JP2003273043A - Method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method of manufacturing semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤやＣＭＯＳ
センサ等の固体撮像素子を形成するのに好適する半導体
装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to CCDs and CMOSs.
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device suitable for forming a solid-state image sensor such as a sensor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来技術をＣＣＤの製造工程の一部工程
を示す図６乃至図８を参照して説明する。図６は第１の
工程を示す断面図であり、図７は第２の工程を示す断面
図であり、図８は第３の工程を示す断面図である。2. Description of the Related Art A conventional technique will be described with reference to FIGS. 6 to 8 showing a part of the process of manufacturing a CCD. 6 is a sectional view showing the first step, FIG. 7 is a sectional view showing the second step, and FIG. 8 is a sectional view showing the third step.
【０００３】周知の通り、ＣＣＤ（電荷結合素子）は、
先ずｐ形シリコン基板に、撮像領域上に撮像レンズ（色
フィルタ）を配した多数の画素を設けるようにして複数
形成される。そして、複数のＣＣＤが形成された半導体
ウェハは、以下の工程を経て個々のＣＣＤに分割され、
パッケージに移載される。As is well known, a CCD (charge coupled device) is
First, a plurality of pixels are formed on a p-type silicon substrate so that a large number of pixels each having an image pickup lens (color filter) arranged on the image pickup area are provided. Then, the semiconductor wafer on which a plurality of CCDs are formed is divided into individual CCDs through the following steps,
Transferred to the package.
【０００４】すなわち、図６に示す第１の工程におい
て、複数のＣＣＤ１が形成された半導体ウェハ２は、各
画素３の撮像レンズ（色フィルタ）４や外部電極５を上
面に露出させるようにして電気的特性評価を行なうダイ
ソータ等の図示しない評価装置にセットされる。続いて
半導体ウェハ２の各ＣＣＤ１の外部電極５には評価装置
のプローブ６が導通するよう押圧され、所定の電気的特
性評価が個々のＣＣＤ１について行なわれ、良品、不良
品の区別がなされる。That is, in the first step shown in FIG. 6, in the semiconductor wafer 2 on which the plurality of CCDs 1 are formed, the image pickup lens (color filter) 4 and the external electrode 5 of each pixel 3 are exposed on the upper surface. It is set in an evaluation device (not shown) such as a die sorter for evaluating electrical characteristics. Subsequently, the probe 6 of the evaluation device is pressed against the external electrode 5 of each CCD 1 of the semiconductor wafer 2 so that a predetermined electrical characteristic evaluation is performed on each CCD 1 to distinguish good products from defective products.
【０００５】次に、図７に示す第２の工程において、電
気的特性評価を終えた半導体ウェハ２は、要すればウェ
ハ厚が所定厚となるよう裏面側が研削され、さらに裏面
全面にＵＶテープでなるダイシングシート７が貼着さ
れ、図示しないウェハリングに取り付けられる。その
後、ダイシングシート７が貼着された半導体ウェハ２
は、図示しないダイシングマシンにセットされ、ダイシ
ングマシンのダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレー
ド８によって、ダイシングライン９に沿ってカットさ
れ、個々のＣＣＤ１は、ダイシングシート７のみに貼り
付いている状態に分割される。Next, in the second step shown in FIG. 7, the semiconductor wafer 2 whose electrical characteristics have been evaluated is ground on the back surface side so that the wafer thickness becomes a predetermined thickness if necessary, and the UV tape is further formed on the entire back surface. The dicing sheet 7 is attached and attached to a wafer ring (not shown). After that, the semiconductor wafer 2 to which the dicing sheet 7 is attached
Is set in a dicing machine (not shown) and cut along a dicing line 9 by a rotary blade 8 to which diamond fine particles of the dicing machine are attached, and each CCD 1 is divided into a state in which it is attached only to a dicing sheet 7. To be done.
【０００６】次に、図８に示す第３の工程において、カ
ットされた後の半導体ウェハ２は、ウェハリングに取り
付けたまま図示しないチップマウント装置にセットされ
る。そして、ＵＶ光を当てることによって特性変化した
ダイシングシート７を引き延ばしながら裏面側から針状
の突き上げピン１０で突き上げ、個々に分割された良品
のＣＣＤ１を図示しないコレットで吸着、保持し、ダイ
シングシート７からピックアップが行なわれ、図示しな
いパッケージへの移載がなされる。Next, in a third step shown in FIG. 8, the semiconductor wafer 2 after being cut is set in a chip mounting device (not shown) while being attached to the wafer ring. Then, while extending the dicing sheet 7 whose characteristics have been changed by applying UV light, the dicing sheet 7 is pushed up from the back side by needle-like push-up pins 10 and the individually divided good CCD 1 is attracted and held by a collet (not shown). Is picked up from and transferred to a package (not shown).
【０００７】しかしながら上記の従来技術においては、
ダイシングマシンの回転ブレード８によって半導体ウェ
ハ２をカットし分割する際、基板のシリコンの破片や回
転ブレード８に貼付されているダイヤモンド微粒などが
飛び散り、ＣＣＤ１の表面に露出している撮像レンズ
（色フィルタ）４の表面に付着する。そして、撮像レン
ズ（色フィルタ）４表面に傷を付けたり、そのままごみ
として残ってしまい、これが原因でＣＣＤ１が黒きず不
良となってしまい、製品の製造歩留を低いものにしてい
た。However, in the above prior art,
When the semiconductor wafer 2 is cut and divided by the rotating blade 8 of the dicing machine, the silicon fragments of the substrate and the diamond particles attached to the rotating blade 8 scatter and are exposed on the surface of the CCD 1 (color filter). ) Attach to the surface of 4. Then, the surface of the image pickup lens (color filter) 4 is scratched or left as dust as it is, which causes the CCD 1 to become defective in black spots, resulting in a low production yield of products.
【０００８】こうした黒きず不良の原因となるシリコン
破片やダイヤモンド微粒などについては、最近のＣＣＤ
１の高精細化要求に対する画素数の増加、各セル面積の
縮小傾向からはより少なく、また有ってもより小さなも
のとする必要があった。Regarding the silicon debris and diamond fine particles that cause such black defect, recent CCD
It was necessary to make the number of pixels smaller, or even smaller, in view of the increase in the number of pixels and the tendency of reduction in the area of each cell in response to the requirement for high definition in No. 1 above.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド微粒な
どによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を少なく
し、これらによる黒きず不良の発生を低減させ、微細化
された固体撮像素子においても、その製造歩留を向上さ
せることができる半導体装置の製造方法を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to prevent scratches on the surface of a solid-state image pickup device due to silicon chips or diamond fine particles during dicing. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the amount of dust adhesion, reducing the occurrence of black defect due to these, and improving the manufacturing yield of even a miniaturized solid-state imaging device.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体ウェハに複数の固体撮像素子を形成し
た後、ダイシングにより前記半導体ウェハを個々の固体
撮像素子に分割するに際し、前記半導体ウェハ表面に加
工保護被膜を被着した後にダイシングを行ない、ダイシ
ング後に前記加工保護被膜を剥離し、該半導体ウェハを
個々の固体撮像素子に分割することを特徴とする方法で
あり、さらに、前記加工保護被膜が、アクリル系樹脂膜
であることを特徴とする方法であり、さらに、前記加工
保護被膜の膜厚が、１μｍ〜３μｍであることを特徴と
する方法である。According to a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, a plurality of solid-state image pickup devices are formed on a semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is divided into individual solid-state image pickup devices by dicing. The method is characterized in that dicing is performed after depositing a processing protective coating on the wafer surface, the processing protective coating is peeled off after dicing, and the semiconductor wafer is divided into individual solid-state imaging devices. The protective coating is an acrylic resin film, and the processing protective coating has a film thickness of 1 μm to 3 μm.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態をＣＣＤ
における図１乃至図５を参照して説明する。図はＣＣＤ
の製造工程の一部工程を示すもので、図１は第１の工程
を示す断面図であり、図２は第２の工程を示す断面図で
あり、図３は第３の工程を示す断面図であり、図４は第
４の工程を示す断面図であり、図５は第５の工程を示す
断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A CCD according to an embodiment of the present invention will be described below.
Will be described with reference to FIGS. 1 to 5. The figure shows a CCD
1 is a sectional view showing a first step, FIG. 2 is a sectional view showing a second step, and FIG. 3 is a sectional view showing a third step. FIG. 4 is a sectional view showing a fourth step, and FIG. 5 is a sectional view showing a fifth step.
【００１２】ＣＣＤ（電荷結合素子）は、図示しないが
例えば以下の工程を経ることによって、先ず複数のＣＣ
Ｄ１１が形成された半導体ウェハ１２の製造が行なわれ
る。すなわち、数Ωｃｍ〜数１０Ωｃｍのｐ形シリコン
基板１３表面部に、イオン注入法でｐ＋形のチャネル阻
止領域、ｎ形埋め込みチャネル層を形成し、さらにＳｉ
Ｏ２の厚いフィールド領域、薄いゲート領域を形成す
る。その後、所定位置に第１のポリシリコン電極を形成
し、また第１のポリシリコン電極をマスクにしてゲート
領域のＳｉＯ２を除去し、再び熱酸化によりＳｉＯ２膜
を形成する。Although not shown, the CCD (charge-coupled device) is first provided with a plurality of CCs by the following steps, for example.
The semiconductor wafer 12 on which D11 is formed is manufactured. That is, a p + -type channel blocking region and an n-type buried channel layer are formed by ion implantation on the surface of the p-type silicon substrate 13 of several Ωcm to several tens of Ωcm, and Si is further formed.
A thick field region of O 2 and a thin gate region are formed. After that, a first polysilicon electrode is formed at a predetermined position, SiO 2 in the gate region is removed using the first polysilicon electrode as a mask, and a SiO 2 film is formed again by thermal oxidation.
【００１３】続いて、第１のポリシリコン電極をマスク
としてｐ形領域をイオン注入法により形成し、さらに第
２のポリシリコン電極を形成する。その後、第１のポリ
シリコン電極または第２のポリシリコン電極に対して自
己整合的にＣＣＤのソース、ドレイン、ＭＯＳＦＥＴの
ソース、ドレインを形成し、さらにＳｉＯ２の厚い層間
絶縁膜を堆積させ、コンタクトホールを形成し、所定パ
ターンのＡｌ配線を形成する。Subsequently, a p-type region is formed by an ion implantation method using the first polysilicon electrode as a mask, and then a second polysilicon electrode is formed. After that, the source and drain of the CCD and the source and drain of the MOSFET are formed in a self-aligned manner with respect to the first polysilicon electrode or the second polysilicon electrode, and further a thick interlayer insulating film of SiO 2 is deposited to make contact. A hole is formed and an Al wiring having a predetermined pattern is formed.
【００１４】またＡｌ配線上にＳｉＯ２の層間絶縁膜を
堆積させ、その上に所定パターンの遮光用Ａｌパターン
を形成する。その後、各画素１４の撮像領域上に撮像レ
ンズ（色フィルタ）１５を配するように設けて、複数の
ＣＣＤ１１が形成された半導体ウェハ１２を形成する。
そして、複数のＣＣＤ１１が形成された半導体ウェハ１
２については、以下の工程を経て個々のＣＣＤ１１に分
割し、パッケージのマウンティングパッド上に移載し、
個々の固体撮像素子となる。Further, an interlayer insulating film of SiO 2 is deposited on the Al wiring, and a light shielding Al pattern having a predetermined pattern is formed thereon. After that, the image pickup lens (color filter) 15 is provided so as to be arranged on the image pickup area of each pixel 14, and the semiconductor wafer 12 in which the plurality of CCDs 11 are formed is formed.
Then, the semiconductor wafer 1 on which the plurality of CCDs 11 are formed
Regarding No. 2, it is divided into individual CCDs 11 through the following steps and transferred onto the mounting pad of the package,
It becomes an individual solid-state image sensor.
【００１５】そして、半導体ウェハ１２から個々のＣＣ
Ｄ１１に分割する工程は、次のように行なわれる。先
ず、図１に示す第１の工程において、複数のＣＣＤ１１
が形成された半導体ウェハ１２は、電気的特性評価を行
なうダイソータ等の図示しない評価装置にセットされ
る。半導体ウェハ１２は、各画素１４の撮像レンズ（色
フィルタ）１５や外部電極１６が上面に露出しており、
電気的特性評価を行なう際、その露出する外部電極１６
に評価装置のプローブ１７が導通するよう押圧され、ま
た導通するＣＣＤ１１を変えながら所定の電気的特性評
価が個々について行なわれ、半導体ウェハ１２全ＣＣＤ
１１について、良品、不良品の区別がなされる。Then, the individual CCs from the semiconductor wafer 12 are
The step of dividing into D11 is performed as follows. First, in the first step shown in FIG.
The semiconductor wafer 12 on which is formed is set in an evaluation device (not shown) such as a die sorter for evaluating electrical characteristics. The semiconductor wafer 12 has an imaging lens (color filter) 15 of each pixel 14 and an external electrode 16 exposed on the upper surface,
When the electrical characteristics are evaluated, the exposed external electrode 16
The probe 17 of the evaluation device is pressed so as to be electrically connected to the semiconductor wafer, and predetermined electrical characteristics are evaluated individually while changing the electrically connected CCD 11.
With respect to 11, the good product and the defective product are distinguished.
【００１６】次に、図２に示す第２の工程において、電
気的特性評価を終えた半導体ウェハ１２は、要すればウ
ェハ厚が所定厚となるようシリコン基板１３の裏面側が
研削される。続いて半導体ウェハ１２は、図示しない塗
布機（コータ）の回転支持台に真空チャック等による吸
着によって取り付けられ、半導体ウェハ１２を回転させ
ながら、その上全面に所定粘度の液状のアクリル系樹脂
をノズルから滴下させる。そして、半導体ウェハ１２の
上面に、所定厚、例えば１μｍ〜３μｍ程度の加工保護
被膜１８を、後述のダイシングマシンによるカット時の
水圧等で除去されず、加工屑等からの保護がなされるよ
う被着、所定の硬度に硬化させる。Next, in the second step shown in FIG. 2, the semiconductor wafer 12 whose electrical characteristics have been evaluated is, if necessary, ground on the back surface side of the silicon substrate 13 so that the wafer thickness becomes a predetermined thickness. Then, the semiconductor wafer 12 is attached to a rotary support of a coating machine (coater) not shown by suction with a vacuum chuck or the like, and while the semiconductor wafer 12 is rotated, a liquid acrylic resin having a predetermined viscosity is applied to the entire surface of the nozzle by a nozzle. To drip from. Then, the processing protection film 18 having a predetermined thickness, for example, about 1 μm to 3 μm, is not removed on the upper surface of the semiconductor wafer 12 by water pressure at the time of cutting by a dicing machine, which will be described later, and is protected so as to be protected from processing chips. Wear and cure to a predetermined hardness.
【００１７】次に、図３に示す第３の工程において、加
工保護被膜１８が被着された半導体ウェハ１２の裏面全
面にＵＶテープでなるダイシングシート１９が貼着さ
れ、図示しないウェハリングに取り付けられる。その
後、ダイシングシート１９が貼着された半導体ウェハ１
２は、図示しないダイシングマシンにセットされ、ダイ
シングマシンのダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレ
ード２０によって、加工部分に水を吐出させ、加工屑を
水圧によって除去しながらダイシングライン２１に沿っ
て、シリコン基板１３の略全厚さカットを行なう。これ
により個々のＣＣＤ１１は、ダイシングシート１９のみ
に貼り付いている状態に分割される。Next, in a third step shown in FIG. 3, a dicing sheet 19 made of UV tape is adhered to the entire back surface of the semiconductor wafer 12 to which the processing protection film 18 has been applied and attached to a wafer ring (not shown). To be After that, the semiconductor wafer 1 to which the dicing sheet 19 is attached
No. 2 is set on a dicing machine (not shown), and water is discharged to a processed portion by a rotary blade 20 of a dicing machine to which diamond fine particles are stuck, and silicon chips are removed along a dicing line 21 while removing machining waste by hydraulic pressure. Make approximately 13 full thickness cuts. As a result, each CCD 11 is divided into a state in which it is attached only to the dicing sheet 19.
【００１８】次に、図４に示す第４の工程において、カ
ットされた後の半導体ウェハ１２は、ウェハリングに取
り付けたままの状態で、アルカリ水溶液又は有機溶剤に
よって被着されている加工保護被膜１８の剥離、除去が
行なわれる。なお、アルカリ水溶液のアルカリ濃度や有
機溶剤は、加工保護被膜１８のアクリル系樹脂の除去が
確実に行なわれるものを適宜に選定する。Next, in the fourth step shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 12 after being cut is applied with an alkaline aqueous solution or an organic solvent while being attached to the wafer ring. 18 is peeled and removed. The alkali concentration of the alkaline aqueous solution and the organic solvent are appropriately selected so that the acrylic resin of the processing protection film 18 can be removed reliably.
【００１９】次に、図５に示す第５の工程において、加
工保護被膜１８が除去された後の半導体ウェハ１２は、
ウェハリングに取り付けたまま図示しないチップマウン
ト装置にセットされる。そして、ＵＶ光を当てることに
よって特性変化したダイシングシート１９を引き延ば
し、裏面側からピックアップするＣＣＤ１１の周囲を図
示しない固定用吸着ホルダで吸着保持しながら、針状の
突き上げピン２２で突き上げ、図示しないコレットによ
り個々に分割された良品のＣＣＤ１１が吸着、保持さ
れ、ダイシングシート１９からのピックアップが行なわ
れ、図示しないパッケージの固着部に移載される。Next, in the fifth step shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 12 after the processing protection film 18 is removed is
The wafer is attached to the wafer ring and set in a chip mount device (not shown). Then, the dicing sheet 19 whose characteristics have been changed by irradiating UV light is stretched, and while the periphery of the CCD 11 picked up from the back side is sucked and held by a fixing suction holder (not shown), it is pushed up by a needle-shaped push-up pin 22 and collet not shown. Thus, the non-defective CCD 11 that has been individually divided is adsorbed and held, picked up from the dicing sheet 19, and transferred to a fixing portion of a package (not shown).
【００２０】以上の通り構成することで、ダイシングマ
シンの回転ブレード２０によって半導体ウェハ１２をカ
ットし分割する際、シリコン基板１３のシリコンの破片
や回転ブレード２０に貼付されているダイヤモンド微粒
などが飛び散ったとしても、ＣＣＤ１１の表面は加工保
護被膜１８で覆われているため、加工保護被膜１８の表
面を傷付けたり、表面に付着するのみで、ダイシング後
に加工保護被膜１８を除去することによって、加工屑に
より撮像レンズ（色フィルタ）１５の表面が傷付けられ
たり、表面に付着したりする虞がなくなる。With the above-described structure, when the semiconductor wafer 12 is cut and divided by the rotating blade 20 of the dicing machine, silicon fragments of the silicon substrate 13 and diamond fine particles attached to the rotating blade 20 are scattered. However, since the surface of the CCD 11 is covered with the processing protection film 18, the surface of the processing protection film 18 is only scratched or adheres to the surface. There is no risk of the surface of the imaging lens (color filter) 15 being scratched or attached to the surface.
【００２１】これにより、撮像レンズ（色フィルタ）１
５の表面の傷付きや、表面に付着したごみが原因で生じ
るＣＣＤ１１の黒きず不良が低減し、製品の製造歩留を
向上させることができる。そして、ＣＣＤ１１の高精細
化要求にも対応可能となる。As a result, the imaging lens (color filter) 1
5, the black defect in the CCD 11 caused by the scratches on the surface of the sheet 5 and the dust adhering to the surface can be reduced, and the production yield of the product can be improved. Then, it becomes possible to meet the demand for higher definition of the CCD 11.
【００２２】なお、上記の実施形態では、加工保護被膜
１８の膜厚を１μｍ〜３μｍ程度としたが、シリコンの
加工屑等によって膜下の撮像レンズ（色フィルタ）１５
の表面に傷付かず、また膜の除去が確実に行なえる範囲
で適宜設定すればよく、膜硬さも同様に加工屑等で撮像
レンズ（色フィルタ）１５の表面が傷付かず、また膜の
除去が確実に行なえる範囲で適宜設定すればよい。In the above embodiment, the film thickness of the processing protection film 18 is set to about 1 μm to 3 μm, but the image pickup lens (color filter) 15 under the film is formed by the processing chips of silicon.
The surface of the image pickup lens (color filter) 15 is not scratched due to processing scraps and the like, and the film hardness may be appropriately set within a range in which the film can be reliably removed. It may be set appropriately within a range where removal can be reliably performed.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド
微粒などによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を
低減でき、また黒きず不良の発生を低減することがで
き、微細化された固体撮像素子の製造歩留を向上させる
ことができる等の効果を奏する。As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to reduce scratches and dust adhesion on the surface of a solid-state image pickup device due to silicon fragments, diamond fine particles, etc. during dicing, and also a black defect is generated. And the manufacturing yield of the miniaturized solid-state imaging device can be improved.
【図１】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第１の工
程を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a first step in a CCD according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第２の工
程を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a second step in the CCD according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第３の工
程を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a third step in the CCD of the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第４の工
程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a fourth step in the CCD of the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第５の工
程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fifth step in the CCD of the embodiment of the present invention.
【図６】従来例のＣＣＤにおける第１の工程を示す断面
図である。FIG. 6 is a sectional view showing a first step in a conventional CCD.
【図７】従来例のＣＣＤにおける第２の工程を示す断面
図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a second step in the conventional CCD.
【図８】従来例のＣＣＤにおける第３の工程を示す断面
図である。FIG. 8 is a sectional view showing a third step in the conventional CCD.
１１…ＣＣＤ １２…半導体ウェハ １５…撮像レンズ（色フィルタ） １８…加工保護被膜 ２０…回転ブレード 11 ... CCD 12 ... Semiconductor wafer 15 ... Imaging lens (color filter) 18 ... Processing protection film 20 ... Rotating blade
フロントページの続き (72)発明者 永野 亮二 岩手県北上市北工業団地６番６号 岩手東 芝エレクトロニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA09 AB01 BA10 BA14 DA03 EA08 EA11 FA06 FA26 GB03 GB11 GC07 GD04 GD07 HA40 Continued front page (72) Inventor Ryoji Nagano 6-6 Kita Industrial Park, Kitakami City, Iwate Prefecture Shiba Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 4M118 AA08 AA09 AB01 BA10 BA14 DA03 EA08 EA11 FA06 FA26 GB03 GB11 GC07 GD04 GD07 HA40
Claims (3)
成した後、ダイシングにより前記半導体ウェハを個々の
固体撮像素子に分割するに際し、前記半導体ウェハ表面
に加工保護被膜を被着した後にダイシングを行ない、ダ
イシング後に前記加工保護被膜を剥離し、該半導体ウェ
ハを個々の固体撮像素子に分割することを特徴とする半
導体装置の製造方法。1. When a plurality of solid-state imaging devices are formed on a semiconductor wafer, and when the semiconductor wafer is divided into individual solid-state imaging devices by dicing, dicing is performed after applying a processing protective film on the surface of the semiconductor wafer. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the processing protective film is peeled off after dicing, and the semiconductor wafer is divided into individual solid-state imaging devices.
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the processing protection film is an acrylic resin film.
μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。3. The processing protection film has a thickness of 1 μm to 3
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness is μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002076023A JP2003273043A (en) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | Method of manufacturing semiconductor device |
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Cited By (8)
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