the focal length of the first electromagnetic lens 120 is f1 and the focal length of the second electromagnetic lens 122 is f2, the first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 are separated by a distance obtained by adding f1 and f2. Is provided. The object point of the first electromagnetic lens system 124 is the first electromagnetic lens 120.
At the focal position (that is, the focal plane B2), and the image point of the first electromagnetic lens system 124 is the focal position of the second electromagnetic lens 122 (that is, the focal plane B3). Then, the first electromagnetic lens system 124 reduces the cross section of the electron beam to f2 / f1.
【００２５】また、第１電磁レンズ１２０と第２電磁レ
ンズ１２２とは、逆方向に作用する磁界を形成すること
が望ましい。第１電磁レンズ１２０及び第２電磁レンズ
１２２は、光軸Ａを略中心として巻かれたコイルを有
し、光軸Ａに略平行な磁界を形成する。第１電磁レンズ
１２０が光軸Ａに略平行な第１の方向に磁界を形成する
場合、第２電磁レンズ１２２は、第１の方向と略反対の
方向である第２の方向に磁界を形成することが望まし
い。第１電磁レンズ１２０と第２電磁レンズ１２２とが
逆方向に作用する磁界を形成することにより、光学系に
より生じる電子ビームの収差を低減することができる。
特に、倍率に関する色収差、回転等を低減することがで
きる。It is desirable that the first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 form magnetic fields acting in opposite directions. The first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 have a coil wound around the optical axis A as a center and form a magnetic field substantially parallel to the optical axis A. When the first electromagnetic lens 120 forms a magnetic field in a first direction substantially parallel to the optical axis A, the second electromagnetic lens 122 forms a magnetic field in a second direction that is substantially opposite to the first direction. It is desirable to do. By forming a magnetic field in which the first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 act in opposite directions, the aberration of the electron beam generated by the optical system can be reduced.
In particular, it is possible to reduce chromatic aberration, rotation, etc. related to magnification.
【００２６】回転・倍率補正レンズ１２５は、第１電磁
レンズ１２０及び第２電磁レンズ１２２と組み合わせる
ことにより、第１電磁レンズ系１２４が有する第１電磁
レンズ１２０及び第２電磁レンズ１２２、並びに第２電
磁レンズ系１３０が有する第３電磁レンズ１２６及び第
４電磁レンズ１２８による、電子ビームの光軸Ａに対す
る回転、及び／又は電子ビームの倍率（即ち縮小率）を
補正する静電レンズである。具体的には、回転・倍率補
正レンズ１２５は、ウェハ１４６における電子ビームの
像の回転量及び／又は大きさを補正する。回転・倍率補
正レンズ１２５は、ユニポテンシャルレンズであること
が好ましい。回転・倍率補正レンズ１２５は、焦点面Ｂ
２と焦点面Ｂ３との間に設けられ、第１電磁レンズ１２
０又は第２電磁レンズ１２２が形成する磁界内に設けら
れることが好ましい。回転・倍率補正レンズ１２５のレ
ンズ中心は、電子ビームの照射方向において第２電磁レ
ンズ１２２のレンズ中心と略等しい位置に設けられるこ
とが好ましい。即ち、回転・倍率補正レンズ１２５と第
２電磁レンズ１２２とは、光軸Ａに略垂直な同一面に設
けられることが好ましい。また、回転・倍率補正レンズ
１２５のレンズ軸は、電子ビームの照射方向に略垂直な
方向において、第２電磁レンズ１２２のレンズ軸と略等
しい位置に設けられることが好ましい。即ち、回転・倍
率補正レンズ１２５と第２電磁レンズ１２２とは、光軸
Ａを中心として設けられることが好ましい。つまり、第
２電磁レンズ１２２のレンズ中心に設けられることが好
ましい。回転・倍率補正レンズ１２５が第２電磁レンズ
１２２のレンズ中心に設けられることにより、ウェハ１
４６における電子ビームの回転及び／又は倍率を効率よ
く補正することができる。By combining the rotation / magnification correction lens 125 with the first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122, the first electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 included in the first electromagnetic lens system 124, and the second electromagnetic lens 122. It is an electrostatic lens that corrects the rotation of the electron beam with respect to the optical axis A and / or the magnification (that is, reduction ratio) of the electron beam by the third electromagnetic lens 126 and the fourth electromagnetic lens 128 included in the electromagnetic lens system 130. Specifically, the rotation / magnification correction lens 125 corrects the rotation amount and / or the size of the electron beam image on the wafer 146. The rotation / magnification correction lens 125 is preferably a unipotential lens. The rotation / magnification correction lens 125 has a focal plane B.
2 and the focal plane B3, the first electromagnetic lens 12
It is preferably provided in the magnetic field formed by 0 or the second electromagnetic lens 122. The lens center of the rotation / magnification correction lens 125 is preferably provided at a position substantially equal to the lens center of the second electromagnetic lens 122 in the electron beam irradiation direction. That is, it is preferable that the rotation / magnification correction lens 125 and the second electromagnetic lens 122 are provided on the same plane substantially perpendicular to the optical axis A. The lens axis of the rotation / magnification correction lens 125 is preferably provided at a position substantially equal to the lens axis of the second electromagnetic lens 122 in the direction substantially perpendicular to the electron beam irradiation direction. That is, the rotation / magnification correction lens 125 and the second electromagnetic lens 122 are preferably provided with the optical axis A as the center. That is, it is preferable that the second electromagnetic lens 122 is provided at the lens center. By providing the rotation / magnification correction lens 125 at the lens center of the second electromagnetic lens 122, the wafer 1
The rotation and / or magnification of the electron beam at 46 can be efficiently corrected.
【００２７】第２電磁レンズ系１３０は、第３電磁レン
ズ１２６及び第４電磁レンズ１２８を有する。第２電磁
レンズ系１３０は、第３電磁レンズ１２６と第４電磁レ
ンズ１２８とが光軸Ａの方向に並んで設けられたダブレ
ットである。第３電磁レンズ１２６の焦点距離がｆ３で
あり、第４電磁レンズ１２８の焦点距離がｆ４である場
合、第３電磁レンズ１２６と第４電磁レンズ１２８と
は、ｆ３とｆ４とを加算した距離隔てて設けられる。第
２電磁レンズ系１３０の物点は、第３電磁レンズ１２６
の焦点位置（即ち焦点面Ｂ３）にあり、第２電磁レンズ
系１３０の像点は、第４電磁レンズ１２８の焦点位置
（即ち焦点面Ｂ４）である。そして、第２電磁レンズ系
１３０は、電子ビームの断面をｆ４／ｆ３に縮小する。The second electromagnetic lens system 130 has a third electromagnetic lens 126 and a fourth electromagnetic lens 128. The second electromagnetic lens system 130 is a doublet in which the third electromagnetic lens 126 and the fourth electromagnetic lens 128 are provided side by side in the direction of the optical axis A. When the focal length of the third electromagnetic lens 126 is f3 and the focal length of the fourth electromagnetic lens 128 is f4, the third electromagnetic lens 126 and the fourth electromagnetic lens 128 are separated by a distance obtained by adding f3 and f4. Is provided. The object point of the second electromagnetic lens system 130 is the third electromagnetic lens 126.
At the focal position (that is, the focal plane B3), and the image point of the second electromagnetic lens system 130 is the focal position of the fourth electromagnetic lens 128 (that is, the focal plane B4). Then, the second electromagnetic lens system 130 reduces the cross section of the electron beam to f4 / f3.
【００２８】また、第３電磁レンズ１２６と第４電磁レ
ンズ１２８とは、逆方向に作用する磁界を形成すること
が望ましい。第３電磁レンズ１２６及び第４電磁レンズ
１２８は、光軸Ａを略中心として巻かれたコイルを有
し、光軸Ａに略平行な磁界を形成する。第１電磁レンズ
１２０が第１の方向に磁界を形成する場合、第３電磁レ
ンズ１２６は、第２の方向に磁界を形成することが望ま
しい。さらに、第３電磁レンズ１２６が第２の方向に磁
界を形成する場合、第４電磁レンズ１２８は、第１の方
向に磁界を形成することが望ましい。第３電磁レンズ１
２６と第４電磁レンズ１２８とが逆方向に作用する磁界
を形成することにより、光学系により生じる電子ビーム
の収差を低減することができる。特に、倍率に関する色
収差、回転等を低減することができる。Further, it is desirable that the third electromagnetic lens 126 and the fourth electromagnetic lens 128 form magnetic fields acting in opposite directions. The third electromagnetic lens 126 and the fourth electromagnetic lens 128 have coils wound around the optical axis A as a center and form a magnetic field substantially parallel to the optical axis A. When the first electromagnetic lens 120 forms the magnetic field in the first direction, the third electromagnetic lens 126 preferably forms the magnetic field in the second direction. Further, when the third electromagnetic lens 126 forms the magnetic field in the second direction, it is desirable that the fourth electromagnetic lens 128 forms the magnetic field in the first direction. Third electromagnetic lens 1
By forming a magnetic field in which 26 and the fourth electromagnetic lens 128 act in opposite directions, aberration of the electron beam generated by the optical system can be reduced. In particular, it is possible to reduce chromatic aberration, rotation, etc. related to magnification.
【００２９】偏向系１４２は、主偏向器１３８及び副偏
向器１４０を有する。主偏向器１３８は、１ショットの
電子ビームで照射可能な領域（ショット領域）を複数含
むサブフィールド間で電子ビームを偏向するために用い
られる。また、副偏向器１４０は、主偏向器１３８より
も偏向量が小さく、サブフィールドにおけるショット領
域間の偏向のために用いられる。主偏向器１３８は、電
磁偏向器であることが好ましく、副偏向器１４０は、静
電偏向器であることが好ましい。The deflection system 142 has a main deflector 138 and a sub deflector 140. The main deflector 138 is used to deflect the electron beam between subfields including a plurality of regions (shot regions) that can be irradiated with one shot electron beam. Further, the sub deflector 140 has a smaller deflection amount than the main deflector 138 and is used for deflecting between shot areas in the subfield. The main deflector 138 is preferably an electromagnetic deflector, and the sub deflector 140 is preferably an electrostatic deflector.
【００３０】偏向補正光学系１３６は、非点補正レンズ
１３２及び焦点補正レンズ１３４とを有する。偏向補正
光学系１３６は、偏向系１４２を作動させた際に発生す
る偏向収差、即ちウェハ１４６において結像される電子
ビームの偏向量及び偏向方向に基づく偏向収差を補正す
る。非点補正レンズ１３２は、主偏向器１３８及び／又
は副偏向器１４０を作動させた際に発生する非点収差を
補正する。焦点補正レンズ１３４は、主偏向器１３８及
び／又は副偏向器１４０を作動させた際に発生する焦点
位置のずれを補正する。また、偏向補正光学系１３６
は、焦点面Ｂ３と焦点面Ｂ４（即ちウェハ１４６の表
面）との間に設けられることが好ましい。The deflection correction optical system 136 has an astigmatism correction lens 132 and a focus correction lens 134. The deflection correction optical system 136 corrects the deflection aberration generated when the deflection system 142 is operated, that is, the deflection aberration based on the deflection amount and the deflection direction of the electron beam imaged on the wafer 146. The astigmatism correction lens 132 corrects the astigmatism generated when the main deflector 138 and / or the sub deflector 140 is operated. The focus correction lens 134 corrects a shift in the focus position that occurs when the main deflector 138 and / or the sub deflector 140 is operated. Further, the deflection correction optical system 136
Is preferably provided between the focal plane B3 and the focal plane B4 (that is, the surface of the wafer 146).
【００３１】回転・倍率補正レンズ１２５が第１電磁レ
ンズ系１２４内に設けられ、偏向補正光学系１３６が第
２電磁レンズ系１３０内に設けられることにより、回転
・倍率補正レンズ１２５と偏向補正光学系１３６との機
構的な重なりを防ぐことができる。さらに、回転・倍率
補正レンズ１２５と偏向補正光学系１３６と、光学的な
干渉を防ぐことができる。By providing the rotation / magnification correction lens 125 in the first electromagnetic lens system 124 and the deflection correction optical system 136 in the second electromagnetic lens system 130, the rotation / magnification correction lens 125 and the deflection correction optical system 136 are provided. A mechanical overlap with the system 136 can be prevented. Further, it is possible to prevent optical interference between the rotation / magnification correction lens 125 and the deflection correction optical system 136.
【００３２】なお、焦点面Ｂ２は、電子銃１１０とウェ
ハ１４６との間にあり、焦点面Ｂ３は、焦点面Ｂ２とウ
ェハ１４６との間にある。また、焦点面Ｂ１、焦点面Ｂ
２、焦点面Ｂ３、及び焦点面Ｂ４は、光軸Ａと略垂直で
ある。The focal plane B2 is between the electron gun 110 and the wafer 146, and the focal plane B3 is between the focal plane B2 and the wafer 146. Also, focal plane B1 and focal plane B
2, the focal plane B3, and the focal plane B4 are substantially perpendicular to the optical axis A.
【００３３】制御系２００は、統括制御部２０２及び個
別制御部２０４を備える。統括制御部２０２は、例えば
ワークステーションであって、個別制御部２０４が有す
る各制御部を統括的に管理する。個別制御部２０４は、
照射電子光学系制御部２０６と、補正電子光学系制御部
２０８と、回転・倍率補正レンズ制御部２１０と、電磁
レンズ系制御部２１２、偏向補正光学系制御部２１４
と、偏向系制御部２１６と、反射電子処理部２１８と、
ウェハステージ制御部２２０とを有する。The control system 200 includes an integrated control unit 202 and an individual control unit 204. The integrated control unit 202 is, for example, a workstation, and comprehensively manages each control unit included in the individual control unit 204. The individual control unit 204
Irradiation electron optical system controller 206, correction electron optical system controller 208, rotation / magnification correction lens controller 210, electromagnetic lens system controller 212, deflection correction optical system controller 214.
A deflection system control unit 216, a reflection electron processing unit 218,
Wafer stage controller 220.
【００３４】照射電子光学系制御部２０６は、照射電子
光学系１１６が有する静電レンズ１１２及び１１４に印
加する電圧を制御する。照射電子光学系制御部２０６
は、静電レンズ１１２及び１１４のそれぞれに印加する
電圧を個別に調整することにより、焦点面Ｂ２において
結像される電子ビームの断面を拡大し、さらに電子ビー
ムを補正電子光学系１１８に対して略垂直に入射させ
る。The irradiation electron optical system controller 206 controls the voltage applied to the electrostatic lenses 112 and 114 of the irradiation electron optical system 116. Irradiation electron optical system control unit 206
Adjusts the voltage applied to each of the electrostatic lenses 112 and 114 individually, thereby enlarging the cross section of the electron beam imaged on the focal plane B2, and further applying the electron beam to the correction electron optical system 118. The light is made incident almost vertically.
【００３５】補正電子光学系制御部２０８は、アパーチ
ャアレイ、ブランカアレイ、電磁レンズアレイ、及びス
トッパアレイを有する補正電子光学系１１８を制御す
る。具体的には、補正電子光学系制御部２０８は、ブラ
ンカアレイが有する複数のブランキング電極のそれぞれ
に印加する電圧を制御する。また、補正電子光学系制御
部２０８は、電磁レンズアレイが有する複数の電磁レン
ズのそれぞれに供給する電力を制御する。The correction electron optical system control section 208 controls the correction electron optical system 118 having an aperture array, a blanker array, an electromagnetic lens array, and a stopper array. Specifically, the correction electron optical system control unit 208 controls the voltage applied to each of the blanking electrodes included in the blanker array. Further, the correction electron optical system control unit 208 controls the power supplied to each of the plurality of electromagnetic lenses included in the electromagnetic lens array.
【００３６】回転・倍率補正レンズ制御部２１０は、回
転・倍率補正レンズ１２５に印加する電圧を制御する。
回転・倍率補正レンズ制御部２１０は、回転・倍率補正
レンズ１２５に印加する電圧を調整することにより、所
望の向きかつ所望の大きさの断面形状を持つ電子ビーム
をウェハ１４６に照射させる。The rotation / magnification correction lens controller 210 controls the voltage applied to the rotation / magnification correction lens 125.
The rotation / magnification correction lens controller 210 adjusts the voltage applied to the rotation / magnification correction lens 125 to irradiate the wafer 146 with an electron beam having a desired orientation and a cross-sectional shape of a desired size.
【００３７】電磁レンズ系制御部２１２は、第１電磁レ
ンズ１２０、第２電磁レンズ１２２、第３電磁レンズ１
２６、及び第４電磁レンズ１２８に供給する電力を制御
する。具体的には、電磁レンズ系制御部２１２は、第１
電磁レンズ１２０と第２電磁レンズ１２２とがダブレッ
トを構成するように、第１電磁レンズ１２０のコイル及
び第２電磁レンズ１２２のコイルに供給する電流量を調
整する。また、電磁レンズ系制御部２１２は、第３電磁
レンズ１２６と第４電磁レンズ１２８とがダブレットを
構成するように、第３電磁レンズ１２６のコイル及び第
４電磁レンズ１２８のコイルに供給する電流量を調整す
る。The electromagnetic lens system controller 212 includes a first electromagnetic lens 120, a second electromagnetic lens 122, and a third electromagnetic lens 1.
26 and the electric power supplied to the fourth electromagnetic lens 128 are controlled. Specifically, the electromagnetic lens system control unit 212 uses the first
The amount of current supplied to the coil of the first electromagnetic lens 120 and the coil of the second electromagnetic lens 122 is adjusted so that the electromagnetic lens 120 and the second electromagnetic lens 122 form a doublet. Further, the electromagnetic lens system control unit 212 supplies the amount of current supplied to the coil of the third electromagnetic lens 126 and the coil of the fourth electromagnetic lens 128 so that the third electromagnetic lens 126 and the fourth electromagnetic lens 128 form a doublet. Adjust.
【００３８】回転・倍率補正レンズ制御部２１０が電子
ビームの回転を補正する場合、電磁レンズ系制御部２１
２は、回転・倍率補正レンズ制御部２１０の回転補正に
より生じた電子ビームの倍率のずれを補正するように、
第２電磁レンズ１２２のコイルに供給する電流量を調整
する。また、回転・倍率補正レンズ制御部２１０が電子
ビームの倍率を補正する場合、電磁レンズ系制御部２１
２は、回転・倍率補正レンズ制御部２１０の倍率補正に
より生じた電子ビームの回転のずれを補正するように、
第２電磁レンズ１２２のコイルに供給する電流量を調整
する。When the rotation / magnification correction lens controller 210 corrects the rotation of the electron beam, the electromagnetic lens system controller 21 is used.
2 is for correcting the deviation of the electron beam magnification caused by the rotation correction of the rotation / magnification correction lens control unit 210.
The amount of current supplied to the coil of the second electromagnetic lens 122 is adjusted. Further, when the rotation / magnification correction lens control unit 210 corrects the magnification of the electron beam, the electromagnetic lens system control unit 21
2 is for correcting the rotation deviation of the electron beam caused by the magnification correction of the rotation / magnification correction lens control unit 210.
The amount of current supplied to the coil of the second electromagnetic lens 122 is adjusted.
【００３９】偏向系制御部２１６は、主偏向器１３８及
び副偏向器１４０による電子ビームの偏向量を制御す
る。偏向補正光学系制御部２１４は、主偏向器１３８及
び／又は副偏向器１４０による電子ビームの偏向量及び
偏向方向に基づいて、非点収差補正レンズ１３２及び焦
点補正レンズ１３４に供給する電力を調整する。偏向補
正光学系制御部２１４は、偏向制御部２１６が主偏向器
１３８及び／又は副偏向器１４０を制御する信号に同期
して、非点収差補正レンズ１３２及び焦点補正レンズ１
３４に供給する電力を調整する。The deflection system controller 216 controls the deflection amount of the electron beam by the main deflector 138 and the sub deflector 140. The deflection correction optical system control unit 214 adjusts the power supplied to the astigmatism correction lens 132 and the focus correction lens 134 based on the deflection amount and the deflection direction of the electron beam by the main deflector 138 and / or the sub deflector 140. To do. The deflection correction optical system control unit 214 synchronizes with the signal for the deflection control unit 216 to control the main deflector 138 and / or the sub deflector 140 and synchronizes the astigmatism correction lens 132 and the focus correction lens 1.
Adjust the power supplied to 34.
【００４０】反射電子処理部２１８は、反射電子検出部
１４４により検出された電気信号に基づいて電子量を示
すデジタルデータを検出し、統括制御部２０２に通知す
る。ウェハステージ制御部２２０は、ウェハステージ１
４８を所望の位置に移動させる。The backscattered electron processing unit 218 detects digital data indicating the amount of electrons based on the electric signal detected by the backscattered electron detection unit 144, and notifies the integrated control unit 202. The wafer stage controller 220 uses the wafer stage 1
Move 48 to the desired position.
【００４１】図２は、本実施形態に係る補正電子光学系
１１８の構成の一例を示す。補正電子光学系１１８は、
アパーチャアレイ３００、Ｘ方向ブランカアレイ３０
２、Ｙ方向ブアンカアレイ３０４、電磁レンズアレイ３
０６、及びストッパアレイ３０８を有する。FIG. 2 shows an example of the configuration of the correction electron optical system 118 according to this embodiment. The correction electron optical system 118 is
Aperture array 300, X direction blanker array 30
2, Y-direction bunker array 304, electromagnetic lens array 3
06 and a stopper array 308.
【００４２】アパーチャアレイ３００は、基板に電子ビ
ームの断面形状を規定する複数の開口部が形成されてお
り、補正電子光学系１１８に対して略垂直に入射された
電子ビームを複数の電子ビーム４００ａ、４００ｂ、４
００ｃ・・・に分割する。Ｘ方向ブランカアレイ３０２
は、複数の個別偏向器を有し、アパーチャアレイ３００
で分割された複数の電子ビームのそれぞれをＸ方向に偏
向する。Ｙ方向ブランカアレイ３０４は、複数の微小偏
向器を有し、アパーチャアレイ３００で分割された複数
の電子ビームのそれぞれをＹ方向に偏向する。In the aperture array 300, a plurality of apertures that define the cross-sectional shape of the electron beam are formed in the substrate, and the electron beam incident on the correction electron optical system 118 substantially perpendicularly to the plurality of electron beams 400a. , 400b, 4
00c ... X direction blanker array 302
Has a plurality of individual deflectors, and the aperture array 300
Each of the plurality of electron beams divided by is deflected in the X direction. The Y-direction blanker array 304 has a plurality of minute deflectors, and deflects each of the plurality of electron beams divided by the aperture array 300 in the Y direction.
【００４３】電磁レンズアレイ３０６は、複数の静電レ
ンズを有し、Ｘ方向ブランカアレイ３０２及びＹ方向ブ
ランカアレイ３０４を通過した複数の電子ビームのそれ
ぞれを集束する。電磁レンズアレイ３０６は、複数の電
子ビームのそれぞれを独立に集束し、複数の電子ビーム
のそれぞれの焦点位置を調整することにより、第１電磁
レンズ系１２４及び／又は第２電磁レンズ系１３０によ
る歪曲収差を補正する。ストッパアレイ３０８は、基板
に複数の開口部が形成されており、Ｘ方向ブランカアレ
イ３０２及び／又はＹ方向ブランカアレイ３０４によっ
て偏向された電子ビームを遮断する。電子ビーム４００
ｂのように、Ｘ方向ブランカアレイ３０２によってＸ方
向に偏向された電子ビームは、ストッパアレイ３０８を
通過せず、ウェハ１４６への入射が遮断される。また、
電子ビーム４００ａ及び４００ｃのように、Ｘ方向ブラ
ンカアレイ３０２及びＹ方向ブランカアレイ３０４によ
って偏向されなかった電子ビームは、ストッパアレイ３
０８を通過し、ウェハ１４６へ入射される。The electromagnetic lens array 306 has a plurality of electrostatic lenses and focuses each of the plurality of electron beams passing through the X-direction blanker array 302 and the Y-direction blanker array 304. The electromagnetic lens array 306 independently focuses each of the plurality of electron beams, and adjusts the focal position of each of the plurality of electron beams to cause distortion by the first electromagnetic lens system 124 and / or the second electromagnetic lens system 130. Correct aberration. The stopper array 308 has a plurality of openings formed in the substrate and blocks the electron beam deflected by the X-direction blanker array 302 and / or the Y-direction blanker array 304. Electron beam 400
As shown in b, the electron beam deflected in the X direction by the X direction blanker array 302 does not pass through the stopper array 308 and is blocked from entering the wafer 146. Also,
The electron beams not deflected by the X-direction blanker array 302 and the Y-direction blanker array 304, like the electron beams 400a and 400c, are generated by the stopper array 3.
08, and is incident on the wafer 146.
【００４４】以下、図１及び図２を参照して、本実施形
態に係る電子ビーム露光装置１０の動作について説明す
る。ウェハステージ１４８には、露光処理が施されるウ
ェハ１４６が載置される。ウェハステージ制御部２２０
は、ウェハステージ１４８を移動させて、ウェハ１４６
の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置するようにす
る。また、電子銃１１０は、露光処理中において常に電
子ビームを照射するので、露光開始前において、電子ビ
ームがウェハ１４６に照射されないように、Ｘ方向ブラ
ンカアレイ３０２及び／又はＹ方向ブランカアレイ３０
４が電子ビームを偏向する。The operation of the electron beam exposure apparatus 10 according to this embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. A wafer 146 to be exposed is placed on the wafer stage 148. Wafer stage controller 220
Moves the wafer stage 148 to move the wafer 146
The area to be exposed is located near the optical axis A. In addition, since the electron gun 110 always irradiates the electron beam during the exposure process, the X-direction blanker array 302 and / or the Y-direction blanker array 30 is prevented so that the wafer 146 is not irradiated with the electron beam before the exposure is started.
4 deflects the electron beam.
【００４５】照射電子光学系制御部２０６は、電子ビー
ムが補正電子光学系１１８の所望の領域に略垂直に入射
されるように、静電レンズ１１２及び１１４を調整す
る。補正電子光学系制御部２０８は、分割された複数の
電子ビームのそれぞれが所望の結像条件になるように、
補正電子光学系１１８が有する電磁レンズアレイ３０６
の複数の静電レンズを調整する。回転・倍率補正レンズ
系制御部２１０は、複数の電子ビームのそれぞれがウェ
ハ１４６において所望の向きかつ所望の大きさの断面形
状を持つように、回転・倍率補正レンズ１２５を調整す
る。電磁レンズ系制御部２１２は、複数の電子ビームの
それぞれがウェハ１４６において所望の向きかつ所望の
大きさの断面形状を持つように、第１電磁レンズ１２
０、第２電磁レンズ１２２、第３電磁レンズ１２６、及
び第４電磁レンズ１２８を調整する。回転・倍率補正レ
ンズ系制御部２１０と電磁レンズ系制御部２１２とは、
第１電磁レンズ１２０、第２電磁レンズ１２２、第３電
磁レンズ１２６、及び第４電磁レンズ１２８と、回転・
倍率補正レンズ１２５とが相互に及ぼす影響を考慮して
調整される。偏向系制御部２１６は、ウェハ１４６の所
望の領域に複数の電子ビームが照射されるように、主偏
向器１３８及び副偏向器１４０を調整する。偏向補正光
学系制御部２１４は、主偏向器１３８及び／又は副偏向
器１４０による電子ビームの偏向収差を補正するよう
に、非点収差補正レンズ１３２及び焦点補正レンズ１３
４を調整する。The irradiation electron optical system control unit 206 adjusts the electrostatic lenses 112 and 114 so that the electron beam is incident on a desired region of the correction electron optical system 118 substantially vertically. The correction electron optical system control unit 208 adjusts each of the divided electron beams to a desired image formation condition,
Electromagnetic lens array 306 included in the correction electron optical system 118
Adjust multiple electrostatic lenses. The rotation / magnification correction lens system controller 210 adjusts the rotation / magnification correction lens 125 so that each of the plurality of electron beams has a desired orientation and a desired cross-sectional shape on the wafer 146. The electromagnetic lens system controller 212 controls the first electromagnetic lens 12 so that each of the plurality of electron beams has a cross-sectional shape of a desired orientation and a desired size on the wafer 146.
0, the second electromagnetic lens 122, the third electromagnetic lens 126, and the fourth electromagnetic lens 128 are adjusted. The rotation / magnification correction lens system control unit 210 and the electromagnetic lens system control unit 212 are
The first electromagnetic lens 120, the second electromagnetic lens 122, the third electromagnetic lens 126, and the fourth electromagnetic lens 128
It is adjusted in consideration of the mutual influence of the magnification correction lens 125. The deflection system controller 216 adjusts the main deflector 138 and the sub deflector 140 so that a desired region of the wafer 146 is irradiated with the plurality of electron beams. The deflection correction optical system control unit 214 corrects the deflection aberration of the electron beam by the main deflector 138 and / or the sub deflector 140 so as to correct the astigmatism correction lens 132 and the focus correction lens 13.
Adjust 4.
【００４６】照射電子光学系１１６、補正電子光学系１
１８、第１電磁レンズ系１２４、回転・倍率補正レンズ
１２５、第２電磁レンズ系１３０、偏向補正光学系１３
６、及び偏向系１４２が調整された後、補正電子光学系
１１８のＸ方向ブランカアレイ３０２及び／又はＹ方向
ブランカアレイ３０４による電子ビームの偏向を停止す
る。これにより、以下に示すように、電子ビームはウェ
ハ１４６に照射される。Irradiation electron optical system 116, correction electron optical system 1
18, first electromagnetic lens system 124, rotation / magnification correction lens 125, second electromagnetic lens system 130, deflection correction optical system 13
6 and the deflection system 142 are adjusted, the deflection of the electron beam by the X-direction blanker array 302 and / or the Y-direction blanker array 304 of the correction electron optical system 118 is stopped. Thereby, as shown below, the electron beam is applied to the wafer 146.
【００４７】まず、照射電子光学系１１６は、電子銃１
１０が発生した電子ビームの断面を拡大し焦点位置を補
正電子光学系１１８に調整して、補正電子光学系１１８
の所定の領域に略垂直に照射させる。そして、補正電子
光学系１１８において、アパーチャアレイ３００は、電
子ビームの断面形状を矩形に形成する。そして、Ｘ方向
ブランカアレイ３０２及び／又はＹ方向ブランカアレイ
３０４は、複数のブランキング電極のそれぞれに電圧を
印加することにより、ウェハ１４６に照射させるか否か
を切り替える。Ｘ方向ブランカアレイ３０２及び／又は
Ｙ方向ブランカアレイ３０４によって偏向されない電子
ビームは、電磁レンズアレイ３０６によって焦点が調整
され、ストッパアレイ３０８の開口部を通過する。Ｘ方
向ブランカアレイ３０２及び／又はＹ方向ブランカアレ
イ３０４よって偏向された電子ビームは、電磁レンズア
レイ３０６によって焦点が調整された後、ストッパアレ
イ３０８の開口部を通過できず、ストップアレイ３０８
に遮断される。First, the irradiation electron optical system 116 includes the electron gun 1.
10 enlarges the cross section of the electron beam generated and adjusts the focal position to the correction electron optical system 118,
Irradiate a predetermined area of the above in a substantially vertical direction. Then, in the correction electron optical system 118, the aperture array 300 forms the sectional shape of the electron beam into a rectangular shape. Then, the X-direction blanker array 302 and / or the Y-direction blanker array 304 switches whether to irradiate the wafer 146 by applying a voltage to each of the plurality of blanking electrodes. The electron beam not deflected by the X-direction blanker array 302 and / or the Y-direction blanker array 304 is focused by the electromagnetic lens array 306 and passes through the opening of the stopper array 308. The electron beam deflected by the X-direction blanker array 302 and / or the Y-direction blanker array 304 cannot pass through the opening of the stopper array 308 after being focused by the electromagnetic lens array 306, and thus the stop array 308.
To be shut off.
【００４８】次に、第１電磁レンズ系１２４は、補正電
子光学系１１８を通過した電子ビームを縮小する。ま
た、回転・倍率補正レンズ１２５は、第１電磁レンズ系
１２４との組み合わせにより、第１電磁レンズ系１２４
及び第２電磁レンズ系１３０が電子ビームを回転及び縮
小する際に発生する電子ビームの光軸Ａに対する回転、
及び／又は電子ビームの倍率（即ち縮小率）を補正す
る。Next, the first electromagnetic lens system 124 reduces the electron beam that has passed through the correction electron optical system 118. Further, the rotation / magnification correction lens 125 is combined with the first electromagnetic lens system 124 so that the first electromagnetic lens system 124
And rotation of the electron beam with respect to the optical axis A generated when the second electromagnetic lens system 130 rotates and reduces the electron beam,
And / or correct the electron beam magnification (ie, reduction rate).
【００４９】次に、第２電磁レンズ系１３０は、第１電
磁レンズ系１２４が縮小した電子ビームをさらに縮小
し、ウェハ１４６に焦点が合うように調整する。また、
偏向系１４２は、主偏向器１３８及び副偏向器１４０に
より電子ビームがウェハ１４６上の所定のショット領域
に照射されるように偏向する。また、偏向補正光学系１
３６は、非点補正レンズ１３２により主偏向器１３８及
び／又は副偏向器１４０を作動させた際に発生する非点
収差を補正し、焦点補正レンズ１３４により主偏向器１
３８及び／又は副偏向器１４０を作動させた際に発生す
る焦点位置のずれを補正する。そして、電子ビームは、
ウェハ１４６に照射され、ウェハ１４６上の所定のショ
ット領域にアパーチャアレイ３００の開口部のパターン
像が転写される。以上のプロセスにより、ウェハ１４６
上の所定のショット領域に、アパーチャアレイ３００の
開口部の形状を有するパターンが露光される。Next, the second electromagnetic lens system 130 further reduces the electron beam reduced by the first electromagnetic lens system 124, and adjusts it so that the wafer 146 is in focus. Also,
The deflection system 142 deflects the electron beam by the main deflector 138 and the sub-deflector 140 so that a predetermined shot area on the wafer 146 is irradiated with the electron beam. In addition, the deflection correction optical system 1
Reference numeral 36 corrects astigmatism generated when the main deflector 138 and / or the sub deflector 140 is operated by the astigmatism correction lens 132, and the main deflector 1 by the focus correction lens 134.
38, and / or the deviation of the focus position that occurs when the sub deflector 140 is operated is corrected. And the electron beam is
The wafer 146 is irradiated, and the pattern image of the opening of the aperture array 300 is transferred to a predetermined shot area on the wafer 146. Through the above process, the wafer 146
A pattern having the shape of the opening of the aperture array 300 is exposed on the predetermined shot area above.
【００５０】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
によれば、第１電磁レンズ系１２４及び第２電磁レンズ
系１３０による電子ビームの回転、倍率等の静的な誤差
量を補正する回転・倍率補正レンズ１２５及び第１電磁
レンズ系１２４と、偏向系１４２による作動させた際に
発生する動的な誤差量を補正する偏向補正光学系１３６
とが別々に設けられるので、電子ビームの回転、倍率、
収差等を精度よく補正することができる。また、回転・
倍率補正レンズ１２５及び第１電磁レンズ系１２４は、
静的な誤差量を補正するための補正係数により動作し、
偏向補正光学系１３６は、動的な誤差量を補正するため
の補正係数により動作するため、補正係数間の干渉を軽
減することができる。Electron beam exposure apparatus 10 according to this embodiment
According to the first electromagnetic lens system 124 and the second electromagnetic lens system 130, the rotation / magnification correction lens 125 and the first electromagnetic lens system 124 for correcting the static error amount such as rotation and magnification of the electron beam by the electron beam, and the deflection. A deflection correction optical system 136 for correcting a dynamic error amount generated when the system 142 is operated.
Since and are provided separately, rotation of the electron beam, magnification,
Aberration and the like can be accurately corrected. Also, rotation
The magnification correction lens 125 and the first electromagnetic lens system 124 are
Operates with a correction coefficient to correct the static error amount,
The deflection correction optical system 136 operates with a correction coefficient for correcting a dynamic error amount, and therefore interference between the correction coefficients can be reduced.
【００５１】なお、本発明に係る電子ビーム露光装置
は、可変矩形を用いた電子ビーム露光装置であってもよ
く、ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイスを用
いた電子ビーム露光装置であってもよい。電子ビーム露
光装置１０は、本発明に係る電子ビーム処理装置の一例
である。本発明に係る電子ビーム処理装置は、電子ビー
ム露光装置の他、電子顕微鏡、電子ビームテスタ等であ
ってもよい。The electron beam exposure apparatus according to the present invention may be an electron beam exposure apparatus using a variable rectangle or an electron beam exposure apparatus using a blanking aperture array device. . The electron beam exposure apparatus 10 is an example of the electron beam processing apparatus according to the present invention. The electron beam processing apparatus according to the present invention may be an electron microscope, an electron beam tester or the like in addition to the electron beam exposure apparatus.
【００５２】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲
には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または
改良を加えることができる。そのような変更または改良
を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ること
が、特許請求の範囲の記載から明らかである。Although the present invention has been described using the embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiments. Various changes or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
【００５３】[0053]
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、電子ビームにより精度よくウェハにパターンを
露光する電子ビーム露光装置を提供することができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to provide an electron beam exposure apparatus which exposes a pattern on a wafer with an electron beam with high precision.
【図１】本発明の一実施形態にかかる電子ビーム露光装
置１０の構成の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a configuration of an electron beam exposure apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.
【図２】本実施形態に係る補正電子光学系１１８の構成
の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a configuration of a correction electron optical system 118 according to the present embodiment.
１０・・・電子ビーム露光装置、１００・・・露光部、
１０２・・・筐体、１０４・・・カソード、１０６・・
・グリッド、１０８・・・アノード、１１０・・・電子
銃、１１２・・・静電レンズ、１１４・・・静電レン
ズ、１１６・・・照射電子光学系、１１８・・・補正電
子光学系、１２０・・・第１電磁レンズ、１２２・・・
第２電磁レンズ、１２４・・・第１電磁レンズ系、１２
５・・・回転・倍率補正レンズ、１２６・・・第３電磁
レンズ、１２８・・・第４電磁レンズ、１３０・・・第
２電磁レンズ系、１３２・・・非点補正レンズ、１３４
・・・焦点補正レンズ、１３６・・・偏向補正光学系、
１３８・・・主偏向器、１４０・・・副偏向器、１４２
・・・偏向系、１４４・・・反射電子検出部、１４６・
・・ウェハ、１４８・・・ウェハステージ、２００・・
・制御系、２０２・・・統括制御部、２０４・・・個別
制御部、２０６・・・照射電子光学系制御部、２０８・
・・補正電子光学系制御部、２１０・・・回転・倍率補
正レンズ制御部、２１２・・・電磁レンズ系制御部、２
１４・・・偏向補正光学系制御部、２１６・・・偏向系
制御部、２１８・・・反射電子処理部、２２０・・・ウ
ェハステージ制御部、３００・・・アパーチャアレイ、
３０２・・・Ｘ方向ブランカアレイ、３０４・・・Ｙ方
向ブランカアレイ、３０６・・・電磁レンズアレイ、３
０８・・・ストッパアレイ、４００・・・電子ビーム10 ... Electron beam exposure apparatus, 100 ... Exposure unit,
102 ... Casing, 104 ... Cathode, 106 ...
-Grid, 108 ... Anode, 110 ... Electron gun, 112 ... Electrostatic lens, 114 ... Electrostatic lens, 116 ... Irradiation electron optical system, 118 ... Correction electron optical system, 120 ... First electromagnetic lens, 122 ...
Second electromagnetic lens, 124 ... First electromagnetic lens system, 12
5 ... Rotation / magnification correction lens, 126 ... Third electromagnetic lens, 128 ... Fourth electromagnetic lens, 130 ... Second electromagnetic lens system, 132 ... Astigmatism correction lens, 134
... Focus correction lens, 136 ... Deflection correction optical system,
138 ... Main deflector, 140 ... Sub deflector, 142
... Deflection system 144 ... Backscattered electron detector 146
.... Wafer, 148 ... Wafer stage, 200 ...
Control system, 202 ... integrated control unit, 204 ... individual control unit, 206 ... irradiation electron optical system control unit, 208 ...
..Correction electron optical system control unit, 210 ... Rotation / magnification correction lens control unit, 212 ... Electromagnetic lens system control unit, 2
14 ... Deflection correction optical system control unit, 216 ... Deflection system control unit, 218 ... Reflection electron processing unit, 220 ... Wafer stage control unit, 300 ... Aperture array,
302 ... X-direction blanker array, 304 ... Y-direction blanker array, 306 ... Electromagnetic lens array, 3
08: Stopper array, 400: Electron beam
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｄ ５４１Ａ (72)発明者 濱口 新一 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 後藤 進 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キャ ノン株式会社内 (72)発明者 上村 理 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5C033 DE07 GG03 GG05 JJ01 JJ05 5C034 BB02 BB04 BB08 5F056 AA05 AA06 AA07 AA16 AA33 CB05 CB14 CB18 CB29 CB30 CB31 CB40 CC02 EA08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01J 37/305 H01L 21/30 541D 541A (72) Inventor Shinichi Hamaguchi 1-32, Asahimachi, Nerima-ku, Tokyo No. 1 Incorporated company Advantest (72) Inventor Susumu Goto 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Osamu Uemura 1-280 Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo Hitachi, Ltd. F-term in Central Research Laboratory (Reference) 5C033 DE07 GG03 GG05 JJ01 JJ05 5C034 BB02 BB04 BB08 5F056 AA05 AA06 AA07 AA16 AA33 CB05 CB14 CB18 CB29 CB30 CB31 CB40 CC02 EA08
Claims (18)
ビーム露光装置であって、 第１の面に対して略垂直に入射された前記電子ビーム
を、第２の面に略垂直に入射する第１電磁レンズ系と、 前記第２の面に対して略垂直に入射された前記電子ビー
ムを、前記ウェハに略垂直に入射する第２電磁レンズ系
と、 前記第１電磁レンズ系及び／又は前記第２電磁レンズ系
による、前記電子ビームの回転を補正する回転補正レン
ズと、 前記ウェハにおける前記電子ビームを照射すべき位置
に、前記電子ビームを偏向する偏向系と、 前記偏向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系と
を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。1. An electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with an electron beam, wherein the electron beam incident substantially perpendicularly to a first surface is incident substantially perpendicularly to a second surface. An electromagnetic lens system, a second electromagnetic lens system that makes the electron beam incident substantially perpendicular to the second surface enter the wafer substantially vertically, the first electromagnetic lens system and / or the first electromagnetic lens system. (2) A rotation correction lens that corrects the rotation of the electron beam by an electromagnetic lens system, a deflection system that deflects the electron beam at a position on the wafer where the electron beam should be irradiated, and a deflection aberration that is caused by the deflection system is corrected. And a deflection correction optical system for controlling the electron beam exposure apparatus.
に対して入射された前記電子ビームを縮小して前記第２
の面に入射し、 前記第２電磁レンズ系は、前記第２の面に対して入射さ
れた前記電子ビームを縮小して前記第３の面に入射する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装
置。2. The first electromagnetic lens system reduces the electron beam incident on the first surface to reduce the second beam.
2. The second electromagnetic lens system reduces the electron beam incident on the second surface and makes the electron beam incident on the third surface. Electron beam exposure equipment.
前記第２の面との間に設けられることを特徴とする請求
項１に記載の電子ビーム露光装置。3. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the rotation correction lens is provided between the first surface and the second surface.
前記ウェハとの間に設けられることを特徴とする請求項
１に記載の電子ビーム露光装置。4. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the deflection correction optical system is provided between the second surface and the wafer.
的に前記第１の焦点距離と前記第２の焦点距離とを加算
した距離隔てて設けられる第２電磁レンズとを有し、 前記第２電磁レンズ系は、 第３の焦点距離を有する第３電磁レンズと、 第４の焦点距離を有し、前記第３電磁レンズから、実質
的に前記第３の焦点距離と前記第４の焦点距離とを加算
した距離隔てて設けられる第４電磁レンズとを有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。5. The first electromagnetic lens system has a first electromagnetic lens having a first focal length and a second focal length, wherein the first electromagnetic lens system is substantially the first focal point. A second electromagnetic lens provided with a distance that is the sum of the distance and the second focal length, wherein the second electromagnetic lens system has a third electromagnetic lens having a third focal length; A fourth electromagnetic lens having a focal length and provided at a distance from the third electromagnetic lens substantially the sum of the third focal length and the fourth focal length. The electron beam exposure apparatus according to claim 1.
界を形成し、 前記第２電磁レンズは、前記第１の方向と略反対の方向
である第２の方向に磁界を形成し、 前記第３の電磁レンズは、前記第２の方向に磁界を形成
し、 前記第４電磁レンズは、前記第１の方向に磁界を形成す
ることを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光装
置。6. The first electromagnetic lens forms a magnetic field in a first direction, and the second electromagnetic lens forms a magnetic field in a second direction that is substantially opposite to the first direction. The electron beam according to claim 5, wherein the third electromagnetic lens forms a magnetic field in the second direction, and the fourth electromagnetic lens forms a magnetic field in the first direction. Exposure equipment.
ンズ又は前記第２電磁レンズが形成する磁界内に設けら
れることを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光
装置。7. The electron beam exposure apparatus according to claim 5, wherein the rotation correction lens is provided in a magnetic field formed by the first electromagnetic lens or the second electromagnetic lens.
記電子ビームの照射方向において、前記第２電磁レンズ
のレンズ中心と略等しい位置に設けられることを特徴と
する請求項５に記載の電子ビーム露光装置。8. The electron beam according to claim 5, wherein the lens center of the rotation correction lens is provided at a position substantially equal to the lens center of the second electromagnetic lens in the irradiation direction of the electron beam. Exposure equipment.
電子ビームの照射方向に略垂直な方向において、前記第
２電磁レンズのレンズ軸と略等しい位置に設けられるこ
とを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光装置。9. The lens axis of the rotation correction lens is provided at a position substantially equal to the lens axis of the second electromagnetic lens in a direction substantially perpendicular to the irradiation direction of the electron beam. The electron beam exposure apparatus according to.
あることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光
装置。10. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein the rotation correction lens is an electrostatic lens.
レンズ系及び／又は前記第２電磁レンズ系による、前記
電子ビームの倍率をさらに補正することを特徴とする請
求項１に記載の電子ビーム露光装置。11. The electron beam according to claim 1, wherein the rotation correction lens further corrects a magnification of the electron beam by the first electromagnetic lens system and / or the second electromagnetic lens system. Exposure equipment.
を有し、 前記偏向補正光学系は、前記主偏向器及び前記副偏向器
のうちの少なくとも１つによる、前記電子ビームの偏向
収差を補正することを特徴とする請求項１に記載の電子
ビーム露光装置。12. The deflection system has a main deflector and a sub deflector, and the deflection correction optical system deflects the electron beam by at least one of the main deflector and the sub deflector. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein aberration is corrected.
ことを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装
置。13. The deflection correction optical system includes an astigmatism correction unit that corrects astigmatism of the electron beam, and a focus correction unit that corrects a focus of the electron beam. The electron beam exposure apparatus according to.
に略垂直に入射する照射電子光学系とをさらに備えるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。14. An electron gun for generating the electron beam, and an irradiation electron optical system for making the electron beam generated by the electron gun incident substantially perpendicularly to the first surface. The electron beam exposure apparatus according to claim 1.
た前記電子ビームを、複数の電子ビームに分割する補正
電子光学系をさらに備えることを特徴とする請求項１４
に記載の電子ビーム露光装置。15. The correction electron optical system according to claim 14, further comprising a correction electron optical system that divides the electron beam incident substantially perpendicularly to the first surface into a plurality of electron beams.
The electron beam exposure apparatus according to.
子ビーム露光装置であって、 第１の面に対して略垂直に入射された前記電子ビーム
を、第２の面に略垂直に入射する第１電磁レンズ系と、 前記第２の面に対して略垂直に入射された前記電子ビー
ムを、前記ウェハに略垂直に入射する第２電磁レンズ系
と、 前記第１電磁レンズ系及び／又は前記第２電磁レンズ系
による、前記電子ビームの倍率を補正する倍率補正レン
ズと、 前記ウェハにおける前記電子ビームを照射すべき位置
に、前記電子ビームを偏向する偏向系と、 前記偏向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系と
を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。16. An electron beam exposure apparatus for exposing a wafer with an electron beam, wherein the electron beam incident substantially perpendicularly to the first surface is incident substantially perpendicularly to the second surface. An electromagnetic lens system, a second electromagnetic lens system that makes the electron beam incident substantially perpendicular to the second surface enter the wafer substantially vertically, the first electromagnetic lens system and / or the first electromagnetic lens system. 2 A magnification correction lens that corrects the magnification of the electron beam by an electromagnetic lens system, a deflection system that deflects the electron beam to a position on the wafer where the electron beam should be irradiated, and a deflection aberration that is caused by the deflection system is corrected. And a deflection correction optical system for controlling the electron beam exposure apparatus.
前記電子ビームを、第２の面に略垂直に入射する第１電
磁レンズ系と、 前記第２の面に対して略垂直に入射された前記電子ビー
ムを、第３の面に略垂直に入射する第２電磁レンズ系
と、 前記第１電磁レンズ系及び／又は前記第２電磁レンズ系
による、前記電子ビームの回転を補正する回転補正レン
ズと、 前記第３の面における前記電子ビームを照射すべき位置
に、前記電子ビームを偏向する偏向系と、 前記偏向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系と
を備えることを特徴とする電子ビーム処理装置。17. A first electromagnetic lens system for injecting the electron beam, which is incident substantially perpendicularly to the first surface, substantially perpendicularly to the second surface, and substantially perpendicular to the second surface. Correction of rotation of the electron beam by the second electromagnetic lens system that makes the electron beam incident on the third surface substantially perpendicular to the third surface, and the first electromagnetic lens system and / or the second electromagnetic lens system A rotation correction lens, a deflection system that deflects the electron beam at a position on the third surface where the electron beam is to be irradiated, and a deflection correction optical system that corrects the deflection aberration of the deflection system. Characteristic electron beam processing device.
前記電子ビームを、第２の面に略垂直に入射する第１電
磁レンズ系と、 前記第２の面に対して略垂直に入射された前記電子ビー
ムを、第３の面に略垂直に入射する第２電磁レンズ系
と、 前記第１電磁レンズ系及び／又は前記第２電磁レンズ系
による、前記電子ビームの倍率を補正する倍率補正レン
ズと、 前記第３の面における前記電子ビームを照射すべき位置
に、前記電子ビームを偏向する偏向系と、 前記偏向系による偏向収差を補正する偏向補正光学系と
を備えることを特徴とする電子ビーム処理装置。18. A first electromagnetic lens system which makes the electron beam incident substantially perpendicularly to the first surface substantially perpendicularly to the second surface, and substantially perpendicularly to the second surface. A second electromagnetic lens system for injecting the electron beam incident on the third surface substantially perpendicularly to the third surface and a magnification of the electron beam by the first electromagnetic lens system and / or the second electromagnetic lens system. A magnification correction lens, a deflection system that deflects the electron beam at a position on the third surface where the electron beam is to be irradiated, and a deflection correction optical system that corrects the deflection aberration of the deflection system. Characteristic electron beam processing device.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009512973A (en) * | 2005-10-20 | 2009-03-26 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Charged particle system |
| WO2012050018A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Electron beam device |
| JP2014127568A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing device |
| US8927941B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-01-06 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method with fixed voltage ratio einzel lens |
| KR20190099316A (en) * | 2016-12-30 | 2019-08-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Devices using multiple charged particle beams |
| KR20220078689A (en) | 2019-11-21 | 2022-06-10 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | Multi-charged particle beam adjustment method, multi-charged particle beam irradiation method, and multi-charged particle beam irradiation apparatus |
-
2002
- 2002-05-10 JP JP2002135891A patent/JP2003332206A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009512973A (en) * | 2005-10-20 | 2009-03-26 | カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Charged particle system |
| WO2012050018A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Electron beam device |
| US8735814B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-05-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron beam device |
| US8927941B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-01-06 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method with fixed voltage ratio einzel lens |
| TWI476808B (en) * | 2012-03-19 | 2015-03-11 | Nuflare Technology Inc | Multi - charged particle beam rendering device and multi - charged particle beam rendering method |
| JP2014127568A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing device |
| KR20190099316A (en) * | 2016-12-30 | 2019-08-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Devices using multiple charged particle beams |
| JP2020503644A (en) * | 2016-12-30 | 2020-01-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Apparatus using multiple charged particle beams |
| US11062874B2 (en) | 2016-12-30 | 2021-07-13 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus using multiple charged particle beams |
| KR102392700B1 (en) * | 2016-12-30 | 2022-04-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Devices using multiple charged particle beams |
| KR20220078689A (en) | 2019-11-21 | 2022-06-10 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | Multi-charged particle beam adjustment method, multi-charged particle beam irradiation method, and multi-charged particle beam irradiation apparatus |
| US11804360B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-10-31 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam adjustment method, multi charged particle beam irradiation method, and multi charged particle beam irradiation apparatus |
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