JP2003313213A - Photopolymerizable unsaturated compound and process for manufacturing photosensitive resin composition, photosensitive element, and diffuse reflection plate using the same - Google Patents

Photopolymerizable unsaturated compound and process for manufacturing photosensitive resin composition, photosensitive element, and diffuse reflection plate using the same

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JP2003313213A
JP2003313213A JP2002122700A JP2002122700A JP2003313213A JP 2003313213 A JP2003313213 A JP 2003313213A JP 2002122700 A JP2002122700 A JP 2002122700A JP 2002122700 A JP2002122700 A JP 2002122700A JP 2003313213 A JP2003313213 A JP 2003313213A
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JP
Japan
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resin composition
diffuse reflection
photosensitive resin
group
underlayer
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Application number
JP2002122700A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Nojiri
剛 野尻
Takumi Ueno
巧 上野
Ikuo Mukai
郁夫 向
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photopolymerizable compound which gives a diffuse reflection substrate layer which is excellent, at a high temperature, in the shape retention of an uneven surface diffusing and reflecting light, is excellent in adhesion to a substrate at high temperature and humidity or in photolithography, and therefore enables a diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display to be produced in a high yield; and to provide a method for producing a photosensitive resin composition, a photosensitive element, and a reflective liquid crystal display using the compound. <P>SOLUTION: The photosensitive resin composition comprises (a) a silyl group- containing photopolymerizable unsaturated compound having at least two ethylenic unsaturated groups and at least one hydrolyzable group-containing silyl group, (b) a binder polymer, (c) a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenic unsaturated group, and (d) a photopolymerization initiator. The photosensitive element for a diffuse reflection substrate layer is formed on the uneven surface of a temporary support having the uneven surface. A process for manufacturing a diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display using them is provided. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置用拡散反射板などに使用される光重合性不飽和化合
物、これを用いた感光性樹脂組成物、感光性エレメント
及び反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photopolymerizable unsaturated compound used for a diffuse reflection plate for a reflection type liquid crystal display device, a photosensitive resin composition using the same, a photosensitive element and a reflection type liquid crystal display. The present invention relates to a method for manufacturing a diffuse reflector for a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、ノート型パソコ
ン、電子手帳、携帯情報端末機、アミューズメント機
器、携帯電話機等、あらゆる用途に利用されており、特
にこれらのうち、携帯用機器については、バックライト
が不要となるため消費電力が小さく、また薄型化や軽量
化が可能な観点から、反射型液晶表示装置が多く用いら
れつつある。一般に反射型液晶表示装置では、光源とし
て外光の反射を利用しているが、外光をより効率良く利
用して明るい表示を得るためには、さらにあらゆる角度
からの入射光に対して、表示画面に垂直な方向に散乱す
る光の強度を増加させる必要がある。これを実現するた
めの有用な手法として、光を拡散反射し得る凹凸面が形
成された仮支持体に薄膜層が積層された転写フィルムを
使用し、転写フィルムの薄膜層の被転写基板への接着面
を基板表面に貼り合わせ、仮支持体をはく離して基板に
薄膜層を転写し、さらに薄膜層上に金属薄膜を賦与する
ことにより拡散反射板を形成する方法(特開2000-47199
号公報)が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been used for all kinds of applications such as notebook personal computers, electronic notebooks, portable information terminals, amusement devices, mobile phones, etc. Reflection-type liquid crystal display devices are being widely used from the viewpoint that power consumption is low because a backlight is not required, and that they can be made thin and lightweight. Generally, a reflection type liquid crystal display device uses reflection of external light as a light source. It is necessary to increase the intensity of light scattered in the direction perpendicular to the screen. As a useful method for achieving this, a transfer film in which a thin film layer is laminated on a temporary support on which an uneven surface capable of diffusing and reflecting light is formed is used. A method for forming a diffuse reflection plate by bonding the adhesive surface to the substrate surface, peeling off the temporary support, transferring the thin film layer to the substrate, and further applying a metal thin film on the thin film layer (JP 2000-47199A).
Issue).

【0003】しかしながら、従来の方法で拡散反射板を
作製する際には、特に拡散反射下地層用材料の選定が難
しく、歩留まり良く製造できないという問題点があっ
た。これは、以下の2つの理由により生じていた。1つ
は、拡散反射下地層材料の耐熱性に関わる問題である。
液晶表示装置の製造においては、ITOなどの透明電極
形成やカラーフィルター形成やオーバーコート層形成等
の工程により、拡散反射板を設けた基板が200〜25
0℃程度の高温中に数回暴露されることとなる。従来の
拡散反射下地層材料及び方法では、拡散反射下地層上に
スパッタ法等で金属薄膜を積層して拡散反射板を形成し
ているが、高温で暴露されることで、拡散反射下地層の
表面形状、つまり光を拡散反射し得る凹凸面形状が変形
し、所望の反射特性が得られず、これにより歩留まり良
く製造できないという不具合を引き起こしていた。さら
にもう1つは、拡散反射下地層の基板密着性に関わる問
題である。液晶表示装置の使用においては、あらゆる環
境下が予想されることから、信頼性として高温高湿時に
も拡散反射下地層の基板密着性が良いことが必要とされ
るが、従来の拡散反射下地層材料及び方法では、特に耐
湿性の問題から、高温高湿環境下で基板密着性が著しく
悪化し、液晶表示装置としての信頼性を得られないとい
う不具合があった。また、高画質で高速表示可能なTF
T駆動方式の液晶表示装置に拡散反射下地層を適用する
ためには、フォトリソグラフィーによる微細なコンタク
ホールの形成が不可欠であり、フォトリソグラフィーの
露光、現像時にも拡散反射下地層の基板密着性が良いこ
とが要求されるが、従来の拡散反射下地層材料では、基
板密着性が著しく悪化し、微細なコンタクトホールを安
定して形成できないという問題があった。
However, when the diffuse reflection plate is manufactured by the conventional method, there is a problem that it is particularly difficult to select the material for the diffuse reflection underlayer and the production cannot be performed with a high yield. This was caused by the following two reasons. The first is a problem related to the heat resistance of the diffuse reflection underlayer material.
In the manufacture of a liquid crystal display device, a substrate provided with a diffuse reflection plate has a thickness of 200 to 25 due to the steps of forming a transparent electrode such as ITO, forming a color filter, and forming an overcoat layer.
It will be exposed to a high temperature of about 0 ° C several times. In the conventional diffuse reflection underlayer material and method, a metal thin film is laminated on the diffuse reflection underlayer by a sputtering method or the like to form a diffuse reflection plate. The surface shape, that is, the shape of the uneven surface capable of diffusely reflecting light is deformed, and desired reflection characteristics cannot be obtained, which causes a problem that manufacturing cannot be performed with high yield. The other is a problem related to the substrate adhesion of the diffuse reflection underlayer. Since it is expected that the liquid crystal display device will be used in all kinds of environments, it is necessary for reliability that the substrate adhesion of the diffuse reflection underlayer be good even at high temperature and high humidity. In the materials and methods, there is a problem that the adhesion to the substrate is significantly deteriorated in a high temperature and high humidity environment and reliability as a liquid crystal display device cannot be obtained due to the problem of moisture resistance. In addition, TF that can display at high speed with high image quality
In order to apply a diffuse reflection underlayer to a T-drive type liquid crystal display device, it is essential to form fine contact holes by photolithography, and the substrate adhesion of the diffuse reflection underlayer during photolithography exposure and development is also important. Although it is required to be good, the conventional diffuse reflection underlayer material has a problem that the substrate adhesion is significantly deteriorated and a fine contact hole cannot be stably formed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、拡散
反射下地層において、光を拡散反射し得る凹凸面の高温
下での形状維持性が優れ、かつ高温高湿下及びフォトリ
ソグラフィーにおける拡散反射下地層の基板密着性に優
れることで、歩留まりの良い反射型液晶表示装置用拡散
反射板の製造が可能なシリル基含有光重合性不飽和化合
物及びこれを用いた感光性樹脂組成物を提供することに
ある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an uneven surface which is capable of diffusively reflecting light in a diffuse reflection underlayer excellent in shape retention under high temperature, and which is diffused under high temperature and high humidity and photolithography. Provided is a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound and a photosensitive resin composition using the same, which enables production of a diffuse reflector for a reflective liquid crystal display device with good yield by excellent adhesion of the reflective underlayer to the substrate. To do.

【0005】本発明の他の目的は、上記の効果に加え
て、さらに作業性に優れた拡散反射下地層形成用感光性
エレメントを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer which is excellent in workability in addition to the above effects.

【0006】本発明の他の目的は、上記の効果に加え
て、さらにコスト低減に寄与し得る反射型液晶表示装置
用拡散反射板の製造方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device, which can contribute to cost reduction in addition to the above effects.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、1分子中に少
なくとも2個のエチレン性不飽和基を有し、さらに加水
分解性基含有シリル基を少なくとも1個有する(a)シ
リル基含有光重合性不飽和化合物に関する。また、本発
明は、1分子中に少なくとも2個のエチレン性不飽和基
を有し、さらに加水分解性基含有シリル基を少なくとも
1個有する化合物であって、さらにウレタン結合を有す
る前記(a)シリル基含有光重合性不飽和化合物に関す
る。また、本発明は、(A)1分子中に少なくとも1個
の水酸基及び少なくとも2個のエチレン性不飽和基を有
する光重合性不飽和化合物の水酸基に対して、(B)1
分子中に1個のイソシアネート基を有し、さらに加水分
解性基含有シリル基を少なくとも1個有する有機ケイ素
化合物のイソシアネート基を反応させて得られる前記
(a)シリル基含有光重合性不飽和化合物に関する。
The present invention has (a) a silyl group-containing photopolymer having at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule and at least one hydrolyzable group-containing silyl group. It relates to a polymerizable unsaturated compound. Further, the present invention is a compound having at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule, and further having at least one hydrolyzable group-containing silyl group, which further has a urethane bond (a). It relates to a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound. Further, the present invention relates to (A) a hydroxyl group of a photopolymerizable unsaturated compound having at least one hydroxyl group and at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule,
The (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound obtained by reacting an isocyanate group of an organosilicon compound having one isocyanate group in the molecule and further having at least one hydrolyzable group-containing silyl group Regarding

【0008】また、本発明は、前記(a)シリル基含有光
重合性不飽和化合物、(b)バインダポリマー、(c)少なく
とも1個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和
化合物、(d)光重合開始剤を含有することを特徴とする
感光性樹脂組成物に関する。また、本発明は、凹凸形状
面を有する仮支持体の凹凸形状面上に、前記感光性樹脂
組成物の層を有する拡散反射下地層形成用感光性エレメ
ントに関する。また、本発明は、(I)基板上に、前記
拡散反射下地層形成用感光性エレメントを積層する工
程、(II)感光性樹脂組成物層に活性光線を像的に照射
する工程、(III)凹凸形状面を有する仮支持体をはく
離して除去する工程、(IV)現像により感光性樹脂組成
物層を選択的に除去してパターンを形成する工程、
(V)パターンを形成した感光性樹脂組成物層に活性光
線を照射する工程、(VI)パターンを形成した感光性樹
脂組成物層を加熱する工程により、所望の凹凸形状面を
有する拡散反射下地層を形成し、さらに拡散反射下地層
上に反射膜を形成することを特徴とする反射型液晶表示
装置用拡散反射板の製造方法に関する。また、本発明
は、下記一般式〔1〕で表される光重合性不飽和化合物
の水酸基に対して、下記一般式〔2〕で表される有機ケ
イ素化合物のイソシアネート基を反応させて得られる前
記シリル基含有光重合性不飽和化合物に関する。
The present invention also provides (a) a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound, (b) a binder polymer, (c) a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group, (d) A photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator. The present invention also relates to a photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer, which has a layer of the photosensitive resin composition on the uneven surface of the temporary support having the uneven surface. The present invention also includes (I) a step of laminating the photosensitive element for forming a diffuse reflection underlying layer on a substrate, (II) a step of imagewise irradiating the photosensitive resin composition layer with an actinic ray, (III ) A step of peeling and removing the temporary support having an uneven surface, (IV) a step of selectively removing the photosensitive resin composition layer by development to form a pattern,
By (V) a step of irradiating the patterned photosensitive resin composition layer with an actinic ray, and (VI) a step of heating the patterned photosensitive resin composition layer, a diffuse reflection having a desired uneven surface is obtained. The present invention relates to a method for manufacturing a diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device, which comprises forming a base layer and further forming a reflection film on the diffuse reflection underlayer. Further, the present invention is obtained by reacting the hydroxyl group of the photopolymerizable unsaturated compound represented by the following general formula [1] with the isocyanate group of the organosilicon compound represented by the following general formula [2]. It relates to the silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound.

【化3】 (一般式〔1〕中、R1、R2及びR3は各々独立に水素
原子又はメチル基を示し、R4、R5及びR6は各々独立
に炭素数1〜8のアルキレン基、炭素数2〜8のアルキ
レンオキシド基を示し、R4、R5及びR6が各々複数個
の場合には、R4、R5及びR6は各々同一でも異なって
いてもよく、k、l及びmは各々独立に0〜10の整数
である)
[Chemical 3] (In the general formula [1], R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 , R 5 and R 6 each independently represent an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms or a carbon atom. When each of R 4 , R 5 and R 6 is a plurality of R 4 s , R 5 s and R 6 s , the R 4 s , R 5 s and R 6 s may be the same or different, and k, l and m is each independently an integer of 0 to 10)

【化4】 (一般式〔2〕中、R7は炭素数1〜8のアルキレン
基、炭素数1〜8のアルキレンオキシド基を示し、R7
が複数個の場合には、R7は同一でも異なっていてもよ
く、R8、R9及びR10は各々独立に炭素数1〜8のアル
キル基を示し、nは1〜10の整数である)
[Chemical 4] (In the general formula [2], R 7 represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms or an alkylene oxide group having 1 to 8 carbon atoms, R 7
When there are a plurality of R 7 , R 7 may be the same or different, R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 10. is there)

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の(a)シリル基含有光重合性不飽和化合物は、
1分子中に少なくとも2個のエチレン性不飽和基を有
し、さらに加水分解性基含有シリル基を少なくとも1個
有する。また、本発明の(a)シリル基含有光重合性不
飽和化合物は、耐熱性を向上でき、かつ高温高湿下及び
フォトリソグラフィーにおける拡散反射下地層の基板密
着性を向上できるという観点から、さらに分子中にウレ
タン結合を有することが好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.
The (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound of the present invention is
It has at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule and at least one hydrolyzable group-containing silyl group. Further, the (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound of the present invention is capable of improving heat resistance and further improving the substrate adhesion of the diffuse reflection underlayer under high temperature and high humidity and photolithography, It is preferable to have a urethane bond in the molecule.

【0010】本発明のこのような(a)シリル基含有光
重合性不飽和化合物は、(A)1分子中に少なくとも1
個の水酸基及び少なくとも2個のエチレン性不飽和基を
有する光重合性不飽和化合物の水酸基に対して、(B)
1分子中に1個のイソシアネート基を有し、さらに加水
分解性基含有シリル基を少なくとも1個有する有機ケイ
素化合物のイソシアネート基を反応させることにより得
られる。本発明における(A)1分子中に少なくとも1
個の水酸基及び少なくとも2個のエチレン性不飽和基を
有する光重合性不飽和化合物としては、1分子中に少な
くとも1個の水酸基及び少なくとも2個のエチレン性不
飽和基をそれぞれ有していれば、特に制限はなく、例え
ば、エピクロロヒドリン変性ビスフェノールAジ(メ
タ)アクリレート、エピクロロヒドリン及びアルキレン
オキシド(炭素数2〜8のアルキレンオキシド基の数が
1〜20)変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレー
ト、エピクロロヒドリン変性ポリアルキレングリコール
(炭素数2〜8のアルキレンオキシド基の数が1〜2
0)ジ(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン変性
アルキル(炭素数が2〜8)ジ(メタ)アクリレート、
ヒドロキシアルキル(炭素数が2〜8)ジ(メタ)アク
リレート、ジペンタエリスリト−ルモノヒドロキシペン
タ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレート、グリ
セロールジ(メタ)アクリレート、ジグリセロールジ
(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)ア
クリレート、ポリグリセロールジ(メタ)アクリレー
ト、エピクロロヒドリン変性グリセロールトリ(メタ)
アクリレート、エピクロロヒドリン変性1,6-ヘキサン
ジオールジ(メタ)アクリレート、炭素数2〜8のアル
キレンオキシド基の数が1〜20であるアルキレンオキ
シド変性リン酸ジ(メタ)アクリレート、エピクロロヒ
ドリン変性フェノキシジ(メタ)アクリレート、ステア
リン酸変性ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレー
ト、エピクロロヒドリン変性フタル酸ジ(メタ)アクリ
レート、エピクロロヒドリン変性ポリアルキレンオキシ
ド(炭素数2〜8のアルキレンオキシド基の数が1〜2
0)変性フタル酸(メタ)アクリレート、エピクロロヒ
ドリン変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリ
レート等が挙げられる。
The (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound of the present invention comprises (A) at least 1 in one molecule.
With respect to the hydroxyl group of the photopolymerizable unsaturated compound having one hydroxyl group and at least two ethylenically unsaturated groups, (B)
It is obtained by reacting an isocyanate group of an organosilicon compound having one isocyanate group in one molecule and further having at least one silyl group containing a hydrolyzable group. At least 1 in one molecule of (A) in the present invention
As the photopolymerizable unsaturated compound having one hydroxyl group and at least two ethylenically unsaturated groups, if it has at least one hydroxyl group and at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule, respectively. There is no particular limitation, and for example, epichlorohydrin-modified bisphenol A di (meth) acrylate, epichlorohydrin and alkylene oxide (the number of alkylene oxide groups having 2 to 8 carbon atoms is 1 to 20) modified bisphenol A di ( (Meth) acrylate, epichlorohydrin-modified polyalkylene glycol (the number of alkylene oxide groups having 2 to 8 carbon atoms is 1 to 2)
0) di (meth) acrylate, epichlorohydrin-modified alkyl (having 2 to 8 carbon atoms) di (meth) acrylate,
Hydroxyalkyl (C2-8) di (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, epoxy acrylate, glycerol di (meth) acrylate, diglycerol di (meth) acrylate, triglycerol di (Meth) acrylate, polyglycerol di (meth) acrylate, epichlorohydrin-modified glycerol tri (meth)
Acrylate, epichlorohydrin modified 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, alkylene oxide modified di (meth) acrylate having 2 to 20 alkylene oxide groups having 2 to 8 carbon atoms, epichlorohydr Phosphorus-modified phenoxydi (meth) acrylate, stearic acid-modified pentaerythritol di (meth) acrylate, epichlorohydrin-modified phthalic acid di (meth) acrylate, epichlorohydrin-modified polyalkylene oxide (alkylene oxide group having 2 to 8 carbon atoms) Number of 1-2
0) Modified phthalic acid (meth) acrylate, epichlorohydrin modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate and the like can be mentioned.

【0011】また、本発明における(A)成分として
は、後述する感光性樹脂組成物とした場合のフォトリソ
グラフィー工程における密着性を向上できるという観点
から、前記一般式〔1〕で表される化合物であることが
好ましい。前記一般式〔1〕中、R1、R2及びR3は各
々独立に水素原子又はメチル基を示す。また、前記一般
式〔1〕中、R4、R5及びR6は各々独立に炭素数1〜
8のアルキレン基、炭素数2〜8のアルキレンオキシド
基を示し、R4、R5及びR6が各々複数個の場合には、
4、R5及びR6は各々同一でも異なっていてもよく、
ブロック構造でもランダム構造でもよい。また、前記一
般式〔1〕中、k、l及びmは各々独立に0〜10の整
数であるが、後述する工程により形成されたパターン状
の感光性樹脂組成物層表面に形成された凹凸形状を、高
温下で維持する特性を向上できる観点から、k=l=m
=0であるペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレ
ートが特に好ましい。また、これらの(A)1分子中に
少なくとも1個の水酸基及び少なくとも2個のエチレン
性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物は、エポキシ
エステル3002A、エポキシエステル80MFA(共
栄社化学株式会社製、製品名)、デナコールDA-81
1、デナコールDM-811、デナコールDM-851、
デナコールDA-314、デナコールDA-321、デナ
コールDA-911(ナガセ化成工業株式会社製、製品
名)、SR-399(SARTOMER Company社製、製品
名)、NKエステル701-A、NKエステル701、
NKエステルA-TMM-3(新中村化学工業株式会社
製、製品名)、アロニックスM-305、アロニックス
M-233(東亜合成化学工業株式会社製、製品名)、
KAYARAD PET-30、カヤマーPM-2(日本
化薬株式会社製、製品名)等として商業的に入手可能で
ある。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使
用することができる。
Further, the component (A) in the present invention is a compound represented by the above general formula [1] from the viewpoint that the adhesiveness in the photolithography step in the case of a photosensitive resin composition described later can be improved. Is preferred. In the general formula [1], R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. In the general formula [1], R 4 , R 5 and R 6 each independently have 1 to 1 carbon atoms.
8 is an alkylene group or an alkylene oxide group having 2 to 8 carbon atoms, and when each of R 4 , R 5 and R 6 is plural,
R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different,
It may have a block structure or a random structure. Further, in the general formula [1], k, l and m are each independently an integer of 0 to 10, but the irregularities formed on the surface of the patterned photosensitive resin composition layer formed by the steps described below. From the viewpoint of improving the characteristic of maintaining the shape under high temperature, k = 1 / m
Particularly preferred is pentaerythritol tri (meth) acrylate with = 0. Further, these (A) photopolymerizable unsaturated compounds having at least one hydroxyl group and at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule are epoxy ester 3002A, epoxy ester 80MFA (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., Product name), Denacol DA-81
1, Denacol DM-811, Denacol DM-851,
Denacol DA-314, Denacol DA-321, Denacol DA-911 (manufactured by Nagase Kasei Co., Ltd., product name), SR-399 (manufactured by SARTOMER Company, product name), NK ester 701-A, NK ester 701,
NK ester A-TMM-3 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., product name), Aronix M-305, Aronix M-233 (manufactured by Toagosei Chemical Industry Co., Ltd., product name),
It is commercially available as KAYARAD PET-30, Kayamer PM-2 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product name) and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0012】本発明における(B)1分子中に1個のイ
ソシアネート基を有し、さらに加水分解性基含有シリル
基を少なくとも1個有する有機ケイ素化合物としては、
1分子中に1個のイソシアネート基及び1分子中に加水
分解性基含有シリル基を少なくとも1個それぞれ有して
いれば、特に制限はなく、例えば、前記一般式〔2〕で
表される化合物であることが好ましい。前記一般式
〔2〕中、R7は炭素数1〜8のアルキレン基、炭素数
1〜8のアルキレンオキシド基を示し、メチレン基、エ
チレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン
基、ペンチレン基、ヘキシレン基、メチレンオキシド
基、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、イソ
プロピレンオキシド基、ブチレンオキシド基、ペンチレ
ンオキシド基、ヘキシレンオキシド基等が挙げられ、エ
チレン基、プロピレン基が好ましい。このR7が複数個
の場合には、R7は同一でも異なっていてもよく、ブロ
ック構造でもランダム構造でもよい。また、前記一般式
〔2〕中、R8、R9及びR10は各々独立に炭素数1〜8
のアルキル基を示し、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基等が挙げられ、メチル基又はエチル基が好ましい。ま
た、前記一般式〔2〕中、nは1〜10であるが、
(A)成分との反応性の観点から、nは1〜3であるこ
とが好ましい。
As the organosilicon compound (B) having one isocyanate group in one molecule and at least one hydrolyzable group-containing silyl group in the present invention,
There is no particular limitation as long as it has at least one isocyanate group in one molecule and at least one hydrolyzable group-containing silyl group in one molecule. For example, the compound represented by the general formula [2] Is preferred. In the general formula [2], R 7 represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms or an alkylene oxide group having 1 to 8 carbon atoms, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, a butylene group, a pentylene group. , Hexylene group, methylene oxide group, ethylene oxide group, propylene oxide group, isopropylene oxide group, butylene oxide group, pentylene oxide group, hexylene oxide group and the like, and ethylene group and propylene group are preferable. If this R 7 is a plurality, R 7 is may be the same or different, may be a random structure in block structure. In the general formula [2], R 8 , R 9 and R 10 each independently have 1 to 8 carbon atoms.
Of the alkyl group, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group, and a methyl group or an ethyl group is preferable. In the general formula [2], n is 1 to 10,
From the viewpoint of reactivity with the component (A), n is preferably 1 to 3.

【0013】前記一般式〔2〕で表される化合物として
は、例えば、イソシアネートメチルトリメトキシシラ
ン、イソシアネートメチルジメトキシシラン、イソシア
ネートメチルモノメトキシシラン、イソシアネートメチ
ルトリエトキシシラン、イソシアネートメチルジエトキ
シシラン、イソシアネートメチルモノエトキシシラン、
イソシアネートメチルトリプロポキシシラン、イソシア
ネートメチルジプロポキシシラン、イソシアネートメチ
ルモノプロポキシシラン、イソシアネートメチルトリブ
トキシシラン、イソシアネートメチルジブトキシシラ
ン、イソシアネートメチルモノブトキシシラン、イソシ
アネートエチルトリメトキシシラン、イソシアネートエ
チルジメトキシシラン、イソシアネートエチルモノメト
キシシラン、イソシアネートエチルトリエトキシシラ
ン、イソシアネートエチルジエトキシシラン、イソシア
ネートエチルモノエトキシシラン、イソシアネートエチ
ルトリプロポキシシラン、イソシアネートエチルジプロ
ポキシシラン、イソシアネートエチルモノプロポキシシ
ラン、イソシアネートエチルトリブトキシシラン、イソ
シアネートエチルジブトキシシラン、イソシアネートエ
チルモノブトキシシラン、イソシアネートプロピルトリ
メトキシシラン、イソシアネートプロピルジメトキシシ
ラン、イソシアネートプロピルモノメトキシシラン、イ
ソシアネートプロピルトリエトキシシラン、イソシアネ
ートプロピルジエトキシシラン、イソシアネートプロピ
ルモノエトキシシラン、イソシアネートプロピルトリプ
ロポキシシラン、イソシアネートプロピルジプロポキシ
シラン、イソシアネートプロピルモノプロポキシシラ
ン、イソシアネートプロピルトリブトキシシラン、イソ
シアネートプロピルジブトキシシラン、イソシアネート
プロピルモノブトキシシラン、イソシアネートブチルト
リメトキシシラン、イソシアネートブチルジメトキシシ
ラン、イソシアネートブチルモノメトキシシラン、イソ
シアネートブチルトリエトキシシラン、イソシアネート
ブチルジエトキシシラン、イソシアネートブチルモノエ
トキシシラン、イソシアネートブチルトリプロポキシシ
ラン、イソシアネートブチルジプロポキシシラン、イソ
シアネートブチルモノプロポキシシラン、イソシアネー
トブチルトリブトキシシラン、イソシアネートブチルジ
ブトキシシラン、イソシアネートブチルモノブトキシシ
ラン、イソシアネートペンチルトリメトキシシラン、イ
ソシアネートペンチルジメトキシシラン、イソシアネー
トペンチルモノメトキシシラン、イソシアネートペンチ
ルトリエトキシシラン、イソシアネートペンチルジエト
キシシラン、イソシアネートペンチルモノエトキシシラ
ン、イソシアネートペンチルトリプロポキシシラン、イ
ソシアネートペンチルジプロポキシシラン、イソシアネ
ートペンチルモノプロポキシシラン、イソシアネートペ
ンチルトリブトキシシラン、イソシアネートペンチルジ
ブトキシシラン、イソシアネートペンチルモノブトキシ
シラン、イソシアネートヘキシルトリメトキシシラン、
イソシアネートヘキシルジメトキシシラン、イソシアネ
ートヘキシルモノメトキシシラン、イソシアネートヘキ
シルトリエトキシシラン、イソシアネートヘキシルジエ
トキシシラン、イソシアネートヘキシルモノエトキシシ
ラン、イソシアネートヘキシルトリプロポキシシラン、
イソシアネートヘキシルジプロポキシシラン、イソシア
ネートヘキシルモノプロポキシシラン、イソシアネート
ヘキシルトリブトキシシラン、イソシアネートヘキシル
ジブトキシシラン、イソシアネートヘキシルモノブトキ
シシラン、エチレンオキシド変性イソシアネートトリメ
トキシシラン、エチレンオキシド変性イソシアネートジ
メトキシシラン、エチレンオキシド変性イソシアネート
モノメトキシシラン、エチレンオキシド変性イソシアネ
ートトリエトキシシラン、エチレンオキシド変性イソシ
アネートジエトキシシラン、エチレンオキシド変性イソ
シアネートモノエトキシシラン、エチレンオキシド変性
イソシアネートトリプロポキシシラン、エチレンオキシ
ド変性イソシアネートジプロポキシシラン、エチレンオ
キシド変性イソシアネートモノプロポキシシラン、エチ
レンオキシド変性イソシアネートトリブトキシシラン、
エチレンオキシド変性イソシアネートジブトキシシラ
ン、エチレンオキシド変性イソシアネートモノブトキシ
シラン、プロピレンオキシド変性イソシアネートトリメ
トキシシラン、プロピレンオキシド変性イソシアネート
ジメトキシシラン、プロピレンオキシド変性イソシアネ
ートモノメトキシシラン、プロピレンオキシド変性イソ
シアネートトリエトキシシラン、プロピレンオキシド変
性イソシアネートジエトキシシラン、プロピレンオキシ
ド変性イソシアネートモノエトキシシラン、プロピレン
オキシド変性イソシアネートトリプロポキシシラン、プ
ロピレンオキシド変性イソシアネートジプロポキシシラ
ン、プロピレンオキシド変性イソシアネートモノプロポ
キシシラン、プロピレンオキシド変性イソシアネートト
リブトキシシラン、プロピレンオキシド変性イソシアネ
ートジブトキシシラン、プロピレンオキシド変性イソシ
アネートモノブトキシシラン等が挙げられ、これらは単
独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができ
る。これら化合物の内、後述する感光性樹脂組成物とし
た場合のフォトリソグラフィー工程における密着性を向
上できる観点から、イソシアネートプロピルトリメトキ
シシラン又はイソシアネートプロピルトリエトキシシラ
ンが特に好ましい。このような化合物は、Y-518
7、A-1310(日本ユニカー株式会社製、製品名)
として商業的に入手可能である。
Examples of the compound represented by the general formula [2] include isocyanate methyltrimethoxysilane, isocyanate methyldimethoxysilane, isocyanate methylmonomethoxysilane, isocyanate methyltriethoxysilane, isocyanate methyldiethoxysilane, and isocyanatemethyl. Monoethoxysilane,
Isocyanate methyl tripropoxy silane, isocyanate methyl dipropoxy silane, isocyanate methyl monopropoxy silane, isocyanate methyl tributoxy silane, isocyanate methyl dibutoxy silane, isocyanate methyl monobutoxy silane, isocyanate ethyl trimethoxy silane, isocyanate ethyl dimethoxy silane, isocyanate ethyl mono Methoxysilane, Isocyanatoethyltriethoxysilane, Isocyanatoethyldiethoxysilane, Isocyanatoethylmonoethoxysilane, Isocyanatoethyltripropoxysilane, Isocyanatoethyldipropoxysilane, Isocyanatoethylmonopropoxysilane, Isocyanatoethyltributoxysilane, Isocyanatoethyldibu Xysilane, isocyanate ethyl monobutoxy silane, isocyanate propyl trimethoxy silane, isocyanate propyl dimethoxy silane, isocyanate propyl monomethoxy silane, isocyanate propyl triethoxy silane, isocyanate propyl diethoxy silane, isocyanate propyl monoethoxy silane, isocyanate propyl tripropoxy silane, isocyanate Propyldipropoxysilane, Isocyanatopropylmonopropoxysilane, Isocyanatopropyltributoxysilane, Isocyanatopropyldibutoxysilane, Isocyanatopropylmonobutoxysilane, Isocyanatobutyltrimethoxysilane, Isocyanatobutyldimethoxysilane, Isocyanatobutylmonomethoxy Orchid, isocyanate butyl triethoxy silane, isocyanate butyl diethoxy silane, isocyanate butyl monoethoxy silane, isocyanate butyl tripropoxy silane, isocyanate butyl dipropoxy silane, isocyanate butyl monopropoxy silane, isocyanate butyl tributoxy silane, isocyanate butyl dibutoxy silane, Isocyanate butyl monobutoxysilane, isocyanate pentyl trimethoxysilane, isocyanate pentyl dimethoxysilane, isocyanate pentyl monomethoxysilane, isocyanate pentyl triethoxysilane, isocyanate pentyl diethoxysilane, isocyanate pentyl monoethoxysilane, isocyanate pentyl tripropoxysilane, isocyanate Nate pentyl dipropoxy silane, isocyanate pentyl monopropoxy silane, isocyanate pentyl tributoxy silane, isocyanate pentyl dibutoxy silane, isocyanate pentyl monobutoxy silane, isocyanate hexyl trimethoxy silane,
Isocyanate hexyl dimethoxysilane, isocyanate hexyl monomethoxy silane, isocyanate hexyl triethoxy silane, isocyanate hexyl diethoxy silane, isocyanate hexyl monoethoxy silane, isocyanate hexyl tripropoxy silane,
Isocyanate hexyl dipropoxy silane, isocyanate hexyl monopropoxy silane, isocyanate hexyl tributoxy silane, isocyanate hexyl dibutoxy silane, isocyanate hexyl monobutoxy silane, ethylene oxide modified isocyanate trimethoxy silane, ethylene oxide modified isocyanate dimethoxy silane, ethylene oxide modified isocyanate monomethoxy silane, Ethylene oxide modified isocyanate triethoxysilane, ethylene oxide modified isocyanate diethoxysilane, ethylene oxide modified isocyanate monoethoxysilane, ethylene oxide modified isocyanate tripropoxysilane, ethylene oxide modified isocyanate dipropoxysilane, ethylene oxide modified isocyanate Sulfonate mono propoxysilane, ethylene oxide-modified isocyanate tributoxysilane silane,
Ethylene oxide modified isocyanate dibutoxysilane, ethylene oxide modified isocyanate monobutoxysilane, propylene oxide modified isocyanate trimethoxysilane, propylene oxide modified isocyanate dimethoxysilane, propylene oxide modified isocyanate monomethoxysilane, propylene oxide modified isocyanate triethoxysilane, propylene oxide modified isocyanate di Ethoxysilane, propylene oxide-modified isocyanate monoethoxysilane, propylene oxide-modified isocyanate tripropoxysilane, propylene oxide-modified isocyanate dipropoxysilane, propylene oxide-modified isocyanate monopropoxysilane, propylene oxide-modified isocyanate tributoxysilane, B propylene oxide-modified isocyanate dibutoxy silane, propylene oxide-modified isocyanate monobutoxy silane and the like, which may be used alone or in combination of two or more. Among these compounds, isocyanatopropyltrimethoxysilane or isocyanatopropyltriethoxysilane is particularly preferred from the viewpoint of improving the adhesiveness in the photolithography step when the photosensitive resin composition described below is used. Such a compound is Y-518
7, A-1310 (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., product name)
Is commercially available as.

【0014】本発明の感光性樹脂組成物は、前記(a)シ
リル基含有光重合性不飽和化合物、(b)バインダポリマ
ー、(c)少なくとも1個のエチレン性不飽和基を有する
光重合性不飽和化合物、(d)光重合開始剤を有してな
る。
The photosensitive resin composition of the present invention comprises: (a) a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound, (b) a binder polymer, and (c) a photopolymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated group. It has an unsaturated compound and (d) a photopolymerization initiator.

【0015】本発明における(b)バインダポリマーとし
ては、特に制限はなく、例えば、ビニル共重合体が挙げ
られ、ビニル共重合体に用いられるビニル単量体として
は、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、
フマル酸、イタコン酸、アクリル酸メチル、メタクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、ア
クリル酸n−プロピル、メタクリル酸n−プロピル、ア
クリル酸iso−プロピル、メタクリル酸iso−プロピル、
アクリル酸n−ブチル、メタクリル酸n−ブチル、アク
リル酸iso−ブチル、メタアクリル酸iso−ブチル、アク
リル酸sec−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、アクリ
ル酸tert−ブチル、メタクリル酸tert−ブチル、アクリ
ル酸ペンチル、メタクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキ
シル、メタクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、メ
タクリル酸ヘプチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、
メタクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸オクチ
ル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタク
リル酸ノニル、アクリル酸デシル、メタクリル酸デシ
ル、アクリル酸ドデシル、メタクリル酸ドデシル、アク
リル酸テトラデシル、メタクリル酸テトラデシル、アク
リル酸ヘキサデシル、メタクリル酸ヘキサデシル、アク
リル酸オクタデシル、メタクリル酸オクタデシル、アク
リル酸エイコシル、メタクリル酸エイコシル、アクリル
酸ドコシル、メタクリル酸ドコシル、アクリル酸シクロ
ペンチル、メタクリル酸シクロペンチル、アクリル酸シ
クロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸シクロヘプチル、メタクリル酸シクロヘプチル、アク
リル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フ
ェニル、メタクリル酸フェニル、アクリル酸メトキシエ
チル、メタクリル酸メトキシエチル、アクリル酸メトキ
シジエチレングリコール、メタクリル酸メトキシジエチ
レングリコール、アクリル酸メトキシジプロピレングリ
コール、メタクリル酸メトキシジプロピレングリコー
ル、アクリル酸メトキシトリエチレングリコール、メタ
クリル酸メトキシトリエチレングリコール、アクリル酸
2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエ
チル、アクリル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸
ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジエチルアミノエチ
ル、メタクリル酸ジエチルアミノエチル、アクリル酸ジ
メチルアミノプロピル、メタクリル酸ジメチルアミノプ
ロピル、アクリル酸2−クロロエチル、メタクリル酸2
−クロロエチル、アクリル酸2−フルオロエチル、メタ
クリル酸2−フルオロエチル、アクリル酸2−シアノエ
チル、メタクリル酸2−シアノエチル、スチレン、α−
メチルスチレン、ビニルトルエン、塩化ビニル、酢酸ビ
ニル、N−ビニルピロリドン、ブタジエン、イソプレ
ン、クロロプレン、アクリルアミド、メタクリルアミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げら
れる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使
用される。
The binder polymer (b) in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include vinyl copolymers. Examples of the vinyl monomer used in the vinyl copolymer include acrylic acid and methacrylic acid. , Maleic acid,
Fumaric acid, itaconic acid, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, iso-propyl acrylate, iso-propyl methacrylate,
N-Butyl acrylate, n-butyl methacrylate, iso-butyl acrylate, iso-butyl methacrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, acrylic Acid pentyl, pentyl methacrylate, hexyl acrylate, hexyl methacrylate, heptyl acrylate, heptyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate,
2-ethylhexyl methacrylate, octyl acrylate, octyl methacrylate, nonyl acrylate, nonyl methacrylate, decyl acrylate, decyl methacrylate, dodecyl acrylate, dodecyl methacrylate, tetradecyl acrylate, tetradecyl methacrylate, hexadecyl acrylate, Hexadecyl methacrylate, octadecyl acrylate, octadecyl methacrylate, eicosyl acrylate, eicosyl methacrylate, docosyl acrylate, docosyl methacrylate, cyclopentyl acrylate, cyclopentyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, cycloheptyl acrylate, methacryl Cycloheptyl acid, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, phenyl acrylate, methacrylic acid Methyl, methoxyethyl acrylate, methoxyethyl methacrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, methoxydiethylene glycol methacrylate, methoxydipropylene glycol acrylate, methoxydipropylene glycol methacrylate, methoxytriethylene glycol acrylate, methoxytriethylene glycol methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl methacrylate, dimethylaminopropyl acrylate, dimethylaminopropyl methacrylate, acrylic acid 2-chloroethyl, methacrylic acid 2
-Chloroethyl, 2-fluoroethyl acrylate, 2-fluoroethyl methacrylate, 2-cyanoethyl acrylate, 2-cyanoethyl methacrylate, styrene, α-
Examples thereof include methylstyrene, vinyltoluene, vinyl chloride, vinyl acetate, N-vinylpyrrolidone, butadiene, isoprene, chloroprene, acrylamide, methacrylamide, acrylonitrile, methacrylonitrile and the like. These are used alone or in combination of two or more.

【0016】本発明における(b)バインダポリマーとし
ては、例えば、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、イ
ソシアネート基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を
有するビニル共重合体に、少なくとも1個のエチレン性
不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸
基、カルボキシル基等の1個の官能基を有する化合物を
付加反応させて得られる側鎖にエチレン性不飽和基を有
するラジカル重合性共重合体等を使用することもでき
る。
As the binder polymer (b) in the present invention, for example, at least one ethylene is added to a vinyl copolymer having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, an oxirane ring and an acid anhydride. Radically polymerizable copolymer having an ethylenically unsaturated group in the side chain obtained by addition reaction of a compound having one functional group such as an oxirane ring, an isocyanate group, a hydroxyl group and a carboxyl group Can also be used.

【0017】前記カルボキシル基、水酸基、アミノ基、
オキシラン環、酸無水物等の官能基を有するビニル共重
合体の製造に用いられる必須のビニル単量体としては、
例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマ
ル酸、イタコン酸、ケイ皮酸、アクリル酸2−ヒドロキ
シエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリ
ルアミド、メタクリルアミド、イソシアン酸エチルメタ
クリレート、グリシジルアクリレート、グリシジルメタ
クリレート、無水マレイン酸等のカルボキシル基、水酸
基、アミノ基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を有
するビニル単量体等が挙げられる。これらは単独で又は
2種以上を組み合わせて使用される。
The above-mentioned carboxyl group, hydroxyl group, amino group,
The oxirane ring, as an essential vinyl monomer used for producing a vinyl copolymer having a functional group such as an acid anhydride,
For example, acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, cinnamic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, ethyl methacrylate isocyanate, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate. , Vinyl monomers having a functional group such as a carboxyl group such as maleic anhydride, a hydroxyl group, an amino group, an oxirane ring, and an acid anhydride. These are used alone or in combination of two or more.

【0018】側鎖にエチレン性不飽和基を有するラジカ
ル重合性共重合体の製造には必要に応じ、カルボキシル
基、水酸基、アミノ基、オキシラン環、酸無水物等の官
能基を有するビニル単量体以外の前記ビニル単量体を共
重合させることができ、これらは、単独で又は2種類以
上を組み合わせて使用することができる。
In the production of a radical-polymerizable copolymer having an ethylenically unsaturated group in its side chain, a vinyl monomer having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, an oxirane ring, or an acid anhydride, if necessary. The vinyl monomers other than the body can be copolymerized, and these can be used alone or in combination of two or more kinds.

【0019】側鎖にエチレン性不飽和基を有するラジカ
ル重合性共重合体のエチレン性不飽和基濃度は、1.0
X10-4〜6.0X10-3モル/gとすることが好まし
く、2.0X10-4〜5.0X10-3モル/gとするこ
とがより好ましく、3X10 -4〜4.0X10-3モル/
gとすることが特に好ましい。このエチレン性不飽和基
濃度が1.0X10-4モル/g未満では、十分な硬化性
が得られないために耐熱性、耐湿性等が劣り、また、拡
散反射板とした場合に、外光の利用効率向上効果が低下
する傾向があり、6.0X10-3モル/gを超えると、
側鎖にエチレン性不飽和基を有するラジカル重合性共重
合体を製造する際にゲル化を起こす傾向がある。
Radica having an ethylenically unsaturated group in the side chain
The concentration of ethylenically unsaturated group in the polymerizable copolymer is 1.0
X10-Four~ 6.0 x 10-3Mol / g is preferred
2.0X10-Four~ 5.0 x 10-3Mol / g
And more preferably 3X10 -Four~ 4.0X10-3Mol /
It is particularly preferable to set g. This ethylenically unsaturated group
Concentration is 1.0 x 10-FourAt less than mol / g, sufficient curability
Is inferior in heat resistance, moisture resistance, etc.
When used as a diffuse reflector, the effect of improving the efficiency of using external light is reduced.
6.0X10-3If it exceeds mol / g,
Radical Polymerizable Copolymer Having Ethylenically Unsaturated Group in Side Chain
There is a tendency to cause gelation during the production of coalescence.

【0020】本発明における(b)バインダポリマーの重
量平均分子量(ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ーで測定し、標準ポリスチレン換算した値)は、耐熱
性、耐湿性、塗工性及び溶媒への溶解性等の点から、
1,000〜300,000とすることが好ましく、
5,000〜150,000とすることがより好まし
い。
The weight average molecular weight (value measured by gel permeation chromatography and converted into standard polystyrene) of the (b) binder polymer in the present invention is such as heat resistance, moisture resistance, coating property and solubility in solvent. From the point,
It is preferably 1,000 to 300,000,
It is more preferably 5,000 to 150,000.

【0021】本発明における(b)バインダポリマーは、
後述する(IV)現像により感光性樹脂組成物層を選択的
に除去してパターンを形成する工程において、公知の各
種現像液により現像可能となるように酸価を規定するこ
とができる。例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ水溶液を
用いて現像する場合には、酸価を50〜260mgKO
H/gとすることが好ましい。この酸価が、50mgK
OH/g未満では、現像が困難となる傾向があり、26
0mgKOH/gを超えると、耐現像液性(現像により
除去されずに残りパターンとなる部分が、現像液によっ
て侵されない性質)が低下する傾向がある。また、水又
はアルカリ水溶液と1種以上の界面活性剤とからなるア
ルカリ水溶液を用いて現像する場合には、酸価を、16
〜260mgKOH/gとすることが好ましい。この酸
価が、16mgKOH/g未満では、現像が困難となる
傾向があり、260mgKOH/gを超えると、耐現像
液性が低下する傾向がある。
The binder polymer (b) in the present invention is
In the step of forming a pattern by selectively removing the photosensitive resin composition layer by (IV) development, which will be described later, the acid value can be regulated so that it can be developed by various known developing solutions. For example, sodium carbonate, potassium carbonate,
When developing with an alkaline aqueous solution such as tetramethylammonium hydroxide, the acid value is 50 to 260 mg KO.
It is preferably H / g. This acid value is 50mgK
If it is less than OH / g, it tends to be difficult to develop,
When it exceeds 0 mgKOH / g, the developer resistance (the property that the portion which is not removed by development and becomes the remaining pattern is not attacked by the developer) tends to be deteriorated. In the case of development using an alkaline aqueous solution containing water or an alkaline aqueous solution and one or more kinds of surfactants, the acid value is 16
It is preferable to set it to -260 mgKOH / g. If the acid value is less than 16 mgKOH / g, development tends to be difficult, and if it exceeds 260 mgKOH / g, the developing solution resistance tends to decrease.

【0022】本発明における(c)少なくとも1個のエチ
レン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物として
は、例えば、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン
酸を反応させて得られる化合物、2,2−ビス(4−
(ジ(メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プ
ロパン、グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カル
ボン酸を反応させで得られる化合物、ウレタンモノマ
ー、ノニルフェニルジオキシレン(メタ)アクリレー
ト、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β'−(メ
タ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−
ヒドロキシエチル−β'−(メタ)アクリロイルオキシ
エチル−o−フタレート、β−ヒドロキシプロピル−β'
−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレー
ト、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられ
る。
The photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group (c) in the present invention is, for example, a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid. , 2,2-bis (4-
(Di (meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane, a compound obtained by reacting a glycidyl group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid, a urethane monomer, nonylphenyldioxylene (meth) acrylate, γ-chloro -Β-hydroxypropyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-
Hydroxyethyl-β '-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxypropyl-β'
Examples thereof include-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate and (meth) acrylic acid alkyl ester.

【0023】上記多価アルコールにα,β−不飽和カル
ボン酸を反応させて得られる化合物としては、例えば、
エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコー
ルジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜1
4であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレ
ート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、トリメチロールプロパンエトキシトリ(メタ)アク
リレート、トリメチロールプロパンジエトキシトリ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリエトキ
シトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパン
テトラエトキシトリ(メタ)アクリレート、トリメチロ
ールプロパンペンタエトキシトリ(メタ)アクリレー
ト、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート
(ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート)、
テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、
プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリ
コールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトー
ルペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記
α,β−不飽和カルボン酸としては、例えば、(メタ)
アクリル酸等が拳げられる。
Examples of the compound obtained by reacting the above polyhydric alcohol with α, β-unsaturated carboxylic acid include:
Polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2-14 ethylene groups, 2-1 propylene groups
4, polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane ethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane diethoxytri (meth) acrylate, Trimethylolpropane triethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane tetraethoxytri (meth) acrylate, trimethylolpropane pentaethoxytri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate (pentaerythritol tri (meth) acrylate) ,
Tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate,
Examples thereof include polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 propylene groups, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. Examples of the α, β-unsaturated carboxylic acid include (meth)
Acrylic acid etc. can be fisted.

【0024】上記2,2−ビス(4−(ジ(メタ)アク
リロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンとしては、
例えば、2,2−ビス(4−(ジ(メタ)アクリロキシ
ジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−
(ジ(メタ)アクリロキシトリエトキシ)フェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(4−(ジ(メタ)アクリロキシ
ペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−(ジ(メタ)アクリロキシデカエトキシ)フェニ
ル)等が挙げられる。
As the above 2,2-bis (4- (di (meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane,
For example, 2,2-bis (4- (di (meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-
(Di (meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (di (meth) acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (di (meth) acryl) Roxydecaethoxy) phenyl) and the like.

【0025】上記グリシジル基含有化合物としては、例
えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル
トリ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−(メ
タ)アクリロキシ−2−ヒドロキシ−プロピルオキシ)
フェニル等が拳げられる。
Examples of the glycidyl group-containing compound include trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate and 2,2-bis (4- (meth) acryloxy-2-hydroxy-propyloxy).
Phenyl etc. can be fisted.

【0026】上記ウレタンモノマーとしては、例えば、
β位にOH基を有する(メタ)アクリルモノマーとイソ
ホロンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシア
ネート、2,4−トルエンジイソシアネート、1,6−
ヘキサメチレンジイソシアネート等との付加反応物、ト
リス((メタ)アクリロキシテトラエチレングリコール
イソシアネート)ヘキサメチレンイソシアヌレート、エ
チレンオキシド変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、
エチレンオキシド,プロピレンオキシド変性ウレタンジ
(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記(メタ)ア
クリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)
アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチル
エステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、(メ
タ)アクリル酸2−エチルヘキシルエステル等が挙げら
れる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使
用することができる。
As the urethane monomer, for example,
(Meth) acrylic monomer having OH group at β-position and isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, 1,6-
Addition reaction product with hexamethylene diisocyanate, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, ethylene oxide modified urethane di (meth) acrylate,
Examples thereof include ethylene oxide and propylene oxide-modified urethane di (meth) acrylate. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include (meth)
Examples thereof include acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0027】本発明における(d)光重合開始剤として
は、例えば、ベンゾフェノン、N,N'−テトラメチル
−4,4'−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケト
ン)、N,N'−テトラエチル−4,4'−ジアミノベン
ゾフェノン、4−メトキシ−4'−ジメチルアミノベン
ゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−
(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1(イルガキ
ュア−369、チバスペシャリティーケミカルズ株式会
社製、商品名)、2−メチル−1−[4−(メチルチ
オ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパノン−1等
の芳香族ケトン、2−エチルアントラキノン、フェナン
トレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、
オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラ
キノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニル
アントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、
1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノ
ン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキ
ノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、2,3−ジ
メチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェ
ニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイ
ン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイ
ン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導
体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニル
イミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−
4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、
2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイ
ミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−
4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メ
トキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二
量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量
体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9'
−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体、N−
フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマ
リン系化合物などが挙げられる。また、2,4,5−ト
リアリールイミダゾール二量体において、2つの2,
4,5−トリアリールイミダゾールに置換した置換基は
同一でも相違していてもよい。また、ジエチルチオキサ
ントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのよう
に、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組
み合わせてもよい。また、フォトリソグラフィ工程にお
ける密着性及び感度の観点から、2,4,5−トリアリ
ールイミダゾール二量体がより好ましい。これらは、単
独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができ
る。
Examples of the (d) photopolymerization initiator in the present invention include benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), N, N'-tetraethyl-4,4 '. -Diaminobenzophenone, 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-
(4-morpholinophenyl) -butanone-1 (Irgacure-369, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, trade name), 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1 and the like. Aromatic ketone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone,
Octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone,
Quinones such as 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone and 2,3-dimethylanthraquinone, benzoin methyl ether, Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether and benzoin phenyl ether, benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin and ethylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethylketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer , 2- (o-chlorophenyl)-
4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer,
2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl)-
2,4,5-triarylimidazole dimers such as 4,5-diphenylimidazole dimer and 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9-phenylacridine, 1, 7-bis (9,9 '
-Acridinyl) heptane and other acridine derivatives, N-
Examples thereof include phenylglycine, N-phenylglycine derivative, and coumarin-based compound. In the 2,4,5-triarylimidazole dimer, two 2,
Substituents substituted on 4,5-triarylimidazole may be the same or different. Also, a thioxanthone compound and a tertiary amine compound may be combined, such as a combination of diethylthioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. From the viewpoint of adhesion and sensitivity in the photolithography process, 2,4,5-triarylimidazole dimer is more preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

【0028】本発明における(a)シリル基含有光重合性
不飽和化合物の使用量は、(a)、(b)及び(c)成分の
総量100重量部に対して、0.1〜80重量部とする
ことが好ましく、1〜70重量部とすることがより好ま
しく、5〜65重量部とすることが特に好ましく、10
〜60重量部とすることが極めて好ましい。この使用量
が0.1重量部未満では、フォトリソグラフィー工程に
おける密着性向上効果を十分に発現できなくなる傾向が
あり、80重量部を超えると、感光性樹脂組成物とした
場合の保存安定性が低下する傾向がある。
The amount of the (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound used in the present invention is 0.1 to 80 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of the components (a), (b) and (c). Parts, preferably 1 to 70 parts by weight, more preferably 5 to 65 parts by weight, and more preferably 10 parts by weight.
It is extremely preferable that the amount is -60 parts by weight. If the amount used is less than 0.1 part by weight, the effect of improving the adhesion in the photolithography process may not be sufficiently exhibited, and if it exceeds 80 parts by weight, the storage stability of the photosensitive resin composition will be poor. Tends to decline.

【0029】本発明における(b)バインダポリマーの使
用量は、(a)、(b)及び(c)成分の総量100重量部
に対して、10〜80重量部とすることが好ましく、2
0〜75重量部とすることがより好ましく、25〜73
重量部とすることが特に好ましく、30〜70重量部と
することが極めて好ましい。この使用量が10重量部未
満では、塗工性あるいはフィルム性が低下する傾向があ
り、80重量部を超えると、光硬化性あるいは耐熱性が
低下する傾向がある。
The amount of the binder polymer (b) used in the present invention is preferably 10 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the components (a), (b) and (c).
It is more preferably from 0 to 75 parts by weight, and more preferably from 25 to 73.
Particularly preferably, the amount is 30 to 70 parts by weight. If the amount used is less than 10 parts by weight, the coating property or film property tends to deteriorate, and if it exceeds 80 parts by weight, the photocurability or heat resistance tends to decrease.

【0030】本発明における(c)少なくとも1個のエチ
レン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物の使用量
は、(a)、(b)及び(c)成分の総量100重量部に対
して、10〜80重量部とすることが好ましく、20〜
75重量部とすることがより好ましく、25〜73重量
部とすることが特に好ましく、30〜70重量部とする
ことが極めて好ましい。この使用量が10重量部未満で
は、光硬化性あるいは耐熱性が低下する傾向があり、8
0重量部を超えると、塗膜性あるいはフィルム性が低下
する傾向がある。
The amount of the (c) photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group used in the present invention is 100 parts by weight based on the total amount of the components (a), (b) and (c). 10 to 80 parts by weight, and preferably 20 to 20 parts by weight
The amount is more preferably 75 parts by weight, particularly preferably 25 to 73 parts by weight, and most preferably 30 to 70 parts by weight. If the amount used is less than 10 parts by weight, photocurability or heat resistance tends to decrease, and
If it exceeds 0 parts by weight, the coating property or film property tends to deteriorate.

【0031】本発明における(d)光重合開始剤の使用量
は、(a)、(b)及び(c)成分の総量100重量部に対
して、0.05〜20重量部とすることが好ましく、
0.1〜15重量部とすることがより好ましく、0.1
5〜10重量部とすることが特に好ましい。この使用量
が0.05重量部未満では、光硬化が不十分となる傾向
があり、20重量部を超えると、後述する感光性樹脂組
成物層の活性光線照射表面での活性光吸収が増大して、
内部の光硬化が不十分となる傾向がある。また、本発明
の感光性樹脂組成物には、必要に応じて、シランカップ
リング剤などの密着性付与剤、レベリング剤、可塑剤、
充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、酸化防止剤、香料、
着色料、熱架橋剤、重合禁止剤等を(a)、(b)及び
(c)成分の総量100重量部に対して各々0.01〜2
0重量部程度含有することができる。これらは、単独で
又は2種類以上を組み合わせて使用される。
The amount of the (d) photopolymerization initiator used in the present invention is 0.05 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the components (a), (b) and (c). Preferably
More preferably 0.1 to 15 parts by weight, 0.1
It is particularly preferable that the amount is 5 to 10 parts by weight. If this amount is less than 0.05 parts by weight, photocuring tends to be insufficient, and if it exceeds 20 parts by weight, the absorption of active light on the surface irradiated with active light of the photosensitive resin composition layer described below increases. do it,
Internal photocuring tends to be inadequate. Further, the photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, an adhesion imparting agent such as a silane coupling agent, a leveling agent, a plasticizer,
Fillers, defoamers, flame retardants, stabilizers, antioxidants, fragrances,
Colorants, thermal crosslinking agents, polymerization inhibitors, etc. (a), (b) and
0.01 to 2 for each 100 parts by weight of component (c)
About 0 parts by weight can be contained. These are used alone or in combination of two or more.

【0032】本発明の拡散反射下地層形成用感光性エレ
メントは、凹凸形状面を有する仮支持体の凹凸形状面上
に、前記感光性樹脂組成物の層を有してなる。本発明に
おける凹凸形状面を有する仮支持体としては、特に制限
はなく、公知のものを使用することができるが、基板上
に拡散反射下地層形成用感光性エレメントを貼り合わせ
る点及び拡散反射下地層形成用感光性エレメントを貼り
付け、光硬化させた後、はく離する点で特に好適である
という理由から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエステル等を材質としたフィルムをベー
スフィルムとして用い、それをサンドブラスト処理等で
直接凹凸形状面を設けて仮支持体とすることや、前記ベ
ースフィルム上に光硬化性樹脂及びまたは熱硬化性樹脂
を積層して、像状露光や熱成形等により凹凸形状面を設
けてベースフィルムと合わせて仮支持体とすること等が
特に好ましい。また、このときの凹凸形状面について
は、外光をより効率良く利用して明るい表示を得るため
に、垂直な方向に散乱する光の強度を増加させることが
できるような構造を有するものであれば、特に制限はな
い。
The photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer of the present invention comprises a layer of the above-mentioned photosensitive resin composition on the uneven surface of a temporary support having an uneven surface. The temporary support having an uneven surface in the present invention is not particularly limited, and known ones can be used, but the point at which the photosensitive element for forming the diffuse reflection underlayer is stuck on the substrate and the diffuse reflection under A film made of polypropylene, polyethylene terephthalate, polyester, etc. is used as a base film because it is particularly suitable in that it is peeled off after a photosensitive element for forming a ground layer is adhered, photocured, and then sandblasted. Etc. to form a temporary support by directly providing an uneven surface, or by laminating a photocurable resin and / or a thermosetting resin on the base film and providing the uneven surface by imagewise exposure or thermoforming. It is particularly preferable that the temporary support is combined with the base film. Further, the uneven surface at this time may have a structure capable of increasing the intensity of light scattered in the vertical direction in order to more efficiently utilize outside light and obtain a bright display. Therefore, there is no particular limitation.

【0033】本発明における感光性樹脂組成物層を前記
仮支持体の凹凸形状面に形成する方法としては、公知の
塗布方法を用いることができ、例えば、ドクターブレー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ロー
ルコーティング法、スクリーンコーティング法、スピナ
ーコーティング法、インクジェットコーティング法、ス
プレーコーティング法、ディップコーティング法、グラ
ビアコーティング法、カーテンコーティング法、ダイコ
ーティング法等が挙げられる。本発明における感光性樹
脂組成物層の厚さは、反射型液晶表示装置とした場合の
電気的特性を考慮して、0.1〜20μmとすることが
好ましく、0.3〜15μmとすることがより好まし
く、0.5〜10μmとすることが特に好ましい。ま
た、本発明における感光性樹脂組成物層の粘度は、後述
するロール状の感光性エレメントとした場合に、感光性
エレメントの端面から感光性樹脂組成物がしみ出すこと
を1カ月以上防止する点及び感光性エレメントを切断す
る際に、感光性樹脂組成物の破片が基板に付着して引き
起こされる露光不良や現像残り等を防止する点から、3
0℃において、15〜100MPa・sであることが好
ましく、20〜90MPa・sであることがより好まし
く、25〜80MPa・sであることが特に好ましい。
なお、粘度は、直径7mm、厚さ2mmの感光性樹脂組
成物試料の厚さ方向に、30℃及び80℃で1.96X
10-2Nの荷重を加えて厚さの変化速度を測定し、この
変化速度からニュートン流体を仮定して粘度に換算した
値である。
As a method for forming the photosensitive resin composition layer on the uneven surface of the temporary support in the present invention, a known coating method can be used, for example, a doctor blade coating method, a wire bar coating method, Examples thereof include roll coating method, screen coating method, spinner coating method, inkjet coating method, spray coating method, dip coating method, gravure coating method, curtain coating method, die coating method and the like. The thickness of the photosensitive resin composition layer in the present invention is preferably 0.1 to 20 μm, and preferably 0.3 to 15 μm, in consideration of electrical characteristics in the case of a reflective liquid crystal display device. Is more preferable and 0.5 to 10 μm is particularly preferable. In addition, the viscosity of the photosensitive resin composition layer in the present invention is such that when the roll-shaped photosensitive element described later is used, exudation of the photosensitive resin composition from the end surface of the photosensitive element for one month or more is prevented. And from the standpoint of preventing defective exposure and undeveloped residue caused by the debris of the photosensitive resin composition adhering to the substrate when the photosensitive element is cut, 3
At 0 ° C., it is preferably 15 to 100 MPa · s, more preferably 20 to 90 MPa · s, and particularly preferably 25 to 80 MPa · s.
The viscosity is 1.96 × at 30 ° C. and 80 ° C. in the thickness direction of a photosensitive resin composition sample having a diameter of 7 mm and a thickness of 2 mm.
The rate of change in thickness was measured by applying a load of 10 -2 N, and the value was converted to viscosity on the assumption of Newtonian fluid from this rate of change.

【0034】本発明の拡散反射下地層形成用感光性エレ
メントは、感光性樹脂組成物層の上に、さらにカバーフ
ィルムが積層されていてもよい。
In the photosensitive element for forming the diffuse reflection underlayer of the present invention, a cover film may be further laminated on the photosensitive resin composition layer.

【0035】カバーフィルムとしては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカ
ーボネート等からなる厚さ5〜100μm程度のフィル
ムが挙げられる。
As the cover film, polyethylene,
A film having a thickness of about 5 to 100 μm made of polypropylene, polyethylene terephthalate, polycarbonate or the like can be used.

【0036】このようにして得られる拡散反射下地層形
成用感光性エレメントは、ロール状に巻いて保管し、あ
るいは使用できる。
The thus-obtained photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer can be wound in a roll and stored or used.

【0037】以下に本発明の反射型液晶表示装置用拡散
反射板製造方法の一例を説明する。〔(I)基板上に、
凹凸形状面を有する仮支持体の凹凸形状面上に感光性樹
脂組成物の層を積層してなる拡散反射下地層形成用感光
性エレメントを積層する工程〕本発明で使用される基板
は、特に制限はなく、例えば、セラミック板、プラスチ
ック板、ガラス板等が挙げられる。この基板上には、絶
縁層、電極、TFT等が設けられていてもよい。
An example of the method of manufacturing the diffuse reflection plate for the reflective liquid crystal display device of the present invention will be described below. [(I) on the substrate,
Step of laminating a photosensitive element for forming a diffuse reflection underlying layer formed by laminating a layer of a photosensitive resin composition on the irregular surface of a temporary support having an irregular surface] The substrate used in the present invention, There is no limitation, and examples thereof include a ceramic plate, a plastic plate, and a glass plate. An insulating layer, an electrode, a TFT and the like may be provided on this substrate.

【0038】本発明において、基板上に、前記拡散反射
下地層形成用感光性エレメントを積層する方法として
は、感光性樹脂組成物層にカバーフィルムが接して存在
しているときは、そのカバーフィルムを除去後、基板上
に感光性樹脂組成物層が接するように、圧着ロールで圧
着させること等により行うことができる。
In the present invention, as a method for laminating the photosensitive element for forming the diffuse reflection underlayer on the substrate, when the cover film is present in contact with the photosensitive resin composition layer, the cover film is present. After the removal, the pressure-sensitive adhesive roll may be pressure-bonded so that the photosensitive resin composition layer contacts the substrate.

【0039】圧着ロールは、加熱圧着できるように加熱
手段を備えたものであってもよく、加熱圧着する場合の
加熱温度は、10〜180℃とすることが好ましく、2
0〜160℃とすることがより好ましく、30〜150
℃とすることが特に好ましい。この加熱温度が、10℃
未満では、感光性樹脂組成物層と基板との密着性が低下
する傾向があり、180℃を超えると、感光性樹脂組成
物層の構成成分が熱硬化あるいは熱分解する傾向があ
る。
The pressure-bonding roll may be equipped with a heating means so that it can be heat-pressure bonded, and the heating temperature in the heat-pressure bonding is preferably 10 to 180 ° C.
It is more preferable that the temperature is 0 to 160 ° C., and 30 to 150
It is particularly preferable to set the temperature to ° C. This heating temperature is 10 ℃
When it is less than 180 ° C., the adhesiveness between the photosensitive resin composition layer and the substrate tends to decrease, and when it exceeds 180 ° C., the constituent components of the photosensitive resin composition layer tend to be thermoset or thermally decomposed.

【0040】また、加熱圧着時の圧着圧力は、線圧で5
0〜1X105N/mとすることが好ましく、2.5X1
2〜5X104N/mとすることがより好ましく、5X1
2〜4X104N/mとすることが特に好ましい。この
圧着圧力が、50N/m未満では、感光性樹脂組成物層
と基板との密着性が低下する傾向があり、1X105N/
mを超えると、基板が破壊される傾向がある。
The crimping pressure during heating and crimping is 5 in linear pressure.
It is preferably from 0 to 1 × 10 5 N / m, and 2.5 × 1
It is more preferable that it is from 0 2 to 5 × 10 4 N / m, and 5 × 1
It is particularly preferable that it is from 0 2 to 4 × 10 4 N / m. When the pressure bonding pressure is less than 50 N / m, the adhesiveness between the photosensitive resin composition layer and the substrate tends to decrease, and the pressure is 1 × 10 5 N / m.
If it exceeds m, the substrate tends to be broken.

【0041】拡散反射下地層形成用感光性エレメントを
前記のように加熱すれば、基板を予熱処理することは必
要ではないが、感光性樹脂組成物層と基板との密着性を
さらに向上させる点から、基板を予熱処理することが好
ましい。この時の予熱温度は、30〜180℃とするこ
とが好ましい。このようにして、本発明の拡散反射下地
層形成用感光性エレメントの感光性樹脂組成物層を基板
上に積層することができる。
If the photosensitive element for forming the diffuse reflection underlayer is heated as described above, it is not necessary to preheat the substrate, but the point of further improving the adhesion between the photosensitive resin composition layer and the substrate. Therefore, it is preferable to preheat the substrate. The preheating temperature at this time is preferably 30 to 180 ° C. In this way, the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element for forming the diffuse reflection underlayer of the present invention can be laminated on the substrate.

【0042】また、本発明において、拡散反射下地層と
しての感光性樹脂組成物層を基板上に積層するための他
の方法としては、(I')基板上に、前記感光性樹脂組成
物の層を形成した後、凹凸形状面を有する仮支持体を凹
凸形状面が感光性樹脂組成物の層に接するように積層す
る工程等が挙げられる。基板上に前記感光性樹脂組成物
の層を形成する方法としては、前記拡散反射下地層形成
用感光性エレメントにおいて、凹凸形状面を有する前記
仮支持体の凹凸形状面上に、公知の塗布方法を用いて前
記感光性樹脂組成物の層を形成する場合と同様の方法
や、公知の塗布方法を用いて前記ベースフィルム上に感
光性樹脂組成物の層を形成した後、基板上に感光性樹脂
組成物層が接するように、前記圧着ロールを用いて圧着
する方法等が挙げられる。さらに、凹凸形状面を有する
仮支持体を凹凸形状面が感光性樹脂組成物の層に接する
ように積層する方法としては、基板上に、前記拡散反射
下地層形成用感光性エレメントを積層する方法と同様に
前記圧着ロールを用いて圧着する方法等が挙げられる。
Further, in the present invention, as another method for laminating a photosensitive resin composition layer as a diffuse reflection underlayer on a substrate, (I ′) a photosensitive resin composition layer may be formed on the substrate. After forming the layer, a step of laminating a temporary support having an uneven surface so that the uneven surface is in contact with the layer of the photosensitive resin composition may be mentioned. As a method of forming a layer of the photosensitive resin composition on a substrate, in the photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer, a known coating method on the uneven surface of the temporary support having an uneven surface After forming a layer of the photosensitive resin composition on the base film using the same method or a known coating method to form a layer of the photosensitive resin composition using Examples include a method of pressure-bonding the resin composition layer using the pressure roll so that the resin composition layer is in contact with the resin composition layer. Further, as a method for laminating a temporary support having an uneven surface so that the uneven surface is in contact with the layer of the photosensitive resin composition, a method of laminating the photosensitive element for forming the diffuse reflection underlayer on a substrate In the same manner as above, a method of pressure bonding using the pressure bonding roll and the like can be mentioned.

【0043】〔(II)感光性樹脂組成物層に活性光線を
像的に照射する工程〕本発明において、感光性樹脂組成
物層に活性光線を像的に照射する方法としては、基板上
に積層された前記感光性樹脂組成物層にフォトマスクを
介して、公知の活性光線を照射する方法等が挙げられ
る。この時、感光性樹脂組成物層の上に前記した凹凸形
状面を有する仮支持体が存在する場合には、この仮支持
体も介して活性光線が照射されることとなる。また、本
発明における活性光線としては、公知の活性光源が使用
でき、例えば、カーボンアーク灯、超高圧水銀灯、高圧
水銀灯、キセノンランプ等が挙げられ、紫外線を有効に
放射するものであれば特に制限されない。
[(II) Step of imagewise irradiating the photosensitive resin composition layer with an actinic ray] In the present invention, the method of imagewise irradiating the photosensitive resin composition layer with an actinic ray is as follows. A known method is to irradiate the laminated photosensitive resin composition layers with a known actinic ray through a photomask. At this time, when a temporary support having the above-mentioned uneven surface is present on the photosensitive resin composition layer, the actinic rays are irradiated also through this temporary support. Further, as the actinic ray in the present invention, a known actinic light source can be used, and examples thereof include a carbon arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a xenon lamp, and the like, and it is particularly limited as long as it effectively radiates ultraviolet rays. Not done.

【0044】〔(III)凹凸形状面を有する仮支持体を
はく離して除去する工程〕本発明において、感光性樹脂
組成物層に接している凹凸形状面を有する仮支持体をは
く離して除去する方法としては、前記仮支持体に粘着テ
ープを接着したり、鉤型の治具等を用いて、物理的に前
記仮支持体を剥離する方法等が挙げられる。また、作業
性向上を目的に、静電気、吸引力などの力を利用して、
前記仮支持体を物理的に剥離する方法等も挙げられる。
[(III) Step of peeling and removing the temporary support having an uneven surface] In the present invention, the temporary support having an uneven surface in contact with the photosensitive resin composition layer is peeled and removed. Examples of the method include a method of adhering an adhesive tape to the temporary support or a method of physically peeling the temporary support by using a hook type jig or the like. In addition, for the purpose of improving workability, we use power such as static electricity and suction power,
A method in which the temporary support is physically peeled off may also be used.

【0045】〔(IV)現像により感光性樹脂組成物層を
選択的に除去してパターンを形成する工程〕本発明にお
ける現像方法としては、アルカリ水溶液、水系現像液、
有機溶剤等の公知の現像液を用いて、スプレー、揺動浸
漬、ブラッシング、スクラッピング等の公知の方法によ
り現像を行い、不要部を除去する方法等が挙げられ、中
でも、環境、安全性の観点からアルカリ水溶液が好まし
いものとして挙げられる。
[(IV) Step of Forming Pattern by Selectively Removing Photosensitive Resin Composition Layer by Development] The developing method in the present invention includes an alkaline aqueous solution, an aqueous developing solution,
Using a known developing solution such as an organic solvent, a known method such as spraying, rocking dipping, brushing, scraping, and the like is used to perform development, and a method for removing unnecessary portions is mentioned. From the viewpoint, an alkaline aqueous solution is preferable.

【0046】アルカリ水溶液の塩基としては、水酸化ア
ルカリ(リチウム、ナトリウム又はカリウムの水酸化物
等)、炭酸アルカリ(リチウム、ナトリウム又はカリウ
ムの炭酸塩若しくは重炭酸塩等)、アルカリ金属リン酸
塩(リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等)、アルカリ
金属ピロリン酸塩(ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸
カリウム等)、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリ
エタノールアミンなどが挙げられ、中でも、水酸化テト
ラメチルアンモニウム等が好ましいものとして挙げられ
る。現像温度及び時間は、本発明における感光性樹脂組
成物層の現像性に合わせて調整することができる。ま
た、アルカリ水溶液中には、界面活性剤、消泡剤、現像
を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させること
ができる。また、現像後、光硬化後の感光性樹脂組成物
層に残存したアルカリ水溶液の塩基を、有機酸、無機酸
又はこれらの酸水溶液を用いて、スプレー、揺動浸漬、
ブラッシング、スクラッピング等の公知方法により酸処
理(中和処理)することができる。さらに、酸処理(中
和処理)の後、水洗する工程を行うこともできる。
Examples of the base of the aqueous alkali solution include alkali hydroxide (lithium, sodium or potassium hydroxide, etc.), alkali carbonate (lithium, sodium or potassium carbonate or bicarbonate, etc.), alkali metal phosphate ( Potassium phosphate, sodium phosphate, etc.), alkali metal pyrophosphates (sodium pyrophosphate, potassium pyrophosphate, etc.), tetramethylammonium hydroxide, triethanolamine, etc., among which tetramethylammonium hydroxide, etc. are preferred. It is mentioned as a thing. The development temperature and time can be adjusted according to the developability of the photosensitive resin composition layer in the present invention. Further, a surfactant, a defoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating the development and the like can be mixed in the alkaline aqueous solution. In addition, after development, the base of the aqueous alkali solution remaining in the photosensitive resin composition layer after photocuring, an organic acid, an inorganic acid or an aqueous solution of these acids is used, spraying, rocking dipping,
The acid treatment (neutralization treatment) can be performed by a known method such as brushing or scraping. Furthermore, a step of washing with water can be performed after the acid treatment (neutralization treatment).

【0047】〔(V)パターンを形成した感光性樹脂組
成物層に活性光線を照射する工程〕本発明において、パ
ターンを形成した感光性樹脂組成物層表面に形成された
凹凸形状を高温下で維持すること、高温高湿下で基板密
着性を向上させること、及び耐薬品性を向上させること
等を目的に、パターンを形成した感光性樹脂組成物層に
活性光線を照射する工程を行うことができる。本発明に
おいて、パターンを形成した感光性樹脂組成物層に活性
光線を照射する方法としては、基板上にパターンが形成
された感光性樹脂組成物層に公知の活性光線が有効に照
射される方法であれば特に制限されない。また、本発明
における活性光線としては、前記(II)の工程で使用で
きる公知の活性光源が挙げられ、紫外線等を有効に放射
するものであれば特に制限されない。この時の、活性光
線の照射量は、通常、1X102〜1X105J/m2であ
り、照射の際に、加熱を伴うこともできる。この活性光
線照射量が、1X102J/m2未満では、効果が不十分と
なる傾向があり、1X105J/m2を超えると、感光性樹
脂組成物層が変色する傾向がある。
[(V) Step of Irradiating Actinic Ray on Photosensitive Resin Composition Layer Having Pattern] In the present invention, the uneven shape formed on the surface of the photosensitive resin composition layer having a pattern is formed under high temperature. Performing a step of irradiating the patterned photosensitive resin composition layer with actinic rays for the purpose of maintaining, improving substrate adhesion under high temperature and high humidity, and improving chemical resistance. You can In the present invention, as a method of irradiating the patterned photosensitive resin composition layer with actinic rays, a known method of effectively irradiating the patterned photosensitive resin composition layer on the substrate with actinic rays is used. If there is no particular limitation. In addition, the actinic ray in the present invention includes a known actinic light source that can be used in the step (II), and is not particularly limited as long as it can effectively radiate ultraviolet rays and the like. At this time, the irradiation amount of the actinic ray is usually 1 × 10 2 to 1 × 10 5 J / m 2 , and heating can be accompanied during the irradiation. If the actinic ray irradiation amount is less than 1 × 10 2 J / m 2 , the effect tends to be insufficient, and if it exceeds 1 × 10 5 J / m 2 , the photosensitive resin composition layer tends to be discolored.

【0048】〔(VI)パターンを形成した感光性樹脂組
成物層を加熱する工程〕本発明において、パターンを形
成した感光性樹脂組成物層を加熱する方法としては、熱
風放射、赤外線照射加熱等の公知の方法が挙げられ、基
板上にパターンが形成された感光性樹脂組成物層が有効
に加熱される方法であれば特に制限されない。加熱時の
温度は、140〜300℃とすることが好ましく、15
0〜290℃とすることがより好ましく、160〜28
0℃とすることが特に好ましい。この加熱温度が、14
0℃未満では、効果が不十分となる傾向があり、300
℃を超えると、感光性樹脂組成物層の構成成分が熱分解
する傾向がある。
[(VI) Step of Heating Patterned Photosensitive Resin Composition Layer] In the present invention, as a method of heating the patterned photosensitive resin composition layer, hot air radiation, infrared irradiation heating, etc. may be used. There is no particular limitation as long as it is a method of effectively heating the photosensitive resin composition layer having a pattern formed on the substrate. The temperature during heating is preferably 140 to 300 ° C., and 15
It is more preferable that the temperature is 0 to 290 ° C., and 160 to 28
Particularly preferably, the temperature is 0 ° C. This heating temperature is 14
Below 0 ° C, the effect tends to be insufficient,
When the temperature exceeds ° C, the constituent components of the photosensitive resin composition layer tend to be thermally decomposed.

【0049】以上に挙げた方法により、所望の凹凸形状
面を有する拡散反射下地層を形成することができる。ま
た、本発明における反射型液晶表示装置用拡散反射板
は、前記拡散反射下地層に反射膜を形成することにより
得られる。前記拡散反射下地層に反射膜を形成する方法
としては、公知の方法が使用でき、例えば、スパッタリ
ング法、蒸着法等により、Ag、Al等の金属膜を形成する
方法等が挙げられる。本発明の感光性樹脂組成物は、反
射型液晶表示装置用拡散反射板の用途に限定されるもの
ではなく、例えば、プリント配線板などの導体回路形成
用レジスト、プラズマディスプレイパネルにおける各種
部材形成用レジスト等の用途にも好適に使用することが
できる。この時、本発明の感光性樹脂組成物をポリエチ
レンテレフタレートフィルム等の支持体上に形成した感
光性エレメントとして使用することもできる。
The diffuse reflection underlayer having a desired uneven surface can be formed by the method described above. The diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device according to the present invention can be obtained by forming a reflection film on the diffuse reflection underlayer. As a method for forming the reflective film on the diffuse reflection base layer, a known method can be used, and examples thereof include a method for forming a metal film of Ag, Al or the like by a sputtering method, a vapor deposition method or the like. The photosensitive resin composition of the present invention is not limited to the use of a diffuse reflection plate for a reflection type liquid crystal display device, for example, a resist for forming a conductor circuit such as a printed wiring board, for forming various members in a plasma display panel. It can also be suitably used for applications such as resists. At this time, the photosensitive resin composition of the present invention can also be used as a photosensitive element formed on a support such as a polyethylene terephthalate film.

【0050】[0050]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに制限されるものではない。
EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

【0051】製造例1 〔バインダポリマー溶液(b−1)の作製〕撹拌機、還
流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラス
コに、表1に示す(1)を仕込み、窒素ガス雰囲気下で
80℃に昇温し、反応温度を80℃±2℃に保ちなが
ら、表1に示す(2)を4時間かけて均一に滴下した。
Production Example 1 [Preparation of Binder Polymer Solution (b-1)] A flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inert gas inlet and a thermometer was charged with (1) shown in Table 1 and charged with nitrogen. The temperature was raised to 80 ° C. in a gas atmosphere, and (2) shown in Table 1 was uniformly added dropwise over 4 hours while maintaining the reaction temperature at 80 ° C. ± 2 ° C.

【0052】(2)の滴下後、80℃±2℃で6時間撹
拌を続け、重量平均分子量が約30,000のバインダ
ポリマーの溶液(固形分40.6重量%)(b−1)を
得た。
After the dropwise addition of (2), stirring was continued at 80 ° C. ± 2 ° C. for 6 hours to obtain a binder polymer solution having a weight average molecular weight of about 30,000 (solid content: 40.6% by weight) (b-1). Obtained.

【0053】[0053]

【表1】 [Table 1]

【0054】製造例2 〔バインダポリマー溶液(b−2)の作製〕撹拌機、還
流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラス
コに、表2に示す(1)を仕込み、窒素ガス雰囲気下で
80℃に昇温し、反応温度を80℃±2℃に保ちなが
ら、表2に示す(2)を4時間かけて均一に滴下した。
(2)の滴下後、80℃±2℃で6時間撹拌を続けた
後、表2に示す(3)を添加した。(3)を添加後、反
応系を100℃に昇温し、0.5時間かけて表2に示す
(4)を滴下した。(4)の滴下後、100℃で20時
間撹拌を続けた後、室温(25℃)に冷却して、重量平
均分子量が約30,000のフィルム性付与ポリマー溶
液(固形分36.0重量%、エチレン性不飽和基濃度
6.3X10-4モル/g)(b−2)を得た。
Production Example 2 [Preparation of Binder Polymer Solution (b-2)] A flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inert gas inlet and a thermometer was charged with (1) shown in Table 2 and charged with nitrogen. The temperature was raised to 80 ° C. in a gas atmosphere, and (2) shown in Table 2 was uniformly added dropwise over 4 hours while maintaining the reaction temperature at 80 ° C. ± 2 ° C.
After the dropwise addition of (2), stirring was continued at 80 ° C. ± 2 ° C. for 6 hours, and then (3) shown in Table 2 was added. After adding (3), the reaction system was heated to 100 ° C., and (4) shown in Table 2 was added dropwise over 0.5 hour. After the dropwise addition of (4), the mixture was continuously stirred at 100 ° C. for 20 hours and then cooled to room temperature (25 ° C.) to give a film-forming polymer solution having a weight average molecular weight of about 30,000 (solid content: 36.0% by weight). And an ethylenically unsaturated group concentration of 6.3 × 10 −4 mol / g) (b-2) was obtained.

【0055】[0055]

【表2】 [Table 2]

【0056】実施例1 〔シリル基含有光重合性不飽和化合物(a−1)の作
製〕撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計
を備えたフラスコに、表3に示す(1)を仕込み、乾燥
窒素ガス雰囲気下で、反応温度を30℃±2℃に保ちな
がら、表3に示す(2)を2時間かけて均一に滴下し
た。
Example 1 [Production of silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-1)] Table 3 shows a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inert gas inlet and a thermometer ( (1) was charged, and (2) shown in Table 3 was uniformly added dropwise over 2 hours under a dry nitrogen gas atmosphere while maintaining the reaction temperature at 30 ° C ± 2 ° C.

【0057】(2)の滴下後、30℃±2℃で2時間撹
拌を続け、さらに表3に示す(3)を滴下して、30℃
±2℃で0.5時間撹拌し、シリル基含有光重合性不飽
和化合物(a−1)を得た。
After the addition of (2), stirring was continued at 30 ° C. ± 2 ° C. for 2 hours, and then (3) shown in Table 3 was added dropwise to 30 ° C.
The mixture was stirred at ± 2 ° C for 0.5 hour to obtain a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-1).

【0058】[0058]

【表3】 [Table 3]

【0059】〔感光性樹脂組成物溶液(V-1)の作製〕
表4に示す材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、感
光性樹脂組成物溶液(V-1)を作製した。
[Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-1)]
The materials shown in Table 4 were mixed with a stirrer for 15 minutes to prepare a photosensitive resin composition solution (V-1).

【表4】 [Table 4]

【0060】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(i)の作製〕凹凸形状面を有する仮支持体としてサン
ドブラスト処理を施したポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを使用し、得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
1)を仮支持体の凹凸形状を有する面上にコンマコータ
ーを用いて均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機
で3分間乾燥して溶剤を除去し、感光性樹脂組成物層を
形成した。得られた感光性樹脂組成物層の厚さは5μm
であった。次いで、得られた感光性樹脂組成物層の上
に、さらに、25μmの厚さのポリエチレンフィルム
を、カバーフィルムとして張り合わせて、拡散反射下地
層形成用感光性エレメント(i)を作製した。
[Preparation of Photosensitive Element (i) for Forming Diffuse Reflecting Underlayer] A sandblasted polyethylene terephthalate film was used as a temporary support having an uneven surface, and the obtained photosensitive resin composition solution ( V-
1) is uniformly applied on the surface of the temporary support having an uneven shape using a comma coater, and dried for 3 minutes with a hot air convection dryer at 100 ° C. to remove the solvent, and a photosensitive resin composition layer is formed. Formed. The thickness of the obtained photosensitive resin composition layer is 5 μm.
Met. Next, a polyethylene film having a thickness of 25 μm was laminated on the obtained photosensitive resin composition layer as a cover film to prepare a photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer.

【0061】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)のポリ
エチレンフィルムをはがしながら、厚さ1mmのガラス
基板上に、感光性樹脂組成物層が接するようにラミネー
タ(日立化成工業株式会社製、商品名HLM−1500
型)を用いて、ロール温度120℃、基板送り速度0.
5m/分、圧着圧力(シリンダ圧力)4X105Pa
(厚さが1mm、縦10cmX横10cmの基板使用、
この時の線圧は9.8X103N/m)の条件でラミネ
ートして、ガラス基板上に、感光性樹脂組成物層及び仮
支持体が積層された基板を作製した。次いで、直径5μ
mの活性光線不透過部分を有するフォトマスクを用い、
縮小投影露光機(キヤノン株式会社製、FPA-300
0i)を使用して、露光量6X10J/mで、活性
光線を像的に照射した。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] The photosensitive resin composition layer was formed on a glass substrate having a thickness of 1 mm while peeling off the polyethylene film of the obtained photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer. Laminator (made by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name HLM-1500
Mold) and a roll temperature of 120 ° C. and a substrate feed rate of 0.
5m / min, crimping pressure (cylinder pressure) 4X10 5 Pa
(Using a substrate with a thickness of 1 mm, a length of 10 cm and a width of 10 cm,
The linear pressure at this time was laminated under the condition of 9.8 × 10 3 N / m) to prepare a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated on the glass substrate. Next, diameter 5μ
m using a photomask having an actinic ray opaque portion,
Reduction projection exposure machine (Canon Co., FPA-300
0i) was used to imagewise expose actinic radiation with an exposure dose of 6 × 10 2 J / m 2 .

【0062】次いで、仮支持体を引き剥がして除去した
後、0.5重量%の界面活性剤を含有した0.5重量%
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、25
℃で50秒間スプレー現像して、感光性樹脂組成物層を
選択的に除去してホールパターンを形成した。得られた
ホールパターンを観察したところ、光硬化した感光性樹
脂組成物層が基板から剥がれることなく、直径5μmの
ホールパターンが良好に形成されていた。
Then, after removing the temporary support by peeling it off, 0.5% by weight containing 0.5% by weight of a surfactant.
25 with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide
A hole pattern was formed by spray-developing at 50 ° C. for 50 seconds to selectively remove the photosensitive resin composition layer. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed.

【0063】現像後、80℃で10分間乾燥し、東芝電
材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、3X10
J/mの紫外線照射を行った。次いで250℃の熱
風対流式乾燥機で30分間加熱し、拡散反射下地層が形
成された基板を得た。得られた拡散反射下地層の表面を
観察したところ、サンドブラスト加工された凹凸を転写
した形状とほぼ同様の凹凸形状が維持されていた。前記
工程で得られた拡散反射下地層形成基板を、温度60
℃、湿度90%に保った恒温槽へ24時間投入した後、
クロスカット試験(JIS-K5400、1mm角碁盤目
法)を行ったところ、拡散反射下地層のはがれが一切な
く、良好な基板密着性であった。
After development, it is dried at 80 ° C. for 10 minutes and 3 × 10 is obtained by using a Toshiba ultraviolet irradiation device manufactured by Toshiba Denshi Co., Ltd.
Ultraviolet irradiation of 4 J / m 2 was performed. Then, it was heated for 30 minutes in a hot air convection dryer at 250 ° C. to obtain a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, it was confirmed that the uneven shape was almost the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness. The substrate for forming a diffuse reflection underlayer obtained in the above step is heated at a temperature of 60.
After putting it in a constant temperature bath kept at ℃ and humidity of 90% for 24 hours,
When a cross-cut test (JIS-K5400, 1 mm square grid method) was carried out, the diffuse reflection underlayer did not peel off at all, and the substrate adhesion was good.

【0064】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>250℃の熱風対流式乾燥機で30分間加熱した前記
の拡散反射下地層形成基板に、Al膜(反射膜として)を
スパッタリング法により0.2μm積層して、反射型液
晶表示装置用拡散反射板を作製した。得られた反射型液
晶表示装置用拡散反射板は、拡散反射特性に優れた凹凸
形状面を維持しており、設計どおりの拡散反射特性が得
られた。また、拡散反射下地層とAl膜との界面を観察し
たところ、拡散反射下地層表面からのAl膜のはく離は全
く発生しておらず、良好な拡散反射板としての形態を保
持していた。
<Production of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display> An Al film (as a reflecting film) was formed on the substrate for forming the diffuse reflection underlayer heated at 250 ° C. for 30 minutes by a hot air convection dryer by a sputtering method. 0.2 μm of the layers were stacked to prepare a diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device. The obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device maintained the uneven surface having excellent diffuse reflection characteristics, and the diffuse reflection characteristics as designed were obtained. Further, when the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film was observed, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurred, and the form as a good diffuse reflection plate was maintained.

【0065】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>前記の拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)
を前記と同様の方法でガラス基板にラミネートし、感光
性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製し
た後、ライン/スペースが5μm/5μmのラインパタ
ーンフォトマスクを用い、縮小投影露光機(キヤノン株
式会社製、FPA-3000i)を使用して、露光量6X
10J/mで、活性光線を像的に照射した。次い
で、仮支持体を引き剥がして除去した後、0.5重量%
の界面活性剤を含有した0.5重量%水酸化テトラメチ
ルアンモニウム水溶液を用いて、25℃で50秒間スプ
レー現像して、感光性樹脂組成物層を選択的に除去して
ラインパターンを形成した。得られたラインパターンを
観察したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板
から剥がれることなく、ライン/スペースが5μm/5
μmのラインパターンが形成されており、良好な基板密
着性であった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> The photosensitive element (i) for forming the diffuse reflection underlayer described above.
Was laminated on a glass substrate in the same manner as described above to prepare a substrate on which a photosensitive resin composition layer and a temporary support were laminated, and then reduced projection using a line pattern photomask with a line / space of 5 μm / 5 μm. Using an exposure machine (Canon, FPA-3000i), the exposure amount is 6X
The actinic radiation was imagewise irradiated at 10 2 J / m 2 . Then, after removing the temporary support by peeling it off, 0.5% by weight
Using a 0.5 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide containing a surfactant, the mixture was spray-developed at 25 ° C. for 50 seconds to selectively remove the photosensitive resin composition layer to form a line pattern. .. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate and the line / space was 5 μm / 5.
A line pattern of μm was formed, and the substrate adhesion was good.

【0066】実施例2 〔シリル基含有光重合性不飽和化合物(a−2)の作
製〕撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計
を備えたフラスコに、表5に示す(1)を仕込み、乾燥
窒素ガス雰囲気下で、反応温度を30℃±2℃に保ちな
がら、表5に示す(2)を2時間かけて均一に滴下し
た。
Example 2 [Preparation of silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-2)] Table 5 shows a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inert gas inlet and a thermometer ( (1) was charged, and (2) shown in Table 5 was uniformly added dropwise over 2 hours under a dry nitrogen gas atmosphere while maintaining the reaction temperature at 30 ° C ± 2 ° C.

【0067】(2)の滴下後、30℃±2℃で2時間撹
拌を続け、さらに表5に示す(3)を滴下して、30℃
±2℃で0.5時間撹拌し、50mol%シリル基含有光
重合性不飽和化合物(a−2)を得た。
After the dropping of (2), stirring was continued at 30 ° C. ± 2 ° C. for 2 hours, and then (3) shown in Table 5 was added dropwise to 30 ° C.
The mixture was stirred at ± 2 ° C for 0.5 hour to obtain a 50 mol% silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-2).

【0068】[0068]

【表5】 [Table 5]

【0069】〔感光性樹脂組成物溶液(V-2)の作製〕
表6に示す材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、感
光性樹脂組成物溶液(V-2)を作製した。
[Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-2)]
The materials shown in Table 6 were mixed for 15 minutes using a stirrer to prepare a photosensitive resin composition solution (V-2).

【表6】 [Table 6]

【0070】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(ii)の作製〕実施例1の拡散反射下地層形成用感光性
エレメントの作製において、感光性樹脂組成物溶液(V
−1)をここで得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
2)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(ii)を得た。
[Preparation of Diffuse Reflecting Underlayer-Forming Photosensitive Element (ii)] In the preparation of the diffuse reflecting underlayer-forming photosensitive element of Example 1, the photosensitive resin composition solution (V
-1) is the photosensitive resin composition solution (V-
A photosensitive element (ii) for forming a diffused reflection underlayer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substituting step 2) was performed.

【0071】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例
1の拡散反射下地層形成基板の製造において、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(ii)に代え
た以外は、実施例1と同様に行い、ガラス基板上に、感
光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製
した後、感光性樹脂組成物層を選択的に除去してホール
パターンを形成した。得られたホールパターンを観察し
たところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から剥
がれることなく、直径5μmのホールパターンが良好に
形成されていた。次いで、実施例1と同様の方法によ
り、拡散反射下地層が形成された基板を得た。得られた
拡散反射下地層の表面を観察したところ、サンドブラス
ト加工された凹凸を転写した形状とほぼ同様の凹凸形状
が維持されていた。また、実施例1と同様の方法で、得
られた拡散反射下地層形成基板のクロスカット試験を行
なったところ、拡散反射下地層のはがれが一切なく、良
好な基板密着性であった。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] In the production of the diffuse reflection underlayer-forming substrate of Example 1, the diffuse reflection underlayer-forming photosensitive element (i) was used as the diffuse reflection underlayer-forming substrate obtained here. The procedure was performed in the same manner as in Example 1 except that the forming photosensitive element (ii) was used, and after a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated was prepared on the glass substrate, the photosensitive resin was formed. The composition layer was selectively removed to form a hole pattern. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed. Then, in the same manner as in Example 1, a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed was obtained. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, it was confirmed that the uneven shape was almost the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness. A cross-cut test was performed on the obtained diffused reflection underlayer-formed substrate in the same manner as in Example 1. As a result, the diffused reflection underlayer did not peel off at all and had good substrate adhesion.

【0072】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板は、拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持してお
り、設計どおりの拡散反射特性が得られた。また、拡散
反射下地層とAl膜との界面を観察したところ、拡散反射
下地層表面からのAl膜のはく離は全く発生しておらず、
良好な拡散反射板としての形態を保持していた。
<Production of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer in the same manner as in Example 1, and diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device was performed. A plate was made. The obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device maintained the uneven surface having excellent diffuse reflection characteristics, and the diffuse reflection characteristics as designed were obtained. Also, when observing the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurs,
It retained its form as a good diffuse reflector.

【0073】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>実施例1の感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価に
おいて、拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)
を、ここで得られた拡散反射下地層形成用感光性エレメ
ント(ii)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、ラ
インパターンを形成した。得られたラインパターンを観
察したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板か
ら剥がれることなく、ライン/スペースが5μm/5μ
mのラインパターンが形成されており、良好な基板密着
性であった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> In the evaluation of adhesion during development of the photosensitive resin composition layer of Example 1, the photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer is used.
Was performed in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive element (ii) for forming a diffuse reflection underlayer obtained in this step was replaced with a line pattern was formed. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate and the line / space was 5 μm / 5 μ.
A line pattern of m was formed, and the substrate adhesion was good.

【0074】実施例3 〔シリル基含有光重合性不飽和化合物(a−3)の作
製〕撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計
を備えたフラスコに、表7に示す(1)を仕込み、乾燥
窒素ガス雰囲気下で、反応温度を30℃±2℃に保ちな
がら、表7に示す(2)を2時間かけて均一に滴下し
た。
Example 3 [Production of silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-3)] Table 7 shows a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inert gas inlet and a thermometer ( (1) was charged, and (2) shown in Table 7 was uniformly added dropwise over 2 hours under a dry nitrogen gas atmosphere while maintaining the reaction temperature at 30 ° C ± 2 ° C.

【0075】(2)の滴下後、30℃±2℃で2時間撹
拌を続け、さらに表7に示す(3)を滴下して、30℃
±2℃で0.5時間撹拌し、シリル基含有光重合性不飽
和化合物(a−3)を得た。
After the dropping of (2), stirring was continued at 30 ° C. ± 2 ° C. for 2 hours, and then (3) shown in Table 7 was added dropwise to obtain 30 ° C.
The mixture was stirred at ± 2 ° C for 0.5 hour to obtain a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-3).

【0076】[0076]

【表7】 [Table 7]

【0077】〔感光性樹脂組成物溶液(V-3)の作製〕
表8に示す材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、感
光性樹脂組成物溶液(V-3)を作製した。
[Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-3)]
The materials shown in Table 8 were mixed with a stirrer for 15 minutes to prepare a photosensitive resin composition solution (V-3).

【表8】 [Table 8]

【0078】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(iii)の作製〕実施例1の拡散反射下地層形成用感光
性エレメントの作製において、感光性樹脂組成物溶液
(V−1)をここで得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
3)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(iii)を得た。
[Preparation of Diffuse Reflecting Underlayer Forming Photosensitive Element (iii)] In the preparation of the diffuse reflecting underlayer forming photosensitive element of Example 1, the photosensitive resin composition solution (V-1) was used here. The resulting photosensitive resin composition solution (V-
The procedure of Example 1 was repeated except that 3) was changed to obtain a photosensitive element (iii) for forming a diffuse reflection underlayer.

【0079】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例
1の拡散反射下地層形成基板の製造において、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(iii)に代
えた以外は、実施例1と同様に行い、ガラス基板上に、
感光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作
製した後、感光性樹脂組成物層を選択的に除去してホー
ルパターンを形成した。得られたホールパターンを観察
したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から
剥がれることなく、直径5μmのホールパターンが良好
に形成されていた。次いで、実施例1と同様の方法によ
り、拡散反射下地層が形成された基板を得た。得られた
拡散反射下地層の表面を観察したところ、サンドブラス
ト加工された凹凸を転写した形状とほぼ同様の凹凸形状
が維持されていた。また、実施例1と同様の方法で、得
られた拡散反射下地層形成基板のクロスカット試験を行
なったところ、拡散反射下地層のはがれが一切なく、良
好な基板密着性であった。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] In the production of the diffuse reflection underlayer-forming substrate of Example 1, the diffuse reflection underlayer-forming photosensitive element (i) was used as the diffuse reflection underlayer-forming substrate obtained here. Example 1 was repeated except that the forming photosensitive element (iii) was used instead of the forming photosensitive element (iii).
After preparing a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated, the photosensitive resin composition layer was selectively removed to form a hole pattern. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed. Then, in the same manner as in Example 1, a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed was obtained. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, it was confirmed that the uneven shape was almost the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness. A cross-cut test was performed on the obtained diffused reflection underlayer-formed substrate in the same manner as in Example 1. As a result, the diffused reflection underlayer did not peel off at all and had good substrate adhesion.

【0080】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板は、拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持してお
り、設計どおりの拡散反射特性が得られた。また、拡散
反射下地層とAl膜との界面を観察したところ、拡散反射
下地層表面からのAl膜のはく離は全く発生しておらず、
良好な拡散反射板としての形態を保持していた。
<Manufacture of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer, in the same manner as in Example 1, and diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device was performed. A plate was made. The obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device maintained the uneven surface having excellent diffuse reflection characteristics, and the diffuse reflection characteristics as designed were obtained. Also, when observing the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurs,
It retained its form as a good diffuse reflector.

【0081】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>実施例1の感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価に
おいて、拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)
を、ここで得られた拡散反射下地層形成用感光性エレメ
ント(iii)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、
ラインパターンを形成した。得られたラインパターンを
観察したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板
から剥がれることなく、ライン/スペースが5μm/5
μmのラインパターンが形成されており、良好な基板密
着性であった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> In the evaluation of adhesion during development of the photosensitive resin composition layer of Example 1, the photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer was used.
Was carried out in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive element (iii) for forming a diffuse reflection underlayer obtained here was replaced by
A line pattern was formed. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate and the line / space was 5 μm / 5.
A line pattern of μm was formed, and the substrate adhesion was good.

【0082】実施例4 〔シリル基含有光重合性不飽和化合物(a−4)の作
製〕撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計
を備えたフラスコに、表9に示す(1)を仕込み、乾燥
窒素ガス雰囲気下で、反応温度を30℃±2℃に保ちな
がら、表9に示す(2)を2時間かけて均一に滴下し
た。
Example 4 [Production of silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-4)] Table 9 shows a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, an inert gas inlet and a thermometer ( (1) was charged, and (2) shown in Table 9 was uniformly added dropwise over 2 hours while maintaining the reaction temperature at 30 ° C. ± 2 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere.

【0083】(2)の滴下後、30℃±2℃で2時間撹
拌を続け、さらに表9に示す(3)を滴下して、30℃
±2℃で0.5時間撹拌し、シリル基含有光重合性不飽
和化合物(a−4)を得た。
After the dropping of (2), stirring was continued at 30 ° C. ± 2 ° C. for 2 hours, and then (3) shown in Table 9 was added dropwise to 30 ° C.
The mixture was stirred at ± 2 ° C for 0.5 hour to obtain a silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound (a-4).

【0084】[0084]

【表9】 [Table 9]

【0085】〔感光性樹脂組成物溶液(V-4)の作製〕
表10に示す材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、
感光性樹脂組成物溶液(V-4)を作製した。
[Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-4)]
The materials shown in Table 10 were mixed with a stirrer for 15 minutes,
A photosensitive resin composition solution (V-4) was prepared.

【表10】 [Table 10]

【0086】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(iv)の作製〕実施例1の拡散反射下地層形成用感光性
エレメントの作製において、感光性樹脂組成物溶液(V
−1)をここで得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
4)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(iv)を得た。
[Preparation of Photosensitive Element (iv) for Forming Diffuse Reflecting Underlayer] In preparation of the photosensitive element for forming diffuse reflecting underlayer in Example 1, the photosensitive resin composition solution (V
-1) is the photosensitive resin composition solution (V-
The same procedure as in Example 1 was carried out except that 4) was changed to obtain a photosensitive element (iv) for forming a diffuse reflection underlayer.

【0087】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例
1の拡散反射下地層形成基板の製造において、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(iv)に代え
た以外は、実施例1と同様に行い、ガラス基板上に、感
光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製
した後、感光性樹脂組成物層を選択的に除去してホール
パターンを形成した。得られたホールパターンを観察し
たところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から剥
がれることなく、直径5μmのホールパターンが良好に
形成されていた。次いで、実施例1と同様の方法によ
り、拡散反射下地層が形成された基板を得た。得られた
拡散反射下地層の表面を観察したところ、サンドブラス
ト加工された凹凸を転写した形状とほぼ同様の凹凸形状
が維持されていた。また、実施例1と同様の方法で、得
られた拡散反射下地層形成基板のクロスカット試験を行
なったところ、拡散反射下地層のはがれが一切なく、良
好な基板密着性であった。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] In the production of the diffuse reflection underlayer-forming substrate of Example 1, the diffuse reflection underlayer-forming photosensitive element (i) was used as the diffuse reflection underlayer-forming substrate obtained here. The procedure is performed in the same manner as in Example 1 except that the forming photosensitive element (iv) is used, and after a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support are laminated is produced on the glass substrate, the photosensitive resin is formed. The composition layer was selectively removed to form a hole pattern. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed. Then, in the same manner as in Example 1, a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed was obtained. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, it was confirmed that the uneven shape was almost the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness. A cross-cut test was performed on the obtained diffused reflection underlayer-formed substrate in the same manner as in Example 1. As a result, the diffused reflection underlayer did not peel off at all and had good substrate adhesion.

【0088】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板は、拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持してお
り、設計どおりの拡散反射特性が得られた。また、拡散
反射下地層とAl膜との界面を観察したところ、拡散反射
下地層表面からのAl膜のはく離は全く発生しておらず、
良好な拡散反射板としての形態を保持していた。
<Manufacture of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer in the same manner as in Example 1, and diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device was performed. A plate was made. The obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device maintained the uneven surface having excellent diffuse reflection characteristics, and the diffuse reflection characteristics as designed were obtained. Also, when observing the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurs,
It retained its form as a good diffuse reflector.

【0089】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>実施例1の感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価に
おいて、拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)
を、ここで得られた拡散反射下地層形成用感光性エレメ
ント(iv)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、ラ
インパターンを形成した。得られたラインパターンを観
察したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板か
ら剥がれることなく、ライン/スペースが5μm/5μ
mのラインパターンが形成されており、良好な基板密着
性であった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> In the evaluation of adhesion during development of the photosensitive resin composition layer of Example 1, the photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer was used.
Was performed in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive element (iv) for forming a diffuse reflection underlayer obtained here was replaced with a line pattern was formed. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate and the line / space was 5 μm / 5 μ.
A line pattern of m was formed, and the substrate adhesion was good.

【0090】実施例5 〔感光性樹脂組成物溶液(V-5)の作製〕表11に示す
材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、感光性樹脂組
成物溶液(V-5)を作製した。
Example 5 [Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-5)] The materials shown in Table 11 were mixed with a stirrer for 15 minutes to prepare a photosensitive resin composition solution (V-5). did.

【表11】 [Table 11]

【0091】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(v)の作製〕実施例1の拡散反射下地層形成用感光性
エレメントの作製において、感光性樹脂組成物溶液(V
−1)をここで得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
5)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(v)を得た。
[Preparation of Photosensitive Element (v) for Forming Diffuse Reflecting Underlayer] In the preparation of the photosensitive element for forming diffuse reflecting underlayer in Example 1, the photosensitive resin composition solution (V
-1) is the photosensitive resin composition solution (V-
A photosensitive element (v) for forming a diffused reflection underlayer was obtained in the same manner as in Example 1 except that 5) was replaced.

【0092】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例
1の拡散反射下地層形成基板の製造において、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(v)に代え
た以外は、実施例1と同様に行い、ガラス基板上に、感
光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製
した後、感光性樹脂組成物層を選択的に除去してホール
パターンを形成した。得られたホールパターンを観察し
たところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から剥
がれることなく、直径5μmのホールパターンが良好に
形成されていた。次いで、実施例1と同様の方法によ
り、拡散反射下地層が形成された基板を得た。得られた
拡散反射下地層の表面を観察したところ、サンドブラス
ト加工された凹凸を転写した形状とほぼ同様の凹凸形状
が維持されていた。また、実施例1と同様の方法で、得
られた拡散反射下地層形成基板のクロスカット試験を行
なったところ、拡散反射下地層のはがれが一切なく、良
好な基板密着性であった。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] In the production of the diffuse reflection underlayer-forming substrate of Example 1, the diffuse reflection underlayer-forming photosensitive element (i) was used as the diffuse reflection underlayer-forming substrate obtained here. After performing the same procedure as in Example 1 except that the forming photosensitive element (v) was used, a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated on the glass substrate was prepared, and then the photosensitive resin was formed. The composition layer was selectively removed to form a hole pattern. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed. Then, in the same manner as in Example 1, a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed was obtained. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, it was confirmed that the uneven shape was almost the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness. A cross-cut test was performed on the obtained diffused reflection underlayer-formed substrate in the same manner as in Example 1. As a result, the diffused reflection underlayer did not peel off at all and had good substrate adhesion.

【0093】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板は、拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持してお
り、設計どおりの拡散反射特性が得られた。また、拡散
反射下地層とAl膜との界面を観察したところ、拡散反射
下地層表面からのAl膜のはく離は全く発生しておらず、
良好な拡散反射板としての形態を保持していた。
<Manufacture of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer, and the diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device was performed in the same manner as in Example 1. A plate was made. The obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device maintained the uneven surface having excellent diffuse reflection characteristics, and the diffuse reflection characteristics as designed were obtained. Also, when observing the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurs,
It retained its form as a good diffuse reflector.

【0094】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>実施例1の感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価に
おいて、拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)
を、ここで得られた拡散反射下地層形成用感光性エレメ
ント(v)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、ラ
インパターンを形成した。得られたラインパターンを観
察したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板か
ら剥がれることなく、ライン/スペースが5μm/5μ
mのラインパターンが形成されており、良好な基板密着
性であった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> In the evaluation of the adhesion during development of the photosensitive resin composition layer of Example 1, the photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer was used.
A line pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive element (v) for forming a diffuse reflection underlayer obtained in this step was replaced with. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate and the line / space was 5 μm / 5 μ.
A line pattern of m was formed, and the substrate adhesion was good.

【0095】実施例6 〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例1における感
光性樹脂組成物溶液(V−1)を厚さ1mmのガラス基
板上に、コンマコーターを用いて均一に塗布し、100
℃の熱風対流式乾燥機で3分間乾燥して溶剤を除去し、
感光性樹脂組成物層を形成した。得られた感光性樹脂組
成物層の厚さは5μmであった。次いで、凹凸形状面を
有する仮支持体としてサンドブラスト処理を施したポリ
エチレンテレフタレートフィルムを使用し、基板上に形
成された感光性樹脂組成物層に仮支持体の凹凸形状の面
が接するようにラミネータ(日立化成工業株式会社製、
商品名HLM−1500型)を用いて、ロール温度12
0℃、基板送り速度0.5m/分、圧着圧力(シリンダ
圧力)4X105Pa(厚さが1mm、縦10cmX横
10cmの基板を使用、この時の線圧は9.8X103
N/m)の条件でラミネートして、ガラス基板上に、感
光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製
した。次いで、直径5μmの活性光線不透過部分を有す
るフォトマスクを用い、縮小投影露光機(キヤノン株式
会社製、FPA-3000i)を使用して、露光量6X1
J/mで、活性光線を像的に照射した。
Example 6 [Production of Diffuse Reflecting Underlayer-Forming Substrate] The photosensitive resin composition solution (V-1) of Example 1 was uniformly applied onto a glass substrate having a thickness of 1 mm by using a comma coater. , 100
Dry with a hot air convection dryer at ℃ for 3 minutes to remove the solvent,
A photosensitive resin composition layer was formed. The thickness of the obtained photosensitive resin composition layer was 5 μm. Then, using a polyethylene terephthalate film subjected to sandblasting as a temporary support having an uneven surface, a laminator (so that the uneven surface of the temporary support is in contact with the photosensitive resin composition layer formed on the substrate ( Manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
Roll name 12 using the product name HLM-1500)
0 ° C., substrate feed rate 0.5 m / min, pressure bonding (cylinder pressure) 4 × 10 5 Pa (thickness 1 mm, length 10 cm × width 10 cm is used, and the linear pressure at this time is 9.8 × 10 3
N / m) was laminated to prepare a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated on the glass substrate. Then, using a photomask having an actinic ray opaque portion having a diameter of 5 μm, a reduction projection exposure machine (Canon Co., Ltd., FPA-3000i) was used and the exposure amount was 6 × 1.
The image was irradiated with actinic radiation at 0 2 J / m 2 .

【0096】次いで、仮支持体を引き剥がして除去した
後、0.5重量%の界面活性剤を含有した0.5重量%
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、25
℃で50秒間スプレー現像して、感光性樹脂組成物層を
選択的に除去してホールパターンを形成した。得られた
ホールパターンを観察したところ、光硬化した感光性樹
脂組成物層が基板から剥がれることなく、直径5μmの
ホールパターンが良好に形成されていた。
Then, after removing the temporary support by peeling it off, 0.5% by weight containing 0.5% by weight of a surfactant.
25 with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide
A hole pattern was formed by spray-developing at 50 ° C. for 50 seconds to selectively remove the photosensitive resin composition layer. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed.

【0097】現像後、80℃で10分間乾燥し、東芝電
材株式会社製東芝紫外線照射装置を使用して、3X10
J/mの紫外線照射を行った。次いで250℃の熱
風対流式乾燥機で30分間加熱し、拡散反射下地層が形
成された基板を得た。得られた拡散反射下地層の表面を
観察したところ、サンドブラスト加工された凹凸を転写
した形状とほぼ同様の凹凸形状が維持されていた。前記
工程で得られた拡散反射下地層形成基板を、実施例1と
同様の方法で、クロスカット試験を行なったところ、拡
散反射下地層のはがれが一切なく、良好な基板密着性で
あった。
After development, it is dried at 80 ° C. for 10 minutes and 3 × 10 3
Ultraviolet irradiation of 4 J / m 2 was performed. Then, it was heated for 30 minutes in a hot air convection dryer at 250 ° C. to obtain a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, it was confirmed that the uneven shape was almost the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness. A cross-cut test was performed on the diffused reflection underlayer-formed substrate obtained in the above step in the same manner as in Example 1. As a result, the diffused reflection underlayer did not peel off at all and had good substrate adhesion.

【0098】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板は、拡散反射特性に優れた凹凸形状面を維持してお
り、設計どおりの拡散反射特性が得られた。また、拡散
反射下地層とAl膜との界面を観察したところ、拡散反射
下地層表面からのAl膜のはく離は全く発生しておらず、
良好な拡散反射板としての形態を保持していた。
<Manufacture of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer in the same manner as in Example 1, and diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device was performed. A plate was made. The obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device maintained the uneven surface having excellent diffuse reflection characteristics, and the diffuse reflection characteristics as designed were obtained. Also, when observing the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurs,
It retained its form as a good diffuse reflector.

【0099】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>前記と同様の方法で感光性樹脂組成物溶液(V−1)
をガラス基板上に、厚さ5μmの感光性樹脂組成物層を
形成した後、感光性樹脂組成物層上に凹凸形状面を有す
る仮支持体をラミネートして、ガラス基板上に、感光性
樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製し
た。次いで、実施例1における感光性樹脂組成物層の現
像時密着性評価と同様の方法により、ライン/スペース
が5μm/5μmのラインパターンを形成した。得られ
たラインパターンを観察したところ、光硬化した感光性
樹脂組成物層が基板から剥がれることなく、ライン/ス
ペースが5μm/5μmのラインパターンが形成されて
おり、良好な基板密着性であった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> Photosensitive resin composition solution (V-1) was prepared in the same manner as described above.
After forming a photosensitive resin composition layer having a thickness of 5 μm on a glass substrate, a temporary support having an uneven surface is laminated on the photosensitive resin composition layer to form a photosensitive resin on the glass substrate. A substrate in which the composition layer and the temporary support were laminated was produced. Then, a line pattern having a line / space of 5 μm / 5 μm was formed by the same method as in the evaluation of the adhesiveness during development of the photosensitive resin composition layer in Example 1. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate, and a line pattern with a line / space of 5 μm / 5 μm was formed, indicating good substrate adhesion. .

【0100】比較例1 〔感光性樹脂組成物溶液(V-6)の作製〕表12に示す
材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、感光性樹脂組
成物溶液(V-6)を作製した。
Comparative Example 1 [Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-6)] The materials shown in Table 12 were mixed with a stirrer for 15 minutes to prepare a photosensitive resin composition solution (V-6). did.

【表12】 [Table 12]

【0101】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(vi)の製造〕実施例1の拡散反射下地層形成用感光性
エレメントの作製において、感光性樹脂組成物溶液(V
−1)をここで得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
6)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(vi)を得た。
[Production of Diffuse Reflecting Underlayer Forming Photosensitive Element (vi)] In the production of the diffuse reflecting underlayer forming photosensitive element of Example 1, the photosensitive resin composition solution (V
-1) is the photosensitive resin composition solution (V-
A photosensitive element (vi) for forming a diffused reflection underlayer was obtained in the same manner as in Example 1 except that 6) was used.

【0102】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例
1の拡散反射下地層形成基板の製造において、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(vi)に代え
た以外は、実施例1と同様に行い、ガラス基板上に、感
光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作製
した後、感光性樹脂組成物層を選択的に除去してホール
パターンを形成した。得られたホールパターンを観察し
たところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から剥
がれることなく、直径5μmのホールパターンが良好に
形成されていた。次いで、実施例1と同様の方法によ
り、拡散反射下地層が形成された基板を得た。得られた
拡散反射下地層の表面を観察したところ、サンドブラス
ト加工された凹凸が転写された形状は、若干変形して平
坦化していた。また、実施例1と同様の方法で、得られ
た拡散反射下地層形成基板のクロスカット試験を行なっ
たが、拡散反射下地層のはがれが一部発生し、基板密着
性が若干劣るものであった。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] In the production of the diffuse reflection underlayer-forming substrate of Example 1, the diffuse reflection underlayer-forming photosensitive element (i) was used as the diffuse reflection underlayer-forming substrate obtained here. The procedure was performed in the same manner as in Example 1 except that the forming photosensitive element (vi) was used, and a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated on the glass substrate was prepared, and then the photosensitive resin was prepared. The composition layer was selectively removed to form a hole pattern. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed. Then, in the same manner as in Example 1, a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed was obtained. When the surface of the obtained diffused reflection underlayer was observed, the shape to which the sandblasted irregularities were transferred was slightly deformed and flattened. Further, a cross-cut test was performed on the obtained diffuse reflection underlayer-forming substrate in the same manner as in Example 1. However, peeling of the diffuse reflection underlayer was partially generated, and the substrate adhesion was slightly poor. It was

【0103】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板の拡散反射下地層とAl膜との界面を観察したとこ
ろ、拡散反射下地層表面からのAl膜のはく離は発生して
いなかったが、拡散反射板表面が若干平坦化しており、
拡散反射特性が低下していた。
<Manufacture of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer in the same manner as in Example 1, and the diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device was performed. A plate was made. When the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film of the obtained diffuse reflection plate for the reflective liquid crystal display device was observed, no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer occurred, but the diffuse reflection plate The surface is slightly flattened,
The diffuse reflection property was deteriorated.

【0104】<感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価
>実施例1の感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価に
おいて、拡散反射下地層形成用感光性エレメント(i)
を、ここで得られた拡散反射下地層形成用感光性エレメ
ント(vi)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、ラ
インパターンを形成した。得られたラインパターンを観
察したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板か
ら剥がれることなく、ライン/スペースが5μm/5μ
mのラインパターンは、ガラス基板から剥離しており、
基板密着性は劣るものであった。
<Evaluation of Adhesion during Development of Photosensitive Resin Composition Layer> In the evaluation of adhesion during development of the photosensitive resin composition layer of Example 1, the photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer was used.
Was performed in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive element (vi) for forming a diffuse reflection underlayer obtained in this step was replaced with a line pattern. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate and the line / space was 5 μm / 5 μ.
The line pattern of m is peeled from the glass substrate,
The substrate adhesion was poor.

【0105】比較例2 〔感光性樹脂組成物溶液(V-7)の作製〕表13に示す
材料を、攪拌機を用いて15分間混合し、感光性樹脂組
成物溶液(V-7)を作製した。
Comparative Example 2 [Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution (V-7)] The materials shown in Table 13 were mixed with a stirrer for 15 minutes to prepare a photosensitive resin composition solution (V-7). did.

【表13】 [Table 13]

【0106】〔拡散反射下地層形成用感光性エレメント
(vii)の製造〕実施例1の拡散反射下地層形成用感光
性エレメントの作製において、感光性樹脂組成物溶液
(V−1)をここで得られた感光性樹脂組成物溶液(V−
7)に代えた以外は、実施例1と同様に行い、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(vii)を得た。
[Production of Diffuse Reflecting Underlayer Forming Photosensitive Element (vii)] In the production of the diffuse reflecting underlayer forming photosensitive element of Example 1, the photosensitive resin composition solution (V-1) was used here. The resulting photosensitive resin composition solution (V-
A photosensitive element (vii) for forming a diffuse reflection underlayer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the step (7) was replaced.

【0107】〔拡散反射下地層形成基板の製造〕実施例
1の拡散反射下地層形成基板の製造において、拡散反射
下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得られ
た拡散反射下地層形成用感光性エレメント(vii)に代
えた以外は、実施例1と同様に行い、ガラス基板上に、
感光性樹脂組成物層及び仮支持体が積層された基板を作
製した後、感光性樹脂組成物層を選択的に除去してホー
ルパターンを形成した。得られたホールパターンを観察
したところ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から
剥がれることなく、直径5μmのホールパターンが良好
に形成されていた。次いで、実施例1と同様の方法によ
り、拡散反射下地層が形成された基板を得た。得られた
拡散反射下地層の表面を観察したところ、サンドブラス
ト加工された凹凸が転写された形状とほぼ同様の凹凸形
状が維持されていた。また、実施例1と同様の方法で、
得られた拡散反射下地層形成基板のクロスカット試験を
行なったが、拡散反射下地層のはがれが一部発生し、基
板密着性が若干劣るものであった。
[Production of Diffuse Reflection Underlayer-Forming Substrate] In the production of the diffuse reflection underlayer-forming substrate of Example 1, the diffuse reflection underlayer-forming photosensitive element (i) was used as the diffuse reflection underlayer-forming substrate obtained here. Example 1 was repeated except that the forming photosensitive element (vii) was used instead of the forming photosensitive element (vii).
After preparing a substrate in which the photosensitive resin composition layer and the temporary support were laminated, the photosensitive resin composition layer was selectively removed to form a hole pattern. Observation of the obtained hole pattern showed that the photocured photosensitive resin composition layer was not peeled from the substrate, and a hole pattern having a diameter of 5 μm was well formed. Then, in the same manner as in Example 1, a substrate on which a diffuse reflection underlayer was formed was obtained. When the surface of the obtained diffuse reflection underlayer was observed, it was found that the uneven shape substantially the same as the transferred shape of the sandblasted unevenness was maintained. Further, in the same manner as in Example 1,
A cross-cut test was performed on the obtained diffused reflection underlayer-formed substrate, but peeling of the diffused reflection underlayer partially occurred, and the substrate adhesion was slightly inferior.

【0108】<反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造
>得られた拡散反射下地層形成基板に、実施例1と同様
にして、Al膜を積層して、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を作製した。得られた反射型液晶表示装置用拡散反
射板の拡散反射下地層とAl膜との界面を観察したとこ
ろ、拡散反射下地層表面からのAl膜のはく離は発生して
おらず、良好な拡散反射板としての形態を保持してい
た。 <感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価>実施例1の
感光性樹脂組成物層の現像時密着性評価において、拡散
反射下地層形成用感光性エレメント(i)を、ここで得
られた拡散反射下地層形成用感光性エレメント(vii)
に代えた以外は、実施例1と同様に行い、ラインパター
ンを形成した。得られたラインパターンを観察したとこ
ろ、光硬化した感光性樹脂組成物層が基板から剥がれる
ことなく、ライン/スペースが5μm/5μmのライン
パターンは、ガラス基板から剥離しており、基板密着性
は劣るものであった。
<Manufacture of Diffuse Reflecting Plate for Reflective Liquid Crystal Display Device> An Al film was laminated on the obtained substrate for forming a diffuse reflective underlayer in the same manner as in Example 1 to perform diffuse reflection for a reflective liquid crystal display device. A plate was made. Observation of the interface between the diffuse reflection underlayer and the Al film of the obtained diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device revealed that no peeling of the Al film from the surface of the diffuse reflection underlayer was observed, indicating good diffuse reflection. It retained its form as a plate. <Evaluation of Adhesion at Development of Photosensitive Resin Composition Layer> In the evaluation of adhesion at development of the photosensitive resin composition layer of Example 1, the photosensitive element (i) for forming a diffuse reflection underlayer was obtained here. Photosensitive element for forming diffuse reflection underlayer (vii)
A line pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that the above procedure was used. Observation of the obtained line pattern revealed that the photocured photosensitive resin composition layer did not peel off from the substrate, and the line pattern with a line / space of 5 μm / 5 μm was peeled off from the glass substrate. It was inferior.

【0109】[0109]

【発明の効果】請求項1〜3及び7記載のシリル基含有
光重合性不飽和化合物及び請求項4記載の感光性樹脂組
成物は、拡散反射下地層において、光を拡散反射し得る
凹凸面の高温下での形状維持性が優れ、かつ高温高湿下
及びフォトリソグラフィーにおける拡散反射下地層の基
板密着性に優れることで、反射型液晶表示装置用拡散反
射板を歩留まり良く製造できるものである。請求項5記
載の拡散反射下地層形成用感光性エレメントは、前記の
効果に加えて、さらに優れた作業性で拡散反射板及び反
射型液晶表示装置を製造できるものである。請求項6記
載の反射型液晶表示装置用拡散反射板の製造方法は、前
記の効果に加えて、拡散反射板及び反射型液晶表示装置
の製造において、さらに低コスト化に寄与し得るもので
ある。
The silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound according to claims 1 to 3 and the photosensitive resin composition according to claim 4 are an uneven surface capable of diffusely reflecting light in a diffuse reflection underlayer. The excellent shape retention property under high temperature and the excellent substrate adhesion of the diffuse reflection underlayer under high temperature and high humidity and photolithography makes it possible to manufacture the diffuse reflection plate for the reflective liquid crystal display device with high yield. . The photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer according to claim 5 can manufacture a diffuse reflection plate and a reflection type liquid crystal display device with excellent workability in addition to the above effects. In addition to the above effects, the method of manufacturing a diffuse reflection plate for a reflection type liquid crystal display device according to claim 6 can contribute to further cost reduction in the manufacture of the diffusion reflection plate and the reflection type liquid crystal display device. .

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 5/02 G02B 5/02 C 4J011 5/08 5/08 A 4J026 C 4J100 G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 520 G03F 7/027 502 G03F 7/027 502 513 513 7/075 501 7/075 501 7/09 7/09 Fターム(参考) 2H025 AB11 AB14 AC01 AD01 BC13 BC42 BC50 BC66 BC83 DA20 2H042 BA04 BA15 BA20 DA02 DA11 DB00 DC02 DC08 DE00 2H091 FA14Z FB02 LA30 4H006 AA01 AB46 AB92 4H049 VN01 VQ44 VR21 VR43 VU20 VU29 4J011 AA05 AC04 BA04 CC04 CC10 PA65 PA66 PA68 PA69 PA74 PA76 PB38 PB39 QA14 QA25 QA43 SA05 SA22 SA25 SA26 SA32 SA34 SA54 SA62 SA63 SA78 UA01 VA01 WA01 4J026 AA17 AA25 AA38 AA43 AA44 AA45 AA49 AA50 AA61 AA68 AC23 AC24 BA28 BA39 BA43 BB01 BB02 DB06 DB36 FA05 GA06 4J100 AL66P BA38P BA77P CA01 CA03 JA38 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G02B 5/02 G02B 5/02 C 4J011 5/08 5/08 A 4J026 C 4J100 G02F 1/1335 520 G02F 1 / 1335 520 G03F 7/027 502 G03F 7/027 502 513 513 7/075 501 7/075 501 501 7/09 7/09 F term (reference) 2H025 AB11 AB14 AC01 AD01 BC13 BC42 BC50 BC66 BC83 DA20 2H042 BA04 BA15 BA20 DA02 DA11 DB00 DC02 DC08 DE00 2H091 FA14Z FB02 LA30 4H006 AA01 AB46 AB92 4H049 VN01 VQ44 VR21 VR43 VU20 VU29 4J011 AA05 AC04 BA04 CC04 CC10 PA65 PA66 PA68 PA69 PA74 PA76 PB38 PB39 QA14 QA25 QA43 SA05 SA22 SA25 SA26 SA32 SA34 SA54 SA62 SA63 SA78 UA01 VA01 WA01 4J026 AA17 AA25 AA38 AA43 AA44 AA45 AA49 AA50 AA61 AA68 AC23 AC24 BA28 BA39 BA43 BB01 BB02 DB06 DB 36 FA05 GA06 4J100 AL66P BA38P BA77P CA01 CA03 JA38

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1分子中に少なくとも2個のエチレン性
不飽和基を有し、さらに加水分解性基含有シリル基を少
なくとも1個有する(a)シリル基含有光重合性不飽和
化合物。
1. A (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound having at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule and further having at least one hydrolyzable group-containing silyl group.
【請求項2】 1分子中に少なくとも2個のエチレン性
不飽和基を有し、さらに加水分解性基含有シリル基を少
なくとも1個有する化合物であって、さらにウレタン結
合を有する請求項1に記載の(a)シリル基含有光重合
性不飽和化合物。
2. A compound having at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule and at least one hydrolyzable group-containing silyl group, which further has a urethane bond. (A) A photopolymerizable unsaturated compound containing a silyl group.
【請求項3】 (A)1分子中に少なくとも1個の水酸
基及び少なくとも2個のエチレン性不飽和基を有する光
重合性不飽和化合物の水酸基に対して、(B)1分子中
に1個のイソシアネート基を有し、さらに加水分解性基
含有シリル基を少なくとも1個有する有機ケイ素化合物
のイソシアネート基を反応させて得られる請求項1に記
載の(a)シリル基含有光重合性不飽和化合物。
3. To (A) a hydroxyl group of a photopolymerizable unsaturated compound having at least one hydroxyl group and at least two ethylenically unsaturated groups in one molecule, (B) one in one molecule The (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound according to claim 1, which is obtained by reacting the isocyanate group of an organosilicon compound having at least one hydrolyzable group-containing silyl group .
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
載の(a)シリル基含有光重合性不飽和化合物、(b)バイン
ダポリマー、(c)少なくとも1個のエチレン性不飽和基
を有する光重合性不飽和化合物、(d)光重合開始剤を含
有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
4. The (a) silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound according to any one of claims 1 to 3, (b) a binder polymer, and (c) at least one ethylenically unsaturated group. A photosensitive resin composition comprising: a photopolymerizable unsaturated compound having (d) a photopolymerization initiator.
【請求項5】 凹凸形状面を有する仮支持体の凹凸形状
面上に、請求項4に記載の感光性樹脂組成物の層を有す
る拡散反射下地層形成用感光性エレメント。
5. A photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer having a layer of the photosensitive resin composition according to claim 4 on the uneven surface of a temporary support having an uneven surface.
【請求項6】 (I)基板上に、請求項5に記載の拡散
反射下地層形成用感光性エレメントを積層する工程、
(II)感光性樹脂組成物層に活性光線を像的に照射する
工程、(III)凹凸形状面を有する仮支持体をはく離し
て除去する工程、(IV)現像により感光性樹脂組成物層
を選択的に除去してパターンを形成する工程、(V)パ
ターンを形成した感光性樹脂組成物層に活性光線を照射
する工程、(VI)パターンを形成した感光性樹脂組成物
層を加熱する工程により、所望の凹凸形状面を有する拡
散反射下地層を形成し、さらに拡散反射下地層上に反射
膜を形成することを特徴とする反射型液晶表示装置用拡
散反射板の製造方法。
6. (I) a step of laminating the photosensitive element for forming a diffuse reflection underlayer according to claim 5 on a substrate,
(II) a step of imagewise irradiating the photosensitive resin composition layer with an actinic ray, (III) a step of peeling and removing a temporary support having an uneven surface, (IV) a photosensitive resin composition layer by development To selectively remove the light to form a pattern, (V) to irradiate the patterned photosensitive resin composition layer with actinic rays, and (VI) to heat the patterned photosensitive resin composition layer. A method of manufacturing a diffuse reflection plate for a reflective liquid crystal display device, comprising forming a diffuse reflection underlayer having a desired uneven surface by a step, and further forming a reflection film on the diffuse reflection underlayer.
【請求項7】 (A)成分が、下記一般式〔1〕で表され
る光重合性不飽和化合物、(B)成分が、下記一般式
〔2〕で表される有機ケイ素化合物である請求項3に記
載の(a)シリル基含有光重合性不飽和化合物。 【化1】 (一般式〔1〕中、R1、R2及びR3は各々独立に水素
原子又はメチル基を示し、R4、R5及びR6は各々独立
に炭素数1〜8のアルキレン基、炭素数2〜8のアルキ
レンオキシド基を示し、R4、R5及びR6が各々複数個
の場合には、R4、R5及びR6は各々同一でも異なって
いてもよく、k、l及びmは各々独立に0〜10の整数
である) 【化2】 (一般式〔2〕中、R7は炭素数1〜8のアルキレン
基、炭素数1〜8のアルキレンオキシド基を示し、R7
が複数個の場合には、R7は同一でも異なっていてもよ
く、R8、R9及びR10は各々独立に炭素数1〜8のアル
キル基を示し、nは1〜10の整数である)
7. The component (A) is a photopolymerizable unsaturated compound represented by the following general formula [1], and the component (B) is an organosilicon compound represented by the following general formula [2]. Item (a) The silyl group-containing photopolymerizable unsaturated compound according to Item 3. [Chemical 1] (In the general formula [1], R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 4 , R 5 and R 6 each independently represent an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms or a carbon atom. When each of R 4 , R 5 and R 6 is a plurality of R 4 s , R 5 s and R 6 s , the R 4 s , R 5 s and R 6 s may be the same or different, and k, l and m is independently an integer of 0 to 10) (In the general formula [2], R 7 represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms or an alkylene oxide group having 1 to 8 carbon atoms, R 7
When there are a plurality of R 7 , R 7 may be the same or different, R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 10. is there)
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