JP2003317481A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、1パッケージに論
理回路とメモリとを混載してなる半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a logic circuit and a memory are mounted together in one package.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、パッケージ技術や製造プロセス技
術の進歩により、1パッケージに論理回路チップとメモ
リチップとを実装し、1パッケージでシステムを構成す
る半導体装置、いわゆるSIP(システム・イン・パッ
ケージ)が増加している。2. Description of the Related Art In recent years, due to advances in packaging technology and manufacturing process technology, a semiconductor device in which a logic circuit chip and a memory chip are mounted in one package and a system is configured by one package, so-called SIP (system in package) Is increasing.
【0003】図17は従来のSIPの一例を示す概略的
構成図である。図17中、1はパッケージ本体、2は論
理回路チップ、3はメモリチップ、4は論理回路チップ
2に接続された外部端子、5はメモリチップ3に接続さ
れた外部端子であり、外部端子5は電源用や試験用の外
部端子である。FIG. 17 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional SIP. In FIG. 17, 1 is a package body, 2 is a logic circuit chip, 3 is a memory chip, 4 is an external terminal connected to the logic circuit chip 2, 5 is an external terminal connected to the memory chip 3, and the external terminal 5 Is an external terminal for power supply and test.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図18は図17に示す
従来のSIPが有する問題点を説明するための回路図で
である。図18中、6は論理回路チップ2に搭載されて
いる論理回路、7はメモリチップ3に搭載されているメ
モリであり、従来のSIPにおいては、メモリ7は、基
本的には、論理回路6により使用されるように設計され
ており、外部からのメモリ7に対するアクセスは、外部
端子4及び論理回路6を経由して行うか、又は、不可能
とされていた。FIG. 18 is a circuit diagram for explaining the problems of the conventional SIP shown in FIG. In FIG. 18, 6 is a logic circuit mounted on the logic circuit chip 2, and 7 is a memory mounted on the memory chip 3. In the conventional SIP, the memory 7 is basically the logic circuit 6 The external access to the memory 7 is performed via the external terminal 4 and the logic circuit 6, or is disabled.
【0005】ここで、たとえ、外部端子4及び論理回路
6を経由してメモリ7にアクセスすることができるよう
にされている場合であっても、アクセス調停回路などを
経由することにより、メモリ7へのアクセスに時間がか
かるという問題点があると共に、CPUが論理回路6を
使用停止としている場合には、メモリ7へのアクセスが
不可能になるという問題点があった。Here, even if the memory 7 can be accessed via the external terminal 4 and the logic circuit 6, the memory 7 can be accessed via the access arbitration circuit. There is a problem that it takes time to access the memory 7 and that the memory 7 cannot be accessed when the CPU suspends the logic circuit 6.
【0006】本発明は、かかる点に鑑み、1パッケージ
に論理回路とメモリとを混載してなる半導体装置であっ
て、論理回路を経由せずに、外部からメモリに直接アク
セスすることができるようにし、メモリアクセスの高速
化を図ることができるようにした半導体装置を提供する
ことを目的とする。In view of the above points, the present invention is a semiconductor device in which a logic circuit and a memory are mixedly mounted in one package, and enables direct access to the memory from the outside without going through the logic circuit. An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of speeding up memory access.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、1パッケージ
に論理回路とメモリとを混載してなる半導体装置であっ
て、論理回路を経由せずに、外部からメモリに直接アク
セスするためのメモリアクセス手段を有するというもの
である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a semiconductor device in which a logic circuit and a memory are mounted together in one package, and a memory access for directly accessing the memory from outside without passing through the logic circuit. It has means.
【0008】本発明によれば、メモリアクセス手段を使
用することにより、論理回路を経由せずに、外部からメ
モリに直接アクセスすることができる。According to the present invention, by using the memory access means, it is possible to directly access the memory from outside without passing through the logic circuit.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、図1〜図16を参照して、
本発明の第1実施形態〜第8実施形態及び本発明の第1
実施形態、第5実施形態を使用したシステムの例につい
て説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Referring to FIGS.
First to eighth embodiments of the present invention and first of the present invention
An example of a system using the embodiment and the fifth embodiment will be described.
【0010】(第1実施形態・・図1〜図4)図1は本
発明の第1実施形態の一部分を示す回路図である。図1
中、10は論理回路、11はメモリ、12は論理回路用
の外部端子、13はメモリ用の外部端子、14は論理回
路10のメモリ11との接続ノード10A又はメモリ用
の外部端子13をメモリ11に選択的かつ電気的に接続
するセレクタである。(First Embodiment ... FIGS. 1 to 4) FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of a first embodiment of the present invention. Figure 1
Inside, 10 is a logic circuit, 11 is a memory, 12 is an external terminal for a logic circuit, 13 is an external terminal for a memory, 14 is a connection node 10A with the memory 11 of the logic circuit 10 or an external terminal 13 for a memory 11 is a selector that is selectively and electrically connected to 11.
【0011】なお、論理回路用の外部端子12は複数存
在する論理回路用の外部端子を代表するものであり、メ
モリ用の外部端子13は複数存在するメモリ用の外部端
子を代表するものである。また、各1本の配線は複数並
列的に存在する配線を代表するものである。以下におい
ても、同様に記載する。The external terminal 12 for a logic circuit is representative of a plurality of external terminals for a logic circuit, and the external terminal 13 for a memory is representative of a plurality of external terminals for a memory. . Further, each one wiring represents a plurality of wirings existing in parallel. The same applies below.
【0012】図2は本発明の第1実施形態の第1具体例
の一部分を示す回路図であり、本発明の第1実施形態の
第1具体例は、論理回路10とメモリ11を異なる半導
体基板15、16に搭載し、論理回路10用の半導体基
板15にセレクタ14を搭載したものである。FIG. 2 is a circuit diagram showing a part of the first example of the first embodiment of the present invention. In the first example of the first embodiment of the present invention, the logic circuit 10 and the memory 11 are different semiconductors. It is mounted on the substrates 15 and 16, and the selector 14 is mounted on the semiconductor substrate 15 for the logic circuit 10.
【0013】図3は本発明の第1実施形態の第2具体例
の一部分を示す回路図であり、本発明の第1実施形態の
第2具体例は、論理回路10とメモリ11を異なる半導
体基板15、16に搭載し、メモリ11用の半導体基板
16にセレクタ14を搭載したものである。FIG. 3 is a circuit diagram showing a part of the second example of the first embodiment of the present invention. In the second example of the first embodiment of the present invention, the logic circuit 10 and the memory 11 are different semiconductors. It is mounted on the substrates 15 and 16, and the selector 14 is mounted on the semiconductor substrate 16 for the memory 11.
【0014】図4は本発明の第1実施形態の第3具体例
の一部分を示す回路図であり、本発明の第1実施形態の
第3具体例は、論理回路10とメモリ11を同一の半導
体基板17に混載し、この半導体基板17にセレクタ1
4を搭載したものである。FIG. 4 is a circuit diagram showing a part of the third example of the first embodiment of the present invention. In the third example of the first embodiment of the present invention, the logic circuit 10 and the memory 11 are the same. The selector 1 is mounted on the semiconductor substrate 17 in a mixed manner.
It is equipped with 4.
【0015】本発明の第1実施形態では、論理回路10
へのアクセスは論理回路用の外部端子12を介して行わ
れ、論理回路10からメモリ11へのアクセスは接続ノ
ード10A及びセレクタ14を介して行われ、外部から
メモリ11への直接的なアクセスは、論理回路10を経
由せずに、メモリ用の外部端子13及びセレクタ14を
介して行われる。In the first embodiment of the present invention, the logic circuit 10
Access to the memory 11 via the external terminal 12 for the logic circuit, access from the logic circuit 10 to the memory 11 via the connection node 10A and the selector 14, and direct access to the memory 11 from the outside. , Through the external terminal 13 for memory and the selector 14 without passing through the logic circuit 10.
【0016】なお、セレクタ14の電源を論理回路10
の電源と独立させた場合は、論理回路10が使用停止中
であっても、外部端子13を介してメモリ11にアクセ
スすることができる。The selector 14 is powered by the logic circuit 10.
When the logic circuit 10 is independent of the power supply of the above, the memory 11 can be accessed through the external terminal 13 even when the logic circuit 10 is not used.
【0017】本発明の第1実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路10とメモリ11とを混載してなる半導
体装置に関し、論理回路10を経由せずに、外部からメ
モリ11に直接アクセスを行うことができるので、メモ
リアクセスの高速化を図ることができる。According to the first embodiment of the present invention, the semiconductor device in which the logic circuit 10 and the memory 11 are mixedly mounted in one package is directly accessed from the outside without going through the logic circuit 10. Therefore, the speed of memory access can be increased.
【0018】(第2実施形態・・図5)図5は本発明の
第2実施形態の一部分を示す回路図である。図5中、1
8は論理回路、19−1、19−2、19−nはメモリ
であり、メモリ19−2、19−n間のメモリ19−3
〜19−(n−1)は図示を省略している。(Second Embodiment ... FIG. 5) FIG. 5 is a circuit diagram showing a part of a second embodiment of the present invention. In FIG. 5, 1
8 is a logic circuit, 19-1, 19-2 and 19-n are memories, and a memory 19-3 between the memories 19-2 and 19-n.
Illustration of 19 to 19- (n-1) is omitted.
【0019】20は論理回路用の外部端子、21はメモ
リ用の外部端子、22は論理回路18のメモリ19−1
〜19−nとの接続ノード18A又はメモリ用の外部端
子21をメモリ19−1〜19−nに選択的かつ電気的
に接続するセレクタである。Reference numeral 20 is an external terminal for a logic circuit, 21 is an external terminal for a memory, and 22 is a memory 19-1 of the logic circuit 18.
Is a selector for selectively and electrically connecting the connection node 18A with the memory 19-1 to 19-n or the external terminal 21 for the memory to the memories 19-1 to 19-n.
【0020】本発明の第2実施形態では、論理回路18
へのアクセスは論理回路用の外部端子20を介して行わ
れ、論理回路18からメモリ19−1〜19−nへのア
クセスは接続ノード18A及びセレクタ22を介して行
われ、外部からメモリ19−1〜19−nへの直接的な
アクセスは、論理回路18を経由せずに、メモリ回路用
の外部端子21及びセレクタ22を介して行われる。In the second embodiment of the present invention, the logic circuit 18
Access to the memories 19-1 to 19-n from the logic circuit 18 is performed via the connection node 18A and the selector 22. Direct access to 1 to 19-n is performed via the external terminal 21 for the memory circuit and the selector 22 without passing through the logic circuit 18.
【0021】なお、メモリ19−1〜19−nは、アド
レス信号を共有し、1個のメモリとして扱われるように
構成することもできるし、アドレス信号を共有しないよ
うにし、n個のメモリとして扱われるように構成するこ
ともできる。The memories 19-1 to 19-n can be configured so as to share the address signal and be treated as one memory, or can be configured so as not to share the address signal and to be n memories. It can also be configured to be treated.
【0022】また、セレクタ22の電源を論理回路18
の電源と独立させた場合は、論理回路18が使用停止中
であっても、外部端子21を介してメモリ19−1〜1
9−nにアクセスすることができる。The power source of the selector 22 is the logic circuit 18
Of the memories 19-1 to 19-1 through the external terminal 21 even when the logic circuit 18 is not used.
9-n can be accessed.
【0023】本発明の第2実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路18とメモリ19−1〜19−nとを混
載してなる半導体装置に関し、論理回路18を経由せず
に、外部からメモリ19−1〜19−nに直接アクセス
することができるので、メモリアクセスの高速化を図る
ことができる。According to the second embodiment of the present invention, a semiconductor device in which a logic circuit 18 and memories 19-1 to 19-n are mounted together in one package is provided from outside without passing through the logic circuit 18. Since the memories 19-1 to 19-n can be directly accessed, the speed of memory access can be increased.
【0024】(第3実施形態・・図6)図6は本発明の
第3実施形態の一部分を示す回路図である。図6中、2
3は論理回路、24はメモリ、25は論理回路用の外部
端子、26はメモリ用の外部端子である。(Third Embodiment ... FIG. 6) FIG. 6 is a circuit diagram showing a part of a third embodiment of the present invention. 2 in FIG.
3 is a logic circuit, 24 is a memory, 25 is an external terminal for a logic circuit, and 26 is an external terminal for a memory.
【0025】本発明の第3実施形態では、論理回路23
へのアクセスは論理回路用の外部端子25を介して行わ
れ、論理回路23からメモリ24へのアクセスは論理回
路23の接続ノード23Aを介して行われ、外部からメ
モリ24への直接的なアクセスは、論理回路23を経由
せずに、メモリ用の外部端子26を介して行われる。In the third embodiment of the present invention, the logic circuit 23
Access to the memory 24 via the external terminal 25 for the logic circuit, access from the logic circuit 23 to the memory 24 via the connection node 23A of the logic circuit 23, and direct access from the outside to the memory 24. Is performed via the external terminal 26 for memory without passing through the logic circuit 23.
【0026】なお、論理回路23がメモリ24にアクセ
スする場合には、メモリ用の外部端子26に接続されて
いる外部装置のノード中、出力ノードはハイインピーダ
ンスとなるように制御され、メモリ用の外部端子26か
らメモリ24にアクセスする場合には、論理回路23の
接続ノード23A中、出力ノードはハイインピーダンス
となるように制御される。When the logic circuit 23 accesses the memory 24, among the nodes of the external device connected to the external terminal 26 for memory, the output node is controlled to have a high impedance, and the output node for memory is controlled. When accessing the memory 24 from the external terminal 26, the output node of the connection node 23A of the logic circuit 23 is controlled to have a high impedance.
【0027】通常、SIPでは、論理回路とメモリとを
物理的に近接させ、外部端子を経由せずに内部で近距離
配線することで配線長を短くすることができるが、消費
電力や動作速度の要求が厳しくない場合は、本発明の第
3実施形態のようにセレクタを設けない構成とすること
もできる。Generally, in SIP, the wiring length can be shortened by physically bringing the logic circuit and the memory into close proximity to each other and internally wiring a short distance without passing through an external terminal, but the power consumption and the operating speed are reduced. When the requirement is not strict, it is possible to adopt a configuration in which the selector is not provided as in the third embodiment of the present invention.
【0028】本発明の第3実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路23とメモリ24とを混載してなる半導
体装置に関し、論理回路23を経由せずに、外部からメ
モリ24に直接アクセスすることができるので、メモリ
アクセスの高速化を図ることができる。According to the third embodiment of the present invention, the semiconductor device in which the logic circuit 23 and the memory 24 are mounted together in one package can directly access the memory 24 from the outside without going through the logic circuit 23. Therefore, the memory access can be speeded up.
【0029】(第4実施形態・・図7)図7は本発明の
第4実施形態の一部分を示す回路図である。図7中、2
7は論理回路、28−1、28−2、28−nはメモリ
であり、メモリ28−2、28−n間のメモリ28−3
〜28−(n−1)は図示を省略している。29は論理
回路用の外部端子、30はメモリ用の外部端子である。(Fourth Embodiment ... FIG. 7) FIG. 7 is a circuit diagram showing a part of a fourth embodiment of the present invention. 2 in FIG.
7 is a logic circuit, 28-1, 28-2 and 28-n are memories, and a memory 28-3 between the memories 28-2 and 28-n.
28- (n-1) are not shown. Reference numeral 29 is an external terminal for a logic circuit, and 30 is an external terminal for a memory.
【0030】本発明の第4実施形態では、論理回路27
へのアクセスは論理回路用の外部端子29を介して行わ
れ、論理回路27からメモリ28−1〜28−nへのア
クセスは論理回路27の接続ノード27Aを介して行わ
れ、外部からメモリ28−1〜28−nへの直接的なア
クセスは、メモリ用の外部端子30を介して、論理回路
27を経由せずに行われる。In the fourth embodiment of the present invention, the logic circuit 27
Access to the memories 28-1 to 28-n from the logic circuit 27 via the connection node 27A of the logic circuit 27, and access from the outside to the memory 28. Direct access to -1 to 28-n is performed via the external terminal 30 for the memory and not via the logic circuit 27.
【0031】なお、論理回路27がメモリ28−1〜2
8−nにアクセスする場合には、メモリ用の外部端子3
0に接続されている外部装置のノード中、出力ノードは
ハイインピーダンスとなるように制御され、メモリ用の
外部端子30からメモリ28−1〜28−nにアクセス
する場合には、論理回路27の接続ノード27A中、出
力ノードはハイインピーダンスとなるように制御され
る。The logic circuit 27 is used as the memories 28-1 and 28-2.
When accessing 8-n, external terminal 3 for memory
Among the nodes of the external device connected to 0, the output node is controlled to have a high impedance, and when accessing the memories 28-1 to 28-n from the external terminal 30 for memory, the output of the logic circuit 27 is The output node of the connection node 27A is controlled to have a high impedance.
【0032】また、メモリ28−1〜28−nは、アド
レス信号を共有し、1個のメモリとして扱われるように
構成することもできるし、アドレス信号を共有しないよ
うにし、n個のメモリとして扱われるように構成するこ
ともできる。Further, the memories 28-1 to 28-n can be constructed so as to share the address signal and be treated as one memory, or can be arranged so as not to share the address signal and to be n memories. It can also be configured to be treated.
【0033】本発明の第4実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路27とメモリ28−1〜28−nとを混
載してなる半導体装置に関し、論理回路27を経由せず
に、外部からメモリ28−1〜28−nに直接アクセス
することができるので、メモリアクセスの高速化を図る
ことができる。According to the fourth embodiment of the present invention, a semiconductor device in which the logic circuit 27 and the memories 28-1 to 28-n are mounted together in one package is provided from outside without passing through the logic circuit 27. Since the memories 28-1 to 28-n can be directly accessed, the speed of memory access can be increased.
【0034】(第5実施形態・・図8〜図11)図8は
本発明の第5実施形態の一部分を示す回路図である。図
8中、31は論理回路、32はメモリ、33は論理回路
31及びメモリ32で共有される外部端子、34は論理
回路31のメモリ32との接続ノード31A又は外部端
子33をメモリ32に選択的かつ電気的に接続するセレ
クタである。(Fifth Embodiment ... FIGS. 8 to 11) FIG. 8 is a circuit diagram showing a part of a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 8, 31 is a logic circuit, 32 is a memory, 33 is an external terminal shared by the logic circuit 31 and the memory 32, 34 is a connection node 31A of the logic circuit 31 with the memory 32 or the external terminal 33 is selected as the memory 32. It is a selector that electrically and electrically connects.
【0035】図9は本発明の第5実施形態の第1具体例
の一部分を示す回路図であり、本発明の第5実施形態の
第1具体例は、論理回路31とメモリ32を異なる半導
体基板35、36に搭載し、論理回路31用の半導体基
板35にセレクタ34を搭載したものである。FIG. 9 is a circuit diagram showing a part of the first example of the fifth embodiment of the present invention. In the first example of the fifth embodiment of the present invention, the logic circuit 31 and the memory 32 are different semiconductors. It is mounted on the substrates 35 and 36, and the selector 34 is mounted on the semiconductor substrate 35 for the logic circuit 31.
【0036】図10は本発明の第5実施形態の第2具体
例の一部分を示す回路図であり、本発明の第5実施形態
の第2具体例は、論理回路31とメモリ32を異なる半
導体基板35、36に搭載し、メモリ32用の半導体基
板36にセレクタ34を搭載したものである。FIG. 10 is a circuit diagram showing a part of the second specific example of the fifth embodiment of the present invention. In the second specific example of the fifth embodiment of the present invention, the logic circuit 31 and the memory 32 are different semiconductors. It is mounted on the substrates 35 and 36, and the selector 34 is mounted on the semiconductor substrate 36 for the memory 32.
【0037】図11は本発明の第5実施形態の第3具体
例の一部分を示す回路図であり、本発明の第5実施形態
の第3具体例は、論理回路31とメモリ32を同一の半
導体基板37に混載し、この半導体基板37にセレクタ
34を搭載したものである。FIG. 11 is a circuit diagram showing a part of the third example of the fifth embodiment of the present invention. In the third example of the fifth embodiment of the present invention, the logic circuit 31 and the memory 32 are the same. The semiconductor substrate 37 is mixedly mounted on the semiconductor substrate 37, and the selector 34 is mounted on the semiconductor substrate 37.
【0038】本発明の第5実施形態では、論理回路31
へのアクセスは外部端子33を介して行われ、論理回路
31からメモリ32へのアクセスは接続ノード31A及
びセレクタ34を介して行われ、外部からメモリ32へ
の直接的なアクセスは、論理回路31を経由せずに、外
部端子33及びセレクタ34を介して行われる。In the fifth embodiment of the present invention, the logic circuit 31
Access to the memory 32 via the external terminal 33, access from the logic circuit 31 to the memory 32 via the connection node 31A and the selector 34, and direct access from the outside to the memory 32 is performed via the logic circuit 31. Not via the external terminal 33 and the selector 34.
【0039】本発明の第5実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路31とメモリ32とを混載してなる半導
体装置に関し、論理回路31を経由せずに、外部からメ
モリ32に直接アクセスすることができるので、メモリ
アクセスの高速化を図ることができると共に、本発明の
第1実施形態よりも外部端子の個数を少なくすることが
できる。According to the fifth embodiment of the present invention, the semiconductor device in which the logic circuit 31 and the memory 32 are mixedly mounted in one package can directly access the memory 32 from the outside without passing through the logic circuit 31. Therefore, it is possible to speed up the memory access and reduce the number of external terminals as compared with the first embodiment of the present invention.
【0040】(第6実施形態・・図12)図12は本発
明の第6実施形態の一部分を示す回路図である。図12
中、38は論理回路、39−1、39−2、39−nは
メモリであり、メモリ39−2、39−n間のメモリ3
9−3〜39−(n−1)は図示を省略している。(Sixth Embodiment ... FIG. 12) FIG. 12 is a circuit diagram showing a part of a sixth embodiment of the present invention. 12
Among them, 38 is a logic circuit, 39-1, 39-2, 39-n are memories, and the memory 3 between the memories 39-2, 39-n.
Illustrations of 9-3 to 39- (n-1) are omitted.
【0041】40は論理回路38及びメモリ39−1〜
39−nに共有される外部端子、41は論理回路38の
メモリ39−1〜39−nとの接続ノード38A又は外
部端子40をメモリ39−1〜39−nに選択的かつ電
気的に接続するセレクタである。40 is a logic circuit 38 and memories 39-1 to 39-1.
An external terminal shared by 39-n, 41 is a connection node 38A of the logic circuit 38 with the memories 39-1 to 39-n or an external terminal 40 is selectively and electrically connected to the memories 39-1 to 39-n. Selector
【0042】本発明の第6実施形態では、論理回路38
へのアクセスは外部端子40を介して行われ、論理回路
38からメモリ39−1〜39−nへのアクセスは論理
回路38の接続ノード38A及びセレクタ41を介して
行われ、外部からメモリ39−1〜39−nへの直接的
なアクセスは、論理回路38を経由せずに、外部端子4
0及びセレクタ41を介して行われる。In the sixth embodiment of the present invention, the logic circuit 38
Access to the memories 39-1 to 39-n from the logic circuit 38 via the connection node 38A of the logic circuit 38 and the selector 41, and the memory 39-from the outside. Direct access to 1 to 39-n does not go through the logic circuit 38, but to the external terminal 4
0 and the selector 41.
【0043】なお、メモリ39−1〜39−nは、アド
レス信号を共有し、1個のメモリとして扱われるように
構成することもできるし、アドレス信号を共有しないよ
うにし、n個のメモリとして扱われるように構成するこ
ともできる。The memories 39-1 to 39-n may be configured to share the address signal and be treated as one memory, or may not be shared with the address signal and may be configured as n memories. It can also be configured to be treated.
【0044】本発明の第6実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路38とメモリ39−1〜39−nとを混
載してなる半導体装置に関し、論理回路38を経由せず
に、外部からメモリ39−1〜39−nに直接アクセス
することができるので、メモリアクセスの高速化を図る
ことができると共に、本発明の第2実施形態よりも外部
端子の個数を少なくすることができる。According to the sixth embodiment of the present invention, a semiconductor device in which a logic circuit 38 and memories 39-1 to 39-n are mounted together in one package is provided from outside without passing through the logic circuit 38. Since the memories 39-1 to 39-n can be directly accessed, the speed of memory access can be increased and the number of external terminals can be reduced as compared with the second embodiment of the present invention.
【0045】(第7実施形態・・図13)図13は本発
明の第7実施形態の一部分を示す回路図である。図13
中、42は論理回路、43、44はメモリ、45は論理
回路42とメモリ43で共有される外部端子、46は論
理回路42とメモリ44で共有される外部端子である。(Seventh Embodiment ... FIG. 13) FIG. 13 is a circuit diagram showing a part of a seventh embodiment of the present invention. FIG.
42 is a logic circuit, 43 and 44 are memories, 45 is an external terminal shared by the logic circuit 42 and the memory 43, and 46 is an external terminal shared by the logic circuit 42 and the memory 44.
【0046】47は論理回路42のメモリ43、44と
の接続ノード42A又は外部端子45をメモリ43に選
択的かつ電気的に接続するセレクタ、48は論理回路4
2のメモリ43、44との接続ノード42A又は外部端
子46をメモリ44に選択的かつ電気的に接続するセレ
クタである。Reference numeral 47 is a selector for selectively and electrically connecting the connection node 42A with the memories 43 and 44 of the logic circuit 42 or the external terminal 45 to the memory 43, and 48 is the logic circuit 4
2 is a selector for selectively and electrically connecting the connection node 42A with the two memories 43 and 44 or the external terminal 46 to the memory 44.
【0047】本発明の第7実施形態では、論理回路42
へのアクセスは外部端子45、46を介して行われ、論
理回路42からメモリ43、44へのアクセスは接続ノ
ード42Aを介して行われ、外部からメモリ43、44
への直接的なアクセスは、論理回路42を経由せずに、
外部端子45、46及びセレクタ47、48を介して行
われる。In the seventh embodiment of the present invention, the logic circuit 42
Access to the memories 43 and 44 from the logic circuit 42 via the connection node 42A, and the memories 43 and 44 from the outside.
Direct access to the
This is performed through the external terminals 45 and 46 and the selectors 47 and 48.
【0048】この例では、メモリ43、44は、論理回
路42からのアドレス信号を共有し、論理回路42から
は1個のメモリとして扱われ、外部から直接アクセスさ
れる場合には、外部端子45、46からのアドレス信号
を共有せず、2個のメモリとして扱われる。In this example, the memories 43 and 44 share the address signal from the logic circuit 42, are treated as one memory from the logic circuit 42, and are external terminals 45, when directly accessed from the outside. Address signals from 46 are not shared and are treated as two memories.
【0049】本発明の第7実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路42とメモリ43、44を混載してなる
半導体装置に関し、論理回路42を経由せずに、外部か
らメモリ43、44に直接アクセスすることができるの
で、メモリアクセスの高速化を図ることができる。According to the seventh embodiment of the present invention, the semiconductor device in which the logic circuit 42 and the memories 43 and 44 are mixedly mounted in one package is provided to the memories 43 and 44 from outside without passing through the logic circuit 42. Since direct access is possible, it is possible to speed up memory access.
【0050】(第8実施形態・・図14)図14は本発
明の第8実施形態の一部分を示す回路図である。図14
中、49、50は論理回路、51、52はメモリ、53
は論理回路用の外部端子、54は論理回路50とメモリ
51、52で共有される外部端子である。(Eighth Embodiment ... FIG. 14) FIG. 14 is a circuit diagram showing a part of an eighth embodiment of the present invention. 14
Medium, 49 and 50 are logic circuits, 51 and 52 are memories, 53
Is an external terminal for the logic circuit, and 54 is an external terminal shared by the logic circuit 50 and the memories 51 and 52.
【0051】55は論理回路49のメモリ51との接続
ノード49A又は外部端子54をメモリ51に選択的か
つ電気的に接続するセレクタ、56は論理回路50のメ
モリ52との接続ノード50A又は外部端子54をメモ
リ52に選択的かつ電気的に接続するセレクタである。55 is a selector for selectively and electrically connecting the connection node 49A of the logic circuit 49 with the memory 51 or the external terminal 54 to the memory 51, and 56 is the connection node 50A of the logic circuit 50 with the memory 52 or the external terminal. The selector 54 selectively and electrically connects the memory 54 to the memory 52.
【0052】本発明の第8実施形態では、論理回路49
へのアクセスは外部端子53を介して行われ、論理回路
50へのアクセスは外部端子54を介して行われ、論理
回路49からメモリ51へのアクセスは接続ノード49
A及びセレクタ55を介して行われ、論理回路50から
メモリ52へのアクセスは接続ノード50A及びセレク
タ56を介して行われ、外部からメモリ51、52への
直接的なアクセスは、論理回路49、50を経由せず
に、外部端子54及びセレクタ55、56を介して行わ
れる。In the eighth embodiment of the present invention, the logic circuit 49
Is accessed through the external terminal 53, access to the logic circuit 50 is performed through the external terminal 54, and access from the logic circuit 49 to the memory 51 is performed at the connection node 49.
A and the selector 55 are used to access the memory 52 from the logic circuit 50 via the connection node 50A and the selector 56. Direct access to the memories 51 and 52 from the outside is performed via the logic circuit 49, It does not go through 50, but via the external terminal 54 and the selectors 55 and 56.
【0053】この例では、メモリ51、52は、論理回
路49、50にそれぞれ1個のメモリとして扱われ、外
部から直接アクセスされる場合には、外部端子54から
のアドレス信号を共有し、1個のメモリとして扱われ
る。In this example, the memories 51 and 52 are treated as one memory by the logic circuits 49 and 50, respectively, and when accessed directly from the outside, share the address signal from the external terminal 54 and share one address. Is treated as memory.
【0054】本発明の第8実施形態によれば、1パッケ
ージに論理回路49、50とメモリ51、52とを混載
してなる半導体装置に関し、論理回路49、50を経由
せずに、外部からメモリ51、52に直接アクセスする
ことができるので、メモリアクセスの高速化を図ること
ができる。According to the eighth embodiment of the present invention, a semiconductor device in which the logic circuits 49 and 50 and the memories 51 and 52 are mounted together in one package is provided from outside without passing through the logic circuits 49 and 50. Since the memories 51 and 52 can be directly accessed, the speed of memory access can be increased.
【0055】(本発明の第1実施形態を使用したシステ
ムの一例・・図15)図15は本発明の第1実施形態を
使用したシステムの一例の一部分を示す回路図である。
図15中、57はCPU(Central Processing Unit)、
58は本発明の第1実施形態、59はCPU57と本発
明の第1実施形態58との接続を図るFPGA(Field
Programmable Gate Array)、60は本発明の第1実施
形態58内の論理回路10をアクセスする場合に使用さ
れる論理回路アクセスポート、61は本発明の第1実施
形態58内のメモリ11を直接アクセスする場合に使用
されるメモリアクセスポートである。(Example of System Using First Embodiment of Present Invention ... FIG. 15) FIG. 15 is a circuit diagram showing a part of an example of a system using the first embodiment of the present invention.
In FIG. 15, 57 is a CPU (Central Processing Unit),
Reference numeral 58 is an FPGA (Field) for connecting the CPU 57 to the CPU 57 and the first embodiment 58 of the present invention.
Programmable Gate Array), 60 is a logic circuit access port used when accessing the logic circuit 10 in the first embodiment 58 of the present invention, and 61 is a direct access to the memory 11 in the first embodiment 58 of the present invention. It is a memory access port used in some cases.
【0056】このシステムにおいては、CPU57は、
FPGA59内の論理回路アクセスポート60を使用す
ることにより本発明の第1実施形態58内の論理回路1
0にアクセスすることができ、また、FPGA59内の
メモリアクセスポート61を使用することにより本発明
の第1実施形態58内のメモリ11に直接アクセスする
ことができる。In this system, the CPU 57
By using the logic circuit access port 60 in the FPGA 59, the logic circuit 1 in the first embodiment 58 of the present invention
0, and the memory 11 in the first embodiment 58 of the present invention can be directly accessed by using the memory access port 61 in the FPGA 59.
【0057】このシステムによれば、CPU57は、本
発明の第1実施形態58が有するメモリ11に直接アク
セスすることができるので、メモリアクセスの高速化を
図ることができると共に、本発明の第1実施形態58が
有するメモリ11の有効利用を図ることができ、システ
ム全体としてのメモリ容量を削減することができる。According to this system, the CPU 57 can directly access the memory 11 included in the first embodiment 58 of the present invention, so that the speed of memory access can be increased and the first embodiment of the present invention can be achieved. The memory 11 included in the form 58 can be effectively used, and the memory capacity of the entire system can be reduced.
【0058】また、CPU57からメモリ11に直接ア
クセスして論理回路10が使用するメモリ11内のアド
レスに初期値の書き込みを行うことにより、論理回路1
0の初期設定に必要な時間の削減を行うことができる。Further, by directly accessing the memory 11 from the CPU 57 and writing the initial value to the address in the memory 11 used by the logic circuit 10, the logic circuit 1
The time required for the initial setting of 0 can be reduced.
【0059】なお、この例の場合には、FPGA59
は、論理回路10にアクセスするためのノード60Aと
メモリ11にアクセスするためのノード61Aを備えて
いるので、本発明の第1実施形態の代わりに、本発明の
第2実施形態、第3実施形態又は第4実施形態を使用す
るように構成することもできる。In the case of this example, the FPGA 59
Comprises a node 60A for accessing the logic circuit 10 and a node 61A for accessing the memory 11, so that instead of the first embodiment of the present invention, the second and third embodiments of the present invention are implemented. It can also be configured to use the configuration or the fourth embodiment.
【0060】(本発明の第5実施形態を使用したシステ
ムの一例・・図16)図16は本発明の第5実施形態を
使用したシステムの一例の一部分を示す回路図である。
図16中、62はCPU、63は本発明の第5実施形
態、64はCPU62と本発明の第5実施形態63との
接続を図るFPGA、65は本発明の第5実施形態63
内の論理回路31をアクセスする場合に使用される論理
回路アクセスポート、66は本発明の第5実施形態63
内のメモリ32を直接アクセスする場合に使用されるメ
モリアクセスポートである。(Example of System Using Fifth Embodiment of the Present Invention ... FIG. 16) FIG. 16 is a circuit diagram showing a part of an example of a system using the fifth embodiment of the present invention.
In FIG. 16, 62 is a CPU, 63 is a fifth embodiment of the present invention, 64 is an FPGA for connecting the CPU 62 and the fifth embodiment 63 of the present invention, and 65 is a fifth embodiment 63 of the present invention.
A logic circuit access port used to access the logic circuit 31 in the internal circuit 66 is a fifth embodiment 63 of the present invention.
It is a memory access port used when directly accessing the memory 32 inside.
【0061】このシステムにおいては、CPU62は、
FPGA64内の論理回路アクセスポート65を使用す
ることにより本発明の第5実施形態63内の論理回路3
1にアクセスすることができ、また、FPGA64内の
メモリアクセスポート66を使用することにより本発明
の第5実施形態63内のメモリ32に直接アクセスする
ことができる。In this system, the CPU 62
By using the logic circuit access port 65 in the FPGA 64, the logic circuit 3 in the fifth embodiment 63 of the present invention
1 and the memory 32 in the fifth embodiment 63 of the present invention can be directly accessed by using the memory access port 66 in the FPGA 64.
【0062】このシステムによれば、CPU62は、本
発明の第5実施形態63が有するメモリ32に直接アク
セスすることができるので、メモリアクセスの高速化を
図ることができると共に、本発明の第5実施形態63が
有するメモリ32の有効利用を図ることができ、システ
ム全体としてのメモリ容量を削減することができる。According to this system, since the CPU 62 can directly access the memory 32 of the fifth embodiment 63 of the present invention, the speed of memory access can be increased and the fifth embodiment of the present invention can be achieved. The memory 32 of the form 63 can be effectively used, and the memory capacity of the entire system can be reduced.
【0063】また、CPU62からメモリ32に直接ア
クセスして論理回路31が使用するメモリ32内のアド
レスに初期値の書き込みを行うことにより、論理回路3
1の初期設定に必要な時間の削減を行うことができる。Further, by directly accessing the memory 32 from the CPU 62 and writing the initial value to the address in the memory 32 used by the logic circuit 31, the logic circuit 3
The time required for the initial setting of 1 can be reduced.
【0064】なお、この例の場合には、FPGA64
は、論理回路31にアクセスするためのノード及びメモ
リ32にアクセスするためのノードとして共通のノード
67を備えるように構成されているので、本発明の第5
実施形態の代わりに、本発明の第6実施形態を使用する
ように構成することができる。In the case of this example, the FPGA64
Is configured to include a common node 67 as a node for accessing the logic circuit 31 and a node for accessing the memory 32.
Instead of the embodiment, the sixth embodiment of the present invention can be configured to be used.
【0065】[0065]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、論理回
路を経由せずに、外部からメモリに直接アクセスするた
めのメモリアクセス手段を有するとしたことにより、論
理回路を経由せずに、外部からメモリに直接アクセスす
ることができるので、メモリアクセスの高速化を図るこ
とができる。As described above, according to the present invention, the memory access means for directly accessing the memory from the outside without passing through the logic circuit is provided. Therefore, without passing through the logic circuit, Since the memory can be directly accessed from the outside, the memory access can be speeded up.
【図1】本発明の第1実施形態の一部分を示す回路図で
ある。FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1実施形態の第1具体例の一部分を
示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a part of a first specific example of the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1実施形態の第2具体例の一部分を
示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a part of a second specific example of the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1実施形態の第3具体例の一部分を
示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a part of a third specific example of the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第2実施形態の一部分を示す回路図で
ある。FIG. 5 is a circuit diagram showing a part of a second embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第3実施形態の一部分を示す回路図で
ある。FIG. 6 is a circuit diagram showing a part of a third embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第4実施形態の一部分を示す回路図で
ある。FIG. 7 is a circuit diagram showing a part of a fourth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第5実施形態の一部分を示す回路図で
ある。FIG. 8 is a circuit diagram showing a part of a fifth embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第5実施形態の第1具体例の一部分を
示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a part of a first example of the fifth embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第5実施形態の第2具体例の一部分
を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a part of a second specific example of the fifth embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第5実施形態の第3具体例の一部分
を示す回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram showing a part of a third specific example of the fifth embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第6実施形態の一部分を示す回路図
である。FIG. 12 is a circuit diagram showing a part of a sixth embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第7実施形態の一部分を示す回路図
である。FIG. 13 is a circuit diagram showing a part of a seventh embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第8実施形態の一部分を示す回路図
である。FIG. 14 is a circuit diagram showing a part of an eighth embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第1実施形態を使用したシステムの
一例の一部分を示す回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram showing a part of an example of a system using the first embodiment of the present invention.
【図16】本発明の第5実施形態を使用したシステムの
一例の一部分を示す回路図である。FIG. 16 is a circuit diagram showing a part of an example of a system using the fifth embodiment of the present invention.
【図17】従来のSIPの一例を示す概略的構成図であ
る。FIG. 17 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional SIP.
【図18】図17に示す従来のSIPが有する問題点を
説明するための回路図である。FIG. 18 is a circuit diagram for explaining a problem of the conventional SIP shown in FIG.
1 パッケージ 4 論理回路用の外部端子 5 メモリ用の外部端子 1 package 4 External terminals for logic circuits 5 External terminal for memory
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 和幸 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 大塚 竜志 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 5B015 HH01 HH03 JJ21 PP02 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Kazuyuki Tanaka 4-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 within Fujitsu Limited (72) Inventor Ryushi Otsuka 4-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 within Fujitsu Limited F-term (reference) 5B015 HH01 HH03 JJ21 PP02
Claims (5)
してなる半導体装置であって、 前記論理回路を経由せずに、外部から前記メモリに直接
アクセスするためのメモリアクセス手段を有することを
特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device in which a logic circuit and a memory are mixedly mounted in one package, and a memory access unit for directly accessing the memory from outside without passing through the logic circuit is provided. Semiconductor device.
の外部端子と、前記論理回路の前記メモリとの接続ノー
ド又は前記メモリ用の外部端子を前記メモリに選択的か
つ電気的に接続するセレクタを有することを特徴とする
請求項1記載の半導体装置。2. The memory access means includes an external terminal for a memory and a connection node for connecting the memory to the memory of the logic circuit or a selector for selectively and electrically connecting the external terminal for the memory to the memory. The semiconductor device according to claim 1, wherein:
リに電気的に接続されたメモリ用の外部端子を有し、 前記論理回路は、前記メモリ用の外部端子から前記メモ
リへのアクセスが行われる場合、前記論理回路の前記メ
モリとの接続ノードがハイインピーダンスとなるように
制御されることを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。3. The memory access means includes an external terminal for a memory electrically connected to the memory, wherein the logic circuit accesses the memory from the external terminal for the memory. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the connection node of the logic circuit with the memory is controlled to have a high impedance.
回路の前記メモリとの接続ノード又は論理回路用の外部
端子を前記メモリに選択的かつ電気的に接続するセレク
タを有し、 前記論理回路用の外部端子は、メモリ用の外部端子とし
て共用するようにされていることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置。4. The memory access means includes a selector for selectively and electrically connecting a connection node of the logic circuit with the memory or an external terminal for the logic circuit to the memory, The external terminal is adapted to be also used as an external terminal for a memory.
The semiconductor device described.
合には、1個のメモリとして扱われ、外部から直接アク
セスされる場合には、複数のメモリとして扱われるか、
又は、前記論理回路からアクセスされる場合には、複数
のメモリとして扱われ、外部から直接アクセスされる場
合には、1個のメモリとして扱われるようにされている
ことを特徴とする請求項2、3又は4記載の半導体装
置。5. The memory includes a plurality of memories, the plurality of memories are treated as one memory when accessed from the logic circuit, and are directly accessed from the outside, Treated as multiple memories,
Alternatively, when it is accessed from the logic circuit, it is treated as a plurality of memories, and when it is directly accessed from the outside, it is treated as one memory. 3. The semiconductor device according to 3 or 4.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2002125105A JP2003317481A (en) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002125105A JP2003317481A (en) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | Semiconductor device |
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---|---|
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