JP2003231051A - Polishing device and polishing method - Google Patents

Polishing device and polishing method

Info

Publication number
JP2003231051A
JP2003231051A JP2002030872A JP2002030872A JP2003231051A JP 2003231051 A JP2003231051 A JP 2003231051A JP 2002030872 A JP2002030872 A JP 2002030872A JP 2002030872 A JP2002030872 A JP 2002030872A JP 2003231051 A JP2003231051 A JP 2003231051A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
tape
polished
surface plate
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002030872A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisatomo Oi
久智 多
Toshihiro Izumi
敏裕 泉
Yoichi Kawakubo
洋一 川久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nihon Micro Coating Co Ltd
Original Assignee
Nihon Micro Coating Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Micro Coating Co Ltd filed Critical Nihon Micro Coating Co Ltd
Priority to JP2002030872A priority Critical patent/JP2003231051A/en
Publication of JP2003231051A publication Critical patent/JP2003231051A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device and a polishing method evenly polishing the whole of a surface of an object to be polished with the high polishing force. <P>SOLUTION: This polishing device has a polishing head 10 formed of a surface plate 11, a tape feeding part 14 for feeding a polishing tape 20 onto a surface of the surface plate 11 and a tape winding part 15 for winding the polishing tape 20 fed onto the surface of the surface plate 11. The polishing head 10 is rotated R by a means 50. The polishing device has a holder 18 for holding an object W to be polished and for pushing the surface of the object W to be polished to the surface of the polishing tape 20 fed onto the surface of the surface plate 11 and a nozzle 19 for supplying the polishing liquid to the surface of the polishing tape 20 on the surface of the surface plate 11. The holder 18 is rotated r by a means 60. Any one of a back surface of the polishing tape 20 and a surface of the surface plate 11 is formed flat, and the other thereof has an elastic irregular pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、金属、酸化物結
晶、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の材料か
らなる薄板状の研磨対象物の表面を研磨する装置及び方
法に関し、特に、半導体、磁気ディスク又は液晶パネル
などに用いられる基板の表面を研磨する装置及び方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and method for polishing the surface of a thin plate-shaped object to be polished made of a material such as metal, oxide crystal, glass, ceramics, plastics, etc., and more particularly to semiconductors and magnetic disks. Alternatively, the present invention relates to an apparatus and method for polishing the surface of a substrate used for a liquid crystal panel or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電話、
カメラ、コンピュータなどの電子機器には、機能の制御
や情報の記憶又は表示のため、半導体、磁気ディスク、
液晶パネルなどが部品として使用されている。
2. Description of the Related Art Telephones,
Electronic devices such as cameras and computers are equipped with semiconductors, magnetic disks, and so on for controlling functions and storing or displaying information.
Liquid crystal panels are used as parts.

【0003】このような部品の基板となる半導体ウエ
ハ、磁気ハードディスク基板、液晶パネル基板などの表
面は、研磨工程を経た後、多層配線工程や被膜工程な
ど、各種部品の製造工程で要求される様々な工程、さら
に検査工程を経て製品化される。
Surfaces of semiconductor wafers, magnetic hard disk substrates, liquid crystal panel substrates, etc., which are substrates for such components, are subjected to various processes required in various component manufacturing processes such as a multilayer wiring process and a coating process after a polishing process. It is commercialized through various steps and inspection steps.

【0004】基板の表面に施される配線や被膜などの製
造段階で要求されるこれら一連の工程は、設計段階で予
定される部品性能や機能を発揮させるため、ナノメート
ル単位の精度で行わなければならず、このため、各工程
には高い精度が要求され、研磨工程においても、基板の
表面を高度に平坦化することが要求されている。
These series of steps required in the manufacturing stage of the wiring, coating, etc. applied to the surface of the substrate must be performed with an accuracy of nanometer unit in order to exhibit the performance and functions of the parts expected in the design stage. Therefore, high precision is required in each step, and it is required to highly flatten the surface of the substrate even in the polishing step.

【0005】このように高度の平坦化が要求される基板
の表面の研磨には、研磨パッドを使用するパッド研磨
と、研磨テープを使用するテープ研磨が広く利用されて
いる。
As described above, pad polishing using a polishing pad and tape polishing using a polishing tape are widely used for polishing the surface of a substrate which requires a high degree of planarization.

【0006】パッド研磨は、表面に研磨パッドを張り付
けた定盤を回転させながら、研磨粒子を含有した研磨液
を研磨パッドの表面に供給し、この上に、保持具に保持
した基板を押し付け、回転させて行われる(例えば、特
開2000−239651公報を参照)。
In pad polishing, a polishing liquid containing polishing particles is supplied to the surface of a polishing pad while rotating a surface plate having a polishing pad attached to the surface thereof, and a substrate held by a holder is pressed onto the surface of the polishing pad. It is performed by rotating (see, for example, JP 2000-239651 A).

【0007】しかし、パッド研磨では、織布、不織布、
発泡体などからなる多孔質のシートからなる研磨パッド
が使用されており、使用時間の経過とともに、研磨クズ
による目詰まりや、研磨対象物との摩擦などにより、研
磨パッドの表面が局所的又は全体的に劣化し、基板の表
面が再現性よく均一に平坦化できず、また定期的に、研
磨パッドの張り替え作業を行わなければならず、この作
業に手間がかかる、という問題がある。
However, in pad polishing, woven cloth, non-woven cloth,
A polishing pad made of a porous sheet made of foam or the like is used, and the surface of the polishing pad is locally or entirely caused by clogging due to polishing debris or friction with an object to be polished over time. However, there is a problem in that the surface of the substrate cannot be uniformly flattened with good reproducibility, and that the polishing pad must be replaced regularly, which is troublesome.

【0008】一方、テープ研磨は、研磨対象物の表面に
研磨液を供給しながら、研磨テープを研磨対象物の表面
に押し付け、研磨対象物と研磨テープとを相対移動させ
ることによって行われる。
On the other hand, the tape polishing is performed by pressing the polishing tape against the surface of the object to be polished while supplying the polishing liquid to the surface of the object to be polished, and moving the object to be polished and the polishing tape relative to each other.

【0009】研磨テープは、研磨粒子を樹脂バインダー
で固定した研磨層をベーステープの表面に形成したもの
であり、高い平滑性や平坦性が要求される研磨対象物の
研磨には、非常に小さい研磨粒子(平均粒径0.001
〜0.5μm)が使用されている。これは、研磨層に使
用される研磨粒子の大きさを小さくすると、研磨対象物
の表面に作用する単位面積当たりの粒子の数が多くなる
ので、研磨対象物の表面を傷つけずに精度よく研磨でき
る、と考えられているからである。
The polishing tape has a polishing layer in which polishing particles are fixed with a resin binder and is formed on the surface of a base tape. It is very small for polishing an object to be polished which requires high smoothness and flatness. Abrasive particles (average particle size 0.001
.About.0.5 .mu.m) is used. This is because when the size of the abrasive particles used in the polishing layer is reduced, the number of particles per unit area that acts on the surface of the object to be polished increases, so that the surface of the object to be polished can be polished accurately without damaging the surface. This is because it is considered possible.

【0010】また、テープ研磨によると、研磨中、新し
い研磨テープの表面が研磨対象物の表面に供給されるの
で、上記したパッド研磨のように、研磨パッドの張り替
え作業を行う必要がなく、また、研磨クズによる目詰ま
りや、研磨対象物との摩擦などにより、研磨層の表面が
局所的又は全体的に劣化することが非常に少ない、とい
う利点を有する。
Further, according to the tape polishing, since the surface of the new polishing tape is supplied to the surface of the object to be polished during polishing, it is not necessary to re-attach the polishing pad unlike the pad polishing described above. This has the advantage that the surface of the polishing layer is extremely unlikely to be locally or totally deteriorated due to clogging caused by polishing debris, friction with the object to be polished, or the like.

【0011】しかし、非常に小さい研磨粒子を使用する
と、研磨層の表面が平坦になり、研磨力が低下するだけ
でなく、研磨対象物の表面に供給された研磨液の液面上
を研磨テープの表面が滑走し(これをハイドロプレーニ
ング現象という)、研磨テープの研磨粒子が研磨対象物
の表面全体に均一に作用せず、研磨対象物の表面全体が
均一に研磨されない、という問題がある。
However, when very small abrasive particles are used, not only the surface of the polishing layer becomes flat and the polishing power is lowered, but also the surface of the polishing liquid supplied to the surface of the object to be polished is polished on the surface of the polishing tape. There is a problem that the surface of the polishing object slides (this is called a hydroplaning phenomenon), the polishing particles of the polishing tape do not uniformly act on the entire surface of the object to be polished, and the entire surface of the object to be polished is not uniformly polished.

【0012】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、したがって、本発明の目的は、高い研磨力で、
研磨対象物の表面全体を均一に研磨できる研磨装置及び
方法を提供することである。
The present invention has been made in view of the above problems, and therefore, an object of the present invention is to provide a high polishing power.
An object of the present invention is to provide a polishing apparatus and method capable of uniformly polishing the entire surface of an object to be polished.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記問題を解決する本発
明の研磨装置は、定盤と、研磨テープを定盤の表面上に
送り出すテープ送出部と、定盤の表面上に送り出された
研磨テープを巻き取るテープ巻取部とから構成される研
磨ヘッドを有する。この研磨ヘッドは、モータなどの手
段により回転される。研磨テープは、研磨粒子を樹脂バ
インダーで固定した研磨層をベーステープの表面に形成
したものである。本発明の研磨装置は、研磨対象物を保
持し、定盤の表面上に送り出された研磨テープの研磨層
の表面に研磨対象物の表面を押し付けるための保持具
と、定盤の表面上の研磨テープの研磨層の表面に研磨液
を供給するためのノズルとを有する。この保持具は、モ
ータなどの手段により回転される。本発明に従うと、定
盤の表面上に研磨テープを適宜に供給できる。
A polishing apparatus according to the present invention which solves the above-mentioned problems includes a surface plate, a tape feeding portion for feeding a polishing tape onto the surface of the surface plate, and a polishing portion fed onto the surface of the surface plate. The polishing head includes a tape winding unit that winds a tape. This polishing head is rotated by means such as a motor. The polishing tape is a base tape having a polishing layer formed by fixing polishing particles with a resin binder. The polishing apparatus of the present invention holds a polishing object, and a holder for pressing the surface of the polishing object to the surface of the polishing layer of the polishing tape fed onto the surface of the surface plate, and a holder on the surface of the surface plate. And a nozzle for supplying a polishing liquid to the surface of the polishing layer of the polishing tape. This holder is rotated by means such as a motor. According to the present invention, the polishing tape can be appropriately supplied on the surface of the surface plate.

【0014】研磨液として、水などの冷却液、又は研磨
粒子を分散した研磨スラリーが使用される。研磨対象物
の表面を化学的機械的に研磨するため、冷却液又は研磨
スラリーは、研磨対象物の表面と化学的に反応する薬液
を含有し得る。
As the polishing liquid, a cooling liquid such as water or a polishing slurry in which polishing particles are dispersed is used. In order to chemically and mechanically polish the surface of the object to be polished, the cooling liquid or the polishing slurry may contain a chemical solution that chemically reacts with the surface of the object to be polished.

【0015】研磨対象物の表面の研磨は、上記本発明の
研磨装置を使用して行われる。研磨テープを定盤の表面
上に送り出し、研磨ヘッドを回転させ、定盤の表面上の
研磨テープの研磨層の表面に研磨液を供給し、定盤の表
面上に送り出された研磨テープの研磨層の表面に、保持
具に保持した研磨対象物の表面を押し付け、保持具を回
転させることによって行われる。
The surface of the object to be polished is polished by using the polishing apparatus of the present invention. Send the polishing tape onto the surface of the surface plate, rotate the polishing head, supply the polishing liquid to the surface of the polishing layer of the polishing tape on the surface of the surface plate, and polish the polishing tape sent out onto the surface of the surface plate. It is performed by pressing the surface of the polishing object held by the holder against the surface of the layer and rotating the holder.

【0016】本発明の第一の態様では、上記の本発明の
研磨装置の定盤として、表面が平坦な定盤が使用され
る。このとき、研磨テープとして、その裏面に、弾力性
のある凹凸パターンを有する研磨テープが使用される。
この研磨テープが定盤の表面上に送り出されると、研磨
テープの裏面の凹凸パターンが定盤の平坦な表面に接触
する。これにより、研磨中、研磨対象物の表面と研磨テ
ープの研磨層の表面との間に生じるハイドロプレーニン
グ現象が減少する。
In the first aspect of the present invention, a surface plate having a flat surface is used as the surface plate of the polishing apparatus of the present invention. At this time, as the polishing tape, a polishing tape having an uneven pattern having elasticity on its back surface is used.
When this polishing tape is delivered onto the surface of the surface plate, the uneven pattern on the back surface of the polishing tape contacts the flat surface of the surface plate. This reduces the hydroplaning phenomenon that occurs between the surface of the object to be polished and the surface of the polishing layer of the polishing tape during polishing.

【0017】研磨テープの裏面の凹凸パターンは、直線
形状、曲線形状又はこれら形状から選択される一種又は
二種の形状を組み合わせた形状からなる平面形状で、断
面凹形状又は断面凸形状のパターンである。
The concavo-convex pattern on the back surface of the polishing tape is a plane shape consisting of a linear shape, a curved shape, or a combination of one or two kinds selected from these shapes, and a concave or convex sectional shape. is there.

【0018】本発明の第二の態様では、研磨テープとし
て、その裏面が平坦である研磨テープが使用される。こ
のとき、上記の本発明の研磨装置の定盤として、表面に
弾力性のある凹凸パターンを有する定盤が使用される。
研磨テープがこの定盤の表面上に送り出されると、研磨
テープの平坦な裏面が定盤の表面の凹凸パターンに接触
する。これにより、研磨中、研磨対象物の表面と研磨テ
ープの研磨層の表面との間に生じるハイドロプレーニン
グ現象が減少する。
In the second aspect of the present invention, a polishing tape having a flat back surface is used as the polishing tape. At this time, as the surface plate of the above-described polishing apparatus of the present invention, a surface plate having an elastic uneven pattern on the surface is used.
When the polishing tape is delivered onto the surface of the surface plate, the flat back surface of the polishing tape contacts the uneven pattern on the surface of the surface plate. This reduces the hydroplaning phenomenon that occurs between the surface of the object to be polished and the surface of the polishing layer of the polishing tape during polishing.

【0019】定盤の表面の凹凸パターンは、直線形状、
曲線形状又はこれら形状から選択される一種又は二種の
形状を組み合わせた形状からなる平面形状で、断面凹形
状又は断面凸形状のパターンである。
The concavo-convex pattern on the surface of the surface plate has a linear shape,
The pattern is a planar shape having a curved shape or a shape in which one kind or two kinds selected from these shapes are combined, and the pattern has a concave shape in cross section or a convex shape in cross section.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、半導体ウ
エハ、磁気ハードディスク基板などのような基板の表面
を研磨するために用いられる研磨装置及び方法である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An embodiment of the invention is a polishing apparatus and method used to polish the surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a magnetic hard disk substrate, and the like.

【0021】<研磨装置> 本発明の研磨装置は、図1
(a)及び(b)に示すように、定盤11と、研磨テー
プ20を表面上に送り出すテープ送出部15と、定盤1
1の表面上に送り出された研磨テープ20を巻き取るテ
ープ巻取部14とから構成される研磨ヘッド10を有す
る。
<Polishing Device> The polishing device of the present invention is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a surface plate 11, a tape delivery unit 15 for delivering the polishing tape 20 onto the surface, and a surface plate 1
The polishing head 10 includes a tape winding unit 14 that winds the polishing tape 20 fed onto the surface of the first recording medium 1.

【0022】定盤11は、柱12を介して、支持台13
上に固定される。テープ送出部14及びテープ巻取部1
5は、それぞれ、ローラ16、17から構成される。こ
れらローラ16、17は、定盤11の下方の支持台13
上に固定される。ローラ16には、使用前の研磨テープ
20が巻き付けられている。ローラ17は、モータ(図
示せず)に連結され、このモータを駆動することによ
り、ローラ17を回転させ、ローラ16から研磨テープ
20を送り出し、この研磨テープ20を定盤11の表面
上を矢印Tの方向に移動させた後、この使用済みの研磨
テープ20がローラ17に巻き取られる。研磨テープ2
0は、連続的又は間欠的に、定盤11の表面上に送り出
され、ローラ17に巻き取らせることができる。また、
研磨テープ20は、研磨後の研磨テープ20の表面の状
態に応じて、適宜に、定盤11の表面上に送り出され、
ローラ17に巻き取られる。
The surface plate 11 is provided with a support base 13 via a pillar 12.
Fixed on top. Tape sending section 14 and tape winding section 1
5 is composed of rollers 16 and 17, respectively. These rollers 16 and 17 are provided on the support table 13 below the surface plate 11.
Fixed on top. The polishing tape 20 before use is wound around the roller 16. The roller 17 is connected to a motor (not shown), and by driving this motor, the roller 17 is rotated, the polishing tape 20 is sent out from the roller 16, and the polishing tape 20 is moved on the surface of the surface plate 11 by an arrow. After moving in the T direction, the used polishing tape 20 is wound around the roller 17. Polishing tape 2
0 can be continuously or intermittently fed onto the surface of the surface plate 11 and can be wound by the roller 17. Also,
The polishing tape 20 is appropriately delivered onto the surface of the surface plate 11 according to the state of the surface of the polishing tape 20 after polishing,
It is wound around the roller 17.

【0023】研磨ヘッド10は、モータ、ベルト(図示
せず)などの手段50により、回転軸Aに関して矢印R
の方向に回転される。
The polishing head 10 is moved by means of a motor, a belt (not shown) or the like 50, and the arrow R with respect to the rotation axis A.
Is rotated in the direction of.

【0024】図示のように、本発明の研磨装置は、基板
Wを保持し、定盤11の表面上に送り出された研磨テー
プ20の表面に基板Wの表面を押し付けるための保持具
18をさらに有する。保持具18は、その下方に、基板
Wを保持する平坦な表面を有する。保持具18は、この
平坦な表面に基板Wをワックス、水で濡らした吸着パッ
ドなどで貼り付けて保持し得る。また、保持具18は、
その下方の平坦な表面に、外部の真空ポンプ(図示せ
ず)に連通する通気孔を有し、この真空ポンプを駆動す
ることにより、保持具18の下方の平坦な表面に基板W
を吸着して保持し得る。
As shown in the figure, the polishing apparatus of the present invention further includes a holder 18 for holding the substrate W and pressing the surface of the substrate W against the surface of the polishing tape 20 fed onto the surface of the surface plate 11. Have. The holder 18 has a flat surface below which holds the substrate W. The holder 18 can hold the substrate W by sticking the substrate W on the flat surface with wax, a suction pad wet with water, or the like. Further, the holder 18 is
The lower flat surface thereof has a vent hole communicating with an external vacuum pump (not shown). By driving this vacuum pump, the substrate W is held on the lower flat surface of the holder 18.
Can be adsorbed and retained.

【0025】保持具18は、モータ、ベルト(図示せ
ず)などの手段60により、矢印rの方向に回転され
る。
The holder 18 is rotated in the direction of arrow r by means 60 such as a motor and a belt (not shown).

【0026】研磨液は、定盤11の表面上の研磨テープ
20の表面にノズル19を通じて供給される。
The polishing liquid is supplied to the surface of the polishing tape 20 on the surface of the surface plate 11 through the nozzle 19.

【0027】研磨液として、水などの冷却液、又は研磨
粒子を分散した研磨スラリーが使用され、研磨対象物を
化学的機械的に研磨するため、研磨対象物の表面と化学
的に反応する薬液を含有してもよい。このような薬液
は、研磨対象物の表面を構成する材料に従って適宜に選
定できる。例えば、研磨対象物の表面を構成する材料が
SiO2である場合、水酸化カリウム、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド、フッ酸、フッ化物など
が使用される。研磨対象物の表面がタングステンである
場合、硝酸鉄、ヨウ素酸カリウムなどが使用される。研
磨対象物の表面がCuである場合、グリシン、キナルジ
ン酸、過酸化水素、ベンゾトリアゾールなどが使用され
る。
A cooling liquid such as water or a polishing slurry in which polishing particles are dispersed is used as the polishing liquid, and the chemical liquid chemically reacts with the surface of the polishing target because it polishes the polishing target chemically and mechanically. May be included. Such a chemical solution can be appropriately selected according to the material forming the surface of the object to be polished. For example, when the material forming the surface of the object to be polished is SiO 2 , potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, hydrofluoric acid, fluoride, etc. are used. When the surface of the object to be polished is tungsten, iron nitrate, potassium iodate, etc. are used. When the surface of the object to be polished is Cu, glycine, quinaldic acid, hydrogen peroxide, benzotriazole, etc. are used.

【0028】<研磨方法> 図1(a)及び(b)に示
す本発明の研磨装置を使用して、基板Wの表面を研磨す
る。基板Wの表面の研磨は、研磨テープ20を定盤11
の表面上に送り出し、研磨ヘッド10を回転させ、定盤
11の表面上の研磨テープ20の表面に研磨液を供給
し、定盤11の表面上に送り出された研磨テープ20の
研磨層の表面に、保持具18に保持した基板Wの表面を
押し付け、基板Wを保持した保持具18を回転させるこ
とによって行われる。
<Polishing Method> The surface of the substrate W is polished using the polishing apparatus of the present invention shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). For polishing the surface of the substrate W, the polishing tape 20 is used as the surface plate 11
Surface of the polishing tape 20 rotated on the surface of the surface plate 11 to supply the polishing liquid to the surface of the polishing tape 20 on the surface of the surface plate 11, and the surface of the polishing layer of the polishing tape 20 supplied onto the surface of the surface plate 11. Then, the surface of the substrate W held by the holder 18 is pressed, and the holder 18 holding the substrate W is rotated.

【0029】研磨ヘッド10の回転数は、10rpm〜
1000rpm、好適に30rpm〜100rpmの範
囲にある。保持具18の回転数は、10rpm〜100
0rpm、好適に30rpm〜100rpmの範囲にあ
る。研磨液の供給量は、1ml/分〜100ml/分、
好適に5ml/分〜50ml/分の範囲にある。
The rotation number of the polishing head 10 is 10 rpm to
It is in the range of 1000 rpm, preferably 30 rpm to 100 rpm. The rotation speed of the holder 18 is 10 rpm to 100
It is in the range of 0 rpm, preferably 30 rpm to 100 rpm. The polishing liquid supply rate is 1 ml / min to 100 ml / min,
It is preferably in the range of 5 ml / min to 50 ml / min.

【0030】<第一の態様> 本発明の第一の態様で
は、上記本発明の研磨装置の定盤(図1に符号11で示
す)として、図2(a)に示すように、表面が平坦な定
盤11が使用される。
<First Aspect> In the first aspect of the present invention, the surface of the polishing apparatus of the present invention (shown by reference numeral 11 in FIG. 1) has a surface as shown in FIG. 2 (a). A flat surface plate 11 is used.

【0031】そして、本発明の第一の態様では、上記本
発明の研磨装置の研磨テープ(図1に符号20で示す)
として、図2(b)に示すように、その裏面26に、弾
力性のある凹凸パターンを有する研磨テープ20が使用
される。
In the first aspect of the present invention, the polishing tape of the polishing apparatus of the present invention described above (denoted by reference numeral 20 in FIG. 1).
As shown in FIG. 2B, the polishing tape 20 having the elastic uneven pattern on the back surface 26 is used as shown in FIG.

【0032】図2(b)に示す研磨テープ20は、図2
(b)に示すように、ベーステープ21と、ベーステー
プ21の表面に形成した研磨層22と、ベーステープ2
1の裏面に形成した弾性層25とから構成される。
The polishing tape 20 shown in FIG.
As shown in (b), the base tape 21, the polishing layer 22 formed on the surface of the base tape 21, and the base tape 2
1 and the elastic layer 25 formed on the back surface.

【0033】ベーステープ21として、ポリエステル、
ポリエチレンテレフタレート(PET)などの合成樹脂
からなる高い引張強度を有する既知のテープが使用され
る。
As the base tape 21, polyester,
Known tapes with high tensile strength made of synthetic resins such as polyethylene terephthalate (PET) are used.

【0034】研磨層22は、研磨粒子23を樹脂バイン
ダー24で固定したものである。研磨粒子23として、
シリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンドなどか
らなる粒子から選択される一種又は二種以上の粒子が使
用される。樹脂バインダー24は、ポリエステル系、ポ
リウレタン系、アクリル系などの樹脂から選択される。
The polishing layer 22 is formed by fixing polishing particles 23 with a resin binder 24. As the abrasive particles 23,
One type or two or more types of particles selected from particles made of silica, alumina, cerium oxide, diamond and the like are used. The resin binder 24 is selected from polyester resins, polyurethane resins, acrylic resins and the like.

【0035】弾性層25は、ポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリプロピレンなどの合成樹脂、発泡ポリウレタン
などからなる発泡体、ゴムなどの弾力性を有する材料か
らなるものであり、弾性層25の表面(すなわち、研磨
テープ20の裏面26に相当)に、凹凸パターンを有す
る。
The elastic layer 25 is made of a synthetic resin such as polyester, polyurethane or polypropylene, a foamed material such as foamed polyurethane, or a material having elasticity such as rubber. The surface of the elastic layer 25 (that is, a polishing tape). The back surface 26 of 20) has an uneven pattern.

【0036】この凹凸パターンは、直線形状、曲線形状
又はこれら形状から選択される一種又は二種の形状を組
み合わせた形状からなる平面形状で、断面凹形状又は断
面凸形状のパターンである。このような凹凸パターンを
図4(a)〜(c)に例示する。図4(a)に示す凹凸
パターン40aは、直線形状を組み合わせた平面格子状
のパターンである。図4(b)に示す凹凸パターン40
bは、曲線形状からなる平面円形状のパターンである。
図4(c)に示す凹凸パターン40cは、曲線形状から
なる平面波形状のパターンである。これら凹凸パターン
40a、40b、40cは、それぞれ、断面凹形状であ
ってもよいし、また断面凸形状であってもよい。
The concavo-convex pattern is a planar shape having a linear shape, a curved shape, or a shape in which one or two kinds selected from these shapes are combined, and has a concave or convex cross section. Such a concavo-convex pattern is illustrated in FIGS. The concavo-convex pattern 40a shown in FIG. 4 (a) is a planar grid pattern in which linear shapes are combined. Concavo-convex pattern 40 shown in FIG.
b is a plane circular pattern having a curved shape.
The concavo-convex pattern 40c shown in FIG. 4 (c) is a plane wave pattern having a curved shape. Each of the concave-convex patterns 40a, 40b, 40c may have a concave cross-section or a convex cross-section.

【0037】弾性層25の表面26の凹凸パターンは、
弾性層25を製造する際に、成形金型を使用したり、エ
ンボス加工や溝切り加工を施すことにより、弾性層25
の表面に形成できる。この弾性層25は、接着剤などを
使用して、ベーステープ21の裏面に固定される。ま
た、このような弾性層25(又は弾力性を有する凹凸パ
ターン)は、ベーステープ21の裏面に直接形成され得
る。ここで、弾性層25として、発泡体からなる層を使
用するとき、発泡体の層の表面26に凹凸パターンを形
成してもよいし、また発泡体の表面部分をカットし、発
泡時に生じた大きさの異なる気泡の空隙が層の表面26
に散在して露出し、この気泡の空隙を凹凸パターンとし
てもよい。
The concavo-convex pattern on the surface 26 of the elastic layer 25 is
When the elastic layer 25 is manufactured, a molding die is used, or embossing or grooving is applied to the elastic layer 25.
Can be formed on the surface of. The elastic layer 25 is fixed to the back surface of the base tape 21 using an adhesive or the like. Further, such an elastic layer 25 (or an uneven pattern having elasticity) can be directly formed on the back surface of the base tape 21. Here, when a layer made of a foam is used as the elastic layer 25, a concavo-convex pattern may be formed on the surface 26 of the layer of the foam, or the surface portion of the foam may be cut to cause the foaming. The voids of bubbles of different sizes form the surface 26 of the layer.
The voids of the bubbles may be scattered and exposed to form an uneven pattern.

【0038】本発明の第一の態様では、研磨テープ20
が定盤11の表面上に送り出されると、研磨テープ20
の裏面26の凹凸パターンが定盤11の平坦な表面に接
触する。これにより、研磨中、基板Wの表面と研磨テー
プ20の研磨層22の表面との間に生じるハイドロプレ
ーニング現象が減少する。
In the first aspect of the present invention, the polishing tape 20 is used.
When the tape is sent onto the surface of the surface plate 11, the polishing tape 20
The concavo-convex pattern on the back surface 26 comes into contact with the flat surface of the surface plate 11. This reduces the hydroplaning phenomenon that occurs between the surface of the substrate W and the surface of the polishing layer 22 of the polishing tape 20 during polishing.

【0039】<第二の態様> 本発明の第二の態様で
は、上記本発明の研磨装置の研磨テープ(図1に符号2
0で示す)として、図3(b)に示すように、研磨粒子
23を樹脂バインダー24で固定した研磨層22をベー
ステープ21の表面に形成したものが使用される。ここ
で、研磨テープ20の裏面(ベーステープ21の裏面に
相当)は、平坦である。
<Second Mode> In the second mode of the present invention, the polishing tape of the polishing apparatus of the present invention (reference numeral 2 in FIG. 1) is used.
As shown in FIG. 3 (b), as shown in FIG. 3 (b), a polishing layer 22 in which polishing particles 23 are fixed by a resin binder 24 is formed on the surface of the base tape 21. Here, the back surface of the polishing tape 20 (corresponding to the back surface of the base tape 21) is flat.

【0040】そして、本発明の第二の態様では、上記本
発明の研磨装置の定盤(図1に符号11で示す)とし
て、図3(a)に示すように、表面に弾力性のある凹凸
パターンを有する弾性層35を含む定盤11が使用され
る。
In the second aspect of the present invention, the surface of the polishing apparatus of the present invention (indicated by reference numeral 11 in FIG. 1) has elasticity as shown in FIG. 3 (a). The surface plate 11 including the elastic layer 35 having an uneven pattern is used.

【0041】定盤11の弾性層35は、ポリエステル、
ポリウレタン、ポリプロピレンなどの合成樹脂、発泡ポ
リウレタンなどからなる発泡体、ゴムなどの弾力性を有
する材料からなるシートであり、弾性層35の表面(す
なわち、定盤11の表面36に相当)に、凹凸パターン
を有する。
The elastic layer 35 of the surface plate 11 is made of polyester,
It is a sheet made of a material having elasticity such as synthetic resin such as polyurethane or polypropylene, foam made of foamed polyurethane or the like, or rubber, and has unevenness on the surface of the elastic layer 35 (that is, corresponding to the surface 36 of the surface plate 11). Have a pattern.

【0042】この凹凸パターンは、直線形状、曲線形状
又はこれら形状から選択される一種又は二種の形状を組
み合わせた形状からなる平面形状で、断面凹形状又は断
面凸形状のパターンであり、このような定盤11の表面
の凹凸パターンは、上記第一の態様で説明した凹凸パタ
ーンと同様、図4(a)〜(c)にそれぞれ例示される
ような平面形状の断面凹形状又は断面凸形状のパターン
であり得る。
The concavo-convex pattern is a plane shape having a linear shape, a curved shape, or a shape in which one or two kinds selected from these shapes are combined, and has a concave or convex cross section. The uneven pattern on the surface of the surface plate 11 is, as in the uneven pattern described in the first embodiment, a planar cross-sectional concave shape or cross-sectional convex shape as illustrated in FIGS. 4A to 4C, respectively. Can be a pattern.

【0043】弾性層35の表面36の凹凸パターンは、
弾性層35を製造する際に、成形金型を使用したり、エ
ンボス加工や溝切り加工を施すことにより、弾性層35
の表面に形成できる。この弾性層35は、接着剤などを
使用して定盤11上に固定される。ここで、弾性層35
として、発泡体シートを使用するとき、発泡体シートの
表面36に凹凸パターンを形成してもよいし、また発泡
体シートの表面部分をカットし、発泡時に生じた大きさ
の異なる気泡の空隙が発泡体シートの表面36に散在し
て露出し、この気泡の空隙を凹凸パターンとしてもよ
い。好適に、弾性層35として、表面に、図4(a)に
示すような直線形状を組み合わせた平面格子状で、断面
凹形状の凹凸パターンを有する発泡体シートが使用され
る。この発泡体シートは、接着剤などを使用して定盤1
1上に固定される。
The concavo-convex pattern on the surface 36 of the elastic layer 35 is
When the elastic layer 35 is manufactured, a molding die is used, or embossing or grooving is applied to the elastic layer 35.
Can be formed on the surface of. The elastic layer 35 is fixed on the surface plate 11 using an adhesive or the like. Here, the elastic layer 35
As an example, when a foam sheet is used, a concavo-convex pattern may be formed on the surface 36 of the foam sheet, or the surface portion of the foam sheet may be cut so that voids of bubbles having different sizes generated during foaming are formed. The foam sheet may be scattered and exposed on the surface 36, and the voids of the bubbles may be formed as an uneven pattern. Preferably, as the elastic layer 35, a foam sheet having a concavo-convex pattern having a concave cross-section in a planar lattice shape in which linear shapes as shown in FIG. 4A are combined is used on the surface. This foam sheet is made up of a surface plate 1 using an adhesive or the like.
Fixed on 1.

【0044】本発明の第二の態様では、研磨テープ20
が定盤11の表面上に送り出されると、研磨テープ20
の平坦な裏面が定盤11の表面36の凹凸パターンに接
触する。これにより、研磨中、基板Wの表面と研磨テー
プ20の研磨層22の表面との間に生じるハイドロプレ
ーニング現象が減少する。
In the second embodiment of the present invention, the polishing tape 20
When the tape is sent onto the surface of the surface plate 11, the polishing tape 20
The flat back surface of the plate contacts the uneven pattern on the surface 36 of the surface plate 11. This reduces the hydroplaning phenomenon that occurs between the surface of the substrate W and the surface of the polishing layer 22 of the polishing tape 20 during polishing.

【0045】<実施例1> 図1に示すような本発明の
研磨装置を使用して、表面にCu膜を形成した基板の表
面の研磨を行った。
Example 1 The surface of a substrate having a Cu film formed on its surface was polished by using the polishing apparatus of the present invention as shown in FIG.

【0046】研磨テープとして、PETテープの表面
に、アルミナ粒子(#8000)をポリエステル系の樹
脂バインダーで固定した研磨層を形成した研磨テープを
使用した。この研磨テープの裏面は平坦であった。
As the polishing tape, a polishing tape having a polishing layer in which alumina particles (# 8000) were fixed with a polyester resin binder on the surface of a PET tape was used. The back surface of this polishing tape was flat.

【0047】定盤として、表面部分をカットして、表面
に散在する気泡の空隙(気泡径:約50μm)の凹凸パ
ターンを有する発泡ポリウレタンシートを貼り付けたも
のを使用した。
As the surface plate, a surface plate was cut and a foamed polyurethane sheet having a concavo-convex pattern of voids (air bubble diameter: about 50 μm) scattered on the surface was attached.

【0048】研磨液として、冷却液(水)を使用した。A cooling liquid (water) was used as the polishing liquid.

【0049】研磨条件は、下記の表1に示すとおりであ
った。
The polishing conditions were as shown in Table 1 below.

【表1】 [Table 1]

【0050】実施例1では、研磨力(単位時間当たりの
研磨量)は、0.32mg/分であった。
In Example 1, the polishing power (polishing amount per unit time) was 0.32 mg / min.

【0051】<実施例2> 定盤として、表面に直線形
状を組み合わせた平面格子状(間隔6mm)で、断面凹
形状(幅2mm)の凹凸パターンを有する発泡ポリウレ
タンシートを貼り付けたものを使用した以外は、上記実
施例1と同一の条件で研磨を行った。なお、実施例2で
は、定盤の表面の格子状のパターンは、研磨テープの送
り出し方向と、格子状のパターンを構成する縦方向と横
方向の直線形状のうちの縦方向の直線の方向とが平行と
なるように、配置された。研磨力は、0.42mg/分
であった。
<Example 2> As a surface plate, a plate having a foamed polyurethane sheet having a concavo-convex pattern having a flat cross-section (spacing 6 mm) having a combination of linear shapes on the surface and a concave cross-section (width 2 mm) is used. Polishing was performed under the same conditions as in Example 1 except for the above. In the second embodiment, the grid pattern on the surface of the surface plate is the feeding direction of the polishing tape and the direction of the vertical straight line of the vertical and horizontal straight lines forming the grid pattern. Are arranged so that they are parallel to each other. The polishing power was 0.42 mg / min.

【0052】<実施例3> 定盤として、表面に直線形
状を組み合わせた平面格子状(間隔6mm)で、断面凹
形状(幅2mm)の凹凸パターンを有する発泡ポリウレ
タンシートを貼り付けたものを使用した以外は、上記実
施例1と同一の条件で研磨を行った。なお、実施例3で
は、定盤の表面の格子状のパターンは、研磨テープの送
り出し方向と、格子状のパターンを構成する縦方向と横
方向の直線形状の方向とが45°の角度となるように、
配置された。研磨力は、0.58mg/分であった。
<Example 3> As the surface plate, a plate having a planar grid-like shape (spacing 6 mm) having a combination of linear shapes on the surface and having a foamed polyurethane sheet having a concave-convex pattern having a concave cross-section (width 2 mm) is used. Polishing was performed under the same conditions as in Example 1 except for the above. In the third embodiment, the lattice pattern on the surface of the surface plate has an angle of 45 ° between the feeding direction of the polishing tape and the linear and horizontal directions forming the lattice pattern. like,
Was placed. The polishing power was 0.58 mg / min.

【0053】<比較例> 定盤として、凹凸パターンを
有さない平坦な表面の定盤を使用した以外は、上記実施
例1と同一の条件で研磨を行った。研磨力は、0.12
mg/分であった。
<Comparative Example> Polishing was performed under the same conditions as in Example 1 except that a flat surface plate having no uneven pattern was used as the platen. Polishing power is 0.12
It was mg / min.

【0054】<研磨結果> 上記実施例1〜3及び比較
例の研磨結果から、本発明に従うと、研磨力が著しく向
上したことがわかる。
<Polishing Results> From the polishing results of Examples 1 to 3 and Comparative Example above, it can be seen that the polishing power was remarkably improved according to the present invention.

【0055】また、研磨後の基板の表面を目視で観察す
ると、実施例1〜3では、基板の表面全体が均一に研磨
され、比較例では、研磨斑がみられた。
When the surface of the substrate after polishing was visually observed, in Examples 1 to 3, the entire surface of the substrate was uniformly polished, and in Comparative Example, polishing unevenness was observed.

【0056】[0056]

【発明の効果】本発明が以上のように構成されるので、
(1)研磨テープを定盤の表面上に適宜に供給できる、
及び(2)研磨中、研磨対象物の表面と研磨テープの研
磨層の表面との間に生じるハイドロプレーニング現象が
減少し、研磨対象物の表面全体を高い研磨力で均一に研
磨できる、という効果を奏する。
Since the present invention is constructed as described above,
(1) The polishing tape can be appropriately supplied on the surface of the surface plate,
And (2) an effect that the hydroplaning phenomenon occurring between the surface of the object to be polished and the surface of the polishing layer of the polishing tape during polishing is reduced, and the entire surface of the object to be polished can be uniformly polished with a high polishing force. Play.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)は、本発明の研磨装置の側面図であ
り、図1(b)は、図1(a)の研磨装置の平面図であ
る。
FIG. 1 (a) is a side view of a polishing apparatus of the present invention, and FIG. 1 (b) is a plan view of the polishing apparatus of FIG. 1 (a).

【図2】図2(a)は、定盤の側面図であり、図2
(b)は、研磨テープの断面図である。
FIG. 2 (a) is a side view of a surface plate, and FIG.
(B) is a cross-sectional view of the polishing tape.

【図3】図3(a)は、定盤の側面図であり、図3
(b)は、研磨テープの断面図である。
FIG. 3 (a) is a side view of a surface plate, and FIG.
(B) is a cross-sectional view of the polishing tape.

【図4】図4(a)、(b)及び(c)は、それぞれ、
研磨テープの裏面又は定盤の表面の凹凸パターンの例の
平面図である。
4 (a), (b) and (c) are respectively,
It is a top view of the example of the uneven | corrugated pattern of the back surface of a polishing tape or the surface of a surface plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・研磨ヘッド 11・・・定盤 12・・・柱 13・・・支持台 14・・・テープ送出部 15・・・テープ巻取部 16、17・・・ローラ 18・・・保持具 19・・・ノズル 20・・・研磨テープ 21・・・ベーステープ 22・・・研磨層 23・・・研磨粒子 24・・・樹脂バインダー 25・・・弾性層 26・・・研磨テープの裏面 35・・・弾性層 36・・・定盤の表面 40a、40b、40c・・・凹凸パターン W・・・基板 R・・・研磨ヘッド回転方向 r・・・保持具回転方向 T・・・研磨テープ送出方向 10 ... Polishing head 11 ... surface plate 12 ... Pillar 13 ... Support stand 14 ... Tape sending unit 15 ... Tape winding section 16, 17 ... Laura 18: Holder 19 ... Nozzle 20 ... Abrasive tape 21 ... Base tape 22 ... Polishing layer 23 ... Abrasive particles 24 ... Resin binder 25 ... Elastic layer 26 ... Back side of polishing tape 35 ... Elastic layer 36 ... Surface of surface plate 40a, 40b, 40c ... uneven pattern W: substrate R ・ ・ ・ Rotation direction of polishing head r ・ ・ ・ Rotating direction of holder T ... Polishing tape sending direction

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 622 H01L 21/304 622F (72)発明者 泉 敏裕 東京都昭島市武蔵野三丁目4番1号日本ミ クロコーティング株式会社内 (72)発明者 川久保 洋一 東京都港区南青山六丁目15番10号 Fターム(参考) 3C047 FF08 GG20 3C058 AA05 AA07 AA09 CB01 DA02 DA17 3C063 AA03 AB07 BB01 BB02 BB03 BC03 BG05 BG08 BG30 BH19 DD01 EE10 FF30 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 21/304 622 H01L 21/304 622F (72) Inventor Toshihiro Izumi 3-4-1, Musashino, Akishima-shi, Tokyo No. Japan Micro Coating Co., Ltd. (72) Inventor Yoichi Kawakubo 6-15-10 Minamiaoyama, Minato-ku, Tokyo F-term (reference) 3C047 FF08 GG20 3C058 AA05 AA07 AA09 CB01 DA02 DA17 3C063 AA03 AB07 BB01 BB02 BB03 BC03 BG05 BG08 BG30 BH19 DD01 EE10 FF30

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】定盤と、研磨粒子を樹脂バインダーで固定
した研磨層をベーステープの表面に形成した研磨テープ
を前記定盤の表面上に送り出すテープ送出部と、前記定
盤の表面上に送り出された前記研磨テープを巻き取るテ
ープ巻取部とから成る研磨ヘッド、 研磨対象物を保持し、前記定盤の表面上に送り出された
前記研磨テープの前記研磨層の表面に前記研磨対象物の
表面を押し付けるための保持具、 研磨液を前記定盤の表面上の前記研磨テープの前記研磨
層の表面に供給するためのノズル、 前記研磨ヘッドを回転させるための手段、及び前記保持
具を回転させるための手段、から成る研磨装置。
1. A surface plate, a tape delivery unit for sending out a polishing tape having an abrasive layer having abrasive particles fixed with a resin binder on the surface of a base tape to the surface of the surface plate, and a surface of the surface plate. A polishing head comprising a tape winding unit that winds the sent-out polishing tape, holding an object to be polished, and the object to be polished on the surface of the polishing layer of the polishing tape sent to the surface of the surface plate A holder for pressing the surface of the plate, a nozzle for supplying a polishing liquid to the surface of the polishing layer of the polishing tape on the surface of the surface plate, a means for rotating the polishing head, and the holder. A polishing device comprising means for rotating.
【請求項2】前記定盤の表面が平坦であり、前記研磨テ
ープの裏面が、弾力性のある凹凸パターンを有し、前記
定盤の表面上に送り出された前記研磨テープの裏面の前
記凹凸パターンが、前記定盤の表面に接触する、ところ
の請求項1の研磨装置。
2. The surface of the surface plate is flat, and the back surface of the polishing tape has an uneven pattern having elasticity, and the surface unevenness of the polishing tape sent to the surface of the surface plate is uneven. The polishing apparatus according to claim 1, wherein a pattern contacts a surface of the surface plate.
【請求項3】前記凹凸パターンが、直線形状、曲線形状
又はこれら形状から選択される一種又は二種の形状を組
み合わせた形状からなる平面形状で、断面凹形状又は断
面凸形状のパターンである、請求項2の研磨装置。
3. The concavo-convex pattern is a planar shape having a linear shape, a curved shape, or a shape in which one or two kinds selected from these shapes are combined, and has a concave or convex cross section. The polishing apparatus according to claim 2.
【請求項4】前記定盤の表面が、弾力性のある凹凸パタ
ーンを有し、前記研磨テープの裏面が、平坦であり、前
記定盤の表面上に送り出された前記研磨テープの裏面
が、前記定盤の表面の前記凹凸パターンに接触する、と
ころの請求項1の研磨装置。
4. The surface of the surface plate has an uneven pattern having elasticity, the back surface of the polishing tape is flat, and the back surface of the polishing tape fed onto the surface of the surface plate is The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing apparatus is in contact with the uneven pattern on the surface of the surface plate.
【請求項5】前記凹凸パターンが、直線形状、曲線形状
又はこれら形状から選択される一種又は二種の形状を組
み合わせた形状からなる平面形状で、断面凹形状又は断
面凸形状のパターンである、請求項4の研磨装置。
5. The concavo-convex pattern is a plane shape having a linear shape, a curved shape, or a shape in which one or two kinds selected from these shapes are combined, and is a pattern having a concave cross section or a convex cross section. The polishing apparatus according to claim 4.
【請求項6】前記研磨液が、前記研磨対象物の表面と化
学的に反応する薬液を含有し、前記研磨対象物の表面
が、化学的機械的に研磨される、請求項1の研磨装置。
6. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing liquid contains a chemical liquid that chemically reacts with the surface of the object to be polished, and the surface of the object to be polished is chemically and mechanically polished. .
【請求項7】請求項1〜6のいずれか1に記載の研磨装
置を使用して研磨対象物の表面を研磨する方法であっ
て、 前記研磨テープを前記定盤の表面上に送り出す工程、 前記研磨ヘッドを回転させる工程、 前記定盤の表面上に送り出された前記研磨テープの研磨
層の表面に研磨液を供給する工程、 前記保持具に前記研磨対象物を保持し、前記定盤の表面
上に送り出された前記研磨テープの研磨層の表面に前記
研磨対象物の表面を押し付ける工程、及び前記保持具を
回転させる工程、から成る方法。
7. A method for polishing the surface of an object to be polished by using the polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing tape is fed onto the surface of the surface plate. A step of rotating the polishing head, a step of supplying a polishing liquid to the surface of the polishing layer of the polishing tape fed onto the surface of the surface plate, holding the object to be polished in the holder, A method comprising the steps of pressing the surface of the object to be polished against the surface of the polishing layer of the polishing tape fed onto the surface, and rotating the holder.
JP2002030872A 2002-02-07 2002-02-07 Polishing device and polishing method Pending JP2003231051A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002030872A JP2003231051A (en) 2002-02-07 2002-02-07 Polishing device and polishing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002030872A JP2003231051A (en) 2002-02-07 2002-02-07 Polishing device and polishing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003231051A true JP2003231051A (en) 2003-08-19

Family

ID=27774452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002030872A Pending JP2003231051A (en) 2002-02-07 2002-02-07 Polishing device and polishing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003231051A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303112A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Ebara Corp Semiconductor wafer peripheral edge polisher and method therefor
JP2009512566A (en) * 2005-10-20 2009-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Abrasive article and method of correcting surface of workpiece
CN103128633A (en) * 2013-02-21 2013-06-05 宁夏丰兆科技发展有限公司 Magnesium plate polishing machine
JP2014511283A (en) * 2011-02-24 2014-05-15 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Coated abrasive article including foam backing and method of making the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303112A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Ebara Corp Semiconductor wafer peripheral edge polisher and method therefor
JP2009512566A (en) * 2005-10-20 2009-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Abrasive article and method of correcting surface of workpiece
JP2014511283A (en) * 2011-02-24 2014-05-15 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Coated abrasive article including foam backing and method of making the same
EP2678152A4 (en) * 2011-02-24 2018-05-09 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article with foam backing and method of making
US10675794B2 (en) 2011-02-24 2020-06-09 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article with foam backing and method of making
CN103128633A (en) * 2013-02-21 2013-06-05 宁夏丰兆科技发展有限公司 Magnesium plate polishing machine

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101161883B1 (en) In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article
KR100749693B1 (en) Method and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
US7497885B2 (en) Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them
JP3645528B2 (en) Polishing method and semiconductor device manufacturing method
US20080293331A1 (en) Methods and apparatus for low cost and high performance polishing tape for substrate bevel and edge polishing in seminconductor manufacturing
US8360823B2 (en) Splicing technique for fixed abrasives used in chemical mechanical planarization
US7429210B2 (en) Materials for chemical mechanical polishing
TWI272159B (en) Polishing pad and its polishing method
JP2007073796A (en) Polishing pad, manufacturing method therefor and polishing method
JP2005007520A (en) Abrasive pad, manufacturing method thereof, and grinding method thereof
JP2004071833A (en) Method for polishing both sides of semiconductor wafer
JP2003300149A (en) Grinding pad, grinding device, and grinding method
JP2003257910A (en) Method for polishing copper layer of substrate
JP2004189846A (en) Pressure sensitive double-sided adhesive tape for fixing abrasive
JP2003231051A (en) Polishing device and polishing method
US6540595B1 (en) Chemical-Mechanical polishing apparatus and method utilizing an advanceable polishing sheet
JP4384136B2 (en) Polishing pad
EP1316991A1 (en) Method of polishing semiconductor wafer
JP2003334754A (en) Padless polishing device and method
JP2003273046A (en) Polishing device, polishing tape and polishing method
JP2004358616A (en) Polishing tool, polishing device and method
JP2008238348A (en) Workpiece holding material
JP2007035917A (en) Polishing pad, silicon wafer, and polishing machine
JP2950457B2 (en) Semiconductor wafer polishing equipment
JP5033356B2 (en) Polishing pad

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070427

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070828

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071026

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080108