JP2003319574A - Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device

Info

Publication number
JP2003319574A
JP2003319574A JP2002123390A JP2002123390A JP2003319574A JP 2003319574 A JP2003319574 A JP 2003319574A JP 2002123390 A JP2002123390 A JP 2002123390A JP 2002123390 A JP2002123390 A JP 2002123390A JP 2003319574 A JP2003319574 A JP 2003319574A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
input terminal
current
circuit
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002123390A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuki Watanabe
一希 渡邊
Masaru Kubota
勝 窪田
Kazuhiro Matsushita
一浩 松下
Hajime Kinota
一 木野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi ULSI Systems Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2002123390A priority Critical patent/JP2003319574A/en
Publication of JP2003319574A publication Critical patent/JP2003319574A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To control the voltage, generated in the antenna terminal of a non- contact IC card, prevented from exceeding the breakdown voltage of an element. <P>SOLUTION: A first rectifier transistor connecting a gate and a drain through a first resistor means to make a rectified current flow between first/second input terminals, a first voltage control current source formed with a current responding to the control voltage, a first voltage detection means formed with the control voltage so as to make rectified voltage obtained in a source side of the first rectifier transistor agree with the prescribed reference voltage, and a first one-way directional element allowing a current corresponding to the rectified current to flow between the first input terminal and a first output terminal out-putting the rectified voltage, are provided, the resistance of the first resistor means is set so as to prevent the voltage generated between the first/second input terminals from exceeding the breakdown voltage of an element constituting the circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置と非接触型電子装置に関するものである。主に、非接
触型ICカードとそれに搭載される半導体集積回路装置
の安定した電源回路に利用して有効な技術である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and a non-contact type electronic device. The technique is mainly effective for use in a stable power supply circuit of a non-contact type IC card and a semiconductor integrated circuit device mounted therein.

【0002】[0002]

【従来の技術】この明細書で参照される文献は以下の通
りであり、文献はその文献番号によって参照することと
する。
2. Description of the Related Art The documents referred to in this specification are as follows, and the documents are referred to by their document numbers.

【0003】〔文献1〕:特開2001−250097
号公報 〔文献2〕:特開平 10−210751号公報 〔文献3〕:特開2001−274339号公報 上記〔文献1〕は、非接触型ICカードからリーダ・ラ
イタへのデータの送信を、非接触型ICカードの負荷を
変動させ、その負荷の変動をリーダ・ライタが検出する
ものを記載する。そして、同文献1記載の図2には、耐
圧保護のためのリミッタ回路とリーダ・ライタへの通信
手段として負荷の断続などによる動的インピーダンス変
動機能とを備えた非接触型ICカードが示されている。
[Reference 1]: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-250097
Publication [Reference 2]: Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-210751 [Reference 3]: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-274339 The above [Reference 1] describes transmission of data from a non-contact type IC card to a reader / writer. Described below is one in which the load of the contact type IC card is changed and the change of the load is detected by the reader / writer. Further, FIG. 2 of the document 1 shows a non-contact type IC card provided with a limiter circuit for protection against breakdown voltage and a dynamic impedance variation function due to intermittent load as communication means to the reader / writer. ing.

【0004】上記〔文献2〕に記載の図7は、非接触型
ICカードの電源回路に適用される電圧リミッタ回路の
一例を記載する。
FIG. 7 described in [Reference 2] describes an example of a voltage limiter circuit applied to a power supply circuit of a non-contact type IC card.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
装置を搭載した、いわゆるICカードが普及してきてい
る。ICカードは、リーダ・ライタと半導体集積回路装
置との間で情報の交換を行い、現在磁気カードで行われ
ているのと同等の様々な機能を実現する。いわゆる非接
触型ICカードは、リーダ・ライタ装置と半導体集積回
路装置との間で情報の交換を行い、非接触型ICカード
が保持しているデータの送信、リーダ・ライタから送信
されたデータの保持など様々な機能を実現する。
In recent years, so-called IC cards equipped with semiconductor integrated circuit devices have become widespread. The IC card exchanges information between the reader / writer and the semiconductor integrated circuit device, and realizes various functions equivalent to those currently performed by the magnetic card. The so-called non-contact type IC card exchanges information between the reader / writer device and the semiconductor integrated circuit device, transmits the data held by the non-contact type IC card, and transmits the data transmitted from the reader / writer. Realizes various functions such as holding.

【0006】また、信号や電圧供給のための電極を外部
に持たない非接触型ICカードでは、リーダ・ライタか
ら供給された電磁波をICカードに搭載されたアンテナ
で受信し、アンテナの両端に発生した電圧を整流および
平滑化し、それに搭載された半導体集積回路装置の動作
に必要な内部電圧を形成する。この場合、過剰な電力が
リーダ・ライタから供給され、内部回路を構成する素子
の耐圧以上の電源電圧を供給すると、素子を破壊してし
まう。これを防ぐために、内部に生成された電源電圧レ
ベルを監視し、素子の耐圧以上の電源電圧を供給しない
ように制御する電源電圧レギュレータ回路を搭載してい
るものが多い。
Further, in a non-contact type IC card which does not have electrodes for supplying signals or voltage to the outside, electromagnetic waves supplied from a reader / writer are received by an antenna mounted on the IC card and generated at both ends of the antenna. The generated voltage is rectified and smoothed to form an internal voltage required for the operation of the semiconductor integrated circuit device mounted therein. In this case, if excessive power is supplied from the reader / writer and a power supply voltage higher than the withstand voltage of the elements forming the internal circuit is supplied, the elements will be destroyed. In order to prevent this, many devices are equipped with a power supply voltage regulator circuit that monitors the internally generated power supply voltage level and controls so as not to supply a power supply voltage higher than the breakdown voltage of the element.

【0007】本願発明者等は、本願に先立ち〔文献1〕
の非接触型ICカードの負荷を変動させ、その負荷の変
動をリーダ・ライタが検出するものについて以下のよう
な検討を行った。
Prior to the present application, the inventors of the present application [Reference 1]
The following studies were conducted on a device in which the load of the non-contact type IC card is varied and the variation of the load is detected by the reader / writer.

【0008】図1には、本願発明者等が検討した〔文献
1〕のリミッタ回路と送信回路を非接触型ICカードに
搭載される半導体集積回路装置に適用した場合の、非接
触型ICカードからリーダ・ライタへのデータ送信時の
動作波形の一例が示されている。図1のILSWには
〔文献1〕記載の図2に示される9および11、または
10および12で構成される送信回路に流れる電流、I
LIMには〔文献1〕記載の図2に示されるリミッタ回
路に流れる電流、ISUMには上記電流ILSWとIL
IMの和がそれぞれ示されている。
FIG. 1 shows a non-contact type IC card when the limiter circuit and the transmission circuit of [Reference 1] studied by the inventors of the present application are applied to a semiconductor integrated circuit device mounted on the non-contact type IC card. An example of operation waveforms at the time of data transmission from the device to the reader / writer is shown. In the ILSW of FIG. 1, the current I flowing in the transmission circuit composed of 9 and 11 or 10 and 12 shown in FIG.
The LIM has a current flowing through the limiter circuit shown in FIG. 2 described in [Reference 1], and the ISUM has the above currents ILSW and IL.
The respective IM sums are shown.

【0009】非接触型ICカードからリーダ・ライタに
データを送信する場合、〔文献1〕記載の図2に示され
るスイッチ素子としてのFET9および10がオンし、
アンテナ端子から抵抗11およびFET9を介して、ま
たはアンテナ端子から抵抗12およびFET10を介し
てグランド端子に電流が流れる。また、図1のPonは
送信回路がオンされ送信回路に電流を流れている期間
を、Poffは送信回路がオフされ送信回路に電流が流
れていない期間をそれぞれ示している。
When data is transmitted from the non-contact type IC card to the reader / writer, FETs 9 and 10 as switch elements shown in FIG. 2 of [Document 1] are turned on,
A current flows from the antenna terminal through the resistor 11 and the FET 9 or from the antenna terminal through the resistor 12 and the FET 10 to the ground terminal. Further, Pon in FIG. 1 indicates a period in which the transmission circuit is turned on and current is flowing through the transmission circuit, and Poff indicates a period in which the transmission circuit is turned off and current is not flowing through the transmission circuit.

【0010】上記期間Poffにおいてリミッタに電流
が流れている場合、上記期間Ponで送信回路がオンさ
れ送信回路に電流が流れると、アンテナ端子の電位が降
下し、電源電圧が降下しようとするため、リミッタ回路
に流れる電流ILIMが減少する。これにより、送信回
路に流れる電流ILSWとリミッタ回路に流れる電流I
LIMは相殺され、これらの和であるISUMの変化は
無くなる。したがって、アンテナ端子に流れる電流の変
化が無い、つまり非接触型ICカード全体の電流変化が
ないため、リーダ・ライタは非接触型ICカードが送信
するデータを受信をすることが困難になる点に気がつい
た。
When current is flowing through the limiter during the period Poff and the transmitter circuit is turned on during the period Pon and current flows through the transmitter circuit, the potential of the antenna terminal drops and the power supply voltage tends to drop. The current ILIM flowing through the limiter circuit is reduced. As a result, the current ILSW that flows in the transmission circuit and the current I that flows in the limiter circuit
The LIMs cancel out and the sum of these, ISUM, disappears. Therefore, since there is no change in the current flowing through the antenna terminal, that is, there is no change in the current of the entire non-contact type IC card, it becomes difficult for the reader / writer to receive the data transmitted by the non-contact type IC card. noticed.

【0011】本発明の目的は、非接触型ICカードから
リーダ・ライタへの安定した送信を実現するための手法
を提供することである。
An object of the present invention is to provide a method for realizing stable transmission from a non-contact type IC card to a reader / writer.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下の通りである。すなわち、交流電圧が印加される第1
入力端子および第2入力端子を備え、上記第2入力端子
にドレイン(またはコレクタ)が接続され、ゲート(ま
たはベース)とドレイン(またはコレクタ)とが第1抵
抗手段を介して接続されて上記第1入力端子と上記第2
入力端子との間に整流電流を流す第1整流トランジスタ
と、制御電圧に応答した電流を形成して上記第1抵抗手
段に供給する第1電圧制御電流源と、上記第1整流トラ
ンジスタのソース(またはエミッタ)側に得られる整流
電圧が所定の基準電圧と一致するよう上記制御電圧を形
成する第1電圧検出手段と、上記第1入力端子と整流電
圧を出力する第1出力端子との間に上記整流電流に対応
した電流を流す第1一方向性素子とを備え、上記第1整
流トランジスタのソース(またはエミッタ)は整流電圧
が出力される第2出力端子に接続され、上記第1と第2
入力端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素子
の耐圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を設
定する。
The outline of the typical inventions among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the first AC voltage is applied
An input terminal and a second input terminal are provided, the drain (or collector) is connected to the second input terminal, and the gate (or base) and the drain (or collector) are connected via a first resistance means. 1 input terminal and above second
A first rectifying transistor for flowing a rectifying current between the input terminal, a first voltage controlled current source for forming a current in response to a control voltage and supplying the current to the first resistance means, and a source for the first rectifying transistor ( Or between the first input terminal and the first output terminal that outputs the rectified voltage, and the first voltage detection means that forms the control voltage so that the rectified voltage obtained on the (emitter) side matches a predetermined reference voltage. A first unidirectional element for flowing a current corresponding to the rectified current, wherein the source (or emitter) of the first rectification transistor is connected to a second output terminal for outputting a rectified voltage, Two
The resistance value of the first resistance means is set so that the voltage generated between the input terminals does not exceed the withstand voltage of the elements constituting the circuit.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体集積回
路装置およびICカードの好適な実施の形態について、
添付図面を参照しながら説明する。実施例の各ブロック
を構成する回路素子は、特に制限されないが、公知のC
MOS(相補型MOSトランジスタ)やバイポーラトラ
ンジスタ等の半導体集積回路技術によって、単結晶シリ
コンのような1個の半導体基板上に形成される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a semiconductor integrated circuit device and an IC card according to the present invention will be described below.
Description will be given with reference to the accompanying drawings. The circuit element forming each block of the embodiment is not particularly limited, but a known C element is used.
It is formed on one semiconductor substrate such as single crystal silicon by semiconductor integrated circuit technology such as MOS (complementary MOS transistor) or bipolar transistor.

【0014】図2には、本発明に係る電源回路および送
信回路を備えた半導体集積回路装置およびこれを搭載し
た非接触型ICカードの一実施例のブロック図が示され
ている。リーダ・ライタRWからアンテナLRWを通し
て電磁波の形態で出力された信号および電力は、ICカ
ードCA内に内蔵されるアンテナLCAで受信される。
上記アンテナLCAが受信した電力から電圧を生成する
手段RECTと、受信した信号を処理およびデータを保
存する手段MCと、上記アンテナLCAが受信した信号
の検出、およびICカードからリーダ・ライタに信号を
送信する通信手段TRから構成されている。
FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of a semiconductor integrated circuit device having a power supply circuit and a transmission circuit according to the present invention and a non-contact type IC card equipped with the semiconductor integrated circuit device. The signal and power output from the reader / writer RW through the antenna LRW in the form of electromagnetic waves are received by the antenna LCA incorporated in the IC card CA.
A means RECT for generating a voltage from the power received by the antenna LCA, a means MC for processing the received signal and storing data, a detection of the signal received by the antenna LCA, and a signal from the IC card to the reader / writer. It is composed of communication means TR for transmitting.

【0015】図3には、リーダ・ライタからの電磁波の
形態で供給される電力により、非接触型ICカードに備
えられるアンテナ端子の両端に発生する電流−電圧特性
VLが示されている。これは、上記アンテナに接続され
る負荷に流れる電流に依存してアンテナの両端の電圧が
変化することを表しており、出力インピーダンスをもっ
た電圧源と等価であることを示している。このとき、上
記電流−電圧特性VLの傾きが、上記出力インピーダン
スとなる。
FIG. 3 shows the current-voltage characteristic VL generated at both ends of the antenna terminal provided in the non-contact type IC card by the electric power supplied in the form of electromagnetic waves from the reader / writer. This means that the voltage across the antenna changes depending on the current flowing through the load connected to the antenna, and is equivalent to a voltage source having an output impedance. At this time, the slope of the current-voltage characteristic VL becomes the output impedance.

【0016】図4には、本発明に係る半導体集積回路装
置に搭載される電源回路と送信回路の一実施例の基本的
回路およびリーダ・ライタと非接触型ICカードに搭載
されるアンテナの等価回路が示されている。非接触型I
Cカードに搭載されるアンテナを接続するための端子L
AとLBの間に、NMOSトランジスタM01と、ダイ
オードD02と、抵抗R01と、電圧検出回路G01
と、電圧制御電流源G02とにより、〔文献3〕記載の
図1に示される電源回路が構成され、ダイオードD01
と電流源I01とスイッチS01により送信回路が構成
されている。送信回路を構成するS01のオンおよびオ
フが制御され、電流変化I01を発生させリーダ・ライ
タにデータを送信する。
FIG. 4 shows an equivalent circuit of a power supply circuit and a transmission circuit mounted on the semiconductor integrated circuit device according to the present invention and an antenna mounted on a reader / writer and a non-contact type IC card. The circuit is shown. Non-contact type I
Terminal L for connecting the antenna mounted on the C card
An NMOS transistor M01, a diode D02, a resistor R01, and a voltage detection circuit G01 are provided between A and LB.
And the voltage-controlled current source G02 constitute the power supply circuit shown in FIG. 1 described in [Document 3], and the diode D01
The current source I01 and the switch S01 constitute a transmission circuit. The on / off of S01 which constitutes the transmission circuit is controlled to generate a current change I01 and transmit the data to the reader / writer.

【0017】また、図4では、リーダ・ライタと非接触
型ICカードに備えられるアンテナは、上記図3によっ
て説明された等価回路で示されており、交流電圧源V0
1と上記出力インピーダンスを表す抵抗ROUTにより
構成されている。ここで、上記抵抗ROUTに流れる電
流の変化が、リーダ・ライタへの送信データと等価にな
る。
Further, in FIG. 4, the antenna provided in the reader / writer and the non-contact type IC card is shown by the equivalent circuit described in FIG. 3, and the AC voltage source V0
1 and a resistor ROUT that represents the output impedance. Here, the change in the current flowing through the resistor ROUT becomes equivalent to the data transmitted to the reader / writer.

【0018】図4において、スイッチS01がオンした
場合と、スイッチS01がオフした場合の上記抵抗RO
UTに流れる電流変化IDLTは数1のようになる。
In FIG. 4, the resistance RO when the switch S01 is turned on and when the switch S01 is turned off.
The change IDLT in the current flowing through the UT is as shown in Equation 1.

【0019】[0019]

【数1】 IDLT=I01×R01/(R01+ROUT)……(1) 上記数1は、送信回路による電流変化I01が電源回路
を構成する抵抗R01と上記抵抗ROUTによって減衰
され、非接触型ICカード全体の電流変化になることを
示している。
## EQU00001 ## IDLT = I01.times.R01 / (R01 + ROUT) (1) In the above Equation 1, the current change I01 due to the transmission circuit is attenuated by the resistor R01 and the resistor ROUT forming the power supply circuit, and the non-contact type IC card. It shows that it becomes the whole current change.

【0020】これより、上記抵抗R01が上記抵抗RO
UTに比べて十分大きくすれば上記電流変化I01の減
衰率が小さくなるという利点があるが、逆に上記抵抗R
01が上記抵抗ROUTに比べて非常に小さければ上記
電流変化I01の減衰率が大きくなることを示してい
る。特に、上記抵抗R01が0Ωであれば、上記抵抗R
OUTに関係なく上記電流変化I01は0倍され、上記
電流変化I01は上記電源回路により相殺され、リーダ
・ライタにデータが伝達されないことを表している。こ
れは、前述の〔文献1〕に示された送信回路に流れる電
流とリミッタ回路に流れる電流が相殺される現象を表し
ている。
From this, the resistance R01 is the resistance RO
If it is made sufficiently larger than UT, there is an advantage that the attenuation rate of the current change I01 becomes small, but conversely the resistance R
It is shown that when 01 is much smaller than the resistance ROUT, the attenuation rate of the current change I01 increases. In particular, if the resistance R01 is 0Ω, the resistance R
The current change I01 is multiplied by 0 regardless of OUT, and the current change I01 is canceled by the power supply circuit, indicating that data is not transmitted to the reader / writer. This represents a phenomenon in which the current flowing in the transmitting circuit and the current flowing in the limiter circuit shown in [Document 1] are canceled.

【0021】図5には、本発明に係る半導体集積回路装
置に搭載される電源回路と送信回路の他の一実施例の基
本的回路構成図、およびリーダ・ライタと非接触型IC
カードに搭載されるアンテナの等価回路が示されてい
る。この実施例では、前述した図4の送信回路の変形例
が示されている。
FIG. 5 is a basic circuit configuration diagram of another embodiment of the power supply circuit and the transmission circuit mounted on the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, and the reader / writer and the non-contact type IC.
An equivalent circuit of the antenna mounted on the card is shown. In this embodiment, a modification of the above-mentioned transmission circuit of FIG. 4 is shown.

【0022】この実施例では、スイッチS02と電流源
I02によって構成される送信回路を、出力端子OUT
1と出力端子OUT2の間に接続し、NMOSトランジ
スタM01が前述した図4のダイオードD01としても
機能しているものである。この実施例においても、図4
と同様に抵抗R01に流れる電流変化は数1となり、図
4と同等の機能を実現できる。
In this embodiment, the transmission circuit composed of the switch S02 and the current source I02 is connected to the output terminal OUT.
1 connected to the output terminal OUT2, the NMOS transistor M01 also functions as the diode D01 of FIG. 4 described above. Also in this embodiment, FIG.
Similarly to the above, the change in the current flowing through the resistor R01 becomes the number 1, and the function equivalent to that in FIG. 4 can be realized.

【0023】一方、〔文献3〕に示されるように、電源
回路によって、出力端子OUT1とOUT2の間に接続
される回路を構成する素子の耐圧を超えないように保護
することは可能になるが、〔文献3〕に示される電源回
路の耐圧を保護することは困難である。したがって、電
源回路などの耐圧を保護するため、すなわちアンテナ端
子に発生する電圧がレギュレータ回路や整流回路を構成
する素子の耐圧を超えないようにするための過電圧保護
回路を搭載する必要がある。
On the other hand, as shown in [Document 3], it is possible to protect the power supply circuit so as not to exceed the withstand voltage of the elements constituting the circuit connected between the output terminals OUT1 and OUT2. , [Reference 3], it is difficult to protect the withstand voltage of the power supply circuit. Therefore, it is necessary to mount an overvoltage protection circuit for protecting the withstand voltage of the power supply circuit or the like, that is, for preventing the voltage generated at the antenna terminal from exceeding the withstand voltage of the elements forming the regulator circuit or the rectifier circuit.

【0024】ここで必要となる過電圧保護回路は、アン
テナ端子に発生する電圧を制限することが目的であるた
め、〔文献2〕のような電流を流すことで電力を消費す
る回路構成が適している。これにより、〔文献1〕と同
様に、送信回路の電流変化が上記過電圧保護回路の電流
変化と相殺されてしまい、非接触型ICカード全体の負
荷変化が小さくなり、リーダ・ライタが非接触型ICカ
ードが送信するデータを検出できない可能性がでてく
る。
Since the overvoltage protection circuit required here is for the purpose of limiting the voltage generated at the antenna terminal, a circuit configuration that consumes power by flowing a current as in [Reference 2] is suitable. There is. As a result, as in [Reference 1], the current change in the transmission circuit is offset by the current change in the overvoltage protection circuit, the load change of the entire non-contact type IC card is reduced, and the reader / writer becomes a non-contact type. There is a possibility that the data transmitted by the IC card cannot be detected.

【0025】図6には、本発明を説明するための電源回
路の電流−電圧特性図の一例が示されている。特性VL
Aはアンテナの両端に発生する電力の電流−電圧特性を
表している。特性VL1は前記図4に示した電源回路で
上記抵抗R01が大きい場合のアンテナ両端に必要な電
圧である。これに対して、特性VL2は前記図4に示し
た電源回路で上記抵抗R01が小さい場合のアンテナ両
端に必要な電圧である。
FIG. 6 shows an example of a current-voltage characteristic diagram of the power supply circuit for explaining the present invention. Characteristic VL
A represents a current-voltage characteristic of electric power generated at both ends of the antenna. The characteristic VL1 is a voltage required across the antenna when the resistance R01 is large in the power supply circuit shown in FIG. On the other hand, the characteristic VL2 is a voltage required across the antenna when the resistance R01 is small in the power supply circuit shown in FIG.

【0026】例えば、特性VLAに示されるような電流
−電圧特性をもつリーダ・ライタと非接触型ICカード
に搭載されるアンテナを用いた場合、上記電源回路を構
成する素子の耐圧をVBDMとすると、上記抵抗R01
を大きくした場合の特性VL1では、上記アンテナ端子
間に発生する電圧VBD1は上記耐圧VBDMを超えて
しまうが、上記抵抗R01を小さくした場合の特性VL
2では、上記アンテナ端子間に発生する電圧VBD2は
上記耐圧VBDMを超えない。つまり、抵抗R01を小
さくすることで、上記アンテナ端子間に発生する電圧を
上記電源回路を構成する素子の耐圧を超えないようにす
ることが可能であることを表している。
For example, when a reader / writer having a current-voltage characteristic as shown in the characteristic VLA and an antenna mounted on a non-contact type IC card are used, the withstand voltage of the element constituting the power supply circuit is VBDM. , The resistor R01
In the characteristic VL1 when the voltage is increased, the voltage VBD1 generated between the antenna terminals exceeds the withstand voltage VBDM, but the characteristic VL when the resistance R01 is decreased.
2, the voltage VBD2 generated between the antenna terminals does not exceed the withstand voltage VBDM. That is, it is possible to make the voltage generated between the antenna terminals not exceed the withstand voltage of the elements constituting the power supply circuit by reducing the resistance R01.

【0027】一方、上記抵抗R01を小さくすることに
よって、前記の数1により、送信回路の電流変化の減衰
率は大きくなる。しかし、リーダ・ライタが受信可能な
電流変化をITDとしたとき、上記数1で示された電流
変化IDLTがITDより大きくすることで、つまり下
記数2を満足するとき、非接触型ICカードからリーダ
・ライタへのデータ送信が可能になる。
On the other hand, by reducing the resistance R01, the attenuation factor of the current change of the transmission circuit is increased by the above-mentioned formula 1. However, when the current change that can be received by the reader / writer is ITD, by making the current change IDLT shown in the above equation 1 larger than ITD, that is, when the following equation 2 is satisfied, the contactless IC card is used. Data can be sent to the reader / writer.

【0028】[0028]

【数2】 I01>ITD×(R01+ROUT)/R01……(2) これは、送信回路を構成する上記電流源I01が上記数
2を満足する電流源であれば、リーダ・ライタへの送信
が可能になることを表している。したがって、上記抵抗
R01を小さくすることで、上記アンテナ端子LAとL
Bの間に発生する電圧が電源回路などを構成する素子の
耐圧を超えないようにできると共に、リーダ・ライタへ
の安定した送信が可能になる。
## EQU00002 ## I01> ITD.times. (R01 + ROUT) / R01 (2) This is because if the current source I01 constituting the transmission circuit is a current source satisfying the above equation 2, the transmission to the reader / writer is performed. It means that it will be possible. Therefore, by reducing the resistance R01, the antenna terminals LA and L
It is possible to prevent the voltage generated during B from exceeding the withstand voltage of the elements that form the power supply circuit and the like, and to enable stable transmission to the reader / writer.

【0029】図7には、本発明に係る半導体集積回路装
置に搭載される電源回路と送信回路の一実施例が示され
ている。この実施例では、〔文献3〕記載の図9に示さ
れている電源回路が、NMOSトランジスタM11〜M
17と、抵抗R11〜R14と、演算増幅回路A11
と、基準電圧源VREFにより構成されており、前記図
4の実施例を全波整流に適用したものである。
FIG. 7 shows an embodiment of a power supply circuit and a transmission circuit mounted on the semiconductor integrated circuit device according to the present invention. In this embodiment, the power supply circuit shown in FIG. 9 described in [Document 3] has NMOS transistors M11 to M
17, resistors R11 to R14, and an operational amplifier circuit A11
And a reference voltage source VREF, and the embodiment of FIG. 4 is applied to full-wave rectification.

【0030】前記図4のダイオードD02は、図7のN
MOSトランジスタM12に対応しており、全波整流の
ためのNMOSトランジスタM11は、そのソース−ド
レイン経路がアンテナ端子LAと出力端子OUT1との
間に接続され、ゲートがアンテナ端子LBに接続され
る。前記図4のNMOSトランジスタM01と抵抗R0
1は、図7のNMOSトランジスタM13と抵抗R11
に対応しており、全波整流のためのNMOSトランジス
タM15は、そのソース−ドレイン経路がアンテナ端子
LBと出力端子OUT1との間に接続される。
The diode D02 shown in FIG.
The NMOS transistor M11, which corresponds to the MOS transistor M12 and is for full-wave rectification, has its source-drain path connected between the antenna terminal LA and the output terminal OUT1 and its gate connected to the antenna terminal LB. The NMOS transistor M01 and the resistor R0 shown in FIG.
1 is the NMOS transistor M13 and the resistor R11 in FIG.
The source-drain path of the NMOS transistor M15 for full-wave rectification is connected between the antenna terminal LB and the output terminal OUT1.

【0031】前記図4の電圧検出回路G01は、〔文献
3〕記載の図9と同様に次の回路から構成される。出力
端子OUT1と出力端子OUT2の間には、分圧抵抗R
13とR14が設けられ、これら分圧抵抗R13とR1
4の接続点に得られる分圧電圧は、演算増幅回路A11
の非反転入力(+)に供給される。この演算増幅回路A
11の反転入力(−)と出力端子OUT2の間には基準
電圧源VREFが設けられる。
The voltage detection circuit G01 shown in FIG. 4 is composed of the following circuit as in FIG. 9 described in [Document 3]. A voltage dividing resistor R is provided between the output terminals OUT1 and OUT2.
13 and R14 are provided, and these voltage dividing resistors R13 and R1 are provided.
The divided voltage obtained at the connection point of 4 is the operational amplifier circuit A11.
To the non-inverting input (+) of. This operational amplifier circuit A
A reference voltage source VREF is provided between the inverting input (-) of 11 and the output terminal OUT2.

【0032】前記図4の電圧制御電流源G02は、〔文
献3〕記載の図9と同様に次の回路から構成される。ゲ
ートに上記演算増幅回路A11の出力を受けるNMOS
トランジスタM17により構成される。〔文献3〕記載
の図9に示されているPMOSトランジスタM23およ
びM25と同様に、NMOSトランジスタM17と抵抗
R11およびNMOSトランジスタM17と抵抗R12
の間にはゲートをアンテナ端子LAに接続したNMOS
トランジスタM14と、ゲートをアンテナ端子LBに接
続したM16により構成される一方向性機能が追加され
ている。
The voltage-controlled current source G02 shown in FIG. 4 is composed of the following circuit as in FIG. 9 described in [Document 3]. NMOS whose gate receives the output of the operational amplifier circuit A11
It is composed of a transistor M17. Similar to the PMOS transistors M23 and M25 shown in FIG. 9 of [Document 3], an NMOS transistor M17 and a resistor R11 and an NMOS transistor M17 and a resistor R12.
Between the gate, the NMOS whose gate is connected to the antenna terminal LA
A unidirectional function composed of a transistor M14 and M16 whose gate is connected to the antenna terminal LB is added.

【0033】前述した図4の送信回路を構成するダイオ
ードD01は、NMOSトランジスタM18に対応して
おり、全波整流のため、NMOSトランジスタM19の
ソースおよびドレインはアンテナ端子LBに接続されて
いる。また、前述した図4の送信回路を構成するスイッ
チS01と電流源I01は、NMOSトランジスタM2
0に対応しており、そのゲートに印加する電圧を制御す
ることで、上記スイッチS01と電流源I01による機
能を実現するものである。
The diode D01 constituting the above-mentioned transmission circuit of FIG. 4 corresponds to the NMOS transistor M18, and the source and drain of the NMOS transistor M19 are connected to the antenna terminal LB for full-wave rectification. In addition, the switch S01 and the current source I01 forming the transmission circuit of FIG.
It corresponds to 0, and realizes the function of the switch S01 and the current source I01 by controlling the voltage applied to its gate.

【0034】このように、ダイオードをスイッチ動作を
行うNMOSトランジスタに置き換えて全波整流動作を
行わせることにより、高い効率で安定した出力電圧VO
UTを発生させることが可能になると共に、前記図4、
図5、図6を用いて説明したように、抵抗R11とR1
2の抵抗値を設定することで、上記アンテナ端子LAと
LBの間に発生する電圧が電源回路などを構成する素子
の耐圧を超えないようにでき、リーダ・ライタへの安定
した送信が可能になる。
As described above, by replacing the diode with the NMOS transistor that performs the switching operation and performing the full-wave rectification operation, the stable output voltage VO with high efficiency can be obtained.
It is possible to generate a UT, and as shown in FIG.
As described with reference to FIGS. 5 and 6, the resistors R11 and R1 are
By setting the resistance value of 2, it is possible to prevent the voltage generated between the antenna terminals LA and LB from exceeding the withstand voltage of the elements constituting the power supply circuit, etc., and to enable stable transmission to the reader / writer. Become.

【0035】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であるこ
とはいうまでもない。例えば、演算増幅回路の具体的回
路構成は、種々の実施形態を採ることができる。図2の
非接触型ICカードにおいて、電源回路、内部回路や信
号処理回路を複数の半導体集積回路で構成するものであ
ってもよい。また、電源回路の構成についても、〔文献
3〕に示される種々の電源回路の構成において適用する
ことが可能である。
Although the present invention has been specifically described based on the embodiments above, it is needless to say that the present invention is not limited to the above embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Absent. For example, various specific embodiments of the operational amplifier circuit can be adopted. In the non-contact type IC card of FIG. 2, the power supply circuit, the internal circuit and the signal processing circuit may be composed of a plurality of semiconductor integrated circuits. Also, the configuration of the power supply circuit can be applied to the configurations of various power supply circuits shown in [Document 3].

【0036】[0036]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0037】すなわち、交流電圧が印加される第1入力
端子および第2入力端子を備え、上記第2入力端子にド
レイン(またはコレクタ)が接続され、ゲート(または
ベース)とドレイン(またはコレクタ)とが第1抵抗手
段を介して接続されて上記第1入力端子と上記第2入力
端子との間に整流電流を流す第1整流トランジスタと、
制御電圧に応答した電流を形成して上記第1抵抗手段に
供給する第1電圧制御電流源と、上記第1整流トランジ
スタのソース(またはエミッタ)側に得られる整流電圧
が所定の基準電圧と一致するよう上記制御電圧を形成す
る第1電圧検出手段と、上記第1入力端子と整流電圧を
出力する第1出力端子との間に上記整流電流に対応した
電流を流す第1一方向性素子とを備え、上記第1整流ト
ランジスタのソース(またはエミッタ)は整流電圧が出
力される第2出力端子に接続され、上記第1と第2入力
端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素子の耐
圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を設定す
ることにより、高効率で安定した平滑電圧を得て、送信
回路の電流変化をリーダ・ライタに伝達できる。
That is, a first input terminal and a second input terminal to which an AC voltage is applied are provided, the drain (or collector) is connected to the second input terminal, and the gate (or base) and drain (or collector) are connected. A first rectifying transistor, which is connected via a first resistance means and allows a rectifying current to flow between the first input terminal and the second input terminal,
A first voltage controlled current source that forms a current in response to a control voltage and supplies it to the first resistance means, and a rectified voltage obtained on the source (or emitter) side of the first rectifying transistor match a predetermined reference voltage. A first voltage detecting means for forming the control voltage, and a first unidirectional element for flowing a current corresponding to the rectified current between the first input terminal and a first output terminal for outputting a rectified voltage. A source (or emitter) of the first rectifying transistor is connected to a second output terminal for outputting a rectified voltage, and a voltage generated between the first and second input terminals constitutes the circuit. By setting the resistance value of the first resistance means so as not to exceed the withstand voltage, it is possible to obtain a highly efficient and stable smoothed voltage and transmit the current change of the transmission circuit to the reader / writer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】〔文献1〕のリミッタ回路と送信回路を非接触
型ICカードに搭載される半導体集積回路装置に適用し
た場合のデータ送信時の動作波形の一例である。
FIG. 1 is an example of an operation waveform at the time of data transmission when the limiter circuit and the transmission circuit of [Document 1] are applied to a semiconductor integrated circuit device mounted on a non-contact type IC card.

【図2】本発明に係る非接触型ICカードの一実施例を
示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of a non-contact type IC card according to the present invention.

【図3】本発明を説明するためのリーダ・ライタとアン
テナの電流−電圧特性である。
FIG. 3 is a current-voltage characteristic of a reader / writer and an antenna for explaining the present invention.

【図4】本発明に係る半導体集積回路装置に搭載される
電源回路と送信回路の一実施例の基本回路構成図および
リーダ・ライタと非接触型ICカードに搭載されるアン
テナの等価回路である。
FIG. 4 is a basic circuit configuration diagram of an embodiment of a power supply circuit and a transmission circuit mounted in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention and an equivalent circuit of a reader / writer and an antenna mounted in a non-contact type IC card. .

【図5】本発明に係る半導体集積回路装置に搭載される
電源回路と送信回路の他の一実施例の基本回路構成図お
よびリーダ・ライタと非接触型ICカードに搭載される
アンテナの等価回路である。
FIG. 5 is a basic circuit configuration diagram of another embodiment of a power supply circuit and a transmission circuit mounted on the semiconductor integrated circuit device according to the present invention and an equivalent circuit of an antenna mounted on a reader / writer and a non-contact type IC card. Is.

【図6】本発明を説明するための電源回路の電流−電圧
特性の一例である。
FIG. 6 is an example of current-voltage characteristics of a power supply circuit for explaining the present invention.

【図7】本発明に係る半導体集積回路装置に搭載される
電源回路と送信回路の一実施例である。
FIG. 7 is an example of a power supply circuit and a transmission circuit mounted on the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

M01,M11〜M20…MOSトランジスタ、D0
1,D02…ダイオード、R01,R11〜R14…抵
抗、V01…交流電圧源、ROUT…出力インピーダン
ス、I01,I02…電流源、S01,S02…スイッ
チ、G01…電圧検出回路、G02…電圧制御電流源、
VREF…基準電圧源、A11…演算増幅回路、RW…
リーダ・ライタ、CA…ICカード、LRW,LCA…
アンテナ、RECT…電圧生成手段、TR…通信手段、
MC…信号処理およびデータ保持手段。
M01, M11 to M20 ... MOS transistor, D0
1, D02 ... Diode, R01, R11 to R14 ... Resistor, V01 ... AC voltage source, ROUT ... Output impedance, I01, I02 ... Current source, S01, S02 ... Switch, G01 ... Voltage detection circuit, G02 ... Voltage controlled current source ,
VREF ... Reference voltage source, A11 ... Operational amplifier circuit, RW ...
Reader / writer, CA ... IC card, LRW, LCA ...
Antenna, RECT ... Voltage generation means, TR ... Communication means,
MC: signal processing and data holding means.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G06K 19/00 J (72)発明者 窪田 勝 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 松下 一浩 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立超エル・エス・アイ・システム ズ内 (72)発明者 木野田 一 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 5B035 AA00 BB09 CA12 CA22 CA23 5G013 AA07 BA02 CB02 DA05 5G053 AA09 BA04 CA05 EA09 EC03 FA06 5K012 AC06 AC08 AC10 AE02 BA02─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G06K 19/00 J (72) Inventor Masaru Kubota 5-22-1 Kamimizumotocho, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi Ultra LSI Systems Inc. (72) Inventor Kazuhiro Matsushita 5-22-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi Ultra LSI Systems Inc. (72) Invention Hajime Kinoda 5-20-1 Kamimizumotocho, Kodaira-shi, Tokyo F-term within Hitachi Semiconductor Group, Inc. (reference) 5B035 AA00 BB09 CA12 CA22 CA23 5G013 AA07 BA02 CB02 DA05 5G053 AA09 BA04 CA05 EA09 EC03 FA06 5K012 AC06 AC08 AC10 AE02 BA02

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】交流電圧が印加される第1入力端子および
第2入力端子と、上記第2入力端子にドレイン(または
コレクタ)が接続され、ゲート(またはベース)とドレ
イン(またはコレクタ)とが第1抵抗手段を介して接続
されて上記第2入力端子と上記第2出力端子との間に整
流電流を流す第1整流トランジスタと、制御電圧に応答
した電流を形成して上記第1抵抗手段に供給する第1電
圧制御電流源と、上記第1整流トランジスタのソース
(またはエミッタ)側に得られる整流電圧が所定の基準
電圧と一致するよう上記制御電圧を形成する第1電圧検
出手段と、上記第1入力端子と整流電圧を出力する第1
出力端子との間に上記整流電流に対応した電流を流す第
1一方向性素子とを備え、上記第1整流トランジスタの
ソース(またはエミッタ)は整流電圧が出力される第2
出力端子に接続され、自己インピーダンスを変動させる
ことによって外部へ情報を送出する第1送信機能を有
し、上記第1と第2入力端子の間に発生する電圧を上記
回路を構成する素子の耐圧を超えないように上記第1抵
抗手段の抵抗値を設定したことを特徴とする半導体集積
回路装置。
1. A first input terminal and a second input terminal to which an AC voltage is applied, and a drain (or collector) connected to the second input terminal, and a gate (or base) and a drain (or collector) are provided. A first rectifying transistor that is connected through a first resistance means and flows a rectified current between the second input terminal and the second output terminal; and a current that responds to a control voltage is formed to form the first resistance means. A first voltage control current source supplied to the first rectifying transistor, and first voltage detecting means for forming the control voltage so that the rectified voltage obtained on the source (or emitter) side of the first rectifying transistor matches a predetermined reference voltage, A first input terminal and a first that outputs a rectified voltage
A first unidirectional element that causes a current corresponding to the rectified current to flow between the first unidirectional element and an output terminal, and the source (or emitter) of the first rectifier transistor outputs a rectified voltage.
It has a first transmitting function of being connected to an output terminal and transmitting information to the outside by changing its self-impedance, and a voltage generated between the first and second input terminals is a withstand voltage of an element constituting the circuit. A semiconductor integrated circuit device in which the resistance value of the first resistance means is set so as not to exceed the above.
【請求項2】請求項1において、上記第1整流トランジ
スタは、第1整流MOSFETからなり、上記第1一方
向性素子は、ゲートに上記第2入力端子を受ける第1M
OSFETからなり、上記第1電圧制御電流源は、上記
第1出力端子と上記第1整流トランジスタのゲートとの
間に設けられることを特徴とする半導体集積回路装置。
2. The first rectifying transistor according to claim 1, wherein the first rectifying transistor comprises a first rectifying MOSFET, and the first unidirectional element receives a second input terminal at a gate thereof.
A semiconductor integrated circuit device comprising an OSFET, wherein the first voltage controlled current source is provided between the first output terminal and the gate of the first rectifying transistor.
【請求項3】請求項2において、上記第1送信機能は、
第2入力端子と第1出力端子との間に、第2一方向性素
子と第1スイッチ機能と第1電流源を直列接続した構成
であることを特徴とした半導体集積回路装置。
3. The method according to claim 2, wherein the first transmission function is
A semiconductor integrated circuit device having a configuration in which a second unidirectional element, a first switch function, and a first current source are connected in series between a second input terminal and a first output terminal.
【請求項4】請求項2において、上記第1送信機能は、
第2出力端子と第1出力端子との間に、第2一方向性素
子と第1スイッチ機能と第1電流源を直列接続した構成
であることを特徴とした半導体集積回路装置。
4. The method according to claim 2, wherein the first transmission function is
A semiconductor integrated circuit device having a configuration in which a second unidirectional element, a first switch function, and a first current source are connected in series between a second output terminal and a first output terminal.
【請求項5】請求項3または4において、上記第1スイ
ッチ機能と上記第1電流源は、ゲートに印加される電圧
によって制御される第2MOSFETから構成されるこ
とを特徴とした半導体集積回路装置。
5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein the first switch function and the first current source are composed of a second MOSFET controlled by a voltage applied to a gate. .
【請求項6】請求項1ないし5のいずれかにおいて、上
記第1入力端子と第2入力端子は、上記交流電圧を発生
させるアンテナが外部に接続されるものであることを特
徴とする半導体集積回路装置。
6. The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein the first input terminal and the second input terminal are externally connected to an antenna for generating the AC voltage. Circuit device.
【請求項7】信号と電力を受信するためのアンテナと、
上記アンテナで受信した電力から内部電圧を発生させる
電源回路と、上記電源回路で形成された内部電圧で動作
し、上記アンテナで受信した信号の処理およびデータの
保存を行う内部回路と、上記電源回路で形成された内部
電圧で動作し、上記アンテナを介した信号の受信を行う
受信回路と、上記電源回路で形成された内部電圧で動作
し、上記アンテナを介した信号の送信を行う送信回路と
を備え、上記電源回路は、上記アンテナで発生された交
流電圧が印加される第1入力端子および第2入力端子
と、上記第2入力端子にドレイン(またはコレクタ)が
接続され、ゲート(またはベース)とドレイン(または
コレクタ)とが第1抵抗手段を介して接続されて上記第
2入力端子と上記第2出力端子との間に整流電流を流す
第1整流トランジスタと、制御電圧に応答した電流を形
成して上記第1抵抗手段に供給する第1電圧制御電流源
と、上記第1整流トランジスタのソース(またはエミッ
タ)側に得られる整流電圧が所定の基準電圧と一致する
よう上記制御電圧を形成する第1電圧検出手段と、上記
第1入力端子と整流電圧を出力する第1出力端子との間
に上記整流電流に対応した電流を流す第1一方向性素子
とを備え、上記第1整流トランジスタのソース(または
エミッタ)は整流電圧が出力される第2出力端子に接続
され、自己インピーダンスを変動させることによって外
部へ情報を送出する第1送信機能を有し、上記第1と第
2入力端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素
子の耐圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を
設定したことを特徴とする非接触型電子装置。
7. An antenna for receiving signals and power,
A power supply circuit that generates an internal voltage from the electric power received by the antenna, an internal circuit that operates with the internal voltage formed by the power supply circuit, and that processes a signal received by the antenna and saves data, and the power supply circuit A receiving circuit that operates at the internal voltage formed by the above, and that receives a signal through the antenna, and a transmitting circuit that operates at the internal voltage formed by the power supply circuit and that transmits a signal through the antenna. The power supply circuit includes a first input terminal and a second input terminal to which an alternating voltage generated by the antenna is applied, a drain (or collector) connected to the second input terminal, and a gate (or base). ) And the drain (or collector) are connected via the first resistance means, and a rectification current is caused to flow between the second input terminal and the second output terminal. And a first voltage controlled current source that forms a current in response to a control voltage and supplies it to the first resistance means, and a rectified voltage obtained on the source (or emitter) side of the first rectifying transistor is a predetermined reference voltage. And a first unidirectionality that causes a current corresponding to the rectified current to flow between the first input terminal and the first output terminal that outputs the rectified voltage, and the first voltage detection unit that forms the control voltage so that An element, the source (or emitter) of the first rectifying transistor is connected to the second output terminal that outputs the rectified voltage, and has a first transmitting function of transmitting information to the outside by changing the self impedance. However, the resistance value of the first resistance means is set so that the voltage generated between the first and second input terminals does not exceed the withstand voltage of the elements forming the circuit. Apparatus.
【請求項8】請求項7において、上記第1整流トランジ
スタは、第1整流MOSFETからなり、上記第1一方
向性素子は、ゲートに上記第2入力端子を受ける第1M
OSFETからなり、上記第1電圧制御電流源は、上記
第1出力端子と上記第1整流トランジスタのゲートとの
間に設けられることを特徴とする非接触型電子装置。
8. The first rectifying transistor according to claim 7, wherein the first rectifying transistor comprises a first rectifying MOSFET, and the first unidirectional element receives a second input terminal at a gate thereof.
A contactless electronic device comprising an OSFET, wherein the first voltage controlled current source is provided between the first output terminal and the gate of the first rectifying transistor.
【請求項9】請求項8において、上記第1送信機能は、
第2入力端子と第1出力端子との間に、第2一方向性素
子と第1スイッチ機能と第1電流源を直列接続した構成
であることを特徴とした非接触型電子装置。
9. The method according to claim 8, wherein the first transmission function is
A non-contact type electronic device having a configuration in which a second unidirectional element, a first switch function, and a first current source are connected in series between a second input terminal and a first output terminal.
【請求項10】請求項8において、上記第1送信機能
は、第2出力端子と第1出力端子との間に、第2一方向
性素子と第1スイッチ機能と第1電流源を直列接続した
構成であることを特徴とした非接触型電子装置。
10. The first transmission function according to claim 8, wherein a second unidirectional element, a first switch function, and a first current source are connected in series between the second output terminal and the first output terminal. A non-contact type electronic device having the above configuration.
【請求項11】請求項9または10において、上記第1
スイッチ機能と上記第1電流源は、ゲートに印加される
電圧によって制御される第2MOSFETから構成され
ることを特徴とした非接触型電子装置。
11. The method according to claim 9 or 10, wherein:
The contactless electronic device, wherein the switch function and the first current source are composed of a second MOSFET controlled by a voltage applied to a gate.
【請求項12】請求項7ないし11のいずれかにおい
て、上記第1入力端子と第2入力端子は、上記交流電圧
を発生させるアンテナが外部に接続されるものであるこ
とを特徴とする非接触型電子装置。
12. The non-contact device according to claim 7, wherein the first input terminal and the second input terminal are externally connected to an antenna for generating the AC voltage. Type electronic device.
JP2002123390A 2002-04-25 2002-04-25 Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device Pending JP2003319574A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002123390A JP2003319574A (en) 2002-04-25 2002-04-25 Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002123390A JP2003319574A (en) 2002-04-25 2002-04-25 Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003319574A true JP2003319574A (en) 2003-11-07

Family

ID=29538696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002123390A Pending JP2003319574A (en) 2002-04-25 2002-04-25 Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003319574A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659296B1 (en) 2005-12-27 2006-12-20 삼성전자주식회사 Limiter of controlling overvoltage and rfid tag having the same
KR100693852B1 (en) 2004-01-30 2007-03-13 후지쯔 가부시끼가이샤 Power supply circuit that is stable against sudden load change
JP2007293423A (en) * 2006-04-21 2007-11-08 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device using it
CN100438271C (en) * 2004-01-30 2008-11-26 株式会社瑞萨科技 Semiconductor integrated circuit device and noncontact type IC card using it, and portable information terminal
WO2011093150A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013192326A (en) * 2012-03-13 2013-09-26 Nissan Motor Co Ltd Non-contact power supply device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100693852B1 (en) 2004-01-30 2007-03-13 후지쯔 가부시끼가이샤 Power supply circuit that is stable against sudden load change
CN100438271C (en) * 2004-01-30 2008-11-26 株式会社瑞萨科技 Semiconductor integrated circuit device and noncontact type IC card using it, and portable information terminal
KR100659296B1 (en) 2005-12-27 2006-12-20 삼성전자주식회사 Limiter of controlling overvoltage and rfid tag having the same
JP2007293423A (en) * 2006-04-21 2007-11-08 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device using it
US8198983B2 (en) 2006-04-21 2012-06-12 Renesas Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit and non-contact electronic device using the same
WO2011093150A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8816469B2 (en) 2010-01-29 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising protection circuit with oxide semiconductor
US8981518B2 (en) 2010-01-29 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9819256B2 (en) 2010-01-29 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013192326A (en) * 2012-03-13 2013-09-26 Nissan Motor Co Ltd Non-contact power supply device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3719587B2 (en) Semiconductor devices and IC cards
US7703677B2 (en) Rectifier circuit
US7441711B2 (en) Semiconductor device and IC card
TW595128B (en) Radio frequency data communication device in CMOS process
EP1964032B1 (en) Radio frequency interface circuit for a radio frequency identification tag
JP4584373B2 (en) Remote communication device operating with electromagnetic inductive coupling
US8082012B2 (en) Semiconductor integrated circuit device, and non-contact type IC card and portable information terminal using the semiconductor integrated circuit device
WO2001006630A1 (en) Power reception circuits for a device receiving an ac power signal
US20070246546A1 (en) Information Processing Terminal, IC Card, Portable Communication Device, Wireless Communication Method, and Program
US8292185B2 (en) Circuits for preventing overvoltage conditions on antenna terminals and method
EP1280099A4 (en) Chip for noncontact reader/writer having function for managing power supply
JP2007293423A (en) Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device using it
WO2007138690A1 (en) Noncontact type electronic device and semiconductor integrated circuit device mounted on same
CN1332351C (en) Contactless ic card
JP2003319574A (en) Semiconductor integrated circuit device and non-contact electronic device
WO2005072065A1 (en) Semiconductor integrated circuit device and noncontact type ic card using it, and portable information terminal
KR20060043472A (en) Rectifier circuit
JP2002222399A (en) Non-contact ic card
KR100730490B1 (en) Power supply circuit in ic chip for non-contact ic card
KR100840035B1 (en) Semiconductor integrated circuit device and noncontact type ic card using it, and portable information terminal

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050309

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050309

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070116

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070515