JP2003243491A - Ring boat and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Ring boat and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は例えば減圧気相成長
プロセスで使用されるリングボート及びその製造方法及
び半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ring boat used in, for example, a reduced pressure vapor phase growth process, a method of manufacturing the ring boat, and a method of manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】減圧気相成長プロセスでは、ウエハをリ
ングボートに載せてウエハに膜を形成する。リングボー
トは、支柱と、支柱に取りつけられたリングと、リング
に取りつけられた爪とを備え、ウエハはこの爪の上に支
持される。複数のリングが支柱に取りつけられており、
ウエハは各リングの爪に取りつけられる。膜を形成する
ためのガスがウエハの表面に沿って流れ、ガスはさらに
ウエハとリングとの間の隙間を通って流れる。2. Description of the Related Art In a reduced pressure vapor deposition process, a wafer is placed on a ring boat to form a film on the wafer. The ring boat includes a support, a ring attached to the support, and a claw attached to the ring, and the wafer is supported on the claw. Multiple rings are attached to the pillar,
The wafer is attached to the claws of each ring. The gas to form the film flows along the surface of the wafer, and the gas further flows through the gap between the wafer and the ring.
【０００３】減圧気相成長設備では、ウエハの表面を良
好に分布させることが望ましく、このために、ウエハ保
持板を備えたリングボートが提案されている（特開昭５
２−１２８８９０号公報参照）。このリングボートで
は、膜の成長とともにパーティクルが突発的に増加する
ことがあり、また、膜の成長回数を重ねるとパーティク
ルが増加傾向になる。In a low pressure vapor phase growth facility, it is desirable that the surface of the wafer be well distributed, and for this reason, a ring boat equipped with a wafer holding plate has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 5).
No. 2-128890). In this ring boat, particles may suddenly increase as the film grows, and the particles tend to increase as the number of film growth increases.
【０００４】また、特開平１０−１５２２２６号公報
は、ウエハを反応炉へ搬入し、反応炉から搬出するため
のボートを開示している。ボート支柱にはコーティング
が行われ、そして、コーティングを行う際に、ボート支
柱の溝のウエハ支持面の縁が盛り上がり、ウエハが点接
触で支持されるようになるのを防止するために、ウエハ
支持面の縁を面取りしている。このボートは搬送用のボ
ートであり、反応炉内で使用されるものではない。Further, Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-152226 discloses a boat for loading and unloading wafers into and from the reaction furnace. The boat stanchions are coated and, during coating, wafer support is used to prevent the edge of the wafer-supporting surface of the boat stanchions from rising and supporting the wafer in point contact. The edge of the surface is chamfered. This boat is a boat for transportation and is not used in the reaction furnace.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ウエハをリングボート
に載せてウエハに膜を形成する場合、ウエハの膜の成長
とともにリングボートのリングにも膜が堆積する。ウエ
ハとリングとは爪を介して上下関係の位置にあり、リン
グボートに堆積した膜が、熱応力や気流の影響で剥がれ
てウエハに乗ってしまい、パーティクルとしてウエハに
付着するという問題が発生する。When a wafer is placed on a ring boat to form a film on the wafer, the film is deposited on the ring of the ring boat as the film on the wafer grows. The wafer and the ring are in a vertical relationship via the claws, and the film deposited on the ring boat peels off due to the effects of thermal stress and air flow and gets on the wafer, which causes a problem that it adheres to the wafer as particles. .
【０００６】図５は、従来のリングボートのリング１の
一部の断面図である。リングボートのリング１の表面が
荒れていると、堆積した膜の一部がリングボートのリン
グ１から脱落しやすい。リングボートのリング１は石英
を切削加工して作られており、リング１の内側を切削加
工する場合、切削面に返り（以下バリと呼ぶ）２が発生
する。このバリ２の部分はヤスリのように荒れているた
め、減圧気相成長プロセスで成長中の膜３が堆積すると
熱応力などで剥がれやすくなり、パーティクルの原因と
なることがある。FIG. 5 is a sectional view of a part of the ring 1 of the conventional ring boat. When the surface of the ring 1 of the ring boat is rough, a part of the deposited film is likely to fall off the ring 1 of the ring boat. The ring 1 of the ring boat is made by cutting quartz, and when the inside of the ring 1 is cut, a return (hereinafter referred to as burr) 2 is generated on the cut surface. Since the portion of the burr 2 is rough like a file, when the growing film 3 is deposited in the low pressure vapor phase growth process, it is easily peeled off due to thermal stress or the like, which may cause particles.
【０００７】本発明の目的は、ウエハにパーティクルが
付着するのを防止することができるリングボート及びそ
の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することで
ある。An object of the present invention is to provide a ring boat capable of preventing particles from adhering to a wafer, a method of manufacturing the ring boat, and a method of manufacturing a semiconductor device.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、支柱と、該支柱に取りつけられたリング
と、該リングに取りつけられ且つウエハを支持するため
の爪とを備え、該リングの内縁部が面取りされているリ
ングボードを使用してウエハを処理することを特徴とす
るものである。A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a pillar, a ring attached to the pillar, and a claw attached to the ring and for supporting a wafer. The wafer is processed using a ring board whose inner edge is chamfered.
【０００９】本発明によるリングボートは、支柱と、該
支柱に取りつけられたリングと、該リングに取りつけら
れ且つウエハを支持するための爪とを備え、該リングの
内縁部が面取りされていることを特徴とする。A ring boat according to the present invention comprises a column, a ring attached to the column, and a claw attached to the ring and for supporting a wafer, and an inner edge portion of the ring is chamfered. Is characterized by.
【００１０】本発明によるリングボートの製造方法は、
リングボートのリングを焼ならし処理し、リングボート
のリングの内縁部におけるパーティクルの発生を防止す
ることを特徴とする。The method of manufacturing a ring boat according to the present invention is
It is characterized in that the ring of the ring boat is subjected to a normalizing treatment to prevent the generation of particles at the inner edge of the ring of the ring boat.
【００１１】この構成によれば、リングボートのリング
の内縁部にバリができることを防止し、よってリングボ
ートのリングに堆積した成長膜を剥がれにくくすること
でパーティクルを抑えることができる。According to this structure, burrs are prevented from forming on the inner edge of the ring of the ring boat, and thus the growth film deposited on the ring of the ring boat is hardly peeled off, so that particles can be suppressed.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について図面
を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図１は本発明の実施例によるリングボート
を示す斜視図である。リングボート１０は、支柱１２
と、支柱１２に取りつけられたリング１４と、リング１
４に取りつけられ且つ半導体ウエハ１８を支持するため
の爪１６とを備えている。リングボート１０の各部材は
石英を切削加工して作られている。FIG. 1 is a perspective view showing a ring boat according to an embodiment of the present invention. The ring boat 10 is a column 12
And the ring 14 attached to the column 12, and the ring 1
4 and a claw 16 for supporting the semiconductor wafer 18. Each member of the ring boat 10 is made by cutting quartz.
【００１４】図２はリングボート１０のリング１４を示
す斜視図である。図３はリングボート１０の一部の拡大
断面図である。図４はリングボート１０のリング１４の
一部の拡大断面図である。図１においては、１つのウエ
ハ１８が１つのリング１４の爪１６に支持されているの
が示されるが、図３に示されるように、ウエハ１８はそ
れぞれのリング１４の爪１６に支持される。FIG. 2 is a perspective view showing the ring 14 of the ring boat 10. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of the ring boat 10. FIG. 4 is an enlarged sectional view of a part of the ring 14 of the ring boat 10. 1 shows that one wafer 18 is supported by the claws 16 of one ring 14, but as shown in FIG. 3, the wafer 18 is supported by the claws 16 of each ring 14. .
【００１５】リング１４は中央空間２０を有する環状部
材であり、爪１６はリング１４の表面に取りつけられて
いる。爪１６の表面がウエハ１８の支持面となる。リン
グ１４の表面と爪１６の表面との間には間隔があいてい
る。ウエハ１８が爪１６の表面に支持された状態で、ウ
エハ１８とリング１４との間には爪１６の部分を除いて
隙間ができる。The ring 14 is an annular member having a central space 20, and the claw 16 is attached to the surface of the ring 14. The surface of the claw 16 serves as a support surface for the wafer 18. There is a space between the surface of the ring 14 and the surface of the claw 16. With the wafer 18 supported on the surface of the claw 16, a gap is formed between the wafer 18 and the ring 14 except for the claw 16.
【００１６】図３及び図４に示されるように、リングボ
ート１０のリング１４の内縁部が面取り２２されてい
る。As shown in FIGS. 3 and 4, the inner edge of the ring 14 of the ring boat 10 is chamfered 22.
【００１７】ウエハ１８の減圧気相成長プロセスにおい
ては、反応室内においてウエハ１８はそれぞれのリング
１４の爪１６に支持され、膜を形成するためのガスが流
される。ガスはウエハ１８の表面に沿って流れる。従っ
て、ウエハ１８に所望の膜が成長する。また、ガスは中
央空間２０や、ウエハ１８とリング１４との間の隙間を
通って流れ、このため、リングボート１０のリング１４
にも膜２４が堆積する。図４は減圧気相成長プロセスに
おいてリング１４上に成長した膜２４を示している。In the reduced pressure vapor phase growth process of the wafer 18, the wafer 18 is supported by the claws 16 of the respective rings 14 in the reaction chamber, and a gas for forming a film is flowed. The gas flows along the surface of the wafer 18. Therefore, a desired film grows on the wafer 18. Further, the gas flows through the central space 20 and the gap between the wafer 18 and the ring 14, so that the ring 14 of the ring boat 10
The film 24 is also deposited. FIG. 4 shows a film 24 grown on the ring 14 in a reduced pressure vapor deposition process.
【００１８】図３に示すように、ウエハ１８とリング１
４とは爪１６を介して上下関係の位置にあり、リングボ
ート１０に堆積した膜２４が、熱応力や気流の影響で剥
がれると、剥がれた膜２４の一部がパーティクルとして
ウエハ１８に乗ってしまい、ウエハ１８に付着すること
がある。特に、図５を参照して説明したように、リング
１４の内縁部にバリ２があると、膜２４の一部が剥がれ
てパーティクルとしてウエハ１８に付着することがあ
る。As shown in FIG. 3, the wafer 18 and the ring 1
When the film 24 deposited on the ring boat 10 is peeled off due to the effect of thermal stress or air flow, a part of the peeled film 24 gets on the wafer 18 as particles and is placed on the wafer 18 as a particle. It may be attached to the wafer 18. In particular, as described with reference to FIG. 5, when the burr 2 is present on the inner edge portion of the ring 14, a part of the film 24 may be peeled off and adhered to the wafer 18 as particles.
【００１９】本発明では、リングボート１０のリング１
４の内縁部が面取り２２されているので、リング１４の
切削加工時にできたバリがなくなり、リング１４の表面
がより滑らかになっている。従って、リング１４の表面
に堆積した膜２４が剥がれにくくなっており、リングボ
ート１０のリング１４の内縁部におけるパーティクルの
発生を防止することができる。In the present invention, the ring 1 of the ring boat 10
Since the inner edge of 4 is chamfered 22, burrs formed during cutting of the ring 14 are eliminated and the surface of the ring 14 becomes smoother. Therefore, the film 24 deposited on the surface of the ring 14 is less likely to peel off, and the generation of particles at the inner edge of the ring 14 of the ring boat 10 can be prevented.
【００２０】図６は本発明の他の実施例によるリングボ
ートのリングの焼ならし処理を説明する図である。図６
は図１に示したリングボート１０と同様のリングボート
１０のリング１４を示している。リングボート１０の各
部材は石英を切削加工して作られている。FIG. 6 is a diagram for explaining a ring normalizing process of a ring boat according to another embodiment of the present invention. Figure 6
Shows a ring 14 of the ring boat 10 similar to the ring boat 10 shown in FIG. Each member of the ring boat 10 is made by cutting quartz.
【００２１】この実施例では、切削加工された後でリン
グ１４の切削面を焼ならし処理する。焼ならし処理をす
るために、図６に示されるようにリング１４の切削面を
バーナー３０にて焼射し、石英の変態点よりも少し高い
温度まで一時加熱する。この焼ならしをすることで、石
英の凹凸を溶かして滑らかにする。それから、爪１６を
リング１４に取りつける。その後、ウエハ１８の減圧気
相成長プロセスにかける。リング１４の表面が滑らかに
なっているので、リング１４の表面に堆積した膜２４が
剥がれにくくなっており、リングボート１０のリング１
４の内縁部におけるパーティクルの発生を防止すること
ができる。In this embodiment, the cut surface of the ring 14 is subjected to normalizing treatment after being cut. In order to perform the normalizing process, the cutting surface of the ring 14 is burnt by the burner 30 as shown in FIG. 6 and is temporarily heated to a temperature slightly higher than the transformation point of quartz. This normalization melts and smoothes the irregularities of quartz. Then, the pawl 16 is attached to the ring 14. Then, the wafer 18 is subjected to a reduced pressure vapor phase growth process. Since the surface of the ring 14 is smooth, it is difficult for the film 24 deposited on the surface of the ring 14 to peel off.
It is possible to prevent the generation of particles at the inner edge portion of No. 4.
【００２２】本発明の半導体装置の製造方法において
は、上記した特徴を有するリングボード１０を使用して
ウエハ１８を処理する。In the method of manufacturing the semiconductor device of the present invention, the wafer 18 is processed using the ring board 10 having the above characteristics.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハにパーティクルが付着するのを防止することがで
きるリングボートを得ることができる。As described above, according to the present invention,
A ring boat that can prevent particles from adhering to a wafer can be obtained.
【図１】本発明の実施例によるリングボートを示す斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view showing a ring boat according to an embodiment of the present invention.
【図２】リングボートのリングを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a ring of the ring boat.
【図３】リングボートの一部の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of the ring boat.
【図４】リングの一部の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a part of the ring.
【図５】従来のリングの一部の断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view of a conventional ring.
【図６】本発明の他の実施例によるリングボートのリン
グの焼ならしを説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating normalization of a ring of a ring boat according to another embodiment of the present invention.
１０…リングボート １２…支柱 １４…リング １６…爪 １８…ウエハ ２２…面取り ２４…膜 10 ... Ring boat 12 ... Support 14 ... Ring 16 ... nails 18 ... Wafer 22 ... Chamfer 24 ... Membrane
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Claims (3)
と、該リングに取りつけられ且つウエハを支持するため
の爪とを備え、該リングの内縁部が面取りされているリ
ングボードを使用してウエハを処理することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。1. A ring board comprising a support, a ring attached to the support, and a claw attached to the support and for supporting a wafer, wherein an inner edge of the ring is chamfered. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises processing a wafer.
と、該リングに取りつけられ且つウエハを支持するため
の爪とを備え、該リングの内縁部が面取りされているこ
とを特徴とするリングボート。2. A ring comprising a support, a ring attached to the support, and a claw attached to the support and supporting a wafer, the inner edge of the ring being chamfered. boat.
し、リングボートのリングの内縁部におけるパーティク
ルの発生を防止することを特徴とするリングボードの製
造方法。3. A method for manufacturing a ring board, which comprises normalizing a ring of a ring boat to prevent generation of particles at an inner edge portion of the ring of the ring boat.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002041474A JP2003243491A (en) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | Ring boat and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002041474A JP2003243491A (en) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | Ring boat and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2003243491A true JP2003243491A (en) | 2003-08-29 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2002041474A Withdrawn JP2003243491A (en) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | Ring boat and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device |
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|---|---|
| JP (1) | JP2003243491A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018107174A (en) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Deposition device and deposition method |
-
2002
- 2002-02-19 JP JP2002041474A patent/JP2003243491A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018107174A (en) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Deposition device and deposition method |
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Legal Events
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