JP2003257198A - Semiconductor memory defect analysis display system - Google Patents

Semiconductor memory defect analysis display system

Info

Publication number
JP2003257198A
JP2003257198A JP2002051613A JP2002051613A JP2003257198A JP 2003257198 A JP2003257198 A JP 2003257198A JP 2002051613 A JP2002051613 A JP 2002051613A JP 2002051613 A JP2002051613 A JP 2002051613A JP 2003257198 A JP2003257198 A JP 2003257198A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
semiconductor memory
failure analysis
function
display system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002051613A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoji Shioda
良治 塩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002051613A priority Critical patent/JP2003257198A/en
Publication of JP2003257198A publication Critical patent/JP2003257198A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate defect analysis of a semiconductor memory by performing a probe test for wafer and a chip test for single chip. <P>SOLUTION: A semiconductor memory defect analysis display system is provided with a semiconductor memory test device 140 in which a probe test device 140 performing a test at a wafer level or a chip test device 150 performing a test at a chip level can be selected, and a semiconductor memory defect analysis device 100 having a function 101 recognizing the semiconductor memory test device performing a test selected by the semiconductor memory test device, a function 102 taking in test result data from the semiconductor memory test device, a function 104 performing elimination of defective information from the test result data, and a function 106 preparing display information for editing defective information. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリの不
良解析表示システムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory failure analysis display system.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来の半導体メモリ不良解析表
示システムの構成を示す図である。図2において、半導
体メモリ不良解析表示システムは、メモリ不良解析装置
200、プローブ試験装置240、プローブ試験装置2
40から出力される試験結果データのデータベース25
0を格納するファイルサーバ210、表示端末装置22
0、これらを接続するネットワーク230からなる。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a conventional semiconductor memory failure analysis display system. In FIG. 2, the semiconductor memory failure analysis display system includes a memory failure analysis apparatus 200, a probe test apparatus 240, and a probe test apparatus 2.
Database 25 of test result data output from 40
A file server 210 storing 0, a display terminal device 22
0, a network 230 connecting them.

【0003】メモリ不良解析装置200は、半導体ウェ
ハ上に完成された半導体メモリのプロ−ビング試験結果
データを取り込む機能201と、その試験結果データか
ら不良情報の切り出しを行う機能202と、メモリセル
の不良情報を表示プログラムに従って2次元のアドレス
情報に変換してフェイルビットマップの画像ファイルを
作成する機能203と、この画像ファイルを表示させる
ための表示制御命令を文字ファイルとして作成する機能
204を有する。
The memory failure analysis apparatus 200 has a function 201 of taking in probing test result data of a semiconductor memory completed on a semiconductor wafer, a function 202 of cutting out failure information from the test result data, and a function of memory cell. It has a function 203 of converting defect information into two-dimensional address information according to a display program to create a fail bitmap image file, and a function 204 of creating a display control command for displaying this image file as a character file.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体メモリ不良解析表示システムでは、ウェハを
試験するプローブ試験のみを対象としており、バーイン
検査後に単体チップを試験するチップ検査を実施するこ
とができないため、単体チップの不良解析を行うことが
できない。
However, in the above-mentioned conventional semiconductor memory failure analysis display system, only the probe test for testing the wafer is targeted, and the chip inspection for testing the single chip after the burn-in inspection cannot be carried out. Therefore, failure analysis of a single chip cannot be performed.

【0005】さらに、使用する試験装置やメモリテスト
回路に応じて試験方法が異なることで試験結果データの
表現が異なるため、試験装置ごとあるいは試験方法ごと
に不良解析装置を準備しなければならず、今後増加が予
想される多種多様な試験装置に対応するために工数が増
大する恐れがある。
Further, the representation of the test result data differs depending on the test method and the memory test circuit used, and therefore the failure analysis apparatus must be prepared for each test apparatus or each test method. There is a risk that the number of man-hours will increase in order to support a wide variety of test equipment that is expected to increase in the future.

【0006】さらに、全ビットが不良であるような試験
結果データは、コンタクト不良や他のファンクションの
不良が原因であるにも拘らず、不良解析においてデータ
として収集され解析されてしまうので、不良発生の傾向
を示すべきデータが不明瞭になり、的確な判断を妨げる
ことになる。また、このような不良データを含めてデー
タベースに蓄積していくと、サンプル数の増加ととも
に、データベースの容量を浪費してしまうという問題が
ある。
Further, the test result data in which all the bits are defective is collected and analyzed as data in the defect analysis despite the cause of the contact failure or the failure of other functions, so that the failure occurs. The data that should show the tendency of will become unclear and hinder accurate judgment. Further, if such defective data is stored in the database, there is a problem that the capacity of the database is wasted as the number of samples increases.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するため
になされたもので、ウェハを試験するプローブ試験のみ
ならず、単体チップを試験するチップ試験も対象にする
ことができる半導体メモリ不良解析表示システムを提供
することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and can be applied not only to a probe test for testing a wafer but also to a chip test for testing a single chip. The purpose is to provide a system.

【0008】さらに、本発明は試験装置あるいは試験方
法に依存して形式が異なる試験結果データを統一する方
法を提供することも目的とする。さらに、本発明は全ビ
ットが不良であるような試験結果データをデータベース
から除外する方法を提供することも目的とする。
Another object of the present invention is to provide a method for unifying test result data of different formats depending on the test apparatus or test method. A further object of the present invention is to provide a method for excluding test result data in which all bits are defective from the database.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の請求項1に係る半導体メモリ不良解析表示
システムは、少なくとも1つの半導体メモリ試験装置、
半導体メモリ不良解析装置(メモリ不良解析装置10
0)、試験結果ファイル装置(ファイルサーバ110)
および表示装置(表示端末装置120)を有する半導体
メモリ不良解析表示システムであって、前記半導体メモ
リ試験装置は、ウェハレベルで試験を行うプローブ試験
(プローブ試験装置140)とチップレベルで試験を行
うチップ試験(チップ試験装置150)とが選択可能で
あり、前記半導体メモリ不良解析装置は、前記半導体メ
モリ試験装置により選択された試験および選択した試験
を実施する半導体メモリ試験装置を認識する機能(10
1)と、前記半導体メモリ試験装置からの試験結果デー
タを取り込む機能(102)と、前記試験結果データか
ら不良情報の切り出しを行う機能(104)と、前記不
良情報を編集して前記表示装置に表示するための表示情
報を作成する機能(106)とを備える。
In order to solve this problem, a semiconductor memory failure analysis display system according to claim 1 of the present invention comprises at least one semiconductor memory test device,
Semiconductor memory failure analysis apparatus (memory failure analysis apparatus 10
0), test result file device (file server 110)
A semiconductor memory failure analysis display system having a display device (display terminal device 120), the semiconductor memory test device including a probe test (probe test device 140) for performing a test at a wafer level and a chip for performing a test at a chip level. A test (chip test apparatus 150) can be selected, and the semiconductor memory failure analysis apparatus recognizes the test selected by the semiconductor memory test apparatus and the semiconductor memory test apparatus that executes the selected test (10
1), a function (102) for taking in the test result data from the semiconductor memory test device, a function (104) for cutting out defect information from the test result data, and a function for editing the defect information to the display device. And a function (106) for creating display information for display.

【0010】上記構成によれば、ウェハを試験するプロ
ーブ試験と単体チップを試験するチップ試験が選択可能
であるため、ウェハのみならず単体チップを対象とした
試験が実施できる。また、選択された試験あるいは試験
を選択した半導体メモリ試験装置を認識する機能を備え
ているため、使用する半導体メモリ試験装置に応じて、
かつ実施する試験がウェハレベルであるかチップレベル
であるかに応じて、適切に試験結果データを処理してフ
ェイルビットマップを作成し、これを表示することによ
り不良傾向を効率良く判断することができる。
According to the above configuration, the probe test for testing the wafer and the chip test for testing the single chip can be selected, so that the test can be performed not only on the wafer but also on the single chip. Also, since it has a function of recognizing the selected test or the semiconductor memory test device that selected the test, depending on the semiconductor memory test device used,
In addition, depending on whether the test to be performed is at the wafer level or the chip level, the test result data is appropriately processed to create a fail bit map, and by displaying this, the failure tendency can be efficiently judged. it can.

【0011】本発明の請求項2に係る半導体メモリ不良
解析表示システムは、請求項1記載の半導体メモリ不良
解析表示システムにおいて、前記半導体メモリ不良解析
装置は、半導体メモリ試験装置が実施する試験方法を認
識する機能を備えるものである。
A semiconductor memory failure analysis display system according to a second aspect of the present invention is the semiconductor memory failure analysis display system according to the first aspect, wherein the semiconductor memory failure analysis apparatus uses a test method executed by a semiconductor memory test apparatus. It has a recognition function.

【0012】上記構成によれば、選択された試験あるい
は選択された半導体メモリ試験装置を認識する機能に加
えて、試験装置で使用されるプログラムやメモリテスト
回路によりさまざまに異なる試験方法を識別して認識す
る機能を備えていることにより、それぞれの試験装置や
試験方法により異なる形式で出力される試験結果データ
に対しても、それを的確に処理してフェイルビットマッ
プを作成することができる。
According to the above configuration, in addition to the function of recognizing the selected test or the selected semiconductor memory test device, various different test methods can be identified by the program and the memory test circuit used in the test device. By providing the recognition function, it is possible to appropriately process the test result data output in different formats depending on the respective test devices and test methods to create the fail bit map.

【0013】本発明の請求項3に係る半導体メモリ不良
解析表示システムは、請求項1または2記載の半導体メ
モリ不良解析表示システムにおいて、前記半導体メモリ
不良解析装置は、半導体メモリ試験装置が出力する選択
された試験に固有な形式の試験結果データを統一形式の
データに変換するフィルタプログラムを搭載するもので
ある。
The semiconductor memory failure analysis display system according to claim 3 of the present invention is the semiconductor memory failure analysis display system according to claim 1 or 2, wherein the semiconductor memory failure analysis device is selected by the semiconductor memory test device. It is equipped with a filter program that converts test result data in a format unique to the conducted test into data in a unified format.

【0014】上記構成によれば、それぞれの試験装置や
試験方法により異なる形式で出力される試験結果データ
をフィルタプログラムにより統一形式のデータに変換す
ることができるため、その後の処理を統一することがで
き、試験装置や試験方法ごとに不良解析手段を用意する
ことが不要になる。
According to the above configuration, the test result data output in different formats by the respective test devices and test methods can be converted into the unified format data by the filter program, so that the subsequent processing can be unified. Therefore, it is not necessary to prepare a failure analysis means for each test device or test method.

【0015】本発明の請求項4に係る半導体メモリ不良
解析表示システムは、請求項1から3のいずれか1項記
載の半導体メモリ不良解析表示システムにおいて、前記
半導体メモリ不良解析装置は、試験結果データから特定
の不良原因によるデータを判定し分離する機能を備える
ものである。
A semiconductor memory failure analysis display system according to claim 4 of the present invention is the semiconductor memory failure analysis display system according to any one of claims 1 to 3, wherein the semiconductor memory failure analysis device is provided with test result data. It has a function of determining and separating data due to a specific cause of failure from.

【0016】上記構成によれば、試験結果データから、
コンタクト不良、リーク不良、メモリ以外のファンクシ
ョン不良等による特定の不良原因によるデータを判定し
分離することにより、全ビットが不良であるような試験
結果データを試験結果のデータベースから除外すること
ができるため、不良解析において的確な判断を妨げるデ
ータを除外し、データベース容量の不必要な増加を防ぐ
ことができる。
According to the above configuration, from the test result data,
By determining and separating data caused by a specific failure cause such as contact failure, leak failure, function failure other than memory, etc., test result data in which all bits are defective can be excluded from the test result database. In addition, data that hinders accurate judgment in failure analysis can be excluded to prevent an unnecessary increase in database capacity.

【0017】本発明の請求項5に係る半導体メモリ不良
解析表示システムは、請求項1から4のいずれか1項記
載の半導体メモリ不良解析表示システムにおいて、半導
体メモリ試験装置、半導体メモリ不良解析装置、試験結
果ファイル装置および表示装置が無線通信ネットワーク
で接続されるものである。
A semiconductor memory failure analysis display system according to claim 5 of the present invention is the semiconductor memory failure analysis display system according to any one of claims 1 to 4, wherein a semiconductor memory test device, a semiconductor memory failure analysis device, The test result file device and the display device are connected by a wireless communication network.

【0018】上記構成によれば、システムを無線通信ネ
ットワークで構成することにより、半導体メモリ試験装
置の頻繁な選択の変更や、多数の利用者への対応が容易
になり、半導体メモリ不良解析表示システムの使い勝手
をさらに向上させることができる。
According to the above configuration, by configuring the system by the wireless communication network, it becomes easy to frequently change the selection of the semiconductor memory test device and deal with a large number of users, and the semiconductor memory failure analysis display system. The usability of can be further improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形
態に係る半導体メモリ不良解析表示システムの構成を示
す図である。図1において、半導体メモリ不良解析表示
システムは、メモリ不良解析装置100、半導体ウェハ
170上の半導体メモリを試験するプローブ試験装置1
40、単体チップ180上の半導体メモリを試験するチ
ップ試験装置150、プローブ試験装置140またはチ
ップ試験装置150から出力される試験結果データのデ
ータベース160を格納するファイルサーバ110、表
示端末装置120、これらを接続するネットワーク13
0からなる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a semiconductor memory failure analysis display system according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a semiconductor memory failure analysis display system includes a memory failure analysis apparatus 100 and a probe test apparatus 1 for testing a semiconductor memory on a semiconductor wafer 170.
40, a chip test device 150 for testing a semiconductor memory on a single chip 180, a probe test device 140 or a file server 110 for storing a database 160 of test result data output from the chip test device 150, a display terminal device 120, Network 13 to connect
It consists of zero.

【0020】メモリ不良解析装置100は、選択された
半導体メモリ試験装置がプローブ試験装置であるかまた
はチップ試験装置であるか、さらに実施する試験方法を
認識する機能101、半導体メモリ試験装置140によ
る試験結果データを取り込む機能102、試験結果デー
タから特定の不良原因によるデータを判定し分離する機
能103、試験結果データから不良情報の切り出しを行
う機能104、メモリセルの不良情報を表示プログラム
に従って2次元のアドレス情報に変換してフェイルビッ
トマップの画像ファイルを作成する機能105、この画
像ファイルを表示させるための表示制御命令を文字ファ
イルとして作成する機能106を備えている。
The memory failure analysis device 100 has a function 101 for recognizing whether the selected semiconductor memory test device is a probe test device or a chip test device and a test method to be executed, and a test by the semiconductor memory test device 140. A function 102 for fetching result data, a function 103 for determining and separating data due to a specific failure cause from the test result data, a function 104 for cutting out failure information from the test result data, and a two-dimensional display of failure information of memory cells according to a display program. It has a function 105 of converting the address information into a fail bit map image file and a function 106 of creating a display control command for displaying the image file as a character file.

【0021】さらに、メモリ不良解析装置100は、プ
ローブ試験装置またはチップ試験装置が出力するそれぞ
れの試験に固有な形式の試験結果データを、統一形式の
データに変換するフィルタプログラムを搭載している。
Further, the memory failure analysis apparatus 100 is equipped with a filter program for converting the test result data in a format unique to each test output from the probe test apparatus or the chip test apparatus into unified format data.

【0022】以上のように構成された半導体メモリ不良
解析表示システムの動作を、以下に説明する。例えばチ
ップ試験が選択されると、チップ試験装置150におい
て単体チップ180上の半導体メモリのチップ試験が行
われ、出力される試験結果データはファイルサーバ11
0上の試験結果データベース160に格納される。
The operation of the semiconductor memory failure analysis display system configured as above will be described below. For example, when the chip test is selected, the chip test apparatus 150 performs the chip test of the semiconductor memory on the single chip 180, and the output test result data is the file server 11.
0 is stored in the test result database 160.

【0023】同様に、プローブ試験が選択されると、プ
ローブ試験装置140において半導体ウェハ170上の
半導体メモリのプローブ試験が行われ、出力される試験
結果データはファイルサーバ110上の試験結果データ
ベース160に格納される。
Similarly, when the probe test is selected, the probe test apparatus 140 performs the probe test of the semiconductor memory on the semiconductor wafer 170, and the output test result data is stored in the test result database 160 on the file server 110. Is stored.

【0024】メモリ不良解析装置100では、機能10
1によりプローブ試験装置またはチップ試験装置のいず
れが選択されたかを認識し、機能102により試験結果
データを取り込み、機能103により特定の不良原因に
よるデータの判定と分離を行う。
In the memory failure analysis device 100, the function 10
It is recognized by 1 whether the probe test apparatus or the chip test apparatus is selected, the test result data is fetched by the function 102, and the data is judged and separated by the function 103 due to a specific cause of failure.

【0025】機能103は、全ビットが不良であるよう
な試験結果データを不良解析における的確な判断を妨げ
るものとして除外するための機能であり、コンタクト不
良、リーク不良、メモリ以外のファンクション不良等に
よる試験結果データの不良原因を判定し、これらのデー
タを試験結果のデータベースから除外する。こうするこ
とで、データベース容量の不必要な増加を防ぐことがで
きる。
The function 103 is a function for excluding test result data in which all bits are defective as a factor that interferes with an accurate judgment in the failure analysis, and is caused by a contact failure, a leak failure, a function failure other than the memory, or the like. The cause of failure of the test result data is determined and these data are excluded from the test result database. By doing so, it is possible to prevent an unnecessary increase in the database capacity.

【0026】次に、機能104により試験結果データか
ら不良情報の切り出しを行う。その際に、機能101に
より認識された試験装置および試験方法の選択情報に基
づき、プローブ試験装置またはチップ試験装置が出力す
るそれぞれの試験に固有な形式の試験結果データをフィ
ルタプログラムにより統一形式のデータに変換する。
Next, the function 104 cuts out defect information from the test result data. At that time, based on the selection information of the test apparatus and the test method recognized by the function 101, the test result data in the format unique to each test output by the probe test apparatus or the chip test apparatus is unified by the filter program. Convert to.

【0027】機能101による試験方法の認識において
は、選択された試験装置で使用されるプログラムを解析
し使用されるメモリテスト回路等を判断するので、出力
される固有形式の試験結果データを正しく把握すること
ができる。これにより、使用する試験装置やメモリテス
ト回路により異なる形式で出力される試験結果データに
対しても、それを統一形式のデータに変換することがで
きる。
In the recognition of the test method by the function 101, the program used in the selected test device is analyzed to determine the memory test circuit to be used, so that the output test result data in the proper format is correctly grasped. can do. As a result, even test result data output in different formats depending on the test apparatus and the memory test circuit used can be converted into unified format data.

【0028】以上の処理により統一形式のデータに変換
された試験結果データについて、機能105によりメモ
リセルの不良情報を2次元のアドレス情報に変換してフ
ェイルビットマップの画像ファイルを作成し、機能10
6によりこれを表示させるための表示制御ファイルを作
成する。
With respect to the test result data converted into the unified format data by the above processing, the function 105 converts the defect information of the memory cell into the two-dimensional address information to create the fail bit map image file.
6 creates a display control file for displaying this.

【0029】このようにして、本実施の形態によれば、
半導体ウェハを試験するプローブ試験のみならず、単体
チップを試験するチップ試験も対象にすることができ、
ウェハレベル、チップレベルを問わず、また使用する半
導体メモリ試験装置の機種やメモリテスト回路によら
ず、半導体メモリ不良解析を行うことができる。
In this way, according to the present embodiment,
Not only the probe test for testing a semiconductor wafer but also the chip test for testing a single chip can be targeted.
The semiconductor memory failure analysis can be performed regardless of the wafer level or the chip level, and regardless of the model of the semiconductor memory test apparatus or the memory test circuit used.

【0030】なお、図1の実施の形態では、半導体メモ
リ試験装置は、半導体ウェハ上の半導体メモリを試験す
るプローブ試験装置と単体チップ上の半導体メモリを試
験するチップ試験装置とが選択可能に構成されている
が、これに代えて、ウェハを試験するプローブ試験と単
体チップを試験するチップ試験とを選択することが可能
な単一の半導体メモリ試験装置を用いても、上述した実
施の形態と同等の半導体メモリ不良解析表示システムを
構成することができる。
In the embodiment of FIG. 1, the semiconductor memory test apparatus is configured so that a probe test apparatus for testing a semiconductor memory on a semiconductor wafer and a chip test apparatus for testing a semiconductor memory on a single chip can be selected. However, instead of this, even if a single semiconductor memory test apparatus capable of selecting a probe test for testing a wafer and a chip test for testing a single chip is used, An equivalent semiconductor memory failure analysis display system can be configured.

【0031】上記説明した半導体メモリ不良解析表示シ
ステムの使い勝手をさらに向上させるために、システム
を構成する装置を接続するネットワークとして、無線通
信ネットワークを使用することができる。各装置に無線
通信可能なインターフェイス回路を搭載し、無線通信ネ
ットワークシステムを構成することにより、半導体メモ
リ試験装置の頻繁な選択の変更や、多数の利用者への対
応が容易になる。
In order to further improve the usability of the semiconductor memory failure analysis display system described above, a wireless communication network can be used as a network for connecting the devices constituting the system. By mounting an interface circuit capable of wireless communication on each device and configuring a wireless communication network system, it becomes easy to frequently change the semiconductor memory test device selection and deal with a large number of users.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体メモリ不良解析において、ウェハレベルでのプロ
ーブ試験とチップレベルでのチップ試験が選択可能であ
るため、ウェハのみならず単体チップを対象とした試験
を実施することができ、また、使用する半導体メモリ試
験装置や試験方法に応じて試験結果データを処理してフ
ェイルビットマップを作成することで、不良傾向を効率
良く判断することができ、半導体メモリの不良解析を短
時間で行うことが可能となるという優れた効果を得るこ
とができる。
As described above, according to the present invention,
In the semiconductor memory failure analysis, the probe test at the wafer level and the chip test at the chip level can be selected, so that not only the wafer but also the single chip can be tested. By processing the test result data according to the test device and the test method and creating the fail bit map, the failure tendency can be efficiently judged, and the failure analysis of the semiconductor memory can be performed in a short time. That is an excellent effect.

【0033】さらに本発明によれば、それぞれの試験装
置や試験方法により異なる形式で出力される試験結果デ
ータをフィルタプログラムにより統一形式のデータに変
換することができるため、その後の処理を統一すること
ができ、それぞれに応じた不良解析手段を用意すること
が不要になるという優れた効果を得ることができる。
Furthermore, according to the present invention, the test result data output in different formats by the respective test devices and test methods can be converted into the uniform format data by the filter program, so that the subsequent processing is unified. Therefore, it is possible to obtain an excellent effect that it is not necessary to prepare a failure analysis means corresponding to each.

【0034】さらに本発明によれば、試験結果データか
ら、コンタクト不良、リーク不良、メモリ以外のファン
クション不良等による特定の不良原因によるデータを判
定し分離することにより、全ビットが不良であるような
試験結果データを試験結果のデータベースから除外する
ことができるため、不良解析において的確な判断を妨げ
るデータを除外し、データベース容量の不必要な増加を
防ぐという優れた効果を得ることができる。
Further, according to the present invention, all the bits are defective by judging and separating from the test result data the data due to a specific defective cause such as a contact defect, a leak defect, a function defect other than the memory, or the like. Since the test result data can be excluded from the database of test results, it is possible to obtain an excellent effect of preventing data that hinders accurate determination in failure analysis and preventing an unnecessary increase in database capacity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る半導体メモリ不良
解析表示システムの構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor memory failure analysis display system according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の半導体メモリ不良解析表示システムの構
成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor memory failure analysis display system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100、200 メモリ不良解析装置 101 選択された試験あるいは試験装置と試験方法と
を認識する機能 102、201 試験結果データを取り込む機能 103 試験結果データから特定不良原因によるデータ
を判定分離する機能 104、202 試験結果データから不良情報の切り出
しを行う機能 105、203 フェイルビットマップの画像ファイル
を作成する機能 106、204 表示制御ファイルを作成する機能 110、210 ファイルサーバ 120、220 表示端末装置 130、230 ネットワーク 140、240 プローブ試験装置 150 チップ試験装置 160、250 試験結果データベース 170 半導体ウェハ 180 単体チップ
100, 200 Memory failure analysis apparatus 101 Function for recognizing selected test or test apparatus and test method 102, 201 Function for fetching test result data 103 Function for judging and separating data due to specific failure cause from test result data Function 105 and 203 for cutting out defect information from test result data Function 106 and 204 for creating fail bitmap image file 110 and 210 Function for creating display control file 110 and 210 File server 120 and 220 Display terminal device 130 and 230 Network 140 , 240 Probe test device 150 Chip test device 160, 250 Test result database 170 Semiconductor wafer 180 Single chip

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも1つの半導体メモリ試験装
置、半導体メモリ不良解析装置、試験結果ファイル装置
および表示装置を有する半導体メモリ不良解析表示シス
テムであって、 前記半導体メモリ試験装置は、ウェハレベルで試験を行
うプローブ試験とチップレベルで試験を行うチップ試験
とが選択可能であり、 前記半導体メモリ不良解析装置は、前記半導体メモリ試
験装置により選択された試験および選択した試験を実施
する半導体メモリ試験装置を認識する機能と、 前記半導体メモリ試験装置からの試験結果データを取り
込む機能と、 前記試験結果データから不良情報の切り出しを行う機能
と、 前記不良情報を編集して前記表示装置に表示するための
表示情報を作成する機能と、を備えることを特徴とする
半導体メモリ不良解析表示システム。
1. A semiconductor memory failure analysis display system having at least one semiconductor memory test device, semiconductor memory failure analysis device, test result file device, and display device, wherein the semiconductor memory test device performs a test at a wafer level. A probe test to be performed and a chip test to perform a test at a chip level can be selected, and the semiconductor memory failure analysis device recognizes a test selected by the semiconductor memory test device and a semiconductor memory test device that performs the selected test. A function to capture test result data from the semiconductor memory test device, a function to cut out defect information from the test result data, and display information for editing the defect information and displaying it on the display device. And a function for creating a semiconductor memory defect analysis display characterized by having Stem.
【請求項2】 前記半導体メモリ不良解析装置は、前記
半導体メモリ試験装置が実施する試験方法を認識する機
能を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体メモ
リ不良解析表示システム。
2. The semiconductor memory failure analysis display system according to claim 1, wherein the semiconductor memory failure analysis apparatus has a function of recognizing a test method executed by the semiconductor memory test apparatus.
【請求項3】 前記半導体メモリ不良解析装置は、前記
半導体メモリ試験装置が出力する選択された試験に固有
な形式の試験結果データを、統一形式のデータに変換す
るフィルタプログラムを搭載することを特徴とする請求
項1または2記載の半導体メモリ不良解析表示システ
ム。
3. The semiconductor memory failure analysis device is equipped with a filter program for converting test result data in a format specific to the selected test output from the semiconductor memory test device into unified data. The semiconductor memory failure analysis display system according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記半導体メモリ不良解析装置は、前記
試験結果データから特定の不良原因によるデータを判定
し分離する機能を備えることを特徴とする請求項1から
3のいずれか1項記載の半導体メモリ不良解析表示シス
テム。
4. The semiconductor memory failure analysis apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor memory failure analysis apparatus has a function of determining and separating data due to a specific failure cause from the test result data. Memory failure analysis display system.
【請求項5】 前記半導体メモリ試験装置、前記半導体
メモリ不良解析装置、前記試験結果ファイル装置および
前記表示装置が無線通信ネットワークで接続されること
を特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の半導
体メモリ不良解析表示システム。
5. The semiconductor memory test device, the semiconductor memory failure analysis device, the test result file device, and the display device are connected by a wireless communication network. The semiconductor memory failure analysis display system described.
JP2002051613A 2002-02-27 2002-02-27 Semiconductor memory defect analysis display system Pending JP2003257198A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002051613A JP2003257198A (en) 2002-02-27 2002-02-27 Semiconductor memory defect analysis display system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002051613A JP2003257198A (en) 2002-02-27 2002-02-27 Semiconductor memory defect analysis display system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003257198A true JP2003257198A (en) 2003-09-12

Family

ID=28663542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002051613A Pending JP2003257198A (en) 2002-02-27 2002-02-27 Semiconductor memory defect analysis display system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003257198A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100399528C (en) * 2004-11-02 2008-07-02 力晶半导体股份有限公司 Wafer defect management method
JP7467284B2 (en) 2020-08-27 2024-04-15 キオクシア株式会社 A failure analysis system for a semiconductor device, a failure analysis method for a semiconductor device, and a program.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100399528C (en) * 2004-11-02 2008-07-02 力晶半导体股份有限公司 Wafer defect management method
JP7467284B2 (en) 2020-08-27 2024-04-15 キオクシア株式会社 A failure analysis system for a semiconductor device, a failure analysis method for a semiconductor device, and a program.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108549606A (en) interface test method and device
JP4774193B2 (en) Inspection system setup technology
CN110287696B (en) Detection method, device and equipment for rebound shell process
JPH113244A (en) Inspected result analysis device and method, and analysis program recording medium
JP3556509B2 (en) Defect analysis system and method
US10068786B1 (en) Data structures for semiconductor die packaging
JP4625432B2 (en) Operation part data creation device
JP2003257198A (en) Semiconductor memory defect analysis display system
CN110888036B (en) Test item determination method and device, storage medium and electronic equipment
JP3249040B2 (en) Scan test equipment
CN115913427A (en) Beidou module testing method, device, equipment and storage medium
MY129101A (en) Method and apparatus for testing a circuit
CN112235145B (en) Flow state detection method and device
CN113011139B (en) Conversion system and conversion method of wafer MAP
CN110399282A (en) A kind of test data of chip processing method, device and chip
JP3771074B2 (en) Semiconductor failure analysis system and method
CN111198774A (en) Unmanned vehicle simulation abnormity tracking method, device, equipment and computer readable medium
KR100583528B1 (en) System and method for managing information for defect in wafer
JP2000353746A (en) Method and device for disposing signal-observing electrode
JPH04283046A (en) Working sequence control system
CN115543712A (en) Automatic detection method and device for equipment configuration information, electronic equipment and medium
CN113778770A (en) Detection method and system for hard disk chip
JP2006013348A (en) Method for evaluating electric characteristic test items of semiconductor wafers and its system
CN117714317A (en) Data acquisition method, device, equipment and storage medium
CN117741391A (en) ATE test engineering conversion method and device, ATE test equipment and storage medium