JP2003258069A - Retaining tool of semiconductor wafer - Google Patents
Retaining tool of semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等の半導体ウェーハにイオン注入するためにウェーハを
保持する保持具に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a holder for holding a semiconductor wafer such as a silicon wafer for ion implantation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、図５〜図８に示すように、シリコ
ンウェーハ１をイオン注入装置２に装着した状態でウェ
ーハ１にイオン注入される。このイオン注入装置２は、
回転軸３を中心に約１００ｒｐｍの回転速度で回転可能
なホイール４（図７）と、このホイール４の外周縁に所
定の間隔をあけて取付けられた複数のベース６（図５及
び図８）と、これらのベース６に取付けられウェーハ１
を保持する保持具７（図５、図６及び図８）とを備え
る。保持具７は、図５に詳しく示すように、上記ベース
６に挿着される基部７ａと、この基部７ａに連設されウ
ェーハ底面を受ける受け部７ｂと、ウェーハ外周縁に当
接するように受け部７ｂの先端に斜め上方に立設された
突起部７ｃとを有する。受け部７ｂ上面と突起部７ｃの
ウェーハ外周縁に対向する面とのなす角度θは鋭角に、
具体的には８７〜７０度の範囲に設定される。また保持
具７は駆動手段８によりベース６に対してウェーハ１の
半径方向に移動可能に構成される（図５）。この駆動手
段８は、基部７ａを挟持する挟持部８ａと、この挟持部
８ａにロッド８ｂを介して連結され保持部７をウェーハ
１の半径方向に往復動させるアクチュエータ（図示せ
ず）とを有する。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIGS. 5 to 8, ions are implanted into a wafer 1 with a silicon wafer 1 mounted on an ion implanter 2. This ion implanter 2 is
A wheel 4 (FIG. 7) that can be rotated at a rotation speed of about 100 rpm around the rotating shaft 3 and a plurality of bases 6 (FIGS. 5 and 8) mounted on the outer peripheral edge of the wheel 4 with a predetermined gap. And the wafer 1 attached to these bases 6
And a holder 7 (FIGS. 5, 6, and 8) for holding As shown in detail in FIG. 5, the holder 7 includes a base portion 7a that is inserted into the base 6, a receiving portion 7b that is connected to the base portion 7a and receives the bottom surface of the wafer, and a receiving portion that abuts against the outer peripheral edge of the wafer. The tip of the portion 7b has a protruding portion 7c that is erected obliquely upward. The angle θ formed by the upper surface of the receiving portion 7b and the surface of the protruding portion 7c facing the outer peripheral edge of the wafer is an acute angle,
Specifically, it is set in the range of 87 to 70 degrees. The holder 7 is configured to be movable in the radial direction of the wafer 1 with respect to the base 6 by the driving means 8 (FIG. 5). The driving means 8 has a holding portion 8a for holding the base portion 7a, and an actuator (not shown) connected to the holding portion 8a via a rod 8b to reciprocate the holding portion 7 in the radial direction of the wafer 1. .
【０００３】このように構成されたウェーハ１の保持具
７の使用方法を説明する。先ずシリコンウェーハ１を保
持具７の受け部７ｂに載せる前に、アクチュエータによ
り３つの保持具７をベース６の半径方向外側に、即ち図
５の実線矢印で示す方向に所定の距離だけ移動させる。
次いでウェーハ１を受け部７ｂに載せた後に、アクチュ
エータにより３つの保持具７をベース６の半径方向内側
に、即ち破線矢印で示す方向に移動して突起部７ｃをウ
ェーハ外周縁に当接させる。次にホイール４を約１００
ｒｐｍの回転速度で回転させると、ウェーハ１が保持具
７から脱落することなく、回転軸３を中心に公転する。
この状態でウェーハ１にイオンを注入すると、イオンは
ウェーハ１に均一に注入される。A method of using the holder 7 for holding the wafer 1 thus configured will be described. First, before the silicon wafer 1 is placed on the receiving portion 7b of the holder 7, the three holders 7 are moved to the outside of the base 6 in the radial direction by the actuator, that is, in the direction indicated by the solid arrow in FIG.
Next, after the wafer 1 is placed on the receiving portion 7b, the three holders 7 are moved inward in the radial direction of the base 6, that is, in the direction indicated by the broken line arrow by the actuator to bring the protruding portion 7c into contact with the outer peripheral edge of the wafer. Next, move the wheel 4 to about 100
When the wafer 1 is rotated at a rotation speed of rpm, the wafer 1 revolves around the rotation shaft 3 without dropping from the holder 7.
When the ions are implanted into the wafer 1 in this state, the ions are uniformly implanted into the wafer 1.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のウ
ェーハの保持具では、図５〜図８に示すように、ウェー
ハ１を保持具７の受け部７ｂに載せ、かつ突起部７ｃを
ウェーハ外周縁に当接させた状態で、ホイール４を上記
のように高速で回転させると、遠心力によりウェーハ１
がこのウェーハ中心の回転軌跡より外側に位置する突起
部７ｃに圧接される。このときウェーハ１が突起部７ｃ
に対して点で接触しているため（図５及び図６）、この
接触点でウェーハ１に応力集中が生じる。この結果、上
記応力集中によりウェーハ外周縁に傷や欠け等の欠陥が
発生するため、ウェーハ１に上記接触点を中心として多
くのパーティクルが発生する問題点があった。また上記
従来のウェーハの保持具では、ウェーハ１と突起部７ｃ
との接触が点接触であり、この接触点における電気抵抗
（接触抵抗）が大きいため、ウェーハ１に注入されたボ
ロン等のイオンによりウェーハ表面が帯電する。このた
めウェーハ表面で放電が発生し、この放電によりウェー
ハ表面に傷や欠け等の欠陥が発生するため、ウェーハ表
面に多くのパーティクルが発生する問題点があった。However, in the above-mentioned conventional wafer holder, as shown in FIGS. 5 to 8, the wafer 1 is placed on the receiving portion 7b of the holder 7 and the protrusion 7c is placed on the outside of the wafer. When the wheel 4 is rotated at high speed as described above in the state of being brought into contact with the peripheral edge, the wafer 1 is rotated by centrifugal force.
Is pressed against the protrusion 7c located outside the rotation locus of the wafer center. At this time, the wafer 1 has the protrusion 7c.
Since they are in point contact with each other (FIGS. 5 and 6), stress concentration occurs on the wafer 1 at this contact point. As a result, defects such as scratches and chips are generated on the outer peripheral edge of the wafer due to the stress concentration, so that there is a problem in that many particles are generated on the wafer 1 around the contact point. Further, in the above-mentioned conventional wafer holder, the wafer 1 and the protrusion 7c are
Since the contact with is a point contact, and the electric resistance (contact resistance) at this contact point is large, the surface of the wafer is charged by the ions such as boron implanted in the wafer 1. Therefore, a discharge is generated on the wafer surface, and defects such as scratches and chips are generated on the wafer surface due to this discharge, which causes a problem that many particles are generated on the wafer surface.
【０００５】本発明の第１の目的は、イオン注入時の遠
心力にてウェーハに生じる応力集中を低減することによ
り、ウェーハに応力集中に伴って発生するとされるパー
ティクルを低減できる、半導体ウェーハの保持具を提供
することにある。本発明の第２の目的は、製作工数を低
減できるとともに、ウェーハを保持した状態で公転させ
ても、ウェーハの脱落を防止できる、半導体ウェーハの
保持具を提供することにある。本発明の第３の目的は、
突起部の電気抵抗を小さくして、ウェーハ表面での帯電
を阻止することにより、ウェーハ表面での放電を防止で
きる、半導体ウェーハの保持具を提供することにある。
本発明の第４の目的は、ウェーハへのイオンビームの照
射時にウェーハの温度が上昇してウェーハが熱膨張して
も、ウェーハに大きな力が作用するのを防止できる、半
導体ウェーハの保持具を提供することにある。A first object of the present invention is to reduce the concentration of stress generated on the wafer by centrifugal force during ion implantation, thereby reducing the particles generated on the wafer due to the concentration of stress. To provide a retainer. A second object of the present invention is to provide a semiconductor wafer holder that can reduce the number of manufacturing steps and can prevent the wafer from falling off even if the wafer is revolved while holding it. The third object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a holder for a semiconductor wafer that can prevent discharge on the wafer surface by reducing the electrical resistance of the protrusions and preventing the charge on the wafer surface.
A fourth object of the present invention is to provide a holder for a semiconductor wafer, which can prevent a large force from acting on the wafer even when the temperature of the wafer rises and the wafer thermally expands when the wafer is irradiated with an ion beam. To provide.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１及び図２に示すように、公転するベース１６に挿着
される基部１８と、基部１８に連設されウェーハ１１底
面を受ける受け部１９と、ウェーハ外周縁に当接するよ
うに受け部１９の先端に立設された突起部２１とを有す
る半導体ウェーハの保持具の改良である。その特徴ある
構成は、突起部２１のウェーハ外周縁に対向する面に、
ウェーハ外周縁の一部を収容可能な所定の曲率半径を有
する凹溝２１ａが形成されたところにある。The invention according to claim 1 is
As shown in FIGS. 1 and 2, a base portion 18 inserted into the revolving base 16, a receiving portion 19 that is connected to the base portion 18 and receives the bottom surface of the wafer 11, and a receiving portion 19 that abuts on the outer peripheral edge of the wafer. It is an improvement of a holder for a semiconductor wafer having a protrusion 21 provided upright on the tip of the semiconductor wafer. The characteristic configuration is that the surface of the protrusion 21 facing the outer peripheral edge of the wafer is
The concave groove 21a having a predetermined radius of curvature capable of accommodating a part of the outer peripheral edge of the wafer is formed.
【０００７】この請求項１に記載された半導体ウェーハ
の保持具では、ウェーハ１１外周縁の一部が保持具１７
の突起部２１の凹溝２１ａに収容されるので、ウェーハ
１１と突起部２１との接触が面接触となって接触面積が
増大する。このためイオン注入時の遠心力にてウェーハ
１１に生じる応力集中が低減されるので、ウェーハ１１
に応力集中に伴って発生するとされるパーティクルを低
減できる。またウェーハ１１の半径を決定するウェーハ
中心を通るウェーハの縦断面におけるウェーハ第１外周
縁の曲率半径をｒ1とし、ウェーハ平面視におけるウェ
ーハ第２外周縁の曲率半径をｒ2とし、上記ウェーハ第
１外周縁に対向する凹溝２１ａの曲率半径をＲ1とし、
上記ウェーハ第２外周縁に対向する凹溝２１ａの曲率半
径をＲ2とするとき、Ｒ1を１．０ｒ1〜３．０ｒ1の範囲
に設定し、Ｒ2を１．０ｒ2〜３．０ｒ2の範囲に設定す
ることが好ましい。In the holder for the semiconductor wafer according to the first aspect, a part of the outer peripheral edge of the wafer 11 is held by the holder 17.
Since it is accommodated in the concave groove 21a of the protruding portion 21, the contact between the wafer 11 and the protruding portion 21 becomes a surface contact, and the contact area increases. Therefore, the stress concentration generated on the wafer 11 due to the centrifugal force during the ion implantation is reduced, so that the wafer 11
It is possible to reduce particles that are generated due to stress concentration. Further, the radius of curvature of the first outer peripheral edge of the wafer in the longitudinal section of the wafer that passes through the center of the wafer that determines the radius of the wafer 11 is r 1 , the radius of curvature of the second outer peripheral edge of the wafer in plan view of the wafer is r 2, and 1 The radius of curvature of the concave groove 21a facing the outer peripheral edge is R 1 ,
When the curvature radius of the groove 21a facing the wafer second outer periphery and R 2, sets the R 1 in the range of 1.0r 1 ~3.0r 1, the R 2 1.0R 2 to 3. It is preferably set in the range of 0r 2 .
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、更に図１に示すように、受け部１９上面と
突起部２１のウェーハ１１外周縁に対向する面とのなす
角度が９０度であることを特徴とする。この請求項３に
記載された半導体ウェーハの保持具では、受け部１９上
面と突起部２１のウェーハ外周縁に対向する面とのなす
角度を、上記のように９０度に設定したので、保持具１
７の製作工数を低減できるとともに、この保持具１７に
てウェーハ１１を保持した状態でウェーハ１１及び保持
具１７を公転させても、ウェーハ外周縁の一部が凹溝２
１ａに収容されているので、ウェーハ１１の保持具１７
からの脱落を防止できる。The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1, further, as shown in FIG. 1, an angle formed by the upper surface of the receiving portion 19 and the surface of the protruding portion 21 facing the outer peripheral edge of the wafer 11. Is 90 degrees. In the holder for a semiconductor wafer according to the present invention, the angle formed between the upper surface of the receiving portion 19 and the surface of the protruding portion 21 facing the outer peripheral edge of the wafer is set to 90 degrees as described above. 1
7, the number of manufacturing steps can be reduced, and even if the wafer 11 and the holder 17 are revolved while the wafer 11 is held by the holder 17, a part of the outer peripheral edge of the wafer is recessed.
1a, the holder 17 for the wafer 11 is held.
Can be prevented from falling off.
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、更に図１に示すように、少なくとも突起部
２１がボロン、リン、アンチモン又はヒ素のいずれかの
元素を０．０００１atomic％以上の高濃度でドーピング
したシリコンにより形成されたことを特徴とする。この
請求項４に記載された半導体ウェーハの保持具では、突
起部２１の電気抵抗が小さくなって、ウェーハ１１と突
起部２１との接触面における電気抵抗が小さくなるた
め、ウェーハ１１に注入されたイオンによりウェーハ表
面に現れる電荷は、電流がウェーハ１１から突起部２１
に或いは突起部２１からウェーハ１１に上記接触面を通
って速やかに流れて消失する。このためウェーハ表面は
帯電せず、ウェーハ表面での放電を防止できるので、ウ
ェーハ表面に放電に伴って発生するとされるパーティク
ルを低減できる。The invention according to claim 4 is the invention according to claim 1, further, as shown in FIG. 1, at least the protrusion 21 contains 0.0001atomic element of boron, phosphorus, antimony or arsenic. It is characterized by being formed of silicon doped at a high concentration of not less than%. In the semiconductor wafer holder according to the present invention, the electrical resistance of the protrusions 21 is reduced, and the electrical resistance at the contact surface between the wafer 11 and the protrusions 21 is reduced. The electric charges appearing on the surface of the wafer due to the ions are generated by the electric current from the wafer 11 to the protrusion 21.
Or from the protrusion 21 to the wafer 11 through the contact surface and quickly disappear. Therefore, the surface of the wafer is not charged, and the discharge on the surface of the wafer can be prevented, so that the particles generated on the surface of the wafer due to the discharge can be reduced.
【００１０】請求項５に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、更に図１に示すように、基部１８が受け部
１９及び突起部２１とともにベース１６に対してウェー
ハ１１の半径方向に移動可能に構成され、ベース１６と
基部１８との間に介装された弾性体２３の弾性力により
突起部２１がウェーハ外周縁に圧接されたことを特徴と
する。この請求項５に記載された半導体ウェーハの保持
具では、ウェーハ１１へのイオンビームの照射時にウェ
ーハ１１の温度が上昇してウェーハ１１が熱膨張する
と、このウェーハ１１の外径が大きくなるけれども、保
持具１７がその増加分だけ弾性体２３の弾性力に抗して
ウェーハ１１の半径方向外側に移動するので、ウェーハ
１１に大きな力が作用することはない。The invention according to claim 5 is the invention according to claim 1, further comprising: as shown in FIG. 1, the base portion 18 along with the receiving portion 19 and the protrusion portion 21 with respect to the base 16 in the radial direction of the wafer 11. The protrusion 21 is pressed against the outer peripheral edge of the wafer by the elastic force of the elastic body 23 interposed between the base 16 and the base 18. In the semiconductor wafer holder according to the fifth aspect, when the temperature of the wafer 11 rises and the wafer 11 thermally expands when the wafer 11 is irradiated with the ion beam, the outer diameter of the wafer 11 increases. Since the holder 17 moves to the outer side in the radial direction of the wafer 11 against the elastic force of the elastic body 23 by the increased amount, a large force does not act on the wafer 11.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図１〜図４に示すように、シリコン
ウェーハ１１は、このウェーハに酸素イオンやボロンイ
オン等を注入するためにイオン注入装置１２に装着され
る。このイオン注入装置１２は、回転軸１３を中心に約
１００ｒｐｍの回転速度で回転可能なホイール１４（図
４）と、このホイール１４の外周縁に所定の間隔をあけ
かつアーム１５を介して取付けられた複数のベース１６
（図１及び図３）と、これらのベース１６に取付けられ
ウェーハ１１を保持する保持具１７（図１〜図３）とを
備える。保持具１７は各ベース１６の外周縁にそれぞれ
３つずつ取付けられ（図３）、上記ベース１６に挿着さ
れる基部１８と、この基部１８に連設されウェーハ底面
を受ける受け部１９と、ウェーハ外周縁に当接するよう
に受け部１９の先端に垂直に立設された突起部２１とを
有する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 to 4, the silicon wafer 11 is mounted on an ion implanter 12 for implanting oxygen ions, boron ions, etc. into the wafer. The ion implanter 12 is mounted on a wheel 14 (FIG. 4) which is rotatable about a rotation shaft 13 at a rotation speed of about 100 rpm, and an outer peripheral edge of the wheel 14 with a predetermined interval and an arm 15. Multiple bases 16
(FIGS. 1 and 3) and a holder 17 (FIGS. 1 to 3) attached to these bases 16 for holding the wafer 11. Three holders 17 are attached to each outer peripheral edge of each base 16 (FIG. 3), a base portion 18 inserted into the base 16 and a receiving portion 19 that is connected to the base portion 18 and receives the bottom surface of the wafer. It has a protrusion 21 which is vertically provided at the tip of the receiving portion 19 so as to abut the outer peripheral edge of the wafer.
【００１２】一方、ウェーハ１１の表面１１ａは鏡面状
に形成され、裏面１１ｂはエッチング等により曇った状
態に形成される。このウェーハ１１の外周縁には丸みを
有する面取り１１ｃが形成され、この面取り１１ｃの曲
率半径、即ちウェーハ１１の半径を決定するウェーハ中
心を通るウェーハの縦断面におけるウェーハ第１外周縁
の曲率半径はｒ1（図１）である。またウェーハ平面視
におけるウェーハ第２外周縁の曲率半径はｒ2（図２）
と一定となるように形成される。On the other hand, the front surface 11a of the wafer 11 is formed into a mirror surface, and the back surface 11b is formed into a cloudy state by etching or the like. A chamfer 11c having a roundness is formed on the outer peripheral edge of the wafer 11, and the radius of curvature of the chamfer 11c, that is, the radius of curvature of the first outer peripheral edge of the wafer in the longitudinal section of the wafer passing through the wafer center that determines the radius of the wafer 11 is r 1 (FIG. 1). Also, the radius of curvature of the second outer peripheral edge of the wafer in the plan view of the wafer is r 2 (FIG. 2)
And is formed to be constant.
【００１３】本実施の形態の特徴ある構成は、突起部２
１のウェーハ外周縁に対向する面に、ウェーハ外周縁の
一部を収容可能な所定の曲率半径を有する凹溝２１ａが
形成されたところにある（図１及び図２）。ここで、上
記ウェーハ第１外周縁に対向する凹溝２１ａの曲率半径
をＲ1（図１）とし、上記ウェーハ第２外周縁に対向す
る凹溝２１ａの曲率半径をＲ2（図１）とするとき、Ｒ1
は１．０ｒ1〜３．０ｒ1、好ましくは１．１ｒ1〜２．
０ｒ1の範囲に設定され、Ｒ2は１．０ｒ2〜３．０ｒ2、
好ましくは１．１ｒ2〜２．０ｒ2の範囲に設定される。
Ｒ1を１．０ｒ 1〜３．０ｒ1の範囲に限定したのは、
１．０ｒ1未満ではウェーハ外周縁が凹溝２１ａの縁に
接触してウェーハ１１と突起部２１との接触が点接触又
は線接触になってしまい、３．０ｒ1を越えると凹溝２
１ａの曲率半径が直線に近くなり、ウェーハ１１と突起
部２１との接触面積が減少するためである。またＲ2を
１．０ｒ2〜３．０ｒ2の範囲に限定した理由は、上記Ｒ
1の限定理由と同様である。The characteristic structure of the present embodiment is that the protrusion 2
The outer peripheral edge of the wafer is
The concave groove 21a having a predetermined radius of curvature capable of containing a part
It has been formed (FIGS. 1 and 2). Where on
Radius of curvature of the concave groove 21a facing the first outer peripheral edge of the wafer
R1(FIG. 1), facing the second outer peripheral edge of the wafer.
The radius of curvature of the concave groove 21a2(Fig. 1)1
Is 1.0r1~ 3.0r1, Preferably 1.1r1~ 2.
0r1R range2Is 1.0r2~ 3.0r2,
Preferably 1.1r2~ 2.0r2It is set to the range of.
R11.0r 1~ 3.0r1Is limited to the range of
1.0r1If less than, the outer peripheral edge of the wafer becomes the edge of the concave groove 21a.
Contact between the wafer 11 and the protrusion 21 causes point contact or
Becomes line contact, and 3.0r1Groove 2 when crossing
The radius of curvature of 1a becomes close to a straight line, and the wafer 11 and the protrusion
This is because the contact area with the portion 21 is reduced. Also R2To
1.0r2~ 3.0r2The reason for limiting the range to
1The reason is the same as the above.
【００１４】一方、基部１８、受け部１９及び保持部２
１はシリコン単結晶又はシリコン多結晶により一体的に
形成され、受け部１９上面と突起部２１のウェーハ外周
縁に対向する面とのなす角度θは９０度に設定される
（図１）。また突起部２１にはボロンが０．０００１at
omic％以上、好ましくは０．０１〜１atomic％の高濃度
でドーピングされる。ここでボロンのドーピング濃度を
０．０００１atomic％以上に限定したのは、突起部２１
の電気抵抗を所望の値にするため、即ち突起部２１の抵
抗率を０．０１Ωｍ以下の範囲にするためである。On the other hand, the base portion 18, the receiving portion 19 and the holding portion 2
1 is integrally formed of silicon single crystal or silicon polycrystal, and the angle θ formed by the upper surface of the receiving portion 19 and the surface of the protruding portion 21 facing the outer peripheral edge of the wafer is set to 90 degrees (FIG. 1). In addition, boron is 0.0001 at
Doping is performed at a high concentration of not less than omic%, preferably 0.01 to 1 atomic%. Here, the reason for limiting the boron doping concentration to 0.0001 atomic% or more is that the protrusion 21
This is for the purpose of making the electric resistance of No. 1 to be a desired value, that is, the resistivity of the protrusion 21 to be in the range of 0.01 Ωm or less.
【００１５】更に図１に詳しく示すように、基部１８は
受け部１９及び突起部２１とともにベース１６に対して
ウェーハ１１の半径方向に移動可能に構成される。ベー
ス１６には、基部１８をウェーハ１１の半径方向に移動
可能に収容する凹部１６ａが形成される。この凹部１６
ａに収容された基部１８は、駆動手段２２によりウェー
ハ１１の半径方向外側に移動可能に構成されるととも
に、ベース１６と基部１８との間に介装された圧縮コイ
ルばね２３の弾性力によりウェーハ１１の半径方向内側
に移動可能に構成される。駆動手段２２は、基部１８の
一端面に圧接可能な圧接部２２ａと、この圧接部２２ａ
にロッド２２ｂを介して連結され基部１８を受け部１９
及び突起部２１とともにウェーハ１１の半径方向外側に
移動させるアクチュエータ（図示せず）とを有する。圧
縮コイルばね２３の弾性定数は、ホイール１４の回転に
伴ってウェーハ１１に発生する遠心力に抗し、かつウェ
ーハ１１へのイオンビームの照射時におけるウェーハ１
１の温度上昇に伴う熱変形を吸収する範囲に設定され
る。Further, as shown in detail in FIG. 1, the base portion 18 is configured to be movable in the radial direction of the wafer 11 with respect to the base 16 together with the receiving portion 19 and the protrusion portion 21. The base 16 is formed with a recess 16 a that accommodates the base 18 so as to be movable in the radial direction of the wafer 11. This recess 16
The base portion 18 accommodated in the a is configured to be movable outward in the radial direction of the wafer 11 by the driving means 22, and the wafer is moved by the elastic force of the compression coil spring 23 interposed between the base 16 and the base portion 18. It is configured to be movable inward in the radial direction of 11. The driving means 22 includes a pressure contact portion 22a capable of pressure contact with one end surface of the base portion 18, and the pressure contact portion 22a.
Is connected to the base 18 via a rod 22b
And an actuator (not shown) that moves the wafer 11 in the radial direction outside together with the protrusion 21. The elastic constant of the compression coil spring 23 resists the centrifugal force generated on the wafer 11 as the wheel 14 rotates and the wafer 1 is irradiated with the ion beam.
It is set to a range that absorbs thermal deformation due to temperature rise of 1.
【００１６】このように構成されたウェーハ１１の保持
具１７の使用方法を説明する。先ずシリコンウェーハを
３つの保持具の受け部に載せる前に、アクチュエータに
よりロッド及び圧接部を図１の実線矢印で示す方向に移
動させると、基部が受け部及び突起部とともに圧縮コイ
ルばねの弾性力に抗してウェーハの半径方向外側に所定
の距離だけ移動する。次いでウェーハを受け部に載せた
後に、アクチュエータによりロッド及び圧接部を破線矢
印で示す方向に移動させると、基部が受け部及び突起部
とともに圧縮コイルばねの弾性力にてウェーハの半径方
向内側に移動して、突起部がウェーハ外周縁に圧接され
る。具体的には、ウェーハ外周縁の一部が突起部の凹溝
に収容された状態で、凹溝内面がウェーハ外周縁に圧接
される。次にホイールを約１００ｒｐｍの回転速度で回
転させると、ウェーハが回転軸を中心に公転する（図
４）。この状態でウェーハ１１に酸素イオンが注入され
る。A method of using the holding tool 17 for the wafer 11 thus constructed will be described. First, before the silicon wafer is placed on the receiving portions of the three holders, the rod and the pressure contact portion are moved by the actuator in the directions shown by the solid line arrows in FIG. To the outside of the wafer in the radial direction by a predetermined distance. Then, after placing the wafer on the receiving part, the actuator moves the rod and the pressure contact part in the direction indicated by the broken line arrow, and the base part moves to the inner side in the radial direction of the wafer by the elastic force of the compression coil spring together with the receiving part and the protrusion part. Then, the protrusion is pressed against the outer peripheral edge of the wafer. Specifically, the inner surface of the concave groove is pressed against the outer peripheral edge of the wafer while a part of the outer peripheral edge of the wafer is accommodated in the concave groove of the protrusion. Next, when the wheel is rotated at a rotation speed of about 100 rpm, the wafer revolves around the rotation axis (FIG. 4). In this state, oxygen ions are implanted into the wafer 11.
【００１７】このときウェーハ１１の公転によりウェー
ハに遠心力が作用し、ウェーハがこのウェーハの中心の
回転軌跡より外側に位置する突起部２１に圧接される。
しかし、ウェーハ１１と突起部２１の凹溝２１ａとの接
触が面接触となって接触面積が増大しているので、イオ
ン注入時の遠心力にてウェーハ１１に生じる応力集中が
低減される。また突起部２１には高濃度のボロンがドー
ピングされているため、突起部２１の電気抵抗が小さく
なっている。このためウェーハ１１に注入されたイオン
によりウェーハ表面に現れる電荷は、電流がウェーハ１
１から突起部２１に或いは突起部２１からウェーハ１１
に上記接触面を通って速やかに流れて消失し、ウェーハ
表面での帯電が阻止されるので、ウェーハ表面での放電
を防止できる。この結果、応力集中によるウェーハ外周
縁への傷や欠け等の欠陥が発生せず、放電によるウェー
ハ表面への傷や欠け等の欠陥が発生しないので、ウェー
ハに応力集中に伴って発生するとされるパーティクル
や、ウェーハ表面に放電に伴って発生するとされるパー
ティクルを低減できる。At this time, the revolution of the wafer 11 causes a centrifugal force to act on the wafer, so that the wafer is pressed against the protrusion 21 located outside the rotational trajectory of the center of the wafer.
However, since the contact between the wafer 11 and the concave groove 21a of the protrusion 21 becomes a surface contact to increase the contact area, the stress concentration generated on the wafer 11 by the centrifugal force at the time of ion implantation is reduced. Further, since the protruding portion 21 is doped with a high concentration of boron, the electric resistance of the protruding portion 21 is small. Therefore, the electric charges appearing on the wafer surface due to the ions implanted in the wafer 11 are the
1 to the protrusion 21 or the protrusion 21 to the wafer 11
In addition, it quickly flows through the contact surface and disappears, and charging on the wafer surface is blocked, so that discharge on the wafer surface can be prevented. As a result, defects such as scratches and chips on the outer peripheral edge of the wafer due to stress concentration do not occur, and defects such as scratches and chips on the wafer surface due to discharge do not occur, so it is said that they occur with stress concentration on the wafer. It is possible to reduce particles and particles that are generated on the wafer surface due to discharge.
【００１８】またウェーハ１１にイオンビームを照射す
ると、ウェーハの温度が上昇してウェーハが熱膨張す
る。しかしウェーハの外径が大きくなる方向にウェーハ
が変形すると、保持具１７がウェーハ外径の増加分だけ
圧縮コイルばね２３の弾性力に抗してウェーハの半径方
向外側に移動する。この結果、ウェーハ１１の熱膨張に
よる変形が保持部２１にて阻止されないので、ウェーハ
１１に大きな力が作用するのを防止できる。更に受け部
１９上面と突起部２１のウェーハ外周縁に対向する面と
のなす角度θを９０度に設定したので、保持具１７の製
作工数を低減できるとともに、この保持具１７にてウェ
ーハ１１を保持した状態でウェーハ１１及び保持具１７
を公転させても、ウェーハ外周縁の一部が凹溝２１ａに
収容されているので、ウェーハ１１が保持具１７から脱
落することはない。When the wafer 11 is irradiated with an ion beam, the temperature of the wafer rises and the wafer thermally expands. However, when the wafer is deformed in the direction in which the outer diameter of the wafer increases, the holder 17 moves outward in the radial direction of the wafer against the elastic force of the compression coil spring 23 by the increase in the outer diameter of the wafer. As a result, the deformation of the wafer 11 due to the thermal expansion is not prevented by the holding portion 21, so that a large force can be prevented from acting on the wafer 11. Further, since the angle θ formed by the upper surface of the receiving portion 19 and the surface of the protruding portion 21 facing the outer peripheral edge of the wafer is set to 90 degrees, the number of manufacturing steps of the holder 17 can be reduced and the wafer 11 can be held by the holder 17. Wafer 11 and holder 17 in a held state
Even if the wafer is revolved, the wafer 11 will not fall out of the holder 17 because a part of the outer peripheral edge of the wafer is accommodated in the groove 21a.
【００１９】なお、上記実施の形態では、半導体ウェー
ハとしてシリコンウェーハを挙げたが、これに限らず炭
化珪素（ＳｉＣ）ウェーハやガリウムヒ素（ＧａＡｓ）
ウェーハであってもよい。また、上記実施の形態では、
半導体ウェーハがシリコンウェーハである場合に保持具
をシリコン単結晶又はシリコン多結晶により形成した
が、半導体ウェーハがシリコンウェーハである場合には
保持具をＳｉＣ単結晶、ＳｉＣ多結晶、又はＳｉＣ単結
晶、ＳｉＣ多結晶若しくは金属にシリコンをコーティン
グしたものにより形成してもよく、半導体ウェーハがＳ
ｉＣウェーハである場合には保持具をＳｉＣ単結晶又は
ＳｉＣ多結晶により形成し、ＧａＡｓウェーハである場
合には保持具をＧａＡｓ単結晶又はＧａＡｓ多結晶によ
り形成してもよい。また、上記実施の形態では、基部、
受け部及び突起部を一体的に形成したが、基部、受け部
及び突起部をそれぞれ別々に形成してこれらを固着して
もよく、或いは基部及び受け部を一体的に形成し、別に
形成された突起部を受け部に固着してもよい。この場
合、ウェーハと接触しない基部を、ウェーハの材質や受
け部及び突起部の材質と異なる材質の材料により形成し
てもよい。In the above embodiment, the silicon wafer is used as the semiconductor wafer, but the semiconductor wafer is not limited to this. A silicon carbide (SiC) wafer or gallium arsenide (GaAs) is used.
It may be a wafer. Further, in the above embodiment,
When the semiconductor wafer is a silicon wafer, the holder was made of silicon single crystal or silicon polycrystal, but when the semiconductor wafer was a silicon wafer, the holder was made of SiC single crystal, SiC polycrystal, or SiC single crystal, It may be formed of SiC polycrystal or a metal coated with silicon.
In the case of an iC wafer, the holder may be formed of SiC single crystal or SiC polycrystal, and in the case of a GaAs wafer, the holder may be formed of GaAs single crystal or GaAs polycrystal. Further, in the above embodiment, the base,
Although the receiving portion and the protruding portion are integrally formed, the base portion, the receiving portion and the protruding portion may be separately formed and fixed to each other, or the base portion and the receiving portion may be integrally formed and separately formed. The protruding portion may be fixed to the receiving portion. In this case, the base that does not contact the wafer may be formed of a material different from the material of the wafer and the material of the receiving portion and the protrusion.
【００２０】また、上記実施の形態では、突起部のみに
ボロンをドーピングしたが、突起部のみにリン、アンチ
モン又はヒ素をドーピングしてもよく、保持具全体にボ
ロン、リン、アンチモン又はヒ素をドーピングしてもよ
い。また、上記実施の形態では、ベースの外周縁に円周
方向に所定の間隔をあけて３つの保持具を取付けたが、
ベースの外周縁に円周方向に所定の間隔をあけて２つ又
は４つ以上の保持具を取付けてもよい。更に、上記実施
の形態では、弾性体として圧縮コイルばねを用いたが、
板ばね、ゴム、流体ばね（気体又は液体を封入したもの
であって、気体又は液体の流動性や気体の圧縮性を利用
したばね）等の弾性体を用いてもよい。In the above embodiment, only the protrusions are doped with boron. However, only the protrusions may be doped with phosphorus, antimony or arsenic, and the entire holder is doped with boron, phosphorus, antimony or arsenic. You may. Further, in the above-described embodiment, the three holders are attached to the outer peripheral edge of the base at predetermined intervals in the circumferential direction.
Two or more holders may be attached to the outer peripheral edge of the base at predetermined intervals in the circumferential direction. Further, in the above embodiment, the compression coil spring is used as the elastic body,
An elastic body such as a leaf spring, rubber, or a fluid spring (a spring in which gas or liquid is enclosed and which utilizes fluidity of gas or liquid or compressibility of gas) may be used.
【００２１】[0021]
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。
＜実施例１＞図１〜図３に示すように、先ずウェーハの
半径を決定するウェーハ中心を通るウェーハの縦断面に
おけるウェーハ第１外周縁の曲率半径ｒ1（図１）が３
６０μｍであり、ウェーハ平面視におけるウェーハ第２
外周縁の曲率半径ｒ2（図２）が２００ｍｍであるシリ
コンウェーハ１１を用意した。次にこのウェーハに酸素
イオンを注入するためのイオン注入装置１２を用意した
（図１〜図４）。イオン注入装置１２の保持具１７は、
基部１８、受け部１９及び突起部２１を備える（図
１）。突起部２１のウェーハ外周縁に対向する面には、
ウェーハ外周縁の一部を収容可能な凹溝２１ａを形成し
た。上記ウェーハ第１外周縁に対向する凹溝２１ａの曲
率半径をＲ1（図１）とし、上記ウェーハ第２外周縁に
対向する凹溝２１ａの曲率半径をＲ2（図２）とすると
き、Ｒ1は３７０μｍ（ｒ1の１．０３倍）であり、Ｒ2
は２０３ｍｍ（ｒ2の１．０２倍）であった。また突起
部２１は、ボロンを０．０１atomic％の高濃度でドーピ
ングしたシリコン単結晶により形成した。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described in detail together with comparative examples. <Embodiment 1> As shown in FIGS. 1 to 3, first, the radius of curvature r 1 (FIG. 1) of the first outer peripheral edge of the wafer in the longitudinal section of the wafer passing through the wafer center for determining the radius of the wafer is 3
60 μm, which is the second wafer in a plan view of the wafer.
A silicon wafer 11 having a radius of curvature r 2 (FIG. 2) of the outer peripheral edge of 200 mm was prepared. Next, an ion implantation device 12 for implanting oxygen ions into this wafer was prepared (FIGS. 1 to 4). The holder 17 of the ion implanter 12 is
It has a base portion 18, a receiving portion 19 and a protrusion portion 21 (FIG. 1). On the surface of the protrusion 21 facing the outer peripheral edge of the wafer,
The concave groove 21a capable of accommodating a part of the outer peripheral edge of the wafer was formed. When the radius of curvature of the concave groove 21a facing the first outer peripheral edge of the wafer is R 1 (FIG. 1) and the radius of curvature of the concave groove 21a facing the second outer peripheral edge of the wafer is R 2 (FIG. 2), R 1 is 370 μm (1.03 times r 1 ) and R 2
Was 203 mm (1.02 times r 2 ). The protrusion 21 was formed of a silicon single crystal doped with boron at a high concentration of 0.01 atomic%.
【００２２】一方、イオン注入装置１２のベース１６に
は、基部１８をウェーハ１１の半径方向に移動可能に収
容する凹部１６ａを形成した（図１）。この凹部１６ａ
に収容された基部１８は、駆動手段２２によりウェーハ
の半径方向外側に移動可能に構成し、ベース１６と基部
１８との間に介装された圧縮コイルばね２３の弾性力に
よりウェーハの半径方向内側に移動可能に構成した。上
記保持具２１を含むイオン注入装置１２を実施例１とし
た。On the other hand, the base 16 of the ion implanter 12 is formed with a recess 16a for accommodating the base 18 so as to be movable in the radial direction of the wafer 11 (FIG. 1). This recess 16a
The base portion 18 accommodated in the wafer is configured to be movable outward in the radial direction of the wafer by the driving means 22, and the elastic force of the compression coil spring 23 interposed between the base 16 and the base portion 18 causes the base portion 18 to move inward in the radial direction of the wafer. Configured to be movable. The ion implantation apparatus 12 including the holder 21 is referred to as Example 1.
【００２３】＜比較例１＞図５、図６及び図８に示すよ
うに、先ず実施例１と同一のシリコンウェーハ１を用意
した。次にこのウェーハに酸素イオンを注入するための
イオン注入装置２を用意した（図５〜図８）。イオン注
入装置２の保持具７は、基部７ａ、受け部７ｂ及び突起
部７ｃを備えた（図５）。受け部７ｂ上面と突起部７ｃ
のウェーハ外周縁に対向する面との角度θを８０度とし
た。<Comparative Example 1> As shown in FIGS. 5, 6 and 8, first, the same silicon wafer 1 as in Example 1 was prepared. Next, an ion implanter 2 for implanting oxygen ions into this wafer was prepared (FIGS. 5 to 8). The holder 7 of the ion implantation device 2 includes a base portion 7a, a receiving portion 7b, and a protrusion portion 7c (FIG. 5). Upper surface of receiving portion 7b and protruding portion 7c
The angle θ with the surface facing the outer peripheral edge of the wafer was set to 80 degrees.
【００２４】一方、イオン注入装置２のベース６には、
基部７ａをウェーハの半径方向に移動可能に収容する凹
部６ａを形成した（図５）。この凹部６ａに収容された
基部７ａを、駆動手段８によりウェーハ１の半径方向の
外側及び内側に移動可能に構成した。上記保持具７を含
むイオン注入装置２を比較例１とした。On the other hand, the base 6 of the ion implanter 2 is
A recess 6a was formed to accommodate the base 7a so as to be movable in the radial direction of the wafer (FIG. 5). The base 7a accommodated in the recess 6a is configured to be movable to the outside and the inside in the radial direction of the wafer 1 by the driving means 8. The ion implantation apparatus 2 including the holder 7 was used as Comparative Example 1.
【００２５】＜比較試験及び評価＞実施例１及び比較例
１のイオン注入装置に上記ウェーハを装着した状態で、
ホイールを１００ｒｐｍの回転速度で１００分間回転さ
せて、ウェーハをホイールを中心に公転させ、この状態
で上記ウェーハに酸素イオンを注入した。次にパーティ
クルカウンタにより上記シリコンウェーハの表面のパー
ティクルの分布を測定した。その結果を図９及び図１０
に示す。図９及び図１０から明らかなように、比較例１
のシリコンウェーハではウェーハ表面に保持具の突起部
との接触点を中心として多くのパーティクルが発生した
のに対し、実施例１のシリコンウェーハではウェーハ表
面にはパーティクルが僅かしか発生しなかった。<Comparison Test and Evaluation> With the above-described wafer mounted on the ion implantation apparatus of Example 1 and Comparative Example 1,
The wheel was rotated at a rotation speed of 100 rpm for 100 minutes to revolve the wafer around the wheel, and oxygen ions were implanted into the wafer in this state. Next, a particle counter was used to measure the distribution of particles on the surface of the silicon wafer. The results are shown in FIGS. 9 and 10.
Shown in. As is clear from FIGS. 9 and 10, Comparative Example 1
In the silicon wafer of No. 1, many particles were generated on the wafer surface centering on the contact point with the protrusion of the holder, whereas in the silicon wafer of Example 1, few particles were generated on the wafer surface.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、突
起部のウェーハ外周縁に対向する面に、ウェーハ外周縁
の一部を収容可能な所定の曲率半径を有する凹溝を形成
したので、ウェーハと突起部との接触が面接触となって
接触面積が増大する。この結果、イオン注入時の遠心力
にてウェーハに生じる応力集中が低減されるので、ウェ
ーハに応力集中に伴って発生するとされるパーティクル
を低減できる。またウェーハの半径を決定するウェーハ
中心を通るウェーハの縦断面におけるウェーハ第１外周
縁の曲率半径をｒ1とし、ウェーハ平面視におけるウェ
ーハ第２外周縁の曲率半径をｒ2とし、上記ウェーハ第
１外周縁に対向する凹溝の曲率半径をＲ1とし、更に上
記ウェーハ第２外周縁に対向する凹溝の曲率半径をＲ2
とするとき、Ｒ1を１．０ｒ1〜３．０ｒ1の範囲に設定
し、Ｒ2を１．０ｒ2〜３．０ｒ2の範囲に設定すれば、
上記効果を顕著に奏することができる。As described above, according to the present invention, a concave groove having a predetermined radius of curvature capable of accommodating a part of the outer peripheral edge of the wafer is formed on the surface of the protrusion facing the outer peripheral edge of the wafer. Therefore, the contact between the wafer and the protrusion becomes surface contact, and the contact area increases. As a result, the stress concentration generated on the wafer by the centrifugal force at the time of ion implantation is reduced, so that the particles generated due to the stress concentration on the wafer can be reduced. Further, the radius of curvature of the first outer peripheral edge of the wafer in the longitudinal section of the wafer that passes through the center of the wafer that determines the radius of the wafer is r 1, and the radius of curvature of the second outer peripheral edge of the wafer in plan view of the wafer is r 2 . The radius of curvature of the concave groove facing the outer peripheral edge is R 1, and the radius of curvature of the concave groove facing the second outer peripheral edge of the wafer is R 2
When the sets of R 1 in the range of 1.0r 1 ~3.0r 1, by setting the R 2 in the range of 1.0r 2 ~3.0r 2,
The above effect can be remarkably exhibited.
【００２７】また受け部上面と突起部のウェーハ外周縁
に対向する面とのなす角度を９０度に設定すれば、保持
具の製作工数を低減できるとともに、保持具によりウェ
ーハを保持した状態で保持具及びウェーハを公転させて
も、ウェーハ外周縁の一部が凹溝に収容されているの
で、ウェーハが保持具から脱落するのを防止できる。ま
た少なくとも突起部を高濃度のボロン等の元素がドーピ
ングされたシリコンにより形成すれば、突起部の電気抵
抗が小さくなるため、ウェーハに注入されたイオンによ
りウェーハ表面に現れる電荷は、電流がウェーハ及び突
起部の接触面を通って速やかに流れて消失する。この結
果、ウェーハ表面が帯電せず、ウェーハ表面での放電を
防止できるので、放電によるウェーハ表面への傷や欠け
等の欠陥が発生せず、ウェーハ表面に放電に伴って発生
するとされるパーティクルを低減できる。If the angle between the upper surface of the receiving portion and the surface of the protrusion facing the outer peripheral edge of the wafer is set to 90 degrees, the number of manufacturing steps of the holder can be reduced and the wafer can be held while being held by the holder. Even if the tool and the wafer are revolved, a part of the outer peripheral edge of the wafer is accommodated in the groove, so that the wafer can be prevented from dropping from the holder. Further, if at least the protrusions are formed of silicon doped with a high concentration element such as boron, the electrical resistance of the protrusions becomes small, so that the electric charges appearing on the wafer surface by the ions implanted in the wafer are the current and the wafer. It quickly flows through the contact surface of the protrusion and disappears. As a result, the wafer surface is not charged, and since it is possible to prevent discharge on the wafer surface, defects such as scratches and chips on the wafer surface due to discharge do not occur, and particles that are generated with discharge on the wafer surface are generated. It can be reduced.
【００２８】更に基部を受け部及び突起部とともにベー
スに対してウェーハの半径方向に移動可能に構成し、ベ
ースと基部との間に介装された弾性体の弾性力により突
起部をウェーハ外周縁に圧接すれば、ウェーハへのイオ
ンビームの照射時にウェーハの温度が上昇してウェーハ
が熱膨張しても、保持具がウェーハの外径の増加分だけ
弾性体の弾性力に抗してウェーハの半径方向外側に移動
する。この結果、ウェーハに大きな力が作用するのを防
止できる。Further, the base part is configured to be movable in the radial direction of the wafer with respect to the base along with the receiving part and the projection part, and the projection part is formed by the elastic force of the elastic body interposed between the base part and the base part. If the wafer is thermally expanded when the temperature of the wafer rises when the wafer is irradiated with an ion beam, the holder will resist the elastic force of the elastic body by the increase in the outer diameter of the wafer and Move radially outward. As a result, it is possible to prevent a large force from acting on the wafer.
【図１】本発明実施形態のシリコンウェーハの保持具を
示す図３のＡ−Ａ線断面図。FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 3 showing a holder for a silicon wafer according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＢ−Ｂ線断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図３】図４のＣ部拡大平面図。FIG. 3 is an enlarged plan view of a C portion of FIG.
【図４】そのシリコンウェーハをイオン注入装置に装着
した状態を示す平面構成図。FIG. 4 is a plan configuration diagram showing a state in which the silicon wafer is mounted on an ion implantation apparatus.
【図５】従来例及び比較例１を示す図８のＤ−Ｄ線断面
図。5 is a sectional view taken along line DD of FIG. 8 showing a conventional example and a comparative example 1. FIG.
【図６】図５のＥ−Ｅ線断面図。6 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.
【図７】そのシリコンウェーハをイオン注入装置に装着
した状態を示す平面構成図。FIG. 7 is a plan configuration diagram showing a state in which the silicon wafer is mounted on an ion implantation apparatus.
【図８】図７のＦ部拡大平面図。8 is an enlarged plan view of an F portion of FIG.
【図９】実施例１の保持具を含むイオン注入装置を用い
て、シリコンウェーハに酸素イオンを注入した後のシリ
コンウェーハのパーティクルの分布を示す図。FIG. 9 is a view showing a particle distribution of a silicon wafer after implanting oxygen ions into the silicon wafer using the ion implantation apparatus including the holder of Example 1.
【図１０】比較例１の保持具を含むイオン注入装置を用
いて、シリコンウェーハに酸素イオンを注入した後のシ
リコンウェーハのパーティクルの分布を示す図。FIG. 10 is a view showing a particle distribution of a silicon wafer after implanting oxygen ions into the silicon wafer using the ion implantation apparatus including the holder of Comparative Example 1.
１１ シリコンウェーハ（半導体ウェーハ） １６ ベース １７ 保持具 １８ 基部 １９ 受け部 ２１ 突起部 ２１ａ 凹溝 ２３ 圧縮コイルばね（弾性体） 11 Silicon wafer (semiconductor wafer) 16 base 17 Holder 18 base 19 Receiver 21 Projection 21a concave groove 23 Compression coil spring (elastic body)
フロントページの続き (72)発明者 冨澤 憲治 東京都港区芝浦一丁目２番１号 三菱住友 シリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 HA02 HA08 HA24 HA27 HA30 MA31 PA21 PA26 Continued front page (72) Inventor Kenji Tomizawa 1-2-1 Shibaura, Minato-ku, Tokyo Sumitomo Mitsubishi Inside Silicon Co., Ltd. F-term (reference) 5F031 CA02 HA02 HA08 HA24 HA27 HA30 MA31 PA21 PA26
Claims (5)
8)と、前記基部(18)に連設されウェーハ(11)底面を受け
る受け部(19)と、前記ウェーハ外周縁に当接するように
前記受け部(19)の先端に立設された突起部(21)とを有す
る半導体ウェーハの保持具において、 前記突起部(21)の前記ウェーハ外周縁に対向する面に、
前記ウェーハ外周縁の一部を収容可能な所定の曲率半径
を有する凹溝(21a)が形成されたことを特徴とする半導
体ウェーハの保持具。1. A base portion (1) to be inserted into a revolving base (16).
8), a receiving portion (19) that is connected to the base portion (18) and receives the bottom surface of the wafer (11), and a protrusion that is erected at the tip of the receiving portion (19) so as to abut the outer peripheral edge of the wafer. In a holder for a semiconductor wafer having a portion (21), on the surface of the protrusion (21) facing the outer peripheral edge of the wafer,
A holder for a semiconductor wafer having a concave groove (21a) having a predetermined radius of curvature capable of accommodating a part of the outer peripheral edge of the wafer.
ーハ中心を通る前記ウェーハの縦断面におけるウェーハ
第１外周縁の曲率半径をｒ1とし、ウェーハ平面視にお
けるウェーハ第２外周縁の曲率半径をｒ2とし、前記ウ
ェーハ第１外周縁に対向する凹溝(21a)の曲率半径をＲ1
とし、前記ウェーハ第２外周縁に対向する前記凹溝(21
a)の曲率半径をＲ2とするとき、Ｒ1が１．０ｒ1〜３．
０ｒ1の範囲に設定され、Ｒ2が１．０ｒ2〜３．０ｒ2の
範囲に設定された請求項１記載の半導体ウェーハの保持
具。2. A radius of curvature of a first outer peripheral edge of the wafer in a vertical cross section of the wafer that passes through the center of the wafer, which determines the radius of the wafer (11), is r 1, and a radius of curvature of the second outer peripheral edge of the wafer in a plan view of the wafer. Is r 2 and the radius of curvature of the concave groove (21a) facing the first outer peripheral edge of the wafer is R 1
And the concave groove (21) facing the second outer peripheral edge of the wafer.
When the radius of curvature of a) is R 2 , R 1 is 1.0r 1 to 3.
The holder for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein R 2 is set in the range of 0r 1 and R 2 is set in the range of 1.0r 2 to 3.0r 2 .
外周縁に対向する面とのなす角度が９０度である請求項
１記載の半導体ウェーハの保持具。3. The holder for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the angle formed between the upper surface of the receiving portion (19) and the surface of the protruding portion (21) facing the outer peripheral edge of the wafer is 90 degrees.
アンチモン又はヒ素のいずれかの元素を０．０００１at
omic％以上の高濃度でドーピングしたシリコンにより形
成された請求項１記載の半導体ウェーハの保持具。4. At least the projection (21) is made of boron, phosphorus,
0.0001at of either antimony or arsenic element
The holder for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the holder is made of silicon doped at a high concentration of omic% or more.
ともにベース(16)に対してウェーハ(11)の半径方向に移
動可能に構成され、前記ベース(16)と前記基部(18)との
間に介装された弾性体(23)の弾性力により前記突起部(2
1)がウェーハ外周縁に圧接された請求項１記載の半導体
ウェーハの保持具。5. The base (18) is configured to be movable in the radial direction of the wafer (11) with respect to the base (16) together with the receiving portion (19) and the protrusion (21), and the base (16) and the base (16). By the elastic force of the elastic body (23) interposed between the base (18) and the protrusion (2
2. The semiconductor wafer holder according to claim 1, wherein 1) is pressed against the outer peripheral edge of the wafer.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010016176A (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Kyocera Corp | Test piece holder |
| JP2013171918A (en) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Toshiba Corp | Substrate rotating/holding device and substrate processing device |
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-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002058323A patent/JP2003258069A/en active Pending
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