JP2003262878A - Electrooptic device and electronic equipment - Google Patents

Electrooptic device and electronic equipment

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JP2003262878A
JP2003262878A JP2002064317A JP2002064317A JP2003262878A JP 2003262878 A JP2003262878 A JP 2003262878A JP 2002064317 A JP2002064317 A JP 2002064317A JP 2002064317 A JP2002064317 A JP 2002064317A JP 2003262878 A JP2003262878 A JP 2003262878A
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Japan
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liquid crystal
substrates
electro
substrate
conductive
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JP2002064317A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Fukagawa
剛史 深川
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device having a structure in which electric conduction between substrates can be held and the gap between substrates can be easily controlled. <P>SOLUTION: In the liquid crystal display device, a liquid crystal 16 is sealed between a TFT array substrate 7 and a counter substrate 15 by using a sealing material 29 and an injection port 34 to be an aperture part of the sealing material 29 is encapsulated by using an end-sealing material 40 including a conductive spacer 37 to form a conduction part 35 between substrates. The electric conduction between the TFT array substrate 7 and the counter substrate 15 and the gap between the substrates are properly held by the conduction part 35 between substrates. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置およ
び電子機器に関し、特に電気光学材料を基板間に注入す
る注入口を、基板間の電気的導通を保持する基板間導通
部によって封止した基板構造に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus, and more particularly, an injection port for injecting an electro-optical material between substrates is sealed by an inter-substrate conducting portion that maintains electrical conduction between the substrates. It relates to a substrate structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】図13は従来の液晶表示装置の一例を示
したものである。液晶パネル100は、複数のデータ線
および走査線101が格子状に形成されるとともに、画
素電極、この画素電極を駆動する薄膜トランジスタ(Th
in Film Transistor, 以下、TFTと略記する)からな
るスイッチング素子等がマトリクス状に配置された素子
基板102(TFTアレイ基板)と、対向電極103が
配置された対向基板104とが所定の間隔をもって配置
されてなるものである。素子基板102と対向基板10
4とは、互いの電極形成面が対向するようにシール材1
05によって貼り合わされている。このシール材105
によって区画された基板間の領域内には、液晶106が
封入されているとともに、スペーサ107が配置され、
基板102と基板104との間隔が所定の大きさに保持
されている。素子基板102の電極形成面上の液晶封入
領域外には、コモン電極108が形成されており、この
コモン電極108には銀ペーストからなる導通部109
が配設されており、これにより素子基板102と対向基
板104間での電気的導通がとれるようになっている。
また、素子基板102、対向基板104の外面側には偏
光板110がそれぞれ貼付されている。
2. Description of the Related Art FIG. 13 shows an example of a conventional liquid crystal display device. In the liquid crystal panel 100, a plurality of data lines and scanning lines 101 are formed in a grid pattern, and a pixel electrode and a thin film transistor (Th.
in film transistor (hereinafter abbreviated as “TFT”), an element substrate 102 (TFT array substrate) in which switching elements and the like are arranged in a matrix, and an opposite substrate 104 in which an opposite electrode 103 is arranged are arranged at a predetermined interval. It has been done. Element substrate 102 and counter substrate 10
4 is the sealing material 1 so that the electrode forming surfaces face each other.
It is pasted together by 05. This sealing material 105
In a region between the substrates partitioned by the liquid crystal 106, a spacer 107 is arranged while being enclosed.
The space between the substrate 102 and the substrate 104 is maintained at a predetermined size. A common electrode 108 is formed outside the liquid crystal enclosing area on the electrode formation surface of the element substrate 102, and a conducting portion 109 made of silver paste is formed on the common electrode 108.
Are arranged so that electrical conduction can be established between the element substrate 102 and the counter substrate 104.
Polarizing plates 110 are attached to the outer surfaces of the element substrate 102 and the counter substrate 104, respectively.

【0003】なお、図示を省略したが、素子基板102
上の対向基板104から張り出した端子部分には、各デ
ータ線にデータ信号を供給するデータ線駆動用ICが実
装されるとともに、各走査線101に走査信号を供給す
る走査線駆動用ICが実装されている。
Although not shown, the element substrate 102
A data line driving IC for supplying a data signal to each data line and a scanning line driving IC for supplying a scanning signal to each scanning line 101 are mounted on the terminal portion protruding from the upper counter substrate 104. Has been done.

【0004】さらにこの例の場合、素子基板102の下
面側には、バックライトユニット111がシリコンゴム
等の緩衝材112を介して設けられている。このバック
ライトユニット111は、光を照射する線状の蛍光管1
13と、この蛍光管113による光を反射して導光板1
14に導く反射板115、導光板114に導かれた光を
液晶パネル100に一様に拡散させる拡散板116と、
導光板114から液晶パネル100とは反対方向に出射
される光を液晶パネル100側へ反射させる反射板11
5とから構成されている。
Further, in this example, a backlight unit 111 is provided on the lower surface side of the element substrate 102 via a cushioning material 112 such as silicon rubber. The backlight unit 111 is a linear fluorescent tube 1 that emits light.
13 and the light guide plate 1 by reflecting the light from the fluorescent tube 113.
A reflection plate 115 that guides the light to the light guide plate 14; a diffusion plate 116 that uniformly diffuses the light guided to the light guide plate 114 to the liquid crystal panel 100;
Reflector 11 for reflecting the light emitted from the light guide plate 114 in the direction opposite to the liquid crystal panel 100 to the liquid crystal panel 100 side.
It is composed of 5 and.

【0005】この種の液晶表示装置を製造するには、ま
ず素子基板102および対向基板104上にフォトリソ
グラフィー等の技術を用いて、各基板上に必要な電極層
および駆動回路層を形成した後に、例えば素子基板10
2の電極形成面に2枚の基板間の間隔を一定に保持する
ためのスペーサ107を散布する一方、対向基板104
の電極形成面に液晶を封止するためのシール材105を
スクリーン印刷等により形成する。次に素子基板102
と対向基板104とを貼り合わせ、シール材105の開
口部である液晶注入口から液晶106を2枚の基板間の
間隙に注入し、この液晶注入をさらにシール材105に
よって封止し、両面に偏光板を貼り付けることによって
液晶パネル100が完成する。最後に、この液晶パネル
100に対してバックライトユニット、各種の駆動用基
板等を実装し、ケースに収納すれば、液晶表示装置とし
て完成する。従来例としては、例えば特開昭61−15
3622号公報に記載されている技術が挙げられる。
In order to manufacture a liquid crystal display device of this type, first, a necessary electrode layer and a drive circuit layer are formed on each of the element substrate 102 and the counter substrate 104 by using a technique such as photolithography, and the like. , For example, the element substrate 10
Spacers 107 for maintaining a constant gap between the two substrates are scattered on the second electrode formation surface, while the counter substrate 104 is provided.
A sealing material 105 for sealing the liquid crystal is formed on the electrode forming surface of the screen by screen printing or the like. Next, the element substrate 102
The counter substrate 104 and the counter substrate 104 are attached to each other, the liquid crystal 106 is injected into the gap between the two substrates from the liquid crystal injection port which is the opening of the sealing material 105, and the liquid crystal injection is further sealed by the sealing material 105, and the both surfaces The liquid crystal panel 100 is completed by attaching the polarizing plate. Finally, a backlight unit, various driving substrates, etc. are mounted on the liquid crystal panel 100 and housed in a case to complete a liquid crystal display device. As a conventional example, for example, JP-A-61-15
The technique described in Japanese Patent No. 3622 may be mentioned.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上下基板間の電気的導
通を取るための導通部109は、導電ペーストを硬化さ
せてなるものである。この導電ペーストは、導電性の良
好な金属粉(たとえば銀粉等)や導電性のフィラー等を
樹脂中に分散させたものである。導通部109の形成に
あたっては、たとえばディスペンサー等の滴下装置を用
いて、素子基板102の電極形成面上の所定位置に所定
量の導電ペーストを滴下した後に、加熱や光照射等の適
宜手段で樹脂を硬化させる方法等が利用される。
The conducting portion 109 for establishing electrical conduction between the upper and lower substrates is formed by curing a conductive paste. This conductive paste is a resin in which a metal powder having good conductivity (for example, silver powder), a conductive filler, or the like is dispersed in a resin. When forming the conductive portion 109, a dropping device such as a dispenser is used to drop a predetermined amount of the conductive paste at a predetermined position on the electrode formation surface of the element substrate 102, and then a resin is applied by an appropriate means such as heating or light irradiation. A method of curing the resin is used.

【0007】このような導通部109は安価に製造可能
である反面、導電ペーストを滴下する際の位置的精度と
量的精度とに限界があるという問題があった。またディ
スペンサーによるペースト打点は、たとえば0.5mm
×0.5mm角程度の面積を占めることとなり、近年の
液晶装置における狭額縁化にそぐわないという問題があ
った。さらには導電ペーストの滴下状態およびその硬化
条件等により、形成された導通部109の基板への圧着
密度や圧着面積が変化し、その電気抵抗値が一定しない
という問題があった。
Although such a conducting portion 109 can be manufactured at low cost, there is a problem in that the positional accuracy and the quantitative accuracy when the conductive paste is dropped are limited. In addition, the paste point applied by the dispenser is, for example, 0.5 mm
Since it occupies an area of about 0.5 mm square, there has been a problem that it is not suitable for a narrow frame in a liquid crystal device in recent years. Further, there has been a problem that the electrical resistance value is not constant because the pressure-bonding density and the pressure-bonding area of the formed conductive portion 109 to the substrate are changed depending on the dropping state of the conductive paste and the curing conditions thereof.

【0008】また、液晶注入口は一つの液晶表示装置に
少なくとも1箇所以上設けられており、基板のサイズや
基板間に注入される液晶の粘性等によって開口幅とその
設置個数が設定される。注入口の開口幅を大きく設定す
れば、分子量が大きく、粘性の高い液晶を容易に注入で
きるので好都合である反面、この注入口には基板間の距
離を所定に保持するスペーサが存在しないので、開口幅
を大きくとると基板のたわみ等の応力によって注入口部
分もしくはその近傍の基板間ギャップが狭まるという問
題があった。
Further, at least one liquid crystal injection port is provided in one liquid crystal display device, and the opening width and the number of the liquid crystal injection ports to be installed are set depending on the size of the substrates and the viscosity of the liquid crystal injected between the substrates. If the opening width of the injection port is set to be large, it is convenient because a liquid crystal having a large molecular weight and high viscosity can be easily injected, but on the other hand, since there is no spacer for holding a predetermined distance between the substrates at this injection port, When the opening width is made large, there is a problem that the stress between the substrate and the like narrows the gap between the substrates at or near the injection port.

【0009】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、電気光学装置における基板間の電
気的導通を安定的に保持可能な基板間導通部を省スペー
スで配設可能とすると共に、液晶注入口における基板間
ギャップの制御も簡便に行い得る構造を有する電気光学
装置とこれを用いた電子機器とを提供することを目的と
する。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is possible to dispose a space between board-to-board conducting portions capable of stably maintaining electric conduction between boards in an electro-optical device. In addition, it is an object of the present invention to provide an electro-optical device having a structure capable of easily controlling a gap between substrates at a liquid crystal injection port and an electronic device using the electro-optical device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、互いに対向する一対の基板間に電気光学材料が挟
持されてなる電気光学装置であって、前記一対の基板間
に電気光学材料を注入する注入口は、導電性スペーサが
接着材中に配設されてなる封止材によって封止されてい
ることを特徴とするものである。本発明のこのような構
成によれば、導電性スペーサの径を予め基板間距離とな
る所定の値に調整しておけば、必然的に2枚の基板間の
ギャップとなるので、ギャップの制御を容易に行うこと
ができる。また導電性スペーサの電気的特性によって、
基板間の電気的導通を保持することができる。
In order to achieve the above object, an electro-optical device comprising an electro-optical material sandwiched between a pair of substrates facing each other, wherein the electro-optical material is interposed between the pair of substrates. The injection port for injecting is characterized in that a conductive spacer is sealed by a sealing material provided in an adhesive material. According to such a configuration of the present invention, if the diameter of the conductive spacer is adjusted to a predetermined value that is the distance between the substrates in advance, the gap between the two substrates is inevitably achieved. Can be done easily. Also, due to the electrical characteristics of the conductive spacer,
It is possible to maintain electrical continuity between the substrates.

【0011】また本発明の電気光学装置は、互いに対向
する一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気
光学装置であって、前記一対の基板を構成する各基板の
内面に導電部がそれぞれ設けられ、前記一対の基板間に
電気光学材料を注入する注入口は、導電性スペーサが接
着材中に配設されてなる封止材によって封止されてお
り、該封止材が前記一対の基板間の電気的導通を保持す
る基板間導通部であり、該基板間導通部を介して前記各
基板の導電部同士が電気的に接続されていることを特徴
とする。ここで言う「各基板の内面に設けた導電部」と
は、電極、配線等を含むものである。導電性スペーサ
は、単に注入口における基板間ギャップを制御する機能
に加えて、その導電性によって、各基板の導電部間の電
気的導通を確実かつ安定的に保持する機能をも有するも
のであるので、基板間ギャップの制御と電気的導通の保
持とを簡便に行うことができる。また、基板間導通部を
画像表示部分の周縁部ではなく、注入口に設ける構成に
より、画像表示部分以外の額縁部分を小さくすることが
できる。この構成によれば、画素領域の構成は従来と全
く変わらないため、画素パターン設計の自由度を従来通
り確保した上で、基板間の確実な電気的導通を保持する
ことができる。また、注入口の封止と同時に基板間導通
部の形成が可能であるので、通常の製造プロセス条件の
若干の変更で形成が可能となる。
The electro-optical device of the present invention is an electro-optical device in which an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates facing each other, and a conductive portion is provided on the inner surface of each of the substrates forming the pair of substrates. The injection ports provided respectively for injecting the electro-optical material between the pair of substrates are sealed with a sealing material in which a conductive spacer is disposed in an adhesive material, and the sealing material is the pair of sealing materials. Is a board-to-board conducting section that maintains electrical continuity between the boards, and the board-to-board conducting sections are electrically connected to each other. The "conductive portion provided on the inner surface of each substrate" as used herein includes an electrode, a wiring, and the like. The conductive spacer not only has the function of controlling the gap between the substrates at the injection port, but also has the function of reliably and stably maintaining the electrical conduction between the conductive portions of the respective substrates due to its conductivity. Therefore, it is possible to easily control the gap between the substrates and maintain the electrical continuity. In addition, the frame portion other than the image display portion can be made small by providing the inter-substrate conductive portion at the inlet instead of at the peripheral portion of the image display portion. According to this configuration, since the configuration of the pixel region is completely the same as the conventional one, it is possible to maintain the degree of freedom of the pixel pattern design as usual and to maintain the reliable electrical conduction between the substrates. Further, since the inter-substrate conductive portion can be formed at the same time when the injection port is sealed, it can be formed by slightly changing the normal manufacturing process conditions.

【0012】また前記導電性スペーサはスペーサに導電
層を被覆してなるものであってもよい。この構成によれ
ば、スペーサ径を調整することによって注入口における
基板間ギャップを所望間隔に容易に調節できるようにな
る。スペーサとしてはアクリル粒子やシリカビーズ等の
各種組成の粒子状スペーサのほか、一方の基板に設けら
れた凸部からなる基板一体型のスペーサであってもよ
い。特に粒子形状のスペーサは、製造が容易であるばか
りでなく、その径の分布を均一に調整しやすいので本発
明のスペーサとして好適である。このようなスペーサ表
面に導電層を被覆することにより、基板間の電気的導通
を保持する機能を付与することができる。
Further, the conductive spacer may be formed by coating the spacer with a conductive layer. With this configuration, the gap between the substrates at the injection port can be easily adjusted to a desired interval by adjusting the spacer diameter. The spacer may be a particulate spacer having various compositions such as acrylic particles or silica beads, or a substrate-integrated spacer having a convex portion provided on one substrate. In particular, a particle-shaped spacer is suitable as the spacer of the present invention because it is not only easy to manufacture, but also its diameter distribution is easily adjusted. By coating the surface of such a spacer with a conductive layer, a function of maintaining electrical continuity between the substrates can be imparted.

【0013】前記基板間導通部の導電層は金属膜からな
ることが好ましい。金属膜によれば、より一層安定した
導電性を得ることができ、基板間の電気特性を安定させ
ることができる。また、金属膜は種々の製膜技術、たと
えば無電解めっき等によって簡単かつ安価に所定の膜厚
でスペーサ表面に形成することができ、これによっても
低コスト化を図ることができる。
It is preferable that the conductive layer of the board-to-board conductive portion is made of a metal film. With the metal film, more stable conductivity can be obtained, and the electrical characteristics between the substrates can be stabilized. Further, the metal film can be easily and inexpensively formed on the surface of the spacer with a predetermined film thickness by various film forming techniques such as electroless plating, and the cost can be reduced.

【0014】また、前記注入口は、前記電気光学材料側
から順に配置された導電性スペーサを含まない絶縁材と
導電性スペーサを含む接着材とによって封止されている
構成としても良い。この構成によれば、基板間導電部と
電気光学材料との短絡等の不具合をなくすことができ
る。
Further, the injection port may be sealed by an insulating material not including a conductive spacer and an adhesive material including a conductive spacer, which are arranged in order from the electro-optical material side. According to this configuration, it is possible to eliminate a defect such as a short circuit between the inter-substrate conductive portion and the electro-optical material.

【0015】前記電気光学材料としては液晶を用いるこ
とができる。この構成により、各基板間の電気的導通が
安定的に保持され、かつセルギャップが確実に制御され
た液晶表示装置を実現することができる。
A liquid crystal can be used as the electro-optical material. With this configuration, it is possible to realize a liquid crystal display device in which electrical continuity between the substrates is stably maintained and the cell gap is surely controlled.

【0016】本発明の電子機器は、上記本発明の電気光
学装置を備えたことを特徴とするものである。本発明に
よれば、上記本発明の電気光学装置を備えたことにより
表示品位の高い表示部を備えた電子機器を実現すること
ができる。
An electronic apparatus of the present invention is characterized by including the electro-optical device of the present invention. According to the present invention, since the electro-optical device according to the present invention is provided, it is possible to realize an electronic device including a display unit with high display quality.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】[第1の実施の形態の液晶装置の
構成]以下、本発明の第1の実施の形態を図1ないし図
6を参照して説明する。図1は、本実施の形態の液晶装
置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素
子、配線等の等価回路である。図2はデータ線、走査
線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板における
隣接する複数の画素群の平面図である。図3は、カラー
フィルターが形成された対向基板の平面図である。図4
は、図2および図3のA−A’線に沿う断面図である。
図5は、TFTアレイ基板の製造プロセスを説明するた
めの工程断面図である。図6は、液晶装置の全体構成を
示す平面図である。なお、以上の図面においては、各層
や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材ごとに平面寸法や膜厚等の縮尺を適宜
異ならせてある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [Structure of Liquid Crystal Device According to First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels forming the image display area of the liquid crystal device of this embodiment. FIG. 2 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, etc. are formed. FIG. 3 is a plan view of a counter substrate having a color filter formed thereon. Figure 4
FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIGS. 2 and 3.
5A to 5C are process cross-sectional views for explaining the manufacturing process of the TFT array substrate. FIG. 6 is a plan view showing the overall configuration of the liquid crystal device. In the above drawings, in order to make each layer and each member recognizable in the drawing, the scales such as the plane dimension and the film thickness are appropriately changed for each layer and each member.

【0018】[液晶装置要部の構成]図1に示すよう
に、本実施の形態の液晶装置において、画像表示領域を
構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素
電極1と当該画素電極1を制御するためのTFT2がマ
トリクス状に複数形成されており、画像信号を供給する
データ線3が当該TFT2のソース領域に電気的に接続
されている。データ線3に書き込む画像信号S1、S
2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わない
し、相隣接する複数のデータ線3同士に対して、グルー
プ毎に供給するようにしても良い。また、TFT2のゲ
ート電極に走査線4が電気的に接続されており、所定の
タイミングで走査線4に対してパルス的に走査信号G
1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。画素電極1は、TFT2のドレイン
領域に電気的に接続されており、スイッチング素子であ
るTFT2を一定期間だけオンすることにより、データ
線3から供給される画像信号S1、S2、…、Snを所
定のタイミングで書き込む。
[Structure of Main Parts of Liquid Crystal Device] As shown in FIG. 1, in the liquid crystal device of the present embodiment, a plurality of pixels formed in a matrix form an image display region are a pixel electrode 1 and the pixel. A plurality of TFTs 2 for controlling the electrodes 1 are formed in a matrix, and a data line 3 for supplying an image signal is electrically connected to a source region of the TFT 2. Image signals S1 and S to be written in the data line 3
, ..., Sn may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 3. Further, the scanning line 4 is electrically connected to the gate electrode of the TFT 2, and the scanning signal G is pulsed to the scanning line 4 at a predetermined timing.
, Gm are applied line-sequentially in this order. The pixel electrode 1 is electrically connected to the drain region of the TFT 2, and by turning on the switching element TFT 2 for a certain period, the image signals S1, S2, ..., Sn supplied from the data line 3 are predetermined. Write at the timing of.

【0019】画素電極1を介して液晶に書き込まれた所
定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向基板
(後述する)に形成された対向電極(後述する)との間
で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極1と対向電極との
間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量部5を付加す
る。符号6は、蓄積容量部5の上部電極をなす容量線で
ある。
The image signals S1, S2, ..., Sn having a predetermined level written in the liquid crystal through the pixel electrode 1 are held for a certain period of time with the counter electrode (described later) formed on the counter substrate (described later). Retained. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, the storage capacitor section 5 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 1 and the counter electrode. Reference numeral 6 is a capacitance line that forms an upper electrode of the storage capacitance unit 5.

【0020】図2に示すように、液晶装置の一方の基板
をなすTFTアレイ基板7上には、複数の画素電極1
(輪郭を破線で示す)がマトリクス状に配置されてお
り、画素電極1の紙面縦方向に延びる辺に沿ってデータ
線3(輪郭を2点鎖線で示す)が設けられ、紙面横方向
に延びる辺に沿って走査線4および容量線6(ともに輪
郭を実線で示す)が設けられている。前記液晶装置が透
過型液晶装置の場合は、前記画素電極1は、インジウム
錫酸化物(Indium Tin Oxide, 以下、ITOと略記す
る)等の透明導電膜により形成される。また、前記液晶
装置が反射型液晶装置の場合は、前記画素電極1は、ア
ルミニウム(Al)等の金属薄膜により形成される。ま
た、前記液晶装置が半透過反射型液晶装置の場合は、前
記画素電極1は、例えば透明導電膜と金属薄膜との積層
膜により形成される。本実施の形態において、ポリシリ
コン膜からなる半導体層8(輪郭を1点鎖線で示す)
は、データ線3と走査線4の交差点の近傍でU字状に形
成され、そのU字状部8aの一端が隣接するデータ線3
の方向(紙面右方向)および当該データ線3に沿う方向
(紙面上方向)に長く延びている。半導体層8のU字状
部8aの両端にはコンタクトホール9,10が形成され
ており、一方のコンタクトホール9はデータ線3と半導
体層8のソース領域とを電気的に接続するソースコンタ
クトホールとなり、他方のコンタクトホール10はドレ
イン電極11(輪郭を2点鎖線で示す)と半導体層8の
ドレイン領域とを電気的に接続するドレインコンタクト
ホールとなっている。ドレイン電極11上のドレインコ
ンタクトホール10が設けられた側と反対側の端部に
は、ドレイン電極11と画素電極1とを電気的に接続す
るための画素コンタクトホール12が形成されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of pixel electrodes 1 are formed on the TFT array substrate 7 which is one of the substrates of the liquid crystal device.
(Outline is shown by broken lines) are arranged in a matrix, and data lines 3 (outline is shown by chain double-dashed lines) are provided along the sides of the pixel electrodes 1 that extend in the vertical direction of the drawing and extend in the horizontal direction of the drawing. A scanning line 4 and a capacitance line 6 (both of which are outlined by solid lines) are provided along the sides. When the liquid crystal device is a transmissive liquid crystal device, the pixel electrode 1 is formed of a transparent conductive film such as indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO). When the liquid crystal device is a reflective liquid crystal device, the pixel electrode 1 is formed of a metal thin film such as aluminum (Al). When the liquid crystal device is a transflective liquid crystal device, the pixel electrode 1 is formed of, for example, a laminated film of a transparent conductive film and a metal thin film. In the present embodiment, the semiconductor layer 8 made of a polysilicon film (outline is indicated by a chain line)
Is formed in a U-shape near the intersection of the data line 3 and the scanning line 4, and one end of the U-shaped portion 8a is adjacent to the data line 3.
In the direction (rightward on the paper surface) and in the direction along the data line 3 (upward direction on the paper surface). Contact holes 9 and 10 are formed at both ends of the U-shaped portion 8a of the semiconductor layer 8. One of the contact holes 9 is a source contact hole for electrically connecting the data line 3 and the source region of the semiconductor layer 8. Therefore, the other contact hole 10 is a drain contact hole that electrically connects the drain electrode 11 (outline is indicated by a chain double-dashed line) and the drain region of the semiconductor layer 8. A pixel contact hole 12 for electrically connecting the drain electrode 11 and the pixel electrode 1 is formed at an end of the drain electrode 11 opposite to the side where the drain contact hole 10 is provided.

【0021】本実施の形態におけるTFT2は、半導体
層8のU字状部8aが走査線4と交差しており、半導体
層8と走査線4が2回交差していることになるため、1
つの半導体層上に2つのゲートを有するTFT、いわゆ
るデュアルゲート型TFTを構成している。また、容量
線6は走査線4に沿って紙面横方向に並ぶ画素を貫くよ
うに延びるとともに、分岐した一部6aがデータ線3に
沿って紙面縦方向に延びている。そこで、ともにデータ
線3に沿って長く延びる半導体層8と容量線6とによっ
て蓄積容量部5が形成されている。
In the TFT 2 of the present embodiment, the U-shaped portion 8a of the semiconductor layer 8 intersects the scanning line 4, and the semiconductor layer 8 and the scanning line 4 intersect twice.
A TFT having two gates on one semiconductor layer, that is, a so-called dual gate type TFT is configured. Further, the capacitance line 6 extends along the scanning line 4 so as to penetrate the pixels arranged in the horizontal direction of the paper surface, and the branched portion 6 a extends along the data line 3 in the vertical direction of the paper surface. Therefore, the storage capacitor portion 5 is formed by the semiconductor layer 8 and the capacitance line 6 which both extend along the data line 3.

【0022】他方、図3に示すように、対向基板15上
には、カラーフィルターをなすR(赤)、G(緑)、B
(青)の3原色にそれぞれ対応する色材層22がTFT
アレイ基板7の各画素領域に対応して設けられ、これら
色材層22の境界部分を格子状に遮光する第1遮光膜2
1(ブラックマトリクス)が設けられている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, on the counter substrate 15, R (red), G (green), B forming color filters are formed.
The color material layers 22 respectively corresponding to the three primary colors (blue) are TFTs.
A first light-shielding film 2 which is provided corresponding to each pixel region of the array substrate 7 and shields the boundary portion of these color material layers 22 in a grid pattern.
1 (black matrix) is provided.

【0023】本実施の形態の液晶装置は、図4に示すよ
うに、一対の透明基板13,14を有しており、その一
方の基板をなすTFTアレイ基板7と、これに対向配置
される他方の基板をなす対向基板15とを備え、これら
基板7,15間に液晶16がスペーサ23と共に挟持さ
れている。透明基板13,14は、例えばガラス基板や
石英基板からなるものであり、これら基板間にはスペー
サ23が介在しており、このスペーサ23の径により基
板間が所定距離に保持されている。このスペーサ23は
たとえばシリカビーズ等からなるものである。
As shown in FIG. 4, the liquid crystal device of this embodiment has a pair of transparent substrates 13 and 14, one of which is a TFT array substrate 7 and the other is arranged to face it. The counter substrate 15 which is the other substrate is provided, and the liquid crystal 16 is sandwiched between the substrates 7 and 15 together with the spacer 23. The transparent substrates 13 and 14 are made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate, a spacer 23 is interposed between these substrates, and the diameter of the spacer 23 holds the substrates at a predetermined distance. The spacer 23 is made of silica beads, for example.

【0024】TFTアレイ基板7上には下地絶縁膜17
が設けられ、下地絶縁膜17上には例えば膜厚30〜1
00nm程度のポリシリコン膜からなる半導体層8が設
けられ、この半導体層8を覆うように膜厚30〜150
nm程度のゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜18が全面に形
成されている。下地絶縁膜17上には各画素電極1をス
イッチング制御するTFT2が設けられ、TFT2は、
タンタルまたはAl等の金属からなる走査線4、当該走
査線4からの電界によりチャネルが形成される半導体層
8のチャネル領域8c、走査線4と半導体層8とを絶縁
するゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜18、アルミニウム等
の金属からなるデータ線3(図4には図示されない)、
半導体層8のソース領域8bおよびドレイン領域8dを
備えている。
A base insulating film 17 is formed on the TFT array substrate 7.
And a film thickness of, for example, 30 to 1 is formed on the base insulating film 17.
A semiconductor layer 8 made of a polysilicon film having a thickness of about 00 nm is provided, and a film thickness of 30 to 150 is provided so as to cover the semiconductor layer 8.
An insulating thin film 18 forming a gate insulating film of about nm is formed on the entire surface. A TFT 2 that controls switching of each pixel electrode 1 is provided on the base insulating film 17, and the TFT 2 is
A scanning line 4 made of a metal such as tantalum or Al, a channel region 8c of a semiconductor layer 8 in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 4, an insulation forming a gate insulating film for insulating the scanning line 4 and the semiconductor layer 8 from each other. A thin film 18, a data line 3 made of metal such as aluminum (not shown in FIG. 4),
The semiconductor layer 8 has a source region 8b and a drain region 8d.

【0025】また、走査線4上、絶縁薄膜18上を含む
TFTアレイ基板7上には、ソース領域8bへ通じるソ
ースコンタクトホール9、ドレイン領域8dへ通じるド
レインコンタクトホール10(図4にはともに図示され
ない)が各々形成された第1層間絶縁膜19が形成され
ている。つまり、データ線3は、第1層間絶縁膜19を
貫通するソースコンタクトホール9を介して半導体層8
のソース領域8bに電気的に接続されている。
Further, on the TFT array substrate 7 including the scanning lines 4 and the insulating thin film 18, the source contact hole 9 leading to the source region 8b and the drain contact hole 10 leading to the drain region 8d (both shown in FIG. 4). The first interlayer insulating film 19 is formed. That is, the data line 3 has the semiconductor layer 8 through the source contact hole 9 penetrating the first interlayer insulating film 19.
Is electrically connected to the source region 8b.

【0026】さらに、第1層間絶縁膜19上にはデータ
線3と同一レイヤーの金属からなるドレイン電極11が
形成され、ドレイン電極11へ通じる画素コンタクトホ
ール12(図4には図示されない)が形成された第2層
間絶縁膜20が形成されている。つまり、画素電極1は
ドレイン電極11を介して半導体層8のドレイン領域8
dと電気的に接続されている。
Further, a drain electrode 11 made of a metal in the same layer as the data line 3 is formed on the first interlayer insulating film 19, and a pixel contact hole 12 (not shown in FIG. 4) leading to the drain electrode 11 is formed. The formed second interlayer insulating film 20 is formed. In other words, the pixel electrode 1 is connected to the drain region 8 of the semiconductor layer 8 via the drain electrode 11.
It is electrically connected to d.

【0027】図4におけるTFT2の側方には蓄積容量
部5が形成されている。この部分では、透明基板13上
に下地絶縁膜17が設けられ、下地絶縁膜17上にはT
FT2の半導体層8と一体の不純物がドープされた半導
体層8が設けられ、この半導体層8を覆うように絶縁薄
膜18が全面に形成されている。絶縁薄膜18上に、走
査線4と同一レイヤーの金属からなる容量線6が形成さ
れ、容量線6を覆うように第1層間絶縁膜19が全面に
形成されている。
A storage capacitor portion 5 is formed on the side of the TFT 2 in FIG. In this portion, the base insulating film 17 is provided on the transparent substrate 13, and the T
An impurity-doped semiconductor layer 8 integral with the semiconductor layer 8 of the FT 2 is provided, and an insulating thin film 18 is formed on the entire surface so as to cover the semiconductor layer 8. A capacitance line 6 made of metal in the same layer as the scanning line 4 is formed on the insulating thin film 18, and a first interlayer insulating film 19 is formed on the entire surface so as to cover the capacitance line 6.

【0028】また、第2層間絶縁膜20は平坦化膜とし
て用いられるものであり、例えば平坦性の高い樹脂膜の
一種であるアクリル膜が膜厚2μm程度に厚く形成され
ている。この第2層間絶縁膜20表面には、画素電極1
が形成されているおり、さらにTFTアレイ基板7の最
上層の液晶16に接する面にはポリイミド等からなる配
向膜25が設けられている。
The second interlayer insulating film 20 is used as a flattening film, and for example, an acrylic film, which is a kind of resin film having high flatness, is formed to a thickness of about 2 μm. The pixel electrode 1 is formed on the surface of the second interlayer insulating film 20.
Further, an alignment film 25 made of polyimide or the like is provided on the uppermost surface of the TFT array substrate 7 in contact with the liquid crystal 16.

【0029】他方、対向基板15側は、透明基板14上
に例えばクロム等の金属膜、樹脂ブラックレジスト等か
らなる第1遮光膜21が形成され、第1遮光膜21上に
は色材層22が形成されている。そして、基板全面に、
画素電極1と同様のITO等の透明導電膜からなる対向
電極24、配向膜26が順次形成されている。そしてT
FTアレイ基板7と対向基板15との間にはスペーサ2
3と共に液晶16とがシール材によってシールされてい
る。また基板間に液晶を注入する際のシール材の開口部
である注入口は基板間導通部により封止されている。
On the other hand, on the counter substrate 15 side, a first light-shielding film 21 made of, for example, a metal film such as chromium or a resin black resist is formed on the transparent substrate 14, and a color material layer 22 is formed on the first light-shielding film 21. Are formed. And on the whole surface of the substrate,
Similar to the pixel electrode 1, a counter electrode 24 made of a transparent conductive film such as ITO and an alignment film 26 are sequentially formed. And T
A spacer 2 is provided between the FT array substrate 7 and the counter substrate 15.
3, the liquid crystal 16 and the liquid crystal 3 are sealed by a sealing material. Further, the injection port, which is the opening of the sealing material when the liquid crystal is injected between the substrates, is sealed by the inter-substrate conduction part.

【0030】[液晶装置の製造プロセス]次に、上記構
成の液晶装置の製造プロセスについて図5を用いて説明
する。図5はTFTアレイ基板7の製造プロセスを示す
工程断面図である。まず、図5の工程(1)に示すよう
に、ガラス基板等の透明基板13上に下地絶縁膜17を
形成し、その上にアモルファスのシリコン層を積層す
る。その後、アモルファスシリコン層に対して、例えば
レーザアニール処理等の加熱処理を施すことにより、ア
モルファスシリコン層を再結晶させ、例えば膜厚30〜
100nm程度の結晶性のポリシリコン層27を形成す
る。
[Manufacturing Process of Liquid Crystal Device] Next, a manufacturing process of the liquid crystal device having the above structure will be described with reference to FIG. 5A to 5C are process sectional views showing a manufacturing process of the TFT array substrate 7. First, as shown in step (1) of FIG. 5, a base insulating film 17 is formed on a transparent substrate 13 such as a glass substrate, and an amorphous silicon layer is laminated thereon. After that, the amorphous silicon layer is recrystallized by performing a heat treatment such as a laser annealing treatment on the amorphous silicon layer, for example, a film thickness of 30 to 30
A crystalline polysilicon layer 27 having a thickness of about 100 nm is formed.

【0031】次に、図5の工程(2)に示すように、形
成されたポリシリコン層27を上述した半導体層8のパ
ターンとなるようにパターニングし、その上に例えば膜
厚30〜150nm程度のゲート絶縁膜となる絶縁薄膜
18を形成する。その後、表示領域のうち、TFT2と
蓄積容量部5との接続部および蓄積容量部5の下部電極
となるべき領域以外の領域をポリイミド等のレジストで
マスクした後、例えばドナーとしてのPH3/H2イオ
ンを絶縁薄膜を介してポリシリコン層にドーピングす
る。この時のイオン注入条件は、例えば31Pのイオンド
ーズ量が3×1014〜5×1014ions/cm2程度であり、
加速エネルギーは80keV程度が必要である。
Next, as shown in step (2) of FIG. 5, the formed polysilicon layer 27 is patterned so as to have the above-mentioned pattern of the semiconductor layer 8, and a film thickness of, for example, about 30 to 150 nm is formed thereon. An insulating thin film 18 which will become the gate insulating film is formed. After that, in the display area, the area other than the area where the connection between the TFT 2 and the storage capacitor 5 and the lower electrode of the storage capacitor 5 is to be masked with a resist such as polyimide, and then PH3 / H2 ions as a donor are used, for example. Is doped into the polysilicon layer through the insulating thin film. The ion implantation conditions at this time are, for example, an ion dose amount of 31 P of about 3 × 10 14 to 5 × 10 14 ions / cm 2 ,
Acceleration energy needs to be about 80 keV.

【0032】次に上記のレジストを剥離した後、図5の
工程(3)に示すように、絶縁薄膜18上に走査線4お
よび容量線6を形成する。この走査線4等の形成は、タ
ンタルまたはAl等の金属をスパッタまたは真空蒸着し
た後、当該走査線4等のレジストパターンを形成し、レ
ジストパターンをマスクとしたエッチングを行い、レジ
ストパターンを剥離することにより行う。そして、当該
走査線4および容量線6の形成後、蓄積容量部5を覆う
レジストパターンを形成した後、PH3/H2イオンを
注入する。この時のイオン注入条件は、例えば31Pのイ
オンドーズ量が5×1014〜7×1014ions/cm2程度で
あり、加速エネルギーは80keV程度である。以上の工
程(3)により、TFT2のソース領域8bおよびドレ
イン領域8dが形成される。
After removing the resist, the scanning lines 4 and the capacitance lines 6 are formed on the insulating thin film 18 as shown in step (3) of FIG. To form the scanning lines 4 and the like, a metal such as tantalum or Al is sputtered or vacuum-deposited, then a resist pattern of the scanning lines 4 and the like is formed, etching is performed using the resist pattern as a mask, and the resist pattern is peeled off. By doing. Then, after forming the scanning lines 4 and the capacitance lines 6 and forming a resist pattern for covering the storage capacitance portion 5, PH3 / H2 ions are implanted. The ion implantation conditions at this time are, for example, an ion dose amount of 31 P of about 5 × 10 14 to 7 × 10 14 ions / cm 2 , and an acceleration energy of about 80 keV. Through the above step (3), the source region 8b and the drain region 8d of the TFT 2 are formed.

【0033】次にレジストパターンを剥離した後、図5
の工程(4)に示すように、第1層間絶縁膜19を積層
し、その後、ソースコンタクトホール9およびドレイン
コンタクトホール10(図5にはともに図示せず)とな
る位置を開口し、その後、アルミニウム等の金属をスパ
ッタまたは蒸着し、データ線3およびドレイン電極11
の形状をなすレジストパターンを形成し、これをマスク
としてエッチングすることにより、データ線3(図示せ
ず)およびドレイン電極11を形成する。その後、第2
層間絶縁膜20を積層し、画素コンタクトホール12と
なる位置を開口する。
Next, after removing the resist pattern, FIG.
As shown in the step (4) of (1), the first interlayer insulating film 19 is laminated, and thereafter, the positions to be the source contact hole 9 and the drain contact hole 10 (neither is shown in FIG. 5) are opened, and thereafter, The data line 3 and the drain electrode 11 are formed by sputtering or evaporating a metal such as aluminum.
A resist pattern having the shape of 1 is formed, and etching is performed using this as a mask to form the data line 3 (not shown) and the drain electrode 11. Then the second
The interlayer insulating film 20 is stacked, and a position to be the pixel contact hole 12 is opened.

【0034】その後、図5の工程(5)に示すように、
その上に膜厚約50〜200nm程度のITO等の透明
導電性薄膜を成膜した後、これをパターニングして画素
電極1を形成し、最後に全面に配向膜25を形成する。
以上の工程により、本実施の形態のTFTアレイ基板7
が完成する。以上の説明は、透過型液晶装置の場合の工
程に沿って説明したが、反射型液晶装置の場合は、前記
画素電極1は、アルミニウム(Al)等の金属薄膜によ
り形成され、半透過反射型液晶装置の場合は、前記画素
電極1は、例えば透明導電膜と金属薄膜との積層膜によ
り形成される。
Then, as shown in step (5) of FIG.
A transparent conductive thin film of ITO or the like having a film thickness of about 50 to 200 nm is formed thereon, and this is patterned to form the pixel electrode 1, and finally, the alignment film 25 is formed on the entire surface.
Through the above steps, the TFT array substrate 7 of the present embodiment
Is completed. The above description has been given along the steps of the transmissive liquid crystal device. However, in the case of the reflective liquid crystal device, the pixel electrode 1 is formed of a metal thin film such as aluminum (Al) and is a transflective liquid crystal device. In the case of a liquid crystal device, the pixel electrode 1 is formed of, for example, a laminated film of a transparent conductive film and a metal thin film.

【0035】他方、図4に示した対向基板15について
は工程図の例示を省略するが、ガラス基板等の透明基板
14が先ず用意され、第1遮光膜21および額縁として
の第2遮光膜28(図6参照)を、例えば金属クロムを
スパッタリングした後、フォトリソグラフィー工程、エ
ッチング工程を経て形成する。なお、これら遮光膜2
1,28は、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Al
(アルミニウム)などの金属材料の他、カーボンやTi
をフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料か
ら形成してもよい。
On the other hand, for the counter substrate 15 shown in FIG. 4, although illustration of the process diagram is omitted, the transparent substrate 14 such as a glass substrate is first prepared, and the first light shielding film 21 and the second light shielding film 28 as a frame are provided. (See FIG. 6) is formed, for example, by sputtering metal chrome, followed by a photolithography process and an etching process. In addition, these light-shielding films 2
1, 28 are Cr (chromium), Ni (nickel), Al
In addition to metallic materials such as (aluminum), carbon and Ti
May be formed from a material such as resin black dispersed in photoresist.

【0036】次に、カラーフィルターとなる色材層22
を染色法、顔料分散法、印刷法などの周知の方法を用い
て形成した後、対向基板15の全面にスパッタリング等
により、ITO等の透明導電性薄膜を約50〜200n
mの厚さに堆積することにより対向電極24を形成す
る。そして対向電極24の全面に配向膜26を形成す
る。
Next, the color material layer 22 to be a color filter.
Is formed by a known method such as a dyeing method, a pigment dispersion method, or a printing method, and then a transparent conductive thin film such as ITO is formed on the entire surface of the counter substrate 15 by sputtering or the like to a thickness of about 50 to 200 n.
The counter electrode 24 is formed by depositing it to a thickness of m. Then, the alignment film 26 is formed on the entire surface of the counter electrode 24.

【0037】最後に、上述のように各層が形成されたT
FTアレイ基板7と対向基板15とを対向させて配置
し、スペーサ23を一方の基板上に均一に分散させた
後、これら基板間をシール材によって貼り合わせて、空
パネルを作成する。この際にシール材は少なくとも1箇
所以上の開口部を設けて基板どうしを接着して、このシ
ール材の開口部を注入口34(図6参照)として空パネ
ル内に液晶16を注入する。液晶16の特性によっては
上記注入口34を複数個設けても良い。液晶注入後にこ
の注入口34を封止して本発明の液晶パネルとされる。
注入口34を封止する封止材は導電性スペーサと接着材
とからなるものであって、これを基板間導通部35とす
る。
Finally, the T on which each layer was formed as described above.
The FT array substrate 7 and the counter substrate 15 are arranged so as to face each other, the spacers 23 are uniformly dispersed on one of the substrates, and then these substrates are bonded by a sealing material to form an empty panel. At this time, at least one opening is provided in the sealing material to bond the substrates to each other, and the liquid crystal 16 is injected into the empty panel using the opening of the sealing material as the injection port 34 (see FIG. 6). Depending on the characteristics of the liquid crystal 16, a plurality of injection ports 34 may be provided. After the liquid crystal is injected, the injection port 34 is sealed to form the liquid crystal panel of the present invention.
The sealing material that seals the inlet 34 is composed of a conductive spacer and an adhesive material, and this serves as the inter-substrate conductive portion 35.

【0038】[液晶装置の全体構成]次に、液晶装置4
0の全体構成について図6を用いて説明する。図6にお
いて、TFTアレイ基板7の上には、シール材29がそ
の縁に沿って設けられており、その内側に並行して額縁
としての第2遮光膜28が設けられている。シール材2
9の外側の領域には、データ線駆動回路30および外部
回路接続端子31がTFTアレイ基板7の一辺に沿って
設けられており、走査線駆動回路32がこの一辺に隣接
する2辺に沿って設けられている。走査線4に供給され
る走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動
回路32は片側だけでも良いことは言うまでもない。ま
た、データ線駆動回路30を画像表示領域の辺に沿って
両側に配列してもよい。例えば、奇数列のデータ線3は
画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆
動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線3は前
記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ
線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。
このようにデータ線3を櫛歯状に駆動するようにすれ
ば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができ
るため、複雑な回路を構成することが可能となる。さら
に、TFTアレイ基板7の残る一辺には、画像表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路32間をつなぐため
の複数の配線33が設けられている。そして、シール材
29とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板15が当該シール材
29によりTFTアレイ基板7に固着されている。
[Overall Structure of Liquid Crystal Device] Next, the liquid crystal device 4
The overall configuration of 0 will be described with reference to FIG. In FIG. 6, a sealing material 29 is provided along the edge of the TFT array substrate 7, and a second light-shielding film 28 as a frame is provided inside the sealing material 29 in parallel. Seal material 2
In the region outside 9, the data line drive circuit 30 and the external circuit connection terminal 31 are provided along one side of the TFT array substrate 7, and the scanning line drive circuit 32 is provided along two sides adjacent to this side. It is provided. It goes without saying that the scanning line driving circuit 32 may be provided on only one side if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 4 does not matter. Further, the data line driving circuits 30 may be arranged on both sides along the side of the image display area. For example, the odd-numbered data lines 3 supply an image signal from a data-line driving circuit arranged along one side of the image display area, and the even-numbered data lines 3 are opposite sides of the image display area. The image signal may be supplied from the data line driving circuit arranged along the line.
By thus driving the data lines 3 in a comb shape, the occupied area of the data line driving circuit can be expanded, and a complicated circuit can be configured. Further, a plurality of wirings 33 for connecting the scanning line driving circuits 32 provided on both sides of the image display area are provided on the remaining one side of the TFT array substrate 7. The counter substrate 15 having substantially the same contour as the sealing material 29 is fixed to the TFT array substrate 7 by the sealing material 29.

【0039】シール材29の開口部である注入口34に
は、対向基板15の対向電極24への電圧の印加を可能
とするためのコモン電極36(図8参照)が設けられて
おり、このコモン電極36と対向電極24間とは基板間
導通部35によって接続されている。さらにコモン電極
36は配線によってコモン端子に接続されており、コモ
ン端子からの入力に従って対向電極24への遅延のない
均一な電圧の印加を可能としている。
A common electrode 36 (see FIG. 8) for enabling the application of a voltage to the counter electrode 24 of the counter substrate 15 is provided at the inlet 34 which is the opening of the sealing material 29. The common electrode 36 and the counter electrode 24 are connected by the inter-substrate conductive portion 35. Further, the common electrode 36 is connected to the common terminal by wiring, and it is possible to apply a uniform voltage without delay to the counter electrode 24 according to the input from the common terminal.

【0040】図6に示した液晶装置における基板間導通
部35の概略構成を図7および図8に示し、基板間導通
部35についてさらに詳細に説明する。図7は図6に図
示した液晶パネルの基板間導通部35による封止状態を
概略的に示したもので、前記図1ないし図6において詳
細に説明したTFT等のスイッチング素子および配向膜
等、基板間の接続に直接関係しない構成については略記
してある。図8は図7に示した基板間導通部35のB−
B’線における概略断面図を示したものである。図7お
よび図8において、TFTアレイ基板7と対向基板15
とは、液晶16を封止するシール材29で互いに固着さ
れており、シール材29の開口部である液晶注入口34
は基板間導通部35で封止されている。
The schematic configuration of the inter-substrate conducting section 35 in the liquid crystal device shown in FIG. 6 is shown in FIGS. 7 and 8, and the inter-substrate conducting section 35 will be described in more detail. FIG. 7 schematically shows a sealing state by the inter-substrate conduction portion 35 of the liquid crystal panel shown in FIG. 6, including switching elements such as TFTs and alignment films described in detail with reference to FIGS. The configurations that are not directly related to the connection between the substrates are omitted. FIG. 8 shows B- of the board-to-board conducting portion 35 shown in FIG.
It is the schematic sectional drawing in line B '. 7 and 8, the TFT array substrate 7 and the counter substrate 15
Are fixed to each other with a sealing material 29 that seals the liquid crystal 16, and a liquid crystal injection port 34 that is an opening of the sealing material 29.
Is sealed by the inter-substrate conducting portion 35.

【0041】基板間導通部35は注入口34を封止し、
かつTFTアレイ基板7と対向基板15との間の電気的
導通を保持するものであって、接着剤である封止材40
中に導電性スペーサ37が分散されてなるものである。
導電性スペーサ37は注入口34のギャップを保持可能
な径を有し、かつ基板間の導通が保持できるだけの導電
性を有するものであれば、その形状および材質は特に限
定されるものではなく、金属粒子のほか、絶縁体からな
る注入口スペーサ38の表面に導電層39を被覆したも
のであってもよい。この際には注入口スペーサ38の直
径と導電層39の膜厚の合計が注入口の基板間ギャップ
に等しくなるように設定すればよい。注入口スペーサ3
8が絶縁体であっても、導電層39をコモン電極36と
対向電極24とに接触せしめることによって、互いの電
極間での電気的導通が保持可能となる。
The inter-substrate conduction section 35 seals the injection port 34,
In addition, the sealing material 40, which is an adhesive, holds electrical conduction between the TFT array substrate 7 and the counter substrate 15, and is an adhesive.
The conductive spacers 37 are dispersed therein.
The shape and material of the conductive spacer 37 are not particularly limited as long as the conductive spacer 37 has a diameter capable of holding the gap of the injection port 34 and is conductive enough to maintain conduction between the substrates. In addition to the metal particles, the surface of the injection port spacer 38 made of an insulator may be coated with the conductive layer 39. At this time, the sum of the diameter of the injection port spacer 38 and the film thickness of the conductive layer 39 may be set to be equal to the inter-substrate gap of the injection port. Inlet spacer 3
Even if 8 is an insulator, by bringing the conductive layer 39 into contact with the common electrode 36 and the counter electrode 24, electrical conduction between the electrodes can be maintained.

【0042】導電層39を形成する材料は導電性を有す
るものであれば特に限定されるものではなく、銀、銅、
ニッケル、アルミニウム等の金属のほか、ITO等の透
明導電性膜から構成されていてもよい。このような導電
層39は真空蒸着法や無電界メッキ等の各種製膜技術に
よって注入口スペーサ38の表面に容易に形成すること
ができる。また一方、注入口スペーサ38はアクリルビ
ーズ等の樹脂粒子のほか、シリカビーズ等の粒子形状の
ものが好適であるが、その形状は特に限定されるもので
はなく、たとえば棒状のフィラーやファイバー等を用い
てもよい。あるいは一方の基板上に設けられた凸部から
なる基板一体型のスペーサであってもよい。このような
凸部からなる注入口スペーサ38を用いると、基板製造
時に同時に形成できるので工程をより簡略化することが
できる。
The material for forming the conductive layer 39 is not particularly limited as long as it has conductivity, and silver, copper,
In addition to a metal such as nickel or aluminum, it may be composed of a transparent conductive film such as ITO. Such a conductive layer 39 can be easily formed on the surface of the injection port spacer 38 by various film forming techniques such as vacuum deposition and electroless plating. On the other hand, the injection port spacer 38 is preferably in the form of particles such as silica beads in addition to resin particles such as acrylic beads, but the shape is not particularly limited, and for example, a rod-shaped filler or fiber may be used. You may use. Alternatively, it may be a substrate-integrated spacer including a convex portion provided on one substrate. By using the injection port spacer 38 having such a convex portion, the injection port spacer 38 can be formed at the same time when the substrate is manufactured, so that the process can be further simplified.

【0043】封止材40はシール材29の注入口34を
封止するものであるので、シール材29と同質であって
もあるいは異なる材質のものであってもよい。このよう
な封止材40としてはたとえば熱硬化性樹脂あるいは光
硬化性樹脂等からなる各種接着材が好適である。
Since the sealing material 40 seals the injection port 34 of the sealing material 29, it may be of the same material as the sealing material 29 or of a different material. As such a sealing material 40, various adhesives made of, for example, a thermosetting resin or a photocurable resin are suitable.

【0044】本発明の電気光学装置の構成によれば、導
電性スペーサ37によって基板間ギャップが容易に制御
可能であるばかりでなく、導電性スペーサ37が注入口
34の潰れ等をも防止することができる。さらに注入口
34を接着材のみによって封止した場合よりも、注入口
34のギャップと等しい径を有する導電性スペーサ37
が介在することにより、液晶16の封止強度も向上する
ので、注入口34における液晶16の滲み出しをも防止
することができる。また、本発明の構成によれば、基板
間導通部35を注入口34内に設けることとなるので、
従来の画像表示領域の設計を全く変更することなく、し
かも省スペースで設けることができ、液晶パネルの狭額
縁化が可能となる。さらに、このような基板間導通部3
5は従来の導通部に比較して、その導電率が安定してい
るばかりでなく、注入口34全体が導通部として機能す
るので、対向基板への接触面積を大きくとることが可能
となり、入力信号からの遅延のない安定した電圧の印加
が可能となり、より鮮明な画像の表示が可能となる。
According to the structure of the electro-optical device of the present invention, not only the inter-substrate gap can be easily controlled by the conductive spacer 37, but also the conductive spacer 37 prevents the injection port 34 from being crushed. You can Further, the conductive spacer 37 having a diameter equal to the gap of the injection port 34, as compared with the case where the injection port 34 is sealed only by the adhesive material.
Since the sealing strength of the liquid crystal 16 is also improved by intervening, the liquid crystal 16 can be prevented from seeping out from the injection port 34. Further, according to the configuration of the present invention, since the inter-substrate conductive portion 35 is provided in the injection port 34,
The conventional image display area can be provided in a space-saving manner without changing the design, and the frame of the liquid crystal panel can be narrowed. Furthermore, such a board-to-board conducting portion 3
5 has not only a stable conductivity as compared with the conventional conductive portion, but also the entire injection port 34 functions as a conductive portion, so that a large contact area with the counter substrate can be obtained, and the input area can be increased. It is possible to apply a stable voltage without delay from a signal, and it is possible to display a clearer image.

【0045】[第2の実施の形態の液晶装置の構成]以
下、本発明の第2の実施の形態を図9および図10を参
照して説明する。本実施の形態の液晶装置が第1の実施
の形態と異なる点は、基板間導通部35と液晶16とが
接触する部分に絶縁部41を設けたところである。この
絶縁部41は、導電性スペーサ37を含んでおらず、基
板間導通部35と液晶16とを電気的に分離するもので
あって、基板間導通部35を構成する封止材40と同質
であってもあるいは異なる材料からなっていてもよい。
製造工程の簡略化を考えれば、基板間導通部35を構成
する封止材40と同質の樹脂性接着剤であることが好ま
しい。このような構成とすると実質的な導通部である導
電層39と液晶16との距離が大きくなるので、基板間
導通部35に電圧が印加された際に、液晶16に電界が
かかる等の影響を極力低減することができる。
[Structure of Liquid Crystal Device According to Second Embodiment] A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 9 and 10. The liquid crystal device according to the present embodiment is different from the liquid crystal device according to the first embodiment in that an insulating portion 41 is provided at a portion where the inter-substrate conduction portion 35 and the liquid crystal 16 are in contact with each other. The insulating portion 41 does not include the conductive spacer 37, electrically separates the inter-substrate conductive portion 35 and the liquid crystal 16, and is of the same quality as the sealing material 40 forming the inter-substrate conductive portion 35. Or may be composed of different materials.
Considering the simplification of the manufacturing process, it is preferable that the resin adhesive has the same quality as that of the sealing material 40 that forms the inter-substrate conductive portion 35. With such a configuration, the distance between the conductive layer 39, which is a substantial conductive portion, and the liquid crystal 16 becomes large. Therefore, when a voltage is applied to the inter-substrate conductive portion 35, the liquid crystal 16 is affected by an electric field or the like. Can be reduced as much as possible.

【0046】さらに前記絶縁層41を基板間導通部35
の外気と接触する部分にも設け、基板間導通部35を絶
縁層41によって挟持する構造としてもよい。このよう
な構造とすれば基板間導通部35が外気と接触すること
がなくなる上に、基板間での接着強度も向上させること
ができる。また基板間導通部35の電流が外部端子へリ
ークするのも防止でき好適である。
Further, the insulating layer 41 is connected to the inter-substrate conducting portion 35.
The inter-substrate conducting portion 35 may be sandwiched between the insulating layers 41 so that the inter-substrate conducting portion 35 is also provided in the portion in contact with the outside air. With such a structure, the inter-substrate conductive portion 35 is prevented from coming into contact with the outside air, and the adhesive strength between the substrates can be improved. Further, it is possible to prevent the current of the board-to-board conducting portion 35 from leaking to the external terminal, which is preferable.

【0047】[電子機器]以下、本発明の液晶装置を備
えた電子機器の具体例について説明する。図11は、携
帯電話の一例を示した斜視図である。図11において、
符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上
記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。図12
は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図
12において、符号1100は時計本体を示し、符号1
101は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示してい
る。図13は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処
理装置の一例を示した斜視図である。図13において、
符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボー
ドなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符
号1206は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示し
ている。図11から図13に示す電子機器は、上記の液
晶装置を用いた液晶表示部を備えたものであるので、表
示品位の高い電子機器を実現することができる。
[Electronic Equipment] Specific examples of electronic equipment equipped with the liquid crystal device of the present invention will be described below. FIG. 11 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG.
Reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001 indicates a liquid crystal display unit using the above liquid crystal device. 12
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wrist watch type electronic device. In FIG. 12, reference numeral 1100 indicates a watch body, and reference numeral 1
Reference numeral 101 denotes a liquid crystal display unit using the above liquid crystal device. FIG. 13 is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor and a personal computer. In FIG.
Reference numeral 1200 is an information processing apparatus, reference numeral 1202 is an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 is an information processing apparatus main body, and reference numeral 1206 is a liquid crystal display unit using the above liquid crystal device. Since the electronic device shown in FIGS. 11 to 13 includes the liquid crystal display section using the above liquid crystal device, it is possible to realize an electronic device with high display quality.

【0048】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記第1および第2の実施の形態では基板間導通部
を1箇所設けたが、その形成位置、形成数およびその形
状に関しても、上記実施の形態で例示したものの他に、
適宜設計変更が可能である。また上記実施の形態ではT
FTをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方
式の液晶装置を例示したが、その他、薄膜トランジスタ
(TFD)をスイッチング素子としたアクティブマトリ
クス方式の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス方式
の液晶装置に適用することも可能である。さらにエレク
トロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等、他の電
気光学装置に本発明を適用することも可能である。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first and second embodiments, one board-to-board conducting section is provided. However, regarding the formation position, the number of formations, and the shape thereof, in addition to those illustrated in the above-described embodiment,
The design can be changed as appropriate. In the above embodiment, T
Although an active matrix type liquid crystal device using FT as a switching element has been illustrated, the invention can also be applied to an active matrix type liquid crystal device using a thin film transistor (TFD) as a switching element or a passive matrix type liquid crystal device. . Further, the present invention can be applied to other electro-optical devices such as electroluminescence and plasma display.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、シール材の開口部である注入口内に、導電性ス
ペーサと接着材とからなる基板間導通部を設けたので、
基板間で安定した電気的導通を保持することができるば
かりでなく、基板間導通部の設置スペースを設定する必
要がなくなり、狭額縁化が可能となる。また、注入口に
おける基板間ギャップを導電性スペーサによって保持可
能となるので、注入口における潰れ等を防止することが
できる。さらに導電性スペーサを注入口内に配設するこ
とにより、注入口における液晶の滲み出しをも防止する
ことができる。
As described above in detail, according to the present invention, since the inter-substrate conduction portion including the conductive spacer and the adhesive is provided in the injection port which is the opening of the sealing material,
Not only is it possible to maintain stable electrical continuity between the substrates, but it is not necessary to set an installation space for the inter-substrate conducting portion, and it is possible to narrow the frame. Further, since the gap between the substrates at the injection port can be held by the conductive spacer, it is possible to prevent the injection port from being crushed. Further, by disposing the conductive spacer in the inlet, it is possible to prevent the liquid crystal from seeping out from the inlet.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態の液晶装置の画像
表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路である。
FIG. 1 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels forming an image display area of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 同、液晶装置のTFTアレイ基板における隣
接する複数の画素群の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on the TFT array substrate of the liquid crystal device.

【図3】 同、液晶装置の対向基板の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the counter substrate of the liquid crystal device.

【図4】 図2および図3のA−A’線に沿う断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIGS. 2 and 3.

【図5】 同、液晶装置のTFTアレイ基板の製造プロ
セスを説明するための工程断面図である。
FIG. 5 is a process sectional view for explaining the manufacturing process for the TFT array substrate of the liquid crystal device.

【図6】 同、液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view showing an overall configuration of the same liquid crystal device.

【図7】 図6の液晶装置の基板間の接続を示した平面
図である。
7 is a plan view showing a connection between substrates of the liquid crystal device of FIG.

【図8】 図7のB−B’線に沿う断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG. 7.

【図9】 本発明の第2の実施の形態の液晶装置の基板
間の接続を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a connection between substrates of a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention.

【図10】 図8のC−C’線に沿う断面図である。10 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of FIG.

【図11】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の一例
を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus using the liquid crystal device of the present invention.

【図12】 本発明の液晶装置を用いた電子機器の他の
例を示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view showing another example of an electronic apparatus using the liquid crystal device of the present invention.

【図13】 本発明の液晶装置を用いた電子機器のさら
に他の例を示す斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing still another example of an electronic device using the liquid crystal device of the present invention.

【図14】 従来の液晶表示装置の一例を示す断面図で
ある。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7 TFTアレイ基板 13 透明基板 14 透明基板 15 対向基板 16 液晶 24 対向電極 29 シール材 35 基板間導通部 37 導電性スペーサ 39 導電層 40 封止材 7 TFT array substrate 13 Transparent substrate 14 Transparent substrate 15 Counter substrate 16 liquid crystal 24 Counter electrode 29 Seal material 35 board-to-board conducting section 37 conductive spacer 39 Conductive layer 40 sealing material

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに対向する一対の基板間に電気光学
材料が挟持されてなる電気光学装置であって、 前記一対の基板間に電気光学材料を注入する注入口は、
導電性スペーサが接着材中に配設されてなる封止材によ
って封止されていることを特徴とする電気光学装置。
1. An electro-optical device comprising an electro-optical material sandwiched between a pair of substrates facing each other, wherein an injection port for injecting the electro-optical material between the pair of substrates comprises:
An electro-optical device characterized in that a conductive spacer is sealed by a sealing material provided in an adhesive material.
【請求項2】 互いに対向する一対の基板間に電気光学
材料が挟持されてなる電気光学装置であって、 前記一対の基板を構成する各基板の内面に導電部がそれ
ぞれ設けられ、前記一対の基板間に電気光学材料を注入
する注入口は、導電性スペーサが接着材中に配設されて
なる封止材によって封止されており、該封止材が前記一
対の基板間の電気的導通を保持する基板間導通部であ
り、該基板間導通部を介して前記各基板の導電部同士が
電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装
置。
2. An electro-optical device in which an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates facing each other, wherein conductive portions are respectively provided on the inner surfaces of the substrates forming the pair of substrates, The injection port for injecting the electro-optical material between the substrates is sealed by a sealing material in which a conductive spacer is disposed in an adhesive material, and the sealing material electrically connects the pair of substrates. An electro-optical device, characterized in that the conductive portions of the substrates are electrically connected to each other via the inter-substrate conductive portion.
【請求項3】 前記導電性スペーサは、スペーサ表面に
導電層が被覆されてなるものであることを特徴とする請
求項1または請求項2に記載の電気光学装置。
3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive spacer has a spacer surface coated with a conductive layer.
【請求項4】 前記導電層が金属膜からなることを特徴
とする請求項3に記載の電気光学装置。
4. The electro-optical device according to claim 3, wherein the conductive layer is a metal film.
【請求項5】 前記注入口は、前記電気光学材料側から
順に配置された導電性スペーサを含まない絶縁材と導電
性スペーサを含む接着材とによって封止されていること
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に
記載の電気光学装置。
5. The injection port is sealed by an insulating material not including a conductive spacer and an adhesive material including a conductive spacer, which are sequentially arranged from the electro-optical material side. The electro-optical device according to claim 1.
【請求項6】 前記電気光学材料が液晶であることを特
徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載
の電気光学装置。
6. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical material is liquid crystal.
【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれか一項
に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機
器。
7. An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. Description:
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