JP2003247057A - Deposition-preventive plate, and thin film deposition apparatus - Google Patents

Deposition-preventive plate, and thin film deposition apparatus

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JP2003247057A
JP2003247057A JP2002043965A JP2002043965A JP2003247057A JP 2003247057 A JP2003247057 A JP 2003247057A JP 2002043965 A JP2002043965 A JP 2002043965A JP 2002043965 A JP2002043965 A JP 2002043965A JP 2003247057 A JP2003247057 A JP 2003247057A
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JP
Japan
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plate
deposition
preventing
adhesion
deposit
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JP2002043965A
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Japanese (ja)
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Masao Shibazaki
誠男 芝崎
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition-preventive plate for a thin film deposition apparatus which prevents overheat and deposition of a deposit. <P>SOLUTION: A heat radiation plate is formed by affixing a carbon graphite plate 2 to a side opposite to a deposition surface of deposits of a deposition- preventive plate 1 formed of a stainless steel plate, an aluminum plate or a titanium plate. An aperture is formed at the position corresponding to a wafer in the deposition-preventive plate and the heat radiation plate. The deposit preventive plate is attachably/detachably fitted to the inside of a vacuum tank. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は防着治具および薄膜
形成装置に関し、特に、堆積物の防着を目的とした防着
板治具に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition preventive jig and a thin film forming apparatus, and is particularly suitable for application to a deposition preventive plate jig for the purpose of preventing deposits.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の薄膜形成装置では、チャンバ内側
壁に堆積物が付着することを防止するため、チャンバ内
側壁に防着板治具を装着するものがある。
2. Description of the Related Art In a conventional thin film forming apparatus, in order to prevent deposits from adhering to the inner wall of a chamber, there is a device in which a deposition preventive plate jig is mounted on the inner wall of the chamber.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
防着板治具では、単にステンレス板などが防着板として
用いられることがあり、放熱構造が考慮されていないが
ために、薄膜形成時に防着板が過熱することがあった。
このため、防着板が過熱した時に、防着板が歪んだり、
変形したりして、防着板に堆積した堆積物が脱落するこ
とがあり、パーティクルの発生原因となるという問題が
あった。
However, in the conventional adhesion-preventing plate jig, a stainless plate or the like may be simply used as the adhesion-preventing plate, and the heat radiation structure is not taken into consideration. Occasionally the dressing board overheated.
For this reason, when the deposition prevention plate overheats, the deposition prevention plate is distorted,
There is a problem that the deposits deposited on the deposition-inhibitory plate may fall off due to deformation or the like, which may cause generation of particles.

【0004】そこで、本発明の目的は、防着治具の過熱
を防止することが可能な防着治具および薄膜形成装置を
提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a deposition preventing jig and a thin film forming apparatus capable of preventing the deposition preventing jig from overheating.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1記載の防着治具によれば、堆積物を付
着させる防着板と、前記堆積物の付着面の反対面に設け
られた放熱板とを備えることを特徴とする。これによ
り、薄膜形成装置のチャンバ内壁に防着治具を装着する
だけで、防着板に溜まった熱を効率よく逃がすことが可
能となり、防着板の過熱を防止することが可能となる。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the adhesion-preventing jig according to claim 1, an adhesion-preventing plate for adhering deposits and a surface opposite to the deposit-adhering surface. And a heat dissipation plate provided in. As a result, it is possible to efficiently dissipate the heat accumulated in the deposition preventive plate and prevent the deposition preventive plate from overheating simply by mounting the deposition preventive jig on the inner wall of the chamber of the thin film forming apparatus.

【0006】このため、防着板の歪みや変形を抑制し
て、防着板に付着した堆積物の脱落を抑制することが可
能となり、チャンバ内でのパーティクルの発生を抑制す
ることが可能となることから、薄膜形成を精度良く行な
うことが可能となる。また、請求項2記載の防着治具に
よれば、堆積物を付着させる防着板と、前記防着板の間
に挟み込まれた放熱板とを備えることを特徴とする。
Therefore, it is possible to suppress the distortion and deformation of the deposition-inhibitory plate, to prevent the deposits attached to the deposition-inhibitory plate from falling off, and to suppress the generation of particles in the chamber. Therefore, the thin film can be formed with high accuracy. According to another aspect of the present invention, there is provided an adhesion-preventing jig, which is provided with an adhesion-preventing plate to which deposits are attached, and a heat dissipation plate sandwiched between the adhesion-preventing plates.

【0007】これにより、薄膜形成装置のチャンバ内壁
に防着治具を装着するだけで、防着板に蓄熱することを
防止して、放熱板の過熱を防止することが可能となる。
このため、防着板の歪みや変形を抑制して、防着板に付
着した堆積物がパーティクル発生の原因となることを抑
制することが可能となることから、薄膜形成を精度良く
行なうことが可能となる。
As a result, it is possible to prevent heat accumulation in the deposition preventive plate and prevent overheating of the heat dissipation plate simply by mounting the deposition preventive jig on the inner wall of the chamber of the thin film forming apparatus.
For this reason, it is possible to suppress distortion and deformation of the deposition-inhibitory plate and to prevent deposits adhering to the deposition-inhibitory plate from causing particles to be generated, so that thin film formation can be performed accurately. It will be possible.

【0008】また、請求項3記載の防着治具によれば、
前記放熱板は、前記防着板よりも熱容量の大きいことを
特徴とする。これにより、防着板で発生した熱を放熱板
に溜めることが可能となり、放熱板を防着板に貼り合わ
せるだけで、防着板の過熱を防止することが可能とな
る。また、請求項4記載の防着治具によれば、前記防着
板は、ステンレス板、アルミナ板またはチタン板である
ことを特徴とする。
According to the deposition preventive jig of the third aspect,
The heat radiation plate has a larger heat capacity than the deposition plate. This makes it possible to store the heat generated in the deposition preventive plate in the heat dissipation plate, and it is possible to prevent the deposition preventive plate from overheating simply by attaching the heat dissipation plate to the deposition preventive plate. Further, according to the adhesion-preventing jig described in claim 4, the adhesion-preventing plate is a stainless plate, an alumina plate, or a titanium plate.

【0009】これにより、防着治具の軽量化を図りつ
つ、防着治具の強度を向上させて、防着治具の歪みや変
形を抑制することが可能となるとともに、防着治具の脱
着を容易に行なうことが可能となる。また、請求項5記
載の防着治具によれば、前記放熱板は、カーボングラフ
ァイト板であることを特徴とする。
As a result, it is possible to improve the strength of the deposition-inhibiting jig and suppress the distortion and deformation of the deposition-inhibiting jig while reducing the weight of the deposition-inhibiting jig, and at the same time, to prevent the deposition-inhibiting jig from being deformed. It is possible to easily attach and detach. Further, according to the adhesion preventing jig of the fifth aspect, the heat dissipation plate is a carbon graphite plate.

【0010】これにより、チャンバ内の汚染を防止しつ
つ、防着板に溜まった熱を効率よく逃がすことが可能と
なるとともに、防着治具の重量の増加を抑制して、防着
治具の脱着時の負担を抑制することが可能となる。ま
た、請求項6記載の防着治具によれば、前記防着板およ
び放熱板には、前記堆積物を堆積させるウェハに対応し
た開口部が設けられていることを特徴とする。
This makes it possible to efficiently dissipate the heat accumulated in the deposition-inhibitory plate while preventing contamination in the chamber, and to suppress an increase in the weight of the deposition-inhibition jig, It is possible to suppress the load at the time of attaching and detaching. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an adhesion-preventing jig, wherein the adhesion-preventing plate and the heat dissipation plate are provided with openings corresponding to wafers on which the deposits are deposited.

【0011】これにより、防着板を介してウェハに堆積
物を堆積させることが可能となり、防着効果を容易に向
上させることが可能となる。また、請求項7記載の薄膜
形成装置によれば、処理対象を載置するチャンバと、前
記処理対象上に堆積物を堆積させる堆積手段と、前記堆
積物の付着面と反対面に放熱板が設けられ、前記チャン
バ内壁面に脱着可能な状態で装着された防着板とを備え
ることを特徴とする。
As a result, it becomes possible to deposit the deposit on the wafer through the deposition-inhibitory plate, and it is possible to easily improve the deposition-inhibition effect. Further, according to the thin film forming apparatus of claim 7, a chamber on which the processing target is placed, a deposition means for depositing a deposit on the processing target, and a heat radiating plate on a surface opposite to the deposition surface of the deposit. And a deposition preventing plate attached to the inner wall surface of the chamber in a detachable state.

【0012】これにより、チャンバ内壁面に防着治具を
取り付けるだけで、防着治具の過熱を防止しつつ、チャ
ンバ内壁面に堆積物が付着することを防止することが可
能となり、パーティクルの発生を抑制して、薄膜形成を
精度良く行なうことができる。また、請求項8記載の薄
膜形成装置によれば、前記堆積手段は、スパッタ、CV
D、蒸着またはエピタキシャル成長であることを特徴と
する。
As a result, it is possible to prevent deposits from adhering to the inner wall surface of the chamber by preventing the overheating of the inner wall surface of the chamber by simply attaching the deposition tool to the inner wall surface of the chamber. The generation of the thin film can be suppressed with high precision. Further, according to the thin film forming apparatus of claim 8, the depositing means is a sputtering device, a CV device.
D, vapor deposition or epitaxial growth.

【0013】これにより、パーティクルの発生を抑制し
つつ、薄膜形成を精度良く行なうことができる。
This makes it possible to accurately form a thin film while suppressing the generation of particles.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る防
着治具および薄膜形成装置について、図面を参照しなが
ら説明する。図1(a)は、本発明の第1実施形態に係
る防着治具の構成を示す斜視図、図1(b)は、本発明
の第1実施形態に係る防着治具の構成を示す断面図であ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an adhesion-preventing jig and a thin film forming apparatus according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a perspective view showing the structure of an adhesion-preventing jig according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows the structure of the adhesion-preventing jig according to the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing shown.

【0015】図1において、防着板1には、堆積物の付
着面の反対面を介して、カーボングラファイト板2が貼
り合わされている。ここで、防着板1としては、例え
ば、SUS304、SUS316などのステンレス板、
アルミナ板またはチタン板、あるいは石英板などを用い
ることができる。
In FIG. 1, a carbon graphite plate 2 is attached to an adhesion-preventing plate 1 via the surface opposite to the surface to which the deposits are attached. Here, as the adhesion-preventing plate 1, for example, a stainless plate such as SUS304 or SUS316,
An alumina plate, a titanium plate, a quartz plate, or the like can be used.

【0016】また、カーボングラファイト板2を防着板
1に貼り合わせる方法としては、接着材を用いて貼り合
わせてもよく、ネジ止めにより貼り合わせるようにして
もよい。また、貼り合わせ面を楔形に加工して、この楔
形を嵌め合わせることにより、カーボングラファイト板
2と防着板1とを貼り合わせるようにしてもよい。そし
て、薄膜形成を行なう場合、カーボングラファイト板2
が貼り合わされた防着板1をチャンバ内に装着する。
As a method of attaching the carbon graphite plate 2 to the adhesion-preventing plate 1, it may be attached using an adhesive or may be attached by screwing. Alternatively, the bonding surface may be processed into a wedge shape and the wedge shapes may be fitted together to bond the carbon graphite plate 2 and the deposition-preventing plate 1. When forming a thin film, the carbon graphite plate 2
The attachment-preventing plate 1 to which is adhered is mounted in the chamber.

【0017】これにより、薄膜形成時に、防着板1で発
生した熱をカーボングラファイト板2に効率よく逃がす
ことが可能となり、防着板1の過熱を防止しつつ、チャ
ンバ内壁面に堆積物が付着することを防止することが可
能となることから、パーティクルの発生を抑制して、薄
膜形成を精度良く行なうことができる。図2(a)は、
本発明の第2実施形態に係る防着治具の構成を示す斜視
図、図2(b)は、本発明の第2実施形態に係る防着治
具の構成を示す断面図である。
As a result, it is possible to efficiently dissipate the heat generated in the deposition preventive plate 1 to the carbon graphite plate 2 during the formation of the thin film, preventing the deposition preventive plate 1 from overheating and deposits on the inner wall surface of the chamber. Since it is possible to prevent the adherence, it is possible to suppress the generation of particles and perform the thin film formation with high accuracy. Figure 2 (a) shows
FIG. 2B is a perspective view showing the structure of an adhesion-preventing jig according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a sectional view showing the structure of the adhesion-preventing jig according to the second embodiment of the present invention.

【0018】図2において、防着板11には、堆積物の
付着面と反対面を介して、カーボングラファイト板12
が貼り合わされるとともに、防着板11およびカーボン
グラファイト板12には、薄膜が形成されるウェハに対
応した開口部13が形成されている。ここで、防着板1
1としては、例えば、SUS304、SUS316など
のステンレス板、アルミナ板またはチタン板、あるいは
石英板などを用いることができる。
In FIG. 2, the carbon-graphite plate 12 is attached to the adhesion-preventing plate 11 via the surface opposite to the surface on which the deposits are attached.
Are bonded to each other, and an opening 13 corresponding to a wafer on which a thin film is formed is formed in the adhesion-preventing plate 11 and the carbon graphite plate 12. Here, the protective plate 1
As 1, a stainless plate such as SUS304 or SUS316, an alumina plate or a titanium plate, or a quartz plate can be used.

【0019】そして、ウェハに薄膜形成を行なう場合、
ウェハが開口部13の位置に対応するように、防着板1
1をチャンバ内に装着する。これにより、防着板11で
発生した熱をカーボングラファイト板12に効率よく逃
がすことが可能となり、防着板11の過熱を防止しつ
つ、防着効果を向上させることが可能となる。
When a thin film is formed on the wafer,
The anti-adhesion plate 1 so that the wafer corresponds to the position of the opening 13.
Place 1 in the chamber. This makes it possible to efficiently dissipate the heat generated by the deposition-inhibiting plate 11 to the carbon graphite plate 12, and prevent the deposition-inhibiting plate 11 from overheating and improve the deposition-inhibiting effect.

【0020】図3(a)は、本発明の第3実施形態に係
る防着治具の構成を示す斜視図、図3(b)は、本発明
の第3実施形態に係る防着治具の構成を示す断面図であ
る。図3において、防着板21、23に間に、カーボン
グラファイト板22が挟み込まれている。ここで、防着
板21、23としては、例えば、SUS304、SUS
316などのステンレス板、アルミナ板またはチタン
板、あるいは石英板などを用いることができる。
FIG. 3 (a) is a perspective view showing the structure of an adhesion-preventing jig according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 3 (b) is an adhesion-preventing jig according to the third embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of FIG. In FIG. 3, the carbon graphite plate 22 is sandwiched between the deposition preventing plates 21 and 23. Here, as the adhesion-preventing plates 21 and 23, for example, SUS304, SUS
A stainless plate such as 316, an alumina plate or a titanium plate, or a quartz plate can be used.

【0021】そして、薄膜形成を行なう場合、カーボン
グラファイト板22が挟み込まれた防着板21、23を
チャンバ内に装着する。これにより、防着板21、23
で発生した熱をカーボングラファイト板22に逃して、
防着板21、23の過熱を防止することが可能となり、
パーティクルの発生を抑制して、薄膜形成を精度良く行
なうことができる。
When forming a thin film, the deposition preventive plates 21 and 23 in which the carbon graphite plate 22 is sandwiched are mounted in the chamber. As a result, the deposition preventing plates 21, 23
The heat generated in 2 is released to the carbon graphite plate 22,
It becomes possible to prevent the deposition preventive plates 21 and 23 from overheating,
The generation of particles can be suppressed and the thin film can be formed with high accuracy.

【0022】図4は、本発明の一実施形態に係る防着治
具が装着された薄膜形成装置の構成を示す断面図であ
る。図4において、チャンバ51には、チャンバ51内
にArガスを導入するための導入口51aおよびチャン
バ51内を真空引きするための排気口51bが設けられ
るとともに、ウェハWを載置する載置台52およびター
ゲットTGをマイナス電位に設定する陰極53が設けら
れ、さらに、ターゲットTG上に磁界を発生させるマグ
ネットMG1〜MG3が設けられている。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of a thin film forming apparatus equipped with the deposition-inhibiting jig according to one embodiment of the present invention. 4, the chamber 51 is provided with an inlet 51a for introducing Ar gas into the chamber 51 and an exhaust port 51b for evacuating the chamber 51, and a mounting table 52 for mounting the wafer W thereon. Also, a cathode 53 for setting the target TG to a negative potential is provided, and further, magnets MG1 to MG3 for generating a magnetic field are provided on the target TG.

【0023】また、チャンバ51内には、カーボングラ
ファイト板2a〜2c、12が貼り合わせられた防着板
1a〜1c、11が装着されている。ここで、この防着
板1a〜1c、11をチャンバ51内に装着する方法と
しては、チャンバ51内に防着板1a〜1c、11を挿
入するためのレールを設け、このレールを介し防着板1
a〜1c、11をチャンバ51内に嵌め込むことができ
る。
Further, inside the chamber 51, there are attached deposition-inhibiting plates 1a to 1c and 11 to which carbon graphite plates 2a to 2c and 12 are bonded. Here, as a method of mounting the deposition-prevention plates 1a to 1c, 11 in the chamber 51, a rail for inserting the deposition-prevention plates 1a to 1c, 11 is provided in the chamber 51, and the deposition-prevention plates are inserted through the rails. Board 1
The a to 1c and 11 can be fitted into the chamber 51.

【0024】そして、ウェハW上に堆積物を堆積する場
合、チャンバ51内を真空引きし、チャンバ51内のA
rガスを導入する。そして、陰極53にマイナス電位を
印加するとともに、ウェハW側にプラス電位を印加す
る。すると、ウェハWとターゲットTG間の高電界によ
り、Arガスがプラズマ化し、Arイオンが発生する。
そして、このArイオンが、陰極53のマイナス電位に
引かれてターゲットTGに衝突し、ターゲットTGから
原子を叩き出す。
When depositing a deposit on the wafer W, the chamber 51 is evacuated to A
Introduce r gas. Then, a negative potential is applied to the cathode 53 and a positive potential is applied to the wafer W side. Then, the high electric field between the wafer W and the target TG turns Ar gas into plasma, and Ar ions are generated.
Then, the Ar ions are attracted to the negative potential of the cathode 53, collide with the target TG, and knock out atoms from the target TG.

【0025】そして、防着板11およびカーボングラフ
ァイト板12に設けられた開口部13を介し、ターゲッ
トTGから叩き出された原子がウェハW上に付着し、ウ
ェハW上に堆積物を形成することができる。ここで、タ
ーゲットTGから叩き出された原子の一部はウェハWか
らそれて、チャンバ51内壁面に向かうが、チャンバ5
1内壁面には、防着板1a〜1c、11が装着されてい
るので、チャンバ51内壁面に堆積物が堆積することを
防止することができる。
Then, the atoms knocked out from the target TG adhere to the wafer W through the openings 13 provided in the deposition preventive plate 11 and the carbon graphite plate 12 to form a deposit on the wafer W. You can Here, some of the atoms knocked out from the target TG deviate from the wafer W toward the inner wall surface of the chamber 51.
Since the deposition preventing plates 1a to 1c and 11 are mounted on the inner wall surface of the chamber 1, it is possible to prevent deposits from being deposited on the inner wall surface of the chamber 51.

【0026】そして、防着板1a〜1c、11の裏面に
は、カーボングラファイト板2a〜2c、12が設けら
れ、防着板1a〜1c、11に溜まった熱をカーボング
ラファイト板2a〜2c、12に効率よく逃すことがで
きる。このため、防着板1a〜1c、11の過熱を防止
して、防着板1a〜1c、11の歪みや変形を抑制する
ことが可能となり、防着板1a〜1c、11に付着した
堆積物の脱落を抑制することが可能となることから、チ
ャンバ51内でのパーティクルの発生を抑制することが
でき、薄膜形成を精度良く行なうことが可能となる。
Then, carbon graphite plates 2a to 2c and 12 are provided on the back surfaces of the deposition plates 1a to 1c and 11 so that the heat accumulated in the deposition plates 1a to 1c and 11 can be transferred to the carbon graphite plates 2a to 2c. 12 can be missed efficiently. For this reason, it becomes possible to prevent overheating of the deposition-inhibitory plates 1a to 1c, 11 and suppress distortion and deformation of the deposition-inhibition plates 1a to 1c, 11, and to prevent the deposition adhered to the deposition-inhibition plates 1a to 1c, 11. Since it is possible to suppress the falling of the object, it is possible to suppress the generation of particles in the chamber 51, and it is possible to accurately perform the thin film formation.

【0027】なお、図4の実施形態では、防着治具が装
着された薄膜形成装置としてスパッタ装置を例にとって
説明したが、スパッタ装置以外にも、CVD装置、蒸着
装置またはエピタキシャル成長装置などに適用するよう
にしてもよい。また、上述した実施形態では、ステンレ
ス板などの裏面にカーボングラファイト板を貼り付ける
方法について説明したが、例えば、Al系溶射用防着板
の裏面にカーボングラファイト板を貼り付けるようにし
てもよい。
In the embodiment shown in FIG. 4, a sputtering apparatus has been described as an example of a thin film forming apparatus equipped with a deposition-preventing jig, but the present invention can be applied to a CVD apparatus, a vapor deposition apparatus, an epitaxial growth apparatus, etc. in addition to the sputtering apparatus. You may do it. Further, in the above-described embodiment, the method of attaching the carbon graphite plate to the back surface of the stainless steel plate or the like has been described, but for example, the carbon graphite plate may be attached to the back surface of the Al-based thermal spraying protection plate.

【0028】また、上述した実施形態では、防着板1、
11、1a〜1cに貼り付ける放熱板として、カーボン
グラファイト板2、2a〜2cを例にとって説明した
が、カーボングラファイト板2、2a〜2cに限定され
ることなく、防着板1、11、1a〜1cよりも熱容量
の大きい材質ならば何でもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the deposition-preventing plate 1,
Although the carbon graphite plates 2, 2a to 2c have been described as examples of the heat dissipation plates to be attached to the electrodes 11, 1a to 1c, the heat dissipation plates are not limited to the carbon graphite plates 2, 2a to 2c, and the deposition preventing plates 1, 11, 1a are not limited thereto. Any material may be used as long as it has a heat capacity larger than ~ 1c.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
防着板に放熱板を設けることにより、防着板の過熱を防
止して、防着板の歪みや変形を抑制することが可能とな
り、パーティクルの発生を抑制することが可能となるこ
とから、薄膜形成を精度良く行なうことが可能となる。
As described above, according to the present invention,
By providing a heat dissipation plate to the deposition preventive plate, it is possible to prevent overheating of the deposition preventive plate, it is possible to suppress distortion and deformation of the deposition preventive plate, it is possible to suppress the generation of particles, The thin film can be formed with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る
防着治具の構成を示す斜視図、図1(b)は、本発明の
第1実施形態に係る防着治具の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 1 (a) is a perspective view showing a structure of an adhesion-preventing jig according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 (b) is an anti-adhesion cure according to the first embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the structure of a tool.

【図2】 図2(a)は、本発明の第2実施形態に係る
防着治具の構成を示す斜視図、図2(b)は、本発明の
第2実施形態に係る防着治具の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 2 (a) is a perspective view showing the structure of an attachment-preventing jig according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 2 (b) is an attachment-preventing treatment according to the second embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the structure of a tool.

【図3】 図3(a)は、本発明の第3実施形態に係る
防着治具の構成を示す斜視図、図3(b)は、本発明の
第3実施形態に係る防着治具の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 3 (a) is a perspective view showing a structure of an adhesion-preventing jig according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 3 (b) is an anti-adhesion cure according to the third embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the structure of a tool.

【図4】 本発明の一実施形態に係る防着治具が装着さ
れた薄膜形成装置の構成を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a thin film forming apparatus equipped with an adhesion-preventing jig according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11、21、23、1a〜1c 防着板 2、12、22、2a〜2c カーボングラファイト板 13 開口部 51 チャンバ 51a 導入口 51b 排気口 52 載置台 53 陰極 TG ターゲット W ウェハ MG1〜MG3 マグネット 1, 11, 21, 23, 1a-1c Anti-stick plate 2, 12, 22, 2a to 2c Carbon graphite plate 13 openings 51 chambers 51a inlet 51b exhaust port 52 table 53 cathode TG target W wafer MG1 to MG3 Magnet

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 堆積物を付着させる防着板と、 前記堆積物の付着面の反対面に設けられた放熱板とを備
えることを特徴とする防着治具。
1. An adhesion-preventing jig, comprising: an adhesion-preventing plate for adhering a deposit, and a heat-dissipating plate provided on a surface opposite to the surface where the deposit is adhered.
【請求項2】 堆積物を付着させる防着板と、 前記防着板の間に挟み込まれた放熱板とを備えることを
特徴とする防着治具。
2. An adhesion-preventing jig comprising: an adhesion-preventing plate to which a deposit is attached, and a heat-radiating plate sandwiched between the adhesion-preventing plates.
【請求項3】 前記放熱板は、前記防着板よりも熱容量
の大きいことを特徴とする請求項1または2記載の防着
治具。
3. The adhesion preventing jig according to claim 1, wherein the heat dissipation plate has a larger heat capacity than the adhesion preventing plate.
【請求項4】 前記防着板は、ステンレス板、アルミナ
板またはチタン板であることを特徴とする請求項1〜3
のいずれか1項記載の防着治具。
4. The deposition preventing plate is a stainless plate, an alumina plate or a titanium plate.
The deposition preventive jig according to any one of 1.
【請求項5】 前記放熱板は、カーボングラファイト板
であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記
載の防着治具。
5. The deposition preventive jig according to claim 1, wherein the heat dissipation plate is a carbon graphite plate.
【請求項6】 前記防着板および放熱板には、前記堆積
物を堆積させるウェハに対応した開口部が設けられてい
ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の
防着治具。
6. The protection board according to claim 1, wherein the deposition prevention plate and the heat radiation plate are provided with an opening corresponding to a wafer on which the deposit is deposited. Wearing jig.
【請求項7】 処理対象を載置するチャンバと、 前記処理対象上に堆積物を堆積させる堆積手段と、 前記堆積物の付着面と反対面に放熱板が設けられ、前記
チャンバ内壁面に脱着可能な状態で装着された防着板と
を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
7. A chamber for mounting a processing target, a deposition means for depositing a deposit on the processing target, and a heat radiating plate provided on a surface opposite to a surface on which the deposit is attached, and the chamber is attached to and detached from the inner wall surface of the chamber. A thin film forming apparatus comprising: a deposition preventive plate mounted in a possible state.
【請求項8】 前記堆積手段は、スパッタ、CVD、蒸
着またはエピタキシャル成長であることを特徴とする請
求項7記載の薄膜形成装置。
8. The thin film forming apparatus according to claim 7, wherein the depositing means is sputtering, CVD, vapor deposition, or epitaxial growth.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009133563A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Taisei Laminator Co Ltd Refrigerator
US8876236B2 (en) 2011-09-30 2014-11-04 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Liquid jetting apparatus
JP2015065010A (en) * 2013-09-25 2015-04-09 日新イオン機器株式会社 Deposition preventive support member and plasma source including the same
US9957608B2 (en) 2011-02-11 2018-05-01 Spts Technologies Limited Composite shielding

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009133563A (en) * 2007-11-30 2009-06-18 Taisei Laminator Co Ltd Refrigerator
US9957608B2 (en) 2011-02-11 2018-05-01 Spts Technologies Limited Composite shielding
US8876236B2 (en) 2011-09-30 2014-11-04 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Liquid jetting apparatus
JP2015065010A (en) * 2013-09-25 2015-04-09 日新イオン機器株式会社 Deposition preventive support member and plasma source including the same

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