JP2003224174A - Semiconductor manufacturing apparatus and control method - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatus and control methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に係り、特に原料ガスをプロセスチャンバー内に導入し
プラズマ化することにより半導体ウェハに対する成膜ま
たはエッチングを達成する半導体製造装置及びウェハ搬
送制御方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus and wafer transfer control for achieving film formation or etching on a semiconductor wafer by introducing a source gas into a process chamber and converting it into plasma. Regarding the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造装置は、半導体製造、特にＵ
ＬＳＩ製造に不可欠である。例えばプラズマＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）は、減圧した状態で高周波
（ＲＦ）印加による高周波プラズマ放電を行って原料ガ
スを化学的に活性化し、化学反応を促進させて成膜して
いく。この方法によると、常圧や減圧ＣＶＤのような熱
による反応と比較して低い温度で成膜できるという特長
を持っている。また、ドライエッチング装置において
も、今日ではプロセスチャンバー内に供給されたエッチ
ング用の原料ガスをプラズマ化し、プラズマエッチング
を利用する技術が一般化されている。2. Description of the Related Art Semiconductor manufacturing equipment is used for semiconductor manufacturing, especially U
Indispensable for LSI manufacturing. For example, plasma CVD (Ch
In the case of emical vapor deposition, a high-frequency plasma discharge is applied by applying a high-frequency (RF) in a depressurized state to chemically activate a raw material gas and accelerate a chemical reaction to form a film. According to this method, it is possible to form a film at a lower temperature than a reaction by heat such as atmospheric pressure or low pressure CVD. Further, also in the dry etching apparatus, a technique in which the raw material gas for etching supplied into the process chamber is made into plasma and the plasma etching is used is generalized today.
【０００３】上記のようなプラズマＣＶＤ装置やドライ
エッチング装置においては、枚葉式であり、ロードロッ
ク室から１枚のウェハがロボットアームを利用してプロ
セスチャンバー内に搬送され、成膜処理やエッチング処
理され、再びプロセスチャンバーから送出される。この
処理はウェハ枚数分順次繰り返される。The plasma CVD apparatus and the dry etching apparatus as described above are of a single-wafer type, and one wafer is transferred from the load lock chamber into the process chamber by using a robot arm to perform film formation processing and etching. It is processed and delivered again from the process chamber. This process is sequentially repeated for the number of wafers.
【０００４】処理後のウェハは高温（例えば４００℃付
近）に加熱されている。このため、急激に冷却すること
は避けなければならない。熱ストレスによる割れを引起
こす原因となるからである。The processed wafer is heated to a high temperature (for example, near 400 ° C.). For this reason, rapid cooling must be avoided. This is because it causes cracking due to heat stress.
【０００５】そこで、従来ではクーリングチャンバーと
呼ばれる予備室を設け、処理後のウェハを順次搬入し、
所定時間（例えば３〜４分）は保持する形態をとってい
る。その後、ウェハは順次ロードロック室に搬送され、
ロードロック室にて大気に戻される。これにより、ウェ
ハの急速冷却を防止していた。Therefore, conventionally, a preliminary chamber called a cooling chamber is provided, and the processed wafers are sequentially loaded,
It is held for a predetermined time (for example, 3 to 4 minutes). After that, the wafers are sequentially transferred to the load lock chamber,
Returned to the atmosphere in the load lock chamber. This prevents rapid cooling of the wafer.
【０００６】急速冷却が問題になるのは最後に処理され
たウェハに対してである。すなわち、全てのウェハが所
定時間はクーリングチャンバーに一旦保持されるので、
最後に処理されたウェハが急速冷却とならないよう前記
所定時間は取られる。Rapid cooling is an issue only for the last processed wafer. That is, since all the wafers are once held in the cooling chamber for a predetermined time,
The predetermined time is taken so that the last processed wafer is not cooled rapidly.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、ウェハに
おけるプロセスチャンバーでの処理→クーリングチャン
バーでの保持→ロードロック室への収容というように相
当の搬送時間が費やされる。上記構成ではスループット
を高くしたい装置としては不利であり、処理効率は上記
搬送時間で律速されてしまう。As described above, a considerable transfer time is spent such as processing in a process chamber on a wafer → holding in a cooling chamber → accommodation in a load lock chamber. The above configuration is disadvantageous as an apparatus for which the throughput is desired to be high, and the processing efficiency is rate-controlled by the transport time.
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、半導体ウェハへの急速冷却を防ぎかつ搬送
時間の無駄を省く半導体製造装置及びその制御方法を提
供しようとするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a control method thereof that prevent rapid cooling of a semiconductor wafer and reduce waste of transfer time. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る［請求項
１］の半導体製造装置は、大気中に比べて高温を伴う半
導体ウェハのプロセスチャンバーと、前記プロセスチャ
ンバーに併設され半導体ウェハの搬送制御機構を有する
搬送室と、前記搬送室に併設され前記搬送制御機構によ
り少なくとも前記プロセスチャンバーにおける処理後の
半導体ウェハが順次搬入され最後の１枚の搬入完了から
所定の冷却時間経過後に大気に戻すよう制御されるロー
ドロック室と、を具備したことを特徴とする。A semiconductor manufacturing apparatus according to [Claim 1] of the present invention is a semiconductor wafer process chamber that is higher in temperature than atmospheric air, and a semiconductor wafer transfer control provided in the process chamber. A transfer chamber having a mechanism, and a transfer control mechanism which is provided adjacent to the transfer chamber, sequentially transfers at least the processed semiconductor wafers in the process chamber and returns them to the atmosphere after a lapse of a predetermined cooling time from the completion of the transfer of the last one. And a controlled load lock chamber.
【００１０】上記本発明に係る半導体製造装置によれ
ば、ロードロック室はプロセスチャンバーにおける処理
後の半導体ウェハを冷却するクーリングチャンバーを兼
ねる形態となる。そのため、ロードロック室に順次搬入
される半導体ウェハのうち、最後の１枚の搬入完了から
所定の冷却時間を経過するまでは大気に戻されない。According to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the load lock chamber also serves as a cooling chamber for cooling the processed semiconductor wafer in the process chamber. Therefore, of the semiconductor wafers sequentially loaded into the load lock chamber, the semiconductor wafers are not returned to the atmosphere until the predetermined cooling time elapses from the loading of the last one.
【００１１】本発明に係る［請求項２］の半導体製造装
置は、［請求項１］に係り、前記プロセスチャンバー
は、導入される原料ガスがプラズマ化され前記半導体ウ
ェハに対し所望の成膜処理またはエッチング処理が施さ
れることを特徴とする。ウェハが高温になるので本発明
が適用されることにより処理効率の向上が期待できる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus according to the first aspect, wherein a raw material gas introduced into the process chamber is turned into plasma and a desired film forming process is performed on the semiconductor wafer. Alternatively, an etching treatment is performed. Since the temperature of the wafer becomes high, improvement of processing efficiency can be expected by applying the present invention.
【００１２】本発明に係る［請求項３］の半導体製造装
置は、［請求項１］または［請求項２］に係り、新たに
処理すべき半導体ウェハが搬入されるロードロック室を
別途具備していることを特徴とする。これにより、スル
ープット向上に寄与する。The semiconductor manufacturing apparatus according to [Claim 3] according to the present invention relates to [Claim 1] or [Claim 2], and is additionally provided with a load lock chamber into which a semiconductor wafer to be newly processed is loaded. It is characterized by This contributes to improvement in throughput.
【００１３】本発明に係る［請求項４］のより好ましい
実施態様としての半導体製造装置は、導入される原料ガ
スがプラズマ化され半導体ウェハに対し所望の成膜また
はエッチング処理が施される複数のプロセスチャンバー
と、前記複数のプロセスチャンバーに共有される半導体
ウェハの搬送制御機構を有する搬送室と、前記搬送室に
併設され、成膜またはエッチング処理前の半導体ウェハ
を収容する第１ロードロック室と、前記搬送室に併設さ
れ、前記搬送制御機構を利用して前記プロセスチャンバ
ーにおける処理後の半導体ウェハが収容される第２ロー
ドロック室と、を具備し、前記第２ロードロック室は少
なくとも前記搬送制御機構により順次搬入されてくる半
導体ウェハの最後の１枚の搬入完了から所定の冷却時間
経過後に大気に戻すよう制御されることを特徴とする。In a semiconductor manufacturing apparatus as a more preferred embodiment of [Claim 4] according to the present invention, a plurality of raw material gases introduced are converted into plasma and a desired film formation or etching treatment is performed on a semiconductor wafer. A process chamber, a transfer chamber having a transfer control mechanism for semiconductor wafers shared by the plurality of process chambers, and a first load-lock chamber provided side by side with the transfer chamber for accommodating semiconductor wafers before film formation or etching. A second load-lock chamber that is provided adjacent to the transfer chamber and that stores the semiconductor wafer after processing in the process chamber by using the transfer control mechanism, wherein the second load-lock chamber is at least the transfer unit. The control mechanism returns the atmosphere to the atmosphere after a lapse of a predetermined cooling time from the completion of the loading of the last semiconductor wafer. Characterized in that it is controlled.
【００１４】上記本発明に係る半導体製造装置によれ
ば、第２ロードロック室はプロセスチャンバーから処理
された半導体ウェハが搬送室を介して搬送されてくる所
で、しかもクーリングチャンバーを兼ねる形態となる。
そのため、第２ロードロック室に順次搬入される半導体
ウェハのうち、最後の１枚の搬入完了から所定の冷却時
間を経過するまでは大気に戻されない。According to the above semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the second load lock chamber is a place where the semiconductor wafer processed from the process chamber is transferred through the transfer chamber, and also serves as a cooling chamber. .
Therefore, of the semiconductor wafers sequentially loaded into the second load lock chamber, they are not returned to the atmosphere until the predetermined cooling time elapses from the completion of the loading of the last one.
【００１５】本発明に係る［請求項５］の半導体製造装
置の制御方法は、大気中に比べて高温を伴う半導体ウェ
ハのプロセスチャンバーと、前記プロセスチャンバーに
併設され半導体ウェハの搬送制御機構を有する搬送室
と、前記搬送室に併設されるロードロック室とを具備
し、前記プロセスチャンバーにおける所定処理を経た半
導体ウェハは前記搬送制御機構により順次前記ロードロ
ック室に搬入され最後の１枚が所定の冷却時間を経過す
るまで前記ロードロック室の雰囲気を保持することを特
徴とする。A semiconductor manufacturing apparatus control method according to a fifth aspect of the present invention includes a semiconductor wafer process chamber that is higher in temperature than in the atmosphere, and a semiconductor wafer transfer control mechanism provided in the process chamber. A semiconductor wafer that has a transfer chamber and a load lock chamber that is juxtaposed with the transfer chamber, and has undergone a predetermined process in the process chamber is sequentially loaded into the load lock chamber by the transfer control mechanism and the last one wafer is transferred to a predetermined one. The atmosphere in the load lock chamber is maintained until the cooling time elapses.
【００１６】上記本発明に係る半導体製造装置の制御方
法によれば、ロードロック室はプロセスチャンバーにお
ける処理後の半導体ウェハが搬送室を介して搬送されて
くる所であり、クーリングチャンバーを兼ね、搬送の無
駄を省く形態が実現できる。そのため、上記ロードロッ
ク室に順次搬入される半導体ウェハのうち、最後の１枚
の搬入完了から所定の冷却時間を経過するまでは大気に
戻さずにおかれる。According to the method for controlling a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the load-lock chamber is a place where the semiconductor wafer after processing in the process chamber is transferred through the transfer chamber, and also functions as the cooling chamber. It is possible to realize a form in which waste of Therefore, of the semiconductor wafers sequentially loaded into the load lock chamber, they are not returned to the atmosphere until a predetermined cooling time elapses from the completion of the loading of the last one.
【００１７】本発明に係る［請求項６］の半導体製造装
置の制御方法は、［請求項５］に係り、前記搬送室にお
いて前記半導体ウェハが所定範囲の温度下がるように搬
送制御機構による動作が制御されることを特徴とする。
これにより、ロードロック室に入るまでに半導体ウェハ
がある程度降温され、ロードロック室内のカセット等の
変形を防止する。The method for controlling a semiconductor manufacturing apparatus according to [Claim 6] according to the present invention relates to [Claim 5], and the operation by the transfer control mechanism is performed so that the temperature of the semiconductor wafer in the transfer chamber falls within a predetermined range. It is characterized by being controlled.
As a result, the temperature of the semiconductor wafer is lowered to some extent before entering the load lock chamber, and deformation of the cassette and the like in the load lock chamber is prevented.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係る半導体製造装置の要部であり、枚葉処理式のプラズ
マ装置を示す概観図である。プラズマ装置１０におい
て、プロセスチャンバー１１（１１ａ，１１ｂ）は、大
気中に比べて高温を伴う半導体ウェハの処理がなされる
部所である。ガス供給ボックス１２（１２ａ，１２ｂ）
から原料ガスをプロセスチャンバー１１内に導入しプラ
ズマ化することにより半導体ウェハＷａｆ（うち、Ｗａ
ｆ１，Ｗａｆ２を図示）に対する成膜またはエッチング
を達成する。このようなプラズマ装置１０は、プラズマ
ＣＶＤ装置、またはドライエッチング装置が考えられ
る。1 is a schematic view showing a main part of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention, which is a single-wafer processing type plasma apparatus. In the plasma apparatus 10, the process chamber 11 (11a, 11b) is a part where a semiconductor wafer that is higher in temperature than in the atmosphere is processed. Gas supply box 12 (12a, 12b)
A raw material gas is introduced into the process chamber 11 to turn it into plasma, so that the semiconductor wafer Waf (of which Waf
Deposition or etching is achieved for f1 and Waf2). As such a plasma apparatus 10, a plasma CVD apparatus or a dry etching apparatus can be considered.
【００１９】プロセスチャンバー１１（１１ａ，１１
ｂ）には搬送室１３が併設されている。搬送室１３は、
通常は例えばＮ2の所定圧力（減圧状態）雰囲気でウェ
ハＷａｆの搬送制御をするロボットアーム１３１を配備
している。また、アライメントユニット１４はウェハＷ
ａｆのアライメントを達成する部所である。Process chamber 11 (11a, 11
In b), a transfer chamber 13 is attached. The transfer chamber 13 is
Usually, a robot arm 131 for controlling the transfer of the wafer Waf is arranged in a predetermined pressure (reduced pressure) atmosphere of N 2 , for example. Further, the alignment unit 14 is the wafer W
This is the part that achieves af alignment.
【００２０】ロードロック室１５，１６は搬送室１３に
併設されている。ロードロック室１５，１６内にはそれ
ぞれウェハカセット１７，１８が配備され、例えばＮ2
の所定圧力（減圧状態）雰囲気で複数の半導体ウェハを
収容する。The load lock chambers 15 and 16 are attached to the transfer chamber 13. The load lock chamber 15 is wafer cassette 17 and 18 deployment, for example, N 2
A plurality of semiconductor wafers are housed in a predetermined pressure (reduced pressure) atmosphere.
【００２１】例えばロードロック室１５は、プロセスチ
ャンバー１１における成膜またはエッチング処理前のウ
ェハを収容する。一方、ロードロック室１６は、プロセ
スチャンバー１１から、ロボットアーム１３１を利用し
て成膜またはエッチング処理後のウェハが収容される。For example, the load lock chamber 15 accommodates the wafer before the film formation or etching process in the process chamber 11. On the other hand, the load lock chamber 16 accommodates the wafer, which has been subjected to the film formation or the etching process, from the process chamber 11 using the robot arm 131.
【００２２】このような実施形態では、従来技術におい
て別途設けていたクーリングチャンバーをなくしてい
る。その代り、ロードロック室１６にクーリングチャン
バーとしての機能が備わるよう構成されている。ロード
ロック室１６は、少なくともプロセスチャンバー１１に
おける処理後の半導体ウェハＷａｆが順次搬入され、最
後の１枚の搬入完了から所定の冷却時間経過後にはじめ
てＮ2をベントし、大気に戻すよう制御される。In such an embodiment, the cooling chamber which is separately provided in the prior art is eliminated. Instead, the load lock chamber 16 has a function as a cooling chamber. The load lock chamber 16 is controlled so that at least the semiconductor wafers Waf after processing in the process chamber 11 are sequentially loaded, and N 2 is vented and returned to the atmosphere only after a lapse of a predetermined cooling time from the completion of loading of the last one. .
【００２３】上記実施形態によれば、ロードロック室１
６はクーリングチャンバーを兼ね、処理後にロードロッ
ク室に順次搬入される半導体ウェハのうち、最後の１枚
の搬入完了から所定の冷却時間を経過するまでは大気に
戻されない。これにより、プロセスチャンバー１１での
処理→ロードロック室１６への収容というように相当の
搬送時間が節約できる。これにより、スループットを高
くしたい装置としては有利になり、搬送時間の無駄をな
くした処理能力の高いＣＶＤ装置あるいはドライエッチ
ング装置が実現できる。According to the above embodiment, the load lock chamber 1
6 also serves as a cooling chamber and is not returned to the atmosphere until a predetermined cooling time elapses from the completion of the loading of the last one of the semiconductor wafers sequentially loaded into the load lock chamber after processing. As a result, a considerable transfer time can be saved, such as processing in the process chamber 11 and accommodation in the load lock chamber 16. As a result, it is advantageous as an apparatus for which the throughput is desired to be high, and it is possible to realize a CVD apparatus or a dry etching apparatus which has a high processing capacity without wasting transport time.
【００２４】なお、プロセスチャンバー１１での処理→
ロードロック室１６への収容というような搬送処理にお
いて、比較的高温のウェハをウェハカセット１８に収容
することになる。ウェハカセット１８は熱変形し難いも
のを選択するべきである。ウェハカセット１８の熱変形
が懸念される場合はロボットアーム１３１の保持時間内
に早く降温させるようアームの動きが工夫されるように
してもよい。また、ロボットアーム１３１のピックアッ
プアーム部を２口のジャイロ型とし、長時間保持する手
法も考えられる。Processing in the process chamber 11 →
In a transfer process such as accommodation in the load lock chamber 16, wafers of relatively high temperature are accommodated in the wafer cassette 18. The wafer cassette 18 should be selected so as not to be easily thermally deformed. If the wafer cassette 18 is likely to be thermally deformed, the movement of the arm may be devised so that the temperature is quickly lowered within the holding time of the robot arm 131. It is also possible to use a two-arm gyro type as the pickup arm of the robot arm 131 and hold it for a long time.
【００２５】図２は、処理対象の半導体ウェハＷａｆの
装置内での移動と温度の推移を示す特性図である。図
１、図２を参照しながら被処理ウェハの流れを説明す
る。ロードロック室１５に搬入されてきたウェハカセッ
ト１７からロボットアーム１３１を利用して１枚のウェ
ハＷａｆ１が真空搬送され、アライメントユニット１４
でのアライメントを経てプロセスチャンバー１１ａに入
り、ウェハは昇温される。さらに、もう１枚のウェハＷ
ａｆ２が同様に搬送されてプロセスチャンバー１１ｂに
入り、ウェハは昇温（例えば約４００℃）される。FIG. 2 is a characteristic diagram showing movement of the semiconductor wafer Waf to be processed in the apparatus and changes in temperature. The flow of the wafer to be processed will be described with reference to FIGS. One wafer Waf1 is vacuum-transferred from the wafer cassette 17 carried into the load lock chamber 15 using the robot arm 131, and the alignment unit 14
After entering the process chamber 11a, the temperature of the wafer is raised. In addition, another wafer W
Similarly, af2 is conveyed and enters the process chamber 11b, and the temperature of the wafer is raised (for example, about 400 ° C.).
【００２６】プロセスチャンバー１１ａでの処理が終了
すると、ロボットアーム１３１を利用しウェハＷａｆ１
はロードロック室１６内におけるウェハカセット１８の
所定位置に収容される。同様にプロセスチャンバー１１
ｂでの処理が終了すれば、ウェハＷａｆ２はロードロッ
ク室１６内におけるウェハカセット１８の所定位置に収
容される。When the processing in the process chamber 11a is completed, the wafer Waf1 is used by using the robot arm 131.
Is stored in a predetermined position of the wafer cassette 18 in the load lock chamber 16. Similarly, the process chamber 11
When the processing in b is completed, the wafer Waf2 is stored in the wafer cassette 18 at a predetermined position in the load lock chamber 16.
【００２７】以上、一連の動きが繰り返し行われ、最後
のウェハ１枚がウェハカセット１８の所定位置に収容さ
れると、この最後に収容されたウェハに対する所定の冷
却時間を経過させる。全てのウェハが例えば１００℃以
下になった時点においてロードロック室１６でははじめ
てＮ2がベントされ、大気に戻すよう制御される。As described above, when a series of movements are repeated and the last one wafer is stored in the wafer cassette 18 at a predetermined position, a predetermined cooling time for the last stored wafer is passed. At the time when all the wafers reach 100 ° C. or lower, for example, N 2 is vented in the load lock chamber 16 for the first time, and the load lock chamber 16 is controlled to return to the atmosphere.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ロードロック室をクーリングチャンバーとして機能させ
る。すなわち、処理後にロードロック室に順次搬入され
る半導体ウェハのうち、最後の１枚の搬入完了から所定
の冷却時間を経過するまでは大気に戻されない。これに
より、相当の搬送時間が節約でき、スループットを高く
したい装置としては有利になる。この結果、半導体ウェ
ハへの急速冷却を防ぎかつ搬送時間の無駄を省く半導体
製造装置及びその制御方法を提供することができる。As described above, according to the present invention,
Function the load lock chamber as a cooling chamber. That is, of the semiconductor wafers sequentially loaded into the load lock chamber after processing, they are not returned to the atmosphere until the predetermined cooling time elapses from the completion of loading of the last one. As a result, it is possible to save a considerable amount of transport time, which is advantageous as an apparatus for which high throughput is desired. As a result, it is possible to provide a semiconductor manufacturing apparatus and its control method that prevent rapid cooling of a semiconductor wafer and reduce waste of transfer time.
【図１】 本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置
の要部であり、枚葉処理式のプラズマ装置を示す概観図
である。FIG. 1 is a schematic view showing a main part of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention and showing a single-wafer processing type plasma apparatus.
【図２】 処理対象の半導体ウェハの装置内での移動と
温度の推移を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing movement of a semiconductor wafer to be processed in a device and changes in temperature.
１１（１１ａ，１１ｂ）…プロセスチャンバー １２（１２ａ，１２ｂ）…ガス供給ボックス １３…搬送室 １３１…ロボットアーム １４…アライメントユニット １５，１６…ロードロック室 １７，１８…ウェハカセット Ｗａｆ（Ｗａｆ１，Ｗａｆ２）…半導体ウェハ 11 (11a, 11b) ... Process chamber 12 (12a, 12b) ... Gas supply box 13 ... Transport room 131 ... Robot arm 14 ... Alignment unit 15, 16 ... Road lock room 17, 18 ... Wafer cassette Waf (Waf1, Waf2) ... Semiconductor wafer
Claims (6)
のプロセスチャンバーと、 前記プロセスチャンバーに併設され半導体ウェハの搬送
制御機構を有する搬送室と、 前記搬送室に併設され前記搬送制御機構により少なくと
も前記プロセスチャンバーにおける処理後の半導体ウェ
ハが順次搬入され最後の１枚の搬入完了から所定の冷却
時間経過後に大気に戻すよう制御されるロードロック室
と、を具備したことを特徴とする半導体製造装置。1. A process chamber for a semiconductor wafer, which has a temperature higher than that in the atmosphere, a transfer chamber provided with the process chamber and having a semiconductor wafer transfer control mechanism, and a transfer chamber provided with the transfer chamber at least by the transfer control mechanism. A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a load-lock chamber in which processed semiconductor wafers are sequentially loaded into the process chamber and controlled to return to the atmosphere after a lapse of a predetermined cooling time from the completion of loading of the last one. .
原料ガスがプラズマ化され前記半導体ウェハに対し所望
の成膜処理またはエッチング処理が施されることを特徴
とする請求項１記載の半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the raw material gas introduced into the process chamber is turned into plasma and a desired film forming process or etching process is performed on the semiconductor wafer.
れるロードロック室を別途具備していることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体製造装置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a load lock chamber into which a semiconductor wafer to be newly processed is loaded.
導体ウェハに対し所望の成膜またはエッチング処理が施
される複数のプロセスチャンバーと、 前記複数のプロセスチャンバーに共有される半導体ウェ
ハの搬送制御機構を有する搬送室と、 前記搬送室に併設され、成膜またはエッチング処理前の
半導体ウェハを収容する第１ロードロック室と、 前記搬送室に併設され、前記搬送制御機構を利用して前
記プロセスチャンバーにおける処理後の半導体ウェハが
収容される第２ロードロック室と、を具備し、 前記第２ロードロック室は少なくとも前記搬送制御機構
により順次搬入されてくる半導体ウェハの最後の１枚の
搬入完了から所定の冷却時間経過後に大気に戻すよう制
御されることを特徴とする半導体製造装置。4. A plurality of process chambers in which the introduced source gas is turned into plasma and desired film formation or etching processing is performed on the semiconductor wafer, and a semiconductor wafer transfer control mechanism shared by the plurality of process chambers. And a first load lock chamber that is attached to the transfer chamber and accommodates a semiconductor wafer before film formation or etching, and is attached to the transfer chamber and uses the transfer control mechanism to process the process chamber. A second load-lock chamber in which the processed semiconductor wafers are accommodated, the second load-lock chamber being at least from the completion of the loading of the last semiconductor wafer sequentially loaded by the transfer control mechanism. A semiconductor manufacturing apparatus, which is controlled to return to the atmosphere after a predetermined cooling time has elapsed.
のプロセスチャンバーと、 前記プロセスチャンバーに併設され半導体ウェハの搬送
制御機構を有する搬送室と、 前記搬送室に併設されるロードロック室とを具備し、 前記プロセスチャンバーにおける所定処理を経た半導体
ウェハは前記搬送制御機構により順次前記ロードロック
室に搬入され最後の１枚が所定の冷却時間を経過するま
で前記ロードロック室の雰囲気を保持することを特徴と
する半導体製造装置の制御方法。5. A process chamber for a semiconductor wafer, which has a higher temperature than that in the atmosphere, a transfer chamber provided with the process chamber and having a semiconductor wafer transfer control mechanism, and a load lock chamber provided with the transfer chamber. Semiconductor wafers that have been subjected to a predetermined process in the process chamber are sequentially loaded into the load lock chamber by the transfer control mechanism, and the atmosphere of the load lock chamber is maintained until the last one wafer has passed a predetermined cooling time. A method for controlling a semiconductor manufacturing apparatus, comprising:
所定範囲の温度下がるように搬送制御機構による動作が
制御されることを特徴とする請求項５記載の半導体製造
装置の制御方法。6. The method of controlling a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the operation by the transfer control mechanism is controlled so that the temperature of the semiconductor wafer is lowered within a predetermined range in the transfer chamber.
Priority Applications (1)
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2002
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