JP2003226976A - ガスミキシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一な混合状態となつて複数の流出ポートか
ら流出することが困難であり、均一な薄膜が形成され難
い。 【解決手段】 各導入路１３，１４を内部空間３に連通
させる個別の流入ポート３ａ，３ｂ及び供給路１９を内
部空間３に連通させる流出ポート３ｄを有する本体２
と、本体２の内部空間３に配置され、各導入路１３，１
４から流入する処理ガスａ，ｂを衝突させる衝突面４ａ
を有する邪魔部材４とを備え、各流入ポート３ａ，３ｂ
が中心軸線Ｘ−Ｘに対する同一円周上に位置し、流出ポ
ート３ｄが中心軸線Ｘ−Ｘ上に位置し、かつ、邪魔部材
４の衝突面４ａが中心軸線Ｘ−Ｘに対する同一円周上に
位置し、各流入ポート３ａ，３ｂから流入する複数種類
の処理ガスを同一距離を隔てさせて邪魔部材４の衝突面
４ａに衝突させると共に混合させて、衝突面４ａから同
一距離に位置する流出ポート３ｄを通じてリアクター３
３内に流入させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガスミキシング装
置、詳しくは、リアクター内に配置した被成膜部材に処
理ガスによる薄膜を形成するためのガスミキシング装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及びその課題】従来の成膜装置としては、
例えばＣＶＤ装置が知られている。これは、薄膜材料を
構成する元素からなる１種又は複数種の化合物ガス又は
単体ガスをウェーハ上に供給し、気相又はウェーハ表面
での化学反応によつて薄膜を形成させる。ガス分子を励
起させるには、熱エネルギ、プラズマ放電、光等を用い
る。

【０００３】この種の成膜装置では、通常、個別のガス
供給源に収容される複数種類の処理ガスを各導入路から
流入させて混合させ、混合状態の処理ガスを供給路を通
じてリアクターに流入させ、リアクター内に配置した被
成膜部材に処理ガスによる薄膜を形成するためのガスミ
キシング装置を備える。

【０００４】特開２００１−２２５９４１に記載される
従来のガスミキシング装置を図３に示す。これは、個別
のガス供給源７０，７１に収容される複数種類の処理ガ
スを各導入路５０，５１から流入させて混合させ、混合
状態の処理ガスを供給路５２，５３を通じてリアクター
７３内に流入させ、リアクター７３の反応チャンバ内に
配置した被成膜部材（図示せず）の表面に処理ガスによ
る薄膜を形成するものである。

【０００５】ガスミキシング装置は、それぞれ２個の導
入路５０，５１及び供給路５２，５３が接続する本体５
４を有し、各導入路５０，５１が接続する個別の流入ポ
ート５０ａ，５１ａから処理ガスを本体５４の内部空間
５５に向けて流入させて混合させ、内部空間５５内で混
合した処理ガスを、２個の流出ポート５２ａ，５３ａに
それぞれ接続する供給路５２，５３を通じてリアクター
７３内に流入させる。７５，７６は、それぞれマスフロ
ーコントローラであり、７８，７９はバルブである。

【０００６】しかしながら、このような従来のガスミキ
シング装置にあつては、各流入ポート５０ａ，５１ａに
ほぼ対向する位置として、各流出ポート５２ａ，５３ａ
が形成され、図３に示す平面視で、各流入ポート５０
ａ，５１ａが中心軸線に対する同一円周上に位置するも
のとしたとき、流出ポート５２ａ，５３ａが該中心軸線
上に位置していない。また、各流入ポート５０ａ，５１
ａから流入する処理ガスを衝突させる邪魔部材を、該中
心軸線に対する同一円周上に形成することが予定されて
いない。

【０００７】このため、各流入ポート５０ａ，５１ａか
ら流入する処理ガスａ，ｂが、それぞれ異なる流動経路
を経て複数の流出ポート５２ａ，５３ａから流出し易
く、均一な混合状態となつて複数の流出ポート５２ａ，
５３ａから流出することが困難な状態にある。

【０００８】また、一方の流入ポート５０ａから多量
（例えば５，０００ｃｃ／ｍｉｎ．）の処理ガスａが流
入し、他方の流入ポート５１ａから少量（例えば２００
ｃｃ／ｍｉｎ．）の処理ガスｂが流入するときは、混合
処理ガスｄが、ほぼ一方の流出ポート５３ａに向かう大
きな流れとなり、多量の混合処理ガスｄが一方の流出ポ
ート５３ａからリアクター７３内に流入する傾向を呈す
る。一方、両流入ポート５０ａ，５１ａから等量の処理
ガスａ，ｂが流入するときは、混合処理ガスｄが、両方
の流出ポート５２ａ，５３ａに均等に向かう流れとなる
傾向にある。

【０００９】このように、従来のガスミキシング装置
は、各流入ポート５０ａ，５１ａから流入する複数種類
の処理ガスａ，ｂを同一距離を隔てさせて邪魔部材に衝
突させると共に混合させて、該邪魔部材の衝突面から同
一距離に位置する流出ポートを通じてリアクター７３内
に流入させる構造となつていない。その結果、リアクタ
ー７３内の被成膜部材である基板上に不均一な混合処理
ガスｄが供給されることになり、均一な薄膜が形成され
難くなるという技術的課題を有している。

【００１０】特に、本体５４に３個以上の流入ポート５
０ａ，５１ａを形成するときは、各流入ポート５０ａ，
５１ａを中心軸線回りの同一円周上に位置させることを
前提としていないため、各流入ポート５０ａ，５１ａか
ら流出ポート５２ａ，５３ａまでの距離が異なることに
なる。

【００１１】これに起因して、バルブ７８，７９から流
入ポート５０ａ，５１ａまでの距離及び流出ポート５２
ａ，５３ａからリアクター７３までの距離をそれぞれ一
致させたとしても、バルブ７８，７９を同時に開くこと
により、均質な混合処理ガスｄをリアクター７３内に同
時に供給させることができない。従つて、複数種類の処
理ガスａ，ｂを良好に混合させてリアクター７３内に同
時に供給させ、均一な薄膜を形成するためには、ガスミ
キシング装置における流路長さを補正する必要があり、
リアクター７３から遠い位置となるバルブ７８，７９を
所定時間だけ早く開くという煩雑な制御が必要になると
いう技術的課題を有している。

【００１２】同様に、本体５４に３個以上の流入ポート
５０ａ，５１ａを形成し、一の導入路５０，５１から単
一種類の処理ガスａ，ｂを流入させるとき、各流入ポー
ト５０ａ，５１ａから複数の流出ポート５２ａ，５３ａ
までの距離が一致しないため、流入ポート５０ａ，５１
ａからの処理ガスａ，ｂがリアクター７３に流入する時
期に相違を生ずる傾向にある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような従
来の技術的課題に鑑みてなされたもので、その構成は、
次の通りである。請求項１の発明は、個別のガス供給源
１０，１１に収容される複数種類の処理ガスを各導入路
１３，１４から流入させて混合させると共に、混合状態
の処理ガスｄを供給路１９を通じてリアクター３３内に
流入させ、リアクター３３内に配置した被成膜部材Ａに
混合処理ガスｄによる薄膜Ｂを形成するためのガスミキ
シング装置であつて、内部空間３を有し、各導入路１
３，１４を該内部空間３に連通させる個別の流入ポート
３ａ，３ｂ及び供給路１９を該内部空間３に連通させる
流出ポート３ｄを有する本体２と、本体２の内部空間３
に配置され、各導入路１３，１４から流入する処理ガス
ａ，ｂを衝突させる衝突面４ａを有する邪魔部材４とを
備え、各流入ポート３ａ，３ｂが中心軸線Ｘ−Ｘに対す
る同一円周上に位置し、流出ポート３ｄが中心軸線Ｘ−
Ｘ上に位置し、かつ、邪魔部材４の衝突面４ａが中心軸
線Ｘ−Ｘに対する同一円周上に位置し、各流入ポート３
ａ，３ｂから流入する複数種類の処理ガスを同一距離を
隔てさせて邪魔部材４の衝突面４ａに衝突させると共に
混合させて、各処理ガスａ，ｂの衝突面４ａから同一距
離に位置する流出ポート３ｄを通じてリアクター３３内
に流入させることを特徴とするガスミキシング装置であ
る。請求項２の発明は、邪魔部材４の衝突面４ａが円形
外周面を有することを特徴とする請求項１のガスミキシ
ング装置である。請求項３の発明は、各流入ポート３
ａ，３ｂが、本体２の中心軸線Ｘ−Ｘ方向の一端部に開
口し、流出ポート３ｄが、本体２の中心軸線Ｘ−Ｘ方向
の他端部に開口していることを特徴とする請求項１又は
２のガスミキシング装置である。請求項４の発明は、邪
魔部材４が、本体２の中心軸線Ｘ−Ｘ方向の一端部に突
設されていることを特徴とする請求項３のガスミキシン
グ装置である。請求項５の発明は、個別のガス供給源１
０，１１，２０に収容される複数種類の処理ガスを各導
入路１３，１４，２３から流入させて混合させると共
に、混合状態の処理ガスｄを供給路１９を通じてリアク
ター３３内に流入させ、リアクター３３内に配置した被
成膜部材Ａに処理ガスｄによる薄膜Ｂを形成するための
ガスミキシング装置であつて、内部空間３を有し、各導
入路１３，１４，２３を内部空間３に連通させる３個以
上の流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃ及び供給路１９を内部
空間３に連通させる単一の流出ポート３ｄを有する本体
２と、本体２の内部空間３に配置され、各流入ポート３
ａ，３ｂ，３ｃから流入する処理ガスを衝突面４ａに衝
突させる邪魔部材４とを有し、各流入ポート３ａ，３
ｂ，３ｃから邪魔部材４の衝突面４ａまでの距離及び邪
魔部材４の衝突面４ａから流出ポート３ｄまでの距離が
それぞれ同一に設定され、各流入ポート３ａ，３ｂ，３
ｃから流入する処理ガスａ，ｂ，ｃを同一距離を隔てさ
せて流出ポート３ｄに導くことを特徴とするガスミキシ
ング装置である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１，図２を参照して説明する。ガスミキシング装置
１は、複数種類の処理ガスａ，ｂ，ｃを個別に貯留させ
る複数のガス供給源１０，１１，２０とリアクター３３
との間に配置され、各ガス供給源１０，１１，２０に収
容される複数種類の処理ガスａ，ｂ，ｃを各導入路１
３，１４，２３から流入させて混合させ、混合状態の処
理ガスｄをメインキャリアガスと共に単一の供給路１９
を通じてリアクター３３に流入させ、リアクター３３の
反応チャンバ内に配置した半導体製の被成膜部材である
基板Ａに処理ガスによる薄膜Ｂを形成するものである。

【００１５】処理ガスａ，ｂ，ｃは、Ａｌ、Ｚｎ等の金
属ガス、ＳｉＨ２Ｃｌ２、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＡｓＨ
３、Ｈ２Ｓｅ、ＰＨ３等のガスである。処理ガスａ，
ｂ，ｃを得るために加熱する必要がある場合、例えば金
属ガスの場合には、ガス供給源１０，１１，２０に加熱
手段が付属されている。

【００１６】各ガス供給源１０，１１，２０は、必要に
応じてキャリアガスに乗つた処理ガスａ，ｂ，ｃを供給
する。キャリアガスは、通常、窒素ガス等の不活性ガス
が使用される。リアクター３３には、真空ポンプ３４が
接続され、リアクター３３の反応チャンバ内部は減圧状
態が維持されている。有機金属ＣＶＤ装置の場合には、
窒素ガスをキャリアガスとして用い、液体状金属化合物
を泡立たせ、それらの蒸気を含ませたガスと窒素化合物
ガスをリアクター３３で熱分解させる。

【００１７】ガスミキシング装置１は、本体２を有し、
本体２内に１個の内部空間３が形成されている。本体２
には、各導入路１３，１４，２３に接続する個別の流入
ポート３ａ，３ｂ，３ｃ及び供給路１９に接続する１個
の流出ポート３ｄが形成され、これらが内部空間３に連
通している。また、本体２の一端部中心には、他端に向
けて延びる邪魔部材４が突設されている。この邪魔部材
４は、内部空間３に位置して内部空間３を区画し、邪魔
部材４の周囲に内部空間３からなる１個の流路３ｅを形
成している。邪魔部材４は、他端部を滑らかに面取りし
たさい頭円錐形状をなしている。従つて、邪魔部材４
は、本体２の中心軸線Ｘ−Ｘ方向の一端部に突設され、
衝突面４ａは円形外周断面を有し、内部空間３の流路３
ｅは円環状断面を有している。

【００１８】各流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃは、本体２
の一端部側面に形成され、導入路１３，１４，２３を経
て流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃから流入する処理ガス
ａ，ｂ，ｃが内部空間３（流路３ｅ）の一端部から流入
し、邪魔部材４の一端部の衝突面４ａに衝突する。ここ
で、衝突とは、処理ガスａ，ｂ，ｃが鋭角（０度を除
く）をなす入射角αで衝突面４ａに入射し、鋭角（０度
を除く）をなす反射角βで衝突面４ａから反射する状態
をいう。衝突面４ａで反射した処理ガスａ，ｂ，ｃが各
流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃに向かうことは、各導入路
１３，１４，２３を流れる処理ガスａ，ｂ，ｃに脈動を
生ずる原因となるので、避けることが望まれる。なお、
衝突面４ａは、各処理ガスａ，ｂ，ｃ毎に個別に形成し
てもよく、その場合の各処理ガスａ，ｂ，ｃの衝突面４
ａは、中心軸線Ｘ−Ｘに対する同一円周上に位置させ
る。

【００１９】各流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃは、本体２
の中心軸線Ｘ−Ｘから等距離、つまり、中心軸線Ｘ−Ｘ
に対する同一円周上に位置している。

【００２０】また、流出ポート３ｄは、本体２の他端部
に形成され、中心軸線Ｘ−Ｘ上に位置し、供給路１９を
通じてリアクター３３に接続している。

【００２１】各流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃと流出ポー
ト３ｄとの間の距離、ひいては各導入路１３，１４，２
３から供給路１９までの距離は同一に設定されている。

【００２２】従つて、各流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃか
ら流入する複数種類の処理ガスａ，ｂ，ｃは、同一距離
を隔てさせて邪魔部材４の衝突面４ａに衝突した後、向
きを変え、内部空間３を流下しながら複数種類の処理ガ
スが混合され、衝突面４ａから同一距離に位置する流出
ポート３ｄを通じてリアクター３３に流入することにな
る。流出ポート３ｄは１個であるから、各流入ポート３
ａ，３ｂ，３ｃから流入する処理ガスａ，ｂ，ｃは、同
一距離を経て流出ポート３ｄに導かれ、供給路１９に流
入する混合処理ガスｄが良好な混合状態になる。

【００２３】各導入路１３，１４，２３は、マスフロー
コントローラ２５，２６，２７を介在し、各ガス供給源
１０，１１，２０からの処理ガスａ，ｂ，ｃの流量（圧
力）を調節して所定量を流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃに
向けて供給することができる。更に、各導入路１３，１
４，２３には、開閉機能を有するバルブ３０，３１，３
２が設けられ、バルブ３０，３１，３２から流入ポート
３ａ，３ｂ，３ｃまでの距離をそれぞれ一致させてあ
る。

【００２４】更に、各導入路１３，１４，２３から分岐
配管２９によつて分岐させてベント用容器３５が接続さ
れ、ベント用容器３５は、真空ポンプ３４に接続されて
リアクター３３と同様に減圧されている。各導入路１
３，１４，２３に設けたバルブ３０，３１，３３及び分
岐配管２９に設けた各バルブ４０，４１，４２を切り換
えて、各ガス供給源１０，１１，２０から流出する処理
ガスａ，ｂ，ｃをリアクター３３又はベント用容器３５
に選択的に導くことができる。従つて、各対をなすバル
ブ３０，４０、３１，４１、３２，４２は、それぞれ三
方切換バルブによつて構成することもできる。

【００２５】また、本体２及び邪魔部材４の中心には、
中心軸線Ｘ−Ｘ上に位置するキャリアガス流入路３ｆが
形成され、キャリアガス流入路３ｆの本体２の一端に位
置する開口部３ｇは、ガス導入路４５を介してメインキ
ャリアガス供給源（図示せず）に接続されている。

【００２６】次に、作用について説明する。いま、３個
のガス供給源１０，１１，２０からの処理ガスａ，ｂ，
ｃを所定比率で混合させてリアクター３３に供給させる
ものとする。各バルブ３０，３１，３２を同時に開け
ば、各ガス供給源１０，１１，２０からの種類の異なる
処理ガスａ，ｂ，ｃがマスフローコントローラ２５，２
６，２７によつて流量調節されて同一距離の各導入路１
３，１４，２３を通り、各流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃ
から同時に内部空間３に向けて流入する。内部空間３に
流入した各処理ガスは、それぞれ同時に衝突面４ａに衝
突し、衝突面４ａに衝突した各処理ガスは、それぞれ向
きを変えて内部空間３（流路３ｅ）を流下し、混合を生
じながら単一の流出ポート３ｄに至る。流出ポート３ｄ
では、キャリアガス流入路３ｆから流入するメインキャ
リアガスと合流して、流出ポート３ｄにおいて処理ガス
ａ，ｂ，ｃが更に混合して、所定比率での良好な混合状
態となつて供給路１９からリアクター３３に供給され
る。

【００２７】各流入ポート３ａ，３ｂ，３ｃから流出ポ
ート３ｄまでの距離は同一であるから、同時に衝突面４
ａに衝突した各処理ガスは、同時に流出ポート３ｄに至
り、共通の供給路１９からリアクター３３に同時に供給
される。

【００２８】これにより、各バルブ３０，３１，３２の
開き時期を遅速調節するという煩雑な制御を必要とする
ことなく、リアクター３３に良好な混合状態の処理ガス
ｄを供給することができる。リアクター３３内では、基
板Ａに混合処理ガスｄによる薄膜Ｂが形成される。

【００２９】次に、混合処理ガスｄを切り換えて、任意
の２個のガス供給源１０，１１からの処理ガスａ，ｂを
所定比率で混合させてリアクター３３に供給させる場合
には、バルブ３２を閉じ、バルブ４２を開くと共に、各
バルブ３０，３１を同時に開く。これにより、各ガス供
給源１０，１１からの種類の異なる処理ガスａ，ｂの所
定量が各導入路１３，１４を通つて各流入ポート３ａ，
３ｂから同時に内部空間３に向けて流入する。その後、
上述したと同様に、各処理ガスａ，ｂは、それぞれ同時
に衝突面４ａに衝突し、流路３ｅを流下し、混合を生じ
ながら単一の流出ポート３ｄに至り、キャリアガス流入
路３ｆから流入するメインキャリアガスと合流して、所
定比率での良好な混合状態となつて流出ポート３ｄ及び
供給路１９を経てリアクター３３に供給される。不使用
となつたガス供給源２０の処理ガスｃは、分岐配管２９
を通つてベント用容器３５に導かれ、たれ流し状態にあ
る。

【００３０】混合処理ガスｄの種類を切り換えて、任意
の１個のガス供給源１０，１１，２０からの処理ガス
ａ，ｂ，ｃを混合させることなくメインキャリアガスと
共にリアクター３３に供給させることも勿論可能であ
る。かくして、任意の単数又は複数のガス供給源１０，
１１，２０からの処理ガスを導いて、リアクター３３内
の基板Ａに薄膜Ｂを形成することができる。

【００３１】なお、混合処理ガスｄの切り換えにより、
例えば３個のガス供給源１０，１１，２０からの処理ガ
スａ，ｂ，ｃから任意の２個のガス供給源１０，１１か
らの処理ガスａ，ｂを所定比率で混合してリアクター３
３に供給する場合には、通常、バルブ３２を閉じて処理
ガスｃの供給を止めた分は、キャリアガス及びメインキ
ャリアガスと同種のキャンセラーガス（図示せず）を流
入ポート３ｃから流入させ、ガスミキシング装置１から
下流側の圧力変動を防止している。

【００３２】ところで、この発明は被成膜部材に処理ガ
スによる薄膜を形成する各種の成膜装置に適用すること
ができ、ＣＶＤ装置の他、ＬＣＤ（液晶表示パネル）、
ＨＤ（ハードディスク）等に薄膜を形成する成膜装置へ
の適用が可能である。

【００３３】

【発明の効果】以上の説明によつて理解されるように、
本発明に係るガスミキシング装置によれば、次の効果を
奏することができる。

【００３４】請求項１の発明によれば、各流入ポートが
中心軸線に対する同一円周上に位置し、流出ポートが中
心軸線上に位置し、かつ、本体の内部空間に配置され、
各流入ポートから流入する処理ガスを衝突させる邪魔部
材の衝突面が中心軸線に対する同一円周上に位置する。
この構成により、各導入路に接続する流入ポートから同
時に流入させた複数種類の処理ガスを邪魔部材の衝突面
に同時に衝突させると共に混合させて流出ポート及び供
給路を通じてリアクターに同時に流入させることができ
る。

【００３５】このため、混合処理ガスの種類を変える毎
に、バルブの切換え時期をガスミキシング装置における
流路長さの差に応じて相違させるという煩雑な制御が不
要になり、リアクター内の被成膜部材に均一な混合処理
ガスを容易に供給させて均一な薄膜を形成させることが
できる。その結果、簡素な構造のガスミキシング装置を
備える成膜装置により、高品質の薄膜を形成することが
可能になつた。

【００３６】請求項５の発明によれば、３個以上の流入
ポートから邪魔部材の衝突面までの距離及び邪魔部材の
衝突面から流出ポートまでの距離がそれぞれ同一に設定
され、各流入ポートから流入する処理ガスを同一距離を
隔てさせて混合状態として流出ポートに導き、混合処理
ガスを供給路を通じてリアクターに同時に流入させるこ
とができる。

【００３７】これにより、混合処理ガスの種類を変える
毎に、バルブの切換え時期をガスミキシング装置におけ
る流路長さの差に応じて相違させるという煩雑な制御が
不要になり、リアクター内の被成膜部材に均一な混合処
理ガスを容易に供給させて均一な薄膜を形成させること
ができる。その結果、簡素な構造のガスミキシング装置
を備える成膜装置により、高品質の薄膜を形成すること
が可能になつた。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の１実施の形態に係るガスミキシング
装置を断面で示す成膜装置の概略図。

【図２】 同じく図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。

【図３】 従来例を示す図。

【符号の説明】

１：ガスミキシング装置、２：本体、３：内部空間、３
ａ，３ｂ，３ｃ：流入ポート、３ｄ：流出ポート、４：
邪魔部材、４ａ：衝突面、１０，１１：ガス供給源、１
３，１４，２３：導入路、１９：供給路、３３：リアク
ター、ａ，ｂ，ｃ：処理ガス、ｄ：混合処理ガス、Ａ：
基板（被成膜部材）、Ｂ：薄膜、Ｘ−Ｘ：中心軸線。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 個別のガス供給源（１０，１１）に収容
   される複数種類の処理ガスを各導入路（１３，１４）か
   ら流入させて混合させると共に、混合状態の処理ガス
   （ｄ）を供給路（１９）を通じてリアクター（３３）内
   に流入させ、リアクター（３３）内に配置した被成膜部
   材（Ａ）に混合処理ガス（ｄ）による薄膜（Ｂ）を形成
   するためのガスミキシング装置であつて、内部空間
   （３）を有し、各導入路（１３，１４）を該内部空間
   （３）に連通させる個別の流入ポート（３ａ，３ｂ）及
   び供給路（１９）を該内部空間（３）に連通させる流出
   ポート（３ｄ）を有する本体（２）と、本体（２）の内
   部空間（３）に配置され、各導入路（１３，１４）から
   流入する処理ガス（ａ，ｂ）を衝突させる衝突面（４
   ａ）を有する邪魔部材（４）とを備え、各流入ポート
   （３ａ，３ｂ）が中心軸線（Ｘ−Ｘ）に対する同一円周
   上に位置し、流出ポート（３ｄ）が中心軸線（Ｘ−Ｘ）
   上に位置し、かつ、邪魔部材（４）の衝突面（４ａ）が
   中心軸線（Ｘ−Ｘ）に対する同一円周上に位置し、各流
   入ポート（３ａ，３ｂ）から流入する複数種類の処理ガ
   スを同一距離を隔てさせて邪魔部材（４）の衝突面（４
   ａ）に衝突させると共に混合させて、各処理ガス（ａ，
   ｂ）の衝突面（４ａ）から同一距離に位置する流出ポー
   ト（３ｄ）を通じてリアクター（３３）内に流入させる
   ことを特徴とするガスミキシング装置。
2. 【請求項２】 邪魔部材（４）の衝突面（４ａ）が円形
   外周面を有することを特徴とする請求項１のガスミキシ
   ング装置。
3. 【請求項３】 各流入ポート（３ａ，３ｂ）が、本体
   （２）の中心軸線（Ｘ−Ｘ）方向の一端部に開口し、流
   出ポート（３ｄ）が、本体（２）の中心軸線（Ｘ−Ｘ）
   方向の他端部に開口していることを特徴とする請求項１
   又は２のガスミキシング装置。
4. 【請求項４】 邪魔部材（４）が、本体（２）の中心軸
   線（Ｘ−Ｘ）方向の一端部に突設されていることを特徴
   とする請求項３のガスミキシング装置。
5. 【請求項５】 個別のガス供給源（１０，１１，２０）
   に収容される複数種類の処理ガスを各導入路（１３，１
   ４，２３）から流入させて混合させると共に、混合状態
   の処理ガス（ｄ）を供給路（１９）を通じてリアクター
   （３３）内に流入させ、リアクター（３３）内に配置し
   た被成膜部材（Ａ）に処理ガス（ｄ）による薄膜（Ｂ）
   を形成するためのガスミキシング装置であつて、内部空
   間（３）を有し、各導入路（１３，１４，２３）を内部
   空間（３）に連通させる３個以上の流入ポート（３ａ，
   ３ｂ，３ｃ）及び供給路（１９）を内部空間（３）に連
   通させる単一の流出ポート（３ｄ）を有する本体（２）
   と、本体（２）の内部空間（３）に配置され、各流入ポ
   ート（３ａ，３ｂ，３ｃ）から流入する処理ガスを衝突
   面（４ａ）に衝突させる邪魔部材（４）とを有し、各流
   入ポート（３ａ，３ｂ，３ｃ）から邪魔部材（４）の衝
   突面（４ａ）までの距離及び邪魔部材（４）の衝突面
   （４ａ）から流出ポート（３ｄ）までの距離がそれぞれ
   同一に設定され、各流入ポート（３ａ，３ｂ，３ｃ）か
   ら流入する処理ガス（ａ，ｂ，ｃ）を同一距離を隔てさ
   せて流出ポート（３ｄ）に導くことを特徴とするガスミ
   キシング装置。