JP2003215786A - Blank, photomask, manufacturing method for photomask, and pattern transfer method using the photomask - Google Patents
Blank, photomask, manufacturing method for photomask, and pattern transfer method using the photomaskInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクに関
するものであり、特に、透明基板と遮光層との間にスト
ッパー層を設けなくとも、遮光層が裾を引がず、透明基
板に悪影響を与えず遮光層にパターンを形成することの
できるブランク、フォトマスク、その製造方法、パター
ン転写方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask, and in particular, even if a stopper layer is not provided between the transparent substrate and the light shielding layer, the light shielding layer does not have a hem and the transparent substrate is adversely affected. The present invention relates to a blank that can form a pattern on a light-shielding layer without giving it, a photomask, a manufacturing method thereof, and a pattern transfer method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高精度なフォトマスクを製造する際の遮
光層へのエッチング方法としてはドライエッチングを用
いることが多い。ドライエッチングは遮光層の横方向に
はエッチングがあまり進まないので、厚さ（深さ）方向
のエッチング制御が重要なものとなっている。図１
（ａ）〜（ｃ）は、ドライエッチングによって遮光層が
エッチングされる状態の説明図であるが、図１（ａ）は
ドライエッチングが開始される時点の状態を示すもので
ある。2. Description of the Related Art Dry etching is often used as a method for etching a light shielding layer when manufacturing a highly accurate photomask. Since the dry etching does not proceed so much in the lateral direction of the light-shielding layer, it is important to control the etching in the thickness (depth) direction. Figure 1
FIGS. 1A to 1C are explanatory views of a state where the light shielding layer is etched by dry etching, and FIG. 1A shows a state at the time when dry etching is started.
【０００３】図１（ａ）は、透明基板（１）上に遮光層
（２）が設けられたブランク（４）にフォトレジスト層
が設けられ、フォトレジスト層への描画、現像、硬膜処
理がなされ、エッチングレジスト層のパターン（３）が
形成された状態のものである。図１（ｂ）に示すよう
に、図中上方よりドライエッチング（５）を行うことに
よって、遮光層（２）が除去されるが、透明基板（１）
が露出した段階ではパターンとなる遮光層（２）の端部
に除去されない部分が残り、裾（６）を引いてしまう。
この裾（６）を除去するために、ドライエッチングを継
続してオーバーなエッチングを行うと、図１（ｃ）に示
すように、透明基板（１）がエッチングされてしまうと
いった不具合なこととなる。In FIG. 1 (a), a photoresist layer is provided on a blank (4) having a transparent substrate (1) and a light-shielding layer (2) provided thereon, and drawing, development and film hardening treatment on the photoresist layer. And the pattern (3) of the etching resist layer is formed. As shown in FIG. 1B, the light shielding layer (2) is removed by performing dry etching (5) from above in the figure, but the transparent substrate (1) is removed.
When exposed, the unremoved part remains at the end of the light-shielding layer (2) which becomes a pattern, and the hem (6) is drawn.
If dry etching is continued and excessive etching is performed to remove the hem (6), the transparent substrate (1) will be etched as shown in FIG. 1C. .
【０００４】このような不具合なことを回避するため
に、透明基板と遮光層との間にストッパー層を設けたブ
ランクが用いられている。図２（ａ）に示すブランク
（１４）は、透明基板（１）と遮光層（２）との間に遮
光層のエッチング条件ではエッチングされにくいストッ
パー層（７）が設けられたものであり、ストッパー層
（７）の材料としては、例えば、Ｔａ、Ａｌ2Ｏ3 など
が、また、遮光層（２）の材料としては、例えば、Ｚｒ
Ｓｉ、ＭｏＳｉなどが用いられているものである。In order to avoid such a problem, a blank having a stopper layer provided between a transparent substrate and a light shielding layer is used. The blank (14) shown in FIG. 2 (a) has a stopper layer (7) between the transparent substrate (1) and the light-shielding layer (2), which is difficult to be etched under the etching conditions of the light-shielding layer. Examples of the material of the stopper layer (7) include Ta and Al 2 O 3 , and examples of the material of the light shielding layer (2) include Zr.
Si, MoSi, etc. are used.
【０００５】図２（ｂ）に示すように、エッチングレジ
スト層のパターン（３）が形成されたブランク（１４）
に、例えば、フッ素系のガスであるＣ2 Ｆ6 を用いて図
中上方よりオーバーなドライエッチング（５）を行うこ
とによって、パターンとなる遮光層（２）の端部は裾
（６）を引くことなく、また、透明基板（１）がエッチ
ングされてしまうことなく遮光層（２）がパターンとし
て形成される。As shown in FIG. 2 (b), a blank (14) having a pattern (3) of an etching resist layer is formed.
In addition, for example, by performing over dry etching (5) from above in the figure using C 2 F 6 which is a fluorine-based gas, the end portion of the light shielding layer (2) to be a pattern has a hem (6). The light-shielding layer (2) is formed as a pattern without pulling or etching the transparent substrate (1).
【０００６】しかし、このようにして得られたフォトマ
スク、すなわち、ストッパー層（７）が設けられたまま
のフォトマスクを、例えば、半導体製造用のフォトマス
クとして使用すると、ストッパー層（７）自体が露光光
の透過率、位相差などに悪影響を及ぼすことになるの
で、遮光層のドライエッチング後にはストッパー層を除
去することが必要になる。However, when the photomask thus obtained, that is, the photomask on which the stopper layer (7) is provided, is used as a photomask for semiconductor manufacturing, for example, the stopper layer (7) itself is used. Will adversely affect the transmittance of exposure light, the phase difference, etc., so that it is necessary to remove the stopper layer after the dry etching of the light shielding layer.
【０００７】ストッパー層の材料としては、ストッパー
層の剥離・除去時に遮光層及び透明基板にダメージを与
えることなく剥離・除去することのできる材料、すなわ
ち、ストッパー層としての剥離・除去適性の優れたもの
を用いている。しかし、ストッパー層を透明基板と遮光
層との間に設けるのでブランク自体が高価なものとな
り、また、フォトマスクの製造工程も多くなりコストの
高いものとなる。As a material for the stopper layer, a material that can be peeled and removed without damaging the light-shielding layer and the transparent substrate at the time of peeling and removing the stopper layer, that is, excellent suitability for peeling and removing as the stopper layer is obtained. I am using one. However, since the stopper layer is provided between the transparent substrate and the light shielding layer, the blank itself becomes expensive, and the number of photomask manufacturing steps increases, resulting in high cost.
【０００８】一方、ストッパー層を透明基板と遮光層と
の間の全面に設けるがフォトマスクの製造工程は増やさ
ないように、ストッパー層の剥離・除去を必要としない
材料の使用、すなわち、ストッパー層自体が半導体製造
時の露光光の波長で透明基板と同程度に透明で、透過
率、位相差などに悪影響を及ぼさない材料の使用が考え
られる。しかし、このような性能を有する材料を開発す
ることは困難なことであり、コストの高いものとなる。On the other hand, a stopper layer is provided on the entire surface between the transparent substrate and the light-shielding layer, but a material which does not require peeling / removal of the stopper layer is used so as not to increase the number of photomask manufacturing steps, that is, the stopper layer. It is conceivable to use a material which is as transparent as a transparent substrate at the wavelength of exposure light during semiconductor manufacturing and does not adversely affect the transmittance and the phase difference. However, it is difficult and costly to develop a material having such performance.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決するためになされたものであり、ストッパー層を透
明基板と遮光層との間の全面に設けないブランクであっ
て、フォトマスクを製造する際にドライエッチングによ
って遮光層をエッチングしても、遮光層が裾を引くこと
なく、また、透明基板に悪影響を与えることなく遮光層
をパターンとして形成することのできるブランクを提供
することを課題とするものである。また、該ブランクを
用いて製造したフォトマスクを提供することを課題とす
る。並びに、該フォトマスクの製造方法、及び該フォト
マスクを用いたパターン転写方法を提供することを課題
とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and is a blank in which a stopper layer is not provided on the entire surface between a transparent substrate and a light shielding layer, and a photomask is used. It is possible to provide a blank capable of forming a light-shielding layer as a pattern without causing the light-shielding layer to have a skirt even when the light-shielding layer is etched by dry etching during manufacturing and without adversely affecting the transparent substrate. This is an issue. Another object is to provide a photomask manufactured using the blank. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the photomask and a pattern transfer method using the photomask.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板の片
面上の全面に遮光層、周縁部にサイドストッパー層が順
次に設けられたブランクであって、該サイドストッパー
層をドライエッチングすることにより生成、堆積する堆
積物の耐プラズマ性が、該サイドストッパー層の耐プラ
ズマ性より高いことを特徴とするブランクである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is a blank in which a light-shielding layer is sequentially provided on one surface of a transparent substrate and a side stopper layer is sequentially provided on a peripheral portion, and the side stopper layer is dry-etched. The plasma resistance of the deposit generated and deposited by the method is higher than the plasma resistance of the side stopper layer.
【００１１】また、本発明は、上記発明によるブランク
を用いて製造したことを特徴とするフォトマスクであ
る。Further, the present invention is a photomask manufactured by using the blank according to the above invention.
【００１２】また、本発明は、上記発明によるフォトマ
スクの製造方法であって、
１）遮光層の厚さ、エッチングレート、及びエッチング
レジスト層のエッチングレートに基ずいて、エッチング
レジスト層の除去に要する時間が、遮光層の除去に要す
る時間より僅かに長くなるようにフォトレジスト層の厚
さを設定し、ブランク上に設け、
２）該フォトレジスト層への描画、現像、硬膜処理によ
り、フォトマスクパターンの透明部となる部分のフォト
レジスト層を除去し、その部分の遮光層を露出させ、遮
光部となる部分の遮光層上にエッチングレジスト層を形
成し、
３）ドライエッチングにより、露出させた遮光層及びエ
ッチングレジスト層へのエッチングを開始し、エッチン
グレジスト層が除去され、遮光層の遮光部となる部分及
びサイドストッパー層が露出した時点で、上記露出させ
た遮光層を裾がない状態で除去し、透明基板面を露出さ
せ、同時に、ドライエッチングにより露出したサイドス
トッパー層から生成した生成物を、露出させた透明基板
面上及びエッチングレジスト層が除去された遮光層の遮
光部となる部分上を覆うように堆積させ、エッチングか
ら保護し、ドライエッチングを終了させ、
４）洗浄により、堆積物を除去し、フォトマスクパター
ンの形成後にはサイドストッパー層を除去することなく
フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスク
の製造方法である。The present invention also provides a method for manufacturing a photomask according to the above-mentioned invention, comprising: 1) removal of the etching resist layer based on the thickness of the light-shielding layer, the etching rate, and the etching rate of the etching resist layer. The thickness of the photoresist layer is set so that the time required is slightly longer than the time required to remove the light-shielding layer, and the thickness is provided on the blank. 2) By drawing on the photoresist layer, developing, and hardening treatment, The photoresist layer in the portion that becomes the transparent portion of the photomask pattern is removed, the light-shielding layer in that portion is exposed, an etching resist layer is formed on the light-shielding layer in the portion that becomes the light-shielding portion, and 3) is exposed by dry etching. The etching of the light-shielding layer and the etching resist layer thus started is started, the etching resist layer is removed, and the portion and the sacrificial portion of the light-shielding layer and When the stopper layer is exposed, the exposed light-shielding layer is removed without a hem to expose the transparent substrate surface, and at the same time, the product generated from the side stopper layer exposed by dry etching is exposed. The transparent substrate surface and the etching resist layer are deposited so as to cover the light-shielding portion of the light-shielding layer, which is protected from etching, dry etching is completed, and 4) the deposit is removed by cleaning. The photomask manufacturing method is characterized in that the photomask is manufactured without removing the side stopper layer after the photomask pattern is formed.
【００１３】また、本発明は、上記発明によるフォトマ
スクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするパタ
ーン転写方法である。The present invention is also a pattern transfer method characterized by performing pattern transfer using the photomask according to the above invention.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。図３は、本発明によるブランクの一実施例
を模式的に示す平面図である。また、図４は、図３にお
けるＸ−Ｘ’線の断面図である。図３、及び図４に示す
ように、本発明によるブランクは、透明基板（１１）の
片面上の全面に遮光層（１２）、周縁部にサイドストッ
パー層（１７）が順次に設けられたものであり、図にお
いては、さらにフォトレジスト層（１３）が設けられて
いる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below. FIG. 3 is a plan view schematically showing an embodiment of the blank according to the present invention. Further, FIG. 4 is a sectional view taken along line XX ′ in FIG. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the blank according to the present invention has a light-shielding layer (12) provided on the entire surface of one side of a transparent substrate (11) and a side stopper layer (17) provided at the peripheral portion in order. In the figure, a photoresist layer (13) is further provided.
【００１５】フォトマスクパターンが形成される領域
は、（ａ）×（ａ）で表される領域であり、周縁部に設
けられたサイドストッパー層（１７）の巾（ｗ）は、対
角６インチ程度のブランクにて略１０ｍｍ程度、厚さ
（ｔ１）５０〜１５０ｎｍ程度のものである。また、透
明基板（１１）の片面上の全面に設けられた遮光層（１
２）の厚さ（ｔ２）は１２０ｎｍ程度のものである。こ
のブランクは、透明基板の片面上に遮光層を成膜し、引
き続きサイドストッパー層を成膜することによって得ら
れる。The region where the photomask pattern is formed is a region represented by (a) × (a), and the width (w) of the side stopper layer (17) provided on the peripheral portion is 6 diagonals. An inch blank has a thickness of about 10 mm and a thickness (t1) of about 50 to 150 nm. In addition, a light shielding layer (1) provided on the entire surface of one side of the transparent substrate (11).
The thickness (t2) of 2) is about 120 nm. This blank is obtained by forming a light shielding layer on one surface of a transparent substrate and then forming a side stopper layer.
【００１６】本発明によるブランクは、透明基板（１
１）と遮光層（１２）の間にストッパー層を設けておら
ず、透明基板（１１）の周縁部の遮光層（１２）上にサ
イドストッパー層（１７）が設けられている。このサイ
ドストッパー層（１７）は、後述するように、前記従来
の技術におけるストッパー層の役割、すなわち、ドライ
エッチングによって遮光層を除去する際に、パターンと
なる遮光層の端部が裾を引くことがないようにオーバー
なドライエッチングを行っても透明基板がエッチングさ
れないようにする役割と同様の役割をするものである。The blank according to the present invention comprises a transparent substrate (1
A stopper layer is not provided between 1) and the light shielding layer (12), but a side stopper layer (17) is provided on the light shielding layer (12) at the peripheral edge of the transparent substrate (11). As will be described later, the side stopper layer (17) serves as a stopper layer in the above-mentioned conventional technique, that is, when the light shielding layer is removed by dry etching, the edge of the light shielding layer to be a pattern is tailed. This prevents the transparent substrate from being etched even if overdry etching is performed so that the transparent substrate is not etched.
【００１７】サイドストッパー層（１７）の材料として
は、サイドストッパー層をドライエッチングすることに
より生成、堆積する堆積物の耐プラズマ性が、サイドス
トッパー層の耐プラズマ性より高い材料であり、例え
ば、クロム（Ｃｒ）が挙げられる。As the material of the side stopper layer (17), the plasma resistance of the deposit generated and deposited by dry etching the side stopper layer is higher than the plasma resistance of the side stopper layer. Examples include chromium (Cr).
【００１８】このように、本発明によるブランクは、フ
ォトマスクパターンが形成される領域にはストッパー層
が設けられておらず、透明基板の周縁部の遮光層上にサ
イドストッパー層（１７）が設けられているので、フォ
トマスクパターンの形成後にはサイドストッパー層を除
去することなくフォトマスクを製造することができる。
また、サイドストッパー層の材料としては、上記のよう
に、堆積物の耐プラズマ性が、サイドストッパー層の耐
プラズマ性より高いことを要するものではあるが、半導
体製造時の露光光の透過率、位相差などには制約されな
いものとなり、材料の選択が容易なものとなる。As described above, in the blank according to the present invention, the stopper layer is not provided in the region where the photomask pattern is formed, and the side stopper layer (17) is provided on the light shielding layer at the peripheral portion of the transparent substrate. Therefore, after the photomask pattern is formed, the photomask can be manufactured without removing the side stopper layer.
Further, as the material of the side stopper layer, as described above, the plasma resistance of the deposit is required to be higher than the plasma resistance of the side stopper layer, but the transmittance of exposure light during semiconductor manufacturing, The material is not restricted by the phase difference and the material can be easily selected.
【００１９】図５は、本発明によるフォトマスクの一実
施例を模式的に示す断面図である。図５に示すように、
本発明によるフォトマスクは、透明基板（１１）上にフ
ォトマスクパターンとしての透明部（２８）及び遮光部
（２２）が形成されたものである。このフォトマスク
は、前記ブランクを用いて製造したフォトマスクである
ので、フォトマスクパターンが形成される領域にはスト
ッパー層がない。従って、半導体製造用のフォトマスク
として使用しても、露光光の透過率、位相差などに悪影
響を及ぼすことはない。また、サイドストッパー層（１
７）は、透明基板の周縁部の遮光層上に残存させたま
ま、すなわち、フォトマスクパターンの形成後にはサイ
ドストッパー層を除去することなくフォトマスクを製造
するので廉価なものとなる。FIG. 5 is a sectional view schematically showing an embodiment of the photomask according to the present invention. As shown in FIG.
The photomask according to the present invention has a transparent portion (28) and a light shielding portion (22) as a photomask pattern formed on a transparent substrate (11). Since this photomask is a photomask manufactured by using the blank, there is no stopper layer in the region where the photomask pattern is formed. Therefore, even when it is used as a photomask for semiconductor manufacturing, it does not adversely affect the transmittance of exposure light, the phase difference, and the like. In addition, the side stopper layer (1
In 7), the photomask is manufactured without leaving the side stopper layer while being left on the light shielding layer at the peripheral edge of the transparent substrate, that is, after the photomask pattern is formed, which is inexpensive.
【００２０】図６（ａ）〜（ｅ）は、本発明によるフォ
トマスクの製造方法を工程順に一部分を拡大して説明す
る模式図である。図６（ａ）は、本発明によるブランク
にフォトレジスト層が設けられた段階のものである。図
６（ａ）に示すように、透明基板（１１）の片面上の全
面に遮光層（１２）、周縁部にサイドストッパー層（１
７）が順次に設けられたブランク（２４）上にフォトレ
ジスト層（１３）が設けられた状態のものである。6 (a) to 6 (e) are schematic views for explaining a method of manufacturing a photomask according to the present invention by partially enlarging it in the order of steps. FIG. 6 (a) shows the blank according to the present invention provided with a photoresist layer. As shown in FIG. 6A, the light-shielding layer 12 is formed on the entire surface of one side of the transparent substrate 11, and the side stopper layer 1 is formed on the peripheral portion.
7) is a state in which the photoresist layer (13) is provided on the blank (24) sequentially provided.
【００２１】フォトレジスト層（１３）の厚さ（ｔ３）
は、遮光層の厚さ（ｔ４）、エッチングレート、及びエ
ッチングレジスト層のエッチングレートに基ずいて、ド
ライエッチングによって厚さ（ｔ５）を有するエッチン
グレジスト層（２３）を除去するのに要する時間が、厚
さ（ｔ４）を有する遮光層（１２）を除去するのに要す
る時間より僅かに、例えば、ドライエッチングの時間に
換算して数十秒長くなるようにフォトレジスト層（１
３）の厚さを設定し、ブランク（２４）上に設ける。Thickness of photoresist layer (13) (t3)
Is the time required to remove the etching resist layer (23) having the thickness (t5) by dry etching based on the thickness (t4) of the light shielding layer, the etching rate, and the etching rate of the etching resist layer. , The photoresist layer (1) is slightly longer than the time required to remove the light shielding layer (12) having a thickness (t4), for example, several tens of seconds in terms of dry etching time.
The thickness of 3) is set and provided on the blank (24).
【００２２】図６（ｂ）は、ドライエッチングを開始す
る直前の段階のものである。上記フォトレジスト層への
描画、現像、硬膜処理を行い、フォトマスクパターンの
透明部となる部分（２５）のフォトレジスト層を除去
し、その部分の遮光層（１２）を露出させ、遮光部とな
る部分の遮光層上にエッチングレジスト層（２３）を形
成する。次に、図６（ｃ）に示すように、図中上方より
ドライエッチング（５）を行う。図６（ｃ）は、露出さ
せた遮光層及びエッチングレジスト層が半ば除去され、
エッチングが進行している状態のものである。FIG. 6B shows a stage immediately before the start of dry etching. Drawing on the photoresist layer, development, and film-hardening treatment are performed to remove the photoresist layer in the portion (25) that becomes the transparent portion of the photomask pattern, exposing the light shielding layer (12) in that portion to form the light shielding portion. An etching resist layer (23) is formed on the portion of the light-shielding layer that will become the. Next, as shown in FIG. 6C, dry etching (5) is performed from above in the figure. In FIG. 6C, the exposed light shielding layer and the etching resist layer are partially removed,
The etching is in progress.
【００２３】ドライエッチングを継続し、図６（ｄ）に
示すように、エッチングレジスト層（２３）を除去し、
遮光層の遮光部となる部分（２２）及びサイドストッパ
ー層（１７）を露出させる。この時点で、上記露出させ
た遮光層は裾がない状態（Ａ）に除去され、この部分の
透明基板面が露出している。これは、図６（ｂ）に示す
ように、ドライエッチングによって厚さ（ｔ５）を有す
るエッチングレジスト層（２３）を除去するのに要する
時間が、厚さ（ｔ４）を有する遮光層（１２）を除去す
るのに要する時間より僅かに長くなるようにフォトレジ
スト層（１３）の厚さを設定し、ブランク（２４）上に
設けてあるからであって、エッチングレジスト層（２
３）を除去した時点では遮光層（１２）は僅かにオーバ
ーなエッチングがされるためである。すなわち、上記ド
ライエッチングの時間に換算しての数十秒が遮光層の端
部の裾を除去するのに要する時間である。Dry etching is continued to remove the etching resist layer (23) as shown in FIG. 6 (d).
The part (22) of the light-shielding layer and the side stopper layer (17) to be the light-shielding portion are exposed. At this point, the exposed light-shielding layer is removed without the hem (A), and the transparent substrate surface of this portion is exposed. As shown in FIG. 6B, this is because the time required to remove the etching resist layer (23) having the thickness (t5) by dry etching is the light shielding layer (12) having the thickness (t4). This is because the thickness of the photoresist layer (13) is set so as to be slightly longer than the time required to remove the etching resist layer (2).
This is because the light-shielding layer (12) is slightly over-etched when 3) is removed. That is, several tens of seconds in terms of the dry etching time is the time required to remove the hem at the end of the light shielding layer.
【００２４】また、上記エッチングレジスト層（２３）
を除去した時点で、同時に、図６（ｄ’）に示すよう
に、ドライエッチングによって、露出したサイドストッ
パー層（１７）から生成物の発生を開始させる。発生し
た生成物を、露出させた透明基板（１１）面上及びエッ
チングレジスト層が除去された遮光層の遮光部となる部
分（２２）上を覆うように堆積させて、透明基板（１
１）面及び遮光層の遮光部となる部分（２２）をエッチ
ングから保護し、ドライエッチングを終了させる。この
堆積物（２６）の耐プラズマ性は、サイドストッパー層
（１７）の耐プラズマ性より高いために、透明基板（１
１）面及び遮光層の遮光部となる部分（２２）は保護さ
れ過度にエッチングされることはない。The etching resist layer (23)
At the same time as the removal of Si, at the same time, as shown in FIG. 6D ', the generation of the product is started from the exposed side stopper layer (17) by dry etching. The generated product is deposited so as to cover the exposed surface of the transparent substrate (11) and the portion (22) of the light-shielding layer from which the etching resist layer has been removed to be the light-shielding portion, and the transparent substrate (1
1) Protect the surface and the portion (22) of the light-shielding layer, which will be the light-shielding portion, from etching, and finish dry etching. Since the plasma resistance of this deposit (26) is higher than that of the side stopper layer (17), the transparent substrate (1
The surface (1) and the portion (22) which becomes the light shielding portion of the light shielding layer are protected and are not excessively etched.
【００２５】続いて、図６（ｅ）に示すように、洗浄を
行い堆積物を除去しフォトマスクを得る。尚、本発明に
おける遮光層（１２）の材料としては、例えば、ジルコ
ニウムシリサイド（ＺｒＳｉ）、サイドストッパー層
（１７）の材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、ド
ライエッチングのエッチャントとしては、例えば、三塩
化ホウ素（ＢＣｌ3 ）などが好ましいものである。Subsequently, as shown in FIG. 6 (e), cleaning is performed to remove deposits and obtain a photomask. The material of the light shielding layer (12) in the present invention is, for example, zirconium silicide (ZrSi), the material of the side stopper layer (17) is, for example, chromium (Cr), and the etchant for dry etching is, for example, Boron trichloride (BCl 3 ) and the like are preferred.
【００２６】上記のように、本発明によるフォトマスク
の製造方法は、透明基板（１１）と遮光層（１２）の間
にストッパー層を設けず、透明基板（１１）の周縁部の
遮光層（１２）上にサイドストッパー層（１７）を設け
たブランクを用い、ドライエッチングによりエッチング
レジスト層（２３）を除去し、遮光層の遮光部となる部
分（２２）及びサイドストッパー層（１７）が露出した
時点では、遮光層を裾がない状態で除去し、同時に、サ
イドストッパー層（１７）からの生成物を透明基板（１
１）面及び遮光層の遮光部となる部分（２２）上に堆積
させて保護してフォトマスクを製造する方法であるの
で、遮光層が裾を引くことなく、また、透明基板に悪影
響を与えることなく遮光層をパターンとして形成するこ
とのできるものとなる。As described above, in the method of manufacturing a photomask according to the present invention, a stopper layer is not provided between the transparent substrate (11) and the light shielding layer (12), and the light shielding layer ( 12) A blank having a side stopper layer (17) provided thereon is used, and the etching resist layer (23) is removed by dry etching to expose the portion (22) and the side stopper layer (17) which will be the light shielding portion of the light shielding layer. At that time, the light shielding layer was removed without the hem, and at the same time, the product from the side stopper layer (17) was removed from the transparent substrate (1).
1) It is a method of manufacturing a photomask by depositing on the surface and a portion (22) which becomes a light shielding portion of the light shielding layer to protect the photomask, so that the light shielding layer does not skirt and the transparent substrate is adversely affected. The light-shielding layer can be formed as a pattern without the need.
【００２７】本発明によるフォトマスクを用いたパター
ン転写方法は、例えば、先ず被加工層を表面に形成した
基板上にフォトレジスト層を設けたのち、本発明による
フォトマスクを介して該フォトレジスト層に紫外線、ｇ
線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光、Ｘ線
などを選択的に照射する。次いで、現像工程において不
必要な部分のフォトレジスト層を除去し、基板上にエッ
チングレジスト層のパターンを形成させたのち、このエ
ッチングレジスト層のパターンをマスクとして被加工層
をエッチング処理し、次いで、エッチングレジスト層の
パターンを除去することにより、フォトマスクパターン
に忠実なパターンを基板上に転写する方法である。In the pattern transfer method using the photomask according to the present invention, for example, a photoresist layer is first provided on a substrate on which a layer to be processed is formed, and then the photoresist layer is passed through the photomask according to the present invention. Ultraviolet rays, g
Line, i-line, deep-UV, excimer laser light, X-ray, etc. are selectively irradiated. Then, the photoresist layer of unnecessary portions in the developing step is removed, after forming a pattern of the etching resist layer on the substrate, the layer to be processed is etched using the pattern of the etching resist layer as a mask, and then, This is a method of transferring a pattern faithful to the photomask pattern onto the substrate by removing the pattern of the etching resist layer.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明は、透明基板上に遮光層、周縁部
にサイドストッパー層が設けられたブランクであって、
サイドストッパー層をドライエッチングすることにより
生成、堆積する堆積物の耐プラズマ性が、サイドストッ
パー層の耐プラズマ性より高いブランクであるので、ド
ライエッチングによって遮光層をエッチングしても、遮
光層が裾を引くことなく、また、透明基板に悪影響を与
えることなく遮光層をパターンとして形成することので
きるブランクとなる。また、パターンの形成後にはサイ
ドストッパー層を除去することなくフォトマスクを製造
することができるので、フォトマスクを廉価に製造する
ことが可能となる。また、サイドストッパー層の材料の
選択が容易なものとなる。The present invention is a blank in which a light-shielding layer is provided on a transparent substrate and a side stopper layer is provided on the peripheral portion,
Since the plasma resistance of the deposits generated and deposited by dry etching the side stopper layer is higher than the plasma resistance of the side stopper layer, even if the light shielding layer is etched by dry etching, the light shielding layer is It is a blank in which the light-shielding layer can be formed as a pattern without drawing a line and without adversely affecting the transparent substrate. In addition, since the photomask can be manufactured without removing the side stopper layer after the pattern is formed, the photomask can be manufactured at low cost. In addition, the material of the side stopper layer can be easily selected.
【００２９】また、本発明は、上記ブランクを用いて製
造したフォトマスクであるので、ドライエッチングによ
って遮光層をエッチングしても、遮光層が裾を引くこと
なく、また、透明基板に悪影響を与えることなく遮光層
をパターンとして形成したフォトマスクとなる。また、
サイドストッパー層を除去する必要がないので、廉価な
フォトマスクとなる。Further, since the present invention is a photomask manufactured by using the above blank, even if the light-shielding layer is etched by dry etching, the light-shielding layer does not skirt and the transparent substrate is adversely affected. Without a mask, the photomask has a light-shielding layer formed as a pattern. Also,
Since it is not necessary to remove the side stopper layer, the photomask is inexpensive.
【００３０】また、本発明は、上記フォトマスクの製造
方法であって、エッチングレジスト層の除去に要する時
間が、遮光層の除去に要する時間より僅かに長くなるよ
うにフォトレジスト層の厚さを設定しブランク上に設
け、次いで、フォトレジスト層への描画、現像処理によ
り、エッチングレジスト層のパターンを形成し、次い
で、ドライエッチングにより、遮光層を裾がない状態で
除去し、同時に、サイドストッパー層からの生成物を透
明基板上及び遮光層の遮光部となる部分上に堆積させ、
エッチングから保護しドライエッチングを終了させ、フ
ォトマスクを製造するので、遮光層が裾を引くことな
く、また、透明基板に悪影響を与えることなく遮光層を
パターンとして形成したフォトマスクを廉価に製造する
ことができる。The present invention is also the method for manufacturing a photomask as described above, wherein the thickness of the photoresist layer is set so that the time required to remove the etching resist layer is slightly longer than the time required to remove the light shielding layer. Set it on the blank, then form a pattern of the etching resist layer by drawing on the photoresist layer and developing, and then dry etching to remove the light-shielding layer without the hem, and at the same time, side stopper The product from the layer is deposited on the transparent substrate and on the portion of the light-shielding layer that becomes the light-shielding portion,
Since a photomask is manufactured by protecting it from etching and ending dry etching, a photomask in which a light-shielding layer is formed as a pattern can be manufactured at a low price without the light-shielding layer trailing and without adversely affecting the transparent substrate. be able to.
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、ドライエッチングによって
遮光層がエッチングされる状態の説明図である。1A to 1C are explanatory views of a state in which a light shielding layer is etched by dry etching.
【図２】（ａ）、（ｂ）は、ストッパー層を設けたブラ
ンクにおけるエッチング状態の説明図である。2 (a) and 2 (b) are explanatory views of an etching state in a blank provided with a stopper layer.
【図３】本発明によるブランクの一実施例を模式的に示
す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing an embodiment of a blank according to the present invention.
【図４】図３におけるＸ−Ｘ’線の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line X-X ′ in FIG.
【図５】本発明によるフォトマスクの一実施例を模式的
に示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view schematically showing an embodiment of a photomask according to the present invention.
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、本発明によるフォトマスク
の製造方法を工程順に一部分を拡大して説明する模式図
である。6 (a) to 6 (e) are schematic views illustrating a method of manufacturing a photomask according to the present invention in a partially enlarged manner in the order of steps.
１、１１・・・透明基板 ２、１２・・・遮光層 ３・・・エッチングレジスト層のパターン ４、１４・・・ブランク ５・・・ドライエッチング ６・・・遮光層端部の裾 ７・・・ストッパー層 １３・・・フォトレジスト層 １７・・・本発明におけるサイドストッパー層 ２２・・・遮光部 ２３・・・エッチングレジスト層 ２４・・・本発明によるブランク ２５・・・フォトマスクパターンの透明部となる部分 ２６・・・堆積物 ２８・・・透明部 Ａ・・・・遮光層に裾がない状態 1, 11 ... Transparent substrate 2, 12 ... Shading layer 3 ... Etching resist layer pattern 4,14 ... Blank 5 ... Dry etching 6 ... hem at the end of the light shielding layer 7: Stopper layer 13 ... Photoresist layer 17 ... Side stopper layer in the present invention 22 ... Shading section 23 ... Etching resist layer 24 ... Blank according to the invention 25: a portion which becomes a transparent portion of the photomask pattern 26 ... sediment 28: Transparent part A ... ・ The light shielding layer has no hem
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 宏行 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 服部 祐介 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 福原 信彦 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BC19 BC24 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Hiroyuki Fujii 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan stamp Imprint Co., Ltd. (72) Inventor Yusuke Hattori 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan stamp Imprint Co., Ltd. (72) Inventor Nobuhiko Fukuhara 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan stamp Imprint Co., Ltd. F-term (reference) 2H095 BC19 BC24
Claims (4)
にサイドストッパー層が順次に設けられたブランクであ
って、該サイドストッパー層をドライエッチングするこ
とにより生成、堆積する堆積物の耐プラズマ性が、該サ
イドストッパー層の耐プラズマ性より高いことを特徴と
するブランク。1. A blank in which a light-shielding layer is sequentially provided on the entire surface of one side of a transparent substrate and a side stopper layer is sequentially provided on a peripheral portion of the transparent substrate. The blank is formed and deposited by dry etching the side stopper layer. A blank having a plasma resistance higher than that of the side stopper layer.
ことを特徴とするフォトマスク。2. A photomask manufactured by using the blank according to claim 1.
あって、 １）遮光層の厚さ、エッチングレート、及びエッチング
レジスト層のエッチングレートに基ずいて、エッチング
レジスト層の除去に要する時間が、遮光層の除去に要す
る時間より僅かに長くなるようにフォトレジスト層の厚
さを設定し、ブランク上に設け、 ２）該フォトレジスト層への描画、現像、硬膜処理によ
り、フォトマスクパターンの透明部となる部分のフォト
レジスト層を除去し、その部分の遮光層を露出させ、遮
光部となる部分の遮光層上にエッチングレジスト層を形
成し、 ３）ドライエッチングにより、露出させた遮光層及びエ
ッチングレジスト層へのエッチングを開始し、エッチン
グレジスト層が除去され、遮光層の遮光部となる部分及
びサイドストッパー層が露出した時点で、上記露出させ
た遮光層を裾がない状態で除去し、透明基板面を露出さ
せ、同時に、ドライエッチングにより露出したサイドス
トッパー層から生成した生成物を、露出させた透明基板
面上及びエッチングレジスト層が除去された遮光層の遮
光部となる部分上を覆うように堆積させ、エッチングか
ら保護し、ドライエッチングを終了させ、 ４）洗浄により、堆積物を除去し、フォトマスクパター
ンの形成後にはサイドストッパー層を除去することなく
フォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスク
の製造方法。3. The method for manufacturing a photomask according to claim 2, wherein 1) the time required for removing the etching resist layer based on the thickness of the light shielding layer, the etching rate, and the etching rate of the etching resist layer. However, the thickness of the photoresist layer is set so as to be slightly longer than the time required to remove the light-shielding layer, and the photoresist layer is provided on the blank. 2) A photomask is formed by drawing on the photoresist layer, developing, and hardening the film. The photoresist layer in the portion that becomes the transparent portion of the pattern is removed, the light-shielding layer in that portion is exposed, an etching resist layer is formed on the light-shielding layer in the portion that becomes the light-shielding portion, and 3) it is exposed by dry etching. The etching of the light-shielding layer and the etching resist layer is started, the etching resist layer is removed, and the portion serving as the light-shielding portion of the light-shielding layer and the side stopper layer At the time of exposure, the exposed light-shielding layer is removed without a hem to expose the transparent substrate surface, and at the same time, the product generated from the side stopper layer exposed by dry etching is exposed to the exposed transparent substrate surface. The photomask pattern is formed by depositing so as to cover the top and the portion of the light-shielding layer where the etching resist layer has been removed so as to cover the light-shielding portion, protecting from etching, and ending dry etching. 4) Cleaning to remove deposits. A method for producing a photomask, which comprises producing the photomask without removing the side stopper layer after the formation of.
ーン転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。4. A pattern transfer method, wherein pattern transfer is performed using the photomask according to claim 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002016688A JP2003215786A (en) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Blank, photomask, manufacturing method for photomask, and pattern transfer method using the photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002016688A JP2003215786A (en) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Blank, photomask, manufacturing method for photomask, and pattern transfer method using the photomask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003215786A true JP2003215786A (en) | 2003-07-30 |
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ID=27652671
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| JP2002016688A Pending JP2003215786A (en) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Blank, photomask, manufacturing method for photomask, and pattern transfer method using the photomask |
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| JP (1) | JP2003215786A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115032828A (en) * | 2021-03-04 | 2022-09-09 | 海信视像科技股份有限公司 | Display device and manufacturing method of color film substrate |
-
2002
- 2002-01-25 JP JP2002016688A patent/JP2003215786A/en active Pending
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