JP2003243935A - High frequency oscillation circuit - Google Patents

High frequency oscillation circuit

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JP2003243935A
JP2003243935A JP2002039431A JP2002039431A JP2003243935A JP 2003243935 A JP2003243935 A JP 2003243935A JP 2002039431 A JP2002039431 A JP 2002039431A JP 2002039431 A JP2002039431 A JP 2002039431A JP 2003243935 A JP2003243935 A JP 2003243935A
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Japan
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transistor
circuit
frequency
harmonic
oscillation
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Japanese (ja)
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Takashi Masaka
孝 真坂
Susumu Ushida
進 牛田
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New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency oscillation circuit from which a harmonic component of a fundamental oscillation wave is extracted without the need for using a frequency multiplier circuit so as to reduce the current consumption and the chip area of an integrated circuit. <P>SOLUTION: In a Colpitts oscillation circuit employing first and second transistors 1, 2 for oscillation, capacitors C8, C9 acting like impedance elements are connected between base terminals of the first and second transistors, and the even-multiple harmonics with respect to the fundamental oscillation wave are extracted from an output terminal 14 placed to a connection midpoint 16 between the capacitors C8, C9. Further, collector terminals of the first and second transistors 1, 2 are connected together, a bias impedance element is connected between a power supply and a connection point of the collector terminals, and the output terminal may be placed to the connecting point of the collector terminals. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は高周波発振回路、特
に各種の通信機器に使用され、基本発振波の高調波成分
を取り出すための高周波発振回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency oscillating circuit, and more particularly to a high frequency oscillating circuit for use in various communication devices and for extracting a harmonic component of a fundamental oscillating wave.

【0002】[0002]

【従来の技術】高周波発振回路(器)は、例えば携帯電
話、TVチューナ等の通信機器に多く使用されており、
数メガヘルツ[MHz]〜数ギガヘルツ[GHz]の周
波数帯域の信号を発振、出力するため、基本発振波の高
調波成分を効率よく取り出すための工夫がなされてい
る。
2. Description of the Related Art High-frequency oscillator circuits are widely used in communication devices such as mobile phones and TV tuners.
Since a signal in a frequency band of several megahertz [MHz] to several gigahertz [GHz] is oscillated and output, a device for efficiently extracting the harmonic component of the fundamental oscillation wave has been made.

【0003】図3には、従来における高周波発振回路の
一つの構成例が示されており、この回路は平衡型電圧制
御コルピッツ発振回路10と周波数逓倍回路20からな
るものである。図において、コルピッツ発振回路10に
は、共振回路を形成する誘導性素子3及び分割コンデン
サC1,C2,C3が設けられ、この誘導性素子3として
は、例えばコイル、水晶振動子が用いられる。また、上
記共振回路の共振周波数を帰還増幅して発振させる発振
用の第1トランジスタ1及び第2トランジスタ2が配置
される。
FIG. 3 shows an example of the configuration of a conventional high-frequency oscillator circuit. This circuit comprises a balanced voltage-controlled Colpitts oscillator circuit 10 and a frequency multiplier circuit 20. In the figure, the Colpitts oscillator circuit 10 is provided with an inductive element 3 forming a resonance circuit and split capacitors C1, C2, C3. As the inductive element 3, for example, a coil or a crystal oscillator is used. Further, a first transistor 1 and a second transistor 2 for oscillation are arranged to feed back and oscillate the resonance frequency of the resonance circuit.

【0004】即ち、上記第1トランジスタ1では、その
ベース端子をDC阻止コンデンサC4と分割コンデンサ
C1の接続点に、エミツタ端子を分割コンデンサClと分
割コンデンサC2の接続点に、コレクタ端子を電源Vcc
に接続する。上記第2トランジスタ2では、そのベース
端子をDC阻止コンデンサC5と分割コンデンサC3の接
続点に、エミツタ端子を分割コンデンサC3と分割コン
デンサC2の接続点に、コレクタ端子を電源Vccに接続
する。
That is, in the first transistor 1, the base terminal thereof is connected to the DC blocking capacitor C4 and the dividing capacitor C1, the emitter terminal is connected to the dividing capacitor Cl and the dividing capacitor C2, and the collector terminal thereof is connected to the power source Vcc.
Connect to. In the second transistor 2, the base terminal is connected to the connection point of the DC blocking capacitor C5 and the dividing capacitor C3, the emitter terminal is connected to the connecting point of the dividing capacitor C3 and the dividing capacitor C2, and the collector terminal is connected to the power supply Vcc.

【0005】更に、制御電圧Vcで発振周波数を制御す
る電圧制御型可変容量ダイオード4,5、バイアス抵抗
R1〜R6、高周波阻止抵抗R7〜R10が配置される。即
ち、上記制御電圧Vcの入力端子は抵抗R9とR10の間
に接続され、上記電圧制御型可変容量ダイオード4は上
記抵抗R9と上記DC阻止コンデンサC4との間で誘導性
素子3の一端に、上記電圧制御型可変容量ダイオード5
は上記抵抗R10と上記DC阻止コンデンサC5との間で
誘導性素子3の他端に接続される。これにより、当該回
路は電圧制御型となり、電圧制御型可変容量ダイオード
4と5に対して逆方向電圧となる制御電圧Vcを与える
ことにより、発振周波数が制御される。
Further, voltage controlled variable capacitance diodes 4 and 5 for controlling the oscillation frequency by the control voltage Vc, bias resistors R1 to R6, and high frequency blocking resistors R7 to R10 are arranged. That is, the input terminal of the control voltage Vc is connected between the resistors R9 and R10, and the voltage controlled variable capacitance diode 4 is connected between the resistor R9 and the DC blocking capacitor C4 at one end of the inductive element 3. The voltage controlled variable capacitance diode 5
Is connected to the other end of the inductive element 3 between the resistor R10 and the DC blocking capacitor C5. As a result, the circuit becomes a voltage control type, and the oscillation frequency is controlled by applying the control voltage Vc which is a reverse voltage to the voltage control type variable capacitance diodes 4 and 5.

【0006】次に、周波数逓倍回路20は、上記コルピ
ッツ発振回路10の基本発振波の高調波成分を取り出す
ために設けられており、この回路20は、第3トランジ
スタ11と第4トランジスタ12を有する。即ち、第3
トランジスタ11は、そのベース端子がDC阻止コンデ
ンサC6及び信号取り出し用の抵抗R17を介して発振用
の上記第1トランジスタ1のベース端子に接続され、第
4トランジスタ12は、そのベース端子がDC阻止コン
デンサC7及び信号取り出し用の抵抗R18を介して発振
用の上記第2トランジスタ2のベース端子に接続され
る。そして、これら第3トランジスタ11と第4トラン
ジスタ12の両方のエミツタ端子が接続され、このエミ
ツタ端子間の中点13に出力端子14が接続される。な
お、図中の抵抗R11〜R16はバイアス抵抗として配置さ
れる。
Next, the frequency multiplication circuit 20 is provided to take out a harmonic component of the fundamental oscillation wave of the Colpitts oscillation circuit 10, and this circuit 20 has a third transistor 11 and a fourth transistor 12. . That is, the third
The base terminal of the transistor 11 is connected to the base terminal of the first transistor 1 for oscillation through the DC blocking capacitor C6 and the signal extracting resistor R17, and the fourth transistor 12 has a base terminal of the DC blocking capacitor. It is connected to the base terminal of the second transistor 2 for oscillation through C7 and the resistor R18 for extracting a signal. Then, the emitter terminals of both the third transistor 11 and the fourth transistor 12 are connected, and the output terminal 14 is connected to the midpoint 13 between the emitter terminals. The resistors R11 to R16 in the figure are arranged as bias resistors.

【0007】上記の構成によれば、コルピッツ発振回路
10から発振された基本周波数波が周波数逓倍回路20
へ供給され、この周波数逓倍回路20では、第3トラン
ジスタ11及び第4トランジスタ12の増幅作用に基づ
いて基本周波数の整数倍の高調波が形成されることにな
り、この高調波は出力端子14から取り出される。
According to the above configuration, the fundamental frequency wave oscillated from the Colpitts oscillator circuit 10 is multiplied by the frequency multiplier circuit 20.
Is supplied to the frequency multiplying circuit 20, a harmonic of an integral multiple of the fundamental frequency is formed based on the amplifying action of the third transistor 11 and the fourth transistor 12, and this harmonic is output from the output terminal 14. Taken out.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の高周波発振回路では、基本発振周波数の整数倍の高
調波成分を取り出すために周波数逓倍回路20が設けら
れており、この周波数逓倍回路20の存在によって消費
電流が増大すると共に、集積回路化した場合には集積回
路チップの面積が増大する等の問題があった。
However, in the above-mentioned conventional high frequency oscillation circuit, the frequency multiplication circuit 20 is provided in order to extract the harmonic component of an integral multiple of the fundamental oscillation frequency, and the existence of this frequency multiplication circuit 20. As a result, there is a problem that the current consumption increases and the area of the integrated circuit chip increases when integrated into a circuit.

【0009】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、周波数逓倍回路を用いることなく
基本発振波の高調波成分を取り出し、消費電流の削減及
び集積回路チップ面積の削減を図ることができる高周波
発振回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to extract a harmonic component of a fundamental oscillation wave without using a frequency multiplication circuit, thereby reducing current consumption and reducing an integrated circuit chip area. Another object of the present invention is to provide a high-frequency oscillator circuit capable of achieving the above.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1に係る高周波発振回路は、発振用
の第1トランジスタ及び第2トランジスタを用いて平衡
動作するコルピッツ発振回路を備え、このコルピッツ発
振回路に、インピーダンス素子を用いて基本波周波数の
偶数倍の高調波を取り出すための高調波抽出回路を設け
たことを特徴とする。請求項2に係る発明は、上記高調
波抽出回路として、上記第1トランジスタと第2トラン
ジスタのベース・ベース間に、基本波周波数の偶数倍の
高調波を取り出すためのインピーダンス素子を接続し、
このインピーダンス素子の中点に上記高調波の出力端子
を設けたことを特徴とする。請求項3に係る発明は、上
記高調波抽出回路として、上記第1トランジスタと第2
トランジスタのコレクタ同士を接続し、このコレクタ同
士の接続点と電源との間に、基本波周波数の偶数倍の高
調波を取り出すためのインピーダンス素子を接続し、上
記コレクタ同士の接続点に上記高調波の出力端子を設け
たことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a high frequency oscillation circuit according to a first aspect of the present invention is a Colpitts oscillation circuit which performs balanced operation using a first transistor and a second transistor for oscillation. This Colpitts oscillator circuit is provided with a harmonic extraction circuit for extracting a harmonic of an even multiple of the fundamental frequency by using an impedance element. In the invention according to claim 2, as the harmonic extraction circuit, an impedance element for extracting a harmonic of an even multiple of a fundamental frequency is connected between the base and the base of the first transistor and the second transistor,
It is characterized in that the harmonic output terminal is provided at the midpoint of the impedance element. According to a third aspect of the present invention, as the harmonic extraction circuit, the first transistor and the second transistor are provided.
Connect the collectors of the transistors to each other, and connect an impedance element between the collectors to the power source to extract even higher harmonics of the fundamental frequency. The output terminal of is provided.

【0011】上記請求項2の発明は、周波数逓倍回路を
用いて高調波を形成するという従来の考え方を改め、発
振用の第1トランジスタのベース端子と第2トランジス
タのベース端子の間にインピーダンス素子を挿入すれ
ば、その中点ではこれら第1及び第2のトランジスタに
よって発振する基本周波数波が互いに打ち消し合うが、
この基本周波数の偶数倍の高調波が現れることを確認し
たものである。従って、上記インピーダンス素子の中点
に出力端子を接続すれば、基本周波数の偶数倍の高調波
成分が効率よく取り出される。
According to the second aspect of the present invention, the conventional idea of forming a harmonic by using a frequency multiplier is amended, and an impedance element is provided between the base terminal of the oscillating first transistor and the base terminal of the second transistor. , The fundamental frequency waves oscillated by these first and second transistors cancel each other at the midpoint,
It was confirmed that even harmonics of this fundamental frequency appeared. Therefore, if the output terminal is connected to the midpoint of the impedance element, the even harmonic components of the fundamental frequency can be efficiently extracted.

【0012】上記請求項3の発明は、同様に、発振用の
第1トランジスタと第2トランジスタのコレクタ同士を
接続した場合、2つのコレクタ自体に存在する抵抗の中
点となるコレクタ同士の接続点に、第1及び第2のトラ
ンジスタによって発振する基本周波数波が互いに打ち消
し合うが、この基本周波数の偶数倍の高調波が現れるこ
とを確認したものである。また、このコレクタ同士の接
続点と電源Vccとの間にバイアス用のインピーダンス素
子を配置することにより、コレクタ同士の接続点に配置
した出力端子から偶数倍の高調波成分が良好に取り出さ
れる。
Similarly, when the collectors of the oscillating first transistor and the second transistor are connected to each other, the connection point of the collectors, which is the middle point of the resistors existing in the two collectors themselves, is also provided. In addition, it was confirmed that although the fundamental frequency waves oscillated by the first and second transistors cancel each other out, harmonics of an even multiple of this fundamental frequency appear. Further, by arranging an impedance element for bias between the connection point between the collectors and the power supply Vcc, even harmonic components of even multiples are satisfactorily taken out from the output terminal arranged at the connection point between the collectors.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1には、本発明の第1実施例に
係る高周波発振回路の構成が示されており、この第1実
施例は、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振器であっ
て、二つの発振用トランジスタのベース端子間にインピ
ーダンス素子を配置したものである。図1に示されるよ
うに、この回路には、従来と同様に共振回路を形成する
誘導性素子3及び分割コンデンサC1,C2,C3が設け
られており、この誘導性素子3として、例えばコイル、
水晶振動子が用いられる。また、上記共振回路の共振周
波数を帰還増幅して発振させる発振用の第1トランジス
タ1及び第2トランジスタ2が配置される。
FIG. 1 shows the configuration of a high-frequency oscillator circuit according to a first embodiment of the present invention, which is a balanced voltage-controlled high-frequency Colpitts oscillator. An impedance element is arranged between the base terminals of two oscillation transistors. As shown in FIG. 1, this circuit is provided with an inductive element 3 and split capacitors C1, C2, C3 forming a resonance circuit as in the conventional case. As the inductive element 3, for example, a coil,
A crystal oscillator is used. Further, a first transistor 1 and a second transistor 2 for oscillation are arranged to feed back and oscillate the resonance frequency of the resonance circuit.

【0014】即ち、上記第1トランジスタ1では、その
ベース端子をDC阻止コンデンサC4と分割コンデンサ
C1の接続点に、エミツタ端子を分割コンデンサClと分
割コンデンサC2の接続点に、コレクタ端子を電源Vcc
に接続する。上記第2トランジスタ2では、そのベース
端子をDC阻止コンデンサC5と分割コンデンサC3の接
続点に、エミツタ端子を分割コンデンサC3と分割コン
デンサC2の接続点に、コレクタ端子を電源Vccに接続
する。
That is, in the first transistor 1, the base terminal is connected to the DC blocking capacitor C4 and the dividing capacitor C1, the emitter terminal is connected to the dividing capacitor Cl and the dividing capacitor C2, and the collector terminal is the power source Vcc.
Connect to. In the second transistor 2, the base terminal is connected to the connection point of the DC blocking capacitor C5 and the dividing capacitor C3, the emitter terminal is connected to the connecting point of the dividing capacitor C3 and the dividing capacitor C2, and the collector terminal is connected to the power supply Vcc.

【0015】更に、制御電圧Vcで発振周波数を制御す
る電圧制御型可変容量ダイオード4,5、バイアス抵抗
R1〜R6、高周波阻止抵抗R7〜R10が配置される。即
ち、上記制御電圧Vcの入力端子は抵抗R9とR10の間
に接続され、上記電圧制御型可変容量ダイオード4は上
記抵抗R9と上記DC阻止コンデンサC4との間で誘導性
素子3の一端に、上記電圧制御型可変容量ダイオード5
は上記抵抗R10と上記DC阻止コンデンサC5との間で
誘導性素子3の他端に接続される。
Further, voltage controlled variable capacitance diodes 4 and 5 for controlling the oscillation frequency by the control voltage Vc, bias resistors R1 to R6, and high frequency blocking resistors R7 to R10 are arranged. That is, the input terminal of the control voltage Vc is connected between the resistors R9 and R10, and the voltage controlled variable capacitance diode 4 is connected between the resistor R9 and the DC blocking capacitor C4 at one end of the inductive element 3. The voltage controlled variable capacitance diode 5
Is connected to the other end of the inductive element 3 between the resistor R10 and the DC blocking capacitor C5.

【0016】そして、上記第1トランジスタ1のベース
端子と第2トランジスタのベース端子との間に、インピ
ーダンス素子として同一容量のコンデンサC8とC9を直
列に接続し、これらコンデンサC8とC9の中点16に出
力端子14を接続し、この出力端子14から信号を取り
出すようにする。上記のコンデンサC8,C9は、基本発
振波を減衰させずに偶数倍の高調波が取り出せるように
する役目をしており、中点16から見たときには、基本
発振波に対してインピーダンスが高く、偶数倍の高調波
に対してはインピーダンスが低くなるものが用いられ
る。なお、上記コンデンサC8,C9の代わりに、抵抗等
の他のインピーダンス素子を配置してもよい。
Then, capacitors C8 and C9 having the same capacitance as impedance elements are connected in series between the base terminal of the first transistor 1 and the base terminal of the second transistor, and the midpoint 16 of these capacitors C8 and C9 is connected. The output terminal 14 is connected to and the signal is taken out from the output terminal 14. The above-mentioned capacitors C8 and C9 have a role of taking out even harmonics without attenuating the fundamental oscillation wave, and when viewed from the midpoint 16, the impedance is high with respect to the fundamental oscillation wave, A low impedance is used for even harmonics. Instead of the capacitors C8 and C9, other impedance elements such as resistors may be arranged.

【0017】第1実施例は以上の構成からなり、この高
周波発振回路では、誘導性素子3と分割コンデンサC
1,C2,C3からなる共振回路に対し、第1トランジス
タ1と第2トランジスタ2によって発振動作を行うこと
によって、所定の基本周波数波が発振することになる。
また、当該回路は電圧制御型となっており、上記電圧制
御型可変容量ダイオード4及び5に供給される逆方向電
圧の制御電圧Vcを変化させることにより、発振の基本
周波数を可変制御することができることになる。
The first embodiment has the above-mentioned structure. In this high frequency oscillator circuit, the inductive element 3 and the dividing capacitor C are used.
A predetermined fundamental frequency wave is oscillated by performing an oscillating operation by the first transistor 1 and the second transistor 2 with respect to the resonance circuit composed of 1, C2 and C3.
The circuit is of a voltage control type, and the fundamental frequency of oscillation can be variably controlled by changing the control voltage Vc of the reverse voltage supplied to the voltage control type variable capacitance diodes 4 and 5. You can do it.

【0018】そして、上記両トランジスタ1,2のベー
ス端子間に配置されたコンデンサC8とC9の中点は、共
振回路の中点であり、ここでは、発振された基本周波数
波が互いに打ち消し合う一方、この基本周波数の偶数倍
の高調波が基本周波数波よりも高いレベルで現れる。従
って、出力端子14から偶数倍の高調波を取り出すこと
ができる。
The midpoint of the capacitors C8 and C9 arranged between the base terminals of the transistors 1 and 2 is the midpoint of the resonance circuit. Here, the oscillated fundamental frequency waves cancel each other out. , Even harmonics of this fundamental frequency appear at a higher level than the fundamental frequency wave. Therefore, it is possible to extract even harmonics from the output terminal 14.

【0019】図2には、第2実施例の高周波発振回路の
構成が示されており、この第2実施例は、二つの発振用
トランジスタのコレクタ接続点と電源との間に、インピ
ーダンス素子を配置したものである。図2に示されるよ
うに、この回路は、基本的な構成が第1実施例と同様で
あり、誘導性素子3及び分割コンデンサC1,C2,C3
で形成される共振回路と、この共振回路の共振周波数を
帰還増幅する発振用の第1及び第2のトランジスタ1,
2が配置される。また、電圧Vcで発振周波数を制御す
る電圧制御型可変容量ダイオード4,5が設けられてお
り、この回路は、平衡型電圧制御コルピッツ発振回路で
ある。
FIG. 2 shows the structure of the high frequency oscillator circuit of the second embodiment. In this second embodiment, an impedance element is provided between the collector connection point of two oscillation transistors and the power supply. It is arranged. As shown in FIG. 2, the basic configuration of this circuit is the same as that of the first embodiment, and the inductive element 3 and the dividing capacitors C1, C2, C3 are used.
And a first and second oscillating transistor 1 for feeding back and amplifying the resonance frequency of the resonance circuit.
2 is placed. Further, voltage control type variable capacitance diodes 4 and 5 for controlling the oscillation frequency by the voltage Vc are provided, and this circuit is a balanced type voltage control Colpitts oscillation circuit.

【0020】そして、上記第1トランジスタ1のコレク
タ端子と第2トランジスタのコレクタ端子が接続される
と共に、この接続点17と電源Vccの間に、インピーダ
ンス素子として抵抗R19が挿入され、この接続点17に
出力端子14を接続する。また、上記第1及び第2のト
ランジスタ1,2のベース端子間に、第1実施例と同様
にコンデンサC8とC9を直列に接続する。
The collector terminal of the first transistor 1 and the collector terminal of the second transistor are connected, and a resistor R19 as an impedance element is inserted between the connection point 17 and the power supply Vcc. The output terminal 14 is connected to. Further, capacitors C8 and C9 are connected in series between the base terminals of the first and second transistors 1 and 2 as in the first embodiment.

【0021】ここで、上記第1及び第2のトランジスタ
1,2のコレクタ自体には、抵抗が存在しており、この
コレクタ抵抗と上記抵抗R19は、偶数倍の高調波が取り
出せるようにする役目をしている。また、抵抗R19はバ
イアス用抵抗(インピーダンス素子)として機能する。
なお、上記抵抗R19の代わりに、他のインピーダンス素
子を配置してもよい。
Here, a resistance exists in the collectors of the first and second transistors 1 and 2, and the collector resistance and the resistance R19 serve to take out even harmonics. Are doing The resistor R19 functions as a bias resistor (impedance element).
Other impedance elements may be arranged instead of the resistor R19.

【0022】上記第2実施例の構成によれば、第1実施
例と同様に、第1トランジスタ1と第2トランジスタ2
によって所定の基本周波数波が発振され、この基本周波
数は制御電圧Vcで可変制御される。ここで、上記両ト
ランジスタ1,2のコレクタ端子間の接続点17は、共
振回路の中点となり、また電源Vccとの間の抵抗R19の
存在によって、この接続点17では、発振された基本周
波数波が互いに打ち消し合う一方、偶数倍の高調波が基
本周波数波よりも高いレベルで現れる。この結果、出力
端子14から偶数倍の高調波を取り出すことができる。
According to the configuration of the second embodiment, the first transistor 1 and the second transistor 2 are the same as in the first embodiment.
A predetermined fundamental frequency wave is oscillated by the, and the fundamental frequency is variably controlled by the control voltage Vc. Here, the connection point 17 between the collector terminals of both the transistors 1 and 2 becomes the middle point of the resonance circuit, and the existence of the resistor R19 with the power supply Vcc causes the oscillated fundamental frequency at this connection point 17. While the waves cancel each other out, even harmonics appear at higher levels than the fundamental frequency wave. As a result, it is possible to take out even harmonics from the output terminal 14.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コルピッツ発振回路の発振用の第1トランジスタ及び第
2トランジスタのベース・ベース間に、基本波周波数の
偶数倍の高調波を取り出すためのインピーダンス素子を
接続し、このインピーダンス素子の中点に出力端子を設
ける構成とし、或いはコルピッツ発振回路の第1トラン
ジスタと第2トランジスタのコレクタ同士を接続し、こ
のコレクタ同士の接続点と電源との間に、基本波周波数
の偶数倍の高調波を取り出すためのインピーダンス素子
を接続し、上記コレクタ同士の接続点に出力端子を設け
る構成とし、これらの出力端子から基本周波数の偶数倍
の高調波を取り出せるようにしたので、従来の周波数逓
倍回路を用いることなく、高調波成分を効率よく取り出
すことができ、また消費電流の削減及び集積回路チップ
面積の削減を図ることが可能となる。
As described above, according to the present invention,
An impedance element for extracting a harmonic of an even multiple of the fundamental frequency is connected between the base and base of the first and second transistors for oscillation of the Colpitts oscillator circuit, and the output terminal is connected to the midpoint of this impedance element. Impedance for extracting the higher harmonic wave of an even multiple of the fundamental frequency between the power supply and the connection point between the collectors of the first transistor and the second transistor of the Colpitts oscillator circuit. The elements are connected and the output terminals are provided at the connection points between the collectors so that even harmonics of the fundamental frequency can be taken out from these output terminals. Wave components can be extracted efficiently, and current consumption and integrated circuit chip area can be reduced. Theft is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る高周波発振回路(電
圧制御型)の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator circuit (voltage control type) according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第2実施例に係る高周波発振回路(電圧制御
型)の構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a high frequency oscillation circuit (voltage control type) according to a second embodiment.

【図3】従来例の高周波発振回路の構成を示す回路図で
ある。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional high-frequency oscillator circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…第1トランジスタ、 2…第2トランジスタ、3…
誘導性素子、4,5…電圧制御型可変容量ダイオード、
10…コルピッツ発振回路、20…周波数逓倍回路、C
1〜C3…共振回路を構成する分割コンデンサ、C4,C5
…DC阻止コンデンサ、C8,C9…インピーダンス素子
としてのコンデンサ、R7,R10…高周波阻止抵抗、R1
9…インピーダンス素子としてのバイアス用抵抗。
1 ... 1st transistor, 2 ... 2nd transistor, 3 ...
Inductive element, 4, 5 ... Voltage controlled variable capacitance diode,
10 ... Colpitts oscillator circuit, 20 ... Frequency multiplier circuit, C
1 to C3 ... Dividing capacitors forming a resonance circuit, C4 and C5
... DC blocking capacitors, C8, C9 ... Capacitors as impedance elements, R7, R10 ... High frequency blocking resistors, R1
9 ... Bias resistor as an impedance element.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成14年3月26日(2002.3.2
6)
[Submission date] March 26, 2002 (2002.3.2)
6)

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0020[Correction target item name] 0020

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0020】そして、上記第1トランジスタ1のコレク
タ端子と第2トランジスタのコレクタ端子が接続される
と共に、この接続点17と電源Vccの間に、インピーダ
ンス素子として抵抗R19が挿入され、この接続点17に
出力端子14を接続する。
The collector terminal of the first transistor 1 and the collector terminal of the second transistor are connected, and a resistor R19 as an impedance element is inserted between the connection point 17 and the power supply Vcc. to connect the output terminal 14.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図2[Name of item to be corrected] Figure 2

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図2】 [Fig. 2]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J081 AA03 BB01 BB03 CC42 CC44 DD03 DD11 DD24 EE02 EE03 EE18 FF06 GG08 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 5J081 AA03 BB01 BB03 CC42 CC44                       DD03 DD11 DD24 EE02 EE03                       EE18 FF06 GG08 KK02 KK09                       KK22 LL05 MM01

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発振用の第1トランジスタ及び第2トラ
ンジスタを用いて平衡動作するコルピッツ発振回路を備
え、 このコルピッツ発振回路に、インピーダンス素子を用い
て基本波周波数の偶数倍の高調波を取り出すための高調
波抽出回路を設けた高周波発振回路。
1. A Colpitts oscillating circuit that performs balanced operation using an oscillating first transistor and a second transistor, wherein an impedance element is used in this Colpitts oscillating circuit to extract even harmonics of a fundamental wave frequency. High-frequency oscillator circuit with a harmonic extraction circuit.
【請求項2】 上記高調波抽出回路として、上記第1ト
ランジスタと第2トランジスタのベース・ベース間に、
基本波周波数の偶数倍の高調波を取り出すためのインピ
ーダンス素子を接続し、このインピーダンス素子の中点
に上記高調波の出力端子を設けたことを特徴とする上記
請求項1記載の高周波発振回路。
2. As the harmonic extraction circuit, between the base and base of the first transistor and the second transistor,
2. The high frequency oscillation circuit according to claim 1, wherein an impedance element for extracting a harmonic of an even multiple of the fundamental frequency is connected, and the output terminal for the harmonic is provided at the midpoint of the impedance element.
【請求項3】 上記高調波抽出回路として、上記第1ト
ランジスタと第2トランジスタのコレクタ同士を接続
し、このコレクタ同士の接続点と電源との間に、基本波
周波数の偶数倍の高調波を取り出すためのインピーダン
ス素子を接続し、上記コレクタ同士の接続点に上記高調
波の出力端子を設けたことを特徴とする上記請求項1記
載の高周波発振回路。
3. The harmonic extraction circuit, wherein collectors of the first transistor and the second transistor are connected to each other, and a harmonic of an even multiple of the fundamental frequency is provided between a connection point of the collectors and a power supply. The high-frequency oscillator circuit according to claim 1, wherein an impedance element for taking out is connected, and an output terminal for the higher harmonic wave is provided at a connection point between the collectors.
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