JP2003234303A - Heat treatment device - Google Patents

Heat treatment device

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JP2003234303A
JP2003234303A JP2002030328A JP2002030328A JP2003234303A JP 2003234303 A JP2003234303 A JP 2003234303A JP 2002030328 A JP2002030328 A JP 2002030328A JP 2002030328 A JP2002030328 A JP 2002030328A JP 2003234303 A JP2003234303 A JP 2003234303A
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lamps
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Mitsukazu Takahashi
光和 高橋
Toshiyuki Kobayashi
俊幸 小林
Toshimitsu Funayoshi
俊充 船吉
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the uniformity of temperature in a heat treatment device for heating a substrate. <P>SOLUTION: This heat treatment device 1 is provided with an upper stage lamp group 41 turning toward a specified direction and a lower stage lamp group 42 vertically crossing with the upper stage lamp group 41, and a substrate 9 is arranged on an auxiliary ring 31. A lower reflector 122 is provided between the upper stage lamp group 41 and lower stage lamp group 42, and they are provided with recessed surfaces for converging onto the auxiliary ring 31 lights emitted from the lamps on both end sides in the arrangement direction of the lamp groups. Thus, reflected lights from the upper and lower lamp groups 41 and 42 can be efficiently given to the auxiliary ring 31, improving the uniformity of temperature when the substrate 9 is heated. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に加熱を伴う
処理を行う熱処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for performing a process involving heating a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体等のデバイスの微細加工の要求が
高まるにつれ、半導体基板(以下、「基板」という。)
の加熱工程の1つとして急速加熱工程(Rapid Thermal
Process、以下、「RTP」という。)が重要な役割を
果たしている。RTPでは主に赤外線ランプが加熱源と
して用いられ、処理室内を所定のガス雰囲気に保ちつつ
秒オーダーで基板が所定の温度(例えば、1200℃)
に加熱され、一定時間(例えば、数十秒)だけその温度
に維持された後、ランプを消灯することにより急速冷却
が行われる。
2. Description of the Related Art As the demand for fine processing of devices such as semiconductors increases, semiconductor substrates (hereinafter referred to as "substrates").
Rapid thermal process (Rapid Thermal
Process, hereinafter referred to as "RTP". ) Plays an important role. In RTP, an infrared lamp is mainly used as a heating source, and the substrate is kept at a predetermined temperature (for example, 1200 ° C.) on the order of seconds while maintaining a predetermined gas atmosphere in the processing chamber.
After being heated to, and maintained at that temperature for a certain time (for example, several tens of seconds), rapid cooling is performed by turning off the lamp.

【0003】RTPにより、基板に作り込まれたトラン
ジスタの接合層における熱による不純物の再拡散防止、
酸化膜等の絶縁膜の薄膜化等、従来の電気炉による長時
間の熱処理では実現困難であった処理が行われる。
The RTP prevents re-diffusion of impurities due to heat in the junction layer of the transistor built in the substrate,
A process such as thinning of an insulating film such as an oxide film, which is difficult to be realized by a conventional heat treatment for a long time in an electric furnace, is performed.

【0004】RTPを行う熱処理装置としては、従来よ
り、棒状のランプを平行に並べたものを2段設けたタイ
プが知られている。図1および図2はこのようなタイプ
の熱処理装置8の縦断面図である。熱処理装置8では、
X方向を向く棒状の上段ランプ群81がY方向に配列さ
れ、Y方向を向く棒状の下段ランプ群82がX方向に配
列される。
As a heat treatment apparatus for performing RTP, a type in which two rod-shaped lamps are arranged in parallel is conventionally known. 1 and 2 are vertical sectional views of a heat treatment apparatus 8 of this type. In the heat treatment device 8,
The rod-shaped upper lamp group 81 facing the X direction is arranged in the Y direction, and the rod-shaped lower lamp group 82 facing the Y direction is arranged in the X direction.

【0005】基板9は両ランプ群81,82に対向する
ように水平に配置され、基板9の周囲を覆う補助リング
83に支持される。また、両ランプ群81,82と基板
9との間には内部空間80を分離する窓部材84が配置
され、さらに、上段ランプ群81の上方の面は上段ラン
プ群81からの光を反射して効率よく基板9に照射する
ためのリフレクタ80aとされる。
The substrate 9 is horizontally arranged so as to face both lamp groups 81 and 82, and is supported by an auxiliary ring 83 that covers the periphery of the substrate 9. A window member 84 for separating the internal space 80 is arranged between the lamp groups 81 and 82 and the substrate 9, and the upper surface of the upper lamp group 81 reflects light from the upper lamp group 81. And a reflector 80a for efficiently irradiating the substrate 9.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】補助リング83は、基
板9と一体的に加熱されることにより基板9の端面から
の放熱を妨げて基板9の表面の温度均一性を維持するた
めに設けられる。ここで、補助リング83の加熱が不足
した場合、基板9の周縁部の温度も上昇しなくなること
から、基板9の温度均一性を実現するには補助リング8
3の十分な加熱が重要となる。
The auxiliary ring 83 is provided so as to prevent the heat radiation from the end surface of the substrate 9 and maintain the temperature uniformity of the surface of the substrate 9 by being integrally heated with the substrate 9. . Here, when the heating of the auxiliary ring 83 is insufficient, the temperature of the peripheral portion of the substrate 9 also does not rise. Therefore, in order to realize the temperature uniformity of the substrate 9, the auxiliary ring 8
Sufficient heating of 3 is important.

【0007】ところで、熱処理装置8では図2に示すよ
うにリフレクタ80aに一様に形成された複数の凹面に
より上段ランプ群81からの反射光が基板9および補助
リング83上におよそ均一に導かれる。このようなリフ
レクタの場合、補助リング83の温度上昇が十分に得ら
れない可能性がある。
By the way, in the heat treatment apparatus 8, as shown in FIG. 2, the plurality of concave surfaces uniformly formed on the reflector 80a guide the reflected light from the upper lamp group 81 on the substrate 9 and the auxiliary ring 83 substantially uniformly. . In the case of such a reflector, the temperature rise of the auxiliary ring 83 may not be sufficiently obtained.

【0008】また、下段ランプ群82から上方に出射さ
れる光に対しては全く配慮がなされておらず、補助リン
グ83に対する加熱においてリフレクタ80aからの反
射光の寄与の程度は、上段ランプ群81のみにより調整
されこととなる。以上のように、熱処理装置8の構造
は、補助リング83を十分に効率よく加熱するには好ま
しくない構造であるといえる。
Further, no consideration is given to the light emitted upward from the lower lamp group 82, and the contribution of the reflected light from the reflector 80a in heating the auxiliary ring 83 depends on the upper lamp group 81. It will be adjusted only by. As described above, it can be said that the structure of the heat treatment device 8 is not preferable for heating the auxiliary ring 83 sufficiently efficiently.

【0009】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、補助リングを効率よく加熱することにより、加熱
の際の基板の温度均一性を向上することを目的としてい
る。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to improve the temperature uniformity of a substrate during heating by efficiently heating the auxiliary ring.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板に光を照射して加熱を伴う処理を行う熱処理装
置であって、処理される基板の主面に対向する反射面
と、前記反射面に沿って配列されたランプ群と、基板の
外周に沿って前記外周から外側に広がる補助リングとを
備え、前記反射面が、前記ランプ群に含まれるランプか
らの光を反射して前記補助リング上に実質的に集光させ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus for irradiating a substrate with light to perform a treatment accompanied by heating, wherein a reflection surface facing a main surface of the substrate to be treated is provided. A lamp group arranged along the reflecting surface and an auxiliary ring extending outward from the outer circumference along the outer circumference of the substrate, the reflecting surface reflecting light from the lamps included in the lamp group. To substantially focus light on the auxiliary ring.

【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の熱処理装置であって、前記反射面が、前記ランプ群に
含まれる複数のランプからの光を反射して前記補助リン
グ上に実質的に集光させる。
According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first aspect, the reflecting surface reflects light from a plurality of lamps included in the lamp group on the auxiliary ring. Substantially collect light.

【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の熱処理装置であって、前記ランプ群に含まれ
る各ランプが、所定方向を向く棒状のランプである。
According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first or second aspect, each lamp included in the lamp group is a rod-shaped lamp that faces a predetermined direction.

【0013】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の熱処理装置であって、前記反射面が、前記ランプ群に
含まれる複数のランプからの光を同一領域に集光させ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the third aspect, the reflecting surface focuses light from a plurality of lamps included in the lamp group in the same region.

【0014】請求項5に記載の発明は、請求項3または
4に記載の熱処理装置であって、前記ランプ群と前記主
面との間において前記所定方向とは異なる方向を向くよ
うに配列された棒状のもう1つのランプ群と、前記ラン
プ群と前記もう1つのランプ群との間において、前記も
う1つのランプ群のうち配列方向に関して両端側の領域
に存在するランプからの光を反射する1対の反射面とを
さらに備え、前記反射面が、前記ランプ群のうち配列方
向に関して両端側の領域のそれぞれに存在するランプか
らの光を反射して前記補助リング上に実質的に集光さ
せ、前記1対の反射面が、前記もう1つのランプ群のう
ち配列方向に関して両端側の領域のそれぞれに存在する
ランプからの光を反射して前記補助リング上に実質的に
集光させる。
A fifth aspect of the present invention is the heat treatment apparatus according to the third or fourth aspect, wherein the heat treatment apparatus is arranged so as to face a direction different from the predetermined direction between the lamp group and the main surface. The other rod-shaped lamp group, and between the lamp group and the other lamp group, reflects the light from the lamps present in the regions on both end sides in the arrangement direction of the other lamp group. A pair of reflecting surfaces are further provided, and the reflecting surfaces reflect light from lamps present in respective regions on both ends of the lamp group in the arrangement direction, and substantially condense the light on the auxiliary ring. Then, the pair of reflecting surfaces reflects light from the lamps present in the regions on both ends of the other lamp group with respect to the arrangement direction and substantially focuses the light on the auxiliary ring.

【0015】請求項6に記載の発明は、基板に光を照射
して加熱を伴う処理を行う熱処理装置であって、処理さ
れる基板の主面に対向する反射面と、前記反射面に沿っ
てそれぞれが所定方向を向くように配列された棒状のラ
ンプ群とを備え、前記反射面が、前記ランプ群に含まれ
るランプに沿って形成されるとともに対称面が前記主面
の法線方向から傾斜している凹面を有する。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus which irradiates a substrate with light to perform a process involving heating, the reflecting face facing a main surface of the substrate to be treated, and the reflecting face. And a rod-shaped lamp group arranged so as to face each other in a predetermined direction, the reflecting surface is formed along a lamp included in the lamp group, and a symmetry plane is formed from a direction normal to the main surface. It has a concave concave surface.

【0016】請求項7に記載の発明は、請求項6に記載
の熱処理装置であって、前記ランプ群のうち配列方向に
関して両端側の領域に存在するランプのそれぞれに対し
て前記凹面が形成される。
According to a seventh aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the sixth aspect, the concave surface is formed for each of the lamps in the regions on both ends of the lamp group in the arrangement direction. It

【0017】請求項8に記載の発明は、請求項7に記載
の熱処理装置であって、前記両端側の領域のそれぞれに
複数のランプが存在する。
The invention according to claim 8 is the heat treatment apparatus according to claim 7, wherein a plurality of lamps are present in each of the regions on both ends.

【0018】請求項9に記載の発明は、請求項6ないし
8のいずれかに記載の熱処理装置であって、基板の外周
に沿って前記外周から外側に広がる補助リングをさらに
備える。
The invention according to claim 9 is the heat treatment apparatus according to any one of claims 6 to 8, further comprising an auxiliary ring extending from the outer periphery to the outer side along the outer periphery of the substrate.

【0019】請求項10に記載の発明は、請求項6ない
し9のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記ラン
プ群と前記主面との間において前記所定方向とは異なる
方向を向くように配列された棒状のもう1つのランプ群
と、前記ランプ群と前記もう1つのランプ群との間にお
いて、前記もう1つのランプ群のうち配列方向に関して
両端側の領域に存在するランプからの光を反射する1対
の反射面とをさらに備え、前記1対の反射面が、前記も
う1つのランプ群のうち配列方向に関して両端側の領域
に存在するランプのそれぞれに沿って形成された凹面を
有し、前記凹面の対称面が基板側に傾斜している。
A tenth aspect of the present invention is the heat treatment apparatus according to any one of the sixth to ninth aspects, wherein the heat treatment device faces a direction different from the predetermined direction between the lamp group and the main surface. Between the other rod-shaped lamp group arranged in a row, and the light from the lamps existing in the regions on both ends of the other lamp group in the arrangement direction between the lamp group and the other lamp group. And a pair of reflecting surfaces that reflect light from the pair of reflecting surfaces, the pair of reflecting surfaces having concave surfaces formed along each of the lamps present in regions on both ends of the other lamp group in the arrangement direction. The concave symmetrical surface is inclined toward the substrate.

【0020】請求項11に記載の発明は、請求項1ない
し10のいずれかに記載の熱処理装置であって、基板を
前記反射面と対向させつつ回転させる回転機構をさらに
備える。
The eleventh aspect of the present invention is the heat treatment apparatus according to any one of the first to tenth aspects, further comprising a rotating mechanism for rotating the substrate while facing the reflecting surface.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】図3および図4は、本発明の一の
実施の形態に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図で
あり、図3における切断面と図4における切断面とは熱
処理装置1のZ方向を向く中心軸1aで垂直に交差す
る。図3および図4では細部の断面に対する平行斜線の
記載を省略している。
3 and 4 are vertical cross-sectional views showing the structure of a heat treatment apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The cross section in FIG. 3 and the cross section in FIG. The heat treatment apparatus 1 intersects vertically with the central axis 1a facing the Z direction. In FIGS. 3 and 4, the illustration of parallel diagonal lines with respect to the detailed cross section is omitted.

【0022】熱処理装置1は、装置本体である本体部1
1、本体部11の上部を覆う蓋部12、および、本体部
11の中央底面に配置された反射板13を有し、これら
により内部空間が形成される。内部空間は石英にて形成
されたチャンバ窓21により上下に仕切られ、下部の処
理空間10に基板9が配置される。チャンバ窓21と本
体部11との間は図示しないOリングによりシールされ
る。なお、本体部11の内側面は円筒面となっている。
The heat treatment apparatus 1 has a main body 1 which is the main body of the apparatus.
1, a lid portion 12 that covers the upper portion of the main body portion 11, and a reflection plate 13 that is disposed on the central bottom surface of the main body portion 11, and these forms an internal space. The inner space is vertically divided by a chamber window 21 made of quartz, and the substrate 9 is placed in the lower processing space 10. The chamber window 21 and the main body 11 are sealed by an O-ring (not shown). The inner surface of the main body 11 is a cylindrical surface.

【0023】基板9は外部の搬送機構により処理空間1
0内へと搬送され、補助リング31上に載置される。補
助リング31は基板9の外周に沿って外周から外側に広
がるリング形状(中心軸1aを中心とするリング形状)
となっており、基板9の下面の周縁部に当接して基板9
を支持する。補助リング31は、例えば、炭化ケイ素
(SiC)により形成され、補助リング31が基板9と
一体的に加熱される。これにより、基板9のみを加熱す
る場合に比べて基板9の周縁部からの放熱が抑制され、
基板9の温度の均一性が向上される。
The substrate 9 is processed in the processing space 1 by an external transfer mechanism.
It is transported to the inside of 0 and placed on the auxiliary ring 31. The auxiliary ring 31 has a ring shape extending from the outer periphery to the outer periphery along the outer periphery of the substrate 9 (a ring shape centering on the central axis 1a).
And is brought into contact with the peripheral portion of the lower surface of the substrate 9
Support. The auxiliary ring 31 is formed of, for example, silicon carbide (SiC), and the auxiliary ring 31 is heated integrally with the substrate 9. Thereby, heat radiation from the peripheral edge of the substrate 9 is suppressed as compared with the case where only the substrate 9 is heated,
The uniformity of the temperature of the substrate 9 is improved.

【0024】補助リング31は中心軸1aを中心とする
円筒状の支持リング32に支持され、支持リング32の
下端にはカップリング部材331が取り付けられる。本
体部11の外部下方にはカップリング部材331と対向
するカップリング部材332が設けられ、カップリング
部材331およびカップリング部材332により磁気的
なカップリング機構が構成される。カップリング部材3
32は図4に示すモータ333により中心軸1aを中心
に回転する。これにより、本体部11内部のカップリン
グ部材331が磁気的作用により回転し、基板9および
補助リング31が中心軸1aを中心に回転する。
The auxiliary ring 31 is supported by a cylindrical support ring 32 centering on the central axis 1a, and a coupling member 331 is attached to the lower end of the support ring 32. A coupling member 332 facing the coupling member 331 is provided below the outside of the main body 11, and the coupling member 331 and the coupling member 332 constitute a magnetic coupling mechanism. Coupling member 3
The motor 32 is rotated about the central shaft 1a by the motor 333 shown in FIG. As a result, the coupling member 331 inside the main body 11 rotates by a magnetic action, and the substrate 9 and the auxiliary ring 31 rotate about the central axis 1a.

【0025】本体部11の側壁には複数のガス導入口1
11および排気口112が形成されており、排気口11
2から処理空間10内のガスが(強制)排気されたり、
ガス導入口111を介して基板9に施される処理の種類
に応じたガス(例えば、窒素、酸素)が導入されること
により、処理空間10のガス置換が行われる。なお、基
板9および補助リング31とチャンバ窓21との間には
多数の穴が形成された石英のシャワープレート22が設
けられ、ガス導入口111から導入されたガスがシャワ
ープレート22を介して基板9の上面に均一に付与され
る。処理に用いられたガスは、支持リング32の下方か
ら排気口112へと導かれる。
A plurality of gas inlets 1 are provided on the side wall of the main body 11.
11 and the exhaust port 112 are formed, the exhaust port 11
The gas in the processing space 10 is (forced) exhausted from 2,
The gas in the processing space 10 is replaced by introducing a gas (for example, nitrogen, oxygen) according to the type of processing performed on the substrate 9 through the gas introduction port 111. A quartz shower plate 22 having a large number of holes is provided between the substrate 9 and the auxiliary ring 31 and the chamber window 21, and the gas introduced from the gas inlet 111 is supplied to the substrate through the shower plate 22. 9 is uniformly applied to the upper surface of 9. The gas used for the treatment is guided from below the support ring 32 to the exhaust port 112.

【0026】蓋部12の下面は基板9の主面(すなわ
ち、上面)に対向する反射面(以下、「上側リフレク
タ」という。)121となっており、上側リフレクタ1
21に沿ってそれぞれが図3および図4中のX方向を向
くように棒状の上段ランプ群41が配列される。上段ラ
ンプ群41からの光のうち上方に出射されるものは上側
リフレクタ121により反射され、基板9に照射され
る。
The lower surface of the lid 12 is a reflecting surface (hereinafter referred to as "upper reflector") 121 facing the main surface (that is, the upper surface) of the substrate 9, and the upper reflector 1
A bar-shaped upper lamp group 41 is arranged along 21 so as to face the X direction in FIGS. 3 and 4, respectively. Of the light from the upper lamp group 41, the light emitted upward is reflected by the upper reflector 121 and is irradiated on the substrate 9.

【0027】また、上側リフレクタ121はX方向(ラ
ンプの長手方向)に垂直な断面の形状が一定であり、断
面形状は各ランプが焦点に位置する楕円の一部となって
いる。これにより、上段ランプ群41の各ランプからの
反射光の大部分が基板9および補助リング31上の特定
の領域に選択的に照射される。
The upper reflector 121 has a constant sectional shape perpendicular to the X direction (longitudinal direction of the lamp), and the sectional shape is a part of an ellipse where each lamp is located at the focal point. As a result, most of the reflected light from each lamp of the upper lamp group 41 is selectively applied to a specific area on the substrate 9 and the auxiliary ring 31.

【0028】上段ランプ群41の下方(すなわち、上段
ランプ群41と基板9の主面との間)には、それぞれが
Y方向を向くように棒状の下段ランプ群42が配置され
る。すなわち、上段ランプ群41と下段ランプ群42と
は互いに直交するように蓋部12に取り付けられる。
Below the upper lamp group 41 (that is, between the upper lamp group 41 and the main surface of the substrate 9), rod-shaped lower lamp groups 42 are arranged so as to face the Y direction. That is, the upper lamp group 41 and the lower lamp group 42 are attached to the lid 12 so as to be orthogonal to each other.

【0029】上段ランプ群41および下段ランプ群42
のそれぞれは、中心軸1aからの距離に応じて小グルー
プに分けられている。図4ではグループ分けされた上段
ランプ群41のランプに中心軸1a側から符号411,
412,413,414を付しており、図3ではグルー
プ分けされた下段ランプ群42のランプに中心軸1a側
から符号421,422,423,424を付してい
る。
Upper lamp group 41 and lower lamp group 42
Are divided into small groups according to the distance from the central axis 1a. In FIG. 4, the lamps of the upper lamp group 41 divided into groups are denoted by reference numeral 411 from the central axis 1a side.
412, 413, and 414 are attached, and in FIG. 3, the lamps of the lower lamp group 42 divided into groups are attached with reference numerals 421, 422, 423, and 424 from the central axis 1a side.

【0030】図5は、小グループに分けられたランプと
ランプに電力を供給するランプ制御部6との接続関係を
示すブロック図である(複数のランプであっても1つの
ブロックにて示している。)。図5に示すように、各グ
ループは個別にランプ制御部6に接続され、互いに独立
して電力が供給される。これにより、基板9の上面に照
射される光の強度分布が制御される。
FIG. 5 is a block diagram showing a connection relationship between lamps divided into small groups and a lamp control section 6 for supplying electric power to the lamps (even a plurality of lamps are shown as one block. .). As shown in FIG. 5, each group is individually connected to the lamp control unit 6 and supplied with power independently of each other. As a result, the intensity distribution of the light with which the upper surface of the substrate 9 is irradiated is controlled.

【0031】一方、熱処理装置1では、図3に示すよう
に上段ランプ群41と下段ランプ群42との間におい
て、下段ランプ群42のうち配列方向(X方向)に関し
て両端側の領域に存在するランプ424からの光を反射
する2つの下側リフレクタ122が蓋部12に設けられ
る。下側リフレクタ122はY方向(ランプの長手方
向)に垂直な断面の形状が一定であり、断面形状は各ラ
ンプが焦点に位置する楕円の一部となっている。これに
より、下段ランプ群42の配列方向に関して両端側の各
ランプからの反射光の大部分が補助リング31上の特定
の領域に選択的に照射される。
On the other hand, in the heat treatment apparatus 1, as shown in FIG. 3, between the upper lamp group 41 and the lower lamp group 42, the lower lamp group 42 exists in both end regions in the arrangement direction (X direction). The lid 12 is provided with two lower reflectors 122 that reflect the light from the lamp 424. The lower reflector 122 has a constant cross-sectional shape perpendicular to the Y direction (longitudinal direction of the lamp), and the cross-sectional shape is part of an ellipse where each lamp is located at the focal point. As a result, most of the reflected light from each lamp on both ends in the arrangement direction of the lower lamp group 42 is selectively applied to a specific area on the auxiliary ring 31.

【0032】下側リフレクタ122が設けられることに
より、図1および図2に例示する従来の熱処理装置8に
比べて補助リングの加熱効率が向上する。すなわち、従
来の熱処理装置8では下段ランプ群82からの光のうち
上方に向かう光は上段ランプ群81の上方に位置するリ
フレクタ80aに到達するまでに散乱してしまい、さら
に、下段ランプ群82のランプの長手方向とリフレクタ
80aの各凹面(図2参照)が伸びる方向とが直交する
ため、反射光はさらに散乱することとなる。
By providing the lower reflector 122, the heating efficiency of the auxiliary ring is improved as compared with the conventional heat treatment apparatus 8 illustrated in FIGS. 1 and 2. That is, in the conventional heat treatment apparatus 8, of the light from the lower lamp group 82, the upward light is scattered before reaching the reflector 80 a located above the upper lamp group 81, and further, the light of the lower lamp group 82. Since the longitudinal direction of the lamp is orthogonal to the extending direction of each concave surface (see FIG. 2) of the reflector 80a, the reflected light will be further scattered.

【0033】これに対し、熱処理装置1では下側リフレ
クタ122の下方に位置するランプから上方に出射され
た光は直ちに反射され、後述のように補助リング31の
加熱に寄与する。
On the other hand, in the heat treatment apparatus 1, the light emitted upward from the lamp located below the lower reflector 122 is immediately reflected and contributes to the heating of the auxiliary ring 31 as described later.

【0034】図4に示すように、反射板13の下面に
は、中心軸1aから外側に向かって複数の放射温度計5
1〜54が取り付けられる。放射温度計51〜53は窓
部材50を介して基板9からの赤外光を受光することに
より基板9の温度を測定する。放射温度計54は窓部材
50を介して補助リング31からの赤外光を受光するこ
とにより補助リング31の温度を測定する。基板9およ
び補助リング31は回転することから複数の放射温度計
51〜54により中心軸1aからの距離に応じた基板9
および補助リング31の温度が測定される。
As shown in FIG. 4, a plurality of radiation thermometers 5 are provided on the lower surface of the reflector plate 13 from the central axis 1a toward the outside.
1 to 54 are attached. The radiation thermometers 51 to 53 measure the temperature of the substrate 9 by receiving infrared light from the substrate 9 through the window member 50. The radiation thermometer 54 measures the temperature of the auxiliary ring 31 by receiving infrared light from the auxiliary ring 31 via the window member 50. Since the substrate 9 and the auxiliary ring 31 rotate, the substrate 9 and the auxiliary ring 31 are rotated by the plurality of radiation thermometers 51 to 54 according to the distance from the central axis 1a.
And the temperature of the auxiliary ring 31 is measured.

【0035】基板9に加熱を伴う処理が行われる際に
は、例えば、放射温度計51の測定結果に応じてランプ
411,421への電力供給が制御され、同様に、放射
温度計52,53,54の測定結果に応じてランプ41
2,422、ランプ413,423、ランプ414,4
24への電力供給がそれぞれ制御される。このとき、基
板9および補助リング31はモータ333およびカップ
リング機構により構成される回転機構により上側リフレ
クタ121および下側リフレクタ122に対向しつつ回
転する。これにより、基板9の温度が可能な限り均一と
なるように基板9および補助リング31の加熱が制御さ
れる。
When the substrate 9 is heated, for example, the power supply to the lamps 411 and 421 is controlled according to the measurement result of the radiation thermometer 51. Similarly, the radiation thermometers 52 and 53 are controlled. , 41 according to the measurement results of
2,422, lamps 413,423, lamps 414,4
The power supply to 24 is controlled respectively. At this time, the substrate 9 and the auxiliary ring 31 rotate while facing the upper reflector 121 and the lower reflector 122 by the rotation mechanism configured by the motor 333 and the coupling mechanism. Thereby, the heating of the substrate 9 and the auxiliary ring 31 is controlled so that the temperature of the substrate 9 becomes as uniform as possible.

【0036】次に、上側リフレクタ121および下側リ
フレクタ122の形状について説明する。
Next, the shapes of the upper reflector 121 and the lower reflector 122 will be described.

【0037】図6は上段ランプ群41から基板9および
補助リング31に光が照射される様子を示す図である。
上側リフレクタ121のYZ面による断面形状はランプ
の中心と照射すべき位置とを焦点に有する楕円の一部を
配列したものとされる。したがって、各ランプからの光
は基板9および補助リング31上にライン状に集光され
る。
FIG. 6 is a diagram showing how the upper lamp group 41 irradiates the substrate 9 and the auxiliary ring 31 with light.
The cross-sectional shape of the upper reflector 121 taken along the YZ plane is such that a part of an ellipse having the center of the lamp and the irradiation position as a focal point is arranged. Therefore, the light from each lamp is linearly condensed on the substrate 9 and the auxiliary ring 31.

【0038】上段ランプ群41のうち配列方向に関して
両端側の領域に存在するランプ414以外のランプから
の反射光はおよそ真下へと導かれ、基板9上に集光され
る。一方、ランプ414のそれぞれに対して形成される
凹面1211は、ランプ414に沿ってX方向に形成さ
れるとともに対称面(楕円の対称軸414aを含みX方
向に平行な面)が基板9の主面の法線方向(Z方向)か
ら基板9側に傾斜している。対称軸414aは補助リン
グ31のほぼ内側面(基板9の外側面)に接するように
傾けられており、複数のランプ414からの反射光が同
一領域に集光される。
The reflected light from the lamps other than the lamps 414 existing in the regions on both ends in the arrangement direction of the upper lamp group 41 is guided almost directly below and is condensed on the substrate 9. On the other hand, the concave surface 1211 formed for each of the lamps 414 is formed along the lamp 414 in the X direction and has a symmetry plane (a plane including the elliptical symmetry axis 414 a and parallel to the X direction) of the substrate 9. It is inclined to the substrate 9 side from the normal direction (Z direction) of the surface. The axis of symmetry 414a is tilted so as to contact substantially the inner surface of the auxiliary ring 31 (the outer surface of the substrate 9), and the reflected light from the plurality of lamps 414 is condensed in the same region.

【0039】図7は下段ランプ群42のうち配列方向に
関して両端側の領域のそれぞれに存在するランプ424
からの反射光が補助リング31に照射される様子を示す
図である。1対の下側リフレクタ122にもランプ42
4のそれぞれに対して断面が楕円の一部となるようにラ
ンプ414に沿って凹面1221が形成され、対称面
(楕円の対称軸424aを含みY方向に平行な面)が基
板9の主面の法線方向(Z方向)から基板9側に傾斜し
ている。対称軸424aは補助リング31のほぼ内側面
(基板9の外側面)に接するように傾けられており、複
数のランプ424からの反射光が同一領域に集光され
る。
FIG. 7 shows the lamps 424 existing in the regions on both ends of the lower lamp group 42 in the arrangement direction.
It is a figure which shows a mode that the reflected light from is irradiated to the auxiliary ring 31. The pair of lower reflectors 122 also has a lamp 42.
A concave surface 1221 is formed along the lamp 414 so that the cross section is a part of an ellipse for each of the four, and the symmetry plane (the plane including the symmetry axis 424a of the ellipse and parallel to the Y direction) is the main surface of the substrate 9. Is inclined toward the substrate 9 side from the normal direction (Z direction). The axis of symmetry 424a is tilted so as to come into contact with substantially the inner surface of the auxiliary ring 31 (the outer surface of the substrate 9), and the reflected light from the plurality of lamps 424 is condensed in the same region.

【0040】なお、凹面1211,1221は対称面と
交差する必要はなく、対称面と交差しない凹面を用いつ
つ複数の凹面を密に結合することにより凹面の深さを抑
えることができる。例えば、3つの凹面1211に代え
て1つの高出力のランプからの光を1つの凹面で補助リ
ング31に集光させようとした場合、大きな(奥行きの
深い)凹面を形成する必要があるが、複数のランプから
の光を結合された複数の浅い凹面にて集光することによ
り、上側リフレクタ121を容易に加工することが可能
となる。下側リフレクタ122についても同様である。
The concave surfaces 1211 and 1221 do not need to intersect the symmetrical surface, and the depth of the concave surface can be suppressed by closely coupling the plural concave surfaces while using the concave surface that does not intersect the symmetrical surface. For example, instead of the three concave surfaces 1211, if light from one high-power lamp is to be condensed on the auxiliary ring 31 by one concave surface, it is necessary to form a large (deep) concave surface. The upper reflector 121 can be easily processed by collecting the light from the plurality of lamps by the plurality of shallow concave surfaces that are combined. The same applies to the lower reflector 122.

【0041】以上のように、熱処理装置1では上側リフ
レクタ121および下側リフレクタ122からの反射光
が補助リング31に集光されるため、補助リング31の
加熱を効率よく行うことができ、基板9の温度均一性が
向上される。また、複数のランプ414,424からの
反射光が補助リング31に集光されることから(特に、
補助リング31上の1つの照射領域に複数のランプから
の反射光が集光されることから)、1つのランプのパワ
ーが小さい場合であっても、補助リング31を急速かつ
高温に加熱することができる。
As described above, in the heat treatment apparatus 1, the reflected light from the upper reflector 121 and the lower reflector 122 is condensed on the auxiliary ring 31, so that the auxiliary ring 31 can be efficiently heated and the substrate 9 Temperature uniformity is improved. Further, since the reflected light from the plurality of lamps 414 and 424 is condensed on the auxiliary ring 31, (especially,
To rapidly heat the auxiliary ring 31 to a high temperature even when the power of one lamp is small (since the reflected light from a plurality of lamps is collected in one irradiation area on the auxiliary ring 31). You can

【0042】次に、補助リング31への反射光の照射の
様子についてさらに説明する。既述のように熱処理装置
1では、ランプが棒状であってリフレクタの1つの凹面
がランプに沿って形成され、1つのランプに対応する反
射光はライン状の領域に照射される。図8はランプ41
4またはランプ424のいずれかに相当するランプ42
0からの反射光が補助リング31に照射される領域91
(太線にて図示)を例示する図である。図8に示すよう
にランプ420の端部側から出射されて反射された光は
補助リング31の外側へと導かれる。そして、基板9お
よび補助リング31が回転することから、ランプ420
からの反射光は補助リング31の任意の領域に照射され
ることとなる。
Next, the manner in which the auxiliary ring 31 is irradiated with the reflected light will be further described. As described above, in the heat treatment apparatus 1, the lamp is rod-shaped, one concave surface of the reflector is formed along the lamp, and the reflected light corresponding to one lamp is applied to the linear region. FIG. 8 shows a lamp 41
Lamp 42 corresponding to either 4 or lamp 424
Area 91 in which the reflected light from 0 is applied to the auxiliary ring 31
It is a figure which illustrates (illustrated with a thick line). As shown in FIG. 8, the light emitted from the end portion side of the lamp 420 and reflected is guided to the outside of the auxiliary ring 31. Then, since the substrate 9 and the auxiliary ring 31 rotate, the lamp 420
The reflected light from is emitted to any area of the auxiliary ring 31.

【0043】以上のことから、中心軸1aからの距離と
この距離における平均的な照射エネルギー(すなわち、
同心円状の領域に対する照射エネルギーを面積で除した
値)との関係を考えた場合、平均的な照射エネルギーは
中心軸1aと領域91の中心との距離91Lよりも若干
長い距離で最大となる。したがって、僅かに基板9に反
射光が照射されるように凹面の対称面の傾きが設定され
ても実質的にリフレクタからの光は補助リング31に集
光しつつ照射されることとなる。
From the above, the distance from the central axis 1a and the average irradiation energy at this distance (ie,
Considering the relationship with the irradiation energy for a concentric area divided by the area), the average irradiation energy becomes maximum at a distance slightly longer than the distance 91L between the central axis 1a and the center of the area 91. Therefore, even if the inclination of the symmetrical surface of the concave surface is set so that the substrate 9 is slightly irradiated with the reflected light, the light from the reflector is substantially irradiated while being condensed on the auxiliary ring 31.

【0044】すなわち、ランプ414およびランプ42
4に対応する凹面は補助リング31に反射光を照射する
ために設けられるが、反射光が基板9に完全に照射され
ないように設計される必要はない。
That is, the lamp 414 and the lamp 42
The concave surface corresponding to 4 is provided to irradiate the auxiliary ring 31 with the reflected light, but it does not need to be designed so that the substrate 9 is not completely irradiated with the reflected light.

【0045】そして、熱処理装置1では、ランプ群の配
列方向に関して両端側の領域のそれぞれに複数のランプ
が存在し、かつ、同一領域に照射されることから、多く
のランプからの反射光を補助リング31に集光させるこ
とができ、非常に効率よく補助リング31を加熱するこ
とができる。
In the heat treatment apparatus 1, since a plurality of lamps are present in each of the regions on both ends in the arrangement direction of the lamp group and the same region is irradiated, the reflected light from many lamps is assisted. The light can be focused on the ring 31, and the auxiliary ring 31 can be heated very efficiently.

【0046】図9は下側リフレクタ122が存在せず、
かつ、(上側)リフレクタからの反射光を補助リングに
集光させない熱処理装置(すなわち、従来の熱処理装
置)と下側リフレクタ122が存在し、かつ、上側リフ
レクタ121からの反射光を補助リング31に集光させ
る熱処理装置1とにおいて、基板の中心からの距離(半
径)とその距離における基板および補助リング上の相対
照度との関係を示す図である。また、図10は従来の熱
処理装置と図3および図4に示す熱処理装置1とにおい
て、基板の中心からの距離とその距離における基板およ
び補助リング上の照度との関係を示す図である。
In FIG. 9, the lower reflector 122 is not present,
Moreover, there is a heat treatment device (that is, a conventional heat treatment device) that does not collect the reflected light from the (upper) reflector on the auxiliary ring, and the lower reflector 122, and the reflected light from the upper reflector 121 is directed to the auxiliary ring 31. FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a distance (radius) from the center of the substrate and relative illuminance on the substrate and the auxiliary ring at that distance in the heat treatment device 1 for converging light. FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the distance from the center of the substrate and the illuminance on the substrate and the auxiliary ring at that distance in the conventional heat treatment apparatus and the heat treatment apparatus 1 shown in FIGS. 3 and 4.

【0047】図9および図10中に示す範囲71は基板
9が存在する範囲であり、範囲72は補助リング31が
存在する範囲である。相対照度分布は基板9の温度均一
性を実現して半導体チップの歩留まりを向上させるため
の指標として参照されるものであり、照度分布は熱処理
装置の基板9を昇温させる能力の指標として参照され
る。
A range 71 shown in FIGS. 9 and 10 is a range in which the substrate 9 is present, and a range 72 is a range in which the auxiliary ring 31 is present. The relative illuminance distribution is referred to as an index for realizing temperature uniformity of the substrate 9 and improving the yield of semiconductor chips, and the illuminance distribution is referred to as an index of the ability of the heat treatment apparatus to raise the temperature of the substrate 9. It

【0048】各図に示すグラフ曲線は基板および補助リ
ングを回転させるという前提の下でシミュレーションに
より得られた結果(すなわち、基板の中心からの距離に
対する平均的な相対照度および照度)であり、対比され
る2つの熱処理装置は下側リフレクタ122の有無およ
びリフレクタの形状が異なるという点を除いて同様であ
る。以下、従来の熱処理装置に言及する際にも図3およ
び図4に付した符号を用いながら説明を行う。
The graph curves shown in the respective figures are the results (ie, the average relative illuminance and the illuminance with respect to the distance from the center of the substrate) obtained by the simulation under the assumption that the substrate and the auxiliary ring are rotated, and are compared. The two heat treatment devices are the same except that the lower reflector 122 is not provided and the shape of the reflector is different. Hereinafter, even when referring to the conventional heat treatment apparatus, description will be given using the reference numerals given in FIGS. 3 and 4.

【0049】シミュレーションにおける具体的な条件と
しては、基板9の直径が300mm、補助リング31は
ドーナツ状であって幅が20mm、上段ランプ群41お
よび下段ランプ群42におけるランプ間隔は20mmで
ある。
As specific conditions in the simulation, the diameter of the substrate 9 is 300 mm, the auxiliary ring 31 is doughnut-shaped and has a width of 20 mm, and the lamp interval in the upper lamp group 41 and the lower lamp group 42 is 20 mm.

【0050】上段ランプ群41のランプ411〜41
3、並びに、下段ランプ群42のランプ421〜423
は、出力が4000Wであり、発光長が320mmであ
る。上段ランプ群41および下段ランプ群42において
主として補助リング31を加熱するランプ414,42
4は、出力が4200Wであり、発光長が200mmで
ある。外側のランプ414,424の発光長が他のラン
プよりも短いため、加熱対象である基板9が円形であっ
ても上下2段に格子状に配置されたランプ群から効率よ
く光が照射される。
Lamps 411 to 41 of the upper lamp group 41
3 and the lamps 421 to 423 of the lower lamp group 42
Has an output of 4000 W and an emission length of 320 mm. In the upper lamp group 41 and the lower lamp group 42, lamps 414 and 42 that mainly heat the auxiliary ring 31.
No. 4 has an output of 4200 W and an emission length of 200 mm. Since the outer lamps 414 and 424 have shorter emission lengths than the other lamps, even if the substrate 9 to be heated is circular, light is efficiently emitted from the lamp group arranged in a two-tiered grid pattern. .

【0051】図9および図10において、符号711,
721にて示す実線の曲線は理想的な相対照度分布およ
び照度分布を示している。理想的に加熱を行うことがで
きるときの光の様々な照射条件が予め実験により得られ
ており、このときの相対照度分布および照度分布をモン
テカルロ法による照度シミュレーションにより求めたも
のが曲線711,721である。
9 and 10, reference numerals 711,
The solid curve indicated by 721 indicates the ideal relative illuminance distribution and illuminance distribution. Various irradiation conditions of light at which ideal heating can be performed have been previously obtained by an experiment, and the relative illuminance distribution and the illuminance distribution obtained at this time are obtained by illuminance simulation by the Monte Carlo method. Is.

【0052】符号712,722にて示す長い破線の曲
線は従来の熱処理装置において全ランプを定格点灯した
場合(以下、「条件1」という。)の相対照度分布およ
び照度分布を示していおり、符号713,723にて示
す短い破線の曲線は本実施の形態に係る熱処理装置1に
おいて全ランプを定格点灯した場合(以下、「条件2」
という。)の相対照度分布および照度分布を示してい
る。
The long broken curves indicated by reference numerals 712 and 722 represent the relative illuminance distribution and the illuminance distribution when all the lamps are rated on in the conventional heat treatment apparatus (hereinafter referred to as "condition 1"). The short dashed curves indicated by 713 and 723 are obtained when all the lamps are turned on in the heat treatment apparatus 1 according to the present embodiment (hereinafter, referred to as “condition 2”).
Say. ) Shows the relative illuminance distribution and the illuminance distribution.

【0053】符号714,724にて示す一点鎖線は従
来の熱処理装置において理想的な相対照度分布に近づけ
るようにランプを点灯した場合(以下、「条件3」とい
う。)の相対照度分布および照度分布を示していおり、
符号715,725にて示す二点鎖線は本実施の形態に
係る熱処理装置1において理想的な相対照度分布に近づ
けるようにランプを点灯した場合(以下、「条件4」と
いう。)の相対照度分布および照度分布を示している。
なお、曲線714,724ではピークが補助リング31
の外側に位置する。
Dotted lines indicated by reference numerals 714 and 724 indicate the relative illuminance distribution and the illuminance distribution when the lamp is turned on so as to approach the ideal relative illuminance distribution in the conventional heat treatment apparatus (hereinafter referred to as "condition 3"). Shows
The two-dot chain lines indicated by reference numerals 715 and 725 indicate the relative illuminance distribution when the lamp is turned on so as to approach the ideal relative illuminance distribution in the heat treatment apparatus 1 according to the present embodiment (hereinafter referred to as “condition 4”). And the illuminance distribution.
In addition, in the curves 714 and 724, the peak is the auxiliary ring 31.
Located outside.

【0054】条件1ないし4において、ランプ411〜
414並びにランプ421〜424に与えられる電力の
定格電力に対する割合(定格比)を表1に示す。
Under the conditions 1 to 4, the lamps 411 to 411
Table 1 shows the ratio (rated ratio) of the power supplied to the lamps 414 and the lamps 421 to 424 to the rated power.

【0055】[0055]

【表1】 [Table 1]

【0056】図9において曲線712(条件1)と曲線
713(条件2)とを対比すると、曲線712では補助
リング31において相対照度が外側に向かって低下する
が、曲線713では相対照度が補助リング31上にて上
昇することが分かる。すなわち、下側リフレクタ122
を設け、さらに、補助リング31に複数のランプからの
反射光を実質的に集光させることにより全ランプを定格
電力にて点灯したときの補助リング31の加熱能力が向
上される。
When the curve 712 (condition 1) and the curve 713 (condition 2) are compared in FIG. 9, the relative illuminance of the auxiliary ring 31 decreases outward in the curve 712, but the relative illuminance of the curve 713 decreases. It can be seen that it will rise above 31. That is, the lower reflector 122
Further, by providing the auxiliary ring 31 with substantially the reflected light from the plurality of lamps, the heating ability of the auxiliary ring 31 when all the lamps are turned on at the rated power is improved.

【0057】また、表1により、理想的な相対照度分布
に近づけるように小グループのランプに電力配分を行う
とき、従来の熱処理装置(条件3)ではおよそ基板9に
対向するランプ411〜413並びにランプ421〜4
23の定格比が0〜25%になるが、本実施の形態に係
る熱処理装置1(条件4)ではこれらのランプの定格比
を50〜100%とすることができる。なお、条件3お
よび4において補助リング31におよそ対向するランプ
414,424の定格比は100%とされる。
Further, according to Table 1, when the electric power is distributed to the small group of lamps so as to approach the ideal relative illuminance distribution, in the conventional heat treatment apparatus (condition 3), the lamps 411 to 413 facing the substrate 9 and Lamps 421-4
The rating ratio of No. 23 is 0 to 25%, but in the heat treatment apparatus 1 (condition 4) according to the present embodiment, the rating ratio of these lamps can be set to 50 to 100%. Under the conditions 3 and 4, the rated ratio of the lamps 414 and 424 facing the auxiliary ring 31 is set to 100%.

【0058】図10の曲線724(条件3)に示すよう
に、従来の熱処理装置では相対照度分布を理想的な状態
へと近づけると、基板9への照度が理想的な照度(曲線
721)の40%程度に低下してしまう。したがって、
このような照射では基板9を適切に加熱することが不可
能となってしまう。一方、曲線725(条件4)に示す
ように本実施の形態に係る熱処理装置1では基板9への
照度分布が理想的な照度分布にほぼ一致する。その結
果、歩留まりを低下させることなく基板9に対するRT
Pを極めて理想的に実現することができる。
As shown by the curve 724 (condition 3) in FIG. 10, when the relative illuminance distribution is brought closer to an ideal state in the conventional heat treatment apparatus, the illuminance on the substrate 9 becomes equal to the ideal illuminance (curve 721). It will be reduced to about 40%. Therefore,
Such irradiation makes it impossible to properly heat the substrate 9. On the other hand, as shown by the curve 725 (condition 4), in the heat treatment apparatus 1 according to the present embodiment, the illuminance distribution on the substrate 9 substantially matches the ideal illuminance distribution. As a result, the RT for the substrate 9 can be achieved without reducing the yield.
P can be realized extremely ideally.

【0059】さらに、従来の熱処理装置における条件3
のように複数のランプに与えられる電力の定格比が大き
く異なると、ランプ間での応答速度や色温度に差が生じ
たり、ランプ寿命に差が生じてしまうという問題が生じ
る。したがって、本実施の形態に係る熱処理装置1で
は、これらの問題の発生も抑制することが実現される。
Further, Condition 3 in the conventional heat treatment apparatus
When the rated ratios of the electric powers given to the plurality of lamps are largely different from each other as described above, there arise problems that the response speed and the color temperature of the lamps are different, and the life of the lamp is different. Therefore, in the heat treatment apparatus 1 according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of these problems.

【0060】以上のように、熱処理装置1ではランプか
らの反射光を補助リング31に集光させることにより補
助リング31を効率よく加熱することができ、基板9の
温度均一性を向上することができる。また、下側リフレ
クタ122をさらに設けることにより、基板9上の相対
照度分布および照度分布を適切なものとすることがで
き、かつ、各ランプ間の点灯状態の相違を抑えることが
実現される。
As described above, in the heat treatment apparatus 1, the auxiliary ring 31 can be efficiently heated by collecting the reflected light from the lamp on the auxiliary ring 31, and the temperature uniformity of the substrate 9 can be improved. it can. Further, by further providing the lower reflector 122, the relative illuminance distribution and the illuminance distribution on the substrate 9 can be made appropriate, and the difference in lighting state between the lamps can be suppressed.

【0061】以上、本発明の一の実施の形態について説
明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく様々な変形が可能である。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment and various modifications can be made.

【0062】例えば、半導体基板以外の材料(ガラス基
板等)に対する加熱に熱処理装置1が使用されてもよ
い。
For example, the heat treatment apparatus 1 may be used for heating a material (glass substrate or the like) other than the semiconductor substrate.

【0063】上段ランプ群41と下段ランプ群42との
ランプは直交するのではなく、所定の角度にて交差して
もよい。補助リング31も基板9の外周を取り巻くので
あれば、複数の部材により構成されてよい。
The lamps of the upper lamp group 41 and the lower lamp group 42 may intersect at a predetermined angle instead of being orthogonal to each other. The auxiliary ring 31 may also be composed of a plurality of members as long as it surrounds the outer periphery of the substrate 9.

【0064】上記実施の形態では補助リング31を有す
る熱処理装置1について説明したが、補助リング31を
有しない熱処理装置1についても反射光を集光させると
いう技術を利用することができる。この場合、基板9の
外周部に反射光を集光させて効率よく加熱することが実
現され、基板9の温度均一性を向上することができる。
Although the heat treatment apparatus 1 having the auxiliary ring 31 has been described in the above embodiment, the heat treatment apparatus 1 not having the auxiliary ring 31 can also utilize the technique of condensing the reflected light. In this case, the reflected light is condensed on the outer peripheral portion of the substrate 9 to be efficiently heated, and the temperature uniformity of the substrate 9 can be improved.

【0065】熱処理装置1では基板9が回転するが、基
板9の回転は必要に応じて行われるのみでよい。
Although the substrate 9 rotates in the heat treatment apparatus 1, the substrate 9 may be rotated only when necessary.

【0066】上側リフレクタ121および下側リフレク
タ122の凹面の断面形状は楕円(弧)以外の形状(例
えば、放物線や円弧)とされてもよい。凹面の対称面が
基板9側に傾斜されることにより、補助リング31や基
板9の外縁部に反射光をおよそ集光させることができ、
基板9の温度均一性が向上される。さらに、より多数の
ランプからの光を集光させるために、基板9上のランプ
に対応する凹面の対称面を外側に傾斜させてもよい。
The cross-sectional shapes of the concave surfaces of the upper reflector 121 and the lower reflector 122 may be shapes other than ellipses (arcs) (for example, parabolas or arcs). By tilting the concave symmetry surface toward the substrate 9, the reflected light can be approximately focused on the auxiliary ring 31 and the outer edge of the substrate 9,
The temperature uniformity of the substrate 9 is improved. Furthermore, in order to collect light from a larger number of lamps, the symmetry plane of the concave surface corresponding to the lamps on the substrate 9 may be inclined outward.

【0067】また、下側リフレクタ122は下段ランプ
群42の両端領域からの光を反射する2つの反射領域を
有する1つの面(例えば、中心軸1aから離れた位置で
つながっている2つのリフレクタ)として設けられても
よい。
Further, the lower reflector 122 is one surface having two reflection areas for reflecting light from both end areas of the lower lamp group 42 (for example, two reflectors connected at a position apart from the central axis 1a). May be provided as.

【0068】基板9は水平に支持される必要はなく、熱
処理装置1全体が傾けられてもよい。全体構成の上下関
係が反転され、基板9の下面側に両ランプ群41,42
が配置されてもよい。さらに、基板9の上下の両主面に
対向するように上段ランプ群41および上側リフレクタ
121の組み合わせが上下に設けられてもよい。
The substrate 9 does not have to be supported horizontally, and the entire heat treatment apparatus 1 may be tilted. The vertical relationship of the overall configuration is reversed so that both lamp groups 41, 42 are provided on the lower surface side of the substrate 9.
May be arranged. Further, a combination of the upper lamp group 41 and the upper reflector 121 may be provided vertically so as to face both the upper and lower main surfaces of the substrate 9.

【0069】上段ランプ群41や下段ランプ群42の点
灯制御はランプ毎に個別に行われてもよい。ランプ制御
部6が、下段ランプ群42の配列方向に関して両端側の
領域のそれぞれに存在するランプ(両端側の全てのラン
プである必要はない。)に供給される電力を他の領域に
存在するランプから独立して制御することにより、補助
リング31を効率よく加熱することができ、基板9の温
度均一性の向上が実現される。
Lighting control of the upper lamp group 41 and the lower lamp group 42 may be individually performed for each lamp. The lamp control unit 6 supplies the electric power supplied to the lamps (not all the lamps on both ends) existing in the regions on both ends in the arrangement direction of the lower lamp group 42 to the other regions. By controlling independently of the lamp, the auxiliary ring 31 can be efficiently heated, and the temperature uniformity of the substrate 9 can be improved.

【0070】なお、棒状以外のランプ(例えば、球状ラ
ンプ)からの光の反射光が補助リング31に積極的に集
光されてもよく、補助リング31をさらに効率よく加熱
するために複数の非棒状ランプからの光が補助リング3
1上の同一領域に集光されてもよい。
The reflected light of the light other than the rod-shaped lamp (for example, a spherical lamp) may be positively focused on the auxiliary ring 31, and a plurality of non-reflected lights may be used to heat the auxiliary ring 31 more efficiently. Light from rod-shaped lamp is auxiliary ring 3
It may be condensed in the same area on 1.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明によれば、加熱の際に基板の温度
均一性を向上することができる。
According to the present invention, the temperature uniformity of the substrate can be improved during heating.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の熱処理装置の縦断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view of a conventional heat treatment apparatus.

【図2】従来の熱処理装置の縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of a conventional heat treatment apparatus.

【図3】熱処理装置の縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view of a heat treatment apparatus.

【図4】熱処理装置の縦断面図である。FIG. 4 is a vertical sectional view of a heat treatment apparatus.

【図5】ランプとランプ制御部とを示すブロック図であ
る。
FIG. 5 is a block diagram showing a lamp and a lamp control unit.

【図6】補助リングに反射光が集光される様子を示す縦
断面図である。
FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing how reflected light is condensed on an auxiliary ring.

【図7】補助リングに反射光が集光される様子を示す縦
断面図である。
FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing how reflected light is condensed on an auxiliary ring.

【図8】1つのランプからの反射光が基板および補助リ
ングに照射される領域を例示する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a region in which reflected light from one lamp is irradiated on a substrate and an auxiliary ring.

【図9】基板の中心からの距離と相対照度との関係を示
す図である。
FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the distance from the center of the substrate and the relative illuminance.

【図10】基板の中心からの距離と照度との関係を示す
図である。
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the distance from the center of the substrate and the illuminance.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱処理装置 9 基板 31 補助リング 41 上段ランプ群 42 下段ランプ群 121 上側リフレクタ 122 下側リフレクタ 331,332 カップリング部材 333 モータ 414,424 ランプ 1211,1221 凹面 1 Heat treatment equipment 9 substrates 31 Auxiliary ring 41 Upper lamp group 42 Lower lamp group 121 Upper reflector 122 Lower reflector 331,332 Coupling member 333 motor 414,424 lamps 1211, 1221 concave

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 俊幸 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 船吉 俊充 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Toshiyuki Kobayashi             4 Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture             No. 1 at Tenjin Kitamachi             Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Toshimitsu Funayoshi             4 Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture             No. 1 at Tenjin Kitamachi             Manufacturing Co., Ltd.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に光を照射して加熱を伴う処理を行
う熱処理装置であって、 処理される基板の主面に対向する反射面と、 前記反射面に沿って配列されたランプ群と、 基板の外周に沿って前記外周から外側に広がる補助リン
グと、を備え、 前記反射面が、前記ランプ群に含まれるランプからの光
を反射して前記補助リング上に実質的に集光させること
を特徴とする熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus for irradiating a substrate with light to perform a process involving heating, comprising: a reflective surface facing a main surface of the substrate to be processed; and a lamp group arranged along the reflective surface. An auxiliary ring extending outward from the outer circumference along the outer circumference of the substrate, wherein the reflecting surface reflects light from the lamps included in the lamp group and substantially focuses the light on the auxiliary ring. A heat treatment apparatus characterized by the above.
【請求項2】 請求項1に記載の熱処理装置であって、 前記反射面が、前記ランプ群に含まれる複数のランプか
らの光を反射して前記補助リング上に実質的に集光させ
ることを特徴とする熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the reflecting surface reflects light from a plurality of lamps included in the lamp group and substantially focuses the light on the auxiliary ring. A heat treatment apparatus characterized by.
【請求項3】 請求項1または2に記載の熱処理装置で
あって、 前記ランプ群に含まれる各ランプが、所定方向を向く棒
状のランプであることを特徴とする熱処理装置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein each of the lamps included in the lamp group is a rod-shaped lamp that faces a predetermined direction.
【請求項4】 請求項3に記載の熱処理装置であって、 前記反射面が、前記ランプ群に含まれる複数のランプか
らの光を同一領域に集光させることを特徴とする熱処理
装置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the reflection surface condenses light from a plurality of lamps included in the lamp group in the same region.
【請求項5】 請求項3または4に記載の熱処理装置で
あって、 前記ランプ群と前記主面との間において前記所定方向と
は異なる方向を向くように配列された棒状のもう1つの
ランプ群と、 前記ランプ群と前記もう1つのランプ群との間におい
て、前記もう1つのランプ群のうち配列方向に関して両
端側の領域に存在するランプからの光を反射する1対の
反射面と、をさらに備え、 前記反射面が、前記ランプ群のうち配列方向に関して両
端側の領域のそれぞれに存在するランプからの光を反射
して前記補助リング上に実質的に集光させ、前記1対の
反射面が、前記もう1つのランプ群のうち配列方向に関
して両端側の領域のそれぞれに存在するランプからの光
を反射して前記補助リング上に実質的に集光させること
を特徴とする熱処理装置。
5. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein another lamp having a rod shape is arranged between the lamp group and the main surface so as to face in a direction different from the predetermined direction. A group, and a pair of reflecting surfaces for reflecting light from lamps existing in regions on both ends of the other lamp group in the arrangement direction between the lamp group and the other lamp group, Further comprising, wherein the reflecting surface reflects light from the lamps existing in respective regions on both ends of the lamp group in the arrangement direction and substantially condenses the light on the auxiliary ring, A heat treatment apparatus characterized in that the reflecting surface reflects light from the lamps present in respective regions of both ends of the other lamp group in the arrangement direction, and substantially focuses the light on the auxiliary ring. .
【請求項6】 基板に光を照射して加熱を伴う処理を行
う熱処理装置であって、 処理される基板の主面に対向する反射面と、 前記反射面に沿ってそれぞれが所定方向を向くように配
列された棒状のランプ群と、を備え、 前記反射面が、前記ランプ群に含まれるランプに沿って
形成されるとともに対称面が前記主面の法線方向から傾
斜している凹面を有することを特徴とする熱処理装置。
6. A heat treatment apparatus for irradiating a substrate with light to perform a process involving heating, the reflecting face facing a main surface of the substrate to be treated, and each of the reflecting faces facing a predetermined direction along the reflecting face. And a rod-shaped lamp group arranged in such a manner that the reflecting surface is formed along a lamp included in the lamp group and a symmetry plane is a concave surface inclined from a normal direction of the main surface. A heat treatment apparatus having.
【請求項7】 請求項6に記載の熱処理装置であって、 前記ランプ群のうち配列方向に関して両端側の領域に存
在するランプのそれぞれに対して前記凹面が形成される
ことを特徴とする熱処理装置。
7. The heat treatment apparatus according to claim 6, wherein the concave surface is formed for each of the lamps existing in regions on both end sides in the arrangement direction of the lamp group. apparatus.
【請求項8】 請求項7に記載の熱処理装置であって、 前記両端側の領域のそれぞれに複数のランプが存在する
ことを特徴とする熱処理装置。
8. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein a plurality of lamps are present in each of the regions on both end sides.
【請求項9】 請求項6ないし8のいずれかに記載の熱
処理装置であって、 基板の外周に沿って前記外周から外側に広がる補助リン
グをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
9. The heat treatment apparatus according to claim 6, further comprising an auxiliary ring extending outward from the outer circumference along the outer circumference of the substrate.
【請求項10】 請求項6ないし9のいずれかに記載の
熱処理装置であって、 前記ランプ群と前記主面との間において前記所定方向と
は異なる方向を向くように配列された棒状のもう1つの
ランプ群と、 前記ランプ群と前記もう1つのランプ群との間におい
て、前記もう1つのランプ群のうち配列方向に関して両
端側の領域に存在するランプからの光を反射する1対の
反射面と、をさらに備え、 前記1対の反射面が、前記もう1つのランプ群のうち配
列方向に関して両端側の領域に存在するランプのそれぞ
れに沿って形成された凹面を有し、前記凹面の対称面が
基板側に傾斜していることを特徴とする熱処理装置。
10. The heat treatment apparatus according to claim 6, further comprising a rod-shaped member arranged between the lamp group and the main surface so as to face a direction different from the predetermined direction. One lamp group, and a pair of reflections between the lamp group and the other lamp group, the pair of reflections reflecting light from the lamps existing in regions on both ends of the other lamp group in the arrangement direction. And a pair of reflecting surfaces, each of which has a concave surface formed along each of the lamps existing in regions on both end sides in the arrangement direction of the other lamp group, A heat treatment apparatus characterized in that the plane of symmetry is inclined toward the substrate.
【請求項11】 請求項1ないし10のいずれかに記載
の熱処理装置であって、 基板を前記反射面と対向させつつ回転させる回転機構を
さらに備えることを特徴とする熱処理装置。
11. The heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising a rotation mechanism that rotates the substrate while facing the reflection surface.
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