JP2003263227A - Design method for stage control apparatus, aligner and device-manufacturing method - Google Patents

Design method for stage control apparatus, aligner and device-manufacturing method

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JP2003263227A
JP2003263227A JP2002063202A JP2002063202A JP2003263227A JP 2003263227 A JP2003263227 A JP 2003263227A JP 2002063202 A JP2002063202 A JP 2002063202A JP 2002063202 A JP2002063202 A JP 2002063202A JP 2003263227 A JP2003263227 A JP 2003263227A
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JP
Japan
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stage
compensator
gain
phase
designing
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Application number
JP2002063202A
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Japanese (ja)
Inventor
Akimine Yo
暁峰 楊
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a design method for stage control apparatus capable of designing a stage easily from measured data, without modeling the stage mathematically and capable of accurately controlling an actual stage. <P>SOLUTION: A device manufacturing method comprises a step of acquiring measured data indicating frequency characteristics of the stage (S10), a step of setting a proportional gain of a targeted value at a predetermined frequency based on the measured data (S14), steps of setting an amount of a leading phase to be compensated at the predetermined frequency and of designing a leading phase compensator for compensating the amount of the leading phase of the stage by acquiring a transfer function from the amount and the predetermined frequency (S16 and S18), a step of setting an integral gain, in response to the set amount and predetermined frequency and designing PI (phase and integral gain) compensator for compensating a gain to be given to the targeted value by acquiring the transfer function (S20) and steps of forming a closed loop including the leading phase compensator and the PI compensator (S22, S24 and S26). <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び露光
装置で用いられるマスク(レチクル)、ウエハ等の移動
対象物を載置した状態で移動可能に構成されたステージ
の動作を制御するステージ制御装置の設計方法、並びに
デバイス製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and a stage control for controlling the operation of a stage configured to be movable while a moving object such as a mask (reticle) and a wafer used in the exposure apparatus is placed. The present invention relates to an apparatus design method and a device manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイ、半導体デバイス、撮
像装置(CCD等)、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバ
イスの製造工程におけるフォトリソグラフィ工程では、
投影光学系を介して、レチクルに形成された回路パター
ンの像を表面にフォトレジストが塗布されたウエハ、ガ
ラスプレート等の感光基板に投影する露光装置が用いら
れている。
2. Description of the Related Art In the photolithography process in the manufacturing process of microdevices such as liquid crystal displays, semiconductor devices, image pickup devices (CCD, etc.), thin film magnetic heads, etc.
An exposure apparatus is used that projects an image of a circuit pattern formed on a reticle onto a photosensitive substrate such as a wafer or a glass plate whose surface is coated with a photoresist, via a projection optical system.

【0003】この露光装置の一つとしてとして、レチク
ルのパターンをウエハの各ショット領域に一括して縮小
投影するようにしたステップ・アンド・リピート方式の
露光装置(ステッパー)が知られている。ステッパーで
は1つのショット領域の露光が終了すると、ウエハを移
動して次のショット領域の露光が行われ、これが順次繰
り返される。
As one of the exposure apparatuses, there is known a step-and-repeat type exposure apparatus (stepper) in which a pattern of a reticle is collectively reduced and projected onto each shot area of a wafer. When the exposure of one shot area is completed in the stepper, the wafer is moved to perform the exposure of the next shot area, which is sequentially repeated.

【0004】また、レチクルパターンの露光範囲を拡大
するために、照明光学系からの露光光をスリット状に制
限し、このスリット光を用いてレチクルパターンの一部
をウエハ上に縮小投影した状態で、レチクルとウエハと
を投影光学系に対して同期走査するようにしたステップ
・アンド・スキャン方式の露光装置も用いられている。
Further, in order to expand the exposure range of the reticle pattern, the exposure light from the illumination optical system is limited to a slit shape, and a part of the reticle pattern is reduced and projected onto the wafer using this slit light. An exposure apparatus of a step-and-scan system in which a reticle and a wafer are synchronously scanned with respect to a projection optical system is also used.

【0005】上述したステッパーは、ウエハを載置した
状態で移動可能に構成されたウエハステージと、このウ
エハステージを高速且つ高精度に制御するステージ制御
装置とを備える。また、上記のステップ・アンド・スキ
ャン方式の露光装置は、ウエハステージと、レチクルを
載置した状態で移動可能に構成されたレチクルステージ
と、ウエハステージを高速且つ高精度に位置決めすると
ともに、レチクルステージとウエハステージとを一定速
度で同期走査するためのステージ制御装置とを備える。
The above stepper is provided with a wafer stage configured to be movable while a wafer is placed thereon, and a stage controller for controlling the wafer stage at high speed and with high accuracy. Further, the step-and-scan type exposure apparatus described above includes a wafer stage, a reticle stage that is configured to be movable while the reticle is placed, and a wafer stage that is positioned at high speed and with high accuracy. And a stage control device for synchronously scanning the wafer stage at a constant speed.

【0006】露光装置に設けられるウエハステージ及び
レチクルステージは数ナノメートル〜数十ナノメートル
程度の高い精度で高速に移動させる必要があるため、ス
テージ制御装置を設計するときには、ウエハステージ及
びレチクルステージ各々の動的特性に応じて最適に設計
する必要がある。以下、ステージ制御装置の従来の設計
方法について説明する。
Since the wafer stage and the reticle stage provided in the exposure apparatus must be moved at high speed with high accuracy of several nanometers to several tens of nanometers, when designing the stage controller, the wafer stage and the reticle stage are respectively It is necessary to optimally design according to the dynamic characteristics of. Hereinafter, a conventional design method of the stage control device will be described.

【0007】図10は、ステージ制御装置の従来の設計
方法の一例を示すフローチャートである。ステージ制御
装置を設計するときは、まずウエハステージ又はレチク
ルステージ(以下、これらを総称する場合には、単にス
テージという)に対してステージの目標位置を示す基準
信号を与え、ステージの正確な応答特性(周波数特性)
を示すデータを取得する(工程S50)。尚、ステージ
の周波数特性を示すデータは、ステージに対応して設け
られたレーザ干渉計の計測結果から取得する。
FIG. 10 is a flowchart showing an example of a conventional design method for a stage control device. When designing a stage control device, first, a reference signal indicating a target position of the stage is given to a wafer stage or a reticle stage (hereinafter collectively referred to as a stage), and an accurate response characteristic of the stage is given. (Frequency characteristic)
Is obtained (step S50). The data indicating the frequency characteristic of the stage is acquired from the measurement result of the laser interferometer provided corresponding to the stage.

【0008】次に、工程S50で取得したデータに基づ
いてステージを数学モデル化する(工程S52)。ここ
でステージの数学モデルとは、例えばステージに与える
推力と、与えた推力に対するステージの速度との関係を
示すステージの伝達関数である。この伝達関数は、工程
S50で得られたデータに所定の関数(例えば、多項式
で表される関数)をフィッティングすることにより求め
る。
Next, the stage is mathematically modeled based on the data obtained in step S50 (step S52). Here, the mathematical model of the stage is, for example, a transfer function of the stage showing the relationship between the thrust applied to the stage and the speed of the stage with respect to the applied thrust. This transfer function is obtained by fitting a predetermined function (for example, a function represented by a polynomial) to the data obtained in step S50.

【0009】ステージを数学モデルにより現した後に、
必要であれば数学モデルを簡単化する(工程S54)。
これは、主として数学モデルの取り扱いを容易にするた
めである。具体的には、ステージの数学モデルが多項式
で現されている場合に、高次の項を切り捨てて項数を減
ずる処理を行う。
After the stage is represented by a mathematical model,
If necessary, the mathematical model is simplified (step S54).
This is mainly to facilitate the handling of mathematical models. Specifically, when the mathematical model of the stage is expressed by a polynomial, the higher-order terms are truncated to reduce the number of terms.

【0010】以上の工程が終了すると、工程S52又は
工程S54で求めた数学モデルに基づいて、モデル化し
たステージを制御するためのコントローラを設計する
(工程S56)。具体的には、安定に且つ所期の性能を
満たすようにステージを制御するためのPID制御系及
びステージの位相進み(位相遅れ)を補償するための位
相補償制御系を設計する。尚、ここで設計されるコント
ローラは、数学モデル化されたステージを制御する理論
上のものであり、具体的にはコントローラの伝達関数が
求められる。
When the above steps are completed, a controller for controlling the modeled stage is designed based on the mathematical model obtained in step S52 or step S54 (step S56). Specifically, a PID control system for controlling the stage and a phase compensation control system for compensating the phase lead (phase lag) of the stage are designed so as to stably and satisfy the desired performance. It should be noted that the controller designed here is a theoretical one that controls a mathematically modeled stage, and specifically, the transfer function of the controller is obtained.

【0011】コントローラが設計されると、次に、設計
したコントローラのシミュレーションを行う(工程S5
8)。具体的には、工程S56で設計したコントローラ
を用いて数学モデル化されたステージを制御したとき
に、コントローラが求められる仕様を満たすように数学
モデル化されたステージを制御することができるか否か
をシミュレートする。工程S58のシミュレーションの
結果、工程S56で設計したコントローラが要求される
仕様を満たさない場合(工程S60の判断結果が「N
O」の場合)には、工程S50に戻り、再度ステージの
応答特性を示すデータを取得し、ステージを数学モデル
化してコントローラを設計する工程が行われる。
When the controller is designed, next, the designed controller is simulated (step S5).
8). Specifically, when controlling the mathematically modeled stage using the controller designed in step S56, whether or not the mathematically modeled stage can be controlled so as to satisfy the required specifications of the controller. To simulate. As a result of the simulation in step S58, when the controller designed in step S56 does not meet the required specifications (the determination result in step S60 is “N
(In the case of "O"), the process returns to step S50, the data showing the response characteristics of the stage is acquired again, and the step of designing the controller by mathematically modeling the stage is performed.

【0012】一方、工程S58のシミュレーションの結
果、工程S56で設計したコントローラが要求される仕
様を満たしている場合(工程S60の判断結果が「YE
S」の場合)には、設計したコントローラをソフトウェ
アで実現して、ROM(Read only Memo
ry)等の記憶装置に格納し、実際の物としてのステー
ジ制御装置に実装する(工程S62)。以上の工程に
て、実際のステージを制御するためのステージ制御装置
が得られた訳であるが、最後に、実際の装置が要求され
る仕様を満足するようにステージ制御装置を調整する工
程が行われる(工程S64)。具体的には、前述したコ
ントローラがソフトウェアでステージ制御装置に実装さ
れているため、コントローラの各種パラメータの微調整
を行う作業等が行われる。
On the other hand, as a result of the simulation in step S58, if the controller designed in step S56 meets the required specifications (the determination result in step S60 is "YE").
In the case of “S”), the designed controller is realized by software, and a ROM (Read only Memo)
ry) and the like and store it in a storage device such as ry) and mount it on an actual stage controller (step S62). Through the above steps, the stage control device for controlling the actual stage was obtained, but finally, the step of adjusting the stage control device so that the actual device satisfies the required specifications It is performed (step S64). Specifically, since the above-described controller is mounted on the stage control device by software, work for finely adjusting various parameters of the controller is performed.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した従
来のステージ制御装置の設計方法では、ステージの応答
特性を示すデータに基づいてステージを数学モデル化す
る工程(S52)及び必要であれば数学モデルを簡単化
する工程(S54)が必須であり、このステージの数学
モデルに基づいてコントローラ、ひいてはステージ制御
装置を設計している。
By the way, in the above-described conventional method for designing a stage controller, the step of mathematically modeling the stage based on the data showing the response characteristics of the stage (S52) and, if necessary, the mathematical model. The step of simplifying (S54) is indispensable, and the controller and eventually the stage control device are designed based on the mathematical model of this stage.

【0014】一般的に、実際に得られたステージの応答
特性を示すデータに基づいて精確な数学モデルを得るこ
とは困難である。また、精確な数学モデルを得ようとす
ると、その取り扱いが困難となるため、通常は図10に
示した工程S54を設けて数学モデルを簡単化(近似)
している。ステージ制御装置は、実際の物理系、即ち露
光装置に設けられる実際のウエハステージ又はレチクル
ステージが要求される仕様(動作特性)を満たすように
設計する必要がある。従って、ステージの近似したモデ
ルに対してコントローラを設計すると、このコントロー
ラを実際のステージ制御装置に実装したときに、ステー
ジが要求される仕様を満たすようにステージ制御装置を
調整するには長時間を要するとともに多大な労力が必要
となり、結果的に露光装置のコスト上昇を引き起こすと
いう問題がある。
In general, it is difficult to obtain an accurate mathematical model based on the actually obtained data showing the response characteristic of the stage. Further, since it is difficult to handle an accurate mathematical model when it is to be obtained, usually, the mathematical model is simplified (approximate) by providing step S54 shown in FIG.
is doing. The stage control device needs to be designed so as to satisfy the specifications (operation characteristics) required by the actual physical system, that is, the actual wafer stage or reticle stage provided in the exposure apparatus. Therefore, if a controller is designed for a model that approximates the stage, it takes a long time to adjust the stage controller so that the stage meets the required specifications when the controller is mounted on an actual stage controller. In addition to this, a great deal of labor is required, resulting in a problem that the cost of the exposure apparatus increases.

【0015】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、ステージを数学モデル化する
ことなく、ステージの実測データから簡単に設計するこ
とができるとともに、実際のステージを正確に制御する
ことができるステージ制御装置を設計することができる
ステージ制御装置の設計方法及び当該方法を用いて設計
されたステージ制御装置を備える露光装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and it is possible to easily design from the actual measurement data of the stage without modeling the stage, and to actually design the actual stage. An object of the present invention is to provide a design method of a stage control device capable of designing a stage control device that can be accurately controlled, and an exposure apparatus including the stage control device designed using the method.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】以下、この項に示す例で
は、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施形
態の図に示す代表的な参照符号を付して説明するが、本
発明の構成又は各構成要件は、これら参照符号によって
拘束されるものに限定されない。
In the following, in the example shown in this section, each constituent element of the present invention is described by attaching a typical reference numeral shown in the drawings of the embodiments for easy understanding. The configuration or each constituent element of the present invention is not limited to those constrained by these reference signs.

【0017】1.本発明の第1の観点によると、移動可
能に支持されたステージ(RCS、RFS、WS)を制
御するステージ制御装置(33)の設計方法において、
前記ステージ(RCS、RFS、WS)に対して目標値
を与え、前記ステージ(RCS、RFS、WS)の周波
数特性を示す実測データを得る実測データ取得工程(S
10)と、前記実測データに基づいて、所定の周波数
(f)における前記目標値の比例ゲイン(K)を設
定する比例ゲイン設定工程(S12、S14)と、前記
所定の周波数(f)での補償すべき位相進み量
(φ)を設定し、当該位相進み量(φ)及び前記所
定の周波数(f)から伝達関数を求めて前記ステージ
(RCS、RFS、WS)の位相進み量を補償する第1
補償器(56)を設計する第1設計工程(S16、S1
8)と、前記第1設計工程(S16、S18)で設定し
た位相進み量(φ)及び前記所定の周波数(f)に
応じて積分ゲイン(K)を設定し、当該積分ゲイン
(K)及び前記比例ゲイン(K)から伝達関数を求
めて前記目標値に与えるゲインを補償する第2補償器
(53)を設計する第2設計工程(S20)と、前記第
1補償器(56)及び前記第2補償器(53)を含む閉
ループを形成する閉ループ形成工程(S22、S24、
S26)とを有するステージ制御装置の設計方法が提供
される。
1. According to a first aspect of the present invention, in a design method of a stage control device (33) for controlling a stage (RCS, RFS, WS) movably supported,
An actual measurement data acquisition step (S) in which target values are given to the stages (RCS, RFS, WS) to obtain actual measurement data indicating frequency characteristics of the stages (RCS, RFS, WS).
10), on the basis of the measured data, the proportional gain setting step of setting a proportional gain of the target value in a predetermined frequency (f m) (K p) and (S12, S14), the predetermined frequency (f m ), The phase lead amount (φ m ) to be compensated is set, and a transfer function is obtained from the phase lead amount (φ m ) and the predetermined frequency (f m ) of the stage (RCS, RFS, WS). First to compensate the amount of phase lead
First design step (S16, S1) of designing the compensator (56)
8), sets the amount of phase lead set by the first design step (S16, S18) (phi m) and the integral gain in accordance with said predetermined frequency (f m) (K i), the integral gain ( A second design step (S20) of designing a second compensator (53) for obtaining a transfer function from K i ) and the proportional gain (K p ) and compensating the gain given to the target value; and the first compensator. (56) and a closed loop forming step (S22, S24,) for forming a closed loop including the second compensator (53).
S26) is provided.

【0018】この発明によれば、ステージに対して目標
値を与えてステージの周波数特性を示す実測データを取
得し、この実測データに基づいてステージの位相進み量
を補償する第1補償器及びステージに供給する目標値に
与えるゲインを補償する第2補償器を設計し、これらの
第1補償器及び第2補償器を含む閉ループを形成してい
る。このように、本発明では、従来のようにステージを
数学モデル化することなく、実際に得られたステージの
応答特性を示すデータに基づいて、そのステージを制御
するのに適したステージ制御装置を設計しているため、
ステージが要求される仕様を満たすようにステージ制御
装置を調整するときにさほど時間及び労力を要せず、し
かも高精度の調整を行うことができる。また、実際のス
テージの応答特性を示すデータに基づいてステージ制御
装置を設計しているため、ステージの制御性を向上させ
ることもできる。
According to the present invention, the first compensator and the stage for giving the target value to the stage to obtain the actual measurement data indicating the frequency characteristic of the stage and compensating the phase advance amount of the stage based on the actual measurement data. The second compensator for compensating the gain given to the target value to be supplied to is designed, and a closed loop including these first compensator and second compensator is formed. As described above, the present invention provides a stage control device suitable for controlling the stage based on the data showing the response characteristics of the stage actually obtained without mathematically modeling the stage as in the prior art. Because it is designed,
Adjustment of the stage control device so that the stage meets the required specifications does not require much time and labor, and highly accurate adjustment can be performed. Further, since the stage control device is designed based on the data indicating the actual response characteristics of the stage, the controllability of the stage can be improved.

【0019】本発明のステージ制御装置において、前記
所定の周波数(f)は、前記閉ループの帯域に応じて
設定されるようにできる。
[0019] In stage controller of the present invention, the predetermined frequency (f m) may be so set in accordance with the bandwidth of the closed loop.

【0020】また、本発明のステージ制御装置におい
て、前記比例ゲイン設定工程(S12、S14)では、
前記ステージ(RCS、RFS、WS)の周波数特性を
ボード線図で示したときに、そのゲイン曲線が前記所定
の周波数(f)においてゲイン交点となるように前記
目標値の比例ゲイン(K)を設定するようにできる。
In the stage control device of the present invention, in the proportional gain setting step (S12, S14),
The stage (RCS, RFS, WS) when indicated by the Bode diagram of the frequency characteristic of the proportional gain (K p of the target value so that the gain curve becomes the predetermined frequency (f m) at the gain crossover ) Can be set.

【0021】さらに、本発明のステージ制御装置におい
て、前記ステージ(RCS、RFS、WS)の周波数特
性を示す実測データを、前記ステージ(RCS、RF
S、WS)に対して設けられた前記ステージ(RCS、
RFS、WS)の位置を計測する位置計測装置(32、
35、37)の計測結果から得るようにできる。
Further, in the stage control device of the present invention, the actual measurement data indicating the frequency characteristics of the stages (RCS, RFS, WS) is converted into the stages (RCS, RF).
S, WS) provided for the stage (RCS,
A position measuring device (32,
35, 37) can be obtained from the measurement result.

【0022】加えて、本発明のステージ制御装置におい
て、前記第1補償器(56)の伝達関数をボード線図で
示して前記第1補償器(56)の周波数特性を示す第1
データを得る第1データ取得工程と、前記第2補償器
(53)の伝達関数をボード線図で示して前記第2補償
器(53)の周波数特性を示す第2データを得る第2デ
ータ取得工程と、前記実測データ、前記第1データ、前
記第2データ、及び前記比例ゲイン(K)を用いて前
記第1補償器(56)及び前記第2補償器(53)を含
む開ループの伝達関数を求める開ループ伝達関数算出工
程(S22)と、前記開ループの伝達関数を用いて前記
閉ループのゲイン及び位相並びに感度関数のゲイン及び
位相を求める閉ループ特性算出工程(S24)とをさら
に備え、前記閉ループ形成工程では、前記閉ループ特性
算出工程で算出された閉ループのゲイン及び位相並びに
感度関数のゲイン及び位相を考慮して形成するようにで
きる。
In addition, in the stage control apparatus of the present invention, the first compensator (56) has a transfer function shown in a Bode diagram to show the frequency characteristic of the first compensator (56).
A first data acquisition step of obtaining data and a second data acquisition of obtaining the second data showing the frequency characteristic of the second compensator (53) by showing the transfer function of the second compensator (53) in a Bode diagram. And an open loop including the first compensator (56) and the second compensator (53) using the measured data, the first data, the second data, and the proportional gain ( Kp ). An open loop transfer function calculating step (S22) for obtaining a transfer function, and a closed loop characteristic calculating step (S24) for obtaining the gain and phase of the closed loop and the gain and phase of the sensitivity function using the open loop transfer function are further provided. In the closed loop forming step, the closed loop gain and phase calculated in the closed loop characteristic calculating step and the gain and phase of the sensitivity function can be taken into consideration.

【0023】2.本発明の第2の観点によると、マスク
(R)に形成されたパターンを感光性基板(W)に転写
する露光装置において、前記マスク(R)を保持して移
動するマスクステージ(RCS、RFS)と、前記感光
性基板(W)を保持して移動する基板ステージ(WS)
と、上記の何れかの方法を用いて設計され、前記マスク
ステージ(RCS、RFS)及び前記基板ステージ(W
S)の少なくとも一方を制御するステージ制御装置(3
3)とを備えた露光装置が提供される。
2. According to a second aspect of the present invention, in an exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask (R) onto a photosensitive substrate (W), a mask stage (RCS, RFS that holds and moves the mask (R). ) And a substrate stage (WS) that holds and moves the photosensitive substrate (W)
And the mask stage (RCS, RFS) and the substrate stage (W
Stage control device (3) for controlling at least one of
3) is provided.

【0024】3.本発明の第3の観点によると、前記本
発明の第2の観点に係る露光装置を用いてパターンを感
光物体(W)上に転写する露光工程を含むデバイス製造
方法が提供される。
3. According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including an exposure step of transferring a pattern onto a photosensitive object (W) using the exposure apparatus according to the second aspect of the present invention.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態に係るステージ制御装置及び露光装置について詳
細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a stage control apparatus and an exposure apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0026】図1は、本発明の実施形態に係る露光装置
を示す正面図である。本実施形態においては、ステップ
・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置を例に
挙げて説明する。尚、以下の説明においては、図1中に
示したようにXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直
交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明す
る。XYZ直交座標系は、Y軸及びZ軸が紙面に対して
平行となるよう設定され、X軸が紙面に対して垂直とな
る方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際
にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛
直上方向に設定される。
FIG. 1 is a front view showing an exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. In the present embodiment, a step-and-scan type reduction projection type exposure apparatus will be described as an example. In the following description, the XYZ orthogonal coordinate system is set as shown in FIG. 1, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system is set so that the Y axis and the Z axis are parallel to the paper surface and the X axis is set in a direction perpendicular to the paper surface. In the XYZ coordinate system in the figure, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z axis is set to the vertically upward direction.

【0027】図1において、設置面11の上に4つ(図
1では2つのみを図示)の防振装置(除振機構)12を
介してベース部材(ベース又は定盤)13が設けられて
いる。防振装置12は、ベース部材13の4隅付近にそ
れぞれ配置されており、特に限定はされないが、例えば
空気式ダンパやダンピング液中に圧縮コイルバネを入れ
た機械式ダンパ等からなるパッシブ型のもの、ベース部
材に設けられた不図示の振動検出器による検出信号に基
づいて該振動を抑制するように変位されるアクチュエー
タを備えたアクティブ型のもの、あるいはこれらの双方
を備えたもの等が用いられる。ベース部材13は、石、
セラミックスあるいは鉄等の高剛性の部材から構成され
る。なお、防振装置12はベース部材13を3箇所で支
持するものでもよい。
In FIG. 1, a base member (base or surface plate) 13 is provided on an installation surface 11 via four (only two are shown in FIG. 1) vibration isolation devices (vibration isolation mechanisms) 12. ing. The vibration-damping device 12 is arranged near each of the four corners of the base member 13, and is not particularly limited, but is of a passive type including, for example, a pneumatic damper or a mechanical damper in which a compression coil spring is put in damping liquid. , An active type having an actuator that is displaced so as to suppress the vibration based on a detection signal from a vibration detector (not shown) provided on the base member, or a type having both of these is used. . The base member 13 is a stone,
It is composed of a highly rigid member such as ceramics or iron. The vibration isolator 12 may support the base member 13 at three locations.

【0028】ベース部材13の上には、その上部に投影
光学系14を保持した第1コラム15が設けられてお
り、第1コラム15の上には第2コラム(ベース又は定
盤)16が設けられている。第2コラム16上には回路
パターンが形成されたレチクルRを移動するための駆動
装置としてのレチクル粗動ステージユニットRCS及び
レチクル微動ステージユニットRFSが設けられてい
る。また、ベース部材13上には、感光基板としてのウ
エハWを移動するための駆動装置としてのウエハステー
ジユニットWSが設けられている。これにより、レチク
ルR及びウエハWは、投影光学系14の光軸に沿う方向
(図1中でZ方向)の位置が互いに異なる面であって、
この光軸に直交する面内で2次元方向(X方向及びY方
向)に移動可能となっている。
A first column 15 holding a projection optical system 14 is provided on the base member 13 and a second column (base or surface plate) 16 is provided on the first column 15. It is provided. A reticle coarse movement stage unit RCS and a reticle fine movement stage unit RFS are provided on the second column 16 as a driving device for moving the reticle R on which a circuit pattern is formed. A wafer stage unit WS is provided on the base member 13 as a drive device for moving the wafer W as a photosensitive substrate. As a result, the reticle R and the wafer W are surfaces having mutually different positions in the direction along the optical axis of the projection optical system 14 (Z direction in FIG. 1).
It is possible to move in a two-dimensional direction (X direction and Y direction) within a plane orthogonal to this optical axis.

【0029】本実施形態では露光装置の走査方向はY方
向に設定してあるので、レチクルR及びウエハWのY方
向に関する駆動制御について主として説明する。レチク
ルR及びウエハWのX方向の位置決め制御並びにZ軸回
りの回転方向(θz方向)及びXY平面に対する傾斜角
(即ち、X軸回りの回転方向(θx方向)の回転量(ピ
ッチング量)、及びY軸回りの回転方向(θy方向)の
回転量(ローリング量))の調節については通常通り容
易に実施することができるので、その説明は省略する。
In the present embodiment, the scanning direction of the exposure apparatus is set to the Y direction, so drive control of the reticle R and the wafer W in the Y direction will be mainly described. Positioning control of the reticle R and the wafer W in the X direction, a rotation direction around the Z axis (θz direction), and an inclination angle with respect to the XY plane (that is, a rotation amount (pitching amount) around the X axis rotation direction (θx direction), and The adjustment of the rotation amount (rolling amount) in the rotation direction (θy direction) about the Y-axis can be easily performed as usual, and thus the description thereof will be omitted.

【0030】ウエハステージWSは、固定子17と、固
定子17に対してY方向に移動可能な移動子18と、移
動子18上に取り付けられたステージ19とを備えてい
る。固定子17及びこれと協働する移動子18は、リニ
アモータにより提供され得る。特に、本実施形態では、
固定子17はエアベアリング等によるスライド機構20
によってベース部材13上でY方向に移動可能に設けら
れている。固定子17はベース部材13上に固定されて
いても良い。上面に感光剤が塗布されたウエハWは、例
えばピンチャックホルダ(不図示)を介してその裏面全
体が吸引吸着されることによりステージ19上に保持さ
れる。尚、図1においては、移動子18及びステージ1
9が別の部材として図示されているが、これらは共通の
部材により提供されても良い。また、図示していない
が、ステージ19は前述のピンチャックホルダを保持す
るテーブルと、このテーブルをZ軸方向に駆動する3つ
のアクチュエータ(例えば、ボイスコイルモータ、又は
EIコアなど)とを有し、ウエハWはX、Y方向だけで
なくZ方向に移動可能で、かつθx、θy方向に回転可
能(XY平面に対して傾斜可能)、即ち5自由度の移動
が可能となっている。ここで、前述した3つのアクチュ
エータを含む不図示の微動機構によって、前述のテーブ
ルをθz方向に回転可能として6自由度でウエハWを移
動可能としてもよいし、あるいは後述のレチクルステー
ジと同様にウエハステージWSを粗微動ステージとす
る、例えば前述のテーブルをステージ19に対してX及
びY方向に微動可能に構成してもよい。
The wafer stage WS comprises a stator 17, a mover 18 movable in the Y direction with respect to the stator 17, and a stage 19 mounted on the mover 18. The stator 17 and the mover 18 associated therewith can be provided by a linear motor. In particular, in this embodiment,
The stator 17 is a slide mechanism 20 such as an air bearing.
Is provided so as to be movable in the Y direction on the base member 13. The stator 17 may be fixed on the base member 13. The wafer W having the upper surface coated with the photosensitizer is held on the stage 19 by suctioning and sucking the entire back surface of the wafer W through, for example, a pin chuck holder (not shown). Incidentally, in FIG. 1, the mover 18 and the stage 1
Although 9 is shown as a separate member, they may be provided by a common member. Although not shown, the stage 19 has a table holding the above-mentioned pin chuck holder and three actuators (for example, a voice coil motor or an EI core) for driving the table in the Z-axis direction. The wafer W can be moved not only in the X and Y directions but also in the Z direction and can be rotated in the θx and θy directions (inclinable with respect to the XY plane), that is, can be moved in five degrees of freedom. Here, a fine movement mechanism (not shown) including the above-mentioned three actuators may be used to rotate the table in the θz direction so that the wafer W can be moved in six degrees of freedom, or, similarly to the reticle stage described later, the wafer W can be moved. The stage WS may be a coarse / fine movement stage, for example, the above-mentioned table may be configured to be finely movable in the X and Y directions with respect to the stage 19.

【0031】レチクル粗動ステージユニットRCSは、
固定子21と、固定子21に対してY方向に移動可能な
移動子22と、移動子22上に取り付けられたステージ
23とを備えている。固定子21及びこれと協働する移
動子22は、リニアモータによって提供され得る。特
に、この実施形態では、固定子21は、エアベアリング
等を有するスライド機構24によって第2コラム16上
でY方向に移動可能に設けられている。固定子21は第
2コラム16上に固定されていても良い。尚、図1にお
いては、移動子22及びステージ23が別部材として図
示されているが、これらは共通の部材により提供されて
も良い。
The reticle coarse movement stage unit RCS is
The stator 21, a mover 22 movable in the Y direction with respect to the stator 21, and a stage 23 mounted on the mover 22 are provided. The stator 21 and the mover 22 associated therewith can be provided by a linear motor. In particular, in this embodiment, the stator 21 is provided so as to be movable in the Y direction on the second column 16 by the slide mechanism 24 having an air bearing or the like. The stator 21 may be fixed on the second column 16. In FIG. 1, the mover 22 and the stage 23 are shown as separate members, but they may be provided by a common member.

【0032】レチクル微動ステージユニットRFSは、
レチクル粗動ステージユニットRCSのステージ23上
に設けられている。レチクル微動ステージユニットRF
Sは、固定子25と、固定子25に対してY方向に移動
可能に設けられた移動子26と、移動子26上に取り付
けられたステージ27とを備えている。固定子25及び
これと協働する移動子26はリニアモータによって提供
され得る。この実施形態では、固定子25はステージ2
3上に固定されている。また、図1においては、移動子
26及びステージ27が別部材として図示されている
が、これらは共通の部材により提供されても良い。ステ
ージ27は、その表面に転写すべきパターンが形成され
たレチクルRをそのパターン形成面を下に向けた状態で
その周辺部近傍を吸着保持する機能を有している。な
お、本例ではレチクル粗動ステージユニットRCSのス
テージ23(以下、粗動ステージ23とも呼ぶ)に対し
て、レチクル微動ステージユニットRFSのステージ2
7(以下、微動ステージ27とも呼ぶ)を相対移動する
駆動機構としてリニアモータ(25、26)を用いるも
のとしたが、例えばボイスコイルモータ、EIコア、あ
るいはピエゾ素子などを用いてもよい。また、本例では
微動ステージ23がX、Y方向、及びθz方向に移動可
能となっているが、これに加えてZ方向、θx及びθy
方向の少なくとも1つの方向に移動可能としてもよい。
The reticle fine movement stage unit RFS is
It is provided on the stage 23 of the reticle coarse movement stage unit RCS. Reticle fine movement stage unit RF
The S includes a stator 25, a mover 26 movably provided in the Y direction with respect to the stator 25, and a stage 27 mounted on the mover 26. The stator 25 and the mover 26 associated therewith may be provided by a linear motor. In this embodiment, the stator 25 is the stage 2
It is fixed on 3. Further, in FIG. 1, the mover 26 and the stage 27 are shown as separate members, but they may be provided by a common member. The stage 27 has a function of adsorbing and holding the reticle R having a pattern to be transferred on its surface in the vicinity of its peripheral portion with the pattern forming surface facing downward. In this example, the stage 2 of the reticle fine movement stage unit RFS is different from the stage 23 of the reticle coarse movement stage unit RCS (hereinafter also referred to as coarse movement stage 23).
Although a linear motor (25, 26) is used as a drive mechanism for relatively moving 7 (hereinafter also referred to as a fine movement stage 27), for example, a voice coil motor, an EI core, or a piezo element may be used. Further, in this example, the fine movement stage 23 is movable in the X, Y and θz directions, but in addition to this, in the Z direction, θx and θy.
It may be movable in at least one of the directions.

【0033】第2コラム16上には第3コラム29が設
けられており、第3コラム29には、不図示のエキシマ
レーザ等の光源から射出された光を所定の照明光に変換
してレチクルRに導くための照明光学系30が取り付け
られている。
A third column 29 is provided on the second column 16, and the third column 29 converts the light emitted from a light source such as an excimer laser (not shown) into a predetermined illuminating light, and the reticle. An illumination optical system 30 for guiding to R is attached.

【0034】ウエハWのためのステージ19上には移動
鏡31が取り付けられており、第1コラム15には移動
鏡31に対応するように位置検出装置であるレーザ干渉
計32(位置計測装置)が設けられている。レーザ干渉
計32及び移動鏡31によってステージ19のY方向の
位置が所定の分解能で計測される。その計測値はコンピ
ュータのハードウエア及びソフトウエアによって提供さ
れ得る制御装置33に供給されて、計測値に基づいてウ
エハステージユニットWSが制御されることにより、ス
テージ19の加速、減速、及び走査に際しての移動並び
に位置決めが実行される。図示していないが、本例の位
置検出装置はステージ19のX方向の位置を検出するレ
ーザ干渉計及びY方向に延びる反射面が形成された移動
鏡も有し、さらにはθx、θy及びθz方向におけるス
テージ19の回転量(即ち、ピッチング量、ローリング
量、及びヨーイング量)を計測可能となっている。な
お、前述した2つの移動鏡の代わりに、例えばステージ
19(又は前述のテーブル)の端面を鏡面加工して反射
面を形成してもよい。さらに、本例の位置検出装置とし
て、例えば投影光学系14を保持する第1コラム15と
ステージ19とのZ軸方向の位置関係(間隔など)を検
出するレーザ干渉計を設けてもよい。
A movable mirror 31 is mounted on the stage 19 for the wafer W, and a laser interferometer 32 (position measuring device) which is a position detecting device corresponding to the movable mirror 31 is attached to the first column 15. Is provided. The position of the stage 19 in the Y direction is measured with a predetermined resolution by the laser interferometer 32 and the movable mirror 31. The measurement value is supplied to a control device 33 that can be provided by computer hardware and software, and the wafer stage unit WS is controlled based on the measurement value to accelerate, decelerate, and scan the stage 19. Movement and positioning are performed. Although not shown, the position detecting apparatus of this example also has a laser interferometer for detecting the position of the stage 19 in the X direction and a movable mirror having a reflecting surface extending in the Y direction, and further θx, θy, and θz. The amount of rotation of the stage 19 in the direction (that is, the amount of pitching, the amount of rolling, and the amount of yawing) can be measured. Instead of the two moving mirrors described above, for example, the end surface of the stage 19 (or the table) may be mirror-finished to form a reflecting surface. Further, as the position detection device of this example, for example, a laser interferometer that detects a positional relationship (interval or the like) in the Z axis direction between the first column 15 holding the projection optical system 14 and the stage 19 may be provided.

【0035】レチクル微動ステージユニットRFSのた
めのステージ23上には移動鏡34が取り付けられてお
り、第3コラム29には移動鏡34に対応するように位
置検出装置であるレーザ干渉計35が取り付けられてい
る。レーザ干渉計35及び移動鏡34によってステージ
23のY方向の位置が所定の分解能で計測される。その
計測値は制御装置33に供給されて、計測値に基づいて
レチクル粗動ステージユニットRCSが制御されること
により、ステージ23の加速、減速、及び走査に際して
の移動並びに位置決めが実行される。
A movable mirror 34 is mounted on the stage 23 for the reticle fine movement stage unit RFS, and a laser interferometer 35 as a position detecting device is mounted on the third column 29 so as to correspond to the movable mirror 34. Has been. The position of the stage 23 in the Y direction is measured with a predetermined resolution by the laser interferometer 35 and the movable mirror 34. The measured value is supplied to the control device 33, and the reticle coarse movement stage unit RCS is controlled based on the measured value, whereby the stage 23 is accelerated, decelerated, and moved and positioned during scanning.

【0036】レチクルRのためのステージ27上には移
動鏡36が取り付けらてれおり、第3コラム29には移
動鏡36に対応するように位置検出装置であるレーザ干
渉計37が設けられている。レーザ干渉計37及び移動
鏡36によってステージ27のY方向の位置が所定の分
解能で計測される。その計測値は制御装置33に供給さ
れて、計測値に基づいてレチクル微動ステージユニット
RFSが制御されることにより、ステージ27の加速、
減速、及び走査に際しての移動並びに位置決めが実行さ
れる。図示していないが、本例の位置検出装置は微動ス
テージ27のX方向の位置を検出するレーザ干渉計及び
Y方向に延びる反射面が形成された移動鏡も有し、さら
にはθx、θy及びθz方向のうち少なくともθz方向
の微動ステージ27の回転量(ヨーイング量)を計測可
能となっている。なお、微動ステージ27に設けられる
2つの移動鏡の代わりに、例えば微動ステージ27の端
面を鏡面加工して反射面を形成してもよいし、あるいは
移動鏡36の代わりに少なくとも1つのコーナーキュー
ブ型ミラーを用いてもよい。
A moving mirror 36 is mounted on the stage 27 for the reticle R, and a laser interferometer 37 as a position detecting device is provided on the third column 29 so as to correspond to the moving mirror 36. There is. The position of the stage 27 in the Y direction is measured with a predetermined resolution by the laser interferometer 37 and the movable mirror 36. The measured value is supplied to the control device 33, and the reticle fine movement stage unit RFS is controlled based on the measured value to accelerate the stage 27,
Deceleration and movement and positioning during scanning are performed. Although not shown, the position detecting apparatus of this example also has a laser interferometer for detecting the position of the fine movement stage 27 in the X direction and a movable mirror having a reflecting surface extending in the Y direction, and further θx, θy, and It is possible to measure the rotation amount (yaw amount) of the fine movement stage 27 in at least the θz direction in the θz direction. Instead of the two movable mirrors provided on the fine movement stage 27, for example, the end face of the fine movement stage 27 may be mirror-finished to form a reflection surface, or instead of the movable mirror 36, at least one corner cube type. A mirror may be used.

【0037】照明光学系30は、レチクルRの矩形のパ
ターン領域を、走査露光時の走査方向(Y方向)と直交
した方向(X方向)に断面スリット状(矩形状)に伸び
た照明光で上から照射する。このX方向に直線的なスリ
ット状照明光のレチクルR上での照明領域は、投影光学
系14の光軸と垂直な物体面側の円形視野の中央に位置
し、所定の縮小倍率β(本実施形態では1/4)の投影
光学系14を通して、その照明領域内のレチクルRのパ
ターンの一部の像が、所定の解像度でウエハW上に投影
される。この投影光学系14としては、レチクルRのパ
ターン面に形成されたパターンの縮小倒立像をウエハW
上に投影するものが用いられる。
The illumination optical system 30 is an illumination light that extends a rectangular pattern area of the reticle R into a slit shape (rectangular shape) in a direction (X direction) orthogonal to the scanning direction (Y direction) during scanning exposure. Irradiate from above. The illumination area on the reticle R of the slit-shaped illumination light linear in the X direction is located at the center of the circular visual field on the object plane side perpendicular to the optical axis of the projection optical system 14, and has a predetermined reduction magnification β ( An image of a part of the pattern of the reticle R in the illumination area is projected on the wafer W at a predetermined resolution through the projection optical system 14 of 1/4 in the embodiment. As the projection optical system 14, a reduced inverted image of the pattern formed on the pattern surface of the reticle R is formed on the wafer W.
What is projected on is used.

【0038】走査露光時においては、制御装置33から
ウエハステージユニットWS、レチクル粗動ステージユ
ニットRCS、及びレチクル微動ステージユニットRF
Sに露光開始のコマンドが送出され、これに応じてレチ
クルRは+Y方向に速度Vmで走査移動させられると共
に、これと同期して、ウエハWは−Y方向に速度Vw
(=β・Vm)で走査移動させられる。尚、同様の速度
比でレチクルRを−Y方向に移動させると共にウエハW
を+Y方向に移動させても良い。
At the time of scanning exposure, the control unit 33 controls the wafer stage unit WS, the reticle coarse movement stage unit RCS, and the reticle fine movement stage unit RF.
An exposure start command is sent to S, and in response to this, the reticle R is scanned and moved in the + Y direction at the speed Vm, and in synchronization with this, the wafer W is moved in the -Y direction at the speed Vw.
The scanning is moved at (= β · Vm). The reticle R is moved in the -Y direction at the same speed ratio and the wafer W
May be moved in the + Y direction.

【0039】このとき、レチクル粗動ステージユニット
RCSに着目すると、移動子22及びステージ23の加
速あるいは減速に伴い、その反力が固定子21に作用
し、固定子21はこの実施形態ではスライド機構24に
より第2コラム16に対して移動可能にされているの
で、固定子21は移動子22の移動方向に対して反対方
向に移動しようとする。それにより生じる反力の影響を
防止するために、リアクションフレーム機構が採用され
ている。
At this time, paying attention to the reticle coarse movement stage unit RCS, the reaction force acts on the stator 21 as the mover 22 and the stage 23 accelerate or decelerate, and the stator 21 slides in this embodiment. Since it is movable with respect to the second column 16 by 24, the stator 21 tends to move in the direction opposite to the moving direction of the mover 22. A reaction frame mechanism is used to prevent the influence of the reaction force generated thereby.

【0040】リアクションフレーム機構は、第2コラム
16(従って、ベース部材13)とは独立して設けられ
たリアクションフレーム38と、リアクションフレーム
38に配設されステージ23の移動により固定子21に
作用する反力を相殺する力を発生する反力装置とを備え
ている。特にこの実施形態では、パッシブ型のリアクシ
ョンフレーム機構が採用され、反力装置は、固定子21
とリアクションフレーム28とを接続する弾性体あるい
は剛体からなるリアクションバー39によって提供され
ている。
The reaction frame mechanism acts on the stator 21 by the reaction frame 38 provided independently of the second column 16 (therefore, the base member 13) and the movement of the stage 23 arranged on the reaction frame 38. And a reaction force device that generates a force that cancels the reaction force. Particularly, in this embodiment, a passive reaction frame mechanism is adopted, and the reaction force device is the stator 21.
It is provided by a reaction bar 39 which is made of an elastic body or a rigid body and connects the reaction frame 28 with the reaction frame 28.

【0041】これにより、ステージ23の加速あるいは
減速に伴う反力はリアクションバー39及びリアクショ
ンフレーム38を介して設置面11に逃がされ、一定の
露光精度が確保されるようになっている。尚、リアクシ
ョンバー39の途中にその伸縮を電気的に制御可能なア
クチュエータを設ける等によりアクティブ型のリアクシ
ョンフレーム機構を構成しても良い。また、同様にし
て、ウエハステージユニットWSにリアクションフレー
ム機構を適用しても良い。
As a result, the reaction force due to the acceleration or deceleration of the stage 23 is released to the installation surface 11 via the reaction bar 39 and the reaction frame 38, and a certain exposure accuracy is ensured. An active reaction frame mechanism may be configured by providing an actuator that can electrically control expansion and contraction in the middle of the reaction bar 39. Further, similarly, the reaction frame mechanism may be applied to the wafer stage unit WS.

【0042】図2は図1に示される露光装置に適用可能
なリニアモータの断面図である。このリニアモータは固
定子Sと固定子Sに対して移動する移動子Mとを有して
いる。このリニアモータがレチクル粗動ステージユニッ
トRCS(図1参照)に適用される場合には、固定子S
は図1に示した固定子21の一部を構成し、移動子Mは
図1に示した移動子22の一部を構成する。固定子S
は、フレーム40と、フレーム40に対して固定された
コイル41と、フレーム40に固定されコイル41を覆
う金属板からなるカバー42とを備えている。移動子M
はコイル41と協働して推力を得るための永久磁石を含
んでいる。ウエハステージユニットWSの駆動力及びレ
チクル粗動ステージユニットRCSの駆動力は図2に示
したほぼ同様の構成のリニアモータによって提供され
る。
FIG. 2 is a sectional view of a linear motor applicable to the exposure apparatus shown in FIG. This linear motor has a stator S and a mover M that moves relative to the stator S. When this linear motor is applied to the reticle coarse movement stage unit RCS (see FIG. 1), the stator S
1 constitutes a part of the stator 21 shown in FIG. 1, and the mover M constitutes a part of the mover 22 shown in FIG. Stator S
Includes a frame 40, a coil 41 fixed to the frame 40, and a cover 42 made of a metal plate fixed to the frame 40 and covering the coil 41. Mobile M
Includes a permanent magnet for cooperating with the coil 41 to obtain thrust. The driving force of wafer stage unit WS and the driving force of reticle coarse movement stage unit RCS are provided by a linear motor having substantially the same configuration shown in FIG.

【0043】次に、本発明の実施形態に係る露光装置が
備えるステージ制御装置の構成例について説明する。図
3は、本発明の一実施形態による露光装置が備えるステ
ージ制御装置の一構成例を示すブロック図である。尚、
図3においては、ウエハステージユニットWSを制御す
る部分の構成のみを図示しているが、レチクル粗動ステ
ージユニットRCS及びレチクル微動ステージユニット
RFSについても同様の構成が設けられる。また、以下
の説明ではウエハステージユニットWSをPI制御する
ステージ制御装置を例に挙げて説明する。
Next, a configuration example of the stage control device provided in the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of a stage control device included in the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. still,
Although FIG. 3 illustrates only the configuration of the portion that controls wafer stage unit WS, similar configurations are provided for reticle coarse movement stage unit RCS and reticle fine movement stage unit RFS. Further, in the following description, a stage control device that PI-controls the wafer stage unit WS will be described as an example.

【0044】図3において、50はウエハW又はウエハ
ステージユニットWSのステージ19(図1参照)の目
標位置を与える基準信号RS1が入力される入力端を示
している。51は、入力端50から入力される基準信号
RS1と、レーザ干渉計32から出力され、後述するア
ンプ59を介した帰還信号FS2との差分に応じた偏差
信号ES1を出力する演算部である。尚、ウエハステー
ジユニットWSのステージ19の位置はレーザ干渉計3
2(図1参照)により検出され、その結果として帰還信
号FS1が生成される。52は上記演算部51から出力
される偏差信号ES1を取り出すための出力端である。
In FIG. 3, reference numeral 50 denotes an input end to which a reference signal RS1 for giving a target position of the wafer W or the stage 19 (see FIG. 1) of the wafer stage unit WS is inputted. Reference numeral 51 is a calculation unit that outputs a deviation signal ES1 corresponding to the difference between the reference signal RS1 input from the input end 50 and the feedback signal FS2 output from the laser interferometer 32 and passed through the amplifier 59 described later. The position of the stage 19 of the wafer stage unit WS is determined by the laser interferometer 3
2 (see FIG. 1), which results in the generation of the feedback signal FS1. Reference numeral 52 is an output terminal for taking out the deviation signal ES1 output from the arithmetic unit 51.

【0045】53はPI補償器であり、制御対象である
ウエハステージユニットWSを制御する制御装置の一部
をなすものである。このPI補償器53は線形アンプ5
4と積分アンプ55とを備えている。線形アンプ54は
入力される偏差信号ES1に対して比例ゲインKを与
えるものであり、積分アンプ55は線形アンプ54の出
力を積分して積分ゲインKを与えるものである。換言
すると、偏差信号ES1は線形アンプ54によって線形
的に増幅され、更に積分アンプ55によって積分され
る。
Reference numeral 53 is a PI compensator, which forms a part of a control device for controlling the wafer stage unit WS which is a control target. This PI compensator 53 is a linear amplifier 5
4 and an integrating amplifier 55. The linear amplifier 54 gives a proportional gain K p to the input deviation signal ES1, and the integral amplifier 55 gives an integral gain K i by integrating the output of the linear amplifier 54. In other words, the deviation signal ES1 is linearly amplified by the linear amplifier 54 and further integrated by the integrating amplifier 55.

【0046】このPI補償器53の後段には制御対象で
あるウエハステージユニットWSを制御する制御装置の
一部をなす位相進み補償器56が設けられている。尚、
本実施形態では制御対象であるウエハステージユニット
WSの出力応答が遅く、進み補償を与えてその応答を早
めるために、制御装置の一部として位相進み補償器56
を設ける場合を例に挙げて説明するが、ウエハステージ
ユニットWSの出力応答が早い場合には、遅れ補償を与
えてその応答を抑える位相遅れ補償器を設けることも可
能である。PI補償器53及び位相進み補償器56から
なる制御装置は制御対象としてのウエハステージユニッ
トWSに対して直列に設けられており、ウエハステージ
ユニットWSを直列補償する。
A phase lead compensator 56, which is a part of a controller for controlling the wafer stage unit WS to be controlled, is provided at the subsequent stage of the PI compensator 53. still,
In the present embodiment, the output response of the wafer stage unit WS which is the control target is slow, and in order to give advance compensation and accelerate the response, the phase advance compensator 56 is provided as a part of the control device.
However, if the output response of the wafer stage unit WS is fast, it is possible to provide a phase delay compensator that provides delay compensation and suppresses the response. The control device including the PI compensator 53 and the phase advance compensator 56 is provided in series with the wafer stage unit WS to be controlled, and the wafer stage unit WS is serially compensated.

【0047】上述のPI補償器53及び位相進み補償器
56からなる制御装置は、PI補償器53に入力される
偏差信号ES1に基づいて、ウエハステージユニットW
Sの推力に関する制御信号CS1を生成する。加算器5
7は、制御装置の一部をなす位相進み補償器56から出
力される制御信号CS1と、入力端58から入力される
ウエハステージユニットWSの推力に関する制御信号C
S2とを加算するものである。この加算器57は、PI
補償器53及び位相進み補償器56を設計する段階で、
ウエハステージユニットWSの応答特性(動的特性)を
示すデータを得るときに、制御信号CS2をウエハステ
ージユニットWSに供給するために設けられる。
The controller composed of the PI compensator 53 and the phase lead compensator 56 described above uses the wafer stage unit W based on the deviation signal ES1 input to the PI compensator 53.
A control signal CS1 relating to the thrust of S is generated. Adder 5
Reference numeral 7 denotes a control signal CS1 output from a phase advance compensator 56 forming a part of the control device and a control signal C related to the thrust of the wafer stage unit WS input from an input end 58.
S2 and S2 are added. This adder 57 has a PI
At the stage of designing the compensator 53 and the phase lead compensator 56,
The control signal CS2 is provided to supply the control signal CS2 to the wafer stage unit WS when obtaining data indicating the response characteristic (dynamic characteristic) of the wafer stage unit WS.

【0048】また、59はレーザ干渉計32から出力さ
れる帰還信号FS1を演算部51にフィードバックする
ときのフィードバック量を調節するために、帰還信号F
S1に対して所定のゲインを与えて帰還信号FS2とす
るアンプである。尚、図示したように、レーザ干渉計3
2から出力される帰還信号FS1を出力端60から取り
出すことができるとともに、演算部51へのフィードバ
ック量を示す帰還信号FS2を出力端61から取り出す
ことができるよう構成されている。
Reference numeral 59 is a feedback signal F for adjusting the feedback amount when the feedback signal FS1 output from the laser interferometer 32 is fed back to the arithmetic unit 51.
This is an amplifier that gives a predetermined gain to S1 to generate a feedback signal FS2. As shown in the figure, the laser interferometer 3
The feedback signal FS1 output from the output terminal 2 can be extracted from the output end 60, and the feedback signal FS2 indicating the amount of feedback to the calculation unit 51 can be extracted from the output terminal 61.

【0049】以上の構成によれば、入力端50から基準
信号RS1を入力せずに入力端58から制御信号CS2
を入力し、出力端60から出力される帰還信号FS1を
得て、制御信号CS2と帰還信号FS1との関係を求め
れば、ウエハステージユニットWSの応答特性を示すデ
ータを得ることができる。
According to the above configuration, the control signal CS2 is input from the input end 58 without inputting the reference signal RS1 from the input end 50.
, The feedback signal FS1 output from the output end 60 is obtained, and the relationship between the control signal CS2 and the feedback signal FS1 is obtained, the data indicating the response characteristic of the wafer stage unit WS can be obtained.

【0050】また、入力端58から制御信号CS2を入
力せずに入力端50から基準信号RS1を入力し、出力
端60から出力される帰還信号FS1を得て、基準信号
RS1と帰還信号FS1との関係を求めれば、入力端5
0と出力端60との間の開ループのゲイン及び位相角を
得ることができる。更に、入力端58から制御信号CS
2を入力せずに入力端50から基準信号RS1を入力
し、出力端61から出力される帰還信号FS2を得て、
基準信号RS1と帰還信号FS2との関係を求めれば、
入力端50からPI補償器53及び位相進み補償器56
並びにアンプ59を介して出力端61までの閉ループの
ゲイン及び位相角を得ることができる。
Further, the reference signal RS1 is input from the input end 50 without inputting the control signal CS2 from the input end 58, the feedback signal FS1 output from the output end 60 is obtained, and the reference signal RS1 and the feedback signal FS1 are obtained. If the relationship of
An open loop gain and phase angle between 0 and the output 60 can be obtained. Further, from the input terminal 58, the control signal CS
The reference signal RS1 is input from the input end 50 without inputting 2 and the feedback signal FS2 output from the output end 61 is obtained,
If the relationship between the reference signal RS1 and the feedback signal FS2 is calculated,
From the input end 50 to the PI compensator 53 and the phase lead compensator 56
Also, the gain and phase angle of the closed loop up to the output end 61 can be obtained via the amplifier 59.

【0051】次に、図3に示したステージ制御装置の一
部をなす制御装置33の設計方法について説明する。図
4は、本発明の実施形態に係るステージ制御装置の設計
方法を示すフローチャートである。
Next, a method of designing the control device 33 which is a part of the stage control device shown in FIG. 3 will be described. FIG. 4 is a flowchart showing a design method of the stage control device according to the embodiment of the present invention.

【0052】図10に示した従来のステージ制御装置の
設計方法は、実際に得られたステージの応答特性を示す
データに基づいてステージを近似的に数学モデル化し、
この数学モデルを制御するコントローラを設計してい
た。実際のウエハステージユニットWSの応答特性とウ
エハステージユニットWSの数学モデルの応答特性とは
全く同一ではないため、従来は設計したコントローラを
ステージ制御装置に実装したときに、ウエハステージユ
ニットWSの動作仕様が要求される仕様を満足するよう
にステージ制御装置を長時間かけて調整しなければなら
なかったことは前述した通りである。
The conventional method of designing a stage controller shown in FIG. 10 approximates a mathematical model of the stage based on the data obtained from the actual response characteristics of the stage.
I was designing a controller to control this mathematical model. Since the actual response characteristics of the wafer stage unit WS and the response characteristics of the mathematical model of the wafer stage unit WS are not exactly the same, when the conventionally designed controller is mounted on the stage controller, the operation specifications of the wafer stage unit WS As described above, the stage controller had to be adjusted over a long period of time to satisfy the required specifications.

【0053】本実施形態ではウエハステージユニットW
Sを数学モデル化することなく、実際に得られたウエハ
ステージユニットWSの応答特性を示すデータに基づい
て、そのウエハステージユニットWSを制御するのに適
したステージ制御装置を設計する方法を提案するもので
ある。以下、本実施形態のステージ制御装置の設計方法
について詳細に説明する。尚、以下の説明ではウエハス
テージユニットWSをPI制御するステージ制御装置を
設計する方法を例に挙げて説明する。
In this embodiment, the wafer stage unit W
A method for designing a stage controller suitable for controlling the wafer stage unit WS based on data obtained by actually obtaining response characteristics of the wafer stage unit WS without modeling S as a mathematical model is proposed. It is a thing. Hereinafter, the design method of the stage control device according to the present embodiment will be described in detail. In the following description, a method of designing a stage control device for PI-controlling the wafer stage unit WS will be described as an example.

【0054】ステージ制御装置は、まずウエハステージ
ユニットWSに対してステージの目標位置を示す制御信
号(目標値)を与え、ステージの正確な応答特性(周波
数特性)を示す実測データを取得する(工程S10)。
具体的には、図3中の入力端58から制御信号CS2を
入力したときにウエハステージユニットWSに対して設
けられた位置計測装置としてのレーザ干渉計32の計測
結果、即ち帰還信号FS1から実測データを得る(工程
S10)。いま、制御信号CS2を入力端58に入力し
たときに、レーザ干渉計32から時系列的に出力される
帰還信号FS1に対して、所定のサンプリング周期で標
本化して量子化することによりディジタル化した実測デ
ータを以下の通り定義する。尚、以下のnは実測データ
のサイズである。
The stage control device first gives a control signal (target value) indicating the target position of the stage to the wafer stage unit WS, and acquires actual measurement data indicating the accurate response characteristic (frequency characteristic) of the stage (process). S10).
Specifically, when the control signal CS2 is input from the input end 58 in FIG. 3, the measurement result of the laser interferometer 32 as the position measuring device provided for the wafer stage unit WS, that is, the feedback signal FS1 is measured. Obtain data (step S10). Now, when the control signal CS2 is input to the input end 58, the feedback signal FS1 output from the laser interferometer 32 in time series is sampled and quantized in a predetermined sampling period to be digitized. The measured data is defined as follows. The following n is the size of the actual measurement data.

【0055】 i(n×1) :実測データの要素番号 w(n×1) :周波数[Hz] gdata(n×1):ゲイン[dB] pdata(n×1):位相[度]I (n × 1): Element number of actual measurement data w (n × 1): Frequency [Hz] g data (n × 1): Gain [dB] p data (n × 1): Phase [degree]

【0056】図5は、工程S10で得られたウエハステ
ージユニットWSの実測データの周波数特性の一例を示
すボード線図であり、(a)はゲイン曲線であり、
(b)は位相曲線である。このボード線図は、例えば上
記実測データをフーリエ変換することにより得られる。
本実施形態では実測データが得られると、まず図3に示
した入力端50からPI補償器53及び位相進み補償器
56並びにアンプ59を介して出力端61までの閉ルー
プの求めたい帯域に応じて、ボード線図のゲイン交点
(ボード線図のゲイン曲線が0[dB]を切る点)の周
波数f(所定の周波数)を設定する(工程S12)。
例えば、周波数fの1.5倍が閉ループの帯域となる
ように周波数fを設定する。
FIG. 5 is a Bode diagram showing an example of the frequency characteristic of the actual measurement data of the wafer stage unit WS obtained in step S10. FIG. 5A is a gain curve,
(B) is a phase curve. This Bode diagram is obtained, for example, by Fourier-transforming the above-mentioned actual measurement data.
In this embodiment, when the measured data is obtained, first, according to the desired band of the closed loop from the input end 50 to the output end 61 via the PI compensator 53, the phase advance compensator 56, and the amplifier 59 shown in FIG. , sets the frequency f m of the gain crossover Bode (that gain curve of Bode hangs 0 [dB]) (a predetermined frequency) (step S12).
For example, to set the frequency f m as 1.5 times the frequency f m is the bandwidth of the closed loop.

【0057】図5に示した実測データが得られたとき
に、求めたい閉ループの帯域が95[Hz]であるとす
れば、周波数fを63[Hz]に設定する。図5を参
照すると、ゲイン交点は工程S12で設定した周波数f
=63[Hz]とは異なる周波数に設定されている。
次に、ウエハステージユニットWSの周波数特性をボー
ド線図で示したときに、ゲイン曲線のゲイン交点の周波
数が工程S12で設定した周波数fとなるように線形
アンプ54の比例ゲインKを設定する(工程S1
4)。
[0057] When the actually measured data shown were obtained in FIG. 5, band of the closed loop to be determined is if it is 95 [Hz], sets the frequency f m to 63 [Hz]. Referring to FIG. 5, the gain intersection is the frequency f set in step S12.
It is set to a frequency different from m = 63 [Hz].
Then, when illustrating the frequency characteristics of the wafer stage unit WS in Bode, setting a proportional gain K p of the linear amplifier 54 such that the frequency of the gain crossover gain curve is a frequency f m which is set in second process S12 Yes (Step S1
4).

【0058】図5に示した実測データが得られた場合
に、例えば比例ゲインKを300000に設定したと
きに、ゲイン交点の周波数が工程S12で設定した周波
数f=63[Hz]になったとする。図6は、線形ア
ンプ54の比例ゲインを設定した後の実測データの周波
数特性の一例を示すボード線図であり、(a)はゲイン
曲線であり、(b)は位相曲線である。図6(a)に示
すように、周波数fが63[Hz]のときにゲインが
0[dB]になっていることが分かる。また、図5
(b)と図6(b)とを比較すると分かるように、線形
アンプ54の比例ゲインKの値を変えても位相曲線は
殆ど変化しない。
When the measured data shown in FIG. 5 is obtained, for example, when the proportional gain K p is set to 300,000, the frequency of the gain intersection becomes the frequency f m = 63 [Hz] set in step S12. Suppose 6A and 6B are Bode diagrams showing an example of frequency characteristics of actually measured data after setting the proportional gain of the linear amplifier 54. FIG. 6A is a gain curve and FIG. 6B is a phase curve. As shown in FIG. 6 (a), it can be seen that the gain at the frequency f m is 63 [Hz] is set to 0 [dB]. Also, FIG.
As can be seen by comparing (b) and FIG. 6 (b), the phase curve hardly changes even if the value of the proportional gain K p of the linear amplifier 54 is changed.

【0059】次に、図6(b)に示した位相曲線に基づ
いてウエハステージユニットWSを制御する上で補償す
べき位相進み量を設定する(工程S16)。いま、周波
数f のときの位相をφとすると、ウエハステージユニ
ットWSの補償すべき位相進み量φは位相余裕が30
〜45度となるように設定する。つまり、
Next, based on the phase curve shown in FIG.
Compensation for controlling the wafer stage unit WS.
The amount of phase lead should be set (step S16). Frequency now
Number f mIf the phase is φ, then the wafer stage unit
Phase lead amount φ to be compensated formHas a phase margin of 30
It is set to be about 45 degrees. That is,

【0060】 30 ≦ 位相余裕=180+(φ+φ) ≦ 45 となるように位相進み量φを設定する。The phase advance amount φ m is set so that 30 ≦ phase margin = 180 + (φ + φ m ) ≦ 45.

【0061】図6(b)に示した例では、周波数f
63度のときに、位相φは−228度である。よって、
上記の式を満足するように位相進み量φを、例えば8
8.6度に設定する。
[0061] In the example shown in FIG. 6 (b), when the frequency f m is 63 degrees, the phase φ is -228 degrees. Therefore,
The phase lead amount φ m is set to, for example, 8 so that the above equation is satisfied.
Set to 8.6 degrees.

【0062】以上の工程が終了すると、次に周波数f
と工程S16で設定した位相進み量φとから伝達関数
を求めてウエハステージユニットWSの位相進み量を補
償するための位相進み補償器56を設計する(工程S1
8)。位相進み補償器56の伝達関数Glp(s)は、以
下の(1)式から求める。
After the above steps are completed, the frequency f m
And a phase lead compensator 56 for compensating the phase lead amount of the wafer stage unit WS by obtaining a transfer function from the phase lead amount φ m set in step S16 (step S1
8). The transfer function G lp (s) of the phase lead compensator 56 is obtained from the following equation (1).

【0063】[0063]

【数1】 [Equation 1]

【0064】ここで、上記(1)式中の変数α、fは以
下の(2)式及び(3)式からそれぞれ求められる。
Here, the variables α and f in the above equation (1) are obtained from the following equations (2) and (3), respectively.

【0065】[0065]

【数2】 [Equation 2]

【0066】[0066]

【数3】 [Equation 3]

【0067】図6に示した例では周波数fが63[H
z]であり、工程S16で設定した位相進み量φが8
8.6度であったため、上記(2)式及び(3)式から
α=161.476となり、f=645.4752とな
る。変数α、fの数値を上記(1)式に代入することに
より、位相進み補償器56の伝達関数Glp(s)が求め
られ、その結果、位相進み補償器56が設計できる。
In the example shown in FIG. 6, the frequency f m is 63 [H
z], and the phase lead amount φ m set in step S16 is 8
Since it was 8.6 degrees, α = 161.476 and f = 645.4752 from the above equations (2) and (3). By substituting the numerical values of the variables α and f into the equation (1), the transfer function G lp (s) of the phase lead compensator 56 is obtained, and as a result, the phase lead compensator 56 can be designed.

【0068】図7は、設計された位相進み補償器56の
周波数特性の一例を示すボード線図であり、(a)はゲ
イン曲線であり、(b)は位相曲線である。位相進み補
償器56を設計すると、最後に、位相進み補償器56の
伝達関数を示すボード線図から位相進み補償器56のゲ
インの周波数特性glp(w)と位相の周波数特性p
(w)とを生成する(第1データ取得工程)。尚、線
形アンプ54、位相進み補償器56、及びウエハステー
ジユニットWSを含むループのゲインの周波数特性g
temp(w)及び位相の周波数特性ptemp(w)は以下
の(4)式で表される。
FIG. 7 is a Bode diagram showing an example of the frequency characteristic of the designed phase lead compensator 56, where (a) is a gain curve and (b) is a phase curve. When the phase lead compensator 56 is designed, finally, from the Bode diagram showing the transfer function of the phase lead compensator 56, the gain frequency characteristic g lp (w) of the phase lead compensator 56 and the phase frequency characteristic p are shown.
and l p (w) are generated (first data acquisition step). The frequency characteristic g of the gain of the loop including the linear amplifier 54, the phase lead compensator 56, and the wafer stage unit WS
The temp (w) and the phase frequency characteristic p temp (w) are expressed by the following equation (4).

【0069】[0069]

【数4】 [Equation 4]

【0070】位相進み補償器56の設計が終了すると、
次に周波数fと工程S16で設定した位相進み量φ
とから積分アンプ55の積分ゲインKを設定し、この
積分ゲインKと工程S14で設定した線形アンプ54
の比例ゲインKとから伝達関数を求めてウエハステー
ジユニットWSをPI補償するためのPI補償器53を
設計する(工程S20)。まず、積分アンプ55の積分
ゲインKは以下の(5)式から求める。
When the design of the phase lead compensator 56 is completed,
Next, the frequency f m and the phase advance amount φ m set in step S16
And the integration gain K i of the integration amplifier 55 is set from the above, and the integration gain K i and the linear amplifier 54 set in step S14 are set.
A PI compensator 53 for PI compensating the wafer stage unit WS is designed by obtaining a transfer function from the proportional gain K p of the above (step S20). First, the integral gain K i of the integrating amplifier 55 is obtained from the following equation (5).

【0071】[0071]

【数5】 [Equation 5]

【0072】(5)式を参照すると、積分ゲインK
(3)式の変数fを(2)式の変数αで除算した値以下
となるように設定されるが、変数αは工程S16で設定
した位相進み量φを用いて定められ、変数fは周波数
と変数αとから求められるため、結局のところ積分
ゲインKは周波数fと位相進み量φとから求めら
れる。(5)式に基づいて積分ゲインKが設定される
と、PI補償器53の伝達関数Gpi(s)を以下の
(6)式から求めて、PI補償器53を設計する。
Referring to the equation (5), the integral gain K i is set to be equal to or less than the value obtained by dividing the variable f of the equation (3) by the variable α of the equation (2), but the variable α is set in step S16. Is determined by using the phase advance amount φ m set in step S1 and the variable f is obtained from the frequency f m and the variable α, so that the integral gain K i is finally obtained from the frequency f m and the phase advance amount φ m. . When the integral gain K i is set based on the equation (5), the transfer function G pi (s) of the PI compensator 53 is obtained from the following equation (6) to design the PI compensator 53.

【0073】[0073]

【数6】 [Equation 6]

【0074】PI補償器53を設計すると、最後に、位
相進み補償器56と同様に、PI補償器53の伝達関数
を示すボード線図からPI補償器53のゲインの周波数
特性gpi(w)と位相の周波数特性ppi(w)とを生成す
る(第2データ取得工程)。
When the PI compensator 53 is designed, finally, like the phase lead compensator 56, the frequency characteristic g pi (w) of the gain of the PI compensator 53 is determined from the Bode diagram showing the transfer function of the PI compensator 53. And frequency characteristics p pi (w) of the phase are generated (second data acquisition step).

【0075】以上の工程を経てPI補償器53及び位相
進み補償器56の設計が終了すると、次に、図3中の入
力端50と出力端60との間の開ループのゲインの周波
数特性gopen(w)及び位相の周波数特性p
open(w)を以下の(7)式から求める(工程S2
2)。
When the design of the PI compensator 53 and the phase lead compensator 56 is completed through the above steps, next, the open loop gain frequency characteristic g between the input end 50 and the output end 60 in FIG. open (w) and phase frequency characteristic p
open (w) is calculated from the following equation (7) (step S2
2).

【0076】[0076]

【数7】 [Equation 7]

【0077】尚、(7)式で表される開ループのゲイン
の周波数特性は、PI補償器53のゲインの周波数特性
pi(w)及び位相の周波数特性ppi(w)を、上記
(4)式で示した周波数特性gtemp(w)及び位相の
周波数特性ptemp(w)に加えたものとなる。図8
は、開ループの周波数特性の一例を示すボード線図であ
り、(a)はゲイン曲線であり、(b)は位相曲線であ
る。
For the open loop gain frequency characteristic represented by the equation (7), the gain frequency characteristic g pi (w) of the PI compensator 53 and the phase frequency characteristic p pi (w) are expressed by the above ( It is added to the frequency characteristic g temp (w) and the phase frequency characteristic p temp (w) shown in equation (4). Figure 8
[Fig. 4] is a Bode diagram showing an example of open-loop frequency characteristics, where (a) is a gain curve and (b) is a phase curve.

【0078】開ループの周波数特性を算出すると、次
に、入力端50からPI補償器53及び位相進み補償器
56並びにアンプ59を介して出力端61までの閉ルー
プの周波数特性と感度関数とを算出する(工程S2
4)。閉ループの周波数特性は以下の(8)式を用いて
算出し、閉ループの感度関数は以下の(9)式を用いて
算出する。
When the open loop frequency characteristic is calculated, the closed loop frequency characteristic and the sensitivity function from the input end 50 to the output end 61 via the PI compensator 53, the phase advance compensator 56 and the amplifier 59 are calculated. Yes (Step S2
4). The frequency characteristic of the closed loop is calculated using the following equation (8), and the sensitivity function of the closed loop is calculated using the following equation (9).

【0079】[0079]

【数8】 [Equation 8]

【0080】[0080]

【数9】 [Equation 9]

【0081】ここで、x(w)及びy(w)は、それぞれ開ル
ープの伝達関数の実部と虚部であり、上記(7)式から
以下の(10)式を用いて算出することができる。尚、
(10)式中のjは、虚数単位(j=−1)である。
Here, x (w) and y (w) are the real and imaginary parts of the open-loop transfer function, respectively, and should be calculated from the above equation (7) using the following equation (10). You can still,
J in the equation (10) is an imaginary unit (j 2 = −1).

【0082】[0082]

【数10】 [Equation 10]

【0083】上記(8)式から閉ループの周波数特性を
算出し、(9)式から感度関数を求めると、アンプ59
を設計して閉ループを形成する(工程S26)。以上説
明した工程を経てウエハステージユニットWSをPI制
御するステージ制御装置が設計される。図9は、閉ルー
プの周波数特性の一例を示すボード線図であり、(a)
はゲイン曲線であり、(b)は位相曲線である。図9を
参照すると(a)に示されるゲイン曲線が100Hz程
度までほぼゲインが0であり、(b)に示される位相曲
線を参照しても、本実施形態で設計されたステージ制御
装置は、100Hz程度まで安定であることが分かる。
When the closed loop frequency characteristic is calculated from the above equation (8) and the sensitivity function is obtained from the equation (9), the amplifier 59
To form a closed loop (step S26). Through the steps described above, a stage control device for PI controlling the wafer stage unit WS is designed. FIG. 9 is a Bode diagram showing an example of the frequency characteristic of the closed loop.
Is a gain curve, and (b) is a phase curve. Referring to FIG. 9, the gain curve shown in (a) has a gain of almost 0 up to about 100 Hz, and referring to the phase curve shown in (b), the stage control device designed in this embodiment It can be seen that it is stable up to about 100 Hz.

【0084】以上説明した本発明の実施形態によれば、
従来のようにステージを数学モデル化することなく、実
際に得られたステーの応答特性を示すデータに基づい
て、そのステージを制御するのに適したステージ制御装
置を設計しているため、ステージが要求される仕様を満
たすようにステージ制御装置を調整するときにさほど時
間及び労力を要せず、しかも高精度の調整を行うことが
できる。また、実際のステージの応答特性を示すデータ
に基づいてステージ制御装置を設計しているため、ステ
ージの制御性を向上させることもできる。
According to the embodiment of the present invention described above,
The stage is designed to control the stage based on the data showing the response characteristics of the stay obtained without actually modeling the stage mathematically. When adjusting the stage control device so as to meet the required specifications, it does not require much time and labor, and highly accurate adjustment can be performed. Further, since the stage control device is designed based on the data indicating the actual response characteristics of the stage, the controllability of the stage can be improved.

【0085】なお、図3において、位相進み補償器56
の後段に、ループシェーピングフィルタ(Gls(s))
を介装することができる。ループシェーピングフィルタ
としては、機械共振の1次モードを抑制するために通常
用いられるノッチフィルタを採用することもできるが、
位相が小さくなりすぎて制御帯域を損なうことがあるた
め、通常のノッチフィルタをそのゼロ点とダンピング量
を調整できるように改良したフィルタを採用することが
望ましい。
In FIG. 3, the phase lead compensator 56 is
In the latter stage, a loop shaping filter (G ls (s))
Can be installed. As the loop shaping filter, a notch filter usually used for suppressing the first-order mode of mechanical resonance can be adopted,
Since the phase may become too small and the control band may be impaired, it is desirable to adopt a filter in which a normal notch filter is improved so that its zero point and damping amount can be adjusted.

【0086】以上説明した実施形態は、本発明の理解を
容易にするために記載されたものであって、本発明を限
定するために記載されたものではない。したがって、上
記の実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的
範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。
The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above-described embodiments is intended to include all design changes and equivalents within the technical scope of the present invention.

【0087】例えば、上述した実施形態においては、ウ
エハステージユニットWSをPI制御するステージ制御
装置を設計する場合を例に挙げて説明したが、ウエハス
テージユニットWSをPID制御するステージ制御装置
及びP制御するステージ制御装置を設計する場合にも適
用可能である。また、図3では、ウエハステージユニッ
トWSを制御する制御装置33を例に挙げて説明した
が、レチクル粗動ステージユニットRCS及びレチクル
微動ステージユニットRFSを設計するときも同様の手
順で設計することができる。更に、上記実施形態ではス
テップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置
を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート
方式の露光装置についても同様に本発明を適用すること
ができる。
For example, in the above-described embodiment, the case where the stage controller for controlling the PI of the wafer stage unit WS is designed has been described as an example. However, the stage controller and the P controller for PID control of the wafer stage unit WS. It is also applicable when designing a stage control device that operates. Further, in FIG. 3, the controller 33 for controlling the wafer stage unit WS has been described as an example, but the reticle coarse movement stage unit RCS and the reticle fine movement stage unit RFS can be designed in the same procedure. it can. Further, in the above-described embodiment, the step-and-scan type reduction projection type exposure apparatus has been described as an example, but the present invention can be similarly applied to a step-and-repeat type exposure apparatus.

【0088】さらに、上述した実施形態では制御装置3
3をハードウエア及びソフトウエアから構成するものと
したが、ソフトウエアのみで構成してもよい。また、上
述の実施形態ではステージ制御装置がレチクルステージ
及びウエハステージの同期移動を制御するために、粗動
ステージ23の位置検出用のレーザ干渉計35(粗動ス
テージ23の位置情報)と、微動ステージ27の位置検
出用のレーザ干渉計37(微動ステージ27の位置情
報)の両方を用いるものとしたが、粗動ステージ23の
位置情報を用いることなく微動ステージ27の位置情報
(レーザ干渉計37の出力)のみを用いるだけでもよ
い。この場合、前述の位置検出装置として粗動ステージ
23の位置検出に用いるレーザ干渉計を設けることな
く、微動ステージ27の位置検出に用いるレーザ干渉計
を設けるだけでもよい。
Further, in the above-described embodiment, the control device 3
Although 3 is composed of hardware and software, it may be composed of only software. Further, in the above-described embodiment, in order for the stage controller to control the synchronous movement of the reticle stage and the wafer stage, the laser interferometer 35 (position information of the coarse movement stage 23) for detecting the position of the coarse movement stage 23 and the fine movement are used. Although both the laser interferometer 37 (position information of the fine movement stage 27) for detecting the position of the stage 27 is used, the position information of the fine movement stage 27 (laser interferometer 37 without using the position information of the coarse movement stage 23) is used. Output) may be used. In this case, the laser interferometer used for detecting the position of the coarse movement stage 23 may not be provided as the position detecting device described above, and only the laser interferometer used for detecting the position of the fine movement stage 27 may be provided.

【0089】また、上述した実施形態ではレチクルステ
ージ又はウエハステージの移動時の反力によって生じる
振動を低減する反力処理装置としてリアクションフレー
ム機構を採用するものとしたが、レチクルステージとウ
エハステージとの少なくとも一方で、例えば特開平8−
63231号公報などに開示されているように、運動量
保存則を利用して上記反力を相殺するようにカウンター
マス(例えばリニアモータの固定子など)を移動するカ
ウンターマス機構を採用してもよいし、あるいはレチク
ルステージ又はウエハステージを駆動するリニアモータ
の固定子を、設置面11に配置する、又は各ステージが
配置されるベース部材(コラム、フレームなど)とは別
に設置面11上に設けられる部材に配置する構成を採用
してもよい。さらに、上述した実施形態ではベース部材
13上に第1コラム15を設置して投影光学系14を固
定するものとしたが、ベース部材13を支持する防振装
置12とは別の防振装置で第1コラム15を支持するよ
うに構成してもよいし、あるいはレチクルステージ又は
ウエハステージに接続される電気配線や配管などのケー
ブルを保持するとともに、そのステージの移動に応じて
(追従して)移動可能なケーブルキャリアを設けてもよ
く、要は本発明が適用される露光装置の構成は図1に限
られるものではなく任意で構わない。このとき、例えば
独立に可動な2つのウエハステージをベース部材13上
に配置するツインステージ構成を採用してもよいし、同
様にレチクルステージをツインステージ構成とする、あ
るいは単一のレチクルステージ上にその走査方向に沿っ
て複数のレチクルを保持可能としてもよい。
In the above-described embodiment, the reaction frame mechanism is adopted as the reaction force processing device for reducing the vibration generated by the reaction force when the reticle stage or the wafer stage is moved. At least one of them, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-
As disclosed in Japanese Patent No. 63231 or the like, a countermass mechanism that moves a countermass (for example, a stator of a linear motor) so as to cancel the reaction force by using the law of conservation of momentum may be adopted. Or a stator of a linear motor for driving the reticle stage or wafer stage is arranged on the installation surface 11, or provided on the installation surface 11 separately from the base member (column, frame, etc.) on which each stage is arranged. You may employ | adopt the structure arrange | positioned at a member. Further, in the above-described embodiment, the first column 15 is installed on the base member 13 to fix the projection optical system 14, but a vibration isolation device different from the vibration isolation device 12 supporting the base member 13 may be used. The first column 15 may be configured to be supported, or a cable such as electric wiring or piping connected to the reticle stage or the wafer stage may be held, and the stage may be moved (following). A movable cable carrier may be provided, and the point is that the configuration of the exposure apparatus to which the present invention is applied is not limited to that shown in FIG. 1 and may be arbitrary. At this time, for example, a twin stage configuration in which two independently movable wafer stages are arranged on the base member 13 may be adopted, or similarly, the reticle stage may be a twin stage configuration, or a single reticle stage may be provided. A plurality of reticles may be held along the scanning direction.

【0090】また、本発明の露光装置は、半導体素子、
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、薄膜磁気ヘ
ッド、撮像素子(CCDなど)、及びマイクロマシンの
製造に用いられる露光装置だけでなく、レチクル、又は
マスクを製造するために、ガラス基板、又はシリコンウ
エハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用で
きる。
Further, the exposure apparatus of the present invention comprises a semiconductor element,
Circuit patterns on glass substrates, silicon wafers, etc. to manufacture reticles or masks as well as exposure devices used to manufacture liquid crystal displays, plasma displays, thin film magnetic heads, image pickup devices (CCD etc.), and micromachines. It can also be applied to an exposure device that transfers

【0091】また、本発明が適用される露光装置の光源
としては、特に限定されず、KrFエキシマレーザ(波
長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193n
m)、Fレーザ(波長157nm)、Krレーザ
(波長146nm)、KrArレーザ(波長134n
m)、Arレーザ(波長126nm)等を用いること
ができる。
The light source of the exposure apparatus to which the present invention is applied is not particularly limited, and a KrF excimer laser (wavelength 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength 193n).
m), F 2 laser (wavelength 157 nm), Kr 2 laser (wavelength 146 nm), KrAr laser (wavelength 134 n)
m), Ar 2 laser (wavelength 126 nm), etc. can be used.

【0092】また、例えば、DFB半導体レーザ又はフ
ァイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単
一波長レーザを、エルビウム(又はエルビウムとイット
リビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増
幅し、さらに非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換
した高調波を用いてもよい。
Further, for example, a single-wavelength laser in the infrared range or visible range emitted from a DFB semiconductor laser or a fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and ytterbium), and further, You may use the harmonic wave which carried out wavelength conversion into the ultraviolet light using the nonlinear optical crystal.

【0093】ところで、マイクロデバイスは回路の機能
・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づい
て、レチクル(マスク)を製作するステップ、基板(半
導体ウエハ、ガラスプレート)を製作するステップ、基
板に感光材料としてのレジストを塗布するステップ、前
述の実施の形態で説明した露光装置を用いてレチクルの
パターンを基板上に転写するステップ、組立ステップ、
及び検査ステップ等を経て製造される。
By the way, in the microdevice, the step of designing the function / performance of the circuit, the step of producing the reticle (mask), the step of producing the substrate (semiconductor wafer, glass plate), and the step of exposing the substrate A step of applying a resist as a material, a step of transferring the pattern of the reticle onto the substrate by using the exposure apparatus described in the above embodiment, an assembly step,
And it is manufactured through inspection steps and the like.

【0094】上述した実施形態の露光装置は、レチクル
微動ステージユニットRFS、レチクル粗動ステージユ
ニットRCS、ウエハステージユニットWS等の多数の
部品からなるステージ装置を組み立てるとともに、照明
光学系30、アライメント系、投影光学系14等の各要
素が電気的、機械的、又は光学的に連結して組み上げら
れた後、光学調整を行い、さらに総合調整(電気調整、
動作確認等)をすることにより製造される。このような
露光装置の製造は、温度及びクリーン度等が管理された
クリーンルームで行うことが望ましい。
The exposure apparatus of the above-described embodiment assembles a stage device including a large number of components such as the reticle fine movement stage unit RFS, the reticle coarse movement stage unit RCS, and the wafer stage unit WS, and also includes the illumination optical system 30, the alignment system, After the elements such as the projection optical system 14 are assembled electrically, mechanically, or optically connected to each other, optical adjustment is performed and further comprehensive adjustment (electrical adjustment,
It is manufactured by checking the operation). It is desirable to manufacture such an exposure apparatus in a clean room where the temperature and cleanliness are controlled.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージに対して目標値を与えてステージの周波数特性
を示す実測データを取得し、この実測データに基づいて
ステージの位相進み量を補償する第1補償器及びステー
ジに供給する目標値に与えるゲインを補償する第2補償
器を設計し、これらの第1補償器及び第2補償器を含む
閉ループを形成している。このように、本発明では、従
来のようにステージを数学モデル化することなく、実際
に得られたステーの応答特性を示すデータに基づいて、
そのステージを制御するのに適したステージ制御装置を
設計しているため、ステージが要求される仕様を満たす
ようにステージ制御装置を調整するときにさほど時間及
び労力を要せず、しかも高精度の調整を行うことができ
るという効果がある。
As described above, according to the present invention,
A target value is given to the stage to obtain actual measurement data indicating the frequency characteristic of the stage, and based on the actual measurement data, the first compensator for compensating the phase advance amount of the stage and the gain to be given to the target value supplied to the stage are set. The compensating second compensator is designed to form a closed loop including the first compensator and the second compensator. As described above, in the present invention, based on the data showing the response characteristics of the stay actually obtained without mathematically modeling the stage as in the conventional case,
Since we have designed a stage controller suitable for controlling the stage, it does not require much time and effort when adjusting the stage controller so that the stage meets the required specifications, and it is highly accurate. The effect is that adjustments can be made.

【0096】また、実際のステージの応答特性を示すデ
ータに基づいてステージ制御装置を設計しているため、
ステージを精確に制御することができることもできると
いう効果がある。
Since the stage controller is designed based on the data showing the actual response characteristics of the stage,
There is an effect that the stage can be accurately controlled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る露光装置を示す正面
図である。
FIG. 1 is a front view showing an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示される露光装置に適用可能なリニア
モータの断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a linear motor applicable to the exposure apparatus shown in FIG.

【図3】 本発明の実施形態に係る露光装置が備えるス
テージ制御装置の一構成例を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of a stage control device included in the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施形態に係るステージ制御装置の
設計方法を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a design method of the stage control device according to the embodiment of the present invention.

【図5】 工程S10で得られたウエハステージユニッ
トWSの実測データの周波数特性の一例を示すボード線
図であり、(a)はゲイン曲線であり、(b)は位相曲
線である。
5A and 5B are Bode diagrams showing an example of frequency characteristics of measured data of the wafer stage unit WS obtained in step S10, in which FIG. 5A is a gain curve and FIG. 5B is a phase curve.

【図6】 線形アンプの比例ゲインを設定した後の実測
データの周波数特性の一例を示すボード線図であり、
(a)はゲイン曲線であり、(b)は位相曲線である。
FIG. 6 is a Bode diagram showing an example of frequency characteristics of measured data after setting a proportional gain of a linear amplifier,
(A) is a gain curve, (b) is a phase curve.

【図7】 設計された位相進み補償器の周波数特性の一
例を示すボード線図であり、(a)はゲイン曲線であ
り、(b)は位相曲線である。
FIG. 7 is a Bode diagram showing an example of frequency characteristics of the designed phase lead compensator, where (a) is a gain curve and (b) is a phase curve.

【図8】 開ループの周波数特性の一例を示すボード線
図であり、(a)はゲイン曲線であり、(b)は位相曲
線である。
FIG. 8 is a Bode diagram showing an example of open-loop frequency characteristics, where (a) is a gain curve and (b) is a phase curve.

【図9】 閉ループの周波数特性の一例を示すボード線
図であり、(a)はゲイン曲線であり、(b)は位相曲
線である。
FIG. 9 is a Bode diagram showing an example of frequency characteristics of a closed loop, where (a) is a gain curve and (b) is a phase curve.

【図10】 ステージ制御装置の従来の設計方法の一例
を示すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart showing an example of a conventional design method for a stage control device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

32…レーザ干渉計(位置計測装置) 33…制御装置(ステージ制御装置) 35…レーザ干渉計(位置計測装置) 37…レーザ干渉計(位置計測装置) 53…PI補償器(第2補償器) 56…位相進み補償器(第1補償器) f…周波数(所定の周波数) K…積分ゲイン K…比例ゲイン R…レチクル(マスク) RCS…レチクル粗動ステージユニット(ステージ、マ
スクステージ) RFS…レチクル微動ステージユニット(ステージ、マ
スクステージ) W…ウエハ(感光性基板) WS…ウエハステージユニット(ステージ、基板ステー
ジ) φ…位相進み量
32 ... Laser interferometer (position measuring device) 33 ... Control device (stage control device) 35 ... Laser interferometer (position measuring device) 37 ... Laser interferometer (position measuring device) 53 ... PI compensator (second compensator) 56 ... phase lead compensator (first compensator) f m ... frequency (predetermined frequency) K i ... integral gain K p ... proportional gain R ... reticle (mask) RCS ... reticle coarse movement stage unit (stage, the mask stage) RFs ... Reticle fine movement stage unit (stage, mask stage) W ... Wafer (photosensitive substrate) WS ... Wafer stage unit (stage, substrate stage) φ m ... Phase advance amount

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 移動可能に支持されたステージを制御す
るステージ制御装置の設計方法において、 前記ステージに対して目標値を与え、前記ステージの周
波数特性を示す実測データを得る実測データ取得工程
と、 前記実測データに基づいて、所定の周波数における前記
目標値の比例ゲインを設定する比例ゲイン設定工程と、 前記所定の周波数での補償すべき位相進み量を設定し、
当該位相進み量及び前記所定の周波数から伝達関数を求
めて前記ステージの位相進み量を補償する第1補償器を
設計する第1設計工程と、 前記第1設計工程で設定した位相進み量及び前記所定の
周波数に応じて積分ゲインを設定し、当該積分ゲイン及
び前記比例ゲインから伝達関数を求めて前記目標値に与
えるゲインを補償する第2補償器を設計する第2設計工
程と、 前記第1補償器及び前記第2補償器を含む閉ループを形
成する閉ループ形成工程とを有することを特徴とするス
テージ制御装置の設計方法。
1. A method of designing a stage control device for controlling a movably supported stage, comprising: a step of giving a target value to the stage to obtain actual measurement data indicating frequency characteristics of the stage; Based on the measured data, a proportional gain setting step of setting a proportional gain of the target value at a predetermined frequency, and setting a phase lead amount to be compensated at the predetermined frequency,
A first design step of designing a first compensator for obtaining a transfer function from the phase lead amount and the predetermined frequency and compensating for the phase lead amount of the stage; and the phase lead amount and the phase lead amount set in the first design step. A second design step of designing a second compensator which sets an integral gain according to a predetermined frequency, obtains a transfer function from the integral gain and the proportional gain, and compensates the gain given to the target value; A closed loop forming step of forming a closed loop including a compensator and the second compensator.
【請求項2】 前記所定の周波数は、前記閉ループの帯
域に応じて設定されることを特徴とする請求項1記載の
ステージ制御装置の設計方法。
2. The method of designing a stage controller according to claim 1, wherein the predetermined frequency is set according to a band of the closed loop.
【請求項3】 前記比例ゲイン設定工程では、前記ステ
ージの周波数特性をボード線図で示したときに、そのゲ
イン曲線が前記所定の周波数においてゲイン交点となる
ように前記目標値の比例ゲインを設定することを特徴と
する請求項1又は請求項2記載のステージ制御装置の設
計方法。
3. In the proportional gain setting step, when the frequency characteristic of the stage is shown in a Bode diagram, the proportional gain of the target value is set so that the gain curve becomes a gain intersection at the predetermined frequency. The method for designing a stage control device according to claim 1 or 2, characterized in that:
【請求項4】 前記ステージの周波数特性を示す実測デ
ータは、前記ステージに対して設けられた前記ステージ
の位置を計測する位置計測装置の計測結果から得られる
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のス
テージ制御装置の設計方法。
4. The actual measurement data indicating the frequency characteristic of the stage is obtained from a measurement result of a position measuring device provided on the stage for measuring the position of the stage. A method for designing a stage control device according to any one of 1.
【請求項5】 前記第1補償器の伝達関数をボード線図
で示して前記第1補償器の周波数特性を示す第1データ
を得る第1データ取得工程と、 前記第2補償器の伝達関数をボード線図で示して前記第
2補償器の周波数特性を示す第2データを得る第2デー
タ取得工程と、 前記実測データ、前記第1データ、前記第2データ、及
び前記比例ゲインを用いて前記第1補償器及び前記第2
補償器を含む開ループの伝達関数を求める開ループ伝達
関数算出工程と、 前記開ループの伝達関数を用いて前記閉ループのゲイン
及び位相並びに感度関数のゲイン及び位相を求める閉ル
ープ特性算出工程とを更に備え、 前記閉ループ形成工程は、前記閉ループ特性算出工程で
算出された閉ループのゲイン及び位相並びに感度関数の
ゲイン及び位相を考慮して形成されることを特徴とする
請求項1〜4の何れか一項に記載のステージ制御装置の
設計方法。
5. A first data acquisition step of obtaining first data indicating a frequency characteristic of the first compensator by showing a Bode diagram of the transfer function of the first compensator, and a transfer function of the second compensator. A second data acquisition step of obtaining the second data indicating the frequency characteristic of the second compensator by using a Bode diagram, and using the measured data, the first data, the second data, and the proportional gain. The first compensator and the second
An open loop transfer function calculating step of obtaining an open loop transfer function including a compensator, and a closed loop characteristic calculating step of obtaining the gain and phase of the closed loop and the gain and phase of the sensitivity function using the open loop transfer function are further included. 5. The method according to claim 1, wherein the closed loop forming step is formed in consideration of the gain and phase of the closed loop and the gain and phase of the sensitivity function calculated in the closed loop characteristic calculating step. A method of designing a stage control device according to item.
【請求項6】 マスクに形成されたパターンを感光性基
板に転写する露光装置において、 前記マスクを保持して移動するマスクステージと、 前記感光性基板を保持して移動する基板ステージと、 請求項1〜5の何れか一項に記載された方法を用いて設
計され、前記マスクステージ及び前記基板ステージの少
なくとも一方を制御するステージ制御装置とを備えるこ
とを特徴とする露光装置。
6. An exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, a mask stage that holds and moves the mask, and a substrate stage that holds and moves the photosensitive substrate. An exposure apparatus, which is designed by using the method described in any one of 1 to 5 and includes a stage control device that controls at least one of the mask stage and the substrate stage.
【請求項7】 請求項6に記載の露光装置を用いてパタ
ーンを感光物体上に転写する露光工程を含むことを特徴
とするデバイス製造方法。
7. A device manufacturing method comprising an exposure step of transferring a pattern onto a photosensitive object by using the exposure apparatus according to claim 6.
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