JP2003322662A - Electronic device and its manufacturing method - Google Patents

Electronic device and its manufacturing method

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JP2003322662A
JP2003322662A JP2002129001A JP2002129001A JP2003322662A JP 2003322662 A JP2003322662 A JP 2003322662A JP 2002129001 A JP2002129001 A JP 2002129001A JP 2002129001 A JP2002129001 A JP 2002129001A JP 2003322662 A JP2003322662 A JP 2003322662A
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JP
Japan
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semiconductor substrate
glass plate
connection hole
forming
manufacturing
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Application number
JP2002129001A
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Japanese (ja)
Inventor
Kunihiro Nakamura
邦宏 中村
Yasuo Yamaguchi
靖雄 山口
Shiro Yamazaki
史朗 山▲崎▼
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Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device having high yields in which satisfactory wiring patterns are formed without the breakage of structural parts such as mass bodies or the breakage of wires. <P>SOLUTION: In this manufacturing method, function parts 5 and 6 are formed in a semiconductor substrate 1, and the semiconductor substrate 1 is sandwiched between two first and second glass sheets 2 and 3 to constitute the electronic device 10. The manufacturing method includes a process for preparing the semiconductor substrate and the first and second glass sheets; a process for forming recession parts 21 having a depth thinner than the thickness of the first glass sheet in a first surface of the first glass sheet; a process for forming the functional parts in the semiconductor substrate; a process for joining a first surface of the semiconductor substrate and the second surface of the first glass sheet; a process for forming connection holes 4 passing to the second surface by etching the recession parts in the first surface of the first glass sheet and exposing the functional pars of the semiconductor substrate at their bottom parts; a process for joining a second surface of the semiconductor substrate and a first surface of the second glass sheet; and a process for forming electrodes connected to the functional parts exposed at the bottom parts by forming a conductive film 18 along the inner walls of the connecting holes. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、機能部を有する半
導体基板を２枚のガラス板で挟んで構成される電子デバ
イス、特に半導体容量型の加速度センサ素子の製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic device constructed by sandwiching a semiconductor substrate having a functional portion between two glass plates, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor capacitive acceleration sensor element.

【０００２】[0002]

【従来の技術】機能部を有する半導体基板を２枚のガラ
ス板で挟んで構成する電子デバイスとしては、加速度セ
ンサ素子や圧力センサ素子がある。加速度センサ素子に
は種々の機構によるものが用いられている。例えば、半
導体容量型の加速度センサ素子がある。この加速度セン
サ素子は、図１４の（ｄ）に示すように、半導体基板５
１を２枚の第１及び第２のガラス板５２、５３で挟んで
構成されている。この半導体基板５１は、微細加工され
た振動可能な質量体５５と、該質量体５５を挟む固定電
極５６ａ、５６ｂとが形成されている。また、２枚の第
１及び第２のガラス板５２、５３のうち少なくとも一方
の第１ガラス板５２に設けられた開口部５４ｃ、５４ｄ
を介して質量体５５、固定電極５６ａ、５６ｂから電極
を取り出している。この加速度センサ素子では、加速度
を受けた場合の質量体５５の変位を固定電極５６ａ，５
６ｂ間の電気信号として取得する。この半導体容量型の
加速度センサ素子は、マイクロコンピュータによる制御
を容易に行うことができ、小型化、高機能化が進展して
いる。2. Description of the Related Art As an electronic device constructed by sandwiching a semiconductor substrate having a functional portion between two glass plates, there are an acceleration sensor element and a pressure sensor element. Various types of acceleration sensor elements are used. For example, there is a semiconductor capacitance type acceleration sensor element. As shown in FIG. 14D, this acceleration sensor element has a semiconductor substrate 5
1 is sandwiched between two first and second glass plates 52 and 53. The semiconductor substrate 51 is provided with a micromachined vibrating mass body 55 and fixed electrodes 56a and 56b sandwiching the mass body 55. Further, openings 54c and 54d provided in at least one first glass plate 52 of the two first and second glass plates 52 and 53.
The electrodes are taken out from the mass body 55 and the fixed electrodes 56a and 56b via the. In this acceleration sensor element, the displacement of the mass body 55 when receiving an acceleration is measured by the fixed electrodes 56a, 5a.
It is acquired as an electric signal between 6b. This semiconductor capacitance type acceleration sensor element can be easily controlled by a microcomputer, and is being miniaturized and highly functionalized.

【０００３】図１１から図１４を用いて、従来の半導体
容量型の加速度センサ素子の製造方法における各工程に
ついて説明する。図１１は、第１ガラス板５２に接続孔
５４ｃ、５４ｄを開口するまで工程を示した。図１２
は、第２ガラス板５３に凹部７３を形成する工程を示し
た。図１３は、半導体基板５１に質量体５５及び固定電
極５６ａ、５６ｂを分離する分離溝を形成するまでの工
程を示した。また、図１４は、半導体基板５１を第１及
び第２のガラス板５２、５３で挟んで加速度センサ素子
を構成する工程を示した。11 to 14, each step in the conventional method for manufacturing a semiconductor capacitive acceleration sensor element will be described. FIG. 11 shows the process until the connection holes 54c and 54d are opened in the first glass plate 52. 12
Shows the step of forming the recess 73 in the second glass plate 53. FIG. 13 shows a process up to forming a separation groove for separating the mass body 55 and the fixed electrodes 56a and 56b on the semiconductor substrate 51. Further, FIG. 14 shows a step of forming an acceleration sensor element by sandwiching the semiconductor substrate 51 between the first and second glass plates 52 and 53.

【０００４】図１１を用いて、第１ガラス板５２に接続
孔５４ｃ、５４ｄを開口するまでの各工程を説明する。 （ａ）厚さ約４００μｍの第１ガラス板５２を準備す
る。 （ｂ）第１ガラス板５２の両面に厚さ約３０μｍのレジ
スト膜７０ａ、７０ｂを成膜する。 （ｃ）第１ガラス板５２の第１面６１に成膜したレジス
ト膜７０ａにフォトリソグラフィ法を用いて直径５００
μｍの円形の接続孔用のパターンを形成する（図１１
（ａ））。 （ｄ）パターン形成したレジスト膜７０ａをマスクとし
て、サンドブラスト法により第１ガラス板５２に接続孔
５４ｃ、５４ｄを形成する（図１１の（ｂ））。この
時、第１ガラス板５２に形成された接続孔５４ｃ、５４
ｄは、逆円錐面状を呈し、第１面６１の開口径から深さ
方向に向かって内径は徐々に小さくなる。さらに、第２
面６２の開口部の近傍では、逆に接続孔５４ｃ、５４ｄ
の内径は徐々に大きくなり、断面の傾斜が逆になるオー
バハング部８７を有する。オーバハング部８７は、接続
孔５４ｃ、５４ｄの開口時、第２面６２に達する際、最
後に開口される部分ではガラスの残厚が薄くなるため、
サンドブラスト時の圧力に耐えられず、一度に割れや欠
けが生じて形成される。また、オーバハング部８７は、
開口後にレジスト膜７０ｂが柔らかいためにサンド粒子
が跳ね返って第２面６２と下側まで回り込むことによっ
ても形成される。 （ｅ）第１ガラス板５２の第２面６２に、フォトリソグ
ラフィ法を用いて所望のパターンを形成し、該レジスト
膜７０ｂのパターンをマスクにして、例えば、深さ１０
０μｍの所望のパターンの凹部７２を形成する。 （ｆ）有機溶剤を用いて、第１及び第２面のレジスト膜
７０ａ、７０ｂを除去する（図１１（ｃ））。Each step of forming the connection holes 54c and 54d in the first glass plate 52 will be described with reference to FIG. (A) A first glass plate 52 having a thickness of about 400 μm is prepared. (B) Resist films 70a and 70b having a thickness of about 30 μm are formed on both surfaces of the first glass plate 52. (C) The resist film 70a formed on the first surface 61 of the first glass plate 52 has a diameter of 500 by photolithography.
A pattern for a circular connecting hole of μm is formed (FIG. 11).
(A)). (D) Using the patterned resist film 70a as a mask, the connection holes 54c and 54d are formed in the first glass plate 52 by the sandblast method ((b) of FIG. 11). At this time, the connection holes 54c, 54 formed in the first glass plate 52
d has an inverted conical surface shape, and the inner diameter gradually decreases from the opening diameter of the first surface 61 in the depth direction. Furthermore, the second
In the vicinity of the opening of the surface 62, conversely, the connection holes 54c, 54d
Has an overhang portion 87 whose inner diameter gradually increases and the cross-sectional inclination is reversed. In the overhang portion 87, when the connection holes 54c and 54d are opened, when reaching the second surface 62, the remaining thickness of the glass becomes thin at the last opened portion.
It cannot withstand the pressure during sandblasting and is formed with cracks and chips at once. In addition, the overhang portion 87
Since the resist film 70b is soft after the opening, it is also formed by the sand particles bouncing back and wrapping around the second surface 62 and the lower side. (E) A desired pattern is formed on the second surface 62 of the first glass plate 52 using a photolithography method, and the pattern of the resist film 70b is used as a mask to, for example, depth 10
A recess 72 having a desired pattern of 0 μm is formed. (F) The resist films 70a and 70b on the first and second surfaces are removed using an organic solvent (FIG. 11C).

【０００５】次に、図１２を用いて、第２ガラス板５３
に凹部７３を形成する工程について説明する。 （ｇ）まず、第２ガラス板５３を用意する。 （ｈ）第２ガラス板５３の第１面６３に、レジスト膜を
成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて該レジスト膜に
所望のパターンを形成する。該レジスト膜のパターンを
マスクにして、例えば、深さ１００μｍの所望のパター
ンの凹部７３を形成する（図１２）。Next, referring to FIG. 12, the second glass plate 53
The step of forming the recess 73 in the substrate will be described. (G) First, the second glass plate 53 is prepared. (H) A resist film is formed on the first surface 63 of the second glass plate 53, and a desired pattern is formed on the resist film by photolithography. Using the pattern of the resist film as a mask, for example, a recess 73 having a desired pattern with a depth of 100 μm is formed (FIG. 12).

【０００６】さらに、図１３を用いて、半導体基板５１
に質量体５５、固定電極５６ａ，５６ｂ、該質量体５５
及び固定電極５６ａ，５６ｂを分離する溝を形成するま
での工程を説明する。 （ｉ）厚さ２００μｍの半導体基板５１として、シリコ
ン基板を用意する。 （ｊ）半導体基板５１の第１面６５に熱酸化により表面
に酸化膜６７を形成する。次いで、レジスト膜７４を塗
布し、フォトリソグラフィ法を用いて、質量体５５及び
固定電極５６ａ，５６ｂを分離する溝用のレジスト膜の
パターンを形成する（図１３（ａ））。 （ｋ）異方性ドライエッチング装置を用いて、表面の酸
化膜やレジスト膜をマスクとして、例えば、該質量体５
５及び固定電極５６ａ，５６ｂを分離するための、深さ
約１００μｍ、幅５μｍの溝を形成する（図１３
（ｂ））。Further, referring to FIG. 13, a semiconductor substrate 51
Mass 55, fixed electrodes 56a, 56b, mass 55
A process up to forming a groove for separating the fixed electrodes 56a and 56b will be described. (I) A silicon substrate is prepared as the semiconductor substrate 51 having a thickness of 200 μm. (J) An oxide film 67 is formed on the first surface 65 of the semiconductor substrate 51 by thermal oxidation. Next, a resist film 74 is applied, and a pattern of a resist film for a groove for separating the mass body 55 and the fixed electrodes 56a and 56b is formed by using a photolithography method (FIG. 13A). (K) For example, using the anisotropic dry etching device and using the oxide film or the resist film on the surface as a mask,
5, a groove having a depth of about 100 μm and a width of 5 μm is formed for separating the fixed electrodes 56a and 56b (FIG. 13).
(B)).

【０００７】またさらに、図１４の（ａ）及び（ｂ）を
用いて、半導体基板５１を第１ガラス板５２に接合する
までの工程について説明する。 （ｌ）半導体基板５１の第１面６５と、第１ガラス板５
２の第２面６２とを対向させ、位置合わせを行って重ね
合わせ、陽極接合技術を用いて互いに接合する（図１４
（ａ））。 （ｍ）半導体基板５１の第２面６６にレジスト膜（図示
せず）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて該レジ
スト膜に所望のパターンを形成する。次いで、該レジス
ト膜のパターンをマスクにして、例えば、深さ１００〜
１８０μｍの所望のパターンの凹部６９を形成する。 （ｎ）接合された半導体基板５１と第１ガラス板５２の
全体をフッ酸に浸漬し、質量体に接する酸化膜を除去す
る。これによって質量体５５と、固定電極５６とを分離
する。この時、接続孔５４ｃ、５４ｄの底部の酸化膜６
７を除去し、接続孔５４ｃ、５４ｄの底部に半導体基板
５１を露出させる（図１４（ｂ））。Furthermore, the steps required until the semiconductor substrate 51 is bonded to the first glass plate 52 will be described with reference to FIGS. 14 (a) and 14 (b). (L) First surface 65 of semiconductor substrate 51 and first glass plate 5
The second surface 62 of the second member is opposed to the second surface 62, and the second surface 62 and the second surface 62 are aligned and superposed, and are bonded to each other by using an anodic bonding technique (FIG. 14).
(A)). (M) A resist film (not shown) is formed on the second surface 66 of the semiconductor substrate 51, and a desired pattern is formed on the resist film by photolithography. Then, using the pattern of the resist film as a mask, for example, a depth of 100 to
A recess 69 having a desired pattern of 180 μm is formed. (N) The entire bonded semiconductor substrate 51 and first glass plate 52 are immersed in hydrofluoric acid to remove the oxide film in contact with the mass body. This separates the mass body 55 and the fixed electrode 56. At this time, the oxide film 6 at the bottom of the connection holes 54c and 54d
7 is removed, and the semiconductor substrate 51 is exposed at the bottoms of the connection holes 54c and 54d (FIG. 14B).

【０００８】また、図１４の（ｃ）を用いて、半導体基
板５１の第２面６６に第２ガラス板５３を接合するまで
の工程について説明する。 （ｏ）半導体基板５１の第２面６６と、第２ガラス板５
３の第１面６３とを対向させ位置合わせを行って重ね合
わせ、陽極接合技術を用いて互いに接合する（図１４
（ｃ））。この時、第２ガラス板５３の第１面６３の凹
部７３と、半導体基板５１内に形成した質量体５５とを
対向させて重ね合わせる。これにより、質量体５５はバ
ネ性の梁を介して第１及び第２ガラス板５２、５３の間
で固定され、自由に振動可能な状態に保持される。これ
によって、質量体５５及び固定電極５６を第１及び第２
ガラス板５２、５３の間に不活性ガス雰囲気で気密封じ
して挟み込むことができる。Further, the steps required until the second glass plate 53 is bonded to the second surface 66 of the semiconductor substrate 51 will be described with reference to FIG. (O) The second surface 66 of the semiconductor substrate 51 and the second glass plate 5
The first surface 63 of No. 3 and the first surface 63 are aligned so that they are aligned with each other, and they are bonded to each other using the anodic bonding technique (FIG.
(C)). At this time, the concave portion 73 of the first surface 63 of the second glass plate 53 and the mass body 55 formed in the semiconductor substrate 51 are opposed to each other and overlapped. As a result, the mass body 55 is fixed between the first and second glass plates 52 and 53 via the spring-like beam, and is held in a freely vibrable state. As a result, the mass body 55 and the fixed electrode 56 are connected to the first and second
The glass plates 52 and 53 can be sandwiched by hermetically sealing them in an inert gas atmosphere.

【０００９】さらに、図１４の（ｄ）を用いて、第１ガ
ラス板５２に設けられた接続孔にアルミニウム蒸着膜を
形成する工程と、その後、個々の加速度センサ素子を得
る工程について説明する。 （ｐ）第１ガラス板５２の第１面６３に形成された接続
孔５４ｃ、５４ｄの内部に、厚さ１〜３μｍのアルミニ
ウム蒸着膜６８を蒸着し、フォトリソグラフィ法を用い
て所望のパターンを形成する。これにより質量体５５及
び固定電極５６ａ、５６ｂとのコンタクト部と直接接続
された、あるいは配線５９を介して接続されたボンディ
ングパットを形成する（図１４（ｄ））。 （ｑ）熱処理を行って、アルミニウム蒸着膜６８とガラ
ス板５２、５３とを密着強化する。 （ｒ）その後、複数の加速度センサ素子を含むウエハの
接合体から、それぞれのセンサ素子のチップに分離し、
ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、モー
ルド工程等の各工程を行って、センサ素子が完成する。
これらのセンサ素子は、容量値を電圧に変換し、増幅す
るＡＳＩＣ等の回路素子と外部接続して提供する。この
場合、ＡＳＩＣ等の回路素子を接続した後、全体をモー
ルド樹脂で覆って一体化して提供してもよい。Further, the step of forming an aluminum vapor deposition film in the connection hole provided in the first glass plate 52 and the step of obtaining the individual acceleration sensor elements will be described with reference to FIG. (P) An aluminum vapor deposition film 68 having a thickness of 1 to 3 μm is vapor-deposited inside the connection holes 54c and 54d formed on the first surface 63 of the first glass plate 52, and a desired pattern is formed by photolithography. Form. As a result, a bonding pad is formed which is directly connected to the contact portion between the mass body 55 and the fixed electrodes 56a and 56b or is connected via the wiring 59 (FIG. 14 (d)). (Q) Heat treatment is performed to strengthen the adhesion between the aluminum vapor deposition film 68 and the glass plates 52 and 53. (R) Thereafter, the wafer bonded body including a plurality of acceleration sensor elements is separated into chips for the respective sensor elements,
Each process such as a die bonding process, a wire bonding process, and a molding process is performed to complete the sensor element.
These sensor elements are provided by being externally connected to a circuit element such as an ASIC that converts a capacitance value into a voltage and amplifies the voltage. In this case, after connecting a circuit element such as an ASIC, the whole may be covered with a molding resin to be integrally provided.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来のセンサ素子の製
造工程では、次の問題点がある。即ち、第１ガラス板５
２に形成した接続孔５４ｃ、５４ｄにアルミニウム蒸着
膜６８を形成する際、接続孔５４ｃ、５４ｄの底部付近
の内壁にはオーバハング部８７が存在する。このため、
アルミニウム蒸着において、オーバハング部８７の下部
が影となり、アルミニウム原子が到達しないためアルミ
ニウム蒸着膜の断線箇所８８ができる。即ち、真空蒸着
では、図６の（ｂ）及び図７の（ｃ）に示すように、ア
ルミニウム原子は蒸着源から直線的に放出され、ガラス
板の接続孔に到達する。このときオーバハング部で遮ら
れた部分にはアルミニウム原子が届かず、蒸着膜６８が
形成されない。このため、質量体５５や固定電極５６
ａ、５６ｂとのコンタクト部から接続孔５４ｃ、５４ｄ
の外部までの配線は、オーバハング部８７で断線する。
なお、実際には被蒸着面に達したアルミニウム原子は製
造装置内のガス分子との衝突で散乱されて、幾分かはオ
ーバハング部８７の下部にも回り込みが生じる場合があ
るが、オーバハング部８７を有する場合、断線を生じる
確率が高くなる。The conventional manufacturing process of the sensor element has the following problems. That is, the first glass plate 5
When the aluminum deposition film 68 is formed in the connection holes 54c and 54d formed in 2, the overhang portion 87 exists on the inner wall near the bottom of the connection holes 54c and 54d. For this reason,
In the aluminum vapor deposition, the lower part of the overhang portion 87 becomes a shadow, and aluminum atoms do not reach, so that a broken portion 88 of the aluminum vapor deposition film is formed. That is, in vacuum deposition, as shown in FIGS. 6B and 7C, aluminum atoms are linearly released from the deposition source and reach the connection hole of the glass plate. At this time, aluminum atoms do not reach the portion blocked by the overhang portion, and the vapor deposition film 68 is not formed. Therefore, the mass body 55 and the fixed electrode 56 are
a, 56b to connection holes 54c, 54d
The wiring to the outside of the is disconnected at the overhang portion 87.
Actually, the aluminum atoms reaching the surface to be vapor-deposited may be scattered by collision with gas molecules in the manufacturing apparatus, and some of the aluminum atoms may also wrap around the lower portion of the overhang portion 87. , The probability of disconnection increases.

【００１１】上記問題を解決するために、デバイス本体
にガラス基板を貼り合わせてから、ガラス基板に貫通穴
を形成する方法（特開平９−２８３６３３号公報）や、
めくら孔を穿設した基板の非穿設面にシリコン基板を接
合した後、該穿設面側から該めくら孔を更に穿設して貫
通させる方法（特開２００１−１４１４６３号公報）が
提案されている。In order to solve the above problem, a method of forming a through hole in the glass substrate after bonding the glass substrate to the device body (Japanese Patent Laid-Open No. 9-283633),
A method has been proposed in which a silicon substrate is bonded to a non-drilled surface of a substrate having a blind hole, and then the blind hole is further drilled from the drilled surface side (JP-A-2001-141463). ing.

【００１２】しかし、特開平９−２８３６３３号公報及
び特開２００１−１４１４６３号公報に記載の方法のい
ずれにおいても貫通孔を開口させる際に半導体基板の表
面で精度良くエッチングを止めることが困難であるた
め、半導体基板の深さ方向に凹部を形成する。この過度
のエッチングによる凹部のために半導体基板の強度を低
下させる。例えば、凹部が５μｍ程度の深さであって
も、半導体基板自体の厚みが４０μｍ程度と薄い場合に
は、この凹部のために強度が著しく低下する。また、貫
通孔を開口する際には機械的又は電気的な方法で開口さ
れるため、半導体基板内に形成された質量体や固定電極
等の構造部分が折損する等、破壊される場合がある。さ
らに、開口後には残留応力のためにセンサ素子の特性変
動が生じやすい。このためセンサ素子の製造歩留まりが
低下する。また、めくら孔をさらに開口する際に用いる
加工方法として、サンドブラスト法、レーザ法、放電加
工法等が挙げられているが、これらはいずれも次のいく
つかの問題点がある。この問題点とは、半導体基板の電
極部に凹部を生じること、加工に際して最初のめくら孔
に対する位置合わせが必要なこと、処理速度が遅いこ
と、高価な加工設備が必要であること、等である。この
ため、加工が容易でなく、コスト的にも高価になる。However, in any of the methods described in JP-A-9-283633 and JP-A-2001-141463, it is difficult to accurately stop etching on the surface of the semiconductor substrate when the through hole is opened. Therefore, the recess is formed in the depth direction of the semiconductor substrate. The recesses due to this excessive etching reduce the strength of the semiconductor substrate. For example, even if the recess has a depth of about 5 μm, if the thickness of the semiconductor substrate itself is as thin as about 40 μm, the strength is significantly reduced due to the recess. Further, when the through hole is opened, it is opened by a mechanical or electrical method, so that the structural parts such as the mass body and the fixed electrode formed in the semiconductor substrate may be broken or broken. . Furthermore, after the opening, the characteristic variation of the sensor element is likely to occur due to the residual stress. Therefore, the manufacturing yield of the sensor element decreases. Further, as a processing method used when the blind hole is further opened, a sand blast method, a laser method, an electric discharge machining method and the like are mentioned, but all of them have the following problems. This problem is that a recess is formed in the electrode portion of the semiconductor substrate, alignment with respect to the first blind hole is required at the time of processing, processing speed is slow, expensive processing equipment is required, etc. . Therefore, the processing is not easy and the cost is high.

【００１３】そこで、本発明の目的は、半導体基板の質
量体等の構造部分を破壊することなく、断線のない良好
な配線パターンを形成し、歩留まりの高い半導体容量式
加速度センサ素子を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor capacitive acceleration sensor element having a high yield, which is capable of forming a good wiring pattern without disconnection without destroying a structural portion such as a mass body of a semiconductor substrate. Is.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子デバイ
スの製造方法は、機能部を形成した半導体基板を２枚の
第１及び第２ガラス板の間に挟んで構成される電子デバ
イスの製造方法であって、前記製造方法は、前記半導体
基板、第１及び第２のガラス板とを用意する工程と、前
記第１ガラス板の第１面に、１倍未満の深さを有する凹
部を形成する工程と、前記半導体基板に前記機能部を形
成する工程と、前記半導体基板の第１面と前記第１ガラ
ス板の第２面とを互いに接合する工程と、前記第１ガラ
ス板の第１面に形成された前記凹部をエッチして前記第
１ガラス板の第２面まで貫き、底部に前記半導体基板の
前記機能部を露出させた接続孔を形成する工程と、前記
半導体基板の第２面と前記第２ガラス板の第１面とを互
いに接合する工程と、前記第１ガラス板に形成された前
記接続孔の内壁に沿って導電膜を成膜して、前記接続孔
の底部に露出する前記機能部と接続された電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする。An electronic device manufacturing method according to the present invention is an electronic device manufacturing method in which a semiconductor substrate having a functional portion is sandwiched between two first and second glass plates. Then, in the manufacturing method, a step of preparing the semiconductor substrate, the first and second glass plates, and forming a recess having a depth less than 1 time in the first surface of the first glass plate A step of forming the functional portion on the semiconductor substrate, a step of joining the first surface of the semiconductor substrate and a second surface of the first glass plate to each other, and a first surface of the first glass plate. Etching the recess formed in the first glass plate to the second surface of the first glass plate to form a connection hole at the bottom exposing the functional portion of the semiconductor substrate, and the second surface of the semiconductor substrate. And joining the first surface of the second glass plate to each other Forming a conductive film along the inner wall of the connection hole formed in the first glass plate to form an electrode connected to the functional part exposed at the bottom of the connection hole. Is characterized by.

【００１５】また、本発明に係る電子デバイスの製造方
法は、前記電子デバイスの製造方法であって、前記第１
ガラス板の第１面に凹部を形成する工程では、サンドブ
ラスト法を用いて凹部を形成することを特徴とする。The method of manufacturing the electronic device according to the present invention is the method of manufacturing the electronic device, wherein
The step of forming the concave portion on the first surface of the glass plate is characterized in that the concave portion is formed by using a sandblast method.

【００１６】さらに、本発明に係る電子デバイスの製造
方法は、前記電子デバイスの製造方法であって、前記電
極を形成する工程では、蒸着法を用いて前記接続孔の内
壁に沿って導電膜を成膜することを特徴とする。Further, the method of manufacturing an electronic device according to the present invention is the method of manufacturing the electronic device, wherein in the step of forming the electrode, a conductive film is formed along the inner wall of the connection hole by using a vapor deposition method. It is characterized by forming a film.

【００１７】本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
機能部を形成した半導体基板を２枚の第１及び第２ガラ
ス板の間に挟んで構成される電子デバイスの製造方法で
あって、前記製造方法は、前記半導体基板、第１及び第
２のガラス板とを用意する工程と、前記第１ガラス板の
第１面から第２面まで貫く接続孔を形成する工程と、前
記半導体基板に機能部を形成する工程と、前記第１ガラ
ス板の接続孔の底部に前記半導体基板の前記機能部を露
出させて、前記半導体基板の第１面と前記第１ガラス板
の第２面とを互いに接合する工程と、前記半導体基板の
第２面と前記第２ガラス板の第１面とを互いに接合する
工程と、蒸着法を用いて、前記第１ガラス板に形成され
た前記接続孔の内壁に沿って導電膜を成膜して、前記接
続孔の底部に露出する前記機能部と接続された電極を形
成する工程とを含み、前記電極を形成する工程におい
て、蒸着粒子の入射方向と前記第１ガラス板の第１面と
のなす角度を、前記接続孔の底部で内壁面と底面とのな
す角度以下として、導電膜を成膜することを特徴とす
る。The method of manufacturing an electronic device according to the present invention comprises:
What is claimed is: 1. A method of manufacturing an electronic device, comprising a semiconductor substrate having a functional portion formed between two first and second glass plates, the manufacturing method comprising the semiconductor substrate, the first and second glass plates. And a step of forming a connection hole penetrating from the first surface to the second surface of the first glass plate, a step of forming a functional portion on the semiconductor substrate, and a connection hole of the first glass plate. Exposing the functional portion of the semiconductor substrate to the bottom of the semiconductor substrate and joining the first surface of the semiconductor substrate and the second surface of the first glass plate to each other; and the second surface of the semiconductor substrate and the second surface of the semiconductor substrate. 2 a step of joining the first surface of the glass plate to each other and a vapor deposition method to form a conductive film along the inner wall of the connection hole formed in the first glass plate to form a film of the connection hole. Forming an electrode connected to the functional part exposed at the bottom. In the step of forming the electrode, the angle between the incident direction of the vapor deposition particles and the first surface of the first glass plate is equal to or less than the angle between the inner wall surface and the bottom surface at the bottom of the connection hole, and the conductive film is formed. It is characterized by forming a film.

【００１８】本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
機能部を形成した半導体基板を２枚の第１及び第２ガラ
ス板の間に挟んで構成される電子デバイスの製造方法で
あって、前記製造方法は、前記半導体基板、第１及び第
２のガラス板とを用意する工程と、前記第１ガラス板の
第１面から第２面まで貫く接続孔を形成する工程と、前
記半導体基板に機能部を形成する工程と、前記第１ガラ
ス板の接続孔の底部に前記半導体基板の前記機能部を露
出させて、前記半導体基板の第１面と前記第１ガラス板
の第２面とを互いに接合する工程と、前記第１ガラス板
の前記接続孔を覆ってシリコン窒化膜を成膜する工程
と、ウエットエッチング法により前記半導体基板の前記
機能部を可動状態にする工程と、前記第１ガラス板の前
記接続孔を覆うシリコン窒化膜を除去する工程と、前記
半導体基板の第２面と前記第２ガラス板の第１面とを互
いに接合する工程と、前記第１ガラス板に形成された前
記接続孔の内壁に沿って導電膜を成膜して、前記接続孔
の底部に露出する前記機能部と接続された電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする。The method of manufacturing an electronic device according to the present invention comprises:
What is claimed is: 1. A method of manufacturing an electronic device, comprising a semiconductor substrate having a functional portion formed between two first and second glass plates, the manufacturing method comprising the semiconductor substrate, the first and second glass plates. And a step of forming a connection hole penetrating from the first surface to the second surface of the first glass plate, a step of forming a functional portion on the semiconductor substrate, and a connection hole of the first glass plate. Exposing the functional part of the semiconductor substrate to the bottom of the semiconductor substrate and joining the first surface of the semiconductor substrate and the second surface of the first glass plate to each other; A step of covering and forming a silicon nitride film, a step of moving the functional part of the semiconductor substrate by a wet etching method, and a step of removing the silicon nitride film covering the connection hole of the first glass plate. , The second surface of the semiconductor substrate Bonding the first surface of the second glass plate to each other, and forming a conductive film along the inner wall of the connection hole formed in the first glass plate, and exposing the conductive film at the bottom of the connection hole. Forming an electrode connected to the functional unit.

【００１９】また、本発明に係る加速度センサ素子の製
造方法は、前記電子デバイスの製造方法において、前記
電子デバイスは加速度センサ素子であって、前記半導体
基板の前記機能部は、加速度検出用の質量体及び固定電
極であることを特徴とする。A method of manufacturing an acceleration sensor element according to the present invention is the method of manufacturing an electronic device, wherein the electronic device is an acceleration sensor element and the functional portion of the semiconductor substrate is a mass for acceleration detection. It is a body and a fixed electrode.

【００２０】本発明に係る電子デバイスは、機能部を有
する半導体基板と、前記半導体基板を挟みこむ２枚の第
１及び第２ガラス板とを備え、前記第１ガラス板は、前
記半導体基板の前記機能部が底部に露出する接続孔を有
し、前記接続孔は、底部の前記機能部から内壁に沿って
覆う導電膜を有すると共に、開口部から底部にかけて断
面積が単調減少する順テーパ形状を有することを特徴と
する。An electronic device according to the present invention comprises a semiconductor substrate having a functional portion, and two first and second glass plates sandwiching the semiconductor substrate, the first glass plate being the semiconductor substrate of the semiconductor substrate. The functional portion has a connection hole exposed at the bottom, the connection hole has a conductive film covering the functional portion of the bottom along the inner wall, and the forward tapered shape in which the cross-sectional area monotonically decreases from the opening to the bottom. It is characterized by having.

【００２１】本発明に係る電子デバイスは、機能部を有
する半導体基板と、前記半導体基板を挟みこむ２枚の第
１及び第２ガラス板とを備え、前記第１ガラス板は、前
記半導体基板の前記機能部が底部に露出する接続孔を有
し、前記接続孔は、底部に環状のシリコン酸化膜を有
し、前記環状のシリコン酸化膜の中央部に前記機能部が
露出すると共に、底部の前記機能部から前記環状のシリ
コン酸化膜と、前記接続孔の内壁に沿って覆う導電膜を
有することを特徴とする。An electronic device according to the present invention comprises a semiconductor substrate having a functional portion, and two first and second glass plates sandwiching the semiconductor substrate, the first glass plate being the semiconductor substrate of the semiconductor substrate. The functional portion has a connection hole exposed at the bottom, the connection hole has an annular silicon oxide film on the bottom, the functional portion is exposed at the center of the annular silicon oxide film, It is characterized in that it has an annular silicon oxide film from the functional portion and a conductive film covering the inner wall of the connection hole.

【００２２】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る加速度
センサ素子の製造方法について、添付図面を用いて説明
する。なお、この実施の形態では電子デバイスのうち、
加速度センサ素子について説明しているが、これに限定
するものではない。本発明は、機能部を有する半導体基
板を２枚のガラス板で挟んで構成する電子デバイスであ
れば適用できる。また、図面において、実質的に同一の
部材には同一の符号を付している。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A method of manufacturing an acceleration sensor element according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this embodiment, among the electronic devices,
Although the acceleration sensor element has been described, the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to any electronic device configured by sandwiching a semiconductor substrate having a functional portion between two glass plates. Further, in the drawings, substantially the same members are designated by the same reference numerals.

【００２３】実施の形態１．本発明の実施の形態１に係
る加速度センサ素子及びその製造方法について説明す
る。まず、図１を用いて、この加速度センサ素子１０の
構成について説明する。図１は、この加速度センサ素子
１０の平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。この加速
度センサ素子１０は、加速度検出用の質量体５、固定電
極６ａ、６ｂが形成された半導体基板１を２枚の第１及
び第２ガラス板２、３の間に挟みこんで構成されてい
る。この質量体５は、第１及び第２ガラス板２、３との
間に画成された空洞部１９内で可動状態に置かれる。第
１ガラス板２は、半導体基板１の機能部である質量体
５、固定電極６ａ、６ｂが底部に露出する接続孔４ａ，
４ｃ、４ｄを有する。この接続孔４ａ、４ｃ、４ｄは、
底部に露出する質量体５、固定電極６ａ、６ｂから接続
孔の内壁に沿って覆う導電膜であるアルミニウム蒸着膜
１８を有する。これにより、質量体５、固定電極６ａ、
６ｂは、第１ガラス板２に設けられた接続孔４ａ、４
ｃ、４ｄのアルミニウム蒸着膜１８を介して外部のボン
ディングパッド８ｂ、８ａ、８ｃに接続されている。ま
た、接続孔４ｃ、４ｄは、開口部から底部にかけて断面
積が単調減少する順テーパ形状を有する。これによっ
て、この加速度センサ素子１０は、第１ガラス板２の接
続孔４の底部で内壁面の傾斜角度が逆テーパ状となるオ
ーバハング部をほとんど有しないので、アルミニウム蒸
着膜１８の断線が生じない。Embodiment 1. The acceleration sensor element and the manufacturing method thereof according to the first embodiment of the present invention will be described. First, the configuration of the acceleration sensor element 10 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view (a) and a sectional view (b) of the acceleration sensor element 10. The acceleration sensor element 10 is constructed by sandwiching a semiconductor substrate 1 having a mass body 5 for acceleration detection and fixed electrodes 6a and 6b formed between two first and second glass plates 2 and 3. There is. The mass body 5 is placed in a movable state in a cavity portion 19 defined between the first and second glass plates 2 and 3. The first glass plate 2 has connection holes 4a, through which the mass body 5, which is a functional part of the semiconductor substrate 1, and the fixed electrodes 6a, 6b are exposed at the bottom.
4c and 4d. The connection holes 4a, 4c, 4d are
It has an aluminum vapor deposition film 18 which is a conductive film covering the mass body 5 exposed at the bottom and the fixed electrodes 6a and 6b along the inner wall of the connection hole. Thereby, the mass body 5, the fixed electrode 6a,
6b are connection holes 4a, 4 provided in the first glass plate 2.
It is connected to external bonding pads 8b, 8a, 8c through the aluminum vapor deposition films 18 of c and 4d. Further, the connection holes 4c and 4d have a forward taper shape in which the cross-sectional area monotonically decreases from the opening to the bottom. As a result, the acceleration sensor element 10 has almost no overhang portion at which the inclination angle of the inner wall surface is inversely tapered at the bottom of the connection hole 4 of the first glass plate 2, so that the aluminum vapor deposition film 18 is not broken. .

【００２４】次に、この加速度センサ素子の製造方法に
ついて説明する。この製造方法では、２段階で第１ガラ
ス板２に接続孔４を形成している。第１段階として、サ
ンドブラスト法で第１ガラス板２の第１面１１に、１倍
未満の深さを有する凹部を形成する（図２（ｂ））。す
なわち、第１ガラス板を貫通させないように凹部を形成
する。第２段階として、第１ガラス板２を半導体基板１
と接合した後、ウエットエッチング法を用いて該凹部２
１ａ、２１ｂを第２面まで貫通させ、接続孔４を形成す
る（図５（ｂ））。このように２段階で接続孔４を形成
することで、接続孔４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの底部に内
壁面の傾斜角度が逆テーパ状となるオーバハング部を生
じさせないようにできる。これによってこの接続孔４に
アルミニウム蒸着膜１８を成膜した場合にも断線を生じ
ない。そこで、製造工程における歩留まりを向上させ、
信頼性の高い加速度センサ素子を得ることができる。Next, a method of manufacturing this acceleration sensor element will be described. In this manufacturing method, the connection hole 4 is formed in the first glass plate 2 in two steps. As a first step, a recess having a depth less than 1 time is formed on the first surface 11 of the first glass plate 2 by the sandblast method (FIG. 2B). That is, the recess is formed so as not to penetrate the first glass plate. In the second step, the first glass plate 2 is attached to the semiconductor substrate 1
After being bonded to the recess 2 using a wet etching method.
The connection holes 4 are formed by penetrating 1a and 21b to the second surface (FIG. 5B). By forming the connection hole 4 in two stages in this way, it is possible to prevent an overhang portion in which the inclination angle of the inner wall surface has an inverse taper shape at the bottom of the connection holes 4a, 4b, 4c, 4d. As a result, even when the aluminum vapor deposition film 18 is formed in the connection hole 4, no disconnection occurs. Therefore, improve the yield in the manufacturing process,
It is possible to obtain a highly reliable acceleration sensor element.

【００２５】図２から図５にこの半導体容量型の加速度
センサ素子の製造方法における各工程について示した。
図２は、第１ガラス板２に接続孔４ｃ、４ｄを開口する
まで工程を示した。図３は、第２ガラス板３に凹部２３
を形成する工程を示した。図４は、半導体基板１に質量
体５及び固定電極６ａ、６ｂを分離する分離溝を形成す
るまでの工程を示した。また、図５は、半導体基板１を
第１及び第２のガラス板２、３で挟んで加速度センサ素
子を構成する工程を示した。2 to 5 show each step in the method of manufacturing the semiconductor capacitance type acceleration sensor element.
FIG. 2 shows the steps until the connection holes 4c and 4d are opened in the first glass plate 2. FIG. 3 shows a recess 23 in the second glass plate 3.
The process of forming the is shown. FIG. 4 shows a process up to forming a separation groove for separating the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b on the semiconductor substrate 1. Further, FIG. 5 shows a step of forming the acceleration sensor element by sandwiching the semiconductor substrate 1 between the first and second glass plates 2 and 3.

【００２６】図２を用いて、第１ガラス板２に接続孔４
ｃ、４ｄを開口するまでの各工程を説明する。 （ａ）厚さ約４００μｍの第１ガラス板２を準備する。
なお、第１ガラス板２は、後工程で接合する半導体基板
１のシリコンウエハと熱膨張係数が近く、かつ陽極接合
可能なようにナトリウムＮａを含有することが好まし
い。例えば、パイレックスガラス（登録商標：米国コー
ニング社製）を用いてもよい。 （ｂ）第１ガラス板２の両面にシート状のレジスト膜
（感光性樹脂）２０ａ、２０ｂを成膜する。このレジス
ト膜２０ａ，２０ｂの成膜は、塗布法や気相成膜方法等
によって行うことができる。 （ｃ）次に、フォトリソグラフィ法を用いて円形の接続
孔４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ用のパターンを形成する（図
２（ａ））。 （ｄ）第１ガラス板２の第１面１１に形成したレジスト
膜２０ａをマスクとしてサンドブラスト法を用いて接続
孔用の凹部２１ａ、２１ｂを開口する（図２（ｂ））。
このとき、凹部２１は第１ガラス板２の第２面１２まで
貫通させることなく、底部に所定厚さを残存させる。例
えば、深さ３５０μｍまで開口し、残り５０μｍの底部
を残存させる。ここで凹部の深さとしては、第１ガラス
板２の厚さの１．０倍未満が好ましい。さらに、厚さの
０．５倍以上がより好ましい。これは、その後のウエッ
トエッチングでは深さ方向のエッチングが効率的でない
ので、残厚をあまり厚くしないことが好ましいためであ
る。この底部は十分な強度を有し、ガラスが欠けること
はなく、オーバハングも生じない。また、この凹部２１
の断面形状は上辺が下辺より大きい逆台形形状である。
なお、図２の（ｂ）では接続孔４の内壁の斜面と底面と
が鋭角的に示されているが、実際には底部は曲線的な円
弧状となる。 （ｅ）次いで、第１ガラス板２の第２面１２に、フォト
リソグラフィ法を用いて所望のパターンを形成し、該レ
ジスト膜２０ｂのパターンをマスクにして、例えば、深
さ１００μｍの所望のパターンの凹部２２を形成する
（図２（ｃ））。 （ｆ）有機溶剤を用いて、第１及び第２面のレジスト膜
２０ａ、２０ｂを除去する（図２（ｄ））。Referring to FIG. 2, the connection hole 4 is formed in the first glass plate 2.
Each process up to opening c and 4d will be described. (A) A first glass plate 2 having a thickness of about 400 μm is prepared.
It is preferable that the first glass plate 2 has a thermal expansion coefficient close to that of the silicon wafer of the semiconductor substrate 1 to be bonded in a later step, and contains sodium Na so that anodic bonding can be performed. For example, Pyrex glass (registered trademark: manufactured by Corning Inc., USA) may be used. (B) Sheet-shaped resist films (photosensitive resins) 20a and 20b are formed on both surfaces of the first glass plate 2. The resist films 20a and 20b can be formed by a coating method, a vapor phase film forming method, or the like. (C) Next, a pattern for circular connecting holes 4a, 4b, 4c, 4d is formed by using a photolithography method (FIG. 2A). (D) Using the resist film 20a formed on the first surface 11 of the first glass plate 2 as a mask, the recesses 21a and 21b for connection holes are opened by the sandblast method (FIG. 2B).
At this time, the recess 21 does not penetrate to the second surface 12 of the first glass plate 2 and leaves a predetermined thickness at the bottom. For example, the opening is made to a depth of 350 μm, and the bottom of the remaining 50 μm is left. Here, the depth of the recess is preferably less than 1.0 times the thickness of the first glass plate 2. Furthermore, 0.5 times or more of the thickness is more preferable. This is because the subsequent wet etching is not efficient in the etching in the depth direction, and therefore it is preferable that the residual thickness is not made too thick. The bottom is strong enough that the glass does not chip or overhang. In addition, this recess 21
The cross-sectional shape of is a trapezoidal shape in which the upper side is larger than the lower side.
In addition, in FIG. 2B, the inclined surface and the bottom surface of the inner wall of the connection hole 4 are shown at an acute angle, but in reality, the bottom has a curved arc shape. (E) Next, a desired pattern is formed on the second surface 12 of the first glass plate 2 using a photolithography method, and the pattern of the resist film 20b is used as a mask, for example, a desired pattern having a depth of 100 μm. The recess 22 is formed (FIG. 2C). (F) The resist films 20a and 20b on the first and second surfaces are removed using an organic solvent (FIG. 2 (d)).

【００２７】なお、サンドブラスト法は、ガラスに深さ
数１００μｍの凹部や貫通孔を開ける場合に非常に有効
な方法である。例えば、ウエットエッチングに比べて、
加工深さに対して横方向へのパターンの広がりが比較的
に少なく、約６０〜７０°の傾斜角を有する断面形状を
形成することができる。また、サンドブラスト法は、比
較的エッチングレートが大きく、厚さ４００μｍのガラ
スの場合に貫通孔の形成を約１５分で行うことができ
る。一方、フッ酸によるウエットエッチングでは、深さ
方向のエッチング量に比べて、横方向のパターンの広が
りがサンドブラスト法に比べて２〜３倍と大きく、エッ
チング深さ数十μｍ以上の加工には精度が十分でない。The sandblast method is a very effective method for forming a recess or a through hole having a depth of several 100 μm in glass. For example, compared to wet etching,
It is possible to form a cross-sectional shape having an inclination angle of about 60 to 70 °, in which the pattern spreads in the lateral direction with respect to the processing depth. Further, the sandblast method has a relatively high etching rate, and in the case of glass having a thickness of 400 μm, the through holes can be formed in about 15 minutes. On the other hand, in wet etching with hydrofluoric acid, the lateral pattern spread is 2-3 times larger than that in the sandblast method compared to the etching amount in the depth direction, and it is accurate for processing with an etching depth of several tens of μm or more. Is not enough.

【００２８】次に、図３を用いて、第２ガラス板３に凹
部２３を形成する工程について説明する。 （ｇ）まず、第２ガラス板３を用意する。 （ｈ）第２ガラス板３の第１面１３に、レジスト膜２６
を成膜する（図３（ａ））。 （ｉ）フォトリソグラフィ法を用いて該レジスト膜２６
に所望のパターンを形成する。該レジスト膜２６のパタ
ーンをマスクにして、例えば、深さ１００μｍの所望の
パターンの凹部２３を形成する（図３（ｂ））。 （ｊ）有機溶剤を用いて、第１面１３のレジスト膜２６
を除去する（図３（ｃ））。Next, the step of forming the recess 23 in the second glass plate 3 will be described with reference to FIG. (G) First, the second glass plate 3 is prepared. (H) A resist film 26 is formed on the first surface 13 of the second glass plate 3.
Is formed (FIG. 3A). (I) The resist film 26 is formed by using the photolithography method.
To form a desired pattern. Using the pattern of the resist film 26 as a mask, for example, a recess 23 having a desired pattern with a depth of 100 μm is formed (FIG. 3B). (J) Using the organic solvent, the resist film 26 on the first surface 13
Are removed (FIG. 3 (c)).

【００２９】さらに、図４を用いて、半導体基板１に質
量体５、固定電極６ａ，６ｂ、該質量体５及び固定電極
６ａ，６ｂを分離する溝を形成するまでの工程を説明す
る。 （ｋ）厚さ２００μｍの半導体基板１として、シリコン
基板を用意する。 （ｌ）半導体基板１の第１面１５に熱酸化により表面に
酸化膜１７を形成する。次いで、レジスト膜２４を塗布
し、フォトリソグラフィ法を用いて、質量体５及び固定
電極６ａ，６ｂを分離する溝用のレジスト膜のパターン
を形成する（図４（ａ））。 （ｍ）異方性ドライエッチング装置を用いて、表面の酸
化膜１７やレジスト膜２４をマスクとして、例えば、該
質量体５及び固定電極６を分離するための、深さ約１０
０μｍ、幅５μｍの溝を形成する（図４（ｂ））。 （ｎ）有機溶剤を用いて、第１面のレジスト膜２４を除
去する（図４（ｃ））。Further, with reference to FIG. 4, steps for forming the mass body 5, the fixed electrodes 6a and 6b, and the groove for separating the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b on the semiconductor substrate 1 will be described. (K) A silicon substrate is prepared as the semiconductor substrate 1 having a thickness of 200 μm. (L) An oxide film 17 is formed on the surface of the first surface 15 of the semiconductor substrate 1 by thermal oxidation. Next, a resist film 24 is applied and a pattern of a resist film for a groove for separating the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b is formed by using a photolithography method (FIG. 4A). (M) A depth of about 10 for separating the mass body 5 and the fixed electrode 6 by using the anisotropic dry etching apparatus and using the oxide film 17 and the resist film 24 on the surface as a mask.
A groove having a width of 0 μm and a width of 5 μm is formed (FIG. 4B). (N) The resist film 24 on the first surface is removed using an organic solvent (FIG. 4C).

【００３０】またさらに、図５の（ａ）及び（ｂ）を用
いて、半導体基板１を第１ガラス板２に接合し、凹部を
第２面まで貫通させ接続孔を形成するまでの工程につい
て説明する。 （ｏ）半導体基板１の第１面１５と、第１ガラス板２の
第２面１２とを対向させ、位置合わせを行って重ね合わ
せ、陽極接合技術を用いて互いに接合する（図５
（ａ））。 （ｐ）半導体基板１の両面に第１及び第２ガラス板２、
３を陽極結合した複合体を、ガラスを溶解する溶液、例
えば、フッ酸に浸漬して、第１及び第２ガラス板２、３
を全体にわたって厚さ５０μｍ以上をウエットエッチン
グする（図５（ｂ））。このフッ酸には、濃度４９％の
ものを用い、常温で約５〜１０分のエッチングを行っ
た。このとき、酸化膜１７のコンタクト部に接した厚さ
５００ｎｍの部分は、フッ酸によって同時に除去され、
コンタクト部が露出する。これによって第１ガラス板２
の途中まで掘られた凹部２１ｃ、２１ｄから第２面１２
まで貫く接続孔４ｃ、４ｄを形成し、該接続孔４ｃ、４
ｄの底部に半導体基板１を露出させることができる。こ
の状態で、それぞれの接続孔４ｃ、４ｄの断面形状は、
サンドブラスト法で掘られた凹部２１の断面形状をほぼ
維持する。なお、サンドブラストの直後には、ガラスは
サンドによって破砕されるので、凹部２１ａ、２１ｂの
平面形状は、開口部の周囲に数十μｍの領域に角のある
凹凸が存在する。一方、ウエットエッチングの後には、
開口部の平面形状は滑らかな円形に近くなる。Furthermore, referring to FIGS. 5A and 5B, the steps of joining the semiconductor substrate 1 to the first glass plate 2 and penetrating the recess to the second surface to form the connection hole are described. explain. (O) The first surface 15 of the semiconductor substrate 1 and the second surface 12 of the first glass plate 2 are opposed to each other, aligned and superposed, and bonded to each other using an anodic bonding technique (FIG. 5).
(A)). (P) First and second glass plates 2 on both sides of the semiconductor substrate 1,
The composite in which 3 is anodically bonded is immersed in a solution that dissolves glass, for example, hydrofluoric acid, to form first and second glass plates 2 and 3
Is wet-etched to a thickness of 50 μm or more (FIG. 5B). The hydrofluoric acid having a concentration of 49% was used, and etching was performed at room temperature for about 5 to 10 minutes. At this time, the portion of the oxide film 17 in contact with the contact portion having a thickness of 500 nm is simultaneously removed by hydrofluoric acid,
The contact part is exposed. As a result, the first glass plate 2
From the recessed portions 21c and 21d dug up to the middle of the second surface 12
To form connection holes 4c and 4d that extend through
The semiconductor substrate 1 can be exposed at the bottom of d. In this state, the cross-sectional shape of each of the connection holes 4c and 4d is
The cross-sectional shape of the recess 21 dug by the sandblast method is almost maintained. Immediately after sandblasting, the glass is crushed by the sand, so the planar shapes of the recesses 21a and 21b have angular irregularities in the region of several tens of μm around the openings. On the other hand, after wet etching,
The planar shape of the opening is close to a smooth circle.

【００３１】ここで、第１ガラス板２に設けた凹部２１
ａ、２１ｂにウエットエッチングを行って第２面まで貫
く接続孔４ｃ、４ｄを形成する工程におけるウエットエ
ッチングの条件について検討する。エッチング量を増し
ていくにつれて開口部の直径が大きくなり、一方、接続
孔の内壁面と底面との断面形状は円弧の一部のような形
状となる。接続孔４ｃ、４ｄの内壁面と底面との傾斜角
が小さいほど、後工程でアルミニウム蒸着膜を形成した
際に滑らかな断面形状が得られる。一方、傾斜角が大き
いほど後工程で形成するアルミ蒸着膜は底部と斜面との
角部で厚みが減少し、断線しやすくなる。この傾斜角は
４５°以下が好ましい。ウエットエッチング時間を適当
に選択することによって傾斜角を３０°以下に保つこと
ができる。ウエットエッチング時間を過度に長くする
と、接続孔４ｃ、４ｄが半導体基板１の第１面１５に達
した後に第１ガラス板２と半導体基板１との界面に沿っ
てエッチングが進行し、オーバハングが発生する。例え
ば、３００μｍ程度を過度にウエットエッチングした場
合には、傾斜角が９０°を越えてオーバハングとなるた
め好ましくない。なお、後工程で厚さ３μｍのアルミニ
ウム蒸着膜１８を形成する場合、ガラスを１００μｍだ
けウエットエッチングした場合には、１５００の接続孔
のうちアルミニウム蒸着膜の断線の発生は０であった。
一方、ガラスを３００μｍまでウエットエッチングした
場合には、オーバハングが発生し、断線が生じた。Here, the concave portion 21 provided in the first glass plate 2
The conditions of wet etching in the step of performing wet etching on a and 21b to form the connection holes 4c and 4d penetrating to the second surface will be examined. As the etching amount increases, the diameter of the opening increases, while the cross-sectional shape of the inner wall surface and the bottom surface of the connection hole becomes a part of a circular arc. The smaller the inclination angle between the inner wall surface and the bottom surface of the connection holes 4c and 4d, the smoother the cross-sectional shape obtained when the aluminum vapor deposition film is formed in the subsequent step. On the other hand, as the inclination angle is larger, the thickness of the aluminum vapor deposition film formed in the subsequent step is reduced at the corners between the bottom and the slope, and the wire is easily broken. This inclination angle is preferably 45 ° or less. By properly selecting the wet etching time, the inclination angle can be kept at 30 ° or less. If the wet etching time is excessively lengthened, etching progresses along the interface between the first glass plate 2 and the semiconductor substrate 1 after the connection holes 4c and 4d reach the first surface 15 of the semiconductor substrate 1, and an overhang occurs. To do. For example, excessive wet etching of about 300 μm is not preferable because the inclination angle exceeds 90 ° and an overhang occurs. When the aluminum vapor-deposited film 18 having a thickness of 3 μm was formed in the subsequent step, when the glass was wet-etched by 100 μm, the occurrence of disconnection of the aluminum vapor-deposited film among the 1500 connection holes was 0.
On the other hand, when the glass was wet-etched to 300 μm, overhangs occurred and disconnection occurred.

【００３２】また、図５の（ｃ）及び（ｄ）を用いて、
半導体基板１の第２面１６に第２ガラス板３を接合する
までの工程について説明する。 （ｑ）半導体基板１の第２面１６にレジスト膜（図示せ
ず）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて該レジス
ト膜に所望のパターンを形成する。次いで、該レジスト
膜のパターンをマスクにして、例えば、深さ１００〜１
８０μｍの所望のパターンの凹部１９を形成する。 （ｒ）接合された半導体基板１と第１ガラス板２の全体
をフッ酸に浸漬し、質量体に接する酸化膜１７ａを除去
し、該質量体５を可動状態とする。これによって質量体
５と、固定電極６とを分離する（図５（ｃ））。 （ｓ）半導体基板１の第２面１６に、第２ガラス板３の
第１面１３を対向させ位置合わせを行って重ね合わせ、
陽極接合技術を用いて互いに接合する（図５（ｄ））。
この時、第２ガラス板３の第１面１３の凹部２３と、半
導体基板１内に形成した質量体５とを対向させて重ね合
わせる。これにより、質量体５はバネ性の梁を介して第
１及び第２ガラス板２、３の間に凹部１９、２２、２３
から画成された空洞部の中で自由に振動可能な状態に保
持される。この接合工程では、第１ガラス板２及び半導
体基板１はアース電位に接続され、第２ガラス板３に、
例えば、−８００Ｖ程度の直流電圧が印加された状態
で、温度４００〜４５０℃の範囲で数時間、不活性ガス
中で処理する。これによって、質量体５及び固定電極６
を第１及び第２ガラス板２、３の間に不活性ガス雰囲気
で気密封じして挟み込むことができる。Further, by using (c) and (d) of FIG.
The process of joining the second glass plate 3 to the second surface 16 of the semiconductor substrate 1 will be described. (Q) A resist film (not shown) is formed on the second surface 16 of the semiconductor substrate 1, and a desired pattern is formed on the resist film by photolithography. Then, using the pattern of the resist film as a mask, for example, a depth of 100 to 1
The recesses 19 having a desired pattern of 80 μm are formed. (R) The entire bonded semiconductor substrate 1 and first glass plate 2 are immersed in hydrofluoric acid to remove the oxide film 17a in contact with the mass body, and the mass body 5 is made movable. Thereby, the mass body 5 and the fixed electrode 6 are separated (FIG. 5C). (S) The first surface 13 of the second glass plate 3 is opposed to the second surface 16 of the semiconductor substrate 1 and is aligned and superposed.
They are bonded to each other using an anodic bonding technique (FIG. 5 (d)).
At this time, the concave portion 23 of the first surface 13 of the second glass plate 3 and the mass body 5 formed in the semiconductor substrate 1 are opposed to each other and overlapped. As a result, the mass body 5 has the recesses 19, 22, 23 between the first and second glass plates 2, 3 via the spring-like beam.
It is held freely vibrable in a cavity defined by In this bonding step, the first glass plate 2 and the semiconductor substrate 1 are connected to the ground potential, and the second glass plate 3 is
For example, in a state where a DC voltage of about -800 V is applied, the treatment is performed in an inert gas at a temperature of 400 to 450 ° C. for several hours. Thereby, the mass body 5 and the fixed electrode 6
Can be sandwiched between the first and second glass plates 2 and 3 by hermetically sealing them in an inert gas atmosphere.

【００３３】さらに、図５の（ｅ）を用いて、第１ガラ
ス板２に設けられた接続孔４ｃ、４ｄにアルミニウム蒸
着膜１８を成膜する工程と、その後、個々の加速度セン
サ素子を得る工程について説明する。 （ｔ）第１ガラス板２の第１面１３に形成された接続孔
４ｃ、４ｄの内部に、蒸着法によって厚さ１〜３μｍの
アルミニウム蒸着膜１８を成膜し、フォトリソグラフィ
法を用いて所望のパターンを形成する。これにより質量
体５及び固定電極６ａ、６ｂとのコンタクト部と直接接
続された、あるいは配線９を介して接続されたボンディ
ングパットを形成する（図５（ｅ））。このとき、接続
孔４ｃ、４ｄの底部にはオーバハング部がないので、ア
ルミニウム蒸着膜１８は断線することなく、質量体５及
び固定電極６ａ、６ｂのコンタクト部から電極を取り出
すことができる。 （ｕ）熱処理を行って、アルミニウム蒸着膜１８とガラ
ス板２、３とを密着強化する。この熱処理工程は、例え
ば、窒素中で４００℃程度に保持して行うことができ
る。 （ｖ）その後、複数の加速度センサ素子を含むウエハの
接合体から、それぞれのセンサ素子のチップに分離し、
ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、モー
ルド工程等の各工程を行って、加速度センサ素子１０が
完成する。これらの加速度センサ素子１０は、容量値を
電圧に変換し、増幅するＡＳＩＣ等の回路素子と外部接
続してもよい。この場合、ＡＳＩＣ等の回路素子を接続
した後、全体をモールド樹脂で覆って一体化してもよ
い。Further, referring to FIG. 5E, a step of forming an aluminum vapor deposition film 18 in the connection holes 4c and 4d provided in the first glass plate 2 and then obtaining individual acceleration sensor elements. The steps will be described. (T) Inside the connection holes 4c and 4d formed in the first surface 13 of the first glass plate 2, an aluminum vapor deposition film 18 having a thickness of 1 to 3 μm is formed by an evaporation method, and the photolithography method is used. Form the desired pattern. As a result, a bonding pad is formed which is directly connected to the contact portion with the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b, or is connected via the wiring 9 (FIG. 5 (e)). At this time, since there is no overhang portion at the bottoms of the connection holes 4c and 4d, the electrode can be taken out from the contact portion of the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b without breaking the aluminum vapor deposition film 18. (U) Heat treatment is performed to strengthen the adhesion between the aluminum vapor deposition film 18 and the glass plates 2 and 3. This heat treatment step can be performed, for example, by maintaining the temperature at about 400 ° C. in nitrogen. (V) After that, the wafer bonded body including a plurality of acceleration sensor elements is separated into chips for the respective sensor elements,
The acceleration sensor element 10 is completed by performing each process such as a die bonding process, a wire bonding process, and a molding process. These acceleration sensor elements 10 may be externally connected to a circuit element such as an ASIC that converts a capacitance value into a voltage and amplifies the voltage. In this case, after connecting circuit elements such as ASIC, the whole may be covered with a molding resin to be integrated.

【００３４】この加速度センサ素子の製造方法の効果に
ついて説明する。この製造方法では、第１ガラス板２に
設ける接続孔４ｃ、４ｄの形成にあたって、２段階で接
続孔４ｃ、４ｄを開口している。まず、第１ガラス板２
の第１面１１に貫通させないようにサンドブラスト法で
凹部形状を形成する。次いで、第１ガラス板２の第２面
１２と半導体基板の第１面とを対向させて接合する。そ
して、ウエットエッチングで該凹部２１ａ、２１ｂから
第１ガラス板２の第２面１２まで貫通させる。これによ
って、半導体基板１まで過度のエッチングを行わないの
で、該半導体基板１には凹部を形成することなく、半導
体基板１内に形成した質量体５、や固定電極６ａ、６ｂ
に機械的、電気的な損傷を与えることがない。また、接
続孔４ｃ、４ｄの底部の断面形状にオーバハング部の発
生を抑制するので、接続孔４ｃ、４ｄでのアルミニウム
蒸着膜１８の断線を生じない。そこで、加速度センサ素
子１０の製造工程における歩留まりを向上させ、安価で
信頼性の高い加速度センサ素子を提供することができ
る。The effects of the method of manufacturing the acceleration sensor element will be described. In this manufacturing method, when forming the connection holes 4c and 4d provided in the first glass plate 2, the connection holes 4c and 4d are opened in two steps. First, the first glass plate 2
The concave shape is formed by the sand blast method so as not to penetrate the first surface 11 of the above. Next, the second surface 12 of the first glass plate 2 and the first surface of the semiconductor substrate are opposed to each other and bonded. Then, by wet etching, the recesses 21a and 21b are penetrated to the second surface 12 of the first glass plate 2. As a result, since the semiconductor substrate 1 is not excessively etched, the mass body 5 formed in the semiconductor substrate 1 and the fixed electrodes 6a and 6b are not formed in the semiconductor substrate 1.
No mechanical or electrical damage. Moreover, since the generation of an overhang portion is suppressed in the cross-sectional shape of the bottoms of the connection holes 4c and 4d, the aluminum vapor deposition film 18 is not broken in the connection holes 4c and 4d. Therefore, it is possible to improve the yield in the manufacturing process of the acceleration sensor element 10 and provide an inexpensive and highly reliable acceleration sensor element.

【００３５】実施の形態２．本発明に係る加速度センサ
素子の製造方法について説明する。この加速度センサ素
子の製造方法は、実施の形態１に係る加速度センサ素子
の製造方法と比較すると、図６及び図７に示すように、
第１ガラス板２に形成された接続孔にアルミニウム蒸着
膜を成膜する工程において、蒸着源３２からの蒸着粒子
の入射方向と第１ガラス板２とのなす角度（入射角度）
θを、該接続孔４ｃ、４ｄの底部の内壁面と底面とのな
す角度φ以下とし、導電膜であるアルミニウム蒸着膜１
８を成膜する点で相違する。このように蒸着源３２から
の入射角度θを制御することによって接続孔４ｃ、４ｄ
の底部に形成されるオーバハング部３７の影となる箇所
に蒸着膜１８を成膜することができ、接続孔４ｃ、４ｄ
の内壁面のうち少なくとも一部でアルミニウム蒸着膜１
８を連続させることができる。Embodiment 2. A method of manufacturing the acceleration sensor element according to the present invention will be described. Compared with the method of manufacturing the acceleration sensor element according to the first embodiment, the method of manufacturing the acceleration sensor element has a method as shown in FIGS.
In the step of forming an aluminum vapor deposition film in the connection hole formed in the first glass plate 2, the angle (incident angle) between the incident direction of vapor deposition particles from the vapor deposition source 32 and the first glass plate 2
θ is equal to or less than the angle φ formed by the inner wall surface and the bottom surface of the bottoms of the connection holes 4c and 4d, and the aluminum vapor deposition film 1 which is a conductive film
8 is different in that it is formed into a film. By controlling the incident angle θ from the vapor deposition source 32 in this manner, the connection holes 4c, 4d
The vapor deposition film 18 can be formed on the shadow of the overhang portion 37 formed at the bottom of the connection hole 4c, 4d.
Aluminum vapor deposition film 1 on at least a part of the inner wall surface of
8 can be continuous.

【００３６】図６は、蒸着装置３０の蒸着室３１内での
蒸着源３２からの蒸着粒子の入射方向とウエハ接合体３
５とのなす角度（入射角度）θの関係を示す概略図であ
る。図７は、図６の蒸着条件下で接続孔４ｃに形成され
るアルミニウム蒸着膜１８の様子を示す断面図及び平面
図である。FIG. 6 shows the incident direction of vapor deposition particles from the vapor deposition source 32 in the vapor deposition chamber 31 of the vapor deposition apparatus 30 and the wafer bonded body 3.
5 is a schematic diagram showing a relationship of an angle (incident angle) θ with 5; FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view and a plan view showing a state of the aluminum vapor deposition film 18 formed in the connection hole 4c under the vapor deposition conditions of FIG.

【００３７】この加速度センサ素子の製造方法におい
て、接続孔の内壁にアルミニウム蒸着膜を成膜する工程
は以下の通りである。 （ａ）半導体基板１を２枚の第１及び第２ガラス板２、
３で挟み込んだウエハ接合体３５を、蒸着装置３０の真
空室３１内のステージ３３に第１ガラス板２の第１面１
１が蒸着面となるようにセットする（図６（ａ））。こ
の時、蒸着源３２からの蒸着粒子の入射方向と第１ガラ
ス板２の第１面１１とのなす角度（入射角度）θを、接
続孔の底部のオーバハング部３７の内壁面と底面とのな
す角度φ以下に設定する。これによって、接続孔の底部
にオーバハング部３７が存在する場合にもその内壁面に
蒸着膜１８を形成できる。例えば、オーバハング部３７
の斜面と底面とのなす角度φは約６０°なので、４５〜
６０°とするのが好ましい。なお、この入射角度θをあ
まり小さくすると開口部で遮られて底部に入射させるこ
とができないため、接続孔の深さｈと直径Ｒとで決まる
下限値θｍｉｎがある。この下限値θｍｉｎとしては、
接続孔の深さｈ（＝ガラス板の厚さ）と底部の直径Ｒと
から、 θｍｉｎ＝（１８０／π）×ａｒｃｔａｎ（ｈ／Ｒ）
（°） と表せる。また、この場合、通常は蒸着中、ステージ３
３を回転軸３４について回転させるが、ステージ３３の
回転を止めてオーバハング部３７の斜面に沿ってアルミ
ニウム蒸着膜１８をより厚く成膜し、確実にコンタクト
部２５との接続を形成してもよい。あるいは、入射角度
θを固定しながらステージ３３を回転させて、オーバハ
ング部３７の周方向に沿ってアルミニウム蒸着膜１８を
成膜してもよい。In the method of manufacturing the acceleration sensor element, the steps of forming an aluminum vapor deposition film on the inner wall of the connection hole are as follows. (A) A semiconductor substrate 1 having two first and second glass plates 2,
The wafer bonded body 35 sandwiched by 3 is mounted on the stage 33 in the vacuum chamber 31 of the vapor deposition apparatus 30 on the first surface 1 of the first glass plate 2.
1 is set to be the vapor deposition surface (FIG. 6A). At this time, the angle (incident angle) θ between the incident direction of the vapor deposition particles from the vapor deposition source 32 and the first surface 11 of the first glass plate 2 is defined by the inner wall surface and the bottom surface of the overhang portion 37 at the bottom of the connection hole. Set it to less than or equal to φ. Accordingly, even when the overhang portion 37 exists at the bottom of the connection hole, the vapor deposition film 18 can be formed on the inner wall surface of the overhang portion 37. For example, the overhang part 37
The angle φ between the slope and the bottom is about 60 °, so 45-
It is preferably 60 °. If this incident angle θ is too small, it cannot be made incident on the bottom part because it is blocked by the opening, so there is a lower limit value θ min determined by the depth h and the diameter R of the connection hole. As this lower limit value θ min ,
From the depth h of the connection hole (= thickness of the glass plate) and the diameter R of the bottom, θ min = (180 / π) × arctan (h / R)
It can be expressed as (°). In this case, the stage 3 is usually used during the vapor deposition.
Although 3 is rotated about the rotation shaft 34, the rotation of the stage 33 may be stopped and the aluminum vapor deposition film 18 may be formed thicker along the slope of the overhang portion 37 to surely form the connection with the contact portion 25. . Alternatively, the aluminum deposition film 18 may be formed along the circumferential direction of the overhang portion 37 by rotating the stage 33 while fixing the incident angle θ.

【００３８】この加速度センサ素子の製造方法の効果に
ついて説明する。この製造方法では、アルミニウム蒸着
膜１８の形成にあたって、蒸着源３２からの蒸着粒子の
入射方向と第１ガラス板２の第１面１１とのなす角度θ
を、オーバハング部３７の内壁面と底面とのなす角度φ
以下に設定している。これによってオーバハング部３７
の内壁面に沿ってアルミニウム蒸着膜１８を成膜し、コ
ンタクト部２５と接続させることができる。なお、ステ
ージ３３を回転させないで固定した場合には、接続孔の
周方向のうち部分的にコンタクト部２５と接続させるこ
とができる。この時、他方で部分的に断線する場合があ
るが、周方向にわたって少なくとも一部でオーバハング
部３７を越えてコンタクト部２５と部分的に接続してい
ればよい。これによって接続孔にオーバハング部３７を
有する場合でも、工程数を増やすことなく半導体基板１
のコンタクト部２５から電極を取り出すことができる。The effects of the method of manufacturing the acceleration sensor element will be described. In this manufacturing method, when forming the aluminum vapor deposition film 18, an angle θ formed by the incident direction of vapor deposition particles from the vapor deposition source 32 and the first surface 11 of the first glass plate 2.
Is the angle φ between the inner wall surface and the bottom surface of the overhang portion 37.
It is set below. As a result, the overhang portion 37
It is possible to form the aluminum vapor deposition film 18 along the inner wall surface of and to connect it to the contact portion 25. When the stage 33 is fixed without being rotated, it can be partially connected to the contact portion 25 in the circumferential direction of the connection hole. At this time, there is a case where the other part is partially disconnected, but it is sufficient that the contact part 25 is partially connected beyond the overhang part 37 at least at a part in the circumferential direction. As a result, even if the connection hole has the overhang portion 37, the semiconductor substrate 1 can be processed without increasing the number of steps.
The electrode can be taken out from the contact portion 25 of the.

【００３９】実施の形態３．本発明の実施の形態３に係
る加速度センサ素子及びその製造方法について説明す
る。まず、この加速度センサ素子１０について説明す
る。この加速度センサ素子は、実施の形態１に係る加速
度センサ素子と比較すると、図１０の（ａ）に示すよう
に、第１ガラス板２に形成された接続孔４ｃは、底部に
環状のシリコン酸化膜１７を有し、該環状のシリコン酸
化膜１７の中央部に半導体基板１の機能部である質量体
５及び固定電極６ａ、６ｂが露出している点で相違す
る。また、この接続孔４ｃは、底部に露出する半導体基
板１の質量体５、固定電極６ａ、６ｂから環状のシリコ
ン酸化膜１７、接続孔４ｃ、４ｄの内壁に沿って覆う導
電膜であるアルミニウム蒸着膜１８を有する点で相違す
る。環状のシリコン酸化膜１７が存在することにより、
底部にオーバハング部３７がある場合にもアルミニウム
蒸着膜１８の成膜時に回り込みが生じて断線が生じにく
くなる。Embodiment 3. An acceleration sensor element and a manufacturing method thereof according to the third embodiment of the present invention will be described. First, the acceleration sensor element 10 will be described. Compared with the acceleration sensor element according to the first embodiment, this acceleration sensor element has a connection hole 4c formed in the first glass plate 2 as shown in FIG. The difference is that it has a film 17, and the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b, which are the functional parts of the semiconductor substrate 1, are exposed at the center of the annular silicon oxide film 17. Further, the connection hole 4c is a conductive film covering the mass body 5 of the semiconductor substrate 1 exposed at the bottom, the fixed electrodes 6a, 6b and the annular silicon oxide film 17, and the conductive film covering the inner walls of the connection holes 4c, 4d. The difference is that it has a membrane 18. Due to the presence of the annular silicon oxide film 17,
Even when there is the overhang portion 37 at the bottom, the wire wraps around when the aluminum vapor deposition film 18 is formed, and disconnection is less likely to occur.

【００４０】次に、この加速度センサ素子１０の製造方
法について説明する。この加速度センサ素子１０の製造
方法は、実施の形態１に係る製造方法と比較すると、図
９の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、接続孔４ｃ、４ｄ
を覆ってシリコン窒化膜４３を成膜しておき、接続孔４
ｃ、４ｄの底部のシリコン酸化膜１７を保護しながら、
ウエットエッチングで半導体基板１に形成された質量体
５及び固定電極６ａ、６ｂを分離する点で相違する。こ
れにより接続孔４ｃ、４ｄの底部の酸化膜１７を保護で
き、アルミニウム蒸着膜１８の成膜時には、酸化膜１７
が存在することによるアルミニウム蒸着膜１８の回り込
みが生じて断線が生じにくくなる。そこで、加速度セン
サ素子の製造工程における歩留まりを向上させ、信頼性
の高い加速度センサ素子を提供することができる。Next, a method of manufacturing the acceleration sensor element 10 will be described. Compared with the manufacturing method according to the first embodiment, this manufacturing method of the acceleration sensor element 10 has connection holes 4c and 4d as shown in FIGS. 9B and 9C.
A silicon nitride film 43 is formed to cover the connection hole 4
While protecting the silicon oxide film 17 on the bottom of c and 4d,
The difference is that the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b formed on the semiconductor substrate 1 are separated by wet etching. As a result, the oxide film 17 on the bottoms of the connection holes 4c and 4d can be protected, and the oxide film 17 can be formed when the aluminum vapor deposition film 18 is formed.
Due to the presence of, the aluminum vapor deposition film 18 wraps around, and disconnection hardly occurs. Therefore, it is possible to improve the yield in the manufacturing process of the acceleration sensor element and provide a highly reliable acceleration sensor element.

【００４１】図８から図１０を用いて、この加速度セン
サ素子の製造方法を説明する。図８は、半導体基板１に
加速度検出用の質量体５、固定電極６ａ、６ｂを形成す
ると共に、接続孔４ｃ、４ｄと対向する箇所に酸化膜の
開口部を形成する工程を示す概略図である。図９は、半
導体基板１を第１及び第２ガラス板２、３と接合する工
程を示す概略図である。図１０は、接続孔４ｃにアルミ
ニウム蒸着膜１８を成膜する工程を示す断面図及び平面
図である。A method of manufacturing this acceleration sensor element will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic view showing a process of forming a mass body 5 for acceleration detection and fixed electrodes 6a and 6b on the semiconductor substrate 1 and forming an opening of an oxide film at a position facing the connection holes 4c and 4d. is there. FIG. 9 is a schematic view showing a step of joining the semiconductor substrate 1 to the first and second glass plates 2 and 3. FIG. 10 is a cross-sectional view and a plan view showing the step of forming the aluminum vapor deposition film 18 in the connection hole 4c.

【００４２】図８を用いて、半導体基板１の第１ガラス
板２の接続孔４ｃ、４ｄと対向する箇所の酸化膜１７に
開口部を形成する工程を説明する。 （１）半導体基板１の第１面１５側に厚さ５００ｎｍの
酸化膜１７を形成する。 （２）半導体基板１の第１面１５に、第１ガラス板２の
接続孔４ｃ、４ｄと対向する箇所の酸化膜１７に、フォ
トリソグラフィ法により、該接続孔４ｃ、４ｄの直径よ
り小さい直径の凹部を形成する（図８（ａ））。この凹
部の直径は、半導体基板１に形成する質量体５および固
定電極６ａ、６ｂのコンタクト部２５でのコンタクト抵
抗が所定範囲となる面積から算出される範囲とする。 （３）ＣＶＤ法により厚さ約３００ｎｍのシリコン窒化
膜４１を形成する。 （４）上記窒化膜４１の上にレジスト膜４２を塗布後、
フォトリソグラフィ法で所定パターンを形成し、該パタ
ーンのレジスト膜４２をマスクにして、シリコン窒化膜
４１等をエッチングして所定形状にする（図８
（ｂ））。このとき、接続孔の底部に対向するコンタク
ト部２５を覆うようにする。 （５）半導体基板１の第１面１５にレジスト膜４２を塗
布し、フォトリソグラフィ法で、質量体５及び固定電極
６ａ、６ｂを分離する溝のパターンを形成する。 （６）上記レジスト膜４２のパターンをマスクにして、
高速の異方性ドライエッチング装置により、分離溝７を
形成する（図８（ｃ））。 （７）その後、シリコン窒化膜４１を、例えば、燐酸を
用いて除去する。A process of forming an opening in the oxide film 17 at a position facing the connection holes 4c and 4d of the first glass plate 2 of the semiconductor substrate 1 will be described with reference to FIG. (1) An oxide film 17 having a thickness of 500 nm is formed on the first surface 15 side of the semiconductor substrate 1. (2) A diameter smaller than the diameter of the connection holes 4c, 4d is formed on the first surface 15 of the semiconductor substrate 1 on the oxide film 17 at a portion facing the connection holes 4c, 4d of the first glass plate 2 by photolithography. To form a concave portion (FIG. 8A). The diameter of this concave portion is set to a range calculated from the area where the contact resistance of the contact portion 25 of the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b formed on the semiconductor substrate 1 falls within a predetermined range. (3) A silicon nitride film 41 having a thickness of about 300 nm is formed by the CVD method. (4) After applying a resist film 42 on the nitride film 41,
A predetermined pattern is formed by the photolithography method, and the resist film 42 having the pattern is used as a mask to etch the silicon nitride film 41 and the like into a predetermined shape (FIG. 8).
(B)). At this time, the contact portion 25 facing the bottom of the connection hole is covered. (5) A resist film 42 is applied to the first surface 15 of the semiconductor substrate 1 and a groove pattern for separating the mass body 5 and the fixed electrodes 6a and 6b is formed by photolithography. (6) Using the pattern of the resist film 42 as a mask,
The separation groove 7 is formed by a high-speed anisotropic dry etching device (FIG. 8C). (7) After that, the silicon nitride film 41 is removed using phosphoric acid, for example.

【００４３】次に、図９の（ａ）〜（ｃ）を用いて、半
導体基板１を第１及び第２ガラス板２、３と接合する工
程について説明する。 （８）半導体基板１の第１面１５と、第１ガラス板２の
第２面１２とを対向させ、位置合わせを行って重ね合わ
せ、陽極接合技術を用いて互いに接合する（図９
（ａ））。 （９）第１ガラス板２の第１面１１に接続孔４ｃ、４ｄ
のコンタクト部２５を覆って、例えば、厚さ約３００ｎ
ｍのシリコン窒化膜４３を成膜する（図９（ｂ））。こ
のシリコン窒化膜４３は、後工程で半導体基板の第２面
側からウエットエッチングの際に、接続孔の底部のコン
タクト部２５にある酸化膜が除去されないように保護す
るものである。 （１０）半導体基板１の第２面１６にレジスト膜（図示
せず）を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて該レジ
スト膜に所望のパターンを形成する。次いで、該レジス
ト膜のパターンをマスクにして、高速異方性ドライエッ
チングによって、例えば、深さ１００〜１８０μｍの所
望のパターンの凹部１９を形成する。 （１１）接合された半導体基板１と第１ガラス板２の全
体をフッ酸に浸漬し、質量体５に接する酸化膜１７ａを
ウエットエッチングにより除去する（図９（ｃ））。こ
れによって質量体５と、固定電極６ａ，６ｂを分離す
る。この時、シリコン窒化膜４３により、接続孔４ｃ、
４ｄの底部の酸化膜１７をウエットエッチングから保護
する。Next, the step of joining the semiconductor substrate 1 to the first and second glass plates 2 and 3 will be described with reference to FIGS. (8) The first surface 15 of the semiconductor substrate 1 and the second surface 12 of the first glass plate 2 are opposed to each other, aligned and superposed, and bonded to each other using an anodic bonding technique (FIG. 9).
(A)). (9) Connection holes 4c and 4d on the first surface 11 of the first glass plate 2.
Covering the contact portion 25 of, for example, a thickness of about 300 n
m silicon nitride film 43 is formed (FIG. 9B). The silicon nitride film 43 protects the oxide film in the contact portion 25 at the bottom of the connection hole from being removed during wet etching from the second surface side of the semiconductor substrate in a later step. (10) A resist film (not shown) is formed on the second surface 16 of the semiconductor substrate 1, and a desired pattern is formed on the resist film by photolithography. Next, using the resist film pattern as a mask, high-speed anisotropic dry etching is performed to form recesses 19 having a desired pattern with a depth of 100 to 180 μm, for example. (11) The entire bonded semiconductor substrate 1 and first glass plate 2 are immersed in hydrofluoric acid, and the oxide film 17a in contact with the mass 5 is removed by wet etching (FIG. 9C). This separates the mass body 5 from the fixed electrodes 6a and 6b. At this time, the silicon nitride film 43 allows the connection holes 4c,
The oxide film 17 at the bottom of 4d is protected from wet etching.

【００４４】また、図９の（ｄ）を用いて、半導体基板
１の第２面１６に第２ガラス板３を接合するまでの工程
について説明する。 （１２）半導体基板１の第２面１６と、第２ガラス板３
の第１面１３とを対向させ位置合わせを行って重ね合わ
せ、陽極接合技術を用いて互いに接合する（図９
（ｄ））。この時、第２ガラス板３の第１面１３の凹部
２３と、半導体基板１内に形成した質量体５とを対向さ
せて重ね合わせる。これにより、質量体５は自由に振動
可能な状態に保持される。これによって、質量体５及び
固定電極６を第１及び第２ガラス板２、３の間に不活性
ガス雰囲気で気密封じして挟み込むことができる。Further, the steps required until the second glass plate 3 is bonded to the second surface 16 of the semiconductor substrate 1 will be described with reference to FIG. (12) Second surface 16 of semiconductor substrate 1 and second glass plate 3
The first surface 13 of the No. 1 is made to face each other, aligned and superposed, and bonded to each other using the anodic bonding technique (FIG. 9).
(D)). At this time, the concave portion 23 of the first surface 13 of the second glass plate 3 and the mass body 5 formed in the semiconductor substrate 1 are opposed to each other and overlapped. As a result, the mass body 5 is held in a freely vibrable state. Thereby, the mass body 5 and the fixed electrode 6 can be sandwiched between the first and second glass plates 2 and 3 in an inert gas atmosphere in an airtight manner.

【００４５】図１０を用いて、接続孔４ｃにアルミニウ
ム蒸着膜１８を成膜する工程を説明する。 （１３）第１ガラス板２の第１面１１に設けられた接続
孔４ｃの上方からアルミニウム蒸着膜１８を成膜する
（図１０（ａ））。この場合、接続孔４ｃの断面形状
は、底部でシリコン酸化膜１７を残存させている。この
酸化膜１７の効果によって、オーバハング部３７がある
場合にもアルミニウム蒸着膜１８の断線を生じにくくす
ることができる。なお、回り込みによるアルミニウム蒸
着膜の厚さは約１００ｎｍと薄くなるが、加速度センサ
素子として使用する場合、所望の電流値は数ｍＡ以下な
ので問題はない。また、より厚い膜厚を所望の場合に
は、アルミニウム蒸着膜の成膜時間を長くして膜厚を厚
くしてもよい。さらに、スパッタ法によりアルミニウム
膜を成膜してもよい。A process of forming the aluminum vapor deposition film 18 in the connection hole 4c will be described with reference to FIG. (13) The aluminum vapor deposition film 18 is formed from above the connection hole 4c provided on the first surface 11 of the first glass plate 2 (FIG. 10A). In this case, the cross-sectional shape of the connection hole 4c is such that the silicon oxide film 17 remains at the bottom. Due to the effect of the oxide film 17, it is possible to prevent the aluminum vapor deposition film 18 from being broken even when the overhang portion 37 is present. Although the thickness of the aluminum vapor deposition film due to the wraparound is as thin as about 100 nm, when used as an acceleration sensor element, there is no problem because the desired current value is several mA or less. Further, when a thicker film thickness is desired, the film formation time of the aluminum vapor deposition film may be lengthened to increase the film thickness. Further, an aluminum film may be formed by the sputtering method.

【００４６】次に、上記アルミニウム蒸着膜の成膜にお
ける酸化膜１７の作用について検討する。試験方法とし
て、１５００個の接続孔について、オーバハング部８７
の高さが１５〜３０μｍの場合に、厚さ３μｍのアルミ
ニウム蒸着膜６８を成膜し、その電気的な接続の有無を
調べた。まず、この加速度センサ素子の製造方法におい
て、接続孔４ｃ、４ｄの底部に外周から内周に半径方向
に約１００μｍの周状に酸化膜１７を残存させた場合に
は、アルミニウム蒸着膜１８は１００％接続されてい
た。また、例えば、膜厚１μｍのアルミニウム膜をスパ
ッタ法で成膜した場合、ほぼ１００％接続が得られた。
スパッタ法では蒸着法に比べてガス圧が高いためガスに
よる散乱のため回り込み量が増加するため接続の割合が
高まると考えられる。一方、比較例として、図１４の
（ｄ）に示す従来の加速度センサ素子の製造方法の場合
を挙げる。従来の製造方法では、オーバハング部８７が
あるとその影となる箇所でアルミニウム蒸着膜６８の断
線が生じていた。約１５００個の接続孔のうち、断線し
なかったものはわずかに数％程度であり、大半が断線し
ていた。なお、従来の製造方法では、アルミニウム蒸着
膜の膜厚を１０μｍと厚くしても接続割合は約７０％程
度であり、１５μｍとした場合にも約９８％であった。
１５μｍ以上の膜厚のアルミニウム蒸着膜を形成するた
めには長時間の蒸着を要し、処理能力が低下し、コスト
がかかる。Next, the function of the oxide film 17 in forming the aluminum vapor deposition film will be examined. As a test method, the overhang portion 87 is used for 1500 connection holes.
When the height was 15 to 30 μm, an aluminum vapor deposition film 68 having a thickness of 3 μm was formed, and the presence or absence of electrical connection was examined. First, in the method of manufacturing the acceleration sensor element, when the oxide film 17 is left on the bottoms of the connection holes 4c and 4d in the circumferential direction from the outer circumference to the inner circumference in the radial direction of about 100 μm, the aluminum vapor deposition film 18 becomes 100 % Was connected. Further, for example, when an aluminum film having a film thickness of 1 μm was formed by a sputtering method, almost 100% connection was obtained.
Since the gas pressure in the sputtering method is higher than that in the vapor deposition method, the amount of wraparound increases due to scattering by the gas, and therefore the connection ratio is considered to increase. On the other hand, as a comparative example, the case of the conventional method of manufacturing an acceleration sensor element shown in FIG. In the conventional manufacturing method, when the overhang portion 87 is present, the aluminum vapor deposition film 68 is broken at a position that is a shadow thereof. Of about 1500 connection holes, only a few percent did not break, and most of them were broken. In the conventional manufacturing method, the connection ratio was about 70% even when the thickness of the aluminum vapor deposition film was increased to 10 μm, and was about 98% even when it was set to 15 μm.
In order to form an aluminum vapor deposition film having a thickness of 15 μm or more, vapor deposition for a long time is required, the processing capacity is lowered, and the cost is high.

【００４７】なお、接続孔の底部に酸化膜を残存させた
場合にアルミニウム蒸着膜の回り込みが生じて断線が生
じにくくなる理由の詳細は不明であるが、次のように考
えられる。シリコン酸化膜の熱伝導率はシリコン基板に
比べて小さいため、酸化膜上に蒸着されたアルミニウム
蒸着膜は熱を失いにくく、シリコン酸化膜表面に沿って
移動しやすく、オーバハング部の影となる箇所に回り込
みやすいと考えられる。一方、オーバハング部のガラス
面の主成分はシリコン酸化膜と実質的に同一なので、影
の部分にも回りこみ、下部の酸化膜上で回り込んだアル
ミニウム蒸着膜と接触しやすく、接続が得られるものと
考えられる。The reason why the aluminum vapor deposition film wraps around when the oxide film is left at the bottom of the connection hole and the disconnection is less likely to occur is not clear, but it is considered as follows. Since the thermal conductivity of the silicon oxide film is smaller than that of the silicon substrate, the aluminum vapor deposition film deposited on the oxide film does not easily lose heat, easily moves along the silicon oxide film surface, and becomes a shadow of the overhang part. It is thought that it is easy to get around. On the other hand, the main component of the glass surface of the overhang part is substantially the same as the silicon oxide film, so it also wraps around in the shadow part and easily contacts the aluminum vapor deposition film that wraps around on the lower oxide film, and a connection can be obtained. It is considered to be a thing.

【００４８】[0048]

【発明の効果】本発明に係る電子デバイスの製造方法に
よれば、第１ガラス板に接続孔を２段階で形成してい
る。第１段階として、第１ガラス板の第１面に、１倍未
満の深さを有する凹部を形成する。すなわち、第１ガラ
ス板を貫通させないように凹部を形成する。第２段階と
して、第１ガラス板を半導体基板と接合した後、該凹部
をエッチして第２面まで貫通させ、接続孔を形成する。
このように２段階で接続孔を形成することで、接続孔の
底部に内壁面の傾斜角度が逆テーパ状となるオーバハン
グ部を生じさせないようにできる。これによってこの接
続孔にアルミニウム蒸着膜を成膜した場合にも断線を生
じない。そこで、製造工程における歩留まりを向上さ
せ、信頼性の高い電子デバイス、例えば、加速度センサ
素子を得ることができる。According to the method of manufacturing an electronic device of the present invention, the connection hole is formed in two steps in the first glass plate. As a first step, a recess having a depth less than 1 time is formed on the first surface of the first glass plate. That is, the recess is formed so as not to penetrate the first glass plate. As a second step, after the first glass plate is bonded to the semiconductor substrate, the recess is etched and penetrated to the second surface to form a connection hole.
By forming the connection hole in two stages in this way, it is possible to prevent an overhang portion in which the inclination angle of the inner wall surface is inversely tapered at the bottom of the connection hole. As a result, disconnection does not occur even when an aluminum vapor deposition film is formed in this connection hole. Therefore, it is possible to improve the yield in the manufacturing process and obtain a highly reliable electronic device, for example, an acceleration sensor element.

【００４９】また、本発明に係る電子デバイスの製造方
法によれば、サンドブラスト法によって第１ガラス板の
第１面に凹部を形成する。これにより深さ数百μｍの凹
部を迅速に形成できる。According to the method of manufacturing an electronic device of the present invention, the recess is formed on the first surface of the first glass plate by the sandblast method. This makes it possible to quickly form a recess having a depth of several hundreds of μm.

【００５０】さらに、本発明に係る電子デバイスの製造
方法によれば、蒸着法を用いて接続孔の内壁面に沿って
導電膜を迅速に成膜することができる。Furthermore, according to the method of manufacturing an electronic device of the present invention, the conductive film can be rapidly formed along the inner wall surface of the connection hole by using the vapor deposition method.

【００５１】本発明に係る電子デバイスの製造方法によ
れば、第１ガラス板に形成された接続孔にアルミニウム
蒸着膜を成膜する工程において、蒸着源からの蒸着粒子
の入射方向と第１ガラス板とのなす角度（入射角度）θ
を、該接続孔の底部の内壁面と底面とのなす角度φ以下
とし、導電膜であるアルミニウム蒸着膜を成膜する。こ
のように蒸着粒子の入射角度θを制御することによって
接続孔の底部に形成されるオーバハング部の影となる箇
所に蒸着膜を成膜することができ、接続孔の内壁面のう
ち少なくとも一部でアルミニウム蒸着膜を連続させるこ
とができる。According to the method of manufacturing an electronic device of the present invention, in the step of forming the aluminum vapor deposition film in the connection hole formed in the first glass plate, the incident direction of the vapor deposition particles from the vapor deposition source and the first glass. Angle with the plate (incident angle) θ
Is less than or equal to the angle φ formed by the inner wall surface and bottom surface of the bottom of the connection hole, and an aluminum vapor deposition film that is a conductive film is formed. By controlling the incident angle θ of the vapor deposition particles in this way, a vapor deposition film can be formed at a position that is a shadow of the overhang portion formed at the bottom of the connection hole, and at least a part of the inner wall surface of the connection hole is formed. The aluminum vapor deposition film can be continuous.

【００５２】本発明に係る電子デバイスの製造方法によ
れば、接続孔を覆ってシリコン窒化膜を成膜しておき、
接続孔の底部のシリコン酸化膜を保護しながら、ウエッ
トエッチングで半導体基板に形成された質量体及び固定
電極を分離する。これにより接続孔の底部の酸化膜を保
護でき、アルミニウム蒸着膜の成膜時には、酸化膜が存
在することによってアルミニウム蒸着膜の回り込みによ
って断線が生じにくくなる。そこで、電子デバイス、例
えば、加速度センサ素子の製造工程における歩留まりを
向上させ、信頼性の高い加速度センサ素子を提供するこ
とができる。According to the method of manufacturing an electronic device of the present invention, a silicon nitride film is formed to cover the connection hole,
The mass body and the fixed electrode formed on the semiconductor substrate are separated by wet etching while protecting the silicon oxide film at the bottom of the connection hole. Thereby, the oxide film at the bottom of the connection hole can be protected, and when the aluminum vapor deposition film is formed, the presence of the oxide film makes it less likely that the aluminum vapor deposition film will wrap around and cause disconnection. Therefore, it is possible to improve the yield in the manufacturing process of an electronic device, for example, an acceleration sensor element, and provide a highly reliable acceleration sensor element.

【００５３】また、本発明に係る加速度センサ素子の製
造方法によれば、半導体基板に形成する機能部は加速度
検出用の質量対及び固定電極である。また、上述の通
り、製造工程における歩留まりを向上させ、信頼性の高
い加速度センサ素子を提供することができる。Further, according to the method of manufacturing the acceleration sensor element of the present invention, the functional parts formed on the semiconductor substrate are the mass pair for acceleration detection and the fixed electrode. Further, as described above, it is possible to improve the yield in the manufacturing process and provide a highly reliable acceleration sensor element.

【００５４】本発明に係る電子デバイスによれば、第１
ガラス板は、底部に半導体基板の機能部である質量体、
固定電極が露出する接続孔を有する。また、質量体、固
定電極は、第１ガラス板に設けられた接続孔のアルミニ
ウム蒸着膜を介して外部のボンディングパッドに接続さ
れている。さらに、接続孔は、開口部から底部にかけて
断面積が単調減少する順テーパ形状を有する。これによ
って、この加速度センサ素子は、第１ガラス板の接続孔
の底部で内壁面の傾斜角度が逆テーパ状となるオーバハ
ング部をほとんど有しないので、アルミニウム蒸着膜の
断線が生じない。According to the electronic device of the present invention,
The glass plate is a mass body that is a functional part of the semiconductor substrate on the bottom.
It has a connection hole through which the fixed electrode is exposed. Moreover, the mass body and the fixed electrode are connected to an external bonding pad through an aluminum vapor deposition film of a connection hole provided in the first glass plate. Further, the connection hole has a forward tapered shape whose cross-sectional area monotonically decreases from the opening to the bottom. As a result, this acceleration sensor element has almost no overhang portion in which the inclination angle of the inner wall surface is inversely tapered at the bottom portion of the connection hole of the first glass plate, so that the aluminum vapor deposition film is not broken.

【００５５】本発明に係る電子デバイスによれば、第１
ガラス板に形成された接続孔は、底部に環状のシリコン
酸化膜を有し、該環状のシリコン酸化膜の中央部に半導
体基板の機能部である質量体及び固定電極が露出してい
る点で相違する。また、この接続孔は、底部に露出する
半導体基板の質量体、固定電極からシリコン酸化膜、接
続孔の内壁に沿って覆う導電膜であるアルミニウム蒸着
膜を有する点で相違する。酸化膜が存在することによ
り、底部にオーバハング部がある場合にもアルミニウム
蒸着膜の成膜時に回り込みが生じて断線が生じにくくな
る。According to the electronic device of the present invention,
The connection hole formed in the glass plate has an annular silicon oxide film at the bottom, and the mass body and the fixed electrode, which are the functional parts of the semiconductor substrate, are exposed at the center of the annular silicon oxide film. Be different. Further, this connection hole is different in that it has a mass body of the semiconductor substrate exposed at the bottom, a silicon oxide film from the fixed electrode, and an aluminum deposition film which is a conductive film covering the inner wall of the connection hole. Due to the presence of the oxide film, even when there is an overhang portion at the bottom, wraparound occurs during the formation of the aluminum vapor deposition film, and disconnection is less likely to occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 （ａ）は、本発明の実施の形態１に係る加速
度センサの製造方法において、得られる加速度センサの
平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った
断面図である。FIG. 1A is a plan view of an acceleration sensor obtained in the method of manufacturing an acceleration sensor according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a line AA ′ in FIG. FIG.

【図２】 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１に
係る加速度センサの製造方法において、第１ガラス板の
第１面に凹部を形成する工程を示す断面図である。2A to 2D are cross-sectional views showing a step of forming a recess on the first surface of the first glass plate in the method for manufacturing the acceleration sensor according to the first embodiment of the present invention.

【図３】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に
係る加速度センサの製造方法において、第２ガラス板の
第１面に凹部を形成する工程を示す断面図である。3 (a) to 3 (c) are cross-sectional views showing a step of forming a recess on the first surface of the second glass plate in the method for manufacturing the acceleration sensor according to the first embodiment of the present invention.

【図４】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に
係る加速度センサの製造方法において、半導体基板の第
１面に質量体等を分離する分離溝を形成する工程を示す
断面図である。4A to 4C show a step of forming a separation groove for separating a mass body and the like on the first surface of a semiconductor substrate in the method for manufacturing the acceleration sensor according to the first embodiment of the present invention. FIG.

【図５】 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態１に
係る加速度センサの製造方法において、半導体基板と第
１ガラス板及び第２ガラス板とをそれぞれ陽極接合し、
加速度センサ素子を作製する工程を示す断面図である。5 (a) to 5 (e) are a method of manufacturing an acceleration sensor according to a first embodiment of the present invention, in which a semiconductor substrate is anodically bonded to a first glass plate and a second glass plate, respectively.
It is sectional drawing which shows the process of manufacturing an acceleration sensor element.

【図６】 （ａ）は、本発明の実施の形態２に係る加速
度センサ素子の製造方法のアルミニウム蒸着工程におい
て、ウエハ接合体の面を６０°傾斜させた場合を示す概
略図であり、（ｂ）は、通常のアルミニウム蒸着工程に
おいて、ウエハ接合体の面を蒸着源に垂直に対向させた
場合の概略図である。FIG. 6A is a schematic view showing a case where the surface of the wafer bonded body is tilted by 60 ° in the aluminum vapor deposition step of the method for manufacturing the acceleration sensor element according to the second embodiment of the present invention, FIG. 2B) is a schematic view of a case where the surface of the wafer bonded body is vertically opposed to the vapor deposition source in the normal aluminum vapor deposition step.

【図７】 （ａ）は、図６の（ａ）に示すようにウエハ
接合体を傾斜させて接続孔にアルミニウム蒸着を行う場
合の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図であり、
（ｃ）は、図６の（ｂ）に示すようにウエハ接合体を垂
直にしてアルミニウム蒸着を行う場合の断面図であり、
（ｄ）は、（ｃ）の平面図である。7A is a cross-sectional view of a case where a wafer bonded body is inclined and aluminum is vapor-deposited in a connection hole as shown in FIG. 6A, and FIG. 7B is a plan view of FIG. Is a figure,
6C is a cross-sectional view in the case where aluminum is vapor-deposited with the wafer bonded body set vertically as shown in FIG. 6B,
(D) is a top view of (c).

【図８】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態３に
係る加速度センサ素子の製造方法において、半導体基板
に窒化膜を埋め込む工程を示す断面図である。8A to 8C are cross-sectional views showing a step of burying a nitride film in a semiconductor substrate in the method of manufacturing the acceleration sensor element according to the third embodiment of the present invention.

【図９】 （ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態３に
係る加速度センサ素子の製造方法において、半導体基板
に第１および第２ガラス板を接合する工程までを示す断
面図である。9 (a) to 9 (d) are cross-sectional views showing the steps up to the step of joining the first and second glass plates to the semiconductor substrate in the method of manufacturing the acceleration sensor element according to the third embodiment of the present invention. is there.

【図１０】 （ａ）は、本発明の実施の形態３に係る加
速度センサ素子の製造方法において、アルミニウム蒸着
を行う工程の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図
である。10A is a sectional view of a step of performing aluminum vapor deposition in the method of manufacturing an acceleration sensor element according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 10B is a plan view of FIG. .

【図１１】 （ａ）〜（ｃ）は、従来の加速度センサ素
子の製造方法において、第１ガラス板に接続孔を貫通す
る工程を示す断面図である。11A to 11C are cross-sectional views showing a step of penetrating a connection hole in a first glass plate in a conventional method of manufacturing an acceleration sensor element.

【図１２】 従来の加速度センサ素子の製造方法におい
て、第２ガラス板に凹部を形成する工程を示す断面図で
ある。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a step of forming a recess in the second glass plate in the conventional method of manufacturing an acceleration sensor element.

【図１３】 （ａ）及び（ｂ）は、従来の加速度センサ
素子の製造方法において、半導体基板に質量体等を分離
する分離溝を形成する工程を示す断面図である。13A and 13B are cross-sectional views showing a step of forming a separation groove for separating a mass body and the like on a semiconductor substrate in a conventional method of manufacturing an acceleration sensor element.

【図１４】 （ａ）〜（ｄ）は、従来の加速度センサ素
子の製造方法において、半導体基板と第１ガラス板及び
第２ガラス板とをそれぞれ接合し、加速度センサ素子を
作製する工程を示す断面図である。FIGS. 14A to 14D show steps in a conventional method of manufacturing an acceleration sensor element, in which a semiconductor substrate is bonded to a first glass plate and a second glass plate to manufacture an acceleration sensor element. FIG.

【符号の説明】 １ 半導体基板、２ 第１ガラス板、３ 第２ガラス
板、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ 接続孔、５ 質量体、６
ａ、６ｂ 固定電極、７ 分離溝、８ａ、８ｂ、８ｃ、
８ｄ ボンディングパット、９ 配線、１０ 加速度セ
ンサ素子、１１ 第１ガラス板の第１面、１２ 第１ガ
ラス板の第２面、１３ 第２ガラス板の第１面、１４
第２ガラス板の第２面、１５ 半導体基板の第１面、１
６ 半導体基板の第２面、１７、１７ａ 酸化膜、１８
アルミニウム蒸着膜、１９ 空洞部 ２０ａ、２０ｂ レジスト膜、２１ａ、２１ｂ、、２
２、２３ 凹部、２４ レジスト膜、２５ コンタクト
部、２６ レジスト膜、３０ 蒸着装置、３１ 真空
室、３２ 蒸着源、３３ ステージ、３４ 回転軸、３
５ ウエハ接合体、３６ アルミニウム原子、３７ オ
ーバハング部、３８ 断線部、４１ 窒化膜 ４２ レジスト膜、４３ 窒化膜、５１ 半導体基板、
５２ 第１ガラス板、５３ 第２ガラス板、５４ａ、５
４ｂ 接続孔、５５ 質量体、５６ａ、５６ｂ固定電
極、５７ 分離溝、５９ 配線、６０ 加速度センサ素
子、６１ 第１ガラス板の第１面、６２ 第１ガラス板
の第２面、６３ 第２ガラス板の第１面 ６４ 第２ガラス板の第２面、６５ 半導体基板の第１
面、６６ 半導体基板の第２面、６７、６７ａ 酸化
膜、６８ アルミニウム蒸着膜、６９ 空洞部、７０
ａ、７０ｂ レジスト膜、７１、７２、７３ 凹部、７
４ レジスト膜、７５コンタクト部、８７ オーバハン
グ部、８８ 断線部[Explanation of reference numerals] 1 semiconductor substrate, 2 first glass plate, 3 second glass plate, 4a, 4b, 4c, 4d connection hole, 5 mass body, 6
a, 6b fixed electrode, 7 separation groove, 8a, 8b, 8c,
8d Bonding pad, 9 Wiring, 10 Acceleration sensor element, 11 First surface of first glass plate, 12 Second surface of first glass plate, 13 First surface of second glass plate, 14
Second surface of second glass plate, 15 First surface of semiconductor substrate, 1
6 Second surface of semiconductor substrate, 17, 17a Oxide film, 18
Aluminum vapor deposition film, 19 Cavities 20a, 20b Resist film, 21a, 21b, 2
2, 23 concave part, 24 resist film, 25 contact part, 26 resist film, 30 vapor deposition device, 31 vacuum chamber, 32 vapor deposition source, 33 stage, 34 rotating shaft, 3
5 wafer bonded body, 36 aluminum atom, 37 overhang portion, 38 disconnection portion, 41 nitride film 42 resist film, 43 nitride film, 51 semiconductor substrate,
52 first glass plate, 53 second glass plate, 54a, 5
4b connection hole, 55 mass body, 56a, 56b fixed electrode, 57 separation groove, 59 wiring, 60 acceleration sensor element, 61 first surface of first glass plate, 62 second surface of first glass plate, 63 second glass First surface of plate 64 Second surface of second glass plate, 65 First of semiconductor substrate
Surface, 66 second surface of semiconductor substrate, 67, 67a oxide film, 68 aluminum vapor deposition film, 69 cavity, 70
a, 70b resist film, 71, 72, 73 concave portion, 7
4 Resist film, 75 contact part, 87 overhang part, 88 disconnection part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 靖雄 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山▲崎▼ 史朗 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 CA21 CA22 CA33 CA35 DA03 DA04 DA05 DA06 DA08 DA09 DA11 DA13 DA15 DA18 EA02 EA06 EA07 EA11 EA13 FA20    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yasuo Yamaguchi             2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside Ryo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yama Saki Shiro             2-6-2 Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo             Ryoden Engineering Co., Ltd. F-term (reference) 4M112 AA02 BA07 CA21 CA22 CA33                       CA35 DA03 DA04 DA05 DA06                       DA08 DA09 DA11 DA13 DA15                       DA18 EA02 EA06 EA07 EA11                       EA13 FA20

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 機能部を形成した半導体基板を２枚の第
１及び第２ガラス板の間に挟んで構成される電子デバイ
スの製造方法であって、前記製造方法は、 前記半導体基板、第１及び第２のガラス板とを用意する
工程と、 前記第１ガラス板の第１面に、１倍未満の深さを有する
凹部を形成する工程と、 前記半導体基板に前記機能部を形成する工程と、 前記半導体基板の第１面と前記第１ガラス板の第２面と
を互いに接合する工程と、 前記第１ガラス板の第１面に形成された前記凹部をエッ
チして前記第１ガラス板の第２面まで貫き、底部に前記
半導体基板の前記機能部を露出させた接続孔を形成する
工程と、 前記半導体基板の第２面と前記第２ガラス板の第１面と
を互いに接合する工程と、 前記第１ガラス板に形成された前記接続孔の内壁に沿っ
て導電膜を成膜して、前記接続孔の底部に露出する前記
機能部と接続された電極を形成する工程とを含むことを
特徴とする電子デバイスの製造方法。1. A method of manufacturing an electronic device, comprising a semiconductor substrate having a functional portion sandwiched between two first and second glass plates, the manufacturing method comprising: the semiconductor substrate; A step of preparing a second glass plate, a step of forming a recess having a depth of less than 1 time on the first surface of the first glass plate, and a step of forming the functional part on the semiconductor substrate Bonding the first surface of the semiconductor substrate and the second surface of the first glass plate to each other; etching the recess formed in the first surface of the first glass plate to etch the first glass plate; Forming a connection hole in the bottom of which the functional part of the semiconductor substrate is exposed, and joining the second surface of the semiconductor substrate and the first surface of the second glass plate to each other. And an inner wall of the connection hole formed in the first glass plate By forming a conductive film along, a method for fabricating an electronic device, which comprises a step of forming an electrode connected to the functional part exposed on the bottom of the connection hole. 【請求項２】 前記第１ガラス板の第１面に凹部を形成
する工程では、サンドブラスト法を用いて凹部を形成す
ることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製
造方法。2. The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein in the step of forming the concave portion on the first surface of the first glass plate, the concave portion is formed by using a sandblast method. 【請求項３】 前記電極を形成する工程では、蒸着法を
用いて前記接続孔の内壁に沿って導電膜を成膜すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイスの製
造方法。3. The method of manufacturing an electronic device according to claim 1, wherein in the step of forming the electrode, a conductive film is formed along the inner wall of the connection hole by using a vapor deposition method. . 【請求項４】 機能部を形成した半導体基板を２枚の第
１及び第２ガラス板の間に挟んで構成される電子デバイ
スの製造方法であって、前記製造方法は、 前記半導体基板、第１及び第２のガラス板とを用意する
工程と、 前記第１ガラス板の第１面から第２面まで貫く接続孔を
形成する工程と、 前記半導体基板に機能部を形成する工程と、 前記第１ガラス板の接続孔の底部に前記半導体基板の前
記機能部を露出させて、前記半導体基板の第１面と前記
第１ガラス板の第２面とを互いに接合する工程と、 前記半導体基板の第２面と前記第２ガラス板の第１面と
を互いに接合する工程と、 蒸着法を用いて、前記第１ガラス板に形成された前記接
続孔の内壁に沿って導電膜を成膜して、前記接続孔の底
部に露出する前記機能部と接続された電極を形成する工
程とを含み、 前記電極を形成する工程において、蒸着粒子の入射方向
と前記第１ガラス板の第１面とのなす角度を、前記接続
孔の底部で内壁面と底面とのなす角度以下として、導電
膜を成膜することを特徴とする電子デバイスの製造方
法。4. A method of manufacturing an electronic device, comprising a semiconductor substrate having a functional portion formed between two first and second glass plates, the manufacturing method comprising: the semiconductor substrate, the first and second glass substrates. A step of preparing a second glass plate; a step of forming a connection hole penetrating from the first surface to a second surface of the first glass plate; a step of forming a functional part on the semiconductor substrate; Exposing the functional portion of the semiconductor substrate to the bottom of the connection hole of the glass plate, and joining the first surface of the semiconductor substrate and the second surface of the first glass plate to each other; A step of joining the two surfaces and the first surface of the second glass plate to each other; and a vapor deposition method to form a conductive film along the inner wall of the connection hole formed in the first glass plate. Forming an electrode connected to the functional part exposed at the bottom of the connection hole In the step of forming the electrode, the angle between the incident direction of the vapor deposition particles and the first surface of the first glass plate is defined by the angle between the inner wall surface and the bottom surface at the bottom of the connection hole. The following is a method for manufacturing an electronic device, which comprises forming a conductive film. 【請求項５】 機能部を形成した半導体基板を２枚の第
１及び第２ガラス板の間に挟んで構成される電子デバイ
スの製造方法であって、前記製造方法は、 前記半導体基板、第１及び第２のガラス板とを用意する
工程と、 前記第１ガラス板の第１面から第２面まで貫く接続孔を
形成する工程と、 前記半導体基板に機能部を形成する工程と、 前記第１ガラス板の接続孔の底部に前記半導体基板の前
記機能部を露出させて、前記半導体基板の第１面と前記
第１ガラス板の第２面とを互いに接合する工程と、 前記第１ガラス板の前記接続孔を覆ってシリコン窒化膜
を成膜する工程と、 ウエットエッチング法により前記半導体基板の前記機能
部を可動状態にする工程と、 前記第１ガラス板の前記接続孔を覆うシリコン窒化膜を
除去する工程と、 前記半導体基板の第２面と前記第２ガラス板の第１面と
を互いに接合する工程と、 前記第１ガラス板に形成された前記接続孔の内壁に沿っ
て導電膜を成膜して、前記接続孔の底部に露出する前記
機能部と接続された電極を形成する工程とを含むことを
特徴とする電子デバイスの製造方法。5. A method of manufacturing an electronic device, comprising a semiconductor substrate having a functional portion sandwiched between two first and second glass plates, the manufacturing method comprising: the semiconductor substrate; A step of preparing a second glass plate; a step of forming a connection hole penetrating from the first surface to a second surface of the first glass plate; a step of forming a functional part on the semiconductor substrate; Exposing the functional portion of the semiconductor substrate to the bottom of the connection hole of the glass plate and joining the first surface of the semiconductor substrate and the second surface of the first glass plate to each other; A step of forming a silicon nitride film over the connection hole, a step of moving the functional part of the semiconductor substrate by a wet etching method, and a silicon nitride film covering the connection hole of the first glass plate. And a step of removing Bonding the second surface of the conductor substrate and the first surface of the second glass plate to each other; forming a conductive film along the inner wall of the connection hole formed in the first glass plate; And a step of forming an electrode connected to the functional portion exposed at the bottom of the connection hole. 【請求項６】 前記電子デバイスは加速度センサ素子で
あって、前記半導体基板の前記機能部は、加速度検出用
の質量体及び固定電極であることを特徴とする請求項１
から５のいずれか一項に記載の加速度センサ素子の製造
方法。6. The electronic device is an acceleration sensor element, and the functional portion of the semiconductor substrate is a mass body for acceleration detection and a fixed electrode.
6. The method for manufacturing the acceleration sensor element according to any one of items 1 to 5. 【請求項７】 機能部を有する半導体基板と、 前記半導体基板を挟みこむ２枚の第１及び第２ガラス板
とを備え、 前記第１ガラス板は、前記半導体基板の前記機能部が底
部に露出する接続孔を有し、 前記接続孔は、底部の前記機能部から前記接続孔の内壁
に沿って覆う導電膜を有すると共に、開口部から底部に
かけて断面積が単調減少する順テーパ形状を有すること
を特徴とする電子デバイス。7. A semiconductor substrate having a functional part, and two first and second glass plates sandwiching the semiconductor substrate, wherein the first glass plate has the functional part of the semiconductor substrate at the bottom. There is an exposed connection hole, the connection hole has a conductive film covering the functional portion of the bottom along the inner wall of the connection hole, and has a forward tapered shape in which the cross-sectional area monotonically decreases from the opening to the bottom. An electronic device characterized by the above. 【請求項８】 機能部を有する半導体基板と、 前記半導体基板を挟みこむ２枚の第１及び第２ガラス板
とを備え、 前記第１ガラス板は、前記半導体基板の前記機能部が底
部に露出する接続孔を有し、 前記接続孔は、底部に環状のシリコン酸化膜を有し、前
記環状のシリコン酸化膜の中央部に前記機能部が露出す
ると共に、底部の前記機能部から前記環状のシリコン酸
化膜と、前記接続孔の内壁に沿って覆う導電膜を有する
ことを特徴とする電子デバイス。8. A semiconductor substrate having a functional part, and two first and second glass plates sandwiching the semiconductor substrate, wherein the first glass plate has the functional part of the semiconductor substrate at the bottom. There is an exposed connection hole, the connection hole has an annular silicon oxide film at the bottom, the functional portion is exposed in the central portion of the annular silicon oxide film, and the annular portion from the functional portion at the bottom. And a conductive film covering the inner wall of the connection hole.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006194753A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Mitsubishi Electric Corp Method of measuring semiconductor capacity type acceleration sensor
JP2006226743A (en) * 2005-02-16 2006-08-31 Mitsubishi Electric Corp Acceleration sensor
JP2007263742A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Matsushita Electric Works Ltd Capacitance type sensor
JP2008534306A (en) * 2005-04-05 2008-08-28 リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Micromechanical component and method of manufacturing micromechanical component
JP2011053220A (en) * 2010-10-04 2011-03-17 Mitsubishi Electric Corp Method of manufacturing semiconductor capacity type acceleration sensor
DE102019218444A1 (en) 2018-12-10 2020-06-10 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4671699B2 (en) * 2005-01-14 2011-04-20 三菱電機株式会社 Manufacturing method of semiconductor capacitive acceleration sensor
JP2006194753A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Mitsubishi Electric Corp Method of measuring semiconductor capacity type acceleration sensor
JP2006226743A (en) * 2005-02-16 2006-08-31 Mitsubishi Electric Corp Acceleration sensor
US7964428B2 (en) 2005-04-05 2011-06-21 Litef Gmbh Micromechanical component and method for fabricating a micromechanical component
JP2008534306A (en) * 2005-04-05 2008-08-28 リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Micromechanical component and method of manufacturing micromechanical component
JP2012020397A (en) * 2005-04-05 2012-02-02 Northrop Grumman Litef Gmbh Micromechanical component and method for fabricating micromechanical component
JP2007263742A (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Matsushita Electric Works Ltd Capacitance type sensor
JP2011053220A (en) * 2010-10-04 2011-03-17 Mitsubishi Electric Corp Method of manufacturing semiconductor capacity type acceleration sensor
DE102019218444A1 (en) 2018-12-10 2020-06-10 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device
CN111289771A (en) * 2018-12-10 2020-06-16 三菱电机株式会社 Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2020095999A (en) * 2018-12-10 2020-06-18 三菱電機株式会社 Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
US11148937B2 (en) 2018-12-10 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP7067448B2 (en) 2018-12-10 2022-05-16 三菱電機株式会社 Manufacturing method of semiconductor devices, semiconductor devices
DE102019218444B4 (en) 2018-12-10 2023-12-21 Mitsubishi Electric Corporation Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

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