JP2003246774A - 新規なスルホニウム塩化合物、その製造方法およびその用途 - Google Patents
新規なスルホニウム塩化合物、その製造方法およびその用途Info
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- JP2003246774A JP2003246774A JP2002361803A JP2002361803A JP2003246774A JP 2003246774 A JP2003246774 A JP 2003246774A JP 2002361803 A JP2002361803 A JP 2002361803A JP 2002361803 A JP2002361803 A JP 2002361803A JP 2003246774 A JP2003246774 A JP 2003246774A
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- naphthoylmethyltetramethylenesulfonium
- camphorsulfonate
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- naphthoylmethyltetramethylene
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光照射により発生するアニオン由来の酸性物
質により、周辺環境が汚染されたり悪影響を被ることが
ないような、2−ナフトイルメチルテトラメチレンスル
ホニウム塩、並びにその製造方法を提供する。 【解決手段】 光酸発生剤として有用な、式(1)の2
−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンフ
ァースルホネート、並びに、2−ナフトイルメチルテト
ラメチレンスルホニウムブロマイドをカンファースルホ
ン酸アンモニウムと塩交換する上記化合物の製造方法。 【化1】
質により、周辺環境が汚染されたり悪影響を被ることが
ないような、2−ナフトイルメチルテトラメチレンスル
ホニウム塩、並びにその製造方法を提供する。 【解決手段】 光酸発生剤として有用な、式(1)の2
−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンフ
ァースルホネート、並びに、2−ナフトイルメチルテト
ラメチレンスルホニウムブロマイドをカンファースルホ
ン酸アンモニウムと塩交換する上記化合物の製造方法。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光酸発生剤として
使用される可能性を有する新規なスルホニウム塩化合物
に関し、光画像形成(フォトレジスト、印刷版等)、光
硬化、光接着等の分野での使用に期待される新規なスル
ホニウム塩化合物に関する。
使用される可能性を有する新規なスルホニウム塩化合物
に関し、光画像形成(フォトレジスト、印刷版等)、光
硬化、光接着等の分野での使用に期待される新規なスル
ホニウム塩化合物に関する。
【0002】
【従来の技術】光照射により酸を発生する化合物(以
下、光酸発生剤という)として、2−ナフトイルメチル
テトラメチレンスルホニウム塩タイプのものがあり、こ
のタイプのアニオンとしては、Br-、CF3SO3 -、S
bF6 -、BF4 -等の種々のアニオンが知られている(例
えば、特許文献1〜6および非特許文献1参照)。
下、光酸発生剤という)として、2−ナフトイルメチル
テトラメチレンスルホニウム塩タイプのものがあり、こ
のタイプのアニオンとしては、Br-、CF3SO3 -、S
bF6 -、BF4 -等の種々のアニオンが知られている(例
えば、特許文献1〜6および非特許文献1参照)。
【0003】このタイプの光酸発生剤は、光照射により
分解してアニオン由来の酸性物質を発生し、この酸性物
質が種々の感光材料(フォトポリマー材料)の反応に寄
与する。この反応を促進させるために加熱される(12
0〜200℃程度)ことが一般的である。
分解してアニオン由来の酸性物質を発生し、この酸性物
質が種々の感光材料(フォトポリマー材料)の反応に寄
与する。この反応を促進させるために加熱される(12
0〜200℃程度)ことが一般的である。
【0004】しかし、アニオンが上記のようなBr-、
CF3SO3 -、SbF6 -、BF4 -であると、発生する酸
性物質は反応性が非常に高すぎるため、加熱により揮発
したこれらの酸性物質が、周辺環境を汚染したり悪影響
を与えるという懸念がある。
CF3SO3 -、SbF6 -、BF4 -であると、発生する酸
性物質は反応性が非常に高すぎるため、加熱により揮発
したこれらの酸性物質が、周辺環境を汚染したり悪影響
を与えるという懸念がある。
【0005】
【特許文献1】特開2000−292917号公報(第
9欄の化10)
9欄の化10)
【特許文献2】特開平9−243870号公報(第8欄
25−26行目)
25−26行目)
【特許文献3】特開平11−80314号公報(第9
頁)
頁)
【特許文献4】特開平3−154059号公報(第8頁
左上欄)
左上欄)
【特許文献5】特許第3046574号公報(第27欄
の化19)
の化19)
【特許文献6】特許第3177173号公報(第11頁
の図8)
の図8)
【非特許文献1】「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス」(Jap.J.Appl.
Phys.)、1990年、第29巻、No.11、
p.2632−2637
アプライド・フィジックス」(Jap.J.Appl.
Phys.)、1990年、第29巻、No.11、
p.2632−2637
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点を
解決しようとするものであり、その目的は、光照射によ
り発生するアニオン由来の酸性物質により、周辺環境が
汚染されたり悪影響を被ることがない、光酸発生剤とし
て有用な2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニ
ウム塩を提供すること、並びにその製造方法を提供する
ことにある。
解決しようとするものであり、その目的は、光照射によ
り発生するアニオン由来の酸性物質により、周辺環境が
汚染されたり悪影響を被ることがない、光酸発生剤とし
て有用な2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニ
ウム塩を提供すること、並びにその製造方法を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
達成するために、光酸発生剤として設計するに当たり、
2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウム塩タ
イプのアニオンについて種々検討し、アニオンをカンフ
ァースルホン酸アニオンとすることにより、光照射によ
り発生する酸性物質の反応性が適度に抑えられ、よっ
て、周辺環境の汚染や悪影響を抑制できることを見出
し、本発明を完成するに至った。アニオンがカンファー
スルホン酸アニオンである、2−ナフトイルメチルテト
ラメチレンスルホニウムカンファースルホネートは、現
在まで知られてない全く新規な化合物である。
達成するために、光酸発生剤として設計するに当たり、
2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウム塩タ
イプのアニオンについて種々検討し、アニオンをカンフ
ァースルホン酸アニオンとすることにより、光照射によ
り発生する酸性物質の反応性が適度に抑えられ、よっ
て、周辺環境の汚染や悪影響を抑制できることを見出
し、本発明を完成するに至った。アニオンがカンファー
スルホン酸アニオンである、2−ナフトイルメチルテト
ラメチレンスルホニウムカンファースルホネートは、現
在まで知られてない全く新規な化合物である。
【0008】即ち、本発明は、式(1)の2−ナフトイ
ルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファースルホ
ネートである。
ルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファースルホ
ネートである。
【0009】
【化4】
【0010】また、本発明は、2−ナフトイルメチルテ
トラメチレンスルホニウムブロマイドをカンファースル
ホン酸アンモニウムと塩交換する、上記式(1)の2−
ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファ
ースルホネートの製造方法である。
トラメチレンスルホニウムブロマイドをカンファースル
ホン酸アンモニウムと塩交換する、上記式(1)の2−
ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファ
ースルホネートの製造方法である。
【0011】さらに、本発明は、上記式(1)の2−ナ
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファー
スルホネートである光酸発生剤である。
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファー
スルホネートである光酸発生剤である。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
上記式(1)の2−ナフトイルメチルテトラメチレンス
ルホニウムカンファースルホネートにおいて、アニオン
部分のカンファースルホン酸アニオンは不斉炭素原子を
有するが、本発明では、dl体、d体、l体のいずれも
が上記化合物中に包含される。
上記式(1)の2−ナフトイルメチルテトラメチレンス
ルホニウムカンファースルホネートにおいて、アニオン
部分のカンファースルホン酸アニオンは不斉炭素原子を
有するが、本発明では、dl体、d体、l体のいずれも
が上記化合物中に包含される。
【0013】2−ナフトイルメチルテトラメチレンスル
ホニウムカンファースルホネートは、2−ナフトイルメ
チルテトラメチレンスルホニウムブロマイドをカンファ
ースルホン酸アンモニウムと塩交換することにより製造
される。
ホニウムカンファースルホネートは、2−ナフトイルメ
チルテトラメチレンスルホニウムブロマイドをカンファ
ースルホン酸アンモニウムと塩交換することにより製造
される。
【0014】出発原料となる2−ナフトイルメチルテト
ラメチレンスルホニウムブロマイドとカンファースルホ
ン酸アンモニウムは共に公知化合物であり、市販のもの
が使用される。なお、カンファースルホン酸アンモニウ
ムは水溶液の形態で使用するのが簡便である。
ラメチレンスルホニウムブロマイドとカンファースルホ
ン酸アンモニウムは共に公知化合物であり、市販のもの
が使用される。なお、カンファースルホン酸アンモニウ
ムは水溶液の形態で使用するのが簡便である。
【0015】上記原料化合物の使用割合は、2−ナフト
イルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイド1モ
ルに対し、カンファースルホン酸アンモニウムは、好ま
しくは1.0〜1.5モルの範囲、より好ましくは1.
1モルである。
イルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイド1モ
ルに対し、カンファースルホン酸アンモニウムは、好ま
しくは1.0〜1.5モルの範囲、より好ましくは1.
1モルである。
【0016】塩交換反応は、溶媒の存在下、2−ナフト
イルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイドにカ
ンファースルホン酸アンモニウム水溶液を添加するか、
カンファースルホン酸アンモニウム水溶液に2−ナフト
イルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイドを添
加するか、あるいはこれらを同時に添加することにより
行われ得るが、本発明ではいずれであってもよい。
イルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイドにカ
ンファースルホン酸アンモニウム水溶液を添加するか、
カンファースルホン酸アンモニウム水溶液に2−ナフト
イルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイドを添
加するか、あるいはこれらを同時に添加することにより
行われ得るが、本発明ではいずれであってもよい。
【0017】塩交換反応で使用される溶媒としては、水
と、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン系;メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
系等の有機溶媒とが併用される。2−ナフトイルメチル
テトラメチレンスルホニウムブロマイドの溶解性を考慮
すると、有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホ
ルム等のハロゲン系溶媒が好適である。
と、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン系;メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
系等の有機溶媒とが併用される。2−ナフトイルメチル
テトラメチレンスルホニウムブロマイドの溶解性を考慮
すると、有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホ
ルム等のハロゲン系溶媒が好適である。
【0018】2−ナフトイルメチルテトラメチレンスル
ホニウムブロマイドと水とハロゲン系溶媒の使用割合
は、重量比で、2−ナフトイルメチルテトラメチレンス
ルホニウムブロマイド:水:ハロゲン系溶媒が、好まし
くは1:3〜4:10〜20の範囲、より好ましくは
1:3:10である。なお、上記割合中には、カンファ
ースルホン酸アンモニウム水溶液中の水も含まれる。
ホニウムブロマイドと水とハロゲン系溶媒の使用割合
は、重量比で、2−ナフトイルメチルテトラメチレンス
ルホニウムブロマイド:水:ハロゲン系溶媒が、好まし
くは1:3〜4:10〜20の範囲、より好ましくは
1:3:10である。なお、上記割合中には、カンファ
ースルホン酸アンモニウム水溶液中の水も含まれる。
【0019】塩交換における反応温度は、好ましくは0
〜30℃の範囲内であり、より好ましくは生成物である
2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカン
ファースルホネートが分解しない0〜20℃である。
〜30℃の範囲内であり、より好ましくは生成物である
2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカン
ファースルホネートが分解しない0〜20℃である。
【0020】塩交換における反応時間は、反応温度にも
よるが、この反応は速やかに平衡状態に達するので、3
時間程度で充分である。
よるが、この反応は速やかに平衡状態に達するので、3
時間程度で充分である。
【0021】反応終了後の反応液には、未反応の2−ナ
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイド
がある程度残っている。塩交換を完全に行なう場合に
は、分液した後の有機層に、カンファースルホン酸アン
モニウムおよび水を添加して、再び塩交換反応を行な
う。この場合のカンファースルホン酸アンモニウムの添
加量は、好ましくは初回仕込量の0.1〜1.0倍量の
範囲、より好ましくは0.1〜0.2倍量である。ま
た、水の添加量は、重量で、好ましくは2−ナフトイル
メチルテトラメチレンスルホニウムブロマイドの初回仕
込み量の1〜4倍、より好ましくは2〜3倍である。塩
交換を完全に行なうには、上記の繰り返し操作を少なく
とも2回、好ましくは3回以上行う。
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムブロマイド
がある程度残っている。塩交換を完全に行なう場合に
は、分液した後の有機層に、カンファースルホン酸アン
モニウムおよび水を添加して、再び塩交換反応を行な
う。この場合のカンファースルホン酸アンモニウムの添
加量は、好ましくは初回仕込量の0.1〜1.0倍量の
範囲、より好ましくは0.1〜0.2倍量である。ま
た、水の添加量は、重量で、好ましくは2−ナフトイル
メチルテトラメチレンスルホニウムブロマイドの初回仕
込み量の1〜4倍、より好ましくは2〜3倍である。塩
交換を完全に行なうには、上記の繰り返し操作を少なく
とも2回、好ましくは3回以上行う。
【0022】反応終了後、生成物である2−ナフトイル
メチルテトラメチレンスルホニウムカンファースルホネ
ートの単離は、分液後、有機層を水で洗浄し、有機溶媒
を減圧留去し、得られた固形物をエタノールに溶解後、
酢酸エチルを加え、その溶解度差を利用して晶析し分離
することにより行われる。精製は、エタノール−酢酸エ
チルで再結晶することにより行われる。
メチルテトラメチレンスルホニウムカンファースルホネ
ートの単離は、分液後、有機層を水で洗浄し、有機溶媒
を減圧留去し、得られた固形物をエタノールに溶解後、
酢酸エチルを加え、その溶解度差を利用して晶析し分離
することにより行われる。精製は、エタノール−酢酸エ
チルで再結晶することにより行われる。
【0023】このようにして得られた新規な2−ナフト
イルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファースル
ホネートは、光酸発生剤としての機能を有する。このこ
とは、この化合物が2−ナフトイルメチルテトラメチレ
ンスルホニウム塩タイプであるので、光照射によりアニ
オン由来の酸性物質を発生する(参照:「イメージング
用有機材料」76頁、有機エレクトロニクス材料研究会
編)こと、並びにアニオンがカンファースルホン酸アニ
オンであるので、発生する酸性物質はカンファースルホ
ン酸であり、これはプロトン供与体であること、から明
らかである。
イルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファースル
ホネートは、光酸発生剤としての機能を有する。このこ
とは、この化合物が2−ナフトイルメチルテトラメチレ
ンスルホニウム塩タイプであるので、光照射によりアニ
オン由来の酸性物質を発生する(参照:「イメージング
用有機材料」76頁、有機エレクトロニクス材料研究会
編)こと、並びにアニオンがカンファースルホン酸アニ
オンであるので、発生する酸性物質はカンファースルホ
ン酸であり、これはプロトン供与体であること、から明
らかである。
【0024】上記化合物の照射に使用される光として
は、436nm以下の波長を有する光であり、好ましく
は、KrF(248nm)エキシマレーザー、ArF
(193nm)エキシマレーザー、F2(157nm)
エキシマレーザー等が例示される。
は、436nm以下の波長を有する光であり、好ましく
は、KrF(248nm)エキシマレーザー、ArF
(193nm)エキシマレーザー、F2(157nm)
エキシマレーザー等が例示される。
【0025】本発明の2−ナフトイルメチルテトラメチ
レンスルホニウムカンファースルホネートおいては、光
照射により発生するカンファースルホン酸は、プロトン
供与体としての反応性は有するものの、その反応性は、
トリフルオロメタンスルホン酸等の反応性が非常に高い
酸と比較して適度に抑えられており、また揮発性も高く
ないので、周辺環境を汚染したり悪影響を与えることも
殆どない。従って、光酸発生剤として非常に有用なもの
となり得る。
レンスルホニウムカンファースルホネートおいては、光
照射により発生するカンファースルホン酸は、プロトン
供与体としての反応性は有するものの、その反応性は、
トリフルオロメタンスルホン酸等の反応性が非常に高い
酸と比較して適度に抑えられており、また揮発性も高く
ないので、周辺環境を汚染したり悪影響を与えることも
殆どない。従って、光酸発生剤として非常に有用なもの
となり得る。
【0026】本発明の2−ナフトイルメチルテトラメチ
レンスルホニウムカンファースルホネートは、光酸発生
剤として、光画像形成(フォトレジスト、印刷版等)、
光硬化、光接着等の分野において、種々の感光材料(フ
ォトポリマー材料)に適用できる。また、本発明の2−
ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファ
ースルホネートは、ArF(193nm)光に対する吸
収が少なく光透過性に優れていることから、フォトレジ
スト用として特に好適であると期待できる。
レンスルホニウムカンファースルホネートは、光酸発生
剤として、光画像形成(フォトレジスト、印刷版等)、
光硬化、光接着等の分野において、種々の感光材料(フ
ォトポリマー材料)に適用できる。また、本発明の2−
ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファ
ースルホネートは、ArF(193nm)光に対する吸
収が少なく光透過性に優れていることから、フォトレジ
スト用として特に好適であると期待できる。
【0027】
【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに詳細に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0028】実施例1
反応容器(2L四つ口フラスコ)に、2−ナフトイルメ
チルテトラメチレンスルホニウムブロマイド100.0
g(0.30mol)、蒸留水100g、ジクロロメタ
ン1320g、カンファースルホン酸アンモニウム水溶
液(濃度:1.91×10-3mol/g)177.0g
(0.3mol)を仕込み、室温下3時間攪拌した。攪
拌後、静置し分液して水層を除去した。得られた有機層
を再度反応容器に仕込み、蒸留水200gとカンファー
スルホン酸アンモニウム水溶液(濃度:1.91×10
-3mol/g)52.0g(0.1mol)を加え3時
間攪拌した。攪拌後、静置し分液して水層を除去した。
この繰り返し操作を4回行なった。その後、分離した有
機層を200gの蒸留水で3回洗浄し、次いで、減圧濃
縮してジクロロメタンを除去した。得られた固形物12
6gにエタノール126gを加え溶解した後、攪拌下、
酢酸エチル1900gを加え、緩やかに晶析を行い、濾
過にて結晶を単離した。乾燥後、100.8gの2−ナ
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファー
スルホネートを得た。収率69.6%であった。
チルテトラメチレンスルホニウムブロマイド100.0
g(0.30mol)、蒸留水100g、ジクロロメタ
ン1320g、カンファースルホン酸アンモニウム水溶
液(濃度:1.91×10-3mol/g)177.0g
(0.3mol)を仕込み、室温下3時間攪拌した。攪
拌後、静置し分液して水層を除去した。得られた有機層
を再度反応容器に仕込み、蒸留水200gとカンファー
スルホン酸アンモニウム水溶液(濃度:1.91×10
-3mol/g)52.0g(0.1mol)を加え3時
間攪拌した。攪拌後、静置し分液して水層を除去した。
この繰り返し操作を4回行なった。その後、分離した有
機層を200gの蒸留水で3回洗浄し、次いで、減圧濃
縮してジクロロメタンを除去した。得られた固形物12
6gにエタノール126gを加え溶解した後、攪拌下、
酢酸エチル1900gを加え、緩やかに晶析を行い、濾
過にて結晶を単離した。乾燥後、100.8gの2−ナ
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファー
スルホネートを得た。収率69.6%であった。
【0029】1H−NMR(500MHz,CD3OD)
δppm:0.84(s,3H),1.12(s,3
H),1.33−1.39(m,1H),1.57−
1.64(m,1H),1.86(d,J=18.3H
z,1H),1.97−2.07(m,2H),2.2
9−2.42(m,3H),2.47−2.54(m,
2H),3.04(dd,J=274.0Hz,15.
0Hz,2H),3.33−3.36(m,1H),
3.65−3.70(m,2H),3.73−3.79
(m,2H),7.67−7.76(m,2H),8.
01−8.16(m,4H),8.74(s,1H)
δppm:0.84(s,3H),1.12(s,3
H),1.33−1.39(m,1H),1.57−
1.64(m,1H),1.86(d,J=18.3H
z,1H),1.97−2.07(m,2H),2.2
9−2.42(m,3H),2.47−2.54(m,
2H),3.04(dd,J=274.0Hz,15.
0Hz,2H),3.33−3.36(m,1H),
3.65−3.70(m,2H),3.73−3.79
(m,2H),7.67−7.76(m,2H),8.
01−8.16(m,4H),8.74(s,1H)
【0030】IR(KBr錠剤法) νmax(cm-1)
3464(w),2964(s),1744(s),1
680(s),1627(m),1472(m),14
12(m),1362(m),1319(m),126
1(s),1226(s),1130(m),1038
(s),856(m),825(m),746(m),
615(m),516(m),478(m)
680(s),1627(m),1472(m),14
12(m),1362(m),1319(m),126
1(s),1226(s),1130(m),1038
(s),856(m),825(m),746(m),
615(m),516(m),478(m)
【0031】
【0032】熱分析(DTA測定:5℃/minで昇
温) 吸熱ピーク 153.4℃ 吸熱ピーク 245.8℃(重量減少86%)
温) 吸熱ピーク 153.4℃ 吸熱ピーク 245.8℃(重量減少86%)
【0033】モル吸光係数(溶媒:アセトニトリル 測
定装置:島津UV−1600) 248nm:40400 193nm:11900
定装置:島津UV−1600) 248nm:40400 193nm:11900
【0034】カンファースルホン酸の熱分析(DTA測
定:10℃/minで昇温) 吸熱ピーク 198℃
定:10℃/minで昇温) 吸熱ピーク 198℃
【0035】<光酸発生率の測定>
1.NTSCのみの光分解実験
実施例1で得られた2−ナフトイルメチルテトラメチレ
ンスルホニウムカンファースルホネート(Mw:48
8.66 以下、NTSCともいう)約5.0mgを秤
量し(実測値5.08mg)、アセトニトリルを加えて
25mlにメスアップした(A液:5.08mg/25
ml)。このA液を1mlとり、アセトニトリルを加え
て20mlにメスアップした(B液:8.26×10-4
mol/L)。A液およびB液について、それぞれ、底
辺1cm×1cmのセルに3mlを入れて、吸光度(A
bs 上限2下限0)を測定し、この吸光度のピークト
ップが0.8〜1.5の範囲内となるサンプルを選定し
たところ、B液の吸光度が0.9961(254nm)
であった。このB液の時間毎の吸光度の変化を図1に、
254nmにおける吸光度を表1に示す。
ンスルホニウムカンファースルホネート(Mw:48
8.66 以下、NTSCともいう)約5.0mgを秤
量し(実測値5.08mg)、アセトニトリルを加えて
25mlにメスアップした(A液:5.08mg/25
ml)。このA液を1mlとり、アセトニトリルを加え
て20mlにメスアップした(B液:8.26×10-4
mol/L)。A液およびB液について、それぞれ、底
辺1cm×1cmのセルに3mlを入れて、吸光度(A
bs 上限2下限0)を測定し、この吸光度のピークト
ップが0.8〜1.5の範囲内となるサンプルを選定し
たところ、B液の吸光度が0.9961(254nm)
であった。このB液の時間毎の吸光度の変化を図1に、
254nmにおける吸光度を表1に示す。
【0036】
【表1】
【0037】254nmにおける吸光度より、照射時間
t(秒 横軸)における吸収エネルギーlo(1−10
-A)(縦軸)のグラフを作成した。ここで、Aは照射時
間t(秒)における吸光度、10-Aは透過率、loは光
源の照射エネルギーである。次いで、このグラフを用い
て、以下の式より、吸収エネルギーEAbs(mJ/c
m2)を求めた。
t(秒 横軸)における吸収エネルギーlo(1−10
-A)(縦軸)のグラフを作成した。ここで、Aは照射時
間t(秒)における吸光度、10-Aは透過率、loは光
源の照射エネルギーである。次いで、このグラフを用い
て、以下の式より、吸収エネルギーEAbs(mJ/c
m2)を求めた。
【0038】
【数1】
【0039】次いで、この吸収エネルギーEAbsを、2
54nmの波長の光子1molのエネルギー(mJ/m
ol)で割って、mol/cm2に換算した。なお、こ
こで求めたlo(1−10-A)、EAbs(mJ/cm2)
およびEAbs(mol/cm2)を表2に示す。
54nmの波長の光子1molのエネルギー(mJ/m
ol)で割って、mol/cm2に換算した。なお、こ
こで求めたlo(1−10-A)、EAbs(mJ/cm2)
およびEAbs(mol/cm2)を表2に示す。
【0040】2.NTSC+TBPBNaの光分解実験
酸発生量を同定する試薬である、以下の構造のテトラブ
ロモフェノールブルー・ナトリウム塩(Mw:100
7.58 以下、TBPBNaともいう)10.09m
gを秤量し、アセトニトリルを加えて20mlにメスア
ップした。次いでこの溶液を8mlとり、アセトニトリ
ルを加えて20mlにメスアップしてTBPBNa溶液
を調製した(5.04×10-4mol/l)。
ロモフェノールブルー・ナトリウム塩(Mw:100
7.58 以下、TBPBNaともいう)10.09m
gを秤量し、アセトニトリルを加えて20mlにメスア
ップした。次いでこの溶液を8mlとり、アセトニトリ
ルを加えて20mlにメスアップしてTBPBNa溶液
を調製した(5.04×10-4mol/l)。
【0041】
【化5】
【0042】セル(底辺1cm×1cm)に、上記のN
TSC溶液(B液)3mlを入れて、254nmの光を
3分、5分、8分、10分、15分照射した。次いで、
このセルに、上記で調製したTBPBNa溶液1mlを
加え、500〜700nmの範囲で時間毎の吸光度を変
化を測定した。その結果を図2に示す。また、618n
mにおける吸光度を表2に示す。618nmにおける吸
光度より、照射時間t(秒 横軸)における吸光度の減
少割合(1−At/A0)(縦軸)のグラフを作成した。
ここで、Atは照射時間t(秒)における吸光度、A0は
照射時間0(秒)における吸光度である。
TSC溶液(B液)3mlを入れて、254nmの光を
3分、5分、8分、10分、15分照射した。次いで、
このセルに、上記で調製したTBPBNa溶液1mlを
加え、500〜700nmの範囲で時間毎の吸光度を変
化を測定した。その結果を図2に示す。また、618n
mにおける吸光度を表2に示す。618nmにおける吸
光度より、照射時間t(秒 横軸)における吸光度の減
少割合(1−At/A0)(縦軸)のグラフを作成した。
ここで、Atは照射時間t(秒)における吸光度、A0は
照射時間0(秒)における吸光度である。
【0043】3.検量線の作成
TBPBNa溶液(アセトニトリル溶液 TBPBMN
a実濃度4.96×10-4mol/L)とp−トルエン
スルホン酸溶液(アセトニトリル溶液 濃度2×10-5
〜1×10-7mol/Lの範囲 1水和物を使用)を使
用して、618nmでの、p−トルエンスルホン酸濃度
([Acid] 横軸)における照射時間t(秒)の吸
光度の減少割合(1−At/A0)(縦軸)の検量線を予
め作成した。ここでも、Atは照射時間t(秒)におけ
る吸光度、A0は照射時間0(秒)における吸光度であ
る。
a実濃度4.96×10-4mol/L)とp−トルエン
スルホン酸溶液(アセトニトリル溶液 濃度2×10-5
〜1×10-7mol/Lの範囲 1水和物を使用)を使
用して、618nmでの、p−トルエンスルホン酸濃度
([Acid] 横軸)における照射時間t(秒)の吸
光度の減少割合(1−At/A0)(縦軸)の検量線を予
め作成した。ここでも、Atは照射時間t(秒)におけ
る吸光度、A0は照射時間0(秒)における吸光度であ
る。
【0044】4.酸発生率の算出
上記で求めたNTSC+TBPBNa溶液についての吸
光度の減少割合(1−At/A0)から、この検量線を用
いて[Acid]を求めた。この値は、NTSCから発
生した酸(カンファースルホン酸)の濃度を、間接的な
指標として、p−トルエンスルホン酸濃度に置き換えた
ものである。その値を表2に示す。
光度の減少割合(1−At/A0)から、この検量線を用
いて[Acid]を求めた。この値は、NTSCから発
生した酸(カンファースルホン酸)の濃度を、間接的な
指標として、p−トルエンスルホン酸濃度に置き換えた
ものである。その値を表2に示す。
【0045】
【表2】
【0046】EAbs(mol/cm2)を横軸に[Aci
d]を縦軸にグラフを作成し、初期の傾きを求めて1/
1000倍すると、酸発生率が求められる。NTSCの
酸発生率(Φ)は0.01であった。
d]を縦軸にグラフを作成し、初期の傾きを求めて1/
1000倍すると、酸発生率が求められる。NTSCの
酸発生率(Φ)は0.01であった。
【0047】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
新規な2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウ
ムカンファースルホネートは、光酸発生剤としての機能
を有し、かつ発生するカンファースルホン酸は反応性が
適度に抑えられ、また揮発性も高くないので、周辺環境
を汚染したり悪影響を与えることも殆どない。従って、
光酸発生剤として非常に有用なものとなり得、光画像形
成(フォトレジスト、印刷版等)、光硬化、光接着等の
分野での使用に期待できる。
新規な2−ナフトイルメチルテトラメチレンスルホニウ
ムカンファースルホネートは、光酸発生剤としての機能
を有し、かつ発生するカンファースルホン酸は反応性が
適度に抑えられ、また揮発性も高くないので、周辺環境
を汚染したり悪影響を与えることも殆どない。従って、
光酸発生剤として非常に有用なものとなり得、光画像形
成(フォトレジスト、印刷版等)、光硬化、光接着等の
分野での使用に期待できる。
【図1】NTSC溶液の時間毎の吸光度の変化を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図2】NTSC+TBPBNa溶液の時間毎の吸光度
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
フロントページの続き
(72)発明者 嶋口 徹
兵庫県高砂市曽根町2900番地 東洋化成工
業株式会社化成品研究所内
Fターム(参考) 4H006 AA01 AB40
Claims (3)
- 【請求項1】 式(1)の2−ナフトイルメチルテトラ
メチレンスルホニウムカンファースルホネート。 【化1】 - 【請求項2】 2−ナフトイルメチルテトラメチレンス
ルホニウムブロマイドをカンファースルホン酸アンモニ
ウムと塩交換することを特徴とする、式(1)の2−ナ
フトイルメチルテトラメチレンスルホニウムカンファー
スルホネートの製造方法。 【化2】 - 【請求項3】 式(1)の2−ナフトイルメチルテトラ
メチレンスルホニウムカンファースルホネートである光
酸発生剤。 【化3】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002361803A JP2003246774A (ja) | 2001-12-18 | 2002-12-13 | 新規なスルホニウム塩化合物、その製造方法およびその用途 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384290 | 2001-12-18 | ||
| JP2001-384290 | 2001-12-18 | ||
| JP2002361803A JP2003246774A (ja) | 2001-12-18 | 2002-12-13 | 新規なスルホニウム塩化合物、その製造方法およびその用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003246774A true JP2003246774A (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=28676809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002361803A Pending JP2003246774A (ja) | 2001-12-18 | 2002-12-13 | 新規なスルホニウム塩化合物、その製造方法およびその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003246774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101061485B1 (ko) | 2003-03-13 | 2011-09-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감자극성 화합물 및 그것을 함유하는 감자극성 조성물 |
| KR101064548B1 (ko) | 2003-09-05 | 2011-09-14 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감자극성 조성물 및 감자극성 조성물을 사용한 패턴형성방법 |
-
2002
- 2002-12-13 JP JP2002361803A patent/JP2003246774A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101061485B1 (ko) | 2003-03-13 | 2011-09-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감자극성 화합물 및 그것을 함유하는 감자극성 조성물 |
| KR101064548B1 (ko) | 2003-09-05 | 2011-09-14 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감자극성 조성물 및 감자극성 조성물을 사용한 패턴형성방법 |
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