JP2003321508A - Resin paste composition and semiconductor device using the same - Google Patents

Resin paste composition and semiconductor device using the same

Info

Publication number
JP2003321508A
JP2003321508A JP2002126593A JP2002126593A JP2003321508A JP 2003321508 A JP2003321508 A JP 2003321508A JP 2002126593 A JP2002126593 A JP 2002126593A JP 2002126593 A JP2002126593 A JP 2002126593A JP 2003321508 A JP2003321508 A JP 2003321508A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
paste composition
resin paste
component
represented
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002126593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Sawabe
浩一 沢辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2002126593A priority Critical patent/JP2003321508A/en
Publication of JP2003321508A publication Critical patent/JP2003321508A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a die bonding resin paste composition which reduces the occurrence of reflow cracks in the solder reflow of a semiconductor device and improves reliability. <P>SOLUTION: The resin paste composition is obtained by uniformly dispersing (A) an acrylic acid ester or methacrylic acid ester, (B) a 1,3-diketone derivative or a urea derivative of a silicon compound, (C) liquid rubber component, (D) a radical initiator and (E) a filler. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はIC、LSI等の半
導体素子をリードフレーム、有機基板等の支持部材に接
着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用いた
半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin paste composition suitable for adhering a semiconductor element such as an IC or LSI to a supporting member such as a lead frame or an organic substrate, and a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の点
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ているが、マザーボードへの実装にはマザーボード全体
を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いら
れ、パッケージが200℃以上の高温に加熱されるた
め、パッケージ内部、特に接着剤層中または封止材中に
含まれる水分の急激な気化・膨張によりパッケージクラ
ックが発生し、半導体装置の信頼性が低下するという問
題があった。この問題は42アロイリードフレームより
も銅リードフレーム及びガラスエポキシ基板(ガラス繊
維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基板(シアネ
ートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドから
なるBTレジン使用基板)、ポリイミドテープまたはフ
ィルム等の有機基板において特に深刻である。その理由
としては、銅リードフレーム及び有機基板に対して接着
剤の接着力が低いこと、特に、銅リードフレームには
金、銀、ニッケル、パラジウム等のメッキ付フレーム、
有機基板には同様の各種メッキが施された銅等の金属配
線付基板が多くあり、そうしたメッキに対して接着剤の
接着力が低いことが挙げられる。
2. Description of the Related Art The mounting method of semiconductor devices is shifting from the conventional pin insertion method to the surface mounting method from the viewpoint of high density mounting. Since soldering is used and the package is heated to a high temperature of 200 ° C. or higher, package cracks occur due to rapid vaporization / expansion of moisture contained inside the package, particularly in the adhesive layer or encapsulant. There is a problem that the reliability of the device is lowered. This problem is due to copper lead frame and glass epoxy substrate (substrate made of glass fiber reinforced epoxy resin), BT substrate (substrate using BT resin made of cyanate monomer and its oligomer and bismaleimide), polyimide tape or film rather than 42 alloy lead frame. It is particularly serious in organic substrates such as. The reason is that the adhesive strength of the adhesive is low with respect to the copper lead frame and the organic substrate, and in particular, the copper lead frame has a plated frame of gold, silver, nickel, palladium or the like,
There are many organic wiring boards with metal wiring, such as copper, which have been similarly plated, and the adhesive strength of the adhesive is low with respect to such plating.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は樹脂ペースト
組成物の支持部材に対するピール強度、特に金、銀、ニ
ッケル、パラジウム等のメッキ付銅リードフレーム及び
同様の各種メッキ配線付有機基板に対するピール強度を
向上させ、前記の従来技術の欠点を除去し、銅リードフ
レーム及び有機基板を使用した際にもリフロークラック
の無い半導体装置を提供するものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a peel strength of a resin paste composition for a support member, particularly a peel strength of a copper lead frame plated with gold, silver, nickel, palladium or the like and similar organic substrates with various plated wirings. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device in which reflow cracks are eliminated even when a copper lead frame and an organic substrate are used by improving the above-mentioned drawbacks and eliminating the above-mentioned drawbacks of the prior art.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)アクリ
ル酸エステルまたはメタクリル酸エステル、(B)1,
3−ジケトン誘導体あるいは尿素誘導体であるケイ素
化合物、(C)液状ゴム成分、(D)ラジカル開始剤、
及び、(E)フィラーを均一分散させてなる樹脂ペース
ト組成物及びこの樹脂ペースト組成物を用いて半導体素
子を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置に
関する。
The present invention provides (A) acrylic acid ester or methacrylic acid ester, (B) 1,
A silicon compound which is a 3-diketone derivative or a urea derivative, (C) a liquid rubber component, (D) a radical initiator,
And (E) a resin paste composition in which a filler is uniformly dispersed, and a semiconductor device obtained by adhering a semiconductor element to a supporting member using the resin paste composition and then sealing the same.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明の樹脂ペースト組成物は、
上記のように(A)成分としてアクリル酸エステルまた
はメタクリル酸エステルを含有する。(A)成分として
は、一般式化1で表されるアクリル酸エステル及びメタ
クリル酸エステル、一般式化2で表されるフタルイミド
誘導体またはマレイミド誘導体、または、一般式化3で
表されるイミドアクリレート(N−アクリロイルオキシ
エチルヘキサヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオ
キシエチル−1, 2, 3, 6−テトラヒドロフタ
ルイミド、N−アクリロイルオキシエチル−3, 4,
5, 6−テトラヒドロフタルイミド、N−アクリロ
イルオキシエチルマレイミド)から選択される1種以上
が好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The resin paste composition of the present invention comprises
As described above, the component (A) contains an acrylic ester or a methacrylic ester. As the component (A), an acrylic ester and a methacrylic ester represented by the general formula 1, a phthalimide derivative or a maleimide derivative represented by the general formula 2, or an imide acrylate represented by the general formula 3 ( N-acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide, N-acryloyloxyethyl-1,2,3,6-tetrahydrophthalimide, N-acryloyloxyethyl-3,4.
One or more selected from 5,6-tetrahydrophthalimide and N-acryloyloxyethylmaleimide) are preferable.

【0006】(A)成分の配合量は、特に限定されない
が、樹脂ペースト組成物総量100重量部に対して0.
01〜50重量部とするのが好ましく、0.1〜40重
量部とするのがより好ましく、1〜30重量部とするの
が特に好ましい。(A)成分の配合量が0.01重量部
未満では、樹脂ペースト組成物の粘度が著しく高くな
り、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が悪く
なる。50重量部を越えると、樹脂ペースト組成物の粘
度が著しく低くなり、また、その接着力が著しく低下す
る。
The blending amount of the component (A) is not particularly limited, but is 0. 0 with respect to 100 parts by weight of the total amount of the resin paste composition.
The amount is preferably 01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 40 parts by weight, and particularly preferably 1 to 30 parts by weight. When the amount of the component (A) is less than 0.01 part by weight, the viscosity of the resin paste composition is remarkably increased, resulting in poor workability during its preparation and coating workability during use. When it exceeds 50 parts by weight, the viscosity of the resin paste composition is remarkably lowered, and its adhesive force is remarkably lowered.

【0007】本発明の樹脂ペースト組成物は、上記のよ
うに(B)成分として1, 3−ジケトン誘導体あるい
は尿素誘導体であるケイ素化合物を含有する。(B)成
分としては、一般式化4で表される1, 3−ジケトン
誘導体であるケイ素化合物、一般式化5で表される尿素
誘導体であるケイ素化合物、及び、一般式化6で表され
るケイ素化合物、N, N−ビス(トリメチルシリル)
ウレア、N−トリメチルシリルフェニルウレア、3−ウ
レイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシランから選択される1種以上が好ま
しい。
The resin paste composition of the present invention contains a silicon compound which is a 1,3-diketone derivative or a urea derivative as the component (B) as described above. As the component (B), a silicon compound which is a 1,3-diketone derivative represented by the general formula 4, a silicon compound which is a urea derivative represented by the general formula 5, and a compound represented by the general formula 6 Silicon compounds, N, N-bis (trimethylsilyl)
One or more selected from urea, N-trimethylsilylphenylurea, 3-ureidopropyltrimethoxysilane and 3-ureidopropyltriethoxysilane are preferable.

【0008】(B)成分の配合量は、特に限定されない
が、樹脂ペースト組成物総量100重量部に対して0.
01〜30重量部とするのが好ましく、0.05〜20
重量部とするのがより好ましく、0.1〜10重量部と
するのが特に好ましい。(A)成分の配合量が0.01
重量部未満では、樹脂ペースト組成物の接着力が著しく
低下する。30重量部を越えると、樹脂ペースト組成物
の粘度が著しく低くなり、また、その接着力が著しく低
下する。
The blending amount of the component (B) is not particularly limited, but it is 0. 0 with respect to 100 parts by weight of the total amount of the resin paste composition.
It is preferably from 01 to 30 parts by weight, and from 0.05 to 20
More preferably, the amount is 0.1 to 10 parts by weight. The blending amount of the component (A) is 0.01
If it is less than part by weight, the adhesive strength of the resin paste composition is significantly reduced. When it exceeds 30 parts by weight, the viscosity of the resin paste composition is remarkably lowered and the adhesive strength thereof is remarkably lowered.

【0009】本発明に用いられる(C)液状ゴム成分と
しては特に制限はないが、ポリブタジエン、ポリブタジ
エン誘導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体、
または、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導
体から選択される1種以上が好ましく、エポキシ基、ビ
ニル基、アクリル基、メタクリル基、カルボキシル基を
持つポリブタジエン誘導体、または、ブタジエン・アク
リロニトリル共重合体の誘導体から選択される1種以上
がより好ましく、粘度が1000Pa・s以下であるエ
ポキシ化ポリブタジエン、メタクリル化ポリブタジエ
ン、または、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロ
ニトリル共重合体から選択される1種以上が特に好まし
い(粘度:EHD型回転粘度計、3°コーン、25℃に
て測定)。
The liquid rubber component (C) used in the present invention is not particularly limited, but polybutadiene, polybutadiene derivative, butadiene-acrylonitrile copolymer,
Alternatively, at least one selected from derivatives of butadiene / acrylonitrile copolymer is preferable, and polybutadiene derivative having epoxy group, vinyl group, acryl group, methacryl group, carboxyl group or derivative of butadiene / acrylonitrile copolymer is preferable. One or more selected from the group is more preferable, and one or more selected from epoxidized polybutadiene, methacrylated polybutadiene, or carboxyl group-terminated butadiene / acrylonitrile copolymer having a viscosity of 1000 Pa · s or less is particularly preferable (viscosity: EHD type rotational viscometer, measured at 3 ° cone, 25 ° C).

【0010】(C)成分の配合量は、樹脂ペースト組成
物総量100重量部に対して0.01〜50重量部とす
るのが好ましく、0.1〜40重量部とするのがより好
ましく、1〜30重量部とするのが特に好ましい。この
配合量が0.01重量部未満であると、樹脂ペースト組
成物の接着力が著しく低下する。50重量部を越える
と、樹脂ペースト組成物の粘度が著しく高くなり、その
作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が悪くなる。
The blending amount of the component (C) is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total resin paste composition. It is particularly preferable to use 1 to 30 parts by weight. If the blending amount is less than 0.01 part by weight, the adhesive force of the resin paste composition will be significantly reduced. If it exceeds 50 parts by weight, the viscosity of the resin paste composition becomes extremely high, and the workability during its preparation and the coating workability during use deteriorate.

【0011】本発明に用いられる(D)成分のラジカル
開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過
酸化物が好ましく、また、樹脂ペースト組成物の硬化性
および粘度安定性の点から過酸化物の分解温度としては
50〜200℃が好ましい。
The radical initiator of the component (D) used in the present invention is not particularly limited, but peroxides are preferable from the viewpoint of voids and the like, and the curability and viscosity stability of the resin paste composition are also preferable. Therefore, the decomposition temperature of the peroxide is preferably 50 to 200 ° C.

【0012】(D)成分の配合量は、特に限定されない
が、樹脂ペースト組成物総量100重量部に対して0.
01〜20重量部とするのが好ましく、0.05〜10
重量部とするのがより好ましく、0.1〜5重量部とす
るのが特に好ましい。(D)成分の配合量が0.01重
量部未満では、樹脂ペースト組成物の接着力が著しく低
下する。20重量部を越えると、樹脂ペースト組成物の
粘度安定性が著しく低下し、また、その接着力が著しく
低下する。
The blending amount of the component (D) is not particularly limited, but it is 0. 0 with respect to 100 parts by weight of the total amount of the resin paste composition.
It is preferably from 01 to 20 parts by weight, and from 0.05 to 10
More preferably, it is 0.1 to 5 parts by weight. If the amount of component (D) is less than 0.01 parts by weight, the adhesive strength of the resin paste composition will be significantly reduced. When it exceeds 20 parts by weight, the viscosity stability of the resin paste composition is remarkably lowered, and the adhesive strength thereof is remarkably lowered.

【0013】上記ラジカル開始剤の過酸化物としては、
例えばメチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブ
チルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシ
ド、メチルシクロヘキサノンパーオキシド、アセチルア
セトンパーオキシド、イソブチルパーオキシド、o−メ
チルベンゾイルパーオキシド、ビス−3, 5, 5−
トリメチルヘキサノイルパーオキシド、ラウロイルパー
オキシド、ベンゾイルパーオキシド、2, 4, 4−
トリメチルペンチル−2−ヒドロパーオキシド、ジイソ
プロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキ
シド、tert−ブチルヒドロパーオキシド、ジクミル
パーオキシド、2, 5−ジメチル−2, 5−ジ(t
ert−ブチルパーオキシ)ヘキサン、1, 3−ビス
(tert−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼ
ン、tert−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ter
t−ブチルパーオキシド、2, 5−ジメチル−2,
5−ジ(tert−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、
1, 1−ジ−tert−ブチルパーオキシ−3,
3, 5−トリメチルシクロヘキサン、1, 1−ジ−
tert−ブチルパーオキシシクロヘキサン、2, 2
−ジ(tert−ブチルパーオキシ)ブタン、4, 4
−ジ−tert−ブチルパーオキシバレリック酸−n−
ブチルエステル、2, 4, 4−トリメチルペンチル
パーオキシフェノキシアセトン、α−クミルパーオキシ
ネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシネオデ
カノエート、tert−ブチルパーオキシ−2−エチル
ヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−tert−ブチルパーオキシヘキサヒドロ
テレフタレート、tert−ブチルパーオキシアセテー
ト、tert−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。
As the peroxide of the above radical initiator,
For example, methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, methyl cyclohexanone peroxide, acetylacetone peroxide, isobutyl peroxide, o-methylbenzoyl peroxide, bis-3,5,5-
Trimethylhexanoyl peroxide, lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, 2,4,4-
Trimethylpentyl-2-hydroperoxide, diisopropylbenzene peroxide, cumene hydroperoxide, tert-butyl hydroperoxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t
tert-butylperoxy) hexane, 1,3-bis (tert-butylperoxyisopropyl) benzene, tert-butylcumyl peroxide, di-ter.
t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,
5-di (tert-butylperoxy) hexyne-3,
1,1-di-tert-butylperoxy-3,
3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-di-
tert-butyl peroxycyclohexane, 2, 2
-Di (tert-butylperoxy) butane, 4,4
-Di-tert-butylperoxyvaleric acid-n-
Butyl ester, 2,4,4-trimethylpentyl peroxyphenoxyacetone, α-cumyl peroxy neodecanoate, tert-butyl peroxy neodecanoate, tert-butyl peroxy-2-ethylhexanoate, tert -Butylperoxyisobutyrate, di-tert-butylperoxyhexahydroterephthalate, tert-butylperoxyacetate, tert-butylperoxybenzoate and the like, but not limited thereto.

【0014】本発明に用いられる(E)成分のフィラー
としては特に制限はなく、例えば金、銀、銅、マンガ
ン、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレスの単独も
しくは合金、また、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒
化ホウ素、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミ等の粉体、
さらに、ポリ(ビニリデンフルオライド)等のポリマー
粒子、導電性成分とポリマー粒子の複合粒子等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
The component (E) filler used in the present invention is not particularly limited and includes, for example, gold, silver, copper, manganese, nickel, iron, aluminum, stainless steel alone or an alloy, silicon oxide, aluminum oxide, Powder of boron nitride, aluminum nitride, aluminum borate, etc.,
Further, polymer particles such as poly (vinylidene fluoride), composite particles of a conductive component and polymer particles, and the like can be mentioned, but the invention is not limited thereto.

【0015】(E)成分の配合量は、特に限定されない
が、樹脂ペースト組成物総量100重量部に対して1〜
95重量部とするのが好ましく、5〜90重量部とする
のがより好ましく、10〜85重量部とするのが特に好
ましい。(E)成分の配合量が1重量部未満であると、
樹脂ペースト組成物の粘度が著しく低くなり、その使用
時の塗布作業性が悪くなる。また、その接着力が著しく
低下する。95重量部を越えると、樹脂ペースト組成物
の粘度が著しく高くなり、その作製時の作業性及び使用
時の塗布作業性が悪くなる。
The blending amount of the component (E) is not particularly limited, but is 1 to 100 parts by weight of the total amount of the resin paste composition.
The amount is preferably 95 parts by weight, more preferably 5 to 90 parts by weight, and particularly preferably 10 to 85 parts by weight. When the compounding amount of the component (E) is less than 1 part by weight,
The viscosity of the resin paste composition becomes remarkably low, and the coating workability during its use deteriorates. In addition, the adhesive strength is significantly reduced. If it exceeds 95 parts by weight, the viscosity of the resin paste composition becomes extremely high, and the workability during its preparation and the coating workability during use deteriorate.

【0016】本発明の樹脂ペースト組成物には、さらに
必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸
湿剤、シランカップリング剤、チタネートカップリング
剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコアルミネート
カップリング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性
剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油
等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤、
重合禁止剤等を適宜添加することができる。
In the resin paste composition of the present invention, if necessary, a moisture absorbent such as calcium oxide or magnesium oxide, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aluminum coupling agent, a zircoaluminate coupling agent, etc. Adhesion improver, nonionic surfactant, wetting improver such as fluorine-containing surfactant, antifoaming agent such as silicone oil, ion trap agent such as inorganic ion exchanger,
A polymerization inhibitor or the like can be added as appropriate.

【0017】上記シランカップリング剤としては、例え
ばビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニ
ルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−
(3, 4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ヘ
キサメチルジシラザン、N, O−(ビストリメチルシ
リル)アセトアミド、N−メチル−3−アミノプロピル
トリメトキシシラン、4, 5−ジヒドロイミダゾール
プロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピル
トリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジ
メトキシシラン、3−シアノプロピルトリメトキシシラ
ン、メチルトリ(メタクリロイルオキシエトキシ)シラ
ン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン、2−エチ
ルヘキシル−2−エチルヘキシルホスホネート、γ−グ
リシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルト
リアセトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシ
ラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシ
ラン、N−トリメチルシリルアセトアミド、ジメチルト
リメチルシリルアミン、ジエチルトリメチルシリルアミ
ン、トリメチルシリルイミダゾール、トリメチルシリル
イソシアネート、ジメチルシリルジイソシアネート、メ
チルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソ
シアネート、フェニルシリルトリイソシアンネート、テ
トライソシアネートシラン、エトキシシラントリイソシ
アネート等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。
Examples of the silane coupling agent include vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane and γ.
-Methacryloxypropyltrimethoxysilane, β-
(3,4-Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyl Trimethoxysilane, hexamethyldisilazane, N, O- (bistrimethylsilyl) acetamide, N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 4,5-dihydroimidazolepropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-cyanopropyltrimethoxysilane, methyltri (methacryloyloxyethoxy) silane, methyltri (glycidyloxy) silane, 2-ethylhexyl-2-ethylhexyl Sylphosphonate, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, N-trimethylsilylacetamide, dimethyl Examples include trimethylsilylamine, diethyltrimethylsilylamine, trimethylsilylimidazole, trimethylsilylisocyanate, dimethylsilyldiisocyanate, methylsilyltriisocyanate, vinylsilyltriisocyanate, phenylsilyltriisocyanate, tetraisocyanatesilane, and ethoxysilanetriisocyanate, but are not limited thereto. It is not something that will be done.

【0018】上記チタネートカップリング剤としては、
例えばイソプロピルトリイソステアロイルチタネート、
イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピ
ルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロ
ピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソ
プロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソ
プロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、
イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロ
ピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネー
ト、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイ
ト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホ
スファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオ
キシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスフ
ァイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテート
チタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オ
キシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレ
ンチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)
エチレンチタネート、ジイソプロポキシビス(2, 4
−ペンタジオネート)チタニウム(・)、ジイソプロピ
ルビストリエタノールアミノチタネート、チタニウムラ
クテート、アセトアセティックエステルチタネート、ジ
−i−プロポキシビス(アセチルアセトナト)チタン、
ジ−n−ブトキシビス(トリエタノールアミナト)チタ
ン、ジヒドロキシビス(ラクタト)チタン、チタニウム
−i−プロポキシオクチレングリコレート、チタニウム
ステアレート、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレ
ート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエ
タノールアミネート等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。
As the titanate coupling agent,
For example, isopropyl triisostearoyl titanate,
Isopropyl trioctanoyl titanate, isopropyl dimethacryl isostearoyl titanate, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl isostearoyl diacrylic titanate, isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate,
Isopropyl tricumyl phenyl titanate, isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, tetraisopropyl bis (dioctyl phosphite) titanate, tetraoctyl bis (ditridecyl phosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) Bis (ditridecyl) phosphite titanate, dicumylphenyloxyacetate titanate, bis (dioctyl pyrophosphate) oxyacetate titanate, diisostearoyl ethylene titanate, bis (dioctyl pyrophosphate)
Ethylene titanate, diisopropoxy bis (2, 4
-Pentadionate) titanium (.), Diisopropylbistriethanolaminotitanate, titanium lactate, acetoacetic ester titanate, di-i-propoxybis (acetylacetonato) titanium,
Di-n-butoxybis (triethanolaminato) titanium, dihydroxybis (lactato) titanium, titanium-i-propoxyoctylene glycolate, titanium stearate, tri-n-butoxytitanium monostearate, titanium lactate ethyl ester, titanium Examples include, but are not limited to, triethanolaminate.

【0019】上記重合禁止剤としては、例えばキノン
類、ヒドロキノン、ニトロ・ニトロソ化合物、アミン
類、ポリオキシ化合物、p−tert−ブチルカテコー
ル、ピクリン酸、ジチオベンゾイルジスルフィド等の含
硫黄化合物、塩化第二銅、ジフェニルピクリルヒドラジ
ル、トリ−p −ニトロフェニルメチル、トリフェニル
フェルダジル、N−(3−N−オキシアニリノ−1,
3−ジメチルブチリデン)アニリンオキシド等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Examples of the polymerization inhibitor include quinones, hydroquinones, nitro-nitroso compounds, amines, polyoxy compounds, p-tert-butylcatechol, picric acid, sulfur-containing compounds such as dithiobenzoyl disulfide, cupric chloride. , Diphenylpicrylhydrazyl, tri-p-nitrophenylmethyl, triphenylferdazyl, N- (3-N-oxyanilino-1,
3-dimethylbutylidene) aniline oxide and the like, but not limited thereto.

【0020】本発明の樹脂ペースト組成物には、さらに
必要に応じてブリード抑制剤を添加することができる。
ブリード抑制剤としては例えばパーフロロオクタン酸、
オクタン酸アミド、オレイン酸等の脂肪酸、パーフロロ
オクチルエチルアクリレート、シリコーン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。
If necessary, a bleeding inhibitor can be added to the resin paste composition of the present invention.
Examples of bleeding inhibitors include perfluorooctanoic acid,
Examples thereof include fatty acids such as octanoic acid amide and oleic acid, perfluorooctylethyl acrylate, and silicone, but are not limited to these.

【0021】本発明の樹脂ペースト組成物を製造するに
は、(A)アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エス
テル、(B)1, 3−ジケトン誘導体あるいは尿素誘
導体であるケイ素化合物、(C)液状ゴム成分、(D)
ラジカル開始剤、及び、(E)フィラーを、必要に応じ
て用いられる各種添加剤とともに、一括または分割して
撹拌器、ライカイ機、3本ロール、プラネタリーミキサ
ー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投入
し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練または
分散して均一なペースト状とすれば良い。
To produce the resin paste composition of the present invention, (A) an acrylic ester or a methacrylic ester, (B) a silicon compound which is a 1,3-diketone derivative or a urea derivative, and (C) a liquid rubber component. , (D)
Radical initiator and (E) filler together with various additives that are used as needed are collectively or separately combined with a dispersing / dissolving device such as a stirrer, a raikai machine, a three-roller, and a planetary mixer. It may be placed in the above apparatus and heated as necessary to mix, dissolve, disintegrate, knead, or disperse to form a uniform paste.

【0022】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物を用
いて、半導体素子を銅リードフレーム、ガラスエポキシ
基板(ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板)、B
T基板(シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビス
マレイミドからなるBTレジン使用基板)、ポリイミド
テープまたはフィルム等の有機基板、その他の支持部材
に接着させるには、まず支持部材上に樹脂ペースト組成
物をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング
法等により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オ
ーブン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化
することにより行うことができる。さらに、必要に応じ
てワイヤボンド工程、封止工程等を経ることにより完成
された半導体装置とすることができる。
In the present invention, a semiconductor device can be obtained by further adhering the semiconductor element and the supporting member using the resin paste composition produced as described above and then sealing. Using the resin paste composition of the present invention, a semiconductor element is provided with a copper lead frame, a glass epoxy substrate (substrate made of glass fiber reinforced epoxy resin), B
In order to adhere to a T substrate (substrate using BT resin composed of cyanate monomer and its oligomer and bismaleimide), an organic substrate such as polyimide tape or film, and other supporting members, first, a resin paste composition is dispensed onto the supporting member. After applying by a screen printing method, a stamping method, or the like, the semiconductor element is pressure-bonded, and then heat-cured by using a heating device such as an oven or a heat block. Further, the semiconductor device can be completed by going through a wire bonding step, a sealing step, etc., if necessary.

【0023】[0023]

【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。以
下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方法で作
製したもの、あるいは入手したものである。 (1)エポキシ樹脂の調製 YDF−170(東都化成社製、商品名、ビスフェノー
ルF型エポキシ樹脂、エポキシ当量=170)11重量
部及びTL−980(油化シェルエポキシ社製、商品
名、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量=
185)11重量部を80℃に加熱し、1時間撹拌を続
け、均一なエポキシ樹脂を得た。 (2)硬化剤の調製 H−1(明和化成社製、商品名、フェノールノボラック
樹脂、OH当量=106)2.0重量部及び希釈剤とし
てPP−101(東都化成社製、商品名、アルキルフェ
ニルグリシジルエーテル、エポキシ当量=230)4.
0重量部を100℃に加熱し、1時間撹拌を続け、均一
なフェノール樹脂溶液を得た。 (3)硬化促進剤 2P4MHZ(四国化成社製、商品名、2−フェニル−
4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール)であ
る。 (4)フィラー TCG−1(徳力化学研究所製、商品名、銀粉)であ
る。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. The materials used in the following examples and comparative examples are those produced by the following method or obtained. (1) Preparation of Epoxy Resin 11 parts by weight of YDF-170 (trade name, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent = 170) and TL-980 (trade name, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., bisphenol A) Type epoxy resin, epoxy equivalent =
185) 11 parts by weight of the mixture was heated to 80 ° C. and stirred for 1 hour to obtain a uniform epoxy resin. (2) Preparation of curing agent 2.0 parts by weight of H-1 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name, phenol novolac resin, OH equivalent = 106) and PP-101 (manufactured by Toto Kasei Co., trade name, alkyl) as a diluent Phenyl glycidyl ether, epoxy equivalent = 230) 4.
0 parts by weight was heated to 100 ° C. and stirring was continued for 1 hour to obtain a uniform phenol resin solution. (3) Curing accelerator 2P4MHZ (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name, 2-phenyl-
4-methyl-5-hydroxymethylimidazole). (4) Filler TCG-1 (manufactured by Tokuriki Kagaku Kenkyusho, trade name, silver powder).

【0024】(5)アクリル酸エステル R−712(日本化薬社製、商品名、α−フェニル−ω
−アクリロイオキシポリオキシエチレンホルムアルデヒ
ド重縮合物)及びSR−339A(日本化薬社製、商品
名、2−フェノキエチルアクリレート)である。 (6)尿素誘導体であるケイ素化合物 A−1160(日本ユニカー社製、商品名、γ−ウレイ
ドプロピルトリエトキシシラン50%メタノール溶液)
である。 (7)液状ゴム成分 E−1000−8(日本石油化学社製、商品名、エポキ
シ化ポリブタジエン、エポキシ当量=200)である。 (8)ラジカル開始剤 パーブチルZ(日本油脂社製、商品名、tert−ブチ
ルパーオキシベンゾエート)である。
(5) Acrylic ester R-712 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name, α-phenyl-ω)
-Acryloyloxypolyoxyethylene formaldehyde polycondensate) and SR-339A (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name, 2-phenoxyethyl acrylate). (6) Silicon compound A-1160 which is a urea derivative (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., trade name, γ-ureidopropyltriethoxysilane 50% methanol solution)
Is. (7) Liquid rubber component E-1000-8 (manufactured by Nippon Petrochemical Co., Ltd., trade name, epoxidized polybutadiene, epoxy equivalent = 200). (8) Radical initiator Perbutyl Z (trade name, tert-butyl peroxybenzoate, manufactured by NOF CORPORATION).

【0025】表1に示す配合割合で各材料を混合し、ラ
イカイ機を用いて混練した後、5Torr以下で30分
間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹
脂ペースト組成物の特性(粘度、ピール強度、チップ反
り及び耐半田リフロー性)を下記に示す方法で調べた。
その結果を表1に示す。 (1)粘度:EHD型回転粘度計(東京計器社製)で、
3°コーンを用いて25℃における粘度(Pa・s)を
測定した。 (2)ピール強度:実施例及び比較例により得た樹脂ペ
ースト組成物をガラスエポキシ基板上に約3.2mgを
塗布し、この上に8mm×8mmのSiチップ(厚さ
0.4mm)を圧着し、さらにオーブンで150℃まで
30分で昇温し150℃で1時間硬化させた。自動接着
力測定装置(日立化成工業社製、内製)を用い、240
℃における引き剥がし強さ(N/64・)を測定した。
The materials were mixed in the mixing ratios shown in Table 1, kneaded using a liquor machine, and then defoamed at 5 Torr or less for 30 minutes to obtain a resin paste composition. The characteristics (viscosity, peel strength, chip warpage and solder reflow resistance) of this resin paste composition were examined by the methods described below.
The results are shown in Table 1. (1) Viscosity: EHD type rotational viscometer (made by Tokyo Keiki Co., Ltd.)
The viscosity (Pa · s) at 25 ° C. was measured using a 3 ° cone. (2) Peel strength: About 3.2 mg of the resin paste composition obtained in each of Examples and Comparative Examples was applied on a glass epoxy substrate, and an 8 mm × 8 mm Si chip (thickness 0.4 mm) was pressure-bonded on the glass epoxy substrate. Then, the temperature was raised to 150 ° C. in 30 minutes in an oven and cured at 150 ° C. for 1 hour. 240 using an automatic adhesive force measuring device (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
The peel strength at N ° C (N / 64 ·) was measured.

【0026】(3)耐半田リフロー性:実施例及び比較
例により得た樹脂ペースト組成物を用い、下記リードフ
レーム及びガラスエポキシ基板とSiチップを、下記の
硬化条件により硬化し接着した。その後日立化成工業製
エポキシ封止材(商品名CEL−9200)により封止
し、耐半田リフロー試験用パッケージを得た。そのパッ
ケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃、60%の条件
に設定された恒温恒湿槽中で168時間吸湿させた。そ
の後240℃/10秒のリフロー条件で半田リフローを
行い、パッケージの外部クラックの発生数を顕微鏡(倍
率:15倍)で、また、パッケージの内部クラックの発
生数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサンプルについ
てクラックの発生したサンプル数を示す。 支持部材:金メッキ付銅リードフレーム チップサイズ:8mm×10mm(厚さ0.4mm) パッケージ:QFP、14mm×20mm×2mm 硬化条件:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化 支持部材:ガラスエポキシ基板 チップサイズ:10mm×10mm(厚さ0.4mm) パッケージ:OMPAC型BGA、24mm×24mm
×1.5mm 硬化条件:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化
(3) Solder reflow resistance: Using the resin paste compositions obtained in Examples and Comparative Examples, the following lead frame and glass epoxy substrate and Si chip were cured and adhered under the following curing conditions. After that, it was sealed with an epoxy encapsulant (trade name CEL-9200) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. to obtain a package for solder reflow resistance test. The package was allowed to absorb moisture for 168 hours in a constant temperature and humidity chamber in which the temperature and humidity were set to 85 ° C. and 60%, respectively. After that, solder reflow was performed under a reflow condition of 240 ° C./10 seconds, and the number of external cracks in the package was observed with a microscope (magnification: 15 times), and the number of internal cracks in the package was observed with an ultrasonic microscope. The number of cracked samples is shown for five samples. Support member: Copper-plated lead frame with gold plating Chip size: 8 mm x 10 mm (thickness 0.4 mm) Package: QFP, 14 mm x 20 mm x 2 mm Curing conditions: Temperature rising up to 150 ° C in 30 minutes, curing at 150 ° C for 1 hour Supporting member : Glass epoxy substrate Chip size: 10 mm x 10 mm (thickness 0.4 mm) Package: OMPAC type BGA, 24 mm x 24 mm
× 1.5 mm Curing conditions: Temperature rise to 150 ° C in 30 minutes, curing at 150 ° C for 1 hour

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】表1の結果から、本発明の樹脂ペースト組
成物(実施例)はエポキシ樹脂を用いた樹脂ペースト組
成物(比較例)に比較してピール強度、チップ反りで良
好な値を示し、耐半田リフロー性も優れていた。このこ
とから、本発明の樹脂ペースト組成物によれば、銅リー
ドフレーム及び有機基板を使用した際にも信頼性の高い
パッケージが得られることが確認された。
From the results shown in Table 1, the resin paste composition of the present invention (Example) shows good values in peel strength and chip warpage as compared with the resin paste composition using an epoxy resin (Comparative Example), The solder reflow resistance was also excellent. From this, it was confirmed that the resin paste composition of the present invention can provide a highly reliable package even when a copper lead frame and an organic substrate are used.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体
装置のダイボンディング材として使用した場合に、銅リ
ードフレーム及び有機基板を使用した際にもチップクラ
ックやチップ反りおよび半田リフロー時のペースト層の
剥離を抑えることができ、リフロークラックの発生を低
減させる。その結果、半導体装置としての信頼性を向上
させることができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin paste composition of the present invention, when used as a die bonding material for a semiconductor device, has a paste layer when chip cracks, chip warpage, and solder reflow even when a copper lead frame and an organic substrate are used. Peeling can be suppressed, and the occurrence of reflow cracks can be reduced. As a result, the reliability of the semiconductor device can be improved.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09J 4/02 C09J 4/02 5F047 109/00 109/00 H01L 21/52 H01L 21/52 E Fターム(参考) 4J011 PA03 PA05 PA07 PA08 PA13 PA14 PA47 PA76 PB22 PB40 PC02 4J026 AA68 AA76 AC10 AC11 AC12 AC32 BA27 BA28 BA29 BA30 DB13 GA07 4J027 AC02 AC06 AF05 BA07 BA19 BA20 BA21 CA08 CA12 CA14 CA15 CA21 CA31 CA33 CB04 CC02 CD06 4J040 CA022 CA072 FA131 FA171 GA01 GA07 GA11 HA066 HA076 HA166 HB20 HC19 HD36 KA12 KA42 MA02 NA20 4J100 AL08P BA15P BA16P BA29P BA30P BA31P BA64P BC04P BC53P BC54P BC66P BC69P CA01 JA46 5F047 AA11 AA17 BA36 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C09J 4/02 C09J 4/02 5F047 109/00 109/00 H01L 21/52 H01L 21/52 EF term (reference) 4J011 PA03 PA05 PA07 PA08 PA13 PA14 PA47 PA76 PB22 PB40 PC02 4J026 AA68 AA76 AC10 AC11 AC12 AC32 BA27 BA28 BA29 BA30 DB13 GA07 4J027 AC02 AC06 AF05 BA07 BA19 BA20 BA21 CA08 CA12 CA14 CA15 CA21 CA31 CA33 CB04 CC02 CA07 GA01 FA02 CA06 4J040 FA02 CA06 4J040 FA02 HA066 HA076 HA166 HB20 HC19 HD36 KA12 KA42 MA02 NA20 4J100 AL08P BA15P BA16P BA29P BA30P BA31P BA64P BC04P BC53P BC54P BC66P BC69P CA01 JA46 5F047 AA11 AA17 BA36

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)アクリル酸エステルまたはメタク
リル酸エステル、(B)1, 3−ジケトン誘導体ある
いは尿素誘導体であるケイ素化合物、(C)液状ゴム成
分、(D)ラジカル開始剤、及び、(E)フィラーを均
一分散させてなる樹脂ペースト組成物。
1. (A) acrylic acid ester or methacrylic acid ester, (B) a silicon compound which is a 1,3-diketone derivative or a urea derivative, (C) a liquid rubber component, (D) a radical initiator, and ( E) A resin paste composition obtained by uniformly dispersing a filler.
【請求項2】 (A)成分が、一般式化1で表されるア
クリル酸エステル及びメタクリル酸エステルから選択さ
れる1種以上である請求項1記載の樹脂ペースト組成
物。 【化1】 〔式中、R1は水素またはメチル基を示し、R2は炭素
数1〜100の脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基
の単独もしくは任意の組合せを示し、R3は水素、メチ
ル基またはフェノキシメチル基を示し、R4は水素、炭
素数1〜6のアルキル基、フェニル基またはベンゾイル
基を示し、R5はフェニル基、ニトリル基、−Si
(OR6)3(R6は炭素数1〜6のアルキル基を示
す)、下記式の基(R7、R8及びR9はそれぞれ独立
に水素又は炭素数1〜6のアルキル基を示し、R10は
水素又は炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基を示
す)を示し、R11、R12、R13、R14、R1
5、R16、R17、R18はそれぞれ独立に水素又は
メチル基を示し、nは1〜50の整数を示し、mは0、
1、2または3の数を示し、p、q及びxはそれぞれ独
立に1〜20の整数を示す。〕 【化2】
2. The resin paste composition according to claim 1, wherein the component (A) is at least one selected from acrylic acid esters and methacrylic acid esters represented by the general formula 1. [Chemical 1] [In the formula, R1 represents hydrogen or a methyl group, R2 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 100 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon group alone or in any combination, and R3 represents hydrogen, a methyl group or phenoxy group. Represents a methyl group, R4 represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a benzoyl group, and R5 represents a phenyl group, a nitrile group, or -Si.
(OR6) 3 (R6 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms), a group represented by the following formula (R7, R8 and R9 each independently represent hydrogen or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R10 represents hydrogen or R11, R12, R13, R14, R1
5, R16, R17, and R18 each independently represent hydrogen or a methyl group, n represents an integer of 1 to 50, m represents 0,
It shows the number of 1, 2, or 3, and p, q, and x show the integer of 1-20 each independently. ] [Chemical 2]
【請求項3】(A)成分が、一般式化3で表されるフタ
ルイミド誘導体またはマレイミド誘導体から選択される
1種以上である請求項1記載の樹脂ペースト組成物。 【化3】 (式中、R1を含むイミド基はフタルイミド誘導基また
はマレイミド誘導基を示し、R2はHまたはメチル基を
示し、nは1〜20の整数を示す。)
3. The resin paste composition according to claim 1, wherein the component (A) is one or more selected from the phthalimide derivative or the maleimide derivative represented by the general formula 3. [Chemical 3] (In the formula, the imide group containing R1 represents a phthalimide derivative group or a maleimide derivative group, R2 represents H or a methyl group, and n represents an integer of 1 to 20.)
【請求項4】(A)成分が、一般式化4で表されるイミ
ドアクリレート(N−アクリロイルオキシエチルヘキサ
ヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオキシエチル−
1,2, 3, 6−テトラヒドロフタルイミド、N−
アクリロイルオキシエチル−3, 4, 5, 6−テ
トラヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオキシエチ
ルマレイミド)から選択される1種以上である請求項1
記載の樹脂ペースト組成物。 【化4】
4. The component (A) is an imide acrylate represented by the general formula 4 (N-acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide, N-acryloyloxyethyl-).
1,2,3,6-tetrahydrophthalimide, N-
At least one selected from acryloyloxyethyl-3,4,5,6-tetrahydrophthalimide, N-acryloyloxyethylmaleimide).
The resin paste composition described. [Chemical 4]
【請求項5】(A)成分が、一般式化1で表されるアク
リル酸エステル及びメタクリル酸エステル、一般式化3
で表されるフタルイミド誘導体またはマレイミド誘導
体、または、一般式化4で表されるイミドアクリレート
(N−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタルイ
ミド、N−アクリロイルオキシエチル−1, 2,
3, 6−テトラヒドロフタルイミド、N−アクリロイ
ルオキシエチル−3, 4, 5, 6−テトラヒドロ
フタルイミド、N−アクリロイルオキシエチルマレイミ
ド)から選択される1種以上である請求項1記載の樹脂
ペースト組成物。
5. The component (A) is an acrylic acid ester and a methacrylic acid ester represented by the general formula 1,
Or a imide imide represented by the general formula 4 (N-acryloyloxyethyl hexahydrophthalimide, N-acryloyloxyethyl-1, 2,
The resin paste composition according to claim 1, which is one or more selected from 3,6-tetrahydrophthalimide, N-acryloyloxyethyl-3,4,5,6-tetrahydrophthalimide, N-acryloyloxyethylmaleimide).
【請求項6】(B)成分が、一般式化5で表される1,
3−ジケトン誘導体であるケイ素化合物、あるいは、
一般式化6で表される尿素誘導体であるケイ素化合物か
ら選択される1種以上である請求項1記載の樹脂ペース
ト組成物。 【化5】(RO)Si−(CH)n−OCOCH
COR (式中、R1はメチル基またはエチル基を示し、R2は
水素、炭素数1〜6のアルキル基、または、フェニル基
を示し、nは1〜20の整数を示す。) 【化6】 (式中、R1はメチル基またはエチル基を示し、R2は
水素、炭素数1〜6のアルキル基、または、フェニル基
を示し、nは0または1〜20の整数を示す。)
6. The component (B) is represented by the general formula 5,
A silicon compound which is a 3-diketone derivative, or
The resin paste composition according to claim 1, which is one or more selected from silicon compounds which are urea derivatives represented by the general formula 6. Embedded image (R 1 O) 3 Si— (CH 2 ) n-OCOCH
2 COR 2 (In the formula, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group, and n represents an integer of 1 to 20.) 6] (In the formula, R1 represents a methyl group or an ethyl group, R2 represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group, and n represents 0 or an integer of 1 to 20.)
【請求項7】(B)成分が、一般式化7で表されるケイ
素化合物、N, N−ビス(トリメチルシリル)ウレ
ア、N−トリメチルシリルフェニルウレア、3−ウレイ
ドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピル
トリエトキシシランから選択される1種以上である請求
項1記載の樹脂ペースト組成物。 【化7】(CHO)Si−(CH−OCOC
COCH
7. The component (B) is a silicon compound represented by the general formula 7, N, N-bis (trimethylsilyl) urea, N-trimethylsilylphenylurea, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyl. The resin paste composition according to claim 1, which is one or more selected from triethoxysilane. Embedded image (CH 3 O) 3 Si— (CH 2 ) 3 —OCOC
H 2 COCH 3
【請求項8】(C)成分がポリブタジエン、ポリブタジ
エン誘導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体及
びブタジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導体から
選択される1種以上である請求項1記載の樹脂ペースト
組成物。
8. The resin paste composition according to claim 1, wherein the component (C) is at least one selected from polybutadiene, polybutadiene derivatives, butadiene / acrylonitrile copolymers, and butadiene / acrylonitrile copolymer derivatives.
【請求項9】請求項1、2、3、4、5、6、7、及
び、8記載の樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を
支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置。
9. A semiconductor device obtained by adhering a semiconductor element to a supporting member using the resin paste composition according to any one of claims 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, and 8 and then sealing the same. .
JP2002126593A 2002-04-26 2002-04-26 Resin paste composition and semiconductor device using the same Pending JP2003321508A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002126593A JP2003321508A (en) 2002-04-26 2002-04-26 Resin paste composition and semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002126593A JP2003321508A (en) 2002-04-26 2002-04-26 Resin paste composition and semiconductor device using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003321508A true JP2003321508A (en) 2003-11-14

Family

ID=29540958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002126593A Pending JP2003321508A (en) 2002-04-26 2002-04-26 Resin paste composition and semiconductor device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003321508A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004050779A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected circuit structure, and semiconductor devices
JP2007169399A (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition and semiconductor device manufactured by using resin composition

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004050779A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected circuit structure, and semiconductor devices
US7576141B2 (en) 2002-11-29 2009-08-18 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device
US7795325B2 (en) 2002-11-29 2010-09-14 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device
JP2007169399A (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition and semiconductor device manufactured by using resin composition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4967655B2 (en) Resin composition and semiconductor device manufactured using the resin composition
JP2002179769A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP5625248B2 (en) Resin paste composition and semiconductor device
JP2000239616A (en) Resin paste composition and semiconductor device using same
JP3511129B2 (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2000234043A (en) Resin paste composition and semiconductor device prepared by using the same
JP2003321508A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2009120826A (en) Adhesive composition and semiconductor device
JP2000072851A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2004168922A (en) Die attach paste and semiconductor device
JP3356987B2 (en) Adhesive paste composition and semiconductor device using the same
JP3966795B2 (en) Die attach paste and semiconductor device
JP2004189790A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2004172443A (en) Diamond touch paste and semiconductor device
JP4835229B2 (en) Resin composition and semiconductor device produced using resin composition
JP2001011135A (en) Resin paste composition and semiconductor apparatus using the same
JP2004168908A (en) Die attach paste and semiconductor device
JP2005154633A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2004168907A (en) Die attach paste and semiconductor device
JP4148736B2 (en) Die attach paste and semiconductor device
JP2002012637A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP4265062B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3966793B2 (en) Die attach paste and semiconductor device
JP2004359750A (en) Resin paste composition and semiconductor device using the same
JP2004168906A (en) Die attach paste and semiconductor device