JP2003316279A - Method for manufacturing device, device and electronic apparatus - Google Patents
Method for manufacturing device, device and electronic apparatusInfo
- Publication number
- JP2003316279A JP2003316279A JP2002119966A JP2002119966A JP2003316279A JP 2003316279 A JP2003316279 A JP 2003316279A JP 2002119966 A JP2002119966 A JP 2002119966A JP 2002119966 A JP2002119966 A JP 2002119966A JP 2003316279 A JP2003316279 A JP 2003316279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- liquid material
- substrate
- processing
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 101100321670 Fagopyrum esculentum FA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、表示装置などのデバイ
スの製造方法に係り、特に、一括処理と逐次処理という
性格の異なる処理工程が混在する場合に効率を上げるこ
とができるプロセスの改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a device such as a display device, and more particularly to improvement of a process capable of improving efficiency when processing steps of different characteristics such as batch processing and sequential processing are mixed. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、表示装置等、薄膜トランジスタ
のような半導体装置を含む電子装置の製造には、フォト
リソグラフィー法を用いることが普通であった。フォト
リソグラフィー法は、予め基板上に導電膜材料を化学気
相成長（ＣＶＤ）法やスパッタ法で塗布し、その上に感
光性材料を塗布し、配線パターンに対応したマスクで覆
ってから露光・現像し、レジストの配線パターンの領域
以外の部分を露出させた後にエッチングをして配線を形
成するものである。このフォトリソグラフィー法は、写
真技術の応用によって広範は範囲にパターンを形成して
いくものであるため、基板面積が大きくても処理時間が
増えることがないという特徴があった。2. Description of the Related Art In general, a photolithography method is usually used for manufacturing an electronic device including a semiconductor device such as a thin film transistor such as a display device. In the photolithography method, a conductive film material is applied on the substrate in advance by a chemical vapor deposition (CVD) method or a sputtering method, a photosensitive material is applied thereon, and the material is covered with a mask corresponding to a wiring pattern and then exposed. The wiring is formed by developing and exposing a portion other than the area of the wiring pattern of the resist, and then etching. This photolithography method has a feature that a processing time does not increase even if the substrate area is large because a pattern is formed in a wide range by applying a photographic technique.
【０００３】一方、米国特許第５１３２２４８号には、
導電性微粒子を分散させた液体をインクジェット法にて
基板に直接配線パターン形状に塗布して配線を順次形成
していき、その後の熱処理やレーザ照射を施して配線パ
ターンに変換する方法が提案されていた。この方法によ
れば、プロセスが大幅に簡単なものとなり、導電膜材料
の使用量も少なくて済むというメリットがあった。On the other hand, in US Pat. No. 5,132,248,
A method has been proposed in which a liquid in which conductive particles are dispersed is directly applied to a substrate in a wiring pattern shape by an inkjet method to sequentially form wiring, and then heat treatment or laser irradiation is performed to convert the wiring pattern. It was According to this method, the process is significantly simplified, and the amount of the conductive film material used is small, which is an advantage.
【０００４】薄膜トランジスタの製造のように高い精度
を要求される工程には、一般に基板全体を一括で成膜す
るＣＶＤやスパッタなどの成膜方法と、基板全体を一括
で処理する露光、洗浄、エッチング、レジスト塗布など
を組み合わせたフォトリソグラフィー法のような一括処
理が適しているが、液晶表示素子や有機ＥＬ素子の発光
層の製造のように材料の使用量を抑えたい場合にはイン
クジェット法のような逐次処理が適している。従来、こ
れら二つの処理プロセスは特に分離して処理されること
はなかった。For processes requiring high precision such as manufacturing of thin film transistors, generally, a film forming method such as CVD or sputtering for forming a film on the whole substrate and exposure, cleaning, and etching for processing the whole substrate at a time. Although batch processing such as photolithography that combines resist coating, etc. is suitable, if you want to reduce the amount of material used, such as when manufacturing the light-emitting layer of liquid crystal display elements and organic EL elements, use the inkjet method. Suitable sequential processing is suitable. Conventionally, these two treatment processes have not been treated separately.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子装
置の大量生産をする場合、投資生産性というものを考え
ねばならない。ここで、投資生産性は、例えば液晶表示
装置等の光学表示体パネルの場合、
投資生産性＝[一枚の基板から得られるデバイス（パネ
ル）の数]／[（装置コスト）Ｘ（基板一枚あたりの処理
時間）]
という式で表される。However, when mass-producing electronic devices, investment productivity must be considered. Here, the investment productivity is, for example, in the case of an optical display panel such as a liquid crystal display device, investment productivity = [the number of devices (panels) obtained from one substrate] / [(apparatus cost) X (one substrate) Processing time per sheet)]].
【０００６】ＣＶＤやスパッタのような一括処理では、
装置コストは基板面積の平方根に比例して増加するとい
われている。一方で、基板一枚あたりの処理時間は一括
処理であるが故に、基板上に形成するデバイス（パネ
ル）の数の多少によってあまり変動を受けない。このた
め多数のデバイス（パネル）を一度に大きな基板上に形
成することで投資生産性を上げることができる。In batch processing such as CVD and sputtering,
The device cost is said to increase in proportion to the square root of the substrate area. On the other hand, since the processing time per substrate is batch processing, it does not change much depending on the number of devices (panels) formed on the substrate. Therefore, investment productivity can be improved by forming a large number of devices (panels) on a large substrate at once.
【０００７】一方、インクジェット法のような逐次処理
では、装置コストの増加率は一括処理と同じ程度である
が、処理時間が基板面積の増加に比例して増える傾向に
あった。このため、投資生産性はデバイス（パネル）を
一気に大面積の基板を使って多数製造しようがしまい
が、あまり変動がない。On the other hand, in the sequential processing such as the ink jet method, the increase rate of the apparatus cost is about the same as that of the batch processing, but the processing time tends to increase in proportion to the increase of the substrate area. For this reason, the investment productivity does not change much even if many devices (panels) are manufactured at a stretch using a large-area substrate.
【０００８】また、インクジェット法において、逐次処
理の処理速度を上げて一括処理の処理速度に合わせるた
めには、高速多ノズルヘッドを多量に用いたリ、大型の
高速ステージを用いる等の措置を採用したりすることで
理論的には可能である。しかし、基板が大型化しても処
理速度が遅くならないように無理に処理速度の大きい大
型装置を導入した場合、装置コストの極端な増加、つま
り面積増加比以上の装置コストの増加やメンテナンスの
困難さにつながり現実的ではない。むしろ、小型基板用
の液滴噴射装置を多数用意して製造することで投資生産
性が向上する場合がある。Further, in the ink jet method, in order to increase the processing speed of the sequential processing to match the processing speed of the batch processing, measures such as using a large number of high-speed multi-nozzle heads and using a large high-speed stage are adopted. It is possible theoretically by doing. However, if a large-scale device with a high processing speed is forcibly introduced so that the processing speed does not slow down even if the substrate becomes large, the device cost will increase extremely, that is, the device cost will increase beyond the area increase ratio and maintenance will be difficult. Connected to is not realistic. Rather, the investment productivity may be improved by preparing and manufacturing a large number of droplet ejecting devices for small substrates.
【０００９】従来、このように性格の異なる処理プロセ
スの組み合わせ方について充分研究がされていなかっ
た。Heretofore, a method of combining treatment processes having different characteristics has not been sufficiently studied.
【００１０】本発明はこの点に鑑みなされたものであ
り、一括処理プロセスと逐次処理プロセスが混在する場
合に、生産性を向上させることができる、電子装置の製
造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an electronic device capable of improving productivity when a batch processing process and a sequential processing process are mixed. To do.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、一の基板上に複数の独立したデバイスを形成するた
めのデバイスの製造方法において、基板全体に対して一
括に処理するためのステップを一以上備える一括処理プ
ロセスと、一括処理された基板を個々の副基板に分離す
るための切断プロセスと、切断処理されたデバイスのい
ずれか１以上に対し、処理位置を逐次移動していくこと
により処理するためのステップを１以上備える逐次処理
プロセスと、を備えたデバイスの製造方法である。In order to achieve the above object, in a device manufacturing method for forming a plurality of independent devices on one substrate, steps for collectively processing the entire substrate A batch processing process including one or more of the above, a cutting process for separating the batch processed substrate into individual sub-boards, and sequentially moving the processing position with respect to any one or more of the cut processed devices. And a sequential processing process including one or more steps for processing by.
【００１２】一括処理プロセスでは基板面積が大きくて
も小さくても処理に必要とされる時間があまりかわらな
いので、一括処理プロセスでは複数の副基板を分離せず
一遍に処理する方が、デバイス一つ当たりのコストを削
減できるのである。一方、逐次処理プロセスでは、処理
に必要とされる時間が基板面積の増加率に比例して増え
るため、複数の副基板に対し一遍に処理するメリットが
あまりない反面、大きすぎる副基板では処理位置を移動
していかねばならない処理装置にとって経済的な処理対
象とならないのである。このため、逐次処理プロセス時
には、必要とされる副基板を個々に処理できるように、
適当な大きさに限っておく必要がある。このような性格
の異なるプロセスを、切断プロセスを経ることによって
繋げば、処理時間、処理装置の大きさ等から導き出され
る総コストを下げることができる。In the batch processing process, the time required for processing does not change much whether the substrate area is large or small. Therefore, in the batch processing process, it is better not to separate a plurality of sub-boards but to process them all at once. The cost per unit can be reduced. On the other hand, in the sequential processing process, the time required for processing increases in proportion to the rate of increase in the substrate area, so there is not much merit to perform processing on multiple sub-boards at the same time. It is not an economical processing target for a processing device that has to move. Therefore, during the sequential processing process, the required sub-boards can be processed individually,
It should be limited to an appropriate size. By connecting processes having different characteristics through a cutting process, the total cost derived from the processing time, the size of the processing apparatus, etc. can be reduced.
【００１３】なお、本発明において「ステップ」とは一
つの処理単位を意味し、プロセスとは少なくとも１以上
のステップから構成される纏まりのあるグループを意味
する。In the present invention, the "step" means one processing unit, and the process means a group including at least one step.
【００１４】本発明における「デバイス」とは、一定の
まとまった機能を備えた装置一般をいい、例えば表示装
置をいう。特に本発明は、大型ディスプレイのように、
表示面積が拡大した場合に効果が高い。The "device" in the present invention means a general device having a certain set of functions, for example, a display device. In particular, the present invention, like a large display,
The effect is high when the display area is enlarged.
【００１５】また「一括処理プロセス」とは、基板の大
きさに制限されることなく基板全体に対する処理が一時
に行うことができるステップを含むものをいい、処理で
きる面積の大小に処理時間があまり関係しないようなも
のをいう。言い換えれば、１枚の基板上に存在するデバ
イスの数が多くても少なくても処理時間が同じようなス
テップを備えるプロセスをいう。このような一括処理と
して、例えば、基板全体に対する物理化学的処理、具体
的には、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどによる基板全体に
対する成膜処理、光や電磁波の照射、基板全体に対する
熱処理、浸せき、一括印刷処理、洗浄処理、露光処理、
スピンコート等があげられる。より具体的には、半導体
や光学表示装置製造でよく用いられるフォトリソグラフ
ィ法は、基板全体に対する成膜、露光・現像処理、エッ
チング処理等の一括処理するための一連のステップの集
合で形成されおり、一括処理プロセスに含まれる。ま
た、撮影処理などによる検査や準備工程も基板全体に対
する処理であるため一括処理プロセスの一例である。The "batch processing process" refers to a process including steps in which the entire substrate can be processed at a time without being limited by the size of the substrate, and the processing area is large or small and the processing time is long. It is something that has nothing to do with it. In other words, it refers to a process including steps having similar processing times regardless of whether the number of devices existing on one substrate is large or small. Examples of such batch processing include physicochemical processing on the entire substrate, specifically, film forming processing on the entire substrate by CVD, vapor deposition, sputtering, irradiation of light or electromagnetic waves, heat treatment on the entire substrate, dipping, batch processing. Printing process, cleaning process, exposure process,
Examples include spin coating. More specifically, the photolithography method, which is often used in the manufacture of semiconductors and optical display devices, is formed by a series of steps for batch processing such as film formation on the entire substrate, exposure / development processing, and etching processing. , Included in the batch process. Further, the inspection and the preparation process such as the photographing process are the processes for the entire substrate, and are examples of the collective processing process.
【００１６】さらに「一括処理プロセス」には、材料液
の充填範囲を仕切る仕切部材を形成するステップを含
む。この仕切部材は、例えば、後の逐次処理プロセスに
よって吐出される材料液を充填する範囲を規定するもの
である。Further, the "collective processing process" includes a step of forming a partition member for partitioning the filling range of the material liquid. The partition member defines, for example, a range in which the material liquid discharged in the subsequent sequential processing process is filled.
【００１７】「切断プロセス」とは、一括処理された前
記基板を個々の副基板に分離するためのプロセスをい
う。この切断プロセスとして、公知の切断装置を用いて
基板に切れ込みを入れて切り離す処理の他、予め形成し
ておいたＶカットやミシン目等の破断手段に対し機械的
な力を加えて基板を割るようなものも含まれる。The "cutting process" is a process for separating the collectively processed substrates into individual sub-substrates. As this cutting process, in addition to the process of cutting and cutting the substrate using a known cutting device, a mechanical force is applied to the breaking means such as V-cuts and perforations formed in advance to break the substrate. Something like that is also included.
【００１８】「逐次処理プロセス」とは、処理位置を相
対的に動かしていくことで全体を処理するようなステッ
プを含むものをいい、処理できる面積と処理にかかる時
間とがほぼ相関するようなものをいう。このような逐次
処理として、例えば、基板上の単位領域ごとの膜形成、
描画処理、機械的加工、電子ビームによる露光、ステッ
パーによるステップ露光などがあげられる。さらに「逐
次処理プロセス」には、液状体を充填するステップを備
えるものも含む。ここにいう「充填」には、塗布、吐
出、噴霧、部分的スパッタ、部分的蒸着など、何らかの
方法で部分的に液状体を付着させることをいう。The "sequential processing process" refers to a process including steps in which the entire processing is performed by relatively moving the processing position, and the area that can be processed and the time required for the processing are substantially correlated. Say something. As such sequential processing, for example, film formation for each unit area on the substrate,
Examples include drawing processing, mechanical processing, electron beam exposure, step exposure using a stepper, and the like. Further, the “sequential treatment process” also includes a process including a step of filling the liquid material. The term "filling" as used herein means to partially adhere the liquid material by some method such as coating, discharging, spraying, partial sputtering, and partial vapor deposition.
【００１９】ここで「液状体」としては、電極や配線を
形成するための金属微粒子を含有した液体材料、透明導
電膜の前駆体の液体材料、カラーフィルターを形成する
ための液体材料、絶縁膜を形成するための液体材料、さ
らに半導体による層を形成する液体材料等が挙げられ
る。半導体による層を形成する材料の場合は、光重合性
を有するシラン化合物の溶液に、紫外線を照射すること
により光重合してなる高次シランを含有して構成される
高次シラン組成物を含むことが望ましい。Here, as the "liquid material", a liquid material containing fine metal particles for forming electrodes and wirings, a liquid material as a precursor of a transparent conductive film, a liquid material for forming a color filter, an insulating film. Examples of the liquid material include a liquid material for forming a layer and a liquid material for forming a layer of a semiconductor. In the case of a material forming a layer made of a semiconductor, a solution of a silane compound having photopolymerizability includes a high order silane composition containing a high order silane photopolymerized by irradiating with ultraviolet rays. Is desirable.
【００２０】さらに「逐次処理プロセス」の例として
は、液状体を液滴吐出法により吐出することで所望のパ
ターンを形成するものが挙げられる。ここで「液滴吐出
法」とは、液滴を所望の領域に吐出することにより、吐
出物を含む所望のパターンを形成する方法であり、いわ
ゆる液状体を、ピエゾ素子を備えた液滴噴射装置から吐
出するインクジェット法や局所的な加熱により生じた圧
力で液滴を吐出するバブルジェット（登録商標）法など
がある。吐出される液滴は、いわゆるインクではなく、
デバイスを構成する材料物質を含む液状体であり、例え
ば導電物質や絶縁物質として機能する物質を含むもので
ある。さらに「液滴吐出」とは、吐出時に噴霧されるも
のに限られず、液状体の一滴一滴が連続するように吐出
されるものも含む。液滴噴射装置を利用する場合には、
このような逐次処理プロセスは、一括処理プロセスで作
成された配線やトランジスタなどの回路部品の特定の一
部に液状体を付着させるものであったり、一括処理プロ
セスで作成された仕切部材によって規定される範囲に液
状体を充填するものであったり、一括処理プロセスで作
成された複数の回路部分にまたがって液状体を被着させ
るものであったりする。Further, as an example of the "sequential processing process", there is a method of forming a desired pattern by discharging a liquid material by a droplet discharging method. Here, the "droplet discharge method" is a method of forming a desired pattern including an ejected material by ejecting a droplet to a desired region, and a so-called liquid material is ejected as a droplet provided with a piezo element. There are an inkjet method for ejecting from a device, a bubble jet (registered trademark) method for ejecting droplets by a pressure generated by local heating, and the like. The discharged droplets are not so-called ink,
It is a liquid containing a material constituting a device, and contains, for example, a substance functioning as a conductive substance or an insulating substance. Furthermore, the "droplet discharge" is not limited to the one that is sprayed at the time of discharge, but also includes the one that the liquid material is discharged continuously. When using a droplet ejector,
Such a sequential processing process is one in which a liquid material is attached to a specific part of circuit components such as wiring and transistors created by the batch processing process, or is defined by a partition member created by the batch processing process. The liquid material may be filled in a certain area, or the liquid material may be deposited over a plurality of circuit portions created by the batch processing process.
【００２１】本発明は、一の基板上に複数の独立したデ
バイスを形成するためのデバイスの製造方法において、
基板全体に対して一括に処理するための一括処理プロセ
スとして、基板全体に対してフォトリソグラフィ法によ
って半導体装置を形成するためのステップと、半導体装
置が形成された基板上に、液状体の充填範囲を仕切る仕
切部材を形成するステップと、を備える。また、処理位
置を逐次移動していくことにより全体を処理するための
逐次処理プロセスとして、仕切部材で仕切られた範囲に
液状体を吐出するためのステップを備える。そして、一
括処理プロセスと逐次処理プロセスとの間に、基板を個
々の副基板に分離するための切断プロセスをさらに備え
る。The present invention provides a device manufacturing method for forming a plurality of independent devices on one substrate,
As a batch processing process for collectively processing the entire substrate, steps for forming a semiconductor device by the photolithography method on the entire substrate, and a filling range of the liquid material on the substrate on which the semiconductor device is formed And a step of forming a partition member for partitioning. Further, a step for discharging the liquid material to a range partitioned by a partition member is provided as a sequential processing process for processing the whole by sequentially moving the processing position. Further, a cutting process for separating the substrate into individual sub-boards is further provided between the batch processing process and the sequential processing process.
【００２２】ここで、各副基板は、逐次処理プロセスに
おける処理位置の移動がほぼ一の方向のみで処理可能な
大きさに設定されている。逐次処理プロセスでは、移動
方向が増えるほど処理時間が増加するので、副基板の大
きさを限ることで移動方向を減らし、全体の処理時間を
低下させることができる。Here, each sub-board is set to a size such that the processing position can be moved in only one direction in the sequential processing process. In the sequential processing process, the processing time increases as the moving direction increases. Therefore, by limiting the size of the sub-board, the moving direction can be reduced and the overall processing time can be reduced.
【００２３】例えば、副基板が複数の単位領域を備えて
いる場合、一の方向とは異なる方向への処理位置の移動
が当該単位領域の範囲に限られる。単位領域とは、例え
ば表示装置であれば各画素を構成する画素回路が形成さ
れる領域をいう。For example, when the sub-substrate has a plurality of unit areas, the movement of the processing position in a direction different from one direction is limited to the range of the unit areas. In the case of a display device, for example, the unit area means an area in which a pixel circuit forming each pixel is formed.
【００２４】本発明は、デバイスの各製造方法で製造さ
れるデバイスであって、デバイスは、電子光学素子を備
えているデバイスである。The present invention is a device manufactured by each method of manufacturing a device, and the device is a device including an electro-optical element.
【００２５】ここで、「電気光学素子」は、電気的作用に
よって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させ
る素子一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光
の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素
子には、有機・無機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子、液晶素子、電気泳動素子、電界の印加により発生
した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子が含
まれる。Here, the "electro-optical element" generally refers to an element that emits light by an electric action or changes the state of light from the outside, which emits light by itself and controls passage of light from the outside. Including both. For example, organic-inorganic electroluminescence (EL) is used for electro-optical elements.
The device includes a device, a liquid crystal device, an electrophoretic device, and an electron emitting device that emits light by applying electrons generated by applying an electric field to a light emitting plate.
【００２６】もう一つの発明は、本発明のデバイスを備
える電子機器でもある。「電子機器」には限定が無い
が、例えば、テレビ受像機、カーナビゲーション装置、
ＰＯＳ，パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディ
スプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、
表示機能付きファックス装置、電子案内板、輸送車両等
のインフォメーションパネル、ゲーム装置、工作機械の
操作盤、電子ブック、およびデジタルカメラや携帯型Ｔ
Ｖ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、携帯電話、ビデオ
カメラ等の携帯機器等をいう。Another invention is also an electronic apparatus equipped with the device of the present invention. The "electronic device" is not limited, but for example, a television receiver, a car navigation device,
POS, personal computer, head mounted display, rear type or front type projector,
Fax machine with display function, electronic information board, information panel for transportation vehicles, game machines, machine tool operation panel, electronic book, digital camera and portable T
V, DSP device, PDA, electronic notebook, mobile phone, portable device such as video camera.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
（実施形態１）本発明の実施形態１は、本発明の基本概
念を明らかにするものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) Embodiment 1 of the present invention clarifies the basic concept of the present invention.
【００２８】本実施形態１は、一括処理プロセス（ＳＴ
１）、切断プロセス（ＳＴ２）、および逐次処理プロセ
ス（ＳＴ３）を備えている。本実施形態により製造され
るデバイスは、前半が一括処理プロセスで処理され、後
半が逐次処理プロセスで処理されることによって製造さ
れうるものである。In the first embodiment, the batch processing process (ST
1), a cutting process (ST2), and a sequential processing process (ST3). The device manufactured according to the present embodiment can be manufactured by processing the first half by the batch processing process and the second half by the sequential processing process.
【００２９】図１乃至図３を参照して、本発明のデバイ
スの製造方法を説明する。
（一括処理プロセス（ＳＴ１））図１に、本実施形態の
一括処理プロセスで作成される基板全体の平面図を示
す。一括処理プロセスでは、デバイスを形成すべき領域
を複数配置した基板全体に対して処理を行うようなステ
ップが実施される。すなわち、副基板１００Ａと１００
Ｂとを含む全体基板１００に対して処理される。各副基
板１００Ａおよび１００Ｂには、複数の単位領域２００
が形成されている。当該一括処理では、この全体基板１
００に対し同時に処理可能なステップを繰り返してい
く。A method of manufacturing the device of the present invention will be described with reference to FIGS. (Batch Processing Process (ST1)) FIG. 1 shows a plan view of the entire substrate formed by the batch processing process of the present embodiment. In the collective processing process, steps are performed such that processing is performed on the entire substrate on which a plurality of regions for forming devices are arranged. That is, the sub substrates 100A and 100
The whole substrate 100 including B and B is processed. Each of the sub-boards 100A and 100B has a plurality of unit areas 200.
Are formed. In the batch processing, the whole substrate 1
The steps that can be simultaneously processed for 00 are repeated.
【００３０】なお、図１では、二つの副基板によって基
板１００が形成されるように示されているが、その数に
限定されることはなく、多数の副基板に全体基板１００
を分割してもよい。つまり、製造プロセスで一括処理が
可能である限り副基板の数を増やすことが可能である。
また、各副基板１００ＡおよびＢ内に同じ回路を形成す
るための単位領域を複数形成する必要はなく、異なる回
路が混在したり副基板全体で一体不可分の回路を構成し
たりしているデバイス用の副基板であってもよい。さら
に、図１ではデバイス１００Ａと１００Ｂとが同じ装置
であるように示されているが、それぞれは異なる機能を
奏する装置であってもよい。完成時に独立した機能を奏
する回路がデバイスを構成する単位となる。言い換えれ
ば、切断線１０１で互いに切り離されてもよい領域のそ
れぞれがデバイスの単位になる。Although FIG. 1 shows that the substrate 100 is formed by two sub-boards, the number of sub-boards is not limited thereto, and the sub-boards 100 may be formed on a large number of sub-boards.
May be divided. That is, the number of sub-boards can be increased as long as batch processing is possible in the manufacturing process.
Further, it is not necessary to form a plurality of unit regions for forming the same circuit in each of the sub-boards 100A and B, and for a device in which different circuits are mixed or an inseparable circuit is configured in the entire sub-board. It may be a sub-board. Further, although the devices 100A and 100B are shown as the same device in FIG. 1, they may be devices having different functions. A circuit that has independent functions when completed is a unit that constitutes a device. In other words, each of the regions that may be separated from each other by the cutting line 101 becomes a device unit.
【００３１】また、単位領域２００は、デバイスが表示
装置の場合には画素回路を形成すべき領域に該当し、デ
バイスがカラーフィルタの場合にはカラー画素を構成す
る画素領域が該当する。単位領域２００が同じ形状で同
じ回路であり規則性のある配置をしているほど、逐次処
理プロセスにおける処理を簡単にすることができるが、
それに限定されることはない。The unit region 200 corresponds to a region where a pixel circuit is to be formed when the device is a display device, and corresponds to a pixel region which constitutes a color pixel when the device is a color filter. As the unit areas 200 have the same shape and the same circuit and are arranged more regularly, the processing in the sequential processing process can be simplified,
It is not limited to that.
【００３２】（切断プロセス（ＳＴ２））図２に、本実
施形態の切断プロセスで切断された個々の副基板の平面
図を示す。図２に示すように、一括処理プロセス（ＳＴ
１）が終わったら、所定の切断装置を用いて基板１０を
各副基板１００ＡおよびＢに切り離す。予めミシン目や
Ｖカットなどが施されている場合には、人手を含む機械
的手段で切り離すようにしてもよい。分離された各副基
板は逐次処理プロセスのために搬送されたり、後の処理
のために保管されたりすることになる。逐次処理のため
の装置が複数存在する場合には、分離されたそれぞれの
副基板を各装置で同時に処理するようにしてもよい。こ
のようにすれば、逐次処理における基板一枚あたりの平
均処理時間を少なくすることができる。(Cutting Process (ST2)) FIG. 2 shows a plan view of each sub-board cut by the cutting process of this embodiment. As shown in FIG. 2, the batch processing process (ST
After 1) is completed, the substrate 10 is cut into the sub substrates 100A and 100B using a predetermined cutting device. If perforations and V-cuts have been made in advance, they may be separated by mechanical means including human hands. The separated sub-boards are transported for a sequential processing process or stored for later processing. When there are a plurality of devices for sequential processing, each separated sub-substrate may be processed simultaneously by each device. By doing so, the average processing time per substrate in the sequential processing can be reduced.
【００３３】（逐次処理プロセス（ＳＴ３））図３に、
本実施形態の逐次処理プロセスで処理されている副基板
の平面図を示す。図３に示すように、本実施形態では、
インクジェット式ヘッドによって材料液を各単位領域２
００に吐出して膜形成を行っている。単位領域のうち、
２００ｂが既に処理済の領域であり、２００ａがこれか
ら処理される領域であり、２００ｃが現在処理中の領域
である。(Sequential Processing Process (ST3)) FIG.
The top view of the sub board currently processed by the sequential processing process of this embodiment is shown. As shown in FIG. 3, in the present embodiment,
Ink jet type head is used for each unit area 2
The film is formed by discharging the liquid at 00. Of the unit area,
200b is an already processed area, 200a is an area to be processed, and 200c is an area currently being processed.
【００３４】逐次処理プロセスでは、処理位置の移動が
ほぼ一の方向のみとなっている。すなわち、図３に矢印
で示すように、インクジェット式ヘッドＩ／ＪがほぼＸ
方向にのみ移動することで副基板全体の処理が行えるよ
うになっている。このように、副基板は逐次処理におい
て一方向の移動により全体処理が行えるような大きさに
設定することが好ましい。例えば、液状体を噴射する液
体噴射装置では、通常マルチヘッドシステムになってお
り、横方向に連続して並んだヘッドを一方向に移動して
処理をする。このマルチヘッドシステムで処理可能な横
方向の幅に副基板の幅を納めておく。移動方向を一方向
に限定すれば、それとは異なる方向にヘッドを移動させ
る時間を無くすことができ、製造時間を短縮することが
できる。In the sequential processing process, the processing position is moved in only one direction. That is, as shown by the arrow in FIG.
By moving only in the direction, the entire sub-substrate can be processed. Thus, it is preferable to set the size of the sub-substrate so that the whole process can be performed by moving in one direction in the sequential process. For example, a liquid ejecting apparatus that ejects a liquid material is usually a multi-head system, in which heads that are continuously arranged in the lateral direction are moved in one direction for processing. The width of the sub-board is stored within the lateral width that can be processed by this multi-head system. If the moving direction is limited to one direction, the time for moving the head in a different direction can be eliminated, and the manufacturing time can be shortened.
【００３５】特に本実施形態では、インクジェット式ヘ
ッドＩ／ＪのＸ方向とは異なるＹ方向への処理位置の移
動が単位領域２００の範囲に限られている。単位領域の
範囲内の移動であれば、時間の無駄が少ないからであ
る。In particular, in this embodiment, the movement of the processing position of the ink jet head I / J in the Y direction different from the X direction is limited to the range of the unit area 200. This is because if the movement is within the range of the unit area, less time is wasted.
【００３６】以上、実施形態１によれば、一括処理プロ
セスと逐次処理プロセスのような性格の異なる処理プロ
セスを、切断プロセスにより基板を切断することによっ
て、前半は大型基板による一括処理を、後半は逐次処理
に適する大きさにしてから逐次処理を可能にしたので、
処理時間、処理装置の大きさ等から導き出される総製造
コストを下げることがで、生産性を向上させることがで
きる。As described above, according to the first embodiment, processing substrates having different characteristics, such as a batch processing process and a sequential processing process, are cut into substrates by a cutting process. Since we made it possible to perform sequential processing after making it a size suitable for sequential processing,
The productivity can be improved by reducing the total manufacturing cost derived from the processing time, the size of the processing apparatus, and the like.
【００３７】（実施形態２）本実施形態２は、実施形態
１で説明した各プロセスに、液晶表示素子を電気光学素
子として備えた液晶表示装置の製造のための具体的なス
テップを当てはめたものである。(Embodiment 2) In Embodiment 2, the processes described in Embodiment 1 are applied to specific steps for manufacturing a liquid crystal display device having a liquid crystal display element as an electro-optical element. Is.
【００３８】図４乃至図８に、本実施形態の各製造ステ
ップにおける単位領域である画素領域の平面図およびそ
の断面図を示す。図４および図５が一括処理プロセスに
属するステップであり、図６乃至図８が逐次処理プロセ
スに属するステップである。切断プロセス（図２参照）
は図５のステップと図６のステップとの間に入るもので
あるが、以下の説明では図示を省略してある。4 to 8 are a plan view and a sectional view of a pixel area which is a unit area in each manufacturing step of this embodiment. 4 and 5 are steps belonging to the batch processing process, and FIGS. 6 to 8 are steps belonging to the sequential processing process. Cutting process (see Figure 2)
5 falls between the steps of FIG. 5 and the steps of FIG. 6, but the illustration is omitted in the following description.
【００３９】次に、本実施形態の薄膜トランジスタ及び
この薄膜トランジスタを含んで構成される画素回路の製
造方法について詳細に説明する。図２〜図６は、本実施
形態の製造方法について説明する説明図である。話を簡
単にするため、図２〜図６では一つの画素領域（単位領
域）２００のみを図示してある。Next, the method of manufacturing the thin film transistor of this embodiment and the pixel circuit including the thin film transistor will be described in detail. 2 to 6 are explanatory views illustrating the manufacturing method of the present embodiment. For simplicity, only one pixel region (unit region) 200 is shown in FIGS.
【００４０】（ゲート線、ゲート電極、容量線およびチ
ャネル領域の形成工程（図４））まず、基板１０全体
（全体基板１００）に対してフォトリソグラフィー法を
適用して、各画素領域に共通してゲート線、ゲート電極
および容量線を製造する。具体的には図４に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定位置に、ゲート線１２及び
ゲート電極１３を一体に形成するとともに、容量線１４
を形成する。まず、ゲート線やゲート電極、容量線とな
る金属層を物理的方法または化学的方法により形成す
る。物理的方法としてはスパッタ法やイオンプレーティ
ング法が、化学的方法としては、気相成長法（ＣＶＤ）
が適用される。膜を全体形成してから、パターニングす
ることにより、ゲート線１２やゲート電極、容量線１４
のパターンを形成する。(Step of Forming Gate Lines, Gate Electrodes, Capacitance Lines, and Channel Regions (FIG. 4)) First, a photolithography method is applied to the entire substrate 10 (entire substrate 100) to make it common to each pixel region. To produce a gate line, a gate electrode and a capacitance line. Specifically, as shown in FIG. 4, the gate line 12 and the gate electrode 13 are integrally formed at a predetermined position on the glass substrate 10, and the capacitance line 14 is formed.
To form. First, a metal layer to be a gate line, a gate electrode, and a capacitance line is formed by a physical method or a chemical method. The physical method is a sputtering method or an ion plating method, and the chemical method is a vapor phase growth method (CVD).
Is applied. By patterning after forming the entire film, the gate line 12, the gate electrode, and the capacitance line 14 are formed.
Pattern is formed.
【００４１】次いで、ゲート絶縁膜及び非晶質シリコン
膜を形成する。ガラス基板１０、ゲート線１２、ゲート
電極１３及び容量線１４のそれぞれを覆うように、ガラ
ス基板１０の上面全体にゲート絶縁膜１６を形成する。
このゲート絶縁膜１６としては、例えば、ＰＥＣＶＤ法
によって窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を形成する。ま
た、窒化シリコンと酸化シリコン（ＳｉＯ２）を重ねて
堆積した２層構造の膜によってゲート絶縁膜１６を形成
してもよい。この場合には、ＣＶＤ法において、製膜途
中で反応ガスを変更することにより複数種類の薄膜を連
続的に製膜する、いわゆる連続ＣＶＤ法を用いて膜形成
を行う。Next, a gate insulating film and an amorphous silicon film are formed. A gate insulating film 16 is formed on the entire upper surface of the glass substrate 10 so as to cover each of the glass substrate 10, the gate line 12, the gate electrode 13, and the capacitance line 14.
As the gate insulating film 16, for example, a silicon nitride (SiNx) film is formed by the PECVD method. Alternatively, the gate insulating film 16 may be formed of a film having a two-layer structure in which silicon nitride and silicon oxide (SiO 2 ) are stacked and deposited. In this case, in the CVD method, film formation is performed using a so-called continuous CVD method in which a plurality of types of thin films are continuously formed by changing the reaction gas during film formation.
【００４２】次に、ゲート絶縁膜１６上の所定位置に、
非晶質シリコン膜からなるチャネル領域１８を形成す
る。具体的には、チャネル領域１８は、ＰＥＣＶＤ法な
どの気相堆積法によってガラス基板１０の上面全体に非
晶質シリコン膜を形成した後に、所望の形状にパターニ
ングすることによって、図４に示すように島状に形成さ
れる。また、ガラス基板１０の上面全体への非晶質シリ
コン膜の形成は、連続ＣＶＤ法を用いることにより、ゲ
ート絶縁膜１６の形成と連続して行うことが更に望まし
い。Next, at a predetermined position on the gate insulating film 16,
A channel region 18 made of an amorphous silicon film is formed. Specifically, as shown in FIG. 4, the channel region 18 is formed by forming an amorphous silicon film on the entire upper surface of the glass substrate 10 by a vapor deposition method such as PECVD and then patterning it into a desired shape. It is formed like an island. Further, it is more preferable that the formation of the amorphous silicon film on the entire upper surface of the glass substrate 10 be performed continuously with the formation of the gate insulating film 16 by using the continuous CVD method.
【００４３】上記いずれのステップにおいても、複数の
画素領域２００に対して一括処理プロセスで行われる。In any of the above steps, a plurality of pixel regions 200 are collectively processed.
【００４４】（ポリイミド膜によるバンクの形成工程
（図５））図５に示すように、ガラス基板１０等の上面
に、所定形状の開口部ａ１、ａ２、ａ３、ａ４を有する
ポリイミド膜２０を形成する。このポリイミド膜は本発
明の仕切部材に係り、後の逐次処理プロセスによって材
料液が吐出され充填される領域を形成するものである。
具体的には、ポリイミド膜２０に設けられている開口部
ａ１は、後の工程において透明電極２４が形成されるべ
き領域を露出するように形成される。これにより、透明
電極２４の形成領域の周囲に、ポリイミド膜２０による
バンクが形成される。(Step of forming bank using polyimide film (FIG. 5)) As shown in FIG. 5, a polyimide film 20 having openings a1, a2, a3, a4 of a predetermined shape is formed on the upper surface of the glass substrate 10 or the like. To do. This polyimide film relates to the partition member of the present invention and forms a region where the material liquid is discharged and filled in the subsequent sequential processing process.
Specifically, the opening a1 provided in the polyimide film 20 is formed so as to expose a region where the transparent electrode 24 is to be formed in a later step. As a result, a bank of the polyimide film 20 is formed around the region where the transparent electrode 24 is formed.
【００４５】開口部ａ２は、後の工程においてソース線
２６が形成されるべき領域を露出するように形成され
る。これにより、ソース線２６の形成領域の周囲に、ポ
リイミド膜２０によるバンクが形成される。同様に、開
口部ａ３、ａ４は、後の工程において、薄膜トランジス
タＴのソース／ドレイン領域２２が形成されるべき領域
を露出するように形成される。これにより、ソース／ド
レイン領域２２の形成領域の周囲に、ポリイミド膜２０
によるバンクが形成される。The opening a2 is formed so as to expose a region where the source line 26 is to be formed in a later step. As a result, a bank of the polyimide film 20 is formed around the formation region of the source line 26. Similarly, the openings a3 and a4 are formed so as to expose a region where the source / drain region 22 of the thin film transistor T is to be formed in a later step. As a result, the polyimide film 20 is formed around the formation region of the source / drain regions 22.
A bank is formed.
【００４６】ポリイミド膜２０は、例えば、ガラス基板
１０の上面全体に感光性のポリイミド溶剤を塗布して乾
燥させた後に、開口部ａ１〜ａ４のそれぞれに対応する
領域を露光、現像して除去し（ポリイミド溶剤がポジ型
の場合）、その後３００℃〜４００℃程度の温度で焼成
することによって形成することができる。また、ポリイ
ミド膜２０は、０．５〜１０μｍ程度の厚さに形成する
ことが好適である。The polyimide film 20 is removed by, for example, applying a photosensitive polyimide solvent to the entire upper surface of the glass substrate 10 and drying it, and then exposing and developing the regions corresponding to the openings a1 to a4. (When the polyimide solvent is a positive type), it can be formed by baking at a temperature of about 300 ° C to 400 ° C. The polyimide film 20 is preferably formed to have a thickness of about 0.5 to 10 μm.
【００４７】上記いずれのステップにおいても、複数の
画素領域２００に対して写真技術で一括して処理するよ
うなプロセスで行われる。In any of the above steps, a process for collectively processing a plurality of pixel regions 200 by a photographic technique is performed.
【００４８】（副基板の切断プロセス）以上の一括処理
プロセスが終了したら、副基板同士を切り離すことにな
る。すなわち、所定の切断装置を用いて全体基板１００
を各副基板１００ＡおよびＢに切り離す。このプロセス
については実施形態１のとおりである（図２参照）。(Sub-Substrate Cutting Process) After the above batch processing process is completed, the sub-substrates are separated from each other. That is, the entire substrate 100 is cut using a predetermined cutting device.
Is separated into sub-boards 100A and 100B. This process is as described in Embodiment 1 (see FIG. 2).
【００４９】（ソース／ドレイン領域の形成工程（図
６））このステップ以降が逐次処理プロセスである。す
なわち、ソース／ドレイン領域２２は、インクジェット
法を用いて形成される。(Source / Drain Region Forming Step (FIG. 6)) This step and subsequent steps are sequential processing processes. That is, the source / drain regions 22 are formed by using the inkjet method.
【００５０】具体的には、まず、リンなどの５族元素
（あるいはホウ素などの３族元素）を含有する物質をド
ーパント源として添加したシリコン化合物を含有する溶
液、または、それらの元素（リン、ホウ素等）で変性さ
れたシリコン化合物と変性されていないシリコン化合物
とを含有する溶液を生成し、このシリコン溶液をインク
ジェット式ヘッド等の液滴噴射装置から吐出し、開口部
ａ３、ａ４の内部に充填する。Specifically, first, a solution containing a silicon compound to which a substance containing a Group 5 element such as phosphorus (or a Group 3 element such as boron) is added as a dopant source, or those elements (phosphorus, A solution containing a silicon compound modified with boron or the like and a silicon compound not modified is generated, and the silicon solution is ejected from a liquid droplet ejecting device such as an ink jet head, and inside the openings a3, a4. Fill.
【００５１】なお、このシリコン溶液には、光重合性を
有するシラン化合物の溶液に、紫外線を照射することに
より光重合してなる高次シランを含有して構成される高
次シラン組成物を含むことが好ましい。この場合には、
上記のリン化合物やホウ素化合物を混合した後に紫外線
を照射し、重合時にこれらを取り込んだ形で高次シラン
化合物とすることが更に好ましい。The silicon solution contains a high-order silane composition containing a high-order silane obtained by photopolymerizing a solution of a silane compound having photopolymerizability by irradiating it with ultraviolet rays. It is preferable. In this case,
It is more preferable to mix the above-mentioned phosphorus compound and boron compound and then irradiate them with ultraviolet rays to incorporate them during polymerization to obtain a higher order silane compound.
【００５２】次に、開口部ａ３、ａ４のそれぞれに充填
したシリコン溶液を乾燥させ、その後、３００℃〜４０
０℃程度の温度で焼成する。これら一連の処理は、窒素
などの不活性ガスの雰囲気中で行われる。これにより、
ポリイミド膜２０によって形成されるバンクに周囲を囲
まれた開口部ａ３、ａ４の内部に、ドーパント（ドナー
又はアクセプタ）が高濃度にドーピングされた非晶質シ
リコン膜からなるソース／ドレイン領域２２が形成され
る。Next, the silicon solution filled in each of the openings a3 and a4 is dried, and then 300 ° C. to 40 ° C.
Bake at a temperature of about 0 ° C. These series of treatments are performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen. This allows
Source / drain regions 22 made of an amorphous silicon film highly doped with a dopant (donor or acceptor) are formed inside the openings a3 and a4 surrounded by the bank formed by the polyimide film 20. To be done.
【００５３】なお、更に好ましくは、インクジェット式
ヘッドからシリコン溶液を吐出するより前に、開口部ａ
３、ａ４の内側を親液化し、その周囲については撥液化
しておく。親液化、撥液化の処理は、例えば、ガラス基
板１０の全体を大気圧プラズマで酸素プラズマ処理して
親液化し、次いで、ＣＦ４プラズマ処理を行い、ポリイ
ミド膜２０の部分のみを撥液化することにより実現可能
である。More preferably, the opening a is formed before the silicon solution is discharged from the ink jet head.
The insides of 3 and a4 are made lyophilic, and the surroundings are made liquid repellent. For the lyophilic and lyophobic treatments, for example, the entire glass substrate 10 is subjected to oxygen plasma treatment by atmospheric pressure plasma to be lyophilic, and then CF 4 plasma treatment is performed to lyophobicize only the polyimide film 20. Can be realized by
【００５４】（透明電極およびソース線の形成工程（図
７））次いで、図７に示すように、ポリイミド膜２０に
設けられた開口部ａ１（図５参照）の内側に、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）膜からなる透明電極２４を形成す
る。透明電極２４についてもインクジェット法を用いて
形成される。具体的には、塗布型のＩＴＯ溶液をインク
ジェット式ヘッドから吐出して開口部ａ１の内部に充填
し、その後、乾燥処理及び熱処理を行う。これにより、
ポリイミド膜２０によるバンクに周囲を囲まれた開口部
ａ１の内部に透明電極２４が形成される。(Step of Forming Transparent Electrode and Source Line (FIG. 7)) Next, as shown in FIG. 7, ITO is formed inside the opening a1 (see FIG. 5) provided in the polyimide film 20.
To form a (I ndium T in O xide) transparent electrode 24 made of film. The transparent electrode 24 is also formed by using the inkjet method. Specifically, a coating type ITO solution is discharged from an ink jet head to fill the inside of the opening a1, and then a drying process and a heat treatment are performed. This allows
The transparent electrode 24 is formed inside the opening a1 surrounded by the bank of the polyimide film 20.
【００５５】例えば、一般的なＩＴＯ塗布液を開口部ａ
１に充填した後に、１６０℃の空気雰囲気中で５分間乾
燥させ、その後に、４００℃の空気雰囲気中で６０分間
の熱処理を行うことにより、厚さ１５００Å程度の透明
電極２４を形成することが可能である。For example, a general ITO coating solution is applied to the opening a.
1 and then dried in an air atmosphere of 160 ° C. for 5 minutes, and then heat-treated in an air atmosphere of 400 ° C. for 60 minutes to form a transparent electrode 24 having a thickness of about 1500 Å. It is possible.
【００５６】また、ポリイミド壁２０に設けられた開口
部ａ２（図５参照）の内側に、ソース線２６を形成す
る。本実施形態では、ソース線２６についてもインクジ
ェット法を用いて形成される。具体的には、上述したゲ
ート線１２の場合と同様に、金属超微粒子を有機溶剤に
分散させた溶液をインクジェット式ヘッドから吐出して
開口部ａ２の内部に充填し、その後、乾燥及び熱処理を
行う。これにより、ポリイミド膜２０によるバンクに周
囲を囲まれた開口部ａ２の内部に、ソース線２６が形成
される。Further, the source line 26 is formed inside the opening a2 (see FIG. 5) provided in the polyimide wall 20. In the present embodiment, the source line 26 is also formed by using the inkjet method. Specifically, as in the case of the gate line 12 described above, a solution in which ultrafine metal particles are dispersed in an organic solvent is discharged from an inkjet head to fill the inside of the opening a2, and thereafter, drying and heat treatment are performed. To do. As a result, the source line 26 is formed inside the opening a2 surrounded by the bank of the polyimide film 20.
【００５７】（接続部形成工程（図８））最後に、図８
に示すように、ソース／ドレイン領域２２と透明電極２
４の間、及びソース／ドレイン領域２２とソース線２６
の間の電気的接続を図るための接続部２８を形成する。
この接続部２８の形成もインクジェット法により金属材
料液を、接続部を設けるべき位置に吐出して行う。な
お、この工程はＩＴＯ膜２４を開口部ａ１に形成した
後、ソース線２６を形成するために金属材料溶液を吐出
する工程において接続部に対しても同じ工程で吐出処理
して、その後に同時に乾燥焼成を行なうことができる。(Connecting portion forming step (FIG. 8)) Finally, referring to FIG.
, The source / drain region 22 and the transparent electrode 2
4 and between the source / drain region 22 and the source line 26.
A connection portion 28 is formed to establish an electrical connection between the two.
The formation of the connection portion 28 is also performed by ejecting the metal material liquid to the position where the connection portion should be provided by the inkjet method. In this step, after the ITO film 24 is formed in the opening a1, in the step of discharging the metal material solution for forming the source line 26, the connecting portion is also discharged in the same step, and then simultaneously. Dry firing can be performed.
【００５８】以上の各製造工程で製造される画素回路の
構成を説明する。まず、薄膜トランジスタＴは、本発明
の半導体装置に係るもので、いわゆる逆スタガ型の構造
を有しており、副基板１００ＡまたはＢ上に成形された
ゲート電極１３と、このゲート電極１３上に形成された
ゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に形成された
チャネル領域１８と、このチャネル領域１８上に形成さ
れたソース／ドレイン領域２２のそれぞれを備えてい
る。The structure of the pixel circuit manufactured in each of the above manufacturing steps will be described. First, the thin film transistor T relates to the semiconductor device of the present invention and has a so-called inverted stagger type structure, and is formed on the gate electrode 13 formed on the sub-substrate 100A or B and the gate electrode 13. The gate insulating film 16, the channel region 18 formed on the gate insulating film 16, and the source / drain regions 22 formed on the channel region 18 are provided.
【００５９】また、薄膜トランジスタＴと、ゲート線１
２、容量線１４、透明電極２４、ソース線２６のそれぞ
れを含んで、液晶表示装置の画素を駆動する画素回路２
００が構成されている。具体的には、薄膜トランジスタ
Ｔのゲート電極１３は、図示しない駆動回路からゲート
電極１３に対して制御信号を供給するためのゲート線１
２と一体に形成されている。Further, the thin film transistor T and the gate line 1
2, a pixel circuit 2 including each of the capacitance line 14, the transparent electrode 24, and the source line 26 for driving a pixel of a liquid crystal display device.
00 is configured. Specifically, the gate electrode 13 of the thin film transistor T is a gate line 1 for supplying a control signal to the gate electrode 13 from a drive circuit (not shown).
It is formed integrally with 2.
【００６０】一方のソース／ドレイン領域２２は、接続
部２８を介して透明電極２４と接続されている。透明電
極２４は、図示しない液晶層に電圧を印加するためのも
のである。また、他方のソース／ドレイン領域２２は、
接続部２８を介してソース線２６と接続されている。ソ
ース線２６は、図示しない駆動回路からデータ信号を供
給するためのものである。容量線１４は、液晶層の充電
電荷をより安定に保持するための補助容量（蓄積キャパ
シタ）を形成するためのものであり、透明電極２４の下
層に形成され、ソース線２６と接続されている。One of the source / drain regions 22 is connected to the transparent electrode 24 via the connecting portion 28. The transparent electrode 24 is for applying a voltage to a liquid crystal layer (not shown). The other source / drain region 22 is
It is connected to the source line 26 via the connection portion 28. The source line 26 is for supplying a data signal from a drive circuit (not shown). The capacitance line 14 is for forming an auxiliary capacitance (storage capacitor) for more stably holding the charge charged in the liquid crystal layer, is formed below the transparent electrode 24, and is connected to the source line 26. .
【００６１】また、ソース／ドレイン領域２２、透明電
極２４、ソース線２６のそれぞれの周囲を取り囲むよう
にして、ポリイミド膜２０による壁（バンク）が形成さ
れている。A wall (bank) made of the polyimide film 20 is formed so as to surround the source / drain region 22, the transparent electrode 24, and the source line 26.
【００６２】このような画素回路２００をマトリクス状
に配置して構成されるものが、デバイスに相当するアレ
イ基板である。このアレイ基板と、カラーフィルタ（Ｃ
Ｆ）が設けられたＣＦ基板のそれぞれに対して配向膜形
成などの表面処理を行った後に、両者を貼り合わせて、
アレイ基板とＣＦ基板の間に液晶材を注入することによ
り液晶パネルが構成される。こうして形成された液晶パ
ネルに駆動回路やバックライトなどを取り付けることに
より、液晶表示装置が完成する。An array substrate corresponding to a device is formed by arranging such pixel circuits 200 in a matrix. This array substrate and the color filter (C
After performing a surface treatment such as forming an alignment film on each of the CF substrates provided with F), the both are bonded together,
A liquid crystal panel is constructed by injecting a liquid crystal material between the array substrate and the CF substrate. A liquid crystal display device is completed by attaching a drive circuit and a backlight to the liquid crystal panel thus formed.
【００６３】（実施形態３）本発明の実施形態３は、上
述した実施形態に係るデバイスの製造方法を適用して製
造されたデバイスである液晶表示装置をモバイル型のパ
ーソナルコンピュータ（情報処理装置）に適用したもの
である。(Third Embodiment) In a third embodiment of the present invention, a liquid crystal display device, which is a device manufactured by applying the device manufacturing method according to the above-described embodiment, is a mobile personal computer (information processing device). It has been applied to.
【００６４】図９に、このパーソナルコンピュータの構
成を示す斜視図を示す。図９において、パーソナルコン
ピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体
部１１０４と、本実施形態にかかる液晶表示装置１１０
６を含んで構成されている。FIG. 9 is a perspective view showing the structure of this personal computer. In FIG. 9, a personal computer 1100 includes a main body 1104 having a keyboard 1102 and a liquid crystal display device 110 according to the present embodiment.
6 is included.
【００６５】なお、本実施形態の液晶表示装置を含んで
構成される電子機器としては、図９のパーソナルコンピ
ュータの他にも、ディジタルスチルカメラ、電子ブッ
ク、電子ペーパ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モ
ニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーショ
ン装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タ
ッチパネルを備えた機器など種々のものが挙げられる。As the electronic equipment including the liquid crystal display device of this embodiment, in addition to the personal computer shown in FIG. 9, a digital still camera, an electronic book, an electronic paper, a liquid crystal television, a viewfinder type, There are various types such as a monitor direct-view video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel.
【００６６】[0066]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一括処理プロセスと逐次処理プロセスのような性格の異
なる処理プロセスを、切断プロセスにより基板を切断す
ることによって、前半は大型基板による一括処理を、後
半は逐次処理に適する大きさにしてから逐次処理を可能
にしたので、処理時間、処理装置の大きさ等から導き出
される総製造コストを下げることがで、生産性を向上さ
せることができる。As described above, according to the present invention,
By cutting substrates with different characteristics, such as batch processing and sequential processing, the substrate is cut by the cutting process, so that batch processing with large substrates can be performed in the first half, and the size can be changed to a size suitable for sequential processing in the latter half. Since this is possible, the total manufacturing cost derived from the processing time, the size of the processing apparatus, etc. can be reduced, and the productivity can be improved.
【図１】本発明の一括処理プロセスで作成される全体基
板の例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of an entire substrate created by a batch processing process of the present invention.
【図２】本発明の切断プロセスで個々の副基板に切断さ
れた場合の平面図である。FIG. 2 is a plan view in the case of being cut into individual sub-boards by the cutting process of the present invention.
【図３】本発明の逐次処理プロセスで処理されている副
基板の例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing an example of a sub-board that has been processed by the sequential processing process of the present invention.
【図４】ゲート線、ゲート電極、容量線、ゲート絶縁膜
及び非晶質（アモルファス）シリコン膜の形成工程を説
明する図であり、ガラス基板１０を上面側から見た平面
図と平面図におけるＡ−Ａ′断面を示している。4A and 4B are diagrams illustrating a process of forming a gate line, a gate electrode, a capacitor line, a gate insulating film, and an amorphous silicon film, in a plan view and a plan view of the glass substrate 10 viewed from the upper surface side. The AA 'cross section is shown.
【図５】ポリイミド膜によるバンクの形成工程を説明す
る図であり、ガラス基板１０を上面側から見た平面図と
平面図におけるＢ−Ｂ′断面を示している。FIG. 5 is a diagram for explaining a bank forming process using a polyimide film, showing a plan view of the glass substrate 10 seen from the upper surface side and a BB ′ cross section in the plan view.
【図６】ソース／ドレイン領域の形成工程を説明する図
であり、ガラス基板１０を上面側から見た平面図と平面
図におけるＣ−Ｃ′断面を示している。FIG. 6 is a diagram for explaining a source / drain region forming step, showing a plan view of the glass substrate 10 seen from the upper surface side and a CC ′ cross section in the plan view.
【図７】透明電極およびソース線の形成工程を説明する
図であり、ガラス基板１０を上面側から見た平面図と平
面図におけるＤ−Ｄ′断面を示している。FIG. 7 is a diagram illustrating a process of forming a transparent electrode and a source line, showing a plan view of the glass substrate 10 seen from the upper surface side and a DD ′ cross section in the plan view.
【図８】接続部形成工程および本実施形態の製造方法で
製造される画素回路の構造を示す図であり、ガラス基板
１０を上面側から見た平面図と平面図におけるＥ−Ｅ′
断面を示している。8A and 8B are diagrams showing the structure of a pixel circuit manufactured by the connection part forming step and the manufacturing method of the present embodiment, and a plan view of the glass substrate 10 seen from the upper surface side and EE ′ in the plan view.
The cross section is shown.
【図９】図９は、実施形態に係る液晶表示装置をモバイ
ル型のパーソナルコンピュータ（電子機器）の構成を示
す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a mobile type personal computer (electronic device) of the liquid crystal display device according to the embodiment.
Ｌａ、Ｌｂ…走査方向 Ｉ／Ｊ…インクジェット式ヘッド（液体噴出手段） ＩＴＯ…透明電極 Ｔ…薄膜トランジスタ（半導体装置） １０…ガラス基板 ２０…バンク（仕切部材） ２２…ソース・ドレイン領域（半導体層） ２４…透明電極（ＩＴＯ膜） １００…全体基板 １００Ａ，Ｂ…副基板 １０１…切断線 １０１Ａ，Ｂ…切断面 ２００…単位領域（画素領域） ２００ａ…逐次処理未処理の単位領域 ２００ｂ…逐次処理済の単位領域 ２００ｃ…逐次処理中の単位領域 La, Lb ... scanning direction I / J ... Inkjet type head (liquid ejection means) ITO: transparent electrode T ... Thin film transistor (semiconductor device) 10 ... Glass substrate 20 ... Bank (partitioning member) 22 ... Source / drain region (semiconductor layer) 24 ... Transparent electrode (ITO film) 100 ... Whole board 100A, B ... Sub-board 101 ... Cutting line 101A, B ... Cut surface 200 ... Unit area (pixel area) 200a ... Unit area where sequential processing is not performed 200b ... Unit area that has been sequentially processed 200c ... Unit area in sequential processing
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ ５Ｆ１１０ Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｚ ５Ｇ４３５ 21/336 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｆターム(参考） 2H088 EA10 EA12 EA22 EA23 FA18 HA08 HA12 MA20 2H090 HB08Y LA04 LA15 3K007 AB18 BA06 CB01 DB03 EA00 FA01 FA03 4D075 AC07 BB08Y CA22 DA06 DC21 DC24 EA05 4M104 AA09 BB01 BB36 BB40 CC01 DD20 DD51 DD78 GG09 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE42 EE44 EE45 FF02 FF03 FF09 FF30 GG02 GG15 GG45 HK25 HK31 HK41 HL02 HL21 NN62 NN72 NN73 QQ09 5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 KK05 KK10 LL04 LL07 LL08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02F 1/1333 500 G02F 1/1333 500 5F110 H01L 21/288 H01L 21/288 Z 5G435 21/336 H05B 33 / 14 A 29/786 H01L 29/78 612Z H05B 33/14 F Term (Reference) 2H088 EA10 EA12 EA22 EA23 FA18 HA08 HA12 MA20 2H090 HB08Y LA04 LA15 3K007 AB18 BA06 CB01 DB03 EA00 FA01 FA09 4D075 AC07 BB21 DC24A24EA06 DA06 4 BB01 BB36 BB40 CC01 DD20 DD51 DD78 GG09 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE42 EE44 EE45 FF02 FF03 FF09 FF30 GG02 GG15 GG45 HK25 HK31 HK41 HL02 HL21 NN21 NN62 NN73 QQ09 5G05 BB05 BB0505BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB05 BB07
Claims (18)
形成するためのデバイスの製造方法において、 前記基板全体に対して一括に処理するためのステップを
一以上備える一括処理プロセスと、 一括処理された前記基板を個々の副基板に分離するため
の切断プロセスと、 切断処理された前記副基板のいずれか１以上に対し処理
位置を逐次移動していくことにより処理するためのステ
ップを１以上備える逐次処理プロセスと、を備えたデバ
イスの製造方法。1. A device manufacturing method for forming a plurality of independent devices on one substrate, comprising: a batch processing process including one or more steps for collectively processing the entire substrate; and a batch processing. A cutting process for separating the processed substrate into individual sub-boards, and one or more steps for processing by sequentially moving the processing position with respect to one or more of the cut sub-boards. And a method for manufacturing a device including a sequential processing process.
時に成膜を行なうステップを備える、請求項１に記載の
デバイスの製造方法。2. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the batch processing process includes a step of simultaneously forming a film on the entire surface of the substrate.
ラフィ法を利用したステップを備える、請求項１または
２に記載のデバイスの製造方法。3. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the batch processing process includes a step using a photolithography method.
範囲を仕切る仕切部材を形成するステップを備える、請
求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイスの製造方
法。4. The method for manufacturing a device according to claim 1, wherein the collective treatment process includes a step of forming a partition member that partitions a filling range of the liquid material.
するステップを備える、請求項１乃至３のいずれか一項
に記載のデバイスの製造方法。5. The method for manufacturing a device according to claim 1, wherein the sequential treatment process includes a step of filling a liquid material.
液滴吐出法により吐出することで所望のパターンを形成
する、請求項５に記載のデバイスの製造方法。6. The method of manufacturing a device according to claim 5, wherein the sequential processing process forms a desired pattern by ejecting the liquid material by a droplet ejection method.
を、ピエゾ素子を備えた液滴噴射装置から吐出するステ
ップを備える、請求項６に記載のデバイスの製造方法。7. The method for manufacturing a device according to claim 6, wherein the sequential treatment process includes a step of ejecting the liquid material from a droplet ejecting apparatus including a piezo element.
形成するためのデバイスの製造方法において、 基板全体に対して一括に処理するための一括処理プロセ
スとして、 前記基板全体に対してフォトリソグラフィ法によって半
導体装置を形成するためのステップと、 前記半導体装置が形成された基板上に、液状体の充填範
囲を仕切る仕切部材を形成するステップと、を備え、 処理位置を逐次移動していくことにより処理するための
逐次処理プロセスとして、 前記仕切部材で仕切られた範囲に前記液状体を充填する
ためのステップを備え、 前記一括処理プロセスと前記逐次処理プロセスとの間
に、前記基板を個々の副基板に分離するための切断プロ
セスをさらに備えるデバイスの製造方法。8. A device manufacturing method for forming a plurality of independent devices on one substrate, wherein a photolithography is performed on the entire substrate as a batch processing process for collectively processing the entire substrate. A step of forming a semiconductor device by a method, and a step of forming a partition member for partitioning the filling range of the liquid material on the substrate on which the semiconductor device is formed, and sequentially moving the processing position. As a sequential processing process for treating by, comprises a step for filling the liquid material in the range partitioned by the partition member, between the batch processing process and the sequential processing process, the substrate A method of manufacturing a device, further comprising a cutting process for separating into sub-substrates.
における前記処理位置の移動がほぼ一の方向のみで処理
可能な大きさに設定されている、請求項１乃至８のいず
れか一項に記載のデバイスの製造方法。9. The sub-board according to claim 1, wherein each of the sub-boards is set to a size that allows the processing position to be moved in only one direction in the sequential processing process. A method for manufacturing the described device.
ており、前記一の方向とは異なる方向への前記処理位置
の移動が当該単位領域の範囲に限られている、請求項９
に記載のデバイスの製造方法。10. The sub-substrate includes a plurality of unit areas, and movement of the processing position in a direction different from the one direction is limited to the range of the unit areas.
A method for manufacturing the device according to.
液体材料である、請求項４乃至７のいずれか一項に記載
のデバイスの製造方法。11. The method for manufacturing a device according to claim 4, wherein the liquid material is a liquid material containing metal fine particles.
含有した液体材料である、請求項４乃至７に記載のデバ
イスの製造方法。12. The method for manufacturing a device according to claim 4, wherein the liquid material is a liquid material containing a precursor of a transparent conductive film.
成するための液体材料である、請求項４乃至７のいずれ
か一項に記載のデバイスの製造方法。13. The device manufacturing method according to claim 4, wherein the liquid material is a liquid material for forming a color filter.
の液体材料である、請求項４乃至７のいずれか一項に記
載のデバイスの製造方法。14. The device manufacturing method according to claim 4, wherein the liquid material is a liquid material for forming an insulating film.
するための液体材料である、請求項４乃至７のいずれか
一項に記載のデバイスの製造方法。15. The method for manufacturing a device according to claim 4, wherein the liquid material is a liquid material for forming a layer made of a semiconductor.
ン化合物の溶液に、紫外線を照射することにより光重合
してなる高次シランを含有して構成される高次シラン組
成物を含む、請求項４乃至７のいずれか一項に記載のデ
バイスの製造方法。16. The liquid material contains a high order silane composition containing a high order silane formed by photopolymerization by irradiating a solution of a photopolymerizable silane compound with ultraviolet rays, A method for manufacturing the device according to claim 4.
載のデバイスの製造方法で製造されるデバイスであっ
て、 前記デバイスは、電子光学素子を備えているデバイス。17. A device manufactured by the method for manufacturing a device according to claim 1, wherein the device includes an electro-optical element.
電子機器。18. An electronic apparatus comprising the device according to claim 17.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002119966A JP2003316279A (en) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | Method for manufacturing device, device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002119966A JP2003316279A (en) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | Method for manufacturing device, device and electronic apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003316279A true JP2003316279A (en) | 2003-11-07 |
Family
ID=29536320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002119966A Pending JP2003316279A (en) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | Method for manufacturing device, device and electronic apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003316279A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078799A2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-25 | Eastman Kodak Company | Manufacture of flat panel light emitting devices |
| WO2005078817A2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-25 | Eastman Kodak Company | Manufacture of flat panel light emitting devices |
| US7223802B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-05-29 | Seiko Epson Corporation | High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition |
| US7445809B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-11-04 | Seiko Epson Corporation | Method of forming gate wiring pattern by droplet discharge |
| JP2009540557A (en) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Optical device and method for manufacturing optical device |
| JP2010040998A (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Kelk Ltd | Method for manufacturing thermoelectric conversion module |
| JP2012174804A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Advantest Corp | Semiconductor device, testing device and manufacturing method |
-
2002
- 2002-04-22 JP JP2002119966A patent/JP2003316279A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7223802B2 (en) | 2002-04-22 | 2007-05-29 | Seiko Epson Corporation | High order silane composition, and method of forming silicon film using the composition |
| WO2005078799A2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-25 | Eastman Kodak Company | Manufacture of flat panel light emitting devices |
| WO2005078817A2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-25 | Eastman Kodak Company | Manufacture of flat panel light emitting devices |
| WO2005078817A3 (en) * | 2004-02-04 | 2005-10-06 | Eastman Kodak Co | Manufacture of flat panel light emitting devices |
| WO2005078799A3 (en) * | 2004-02-04 | 2005-10-06 | Eastman Kodak Co | Manufacture of flat panel light emitting devices |
| US7445809B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-11-04 | Seiko Epson Corporation | Method of forming gate wiring pattern by droplet discharge |
| JP2009540557A (en) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Optical device and method for manufacturing optical device |
| JP2010040998A (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-18 | Kelk Ltd | Method for manufacturing thermoelectric conversion module |
| JP2012174804A (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Advantest Corp | Semiconductor device, testing device and manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3965562B2 (en) | Device manufacturing method, device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| US7008809B2 (en) | Pattern formation method and pattern formation apparatus, method for manufacturing device, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate | |
| JP3966292B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus, device manufacturing method, conductive film wiring, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP3578162B2 (en) | Pattern forming method, pattern forming apparatus, conductive film wiring, device manufacturing method, electro-optical device, and electronic equipment | |
| TWI407828B (en) | Method of manufacturing a display device | |
| TWI389315B (en) | In-line process for making thin film electronic devices | |
| US7294566B2 (en) | Method for forming wiring pattern, method for manufacturing device, device, electro-optic apparatus, and electronic equipment | |
| EP1482556A2 (en) | Method for fabricating thin film pattern and corresponding devices. | |
| US20090220679A1 (en) | Display apparatus, and display apparatus manufacturing method and apparatus | |
| KR100723590B1 (en) | Method of forming film pattern, active matrix substrate, electro-optic device, and electronic apparatus | |
| JP4042099B2 (en) | Device manufacturing method, device and electronic apparatus | |
| JP2011035417A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device, and pattern forming method | |
| US20060256247A1 (en) | Film pattern, device, electro-optic device, electronic apparatus, method of forming the film pattern, and method of manufacturing active matrix substrate | |
| KR100710020B1 (en) | Method of forming film pattern, method of manufacturing device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| US20070257261A1 (en) | Method for forming metal wiring, method for manufacturing active matrix substrate, device, electro-optical device, and electronic appratus | |
| JP3580308B2 (en) | Device manufacturing method, device and electronic apparatus | |
| JP2003316279A (en) | Method for manufacturing device, device and electronic apparatus | |
| US7727869B2 (en) | Method of forming metal wiring and method of manufacturing active matrix substrate | |
| JP3966306B2 (en) | Pattern forming method, pattern forming apparatus, conductive film wiring, device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2007184445A (en) | Method of forming wiring, method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing device, and electronic apparatus | |
| JP2003324266A (en) | Film pattern forming method and apparatus thereof, conductive film wiring, electro-optical device, electronic apparatus, and noncontact type card medium | |
| JP5169737B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP2006352057A (en) | Film pattern forming method, semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2007108204A (en) | Method for forming pixel electrode, method for manufacturing device, and electrooptical device, and electronic appliance | |
| JP2007140324A (en) | Electrooptical device, method for manufacturing electrooptical device, and electronic apparatus |