JP2003243243A - Ceramic electronic component - Google Patents

Ceramic electronic component

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JP2003243243A
JP2003243243A JP2002036589A JP2002036589A JP2003243243A JP 2003243243 A JP2003243243 A JP 2003243243A JP 2002036589 A JP2002036589 A JP 2002036589A JP 2002036589 A JP2002036589 A JP 2002036589A JP 2003243243 A JP2003243243 A JP 2003243243A
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solder
electrode
electrodes
ceramic body
dielectric ceramic
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JP2002036589A
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Inventor
Mitsuru Nagashima
満 永島
Kenji Kawabata
謙治 河端
Shuji Watabe
修司 渡部
Akihiro Fujii
昭宏 藤井
Shinichi Kobayashi
真一 小林
Osamu Yamaoka
修 山岡
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a ceramic electronic component in which destruction hardly occurs in an interface between an elemental ceramic body and electrodes and, in addition, a resin encapsulating material of which is hardly broken. <P>SOLUTION: A ceramic capacitor 10 includes an elemental dielectric ceramic body 12 formed of a dielectric ceramic, and Ni electrodes 14 and 16 formed on the facing surfaces of the body 12. Solder 18 is adhered to the whole surfaces of the electrodes 14 and 16, and lead wires 20 and 22 are respectively connected to the electrodes 14 and 16. A resin encapsulating material 24 is formed to cover the dielectric body 12 and the solder 18 adhered to the whole surfaces of the electrodes 14 and 16. Solder free from Pb and Bi and mamly containing Sn and Cu is used as the solder 18. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品に関し、特に、たとえばセラミック素体の両面に形
成された電極にリード線が半田付けされ、その周囲に樹
脂外装材が形成されたセラミック電子部品に関する。 【0002】 【従来の技術】図1はこの発明の背景となる電子部品と
して、例えば、セラミックコンデンサの一例を示す断面
図解図であり、図2はそれを側面からみた断面図解図で
ある。セラミックコンデンサ10は、たとえば円板状の
誘電体セラミック素体12を含む。誘電体セラミック素
体12は、たとえばBaTiO3 系、SrTiO3 系、
TiO2 系などのセラミック誘電体で形成される。誘電
体セラミック素体12の対向面には、それぞれ電極1
4,16が形成される。 【0003】電極14,16としては、たとえばAg,
Cuなどの焼付電極またはNiなどの湿式めっき電極な
どが採用されてきた。ここで、焼付電極の場合、誘電体
セラミック素体12の対向面に電極ペーストをスクリー
ン印刷し、焼き付けることによって電極14,16が形
成される。しかしながら、スクリーン印刷により電極ペ
ーストが印刷されるため、誘電体セラミック素体の側周
面に電極ペーストが付着しないように誘電体セラミック
素体12の対向面の端部にまで電極ペーストを印刷する
ことが困難である。そのため、誘電体セラミック素体1
2の縁部と電極との間にギャップを形成して、電極ペー
ストが側周面に付着しないようにしていた。しかしなが
ら、このギャップによって電極の縁部で電界の集中が生
じ、耐電圧の高いコンデンサを得ることができなかっ
た。 【0004】そこで、誘電体セラミック素体12の全面
にNiめっき電極を形成し、誘電体セラミック素体12
の側周面部の電極を研削することにより、電極14,1
6が形成される。このような方法によれば、誘電体セラ
ミック素体12の対向面の全体に電極14,16を形成
することができる。このような電極14,16を形成す
れば、ギャップがないため、電極縁部での電界の集中が
緩和され、耐電圧の高いセラミックコンデンサ10を得
ることができる。したがって、高い耐電圧を必要とする
高圧コンデンサには、専らNiめっき電極が用いられて
いる。 【0005】電極14,16には、それぞれ半田18で
リード線20,22が接続される。Ni電極は、Ag電
極やCu電極に比べて、半田喰われが生じにくいという
特徴をもっている。また、Ni電極は、半田のSn成分
の拡散がAg電極やCu電極に比べて生じにくく、比較
的高温での信頼性が高いという特徴ももっている。さら
に、誘電体セラミック素体12およびリード線20,2
2の半田付け部の周囲を覆うようにして、樹脂外装材2
4が形成される。樹脂外装材24は、たとえばエポキシ
樹脂などによって形成される。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】従来、半田としては、
Sn−Pb系半田が用いられており、湿式Niめっき電
極は、Snの拡散速度が比較的遅いため、125℃程度
の温度において信頼性に問題はなかった。近年、自動車
用等で125℃を超える高温、例えば150℃での補償
が求められている。しかしながら、150℃の高温にな
ると、半田に含まれるPbがNi電極に拡散し、Ni電
極と誘電体セラミック素体との密着強度劣化のために、
誘電体セラミック素体とNi電極との界面で破壊が発生
してリード線が外れるという問題が明らかになった。ま
た、この問題はPbだけでなく、Biによっても生じる
ことが明らかになった。 【0007】また、Ni電極は半田濡れ性が悪いため、
全面に半田付けを行う工法がとられてきたが、Sn−P
b系半田はエポキシ樹脂との密着力が弱く、雰囲気温度
が150℃以上の高温で急激な変化があると、半田のク
リープ現象により樹脂外装材に応力がかかり、樹脂外装
材にクラックが発生するという問題が生じた。 【0008】それゆえに、この発明の主たる目的は、セ
ラミック素体と電極との界面における破壊が発生しにく
く、かつ樹脂外装材が破損しにくいセラミック電子部品
を提供することである。 【0009】 【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
素体と、セラミック素体の対向面に形成されるNi電極
と、Ni電極全面に付けられた半田によってNi電極に
接続されるリード線と、セラミック素体およびNi電極
全面に付けられた半田を覆うように形成される樹脂外装
材とを含むセラミック電子部品において、半田の成分と
してPbおよびBiを含まないことを特徴とする、セラ
ミック電子部品である。 【0010】PbおよびBiを含まない半田を用いるこ
とにより、誘電体セラミック素体の対向面に形成された
Ni電極にPbやBiなどの拡散せず、Ni電極と誘電
体セラミック素体との密着強度劣化を抑えることがで
き、Ni電極と誘電体セラミック素体との界面における
破壊が発生しにくい。また、Pbを含まない半田を用い
ることにより、半田と樹脂外装材との密着性が良好とな
り、雰囲気温度が変化しても、半田のクリープ現象によ
る樹脂外装材のクラックの発生を抑えることができる。 【0011】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。 【0012】 【発明の実施の形態】図1および図2に示すセラミック
コンデンサ10において、電極14,16として、Ni
めっき電極が形成される。また、リード線20,22を
電極14,16に接続するための半田として、たとえば
Sn−Cuなどのように、PbやBiを含まない材料が
用いられる。 【0013】このようなセラミックコンデンサ10で
は、電極14,16としてNiめっき電極を用いること
により、誘電体セラミック素体12の対向面の全体に電
極14,16を形成することができ、電界の集中を緩和
して耐電圧の高いコンデンサとすることができる。 【0014】さらに、半田18の材料として、PbやB
iが含まれていない材料を用いることにより、これらの
金属成分がNi電極14,16に拡散せず、高温下にお
いても、誘電体セラミック素体12と電極14,16と
の界面で破壊が発生しにくい。そのため、リード線2
0,22が外れたりする不具合が発生しにくくなる。 【0015】また、半田18の材料として、Sn−Cu
を用いることにより、半田18と樹脂外装材24との密
着性が良好で、雰囲気温度が変化しても、半田18のク
リープ現象による樹脂外装材24への応力が少ないた
め、樹脂外装材24にクラックが発生することを抑える
ことができる。 【0016】 【実施例】図1に示すセラミックコンデンサ10を作製
するために、円板状の誘電体セラミック素体12を準備
した。この誘電体セラミック素体12に強酸でエッチン
グをかけたのち、Ni無電界めっきを施し、誘電体セラ
ミック素体12の表面全体にNi皮膜を形成した。その
のち、誘電体セラミック素体12の側面部を研削し、電
極14,16を形成した。電極14,16の膜厚は、約
1μmである。 【0017】電極14,16を形成した誘電体セラミッ
ク素体12をリード線20,22で挟んで、溶融半田の
中に誘電体セラミック素体12の全体を浸漬し、リード
線20,22を接合するとともに、Ni電極全体を半田
18で被った。半田18としては、(1)99.3Sn
−0.7Cu、(2)96.5Sn−3.5Ag、
(3)95.8Sn−3.5Ag−0.7Cu、(4)
63Sn−37Pb、(5)96Sn−2.5Ag−1
Bi−0.5Cuを用いた。 【0018】さらに、リード線20,22を接続した誘
電体セラミック素体12を150℃に加熱し、エポキシ
粉体樹脂に浸漬して付着させ、150℃で30分加熱し
て樹脂を硬化させ、リード付き円板状セラミックコンデ
ンサを作製した。作製したリード付きセラミックコンデ
ンサ10を150℃の高温下に1000時間放置したの
ち、リード線20,22の取付強度を測定し、表1に示
す測定結果を得た。 【0019】 【表1】 【0020】表1からわかるように、150℃の高温下
において、Pb,Biを含まない半田を使用したもの
は、1000時間放置後も高い強度を維持しており、そ
の効果は著しい。なお、破壊は誘電体セラミック素体1
2と電極20,22との界面で発生し、この界面におい
て、(1)(2)(3)の半田を用いた場合について
は、Sn,Ag,Cuなどが蛍光X線分析で検出されな
かったが、(4)の半田を用いた場合にはPbが検出さ
れ、(5)の半田を用いた場合にはSn,Biが検出さ
れた。このように、PbやBiを含まない半田を用いる
ことにより、PbやBiのNi電極20,22への拡散
がなくなり、電極20,22の強度の劣化を防止するこ
とができる。 【0021】次に、セラミックコンデンサ10を、−4
0℃で30分、常温で3分、125℃で30分、常温で
3分の温度サイクルを加えたのち、樹脂外装材24のク
ラックの発生の有無を調べた。その結果、表2に示すよ
うな結果を得た。 【0022】 【表2】【0023】表2からわかるように、(1)(2)
(3)(5)の半田を用いた場合には200回の温度サ
イクルを加えても破壊が生じなかったが、(4)の半田
を用いた場合には50回の温度サイクルで、リード線に
沿って樹脂外装材にクラックが発生した。これは、Pb
を含まない半田を用いることにより、半田と樹脂外装材
との密着性が良好なため、温度変化にともなう半田のク
リープ現象による樹脂外装材への応力が少なくなるもの
であると考えられる。 【0024】なお、上記実施例では、セラミックコンデ
ンサを例にして説明したが、これに限らず、例えば、サ
ーミスタやバリスタなどセラミック素体にNi電極を形
成して全面半田でリード線を接続する電子部品全般に用
いることができる。 【0025】 【発明の効果】この発明によれば、PbやBiを含まな
い半田をNi電極全面に付けて、Ni電極とリード線を
接続することにより、PbやBiのNi電極への拡散が
なく、セラミック素体との界面における電極の破壊を抑
えて、リード線が外れることを防止することができる。
さらに、半田と樹脂外装材との密着性を良好にすること
ができ、温度変化があっても、樹脂外装材にクラックが
発生しないようにすることができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic electronic component, and more particularly, to a method in which lead wires are soldered to electrodes formed on both surfaces of a ceramic body, for example. The present invention relates to a ceramic electronic component having a resin exterior material formed thereon. 2. Description of the Related Art FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a ceramic capacitor as an electronic component serving as a background of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the same as a side view. The ceramic capacitor 10 includes, for example, a disk-shaped dielectric ceramic body 12. The dielectric ceramic body 12 is made of, for example, BaTiO 3 , SrTiO 3 ,
It is formed of a ceramic dielectric such as TiO 2 . The electrodes 1 are respectively provided on the opposing surfaces of the dielectric ceramic body 12.
4, 16 are formed. The electrodes 14 and 16 include, for example, Ag,
A baked electrode such as Cu or a wet-plated electrode such as Ni has been adopted. Here, in the case of a burn-in electrode, the electrodes 14 and 16 are formed by screen-printing and baking an electrode paste on the facing surface of the dielectric ceramic body 12. However, since the electrode paste is printed by screen printing, it is necessary to print the electrode paste up to the end of the facing surface of the dielectric ceramic body 12 so that the electrode paste does not adhere to the side peripheral surface of the dielectric ceramic body. Is difficult. Therefore, the dielectric ceramic body 1
A gap was formed between the edge of No. 2 and the electrode so that the electrode paste did not adhere to the side peripheral surface. However, the electric field concentrates at the edge of the electrode due to this gap, and a capacitor with a high withstand voltage cannot be obtained. Therefore, a Ni-plated electrode is formed on the entire surface of the dielectric ceramic body 12,
By grinding the electrode on the side peripheral surface of the
6 are formed. According to such a method, the electrodes 14 and 16 can be formed on the entire opposing surface of the dielectric ceramic body 12. When such electrodes 14 and 16 are formed, since there is no gap, the concentration of the electric field at the edge of the electrode is reduced, and the ceramic capacitor 10 with high withstand voltage can be obtained. Therefore, Ni-plated electrodes are used exclusively for high-voltage capacitors requiring high withstand voltage. [0005] Lead wires 20, 22 are connected to the electrodes 14, 16 by solder 18, respectively. The Ni electrode has a feature that solder erosion is less likely to occur than the Ag electrode and the Cu electrode. In addition, the Ni electrode has a feature that the diffusion of the Sn component of the solder is less likely to occur than the Ag electrode and the Cu electrode, and the Ni electrode has high reliability at a relatively high temperature. Further, the dielectric ceramic body 12 and the lead wires 20 and 2
2 to cover the periphery of the soldering portion,
4 are formed. The resin exterior material 24 is formed of, for example, an epoxy resin. [0006] Conventionally, as solder,
Since Sn-Pb-based solder was used, and the wet Ni-plated electrode had a relatively low Sn diffusion rate, there was no problem in reliability at a temperature of about 125 ° C. In recent years, compensation at a high temperature exceeding 125 ° C., for example, 150 ° C. has been required for automobiles and the like. However, at a high temperature of 150 ° C., Pb contained in the solder diffuses into the Ni electrode, and the adhesion strength between the Ni electrode and the dielectric ceramic body deteriorates.
A problem has been clarified that a break occurs at the interface between the dielectric ceramic body and the Ni electrode and the lead wire comes off. It has also been found that this problem is caused not only by Pb but also by Bi. [0007] Further, since the Ni electrode has poor solder wettability,
A method of soldering the entire surface has been adopted, but Sn-P
The b-type solder has a weak adhesive force with the epoxy resin, and when the ambient temperature is 150 ° C. or higher and there is a sudden change, stress is applied to the resin exterior material due to the creep phenomenon of the solder, and cracks are generated in the resin exterior material. The problem arose. Therefore, a main object of the present invention is to provide a ceramic electronic component in which destruction at an interface between a ceramic body and an electrode hardly occurs and a resin exterior material is hardly damaged. According to the present invention, a ceramic body, a Ni electrode formed on a facing surface of the ceramic body, and a Ni electrode are connected to the Ni electrode by solder attached to the entire surface of the Ni electrode. In a ceramic electronic component including a lead wire and a resin exterior material formed so as to cover the solder applied to the entire surface of the ceramic body and the Ni electrode, Pb and Bi are not included as components of the solder, Ceramic electronic components. By using a solder not containing Pb and Bi, the Ni electrode formed on the opposite surface of the dielectric ceramic body does not diffuse Pb, Bi, etc., and the Ni electrode and the dielectric ceramic body adhere to each other. Deterioration in strength can be suppressed, and destruction at the interface between the Ni electrode and the dielectric ceramic body is less likely to occur. Further, by using a solder containing no Pb, the adhesion between the solder and the resin exterior material is improved, and even if the ambient temperature changes, the occurrence of cracks in the resin exterior material due to the creep phenomenon of the solder can be suppressed. . The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the ceramic capacitor 10 shown in FIGS.
A plating electrode is formed. In addition, as a solder for connecting the lead wires 20 and 22 to the electrodes 14 and 16, a material that does not contain Pb or Bi, such as Sn—Cu, is used. In such a ceramic capacitor 10, by using Ni-plated electrodes as the electrodes 14 and 16, the electrodes 14 and 16 can be formed on the entire opposing surface of the dielectric ceramic body 12, and the concentration of the electric field can be improved. And a capacitor with high withstand voltage can be obtained. Further, as a material of the solder 18, Pb or B
By using a material that does not contain i, these metal components do not diffuse into the Ni electrodes 14 and 16 and breakage occurs at the interface between the dielectric ceramic body 12 and the electrodes 14 and 16 even at a high temperature. Hard to do. Therefore, lead wire 2
Problems such as the 0, 22 coming off hardly occur. The material of the solder 18 is Sn-Cu.
Is used, the adhesion between the solder 18 and the resin exterior material 24 is good, and even if the ambient temperature changes, the stress on the resin exterior material 24 due to the creep phenomenon of the solder 18 is small. The occurrence of cracks can be suppressed. EXAMPLE In order to produce the ceramic capacitor 10 shown in FIG. 1, a disk-shaped dielectric ceramic body 12 was prepared. After etching the dielectric ceramic body 12 with a strong acid, Ni electroless plating was performed to form a Ni film on the entire surface of the dielectric ceramic body 12. After that, the side surfaces of the dielectric ceramic body 12 were ground to form the electrodes 14 and 16. The thickness of the electrodes 14 and 16 is about 1 μm. The dielectric ceramic body 12 on which the electrodes 14 and 16 are formed is sandwiched between the lead wires 20 and 22, the entire dielectric ceramic body 12 is immersed in molten solder, and the lead wires 20 and 22 are joined. At the same time, the entire Ni electrode was covered with solder 18. As the solder 18, (1) 99.3Sn
-0.7Cu, (2) 96.5Sn-3.5Ag,
(3) 95.8Sn-3.5Ag-0.7Cu, (4)
63Sn-37Pb, (5) 96Sn-2.5Ag-1
Bi-0.5Cu was used. Further, the dielectric ceramic body 12 to which the lead wires 20 and 22 are connected is heated to 150 ° C., dipped and adhered to an epoxy powder resin, and heated at 150 ° C. for 30 minutes to cure the resin. A disk-shaped ceramic capacitor with leads was manufactured. After leaving the manufactured ceramic capacitor 10 with leads at a high temperature of 150 ° C. for 1000 hours, the mounting strength of the lead wires 20 and 22 was measured, and the measurement results shown in Table 1 were obtained. [Table 1] As can be seen from Table 1, at a high temperature of 150 ° C., the solder using no Pb or Bi maintains high strength even after standing for 1000 hours, and its effect is remarkable. The destruction was performed on the dielectric ceramic body 1
Occurs at the interface between the electrode 2 and the electrodes 20 and 22. At this interface, when using the solders (1), (2) and (3), Sn, Ag, Cu, etc. are not detected by the fluorescent X-ray analysis. However, when the solder (4) was used, Pb was detected, and when the solder (5) was used, Sn and Bi were detected. As described above, by using the solder containing no Pb or Bi, diffusion of Pb or Bi to the Ni electrodes 20 and 22 is eliminated, and deterioration of the strength of the electrodes 20 and 22 can be prevented. Next, the ceramic capacitor 10 is
After applying a temperature cycle at 0 ° C. for 30 minutes, at room temperature for 3 minutes, at 125 ° C. for 30 minutes, and at room temperature for 3 minutes, the resin exterior material 24 was examined for cracks. As a result, the results shown in Table 2 were obtained. [Table 2] As can be seen from Table 2, (1) and (2)
(3) In the case of using the solder of (5), no destruction occurred even if 200 temperature cycles were applied, but in the case of using the solder of (4), the lead wire was subjected to 50 temperature cycles, A crack occurred in the resin exterior material along the line. This is Pb
It is considered that the use of a solder that does not include a good adhesion between the solder and the resin exterior material results in less stress on the resin exterior material due to the creep phenomenon of the solder due to a temperature change. In the above embodiment, a ceramic capacitor is described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, an Ni electrode is formed on a ceramic body such as a thermistor or a varistor, and the lead wires are connected by soldering over the entire surface. Can be used for all parts. According to the present invention, the diffusion of Pb and Bi to the Ni electrode is achieved by applying a solder containing no Pb or Bi to the entire surface of the Ni electrode and connecting the Ni electrode and the lead wire. In addition, it is possible to prevent breakage of the electrode at the interface with the ceramic body and prevent the lead wire from coming off.
Further, it is possible to improve the adhesion between the solder and the resin exterior material, and it is possible to prevent the resin exterior material from cracking even when there is a temperature change.

【図面の簡単な説明】 【図1】この発明の背景となるセラミックコンデンサの
一例を示す図解図である。 【図2】図1に示すセラミックコンデンサを側面からみ
た図解図である。 【符号の説明】 10 セラミックコンデンサ 12 誘電体セラミック素体 14,16 電極 18 半田 20,22 リード線 24 樹脂外装材
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an illustrative view showing one example of a ceramic capacitor as a background of the present invention; FIG. 2 is an illustrative view of the ceramic capacitor shown in FIG. 1 as viewed from a side. [Description of Signs] 10 Ceramic capacitor 12 Dielectric ceramic body 14, 16 Electrode 18 Solder 20, 22 Lead wire 24 Resin exterior material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 修司 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 藤井 昭宏 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 小林 真一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 山岡 修 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (72) Inventor Shuji Watanabe             Stock, 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto             Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Akihiro Fujii             Stock, 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto             Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Shinichi Kobayashi             Stock, 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto             Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Osamu Yamaoka             Stock, 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto             Murata Manufacturing Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 セラミック素体、 前記セラミック素体の対向面に形成されるNi電極、 前記Ni電極全面に付けられた半田によって前記Ni電
極に接続されるリード線、および前記セラミック素体お
よび前記Ni電極全面に付けられた半田を覆うように形
成される樹脂外装材を含むセラミック電子部品におい
て、 前記半田の成分としてPbおよびBiを含まないことを
特徴とする、セラミック電子部品。
Claims: 1. A ceramic body, a Ni electrode formed on an opposite surface of the ceramic body, a lead wire connected to the Ni electrode by solder attached to the entire surface of the Ni electrode, and A ceramic electronic component including a resin exterior material formed so as to cover the ceramic body and solder applied to the entire surface of the Ni electrode, wherein Pb and Bi are not included as components of the solder. parts.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2414343A (en) * 2004-05-20 2005-11-23 Tdk Corp A capacitor with lead free soldered terminal leads.
WO2007148556A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayered ceramic electronic part
CN105118670A (en) * 2015-08-31 2015-12-02 苏州斯尔特微电子有限公司 Ceramic capacitor

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2414343A (en) * 2004-05-20 2005-11-23 Tdk Corp A capacitor with lead free soldered terminal leads.
US7023686B2 (en) 2004-05-20 2006-04-04 Tdk Corporation High-voltage ceramic capacitor
GB2414343B (en) * 2004-05-20 2008-03-26 Tdk Corp High-voltage ceramic capacitor
WO2007148556A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayered ceramic electronic part
JPWO2007148556A1 (en) * 2006-06-23 2009-11-19 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic electronic components
US7880092B2 (en) 2006-06-23 2011-02-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component
JP4636180B2 (en) * 2006-06-23 2011-02-23 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic electronic components
CN105118670A (en) * 2015-08-31 2015-12-02 苏州斯尔特微电子有限公司 Ceramic capacitor

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