JP2003317996A - X-ray tube and x-ray apparatus using it - Google Patents

X-ray tube and x-ray apparatus using it

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JP2003317996A
JP2003317996A JP2002123815A JP2002123815A JP2003317996A JP 2003317996 A JP2003317996 A JP 2003317996A JP 2002123815 A JP2002123815 A JP 2002123815A JP 2002123815 A JP2002123815 A JP 2002123815A JP 2003317996 A JP2003317996 A JP 2003317996A
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ray
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慶二 小柳
Hiroshi Takano
博司 高野
Keiichi Chabata
圭一 茶畑
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small-size X-ray apparatus having a microfocus X-ray tube, capable of high-magnification photography. <P>SOLUTION: The microfocus X-ray tube 20 adopts a neutral point grounding method. Grid voltages applied to a plurality of grid electrodes 106, 108, and 110 disposed for forming a microfocus are generated in a grid voltage generation circuit 24 by use of a voltage divided from a negative high voltage generation part of a high voltage generation circuit 22. The grid voltage generation circuit 24 is controlled by an optical signal from a grid voltage control part 42 of a control part 32. The grid voltage generation circuit 24 and the grid voltage control part 42 are connected by an optical cable 224. By adopting the neutral point grounding method to the X-ray tube 20, an interval between the focus and an X-ray radiation window (an envelope) can be reduced to enable the high-magnification photography. Use of an insulation transformer becomes unnecessary in the grid voltage generation circuit 24 to miniaturize the X-ray apparatus. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、微小焦点(以下、
マイクロフォーカスともいう)を有するX線管及びそれ
を内蔵したX線装置において、X線撮影時の幾何学的拡大
率を大きくする技術に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a micro focus (hereinafter,
The present invention relates to a technique for increasing the geometric magnification of X-ray photography in an X-ray tube having a micro focus) and an X-ray apparatus incorporating the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常の医療用または工業用X線透視、撮
影装置、或いはX線露光装置などのX線装置には、X線放
射源として多くの場合X線管が搭載されている。それら
のX線管の陰極―陽極間には、所望のX線エネルギーに応
じて必要な電位差の高電圧が印加される。この高電圧の
印加方法としては、通常のX線管では、陽極と陰極とに
アース電位に対して正、負に振り分けた高電圧を印加す
るいわゆる中性点接地方式を採用している。このように
中性点接地方式を採ることにより、X線装置の小型化を
図っている。
2. Description of the Related Art An X-ray tube such as an ordinary X-ray machine for medical or industrial use, a radiography apparatus, an X-ray exposure apparatus or the like is often equipped with an X-ray tube as an X-ray radiation source. A high voltage having a necessary potential difference according to desired X-ray energy is applied between the cathode and the anode of those X-ray tubes. As a method of applying this high voltage, in a normal X-ray tube, a so-called neutral point grounding method is adopted in which a high voltage is applied to the anode and the cathode by positively and negatively distributed with respect to the ground potential. By adopting the neutral grounding method in this way, the X-ray apparatus is downsized.

【0003】これに対し、透視対象が微細物又は極微細
部分である場合には、X線管のX線発生源(焦点)の寸法
として、数μmオーダーのものが要求される。このよう
な数μmオーダーの微小焦点を有するX線管はマイクロフ
ォーカスX線管と呼ばれている。このようなマイクロフ
ォーカスを得るためには、X線管の陰極において、電子
ビーム軌道を集束し、電子ビームの外径そのものを数μ
mオーダーの寸法のものに形成することが必要である。
On the other hand, when the object to be seen through is a minute object or an ultrafine object, the dimension of the X-ray generation source (focus) of the X-ray tube is required to be on the order of several μm. Such an X-ray tube having a micro focus on the order of several μm is called a microfocus X-ray tube. In order to obtain such a microfocus, the electron beam trajectory is focused on the cathode of the X-ray tube and the outer diameter of the electron beam itself is set to a few μm.
It is necessary to form it to a size of m order.

【0004】従来、マイクロフォーカスX線管では、陰
極に複数のグリッド電極を配置し、これらのグリッド電
極に与える電圧によって形成される電界分布によって静
電レンズを作り、この静電レンズによって電子ビームの
軌道を収束する方式を採っている。このとき、複数のグ
リッド電極にそれぞれ異なる電位差電圧を印加して、任
意の焦点寸法を形成できるように制御している。このよ
うなX線管の場合、グリッド電極に印加する電圧を制御
する必要性から、通常のX線管で用いられているような
中性点接地方式は採られず、主に陰極接地方式が用いら
れている。
Conventionally, in a microfocus X-ray tube, a plurality of grid electrodes are arranged on the cathode, an electrostatic lens is formed by the electric field distribution formed by the voltage applied to these grid electrodes, and the electrostatic lens is used to generate an electron beam. The method of converging the orbit is adopted. At this time, different potential difference voltages are applied to the plurality of grid electrodes, and control is performed so that an arbitrary focus size can be formed. In the case of such an X-ray tube, since it is necessary to control the voltage applied to the grid electrode, the neutral point grounding method used in a normal X-ray tube is not adopted, and the cathode grounding method is mainly used. It is used.

【0005】このようなマイクロフォーカスを有するX
線管及びそれを内蔵したX線装置に関する技術として
は、米国特許5,077,771号、米国特許4,646,338号、米国
特許4,694,48号、特開平7−29532号などに記載された技
術が知られている。
X having such a micro focus
As a technique relating to a ray tube and an X-ray device incorporating the same, there are known techniques described in US Pat. No. 5,077,771, US Pat. No. 4,646,338, US Pat. No. 4,694,48, and JP-A-7-29532.

【0006】米国特許5,077,771号、米国特許4,646,338
号、米国特許4,694,480号には、X線管と、モールドされ
た高電圧電源及び制御回路とから構成された携帯用のX
線装置が開示されている。
US Pat. No. 5,077,771 and US Pat. No. 4,646,338
No. 4,694,480, a portable X-ray tube consisting of an X-ray tube and a molded high voltage power supply and control circuit.
A line device is disclosed.

【0007】これらのX線装置では、X線管への電圧の印
加方法として、カソードアース、ターゲットアース、或
いはフォーカス電圧を可変する方法が用いられている。
しかし、いずれの方法も、マイクロフォーカスX線管を
内蔵するX線装置としての重要な要件である微小焦点X線
を発生制御する方法には適していなかった。
In these X-ray apparatuses, as a method of applying a voltage to the X-ray tube, a cathode ground, a target ground, or a method of varying the focus voltage is used.
However, neither method is suitable for a method of generating and controlling microfocus X-rays, which is an important requirement for an X-ray apparatus incorporating a microfocus X-ray tube.

【0008】また、各部の高電圧発生回路の電圧制御方
式がパルス幅変調(PWM:Pulse Width Modulation)方式
であり、制御パルスのパルス幅を変えて実効電圧を制御
するようになっているため、高電圧(二次側コイル)側
の追従性が悪く、X線出力のゆらぎが大きかった。
Further, the voltage control system of the high voltage generating circuit of each part is a pulse width modulation (PWM) system, and the effective voltage is controlled by changing the pulse width of the control pulse. The followability on the high voltage (secondary coil) side was poor, and the fluctuation of the X-ray output was large.

【0009】また、特開平7−29532号には、上記の問題
を解決するための技術が開示されている。すなわち、特
開平7−29532号のX線装置では、先ず、カソード、ター
ゲット、アース電位のフォーカス電極及びアース電位の
外囲器を備えたX線管と、ターゲットへの印加電圧の変
化に連動させて、一定の比率でカソードへの印加電圧を
変化させるように制御する制御回路とを備えており、こ
の制御回路によって微小焦点を形成する電子ビームの外
径を一定にし、X線出力の変動を抑制している。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 7-29532 discloses a technique for solving the above problem. That is, in the X-ray device of Japanese Patent Laid-Open No. 7-29532, first, an X-ray tube including a cathode, a target, a focus electrode having a ground potential, and an envelope having a ground potential, and a change in the voltage applied to the target are linked. And a control circuit that controls the voltage applied to the cathode to change at a constant ratio.The control circuit keeps the outer diameter of the electron beam that forms a minute focal point constant and changes the X-ray output. It's suppressed.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記従来のマイクロフ
ォーカスX線管では、グリッド電極に印加する電圧の制
御を容易に行うために、陰極全体の基準電位(電子ビー
ムの加速電圧のうち陰極側が分担する電位)をアース電
位もしくは所望のX線管電圧に比べてほぼアース電位と
みなされる低電圧の電位としている。各々のグリッド電
極には、この基準電位に基づいてバイアス電圧を与えて
いる。このため、所望のX線エネルギーを得るためのX
線管電圧のほとんど全てを陽極側で負担している。従っ
て、アース電位となる外囲器と陽極との間の耐電圧特性
を安全に保持するためには、両者の間隔を一定値以上に
確保しなければならない。
In the above conventional microfocus X-ray tube, in order to easily control the voltage applied to the grid electrode, the reference potential of the entire cathode (cathode side is shared among the acceleration voltage of the electron beam is shared). Potential) is a ground potential or a low voltage potential that is considered to be substantially the ground potential compared to the desired X-ray tube voltage. A bias voltage is applied to each grid electrode based on this reference potential. Therefore, X to obtain the desired X-ray energy
Almost all of the tube voltage is borne by the anode side. Therefore, in order to safely maintain the withstand voltage characteristics between the envelope and the anode, which are at the ground potential, the distance between the two must be secured to a certain value or more.

【0011】これに対し、マイクロフォーカスX線管で
は、撮影などの対象となる微細物などを拡大撮影するた
め、より高い幾何学的拡大率が要求される。X線管にお
いて、高拡大率を得るためには、X線管の焦点と外囲器
(特に、X線放射窓の位置)との間の距離を縮めること
が要求される。このため、陰極全体の基準電位をアース
電位またはそれに近い低電圧とするタイプのX線管で
は、焦点と外囲器との間の距離を縮めることが困難とな
り、上記の高拡大率を得ることが困難となる。
On the other hand, the microfocus X-ray tube is required to have a higher geometrical magnifying power in order to magnify and photograph a fine object to be photographed. In order to obtain a high magnification in an X-ray tube, it is required to reduce the distance between the focus of the X-ray tube and the envelope (in particular, the position of the X-ray emission window). For this reason, it is difficult to reduce the distance between the focus and the envelope with an X-ray tube of a type in which the reference potential of the entire cathode is a ground potential or a low voltage close to it, and it is possible to obtain the above high magnification. Will be difficult.

【0012】上記に鑑み、本発明では、高拡大率が得ら
れ、かつ小型のマイクロフォーカスX線管及びそれを用
いたX線装置を提供することを目的とする。
In view of the above, it is an object of the present invention to provide a compact microfocus X-ray tube which can obtain a high magnification and an X-ray apparatus using the same.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のX線管は、電子ビームを放出するカソード
電極と前記電子ビームの軌道及び電流量を制御する複数
のグリッド電極とを有する陰極と、前記電子ビームの衝
突によりX線を発生させるターゲットを有する陽極と、
前記陰極と前記陽極とを真空気密に封入し、前記ターゲ
ットで発生したX線を外部に放射するX線放射窓を有する
外囲器とから構成され、前記グリッド電極に印加するグ
リッド電圧の制御により微小焦点を得るX線管におい
て、前記外囲器をアース電位とし、X線管電圧をほぼ二
等分し、その負の高電圧が前記陰極のカソード電極に、
その正の高電圧が前記陽極に印加されるものである(請
求項1)。
In order to achieve the above object, an X-ray tube of the present invention has a cathode electrode for emitting an electron beam and a plurality of grid electrodes for controlling the orbit and current amount of the electron beam. A cathode, an anode having a target that generates X-rays by the collision of the electron beam,
The cathode and the anode are hermetically sealed in a vacuum-tight manner, and are composed of an envelope having an X-ray emission window that radiates X-rays generated in the target to the outside, by controlling the grid voltage applied to the grid electrode. In an X-ray tube for obtaining a micro focus, the envelope is set to ground potential, the X-ray tube voltage is divided into two equal parts, and the negative high voltage is applied to the cathode electrode of the cathode.
The positive high voltage is applied to the anode (claim 1).

【0014】この構成では、マイクロフォーカスX線管
にて、外囲器をアース電位とし、陽極と陰極に正、負の
高電圧を印加する中性点接地方式を採用しているので、
従来の同じX線管電圧のマイクロフォーカスX線管に比
べ、外囲器と陽極との間にかかる電圧が約1/2に低下す
るため、外囲器と陽極との間隔を狭くすることが可能と
なる。その結果、X線管の焦点とX線放射窓との距離を短
くすることができるため、マイクロフォーカスによる拡
大撮影時の幾何学的拡大率を大きくすることができ、微
小被検体の精細な画像を得ることができる。
In this structure, the neutral point grounding system is adopted in which the envelope is set to the ground potential and the positive and negative high voltages are applied to the anode and the cathode in the microfocus X-ray tube.
Compared with the conventional microfocus X-ray tube with the same X-ray tube voltage, the voltage applied between the envelope and the anode is reduced to about 1/2, so it is possible to narrow the distance between the envelope and the anode. It will be possible. As a result, the distance between the focal point of the X-ray tube and the X-ray radiation window can be shortened, and the geometrical magnification rate at the time of magnifying imaging by microfocus can be increased, resulting in a fine image of a minute object. Can be obtained.

【0015】また、本発明のX線管では、更に前記複数
のグリッド電極にはそれぞれ前記カソード電極に印加さ
れる負の高電圧を基準電位とした独立のグリッド電圧が
印加される。
Further, in the X-ray tube of the present invention, an independent grid voltage is applied to each of the plurality of grid electrodes with a negative high voltage applied to the cathode electrode as a reference potential.

【0016】この構成では、複数のグリッド電極に印加
されるグリッド電圧がそれぞれ独立しているので、これ
らの独立のグリッド電圧を複数のグリッド電極にカソー
ド電極の電位を基準にして適当に印加することにより、
カソード電極の前面に電子ビームを集束するための適正
な静電レンズを容易に形成することができる。その結
果、カソード電極からの電子ビームの集束が容易とな
り、マイクロフォーカスを得ることが容易となる。
In this configuration, since the grid voltages applied to the plurality of grid electrodes are independent of each other, these independent grid voltages should be appropriately applied to the plurality of grid electrodes with reference to the potential of the cathode electrode. Due to
An appropriate electrostatic lens for focusing the electron beam can be easily formed on the front surface of the cathode electrode. As a result, focusing of the electron beam from the cathode electrode is facilitated, and microfocusing is facilitated.

【0017】また、本発明のX線装置は、上記のX線管
と、該X線管の陽極と陰極に印加するための正、負の高
電圧を生成する高電圧発生回路と、前記X線管のグリッ
ド電極に印加するための複数のグリッド電圧を生成する
グリッド電圧発生回路と、前記高電圧発生回路と前記グ
リッド電圧発生回路の動作を制御する制御部と、該制御
部への制御データの入力などを行うインターフェース部
と、少なくとも前記X線管と前記高電圧発生回路と前記
グリッド電圧発生回路を絶縁して収納する容器とを備え
たものである(請求項2)。
Further, the X-ray apparatus of the present invention comprises the above-mentioned X-ray tube, a high voltage generating circuit for generating high positive and negative voltages for applying to the anode and the cathode of the X-ray tube, and the X-ray tube. A grid voltage generation circuit that generates a plurality of grid voltages to be applied to the grid electrode of the line tube, a control unit that controls the operations of the high voltage generation circuit and the grid voltage generation circuit, and control data to the control unit. And an container for storing at least the X-ray tube, the high voltage generating circuit and the grid voltage generating circuit in an insulated manner (Claim 2).

【0018】この構成のX線装置では、中性点接地方式
のマイクロフォーカスX線管と、これを駆動、制御する
ための電源と制御部とを備えているので、被検体の拡大
撮影検査時に従来のマイクロフォーカスX線装置に比
べ、焦点と被検体との間の距離を小さくすることがで
き、幾何学的拡大率を大きくすることができる。その結
果、被検体の微小対象物の精細な画像を得ることができ
る。
Since the X-ray apparatus of this construction is provided with a neutral-point grounding type microfocus X-ray tube, and a power supply and a control unit for driving and controlling the same, it is possible to perform a magnifying imaging examination of a subject. The distance between the focal point and the subject can be reduced and the geometric magnification can be increased as compared with the conventional microfocus X-ray apparatus. As a result, a fine image of the minute object of the subject can be obtained.

【0019】また、本発明のX線装置では、更に前記グ
リッド電圧発生回路にてグリッド電圧の生成に用いる電
圧を前記高電圧発生回路の負の高電圧発生部で発生した
高電圧から分圧して使用している。
Further, in the X-ray apparatus of the present invention, the voltage used for generating the grid voltage in the grid voltage generating circuit is further divided from the high voltage generated in the negative high voltage generating section of the high voltage generating circuit. I'm using it.

【0020】この構成では、グリッド電圧の生成に高電
圧発生回路の負の高電圧発生部で発生した高電圧を分圧
して直接使用しているので、従来のX線装置の如く、グ
リッド電圧発生のための絶縁変圧器を使用せずに済むの
で、小型で電源一体型のX線装置を実現することができ
る。
In this configuration, since the high voltage generated in the negative high voltage generating section of the high voltage generating circuit is directly used after being divided for generating the grid voltage, the grid voltage is generated as in the conventional X-ray apparatus. Since it is not necessary to use an isolation transformer for, a compact X-ray device with an integrated power supply can be realized.

【0021】また、本発明のX線装置では、更に前記高
電圧発生回路の負の高電圧発生部で発生する高電圧の電
位差を、正の高電圧発生部で発生する高電圧の電位差よ
りも高くしている。
Further, in the X-ray apparatus of the present invention, the potential difference of the high voltage generated in the negative high voltage generating section of the high voltage generating circuit is more than that of the high voltage generated in the positive high voltage generating section. It's high.

【0022】この構成では、グリッド電圧の生成のため
に分圧して使用される高電圧発生回路の負の高電圧発生
部で発生する電位差を、正の高電圧発生部で発生する電
位差よりも高くしているので、負の高電圧発生部で発生
する高電圧を使用するグリッド電圧としては、X線管の
陰極側の基準電位となるカソード電極の電位より低い電
位を生成することが可能となる。この結果、複数のグリ
ッド電極に、陰極側の基準電位に対し正、負のグリッド
電圧を印加することができるので、電子ビームに対し精
度のよい静電レンズを形成するのが容易となる。
In this structure, the potential difference generated in the negative high voltage generating section of the high voltage generating circuit used by dividing the voltage for generating the grid voltage is higher than the potential difference generated in the positive high voltage generating section. Therefore, it is possible to generate a potential lower than the potential of the cathode electrode, which is the reference potential on the cathode side of the X-ray tube, as the grid voltage that uses the high voltage generated by the negative high voltage generator. . As a result, since positive and negative grid voltages can be applied to the plurality of grid electrodes with respect to the reference potential on the cathode side, it is easy to form an electrostatic lens with high accuracy for the electron beam.

【0023】また、本発明のX線装置では、更に前記高
電圧発生回路をコッククロフト回路とし、そのコックク
ロフト回路の負の高電圧発生部では発生する高電圧が高
くなるようにコンデンサとダイオードの組数を正の高電
圧発生部のものより1組以上多くしたものである(以
下、このコンデンサとダイオードの組数を多くした部分
を付加部と略称する)。
Further, in the X-ray apparatus of the present invention, the high voltage generating circuit is a cockcroft circuit, and the number of sets of capacitors and diodes is set so that the high voltage generated in the negative high voltage generating part of the cockcroft circuit is high. Is one or more than that of the positive high voltage generating section (hereinafter, the section in which the number of pairs of the capacitor and the diode is increased is abbreviated as an additional section).

【0024】この構成では、高電圧発生回路がコックク
ロフト回路であるので、正と負の高電圧発生部を設ける
のは容易であり、また正と負の高電圧発生部でコンデン
サとダイオードの組数を変えて、両者で発生する電圧値
を変えることも容易に行うことができる。また、負の高
電圧発生部に付加部を設けたことにより、負の高電圧発
生部の電位差は正の高電圧発生部の電位差よりも高くな
っている。
In this configuration, since the high voltage generating circuit is the Cockcroft circuit, it is easy to provide the positive and negative high voltage generating portions, and the number of sets of capacitors and diodes in the positive and negative high voltage generating portions is large. It is also possible to easily change the voltage values generated by the two by changing. Further, since the additional portion is provided in the negative high voltage generation portion, the potential difference of the negative high voltage generation portion is higher than the potential difference of the positive high voltage generation portion.

【0025】また、本発明のX線装置では、更に前記コ
ッククロフト回路の負の高電圧発生部の付加部で発生す
る電圧を分圧して前記グリッド電圧発生回路のグリッド
電圧の生成に使用するものである。
Further, in the X-ray apparatus of the present invention, the voltage generated in the additional portion of the negative high voltage generating portion of the Cockcroft circuit is divided and used for generating the grid voltage of the grid voltage generating circuit. is there.

【0026】この構成では、グリッド電圧発生回路の入
力電圧としてコッククロフト回路の負の高電圧発生部の
付加部で発生した電圧を利用しているので、グリッド電
圧発生用に別電源を設ける必要がなくなり、グリッド電
圧発生回路が簡素化され、X線装置の小型化に寄与す
る。
In this configuration, since the voltage generated in the additional portion of the negative high voltage generating portion of the Cockcroft circuit is used as the input voltage of the grid voltage generating circuit, it is not necessary to provide a separate power source for generating the grid voltage. The grid voltage generation circuit is simplified, which contributes to downsizing of the X-ray device.

【0027】また、本発明のX線装置では、更に前記グ
リッド電圧発生回路にて生成されるグリッド電圧が前記
制御部から絶縁された光ケーブルを介して前記グリッド
電圧発生回路に送付される光信号によって制御される
(請求項3)。
Further, in the X-ray apparatus of the present invention, the grid voltage generated by the grid voltage generating circuit is further changed by an optical signal sent to the grid voltage generating circuit via an optical cable insulated from the control section. Controlled (Claim 3).

【0028】この構成では、グリッド電圧が制御部から
光ケーブルを介して送付される光信号によって制御され
るので、グリッド電圧発生回路と制御部との間は完全に
絶縁される。この結果、従来の如くグリッド電圧の発生
のために絶縁変圧器を用いる必要はなくなるので、X線
装置の小型化に寄与する。
In this configuration, since the grid voltage is controlled by the optical signal sent from the control section through the optical cable, the grid voltage generating circuit and the control section are completely insulated. As a result, it is not necessary to use an insulating transformer for generating grid voltage as in the conventional case, which contributes to downsizing of the X-ray device.

【0029】また、本発明のX線装置では、更に前記グ
リッド電圧発生回路のグリッド電圧は、前記制御部にお
いてパルス幅変調(PWM)制御方式によって制御された光
信号によって制御されている。
Further, in the X-ray apparatus of the present invention, the grid voltage of the grid voltage generating circuit is further controlled by the optical signal controlled by the pulse width modulation (PWM) control method in the control section.

【0030】この構成では、グリッド電圧の電圧値が、
周波数の変動が小さく、パルス幅の精度の高いPWM制御
方式によって制御されるので、グリッド電圧値の精度は
向上し、安定したものとなる。
In this configuration, the voltage value of the grid voltage is
Since it is controlled by the PWM control method with small frequency fluctuation and high pulse width accuracy, the accuracy of the grid voltage value improves and becomes stable.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付図面を参照して説明する。図1に、本発明に係るX線装
置の一実施例の概略構成を示す。図1を用いて、X線装置
の全体構成について説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of an X-ray apparatus according to an embodiment of the present invention. The overall configuration of the X-ray apparatus will be described with reference to FIG.

【0032】図1において、本発明に係るX線装置10は、
マイクロフォーカスを備えたX線管20と、X線管20に高電
圧を供給する高電圧発生回路22と、X線管20の陰極を構
成するグリッド電極にグリッド電圧を供給するグリッド
電圧発生回路24と、X線管20のカソードを加熱するため
のカソード電源回路26と、X線管20の陽極を回転駆動す
るステータ28と、ステータ28を付勢するための陽極回転
電源30と、これらの電源回路を制御し、X線管20の動作
を制御する制御部32と、操作者が制御部32にデータイン
プットなどを行うインターフェース部34と、X線管20や
各種電源などを収容する収納容器36などから構成され
る。
In FIG. 1, an X-ray apparatus 10 according to the present invention is
An X-ray tube 20 provided with a micro focus, a high voltage generation circuit 22 for supplying a high voltage to the X-ray tube 20, and a grid voltage generation circuit 24 for supplying a grid voltage to a grid electrode forming the cathode of the X-ray tube 20. A cathode power supply circuit 26 for heating the cathode of the X-ray tube 20, a stator 28 for rotationally driving the anode of the X-ray tube 20, an anode rotating power supply 30 for energizing the stator 28, and these power supplies. A control unit 32 that controls the circuit and controls the operation of the X-ray tube 20, an interface unit 34 that allows an operator to input data to the control unit 32, and a storage container 36 that stores the X-ray tube 20 and various power sources. Etc.

【0033】ここで、制御部32は、高電圧発生回路22を
制御する高電圧制御部(40)と、グリッド電圧発生回路
24を制御するグリッド電圧制御部(42)と、カソード電
源回路26を制御するカソード制御部(44)と、陽極回転
電源30を制御する陽極回転制御部と、その他の制御を行
うその他制御部などから構成される。これらの制御部の
うち、陽極回転制御部以外は、高電圧が関係する。
Here, the control unit 32 includes a high voltage control unit (40) for controlling the high voltage generation circuit 22 and a grid voltage generation circuit.
A grid voltage control unit (42) for controlling 24, a cathode control unit (44) for controlling the cathode power supply circuit 26, an anode rotation control unit for controlling the anode rotation power supply 30, and other control units for performing other controls. Composed of. Of these control units, high voltage is involved except for the anode rotation control unit.

【0034】図2には、本実施例のX線装置における収
納容器内の主要構成品の配置例を示す。図2において、
収納容器36は金属の板状体から構成された直方体の筺体
で、内面の必要な部分には防X線のための鉛板などが貼
付されている。この筺体の形状は円筒体などの他の形状
でもよい。収納容器36の中央部には、X線管20が主とし
て絶縁物から成る固定用部材62によって陽極端を支持さ
れて、収納容器36の下壁に固定されている。このとき、
X線管20のX線放射窓136は、収納容器36の上壁面に近接
して配置されるよう寸法調整されている。また、X線管2
0の陰極側の給電部118は収納容器36の左側壁面に向けて
配置されている。
FIG. 2 shows an example of the arrangement of main components in the storage container in the X-ray apparatus of this embodiment. In FIG.
The storage container 36 is a rectangular parallelepiped housing made of a metal plate, and a lead plate for X-ray prevention is attached to a necessary portion of the inner surface. The shape of this housing may be another shape such as a cylindrical body. In the center of the storage container 36, the X-ray tube 20 is fixed to the lower wall of the storage container 36 with its anode end supported by a fixing member 62 mainly made of an insulating material. At this time,
The X-ray radiation window 136 of the X-ray tube 20 is dimensionally adjusted so as to be arranged close to the upper wall surface of the storage container 36. Also, X-ray tube 2
The cathode-side power supply unit 118 of 0 is arranged toward the left wall surface of the storage container 36.

【0035】また、収納容器36の右側壁面には高電圧発
生回路22が絶縁支持され、左側壁面にはグリッド電圧発
生回路24とカソード電源回路26が絶縁支持されている。
X線管20の陽極側外周には回転陽極120を回転させるステ
ータ28が配置されている。収納容器36の内部には各構成
品相互間の絶縁をするために絶縁油60が充填されてい
る。この絶縁には、絶縁油60以外にも、他の液状絶縁物
や六弗化硫黄(SF)などの気状絶縁物を用いてもよ
い。
Further, the high voltage generating circuit 22 is insulated and supported on the right side wall surface of the storage container 36, and the grid voltage generating circuit 24 and the cathode power supply circuit 26 are insulated and supported on the left side wall surface.
A stator 28 for rotating the rotating anode 120 is arranged on the outer periphery of the X-ray tube 20 on the anode side. The inside of the storage container 36 is filled with insulating oil 60 in order to insulate each component from each other. For this insulation, in addition to the insulating oil 60, other liquid insulation materials or gaseous insulation materials such as sulfur hexafluoride (SF 6 ) may be used.

【0036】図3には、本発明に係るX線管20の一実施例
の構造図を、図4には陰極構造の拡大図を示す。図3にお
いて、マイクロフォーカスを備えたX線管20は、電子ビ
ーム62を発生する陰極100と、電子ビーム62が衝突してX
線を発生する回転陽極120と、陰極100と回転陽極120を
絶縁して支持し、真空気密に封入する外囲器130とから
成る。本実施例のX線管20は、中性点接地方式で使用さ
れるもので、外囲器130はアース電位に保持され、回転
陽極120には正の高電圧が、陰極100には負の高電圧
がそれぞれ印加される。
FIG. 3 is a structural view of an embodiment of the X-ray tube 20 according to the present invention, and FIG. 4 is an enlarged view of the cathode structure. In FIG. 3, the X-ray tube 20 equipped with a micro focus is arranged such that the cathode 100 that generates the electron beam 62 collides with the electron beam 62 and the X
It consists of a rotating anode 120 that generates a wire, and an envelope 130 that insulates and supports the cathode 100 and the rotating anode 120 and hermetically seals them in a vacuum. The X-ray tube 20 of the present embodiment is used in a neutral point grounding system, the envelope 130 is held at the ground potential, a positive high voltage is applied to the rotating anode 120, and a negative voltage is applied to the cathode 100. High voltage is applied respectively.

【0037】陰極100には、ヒータ電極102と、カソード
電極104と、グリッド電極(以下、G1またはG1電極と略
称する場合がある)106と、フォーカス電極(2種類の
電極から成り、第1フォーカス電極と第2フォーカス電
極とに区別する。以下、それぞれのフォーカス電極をG
2、G3またはG2電極、G3電極と略称する場合がある)10
8、110と、陰極支持体112から構成されている。グリッ
ド電極106とフォーカス電極108、110は機能的な差異か
ら別名称としているが、いずれも電子ビーム62を集束す
るための電極であるので、以下の説明ではまとめてグリ
ッド電極と総称し、G1、G2、G3で区別する場合もある。
The cathode 100 includes a heater electrode 102, a cathode electrode 104, a grid electrode (hereinafter sometimes abbreviated as G1 or G1 electrode) 106, and a focus electrode (composed of two types of electrodes). The electrodes are distinguished from the second focus electrodes.
2, G3 or G2 electrode, sometimes abbreviated as G3 electrode) 10
8 and 110, and a cathode support 112. The grid electrode 106 and the focus electrodes 108 and 110 have different names due to their functional differences, but since they are both electrodes for focusing the electron beam 62, they are collectively referred to as grid electrodes in the following description, and G1, It may be distinguished by G2 and G3.

【0038】カソード電極104は熱電子放出源で、本実
施例では含浸型カソードが用いられている。この含浸型
カソードでは、多孔質タングステンに酸化バリウム(Ba
O)、酸化カルシウム(CaO)、アルミナ(AlO)を
含浸させ、その電子放射面にオスミウム(Os)、イリジウ
ム(Ir)、オスミウム/ルテニウム合金(Os/Ru)など
を被覆している。オスミウム(Os)などの被覆により、カ
ソードの動作温度が被覆のないものに比べ100℃程度低
下させることができるため、カソードがより長寿命とな
っている。
The cathode electrode 104 is a thermoelectron emission source, and an impregnated cathode is used in this embodiment. In this impregnated cathode, porous tungsten and barium oxide (Ba
O), calcium oxide (CaO), alumina (Al 2 O 3 ) is impregnated, and its electron emission surface is coated with osmium (Os), iridium (Ir), osmium / ruthenium alloy (Os / Ru), etc. . By coating with osmium (Os), the operating temperature of the cathode can be lowered by about 100 ° C compared to that without the coating, so the cathode has a longer life.

【0039】カソード電極104の内部にはヒータ電極102
が配設され、後述のヒータ電源から供給されたヒータ電
圧によって一定温度まで加熱することにより、カソード
電極104の電子放射面から熱電子が放出される。カソー
ド電極104で発生した熱電子は、グリッド電極106及びフ
ォーカス電極108、110によって集束され、細い電子ビー
ム(X線管電流)62となる。
The heater electrode 102 is provided inside the cathode electrode 104.
Is provided, and thermionic electrons are emitted from the electron emission surface of the cathode electrode 104 by heating to a constant temperature by a heater voltage supplied from a heater power supply described later. The thermoelectrons generated at the cathode electrode 104 are focused by the grid electrode 106 and the focus electrodes 108 and 110 to form a narrow electron beam (X-ray tube current) 62.

【0040】図3及び図4において、グリッド電極106と
フォーカス電極108、110は、モリブデン(Mo)などの耐熱
性及び放熱性の優れた金属材料から成り、図示の如くカ
ソード電極104の前面に同心状に間隔をとって配置さ
れ、後述のグリッド電圧発生回路24から供給されるバイ
アス電位が印加されることにより、電子ビーム62を集束
するための静電レンズを形成する。グリッド電極106と
フォーカス電極108、110には、所望の微小焦点を形成す
るために、カソード電極104からの電子ビーム62を通す
穴が設けられており、各々の電極の形状はバイアス電位
の印加によって電子ビーム集束作用を持つように設計さ
れている。
3 and 4, the grid electrode 106 and the focus electrodes 108 and 110 are made of a metal material such as molybdenum (Mo) having excellent heat resistance and heat dissipation, and are concentric with the front surface of the cathode electrode 104 as shown. An electrostatic lens for focusing the electron beam 62 is formed by applying a bias potential supplied from a grid voltage generating circuit 24, which will be described later, at intervals. The grid electrode 106 and the focus electrodes 108 and 110 are provided with holes through which the electron beam 62 from the cathode electrode 104 is passed in order to form a desired fine focus, and the shape of each electrode is determined by applying a bias potential. It is designed to have an electron beam focusing effect.

【0041】ヒータ電極102、カソード電極104、グリッ
ド電極106、フォーカス電極108、110は、陰極支持体112
によって絶縁して支持されている。本実施例の陰極支持
体112は絶縁支柱114とステム116とから成り、絶縁支柱1
14は図4に示す如く各電極の外周部を絶縁支持し、ステ
ム116は図3に示す如く絶縁支柱114と各電極との組立体
を支持する。絶縁支柱114は複数本(2〜4本)のマルチ
フォームガラスなどの絶縁体の支柱から構成されてお
り、これらの支柱にグリッド電極106、フォーカス電極1
08、110の外周部が金具111を介して取り付けられてい
る。
The heater electrode 102, the cathode electrode 104, the grid electrode 106, the focus electrodes 108 and 110 are the cathode support 112.
Insulated and supported by. The cathode support 112 of this embodiment is composed of an insulating strut 114 and a stem 116.
Reference numeral 14 insulates and supports the outer peripheral portion of each electrode as shown in FIG. 4, and stem 116 supports the assembly of the insulating support 114 and each electrode as shown in FIG. The insulating pillar 114 is composed of a plurality of pillars (2 to 4 pieces) of an insulator such as multi-form glass, and the grid electrode 106 and the focus electrode 1 are formed on these pillars.
The outer peripheral portions of 08 and 110 are attached via metal fittings 111.

【0042】また、ステム116は耐熱性ガラスなどの絶
縁材料から成り、その中にグリッド電極106などへの給
電のためのリードが封入されている。このステム116上
にリードなどを介して絶縁支柱114と各電極との組立体
が取り付けられて、各電極とリードとの配線が行われて
いる。
The stem 116 is made of an insulating material such as heat resistant glass, and the lead for supplying power to the grid electrode 106 and the like is enclosed therein. An assembly of the insulating support 114 and each electrode is attached to the stem 116 via a lead or the like, and wiring between each electrode and the lead is performed.

【0043】次に、図3において、X線管20の回転陽極12
0は、陰極100からの電子ビーム62が衝突してX線を発生
するターゲット122と、ターゲット122を支持して回転す
る回転部124と、回転部124を回転自在に支持する固定部
126とから構成される。ターゲット122はタングステン
(W)やタンタル(Ta)などのX線発生効率のよい、高原子番
号の高融点金属(または合金)材料から成る。その形状
は円錐台状であり、X線放射方向Xに向けて傾斜角度θを
設けた構成となっている。本実施例では、ターゲット12
2の傾斜角度θは、電子ビーム62の軌道に垂直な面に対
し、約25度前後の角度としている。
Next, referring to FIG. 3, the rotating anode 12 of the X-ray tube 20.
0 is a target 122 that collides with the electron beam 62 from the cathode 100 to generate X-rays, a rotating portion 124 that supports and rotates the target 122, and a fixed portion that rotatably supports the rotating portion 124.
It is composed of 126 and. Target 122 is tungsten
It is made of a refractory metal (or alloy) material having a high atomic number, such as (W) and tantalum (Ta), which has a high X-ray generation efficiency. Its shape is a truncated cone, and the inclination angle θ is provided in the X-ray radiation direction X. In this embodiment, the target 12
The inclination angle θ of 2 is about 25 degrees with respect to the plane perpendicular to the trajectory of the electron beam 62.

【0044】回転部124は、ターゲット122を支持するタ
ーゲット支持軸124aと、X線管20の外部に配設したステ
ータ28から回転磁界を受けて回転するロータ124bと、ロ
ータ124bの内部に配設された回転軸と、回転軸を回転自
在に支持する軸受などから構成される。固定部126は、
回転部124の軸受を支持し、高電圧発生回路22から給電
される正の高電圧を受ける端子を備えた固定部本体と、
固定部126を外囲器130に接続する固定部絶縁体などから
構成される。
The rotating part 124 includes a target support shaft 124a for supporting the target 122, a rotor 124b which receives a rotating magnetic field from a stator 28 arranged outside the X-ray tube 20 and rotates, and a rotor 124b arranged inside the rotor 124b. And a bearing that rotatably supports the rotating shaft. The fixed portion 126 is
A fixed part main body having a terminal that supports the bearing of the rotating part 124 and receives a positive high voltage supplied from the high voltage generation circuit 22,
It is composed of a fixed part insulator that connects the fixed part 126 to the envelope 130.

【0045】外囲器130は、陰極100及び回転陽極120の
ターゲット122の部分を封入する胴体部132と、回転陽極
120の回転部124と固定部126の部分を封入する陽極封止
部134とから構成される。胴体部132は両端に円板状の底
の付いた円筒状をしており、大部分がステンレスや銅な
どの金属材料から成る。胴体部132の円筒状部132aのほ
ぼ中央部に陰極100の陰極支持体112がステム116を介し
て接続されている。胴体部132とステム116とは、ステム
116を構成する絶縁物と熱膨張率を合わせた金属材料、
例えばコバールなどを介在させて接続されると共に、胴
体部132の金属部分とステム116に封入されるリードとの
間の絶縁距離が十分とれるように配慮される。
The envelope 130 includes a body portion 132 that encloses the cathode 100 and the target 122 portion of the rotating anode 120, and the rotating anode.
It is composed of a rotating part 124 of 120 and an anode sealing part 134 that encloses the fixed part 126. The body portion 132 has a cylindrical shape with disk-shaped bottoms at both ends, and is mostly made of a metal material such as stainless steel or copper. A cathode support 112 of the cathode 100 is connected to a substantially central portion of the cylindrical portion 132a of the body portion 132 via a stem 116. The body part 132 and the stem 116 are
A metal material that matches the coefficient of thermal expansion with the insulators that make up 116
For example, the connection is made by interposing Kovar or the like, and consideration is given so that the insulation distance between the metal portion of the body portion 132 and the lead enclosed in the stem 116 is sufficient.

【0046】胴体部132の一方の円板状部132bの、ター
ゲット122のX線発生部(以下、焦点とも云う)123に近い
部分にX線放射窓136が取り付けられている。X線放射窓1
36の材料としてはX線透過率の高いベリリウム(Be)な
どが用いられ、このベリリウムの薄板がステンレスなど
の金属材料から成る窓枠にろう付けされて、胴体部132
に溶接などにより接続される。
An X-ray radiation window 136 is attached to a portion of one disk-shaped portion 132b of the body portion 132 near the X-ray generation portion (hereinafter also referred to as a focus) 123 of the target 122. X-ray emission window 1
Beryllium (Be), which has a high X-ray transmittance, is used as the material of 36, and the thin plate of beryllium is brazed to a window frame made of a metal material such as stainless steel to form a body 132.
Is connected by welding or the like.

【0047】胴体部132の他方の円板状部132cには開口1
32dが設けられており、その開口132dに円筒状の陽極封
止部134の一端が接続される。陽極封止部134の円筒状の
部分は、その大部分がガラスまたはセラミックなどの絶
縁材料から成り、胴体部132との接続は、コバールなど
の金属材料を介在させて行っている。陽極封止部134と
回転陽極120の固定部126との間の接続も同様に行われ
る。
The opening 1 is formed in the other disk-shaped portion 132c of the body portion 132.
32d is provided, and one end of a cylindrical anode sealing portion 134 is connected to the opening 132d. Most of the cylindrical portion of the anode sealing portion 134 is made of an insulating material such as glass or ceramic, and is connected to the body portion 132 by interposing a metal material such as Kovar. The connection between the anode sealing portion 134 and the fixed portion 126 of the rotary anode 120 is similarly made.

【0048】次に、図1を参照して、X線管20への給電に
ついて説明する。先ず、X線管20の回転陽極120と陰極10
0に高電圧発生回路22から正、負の高電圧が印加され
る。回転陽極120への正の高電圧の印加は配線140を介し
て直接行われるが、陰極100への負の高電圧の印加は配
線142を通して、グリッド電圧発生回路24を経由した上
で、配線144を介してカソード電極104に行われる。陰極
100のグリッド電極106とフォーカス電極108、110にはグ
リッド電圧発生回路24で生成された3つのグリッド電圧
が配線145、146、147を介して印加される。また、陰極1
00のヒータ電極102にはヒータ電源からの電圧がグリッ
ド電圧発生回路24を経由して、配線144、148を介して印
加される。このとき、カソード電極104とヒータ電極102
の一方の端子は同電位にしてあり、共通の配線144が用
いられる。また、それぞれの高電圧回路の低電圧側及び
ステータ28への給電は、制御部32からそれぞれに行われ
る。
Next, power feeding to the X-ray tube 20 will be described with reference to FIG. First, the rotating anode 120 and the cathode 10 of the X-ray tube 20.
High positive and negative high voltages are applied to 0 from the high voltage generation circuit 22. The positive high voltage is applied directly to the rotating anode 120 via the wiring 140, but the negative high voltage is applied to the cathode 100 via the wiring 142, the grid voltage generating circuit 24, and the wiring 144. Via the cathode electrode 104. cathode
Three grid voltages generated by the grid voltage generation circuit 24 are applied to the grid electrode 106 and the focus electrodes 108 and 110 of 100 through wirings 145, 146 and 147. Also, cathode 1
The voltage from the heater power supply is applied to the heater electrode 102 of 00 via the grid voltage generating circuit 24 and the wirings 144 and 148. At this time, the cathode electrode 104 and the heater electrode 102
One of the terminals has the same potential, and the common wiring 144 is used. Further, the power supply to the low voltage side of each high voltage circuit and the stator 28 is performed from the control unit 32.

【0049】図5に、本発明に係る高電圧発生回路の一
実施例の概略構成を示す。図5には、高電圧発生回路に
関係する高電圧制御部、X線管、グリッド電圧発生回路
も一緒に示した。図5において、高電圧発生回路22には
コンデンサとダイオードとの組合せから成るコッククロ
フト・ウオルトン回路方式の倍電圧回路(以下、コック
クロフト回路と略称する)を採用している。高電圧発生
回路22で発生する高電圧の値としては種々の値がとられ
るが、本実施例の場合、X線管20に印加されるX線管電圧
の最大値を150kVとして、陽極側に+75kV、陰極側に−75
kVの電圧をそれぞれ印加する中性点接地方式をとってい
る。
FIG. 5 shows a schematic configuration of an embodiment of the high voltage generating circuit according to the present invention. FIG. 5 also shows the high voltage control unit, the X-ray tube, and the grid voltage generation circuit related to the high voltage generation circuit. In FIG. 5, a high voltage generating circuit 22 employs a Cockcroft-Walton circuit type voltage doubling circuit (hereinafter, abbreviated as Cockcroft circuit) including a combination of a capacitor and a diode. Although various values can be taken as the value of the high voltage generated by the high voltage generation circuit 22, in the case of the present embodiment, the maximum value of the X-ray tube voltage applied to the X-ray tube 20 is set to 150 kV, and the value is set to the anode side. + 75kV, -75 on the cathode side
It adopts the neutral point grounding method in which each voltage of kV is applied.

【0050】図示の例では、コッククロフト回路150
は、陽極側コッククロフト回路151と陰極側コッククロ
フト回路152とから成り、前者は4個のコンデンサと4個
のダイオードの組合せ、後者は5個のコンデンサと5個の
ダイオードの組合せから構成される。1組のコンデンサ
とダイオードで発生する電圧の最大値は約18.75kVとし
ている。陰極側コッククロフト回路152については、グ
リッド電圧発生回路24の入力電圧をこの回路から分圧し
て利用するためにコンデンサとダイオードを1組追加し
ている。コッククロフト回路150におけるコンデンサと
ダイオードの組数は上記に限定されず、増減してもよい
ことは言うまでもない。
In the illustrated example, the Cockcroft circuit 150
Consists of an anode-side Cockcroft circuit 151 and a cathode-side Cockcroft circuit 152. The former is composed of a combination of four capacitors and four diodes, and the latter is composed of a combination of five capacitors and five diodes. The maximum value of the voltage generated by one set of capacitor and diode is about 18.75kV. With respect to the cathode-side Cockcroft circuit 152, one set of capacitors and diodes is added in order to divide the input voltage of the grid voltage generation circuit 24 and use it. It goes without saying that the number of sets of capacitors and diodes in the Cockcroft circuit 150 is not limited to the above and may be increased or decreased.

【0051】コッククロフト回路150において、変圧器T
154の二次側の出力電圧をVmとすると、コッククロフト
回路150の陽極側コッククロフト回路151及び陰極側コッ
ククロフト回路152の各節点における電圧値は順次Vm、2
Vm、3Vm、…と増加して行く。ただし、陰極側コックク
ロフト回路152では負の符号である。ここで、最大電
圧値は陽極側では4Vmであるのに対し、陰極側では5Vmで
ある。
In the Cockcroft circuit 150, the transformer T
When the output voltage of the secondary side of 154 is Vm, the voltage value at each node of the anode-side Cockcroft circuit 151 and the cathode-side Cockcroft circuit 152 of the Cockcroft circuit 150 is Vm, 2 sequentially.
Vm, 3Vm, ... and increase. However, in the cathode-side Cockcroft circuit 152, it has a negative sign. Here, the maximum voltage value is 4 Vm on the anode side, whereas it is 5 Vm on the cathode side.

【0052】陰極側コッククロフト回路152では、グリ
ッド電極への電圧(グリッド電圧)を生成するために、
第3節点156と第5節点158で発生している電圧を分圧する
ことにしている。第4節点157の電圧−4Vmはカソード電
極104に陰極側の基準電位として付与される。第3節点15
6の電圧−3Vmと第5節点158の電圧−5Vmはグリッド電圧
に利用される。すなわち、2Vmの電圧がグリッド電圧発
生回路24に入力され、そこでG1電圧、G2電圧、G3電圧が
生成され、G1106、G2108、G3110、の各電極に印加さ
れる。このとき、G1電圧、G2電圧、G3電圧について
は、カソード電極104の基準電位との電位差が静電レン
ズの形成に利用される。
In the cathode-side Cockcroft circuit 152, in order to generate a voltage (grid voltage) to the grid electrode,
The voltage generated at the third node 156 and the fifth node 158 will be divided. The voltage −4Vm at the fourth node 157 is applied to the cathode electrode 104 as a reference potential on the cathode side. Third node 15
The voltage of 6 −3 Vm and the voltage of the fifth node 158 −5 Vm are used for the grid voltage. That is, a voltage of 2 Vm is input to the grid voltage generating circuit 24, where G1 voltage, G2 voltage, and G3 voltage are generated and applied to the electrodes of G1106, G2108, and G3110. At this time, regarding the G1, G2, and G3 voltages, the potential difference from the reference potential of the cathode electrode 104 is used for forming the electrostatic lens.

【0053】図6に、図5の高電圧発生回路22を制御する
高電圧制御部の概略構成を示す。図6には、相互の関係
を解り易くするため、高電圧制御部40の他に、高電圧発
生に関与する部分であるX線管20、高電圧発生回路22、
インターフェース部34も示した。以下、図5、図6を用い
て、高電圧発生の制御について説明する。
FIG. 6 shows a schematic structure of a high voltage control unit for controlling the high voltage generation circuit 22 shown in FIG. In FIG. 6, in order to facilitate understanding of the mutual relationship, in addition to the high voltage control unit 40, the X-ray tube 20 which is a part involved in high voltage generation, the high voltage generation circuit 22,
The interface unit 34 is also shown. The control of high voltage generation will be described below with reference to FIGS.

【0054】図6において、高電圧発生回路22は陽極側
高電圧発生部22aと陰極側高電圧発生部22bを備え、イン
ターフェース部34は、操作者がX線管電圧の設定値を入
力する管電圧設定部162を備えている。高電圧制御部40
は、陽極側高電圧発生部22aにて発生する電圧を設定す
る陽極側電圧設定部164と、陰極側高電圧発生部22bにて
発生する電圧を設定する陰極側電圧設定部166と、陽極
側高電圧発生部22aにて発生した電圧を検知する陽極側
電圧検知部168と、陰極側高電圧発生部22bにて発生した
電圧を検知する陰極側電圧検知部170と、陽極側電圧検
知部168の出力と陰極側電圧検知部170の出力を加算して
実際に発生しているX線管電圧を判定する管電圧判定部1
72と、実測したX線管電圧と管電圧設定部162にて設定し
たX線管電圧を比較する比較部174などから構成される。
In FIG. 6, the high voltage generating circuit 22 includes an anode side high voltage generating section 22a and a cathode side high voltage generating section 22b, and an interface section 34 is a tube for an operator to input a set value of the X-ray tube voltage. A voltage setting unit 162 is provided. High voltage controller 40
Is an anode side voltage setting unit 164 that sets the voltage generated by the anode side high voltage generating unit 22a, a cathode side voltage setting unit 166 that sets the voltage generated by the cathode side high voltage generating unit 22b, and the anode side. Anode-side voltage detection unit 168 that detects the voltage generated by the high-voltage generation unit 22a, cathode-side voltage detection unit 170 that detects the voltage generated by the cathode-side high-voltage generation unit 22b, and anode-side voltage detection unit 168 Tube voltage determination unit 1 for determining the actually generated X-ray tube voltage by adding the output of the
72, and a comparison unit 174 that compares the actually measured X-ray tube voltage with the X-ray tube voltage set by the tube voltage setting unit 162.

【0055】図6において、高電圧発生回路22で高電圧
のX線管電圧を発生させるに当っては、操作者は先ずイ
ンターフェース部34の管電圧設定部162からX線管電圧の
設定値を入力する。すると、高電圧制御部40では、管電
圧設定部162で設定されたX線管電圧値に基づいて、高電
圧発生回路22の陽極側高電圧発生部22aと陰極側高電圧
発生部22bを陽極側電圧設定部164と陰極側電圧設定部16
6を介して制御して、設定されたX線管電圧を発生させ、
X線管20の回転陽極120と陰極100に印加する。例えば、X
線管電圧150kVを発生する場合には、管電圧設定部16
2にてこのX線管電圧が設定され、これに基づき高電圧
制御部40の陽極側電圧設定部164と陰極側電圧設定部166
によって図5の変圧器T154の2次側出力が所定の電圧値1
8.75kV(Vm)となるように制御され、その結果、陽極側
高電圧発生部22aの出力側には正の75kV(4Vm)が、陰極
側高電圧発生部22bの出力側には負の75kV(−4Vm)がそ
れぞれ発生する。
In generating the high voltage X-ray tube voltage by the high voltage generating circuit 22 in FIG. 6, the operator first sets the set value of the X-ray tube voltage from the tube voltage setting section 162 of the interface section 34. input. Then, in the high voltage control unit 40, based on the X-ray tube voltage value set by the tube voltage setting unit 162, the anode side high voltage generation unit 22a and the cathode side high voltage generation unit 22b of the high voltage generation circuit 22 are set to the anode. Side voltage setting unit 164 and cathode side voltage setting unit 16
Control via 6 to generate the set X-ray tube voltage,
It is applied to the rotating anode 120 and the cathode 100 of the X-ray tube 20. For example, X
When generating a tube voltage of 150 kV, the tube voltage setting unit 16
This X-ray tube voltage is set at 2, and based on this, the anode side voltage setting section 164 and the cathode side voltage setting section 166 of the high voltage control section 40.
As a result, the secondary side output of the transformer T154 in FIG.
It is controlled to be 8.75kV (Vm), so that positive 75kV (4Vm) is on the output side of the anode side high voltage generator 22a and negative 75kV is on the output side of the cathode side high voltage generator 22b. (−4Vm) is generated respectively.

【0056】陽極側高電圧発生部22aと陰極側高電圧発
生部22bの出力側に発生した電圧は陽極側電圧検知部168
と陰極側電圧検知部170によって検知される。図5におい
て、コッククロフト回路150の陽極側コッククロフト回
路151(図6の陽極側高電圧発生部22aに相当)と陰極側
コッククロフト回路152(図6の陰極側高電圧発生部22b
に相当)の最終段である第4節点155、157にはそれぞれ
抵抗分圧器(図示せず)が接続されている。図6の陽極
側電圧検知部168と陰極側電圧検知部170は、前記の抵抗
分圧器を用いて、陽極側コッククロフト回路151と陰極
側コッククロフト回路152の第4の節点155、157で発生し
た電圧を分圧して測定して、それぞれの電圧の実測値と
して出力する。
The voltage generated at the output side of the anode side high voltage generating section 22a and the cathode side high voltage generating section 22b is the anode side voltage detecting section 168.
Is detected by the cathode side voltage detection unit 170. 5, an anode-side Cockcroft circuit 151 of the Cockcroft circuit 150 (corresponding to the anode-side high voltage generator 22a of FIG. 6) and a cathode-side Cockcroft circuit 152 (cathode-side high voltage generator 22b of FIG. 6).
(Corresponding to the above) is connected to a resistance voltage divider (not shown) at the fourth nodes 155 and 157, which are the final stage. Anode-side voltage detection unit 168 and cathode-side voltage detection unit 170 of FIG. 6, using the resistance voltage divider, the voltage generated at the fourth node 155, 157 of the anode-side Cockcroft circuit 151 and the cathode-side Cockcroft circuit 152. Is divided and measured, and is output as the measured value of each voltage.

【0057】管電圧判定部172は、陽極側電圧検知部168
と陰極側電圧検知部170から得られた陽極側電圧の実測
値と陰極側電圧の実測値を加算回路にて加算して、X線
管電圧の実測値を判定する。比較部174では、管電圧判
定部172から得られたX線管電圧の実測値と、インターフ
ェース部34の管電圧設定部162から入力されたX線管電圧
の設定値とをコンパレータで比較する。比較部174で比
較した結果、X線管電圧の実測値と設定値とが一致して
いる場合には、高電圧発生回路22への制御はそのままと
するが、両者が一致しない場合には、比較部174での比
較差異に基づいて、両者が一致するように、管電圧判定
部172から陽極側電圧設定部164と陰極側電圧設定部166
を介して、図5の変圧器T154の一次側に印加する電圧が
制御される。
The tube voltage determining section 172 is composed of an anode side voltage detecting section 168.
Then, the actually measured value of the anode side voltage and the actually measured value of the cathode side voltage obtained from the cathode side voltage detection unit 170 are added by an adder circuit to determine the actually measured value of the X-ray tube voltage. The comparison unit 174 compares the measured value of the X-ray tube voltage obtained from the tube voltage determination unit 172 with the set value of the X-ray tube voltage input from the tube voltage setting unit 162 of the interface unit 34 by the comparator. As a result of comparison by the comparison unit 174, if the actual measurement value and the set value of the X-ray tube voltage match, the control to the high voltage generation circuit 22 is left unchanged, but if they do not match, Based on the comparison difference in the comparison unit 174, the tube voltage determination unit 172 to the anode side voltage setting unit 164 and the cathode side voltage setting unit 166 so that the two match.
The voltage applied to the primary side of the transformer T154 in FIG. 5 is controlled via.

【0058】次に、図7を用いて、高電圧制御部40によ
る高電圧発生回路22の制御について具体的に説明する。
図7は、高電圧発生回路22への入力電圧を制御する回路
を示したものである。図7において、高電圧発生回路22
を構成するコッククロフト回路150に電圧を供給する変
圧器T154の1次側には交流電源182と整流回路184とイン
バータ回路186とから成る電源部180が接続されており、
このインバータ回路186を制御回路188によってパルス幅
変調(PWM)制御(以下、PWM制御と略称する)してい
る。以下、制御回路188については、PWM回路ともいう。
Next, the control of the high voltage generation circuit 22 by the high voltage controller 40 will be specifically described with reference to FIG.
FIG. 7 shows a circuit that controls the input voltage to the high voltage generation circuit 22. In FIG. 7, the high voltage generation circuit 22
A power supply unit 180 including an AC power supply 182, a rectifier circuit 184, and an inverter circuit 186 is connected to the primary side of a transformer T154 that supplies a voltage to the Cockcroft circuit 150 that configures
The inverter circuit 186 is subjected to pulse width modulation (PWM) control (hereinafter abbreviated as PWM control) by the control circuit 188. Hereinafter, the control circuit 188 is also referred to as a PWM circuit.

【0059】インバータ回路186のPWM制御では、例えば
25kHz程度のパルスが用いられる。変圧器T154の2次側
電圧Vを上昇するときには、PWM回路188によってイン
バータ回路186のパルス幅を大きくして、変圧器T154の1
次側コイルに流れる平均電流を増大させて、1次側電圧V
を上昇させる。反対に、2次側電圧Vを降下させる
ときにはPWM回路188によってインバータ回路186のパル
ス幅を小さくして、変圧器T154の1次側コイルに流れる
平均電流を減少させて、1次側電圧Vを降下させる。
In the PWM control of the inverter circuit 186, for example,
A pulse of about 25 kHz is used. When increasing the secondary voltage V 2 of the transformer T154, the pulse width of the inverter circuit 186 is increased by the PWM circuit 188, and
Increase the average current flowing through the secondary coil to increase the primary voltage V
Increase 1 On the contrary, when lowering the secondary voltage V 2 , the pulse width of the inverter circuit 186 is reduced by the PWM circuit 188 to reduce the average current flowing through the primary coil of the transformer T154 to reduce the primary voltage V 2. Drop 1

【0060】変圧器T154の1次側と2次側の巻数比を例え
ば1:100とした場合、コッククロフト回路150から出力
されるX線管電圧を150kVとしたとき2次側の電圧Vは前
述の如く18.75kVとなるので、1次側の電圧Vとしては
187.5Vだけ発生する必要がある。
When the turns ratio of the primary side and the secondary side of the transformer T154 is set to, for example, 1: 100, when the X-ray tube voltage output from the Cockcroft circuit 150 is set to 150 kV, the voltage V 2 on the secondary side is As mentioned above, it is 18.75kV, so the primary side voltage V 1 is
Only 187.5V needs to be generated.

【0061】図8に、X線管の陰極の各電極に印加する電
圧を発生する電源とそれを制御する制御部のブロック構
成図の一例を示す。図8において、X線管20の陰極100の
電源としては、前述の高電圧発生回路22と、グリッド電
圧発生回路24と、カソード電源回路26が含まれる。高電
圧発生回路22はカソード電極104に負の高電圧を供給
し、グリッド電圧発生回路24は3種類のグリッド電圧、
すなわちG1電極106にG1電圧、G2電極108にG2電圧、G3電
極110にG3電圧を供給し、カソード電源回路26はヒータ
電極102にヒータ加熱電圧を供給する。
FIG. 8 shows an example of a block configuration diagram of a power source for generating a voltage applied to each electrode of the cathode of the X-ray tube and a control section for controlling the power source. In FIG. 8, the high voltage generating circuit 22, the grid voltage generating circuit 24, and the cathode power source circuit 26 are included as the power source of the cathode 100 of the X-ray tube 20. The high voltage generation circuit 22 supplies a negative high voltage to the cathode electrode 104, and the grid voltage generation circuit 24 uses three types of grid voltages,
That is, the G1 voltage is supplied to the G1 electrode 106, the G2 voltage is supplied to the G2 electrode 108, the G3 voltage is supplied to the G3 electrode 110, and the cathode power supply circuit 26 supplies the heater heating voltage to the heater electrode 102.

【0062】上記の陰極100の電源は制御部32とインタ
ーフェース部34によって制御される。高電圧発生回路22
は前述の如く、制御部32の高電圧制御部40とインターフ
ェース部34の管電圧設定部162によって制御され、グリ
ッド電圧発生回路24の3個のグリッド電圧発生部、すな
わちG1電圧発生部190、G2電圧発生部191、G3電圧発生部
192は、制御部32のグリッド電圧制御部42のG1電圧制御
部193、G2電圧制御部194、G3電圧制御部195とインター
フェース部34のグリッド電圧設定部196によって制御さ
れ、カソード電源回路26は制御部32のカソード制御部44
によって制御される。
The power supply of the cathode 100 is controlled by the controller 32 and the interface 34. High voltage generator 22
As described above, the high voltage control unit 40 of the control unit 32 and the tube voltage setting unit 162 of the interface unit 34 control the three grid voltage generating units of the grid voltage generating circuit 24, that is, the G1 voltage generating units 190 and G2. Voltage generator 191, G3 voltage generator
192 is controlled by the G1 voltage control unit 193, the G2 voltage control unit 194, the G3 voltage control unit 195 of the grid voltage control unit 42 of the control unit 32 and the grid voltage setting unit 196 of the interface unit 34, and the cathode power supply circuit 26 is controlled. Cathode control unit 44 of unit 32
Controlled by.

【0063】グリッド電圧は陰極100の基準電位となる
カソード電極104と同様負の高電圧となるため、グリッ
ド電圧発生回路24自体負の高電圧に保持され、その入力
電圧は高電圧発生回路22の陰極側高電圧発生部22bから
供給されている。このため、本実施例では、グリッド電
圧発生回路24を制御するためにグリッド電圧制御部42か
ら送付される制御信号は高電圧絶縁されたものになって
いる。具体的には、以下に詳述する如く光信号を用いて
いる。
Since the grid voltage is a high negative voltage like the cathode electrode 104 which is the reference potential of the cathode 100, the grid voltage generating circuit 24 itself is held at a high negative voltage, and its input voltage is the high voltage generating circuit 22. It is supplied from the cathode-side high voltage generator 22b. Therefore, in this embodiment, the control signal sent from the grid voltage control unit 42 for controlling the grid voltage generation circuit 24 is insulated by high voltage. Specifically, an optical signal is used as described in detail below.

【0064】図8において、グリッド電圧の発生にあた
っては、先ず、インターフェース部34のグリッド電圧設
定部196から操作者がG1電圧、G2電圧、G3電圧の目標値
を設定し、その3種類のグリッド電圧の設定値に基づい
て、グリッド電圧制御部42のG1電圧制御部193とG2電圧
制御部194とG3電圧制御部195がG1電圧発生部190とG2電
圧発生部191とG3電圧発生部192とを光信号にて制御し、
それぞれのグリッド電圧発生部がG1電圧、G2電圧、G3電
圧を発生し、G1電極106、G2電極108、G3電極110に印加
する。
In generating the grid voltage in FIG. 8, first, the operator sets the target values of the G1 voltage, the G2 voltage, and the G3 voltage from the grid voltage setting section 196 of the interface section 34, and the three kinds of grid voltages are set. Based on the set value of, the G1 voltage control unit 193, the G2 voltage control unit 194, and the G3 voltage control unit 195 of the grid voltage control unit 42 connect the G1 voltage generation unit 190, the G2 voltage generation unit 191, and the G3 voltage generation unit 192. Controlled by optical signal,
The respective grid voltage generators generate G1 voltage, G2 voltage and G3 voltage and apply them to the G1 electrode 106, G2 electrode 108 and G3 electrode 110.

【0065】次に、図8を用いて、カソード電源回路と
その制御について説明する。X線管20のカソードは前述
の如くカソード電極104とこれを加熱するヒータ電極102
とから成るが、カソード電極104には高電圧発生回路22
から負の高電圧(−4Vmの電圧)が印加され、ヒータ電
極102にはカソード電源回路26からのヒータ加熱電圧が
印加される。ヒータ電極102の一方の端子はカソード電
極104と接続され、同電位となっている。
Next, the cathode power supply circuit and its control will be described with reference to FIG. As described above, the cathode of the X-ray tube 20 is the cathode electrode 104 and the heater electrode 102 that heats the cathode electrode 104.
The high voltage generating circuit 22 is connected to the cathode electrode 104.
Is applied with a negative high voltage (voltage of −4 Vm), and the heater heating voltage from the cathode power supply circuit 26 is applied to the heater electrode 102. One terminal of the heater electrode 102 is connected to the cathode electrode 104 and has the same potential.

【0066】カソード電源回路26は主として低電位の加
熱回路198とヒータ加熱用絶縁変圧器Th200とから成る。
加熱回路198はヒータ加熱電圧Ehを発生し、ヒータ加熱
用絶縁変圧器Th200の1次側に入力し、その2次側には同
じ電圧値の絶縁されたヒータ加熱電圧が出力される。ヒ
ータ加熱電圧Ehとしては、例えば約6.3Vの交流電圧が用
いられる。このヒータ加熱電圧Ehによってヒータ電極10
2が加熱され、カソード電極104が熱電子放射に必要な所
望の温度まで加熱される。
The cathode power supply circuit 26 mainly comprises a low potential heating circuit 198 and a heater heating insulation transformer Th200.
The heating circuit 198 generates a heater heating voltage Eh, inputs it to the primary side of the heater heating insulation transformer Th200, and outputs an insulated heater heating voltage of the same voltage value to its secondary side. As the heater heating voltage Eh, for example, an AC voltage of about 6.3V is used. With this heater heating voltage Eh, the heater electrode 10
2 is heated to heat the cathode electrode 104 to the desired temperature required for thermionic emission.

【0067】本実施例のX線管20では、通常のX線管と異
なり、X線管電流の電流値の制御をグリッド電圧の制御
で行っているため、本実施例のカソード制御部44では、
X線管20の動作条件に従って、主として加熱回路198にお
けるヒータ加熱電圧のON−OFF制御を行う。
In the X-ray tube 20 of this embodiment, unlike the normal X-ray tube, the current value of the X-ray tube current is controlled by controlling the grid voltage. ,
ON / OFF control of the heater heating voltage in the heating circuit 198 is mainly performed according to the operating conditions of the X-ray tube 20.

【0068】次に、図8〜図14を用いて、グリッド電圧
発生回路とその制御の詳細について説明する。図9は、
図8のグリッド電圧発生回路24のうちのG1電圧発生部190
の一例を、図10はグリッド電圧制御部42のうちのG1電圧
制御部193の一例を、図11はグリッド電圧制御部42のう
ちの光制御信号送受部の一例を、図12と図13はグリッド
電圧の昇圧と降圧の制御例を、図14はグリッド電圧値と
光制御信号のデューティ(Duty)との関係を示す。
Next, details of the grid voltage generating circuit and its control will be described with reference to FIGS. Figure 9
G1 voltage generator 190 of the grid voltage generator 24 of FIG. 8
10 is an example of the G1 voltage control unit 193 of the grid voltage control unit 42, FIG. 11 is an example of the optical control signal transmission / reception unit of the grid voltage control unit 42, and FIGS. FIG. 14 shows an example of control for increasing and decreasing the grid voltage, and FIG. 14 shows the relationship between the grid voltage value and the duty (Duty) of the light control signal.

【0069】図8に示した如く、グリッド電圧発生回路2
4はG1電圧発生部190とG2電圧発生部192とG3電圧発生部1
94とから構成され、それぞれのグリッド電圧発生部で生
成されたG1電圧、G2電圧、G3電圧がX線管20のG1電極10
6、G2電極108、G3電極110に印加される。本実施例でのX
線管20の陰極100への具体的なグリッド電圧の印加のし
かたとしては、カソード電極104に陰極側の高電圧の基
準電位を与え、それぞれのグリッド電極にはこのカソー
ド電極104の基準電位に対し正、負の電圧を付加した電
圧が印加される。G1電極106には正の電圧、例えば0Vか
ら+100Vを付加したG1電圧が、G2電極108にはG1電圧よ
り高い正の電圧、例えば0から+2,000Vを負荷したG2電
圧が、G3電極110にはG2電圧より低い正または負の電
圧、例えば−500Vから+500Vを付加したG3電圧がそれぞ
れ印加される。このようなグリッド電圧の印加により、
カソード電極104の前面に静電レンズを形成し、カソー
ド電極104から放出された熱電子を加速し、小さい外径
の電子ビームに集束している。
As shown in FIG. 8, the grid voltage generating circuit 2
4 is a G1 voltage generator 190, a G2 voltage generator 192, and a G3 voltage generator 1
94 and the G1 voltage, G2 voltage, and G3 voltage generated by the respective grid voltage generators are applied to the G1 electrode 10 of the X-ray tube 20.
6, applied to the G2 electrode 108 and the G3 electrode 110. X in this example
As a specific method of applying a grid voltage to the cathode 100 of the line tube 20, a high-potential reference potential on the cathode side is applied to the cathode electrode 104, and each grid electrode is applied to the reference potential of the cathode electrode 104. A voltage added with positive and negative voltages is applied. The G1 electrode 106 receives a positive voltage, for example, a G1 voltage added with 0V to + 100V, and the G2 electrode 108 receives a positive voltage higher than the G1 voltage, such as a G2 voltage loaded with 0 to + 2,000V, applied to the G3 electrode 110. Is applied with a positive or negative voltage lower than the G2 voltage, for example, a G3 voltage added with −500V to + 500V. By applying such a grid voltage,
An electrostatic lens is formed on the front surface of the cathode electrode 104, and the thermoelectrons emitted from the cathode electrode 104 are accelerated and focused into an electron beam having a small outer diameter.

【0070】上記のグリッド電圧発生回路24の3個のグ
リッド電圧発生部はほぼ同じ構成をしているので、図9
にはG1電圧発生部190を代表例として示した。図9におい
て、G1電圧発生部190では高電圧発生回路22となるコッ
ククロフト回路150の陰極側コッククロフト回路152から
分圧した電圧Vhを入力電圧として、G1電圧VG1を生成す
る。ここで、入力電圧Vhは、X線管電圧と連動して変化
するものであるので、X線管20の動作条件が変化すると
これに連動して変化する。このため、本実施例のG1電圧
発生部190では、陰極側コッククロフト回路152から分圧
した入力電圧Vhを更に抵抗R、R、Rで分圧してコ
ンデンサCに充電しておき、この充電電圧Viをグリッ
ド電圧制御部42のG1電圧制御部193からの光制御信号で
制御してG1電圧V G1を生成している。光制御信号を受光
するため、G1電圧発生部190の後段にはホトダイオードP
Dを配置し、G1電圧制御部193とホトダイオードPDとの間
には光ケーブルを配設している。
The three groups of the grid voltage generating circuit 24 described above are
Since the lid voltage generator has almost the same configuration,
The G1 voltage generator 190 is shown as a typical example. Figure 9 Smell
In the G1 voltage generator 190, the high voltage generator circuit 22
From the cathode side cockcroft circuit 152 of the blackcroft circuit 150
Divided voltage VhG1 voltage V as input voltageG1Generate
It Where input voltage VhChanges in conjunction with the X-ray tube voltage
Therefore, if the operating conditions of the X-ray tube 20 change,
It changes in conjunction with this. Therefore, the G1 voltage of this embodiment is
In the generator 190, the voltage is divided from the cathode side Cockcroft circuit 152.
Input voltage VhFurther resistance R1, RTwo, RThreePartial pressure with
C Densa C1It is charged to this charging voltage ViThe grip
Optical control signal from the G1 voltage control unit 193 of the voltage control unit 42
Control G1 voltage V G1Is being generated. Receives light control signal
Therefore, the photodiode P
D is placed between the G1 voltage control unit 193 and the photodiode PD.
An optical cable is installed in.

【0071】先ず、G1電圧発生部190への入力電圧Vh
しては、陰極側コッククロフト回路152の第3節点156と
第5節点158との間のコンデンサCK5の出力電圧2Vmが節点
Aと節点Bの間に付与される。このとき、節点Aの電位は
−5Vmに、節点Bの電位は−3V mとなる。この入力電圧V
hは抵抗R、R、Rによって分圧されて、コンデンサ
Cに充電され、充電電圧Viが発生する。コンデンサC
の充電電圧Viの電圧値は次式(1)で表わされる。
First, the input voltage V to the G1 voltage generator 190 ishWhen
The third node 156 of the Cockcroft circuit 152 on the cathode side.
Capacitor C between node 5 and 158K5Output voltage of 2VmIs a node
It is given between A and node B. At this time, the potential of node A is
-5VmAnd the potential of node B is -3V mBecomes This input voltage V
hIs resistance R1, RTwo, RThreeDivided by the capacitor
C1Charged to the charging voltage ViOccurs. Capacitor C1
Charging voltage ViThe voltage value of is expressed by the following equation (1).

【数1】 [Equation 1]

【0072】また、G1電圧発生部190からの出力電圧VG1
は節点Cと節点Dの間の電位差として出力され、節点Dの
電位がG1電極106に付与される。節点Cの電位は第5節点1
58の電位と同じであり、−5Vmとなっている。G1電極106
に付与すべき電圧はカソード電極104に対し0Vから+100V
であり、カソード電極104の電位が−4Vmであるので、G1
電極106に付与すべき電位の範囲は−4Vmから−4Vm+100V
となる。以上のことから、出力電圧VG1の電圧値はVm
らVm+100Vの範囲で変化することになる。
Further, the output voltage V G1 from the G1 voltage generator 190
Is output as a potential difference between the nodes C and D, and the potential of the node D is applied to the G1 electrode 106. The potential of node C is the fifth node 1
It is the same as the potential of 58 and is -5V m . G1 electrode 106
The voltage to be applied to the cathode electrode 104 is 0V to + 100V
Since the potential of the cathode electrode 104 is −4 V m , G1
The potential range to be applied to the electrode 106 is -4V m to -4V m + 100V
Becomes From the above, the voltage value of the output voltage V G1 changes in the range of V m to V m + 100V.

【0073】上記のことから、G1電圧発生部190におい
ては、入力電圧Vh(=2Vm)を出力電圧V G1(=Vm~Vm+100V)に
変換して出力するにあたり、抵抗R、R、Rによる
分圧では約1/2の電圧に電圧降下させている。ここで、
電圧VmがX線管20の動作条件によって変動するため、入
力電圧Vhと必要とされるG1電圧VG1もX線管20の動作条件
によって変動する。入力電圧Vhと必要とされるG1電圧V
G1との変換比α(G1)(=VG 1/Vh)を式で表わすと、次
式(2)の如くなる。
From the above, the G1 voltage generator 190
Input voltage Vh(= 2Vm) The output voltage V G1(= Vm~ Vm+ 100V)
When converting and outputting, the resistance R1, RTwo, RThreeby
With the partial pressure, the voltage is dropped to about half the voltage. here,
Voltage VmChanges depending on the operating conditions of the X-ray tube 20.
Power voltage VhAnd the required G1 voltage VG1X-ray tube 20 operating conditions
Fluctuates depending on. Input voltage VhAnd the required G1 voltage V
G1Conversion ratio α (G1) (= VG 1/ Vh) Is expressed as
It becomes like the formula (2).

【数2】 式(2)において、α(G1)の最大値は0.5+100/Vmである
ので、Vmが最も小さいとき、すなわちX線管電圧が最も
低いときに生じる。このため、本実施例では、抵抗
R、R、Rによる分圧の分圧比としてはX線管電圧の
最低使用電圧値における必要とされるG1電圧VG1と入力
電圧Vhとの比率の最大値を採ることにした。このように
α(G1)の最大値をとっておけば、α(G1)の低い領域の電
圧に対しては入力電圧Vhについて余裕をとることができ
る。
[Equation 2] In equation (2), the maximum value of α (G1) is 0.5 + 100 / V m , and therefore occurs when V m is the smallest, that is, when the X-ray tube voltage is the lowest. Therefore, in this embodiment, the resistance
R 1, as the partial pressure ratio of R 2, R 3 by the partial pressure and to take the maximum value of the ratio of the G1 voltage V G1 and the input voltage V h is needed in the lowest operating voltage value of the X-ray tube voltage . By thus setting the maximum value of α (G1), a margin can be secured for the input voltage V h with respect to the voltage in the region where α (G1) is low.

【0074】上記のことを、X線管電圧の使用範囲が40k
Vから150kVであるX線管20に適用してみると、X線管電圧
が40kVの場合の入力電圧Vhと、必要とされるG1電圧VG1
は10kVと5kV〜5.1kV、150kVの場合のそれらは37.5kVと1
8.75kV〜18.85kVとなる。G1電圧VG1と入力電圧Vhの比率
α(G1)を求めると、40kVの場合0.5〜0.51、150kVの場合
0.5〜0.5027となる。従って、抵抗R、R、Rによる
分圧比としては40kVにおける最大値0.51を採用する。そ
の結果、入力電圧Vhは、X線管電圧が40kVより高い領域
及びG1電極106のバイアス電圧が低い領域において、G1
電圧VG1に対し余裕をもつことになる。
The above applies to the X-ray tube voltage usage range of 40k.
When applied to the X-ray tube 20 which is from V to 150 kV, the input voltage V h when the X-ray tube voltage is 40 kV and the required G1 voltage V G1
10kV and 5kV to 5.1kV, for 150kV they are 37.5kV and 1
It will be 8.75kV to 18.85kV. The ratio α (G1) of G1 voltage V G1 and input voltage V h is calculated to be 0.5 to 0.51 for 40 kV and 150 kV for 40 kV.
It will be 0.5 to 0.5027. Therefore, the maximum value 0.51 at 40 kV is adopted as the voltage division ratio by the resistors R 1 , R 2 , and R 3 . As a result, the input voltage V h becomes G1 in the region where the X-ray tube voltage is higher than 40 kV and the region where the bias voltage of the G1 electrode 106 is low.
There will be a margin for the voltage V G1 .

【0075】次に、コンデンサCの電圧Viは、G1電圧
発生部190の後段で、G1電圧制御部193からの光制御信号
を受けて制御される。以下、図10と図11を参照しなが
ら、G1電圧発生部190の後段でのG1電圧の生成の手順に
ついて説明する。図10において、G1電圧制御部193は、
主たる構成要素として、光制御信号を発生する発光ダイ
オード216と、光信号送受部218と、発光ダイオード216
を発光させるための電流を流す電源部220と、この電源
部220を制御するパルス幅変調(PWM)回路234などを含
む。電源部220は交流電源228と整流回路230とインバー
タ回路232から構成され、このインバータ回路232の出力
電流のパルス幅をPWM回路234が制御する。
Next, the voltage V i of the capacitor C 1 is controlled by receiving the optical control signal from the G1 voltage control unit 193 in the subsequent stage of the G1 voltage generation unit 190. Hereinafter, the procedure of generating the G1 voltage in the latter stage of the G1 voltage generating unit 190 will be described with reference to FIGS. 10 and 11. In FIG. 10, the G1 voltage control unit 193 is
The main components are a light emitting diode 216 that generates an optical control signal, an optical signal transmitter / receiver 218, and a light emitting diode 216.
It includes a power supply unit 220 that supplies a current for causing the light to be emitted, a pulse width modulation (PWM) circuit 234 that controls the power supply unit 220, and the like. The power supply unit 220 includes an AC power supply 228, a rectifier circuit 230, and an inverter circuit 232, and the PWM circuit 234 controls the pulse width of the output current of the inverter circuit 232.

【0076】図11は光信号送受部218の構造の詳細を示
したもので、この光信号送受部218は発光ダイオード216
が生成した光信号を集光して、光ケーブル224に送る光
信号送信部222と、光信号を絶縁して送る光ケーブル224
と、光信号を受信してホトダイオード210に照射する光
信号受信部226と、光ケーブル224と光信号送信部222及
び光信号受信部226とを接続するコネクタ236、238など
から構成される。
FIG. 11 shows the details of the structure of the optical signal transmission / reception unit 218. The optical signal transmission / reception unit 218 is a light emitting diode 216.
The optical signal transmitting unit 222 that collects the optical signal generated by the optical cable 224 and sends the optical signal to the optical cable 224, and the optical cable 224 that transmits the optical signal with insulation
And an optical signal receiving unit 226 that receives an optical signal and irradiates the photodiode 210, and connectors 236 and 238 that connect the optical cable 224 to the optical signal transmitting unit 222 and the optical signal receiving unit 226.

【0077】図9において、コンデンサCに電圧Viが充
電された状態で、ホトダイオード(PD)210に図10、図11
に示したG1電圧制御部193の発光ダイオード216からの光
制御信号が与えられると、ホトダイオード210がON状態
(導通)となり、トランジスタTのベースに電流が供
給され、トランジスタTのコレクタ・エミッタ間がON
状態となる。この動作により、Tのベース電位が低下
してベース電流の供給が停止するため、トランジスタT
のコレクタ・エミッタ間がOFF状態(不導通)とな
る。トランジスタTがOFF状態になることにより、トラ
ンジスタTのベース電位が上昇してベース電流が供給
されるため、トランジスタTのコレクタ・エミッタ間
がON状態となる。
In FIG. 9, while the capacitor C 1 is charged with the voltage V i , the photodiode (PD) 210 receives the voltage shown in FIGS.
When the light control signal from the light emitting diode 216 of the G1 voltage control unit 193 shown in is given, the photodiode 210 is ON (conducting), and the current is supplied to the base of the transistor T 5, the collector and the emitter of the transistor T 5 Interval is ON
It becomes a state. This behavior, since the supply of the base current stops base potential of T 3 is decreased, the transistor T
Between the collector and emitter of 3 is turned off (non-conducting). The transistor T 3 is turned OFF, since the base current is supplied the base potential of the transistor T 4 rises, the collector-emitter of the transistor T 4 is turned ON.

【0078】トランジスタTがON状態になることで、
コンデンサCの充電電圧ViによってG1電圧発生用のコ
ンデンサCの充電が行われ、G1電圧VG1が上昇する。こ
のG1電圧VG1の上昇は、G1電圧制御部193の発光ダイオー
ド216からの光制御信号がホトダイオード210に入力され
ている間継続し、G1電圧VG1の最大値はコンデンサC
電圧Viと同一値となる。
By turning on the transistor T 4 ,
The charging voltage V i of the capacitor C 1 charges the capacitor C 2 for generating the G1 voltage, and the G1 voltage V G1 rises. This rise of the G1 voltage V G1 continues while the light control signal from the light emitting diode 216 of the G1 voltage control unit 193 is input to the photodiode 210, and the maximum value of the G1 voltage V G1 is the voltage V i of the capacitor C 1. And the same value as.

【0079】一方、G1電圧制御部193の発光ダイオード2
16からホトダイオード210への光制御信号の伝送を停止
すると、ホトダイオード210がOFF状態となるので、トラ
ンジスタTのコレクタ・エミッタ間がOFF状態となる。
その結果、トランジスタTのベース電位が上昇してコ
レクタ・エミッタ間がON状態となるため、トランジスタ
Tのコレクタ・エミッタ間がOFF状態となり、コンデン
サCの電圧ViからのコンデンサCへの充電が停止し、
逆にコンデンサCは抵抗R、R10、R11を通して放電を
開始する。このコンデンサCの放電によりG1電圧VG1
降下する。
On the other hand, the light emitting diode 2 of the G1 voltage control unit 193
If you stop the transmission of optical control signal to the photodiode 210 from 16, since the photodiode 210 is turned OFF, the collector-emitter of the transistor T 5 is turned OFF.
As a result, the base potential of the transistor T 3 rises and the collector-emitter turns on, so
The collector-emitter of T 4 is turned off, the charging of the capacitor C 2 from the voltage V i of the capacitor C 1 is stopped,
On the contrary, the capacitor C 2 starts discharging through the resistors R 9 , R 10 and R 11 . This discharge of the capacitor C 2 causes the G1 voltage V G1 to drop.

【0080】しかし、トランジスタTのエミッタ側の
電圧(抵抗Rにかかる電圧)は定電圧ダイオードD2の
定格電圧によって決定されるので、トランジスタT
ベース電圧が定電圧ダイオードD2の定格電圧になるまで
トランジスタTはON動作が継続する。この定電圧ダイ
オードD2の定格電圧がG1電圧VG1の降下の最低値を規定
する。
[0080] However, since the emitter side voltage of the transistor T 3 (voltage across the resistor R 8) is determined by the rated voltage of the constant voltage diode D2, the base voltage of the transistor T 3 is the rated voltage of the constant voltage diode D2 transistor T 3 until the ON operation continues. The rated voltage of the constant voltage diode D2 defines the minimum value of the drop of the G1 voltage V G1 .

【0081】以上説明した如く、G1電圧発生部190で
は、ホトダイオード210に光制御信号が供給されている
間G1電圧VG1が上昇し、ホトダイオード210への光制御信
号の供給が停止されるとG1電圧VG1が降下するように構
成されているので、G1電圧制御部193において、そこか
ら送信する光制御信号をON、OFF制御することによってG
1電圧VG1の電圧値を制御することができる。
As described above, in the G1 voltage generator 190, the G1 voltage V G1 rises while the light control signal is supplied to the photodiode 210, and when the supply of the light control signal to the photodiode 210 is stopped, G1 Since the voltage V G1 is configured to drop, the G1 voltage control unit 193 controls the ON / OFF control of the optical control signal transmitted from the G1 voltage control unit 193.
The voltage value of one voltage V G1 can be controlled.

【0082】本実施例では、G1電圧制御部193における
光制御信号のON、OFF制御にPWM制御方式を採用してい
る。図10のG1電圧制御部193において、光制御信号の発
生源となる発光ダイオード216の電源部220は、高電圧発
生回路22の電源部と同様に、交流電源228と整流回路230
とインバータ回路232を有し、発光ダイオード216にはイ
ンバータ回路232の出力であるパルス電圧が印加されて
いる。また、インバータ回路232の出力電圧のパルス幅
はPWM回路234によってパルス幅の制御を受けている。
In this embodiment, the PWM control method is used for ON / OFF control of the light control signal in the G1 voltage control unit 193. In the G1 voltage control unit 193 of FIG. 10, the power supply unit 220 of the light emitting diode 216 that is the generation source of the light control signal is similar to the power supply unit of the high voltage generation circuit 22 in the AC power supply 228 and the rectification circuit 230.
And an inverter circuit 232, and a pulse voltage which is the output of the inverter circuit 232 is applied to the light emitting diode 216. The pulse width of the output voltage of the inverter circuit 232 is controlled by the PWM circuit 234.

【0083】次に、図12〜図14を用いて、G1電圧の光制
御信号によるPWM制御について説明する。図12(a)と図
13(a)はPWM制御を行った光制御信号の経時的変化例
を、図12(b)と図13(b)はそのときのG1電圧の経時的
変化を示したもので、それぞれ前者は光制御信号のデュ
ーティが大きい場合、後者は光制御信号のデューティが
小さい場合である。また、図14はPWM制御を行った光制
御信号のデューティとG1電圧の最終到達電圧値との関係
を示したものである。
Next, the PWM control by the light control signal of the voltage G1 will be described with reference to FIGS. Figure 12 (a) and figure
13 (a) shows an example of changes over time of the optical control signal that has undergone PWM control, and FIGS. 12 (b) and 13 (b) show changes over time of the G1 voltage at that time. When the duty of the light control signal is large, the latter is when the duty of the light control signal is small. Further, FIG. 14 shows the relationship between the duty of the light control signal subjected to the PWM control and the final arriving voltage value of the G1 voltage.

【0084】図12(a)と図13(a)の縦軸は光の量、横
軸は時間経過を示し、図12(b)と図13(b)の縦軸はグ
リッド電圧、横軸は時間経過を示している。図12は光制
御信号のデューティが約0.72で、大きい場合である。こ
のように、デューティが0.5より大きい場合にはG1電圧
発生部190のホトダイオード210のON状態の時間がOFF状
態の時間より長くなるため、図12(b)に示す如く、G1
電圧は全体として上昇して行き、高いレベルに設定され
る。これに対し、図13は光制御信号のデューディが約0.
22で、小さい場合である。このようにデューティが0.5
より小さい場合にはホトダイオード210のOFF状態の時間
がON状態の時間より長くなるため、図13(b)に示す如
く、G1電圧は全体として降下して行き、低いレベルに設
定される。更に、光制御信号のデューティが0.5の場合
には、ホトダイオード210のON状態の時間とOFF状態の時
間が等しくなるため、G1電圧は全体として変化がなく、
同じレベルに設定される。
The vertical axis of FIGS. 12A and 13A shows the amount of light, the horizontal axis shows the passage of time, and the vertical axes of FIGS. 12B and 13B show the grid voltage and the horizontal axis. Indicates the passage of time. FIG. 12 shows the case where the duty of the light control signal is about 0.72, which is large. As described above, when the duty is greater than 0.5, the ON time of the photodiode 210 of the G1 voltage generator 190 is longer than the OFF time, and therefore, as shown in FIG.
The voltage rises as a whole and is set to a high level. On the other hand, in Fig. 13, the duty of the optical control signal is about 0.
At 22, it is small. Thus the duty is 0.5
If it is smaller, the OFF time of the photodiode 210 becomes longer than the ON time, so that the G1 voltage as a whole drops and is set to a low level, as shown in FIG. 13 (b). Further, when the duty of the light control signal is 0.5, the time of the ON state of the photodiode 210 and the time of the OFF state become equal, so that the G1 voltage does not change as a whole,
Set to the same level.

【0085】上記におけるG1電圧の大きさと光制御信号
のデューティとの関係をまとめたものが図14で、縦軸は
G1電圧の値、横軸は光制御信号のデューティである。図
示において、G1電圧は光制御信号のデューティと直線関
係にあり、デューティが0.5のときには中央値Eに、デ
ューティが1のときは最高値EHに、デューティが0のとき
には最低値ELとなる。
FIG. 14 summarizes the relationship between the magnitude of the G1 voltage and the duty of the light control signal in the above.
The value of G1 voltage, the horizontal axis is the duty of the light control signal. In the figure, the G1 voltage has a linear relationship with the duty of the light control signal. When the duty is 0.5, it is the median value E 0 , when the duty is 1, it is the highest value E H , and when it is 0, it is the lowest value E L. Become.

【0086】図14において、デューティが1のときの最
高値EHはコンデンサCの充電電圧Viとほぼ同じかそれ
より少し低い値となり、またデューティが0のときの最
低値ELは定電圧ダイオードDによって規定されるG1電
圧の降下の最低値とほぼ同じかそれより少し高い値とな
る。このため、必要なG1電圧の範囲を考慮して最高値EH
と最低値ELを設定し、中央値Eについては、例えば必
要なG1電圧のうちの使用頻度の高い電圧値にしておくと
よい。
In FIG. 14, the maximum value E H when the duty is 1 is almost the same as or slightly lower than the charging voltage V i of the capacitor C 1 , and the minimum value E L when the duty is 0 is constant. a value slightly higher than approximately equal to the minimum value of the drop of the G1 voltage defined by the voltage diode D 2. Therefore, the maximum value E H
And the minimum value E L are set, and for the median value E 0 , for example, a voltage value that is frequently used out of the required G1 voltage may be set.

【0087】上記においては、3種類のグリッド電圧の
うち、G1電圧の発生のみについて説明したが、G2電圧及
びG3電圧の発生についてもG1電圧の場合と同様に行われ
る。G2電圧とG3電圧はG1電圧に対し、電圧値及びその変
動範囲が異なるので、それらに関係した部分、例えば図
9の抵抗R、R、Rによる分圧比などが異なるものと
なる。
Of the three types of grid voltages, only the generation of the G1 voltage has been described above, but the generation of the G2 voltage and the G3 voltage is performed in the same manner as the G1 voltage. The G2 voltage and the G3 voltage have different voltage values and their fluctuation ranges from the G1 voltage, so the parts related to them, such as the figure
The voltage division ratio due to the resistances R 1 , R 2 and R 3 of 9 are different.

【0088】本実施例では、低電圧のG1電圧制御部193
から高電圧のG1電圧発生部193に伝送される制御信号が
光信号であり、その伝送に光ケーブル224が使用されて
いるため、G1電圧制御部193とG1電圧発生部190との間は
電気的に完全に絶縁される。この結果、コッククロフト
回路150から分圧した高電圧を絶縁した状態で制御し
て、グリッド電圧を得ることができるので、従来のよう
に絶縁変圧器などを使用せずに済むため、グリッド電圧
発生回路24の小型化を図ることができる。
In this embodiment, the low voltage G1 voltage controller 193
Since the control signal transmitted from the high voltage G1 voltage generation unit 193 is an optical signal and the optical cable 224 is used for the transmission, an electrical connection between the G1 voltage control unit 193 and the G1 voltage generation unit 190 is made. Completely insulated. As a result, since the grid voltage can be obtained by controlling the high voltage divided from the Cockcroft circuit 150 in an insulated state, it is not necessary to use an insulation transformer or the like as in the conventional case. 24 can be miniaturized.

【0089】次に、図1を参照してステータ28の駆動に
ついて説明する。本実施例では、X線管20の陽極として
回転陽極120を採用し、この回転陽極120の外周に配置し
たステータ28を付勢して回転陽極120を回転させて、X線
管20としての耐負荷性を向上させている。ステータ28は
低電圧に保持されているので、ステータ28に回転駆動電
力を供給する陽極回転電源30及び陽極回転制御部46は制
御部32に内包されている。陽極回転電源30としては100
乃至200V程度の交流電源が用いられる。回転陽極120の
回転は、従来の医用X線装置と同様に、X線管20に負荷を
印加している時間のみ行うことにしている。このため、
陽極回転制御部46によるステータ28の駆動制御は、X線
管20への負荷印加前にステータ28に回転起動電圧を印加
し、負荷中に連続回転電圧を印加し、負荷終了後は駆動
電圧をOFFするか、回転制動電圧を印加して回転停止し
た後に駆動電圧をOFFする。
Next, the driving of the stator 28 will be described with reference to FIG. In this embodiment, the rotating anode 120 is adopted as the anode of the X-ray tube 20, and the rotating anode 120 is rotated by energizing the stator 28 arranged on the outer periphery of the rotating anode 120, so that the resistance of the X-ray tube 20 is increased. The loadability is improved. Since the stator 28 is held at a low voltage, the anode rotation power supply 30 and the anode rotation control unit 46 that supply rotation driving power to the stator 28 are included in the control unit 32. 100 as the anode rotating power supply 30
An AC power supply of about 200 to 200 V is used. The rotating anode 120 is rotated only during the time when a load is applied to the X-ray tube 20, as in the conventional medical X-ray apparatus. For this reason,
The drive control of the stator 28 by the anode rotation control unit 46 is performed by applying a rotation start voltage to the stator 28 before applying a load to the X-ray tube 20, applying a continuous rotation voltage during the load, and changing the drive voltage after the end of the load. Turn it off, or turn the drive voltage off after applying rotation braking voltage to stop rotation.

【0090】本実施例のX線管20は、図3に示す如く、中
性点接地方式を採用し、外囲器130をアース電位とし、
回転陽極120と陰極100に正と負の高電圧を印加して
いる。この結果、従来の同程度のX線管電圧のマイクロ
フォーカスX線管と比べ回転陽極120と外囲器130との間
の電位差を低減することができ、両者の間の間隙を狭く
することが可能となった。最高X線管電圧150kVのX線管
で、陰極接地方式の場合と中性点接地方式の場合とを比
較すると、外囲器と陽極間の電圧は前者では150kVであ
るのに対し、後者では75kVとなる。陽極と外囲器間の間
隔d(mm)を変えて、その間に150kV及び75kVの電圧を印加
した場合の電界強度E(kV/mm)の変化を計算した結果を示
した図が図15で、図15(a)は150kVの場合、図15(b)
は75kVの場合である。このとき、外囲器側は平板状であ
るが、陽極側はその外周部をR面加工し、R=2mmとしてい
る。図15において、安全に使用できる限界電界強度を例
えばE=20kV/mmとした場合、図15(a)の陰極接地方式で
はdが約50mmであるのに対し、図15(b)の中性点接地方
式ではdは約10mmとなり、大幅に短縮される。
As shown in FIG. 3, the X-ray tube 20 of the present embodiment employs a neutral point grounding system, and the envelope 130 is set to the ground potential,
High positive and negative voltages are applied to the rotating anode 120 and the cathode 100. As a result, the potential difference between the rotating anode 120 and the envelope 130 can be reduced and the gap between the two can be narrowed as compared with the conventional microfocus X-ray tube having a similar X-ray tube voltage. It has become possible. In the X-ray tube with the maximum X-ray tube voltage of 150 kV, comparing the case of the cathode grounding method and the case of the neutral point grounding method, the voltage between the envelope and the anode is 150 kV in the former, whereas in the latter, It becomes 75kV. Figure 15 shows the result of calculating the change in the electric field strength E (kV / mm) when the distance d (mm) between the anode and the envelope is changed and a voltage of 150 kV and 75 kV is applied between them. , Fig. 15 (a) is for 150kV, Fig. 15 (b)
Is for 75 kV. At this time, the envelope side has a flat plate shape, but the anode side has its outer peripheral portion R-face processed to have R = 2 mm. In Fig. 15, when the limit electric field strength that can be safely used is E = 20 kV / mm, for example, d is about 50 mm in the cathode grounding method of Fig. 15 (a), while the neutral value of Fig. 15 (b) is neutral. In the point grounding method, d is about 10 mm, which is a significant reduction.

【0091】上記のことから、回転陽極120に形成され
る焦点123と外囲器130のX線放射窓136との間隔も従来の
マイクロフォーカスX線管と比べて、大幅に短縮するこ
とができる。焦点123とX線放射窓136との間隔が短くな
ることにより、X線撮影時に焦点123と被検体との距離を
近付けることができるので、以下に述べる如くX線撮影
の幾何学的拡大率を従来に比べ大きくすることができ
る。
From the above, the distance between the focal point 123 formed on the rotating anode 120 and the X-ray emission window 136 of the envelope 130 can be greatly shortened as compared with the conventional microfocus X-ray tube. . By shortening the distance between the focal point 123 and the X-ray radiation window 136, the distance between the focal point 123 and the subject can be reduced during X-ray imaging, so that the geometric magnification of X-ray imaging can be increased as described below. It can be made larger than before.

【0092】本実施例のX線装置では、内装X線管として
マイクロフォーカスX線管を備えているので、非破壊検
査に使用される場合、拡大撮影による微小被検体の検査
に適している。図16に、本実施例のX線装置による拡大
撮影における配置図の一例を示す。図16において、X線
検査装置内に、X線管20と、被検体240と、X線検出器242
が配置されている。被検体240はX線透過性のよい材料か
ら成る支持板(図示せず)によって支持されている。X
線管20のターゲット122上に形成される焦点123から放射
されたX線64は被検体240を透過した後、X線検出器242の
受光面244に受光される。この受光面244にて、X線64は
画像信号に変換され、被検体240の拡大された撮影画像
が得られる。
Since the X-ray apparatus of this embodiment is provided with a microfocus X-ray tube as an internal X-ray tube, it is suitable for inspecting a minute object by magnifying radiography when used for nondestructive inspection. FIG. 16 shows an example of a layout diagram in magnified imaging by the X-ray apparatus of this embodiment. In FIG. 16, the X-ray inspection apparatus includes an X-ray tube 20, an object 240, and an X-ray detector 242.
Are arranged. The subject 240 is supported by a support plate (not shown) made of a material having good X-ray transparency. X
The X-rays 64 emitted from the focus 123 formed on the target 122 of the X-ray tube 20 are transmitted through the subject 240 and then received by the light receiving surface 244 of the X-ray detector 242. At the light receiving surface 244, the X-ray 64 is converted into an image signal, and a magnified image of the subject 240 is obtained.

【0093】X線管20の焦点123と被検体240までの距離
をA、被検体240からX線検出器242の受光面244までの距
離をBとした場合、被検体240の撮影画像の幾何学的拡大
率Mは(A+B)/Aとなる。本発明では、前述の如く、X線管2
0を中性点接地方式としたことにより、従来の同じX線管
電圧の陰極接地方式のX線管の場合に比べて、X線管20の
焦点123と外囲器130とX線放射窓136との間の距離を大幅
に短くすることができるため、焦点123と被検体240との
間の距離Aを従来に比べ大幅に小さくすることが可能と
なった。その結果、撮影画像の幾何学的拡大率Mも従来
に比べ大きくすることが可能となり、被検体の微細部分
の精密な検査を行うことができるようになった。
When the distance between the focal point 123 of the X-ray tube 20 and the subject 240 is A and the distance from the subject 240 to the light receiving surface 244 of the X-ray detector 242 is B, the geometry of the captured image of the subject 240 is determined. The magnification ratio M is (A + B) / A. In the present invention, as described above, the X-ray tube 2
By setting 0 as the neutral point grounding system, the focus 123 of the X-ray tube 20, the envelope 130, and the X-ray emission window can be compared to the conventional cathode grounding system X-ray tube with the same X-ray tube voltage. Since the distance to 136 can be greatly shortened, the distance A between the focus 123 and the subject 240 can be made significantly smaller than in the conventional case. As a result, the geometrical enlargement ratio M of the captured image can be increased as compared with the conventional case, and it becomes possible to perform a precise inspection of a minute portion of the subject.

【0094】[0094]

【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、マ
イクロフォーカスX線管を中性点接地方式とし、X線管電
圧を回転陽極側と陰極側とで分担しているので、アース
電位にある外囲器とX線源を持つ回転陽極との絶縁距離
を従来品に比べ短くすることができた。その結果X線管
の焦点と外囲器に設けられるX線放射窓との間の距離も
短縮することが可能となり、被検体の画像撮影における
幾何学的拡大率を大きくすることができた。
As described above, according to the present invention, the microfocus X-ray tube is of the neutral point grounding type, and the X-ray tube voltage is shared by the rotating anode side and the cathode side. The insulation distance between the envelope and the rotating anode having the X-ray source in Fig. 2 could be made shorter than the conventional product. As a result, the distance between the focal point of the X-ray tube and the X-ray radiation window provided in the envelope can be shortened, and the geometric magnification of the image of the subject can be increased.

【0095】また、本発明によれば、マイクロフォーカ
スX線管の陰極を構成するグリッド電極に供給するグリ
ッド電圧の制御のために光信号を用いたことにより、グ
リッド電圧発生回路の絶縁に絶縁変圧器などを用いる必
要がなくなった。その結果、グリッド電圧発生回路の小
型化を図ることができ、小型の電源一体型マイクロフォ
ーカスX線装置を実現することができた。
Further, according to the present invention, by using the optical signal for controlling the grid voltage supplied to the grid electrode forming the cathode of the microfocus X-ray tube, the insulation voltage of the grid voltage generating circuit is insulated. It is no longer necessary to use a vessel or the like. As a result, the grid voltage generating circuit can be downsized, and a small power-source integrated microfocus X-ray device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るX線装置の一実施例の概略構成。FIG. 1 is a schematic configuration of one embodiment of an X-ray apparatus according to the present invention.

【図2】本実施例のX線装置における収納容器内の主要
構成品の配置例。
FIG. 2 is an arrangement example of main components in a storage container in the X-ray apparatus of this embodiment.

【図3】本発明に係るX線管の一実施例の構造図。FIG. 3 is a structural diagram of an embodiment of an X-ray tube according to the present invention.

【図4】陰極構造の拡大図。FIG. 4 is an enlarged view of a cathode structure.

【図5】本発明に係る高電圧発生回路の一実施例の概略
構成。
FIG. 5 is a schematic configuration of an embodiment of a high voltage generating circuit according to the present invention.

【図6】高電圧発生回路を制御する高電圧制御部の概略
構成。
FIG. 6 is a schematic configuration of a high voltage control unit that controls a high voltage generation circuit.

【図7】高電圧発生回路への入力電圧を制御する回路。FIG. 7 is a circuit for controlling an input voltage to a high voltage generation circuit.

【図8】X線管の陰極の各電極に印加する電圧を発生す
る電源とそれを制御する制御部のブロック構成図の一
例。
FIG. 8 is an example of a block configuration diagram of a power supply that generates a voltage applied to each electrode of the cathode of the X-ray tube and a control unit that controls the power supply.

【図9】グリッド電圧発生回路のうちのG1電圧発生部の
一例。
FIG. 9 shows an example of a G1 voltage generating unit in the grid voltage generating circuit.

【図10】グリッド電圧制御部のうちのG1電圧制御部の
一例。
FIG. 10 shows an example of a G1 voltage control unit of the grid voltage control unit.

【図11】光信号送受部の構造の一例。FIG. 11 is an example of a structure of an optical signal transmission / reception unit.

【図12】グリッド電圧の昇圧の制御例。FIG. 12 is a control example of boosting of the grid voltage.

【図13】グリッド電圧の降圧の制御例。FIG. 13 is a control example of step-down of grid voltage.

【図14】グリッド電圧値と光制御信号のデューティと
の関係。
FIG. 14 shows the relationship between the grid voltage value and the duty of the light control signal.

【図15】陽極と外囲器間の間隔と電界強度との関係。FIG. 15 shows the relationship between the distance between the anode and the envelope and the electric field strength.

【図16】本実施例のX線装置による拡大撮影における
配置図の一例。
FIG. 16 is an example of a layout diagram in magnified imaging by the X-ray apparatus according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…X線装置 20…X線管 22…高電圧発生回路 24…グリッド電圧発生回路 26…カソード電源回路 28…ステータ 30…陽極回転電源 32…制御部 34…インターフェース部 36…収納容器 40…高電圧制御部 42…グリッド電圧制御部 44…カソード制御部 60…絶縁油 62…電子ビーム 64…X線 100…陰極 102…ヒータ電極 104…カソード電極 106…グリッド電極(G1) 108…フォーカス電極(G2) 110…フォーカス電極(G3) 111…金具 112…陰極支持体 114…絶縁支柱 116…ステム 118…陰極側給電部 120…回転陽極 122…ターゲット 123…X線発生部(焦点) 124…回転部 126…固定部 130…外囲器 132…胴体部 134…陽極封止部 136…X線放射窓 140、142、144、145、146、147、148、149…配線 150…コッククロフト回路 151…陽極側コッククロフト回路 152…陰極側コッククロフト回路 154…変圧器T 155、157…第4節点 156…第3節点 158…第5節点 162…管電圧設定部 164…陽極側電圧設定部 166…陰極側電圧設定部 168…陽極側電圧検知部 170…陰極側電圧検知部 172…管電圧判定部 174…比較部 180、220…電源部 182、228…交流電源 184、230…整流回路 186、232…インバータ回路 188、234…制御回路(パルス幅変調(PWM)回路) 190…G1電圧発生部 191…G2電圧発生部 192…G3電圧発生部 193…G1電圧制御部 194…G2電圧制御部 195…G3電圧制御部 196…グリッド電圧設定部 198…ヒータ加熱回路 200…ヒータ加熱用絶縁変圧器 210…ホトダイオード 216…発光ダイオード 218…光信号送受部 222…光信号送信部 224…光ケーブル 226…光信号受信部 236、238…コネクタ 240…被検体 242…X線検出器 244…受光面 10 ... X-ray equipment 20 ... X-ray tube 22 ... High voltage generator 24 ... Grid voltage generator 26 ... Cathode power circuit 28 ... Stator 30 ... Anode rotation power supply 32 ... Control unit 34 ... Interface section 36 ... Storage container 40 ... High voltage controller 42 ... Grid voltage controller 44 ... Cathode controller 60 ... Insulating oil 62 ... electron beam 64 ... X-ray 100 ... Cathode 102 ... Heater electrode 104 ... Cathode electrode 106 ... Grid electrode (G1) 108 ... Focus electrode (G2) 110 ... Focus electrode (G3) 111 ... metal fittings 112 ... Cathode support 114… Insulated columns 116 ... Stem 118 ... Cathode side power supply 120 ... Rotary anode 122 ... Target 123 ... X-ray generator (focus) 124 ... Rotating part 126 ... Fixed part 130… Enclosure 132 ... Body 134 ... Anode sealing part 136… X-ray emission window 140, 142, 144, 145, 146, 147, 148, 149 ... Wiring 150 ... Cockcroft circuit 151… Anode side Cockcroft circuit 152… Cathode side Cockcroft circuit 154 ... Transformer T 155, 157 ... 4th node 156 ... Third node 158 ... Fifth node 162 ... Tube voltage setting section 164 ... Anode side voltage setting section 166 ... Cathode side voltage setting section 168 ... Anode side voltage detector 170 ... Cathode side voltage detector 172 ... Tube voltage determination unit 174 ... Comparison section 180, 220 ... Power supply 182, 228 ... AC power supply 184, 230 ... Rectifier circuit 186, 232 ... Inverter circuit 188, 234 ... Control circuit (pulse width modulation (PWM) circuit) 190 ... G1 voltage generator 191 ... G2 voltage generator 192 ... G3 voltage generator 193 ... G1 voltage controller 194 ... G2 voltage controller 195 ... G3 voltage controller 196 ... Grid voltage setting section 198 ... Heater heating circuit 200… Insulation transformer for heater heating 210 ... Photodiode 216 ... Light emitting diode 218 ... Optical signal transmitter / receiver 222 ... Optical signal transmitter 224 ... Optical cable 226 ... Optical signal receiver 236, 238 ... Connector 240 ... Subject 242 ... X-ray detector 244 ... Light receiving surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茶畑 圭一 東京都千代田区内神田1丁目1番14号 株 式会社日立メディコ内 Fターム(参考) 4C092 AA01 AB27 AC01 AC08 AC09 BD06 CD02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Keiichi Tea Field, Inventor             1-chome 1-14-1 Kanda, Chiyoda-ku, Tokyo             Inside the Hitachi Medical Co. F-term (reference) 4C092 AA01 AB27 AC01 AC08 AC09                       BD06 CD02

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子ビームを放出するカソード電極と前記
電子ビームの軌道及び電流量を制御する複数のグリッド
電極とを有する陰極と、前記電子ビームの衝突によりX
線を発生させるターゲットを有する陽極と、前記陰極と
前記陽極とを真空気密に封入し、前記ターゲットで発生
したX線を外部に放射するX線放射窓を有する外囲器とか
ら構成され、前記グリッド電極に印加するグリッド電圧
の制御により微小焦点を得るX線管において、前記外囲
器をアース電位とし、X線管電圧をほぼ二等分し、その
負の高電圧が前記陰極のカソード電極に、その正の高電
圧が前記陽極に印加されることを特徴とするX線管。
1. A cathode having a cathode electrode for emitting an electron beam, a plurality of grid electrodes for controlling the orbit and current amount of the electron beam, and X due to collision of the electron beam.
An anode having a target for generating rays, the cathode and the anode are hermetically sealed in a vacuum, and an envelope having an X-ray emission window for radiating the X-rays generated at the target to the outside, In an X-ray tube that obtains a fine focus by controlling the grid voltage applied to the grid electrode, the envelope is set to the ground potential, the X-ray tube voltage is divided into two equal parts, and the negative high voltage is the cathode electrode of the cathode. An X-ray tube characterized in that the positive high voltage is applied to the anode.
【請求項2】請求項1記載のX線管と、該X線管の陽極と
陰極に印加するための正負の高電圧を生成する高電圧発
生回路と、前記X線管のグリッド電極に印加するための
複数のグリッド電圧を生成するグリッド電圧発生回路
と、前記高電圧発生回路と前記グリッド電圧発生回路の
動作を制御する制御部と、該制御部への制御データの入
力などを行うインターフェース部と、少なくとも前記X
線管、前記高電圧発生回路及び前記グリッド電圧発生回
路を絶縁して収納する容器とを備えたことを特徴とする
X線装置。
2. The X-ray tube according to claim 1, a high voltage generating circuit for generating a positive and negative high voltage for applying to an anode and a cathode of the X-ray tube, and an application to a grid electrode of the X-ray tube. Voltage generating circuit for generating a plurality of grid voltages for operating, a control unit for controlling operations of the high voltage generating circuit and the grid voltage generating circuit, and an interface unit for inputting control data to the control unit And at least the above X
A container for insulatingly containing the wire tube, the high voltage generating circuit, and the grid voltage generating circuit.
X-ray equipment.
【請求項3】請求項2記載のX線装置において、前記グリ
ッド電圧発生回路で生成されるグリッド電圧が前記制御
部から絶縁された光ケーブルを介して前記グリッド電圧
発生回路に送付される光信号によって制御されているこ
とを特徴とするX線装置。
3. The X-ray apparatus according to claim 2, wherein the grid voltage generated by the grid voltage generating circuit is transmitted to the grid voltage generating circuit via an optical cable insulated from the control unit. An X-ray device characterized by being controlled.
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