JP2003222746A - Photoelectric coupling device - Google Patents

Photoelectric coupling device

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JP2003222746A
JP2003222746A JP2002020108A JP2002020108A JP2003222746A JP 2003222746 A JP2003222746 A JP 2003222746A JP 2002020108 A JP2002020108 A JP 2002020108A JP 2002020108 A JP2002020108 A JP 2002020108A JP 2003222746 A JP2003222746 A JP 2003222746A
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JP
Japan
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optical
optical waveguide
mount
coupling device
wiring board
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Application number
JP2002020108A
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Japanese (ja)
Inventor
Teruhito Matsui
輝仁 松井
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photoelectric coupling device in which optical coupling of a light emitting element, a photodetector and an optical waveguide can be more accurately conducted and the optical waveguide is hardly changed in properties by heat. <P>SOLUTION: The photoelectric coupling device comprises a silicon mount 1 in which a light emitting laser 5 for converting an electric signal into an optical signal and a PIN photodiode 13 for converting the optical signal into the electric signal are fixed, and the optical waveguide 4 fixed at one end to the mount 1 and fixed at the other end to the mount 1 to pass the optical signal. In the device, the waveguide 4 is optically coupled to the laser 5 and the photodiode 13. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、配線基板上の半
導体集積回路と一体であり、複数個の前記半導体集積回
路間で相互に光信号を用いて信号伝送する光電気結合装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an opto-electrical coupling device which is integrated with a semiconductor integrated circuit on a wiring board and which mutually transmits an optical signal between a plurality of the semiconductor integrated circuits. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光電気結合装置では、配線基板に
搭載された半導体集積回路間を相互に光信号を用いて信
号伝送する光導波路を配線基板上に配置しようとしたと
きに、配線基板上に搭載された電子部品の凹凸や電気配
線が妨げとなり、光導波路を配線基板上に自由に配置接
合することが困難であった。
2. Description of the Related Art In a conventional opto-electrical coupling device, when an optical waveguide for transmitting signals between semiconductor integrated circuits mounted on the wiring board by using optical signals is arranged on the wiring board, The unevenness of the electronic components mounted on the top and the electrical wiring interfere with it, making it difficult to freely arrange and join the optical waveguide on the wiring board.

【0003】図18は、「イシイ等、2001 Ele
ctronic Components and Te
chnology Conference 870頁」
に示された光電気結合装置の断面図であり、この光電気
結合装置は、上記光電気結合装置の不具合を解消するた
めに、一対の配線基板11間に光導波路4が配置されて
いる。この光電気結合装置は、半導体集積回路6に取り
付けられ、電気信号を光信号に変換する発光素子である
発光レーザ5および光信号を電気信号に変換する受光素
子であるPINフォトダイオード13と、光導波路4は
上下2枚の配線基板11間に配設され端面が45度の角
度で切断された光導波路4と、光路の途中に設けられた
マイクロレンズアレイ22とを備えている。光導波路4
は、例えばポリイミド樹脂で構成され、その両端面には
金あるいはアルミニウムの金属が蒸着された反射面4r
が形成されている。
FIG. 18 shows "2001 Ishi, et al.
ctronic Components and Te
chnology Conference p. 870 "
3 is a cross-sectional view of the optoelectronic coupling device shown in FIG. 2, in which the optical waveguide 4 is arranged between the pair of wiring boards 11 in order to solve the problem of the optoelectronic coupling device. This opto-electric coupling device is attached to a semiconductor integrated circuit 6, and includes a light emitting laser 5 that is a light emitting element that converts an electric signal into an optical signal, a PIN photodiode 13 that is a light receiving element that converts an optical signal into an electric signal, and The waveguide 4 includes an optical waveguide 4 which is disposed between the upper and lower wiring boards 11 and whose end face is cut at an angle of 45 degrees, and a microlens array 22 provided in the middle of the optical path. Optical waveguide 4
Is composed of, for example, a polyimide resin, and has a reflecting surface 4r on which gold or aluminum metal is vapor-deposited on both end surfaces.
Are formed.

【0004】半導体集積回路6は、インターポーザ21
を介して半田バンプ7により配線基板11の上面に、発
光レーザ5およびPINフォトダイオード13が光導波
路4と光学的に結合するように接合されている。
The semiconductor integrated circuit 6 includes an interposer 21.
The light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 are joined to the upper surface of the wiring substrate 11 via the solder bumps 7 so as to be optically coupled to the optical waveguide 4.

【0005】この光電気結合装置では、半導体集積回路
6からの電気信号が発光レーザ5で光信号に変換された
後、この光信号は、マイクロレンズアレイ22を通過し
た後、一方の反射面4rで全反射されて光導波路4に導
入される。その光信号は、他方の反射面4rで全反射さ
れた後、マイクロレンズアレイ22を通じてPINフォ
トダイオード13に送られ、そこで電気信号に変換さ
れ、その信号は半導体集積回路6に送られる。
In this opto-electric coupling device, after the electric signal from the semiconductor integrated circuit 6 is converted into an optical signal by the light emitting laser 5, this optical signal passes through the microlens array 22 and then one reflecting surface 4r. Is totally reflected by and is introduced into the optical waveguide 4. The optical signal is totally reflected by the other reflecting surface 4r, is then sent to the PIN photodiode 13 through the microlens array 22, is converted into an electric signal there, and the signal is sent to the semiconductor integrated circuit 6.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この光
電気結合装置においては、光導波路4が介在した配線基
板11上に、電子部品が半田により接合されて搭載され
るので、その接合の際の加熱で、配線基板11が熱変形
して光導波路4の位置がずれたり、光導波路4の材質が
変質し、その特性が変化してしまうという問題点があっ
た。また、樹脂製である配線基板11の線膨張係数は、
発光レーザ5、PINフォトダイオード13、およびシ
リコン製の半導体集積回路6に比べて1桁大きいため、
温度変化により、発光レーザ5およびPINフォトダイ
オード13と光導波路4との間で位置ずれが生じ、発光
レーザ5およびPINフォトダイオード13と光導波路
4との光学的な結合が得られなくなくなってしまうとい
う問題点もあった。さらに、発光レーザ5およびPIN
フォトダイオード13が光導波路4と光学的に結合する
ように、半導体集積回路6を配線基板11の上面に接合
する接合作業する際にその位置合わせが困難であるとと
もに、実際に発光レーザ5およびPINフォトダイオー
ド13が光導波路4と光学的に良好に結合したかどうか
をディテクターで調べるにしても、光電気結合装置と配
線基板11とは一体化しているので、ディテクターに対
する光電気結合装置のセッティングが困難で、光学的結
合の良否の判定が困難であるという問題点もあった。
However, in this optoelectrical coupling device, the electronic component is mounted by soldering on the wiring substrate 11 in which the optical waveguide 4 is interposed. Then, there is a problem that the wiring board 11 is thermally deformed and the position of the optical waveguide 4 is displaced, or the material of the optical waveguide 4 is changed, and the characteristics thereof are changed. Further, the linear expansion coefficient of the wiring board 11 made of resin is
Since the light emitting laser 5, the PIN photodiode 13, and the semiconductor integrated circuit 6 made of silicon are larger by one digit,
Due to the temperature change, a positional deviation occurs between the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 and the optical waveguide 4, and the optical coupling between the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 and the optical waveguide 4 cannot be obtained. There was also a problem. Further, the light emitting laser 5 and the PIN
When the semiconductor integrated circuit 6 is bonded to the upper surface of the wiring board 11 so that the photodiode 13 is optically coupled to the optical waveguide 4, it is difficult to perform the alignment, and the light emitting laser 5 and the PIN are actually used. Even if the detector checks whether or not the photodiode 13 is optically well coupled to the optical waveguide 4, the opto-electric coupling device and the wiring board 11 are integrated, so that the setting of the opto-electric coupling device to the detector is made. There is also a problem that it is difficult to judge whether the optical coupling is good or bad.

【0007】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題とするものであって、発光素子、受光素子
と、光導波路との光学的な結合をより正確に行うことが
できるとともに、熱により光導波路が変質しにくい等の
光電気結合装置を得ることを目的とする。
An object of the present invention is to solve the above problems, and it is possible to more accurately perform optical coupling between a light emitting element, a light receiving element and an optical waveguide. The object of the present invention is to obtain an opto-electric coupling device in which the optical waveguide is hard to deteriorate due to heat.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明の光電気結合装
置は、配線基板上の半導体集積回路と一体であり、複数
個の前記半導体集積回路間で相互に光信号を用いて信号
伝送する光電気結合装置であって、電気信号を前記光信
号に変換する発光素子および前記光信号を前記電気信号
に変換する受光素子の少なくとも一方が固定されたマウ
ントと、前記マウントに一端部が固定されているととも
に他端部が他の前記マウントに固定され前記光信号が通
過する光導波路とを備え、前記光導波路は、前記発光素
子および前記受光素子と光学的に結合されるようになっ
ている。
An opto-electrical coupling device of the present invention is an optical device which is integrated with a semiconductor integrated circuit on a wiring board and which transmits a signal between a plurality of the semiconductor integrated circuits using optical signals. An electric coupling device, wherein at least one of a light emitting element for converting an electric signal into the optical signal and a light receiving element for converting the optical signal into the electric signal is fixed, and one end is fixed to the mount. And an optical waveguide whose other end is fixed to the other mount and through which the optical signal passes, and the optical waveguide is optically coupled to the light emitting element and the light receiving element.

【0009】この発明の光電気結合装置では、マウント
は、半導体集積回路と同じくシリコンで構成されてい
る。
In the opto-electrical coupling device of the present invention, the mount is made of silicon like the semiconductor integrated circuit.

【0010】この発明の光電気結合装置では、マウント
には、光信号の光路を途中で変更させる反射面が設けら
れている。
In the opto-electric coupling device of the present invention, the mount is provided with a reflecting surface for changing the optical path of the optical signal on the way.

【0011】この発明の光電気結合装置では、光導波路
の端面には、光信号の光路を途中で変更させる反射面が
設けられている。
In the opto-electrical coupling device of the present invention, the end face of the optical waveguide is provided with the reflecting surface for changing the optical path of the optical signal.

【0012】この発明の光電気結合装置では、光導波路
は可撓性部材で構成されている。
In the opto-electrical coupling device of the present invention, the optical waveguide is composed of a flexible member.

【0013】この発明の光電気結合装置では、光導波路
は配線基板から浮いている。
In the opto-electrical coupling device of the present invention, the optical waveguide is floated from the wiring board.

【0014】この発明の光電気結合装置では、配線基板
に搭載された半導体集積回路にマウントが固定される。
In the opto-electrical coupling device of the present invention, the mount is fixed to the semiconductor integrated circuit mounted on the wiring board.

【0015】この発明の光電気結合装置では、配線基板
にマウントが固定される。
In the optoelectronic coupling device of the present invention, the mount is fixed to the wiring board.

【0016】この発明の光電気結合装置では、発光素子
および受光素子は、それぞれの垂直軸線同士が90度で
交差するようにマウントに固定されており、また光導波
路は、その端面が前記発光素子および前記受光素子の何
れか一方に対向して前記マウントに固定されており、さ
らに前記光導波路と、前記発光素子および前記受光素子
との間の光信号の光路の途中には反射面が設けられてお
り、前記光信号の波長は、前記反射面で反射するととも
に、前記マウントを透過する波長である。
In the optoelectrical coupling device of the present invention, the light emitting element and the light receiving element are fixed to the mount so that their vertical axes intersect at 90 degrees, and the end face of the optical waveguide is the light emitting element. And is fixed to the mount so as to face either one of the light receiving element and a reflection surface is provided in the optical path of the optical signal between the optical waveguide and the light emitting element and the light receiving element. The wavelength of the optical signal is a wavelength that is reflected by the reflection surface and transmitted through the mount.

【0017】この発明の光電気結合装置では、シリコン
マウントには、配線基板に対して傾斜しているとともに
光導波路の端部が固定された傾斜部が形成されており、
前記傾斜部からの前記光導波路は、前記配線基板から離
れる方向に導出されている。
In the opto-electrical coupling device of the present invention, the silicon mount is provided with the inclined portion which is inclined with respect to the wiring substrate and to which the end portion of the optical waveguide is fixed.
The optical waveguide from the inclined portion is led out in a direction away from the wiring board.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、この発明の各実施の形態に
ついて説明するが、従来のものと同一、または相当部
材、部位については、同一符号を付して説明する。 実施の形態1.図1(a)はこの発明の実施の形態1の
光モジュールの要部断面図、図1(b)は図1(a)の
I−I線に沿った断面図、図2は図1の光モジュール1
0が配線基板11に搭載されたときの断面図である。こ
の光電気結合装置は、両端部にそれぞれ第1の切り欠き
部2a、第2の切り欠き部2bが形成されその奥側に4
5°の傾斜面を有するシリコンマウント1と、このシリ
コンマウント1の第1の切り欠き部2aで半田バンプ7
により取り付けられ、電気信号を光信号に変換する発光
素子である発光レーザ5と、第2の切り欠き部2bに取
り付けられ光信号を電気信号に変換する受光素子である
PINフォトダイオード13と、第1の切り欠き部2
a、第2の切り欠き部2bに端部が収まり光信号が通過
する可撓性の光導波路4とを備えている。光導波路4
は、ポリイミド樹脂製の一対のコア部4aと、このコア
部4aを覆ったクラッド部4bとから構成されている。
また、この光導波路4は、光コネクタ12で互いに接続
された一対の光導波路部4cで構成されている。第1の
切り欠き部2a、第2の切り欠き部2bの傾斜面には、
金あるいはアルミニウムの金属が蒸着された反射面3が
形成されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described, and the same or equivalent members and parts as those of the conventional one will be designated by the same reference numerals. Embodiment 1. 1A is a sectional view of an essential part of an optical module according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 1B is a sectional view taken along line I-I of FIG. 1A, and FIG. Optical module 1
3 is a cross-sectional view when 0 is mounted on the wiring board 11. FIG. In this opto-electrical coupling device, a first cutout portion 2a and a second cutout portion 2b are formed at both end portions, respectively, and 4 at the back side thereof.
The silicon mount 1 having an inclined surface of 5 ° and the solder bumps 7 are formed by the first cutouts 2a of the silicon mount 1.
A light emitting laser 5 which is a light emitting element which is attached by the above and which converts an electric signal into an optical signal; a PIN photodiode 13 which is a light receiving element which is attached to the second cutout portion 2b and converts an optical signal into an electric signal; 1 notch 2
a, a flexible optical waveguide 4 having an end portion housed in the second cutout portion 2b and an optical signal passing therethrough. Optical waveguide 4
Is composed of a pair of core parts 4a made of polyimide resin and a clad part 4b covering the core parts 4a.
The optical waveguide 4 is composed of a pair of optical waveguide portions 4c connected to each other by an optical connector 12. On the inclined surfaces of the first cutout 2a and the second cutout 2b,
The reflecting surface 3 is formed by vapor-depositing gold or aluminum metal.

【0019】発光レーザ5は、反射面3を介して光導波
路4に光学的に結合される関係にあり、発光レーザ5の
光が最適に結合されるように、調整、接合されるように
なっている。また、PINフォトダイオード13も、反
射面3を介して光導波路4に光学的に結合される関係に
あり、PINフォトダイオード13の光が最適に結合さ
れるように、調整、接合されるようになっている。
The light emitting laser 5 is in a relationship of being optically coupled to the optical waveguide 4 via the reflecting surface 3, and is adjusted and joined so that the light of the light emitting laser 5 is optimally coupled. ing. Further, the PIN photodiode 13 is also in a relationship of being optically coupled to the optical waveguide 4 via the reflecting surface 3, so that the light of the PIN photodiode 13 is adjusted and joined so as to be optimally coupled. Has become.

【0020】発光レーザ5およびPINフォトダイオー
ド13が取り付けられたシリコンマウント1は、発光レ
ーザ5を駆動させる半導体集積回路6およびその他の半
導体集積回路6で2層の半導体集積回路6と半田バンプ
7により接合されて、光モジュール10を構成してい
る。一対の半導体集積回路6にはそれぞれ貫通孔8が形
成され、この貫通孔8に設けられた配線(図示せず)を
通じて半導体集積回路6同士は電気的に接続されるよう
になっている。
The silicon mount 1 to which the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 are attached is composed of a semiconductor integrated circuit 6 for driving the light emitting laser 5 and other semiconductor integrated circuits 6 by a two-layer semiconductor integrated circuit 6 and solder bumps 7. The optical modules 10 are joined together to form the optical module 10. A through hole 8 is formed in each of the pair of semiconductor integrated circuits 6, and the semiconductor integrated circuits 6 are electrically connected to each other through a wiring (not shown) provided in the through hole 8.

【0021】図2に示すように、複数の光モジュール1
0は、配線基板11上に半田バンプ7により接合されて
いる。各光モジュール10同士は光導波路4で光学的に
接続されている。
As shown in FIG. 2, a plurality of optical modules 1
0 is bonded to the wiring board 11 by solder bumps 7. The optical modules 10 are optically connected by the optical waveguide 4.

【0022】この光電気結合装置では、半導体集積回路
6からの電気信号が発光レーザ5で光信号に変換された
後、この光信号は、反射面3で全反射されて光導波路4
に導入される。その光信号は、他方の反射面3で全反射
された後、PINフォトダイオード13に送られ、そこ
で電気信号に変換され、その信号は半導体集積回路6に
送られる。
In this opto-electric coupling device, after the electric signal from the semiconductor integrated circuit 6 is converted into an optical signal by the light emitting laser 5, the optical signal is totally reflected by the reflecting surface 3 and then the optical waveguide 4.
Will be introduced to. The optical signal is totally reflected by the other reflecting surface 3 and then sent to the PIN photodiode 13, where it is converted into an electric signal, and the signal is sent to the semiconductor integrated circuit 6.

【0023】この構造によれば、光導波路4、発光レー
ザ5およびPINフォトダイオード13は、シリコンダ
イオード1に予め固定することができるので、光導波路
4と発光レーザ5、および光導波路4とPINフォトダ
イオード13とを光学的に最良の状態で結合するように
容易に位置合わせすることができる。そして、この一体
化された光電気結合装置を配線基板11に搭載された半
導体集積回路6上に接合すればよい。従って、図18に
示した従来のもののように、半導体集積回路6を配線基
板11に搭載する際に、発光レーザ5およびPINフォ
トダイオード13を光導波路4と光学的に結合するため
の面倒な位置合わせが不要となる。
According to this structure, since the optical waveguide 4, the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 can be fixed to the silicon diode 1 in advance, the optical waveguide 4 and the light emitting laser 5, and the optical waveguide 4 and the PIN photo diode. The diode 13 can be easily aligned for optimal optical coupling. Then, the integrated optoelectric coupling device may be bonded onto the semiconductor integrated circuit 6 mounted on the wiring board 11. Therefore, when mounting the semiconductor integrated circuit 6 on the wiring board 11 like the conventional one shown in FIG. 18, a troublesome position for optically coupling the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 with the optical waveguide 4 is provided. No need for alignment.

【0024】また、樹脂で形成された配線基板11の線
膨張係数は、シリコンマウント1、発光レーザ5、PI
Nフォトダイオード13、およびシリコン製の半導体集
積回路6に比べて1桁大きいため温度変化等により、光
モジュール10と配線基板11との間で位置ずれが生じ
るものの、シリコンマウント1は、発光レーザ5、PI
Nフォトダイオード13と線膨張係数差が殆どなく、光
導波路4と発光レーザ5、および光導波路4とPINフ
ォトダイオード13との間で良好な光学的な結合が確保
される。また、シリコンマウント1、発光レーザ5、P
INフォトダイオード13は、それぞれ材質的に熱的安
定性、機械的強度の点でも優れている。
The linear expansion coefficient of the wiring board 11 made of resin is such that the silicon mount 1, the light emitting laser 5 and the PI
Since the N photodiode 13 and the semiconductor integrated circuit 6 made of silicon are larger by one digit than the N photodiode 13, a positional shift occurs between the optical module 10 and the wiring substrate 11 due to temperature change and the like, but the silicon mount 1 is provided with the light emitting laser 5 , PI
There is almost no difference in linear expansion coefficient from the N photodiode 13, and good optical coupling is secured between the optical waveguide 4 and the light emitting laser 5, and between the optical waveguide 4 and the PIN photodiode 13. Also, the silicon mount 1, the light emitting laser 5, P
The IN photodiodes 13 are also excellent in terms of material thermal stability and mechanical strength.

【0025】また、光導波路4は、可撓性を利用して光
モジュール10間を空間配線で接続されているので、配
線基板11上の他の電子部品を妨げるようなことはな
く、電子部品は配線基板11に高密度で搭載される。
Further, since the optical waveguides 4 are connected to each other by the space wiring between the optical modules 10 by utilizing the flexibility, they do not interfere with other electronic parts on the wiring board 11 and the electronic parts are prevented. Are mounted on the wiring board 11 with high density.

【0026】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2の光モジュール10Aの断面図である。この実施の
形態では、シリコンマウント1の反半導体集積回路6側
に切り欠き部2を形成し、この切り欠き部2に光導波路
4の端部を接合した点が実施の形態1と異なる。このよ
うな構成にしたことにより、光導波路4は、実施の形態
1と比較して配線基板11の表面からより離れた距離に
あり、それだけ配線基板11上での光モジュール10A
の取り扱いが容易になる。
Embodiment 2. 3 is a sectional view of an optical module 10A according to a second embodiment of the present invention. This embodiment differs from the first embodiment in that a notch 2 is formed on the side of the silicon mount 1 opposite to the semiconductor integrated circuit 6 and the end of the optical waveguide 4 is joined to the notch 2. With such a configuration, the optical waveguide 4 is located farther from the surface of the wiring board 11 than in the first embodiment, and the optical module 10A on the wiring board 11 is correspondingly located.
Is easy to handle.

【0027】実施の形態3.図4はこの発明の実施の形
態3の光モジュール10Bが配線基板11に搭載された
ときの断面図である。この実施の形態では、配線基板1
1に光モジュール10Bのシリコンマウンド1が接合さ
れている点、およびシリコンマウント1に半導体集積回
路6と配線基板11とを電気的に接続するための貫通孔
14が形成されている点が実施の形態1と異なる。この
ような構成にしたことにより、配線基板11に光モジュ
ール10Bを接合する際に、半導体集積回路6には機械
的応力が直接加わるようなことがなく、半導体集積回路
6は機械的に保護される。また、配線基板11には、線
膨張係数が大きく異なる半導体集積回路6が直接接合さ
れていないので、半導体集積回路6には熱応力が直接加
わるようなことはなく、その点でも半導体集積回路6は
保護される。
Embodiment 3. FIG. 4 is a sectional view when the optical module 10B according to the third embodiment of the present invention is mounted on the wiring board 11. In this embodiment, the wiring board 1
1 is joined to the silicon mound 1 of the optical module 10B, and the silicon mount 1 is provided with a through hole 14 for electrically connecting the semiconductor integrated circuit 6 and the wiring board 11. Different from the form 1. With such a configuration, when the optical module 10B is bonded to the wiring board 11, mechanical stress is not directly applied to the semiconductor integrated circuit 6, and the semiconductor integrated circuit 6 is mechanically protected. It Further, since the semiconductor integrated circuits 6 having greatly different linear expansion coefficients are not directly joined to the wiring board 11, thermal stress is not directly applied to the semiconductor integrated circuits 6, and in that respect also the semiconductor integrated circuits 6 Is protected.

【0028】実施の形態4.図5はこの発明の実施の形
態4の光モジュール10Cが配線基板11に搭載された
ときの断面図である。この実施の形態では、光導波路1
5は、所定の長さで発光レーザ5、PINフォトダイオ
ード13に対して、予め光学的に調整してシリコンマウ
ント1に取り付けられた第1の光導波路部15a、第2
の光導波路部15bと、配線基板11に貼り付けられた
第3の光導波路部15cと、第1の光導波路部15aと
第3の光導波路部15cとの間の隙間、第2の光導波路
部15bと第3の光導波路部15cとの間それぞれの隙
間に介在した接合部16とから構成されている。接合部
16は、前記隙間に各光導波路部15a、15b、15
cと屈折率が近似したマッチング剤が充填されて形成さ
れている。この他の構成は実施の形態3と同様である。
このように、マッチング剤による接合部16で、第1の
光導波路部15a、第2の光導波路部15bおよび第3
の光導波路部15cは光学的に結合されており、光導波
路15は光信号を効率よく伝送することができ、また隙
間にゴミが侵入するのが防止される。
Fourth Embodiment FIG. 5 is a sectional view when the optical module 10C according to the fourth embodiment of the present invention is mounted on the wiring board 11. In this embodiment, the optical waveguide 1
Reference numeral 5 denotes a first optical waveguide portion 15a and a second optical waveguide portion 15a, which have a predetermined length and are optically adjusted in advance with respect to the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 and are attached to the silicon mount 1.
Optical waveguide portion 15b, the third optical waveguide portion 15c attached to the wiring board 11, the gap between the first optical waveguide portion 15a and the third optical waveguide portion 15c, the second optical waveguide It is composed of a joint portion 16 interposed in each gap between the portion 15b and the third optical waveguide portion 15c. The joint portion 16 has the optical waveguide portions 15a, 15b, 15 in the gap.
It is formed by filling a matching agent having a refractive index similar to that of c. The other structure is the same as that of the third embodiment.
As described above, the first optical waveguide portion 15a, the second optical waveguide portion 15b, and the third optical waveguide portion 15a are formed at the joint portion 16 made of the matching agent.
The optical waveguide portion 15c is optically coupled, so that the optical waveguide 15 can efficiently transmit an optical signal, and dust can be prevented from entering the gap.

【0029】実施の形態5.図6はこの発明の実施の形
態5の光モジュール10Dの断面図である。この実施の
形態では、光導波路4の端面に45度の角度の傾斜を形
成し、その端面に金あるいはアルミニウムの金属が蒸着
された反射面17が形成されている。この他の構成は実
施の形態1の光モジュール10と同一である。
Embodiment 5. 6 is a sectional view of an optical module 10D according to a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, the end face of the optical waveguide 4 is inclined at an angle of 45 degrees, and the end face is provided with a reflecting surface 17 on which metal such as gold or aluminum is deposited. The other configuration is the same as that of the optical module 10 of the first embodiment.

【0030】実施の形態6.図7はこの発明の実施の形
態6の光モジュール10Eの断面図である。この実施の
形態では、シリコンマウント1に凹部18が形成されて
いる。この凹部18内に発光レーザ5が設けられてい
る。また、図示していないが、PINフォトダイオード
13も凹部内に設けられている。この他の構成は実施の
形態2と同様である。この実施の形態では、発光レーザ
5、PINフォトダイオード13がシリコンマウント1
の凹部18内に収まっているので、半導体集積回路6と
シリコンマウント1とを接合する際に、発光レーザ5、
PINフォトダイオード13が半導体集積回路6等に衝
突して損傷するようなことがない。
Sixth Embodiment FIG. 7 is a sectional view of an optical module 10E according to a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, the recess 18 is formed in the silicon mount 1. The light emitting laser 5 is provided in the recess 18. Although not shown, the PIN photodiode 13 is also provided in the recess. The other structure is the same as that of the second embodiment. In this embodiment, the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 are the silicon mount 1.
Since it is accommodated in the recess 18 of the semiconductor integrated circuit 6 and the silicon mount 1, the light emitting laser 5,
The PIN photodiode 13 does not collide with and damage the semiconductor integrated circuit 6 or the like.

【0031】実施の形態7.図8はこの発明の実施の形
態7の光モジュール10Fの断面図である。この実施の
形態では、発光レーザ5およびPINフォトダイオード
13は、それぞれの垂直軸線同士が90度で交差するよ
うにマウント1に固定されている。光導波路4は、その
端面がPINフォトダイオード13に対向している。光
導波路4と、発光レーザ5およびPINフォトダイオー
ド13との間の光信号の光路の途中には部分反射面3A
が設けられている。この部分反射面3Aはシリコンマウ
ント1の45度傾斜面に設けられている。この実施の形
態の場合には、光信号は、部分反射面3Aで反射すると
ともに、シリコンマウント1を透過する波長の光信号が
用いられる。即ち、シリコン(Si)が吸収しない波長
の光(光波長0.9μm以上)が用いられている。この
他の構成は実施の形態2と同様である。
Embodiment 7. 8 is a sectional view of an optical module 10F according to a seventh embodiment of the present invention. In this embodiment, the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 are fixed to the mount 1 so that their vertical axes intersect at 90 degrees. The end surface of the optical waveguide 4 faces the PIN photodiode 13. A partial reflection surface 3A is provided in the optical path of the optical signal between the optical waveguide 4 and the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13.
Is provided. The partial reflection surface 3A is provided on the 45 ° inclined surface of the silicon mount 1. In the case of this embodiment, an optical signal having a wavelength that is reflected by the partial reflection surface 3A and that is transmitted through the silicon mount 1 is used. That is, light having a wavelength not absorbed by silicon (Si) (light wavelength of 0.9 μm or more) is used. The other structure is the same as that of the second embodiment.

【0032】この実施の形態では、発光レーザ5からの
光信号は、光軸を示す矢印イに示すように部分反射面3
Aで反射され、光導波路4を通じて図8において左隣り
の光モジュールに送られる。また、図8において左隣り
の光モジュールからの光信号は、一部分は部分反射面3
Aで反射するものの光軸を示す矢印ロに示すようにその
まま直進し、シリコンマウント1を通過してPINフォ
トダイオード13に送られ、そこで電気信号に変換され
る。この実施の形態では、光導波路4は矢印イおよび矢
印ロの双方向に光伝送が可能であり、光導波路4の本数
を低減すことができるとともに、光導波路4の利用効率
を向上させ、また配線基板11上での光モジュール10
Fが占める占有面積を小さくすることができる。なお、
発光レーザ5を光導波路4の端面と対向するようにし、
PINフォトダイオード13を半導体集積回路6側に配
置し、発光レーザ5およびPINフォトダイオード13
の位置を交換してシリコンマウント1に固定するように
してもよい。
In this embodiment, the optical signal from the light-emitting laser 5 has a partial reflection surface 3 as shown by an arrow A indicating the optical axis.
It is reflected by A and is sent to the optical module on the left side in FIG. 8 through the optical waveguide 4. Further, in FIG. 8, an optical signal from the optical module on the left side is partially reflected by the partially reflecting surface 3
Although reflected by A, it goes straight as shown by the arrow B indicating the optical axis, passes through the silicon mount 1, is sent to the PIN photodiode 13, and is converted into an electric signal there. In this embodiment, the optical waveguide 4 is capable of transmitting light in both directions of arrow A and arrow B, which can reduce the number of optical waveguides 4 and improve the utilization efficiency of the optical waveguides 4. Optical module 10 on wiring board 11
The area occupied by F can be reduced. In addition,
The light emitting laser 5 is made to face the end face of the optical waveguide 4,
The PIN photodiode 13 is arranged on the semiconductor integrated circuit 6 side, and the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 are arranged.
The position of may be exchanged and the silicon mount 1 may be fixed.

【0033】実施の形態8.図9(a)はこの発明の実
施の形態8の光モジュール10Gの断面図、図9(b)
は図9(a)の要部平断面図、図9(c)は図9(a)
のIX−IX線に沿った断面図である。この実施の形態
では、シリコンマウント1に4面の反射面3a、3b、
3c、3dが形成されている。シリコンマウント1に
は、光導波路4に対して左右対称の位置に発光レーザ5
およびPINフォトダイオード13が接合されている。
この他の構成は実施の形態1と同様である。この実施の
形態では、発光レーザ5からの光信号は、光軸を示す矢
印ハに示すように反射面3a、3bで反射され、光導波
路4に入る。また、光導波路4からの光信号は、光軸を
示す矢印ニに示すように反射面3c、3dで反射され、
PINフォトダイオード13に入る。この実施の形態で
は、実施の形態7と同様に、光導波路4は矢印ハおよび
矢印ニの双方向に光伝送が可能である。
Embodiment 8. FIG. 9 (a) is a sectional view of an optical module 10G according to an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 9 (b).
9A is a plan sectional view of a main part of FIG. 9A, and FIG. 9C is FIG. 9A.
FIG. 6 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. In this embodiment, the silicon mount 1 has four reflecting surfaces 3a, 3b,
3c and 3d are formed. The silicon mount 1 has a light emitting laser 5 at a position symmetrical with respect to the optical waveguide 4.
And the PIN photodiode 13 is joined.
The other structure is the same as that of the first embodiment. In this embodiment, the optical signal from the light emitting laser 5 is reflected by the reflecting surfaces 3a and 3b as shown by the arrow C indicating the optical axis and enters the optical waveguide 4. In addition, the optical signal from the optical waveguide 4 is reflected by the reflecting surfaces 3c and 3d as shown by the arrow D indicating the optical axis,
It enters the PIN photodiode 13. In this embodiment, similarly to the seventh embodiment, the optical waveguide 4 is capable of optical transmission in both directions of arrow C and arrow D.

【0034】実施の形態9.図10(a)はこの発明の
実施の形態9の光電気結合装置の平面図、図10(b)
は図10(a)の側断面図である。この実施の形態で
は、シリコンマウント1の上面には、発光レーザ5およ
びPINフォトダイオード13が並んで配列されてい
る。シリコンマウント1には発光レーザ5に対向して傾
斜角度45度の反射面(図示せず)が設けられている。
また、シリコンマウント1にはPINフォトダイオード
13に対向して傾斜角度45度の反射面3が設けられて
いる。この実施の形態によれば、発光レーザ5からの光
信号は、反射面で反射され、光軸を示す矢印ホに示すよ
うに第1の光導波路4Aに入る。また、第2の光導波路
4Bからの光信号は、反射面3で反射され、光軸を示す
矢印ヘに示すようにPINフォトダイオード13に入
る。この実施の形態では、光導波路4A、4Bにより、
発光レーザ5からの光信号、PINフォトダイオード1
3への光信号を個別に行うことができる。
Ninth Embodiment 10 (a) is a plan view of an optoelectronic coupling device according to a ninth embodiment of the present invention, and FIG. 10 (b).
FIG. 11 is a side sectional view of FIG. In this embodiment, the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13 are arranged side by side on the upper surface of the silicon mount 1. The silicon mount 1 is provided with a reflecting surface (not shown) facing the light emitting laser 5 and having an inclination angle of 45 degrees.
Further, the silicon mount 1 is provided with a reflecting surface 3 facing the PIN photodiode 13 and having an inclination angle of 45 degrees. According to this embodiment, the optical signal from the light emitting laser 5 is reflected by the reflecting surface and enters the first optical waveguide 4A as shown by the arrow E indicating the optical axis. The optical signal from the second optical waveguide 4B is reflected by the reflecting surface 3 and enters the PIN photodiode 13 as shown by the arrow mark indicating the optical axis. In this embodiment, by the optical waveguides 4A and 4B,
Optical signal from light emitting laser 5, PIN photodiode 1
The optical signals to 3 can be made individually.

【0035】実施の形態10.図11(a)はこの発明
の実施の形態10の光電気結合装置の平面図、図11
(b)は図11(a)の側断面図である。この実施の形
態では、シリコンマウント1に反射面3が段差を有して
設けられている。第1の光導波路4Aと第2の光導波路
4Bとは上下に重ねて配置されている。その他の構成
は、実施の形態9と同様である。この実施の形態では、
実施の形態9と同様に光導波路4A、4Bにより、発光
レーザ5からの光信号、PINフォトダイオード13へ
の光信号を個別に行うことができる。また、実施の形態
9と比較して、光導波路4A、4Bの軸線に対して直角
方向のシリコンマウント1の幅寸法を小さくすることが
できる。
Embodiment 10. 11 (a) is a plan view of an optoelectronic coupling device according to a tenth embodiment of the present invention.
FIG. 11B is a side sectional view of FIG. In this embodiment, the silicon mount 1 is provided with the reflecting surface 3 having a step. The first optical waveguide 4A and the second optical waveguide 4B are arranged one above the other. Other configurations are similar to those of the ninth embodiment. In this embodiment,
As in the ninth embodiment, the optical signals from the light emitting laser 5 and the optical signal to the PIN photodiode 13 can be individually provided by the optical waveguides 4A and 4B. Further, as compared with the ninth embodiment, the width dimension of the silicon mount 1 in the direction perpendicular to the axes of the optical waveguides 4A and 4B can be reduced.

【0036】実施の形態11.図12はこの発明の実施
の形態11の光電気結合装置の側断面図である。この実
施の形態では、シリコンマウント1の上面に発光レーザ
5が接合されている。シリコンマウント1の下面にPI
Nフォトダイオード13が接合されている。第1の光導
波路4Aの端面には反射面17aが発光レーザ5と対向
して形成されている。第2の光導波路4Bの端面には反
射面17bがPINフォトダイオード13と対向して形
成されている。この実施の形態では、実施の形態9と同
様に、発光レーザ5からの光信号、PINフォトダイオ
ード13への光信号を個別に行うことができる。
Eleventh Embodiment 12 is a side sectional view of an optoelectrical coupling device according to Embodiment 11 of the present invention. In this embodiment, the light emitting laser 5 is bonded to the upper surface of the silicon mount 1. PI on the bottom of the silicon mount 1
The N photodiode 13 is joined. A reflection surface 17a is formed on the end surface of the first optical waveguide 4A so as to face the light emitting laser 5. A reflection surface 17b is formed on the end surface of the second optical waveguide 4B so as to face the PIN photodiode 13. In this embodiment, similarly to the ninth embodiment, the optical signal from the light emitting laser 5 and the optical signal to the PIN photodiode 13 can be individually provided.

【0037】実施の形態12.図13はこの発明の実施
の形態12の光モジュール10Hを配線基板11に搭載
したときの側断面図である。この実施の形態では、シリ
コンマウント1に傾斜切り欠き部50a、50bが形成
されている。傾斜切り欠き部50aには発光レーザ5が
接合されている。傾斜切り欠き部50bにはPINフォ
トダイオード13が接合されている。シリコンマウント
1には、配線基板11に対して傾斜しているとともに第
1の光導波路4Aの端部が固定された傾斜部51aが形
成されている。傾斜部51aからの第1の光導波路4A
は、配線基板11から離れる方向に導出されている。ま
た、第1の光導波路4Aの端面は、発光レーザ5に対向
している。
Twelfth Embodiment FIG. 13 is a side sectional view when an optical module 10H according to a twelfth embodiment of the present invention is mounted on a wiring board 11. In this embodiment, the silicon mount 1 is provided with inclined notches 50a and 50b. The light emitting laser 5 is joined to the inclined cutout portion 50a. The PIN photodiode 13 is joined to the inclined cutout portion 50b. The silicon mount 1 is provided with an inclined portion 51a that is inclined with respect to the wiring board 11 and to which the end portion of the first optical waveguide 4A is fixed. First optical waveguide 4A from inclined portion 51a
Are led out in a direction away from the wiring board 11. Further, the end surface of the first optical waveguide 4A faces the light emitting laser 5.

【0038】また、シリコンマウント1には、配線基板
11に対して傾斜しているとともに第2の光導波路4B
の端部が固定された傾斜部51bが形成されている。傾
斜部51bからの第2の光導波路4Bは、配線基板11
から離れる方向に導出されている。また、第2の光導波
路4Bの端面は、PINフォトダイオード13に対向し
ている。なお、図中符号19は発光レーザ5、PINフ
ォトダイオード13と半導体集積回路6とを電気的に接
続する電気配線である。
Further, the silicon mount 1 is inclined with respect to the wiring board 11 and has a second optical waveguide 4B.
Is formed with an inclined portion 51b whose end is fixed. The second optical waveguide 4B from the inclined portion 51b is connected to the wiring board 11
It is derived in the direction away from. The end surface of the second optical waveguide 4B faces the PIN photodiode 13. In the figure, reference numeral 19 is an electric wiring for electrically connecting the light emitting laser 5, the PIN photodiode 13 and the semiconductor integrated circuit 6.

【0039】この実施の形態では、光導波路4A、4B
はシリコンマウント1から斜め上方向に導出されてお
り、隣接した光モジュール10H間を光導波路4A、4
Bで接続する際には、光モジュール10H間の電子部品
等の影響を受けることなく接続することができる。な
お、この実施の形態ではシリコンマウント1を透過する
波長の光を利用しているので、発光レーザ5、PINフ
ォトダイオード13と光導波路4A、4Bとの間のシリ
コンマウント1において貫通孔を設けていないが、使用
する波長によっては貫通孔を設ける必要がある。
In this embodiment, the optical waveguides 4A, 4B are
Is led obliquely upward from the silicon mount 1, and the optical waveguides 4A, 4A and 4B are provided between the adjacent optical modules 10H.
When connecting by B, it is possible to connect without being affected by electronic parts or the like between the optical modules 10H. In this embodiment, since the light of the wavelength that passes through the silicon mount 1 is used, a through hole is provided in the silicon mount 1 between the light emitting laser 5, the PIN photodiode 13 and the optical waveguides 4A and 4B. However, depending on the wavelength used, it is necessary to provide a through hole.

【0040】実施の形態13.図14はこの発明の実施
の形態13の光モジュール10Iを配線基板11に搭載
したときの側断面図である。この実施の形態では、シリ
コンマウント1に傾斜切り欠き部50a、50bが形成
されている。傾斜切り欠き部50aには発光レーザ5が
接合されている。傾斜切り欠き部50bにはPINフォ
トダイオード13が接合されている。第1の光導波路4
Aおよび第2の光導波路4Bはシリコンマウント1に取
り付けられている。シリコンマウント1には、配線基板
11に対して傾斜しているとともに第1の光導波路4A
の端部が固定された傾斜部51aが形成されている。傾
斜部51aからの第1の光導波路4Aは、配線基板11
から離れる方向に導出されている。第1の光導波路4A
の端面は45度の傾斜を有しており、その端面に発光レ
ーザ5と対向した反射面17が形成されている。
Thirteenth Embodiment FIG. 14 is a side sectional view when an optical module 10I according to a thirteenth embodiment of the present invention is mounted on a wiring board 11. In this embodiment, the silicon mount 1 is provided with inclined notches 50a and 50b. The light emitting laser 5 is joined to the inclined cutout portion 50a. The PIN photodiode 13 is joined to the inclined cutout portion 50b. First optical waveguide 4
A and the second optical waveguide 4B are attached to the silicon mount 1. The silicon mount 1 has a first optical waveguide 4A that is inclined with respect to the wiring board 11 and
Is formed with an inclined portion 51a whose end is fixed. The first optical waveguide 4A from the inclined portion 51a is connected to the wiring board 11
It is derived in the direction away from. First optical waveguide 4A
Has an inclination of 45 degrees, and a reflecting surface 17 facing the light emitting laser 5 is formed on the end surface.

【0041】シリコンマウント1には、配線基板11に
対して傾斜しているとともに第2の光導波路4Bの端部
が固定された傾斜部51bが形成されている。傾斜部5
1bからの第2の光導波路4Bは、配線基板11から離
れる方向に導出されている。第2の光導波路4Bの端面
は45度の傾斜を有しており、その端面にPINフォト
ダイオード13と対向した反射面17が形成されてい
る。なお、この実施の形態でもシリコンマウント1を透
過する波長の光を利用しているので、発光レーザ5、P
INフォトダイオード13と光導波路4A、4Bとの間
のシリコンマウント1には貫通孔を設けていないが、使
用する波長によっては貫通孔を設ける必要がある。この
実施の形態では、実施の形態12の光電気結合装置と同
様に、光導波路4A、4Bはシリコンマウント1から斜
め上方向に導出されており、隣接した光モジュール10
I間を光導波路4A、4Bで接続する際には、光モジュ
ール10I間の電子部品等の影響を受けることなく接続
することができる。
The silicon mount 1 is provided with an inclined portion 51b which is inclined with respect to the wiring board 11 and to which the end of the second optical waveguide 4B is fixed. Slope 5
The second optical waveguide 4B from 1b is led out in a direction away from the wiring board 11. The end surface of the second optical waveguide 4B has an inclination of 45 degrees, and the reflecting surface 17 facing the PIN photodiode 13 is formed on the end surface. It should be noted that in this embodiment as well, light of a wavelength that passes through the silicon mount 1 is used, so that the light emitting lasers 5, P
A through hole is not provided in the silicon mount 1 between the IN photodiode 13 and the optical waveguides 4A and 4B, but it may be necessary to provide a through hole depending on the wavelength used. In this embodiment, the optical waveguides 4A and 4B are led out in an obliquely upward direction from the silicon mount 1 as in the optoelectronic coupling device of the twelfth embodiment, and the adjacent optical modules 10 are connected.
When connecting I with the optical waveguides 4A and 4B, it is possible to connect without being affected by electronic parts or the like between the optical modules 10I.

【0042】実施の形態14.図15はこの発明の実施
の形態14の光電気結合装置を示す側断面図である。こ
の実施の形態では、シリコンマウント1に傾斜切り欠き
部50a、50bが形成されている。傾斜切り欠き部5
0aには発光レーザ5が接合されている。傾斜切り欠き
部50bにはPINフォトダイオード13が接合されて
いる。第1の光導波路4Aおよび第2の光導波路4Bは
シリコンマウント1に取り付けられている。シリコンマ
ウント1には、配線基板11に対して傾斜しているとと
もに第1の光導波路4Aの端部が固定された傾斜部51
aが形成されている。傾斜部51aからの第1の光導波
路4Aは、配線基板11から離れる方向に導出されてい
る。第1の光導波路4Aの端面は45度の傾斜を有して
おり、その端面に発光レーザ5からの光信号を第1の光
導波路4Aの軸線に沿って反射させる反射面17が形成
されている。
Fourteenth Embodiment FIG. 15 is a side sectional view showing an optoelectronic coupling device according to a fourteenth embodiment of the present invention. In this embodiment, the silicon mount 1 is provided with inclined notches 50a and 50b. Inclined notch 5
A light emitting laser 5 is joined to 0a. The PIN photodiode 13 is joined to the inclined cutout portion 50b. The first optical waveguide 4A and the second optical waveguide 4B are attached to the silicon mount 1. The silicon mount 1 is inclined with respect to the wiring board 11 and has an inclined portion 51 to which the end of the first optical waveguide 4A is fixed.
a is formed. The first optical waveguide 4A from the inclined portion 51a is led out in a direction away from the wiring board 11. The end surface of the first optical waveguide 4A has an inclination of 45 degrees, and a reflection surface 17 for reflecting the optical signal from the light emitting laser 5 along the axis of the first optical waveguide 4A is formed on the end surface. There is.

【0043】シリコンマウント1には、配線基板11に
対して傾斜しているとともに第2の光導波路4Bの端部
が固定された傾斜部51bが形成されている。傾斜部5
1bからの第2の光導波路4Bは、配線基板11から離
れる方向に導出されている。第2の光導波路4Bの端面
は45度の傾斜を有しており、その端面に第2の光導波
路4Bからの光信号をPINフォトダイオード13に反
射させる反射面17が形成されている。なお、この実施
の形態でもシリコンマウント1を透過する波長の光を利
用しているので、発光レーザ5、PINフォトダイオー
ド13と光導波路4A、4Bとの間のシリコンマウント
1には貫通孔を設けていないが、使用する波長によって
は貫通孔を設ける必要がある。
The silicon mount 1 is provided with an inclined portion 51b which is inclined with respect to the wiring board 11 and to which the end of the second optical waveguide 4B is fixed. Slope 5
The second optical waveguide 4B from 1b is led out in a direction away from the wiring board 11. The end surface of the second optical waveguide 4B has an inclination of 45 degrees, and a reflective surface 17 for reflecting the optical signal from the second optical waveguide 4B to the PIN photodiode 13 is formed on the end surface. Since the light having the wavelength that passes through the silicon mount 1 is also used in this embodiment, a through hole is provided in the silicon mount 1 between the light emitting laser 5, the PIN photodiode 13 and the optical waveguides 4A and 4B. However, depending on the wavelength used, it is necessary to provide a through hole.

【0044】この実施の形態では、実施の形態12、1
3の光電気結合装置と同様に、光導波路4A、4Bはシ
リコンマウント1から斜め上方向に導出されており、隣
接した光モジュール間を光導波路4A、4Bで接続する
際には、光モジュール10Jの周囲の電子部品の影響を
あまり受けることなく接続することができる。また、光
モジュール10Jは、シリコンマウント1が配線基板1
1に接合されるので、配線基板11に光モジュール10
Jを接合する際に、半導体集積回路6には機械的応力が
直接加わるようなことがなく、半導体集積回路6は機械
的に保護される。また、配線基板11には、線膨張係数
が大きく異なる半導体集積回路6が直接接合されていな
いので、半導体集積回路6には熱応力が直接加わるよう
なことがなく、その点でも半導体集積回路6は保護され
る。
In this embodiment, Embodiments 12 and 1
Similar to the opto-electrical coupling device of No. 3, the optical waveguides 4A and 4B are led out from the silicon mount 1 in an obliquely upward direction, and when connecting the adjacent optical modules with the optical waveguides 4A and 4B, the optical module 10J is connected. It can be connected without being affected much by the electronic components around it. In the optical module 10J, the silicon mount 1 is the wiring board 1
The optical module 10 is connected to the wiring board 11 because it is bonded to the optical module 10.
When J is joined, no mechanical stress is directly applied to the semiconductor integrated circuit 6, and the semiconductor integrated circuit 6 is mechanically protected. Further, since the semiconductor integrated circuits 6 having greatly different linear expansion coefficients are not directly bonded to the wiring board 11, thermal stress is not directly applied to the semiconductor integrated circuits 6, and in that respect also the semiconductor integrated circuits 6 Is protected.

【0045】実施の形態15.図16はこの発明の実施
の形態15の光モジュール10Kの断面図、図17は図
16の光モジュール10Kが配線基板11に搭載された
ときの断面図である。この実施の形態では、発光レーザ
5およびPINフォトダイオード13のそれぞれに対向
して分岐反射面20A、20Bが設けられている。この
実施の形態では、発光レーザ5から発した光は分岐反射
面20A、20Bで光軸を示す矢印ト、チの2方向に分
岐され、またそれぞれの発光レーザ5からの光信号は分
岐反射面20A、20Bで反射した後、PINフォトダ
イオード13で受光され、複数の光モジュール10間を
光で接続することが可能である。
Fifteenth Embodiment 16 is a sectional view of an optical module 10K according to a fifteenth embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a sectional view when the optical module 10K of FIG. 16 is mounted on a wiring board 11. In this embodiment, branch reflection surfaces 20A and 20B are provided facing the light emitting laser 5 and the PIN photodiode 13, respectively. In this embodiment, the light emitted from the light emitting laser 5 is branched into two directions of arrows T and H indicating the optical axis at the branch reflection surfaces 20A and 20B, and the optical signals from the respective light emission lasers 5 are branched reflection surfaces. After being reflected by 20A and 20B, the light is received by the PIN photodiode 13, and the plurality of optical modules 10 can be optically connected.

【0046】なお、上記各実施の形態では、発光素子と
して発光レーザ5を用いた場合について説明したが、勿
論このものに限定されるものではなく、発光ダイオード
であってもよい。また、受光素子としてPINフォトダ
イオード13を用いて説明したが、例えば、MSMフォ
トダイオードであってもよい。また、光導波路4として
矩形の断面を持つもので説明したが、円形のコア断面を
もつ光ファイバを用いてもよい。光モジュールを塵埃等
から守るために、光モジュールを樹脂モールド、または
キャップでシールドしてもよい。さらに、上記実施の形
態1〜14の光電気結合装置については、発光素子また
は受光素子のどちらかのみがシリコンマウント1に取り
付けられていてもよい。
In each of the above embodiments, the case where the light emitting laser 5 is used as the light emitting element has been described, but the present invention is not limited to this, and a light emitting diode may be used. Further, although the PIN photodiode 13 is used as the light receiving element in the description, it may be, for example, an MSM photodiode. Further, although the optical waveguide 4 has been described as having a rectangular cross section, an optical fiber having a circular core cross section may be used. In order to protect the optical module from dust and the like, the optical module may be shielded with a resin mold or a cap. Further, in the opto-electrical coupling devices of the first to fourteenth embodiments, only the light emitting element or the light receiving element may be attached to the silicon mount 1.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の光電気
結合装置によれば、電気信号を光信号に変換する発光素
子および前記光信号を前記電気信号に変換する受光素子
の少なくとも一方が固定されたマウントと、前記マウン
トに一端部が固定されているとともに他端部が他の前記
マウントに固定され前記光信号が通過する光導波路とを
備え、前記光導波路は、前記発光素子および前記受光素
子と光学的に結合されるようになっているので、予め光
導波路と発光素子、および光導波路と受光素子とを光学
的に最良の状態で結合するように容易に位置合わせする
ことができ、その後、配線基板に、他の電子部品と同様
に搭載すればよい。従って、従来のもののように、半導
体集積回路を配線基板に搭載する際に、発光素子および
受光素子を光導波路と光学的に結合するための面倒な位
置合わせが不要となる。
As described above, according to the opto-electric coupling device of the present invention, at least one of the light emitting element for converting an electric signal into an optical signal and the light receiving element for converting the optical signal into the electric signal is fixed. And a light guide having one end fixed to the mount and the other end fixed to another mount through which the optical signal passes, the light guide including the light emitting element and the light receiving element. Since it is optically coupled to the element, it is possible to easily align the optical waveguide and the light emitting element, and the optical waveguide and the light receiving element in advance so as to be optically coupled with each other. Then, it may be mounted on the wiring board in the same manner as other electronic components. Therefore, unlike the conventional one, when the semiconductor integrated circuit is mounted on the wiring board, a troublesome alignment for optically coupling the light emitting element and the light receiving element with the optical waveguide is unnecessary.

【0048】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、マウントは、半導体集積回路と同じくシリコンで構
成されているので、マウントと半導体集積回路との間で
線膨張係数の値に殆ど差がなく、マウントと半導体集積
回路との間で熱応力が生じるようなことはなく、光電気
結合装置の信頼性が向上する。また、マウントにおいて
は、エッチング等によるシリコンの各種微細加工技術を
用いることができ、加工自由度を高めることができる。
Further, according to the opto-electrical coupling device of the present invention, since the mount is made of silicon like the semiconductor integrated circuit, there is almost no difference in the value of the linear expansion coefficient between the mount and the semiconductor integrated circuit. In addition, thermal stress is not generated between the mount and the semiconductor integrated circuit, and the reliability of the optoelectronic coupling device is improved. Further, in the mount, various fine processing techniques of silicon by etching or the like can be used, and the degree of processing freedom can be increased.

【0049】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、マウントには、光信号の光路を途中で変更させる反
射面が設けられているので、発光素子および受光素子
と、光導波路との空間配置の制約を低減することがで
き、配線基板上での光電気結合装置の配置自由度を高め
ることができる。
Further, according to the opto-electric coupling device of the present invention, since the mount is provided with the reflecting surface for changing the optical path of the optical signal on the way, the space between the light emitting element and the light receiving element and the optical waveguide is provided. The restrictions on the arrangement can be reduced, and the degree of freedom in arranging the optoelectronic coupling device on the wiring board can be increased.

【0050】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、光導波路の端面には、光信号の光路を途中で変更さ
せる反射面が設けられているので、発光素子および受光
素子と、光導波路との空間配置の制約を低減することが
でき、配線基板上での光電気結合装置の配置自由度を高
めることができる。
Further, according to the opto-electrical coupling device of the present invention, since the end face of the optical waveguide is provided with the reflecting surface for changing the optical path of the optical signal on the way, the light emitting element and the light receiving element and the optical waveguide are provided. It is possible to reduce the restrictions on the spatial arrangement of the photocouplers and to increase the degree of freedom in arranging the optoelectronic coupling device on the wiring board.

【0051】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、光導波路は可撓性部材で構成されているので、隣接
したマウント間の電子部品が妨げになることなく、両者
を光光導波路で接続することができる。また、マウント
間の距離の違いを吸収して両者を光光導波路で接続する
ことができる。
Further, according to the opto-electrical coupling device of the present invention, since the optical waveguide is composed of the flexible member, both can be formed by the optical optical waveguide without obstructing the electronic parts between the adjacent mounts. Can be connected. Further, it is possible to absorb the difference in the distance between the mounts and connect the both by an optical waveguide.

【0052】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、光導波路は配線基板から浮いているので、配線基板
上の電気配線、他の搭載部品を殆ど考慮することなく、
配線基板上の電気配線、他の搭載部品の設計、配置を行
うことができる。
Further, according to the opto-electric coupling device of the present invention, since the optical waveguide is floated from the wiring board, the electric wiring on the wiring board and other mounted parts are hardly considered,
It is possible to design and arrange electric wiring on the wiring board and other mounted components.

【0053】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、配線基板に搭載された半導体集積回路にマウントが
固定されるので、既存の半導体集積回路上にそのまま光
電気結合装置を固定することができる。
Further, according to the opto-electric coupling device of the present invention, the mount is fixed to the semiconductor integrated circuit mounted on the wiring board, so that the opto-electric coupling device can be fixed as it is on the existing semiconductor integrated circuit. it can.

【0054】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、配線基板にマウントが固定されるので、配線基板に
光電気結合装置を固定する際に、半導体集積回路には機
械的応力が直接加わるようなことがなく、半導体集積回
路は機械的に保護される。
Further, according to the opto-electrical coupling device of the present invention, since the mount is fixed to the wiring substrate, mechanical stress is directly applied to the semiconductor integrated circuit when the opto-electrical coupling device is fixed to the wiring substrate. In such a case, the semiconductor integrated circuit is mechanically protected.

【0055】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、発光素子および受光素子は、それぞれの垂直軸線同
士が90度で交差するようにマウントに固定されてお
り、また光導波路は、その端面が前記発光素子および前
記受光素子の何れか一方に対向して前記マウントに固定
されており、さらに前記光導波路と、前記発光素子およ
び前記受光素子との間の光信号の光路の途中には反射面
が設けられており、前記光信号の波長は、前記反射面で
反射するとともに、前記マウントを透過する波長である
ので、光導波路の本数を低減すことができるとともに、
光導波路の利用効率を向上させることができる。また、
配線基板上での光電気結合装置が占める占有面積を小さ
くすることができる。
Further, according to the optoelectrical coupling device of the present invention, the light emitting element and the light receiving element are fixed to the mount so that their vertical axes intersect at 90 degrees, and the optical waveguide has its end face. Is fixed to the mount so as to face either one of the light emitting element and the light receiving element, and is reflected in the optical path of the optical signal between the optical waveguide and the light emitting element and the light receiving element. A surface is provided, and the wavelength of the optical signal is a wavelength that is reflected by the reflection surface and transmitted through the mount, so that the number of optical waveguides can be reduced,
The utilization efficiency of the optical waveguide can be improved. Also,
The area occupied by the opto-electric coupling device on the wiring board can be reduced.

【0056】また、この発明の光電気結合装置によれ
ば、シリコンマウントには、配線基板に対して傾斜して
いるとともに光導波路の端部が固定された傾斜部が形成
されており、前記傾斜部からの前記光導波路は、前記配
線基板から離れる方向に導出されているので、隣接した
マウント間を光導波路で接続する際には、マウント間の
電子部品等の影響をあまり受けることなく接続すること
ができ、光電気結合装置の搭載作業が容易である。
Further, according to the opto-electrical coupling device of the present invention, the silicon mount is provided with the inclined portion which is inclined with respect to the wiring substrate and to which the end of the optical waveguide is fixed. Since the optical waveguide from the portion is led out in a direction away from the wiring board, when connecting between adjacent mounts by the optical waveguide, the mounts are connected without being significantly affected by electronic components between the mounts. Therefore, the opto-electrical coupling device can be easily mounted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1(a)はこの発明の実施の形態1の光モ
ジュールの断面図、図1(b)は図1(a)のI−I線
に沿った断面図である。
1A is a sectional view of an optical module according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line I-I of FIG. 1A.

【図2】 図1の光モジュールが配線基板に搭載された
ときの断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view when the optical module of FIG. 1 is mounted on a wiring board.

【図3】 この発明の実施の形態2の光モジュールの断
面図である。
FIG. 3 is a sectional view of an optical module according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態3の光モジュールが配
線基板に搭載されたときの断面図である。
FIG. 4 is a sectional view when an optical module according to a third embodiment of the present invention is mounted on a wiring board.

【図5】 この発明の実施の形態4の光モジュールが配
線基板に搭載されたときの断面図である。
FIG. 5 is a sectional view when an optical module according to a fourth embodiment of the present invention is mounted on a wiring board.

【図6】 この発明の実施の形態5の光モジュールの断
面図である。
FIG. 6 is a sectional view of an optical module according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の実施の形態6の光モジュールの断
面図である。
FIG. 7 is a sectional view of an optical module according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】 この発明の実施の形態7の光モジュールの断
面図である。
FIG. 8 is a sectional view of an optical module according to a seventh embodiment of the present invention.

【図9】 図9(a)はこの発明の実施の形態8の光モ
ジュールの断面図、図9(b)は図9(a)の平断面
図、図9(c)は図9(a)のIX−IX線に沿った断
面図である。
9 (a) is a sectional view of an optical module according to Embodiment 8 of the present invention, FIG. 9 (b) is a plan sectional view of FIG. 9 (a), and FIG. 9 (c) is FIG. 9 (a). It is a sectional view taken along line IX-IX in FIG.

【図10】 図10(a)はこの発明の実施の形態9の
光電気結合装置の平面図、図10(b)は図10(a)
の側断面図である。
10 (a) is a plan view of an optoelectronic coupling device according to a ninth embodiment of the present invention, and FIG. 10 (b) is FIG. 10 (a).
FIG.

【図11】 図11(a)はこの発明の実施の形態10
の光電気結合装置の平面図、図11(b)は図11
(a)の側断面図である。
FIG. 11 (a) is a tenth embodiment of the present invention.
11 is a plan view of the opto-electric coupling device of FIG.
It is a sectional side view of (a).

【図12】 この発明の実施の形態11の光電気結合装
置の断面図である。
FIG. 12 is a sectional view of an optoelectronic coupling device according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図13】 この発明の実施の形態12の光モジュール
が配線基板に搭載されたときの要部断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view of essential parts when an optical module according to a twelfth embodiment of the present invention is mounted on a wiring board.

【図14】 この発明の実施の形態13の光モジュール
が配線基板に搭載されたときの要部断面図である。
FIG. 14 is a sectional view of an essential part when an optical module according to a thirteenth embodiment of the present invention is mounted on a wiring board.

【図15】 この発明の実施の形態14の光モジュール
が配線基板に搭載されたときの要部断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view of essential parts when an optical module according to a fourteenth embodiment of the present invention is mounted on a wiring board.

【図16】 この発明の実施の形態15の光モジュール
の断面図である。
FIG. 16 is a sectional view of an optical module according to a fifteenth embodiment of the present invention.

【図17】 図16の光モジュールが配線基板に搭載さ
れたときの断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view when the optical module of FIG. 16 is mounted on a wiring board.

【図18】 従来の光電気結合装置の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view of a conventional optoelectric coupling device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリコンマウント、3,17 反射面、3 部分反
射面、4 光導波路、5 発光レーザ(発光素子)、6
半導体集積回路、9 光信号、10,10A,10B,
10C,10D,10E,10F,10G,10H,10I,
10J,10K光モジュール、11 配線基板、13
PINフォトダイオード(受光素子)。
1 Silicon Mount, 3,17 Reflective Surface, 3 Partial Reflective Surface, 4 Optical Waveguide, 5 Light Emitting Laser (Light Emitting Element), 6
Semiconductor integrated circuit, 9 optical signals, 10, 10A, 10B,
10C, 10D, 10E, 10F, 10G, 10H, 10I,
10J, 10K optical module, 11 wiring board, 13
PIN photodiode (light receiving element).

フロントページの続き Fターム(参考) 2H037 BA02 BA11 BA31 CA37 DA02 DA06 2H047 KA04 LA14 MA07 QA05 5F073 AB16 AB28 BA02 EA29 FA13 FA23 FA30 5F088 AA03 BA16 BB01 JA03 JA09 JA14 JA20 Continued front page    F-term (reference) 2H037 BA02 BA11 BA31 CA37 DA02                       DA06                 2H047 KA04 LA14 MA07 QA05                 5F073 AB16 AB28 BA02 EA29 FA13                       FA23 FA30                 5F088 AA03 BA16 BB01 JA03 JA09                       JA14 JA20

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配線基板上の半導体集積回路と一体であ
り、複数個の前記半導体集積回路間で相互に光信号を用
いて信号伝送する光電気結合装置であって、 電気信号を前記光信号に変換する発光素子および前記光
信号を前記電気信号に変換する受光素子の少なくとも一
方が固定されたマウントと、 前記マウントに一端部が固定されているとともに他端部
が他の前記マウントに固定され前記光信号が通過する光
導波路とを備え、前記光導波路は、前記発光素子および
前記受光素子と光学的に結合されている光電気結合装
置。
1. An opto-electric coupling device which is integrated with a semiconductor integrated circuit on a wiring board and which transmits a signal between a plurality of the semiconductor integrated circuits using an optical signal, wherein the electrical signal is the optical signal. A mount to which at least one of a light-emitting element for converting into an electric signal and a light-receiving element for converting the optical signal into an electric signal is fixed, one end of which is fixed to the mount and the other end of which is fixed to another mount. An optical-electrical coupling device comprising: an optical waveguide through which the optical signal passes, the optical waveguide being optically coupled to the light-emitting element and the light-receiving element.
【請求項2】 マウントは、半導体集積回路と同じくシ
リコンで構成されている請求項1に記載の光電気結合装
置。
2. The optoelectronic coupling device according to claim 1, wherein the mount is made of silicon like the semiconductor integrated circuit.
【請求項3】 マウントには、光信号の光路を途中で変
更させる反射面が設けられている請求項1または請求項
2に記載の光電気結合装置。
3. The optoelectric coupling device according to claim 1, wherein the mount is provided with a reflecting surface for changing the optical path of the optical signal on the way.
【請求項4】 光導波路の端面には、光信号の光路を途
中で変更させる反射面が設けられている請求項1または
請求項2に記載の光電気結合装置。
4. The optoelectric coupling device according to claim 1, wherein a reflecting surface for changing the optical path of the optical signal is provided on the end face of the optical waveguide.
【請求項5】 光導波路は可撓性部材で構成されている
請求項1ないし請求項4の何れかに記載の光電気結合装
置。
5. The optoelectric coupling device according to claim 1, wherein the optical waveguide is made of a flexible member.
【請求項6】 光導波路は配線基板から浮いている請求
項1ないし請求項5の何れかに記載の光電気結合装置。
6. The optoelectronic coupling device according to claim 1, wherein the optical waveguide is floated from the wiring board.
【請求項7】 配線基板に搭載された半導体集積回路に
マウントが固定される請求項1ないし請求項6の何れか
に記載の光電気結合装置。
7. The optoelectric coupling device according to claim 1, wherein the mount is fixed to the semiconductor integrated circuit mounted on the wiring board.
【請求項8】 配線基板にマウントが固定される請求項
1ないし請求項6の何れかに記載の光電気結合装置。
8. The optoelectric coupling device according to claim 1, wherein the mount is fixed to the wiring board.
【請求項9】 発光素子および受光素子は、それぞれの
垂直軸線同士が90度で交差するようにマウントに固定
されており、また光導波路は、その端面が前記発光素子
および前記受光素子の何れか一方に対向して前記マウン
トに固定されており、さらに前記光導波路と、前記発光
素子および前記受光素子との間の光信号の光路の途中に
は反射面が設けられており、前記光信号の波長は、前記
反射面で反射するとともに、前記マウントを透過する波
長である請求項3ないし請求項8の何れかに記載の光電
気結合装置。
9. The light emitting element and the light receiving element are fixed to a mount so that their vertical axes intersect at 90 degrees, and the end face of the optical waveguide is either the light emitting element or the light receiving element. The optical waveguide is fixed to the mount so as to face one side, and a reflection surface is provided in the optical path of the optical signal between the optical waveguide and the light emitting element and the light receiving element. 9. The optoelectronic coupling device according to claim 3, wherein the wavelength is a wavelength that is reflected by the reflection surface and that is transmitted through the mount.
【請求項10】 シリコンマウントには、配線基板に対
して傾斜しているとともに光導波路の端部が固定された
傾斜部が形成されており、前記傾斜部からの前記光導波
路は、前記配線基板から離れる方向に導出されている請
求項1ないし請求項9の何れかに記載の光電気結合装
置。
10. The silicon mount is provided with an inclined portion that is inclined with respect to the wiring board and has fixed end portions of the optical waveguide, and the optical waveguide from the inclined portion is the wiring board. The opto-electrical coupling device according to any one of claims 1 to 9, which is led out in a direction away from.
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