JP2003319265A - Two-dimensional image detector and two-dimensional image photographing device provided with the same - Google Patents

Two-dimensional image detector and two-dimensional image photographing device provided with the same

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JP2003319265A
JP2003319265A JP2002125775A JP2002125775A JP2003319265A JP 2003319265 A JP2003319265 A JP 2003319265A JP 2002125775 A JP2002125775 A JP 2002125775A JP 2002125775 A JP2002125775 A JP 2002125775A JP 2003319265 A JP2003319265 A JP 2003319265A
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JP
Japan
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charge information
read
sensor pixels
reading
dimensional image
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002125775A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinya Hirasawa
伸也 平澤
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/41Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To appropriately photograph a motion picture by performing two stages of reading for temporarily simultaneously reading charge information of all sensor pixels and successively reading the information later. <P>SOLUTION: First of all, the charge information of all sensor pixels 1-1 to 4-4 are simultaneously read by a first gate driver 11 and next, the charge information is successively read within each group of the sensor pixels 1-1 to 4-4 divided into a plurality of groups. Thus, reading is performed over two stages to first simultaneously read the charge information out of all the sensor pixels 1-1 to 4-4 and next to successively read the charge information within each group. Thereby, since reading is not delayed, the motion picture is appropriately photographed without deforming the image when detecting the motion picture. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、X線等の放射
線、可視光、赤外光等の電磁波情報を電荷情報に変換し
て画像検出を行う二次元画像検出装置及びこれを備えた
二次元画像撮影装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a two-dimensional image detecting apparatus for converting an electromagnetic wave information such as radiation such as X-rays, visible light and infrared light into electric charge information to detect an image, and a two-dimensional image detecting apparatus including the same. The present invention relates to an image capturing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の装置が備える二次元画像
検出器には、変換層として半導体膜を用いたものが例示
される。例えば、文献W.Zhao, et al. "A flat panel d
etector for digital radiology using active matrix
readout of amorphous selenium." Proc. SPIE Vol. 27
08, pp. 523-531, 1996.には、二次元の行列状に配列さ
れたTFT(信号読み出しスイッチとして機能)を備え
た回路基板の上に、アモルファス・セレン(a-Se)膜を蒸
着することでX線面センサを構成した例が開示されてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, a two-dimensional image detector provided in this type of device is exemplified by one using a semiconductor film as a conversion layer. For example, the document W. Zhao, et al. "A flat panel d
etector for digital radiology using active matrix
readout of amorphous selenium. "Proc. SPIE Vol. 27
08, pp. 523-531, 1996. Amorphous selenium (a-Se) film is vapor-deposited on a circuit board equipped with TFTs (functioning as signal readout switches) arranged in a two-dimensional matrix. By doing so, an example in which an X-ray surface sensor is configured is disclosed.

【0003】このセンサは、まず、被写体を透過した放
射線像がアモルファス・セレン膜上に投影され、像の濃
淡に比例した電荷信号がアモルファス・セレン膜内に発
生する。その後、アモルファス・セレン膜内に生成され
た電荷信号は、二次元状に配列された電荷収集電極(蓄
積容量)に収集され、回路基板及び信号線を経由して外
部に読み出されるようになっている。また、信号線が長
くなると読出し雑音が大きくなること、1フレームの画
像に相当する電荷信号を読出す時間が長くなること等の
理由により、信号線を中央で二分割して両側にアレイア
ンプ回路を配置して信号線を短くしている。この場合に
は、複数個のセンサ画素を二つのグループに分け、両側
のアレイアンプにより二つのグループから同時に読み出
し、かつグループ内でラインごとに順次に電荷情報を読
み出している。
In this sensor, first, a radiation image transmitted through a subject is projected on an amorphous selenium film, and a charge signal proportional to the density of the image is generated in the amorphous selenium film. After that, the charge signals generated in the amorphous selenium film are collected by the charge collecting electrodes (storage capacitors) arranged in a two-dimensional manner and read out to the outside via the circuit board and the signal line. There is. In addition, because the read noise increases as the signal line becomes longer, and the time for reading the charge signal corresponding to the image of one frame becomes longer, the signal line is divided into two at the center and array amplifier circuits are provided on both sides. Is placed to shorten the signal line. In this case, a plurality of sensor pixels are divided into two groups, array amplifiers on both sides simultaneously read from the two groups, and charge information is sequentially read line by line within the group.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の装置では、動画を撮影する場合
に、グループ内でラインごとに読み出しの遅延が発生す
るので、グループ内での読み出し方向を両グループとも
に同方向に設定していると、動いている物体が中央で途
切れて検出されることになる。これを解決するためにグ
ループ内での読み出し方向を互いに逆方向に設定するこ
とが考えられるが、動いている物体が中央部で折れ曲が
ったように検出されるという問題がある。
However, the conventional example having such a structure has the following problems. That is, in the conventional device, when a moving image is taken, a reading delay occurs for each line in the group, so that it is moving if the reading directions in both groups are set to the same direction. The object will be detected intermittently at the center. To solve this, it is conceivable to set the reading directions in the groups to be opposite to each other, but there is a problem that a moving object is detected as if it were bent at the center.

【0005】この発明は、全てのセンサ画素の電荷情報
を一旦同時に読み出してから順次に読み出す二段階の読
み出しを行うことにより、動画撮影を好適に行うことが
できる二次元画像検出装置及びこれを備えた二次元画像
撮影装置を提供することを目的とする。
The present invention is provided with a two-dimensional image detecting device and a two-dimensional image detecting device capable of suitably shooting a moving image by carrying out two-stage reading in which the charge information of all the sensor pixels is read out simultaneously and then sequentially read out. It is an object of the present invention to provide a two-dimensional image capturing device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。
The present invention has the following constitution in order to achieve such an object.

【0007】すなわち、請求項1に記載の二次元画像検
出装置は、電磁波情報を電荷情報に変換する変換層と、
電荷情報を読み出す複数個のセンサ画素を備え、前記複
数個のセンサ画素全てから電荷情報を一括して同時に読
み出す第1の読み出し手段及び前記第1の読み出し手段
が読み出した全ての電荷情報を、前記複数個のセンサ画
素が分けられたグループ内で順次に電荷情報を読み出す
第2の読み出し手段を有する回路基板とを備えたことを
特徴とするものである。
That is, the two-dimensional image detection device according to the first aspect includes a conversion layer that converts electromagnetic wave information into electric charge information.
A plurality of sensor pixels for reading charge information are provided, and first read means for simultaneously reading charge information from all of the plurality of sensor pixels at the same time and all charge information read by the first read means, And a circuit board having second reading means for sequentially reading charge information in a group in which a plurality of sensor pixels are divided.

【0008】(作用・効果)変換層で変換された電荷情
報は、複数個のセンサ画素で読み出されるが、まず第1
の読み出し手段により全てのセンサ画素の電荷情報が一
括して同時に読み出される。次に、第2の読み出し手段
により、複数のグループに分けられたセンサ画素のグル
ープ内で順次に電荷情報が読み出される。このように、
まず一括して全てのセンサ画素から電荷情報を読み出
し、次にグループ内で順次に電荷情報を読み出すように
二段階で読み出しを行う。したがって、最初の読み出し
で全電荷情報が同時に読み出され、読み出しが遅延する
ことがないので、動画検出において画像が変形すること
がなく動画撮影を好適に行うことができる。
(Operation / Effect) The charge information converted by the conversion layer is read out by a plurality of sensor pixels.
The readout information of the sensor pixels simultaneously reads out the charge information of all the sensor pixels. Next, the charge information is sequentially read by the second reading means within the group of sensor pixels divided into a plurality of groups. in this way,
First, the charge information is collectively read from all the sensor pixels, and then the charge information is sequentially read within the group in two steps. Therefore, since the entire charge information is read at the same time in the first reading and the reading is not delayed, the moving image can be favorably taken without deformation of the image in the moving image detection.

【0009】なお、変換層で変換される電磁波情報とし
ては、例えば、X線等の放射線や、可視光、赤外光等が
ある。
The electromagnetic wave information converted by the conversion layer includes, for example, radiation such as X-rays, visible light, infrared light and the like.

【0010】また、前記各構成に加えて、前記第2の読
み出し手段が読み出した電荷情報を増幅してデジタル信
号に変換する変換回路を備えてもよい。
Further, in addition to the above-mentioned components, a conversion circuit for amplifying the charge information read by the second reading means and converting it into a digital signal may be provided.

【0011】また、二段階での読み出しを行うために、
前記第1の読み出し手段は、電荷情報を蓄積する第1の
蓄積容量と、前記第1の蓄積容量に蓄積された電荷情報
を転送する第1のトランジスタスイッチとを備え、前記
第2の読み出し手段は、前記第1のトランジスタスイッ
チを介して転送された電荷情報を蓄積する第2の蓄積容
量と、前記第2の蓄積容量に蓄積された電荷情報を外部
に転送する第2のトランジスタスイッチとを備えている
ことが好ましい(請求項2)。
Further, in order to perform reading in two steps,
The first read means includes a first storage capacitor for storing charge information and a first transistor switch for transferring the charge information stored in the first storage capacitor, and the second read means. Includes a second storage capacitor that stores the charge information transferred via the first transistor switch and a second transistor switch that transfers the charge information stored in the second storage capacitor to the outside. It is preferably provided (Claim 2).

【0012】また、複数個のセンサ画素は、信号線が長
くなることに起因する読み出し雑音を抑制するため、ま
た1フレームの画像を読み出す時間が短くなるように二
つのグループに分けられていることが好ましい(請求項
3)。
Further, the plurality of sensor pixels are divided into two groups so as to suppress the read noise due to the lengthening of the signal line and to shorten the time for reading the image of one frame. Is preferred (claim 3).

【0013】また、請求項4に記載の二次元画像撮影装
置は、電磁波情報を電荷情報に変換する変換層と、電荷
情報を読み出す複数個のセンサ画素を備え、前記複数個
のセンサ画素全てから電荷情報を一括して同時に読み出
す第1の読み出し手段及び前記第1の読み出し手段が読
み出した全ての電荷情報を、前記複数個のセンサ画素が
分けられたグループ内で順次に電荷情報を読み出す第2
の読み出し手段を有する回路基板とを備えた二次元画像
検出器と、前記第2の読み出し手段が読み出した電荷情
報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路と、前記
デジタル信号を処理して画像化を行う信号処理部とを備
えたことを特徴とするものである。
A two-dimensional image capturing device according to a fourth aspect includes a conversion layer that converts electromagnetic wave information into electric charge information, and a plurality of sensor pixels that read out electric charge information. A first read-out means for simultaneously reading out the charge information at the same time, and a second read-out means for sequentially reading out all the charge information read by the first read-out means in a group into which the plurality of sensor pixels are divided.
A two-dimensional image detector including a circuit board having a reading unit, a conversion circuit that amplifies the charge information read by the second reading unit and converts the charge information into a digital signal, and an image by processing the digital signal. And a signal processing unit for performing the conversion.

【0014】(作用・効果)最初の読み出しで全電荷情
報が同時に読み出され、電荷情報の読み出しが遅延する
ことがないので、動画検出において画像が変形すること
がなく動画撮影を好適に行うことができる二次元画像検
出装置を備えている。したがって、変換回路で電荷情報
をデジタル信号に変換し、信号処理部で画像化を行うこ
とにより、動画撮影を好適に実施することができる。
(Operation / Effect) Since all the charge information is read at the same time in the first reading and the reading of the charge information is not delayed, it is possible to suitably perform moving image shooting without image deformation in moving image detection. It is equipped with a two-dimensional image detection device capable of Therefore, the conversion circuit converts the charge information into a digital signal, and the signal processing unit forms an image, so that the moving image shooting can be appropriately performed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図1及び図2はこの発明の一実施
例に係り、図1は本発明に係る二次元画像撮影装置の概
略構成を示すブロック図であり、図2はセンサ画素の概
略構成を示す縦断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 relate to an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a two-dimensional image capturing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of a sensor pixel. Is.

【0016】実施例に係る二次元画像撮影装置は、透過
X線を検出する二次元画像検出器1(この発明の二次元
画像検出装置に相当する)と、この二次元画像検出装置
1で検出された電荷情報である電荷信号を増幅してデジ
タル信号に変換するアレイアンプ3,5と、デジタル信
号を処理して画像化を行う等の処理を行う画像処理装置
7とを備えている。画像処理装置7には、画像を表示す
るCRTや液晶表示装置などの画像表示装置9が接続さ
れている。アレイアンプ3,5は、後述するセンサ画素
からの電荷信号を増幅するとともにデジタル信号に変換
する機能を有する。
The two-dimensional image capturing apparatus according to the embodiment includes a two-dimensional image detector 1 (corresponding to the two-dimensional image detecting apparatus of the present invention) for detecting transmitted X-rays and the two-dimensional image detecting apparatus 1 for detecting the two-dimensional image detecting apparatus 1. The array amplifiers 3 and 5 that amplify the charge signal that is the generated charge information and convert it into a digital signal, and the image processing device 7 that performs processing such as processing the digital signal to form an image. An image display device 9 such as a CRT that displays images or a liquid crystal display device is connected to the image processing device 7. The array amplifiers 3 and 5 have a function of amplifying a charge signal from a later-described sensor pixel and converting it into a digital signal.

【0017】さらに、二次元画像撮影装置は、二次元画
像検出器1の各センサ画素を駆動する第1のゲートドラ
イバ11及び第2のゲートドライバ12と、これらの第
1ゲートドライバ11、第2のゲートドライバ12及び
アレイアンプ3,5を、画像処理装置7の制御の下で制
御する制御回路13とを備えている。
Further, the two-dimensional image capturing apparatus includes a first gate driver 11 and a second gate driver 12 for driving each sensor pixel of the two-dimensional image detector 1, and the first gate driver 11 and the second gate driver 12. The control circuit 13 controls the gate driver 12 and the array amplifiers 3 and 5 under the control of the image processing device 7.

【0018】この実施例では、発明の理解を容易にする
ために二次元画像検出器1が4×4個のセンサ画素をマ
トリックス状に備えているものとする。具体的には、図
1の一番上の左から右に向かってセンサ画素1−1〜1
−4の4個のセンサ画素が設けられ、二番目にはセンサ
画素2−1〜2−4の4個のセンサ画素が設けられ、三
番目にはセンサ画素3−1〜3−4の4個のセンサ画素
が設けられ、四番目にはセンサ画素4−1〜4〜4の4
個のセンサ画素が設けられている。
In this embodiment, it is assumed that the two-dimensional image detector 1 has 4 × 4 sensor pixels arranged in a matrix for easy understanding of the invention. Specifically, the sensor pixels 1-1 to 1 are arranged from left to right at the top of FIG.
-4 are provided, four sensor pixels are provided secondly, four sensor pixels 2-1 to 2-4 are provided secondly, and four sensor pixels 3-1 to 3-4 are provided thirdly. 4 sensor pixels 4-1 to 4 to 4 are provided.
Individual sensor pixels are provided.

【0019】なお、説明上、センサ画素1−1〜1〜4
をラインL1と、センサ画素2−1〜2−4をラインL
2と、センサ画素3−1〜3〜4をラインL3と、セン
サ画素4−1〜4−4をラインL4と適宜に称する。
For the sake of explanation, the sensor pixels 1-1 to 1-4 are shown.
To line L1 and sensor pixels 2-1 to 2-4 to line L
2, the sensor pixels 3-1 to 3 to 4 are appropriately referred to as a line L3, and the sensor pixels 4-1 to 4-4 are appropriately referred to as a line L4.

【0020】上述したアレイアンプ3は、信号線が長く
なると読出し雑音が大きくなること、1フレームの画像
に相当する電荷信号を読出す時間が長くなること等の理
由により、読み出し信号線が短くなるようにラインL
1,L2からの電荷信号を図中の上方向からアレイアン
プ3で読み出し、ラインL3,L4からの電荷信号を図
中の下方向からアレイアンプ5で読み出す。換言する
と、二次元画像検出器1のセンサ画素を二つのグループ
に分けて、それぞれのグループのセンサ画素について異
なる二方向から電荷信号を読み出すように構成されてい
る。なお、アレイアンプ3,5や第1及び第2のゲート
ドライバ11,12、制御回路13は二次元画像検出器
1に集積されている場合もある。
In the array amplifier 3 described above, the read signal line becomes short because the read noise increases as the signal line becomes long and the time for reading the charge signal corresponding to the image of one frame becomes long. Line L
The array amplifier 3 reads out the charge signals from 1, 1 and L2 from the upper direction in the drawing, and the array amplifier 5 reads out the charge signals from the lines L3, L4 from the lower direction in the drawing. In other words, the sensor pixels of the two-dimensional image detector 1 are divided into two groups, and the charge signals are read out from two different directions for the sensor pixels of each group. The array amplifiers 3 and 5, the first and second gate drivers 11 and 12, and the control circuit 13 may be integrated in the two-dimensional image detector 1.

【0021】第1のゲートドライバ11は、二次元画像
検出器1に備わった全てのセンサ画素1−1〜4−4を
駆動し、第2のゲートドライバ12は、二次元画像検出
器1の全てのセンサ画素1−1〜4−4のうち、ライン
ごとセンサ画素を駆動するようになっている。つまり、
第1のゲートドライバ11によりセンサ画素全てから電
荷信号が読み出され、第2のゲートドライバ12により
全センサ画素のうちグループ内で順次に電荷信号を読み
出す、すなわちグループ内でラインごとに電荷信号を読
み出すようになっている。
The first gate driver 11 drives all the sensor pixels 1-1 to 4-4 provided in the two-dimensional image detector 1, and the second gate driver 12 of the two-dimensional image detector 1. Of all the sensor pixels 1-1 to 4-4, the sensor pixels are driven line by line. That is,
The first gate driver 11 reads out the charge signals from all the sensor pixels, and the second gate driver 12 sequentially reads out the charge signals in the group of all the sensor pixels, that is, the charge signals are read line by line in the group. It is designed to read.

【0022】なお、上述した二次元画像検出器1がこの
発明の二次元画像検出装置に相当し、第1のゲートドラ
イバ11がこの発明における第1の読み出し手段に相当
し、第2のゲートドライバ12がこの発明における第2
の読み出し手段に相当する。また、アレイアンプ3,5
がこの発明における変換回路に相当し、画像処理装置7
がこの発明における信号処理部に相当する。
The above-mentioned two-dimensional image detector 1 corresponds to the two-dimensional image detecting device of the present invention, the first gate driver 11 corresponds to the first reading means of the present invention, and the second gate driver. 12 is the second of the present invention
Corresponds to the reading means. Also, array amplifiers 3, 5
Corresponds to the conversion circuit in the present invention, and the image processing device 7
Corresponds to the signal processing unit in the present invention.

【0023】上記の構成をより詳細に説明する。アレイ
アンプ3は、ラインL1のセンサ画素1−1とラインL
2のセンサ画素2−1の電荷信号を第1信号線SL1か
ら読み出し、ラインL1のセンサ画素1−2とラインL
2のセンサ画素2−2の電荷信号を第2信号線SL2か
ら読み出し、ラインL1のセンサ画素1−3とラインL
2のセンサ画素2−3の電荷信号を第3信号線SL3か
ら読み出し、ラインL1のセンサ画素1−4とラインL
2のセンサ画素2−4の電荷信号を第4信号線SL4か
ら読み出すように構成されている。
The above configuration will be described in more detail. The array amplifier 3 includes the sensor pixels 1-1 on the line L1 and the line L
The charge signal of the second sensor pixel 2-1 is read from the first signal line SL1 and the sensor pixel 1-2 and the line L of the line L1 are read.
No. 2 sensor pixel 2-2 is read out from the second signal line SL2, and the line L1 sensor pixel 1-3 and line L are read.
The charge signal of the sensor pixel 2-3 of No. 2 is read from the third signal line SL3, and the sensor pixel 1-4 of line L1 and the line L
The charge signals of the two sensor pixels 2-4 are read from the fourth signal line SL4.

【0024】同様に、アレイアンプ5は、ラインL3の
センサ画素3−1とラインL4のセンサ画素4−1の電
荷信号を第5信号線SL5から読み出し、ラインL3の
センサ画素3−2とラインL4のセンサ画素4−2の電
荷信号を第6信号線SL6から読み出し、ラインL3の
センサ画素3−3とラインL4のセンサ画素4−3の電
荷信号を第7信号線SL7から読み出し、ラインL3の
センサ画素3−4とラインL4のセンサ画素4−4の電
荷信号を第8信号線SL8から読み出すように構成され
ている。
Similarly, the array amplifier 5 reads out the charge signal of the sensor pixel 3-1 of the line L3 and the sensor pixel 4-1 of the line L4 from the fifth signal line SL5, and the sensor pixel 3-2 of the line L3 and the line. The charge signal of the sensor pixel 4-2 of L4 is read from the sixth signal line SL6, the charge signal of the sensor pixel 3-3 of line L3 and the sensor pixel 4-3 of line L4 is read from the seventh signal line SL7, and line L3 The electric charge signals of the sensor pixel 3-4 of 4) and the sensor pixel 4-4 of line L4 are read from the eighth signal line SL8.

【0025】上述した各センサ画素1−1〜1−4,2
−1〜2−4,3−1〜3−4,4−1〜4−4は、第
1のゲートドライバ11に制御されているゲート線GL
0によって一括して同時オン・オフが制御される。
Each of the sensor pixels 1-1 to 1-4 and 2 described above
-1 to 2-4, 3-1 to 3-4, and 4-1 to 4-4 are gate lines GL controlled by the first gate driver 11.
Simultaneously turning on / off is controlled by 0.

【0026】また、各センサ画素1−1〜1−4,2−
1〜2−4,3−1〜3−4,4−1〜4−4は、第2
のゲートドライバ12によって個別にオン・オフが制御
される。具体的には、ゲート線GL1がラインL1の各
センサ画素1−1〜1−4のゲートに接続され、ゲート
線GL2がラインL2の各センサ画素2−1〜2−4の
ゲートに接続され、ゲート線GL3がラインL3の各セ
ンサ画素3−1〜3−4のゲートに接続され、ゲート線
GL4がラインL4の各センサ画素4−1〜4−4のゲ
ートに接続されている。これらは第2のゲートドライバ
12により、例えば、ゲート線GL1、GL4が同時に
駆動され、次にゲート線GL2,GL3が駆動されるよ
うに順次選択的に駆動される。
Further, each sensor pixel 1-1 to 1-4, 2-
1 to 2-4, 3-1 to 3-4, 4-1 to 4-4 are the second
ON / OFF is individually controlled by the gate driver 12 of. Specifically, the gate line GL1 is connected to the gates of the sensor pixels 1-1 to 1-4 of the line L1, and the gate line GL2 is connected to the gates of the sensor pixels 2-1 to 2-4 of the line L2. , The gate line GL3 is connected to the gates of the sensor pixels 3-1 to 3-4 on the line L3, and the gate line GL4 is connected to the gates of the sensor pixels 4-1 to 4-4 on the line L4. These are sequentially and selectively driven by the second gate driver 12 so that, for example, the gate lines GL1 and GL4 are simultaneously driven, and then the gate lines GL2 and GL3 are driven.

【0027】次に、図2を参照して、各センサ画素1−
1,……,4−4について説明する。なお、各センサ画
素1−1,……,4−4は同じ構造であるので、以下に
おいてはセンサ画素1−1を例示して説明する。
Next, referring to FIG. 2, each sensor pixel 1-
1, ..., 4-4 will be described. Since the sensor pixels 1-1, ..., 4-4 have the same structure, the sensor pixel 1-1 will be described below as an example.

【0028】センサ画素1−1は、積層構造を有し、バ
イアス電圧を供給するための共通電極15と、電磁波情
報である透過X線を電荷情報である電荷信号に変換する
半導体層17と、この半導体層17内で発生した電荷信
号を収集するための画素電極19と、収集された電荷信
号を蓄積するための第1の蓄積容量21−1と、この蓄
積容量21−1の電荷信号を転送するように回路を第2
の蓄積容量21−2に切換える第1のトランジスタスイ
ッチ23−1とを備えている。また、第2の蓄積容量2
1−2に転送されて蓄積された電荷信号を外部に導出す
るように回路を第1信号線SL1に切換える第2のトラ
ンジスタスイッチ23−2とを備えている。
The sensor pixel 1-1 has a laminated structure, a common electrode 15 for supplying a bias voltage, a semiconductor layer 17 for converting a transmitted X-ray which is electromagnetic wave information into a charge signal which is charge information, The pixel electrode 19 for collecting the charge signal generated in the semiconductor layer 17, the first storage capacitor 21-1 for storing the collected charge signal, and the charge signal of the storage capacitor 21-1 Second circuit to transfer
And a first transistor switch 23-1 for switching to the storage capacitor 21-2. In addition, the second storage capacity 2
And a second transistor switch 23-2 for switching the circuit to the first signal line SL1 so as to lead the charge signal transferred and accumulated in 1-2 to the outside.

【0029】なお、第1の蓄積容量21−1と第1のト
ランジスタスイッチ23−1とがこの発明における第1
の読み出し手段に相当し、第2の蓄積容量21−2と第
1のトランジスタスイッチ23−2とがこの発明におけ
る第2の読み出し手段に相当する。
The first storage capacitor 21-1 and the first transistor switch 23-1 are the first in the present invention.
The second storage capacitor 21-2 and the first transistor switch 23-2 correspond to the second reading means in the present invention.

【0030】ここで半導体層17は、この発明における
変換層に相当し、例えば、アモルファス・セレン層やC
dZnTe層等で構成されている。なお、変換層として
は上記の半導体層以外にシンチレータ等を採用すること
ができる。この場合には、シンチレータで一旦光に変換
した後、フォトダイオード等で電荷信号に変換して蓄積
容量に蓄積する構成とすればよい。
Here, the semiconductor layer 17 corresponds to the conversion layer in the present invention, for example, an amorphous selenium layer or a C layer.
It is composed of a dZnTe layer and the like. As the conversion layer, a scintillator or the like can be adopted in addition to the above semiconductor layer. In this case, the structure may be such that the light is once converted into light by the scintillator and then converted into a charge signal by a photodiode or the like and stored in the storage capacitor.

【0031】半導体層17に入射した透過X線は、半導
体層17内で電荷信号に変換され、印加されている内部
電界で駆動されて画素電極19に到達する。そして、第
1の蓄積容量21−1に電荷信号として蓄積される。第
1の蓄積容量21−1に蓄積された電荷信号は、ゲート
線GL0が駆動されると、第1のトランジスタスイッチ
23−1がオンになって第2の蓄積容量21−2に転送
される。次に、ゲート線GL1が駆動されると、第2の
トランジスタスイッチ23−2がオンになって第2の蓄
積容量21−2の電荷信号が第1信号線SL1から外部
に読み出される。
The transmitted X-rays that have entered the semiconductor layer 17 are converted into charge signals in the semiconductor layer 17 and driven by the applied internal electric field to reach the pixel electrode 19. Then, it is stored as a charge signal in the first storage capacitor 21-1. When the gate line GL0 is driven, the charge signal stored in the first storage capacitor 21-1 is transferred to the second storage capacitor 21-2 by turning on the first transistor switch 23-1. . Next, when the gate line GL1 is driven, the second transistor switch 23-2 is turned on and the charge signal of the second storage capacitor 21-2 is read out from the first signal line SL1.

【0032】なお、画素電極19と、第1の蓄積容量2
1−1と、第2の蓄積容量21−2と、ゲート線GL1
と、第1のトランジスタスイッチ23−1と、第2のト
ランジスタスイッチ23−2とは回路基板24に形成さ
れている。
The pixel electrode 19 and the first storage capacitor 2
1-1, the second storage capacitor 21-2, and the gate line GL1
The first transistor switch 23-1 and the second transistor switch 23-2 are formed on the circuit board 24.

【0033】次に、図3を参照して、上記のように構成
された二次元画像撮影装置における撮影シーケンスにつ
いて説明する。なお、予め被写体を二次元画像検出器1
の上に載置してX線を曝射し、透過X線が二次元画像検
出器1に入射しているものとする。つまり、入射した透
過X線は、その強度に応じた電荷信号となって各センサ
画素の第1の蓄積容量21−1に電荷信号として蓄積さ
れている。
Next, with reference to FIG. 3, a photographing sequence in the two-dimensional image photographing apparatus configured as described above will be described. In addition, the object is preliminarily captured by the two-dimensional image detector 1
It is assumed that the two-dimensional image detector 1 is placed on the X-ray and irradiates X-rays, and the transmitted X-rays enter the two-dimensional image detector 1. That is, the transmitted X-rays that have entered become a charge signal according to the intensity thereof and are stored as a charge signal in the first storage capacitor 21-1 of each sensor pixel.

【0034】まず、制御回路13が第1のゲートドライ
バ11を制御してゲート信号GL0を駆動し、全てのセ
ンサ画素1−1〜4−4について第1のトランジスタス
イッチだけをオンにする(信号S0)。これにより各セ
ンサ画素1−1〜4−4における第1の蓄積容量21−
1に蓄積されている電荷信号が第2の蓄積容量21−2
に転送される。
First, the control circuit 13 controls the first gate driver 11 to drive the gate signal GL0, and turns on only the first transistor switch for all the sensor pixels 1-1 to 4-4 (signal S0). As a result, the first storage capacitor 21- in each of the sensor pixels 1-1 to 4-4
The charge signal stored in the first storage capacitor 21-2
Transferred to.

【0035】次に、制御回路13が第2のゲートドライ
バ12を制御してゲート信号GL1,GL4を駆動し、
ラインL1のセンサ画素1−1〜1−4及びラインL4
のセンサ画素4−1〜4−4について第2のトランジス
タスイッチをオンにする(信号S1)。これにより、ラ
インL1,L4における第2の蓄積容量21−2の電荷
信号が読み出し可能な状態となる。
Next, the control circuit 13 controls the second gate driver 12 to drive the gate signals GL1 and GL4,
Sensor pixels 1-1 to 1-4 on line L1 and line L4
The second transistor switches of the sensor pixels 4-1 to 4-4 are turned on (signal S1). As a result, the charge signals of the second storage capacitors 21-2 on the lines L1 and L4 are ready to be read.

【0036】次に、制御回路13がアレイアンプ3,5
を動作させて、ラインL1からの電荷信号を増幅すると
ともにデジタル信号に変換し、同様にラインL4からの
電荷信号を変換する(信号SC1)。次いで、画像処理
装置7に対して、ラインL1とラインL4からのデジタ
ル信号をデータとして出力する(信号SO1)。これら
の一連の動作によって、ラインL1とラインL4に蓄積
された電荷信号が画像撮影装置に取り込まれる。
Next, the control circuit 13 causes the array amplifiers 3 and 5 to operate.
Are operated to amplify the charge signal from the line L1 and convert the charge signal into a digital signal, and similarly convert the charge signal from the line L4 (signal SC1). Next, the digital signal from the line L1 and the line L4 is output as data to the image processing device 7 (signal SO1). Through these series of operations, the charge signals accumulated in the lines L1 and L4 are captured by the image capturing device.

【0037】次に、上述したような動作を、ラインL2
及びラインL3についても行う。つまり、ラインL2の
センサ画素2−1〜2−4及びラインL3のセンサ画素
3−1〜3−4のトランジスタスイッチをオンとし(信
号S2)、ラインL2,L3からの電荷信号を増幅する
とともにデジタル信号に変換し(信号SC2)、画像処
理装置7に対して、ラインL2,L3からのデジタル信
号をデータとして出力する(信号SO2)。
Next, the above-described operation is performed on the line L2.
And line L3. That is, the transistor switches of the sensor pixels 2-1 to 2-4 on the line L2 and the sensor pixels 3-1 to 3-4 on the line L3 are turned on (signal S2), and the charge signals from the lines L2 and L3 are amplified. It is converted into a digital signal (signal SC2), and the digital signal from the lines L2 and L3 is output as data to the image processing device 7 (signal SO2).

【0038】上記のようにして、まず全センサ画素1−
1〜4−4について一括して同時に電荷信号を第1の蓄
積容量21−1から第2の蓄積容量21−2に転送し、
次いで従来通りに各ラインL1〜L4における第2の蓄
積容量21−2からデジタル信号(信号SO1,SO
2)を順次に収集する。
As described above, first, all the sensor pixels 1-
The charge signals of 1 to 4-4 are simultaneously transferred to the second storage capacitor 21-2 from the first storage capacitor 21-1 at the same time,
Then, as is conventional, digital signals (signals SO1 and SO2) are output from the second storage capacitors 21-2 in the lines L1 to L4.
Collect 2) sequentially.

【0039】この発明における信号処理部に相当する画
像処理装置7は、上記のようにして収集した信号SO
1,SO2処理して画像化を行って、入射したX線に応
じた画像化を行う。
The image processing device 7 corresponding to the signal processing unit in the present invention uses the signal SO collected as described above.
1, SO2 processing is performed and imaging is performed, and imaging is performed according to incident X-rays.

【0040】上述したように、まず第1の蓄積容量21
−1、第1のトランジスタスイッチ23−1、第1のゲ
ートドライバ11により全てのセンサ画素1−1〜4−
4の電荷情報が一括して同時に読み出され、次に第2の
蓄積容量21−2、第2のトランジスタスイッチ23−
2、第2のゲートドライバ12により、二つグループに
分けられたセンサ画素のグループ内でラインごとに順次
に電荷情報が読み出される。このように、まず一括して
全てのセンサ画素1−1〜4−4から電荷情報を読み出
し、次にグループ内で順次に電荷情報を読み出すように
二段階で読み出しを行う。したがって、読み出しが遅延
することがないので、動画検出において画像が変形・歪
みがなく動画撮影を好適に行うことができる。
As described above, first the first storage capacitor 21
-1, all the sensor pixels 1-1 to 4-by the first transistor switch 23-1 and the first gate driver 11.
The charge information of No. 4 is simultaneously read out collectively, and then the second storage capacitor 21-2 and the second transistor switch 23-
2. The second gate driver 12 sequentially reads the charge information line by line within the group of sensor pixels divided into two groups. As described above, first, the charge information is collectively read from all the sensor pixels 1-1 to 4-4, and then the charge information is sequentially read within the group in two steps. Therefore, since there is no delay in reading, the image is not deformed or distorted in moving image detection, and moving image shooting can be performed appropriately.

【0041】上記のように構成された二次元画像撮影装
置によって、図4に示すような被写体を撮影する場合を
例に採って、この発明と従来例について比較を行う。な
お、図4は、被写体の一例を示す模式図であり、時刻t
1における被写体(ハッチング及び実線で示す)が時刻
t2には矢印方向に移動(点線で示す)していることを
示す。
The present invention and the conventional example will be compared with each other by taking as an example a case where a subject as shown in FIG. 4 is photographed by the two-dimensional image photographing apparatus constructed as described above. Note that FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the subject, and
It is shown that the subject (shown by hatching and solid line) in 1 is moving in the direction of the arrow (shown by a dotted line) at time t2.

【0042】上述した二次元画像撮影装置によると、図
5の模式図に示すように撮影される。つまり、二つのグ
ループに分けられたセンサ画素についてラインごとに電
荷信号を読み出しているにもかかわらず、その前に全て
のセンサ画素から電荷信号を同時に読み出しているの
で、読み出しに遅延が生じることがない。したがって、
時刻t1における被写体を歪みなく写し止めることがで
きる。
According to the above-mentioned two-dimensional image photographing device, the photograph is taken as shown in the schematic view of FIG. That is, although the charge signals are read out line by line for the sensor pixels divided into two groups, the charge signals are simultaneously read out from all the sensor pixels before that, so that the reading may be delayed. Absent. Therefore,
The subject at time t1 can be captured without distortion.

【0043】一方、従来例によると図6または図7の模
式図に示すようになる。図6は、図中に矢印で示すよう
に、二つのグループ内で上から下に向けてラインごとに
順次に電荷信号を読み取る場合を示し、図7は、中央か
ら端部に向けてラインごとに順次に電荷信号を読み取る
場合を示している。これらの従来例では、被写体が分離
して写し止められたり、被写体が屈曲して写し止められ
たりしており、いずれにしても被写体が実際とは大きく
歪むことがわかる。
On the other hand, according to the conventional example, it becomes as shown in the schematic view of FIG. 6 or 7. FIG. 6 shows a case where the charge signal is sequentially read line by line in the two groups from the top to the bottom, as shown by arrows in the figure, and FIG. 7 shows each line from the center to the end. The case where the charge signals are sequentially read is shown in FIG. In these conventional examples, the subject is separated and prevented from being photographed, or the subject is bent and prevented from being photographed, and in any case, the subject is significantly distorted from the actual situation.

【0044】なお、この発明は上述した実施例に限定さ
れるものではなく、全センサ画素を二つのグループより
多くのグループに分けている二次元画像検出装置または
二次元画像撮影装置であっても適用可能である。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and may be a two-dimensional image detecting device or a two-dimensional image photographing device in which all sensor pixels are divided into more groups than two groups. Applicable.

【0045】また、X線を用いた二次元画像検出装置及
び二次元画像撮影装置に限定されるものではなく、X線
以外の放射線、可視光、赤外光等を利用した二次元画像
検出装置及び二次元画像撮影装置にも適用することがで
きる。
Further, the present invention is not limited to the two-dimensional image detecting device and the two-dimensional image capturing device using X-rays, but the two-dimensional image detecting device using radiation other than X-rays, visible light, infrared light, or the like. Also, it can be applied to a two-dimensional image capturing device.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、まず第1の読み出し手段により全てのセン
サ画素の電荷情報が一括して同時に読み出され、次に第
2の読み出し手段により、複数のグループに分けられた
センサ画素のグループ内で順次に電荷情報が読み出され
る。このように、まず一括して全てのセンサ画素から電
荷情報を読み出し、次にグループ内で順次に電荷情報を
読み出すように二段階で読み出しを行う。したがって、
読み出しが遅延することがないので、動画検出において
画像が変形することがなく動画撮影を好適に行うことが
できる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the charge information of all the sensor pixels is read out simultaneously by the first reading means, and then the second reading means. Thus, the charge information is sequentially read out within the group of sensor pixels divided into a plurality of groups. In this way, first, the charge information is collectively read from all the sensor pixels, and then the charge information is sequentially read within the group in two steps. Therefore,
Since the reading is not delayed, the moving image can be favorably taken without deformation of the image in the moving image detection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る二次元画像撮影装置の概略構成を
示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a two-dimensional image capturing device according to the present invention.

【図2】センサ画素の概略構成を示す縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of a sensor pixel.

【図3】撮影シーケンスの一例を示すタイムチャートで
ある。
FIG. 3 is a time chart showing an example of a shooting sequence.

【図4】被写体の一例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a subject.

【図5】本発明によって撮影された被写体を示す模式図
である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a subject photographed according to the present invention.

【図6】従来例によって撮影された被写体を示す模式図
である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a subject photographed by a conventional example.

【図7】他の従来例によって撮影された被写体を示す模
式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a subject photographed by another conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 … 二次元画像検出器 3,5 … アレイアンプ 7 … 画像処理装置 9 … 画像表示装置 11 … 第1のゲートドライバ(第1の読み出し手
段) 12 … 第2のゲートドライバ(第2の読み出し手
段) 13 … 制御回路 1−1〜4−4 … センサ画素 L1〜L4 … ライン GL0〜GL4 … ゲート線 SL1〜SL8 … 第1ないし第8信号線 21−1 … 第1の蓄積容量(第1の読み出し手段) 23−1 … 第1のトランジスタスイッチ(第1の読
み出し手段) 21−2 … 第2の蓄積容量(第2の読み出し手段) 23−2 … 第2のトランジスタスイッチ(第2の読
み出し手段)
1 ... Two-dimensional image detectors 3, 5 ... Array amplifier 7 ... Image processing device 9 ... Image display device 11 ... First gate driver (first reading means) 12 ... Second gate driver (second reading means) ) 13 ... Control circuits 1-1 to 4-4 ... Sensor pixels L1 to L4 ... Lines GL0 to GL4 ... Gate lines SL1 to SL8 ... First to eighth signal lines 21-1 ... First storage capacitance (first Read-out means) 23-1 ... 1st transistor switch (1st read-out means) 21-2 ... 2nd storage capacity (2nd read-out means) 23-2 ... 2nd transistor switch (2nd read-out means) )

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 27/146 H01L 27/14 F H04N 5/32 K ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 27/146 H01L 27/14 F H04N 5/32 K

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電磁波情報を電荷情報に変換する変換層
と、電荷情報を読み出す複数個のセンサ画素を備え、前
記複数個のセンサ画素全てから電荷情報を一括して同時
に読み出す第1の読み出し手段及び前記第1の読み出し
手段が読み出した全ての電荷情報を、前記複数個のセン
サ画素が分けられたグループ内で順次に電荷情報を読み
出す第2の読み出し手段を有する回路基板とを備えたこ
とを特徴とする二次元画像検出装置。
1. A first reading means comprising a conversion layer for converting electromagnetic wave information into electric charge information and a plurality of sensor pixels for reading electric charge information, and for simultaneously reading out electric charge information from all of the plural sensor pixels at the same time. And a circuit board having second reading means for sequentially reading all the charge information read by the first reading means in a group into which the plurality of sensor pixels are divided. A characteristic two-dimensional image detection device.
【請求項2】 請求項1に記載の二次元画像検出装置に
おいて、前記第1の読み出し手段は、電荷情報を蓄積す
る第1の蓄積容量と、前記第1の蓄積容量に蓄積された
電荷情報を転送する第1のトランジスタスイッチとを備
え、前記第2の読み出し手段は、前記第1のトランジス
タスイッチを介して転送された電荷情報を蓄積する第2
の蓄積容量と、前記第2の蓄積容量に蓄積された電荷情
報を外部に転送する第2のトランジスタスイッチとを備
えていることを特徴とする二次元画像検出装置。
2. The two-dimensional image detection device according to claim 1, wherein the first read-out means stores a first storage capacitor for storing charge information, and charge information stored in the first storage capacitor. A first transistor switch for transferring charge information, the second reading means for storing the charge information transferred via the first transistor switch,
And a second transistor switch for transferring the charge information stored in the second storage capacitor to the outside.
【請求項3】 請求項1または2に記載の二次元画像検
出装置において、前記複数個のセンサ画素は、二つのグ
ループに分けられていることを特徴とする二次元画像検
出装置。
3. The two-dimensional image detection device according to claim 1, wherein the plurality of sensor pixels are divided into two groups.
【請求項4】 電磁波情報を電荷情報に変換する変換層
と、電荷情報を読み出す複数個のセンサ画素を備え、前
記複数個のセンサ画素全てから電荷情報を一括して同時
に読み出す第1の読み出し手段及び前記第1の読み出し
手段が読み出した全ての電荷情報を、前記複数個のセン
サ画素が分けられたグループ内で順次に電荷情報を読み
出す第2の読み出し手段を有する回路基板とを備えた二
次元画像検出器と、前記第2の読み出し手段が読み出し
た電荷情報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路
と、前記デジタル信号を処理して画像化を行う信号処理
部とを備えたことを特徴とする二次元画像撮影装置。
4. A first read-out means comprising a conversion layer for converting electromagnetic wave information into electric charge information and a plurality of sensor pixels for reading out electric charge information, and for simultaneously reading out electric charge information from all of the plurality of sensor pixels at the same time. And a circuit board having a second read-out means for sequentially reading out all the charge information read by the first read-out means in the group into which the plurality of sensor pixels are divided. An image detector, a conversion circuit that amplifies the charge information read by the second reading unit and converts the charge information into a digital signal, and a signal processing unit that processes the digital signal to form an image. 2D image capturing device.
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