JP2003285175A - Laser beam machining method - Google Patents
Laser beam machining methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工方法に
関し、特に加工対象物の表面に沿ったガス流を形成しな
がら、加工対象物の表面にレーザビームを入射させて穴
を形成するレーザ加工方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method, and more particularly to laser processing for forming a hole by making a laser beam incident on the surface of an object to be processed while forming a gas flow along the surface of the object to be processed. Regarding the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体パッケージ基板等のプリント配線
板にレーザビームを入射させて、内層配線と上層配線と
を接続するための穴を形成することができる。高密度実
装が進むに従って、パッケージ基板に形成する穴が微細
化してきており、穴径のばらつきを少なくする技術が望
まれている。例えば、直径５０μｍの穴を形成する場
合、５０μｍ±２．５μｍ程度の穴径の精度が求められ
ている。2. Description of the Related Art A laser beam can be incident on a printed wiring board such as a semiconductor package substrate to form a hole for connecting an inner layer wiring and an upper layer wiring. With the progress of high-density mounting, the holes formed in the package substrate are becoming finer, and a technique for reducing the variation in hole diameter is desired. For example, when forming a hole having a diameter of 50 μm, accuracy of a hole diameter of about 50 μm ± 2.5 μm is required.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ加工方法
では、形成された穴の径のばらつきを上述の範囲に収め
ることが困難であった。In the conventional laser processing method, it was difficult to keep the variation in the diameter of the formed hole within the above range.
【０００４】本発明の目的は、穴径のばらつきを少なく
することが可能なレーザ加工方法を提供することであ
る。An object of the present invention is to provide a laser processing method capable of reducing variations in hole diameter.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、加工対象物の表面に沿ってガスを流しながら、該加
工対象物の表面にレーザビームを入射させ、入射位置を
移動させることによって複数の穴を形成する工程を有
し、既に形成された穴の中心を始点とし、次に形成され
る穴の中心を終点とするベクトルと、前記加工対象物の
表面の法線に平行な視線で見たときのガスの流れを示す
ベクトルとのなす角が４５°以上になる方向にレーザビ
ームの入射位置を移動させ、４５°未満になる方向には
移動させないレーザ加工方法が提供される。According to one aspect of the present invention, a laser beam is incident on the surface of an object to be processed while moving a gas along the surface of the object to be processed, and the incident position is moved. A vector having a step of forming a plurality of holes and having the center of a hole already formed as a starting point and the center of the hole formed next as an ending point, and a line of sight parallel to the normal line of the surface of the object to be processed. There is provided a laser processing method in which an incident position of a laser beam is moved in a direction in which an angle formed by a vector showing a gas flow when viewed at 1 is 45 ° or more and is not moved in a direction less than 45 °.
【０００６】上述の方向にレーザビームの入射位置を移
動させると、直前に形成された穴の位置で発生した微粒
子の影響を受けることなく、次の穴を形成することがで
きる。また、上述の角を９０°以上にすることにより、
より高い効果が期待される。When the incident position of the laser beam is moved in the above direction, the next hole can be formed without being affected by the fine particles generated at the position of the hole formed immediately before. In addition, by setting the above angle to 90 ° or more,
Higher effect is expected.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】図１に、本発明の実施例によるレ
ーザ加工方法で使用されるレーザ加工装置の概略図を示
す。レーザ光源１が、加工用のパルスレーザビームを出
射する。1 is a schematic view of a laser processing apparatus used in a laser processing method according to an embodiment of the present invention. The laser light source 1 emits a pulsed laser beam for processing.
【０００８】図１（Ｂ）に、レーザ光源１の構成を示
す。全反射鏡１０と部分反射鏡１１とにより、光共振器
が画定されている。光共振器内に、レーザ媒質１２及び
波長変換素子１３が配置されている。レーザ媒質１２と
して、Ｎｄ：ＹＡＧが用いられる。波長変換素子１３と
して、ＢＢＯやＫＤＰ光学結晶を用いることができる。
部分反射鏡１１から、波長３５５ｎｍのパルスビームが
出射する。なお、波長変換素子１３を光共振器の外に出
してもよい。FIG. 1B shows the structure of the laser light source 1. An optical resonator is defined by the total reflection mirror 10 and the partial reflection mirror 11. The laser medium 12 and the wavelength conversion element 13 are arranged in the optical resonator. Nd: YAG is used as the laser medium 12. As the wavelength conversion element 13, BBO or KDP optical crystal can be used.
A pulse beam having a wavelength of 355 nm is emitted from the partial reflecting mirror 11. The wavelength conversion element 13 may be provided outside the optical resonator.
【０００９】レーザ光源１の代わりに、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザの第２高調波、第４高調波、または第５高調波を出
射するレーザ光源を使用することもできる。さらに、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザの代わりに、Ｎｄ：ＹＬＦレーザやＮ
ｄ：ＹＶＯ4レーザを使用することも可能である。ま
た、炭酸ガスレーザ等の赤外レーザを使用してもよい。Instead of the laser light source 1, it is also possible to use a laser light source which emits the second harmonic, the fourth harmonic, or the fifth harmonic of an Nd: YAG laser. Furthermore, N
Instead of d: YAG laser, Nd: YLF laser or N
It is also possible to use a d: YVO 4 laser. Alternatively, an infrared laser such as a carbon dioxide laser may be used.
【００１０】レーザ光源１から出射したレーザビーム
が、マスク２に入射する。マスク２に設けられた貫通孔
を通過したレーザビームが、折り返しミラー３に入射す
る。折り返しミラー３で反射されたレーザビームが、ガ
ルバノスキャナ４に入射する。ガルバノスキャナ４は、
一対の揺動可能な反射鏡を含んで構成され、レーザビー
ムを２次元方向に走査する。ガルバノスキャナ４で走査
されたレーザビームがｆθレンズ５で集束され、ＸＹス
テージ６に保持された加工対象物８に入射する。ｆθレ
ンズ５は、マスク２の貫通孔を加工対象物８の表面上に
結像させる。レーザ光源１及びガルバノスキャナ４は、
制御装置２０によって制御される。The laser beam emitted from the laser light source 1 enters the mask 2. The laser beam that has passed through the through-hole provided in the mask 2 enters the folding mirror 3. The laser beam reflected by the folding mirror 3 enters the galvano scanner 4. The galvano scanner 4
It is configured to include a pair of swingable reflecting mirrors, and scans a laser beam in a two-dimensional direction. The laser beam scanned by the galvano scanner 4 is focused by the fθ lens 5 and is incident on the processing object 8 held on the XY stage 6. The fθ lens 5 forms an image of the through hole of the mask 2 on the surface of the processing object 8. The laser light source 1 and the galvano scanner 4 are
It is controlled by the controller 20.
【００１１】エアノズル７が、空気を加工対象物８に向
かって噴き付ける。加工対象物８に噴き付けられた空気
は、加工対象物８の表面に沿って流れる。なお、空気以
外のガスを噴き付けてもよい。The air nozzle 7 blows air toward the workpiece 8. The air blown onto the processing object 8 flows along the surface of the processing object 8. Note that a gas other than air may be sprayed.
【００１２】図２（Ａ）にエアノズル７の正面図を示
す。エアノズル７の正面に空気を噴出すためのスリット
７Ａが設けられている。図２（Ｂ）に、図２（Ａ）の一
点鎖線Ｂ２−Ｂ２における断面図を示す。エアノズル７
内にガス流路７Ｂが形成されており、スリット７Ａが、
ガス流路７Ｂと外部の空間とを連通させる。ガス流路７
Ｂ内に高圧の空気を導入すると、スリット７Ａから空気
が噴き出し、カーテン状のガス流が形成される。FIG. 2A shows a front view of the air nozzle 7. A slit 7A for ejecting air is provided in front of the air nozzle 7. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along dashed-dotted line B2-B2 in FIG. Air nozzle 7
A gas flow path 7B is formed inside, and the slit 7A is
The gas flow path 7B is communicated with the external space. Gas flow path 7
When high-pressure air is introduced into B, the air is ejected from the slit 7A to form a curtain-shaped gas flow.
【００１３】図３（Ａ）に、加工対象物８の平面図を示
す。加工対象物８の表面上に、行列状に配置された複数
の単位領域２５が画定されている。各単位領域２５は、
図１に示したガルバノスキャナ４でレーザビームを走査
することが可能な大きさであり、例えば一辺が４０ｍｍ
の正方形である。ＸＹステージ６を動作させて１つの単
位領域２５をガルバノスキャナ４の走査可能範囲内に配
置し、ガルバノスキャナ４を動作させることによって、
１つの単位領域２５内の所望の位置にレーザビームを入
射させることができる。１つの単位領域２５内の加工が
終了すると、ＸＹステージ６を動作させて加工対象物８
を移動させることによって、他の単位領域２５内の加工
を行うことができる。FIG. 3A shows a plan view of the object 8 to be processed. A plurality of unit areas 25 arranged in a matrix are defined on the surface of the processing object 8. Each unit area 25 is
The size is such that the laser beam can be scanned by the galvano scanner 4 shown in FIG. 1, and one side is 40 mm, for example.
Is a square. By operating the XY stage 6 to arrange one unit area 25 within the scannable range of the galvano scanner 4 and operating the galvano scanner 4,
The laser beam can be made incident on a desired position in one unit area 25. When the processing within one unit area 25 is completed, the XY stage 6 is operated to move the processing object 8
By moving the, it is possible to perform processing in another unit area 25.
【００１４】図３（Ｂ）は、ガルバノスキャナ４の走査
可能範囲内に配置された単位領域２５及びエアノズル７
の位置関係を示す平面図である。単位領域２５内に、穴
を形成すべき複数の加工点３１が画定されている。単位
領域２５の表面に平行なＸＹ直交座標系を導入する。Ｘ
軸及びＹ軸は、単位領域２５の辺に平行である。加工対
象物８の表面の法線に平行な視線で見たとき、エアノズ
ル７からＹ軸の負の向きに空気が噴出される。噴き出さ
れる空気の流量は、例えば５０リットル／分である。FIG. 3B shows the unit area 25 and the air nozzle 7 arranged within the scannable range of the galvano scanner 4.
It is a plan view showing the positional relationship of. In the unit area 25, a plurality of processing points 31 where holes are to be formed are defined. An XY orthogonal coordinate system parallel to the surface of the unit area 25 is introduced. X
The axis and the Y axis are parallel to the sides of the unit area 25. Air is ejected from the air nozzle 7 in the negative direction of the Y-axis when viewed from a line of sight parallel to the normal to the surface of the processing object 8. The flow rate of air blown out is, for example, 50 liters / minute.
【００１５】図１に示したガルバノスキャナ４でレーザ
ビームを走査することにより、単位領域２５内の複数の
加工点３１に順番にレーザビームを入射させ、加工点３
１に穴を形成する。By scanning the laser beam with the galvano scanner 4 shown in FIG. 1, the laser beam is sequentially incident on a plurality of processing points 31 in the unit area 25, and the processing point 3
1. Make a hole in 1.
【００１６】既に形成された穴Ｈ0の中心を始点とし、
次に形成される穴Ｈ1の中心を終点とするベクトルをＶ2
とする。加工対象物の表面の法線に平行な視線で見たと
きのガスの流れを示すベクトルをＶ1とする。単位領域
２５内の全ての穴について、ベクトルＶ1とベクトルＶ2
とのなす角θが９０°以上になる方向にレーザビームの
入射位置を移動させ、９０°未満になる方向には移動さ
せない。Starting from the center of the hole H 0 already formed,
A vector whose end point is the center of the hole H 1 formed next is V 2
And Let V 1 be a vector showing the flow of gas when viewed from a line of sight parallel to the normal line of the surface of the object to be processed. For all holes in the unit area 25, vector V 1 and vector V 2
The incident position of the laser beam is moved in a direction in which the angle θ formed by and becomes 90 ° or more, and is not moved in a direction in which it is less than 90 °.
【００１７】次に、図４を参照して、上記実施例の効果
について説明する。図４（Ａ）及び（Ｂ）は、加工対象
物の加工部近傍の断面図を示す。ガラスエポキシからな
る支持基板４０の表面上に銅からなる内層配線４１が形
成されている。内層配線４１を覆うように、支持基板４
０の上にポリイミドからなる絶縁層４２が形成されてい
る。図の右から左に向かって空気の流れ５０が形成され
ているとする。Next, the effect of the above embodiment will be described with reference to FIG. 4 (A) and 4 (B) are cross-sectional views of the vicinity of the processed portion of the processing target object. An inner layer wiring 41 made of copper is formed on the surface of a support substrate 40 made of glass epoxy. The support substrate 4 covers the inner layer wiring 41.
An insulating layer 42 made of polyimide is formed on the surface of 0. It is assumed that an air flow 50 is formed from right to left in the figure.
【００１８】レーザビームを入射させることにより、１
つの内層配線４１の一部を露出させる穴４３が形成され
ている。レーザビームの入射によって絶縁膜４２が熱分
解されて穴４３が形成されるときに、絶縁膜４２から発
生した微粒子４４が飛散し、空気の流れ５０に乗って下
流側に流れる。By injecting a laser beam, 1
A hole 43 is formed to expose a part of one inner layer wiring 41. When the insulating film 42 is thermally decomposed by the incidence of the laser beam to form the holes 43, the fine particles 44 generated from the insulating film 42 scatter and flow along the air flow 50 to the downstream side.
【００１９】図４（Ａ）に示すように、穴４３を形成し
た後、穴４３よりも下流側の加工点にレーザビーム５１
を入射させると、飛散した微粒子４４によってレーザビ
ームが減衰したり、ビームスポットが大きくなったりす
る。このため、所望の大きさ及び深さの穴を形成するこ
とができなくなる。図４（Ｂ）に示すように、穴４３を
形成した後、穴４３よりも上流側の加工点にレーザビー
ム５１を入射させると、微粒子４４の影響を受けにくく
なる。As shown in FIG. 4 (A), after forming the hole 43, the laser beam 51 is formed at the processing point on the downstream side of the hole 43.
Is incident, the scattered fine particles 44 may attenuate the laser beam or increase the beam spot. Therefore, it becomes impossible to form a hole having a desired size and depth. As shown in FIG. 4B, when the laser beam 51 is made incident on the processing point on the upstream side of the hole 43 after forming the hole 43, the influence of the fine particles 44 is reduced.
【００２０】図３（Ｂ）に示した穴Ｈ0を形成するとき
に発生した微粒子は、ベクトルＶ1の方向に飛散する。
上記実施例では、ベクトルＶ1とベクトルＶ2とのなす角
θが９０°以上に設定されている。このため、穴Ｈ0を
形成するときに発生した微粒子の影響を受けることな
く、次の穴Ｈ1を形成することができる。The fine particles generated when forming the hole H 0 shown in FIG. 3B scatter in the direction of the vector V 1 .
In the above embodiment, the angle θ formed by the vector V 1 and the vector V 2 is set to 90 ° or more. Therefore, the next hole H 1 can be formed without being affected by the fine particles generated when forming the hole H 0 .
【００２１】図３（Ｃ）にレーザビームのビームスポッ
トの軌跡の一例を示す。なお、ビームスポットは、実際
にはある間隔で飛び飛びに移動するが、図３（Ｃ）で
は、移動の様子を連続した実線で示している。ビームス
ポットは、主走査方向がＸ軸と平行になり、副走査方向
がＹ軸の正の向き（空気の流れと反対の向き）になるよ
うに、徐々に空気の流れの上流側に向かって移動する。
主走査期間中は、図３（Ｂ）に示した角θが９０°にな
り、副走査期間中は、角θが１８０°になる。FIG. 3C shows an example of the locus of the beam spot of the laser beam. Note that the beam spot actually moves in discrete intervals at a certain interval, but in FIG. 3C, the moving state is shown by a continuous solid line. The beam spot gradually moves toward the upstream side of the air flow so that the main scanning direction becomes parallel to the X axis and the sub scanning direction becomes the positive direction of the Y axis (opposite direction to the air flow). Moving.
The angle θ shown in FIG. 3B is 90 ° during the main scanning period, and the angle θ is 180 ° during the sub-scanning period.
【００２２】また、主走査方向がＹ軸の正の向きと一致
するように走査してもよい。この場合、Ｙ軸方向（主走
査方向）に関して正の向きにのみ走査される。上記実施
例では、図３（Ｂ）に示した角θを９０°以上とした
が、直前に形成された穴から飛散した微粒子の影響を受
けない角度であれば、９０°以下でもよい。例えば、角
θが必ず４５°以上になるように走査しても、十分な効
果が得られるであろう。Further, scanning may be performed so that the main scanning direction coincides with the positive direction of the Y axis. In this case, scanning is performed only in the positive direction with respect to the Y-axis direction (main scanning direction). In the above embodiment, the angle θ shown in FIG. 3B is 90 ° or more, but it may be 90 ° or less as long as it is not affected by the particles scattered from the hole formed immediately before. For example, even if the scanning is performed so that the angle θ is always 45 ° or more, a sufficient effect will be obtained.
【００２３】ガルバノスキャナの応答速度が遅い場合に
は、直前に形成された穴から発生した微粒子が飛散して
しまった後に、次の穴が形成される。このため、飛散し
た微粒子の影響を受けにくい。上記実施例によるレーザ
加工方法は、特にガルバノスキャナの応答速度が１ｋＨ
ｚ以上のとき、すなわち、１つの穴が形成された後、次
に形成すべき穴の位置にパルスレーザビームが入射する
までの時間が１ｍｓ以下のときに顕著な効果が期待され
る。When the response speed of the galvano scanner is slow, the next hole is formed after the fine particles generated from the hole formed immediately before have scattered. Therefore, it is less likely to be affected by scattered fine particles. In the laser processing method according to the above embodiment, the response speed of the galvano scanner is 1 kHz.
When z or more, that is, when the time until the pulse laser beam is incident on the position of the hole to be formed next after one hole is formed is 1 ms or less, a remarkable effect is expected.
【００２４】次に、図５を参照して、他の実施例による
レーザ加工方法について説明する。図１〜図３に示した
実施例では、エアノズル７が１つだけ設けられていた
が、図５に示した実施例では、２つのエアノズル７Ｘ及
び７Ｙが配置されている。加工対象物の表面上に、ＸＹ
直交座標系を導入する。加工対象物の法線に平行な視線
で見たとき、エアノズル７Ｘは、Ｘ軸の負の方向に空気
を噴き出し、エアノズル７Ｙは、Ｙ軸の負の方向に空気
を噴き出す。Next, a laser processing method according to another embodiment will be described with reference to FIG. In the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, only one air nozzle 7 is provided, but in the embodiment shown in FIG. 5, two air nozzles 7X and 7Y are arranged. XY on the surface of the workpiece
Introduce a Cartesian coordinate system. The air nozzle 7X ejects air in the negative direction of the X axis and the air nozzle 7Y ejects air in the negative direction of the Y axis when viewed from a line of sight parallel to the normal line of the object to be processed.
【００２５】ビームスポットの移動方向を示すベクトル
Ｖ2とＸ軸の負の向きを示すベクトルとのなす角、及び
ベクトルＶ2とＹ軸の負の向きを示すベクトルとのなす
角が、いずれも４５°以上になるようにレーザビームが
走査される。このように走査することにより、直前に形
成された穴から飛散した微粒子の影響を受けにくくする
ことができる。The angle formed by the vector V 2 indicating the moving direction of the beam spot and the vector indicating the negative direction of the X axis and the angle formed by the vector V 2 and the vector indicating the negative direction of the Y axis are both. The laser beam is scanned so that the angle becomes 45 ° or more. By scanning in this manner, it is possible to reduce the influence of fine particles scattered from the hole formed immediately before.
【００２６】エアノズルが３個以上配置されている場合
には、ベクトルＶ2と、複数のガス噴出手段から噴出す
るガスの流れを示すベクトルとのなす角がいずれも４５
°以上になるようにレーザビームの入射位置を移動さ
せ、４５°未満になる方向には移動させないようにすれ
ばよい。When three or more air nozzles are arranged, the angle formed by the vector V 2 and the vector indicating the flow of gas ejected from the plurality of gas ejection means is 45.
The position of incidence of the laser beam may be moved so as to be equal to or more than 0 °, and should not be moved in the direction less than 45 °.
【００２７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。The present invention has been described above with reference to the embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
穴の形成時に発生した微粒子の影響を受けることなく、
次の穴を形成することができる。このため、形成される
穴の深さや大きさのばらつきを抑制することができる。As described above, according to the present invention,
Without being affected by the fine particles generated when forming the holes,
The following holes can be formed. Therefore, it is possible to suppress variations in the depth and size of the formed holes.
【図１】 （Ａ）は実施例によるレーザ加工装置の概略
図であり、（Ｂ）はレーザ光源の概略図である。1A is a schematic diagram of a laser processing apparatus according to an embodiment, and FIG. 1B is a schematic diagram of a laser light source.
【図２】 （Ａ）はエアノズルの正面図であり、（Ｂ）
はエアノズルの断面図である。FIG. 2A is a front view of an air nozzle, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view of an air nozzle.
【図３】 （Ａ）は加工対象物の平面図であり、（Ｂ）
は加工対象物の１つの単位領域とエアノズルとの位置関
係を示す平面図であり、（Ｃ）はレーザビームの走査方
法の一例を示す図である。FIG. 3A is a plan view of an object to be processed, and FIG.
FIG. 4A is a plan view showing a positional relationship between one unit region of a processing object and an air nozzle, and FIG. 6C is a diagram showing an example of a laser beam scanning method.
【図４】 （Ａ）は比較例による方法で加工するときの
加工部近傍の断面図であり、（Ｂ）は実施例による方法
で加工するときの加工部近傍の断面図である。FIG. 4A is a sectional view in the vicinity of a processed portion when processed by a method according to a comparative example, and FIG. 4B is a sectional view in the vicinity of a processed portion when processed by a method according to an example.
【図５】 他の実施例によるレーザ加工方法で使用され
る加工装置の加工対象物の１つの単位領域及びエアノズ
ルの位置関係を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a positional relationship between one unit area of a processing object and an air nozzle of a processing apparatus used in a laser processing method according to another embodiment.
１ レーザ光源 ２ マスク ３ 折り返しミラー ４ ガルバノミラー ５ ｆθレンズ ６ ＸＹステージ ７ エアノズル ８ 加工対象物 １０ 全反射鏡 １１ 部分反射鏡 １２ レーザ媒質 １３ 波長変換素子 ２０ 制御装置 ２５ 単位領域 ４０ 支持基板 ４１ 内層配線 ４２ 絶縁層 ４３ 穴 ４４ 微粒子 ５０ ガス流 ５１ レーザビーム 1 laser light source 2 mask 3 folding mirror 4 galvo mirror 5 fθ lens 6 XY stage 7 Air nozzle 8 Object to be processed 10 total reflection mirror 11 Partial reflector 12 Laser medium 13 Wavelength conversion element 20 Control device 25 unit area 40 Support substrate 41 Inner layer wiring 42 insulating layer 43 holes 44 fine particles 50 gas flow 51 laser beam
Claims (3)
がら、該加工対象物の表面にレーザビームを入射させ、
入射位置を移動させることによって複数の穴を形成する
工程を有し、 既に形成された穴の中心を始点とし、次に形成される穴
の中心を終点とするベクトルと、前記加工対象物の表面
の法線に平行な視線で見たときのガスの流れを示すベク
トルとのなす角が４５°以上になる方向にレーザビーム
の入射位置を移動させ、４５°未満になる方向には移動
させないレーザ加工方法。1. A laser beam is incident on the surface of the object to be processed while flowing a gas along the surface of the object to be processed,
There is a step of forming a plurality of holes by moving the incident position, a vector having the center of the hole already formed as a starting point and the center of the hole formed next as an ending point, and the surface of the object to be processed. A laser beam is moved in a direction in which the angle formed by a vector showing a gas flow when viewed from a line of sight parallel to the normal line is 45 ° or more, and is not moved in a direction less than 45 °. Processing method.
がら、該加工対象物の表面にレーザビームを入射させ、
入射位置を移動させることによって複数の穴を形成する
工程を有し、 既に形成された穴の中心を始点とし、次に形成される穴
の中心を終点とするベクトルと、ガスの流れを示すベク
トルとのなす角が９０°以上になるようにレーザビーム
の入射位置を移動させ、９０°未満になる方向には移動
させないレーザ加工方法。2. A laser beam is incident on the surface of the object to be processed while flowing a gas along the surface of the object to be processed,
There is a step of forming a plurality of holes by moving the incident position, a vector starting from the center of the already formed hole and ending at the center of the next hole, and a vector showing the gas flow. A laser processing method in which the incident position of the laser beam is moved so that the angle formed by and becomes 90 ° or more, but not in the direction of less than 90 °.
がら、該加工対象物の表面にレーザビームを入射させ、
入射位置を移動させることによって複数の穴を形成する
工程を有し、 ガスを流すためのガス噴出手段が複数個配置されてお
り、既に形成された穴の中心を始点とし、次に形成され
る穴の中心を終点とするベクトルと、前記加工対象物の
表面の法線に平行な視線で見たときの複数の前記ガス噴
出手段から噴出するガスの流れを示すベクトルとのなす
角がいずれも４５°以上になるようにレーザビームの入
射位置を移動させ、４５°未満になる方向には移動させ
ないレーザ加工方法。3. A laser beam is incident on the surface of the object to be processed while flowing a gas along the surface of the object to be processed,
There is a step of forming a plurality of holes by moving the incident position, and a plurality of gas jetting means for flowing a gas are arranged. Starting from the center of the already formed hole, it is formed next. The angle between the vector whose end point is the center of the hole and the vector showing the flow of gas ejected from the plurality of gas ejection means when viewed in a line of sight parallel to the normal line of the surface of the workpiece is both A laser processing method in which an incident position of a laser beam is moved so as to be 45 ° or more and is not moved in a direction less than 45 °.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085435A patent/JP2003285175A/en active Pending
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