JP2003282265A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JP2003282265A
JP2003282265A JP2002086316A JP2002086316A JP2003282265A JP 2003282265 A JP2003282265 A JP 2003282265A JP 2002086316 A JP2002086316 A JP 2002086316A JP 2002086316 A JP2002086316 A JP 2002086316A JP 2003282265 A JP2003282265 A JP 2003282265A
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JP
Japan
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light emitting
doped
organic
light
emitting layer
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Application number
JP2002086316A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuhiro Ide
伸弘 井出
Junji Kido
淳二 城戸
Kenji Tsubaki
健治 椿
Yukihiro Kondo
行廣 近藤
Yasuhisa Kishigami
泰久 岸上
Kenji Kono
謙司 河野
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element realizing a long service life and high luminous efficiency by specifying a luminescent organic substance doped into an organic luminescent layer. <P>SOLUTION: This organic electroluminescent element is provided, between a positive electrode 1 and a negative electrode 2, with the luminescent layers 3 each formed of an organic material with the luminescent organic substance doped. The element is provided with a plurality of luminescent layers 3a, 3b and 3c formed of the organic materials with luminescent organic substances different from one another doped, and a luminescent organic substance having an energy gap larger than those of the luminescent organic substances doped into the other luminescent layers 3b and 3c is doped into the luminescent layer 3a positioned on the nearest side to the negative electrode 2. By specifying the energy gaps of the luminescent organic substances doped into the luminescent layers 3 like this, the efficiency of carrier movement and energy movement between the adjacent luminescent layers 3 can be enhanced. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、液晶表示機用バックライト、照明光源など
に用いられる有機電界発光素子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device used for flat panel displays, backlights for liquid crystal displays, illumination light sources and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】フラットパネルディスプレイ、液晶表示
機用バックライト、照明光源などに用いられる発光体と
して、フラットパネルディスプレイの薄型化、液晶表示
機を備える電子機器の小型化や薄型化、あるいは照明器
具の形状の自由化などのために、薄く、軽量であり、か
つ高効率であるものが近年ますます要求されるようにな
っている。そしてこのような要求に応じることができる
ものとして、有機電界発光素子(有機エレクトロルミネ
ッセンス素子)が注目されている。
2. Description of the Related Art As a light emitter used for a flat panel display, a backlight for a liquid crystal display, a light source for illumination, etc., a flat panel display is made thinner, an electronic device having a liquid crystal display is made smaller and thinner, or a lighting device. In recent years, there has been an increasing demand for thin, lightweight, and highly efficient products due to the liberalization of the shape of the. As an element that can meet such requirements, an organic electroluminescence element (organic electroluminescence element) has been attracting attention.

【0003】有機電界発光素子が低電圧で発光すること
は、イーストマン・コダック社のC.W.Tangらに
より、電極間に二層の薄膜を積層した構成の素子におい
て初めて示された(Appl.Phys.Lett.,
51,12,913(1987))。そしてこれ以降、
有機電界発光素子は、電池などの10V程度の低電圧で
100〜100000cd/m2程度の高輝度の発光が
可能なこと、蛍光物質を構成する材料の組み合せで多数
の色を発光させることが可能なこと、非常に薄い面発光
体として使用可能なこと、などから産業界で注目され、
素子構成に改良を加えた種々の薄膜構成の有機電界発光
素子が検討されている。
The fact that the organic electroluminescent device emits light at a low voltage is described by C. of Eastman Kodak Company. W. Tang et al. Showed for the first time in an element having a structure in which two thin films are laminated between electrodes (Appl. Phys. Lett.,
51, 12, 913 (1987)). And after this,
The organic electroluminescent device can emit light with high brightness of about 100 to 100,000 cd / m 2 at a low voltage of about 10 V such as a battery, and can emit a large number of colors by combining the materials forming the fluorescent material. Because it can be used as a very thin surface light emitter, it has attracted attention in the industrial world,
Organic electroluminescent devices having various thin film structures, which are improvements in device structure, have been studied.

【0004】ここで、有機電界発光素子の基本的な素子
構成は、陽極/有機発光層/陰極であるが、その他、陽
極/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極の構
成や、陽極/ホール注入層/ホール輸送層/有機発光層
/電子輸送層/陰極の構成や、陽極/ホール注入層/有
機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極の構成や、陽
極/ホール注入層/有機発光層/電子注入層/陰極の構
成など、種々の構成のものが挙げられる。
Here, the basic device structure of the organic electroluminescent device is anode / organic light emitting layer / cathode, but in addition, the structure of anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / cathode, Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic emission layer / electron transport layer / cathode configuration, anode / hole injection layer / organic emission layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode configuration, anode / hole injection Various configurations such as a layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode configuration can be mentioned.

【0005】そして、有機電界発光素子の発光効率を向
上させることを目的として、上記の各層の最適化が検討
されている。すなわち、各層のイオン化ポテンシャル、
電子親和力の観点に注目した素子構成の検討が種々行な
われており、有機発光層とキャリア輸送層の界面でのホ
ールや電子のブロックによるホール−電子再結合効率の
向上、励起子の有機発光層内への閉じ込め等を実現する
素子構成が多数提案されている。例えば、特開2000
−68057号公報では、有機発光層を複数層に形成
し、各有機発光層のイオン化ポテンシャルを陽極から陰
極に向かって大きくなるようにする共に、有機発光層の
電子親和力を規定することによって、長寿命化と高い発
光効率を実現する試みがなされている。また特開平10
−74584号公報では、ホール輸送層と電子輸送層を
形成するホスト材料の電子親和力及びイオン化ポテンシ
ャルの大小関係を規定することによって、発光効率を高
める試みがなされている。
Optimization of each of the above layers has been studied for the purpose of improving the luminous efficiency of the organic electroluminescent device. That is, the ionization potential of each layer,
Various studies have been conducted on the device structure from the viewpoint of electron affinity, and the hole-electron recombination efficiency is improved by blocking holes and electrons at the interface between the organic light-emitting layer and the carrier transport layer. A number of device configurations have been proposed that can be confined inside. For example, JP 2000
In JP-A-68057, by forming an organic light emitting layer in a plurality of layers, increasing the ionization potential of each organic light emitting layer from the anode to the cathode, and defining the electron affinity of the organic light emitting layer, Attempts have been made to realize long life and high luminous efficiency. In addition, JP-A-10
In Japanese Patent No. 74584, an attempt is made to improve the luminous efficiency by defining the magnitude relationship between the electron affinity and the ionization potential of the host material forming the hole transport layer and the electron transport layer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来で
は、複数層の有機発光層を形成するホスト材料について
電子親和力やイオン化ポテンシャルを規定する試みがな
されているが、発光層にドープする発光性有機物質につ
いての検討はなされておらず、この点での有機電界発光
素子の長寿命化と高発光効率化の検討が不十分なもので
あった。
As described above, in the prior art, attempts have been made to define the electron affinity and ionization potential of a host material forming a plurality of organic light emitting layers. No studies have been made on organic substances, and in this respect, the studies on prolonging the life and increasing the luminous efficiency of organic electroluminescent elements have been insufficient.

【0007】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、発光層にドープする発光性有機物質を規定するこ
とによって、長寿命化と高い発光効率を実現するように
した有機電界発光素子を提供することを目的とするもの
である。
The present invention has been made in view of the above points, and an organic electroluminescent device having a long life and high light emission efficiency is defined by defining a light emitting organic substance to be doped in a light emitting layer. It is intended to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に、発光性有機物
質がドープされた有機材料よりなる発光層を備えた有機
電界発光素子において、異なる発光性有機物質がドープ
された有機材料よりなる複数層の発光層を備え、最も陰
極側に位置する発光層に、他の発光層にドープされてい
る発光性有機物質のエネルギーギャップより大きいエネ
ルギーギャップを有する発光性有機物質がドープされて
いることを特徴とするものである。
The organic electroluminescent device according to claim 1 of the present invention is an organic electroluminescent device comprising a light emitting layer made of an organic material doped with a light emitting organic substance between an anode and a cathode. The device has a plurality of light emitting layers made of organic materials doped with different light emitting organic substances, and the energy gap of the light emitting organic substance doped in the other light emitting layer in the light emitting layer closest to the cathode side. It is characterized in that it is doped with a luminescent organic material having a larger energy gap.

【0009】また請求項2の発明は、請求項1におい
て、発光層を3層以上備え、各発光層は、発光性有機物
質のエネルギーギャップの値が陰極側に位置するものか
ら順次小さくなるように発光性有機物質がドープされて
いることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, three or more light emitting layers are provided, and each light emitting layer is such that the energy gap value of the light emitting organic substance becomes smaller from the one located on the cathode side. Is doped with a luminescent organic material.

【0010】また請求項3の発明は、請求項1又は2の
隣合う発光層において、ドープされる発光性有機物質の
電子親和力(EA)の値(単位eV)が、 陽極側の発光層にドープされた発光性有機物質のEAの
値≧陰極側の発光層にドープされた発光性有機物質のE
Aの値−0.3 の関係を満たすように、各発光層に発光性有機物質がド
ープされていることを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the adjacent light emitting layers according to the first or second aspect, the value of the electron affinity (EA) (unit eV) of the light emitting organic substance to be doped is in the light emitting layer on the anode side. Value of EA of doped luminescent organic material ≧ E of luminescent organic material doped in the luminescent layer on the cathode side
It is characterized in that each light emitting layer is doped with a light emitting organic substance so as to satisfy the relationship of the value A of −0.3.

【0011】また請求項4の発明は、請求項1乃至3の
いずれかの隣合う発光層において、ドープされる発光性
有機物質のイオン化ポテンシャル(IP)の値(単位e
V)が、 陽極側の発光層にドープされた発光性有機物質のIPの
値≦陰極側の発光層にドープされた発光性有機物質のI
Pの値+0.3 の関係を満たすように、各発光層に発光性有機物質がド
ープされていることを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the invention, the value of the ionization potential (IP) of the luminescent organic substance doped in the adjacent light emitting layers according to any one of the first to third aspects (unit e).
V) is the value of IP of the luminescent organic substance doped in the luminescent layer on the anode side ≦ I of the luminescent organic substance doped in the luminescent layer on the cathode side
It is characterized in that each light emitting layer is doped with a light emitting organic substance so as to satisfy the relationship of P value + 0.3.

【0012】ここで、電子親和力(Electron
Affinity)とは、真空準位に対する有機物質の
伝導帯レベルを表す値の絶対値に相当し、イオン化ポテ
ンシャル(Ionization Potentia
l)とは、真空準位に対する有機物質の価電子帯レベル
を表す値の絶対値に相当する。またエネルギーギャップ
は、各有機物質においてそのイオン化ポテンシャルと電
子親和力の差に相当するものである。
Here, the electron affinity (Electron)
Affinity) corresponds to an absolute value of a value representing a conduction band level of an organic substance with respect to a vacuum level, and is an ionization potential (Ionization Potentia).
l) corresponds to the absolute value of the value representing the valence band level of the organic substance with respect to the vacuum level. The energy gap corresponds to the difference between the ionization potential and the electron affinity of each organic substance.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.

【0014】本発明に係る有機電界発光素子は、陽極1
と陰極2の間に、発光性有機物質(蛍光物質)がドープ
された有機材料よりなる複数層の有機発光層3を備えた
ものである。本発明の有機電界発光素子の積層構成は、
陽極1と陰極2の間の複数層の発光層3が本発明に相当
するものである限り、任意のものを用いることができ
る。図1は有機電界発光素子の一例を示すものであり、
基板10の表面上に透明導電膜などからなる陽極1を積
層し、陽極1の表面上にホール輸送層11を介して複数
層の有機発光層3を積層すると共に、さらにこの発光層
3の上に電子輸送層12を介して陰極2が積層してあ
る。これを基本構成として有機電界発光素子、すなわち
有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を
形成することができるものであり、陽極1に正電圧を、
陰極2に負電圧を印加すると、電子輸送層12を介して
発光層3に注入された電子と、ホール輸送層11を介し
て発光層3に注入されたホールとが、発光層3内にて結
合して発光が起こるものである。ここで、発光層3を複
数層以上の構成で形成することによって、任意の色調に
おいて発光効率の高い有機電界発光素子を得ることがで
き、特に白色など、単一の発光性有機物質からなる単一
層の発光層3では実現が難しい発光色を容易に、かつ必
要に応じて任意に得ることが可能になるものである。
The organic electroluminescent device according to the present invention comprises an anode 1
A plurality of organic light emitting layers 3 made of an organic material doped with a light emitting organic substance (fluorescent substance) are provided between the cathode and the cathode 2. The laminated structure of the organic electroluminescent element of the present invention is
As long as the plurality of light emitting layers 3 between the anode 1 and the cathode 2 correspond to the present invention, any one can be used. FIG. 1 shows an example of an organic electroluminescent device,
The anode 1 made of a transparent conductive film or the like is laminated on the surface of the substrate 10, a plurality of organic light emitting layers 3 are laminated on the surface of the anode 1 through the hole transport layer 11, and further on the light emitting layer 3. The cathode 2 is laminated on the cathode via the electron transport layer 12. An organic electroluminescent element, that is, an organic electroluminescent element (organic EL element) can be formed with this as a basic configuration, and a positive voltage is applied to the anode 1.
When a negative voltage is applied to the cathode 2, the electrons injected into the light emitting layer 3 via the electron transport layer 12 and the holes injected into the light emitting layer 3 via the hole transport layer 11 are generated in the light emitting layer 3. Light is emitted upon binding. Here, by forming the light emitting layer 3 in a structure of a plurality of layers or more, an organic electroluminescent device having a high light emitting efficiency in an arbitrary color tone can be obtained, and in particular, a single light emitting organic substance such as white is used. It is possible to easily and optionally obtain a luminescent color that is difficult to realize with the single luminescent layer 3.

【0015】本発明において発光性有機物質がドープさ
れた有機材料よりなる発光層3は複数層を積層した構成
に形成されるものであり、図1の実施の形態では3層の
発光層3a,3b,3cを積層した構成に形成してあ
る。そして本発明は、複数層の発光層3a,3b,3c
にドープする発光性有機物質として、最も陰極2に近い
発光層3aにドープする発光性有機物質のエネルギーギ
ャップの値が、それ以外の発光層3b、3cにドープす
る発光性有機物質のエネルギーギャップの値より大きく
なるよう選択するようにしたものであり、さらに発光層
3を三層以上で構成する場合、発光性有機物質のエネル
ギーギャップの値が、最も陰極2に近い発光層3aか
ら、発光層3b、発光層3cへと順次小さくなるように
発光性有機物質を選択してドープするようにしたもので
ある。
In the present invention, the light emitting layer 3 made of an organic material doped with a light emitting organic material is formed by laminating a plurality of layers. In the embodiment of FIG. 1, three light emitting layers 3a, 3b and 3c are laminated. And the present invention is directed to a plurality of light emitting layers 3a, 3b, 3c.
The value of the energy gap of the light-emitting organic substance doped in the light-emitting layer 3a closest to the cathode 2 as the light-emitting organic substance doped in the second is equal to the energy gap of the light-emitting organic substance doped in the other light-emitting layers 3b, 3c. When the light emitting layer 3 is composed of three or more layers, the value of the energy gap of the light emitting organic material is from the light emitting layer 3a closest to the cathode 2 to the light emitting layer. 3b and the light emitting layer 3c are sequentially doped so that the light emitting organic material is selected so as to become smaller.

【0016】本発明において発光層3に用いることので
きる発光性有機物質としては、公知の任意のものを挙げ
ることができる。例えば、アントラセン、ナフタレン、
ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリ
レン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テト
ラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、
ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジ
エン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノ
リナート)アルミニウム錯体、トリス(4-メチル−8
−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェ
ニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキ
ノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p
−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−
2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、
キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジ
スチルアリーレン誘導体、及びこれらの発光性化合物か
らなる基を分子内の一部に有するものであるが、これに
限定されるものではない。またこれらの化合物に代表さ
れる蛍光色素由来の化合物のみならず、三重項状態から
の燐光発光が可能な発光材料も好適に用いることができ
る。
As the light-emitting organic substance that can be used in the light-emitting layer 3 in the present invention, any known substance can be used. For example, anthracene, naphthalene,
Pyrene, tetracene, coronene, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole,
Bisbenzoxazoline, bisstyryl, cyclopentadiene, quinoline metal complex, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex, tris (4-methyl-8)
-Quinolinato) aluminum complex, tris (5-phenyl-8-quinolinato) aluminum complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, tri- (p
-Terphenyl-4-yl) amine, 1-aryl-
2,5-di (2-thienyl) pyrrole derivative, pyran,
A quinacridone, a rubrene, a distilbenzene derivative, a distilarylene derivative, and a group containing a light-emitting compound of these are included in a part of the molecule, but not limited thereto. Further, not only compounds derived from fluorescent dyes represented by these compounds, but also light emitting materials capable of phosphorescent emission from the triplet state can be preferably used.

【0017】発光層3のホスト材料としては、電子輸送
性の材料、ホール輸送性の材料のいずれも使用すること
ができるものである。またこれらを混合して用いること
もできるものであり、さらに層内で濃度勾配を有する状
態で、陽極1の側ではホール輸送性の材料の割合が多
く、陰極2の側になるに従って電子輸送性の材料の割合
が多くなるようにして用いることもできる。電子輸送性
のホスト材料やホール輸送性のホスト材料としては特に
制限されるものではないが、後述するホール輸送層11
を構成する材料や、電子輸送層12を構成する材料に相
当するものから、適宜選択して用いることができる。
As the host material of the light emitting layer 3, both an electron transporting material and a hole transporting material can be used. It is also possible to use a mixture of these, and in the state where there is a concentration gradient in the layer, the proportion of hole transporting material is large on the anode 1 side, and the electron transporting property becomes closer to the cathode 2 side. It is also possible to use it by increasing the ratio of the material. The electron-transporting host material and the hole-transporting host material are not particularly limited, but the hole-transporting layer 11 described later is used.
It can be appropriately selected and used from the materials constituting the above and the materials constituting the electron transport layer 12.

【0018】発光層3のホスト材料は電子輸送性、ホー
ル輸送性のいずれでもよいが、例えば、陰極2に最も近
い発光層3aを電子輸送性のホスト材料、他の発光層3
b、3cをホール輸送性のホスト材料を用いて形成した
り、陰極2に近い側の発光層3a,3bを電子輸送性の
ホスト材料、陽極1に最も近い発光層3cをホール輸送
性のホスト材料を用いて形成したり、陰極2に最も近い
発光層3aを電子輸送性のホスト材料、中間の発光層3
bを電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材
料の混合物、陽極1に最も近い発光層3cをホール輸送
性のホスト材料を用いて形成したり、発光層3a,3
b,3cの総てを電子輸送性のホスト材料で形成した
り、発光層3a,3b,3cの総てを電子輸送性のホス
ト材料とホール輸送性のホスト材料の混合物で形成した
り、あるいは上記のような濃度勾配を有するホスト材料
で形成したりすることができるものである。素子寿命の
観点からは、ホール輸送性のホスト材料からなる発光層
3と、電子輸送性のホスト材料からなる発光層3をそれ
ぞれ少なくとも一層設けることが好ましいが、これに限
定されるものではない。またドープされた発光性有機材
料へのキャリア注入性やエネルギー移動の観点から、ホ
スト材料と発光性有機材料との組み合わせを適正化する
ことは好ましいことであり、このために発光層3に用い
るホスト材料が各発光層3において異なるものとなって
もよく、素子の性能、製造プロセス等の観点から任意に
構成を設定することができるものである。
The host material of the light emitting layer 3 may have either an electron transporting property or a hole transporting property. For example, the light emitting layer 3a closest to the cathode 2 is an electron transporting host material and another light emitting layer 3 is used.
b and 3c are formed using a hole transporting host material, the light emitting layers 3a and 3b on the side closer to the cathode 2 are electron transporting host materials, and the light emitting layer 3c closest to the anode 1 is a hole transporting host. The light emitting layer 3a closest to the cathode 2 is formed of a material, and an electron transporting host material is used as the intermediate light emitting layer 3
b is a mixture of an electron transporting host material and a hole transporting host material, the light emitting layer 3c closest to the anode 1 is formed using a hole transporting host material, or the light emitting layers 3a, 3 are formed.
b, 3c are all formed of an electron transporting host material, or all of the light emitting layers 3a, 3b, 3c are formed of a mixture of an electron transporting host material and a hole transporting host material, or It can be formed of a host material having the above concentration gradient. From the viewpoint of device life, it is preferable to provide at least one light emitting layer 3 made of a hole transporting host material and at least one light emitting layer 3 made of an electron transporting host material, but the present invention is not limited thereto. In addition, it is preferable to optimize the combination of the host material and the light-emitting organic material from the viewpoint of carrier injection property and energy transfer to the doped light-emitting organic material. The materials may be different in each light emitting layer 3, and the configuration can be set arbitrarily from the viewpoint of device performance, manufacturing process, and the like.

【0019】本発明では既述のように、複数層の発光層
3のうち、最も陰極2側に位置する発光層3aにドープ
する発光性有機物質として、その他の発光層3b,3c
にドープする発光性有機物質のエネルギーギャップより
大きなエネルギーギャップを有するものを用いるもので
ある。そして発光層3が3層以上の多層構成の場合、、
各発光層3a,3b,3cには、最も陰極2側に位置す
る発光層3aに最もエネルギーギャップが大きい発光性
有機物質をドープし、陰極2から離れる従って、発光層
3b、発光層3cの順に、順次エネルギーギャップが小
さくなるように発光性物質をドープするのが好ましい。
複数層の発光層3にそれぞれドープされる発光性有機物
質がこの条件を満たさないと、隣合う発光層3間のキャ
リア移動や、エネルギー移動の効率が低下し、本発明の
目的を達成することが困難になるものである。
In the present invention, as described above, among the plural light emitting layers 3, the light emitting layer 3a located closest to the cathode 2 side is doped with the other light emitting layers 3b and 3c as the light emitting organic substance.
A material having an energy gap larger than that of the light-emitting organic substance to be doped with is used. When the light emitting layer 3 has a multi-layer structure of three or more layers,
In each of the light emitting layers 3a, 3b, 3c, the light emitting layer 3a located closest to the cathode 2 is doped with a light emitting organic substance having the largest energy gap and is separated from the cathode 2. Therefore, the light emitting layer 3b and the light emitting layer 3c are arranged in this order. It is preferable to dope the luminescent material so that the energy gap becomes smaller successively.
If the light-emitting organic substance doped in each of the plurality of light-emitting layers 3 does not satisfy this condition, the efficiency of carrier transfer and energy transfer between the adjacent light-emitting layers 3 is lowered, and the object of the present invention is achieved. Will be difficult.

【0020】また本発明では、隣合う発光層3におい
て、各発光層3にドープされる発光性有機物質の電子親
和力(EA)の値(単位eV)が次の関係になるように
設定するのが好ましい。
Further, in the present invention, in the adjacent light emitting layers 3, the value (unit eV) of the electron affinity (EA) of the light emitting organic substance doped in each light emitting layer 3 is set to have the following relationship. Is preferred.

【0021】陽極側の発光層にドープされた発光性有機
物質のEAの値≧陰極側の発光層にドープされた発光性
有機物質のEAの値−0.3 ここで、隣合う発光層3とは、発光層3同士が直接接し
ている場合は勿論、発光層3間に非発光性の層、例えば
絶縁層等が形成されている場合であってもかまわない。
この条件を満たさないと、陰極2から注入された電子が
隣合う一方の発光層3から陽極1側の発光層3に注入さ
れる効率が低下することがあり、有機電界発光素子の色
度安定性、寿命、発光効率等が低下するおそれがあるの
で好ましくない。
EA value of luminescent organic material doped in anode-side luminescent layer ≧ EA value of luminescent organic material doped in cathode-side luminescent layer-0.3 where adjacent luminescent layer 3 The term "is not limited to the case where the light emitting layers 3 are in direct contact with each other, and may be the case where a non-light emitting layer such as an insulating layer is formed between the light emitting layers 3.
If this condition is not satisfied, the efficiency with which electrons injected from the cathode 2 are injected from the adjacent one light emitting layer 3 to the light emitting layer 3 on the anode 1 side may decrease, and the chromaticity stability of the organic electroluminescent device may be reduced. Properties, lifespan, luminous efficiency, etc. may decrease, which is not preferable.

【0022】さらに本発明では、隣合う発光層におい
て、各発光層3にドープされる発光性有機物質のイオン
化ポテンシャル(IP)の値(単位eV)が次の関係に
なるように設定するのが好ましい。
Further, in the present invention, in adjacent light emitting layers, the value (unit eV) of the ionization potential (IP) of the light emitting organic substance doped in each light emitting layer 3 is set to have the following relationship. preferable.

【0023】陽極側の発光層にドープされた発光性有機
物質のIPの値≦陰極側の発光層にドープされた発光性
有機物質のIPの値+0.3 この条件を満たさないと、陽極1から注入されたホール
が隣合う一方の発光層3から陰極2側の発光層3に注入
される効率が低下することがあり、有機電界発光素子の
色度安定性、寿命、発光効率等が低下するおそれがある
ので好ましくない。
IP value of light-emitting organic substance doped in the light-emitting layer on the anode side ≦ IP value of light-emitting organic substance doped in the light-emitting layer on the cathode side + 0.3 Unless this condition is satisfied, the anode 1 The efficiency of the holes injected from the adjacent one light emitting layer 3 being injected into the light emitting layer 3 on the cathode 2 side may be reduced, and the chromaticity stability, life, light emission efficiency, etc. of the organic electroluminescent element may be reduced. It is not preferable because it may occur.

【0024】以上の条件を満たす発光性有機物質のエネ
ルギーギャップ、電子親和力(EA)、イオン化ポテン
シャル(IP)の関係を、図1のような三層構成の発光
層3a,3b,3bについて例示する。例えば図2に示
すように、発光層3a,3b,3cにドープされた発光
性有機材料のEAの値をL1,L2,L3、IPをH
1,H2,H3とすると、発光層3a,3b,3cのエ
ネルギーギャップはそれぞれH1−L1、H2−L2、
H3−L3である。そしてエネルギーギャップの上記の
条件から、H1−L1>H2−L2、H2−L2>H3
−L3である。また電子親和力(EA)の上記の条件か
ら、L2−L1≧−0.3、L3−L2≧−0.3であ
る。さらにイオン化ポテンシャル(IP)の上記の条件
から、H2−H1≦0.3、H3−H2≦0.3であ
る。このような条件を満たすように各発光層3にドープ
する発光性有機物質を選択することによって、陰極2か
ら注入された電子を陽極1側に隣合う発光層3に効率良
く注入させることができると共に、陽極1から注入され
たホールを陰極2側に隣合う発光層3に効率良く注入さ
せることができ、有機電界発光素子の色度安定性、寿
命、発光効率等を向上させることができるものである。
The relationship among the energy gap, the electron affinity (EA), and the ionization potential (IP) of the light emitting organic substance satisfying the above conditions is illustrated for the light emitting layers 3a, 3b and 3b having the three-layer structure as shown in FIG. . For example, as shown in FIG. 2, the EA values of the light emitting organic material doped in the light emitting layers 3a, 3b and 3c are L1, L2 and L3, and IP is H.
1, H2, H3, the energy gaps of the light emitting layers 3a, 3b, 3c are H1-L1, H2-L2, and
H3-L3. And from the above conditions of the energy gap, H1-L1> H2-L2, H2-L2> H3
-L3. Further, from the above conditions of the electron affinity (EA), L2-L1 ≧ −0.3 and L3-L2 ≧ −0.3. Further, from the above conditions of the ionization potential (IP), H2-H1≤0.3 and H3-H2≤0.3. Electrons injected from the cathode 2 can be efficiently injected into the adjacent light emitting layer 3 on the side of the anode 1 by selecting a light emitting organic material to be doped into each light emitting layer 3 so as to satisfy such a condition. At the same time, holes injected from the anode 1 can be efficiently injected into the adjacent light emitting layer 3 on the cathode 2 side, and chromaticity stability, life, light emission efficiency, etc. of the organic electroluminescent device can be improved. Is.

【0025】また本発明において、各発光層3にドープ
する発光性有機物質は、一種単独でもよく、複数種を併
用してもよい。複数種の発光性有機物質をドープする場
合には、任意の発光層3と、これに隣接する発光層3と
において、ドープされる発光性有機物質の一組以上が上
記のエネルギーギャップ、電子親和力(EA)、イオン
化ポテンシャル(IP)の条件を満たしていればよい。
尚、上記では発光層3が三層構成のものを例に挙げて説
明したが、発光層3が四層以上の場合においても、同様
に適用することができるのはいうまでもない。発光性有
機物質をドープする方法としては、ホスト材料と発光性
有機物質を共蒸着する方法や、ホスト材料と発光性有機
物質を交互に蒸着する方法や、ホスト材料を蒸着した後
に発光性物質を蒸着して、ホスト材料に発光性有機物質
を拡散させる方法や、ホスト材料と発光性有機物質を溶
解した液をスピンコート等で塗布して発光層3を形成す
る方法などがあり、ホスト材料と発光性有機物質を共存
させる方法であれば特に限定されることなく使用するこ
とができる。
In the present invention, the luminescent organic substance doped in each luminescent layer 3 may be used alone or in combination of two or more. When a plurality of types of luminescent organic substances are doped, one or more sets of luminescent organic substances to be doped in an arbitrary luminescent layer 3 and the luminescent layer 3 adjacent to the luminescent layer 3 have the above energy gap and electron affinity. It is sufficient that the conditions (EA) and ionization potential (IP) are satisfied.
In the above description, the light-emitting layer 3 has a three-layer structure as an example, but it is needless to say that the same can be applied to the case where the light-emitting layer 3 has four or more layers. As a method of doping the light-emitting organic substance, a method of co-evaporating the host material and the light-emitting organic substance, a method of alternately depositing the host material and the light-emitting organic substance, or a method of depositing the host material and then emitting the light-emitting substance There are a method of vapor-depositing and diffusing a light-emitting organic substance into the host material, a method of applying a liquid in which the host material and the light-emitting organic substance are dissolved by spin coating or the like to form the light-emitting layer 3, and the like. It can be used without any particular limitation as long as it is a method of allowing a light-emitting organic substance to coexist.

【0026】一方、ホール輸送層11(あるいはホール
注入層)を構成する材料としては、ホールを輸送する能
力を有し、陽極1からのホール注入効果を有するととも
に、発光層3に対して優れたホール注入効果を有し、さ
らに電子のホール輸送層11への移動を防止し、かつ薄
膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体
的にはフタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導
体、ポルフィリン誘導体、N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−(1,1'−ビフェニル)−4,4'−ジア
ミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−
N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の
芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾー
ル、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチ
ルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダ
ゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,
4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−
フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDAT
A)、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリ
エチレンジオイサイドチオフェン(PEDOT)、PT
PDES([化1])等の高分子材料が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
On the other hand, the material constituting the hole transport layer 11 (or hole injection layer) has the ability to transport holes, has the effect of injecting holes from the anode 1, and is superior to the light emitting layer 3. A compound having a hole injection effect, preventing electrons from moving to the hole transport layer 11 and having an excellent thin film forming ability can be mentioned. Specifically, a phthalocyanine derivative, a naphthalocyanine derivative, a porphyrin derivative, N, N′-bis (3-methylphenyl)-(1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine (TPD) or 4,4 ′ -Bis [N- (naphthyl)-
Aromatic diamine compounds such as N-phenyl-amino] biphenyl (α-NPD), oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, stilbene derivative, pyrazoline derivative, tetrahydroimidazole, polyarylalkane, butadiene, 4,
4 ', 4 "-tris (N- (3-methylphenyl) N-
Phenylamino) triphenylamine (m-MTDAT
A), and polyvinylcarbazole, polysilane, polyethylene dioiside thiophene (PEDOT), PT
Polymer materials such as PDES ([Chemical Formula 1]) can be mentioned.
It is not limited to these.

【0027】[0027]

【化1】 [Chemical 1]

【0028】また電子輸送層12を構成する電子輸送材
料としては、電子を輸送する能力を有し、陰極2からの
電子注入効果を有するとともに、発光層3に対して優れ
た電子注入効果を有し、さらにホールの電子輸送層12
への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を
挙げることができる。具体的には、フルオレン、バソフ
ェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタ
ン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾー
ル、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタ
ン、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル
(CBP)等やそれらの化合物、金属錯体化合物もしく
は含窒素五員環誘導体を挙げることができる。上記の金
属錯体化合物としては、具体的には、トリス(8−ヒド
ロキシキノリナート)アルミニウム、トリ(2−メチル
−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス
(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10
−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、
ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(o−クレ
ゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−キノリナ
ート)(1−ナフトラート)アルミニウム等があるが、
これらに限定されるものではない。また上記の含窒素五
員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキ
サジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘
導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェ
ニル)−1,3,4−オキサゾール、2,5−ビス(1
−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス
(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2
−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−
ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾール、2,5−
ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリ
ル)]ベンゼン、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,
3,4−トリアゾール、3−(4−ビフェニルイル)−
4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,
2,4−トリアゾール等があるが、これらに限定される
ものではない。さらに、ポリマー有機発光素子に使用さ
れるポリマー材料も使用することができる。例えば、ポ
リパラフェニレン及びその誘導体、フルオレン及びその
誘導体等である。
The electron-transporting material forming the electron-transporting layer 12 has an electron-transporting ability, has an electron-injecting effect from the cathode 2, and has an excellent electron-injecting effect on the light-emitting layer 3. In addition, the electron transport layer 12 for holes
And a compound excellent in thin film forming ability can be mentioned. Specifically, fluorene, bathophenanthroline, bathocuproine, anthraquinodimethane, diphenoquinone, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, anthraquinodimethane, 4,4′-N, N′-dicarbazole biphenyl (CBP) Etc., those compounds, a metal complex compound, or a nitrogen-containing five-membered ring derivative. Specific examples of the metal complex compound include tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tri (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, Screw (10
-Hydroxybenzo [h] quinolinate) beryllium,
There are bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) (o-cresolate) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholate) aluminum and the like. ,
It is not limited to these. As the nitrogen-containing five-membered ring derivative, an oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivative is preferable. Specifically, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxazole, 2,5-bis (1
-Phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2
-(4'-tert-butylphenyl) -5- (4 "-
Biphenyl) 1,3,4-oxadiazole, 2,5-
Bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenylthiadiazolyl)] benzene, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,
3,4-triazole, 3- (4-biphenylyl)-
4-phenyl-5- (4-t-butylphenyl) -1,
2,4-triazole and the like are included, but are not limited thereto. Further, polymer materials used for polymer organic light emitting devices can also be used. For example, polyparaphenylene and its derivative, fluorene and its derivative, and the like.

【0029】この電子輸送層12にはアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、希土類をドープしてもよい。例えばセ
シウムをバソフェナントロリンにモル比1:1の割合で
ドープして電子輸送層12を形成したものを挙げること
ができる。
The electron transport layer 12 may be doped with an alkali metal, an alkaline earth metal or a rare earth. For example, one in which cesium is doped into bathophenanthroline at a molar ratio of 1: 1 to form the electron transport layer 12 can be mentioned.

【0030】また、有機電界発光素子を構成する他の部
材、例えば、積層された素子を保持する基板10、陽極
1、陰極2等には、従来から使用されているものをその
まま用いることができる。
Further, as the other members constituting the organic electroluminescence device, for example, the substrate 10 holding the laminated devices, the anode 1, the cathode 2, etc., those conventionally used can be used as they are. .

【0031】上記の基板10としては、発光層3で発光
された光が基板10を通して出射されるものである場合
には、光透過性を有するものが使用されるが、無色透明
のものの他に、多少着色されているものや、スリガラス
状のものであってもよい。例えば、ソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどの透明ガラス板、ポリエステ
ル、ポリオレフィン、ポリアミド、エポキシ樹脂、フッ
素系樹脂などの樹脂から任意の方法で作製されたプラス
チックフィルムやプラスチック板などを用いることがで
きる。またさらに、基板10内に基板10の母材と屈折
率の異なる粒子、粉体、泡等を含有することによって、
光拡散効果を有するものを使用することも可能である。
また、発光層3で発光された光を基板10を通さずに出
射させる場合には、基板10は必ずしも光透過性を有す
るものでなくてもかまわない。そして有機電界発光素子
の発光特性、寿命特性等を損なわない限り、任意の基板
10を用いることができるものであり、特に通電時の有
機電界発光素子の発熱による温度上昇を低減するため
に、熱伝導性の高い基板10を用いることもできるもの
である。
As the above-mentioned substrate 10, when light emitted from the light-emitting layer 3 is emitted through the substrate 10, a light-transmissive substrate is used. It may be colored to some extent or may be ground glass. For example, a transparent glass plate such as soda lime glass or non-alkali glass, a plastic film or a plastic plate prepared from a resin such as polyester, polyolefin, polyamide, epoxy resin or fluororesin by an arbitrary method can be used. Furthermore, by containing particles, powders, bubbles, etc. having a different refractive index from the base material of the substrate 10 in the substrate 10,
It is also possible to use one having a light diffusion effect.
Further, when the light emitted from the light emitting layer 3 is emitted without passing through the substrate 10, the substrate 10 does not necessarily have a light transmitting property. Any substrate 10 can be used as long as it does not impair the light emission characteristics, life characteristics, etc. of the organic electroluminescent element. In particular, in order to reduce the temperature rise due to the heat generation of the organic electroluminescent element during energization, heat treatment is performed. It is also possible to use the substrate 10 having high conductivity.

【0032】上記の陽極1は素子にホールを注入するた
めの電極であり、この陽極1としては、仕事関数の大き
い金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混
合物からなる電極材料を用いるのが好ましく、特に仕事
関数が4eV以上の電極材料を用いるのが好ましい。こ
のような電極材料としては、具体的には、金などの金
属、CuI、ITO(インジウム−スズ酸化物)、Sn
2、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)等の
導電性透明材料があげられる。例えばこれらの電極材料
を基板10の上に真空蒸着法やスパッタリング法等の方
法で成膜することによって、陽極1を薄膜として作製す
ることができる。発光層3における発光を陽極1を透過
させて基板10から外部に照射する場合には、陽極1の
光透過率を70%以上にすることが好ましい。また、陽
極1のシート抵抗は数百Ω/□以下であることが好まし
く、特に100Ω/□以下であることが好ましい。さら
に陽極1の膜厚は、陽極1の光透過率、シート抵抗等の
特性を上記のように制御するために、材料により異なる
が、通常500nm以下に設定するのが好ましく、より
好ましくは10〜200nmの範囲である。
The above-mentioned anode 1 is an electrode for injecting holes into the device. As this anode 1, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a large work function, or a mixture thereof is used. Is preferable, and it is particularly preferable to use an electrode material having a work function of 4 eV or more. Specific examples of such electrode materials include metals such as gold, CuI, ITO (indium-tin oxide), and Sn.
Conductive transparent materials such as O 2 , ZnO, and IZO (indium-zinc oxide) can be used. For example, the anode 1 can be formed as a thin film by depositing these electrode materials on the substrate 10 by a method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method. When light emitted from the light emitting layer 3 is transmitted through the anode 1 and is irradiated from the substrate 10 to the outside, the light transmittance of the anode 1 is preferably 70% or more. The sheet resistance of the anode 1 is preferably several hundred Ω / □ or less, and particularly preferably 100 Ω / □ or less. Further, the film thickness of the anode 1 is preferably set to 500 nm or less, more preferably 10 nm or less, though it varies depending on the material in order to control the light transmittance of the anode 1 and the characteristics such as sheet resistance as described above. It is in the range of 200 nm.

【0033】上記の陰極2は、発光層3中に電子を注入
するための電極であり、この陰極2としては、仕事関数
の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混
合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関
数が5eV以下の電極材料を用いるのが好ましい。この
ような電極材料としては、アルカリ金属、アルカリ金属
のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類
金属等や、これらと他の金属との合金などを用いること
ができるものであり、例えばナトリウム、ナトリウム−
カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム
−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミ
ニウム−リチウム合金、Al/LiF混合物などを例と
して挙げることができる。これらの他にアルミニウム、
Al/Al23混合物なども使用可能である。またアル
カリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、ある
いは金属酸化物を下地として用い、上記の仕事関数が5
eV以下である材料(あるいはこれらを含有する合金)
を1層以上積層して陰極2を作製することもできる。例
えば、アルカリ金属/Alの積層、アルカリ金属のハロ
ゲン化物/アルカリ土類金属/Alの積層、Al23
Alの積層などを例として挙げることができる。またI
TO、IZOなどに代表される透明電極で陰極2を作製
し、発光層3で発光した光を陰極2の側から取り出す構
成に形成するようにしてもよい。さらに、陰極2の界面
の電子輸送層12にリチウム、ナトリウム、セシウム、
カルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属をドー
プしてもよい。
The cathode 2 is an electrode for injecting electrons into the light emitting layer 3, and the cathode 2 is an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a small work function. Is preferably used, and it is preferable to use an electrode material having a work function of 5 eV or less. As such an electrode material, an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkali metal, an alkaline earth metal, or the like, or an alloy of these with another metal can be used, for example, sodium. , Sodium-
Examples include potassium alloys, lithium, magnesium, magnesium-silver mixtures, magnesium-indium mixtures, aluminum-lithium alloys, Al / LiF mixtures, and the like. Besides these, aluminum,
An Al / Al 2 O 3 mixture or the like can also be used. Moreover, when an alkali metal oxide, an alkali metal halide, or a metal oxide is used as a base, the above work function is 5
Materials with eV or less (or alloys containing them)
The cathode 2 can also be manufactured by laminating one or more layers. For example, alkali metal / Al stack, alkali metal halide / alkaline earth metal / Al stack, Al 2 O 3 /
As an example, stacking of Al and the like can be given. Also I
The cathode 2 may be made of a transparent electrode typified by TO or IZO, and the light emitted from the light emitting layer 3 may be extracted from the cathode 2 side. Further, lithium, sodium, cesium, are added to the electron transport layer 12 at the interface of the cathode 2.
You may dope alkali metals, such as calcium, and alkaline earth metals.

【0034】陰極2は、例えば上記の電極材料を、真空
蒸着法やスパッタリング法等の方法により、薄膜に形成
することによって作製することができる。また、発光層
3における発光を陰極2を透過させて外部に照射する場
合には、陰極2は光透過率を70%以上にすることが好
ましい。ここで、陰極2の膜厚は、陰極2の光透過率等
の特性を上記のように制御するために、材料により異な
るが、通常500nm以下に設定するのが好ましく、好
ましくは100〜200nmの範囲とするのがよい。ま
た、陰極金属の形成の際、蒸発源からの熱輻射の影響を
抑えるためには、さらに薄い50〜100nmの範囲と
するのがよい。蒸着速度を速くした場合、この厚みはよ
り厚くても構わない。さらにより好ましくは厚みを25
〜50nmの範囲とするのがよい。何故ならば、発光面
積が大きくなると、短絡による発光停止という問題が生
じ易くなるが、陰極金属の膜厚を薄くすることにより、
短絡部分の陰極金属が短絡時の刺激により取り除かれ、
その部分のみが光らなくなるオープンモードとなり、発
光部分全体の発光停止という不良を抑えることができる
のである。さらに、陰極2の上にAl等の金属をスパッ
タで積層したり、フッ素系化合物、フッ素系高分子、そ
の他の有機分子など高分子を、蒸着、スパッタ、CV
D、プラズマ重合、塗布した後に紫外線硬化させる方
法、熱硬化、その他の方法で形成することも可能であ
る。
The cathode 2 can be manufactured by forming the above electrode material into a thin film by a method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method. When the light emitted from the light emitting layer 3 is transmitted through the cathode 2 and is emitted to the outside, the cathode 2 preferably has a light transmittance of 70% or more. Here, the film thickness of the cathode 2 differs depending on the material in order to control the characteristics such as the light transmittance of the cathode 2 as described above, but it is usually preferably set to 500 nm or less, and preferably 100 to 200 nm. It is good to set the range. Further, in forming the cathode metal, in order to suppress the influence of heat radiation from the evaporation source, it is preferable to set the thickness to a thinner range of 50 to 100 nm. This thickness may be thicker when the deposition rate is increased. Even more preferably, the thickness is 25
It is preferable that the range is ˜50 nm. The reason is that when the light emitting area becomes large, the problem of light emission stoppage due to a short circuit easily occurs, but by making the thickness of the cathode metal thin,
The cathode metal of the short circuit part is removed by the stimulus at the time of short circuit,
It becomes an open mode in which only that part does not illuminate, and it is possible to suppress the defect that the entire light emitting part stops emitting light. Further, a metal such as Al is laminated on the cathode 2 by sputtering, or a polymer such as a fluorine-based compound, a fluorine-based polymer, or another organic molecule is deposited, sputtered, or CV.
It is also possible to form by D, plasma polymerization, a method of ultraviolet curing after coating, heat curing, or another method.

【0035】[0035]

【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。尚、使用した発光性有機材料のエネルギーギャッ
プ、電子親和力(EA)、イオン化ポテンシャル(I
P)の値を表1にまとめて示し、発光層3a,3b,3
cの構成を表2にまとめて示す。
EXAMPLES Next, the present invention will be specifically described with reference to examples. The energy gap, electron affinity (EA), and ionization potential (I
The values of P) are collectively shown in Table 1, and the light emitting layers 3a, 3b, 3
The configuration of c is shown in Table 2 collectively.

【0036】(実施例1)基板10として、厚み0.7
mmの透明ガラス板を用い、この基板10の一方の表面
に、ITO(インジウム−スズ酸化物)をスパッタして
シート抵抗7Ω/□の透明電極からなる陽極1を形成し
た。そしてこれをアセトン、純水、イソプロピルアルコ
ールで15分間超音波洗浄した後、乾燥させた。
Example 1 A substrate 10 having a thickness of 0.7
Using a transparent glass plate of mm, ITO (indium-tin oxide) was sputtered on one surface of the substrate 10 to form the anode 1 composed of a transparent electrode having a sheet resistance of 7Ω / □. Then, this was ultrasonically cleaned with acetone, pure water and isopropyl alcohol for 15 minutes and then dried.

【0037】次に、この基板10を真空蒸着装置にセッ
トし、1×10-6Torr(1.33×10-4Pa)の
減圧下、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェ
ニル−アミノ]ビフェニル(株式会社同仁化学研究所
製:以下α−NPDと略す)を1000Å厚に蒸着し、
陽極1の上にホール輸送層11を形成した。
Next, this substrate 10 was set in a vacuum vapor deposition apparatus, and 4,4'-bis [N- (naphthyl)-was prepared under a reduced pressure of 1 × 10 -6 Torr (1.33 × 10 -4 Pa). N-phenyl-amino] biphenyl (manufactured by Dojindo Laboratories Ltd .: hereinafter abbreviated as α-NPD) is deposited to a thickness of 1000Å,
The hole transport layer 11 was formed on the anode 1.

【0038】次に、ホール輸送層11の上に、α−NP
Dと発光性有機物質としてイーストマンコダック社製商
品名「DCJTB」をモル比98:2の割合で100Å
厚に共蒸着し、DCJTBをドープした発光層3cを形
成した。またこの上にジスチリルビフェニル誘導体(出
光興産社製「DPVBi」:化学式1)と発光性有機物
質としてルブレン(化学式2)をモル比98:2の割合
で50Å厚に共蒸着し、ルブレンをドープした発光層3
bを形成した。さらにこの上にDPVBiと発光性有機
物質としてDSA誘導体(出光興産社製「BCzVB
i」:化学式3)をモル比94:6の割合で400Å厚
に共蒸着し、BCzVBiをドープした発光層3aを形
成した。尚、上記の有機層の蒸着速度はいずれも1〜2
Å/sに設定した。
Next, α-NP is formed on the hole transport layer 11.
D and a product name "DCJTB" manufactured by Eastman Kodak Co., Ltd. as a luminescent organic substance at a molar ratio of 98: 2 of 100Å
A thick film was co-evaporated to form a light emitting layer 3c doped with DCJTB. Further, a distyryl biphenyl derivative (“DPVBi” manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd .: chemical formula 1) and rubrene (chemical formula 2) as a light-emitting organic substance were co-deposited at a molar ratio of 98: 2 to a thickness of 50 Å to dope rubrene. Luminous layer 3
b was formed. Furthermore, DPVBi and a DSA derivative as a light-emitting organic substance (“BCzVB manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.
i ″: chemical formula 3) was co-evaporated at a molar ratio of 94: 6 to a thickness of 400 Å to form a light emitting layer 3a doped with BCzVBi. In addition, the vapor deposition rate of the organic layer is 1 to 2
It was set to Å / s.

【0039】[0039]

【化2】 [Chemical 2]

【0040】[0040]

【化3】 [Chemical 3]

【0041】[0041]

【化4】 [Chemical 4]

【0042】次に、発光層3aの上に、バソフェナント
ロリン(株式会社同仁化学研究所製:BCP)とCsを
モル比1:1で共蒸着して膜厚200Åの電子輸送層1
2を形成し、最後に、電子輸送層12の上にAlを10
Å/sの蒸着速度で厚み1500Å蒸着して陰極2を形
成することによって、図1のような構成の有機電界発光
素子を得た。
Next, on the light emitting layer 3a, bathophenanthroline (BCP manufactured by Dojindo Laboratories Co., Ltd.) and Cs were co-evaporated at a molar ratio of 1: 1 to form an electron transport layer 1 having a film thickness of 200Å.
2 is formed, and finally, 10 Al is deposited on the electron transport layer 12.
The cathode 2 was formed by vapor deposition with a thickness of 1500Å at a deposition rate of Å / s to obtain an organic electroluminescent device having a structure as shown in FIG.

【0043】(実施例2)α−NPDとルブレンをモル
比98:2で膜厚100Åに共蒸着することによって、
ルブレンをドープした発光層3cを形成し、DPVBi
と発光性有機物質としてシグマアルドリッチジャパン
(Sigma Aldrich Japan K.K.)製商品名「クマリン6」
をモル比98:2で膜厚50Åに共蒸着することによっ
て、クマリン6をドープした発光層3bを形成し、DP
VBiとBCzVBiをモル比94:6で膜厚400Å
に共蒸着することによって、BCzVBiをドープした
発光層3aを形成するようにした他は、実施例1と同様
にして、図1のような構成の有機電界発光素子を得た。
Example 2 By co-evaporating α-NPD and rubrene at a molar ratio of 98: 2 to a film thickness of 100 Å,
The light emitting layer 3c doped with rubrene is formed, and DPVBi
And the luminescent organic substance, Sigma Aldrich Japan KK's product name "Coumarin 6"
Is co-deposited with a molar ratio of 98: 2 to a film thickness of 50Å to form a coumarin 6-doped light-emitting layer 3b.
VBi and BCzVBi with a molar ratio of 94: 6 and a film thickness of 400Å
1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the light emitting layer 3a doped with BCzVBi was formed by co-evaporation.

【0044】(比較例1)DPVBiとBCzVBiを
モル比94:6で膜厚100Åに共蒸着することによっ
て、発光性有機物質としてBCzVBiをドープした発
光層3cを形成し、発光層3bは形成せずに、DPVB
iとDCJTBをモル比98:2で膜厚400Åに共蒸
着することによって、発光性有機物質としてDCJTB
をドープした発光層3aを形成するようにした他は、実
施例1と同様にして、有機電界発光素子を得た。
(Comparative Example 1) DPVBi and BCzVBi were co-evaporated at a molar ratio of 94: 6 to a film thickness of 100Å to form a light emitting layer 3c doped with BCzVBi as a light emitting organic substance and a light emitting layer 3b was not formed. Without DPVB
i and DCJTB were co-deposited in a molar ratio of 98: 2 to a film thickness of 400Å to produce DCJTB as a luminescent organic substance.
An organic electroluminescent device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the light emitting layer 3a doped with was formed.

【0045】(比較例2)DPVBiとBCzVBiを
モル比94:6で膜厚100Åに共蒸着することによっ
て、発光性有機物質としてBCzVBiをドープした発
光層3cを形成し、DPVBiとルブレンをモル比9
8:2で膜厚50Åに共蒸着することによって、発光性
有機物質としてルブレンをドープした発光層3bを形成
し、DPVBiとDCJTBをモル比98:2で膜厚4
00Åに共蒸着することによって、発光性有機物質とし
てDCJTBをドープした発光層3aを形成するように
した他は、実施例1と同様にして、有機電界発光素子を
得た。
Comparative Example 2 DPVBi and BCzVBi were co-evaporated at a molar ratio of 94: 6 to a film thickness of 100Å to form a light emitting layer 3c doped with BCzVBi as a light emitting organic substance, and DPVBi and rubrene were mixed at a molar ratio of DPVBi and rubrene. 9
The light emitting layer 3b doped with rubrene as a light emitting organic substance is formed by co-evaporation with a film thickness of 50Å at 8: 2, and DPVBi and DCJTB are formed at a film thickness of 4 at a molar ratio of 98: 2.
An organic electroluminescent device was obtained in the same manner as in Example 1, except that the light emitting layer 3a doped with DCJTB as a light emitting organic substance was formed by co-evaporation with 00Å.

【0046】(比較例3)DPVBiとBCzVBiを
モル比98:2で膜厚100Åに共蒸着することによっ
て、発光性有機物質としてBCzVBiをドープした発
光層3cを形成し、発光層3bは形成せずに、DPVB
iとクマリン6をモル比98:2で膜厚400Åに共蒸
着することによって、発光性有機物質としてクマリン6
をドープした発光層3aを形成するようにした他は、実
施例1と同様にして、有機電界発光素子を得た。
(Comparative Example 3) DPVBi and BCzVBi were co-evaporated at a molar ratio of 98: 2 to a film thickness of 100Å to form a light emitting layer 3c doped with BCzVBi as a light emitting organic substance and a light emitting layer 3b was not formed. Without DPVB
By co-evaporating i and coumarin 6 in a molar ratio of 98: 2 to a film thickness of 400Å, coumarin 6 as a luminescent organic substance was obtained.
An organic electroluminescent device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the light emitting layer 3a doped with was formed.

【0047】[0047]

【表1】 [Table 1]

【0048】上記の実施例1〜2及び比較例1〜3につ
いて、発光素子3a,3b,3cのそれぞれの組成をま
とめて、表2に示す。
Table 2 shows the composition of each of the light emitting devices 3a, 3b and 3c for Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 above.

【0049】[0049]

【表2】 [Table 2]

【0050】また、上記の実施例1〜2及び比較例1〜
3について、発光素子3a,3b,3cにドープした発
光性有機材料のエネルギーギャップ、電子親和力(E
A)、イオン化ポテンシャル(IP)をまとめて表3に
示す。
Further, the above-mentioned Examples 1-2 and Comparative Examples 1--2
3, the energy gap of the light emitting organic material doped in the light emitting elements 3a, 3b, 3c, the electron affinity (E
A) and ionization potential (IP) are summarized in Table 3.

【0051】[0051]

【表3】 [Table 3]

【0052】上記のようにして実施例1〜2及び比較例
1〜3で得た有機電界発光素子について、色度、消費電
力、量子効率、素子半減寿命を測定し、結果を表4に示
した。
Chromaticity, power consumption, quantum efficiency and half life of the organic electroluminescent devices obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were measured as described above, and the results are shown in Table 4. It was

【0053】有機電界発光素子の色度は、CIE色度座
標で評価した。測定は、有機電界発光素子を電源(東陽
テクニカ社製「KEYTHLEY236モデル」)に接
続し、マルチチャンネルアナライザー(浜松ホトニクス
株式会社製「PMA−10」)を用いて、輝度200c
d/m2の条件で行なった。尚、輝度の測定はトプコン
株式会社製「BM−5A」で行なった。
The chromaticity of the organic electroluminescent device was evaluated by CIE chromaticity coordinates. For the measurement, an organic electroluminescence device was connected to a power source (“KEYTHLEY236 model” manufactured by Toyo Technica), and a brightness of 200 c was obtained using a multi-channel analyzer (“PMA-10” manufactured by Hamamatsu Photonics KK).
It was carried out under the condition of d / m 2 . The brightness was measured with "BM-5A" manufactured by Topcon Corporation.

【0054】有機電界発光素子の消費電力の測定は、有
機電界発光素子を電源(東陽テクニカ社製「KEYTH
LEY236モデル」)に接続し、200cd/m2
条件で発光させた状態における値から算出した。
The power consumption of the organic electroluminescent device is measured by using the organic electroluminescent device as a power source (“KEYTH” manufactured by Toyo Technica Co., Ltd.).
LEY236 model ”), and calculated from the value in the state of emitting light under the condition of 200 cd / m 2 .

【0055】有機電界発光素子の量子効率は、有機電界
発光素子の発光スペクトル、輝度、印加電圧、電流量か
ら定法に基づき算出した。
The quantum efficiency of the organic electroluminescent element was calculated from the emission spectrum of the organic electroluminescent element, the luminance, the applied voltage, and the amount of current based on a standard method.

【0056】有機電界発光素子の半減寿命の測定は、初
期の発光輝度が200cd/m2になる電流値を予め決
定し、次いで定電流電源を用いて有機電界発光素子に所
定の電流を通電して、輝度が初期の半分の100cd/
2になるまでの時間を計測することによって行ない、
この時間を半減寿命とした。
To measure the half-life of the organic electroluminescent device, a current value at which the initial emission luminance becomes 200 cd / m 2 is determined in advance, and then a predetermined current is applied to the organic electroluminescent device using a constant current power source. The brightness is 100 cd /
By measuring the time until it reaches m 2 ,
This time was defined as the half life.

【0057】[0057]

【表4】 [Table 4]

【0058】表4にみられるように、実施例1〜2の有
機電界発光素子は、消費電力が少ないと共に量子効率が
高く、発光効率が優れるものであり、また半減寿命が長
く、長寿命化と高い発光効率を実現できることが確認さ
れた。
As can be seen from Table 4, the organic electroluminescent devices of Examples 1 and 2 have low power consumption, high quantum efficiency, and excellent luminous efficiency, and have a long half-life and a long life. It was confirmed that high luminous efficiency can be realized.

【0059】[0059]

【発明の効果】上記のように本発明の請求項1に係る有
機電界発光素子は、陽極と陰極の間に、発光性有機物質
がドープされた有機材料よりなる発光層を備えた有機電
界発光素子において、異なる発光性有機物質がドープさ
れた有機材料よりなる複数層の発光層を備え、最も陰極
側に位置する発光層に、他の発光層にドープされている
発光性有機物質のエネルギーギャップより大きいエネル
ギーギャップを有する発光性有機物質がドープされてい
るので、発光層にドープする発光性有機物質のエネルギ
ーギャップをこのように規定することによって、隣合う
発光層間のキャリア移動やエネルギー移動の効率を高め
ることができ、有機電界発光素子の長寿命化と高い発光
効率を実現することができるものである。
As described above, the organic electroluminescent device according to claim 1 of the present invention has an organic electroluminescent device including a light emitting layer made of an organic material doped with a light emitting organic substance between an anode and a cathode. The device has a plurality of light emitting layers made of organic materials doped with different light emitting organic substances, and the energy gap of the light emitting organic substance doped in the other light emitting layer in the light emitting layer closest to the cathode side. Since the luminescent organic material having a larger energy gap is doped, the energy gap of the luminescent organic material to be doped in the luminescent layer is defined in this way, so that the efficiency of carrier transfer and energy transfer between the adjacent luminescent layers is improved. Therefore, the organic electroluminescent device can have a long life and high luminous efficiency.

【0060】また請求項2の発明は、請求項1におい
て、発光層を3層以上備え、各発光層は、発光性有機物
質のエネルギーギャップの値が陰極側に位置するものか
ら順次小さくなるように発光性有機物質がドープされて
いるので、発光層にドープする発光性有機物質のエネル
ギーギャップをこのように規定することによって、隣合
う発光層間のキャリア移動やエネルギー移動の効率をよ
り高めることができ、有機電界発光素子の長寿命化と高
い発光効率を実現することができるものである。
The invention of claim 2 is characterized in that, in claim 1, three or more light emitting layers are provided, and the value of the energy gap of the light emitting organic substance in each light emitting layer is gradually decreased from the one positioned on the cathode side. Since the luminescent organic material is doped in the luminescent layer, by defining the energy gap of the luminescent organic material to be doped in the luminescent layer in this way, the efficiency of carrier transfer and energy transfer between the adjacent luminescent layers can be further improved. Therefore, the organic electroluminescent device can have a long life and high luminous efficiency.

【0061】また請求項3の発明は、請求項1又は2の
隣合う発光層において、ドープされる発光性有機物質の
電子親和力(EA)の値(単位eV)が、陽極側の発光
層にドープされた発光性有機物質のEAの値≧陰極側の
発光層にドープされた発光性有機物質のEAの値−0.
3の関係を満たすように、各発光層に発光性有機物質が
ドープされているので、発光層にドープする発光性有機
物質の電子親和力(EA)をこのように規定することに
よって、陰極から注入された電子が隣合う一方の発光層
から陽極側の発光層に注入される効率を高めることがで
き、有機電界発光素子の長寿命化と高い発光効率を実現
することができるものである。
According to a third aspect of the present invention, in the adjacent light emitting layers according to the first or second aspect, the value of the electron affinity (EA) (unit eV) of the light emitting organic substance to be doped is in the light emitting layer on the anode side. EA value of doped luminescent organic material ≧ value of EA of luminescent organic material doped in cathode-side luminescent layer −0.
Since each light emitting layer is doped with a light emitting organic material so as to satisfy the relationship of 3, the electron affinity (EA) of the light emitting organic material to be doped in the light emitting layer is defined as described above, and thus the light emitting organic material is injected from the cathode. The efficiency with which the generated electrons are injected from the adjacent one light emitting layer to the light emitting layer on the anode side can be increased, and the life of the organic electroluminescent element and the high light emitting efficiency can be realized.

【0062】また請求項4の発明は、請求項1乃至3の
いずれかの隣合う発光層において、ドープされる発光性
有機物質のイオン化ポテンシャル(IP)の値(単位e
V)が、陽極側の発光層にドープされた発光性有機物質
のIPの値≦陰極側の発光層にドープされた発光性有機
物質のIPの値+0.3の関係を満たすように、各発光
層に発光性有機物質がドープされているので、発光層に
ドープする発光性有機物質のイオン化ポテンシャル(I
P)をこのように規定することによって、陽極から注入
されたホールが隣合う一方の発光層から陰極側の発光層
に注入される効率を高めることができ、有機電界発光素
子の長寿命化と高い発光効率を実現することができるも
のである。
Further, the invention of claim 4 is the value of the ionization potential (IP) of the luminescent organic substance to be doped (unit e in the adjacent luminescent layers according to claim 1).
V) satisfies the relationship of IP value of luminescent organic material doped in anode-side luminescent layer ≦ IP value of luminescent organic material doped in cathode-side luminescent layer + 0.3 Since the light emitting layer is doped with the light emitting organic substance, the ionization potential (I
By defining P) in this way, it is possible to increase the efficiency with which holes injected from the anode are injected into the light emitting layer on the cathode side from one adjacent light emitting layer, and the life of the organic electroluminescent device is prolonged. It is possible to realize high luminous efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】有機電界発光素子の一例の概略構成を示す正面
図である。
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of an example of an organic electroluminescence device.

【図2】同上の発光層の概略構成を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a schematic configuration of a light emitting layer of the same.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 陽極 2 陰極 3 発光層 3a,3b,3c 発光層 1 anode 2 cathode 3 light emitting layer 3a, 3b, 3c light emitting layer

フロントページの続き (72)発明者 城戸 淳二 山形県米沢市中央2丁目6番6号 サンロ ード米沢中央408 (72)発明者 椿 健治 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)発明者 近藤 行廣 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)発明者 岸上 泰久 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)発明者 河野 謙司 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB11 DA06 DB03 Continued front page    (72) Inventor Junji Kido             Sanro, 2-6 Chuo, Yonezawa City, Yamagata Prefecture             Do Yonezawa Chuo 408 (72) Inventor Kenji Tsubaki             1048, Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Works             Within the corporation (72) Inventor Yukihiro Kondo             1048, Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Works             Within the corporation (72) Inventor Yasuhisa Kishigami             1048, Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Works             Within the corporation (72) Inventor Kenji Kono             1048, Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Works             Within the corporation F-term (reference) 3K007 AB03 AB11 DA06 DB03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 陽極と陰極の間に、発光性有機物質がド
ープされた有機材料よりなる発光層を備えた有機電界発
光素子において、異なる発光性有機物質がドープされた
有機材料よりなる複数層の発光層を備え、最も陰極側に
位置する発光層に、他の発光層にドープされている発光
性有機物質のエネルギーギャップより大きいエネルギー
ギャップを有する発光性有機物質がドープされているこ
とを特徴とする有機電界発光素子。
1. An organic electroluminescent device comprising a light emitting layer made of an organic material doped with a light emitting organic substance between an anode and a cathode, wherein a plurality of layers made of organic materials doped with different light emitting organic substances are provided. And a light emitting layer positioned closest to the cathode is doped with a light emitting organic substance having an energy gap larger than that of another light emitting organic substance doped in the other light emitting layer. And an organic electroluminescent device.
【請求項2】 発光層を3層以上備え、各発光層は、発
光性有機物質のエネルギーギャップの値が陰極側に位置
するものから順次小さくなるように発光性有機物質がド
ープされていることを特徴とする請求項1に記載の有機
電界発光素子。
2. The light emitting layer comprises three or more layers, and each light emitting layer is doped with a light emitting organic substance so that the value of the energy gap of the light emitting organic substance is gradually decreased from the one located on the cathode side. The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein
【請求項3】 隣合う発光層において、ドープされる発
光性有機物質の電子親和力(EA)の値(単位eV)
が、 陽極側の発光層にドープされた発光性有機物質のEAの
値≧陰極側の発光層にドープされた発光性有機物質のE
Aの値−0.3 の関係を満たすように、各発光層に発光性有機物質がド
ープされていることを特徴とする請求項1又は2に記載
の有機電界発光素子。
3. A value of an electron affinity (EA) of a light-emitting organic substance doped in adjacent light emitting layers (unit: eV)
Is the value of EA of the light-emitting organic substance doped in the light-emitting layer on the anode side ≧ E of the light-emitting organic substance doped in the light-emitting layer on the cathode side
3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein each light emitting layer is doped with a light emitting organic substance so as to satisfy the relationship of the value A of −0.3.
【請求項4】 隣合う発光層において、ドープされる発
光性有機物質のイオン化ポテンシャル(IP)の値(単
位eV)が、 陽極側の発光層にドープされた発光性有機物質のIPの
値≦陰極側の発光層にドープされた発光性有機物質のI
Pの値+0.3 の関係を満たすように、各発光層に発光性有機物質がド
ープされていることを特徴とする請求項1乃至3のいず
れかに記載の有機電界発光素子。
4. The value (unit: eV) of the ionization potential (IP) of the light-emitting organic substance to be doped in the adjacent light-emitting layers is such that the IP value of the light-emitting organic substance doped in the light-emitting layer on the anode side ≦ I of a luminescent organic material doped in the luminescent layer on the cathode side
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein each light emitting layer is doped with a light emitting organic substance so as to satisfy the relationship of the value of P + 0.3.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173588A (en) * 2004-11-17 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd Organic electroluminescent device
CN100433400C (en) * 2005-01-17 2008-11-12 财团法人工业技术研究院 Organic macromolecular LED apparatus and its display utilizing the LED apparatus
JP2009081070A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Seiko Epson Corp Light-emitting element, light-emitting device, and electronic equipment
WO2011071169A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el lighting
JP2012519944A (en) * 2009-03-09 2012-08-30 メルク パテント ゲーエムベーハー Organic electroluminescence device
KR101293572B1 (en) * 2006-07-18 2013-08-06 한양대학교 산학협력단 Organic light emitting diode display
KR101304903B1 (en) * 2006-10-31 2013-09-05 한양대학교 산학협력단 Organic light emitting diode display
KR101359914B1 (en) * 2006-11-28 2014-02-11 한양대학교 산학협력단 Organic light emitting device
CN103762317A (en) * 2013-12-30 2014-04-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Organic electroluminescent device
JP2014197547A (en) * 2007-09-27 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting element, light device and light-emitting device

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173588A (en) * 2004-11-17 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd Organic electroluminescent device
CN100433400C (en) * 2005-01-17 2008-11-12 财团法人工业技术研究院 Organic macromolecular LED apparatus and its display utilizing the LED apparatus
KR101293572B1 (en) * 2006-07-18 2013-08-06 한양대학교 산학협력단 Organic light emitting diode display
KR101304903B1 (en) * 2006-10-31 2013-09-05 한양대학교 산학협력단 Organic light emitting diode display
KR101359914B1 (en) * 2006-11-28 2014-02-11 한양대학교 산학협력단 Organic light emitting device
JP2009081070A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Seiko Epson Corp Light-emitting element, light-emitting device, and electronic equipment
US9685623B2 (en) 2007-09-27 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
JP2014197547A (en) * 2007-09-27 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting element, light device and light-emitting device
JP2016012575A (en) * 2007-09-27 2016-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting element
US10115926B2 (en) 2007-09-27 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US10636992B2 (en) 2007-09-27 2020-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US11108009B2 (en) 2007-09-27 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
US11462704B2 (en) 2007-09-27 2022-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, light-emitting device, and electronic device
JP2012519944A (en) * 2009-03-09 2012-08-30 メルク パテント ゲーエムベーハー Organic electroluminescence device
JPWO2011071169A1 (en) * 2009-12-11 2013-04-22 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent device, organic EL display device, and organic EL lighting
WO2011071169A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el lighting
CN103762317A (en) * 2013-12-30 2014-04-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Organic electroluminescent device

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