JP2003264473A - Semi-conductor ic for adjusting tracking filter, and tracking filter adjusting system using the same - Google Patents

Semi-conductor ic for adjusting tracking filter, and tracking filter adjusting system using the same

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JP2003264473A
JP2003264473A JP2002065859A JP2002065859A JP2003264473A JP 2003264473 A JP2003264473 A JP 2003264473A JP 2002065859 A JP2002065859 A JP 2002065859A JP 2002065859 A JP2002065859 A JP 2002065859A JP 2003264473 A JP2003264473 A JP 2003264473A
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JP
Japan
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voltage
circuit
tracking filter
frequency
adjusting
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JP2002065859A
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Inventor
Tsutomu Kobayashi
勉 小林
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tracking filter adjusting semiconductor IC which reduces the system price, and also to provide a tracking filter adjusting system using the IC. <P>SOLUTION: The semiconductor IC internally includes: a frequency converting circuit part which comprises a local oscillation circuit 14 connected to a first variable capacitance diode 7 whose capacitance is controlled by receiving a first tuning control voltage, converts the frequency of a signal inputted from an external tracking filter 3, and outputs it; and a voltage converting circuit 20 for receiving the first tuning control voltage, converting it into a second tuning control voltage, and outputting the second voltage to an outer part to supply it to a second variable capacitance diode 8 for adjusting the characteristics of a tracking filter. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、トラッキングフィ
ルタ調整用の半導体集積回路(LSI) およびそれを用いた
トラッキングフィルタ調整システムに係り、特に可変容
量ダイオードの制御電圧生成回路およびそれを用いたト
ラッキングフィルタ調整システムに関するもので、例え
ばテレビジョンチューナなどに使用されるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (LSI) for adjusting a tracking filter and a tracking filter adjusting system using the same, and more particularly to a control voltage generating circuit for a variable capacitance diode and a tracking filter using the same. The present invention relates to an adjusting system, and is used in, for example, a television tuner or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、例えばVHF 用のテレビジョンチ
ューナに使用されるトラッキングフィルタ調整用のLSI
およびそれを用いたトラッキングフィルタ調整システム
の従来例1を示している。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows an LSI for adjusting a tracking filter used in a television tuner for VHF, for example.
1 shows a conventional example 1 of a tracking filter adjustment system using the same.

【0003】図4において、1 は受信アンテナ、2 は受
信アンテナで受信された高周波(RF)信号を増幅するRFア
ンプ、3 はRFアンプの出力信号から所望の周波数成分の
信号を抽出するためのトラッキングフィルタである。
In FIG. 4, 1 is a receiving antenna, 2 is an RF amplifier for amplifying a high frequency (RF) signal received by the receiving antenna, and 3 is a signal for extracting a signal of a desired frequency component from an output signal of the RF amplifier. It is a tracking filter.

【0004】トラッキングフィルタ調整用のLSI40 は、
外部のトラッキングフィルタ3 から入力する周波数fRF
のRF信号を周波数fLOSC のローカル信号を用いて所定の
中間周波数fIF(=fLOSC-fRF、国内向けのVHF チューナで
は58.75MHz)に周波数変換して出力する周波数変換回路
部を内蔵している。
The tracking filter adjustment LSI 40 is
Frequency fRF input from external tracking filter 3
It has a built-in frequency conversion circuit that converts the RF signal of to the specified intermediate frequency fIF (= fLOSC-fRF, 58.75MHz for domestic VHF tuner) using the local signal of frequency fLOSC and outputs it.

【0005】この周波数変換回路部は、外部のトラッキ
ングフィルタ3 から入力する信号を増幅する第1の増幅
回路11と、この第1の増幅回路11の出力信号を周波数変
換する周波数混合回路(ミキサ)12と、この周波数混合
回路12の出力信号を増幅して外部へ出力する第2の増幅
回路13と、前記周波数混合回路12にローカル信号を供給
するローカル発振回路14と、このローカル発振回路14と
ともに位相同期ループ(PLL) の一部を構成するPLL 制御
回路(基準クロック発生回路、分周回路、位相比較回路
などを含む)15とを具備する。
The frequency conversion circuit section includes a first amplification circuit 11 for amplifying a signal input from an external tracking filter 3 and a frequency mixing circuit (mixer) for frequency conversion of an output signal of the first amplification circuit 11. 12, a second amplifier circuit 13 that amplifies the output signal of the frequency mixing circuit 12 and outputs the amplified signal to the outside, a local oscillating circuit 14 that supplies a local signal to the frequency mixing circuit 12, and the local oscillating circuit 14. A PLL control circuit (including a reference clock generation circuit, a frequency dividing circuit, a phase comparison circuit, etc.) 15 forming a part of a phase locked loop (PLL) is provided.

【0006】LSI 外部には、前記PLL 制御回路15内の基
準クロック発生回路に接続される振動子4 と、前記ロー
カル発振回路14に接続されて前記PLL の一部を構成し、
ローカル発振回路14の出力周波数(ローカル発振周波数
fLOSC )を調整するための第1の可変容量ダイオード41
と、前記PLL の一部を構成し、例えば0V〜33V の帰還制
御電圧を出力するローパスフィルタ(LPF)42 と、前記PL
L 制御回路15に選局チャネル周波数指定データを供給す
るためのCPU6と、前記トラッキングフィルタ3に接続さ
れ、その特性(中心周波数)を調整するための第2の可
変容量ダイオード8 が設けられている。
Outside the LSI, a vibrator 4 connected to a reference clock generation circuit in the PLL control circuit 15 and a part of the PLL connected to the local oscillation circuit 14 are formed.
Output frequency of local oscillator circuit 14 (local oscillator frequency
fLOSC) first variable capacitance diode 41 for adjusting
And a low-pass filter (LPF) 42 that forms a part of the PLL and outputs a feedback control voltage of 0 V to 33 V, and the PL
A CPU 6 for supplying tuning channel frequency designation data to the L control circuit 15 and a second variable capacitance diode 8 connected to the tracking filter 3 for adjusting its characteristic (center frequency) are provided. .

【0007】図5は、図4中の第1の可変容量ダイオー
ド41に供給されるチューニング制御電圧vtとローカル発
振周波数fLOSC との関係(電圧/周波数特性)の一例を
示している。
FIG. 5 shows an example of the relationship (voltage / frequency characteristic) between the tuning control voltage vt supplied to the first variable capacitance diode 41 in FIG. 4 and the local oscillation frequency fLOSC.

【0008】上記したように従来例1のトラッキングフ
ィルタ調整システムにおいては、前記LPF52 から出力す
る0V〜33V の帰還制御電圧vtを第1の可変容量ダイオー
ド41および第2の可変容量ダイオード8 に対して共通に
チューニング制御電圧として供給されている。しかし、
LSI 外部の使用部品点数が多く、組み立て工数も多くな
り、システムの価格が高くなる。
As described above, in the tracking filter adjusting system of the first conventional example, the feedback control voltage vt of 0V to 33V output from the LPF 52 is applied to the first variable capacitance diode 41 and the second variable capacitance diode 8. It is commonly supplied as a tuning control voltage. But,
The number of parts used outside the LSI is large, the number of assembly steps is large, and the system price is high.

【0009】一方、図6は、VHF 用のテレビジョンチュ
ーナに使用されるトラッキングフィルタ調整用のLSI お
よびそれを用いたトラッキングフィルタ調整システムの
従来例2を示している。
On the other hand, FIG. 6 shows a conventional example 2 of a tracking filter adjustment LSI used in a VHF television tuner and a tracking filter adjustment system using the same.

【0010】図6の構成は、図4を参照して前述した従
来例1の構成と比べて、次の点が異なり、その他はほぼ
同じである。
The configuration of FIG. 6 is different from the configuration of the conventional example 1 described with reference to FIG. 4 in the following points, and the other points are almost the same.

【0011】(1)トラッキングフィルタ調整用のLSI6
0 の動作電源電圧(例えば5V)以下での動作が可能な低
耐圧タイプの第1の可変容量ダイオード7 を上記LSI60
に内蔵している。
(1) LSI 6 for tracking filter adjustment
The first variable capacitance diode 7 of the low withstand voltage type that can operate at an operating power supply voltage of 0 (for example, 5 V) or less
Built in.

【0012】(2)PLL の一部を構成するLPF5として、
例えば0V〜5Vの帰還制御電圧を出力させるように構成
し、この帰還制御電圧を第1のチューニング制御電圧Vt
1 として第1の可変容量ダイオード7 に供給している。
(2) As the LPF 5 which constitutes a part of the PLL,
For example, it is configured to output a feedback control voltage of 0V to 5V, and this feedback control voltage is used as the first tuning control voltage Vt.
It is supplied to the first variable capacitance diode 7 as 1.

【0013】(3)CPU6から選局チャネル周波数指定デ
ータを供給され、所望のチューニング制御データを出力
する不揮発性メモリ51と、この不揮発性メモリ51から出
力するデータをデジタル/アナログ(D/A) 変換し、0V〜
33V の第2のチューニング制御電圧Vt2 を生成して第2
の可変容量ダイオード8 に供給するD/A 変換回路52が付
加されている。
(3) A nonvolatile memory 51 which is supplied with tuning channel frequency designation data from the CPU 6 and outputs desired tuning control data, and digital / analog (D / A) data output from the nonvolatile memory 51. Convert, 0V ~
Generate a second tuning control voltage Vt2 of 33V
A D / A conversion circuit 52 for supplying the variable capacitance diode 8 is added.

【0014】上記したように従来例2のトラッキングフ
ィルタ調整システムにおいては、従来例1の構成と比べ
て、低耐圧タイプの第1の可変容量ダイオード7 がLSI6
0 に内蔵されているので、LSI 外部の第1の可変容量ダ
イオード(図4中41)を省略できるが、高価な不揮発性
メモリ51およびD/A 変換回路52がLSI 外部に付加されて
いるので、システムの価格が高くなる。
As described above, in the tracking filter adjustment system of the second conventional example, the first variable capacitance diode 7 of the low withstand voltage type is provided in the LSI 6 as compared with the configuration of the first conventional example.
Since it is built in 0, the first variable capacitance diode (41 in FIG. 4) outside the LSI can be omitted, but since the expensive nonvolatile memory 51 and D / A conversion circuit 52 are added outside the LSI. , The price of the system will be high.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上記したように従来例
2のトラッキングフィルタ調整用のLSI およびそれを用
いたトラッキングフィルタ調整システムは、LSI 外部に
高価な不揮発性メモリを用いているので、システムの価
格が高くなるという問題があった。
As described above, the LSI for tracking filter adjustment of the second conventional example and the tracking filter adjustment system using the same use an expensive non-volatile memory outside the LSI. There was a problem that the price would be high.

【0016】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、システム価格を低減化し得るトラッキングフ
ィルタ調整用の半導体集積回路およびそれを用いたトラ
ッキングフィルタ調整システムを提供することを目的と
する。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit for tracking filter adjustment which can reduce the system price, and a tracking filter adjustment system using the same. .

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、第1のチューニング制御電圧を受けて容量が制御さ
れる第1の可変容量ダイオードが接続されたローカル発
振回路を有し、外部のトラッキングフィルタから入力す
る信号を周波数変換して出力する周波数変換回路部と、
前記第1のチューニング制御電圧を受けて第2のチュー
ニング制御電圧に変換し、前記トラッキングフィルタの
特性を調整するための第2の可変容量ダイオードに供給
するために外部に出力する電圧変換回路とを内蔵してな
ることを特徴とする。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention has a local oscillation circuit connected to a first variable capacitance diode, the capacitance of which is controlled by receiving a first tuning control voltage. A frequency conversion circuit unit that frequency-converts and outputs the signal input from the tracking filter,
A voltage conversion circuit which receives the first tuning control voltage, converts it into a second tuning control voltage, and outputs it to the outside in order to supply it to the second variable capacitance diode for adjusting the characteristic of the tracking filter. It is characterized by being built-in.

【0018】本発明のトラッキングフィルタ調整システ
ムは、本発明の半導体集積回路と、前記半導体集積回路
の外部に設けられたトラッキングフィルタと、前記トラ
ッキングフィルタに接続され、前記第2のチューニング
制御電圧が供給されて前記トラッキングフィルタの特性
を調整するための第2の可変容量ダイオードとを具備す
ることを特徴とする
The tracking filter adjusting system of the present invention is connected to the semiconductor integrated circuit of the present invention, a tracking filter provided outside the semiconductor integrated circuit, and the tracking filter, and supplies the second tuning control voltage. And a second variable capacitance diode for adjusting the characteristics of the tracking filter.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0020】<第1の実施形態>図1は、本発明の第1
の実施形態に係る例えばVHF 用のテレビジョンチューナ
に使用されるトラッキングフィルタ調整用のLSI および
それを用いたトラッキングフィルタ調整システムの一例
を示している。
<First Embodiment> FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
2 shows an example of a tracking filter adjustment LSI used in, for example, a VHF television tuner and a tracking filter adjustment system using the same according to the embodiment of FIG.

【0021】図1の構成は、図6を参照して前述した従
来例2の構成と比べて、次の点が異なり、その他はほぼ
同じである。
The configuration of FIG. 1 is different from the configuration of the conventional example 2 described with reference to FIG. 6 in the following points, and the other points are almost the same.

【0022】(1)トラッキングフィルタ調整用のLSI1
0 は、PLL の一部を構成するLSI 外部のLPF5から出力す
る例えば0V〜5Vの第1のチューニング制御電圧vt1 を受
けて例えば0V〜33V の第2のチューニング制御電圧vt2
に変換してLSI 外部に出力する電圧変換回路20を内蔵し
ている。
(1) LSI 1 for tracking filter adjustment
0 is the second tuning control voltage vt2 of, for example, 0V to 33V when receiving the first tuning control voltage vt1 of, for example, 0V to 5V output from the LPF5 outside the LSI that constitutes a part of the PLL.
It has a built-in voltage conversion circuit 20 that converts the signal into a signal and outputs it to the outside of the LSI.

【0023】(2)上記電圧変換回路20からLSI 外部に
出力する第2のチューニング制御電圧vt2 をLSI 外部の
第2の可変容量ダイオード8 に供給することにより、LS
I 外部の不揮発性メモリ(図6中51)とD/A 変換回路
(図6中52)を省略した。
(2) By supplying the second tuning control voltage vt2 output from the voltage conversion circuit 20 to the outside of the LSI to the second variable capacitance diode 8 outside the LSI,
I The external non-volatile memory (51 in Fig. 6) and D / A conversion circuit (52 in Fig. 6) are omitted.

【0024】即ち、図1において、1 は受信アンテナ、
2 は受信アンテナで受信されたRF信号を増幅するRFアン
プ、3 はRFアンプの出力信号から所望の周波数成分の信
号を抽出するためのトラッキングフィルタである。
That is, in FIG. 1, 1 is a receiving antenna,
Reference numeral 2 is an RF amplifier that amplifies the RF signal received by the receiving antenna, and 3 is a tracking filter for extracting a signal of a desired frequency component from the output signal of the RF amplifier.

【0025】トラッキングフィルタ調整用のLSI10 は、
外部のトラッキングフィルタ3 から入力する周波数fRF
のRF信号を周波数fLOSCのローカル信号を用いて所定の
中間周波数fIF(=fLOSC-fRF、国内向けのVHF チューナで
は58.75MHz)に周波数変換して出力する周波数変換回路
部を内蔵している。
The tracking filter adjustment LSI 10 is
Frequency fRF input from external tracking filter 3
The built-in frequency conversion circuit section converts the RF signal of the frequency signal to a predetermined intermediate frequency fIF (= fLOSC-fRF, 58.75 MHz in the domestic VHF tuner) using a local signal of frequency fLOSC and outputs the frequency signal.

【0026】この周波数変換回路部は、外部のトラッキ
ングフィルタから入力する信号を増幅する第1の増幅回
路11と、この第1の増幅回路の出力信号を周波数変換す
る周波数混合回路(ミキサ)12と、この周波数混合回路
12の出力信号を増幅して外部へ出力する第2の増幅回路
13と、前記周波数混合回路12にローカル信号を供給する
ローカル発振回路14と、このローカル発振回路14に接続
されてPLL の一部を構成してローカル発振周波数fLOSC
を調整するための第1の可変容量ダイオード7と、これ
らのローカル発振回路14および第1の可変容量ダイオー
ド7 とともにPLL の一部を構成するPLL 制御回路(基準
クロック発生回路、分周回路、位相比較回路などを含
む)15とを具備する。前記第1の可変容量ダイオード7
は、LSI10の動作電源電圧(例えば5V)以下での動作が
可能な低耐圧タイプのものである。
The frequency conversion circuit section includes a first amplification circuit 11 for amplifying a signal input from an external tracking filter, and a frequency mixing circuit (mixer) 12 for frequency conversion of an output signal of the first amplification circuit. , This frequency mixing circuit
A second amplifier circuit that amplifies the 12 output signals and outputs them to the outside
13, a local oscillation circuit 14 for supplying a local signal to the frequency mixing circuit 12, and a local oscillation frequency fLOSC which is connected to the local oscillation circuit 14 to form a part of the PLL.
For adjusting the first variable capacitance diode 7, and the local oscillator circuit 14 and the first variable capacitance diode 7, and a PLL control circuit (reference clock generation circuit, frequency dividing circuit, phase control circuit) that constitutes a part of the PLL. (Including a comparison circuit) 15). The first variable capacitance diode 7
Is a low withstand voltage type that can operate at an operating power supply voltage (for example, 5 V) or less of the LSI 10.

【0027】LSI 外部には、PLL 制御回路15内の基準ク
ロック発生回路に接続される振動子4 と、前記PLL の一
部を構成し、PLL 内の帰還制御電圧を出力するLPF5と、
PLL制御回路15に選局チャネル周波数指定データを供給
するためのCPU6と、トラッキングフィルタ3 に接続さ
れ、フィルタ特性(中心周波数)を調整するための第2
の可変容量ダイオード8 が設けられている。上記LPF5
は、通常は特性調整用の大きな容量素子を使用するので
LSI 外部に設けられる場合が多い。
Outside the LSI, a vibrator 4 connected to a reference clock generation circuit in the PLL control circuit 15, an LPF 5 that forms a part of the PLL and outputs a feedback control voltage in the PLL,
The CPU 6 for supplying the tuning channel frequency designation data to the PLL control circuit 15 and the second for connecting to the tracking filter 3 for adjusting the filter characteristic (center frequency)
The variable capacitance diode 8 is provided. LPF5 above
Usually uses a large capacitive element for characteristic adjustment, so
Often provided outside the LSI.

【0028】なお、図1中の主要部品は、他の部品(IF
段以降のLSI など)とともに同一実装基板上に実装され
てモジュール化され、例えば金属製のシールドケースに
内蔵されている。また、図示しないが、UHF 用のテレビ
ジョンチューナも、上記VHF用のテレビジョンチューナ
とほぼ同様に構成される。
The main parts in FIG. 1 are other parts (IF
It is mounted on the same mounting board together with subsequent LSIs, etc.) to form a module, and is built in, for example, a metal shield case. Although not shown, the UHF television tuner is also configured in substantially the same manner as the VHF television tuner.

【0029】ところで、図1中のローカル発振回路14お
よびそれに接続されている第1の可変容量ダイオード7
は、LPF5から出力する0V〜5Vの第1のチューニング制御
電圧vt1 を受けて所要のローカル周波数範囲にわたって
連続的に周波数を変化することが可能なように構成する
必要がある。
By the way, the local oscillator circuit 14 in FIG. 1 and the first variable capacitance diode 7 connected to the local oscillator circuit 14 are shown.
Must be configured to be able to continuously change the frequency over the required local frequency range by receiving the first tuning control voltage vt1 of 0V to 5V output from LPF5.

【0030】上記構成を容易に実現するために、所要の
ローカル周波数範囲を複数に区分して担当するように、
複数組(本例では3組)のローカル発振回路14および第
1の可変容量ダイオード7 が設けられており、この3組
がPLL 制御回路15からの制御信号により制御されるスイ
ッチ素子により切り替えられて選択的に使用されるよう
に構成されている。
In order to easily realize the above configuration, the required local frequency range is divided into a plurality of divisions and is in charge.
A plurality of sets (three sets in this example) of the local oscillator circuit 14 and the first variable capacitance diode 7 are provided, and these three sets are switched by a switching element controlled by a control signal from the PLL control circuit 15. It is configured to be used selectively.

【0031】なお、上記3組のローカル発振回路14およ
び第1の可変容量ダイオード7 に限らず、3個設けたロ
ーカル発振回路14に対して選択的に1個の第1の可変容
量ダイオード7 を接続するように切り替え制御する構成
にしてもよい。
Not limited to the above three sets of local oscillator circuits 14 and the first variable capacitance diodes 7, one first variable capacitance diode 7 is selectively provided for the three local oscillation circuits 14 provided. You may make it the structure which carries out switching control so that it may connect.

【0032】上記した3組のローカル発振回路14および
第1の可変容量ダイオード7 、または、3個のローカル
発振回路14と1個の第1の可変容量ダイオード7 との選
択的な組み合わせを、便宜上、ローカル周波数範囲が異
なる3個のローカル発振回路と称するものとする。
For convenience, the above-mentioned three sets of local oscillation circuits 14 and the first variable capacitance diodes 7 or a selective combination of the three local oscillation circuits 14 and one first variable capacitance diode 7 are used. , Three local oscillation circuits having different local frequency ranges.

【0033】図2は、図1中のローカル発振回路14およ
び第1の可変容量ダイオード7 の動作原理の一例を説明
するために、ローカル周波数範囲が異なる3個の発振回
路についてそれぞれ入力電圧(第1のチューニング電圧
Vt1 )と出力周波数(ローカル発振周波数fLOSC 特性)
の関係(電圧/周波数特性)の一例を示している。
In order to explain an example of the operating principle of the local oscillator circuit 14 and the first variable capacitance diode 7 in FIG. 1, FIG. 2 shows input voltages (third oscillator voltage) for three oscillator circuits having different local frequency ranges. Tuning voltage of 1
Vt1) and output frequency (local oscillation frequency fLOSC characteristic)
1 shows an example of the relationship (voltage / frequency characteristic).

【0034】即ち、前記3個のローカル発振回路のうち
の1つは、0V〜5Vの第1のチューニング制御電圧Vt1 を
受けてローカル周波数範囲のうちの低い周波数領域内で
連続的にローカル周波数を変化するように構成されてい
る。
That is, one of the three local oscillator circuits receives the first tuning control voltage Vt1 of 0V to 5V and continuously adjusts the local frequency within a low frequency region of the local frequency range. It is configured to change.

【0035】また、前記3個のローカル発振回路のうち
の別の1つは、0V〜5Vの第1のチューニング制御電圧Vt
1 を受けてローカル周波数範囲のうちの中間の周波数範
囲で連続的にローカル周波数を変化するように構成され
ている。
Another one of the three local oscillator circuits is a first tuning control voltage Vt of 0V to 5V.
In response to 1, the local frequency is continuously changed in an intermediate frequency range of the local frequency range.

【0036】また、前記3個のローカル発振回路のうち
のさらに別の1つは、0V〜5Vの第1のチューニング制御
電圧Vt1 を受けてローカル周波数範囲のうちの高い周波
数範囲で連続的にローカル周波数を変化するように構成
されている。
Further, another one of the three local oscillator circuits receives the first tuning control voltage Vt1 of 0V to 5V and continuously localizes in a high frequency range of the local frequency range. It is configured to change the frequency.

【0037】ところで、図1中の電圧変換回路20は、LP
F5から出力する0V〜5Vの第1のチューニング制御電圧Vt
1 を受けて0V〜33V の第2のチューニング制御電圧Vt2
に変換するように構成する必要がある。
By the way, the voltage conversion circuit 20 in FIG.
First tuning control voltage Vt of 0V to 5V output from F5
The second tuning control voltage Vt2 of 0V to 33V in response to 1
Need to be configured to convert to.

【0038】上記構成を容易に実現するために、電圧変
換回路20の一例は、0V〜5Vの入力電圧(第1のチューニ
ング制御電圧)を0V〜11V の出力電圧に伸張する直流電
圧増幅器21と、前記PLL 制御回路からの制御信号に基づ
いて必要に応じて所定のオフセット電圧を選択し、直流
電圧増幅器(DCアンプ)21の出力電圧に加算(合成)
するために供給するオフセット電圧選択回路22と、上記
所定のオフセット電圧を生成するオフセット電圧生成回
路(図示せず)により構成されている。この場合、トラ
ッキングフィルタ調整用のLSI10 の構成素子は、主にバ
イポーラトランジスタであるが、直流電圧増幅器21の最
終段には33V 以上の高耐圧タイプの電界効果トランジス
タが用いられる。
In order to easily realize the above configuration, one example of the voltage conversion circuit 20 is a DC voltage amplifier 21 for expanding an input voltage (first tuning control voltage) of 0V to 5V to an output voltage of 0V to 11V. , A predetermined offset voltage is selected as necessary based on the control signal from the PLL control circuit, and added to the output voltage of the DC voltage amplifier (DC amplifier) 21 (combined)
An offset voltage selection circuit 22 for supplying the voltage and an offset voltage generation circuit (not shown) for generating the predetermined offset voltage. In this case, the constituent elements of the tracking filter adjusting LSI 10 are mainly bipolar transistors, but a high breakdown voltage type field effect transistor of 33 V or more is used in the final stage of the DC voltage amplifier 21.

【0039】図3は、図1中の電圧変換回路20の入力電
圧(第1のチューニング電圧Vt1 )と出力電圧(第2の
チューニング電圧Vt2 )との関係(入出力電圧変換特
性)の一例を示している。
FIG. 3 shows an example of the relationship (input / output voltage conversion characteristic) between the input voltage (first tuning voltage Vt1) and the output voltage (second tuning voltage Vt2) of the voltage conversion circuit 20 shown in FIG. Shows.

【0040】即ち、3個のローカル発振回路のうちの1
個を第1のチューニング制御電圧Vt1 により制御してロ
ーカル周波数範囲のうちの低い周波数領域内で発振させ
る場合には、0V〜5Vの入力電圧を0V〜11V の出力電圧に
伸張してそのまま出力する。
That is, one of the three local oscillator circuits
When the individual units are controlled by the first tuning control voltage Vt1 and oscillate in the low frequency region of the local frequency range, the input voltage of 0V to 5V is expanded to the output voltage of 0V to 11V and output as it is. .

【0041】これに対して、3個のローカル発振回路の
うちの別の1個を第1のチューニング制御電圧Vt1 によ
り制御してローカル周波数範囲のうちの中間の周波数領
域内で発振させる場合には、0V〜5Vの入力電圧を0V〜11
V の出力電圧に伸張するとともに11V のオフセット電圧
を加算して11V 〜22V の出力電圧に変換する。
On the other hand, when another one of the three local oscillator circuits is controlled by the first tuning control voltage Vt1 to oscillate in the intermediate frequency range of the local frequency range, , 0V ~ 5V input voltage 0V ~ 11
It expands to the V output voltage and adds the 11V offset voltage to convert it to the 11V to 22V output voltage.

【0042】これに対して、3個のローカル発振回路の
うちのさらに別の1個を第1のチューニング制御電圧Vt
1 により制御してローカル周波数範囲のうちの高い周波
数領域内で発振させる場合には、0V〜5Vの入力電圧を0V
〜11V の出力電圧に伸張するとともに22V のオフセット
電圧を加算して22V 〜33V の出力電圧に変換する。
On the other hand, another one of the three local oscillator circuits is connected to the first tuning control voltage Vt.
When controlled by 1 to oscillate in the high frequency range of the local frequency range, input voltage from 0V to 5V is changed to 0V.
It expands to the output voltage of ~ 11V and adds the offset voltage of 22V to convert it to the output voltage of 22V ~ 33V.

【0043】上記したような図1の構成のトラッキング
フィルタ調整用のLSI10 およびそれを用いたトラッキン
グフィルタ調整システムにおいては、PLL の一部を構成
するLPF5から出力する0V〜5Vの第1のチューニング制御
電圧Vt1 をLSI10 内部の第1の可変容量ダイオード7 に
供給して所望のローカル周波数信号を発生している。ま
た、前記第1のチューニング制御電圧Vt1 を0V〜33V の
第2のチューニング制御電圧Vt2 に変換する電圧変換回
路20をLSI10 に内蔵しており、この第2のチューニング
制御電圧Vt2 をLSI10 外部の第2の可変容量ダイオード
8 に供給してトラッキングフィルタ3 を所望の特性(中
心周波数)に調整している。
In the tracking filter adjustment LSI 10 having the configuration shown in FIG. 1 and the tracking filter adjustment system using the same as described above, the first tuning control of 0V to 5V output from the LPF 5 forming a part of the PLL is performed. The voltage Vt1 is supplied to the first variable capacitance diode 7 inside the LSI 10 to generate a desired local frequency signal. Further, a voltage conversion circuit 20 for converting the first tuning control voltage Vt1 into a second tuning control voltage Vt2 of 0V to 33V is built in the LSI10, and the second tuning control voltage Vt2 is supplied to the outside of the LSI10. 2 variable capacitance diodes
8 to adjust the tracking filter 3 to a desired characteristic (center frequency).

【0044】したがって、従来例2の構成と比べて、LS
I 外部の高価な不揮発性メモリ(図6中51)およびD/A
変換回路(図6中52)を省略できるのでが、システムの
価格を低減することが可能になる。
Therefore, as compared with the configuration of the conventional example 2, the LS
I External expensive non-volatile memory (51 in Figure 6) and D / A
Although the conversion circuit (52 in FIG. 6) can be omitted, the system cost can be reduced.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述したように本発明によれば、システ
ム価格を低減化し得るトラッキングフィルタ調整用の半
導体集積回路およびそれを用いたトラッキングフィルタ
調整システムを提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit for tracking filter adjustment which can reduce the system price and a tracking filter adjustment system using the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るテレビジョンチ
ューナに使用されるトラッキングフィルタ調整用のLSI
およびそれを用いたトラッキングフィルタ調整システム
の一例を示す構成説明図。
FIG. 1 is an LSI for adjusting a tracking filter used in a television tuner according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration explanatory view showing an example of a tracking filter adjustment system using the same.

【図2】図1中のローカル発振回路および第1の可変容
量ダイオードの動作原理の一例を説明するために、ロー
カル周波数範囲が異なる3個の発振回路についてそれぞ
れの入力電圧(第1のチューニング電圧vt1 )と出力周
波数(ローカル発振周波数fLOSC 特性)の関係の一例を
示す特性図。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of an operating principle of a local oscillator circuit and a first variable capacitance diode in FIG. 1 in order to explain an input voltage (first tuning voltage) of each of three oscillator circuits having different local frequency ranges. A characteristic diagram showing an example of the relationship between vt1) and the output frequency (local oscillation frequency fLOSC characteristic).

【図3】図1中の電圧変換回路20の入力電圧(第1のチ
ューニング電圧vt1 )と出力電圧(第2のチューニング
電圧vt2 )との関係の一例を示す特性図。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing an example of a relationship between an input voltage (first tuning voltage vt1) and an output voltage (second tuning voltage vt2) of the voltage conversion circuit 20 in FIG.

【図4】テレビジョンチューナに使用されるトラッキン
グフィルタ調整用LSI およびそれを用いたトラッキング
フィルタ調整システムの従来例1を示す構成説明図。
FIG. 4 is a configuration explanatory diagram showing a conventional example 1 of a tracking filter adjustment LSI used in a television tuner and a tracking filter adjustment system using the same.

【図5】図4中の第1の可変容量ダイオードに供給され
るチューニング制御電圧vtとローカル発振周波数fLOSC
との関係の一例を示す特性図。
5 shows a tuning control voltage vt supplied to the first variable capacitance diode in FIG. 4 and a local oscillation frequency fLOSC.
FIG. 6 is a characteristic diagram showing an example of a relationship with

【図6】テレビジョンチューナに使用されるトラッキン
グフィルタ調整用LSI およびそれを用いたトラッキング
フィルタ調整システムの従来例2を示す構成説明図。
FIG. 6 is a configuration explanatory view showing a conventional example 2 of a tracking filter adjustment LSI used in a television tuner and a tracking filter adjustment system using the same.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 …受信アンテナ、 2 …RFアンプ、 3 …トラッキングフィルタ、 4 …振動子、 5 …ローパスフィルタ(LPF) 、 6 …CPU 、 7 …第1の可変容量ダイオード、 8 …第2の可変容量ダイオード、 10…トラッキングフィルタ調整用のLSI 、 11…第1の増幅回路、 12…周波数混合回路、 13…第2の増幅回路、 14…ローカル発振回路、 15…PLL 制御回路、 20…電圧変換回路。 1… receiving antenna, 2… RF amplifier, 3… Tracking filter, 4 ... oscillator, 5… Low-pass filter (LPF), 6… CPU, 7 ... first variable capacitance diode, 8 ... second variable capacitance diode, 10 ... LSI for tracking filter adjustment 11 ... the first amplifier circuit, 12 ... frequency mixing circuit, 13 ... second amplifier circuit, 14 ... Local oscillator circuit, 15 ... PLL control circuit, 20 ... Voltage conversion circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C025 AA25 5K020 AA02 BB04 DD15 EE01 EE02 EE03 HH02 5K058 AA01 AA03 BA02 CA01 CA05 DA14 DB04 EA08 EA17 GA16 5K062 AA06 AC02 BB13 BC03    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5C025 AA25                 5K020 AA02 BB04 DD15 EE01 EE02                       EE03 HH02                 5K058 AA01 AA03 BA02 CA01 CA05                       DA14 DB04 EA08 EA17 GA16                 5K062 AA06 AC02 BB13 BC03

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のチューニング制御電圧を受けて容
量が制御される第1の可変容量ダイオードが接続された
ローカル発振回路を有し、外部のトラッキングフィルタ
から入力する信号を周波数変換して出力する周波数変換
回路部と、 前記第1のチューニング制御電圧を受けて第2のチュー
ニング制御電圧に変換し、前記トラッキングフィルタの
特性を調整するための第2の可変容量ダイオードに供給
するために外部に出力する電圧変換回路とを内蔵してな
ることを特徴とするトラッキングフィルタ調整用の半導
体集積回路。
1. A local oscillation circuit connected to a first variable capacitance diode, the capacitance of which is controlled by receiving a first tuning control voltage, and frequency-converts and outputs a signal input from an external tracking filter. And a frequency conversion circuit unit for receiving the first tuning control voltage, converting the second tuning control voltage to a second tuning control voltage, and externally supplying the second tuning capacitor to the second variable capacitance diode for adjusting the characteristic of the tracking filter. A semiconductor integrated circuit for adjusting a tracking filter, comprising a voltage conversion circuit for outputting.
【請求項2】 前記周波数変換回路部は、入力信号を周
波数変換する周波数混合回路と、前記周波数混合回路に
周波数変換用のローカル信号を供給するローカル発振回
路と、位相同期ループ内の帰還制御電圧である第1のチ
ューニング制御電圧を受けて容量が制御され、前記ロー
カル発振回路の発振周波数を調整するための第1の可変
容量ダイオードと、前記ローカル発振回路および前記第
1の可変容量ダイオードとともに位相同期ループPLL の
一部を構成するPLL 制御回路とを具備してなることを特
徴とする請求項1記載のトラッキングフィルタ調整用の
半導体集積回路。
2. The frequency conversion circuit unit, a frequency mixing circuit for frequency converting an input signal, a local oscillator circuit for supplying a local signal for frequency conversion to the frequency mixing circuit, and a feedback control voltage in a phase locked loop. A first variable capacitance diode for adjusting the oscillation frequency of the local oscillation circuit and a phase together with the local oscillation circuit and the first variable capacitance diode. 2. A semiconductor integrated circuit for adjusting a tracking filter according to claim 1, further comprising a PLL control circuit forming a part of the synchronous loop PLL.
【請求項3】 前記第1のチューニング制御電圧は、そ
の最大値が半導体集積回路の動作電源電圧以下であり、 前記第2のチューニング制御電圧は、前記第1のチュー
ニング制御電圧と比べて、電圧の変化範囲が広く、電圧
の最大値が高いことを特徴とする請求項1または2記載
のトラッキングフィルタ調整用の半導体集積回路。
3. The maximum value of the first tuning control voltage is less than or equal to the operating power supply voltage of the semiconductor integrated circuit, and the second tuning control voltage is a voltage higher than the first tuning control voltage. 3. A semiconductor integrated circuit for adjusting a tracking filter according to claim 1, wherein the variation range of the voltage is wide and the maximum value of the voltage is high.
【請求項4】 前記ローカル発振回路およびそれに接続
されている第1の可変容量ダイオードは、所要のローカ
ル周波数範囲を複数に区分して担当するように、少なく
ともローカル発振回路が3個設けられており、この3個
のローカル発振回路が前記PLL 制御回路からの制御信号
により切り替えられて選択的に使用されることを特徴と
する請求項1乃至3のいずれか1項に記載のトラッキン
グフィルタ調整用の半導体集積回路。
4. The local oscillator circuit and the first variable capacitance diode connected thereto are provided with at least three local oscillator circuits so as to divide a required local frequency range into a plurality of divisions. 4. The tracking filter adjusting device according to claim 1, wherein the three local oscillator circuits are selectively used by being switched by a control signal from the PLL control circuit. Semiconductor integrated circuit.
【請求項5】 前記電圧変換回路は、 前記第1のチューニング制御電圧を受けて第1のチュー
ニング制御電圧よりも電圧範囲が広く、最大値が大きい
出力電圧に伸張する直流電圧増幅器と、 前記PLL 制御回路からの制御信号に基づいて必要に応じ
て所定のオフセット電圧を選択し、前記直流電圧増幅器
の出力電圧に加算ために供給するオフセット電圧選択回
路とを具備することを特徴とする請求項1乃至4のいず
れか1項に記載のトラッキングフィルタ調整用の半導体
集積回路。
5. The DC voltage amplifier, wherein the voltage conversion circuit receives the first tuning control voltage and expands to an output voltage having a wider maximum voltage range than the first tuning control voltage, and the PLL. 2. An offset voltage selection circuit for selecting a predetermined offset voltage as necessary based on a control signal from the control circuit and supplying the voltage for addition to the output voltage of the DC voltage amplifier. 5. A semiconductor integrated circuit for adjusting a tracking filter according to any one of items 1 to 4.
【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の
半導体集積回路と、 前記半導体集積回路の外部に設けられたトラッキングフ
ィルタと、 前記トラッキングフィルタに接続され、前記第2のチュ
ーニング制御電圧が供給されて前記トラッキングフィル
タの特性を調整するための第2の可変容量ダイオードと
を具備することを特徴とするトラッキングフィルタ調整
システム。
6. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, a tracking filter provided outside the semiconductor integrated circuit, and a second tuning control connected to the tracking filter. A tracking filter adjustment system comprising: a second variable capacitance diode for adjusting a characteristic of the tracking filter by being supplied with a voltage.
【請求項7】 前記半導体集積回路の外部に設けられ、
前記位相同期ループの一部を構成し、位相同期ループ内
の帰還制御電圧として前記第1のチューニング制御電圧
を生成するローパスフィルタと、 前記半導体集積回路の外部に設けられ、前記半導体集積
回路の内部に選局チャネル周波数指定データを供給する
ためのCPUとをさらに具備することを特徴とする請求
項6記載のトラッキングフィルタ調整システム。
7. The semiconductor integrated circuit is provided outside the semiconductor integrated circuit,
A low-pass filter forming a part of the phase-locked loop and generating the first tuning control voltage as a feedback control voltage in the phase-locked loop; and a low-pass filter provided outside the semiconductor integrated circuit and inside the semiconductor integrated circuit. 7. The tracking filter adjustment system according to claim 6, further comprising a CPU for supplying channel selection channel frequency designation data to the.
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