JP2003289268A - High-frequency module component - Google Patents

High-frequency module component

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JP2003289268A
JP2003289268A JP2002089638A JP2002089638A JP2003289268A JP 2003289268 A JP2003289268 A JP 2003289268A JP 2002089638 A JP2002089638 A JP 2002089638A JP 2002089638 A JP2002089638 A JP 2002089638A JP 2003289268 A JP2003289268 A JP 2003289268A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency module component that can remove electrostatic surges and achieve stable transmission and reception, by prescribing a packaging structure on the multilayer interconnection board of an electrostatic surge removal circuit. <P>SOLUTION: A switch circuit section SW and the electrostatic surge removal circuit S are formed on the multilayer interconnection board 51, and especially, the electrostatic surge removal circuit S is allowed to approach a terminal electrode 56 at ground potential. When the shortest interval to the ground potential electrode 56 of a second electronic component element 2 for composing the electrostatic surge removal circuit section, and that from the second electronic component element 2 to a first electronic component element 1 for composing the switch circuit section SW are set to be D1, and D2, respectively, then the relation D1<D2 is achieved. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は通信機器のアンテナ
と、送受信回路との間に配置されるスイチ回路部を含む
高周波モジュール部品に関するものであり、この高周波
モジュール部品内のアンテナの後段部分に静電サージ除
去回路部を配置した高周波モジュール部品に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency module component including a switch circuit portion arranged between an antenna of a communication device and a transmission / reception circuit. The present invention relates to a high frequency module component in which an electric surge elimination circuit section is arranged.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯用電話機に代表される移動通信機器
の小型化が進むと同時に電話機の伝送方式の世代交代が
急速に進んでいる。これらの移動無線通信機器にはアン
テナを受信回路または送信回路に選択的に接続制御を行
うスイッチ回路部を有する高周波モジュール部品が多用
されている。
2. Description of the Related Art At the same time as mobile communication devices typified by portable telephones are becoming smaller, the generation of transmission systems of telephones is rapidly changing. In these mobile radio communication devices, a high frequency module component having a switch circuit section for selectively connecting and controlling an antenna to a receiving circuit or a transmitting circuit is widely used.

【0003】通常、スイッチ回路部は、図5に示す高周
波モジュール部品の一部として、多層配線基板51に形
成されていた。多層配線基板51は、誘電体層52が複
数積層され、その内部にストリップ線路やインダクタン
ス素子、平面状に広がったグランド電位となる導体膜を
含む内部配線パターン55が形成され、表面には各種電
子部品素子54を搭載する配線パターン53が形成され
ている。また、多層配線基板51の表面には、所定回路
を形成する電子部品素子54が搭載されている。そし
て、多層配線基板51の表面側を被覆すようにシールド
ケース58が取着されている。さらに、多層配線基板5
1の端面及び底面には外部のマザーボードと接続する各
種端子電極56、57が形成されている。特に、端子電
極56はグランド電位の端子電極であり、例えばシール
ドケース58の脚部59と接続することになる。
Normally, the switch circuit portion is formed on the multilayer wiring board 51 as a part of the high frequency module component shown in FIG. In the multilayer wiring board 51, a plurality of dielectric layers 52 are laminated, and inside thereof, a strip line, an inductance element, and an internal wiring pattern 55 including a conductor film which spreads in a plane and becomes a ground potential are formed. A wiring pattern 53 for mounting the component element 54 is formed. Further, an electronic component element 54 forming a predetermined circuit is mounted on the surface of the multilayer wiring board 51. The shield case 58 is attached so as to cover the front surface side of the multilayer wiring board 51. Furthermore, the multilayer wiring board 5
Various terminal electrodes 56 and 57 for connecting to an external mother board are formed on the end surface and the bottom surface of 1. In particular, the terminal electrode 56 is a terminal electrode having a ground potential, and will be connected to the leg portion 59 of the shield case 58, for example.

【0004】このようなスイッチ回路部は、例えば図6
に示すような回路構成となっている。図6は最も単純な
シングルモード(単一の通信システムの送受信制御を行
うスイッチ回路部)である。
Such a switch circuit unit is shown in FIG.
The circuit configuration is as shown in. FIG. 6 shows the simplest single mode (switch circuit section which controls transmission / reception of a single communication system).

【0005】図において、スイッチ回路部は、コンデン
サ素子C51〜C57、インダクタンス素子L51〜L
56、抵抗R51、スイッチングダイオードD51、D
52とから構成され、例えばアンテナと受信回路及び送
信回路との間に配置されるものである。即ち、スイッチ
回路部は、アンテナに接続するアンテナ端子ANT、受
信回路に接続する受信端子RX、送信回路に接続する送
信端子TX及び受信と送信動作を切り換える制御信号が
供給される制御端子VC51を有している。
In the figure, the switch circuit section includes capacitor elements C51 to C57 and inductance elements L51 to L57.
56, resistor R51, switching diodes D51, D
52, and is arranged between the antenna and the receiving circuit and the transmitting circuit, for example. That is, the switch circuit unit has an antenna terminal ANT connected to the antenna, a reception terminal RX connected to the reception circuit, a transmission terminal TX connected to the transmission circuit, and a control terminal VC51 to which a control signal for switching between reception and transmission operations is supplied. is doing.

【0006】動作としては、制御端子VC51に、スイ
ッチングダイオードD51、D52をオン状態とするバ
イアス信号を供給することにより、アンテナ端子ANT
と送信端子TXとの間のスイッチングダイオードD51
がオン状態(インピーダンスが小さく)となり、送信回
路TX(便宜上端子と同一符号を付す)からの送信信号
をアンテナ端子ANTに供給することができる。
In operation, the antenna terminal ANT is supplied by supplying a bias signal for turning on the switching diodes D51 and D52 to the control terminal VC51.
Switching diode D51 between the transmitter and the transmission terminal TX
Is turned on (the impedance is small), and a transmission signal from the transmission circuit TX (for convenience, the same reference numeral as that of the terminal is attached) can be supplied to the antenna terminal ANT.

【0007】この時、ストリップラインL51の一端は
アース電位となり、ショートスタブとして動作する。即
ち、ショートスタブの長さを、送信信号の中心的な周波
数を考慮して、その1/4波長の長さに設計すれば、送
信信号に対してインピーダンスが大きくなり、その結
果、送信信号が受信回路RX(便宜上端子と同一符号を
付す)に流れることはない。
At this time, one end of the strip line L51 has a ground potential, and operates as a short stub. That is, if the length of the short stub is designed to be a quarter wavelength length in consideration of the central frequency of the transmission signal, the impedance becomes large with respect to the transmission signal, and as a result, the transmission signal is It does not flow into the reception circuit RX (for convenience, the same reference numerals as the terminals are attached).

【0008】また逆に、制御端子VC51に、スイッチ
ングダイオードD51、D52をオフ状態とするバイア
ス信号を供給することにより、アンテナ端子ANTと送
信端子TXとの間のスイッチングダイオードD51がオ
フとなり、アンテンナ端子ANTと送信回路TXとの間
が遮断される。また、ストリップラインL51は、スイ
ッチングダイオードD52によって接地より切り離さ
れ、その結果、単なる伝送路と動作して、アンテナから
受信された受信信号は、受信端子RXに流れることにな
る。
On the contrary, by supplying the control terminal VC51 with a bias signal for turning off the switching diodes D51 and D52, the switching diode D51 between the antenna terminal ANT and the transmission terminal TX is turned off, and the antenna terminal is turned off. The ANT is disconnected from the transmission circuit TX. Further, the strip line L51 is separated from the ground by the switching diode D52, and as a result, the strip line L51 operates as a simple transmission line, and the reception signal received from the antenna flows to the reception terminal RX.

【0009】ここで、図6のスイッチ回路部中、フィル
タF1は、受信信号の帯域を通過させるフィルタであ
り、それ以外の不要な信号成分、例えば静電サージ成分
を除去するフィルタであり、2つのインダクタンス素子
L53、L54、コンデンサ素子C53、C54とから
構成されている。
Here, in the switch circuit portion of FIG. 6, the filter F1 is a filter that passes the band of the received signal, and is a filter that removes other unnecessary signal components, for example, electrostatic surge components. It is composed of one inductance element L53, L54 and one capacitor element C53, C54.

【0010】また、フィルタF2は、送信信号の帯域を
通過させるフィルタであり、それ以外の不要な信号成
分、例えば、静電サージ成分を除去するフィルタであ
り、2つのインダクタンス素子L55、L56、コンデ
ンサ素子C55、C56とから構成されている。
Further, the filter F2 is a filter that allows the band of the transmission signal to pass therethrough, and is a filter that removes other unnecessary signal components, for example, electrostatic surge components, and includes two inductance elements L55 and L56 and a capacitor. It is composed of elements C55 and C56.

【0011】このようなインダクタンス素子L51〜L
56は、図5に示す多層配線基板51の表面に形成され
たインダクタンス導体膜(ストリップライン導体膜)や
チップインダクタンス素子、または、多層配線基板51
の内部に形成されたインダクタンス導体膜(ストリップ
ライン導体膜)によって形成される。また、コンデンサ
素子C51〜C56、抵抗R51、スイッチングダイオ
ードD51、52は、多層配線基板51上に配置された
チップコンデンサ素子、チップ抵抗器、PINスイッチ
ングダイオードなどで構成される。また、多層配線基板
51の端子電極56、57は、図6のアンテナ端子AN
T、受信端子RX、送信端子TXなどであり、その他の
端子電極56はアース端子であり、このアース端子56
にシールドケース58が接合している。
Such inductance elements L51 to L
Reference numeral 56 denotes an inductance conductor film (strip line conductor film) or a chip inductance element formed on the surface of the multilayer wiring board 51 shown in FIG. 5, or the multilayer wiring board 51.
It is formed by the inductance conductor film (strip line conductor film) formed inside the. Further, the capacitor elements C51 to C56, the resistor R51, and the switching diodes D51 and 52 are composed of a chip capacitor element, a chip resistor, a PIN switching diode and the like arranged on the multilayer wiring board 51. Further, the terminal electrodes 56 and 57 of the multilayer wiring board 51 are the antenna terminals AN of FIG.
T, the receiving terminal RX, the transmitting terminal TX, etc., and the other terminal electrodes 56 are ground terminals.
The shield case 58 is joined to the.

【0012】尚、高周波スイッチ部品の小型化、高機能
化のため、この多層配線基板51に、スイッチ回路部以
外の回路部、受信回路部またはその一部、送信回路部ま
たはその一部を形成してもよい。この場合、端子電極5
7の機能は各回路部の組み合わせによって異なることに
なる。
In order to reduce the size and increase the functionality of the high-frequency switch component, a circuit portion other than the switch circuit portion, a receiving circuit portion or a part thereof, and a transmitting circuit portion or a part thereof are formed on the multilayer wiring board 51. You may. In this case, the terminal electrode 5
The function of 7 differs depending on the combination of each circuit unit.

【0013】また、スイッチ回路部には、サージ対策と
してアンテナと接続するアンテナ端子ANTとスイッチ
回路部との間に静電サージ除去回路部を配置していた。
この静電サージ除去回路部は、コンデンサ素子、インダ
クタンス素子からなり、例えばT型接続されて構成され
ている。そして、従来の静電サージ除去回路部はアンテ
ナを人体で触れた場合に発生する300〜500MHz
程度の静電サージを除去するものである。これよりスイ
ッチ回路部を破壊することを防止するための回路であ
る。
Further, in the switch circuit section, an electrostatic surge eliminating circuit section is arranged between the antenna terminal ANT connected to the antenna and the switch circuit section as a measure against surge.
The electrostatic surge eliminating circuit section is composed of a capacitor element and an inductance element, and is configured by, for example, a T-type connection. And, the conventional electrostatic surge eliminating circuit section generates 300 to 500 MHz when the antenna is touched by a human body.
It is intended to eliminate the degree of electrostatic surge. This is a circuit for preventing the switch circuit portion from being destroyed.

【0014】さらに、近年、受信回路における周波数選
択性を向上させるために、受信回路の前段に、図6のフ
ィルタF1の回路構成に代えて、周波数選択性の高いS
AWフィルタなどのSAW素子を用いる場合が多い、こ
のSAW素子は、一般に圧電基板上に所定間隔の櫛歯電
極を形成しており、しかも、この櫛歯電極は、選択すべ
き周波数に応じて非常に狭い最短間隔となっている。そ
のため、特に、サージ対策として静電サージ除去回路部
の存在が重要となる。
Further, in recent years, in order to improve the frequency selectivity in the receiving circuit, an S having a high frequency selectivity is provided in front of the receiving circuit instead of the circuit configuration of the filter F1 shown in FIG.
A SAW element such as an AW filter is often used. This SAW element generally has comb-teeth electrodes formed at predetermined intervals on a piezoelectric substrate, and the comb-teeth electrodes are very sensitive to the frequency to be selected. The shortest interval is narrow. Therefore, the presence of the electrostatic surge elimination circuit section is particularly important as a countermeasure against surge.

【0015】この静電サージ除去回路部を介在させない
と、SAW素子に過度のサージ電圧が印加し、櫛歯電極
を破壊してしまう。
If this electrostatic surge eliminating circuit is not interposed, an excessive surge voltage will be applied to the SAW element and the comb-teeth electrode will be destroyed.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者は、
多層配線基板上に搭載する静電サージ除去回路部を構成
するインダクタンス素子、コンデンサ素子と、スイッチ
回路部を構成するスイッチングダイオード、ストリップ
線路、インダクタンス素子、コイル、抵抗、コンデンサ
素子との実装位置関係によって、また、静電サージ除去
回路部のカットオフ周波数によって、静電サージを充分
に除去することができないことを知見した。
However, the present inventor
Depending on the mounting positional relationship between the inductance element and capacitor element that make up the electrostatic surge elimination circuit section that is mounted on the multilayer wiring board and the switching diode, strip line, inductance element, coil, resistor, and capacitor element that make up the switch circuit section. It was also found that the electrostatic surge cannot be sufficiently removed due to the cutoff frequency of the electrostatic surge removing circuit section.

【0017】SAW素子は、例えばGSM通信システス
やDCS通信システムなどの高周波の受信信号に対応す
るため、1μm以下の最短間隔の櫛歯電極を使用せざる
を得なく、従来のスイッチ回路部ではスイッチングダイ
オードD51、D52か破壊しない程度のサージ電圧で
カットするフィルタ特性で構成すればよかった。
Since the SAW element corresponds to a high-frequency reception signal of, for example, a GSM communication system or a DCS communication system, it is unavoidable to use comb-teeth electrodes with a shortest interval of 1 μm or less, and switching is required in a conventional switch circuit section. It suffices if the diode D51 or D52 is configured to have a filter characteristic that cuts with a surge voltage that does not cause destruction.

【0018】しかし、スイッチ回路部にSAW素子をも
ちいた場合には、静電サージ除去回路部によるサージ電
圧を低下させる必要がある。なお、静電サージによる破
壊は特にSAW素子で顕著に発生するが、半導体として
動作するスイッチングダイオードにおいても、静電サー
ジによるご動作についても対応が必要であった。
However, when a SAW element is used in the switch circuit section, it is necessary to reduce the surge voltage by the electrostatic surge eliminating circuit section. It should be noted that although damage due to an electrostatic surge occurs remarkably in the SAW element in particular, it is necessary to deal with the switching diode operating as a semiconductor and the operation due to the electrostatic surge.

【0019】この対策としては静電サージ除去回路部で
構成されるフィルタのカットオフ周波数を高く設定すれ
ばよいが、その場合、例えばGSM通信システムの通信
帯域(約900MHz程度)の損失が大きくなり、安定
した送受信に悪影響を与えてしまうという問題があっ
た。
As a countermeasure against this, the cutoff frequency of the filter composed of the electrostatic surge eliminating circuit section may be set high, but in that case, for example, the loss of the communication band (about 900 MHz) of the GSM communication system becomes large. However, there is a problem that it adversely affects stable transmission and reception.

【0020】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、静電サージ除去回路の静電
サージ除去を向上させるとともに、さらに、送受信帯域
での信号の損失を極小化できるスイッチ回路部を具備し
た高周波モジュール部品を提供するものである。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to improve the electrostatic surge elimination of an electrostatic surge elimination circuit and further to reduce the loss of signals in the transmission / reception band. The present invention provides a high-frequency module component including a switch circuit unit that can minimize

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明は、多層配線基板
の表面に、アンテナから受信された受信信号を受信回路
に、送信回路の送信信号をアンテナに夫々選択的に供給
制御するスイッチ回路部を構成する第1電子部品素子
と、前記アンテナと前記スイッチ回路部との間に配置さ
れ、アンテナ端子から侵入するサージ電圧を減衰させる
静電サージ除去回路部を構成する第2電子部品素子とを
搭載するとともに、前記多層配線基板の端面に、グラン
ド電位の端子電極及びアンテナに接続するアンテナ端子
電極を形成してなる高周波モジュール部品において、前
記第2電子部品素子と前記グランド電位の端子電極まで
の最短間隔をD1、前記第1電子部品素子と前記第2電
子部品素子との最短間隔をD2とした時、D1<D2を
満足する高周波モジュール部品である。
According to the present invention, a switch circuit section for selectively controlling the supply of a reception signal received from an antenna to a reception circuit and a transmission signal of a transmission circuit to an antenna on the surface of a multilayer wiring board. And a second electronic component element that is disposed between the antenna and the switch circuit portion and that constitutes an electrostatic surge eliminating circuit portion that attenuates a surge voltage that intrudes from the antenna terminal. In a high-frequency module component that is mounted and on the end surface of the multilayer wiring board, a ground potential terminal electrode and an antenna terminal electrode connected to an antenna are formed, the second electronic component element and the ground potential terminal electrode When the shortest distance is D1 and the shortest distance between the first electronic component element and the second electronic component element is D2, a high frequency module satisfying D1 <D2. Is an Lumpur parts.

【0022】前記第2電子部品素子は、カットオフ周波
数が600〜800MHzのハイパスフィルタである。
The second electronic component element is a high-pass filter having a cutoff frequency of 600 to 800 MHz.

【0023】そして、前記最短間隔D1が0.15〜
0.2mmの範囲であり、前記最短間隔D2が0.25
mm以上の値である。
The shortest distance D1 is 0.15
The range is 0.2 mm, and the shortest distance D2 is 0.25.
It is a value of mm or more.

【作用】本発明では、静電サージ除去回路部Sを構成す
る第2電子部品素子(インダクタンス素子及びコンデン
サ素子)とグランド端子電極までの最短間隔D1を、第
2電子部品素子とスイッチ回路部を構成する第1電子部
品素子(インダクタンス素子、コンデンサ素子、抵抗素
子、スイッチングダイオード素子)までの最短間隔D2
より短くしたため、アンテナ端子から入ったサージ信号
は静電サージ除去回路部のフィルタ機能によって、ま
た、静電サージ除去回路部を構成する第2電子部品素子
からグランド電位への空中放電によって、スイッチ回路
部を構成する第1電子部品素子へ影響(ダメージ)を減
少できる。特に、静電サージ除去回路部のフィルタのカ
ットオフ周波数が600〜800MHzとするハイパス
フィルクタであり、一般的の静電サージ除去回路部のフ
ィルタよりもカットオフ周波数よりも高く設定すること
により、サージ電圧を低くしている。これにより、スイ
ッチングダイオードの誤動作、特にSAW素子の櫛状電
極の破壊を軽減でき、スイッチングダイオード、SAW
素子の安定した動作の維持が達成できる。
According to the present invention, the shortest distance D1 between the second electronic component element (inductance element and capacitor element) forming the electrostatic surge eliminating circuit section S and the ground terminal electrode is set to the second electronic component element and the switch circuit section. Shortest distance D2 to the constituent first electronic component element (inductance element, capacitor element, resistance element, switching diode element)
Since it is made shorter, the surge signal input from the antenna terminal is switched by the filter function of the electrostatic surge removal circuit section and by the air discharge from the second electronic component element forming the electrostatic surge removal circuit section to the ground potential. The influence (damage) on the first electronic component element forming the part can be reduced. Particularly, it is a high-pass filter in which the cutoff frequency of the filter of the electrostatic surge elimination circuit is 600 to 800 MHz, and by setting it higher than the cutoff frequency of the filter of the general electrostatic surge elimination circuit, The surge voltage is low. As a result, malfunction of the switching diode, especially destruction of the comb-shaped electrodes of the SAW element can be reduced, and the switching diode and SAW
Maintaining stable operation of the device can be achieved.

【0024】しかも、必要な周波数帯域、例えば、GS
M通信システムの送受信号の損失を低減できる。
Moreover, a required frequency band, for example, GS
It is possible to reduce the transmission / reception loss of the M communication system.

【0025】また、第2電子部品素子の最短間隔D1を
0.15〜0.2mmの範囲として、第1電子部品素子
の最短間隔D2を0.25mm以上の値とした。このた
め、アンテナから入ったサージ信号を、静電サージ除去
回路部Sのハイパスフィルタ機能と、特に、第2電子部
品素子からグランド電位への空中放電の効果により、第
1電子部品素子へのダメージ、特に、SAW素子のダメ
ージを減少させることができる。
Further, the shortest distance D1 of the second electronic component element is set to a range of 0.15 to 0.2 mm, and the shortest distance D2 of the first electronic component element is set to a value of 0.25 mm or more. Therefore, the surge signal that has entered from the antenna is damaged by the high-pass filter function of the electrostatic surge eliminating circuit section S, and in particular, the effect of air discharge from the second electronic component element to the ground potential damages the first electronic component element. In particular, the damage of the SAW element can be reduced.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波モジュール
部品について基づいて説明する。尚、本発明の高周波モ
ジュール部品は、高周波モジュール部品自体の構造は、
図5に示す構造と実質的に同一である。即ち、高周波モ
ジュール部品50は、多層配線基板51に形成されてい
た。多層回路基板は、誘電体層52が複数積層され、そ
の内部にストリップ線路やインダクタンス素子、平面状
に広がったアース電極となる導体を含む内部配線層55
が形成され、表面に各種電子部品素子54を搭載する配
線パターン53が形成されている。そして、多層配線基
板51の表面にはスイッチ回路部や静電サージ除去回路
を構成する電子部品素子54が搭載されている。そし
て、多層配線基板51の表面には、各種電子部品素子5
4を被覆するようにシールドケース58が取着されてい
る。また、多層配線基板51の端面及び底面には外部の
マザーボードと接続する各種端子電極56、57が形成
されている。この端子電極56はグランド電位の端子電
極であり、例えばシールドケース58の脚部59と接続
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A high frequency module component of the present invention will be described below. In addition, the high-frequency module component of the present invention, the structure of the high-frequency module component itself,
It is substantially the same as the structure shown in FIG. That is, the high frequency module component 50 was formed on the multilayer wiring board 51. In the multilayer circuit board, a plurality of dielectric layers 52 are stacked, and an internal wiring layer 55 including a strip line, an inductance element, and a conductor serving as a ground electrode spread in a planar shape inside thereof.
And a wiring pattern 53 on which various electronic component elements 54 are mounted is formed. Then, on the surface of the multilayer wiring board 51, electronic component elements 54 that form a switch circuit portion and an electrostatic surge eliminating circuit are mounted. Then, various electronic component elements 5 are formed on the surface of the multilayer wiring board 51.
The shield case 58 is attached so as to cover 4. Further, various terminal electrodes 56 and 57 connected to an external mother board are formed on the end surface and the bottom surface of the multilayer wiring board 51. The terminal electrode 56 is a terminal electrode having a ground potential and is connected to the leg portion 59 of the shield case 58, for example.

【0027】この多層配線基板51には、スイッチ回路
部、静電サージ除去回路部を少なくとも有しており、さ
らち、受信回路の全部または一部や送信回路の全部また
は一部が配置されている。従って、端子電極56、57
のうち、特に、端子電極57は、搭載される回路部によ
って、夫々の機能が相違し、例えば、電源電圧、受信端
子、送信端子、送受信を切り換える制御端子であり、さ
らに、受信回路や送信回路に信号を供給する端子、これ
らの制御を行うための端子である。
The multilayer wiring board 51 has at least a switch circuit section and an electrostatic surge eliminating circuit section, and is provided with all or part of the receiving circuit and all or part of the transmitting circuit. There is. Therefore, the terminal electrodes 56, 57
Among them, in particular, the terminal electrode 57 has a different function depending on the mounted circuit section, and is, for example, a power supply voltage, a reception terminal, a transmission terminal, or a control terminal for switching between transmission and reception, and further, the reception circuit and the transmission circuit. Is a terminal for supplying a signal to, and a terminal for controlling these.

【0028】図1は、静電サージ除去回路部Sを用いた
単一通信システムに対応したスイッチ回路部SWの回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a switch circuit section SW corresponding to a single communication system using an electrostatic surge eliminating circuit section S.

【0029】図1において、スイッチ回路部SWは、受
信端子を介して受信回路RXに接続されており、送信端
子を介して送信回路TXに接続されている。また、スイ
ッチ回路部SWは、アンテナ端子ANTを介してアンテ
ナに接続されている。
In FIG. 1, the switch circuit section SW is connected to the receiving circuit RX via a receiving terminal and is connected to the transmitting circuit TX via a transmitting terminal. Further, the switch circuit unit SW is connected to the antenna via the antenna terminal ANT.

【0030】このスイッチ回路部SWは、アンテナ端子
ANTに接続された静電サージ除去回路部Sが配置され
ている。この静電サージ除去回路部Sは、例えば、1つ
のインダクタンス素子L101、2つのコンデンサ素子
C101、C102から構成され、インダクタンス素子
L101の一端がグランド電位に接続されており、さら
に、その他端は、2つコンデンサ素子C101、C10
2が接続されて、全体として、T型のLCフィルタを構
成している。
In this switch circuit section SW, an electrostatic surge eliminating circuit section S connected to the antenna terminal ANT is arranged. The electrostatic surge eliminating circuit section S is composed of, for example, one inductance element L101 and two capacitor elements C101 and C102, one end of the inductance element L101 is connected to the ground potential, and the other end is 2 Capacitor elements C101, C10
2 are connected to form a T-type LC filter as a whole.

【0031】ここで、静電サージ除去回路部Sを構成す
る1つのインダクタンス素子L101、2つのコンデン
サ素子C101、C102を総称して、第2電子部品素
子2と規定する。
Here, one inductance element L101 and two capacitor elements C101 and C102 which form the electrostatic surge eliminating circuit section S are collectively referred to as a second electronic component element 2.

【0032】また、スイッチ回路部SWは、コンデンサ
素子C1〜C5、インダクタンス素子L1、L2、スイ
ッチングダイオードD1、D2、抵抗R1、SAW素子
SFとから構成されている。尚、これら、コンデンサ素
子C1〜C3、インダクタンス素子L1、L2、スイッ
チングダイオードD1、D2、抵抗R1、SAW素子S
Fを総称して第1電子部品素子1と規定する。
The switch circuit section SW is composed of capacitor elements C1 to C5, inductance elements L1 and L2, switching diodes D1 and D2, a resistor R1, and a SAW element SF. These capacitor elements C1 to C3, inductance elements L1 and L2, switching diodes D1 and D2, resistor R1, and SAW element S
F is generically defined as the first electronic component element 1.

【0033】具体的には、アンテナ端子ANTは、静電
サージ除去回路部Sを介して、スイッチ回路部SWを介
して受信回路RX及び送信回路TXに接続する。
Specifically, the antenna terminal ANT is connected to the receiving circuit RX and the transmitting circuit TX via the electrostatic surge eliminating circuit section S and the switch circuit section SW.

【0034】例えば、静電サージ除去回路部Sから受信
回路RXとの間には、インダクタンス素子L1、コンデ
ンサ素子C1、C2から成るπ型フィルタが配置され、
さらに、SAW素子SFが配置されている。
For example, a π-type filter including an inductance element L1 and capacitor elements C1 and C2 is arranged between the electrostatic surge eliminating circuit section S and the receiving circuit RX,
Further, the SAW element SF is arranged.

【0035】尚、コンデンサ素子C2とSAW素子SF
の接続点と接地電位との間には、スイッチングダイオー
ドD1、コンデンサ素子C3が配置され、さらに、スイ
ッチングダイオードD1のアノード側には、抵抗R1を
介して制御端子VCが配置されている。
Incidentally, the capacitor element C2 and the SAW element SF
A switching diode D1 and a capacitor element C3 are arranged between the connection point of and the ground potential, and a control terminal VC is arranged on the anode side of the switching diode D1 via a resistor R1.

【0036】また、静電サージ除去回路部Sから送信回
路TXとの間には、スイッチングダイオードD2が配置
されている。
A switching diode D2 is arranged between the electrostatic surge eliminating circuit section S and the transmission circuit TX.

【0037】尚、スイッチングダイオードD2の送信端
子側と接地電位との間には、スイッチングダイオードD
1のバイアス信号を接地とし、高周波信号に対して高イ
ンピーダンスとするインダクタンス素子L2を配置して
いる。ここで、π型フィルタ(インダクタンス素子L
1、コンデンサ素子C1、C2)は、スイッチングダイ
オードD1のオフ状態で、オフ容量成分と合成されて、
受信信号の帯域を通過させるフィルタ特性となる。な
お、この特性の決定は、各部品の回路定数によって設定
される。また、スイッチングダイオードD1のオン状態
で、オンインダクタンス成分と合成されて、送信信号及
び受信信号の帯域を通過させないフィルタ特性となる。
The switching diode D2 is provided between the transmission terminal side of the switching diode D2 and the ground potential.
The bias signal of No. 1 is grounded, and the inductance element L2 having a high impedance with respect to the high frequency signal is arranged. Here, a π-type filter (inductance element L
1, the capacitor elements C1 and C2) are combined with the off capacitance component when the switching diode D1 is in the off state,
It has a filter characteristic that allows the band of the received signal to pass. The determination of this characteristic is set by the circuit constant of each component. In addition, when the switching diode D1 is in the ON state, the switching diode D1 is combined with the ON inductance component to have a filter characteristic that does not pass the band of the transmission signal and the reception signal.

【0038】このような構成により、例えば制御電圧端
子VCにスイッチングダイオードD1及びスイッチング
ダイオードD2をオンとするバイアス信号を供給する
と、このバイアス信号は、スイッチングダイオードD
1、インダクタンス素子L1、スイッチングダイオード
D2、インダクタンス素子L2を介して接地に流れる。
With such a configuration, when a bias signal for turning on the switching diode D1 and the switching diode D2 is supplied to the control voltage terminal VC, for example, this bias signal is applied to the switching diode D.
1, the inductance element L1, the switching diode D2, and the inductance element L2 to flow to the ground.

【0039】例えば、送信動作においては、スイッチン
グダイオードD1、D2がともにオン状態となるバイア
ス信号を供給する。これにより、静電サージ除去回路部
Sと送信回路TXとが互いに接続されることになる。同
時に、π型フィルタにおいては、スイッチングダイオー
ドD1のオンインダクタンス成分と合成され、送信信号
の周波数帯域を阻止する働きを行う。
For example, in the transmission operation, a bias signal for turning on both the switching diodes D1 and D2 is supplied. As a result, the electrostatic surge elimination circuit section S and the transmission circuit TX are connected to each other. At the same time, in the π-type filter, it is combined with the on-inductance component of the switching diode D1 and acts to block the frequency band of the transmission signal.

【0040】その結果、送信信号は、コンデンサ素子C
5、スイッチングダイオードD2、静電サージ除去回路
部Sを介してアンテナ端子ANTに導出される。そし
て、送信信号は、π型フィルタ部分で遮断され、受信回
路RXに流れることが一切ない。
As a result, the transmission signal is the capacitor element C.
5, it is led to the antenna terminal ANT via the switching diode D2 and the electrostatic surge elimination circuit section S. Then, the transmission signal is blocked by the π-type filter portion and never flows into the reception circuit RX.

【0041】図2は、本発明の高周波モジュール部品に
用いられる静電サージ除去回路部Sを有すスイッチ回路
部の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a switch circuit section having an electrostatic surge eliminating circuit section S used in the high frequency module component of the present invention.

【0042】この例では、3つの通信システムをそれそ
れ選択的に切り換えるスイッチ回路部SWであり、例え
ば、送受信端子としては、GSM通信用の送信端子TX
GSM、GSM通信用の受信端子RXGSM、GSM通
信時の送信動作と受信動作を切り換える制御端子VC
1、DCS通信時及びPCS通信時に共用して用いる送
信端子TxDCS/PCS、DCS通信用の受信端子R
XDCS、PCS通信時の受信端子RxPCS、DCS
通信時及びPCS通信時の送信動作と受信動作と切り換
える制御端子VC2、DCS通信時の受信動作とPCS
通信時の受信動作とを切り換える制御端子VC3とを有
している。
In this example, the switch circuit section SW selectively switches between the three communication systems. For example, the transmission / reception terminal is a transmission terminal TX for GSM communication.
GSM, GSM communication receiving terminal RXGSM, GSM communication control terminal VC for switching between transmitting operation and receiving operation
1. Transmitting terminal TxDCS / PCS commonly used during DCS communication and PCS communication, receiving terminal R for DCS communication
Reception terminals RxPCS, DCS for XDCS, PCS communication
Control terminal VC2 for switching between transmission operation and reception operation during communication and PCS communication, reception operation during PCS communication and PCS
It has a control terminal VC3 for switching between reception operation during communication.

【0043】ここで、例えば、GSM通信システムの送
受周波数帯は、900MHz帯域であり、PCS、DC
S通信システムの送受信帯域は、1.8GHz帯域であ
る。
Here, for example, the transmission / reception frequency band of the GSM communication system is 900 MHz band, and PCS, DC
The transmission / reception band of the S communication system is the 1.8 GHz band.

【0044】このため、周波数帯域に低い側のGSM通
信用のスイッチ回路部SWは、アンテナ端子ANTか
ら、しきい値が900MHzから1.8GHzの間の値
に設定したローパスフィルタLPF、静電サージ除去回
路部Sを介して配置されている。このスイッチ回路部S
Wの構成は、図1に示すように、スイッチングダイオー
ドD301、D401、インダクタンス素子L31、L
401、コンデンサ素子C41、C42、C401、S
AW素子SF401、抵抗R401とから構成されてい
る。また、周波数帯域の高い側のPCS/DCS通信用
のスイッチ回路部SWは、アンテナ端子ANTから、し
きい値が900MHzから1.8GHzの間の値に設定
したハイパスフィルタHPFを介して配置されている。
For this reason, the switch circuit section SW for GSM communication on the low frequency side has a low-pass filter LPF with a threshold value set to a value between 900 MHz and 1.8 GHz and an electrostatic surge from the antenna terminal ANT. It is arranged via the removal circuit section S. This switch circuit section S
As shown in FIG. 1, the configuration of W includes switching diodes D301, D401, inductance elements L31, L
401, capacitor elements C41, C42, C401, S
It is composed of an AW element SF401 and a resistor R401. The switch circuit unit SW for PCS / DCS communication on the higher frequency band side is arranged from the antenna terminal ANT via a high-pass filter HPF whose threshold value is set to a value between 900 MHz and 1.8 GHz. There is.

【0045】このスイッチ回路部SWの構成は、3つの
スイッチングダイオードD501、D601、D70
1、5つのインダクタンス素子L31、L401、コン
デンサ素子C41、C42、C401、SAW素子SF
401、抵抗R401とから構成されている。
The switch circuit section SW has three switching diodes D501, D601 and D70.
1, 5 inductance elements L31, L401, capacitor elements C41, C42, C401, SAW element SF
401 and a resistor R401.

【0046】動作的には、例えば、GSM通信システム
の送受信の切り換えは、基本的に図1と同一である。こ
ので、GSM通信システムの送受信信号は、例えば、
1.8GHz帯のような高い周波数帯域を通させないロ
ーパスフィルタLPF及び少なくとも600〜800M
Hzをカットオフ周波数とするハイパスフィルタ機能の
静電サージ除去回路部Sを通過することになる。
In operation, for example, the switching of transmission / reception of the GSM communication system is basically the same as in FIG. Then, the transmission / reception signal of the GSM communication system is, for example,
Low-pass filter LPF that does not pass a high frequency band such as 1.8 GHz band and at least 600 to 800M
It passes through the electrostatic surge eliminating circuit section S having a high-pass filter function having a cut-off frequency of Hz.

【0047】また、例えば、DCS/PCS通信システ
ムの送受信の切り換えにおいて、DCS/PCS通信シ
ステムの送信時には、制御端子VC2にスイッチングダ
イオードD501、D601をオンとするバイアス信号
を供給し、制御端子VC3にスイッチングダイオードD
701をオフとするバイアス信号(例えば、バイアスを
印加しないまたは負の電圧を与える)を供給する。これ
によって、スイッチングダイオードD501、D601
はそれぞれオンとなり、スイッチングダイオードD70
1はオフとなる。ここで、コンデンサ素子C61、イン
ダクタンス素子L61、コンデンサ素子C62と、スイ
ッチングダイオードD601(オンインダクタタンス成
分が発生)、コンデンサ素子C63は、DCS/PCS
通信システムの送信信号の帯域を遮断するフィルタとし
て作用する。
Further, for example, in switching transmission / reception of the DCS / PCS communication system, at the time of transmission of the DCS / PCS communication system, a bias signal for turning on the switching diodes D501 and D601 is supplied to the control terminal VC2 and the control terminal VC3 is supplied. Switching diode D
A bias signal for turning off 701 (for example, no bias is applied or a negative voltage is applied) is supplied. As a result, the switching diodes D501 and D601
Are turned on, and the switching diode D70
1 is off. Here, the capacitor element C61, the inductance element L61, the capacitor element C62, the switching diode D601 (on-inductance component is generated), and the capacitor element C63 are DCS / PCS.
It acts as a filter that cuts off the band of the transmission signal of the communication system.

【0048】従って、DCS/PCS通信システムの送
信信号は、上述のコンデンサ素子C61、インダクタン
ス素子L61、コンデンサ素子C62と、スイッチング
ダイオードD601(オンインダクタンス成分が発
生)、コンデンサ素子C63のフィルタによって、受信
端子RXDCSに導出されることがなく、また、オフ状
態のスイッチングダイオードD701によって受信端子
RXPCSに導出されることがない。
Therefore, the transmission signal of the DCS / PCS communication system is received by the filter of the capacitor element C61, the inductance element L61, the capacitor element C62, the switching diode D601 (the on-inductance component is generated), and the capacitor element C63 as a reception terminal. It is not led out to RXDCS and is not led out to the reception terminal RXPCS by the switching diode D701 in the off state.

【0049】また、PCS通信システムの受信時には、
制御端子VC2にスイッチングダイオードD501をオ
フとするバイアス信号(例えば、バイアスを印加しない
または負の電圧を与える)を印加し、同時に、制御端子
VC3にスイッチングダイオードD701をオンとする
バイアス信号を供給する。尚、スイッチングダイオード
D701に供給されたバイアス信号は、スイッチングダ
イオードD601にも印加され、オン状態となる。ここ
で、コンデンサ素子C61、インダクタンス素子L61
(オンインダクタンス成分が発生)、コンデンサ素子C
62と、スイッチングダイオードD601、コンデンサ
素子C63は、DCS通信システムの受信信号の帯域を
遮断するフィルタとして作用する。即ち、コンデンサ素
子C61、インダクタンス素子L61、コンデンサ素子
C62と、スイッチングダイオードD601、コンデン
サ素子C63は、両通信システムの送信信号に対して、
また、DCS通信システムの受信信号に対して遮断する
フィルタとなるように各素子の回路定数を設定する必要
がある。
Further, at the time of reception by the PCS communication system,
A bias signal for turning off the switching diode D501 (for example, no bias is applied or a negative voltage is applied) is applied to the control terminal VC2, and at the same time, a bias signal for turning on the switching diode D701 is supplied to the control terminal VC3. The bias signal supplied to the switching diode D701 is also applied to the switching diode D601 to be in the ON state. Here, the capacitor element C61 and the inductance element L61
(On-inductance component is generated), capacitor element C
62, the switching diode D601, and the capacitor element C63 act as a filter that blocks the band of the received signal of the DCS communication system. That is, the capacitor element C61, the inductance element L61, the capacitor element C62, the switching diode D601, and the capacitor element C63 are
Further, it is necessary to set the circuit constants of the respective elements so as to function as a filter that blocks a received signal of the DCS communication system.

【0050】従って、アンテナ端子ANT受信され、ハ
イパスフィルタを通過したPCS通信システムの受信信
号は、オフ状態のスイッチングダイオードD501によ
って、送信端子TXDCS/PCSに導出されることが
なく、また、上述のコンデンサ素子C61、インダクタ
ンス素子L61、コンデンサ素子C62と、スイッチン
グダイオードD601(オンインダクタンス成分が発
生)、コンデンサ素子C63のフィルタによって、受信
端子RXDCSに導出されることがない。結果として、
オン状態のスイッチングダイオードD701を介して受
信端子RXPCSに安定して導出される。
Therefore, the received signal of the PCS communication system which has been received by the antenna terminal ANT and passed through the high-pass filter is not led to the transmission terminal TXDCS / PCS by the switching diode D501 in the off state, and the above-mentioned capacitor is not used. The filter of the element C61, the inductance element L61, the capacitor element C62, the switching diode D601 (which generates an on-inductance component), and the capacitor element C63 does not lead to the reception terminal RXDCS. as a result,
It is stably led to the reception terminal RXPCS via the switching diode D701 in the on state.

【0051】また、DCS通信システムの受信時には、
制御端子VC2及び制御端子VC3に、スイッチングダ
イオードD501、D601、D701をそれぞれオフ
となるバイアス信号(例えば、バイアスを印加しないま
たは負の電圧を与える)を供給する。ここで、スイッチ
ングダイオードD601をオフ状態であるため、コンデ
ンサ素子C61、インダクタンス素子L61、コンデン
サ素子C62と、スイッチングダイオードD601(オ
フ容量成分が発生)、コンデンサ素子C63は、通過帯
域特性が変動し、DCS通信システムの受信信号の帯域
を通過させるフィルタとして作用する。
Further, when receiving the DCS communication system,
A bias signal (for example, no bias is applied or a negative voltage is applied) that turns off the switching diodes D501, D601, and D701 is supplied to the control terminal VC2 and the control terminal VC3. Here, since the switching diode D601 is in the OFF state, the pass band characteristics of the capacitor element C61, the inductance element L61, the capacitor element C62, the switching diode D601 (the off capacitance component is generated), and the capacitor element C63 vary, and the DCS It acts as a filter that passes the band of the received signal of the communication system.

【0052】従って、アンテナ端子ANT受信され、ハ
イパスフィルタを通過したDCS通信システムの受信信
号は、オフ状態のスイッチングダイオードD501によ
って、送信端子TXDCS/PCSに導出されることが
なく、また、オフ状態のスイッチングダイオードD70
1によって、受信端子RXPCSに導出されることがな
い。結果として、DCS通信システムの受信信号は、S
AW素子SF601を介して受信端子RXDCSに安定
して導出される。
Therefore, the reception signal of the DCS communication system which has been received by the antenna terminal ANT and passed through the high pass filter is not led to the transmission terminal TXDCS / PCS by the switching diode D501 in the OFF state, and is in the OFF state. Switching diode D70
1 does not lead to the receiving terminal RXPCS. As a result, the received signal of the DCS communication system is S
It is stably led to the reception terminal RXDCS via the AW element SF601.

【0053】ここで、重要なことは、静電サージ除去回
路部Sを構成する第2電子部品素子2(図2の回路で
は、コンデンサ素子C101、C102、インダクタン
ス素子L101)の多層配線基板51の配置構造であ
る。
Here, what is important is that the multilayer circuit board 51 of the second electronic component element 2 (capacitor elements C101, C102, inductance element L101 in the circuit of FIG. 2) which constitutes the electrostatic surge eliminating circuit section S is formed. It is an arrangement structure.

【0054】即ち、多層配線基板51上に搭載した各種
電子部品素子54のうち、第2電子部品素子2と多層配
線基板51のグランド電位の端子電極56までの最短間
隔をD1、第2電子部品素子とスイッチ回路部SWを構
成する第1電子部品素子1(スイッチングダイオード、
コンデンサ素子、抵抗、インダクタンス素子、SAW素
子)までの最短間隔をD2とした時、多層配線基板51
上に、第1電子部品素子1、第2電子部品素子2を、D
1<D2の関係となるよう実装した。その実装状況を図
3で示す。図3において、静電サージ除去回路部Sを構
成する第2電子部品素子2のうち、グランド電位の端子
電極56に最も近くに配置された部品は、例えばインダ
クタンス素子L101であり、その最短間隔はD1とな
っている。
That is, of the various electronic component elements 54 mounted on the multilayer wiring board 51, the shortest distance between the second electronic component element 2 and the terminal electrode 56 of the ground potential of the multilayer wiring board 51 is D1, and the second electronic component is First electronic component element 1 (switching diode,
When the shortest distance to the capacitor element, the resistor, the inductance element, the SAW element) is D2, the multilayer wiring board 51
Above the first electronic component element 1 and the second electronic component element 2, D
It was mounted so that the relation of 1 <D2 was satisfied. The mounting situation is shown in FIG. In FIG. 3, among the second electronic component elements 2 forming the electrostatic surge eliminating circuit section S, the component arranged closest to the terminal electrode 56 at the ground potential is, for example, the inductance element L101, and the shortest distance between them is It is D1.

【0055】また静電サージ除去回路部Sを構成する第
2電子部品素子2のうち、スイッチ回路部SWを構成す
る第1電子部品素子1に最も近接する部品は、例えば、
コンデンサ素子C101であり、第1電子部品素子1
は、図1の回路図ではスイッチングダイオードD2、図
2の回路図ではスイッチングダイオードD301であ
る。そして、夫々の最短間隔D1、D2の関係は、D1
<D2の関係となっている。これにより、アンテナ端子
ANTから入った静電サージ信号は静電サージ除去回路
部Sのハイパスフィルタ機能によって除去され、さら
に、静電サージ除去回路部Sを構成する第2電子部品素
子2のインダクタンス素子L101から直ぐにグランド
電位の端子電極56に空中放電される。このため、第2
電子部品素子2からスイッチ回路部SWを構成する第1
電子部品素子1に与えるダメージを減少することができ
る。
Among the second electronic component elements 2 constituting the electrostatic surge eliminating circuit section S, the component closest to the first electronic component element 1 constituting the switch circuit section SW is, for example,
The first electronic component element 1 is the capacitor element C101.
Is a switching diode D2 in the circuit diagram of FIG. 1 and a switching diode D301 in the circuit diagram of FIG. The relationship between the shortest distances D1 and D2 is D1
<The relationship is D2. As a result, the electrostatic surge signal that has entered from the antenna terminal ANT is removed by the high-pass filter function of the electrostatic surge removing circuit section S, and the inductance element of the second electronic component element 2 that constitutes the electrostatic surge removing circuit section S is further removed. Immediately after L101 is discharged in the air to the terminal electrode 56 at the ground potential. Therefore, the second
1st which comprises the switch circuit part SW from the electronic component element 2
The damage given to the electronic component element 1 can be reduced.

【0056】本発明者らが、種々実験した結果では、第
2電子部品素子1からグランド電位の端子電極56まで
の最短間隔D1を0.15〜0.2mmとし、第2電子
部品素子2から第1電子部品素子1までの最短間隔D2
を0.25mm以上とすることにより、特に、アンテナ
端子ANTから入った静電サージ信号を、静電サージ除
去回路部Sのハイパスフィルタ機能と、第2電子品素子
2からグランド電位への空中放電の効果により、第1電
子部品素子1へのダメージを減少させることができるこ
とを確認した。
According to the results of various experiments conducted by the present inventors, the shortest distance D1 from the second electronic component element 1 to the terminal electrode 56 at the ground potential is 0.15 to 0.2 mm, and the second electronic component element 2 is Shortest distance D2 to the first electronic component element 1
Is set to 0.25 mm or more, in particular, the electrostatic surge signal that has entered from the antenna terminal ANT is supplied with the high-pass filter function of the electrostatic surge eliminating circuit section S and the air discharge from the second electronic device element 2 to the ground potential. It has been confirmed that the effect of can reduce the damage to the first electronic component element 1.

【0057】また、静電サージ除去回路部Sのコンデン
サ素子C101、C102、インダクタンス素子L10
1でハイパスフィルタを構成し、回路定数を制御して、
このパイパスフィルタのカットオフ周波数を600〜8
00MHzとすることが重要である。
Further, the capacitor elements C101 and C102 of the electrostatic surge eliminating circuit section S and the inductance element L10.
Configure a high-pass filter with 1 and control the circuit constant,
The cutoff frequency of this bypass filter is 600-8.
It is important to set it to 00 MHz.

【0058】これは静電サージ信号において、周波数と
静電電圧との関係は、反比例の関係にある。即ち、静電
サージ信号の周波数が低いほど、サージ電圧は高くな
り、周波数が高くなれば、サージ電圧は低くなる。従っ
て、スイッチ回路部SWの各電子部品素子1のダメージ
を考慮した場合、カットオフ周波数が高く設定すること
が望ましい。しかし、逆にカットオフ周波数を高くする
と、通信システムに必要な送受信信号帯域に損失を与え
ることになる。例えば、GSM通信システムにおいて
は、880MHzから通信に必要な周波数領域となり、
例えば、カットオフ周波数を850MHzとして、実際
には、880MHzの信号に損失を与えることになる。
In the electrostatic surge signal, the relationship between frequency and electrostatic voltage is inversely proportional. That is, the lower the frequency of the electrostatic surge signal, the higher the surge voltage, and the higher the frequency, the lower the surge voltage. Therefore, in consideration of damage to each electronic component element 1 of the switch circuit unit SW, it is desirable to set the cutoff frequency high. However, conversely, if the cutoff frequency is increased, the transmission / reception signal band required for the communication system will be lost. For example, in the GSM communication system, the frequency range required for communication is from 880 MHz,
For example, when the cutoff frequency is set to 850 MHz, a signal of 880 MHz is actually lost.

【0059】この両者を考慮した場合、例えば、GSM
通信システムにおける損失を0.2dB未満に抑えるた
め、静電サージ除去回路部Sのカットオフ周波数を80
0MHz以下とすることが望ましい。
Considering both of these, for example, GSM
In order to suppress the loss in the communication system to less than 0.2 dB, the cutoff frequency of the electrostatic surge elimination circuit section S is set to 80
It is desirable to set it to 0 MHz or less.

【0060】同時に、第1電子部品素子1、特に、SA
W素子SFの櫛歯電極で発生する静電破壊を考慮する
と、サージ電圧を180V以下に抑える必要があり、周
波数的には600MHz以上に設定する必要がある。
At the same time, the first electronic component element 1, especially SA
Considering electrostatic breakdown that occurs in the comb-teeth electrodes of the W element SF, the surge voltage needs to be suppressed to 180 V or less, and the frequency needs to be set to 600 MHz or more.

【0061】以上の点から、静電サージ除去回路部Sの
カットオフ周波数は、600〜800MHz程度に設定
することが重要である。
From the above points, it is important to set the cutoff frequency of the electrostatic surge eliminating circuit section S to about 600 to 800 MHz.

【0062】図4は、静電サージ除去回路部Sのカット
オフ周波数と、サージ電位圧の関係(黒塗りの四角マー
ク及び黒塗りの丸印マーク)及びGSM通信システムの
送信信号の損失との関係を示している。
FIG. 4 shows the relationship between the cutoff frequency of the electrostatic surge eliminating circuit section S and the surge potential pressure (black square mark and black circle mark) and the loss of the transmission signal of the GSM communication system. It shows the relationship.

【0063】図4において、黒塗りの四角マークは第2
電子部品素子2とグランド電位の端子電極56との間の
最短間隔D1を0.3mmに設定したものであり、黒塗
りの丸印マークは第2電子部品素子2とグランド電位と
の間の最短間隔D1を0.15mmに設定した時のサー
ジ電圧の違いを示している。
In FIG. 4, the black square mark is the second mark.
The shortest distance D1 between the electronic component element 2 and the terminal electrode 56 at the ground potential is set to 0.3 mm, and the black circle mark indicates the shortest distance between the second electronic component element 2 and the ground potential. The difference in surge voltage when the distance D1 is set to 0.15 mm is shown.

【0064】このように、第2電子部品素子2とグラン
ド電位の端子電極56の最短間隔D1を0.15mm以
上として、第1電子部品素子の最短間隔D2を0.25
mm以上の値として、D2>D1となっている。図4の
結果のように、アンテナ端子ANTから入った静電サー
ジ信号を、静電サージ除去回路部Sのフィルタ機能効果
とによって、特に第2電子部品素子からグランド電位へ
の空中放電の効果を高めることにより、第1電子部品素
子1のダメージ、特にSAW素子のダメージを減少させ
ることができた。
Thus, the shortest distance D1 between the second electronic component element 2 and the terminal electrode 56 at the ground potential is 0.15 mm or more, and the shortest distance D2 of the first electronic component element is 0.25.
As a value of mm or more, D2> D1. As shown in the result of FIG. 4, the electrostatic surge signal that has entered from the antenna terminal ANT is particularly effective for the effect of air discharge from the second electronic component element to the ground potential by the effect of the filter function of the electrostatic surge eliminating circuit section S. By increasing the amount, damage to the first electronic component element 1, particularly damage to the SAW element, could be reduced.

【0065】また、第2電子部品素子2とグランド電位
の端子電極56の最短間隔D1が0.2mmを越える
と、第2電子部品素子2とグランド電位の端子電極56
との間の空中放電が発生しにくくなるため、最短間隔D
1を0.2mmを越えない値とすることが重要である。
When the shortest distance D1 between the second electronic component element 2 and the terminal electrode 56 at the ground potential exceeds 0.2 mm, the second electronic component element 2 and the terminal electrode 56 at the ground potential are formed.
The shortest distance D
It is important to set 1 to a value not exceeding 0.2 mm.

【0066】具体的な高周波モジュール部品構造は、以
下のとおりである。多層配線基板51は、ガラスセラミ
ック材料からなる誘電体層52が複数積層した基板から
なり、各誘電体層52の層間には、配線、ストリップラ
イン、グランド電位の導体膜が配置され、さらに、各誘
電体層52を貫通するビアホール導体が形成されてい
る。この配線、ストリップライン、グランド電位を含め
て内部配線パターンとなる。また、多層回路基板51の
一方主面に、配線、ストリッフライン、グランド配線、
インダクタンス素子、コンデンサ素子、スイッチングダ
イオード、抵抗、SAW素子などの各電子部品素子54
が搭載されている。尚、内部の配線パターン55及び誘
電体層52を利用してコンデンサ素子が形成され、ま
た、基板表面の配線パターンの一部を厚膜抵抗体膜によ
って、抵抗素子が形成されている。ここで、電子部品素
子54は、スイッチ回路部SWを構成する第1電子部品
素子1であり、また、静電サージ除去回路部Sを構成す
る電子部品素子54である。また、第1電子部品素子1
のなかで、SAW素子SFについては、他の電子部品素
子とは異なる扱いを要する。即ち、SA素子SFは、埃
を嫌うために気密的封止が必要となる。多層配線基板5
1上に搭載されているSAW素子SFは、例えば、リチ
ウムタンタレート単結晶基板などの圧電基板上にバラン
ス出力型インタデジタル電極(櫛歯電極)が形成されて
おり、例えば、多層配線基板51の表面配線パターン5
3にフィリップチップ実装されて、圧電基板を気密封止
可能な筐体状ケースで被覆する必要がある。
The specific high-frequency module component structure is as follows. The multilayer wiring board 51 is made of a substrate in which a plurality of dielectric layers 52 made of a glass ceramic material are laminated, wirings, strip lines, and a conductor film of ground potential are arranged between the layers of the dielectric layers 52. Via-hole conductors are formed so as to penetrate the dielectric layer 52. An internal wiring pattern including this wiring, strip line, and ground potential is formed. In addition, on one main surface of the multilayer circuit board 51, wiring, a strip line, a ground wiring,
Each electronic component element 54 such as an inductance element, a capacitor element, a switching diode, a resistor, a SAW element
Is installed. A capacitor element is formed by utilizing the internal wiring pattern 55 and the dielectric layer 52, and a resistance element is formed by a thick film resistor film on a part of the wiring pattern on the substrate surface. Here, the electronic component element 54 is the first electronic component element 1 forming the switch circuit section SW, and is also the electronic component element 54 forming the electrostatic surge eliminating circuit section S. In addition, the first electronic component element 1
Among them, the SAW element SF needs to be treated differently from other electronic component elements. That is, the SA element SF needs to be hermetically sealed because it does not like dust. Multilayer wiring board 5
In the SAW element SF mounted on the substrate 1, balanced output type interdigital electrodes (comb-shaped electrodes) are formed on a piezoelectric substrate such as a lithium tantalate single crystal substrate. Surface wiring pattern 5
It is necessary to cover the piezoelectric substrate with a casing-like case that can be hermetically sealed by being mounted on the piezoelectric chip of FIG.

【0067】また、高周波モジュール部品として、静電
サージ除去回路部Sを有するスイッチ回路部SW以外
に、特に受信回路やその一部、送信回路やその一部を一
体化する場合には、ICチップが必要となる。この場
合、多層配線基板51の表面にキャビティを形成し、こ
のキャビティ内に、SAW素子SFとともに、ICチッ
プを収容して、ボンディングワイヤやフリップチップで
キャビティ内に露出した内部配線パターンに接続し、そ
のキャビティ開口を金属蓋体で気密封止を行ってもよ
い。
Further, as a high frequency module component, in addition to the switch circuit section SW having the electrostatic surge eliminating circuit section S, especially when a receiving circuit and a part thereof and a transmitting circuit and a part thereof are integrated, an IC chip Is required. In this case, a cavity is formed on the surface of the multilayer wiring board 51, the SAW element SF and the IC chip are housed in the cavity, and the IC chip is connected to the internal wiring pattern exposed in the cavity by a bonding wire or a flip chip. The cavity opening may be hermetically sealed with a metal lid.

【0068】また、内部配線パターン55は、銀、銀白
金、銅などからなり、特に、ストリップラインとなる導
体の幅は100〜150μm、厚みは5〜25μmであ
る。さらに、誘電体層52は、その厚みは1層当たり8
0μmで9層の積層で構成されている。
The internal wiring pattern 55 is made of silver, silver platinum, copper, or the like, and in particular, the conductor serving as a strip line has a width of 100 to 150 μm and a thickness of 5 to 25 μm. Further, the dielectric layer 52 has a thickness of 8 per layer.
It is composed of 9 layers with a thickness of 0 μm.

【0069】また、多層配線基板51の表面の配線パタ
ーン43には、各電子部品素子54が半田を介して、ま
た、ボンディングワイヤやハンダバンプによって電気的
に接続するように接合され、その後、これらの各電子部
品素子54を被覆するシールドケース58が取着されて
いる。このシールドケース58は、多層配線基板51の
端面に形成したグランド電位の端子電極56に、シール
ドケース58の脚部59でハンダを介して接合されて、
シールドケース58全体がグランド電位となる。
Further, each electronic component element 54 is joined to the wiring pattern 43 on the surface of the multilayer wiring board 51 via solder, and by a bonding wire or a solder bump so as to be electrically connected. A shield case 58 that covers each electronic component element 54 is attached. The shield case 58 is joined to the terminal electrode 56 of the ground potential formed on the end surface of the multilayer wiring board 51 via the legs 59 of the shield case 58 via solder,
The entire shield case 58 has the ground potential.

【0070】これにより、高周波モジュール部品は、多
層配線基板51の上面側は、シールドケース58が、多
層配線基板51の底面側は例えばグランド電位の導体膜
が配置されているため、全体としてシールドされた容器
に囲われていることになり、外来ノイズ、または、スイ
ッチ回路部SWの特にスイッチングダイオードなどから
発生し、外部の回路に影響を与えるノイズを低減してい
る。
As a result, in the high frequency module component, the shield case 58 is arranged on the upper surface side of the multilayer wiring board 51 and the conductor film of the ground potential, for example, is arranged on the bottom surface side of the multilayer wiring board 51, so that it is shielded as a whole. Since it is surrounded by a container, external noise, or noise generated from the switching diode of the switch circuit unit SW and affecting the external circuit is reduced.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上のように、アンテナとスイッチの間
にハイパスフィルタ機能の静電サージ除去回路を配置し
ている。特に、静電サージ除去回路部を構成する電子部
品素子とグランド電位の端子電極との間の最短間隔を適
切に設定したため、スイッチ回路部のスイッチングダイ
オードやSAW素子などが静電サージ信号の影響を受け
ず、最良の特性を得ることができる。
As described above, the electrostatic surge eliminating circuit having a high-pass filter function is arranged between the antenna and the switch. In particular, since the shortest distance between the electronic component element that constitutes the electrostatic surge elimination circuit section and the terminal electrode at the ground potential is set appropriately, the switching diode or the SAW element in the switch circuit section is affected by the electrostatic surge signal. It is possible to obtain the best characteristics without receiving it.

【0072】特に、静電サージ除去回路のカットオフ周
波数を600〜800MHzとすることで、通信システ
ムの送受信、特に、GSM通信システムなどの通信帯域
の特性を劣化させることなく十分な静電サージ対策を施
すことができる。
Particularly, by setting the cut-off frequency of the electrostatic surge eliminating circuit to 600 to 800 MHz, sufficient electrostatic surge countermeasure can be performed without deteriorating the transmission / reception of the communication system, especially the characteristics of the communication band of the GSM communication system or the like. Can be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の高周波モジュール部品の回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency module component of the present invention.

【図2】本発明の他の高周波モジュール部品の回路図で
ある。
FIG. 2 is a circuit diagram of another high frequency module component of the present invention.

【図3】本発明の高周波モジュール部品の部分平面図で
ある。
FIG. 3 is a partial plan view of the high frequency module component of the present invention.

【図4】本発明の条件を決めるカットオフ周波数と静電
サージ電圧低下及びGSM通信システムの通過帯域ロス
の関係を示す特性図である。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the cutoff frequency that determines the conditions of the present invention, the electrostatic surge voltage drop, and the passband loss of the GSM communication system.

【図5】典型的な高周波モジュール部品の分解斜視図で
ある。
FIG. 5 is an exploded perspective view of a typical high frequency module component.

【図6】従来の高周波モジュール部品の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional high frequency module component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50 高周波モジュール部品 51 多層配線基板 52 誘電体層 53 配線パターン 54 電子部品 56 グランド電位の端子電極 S 静電サージ除去回路部 SW スイッチング回路部 1 第1電子部品素子 2 第2電子部品素子 50 high frequency module parts 51 multilayer wiring board 52 Dielectric layer 53 wiring pattern 54 Electronic components 56 Terminal electrode of ground potential S Electrostatic surge elimination circuit section SW switching circuit section 1 First electronic component element 2 Second electronic component element

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多層配線基板の表面に、アンテナから受
信された受信信号を受信回路に、送信回路の送信信号を
アンテナに夫々選択的に供給制御するスイッチ回路部を
構成する第1電子部品素子と、 前記アンテナと前記スイッチ回路部との間に配置され、
アンテナ端子から侵入するサージ電圧を減衰させる静電
サージ除去回路部を構成する第2電子部品素子とを搭載
するとともに、 前記多層配線基板の端面に、グランド電位の端子電極及
びアンテナに接続するアンテナ端子電極を形成してなる
高周波モジュール部品において、 前記第2電子部品素子と前記グランド電位の端子電極ま
での最短間隔をD1、前記第1電子部品素子と前記第2
電子部品素子との最短間隔をD2とした時、D1<D2
を満足することを特徴とする高周波モジュール部品。
1. A first electronic component element constituting a switch circuit section on a surface of a multilayer wiring board for selectively controlling a supply of a reception signal received from an antenna to a reception circuit and a transmission signal of a transmission circuit to an antenna. And disposed between the antenna and the switch circuit unit,
A second electronic component element that constitutes an electrostatic surge elimination circuit portion that attenuates a surge voltage that intrudes from the antenna terminal is mounted, and an antenna terminal that is connected to the terminal electrode at the ground potential and the antenna is provided on the end face of the multilayer wiring board. In a high-frequency module component having electrodes, the shortest distance between the second electronic component element and the terminal electrode at the ground potential is D1, the first electronic component element and the second electronic component element.
When the shortest distance from the electronic component element is D2, D1 <D2
High-frequency module parts that satisfy the above requirements.
【請求項2】 前記第2電子部品素子は、カットオフ周
波数が600〜800MHzのハイパスフィルタである
ことを特徴とする請求項1記載の高周波モジュール部
品。
2. The high frequency module component according to claim 1, wherein the second electronic component element is a high-pass filter having a cutoff frequency of 600 to 800 MHz.
【請求項3】前記最短間隔D1が0.15〜0.2mm
の範囲であり、前記最短間隔D2が0.25mm以上の
値であることを特徴とする請求項1記載の高周波モジュ
ール部品。
3. The shortest distance D1 is 0.15 to 0.2 mm.
2. The high-frequency module component according to claim 1, wherein the shortest distance D2 is a value of 0.25 mm or more.
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