JP2003215594A - Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device - Google Patents

Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device

Info

Publication number
JP2003215594A
JP2003215594A JP2002013482A JP2002013482A JP2003215594A JP 2003215594 A JP2003215594 A JP 2003215594A JP 2002013482 A JP2002013482 A JP 2002013482A JP 2002013482 A JP2002013482 A JP 2002013482A JP 2003215594 A JP2003215594 A JP 2003215594A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rubbing
liquid crystal
friction
characteristic
rubbing roll
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002013482A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeki Kobayashi
重樹 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2002013482A priority Critical patent/JP2003215594A/en
Publication of JP2003215594A publication Critical patent/JP2003215594A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a uniform and reliable rubbing processing. <P>SOLUTION: A friction sensor 80 detects a vertical resisting force and a friction force in a rubbing roll 102. A friction value measuring part 81 measures the friction coefficient in the rubbing roll and its change based on the detection result of the sensor 80. A control circuit 82 discriminates the characteristic of the roll 102 based on the friction detecting result, obtains an optimum rubbing condition based on the detection result and sets a push-in amount. Then the rubbing roll 102 rubs a liquid crystal board 101 on an optimum rubbing condition corresponding to the friction state, a torque characteristic and a dispersion, etc. Thus, an orientation defect is prevented and an electro-optic characteristic is enhanced. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶基板の配向膜
にラビング処理を施すものに好適な液晶装置の製造装
置、製造方法及び液晶装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device manufacturing apparatus, a manufacturing method, and a liquid crystal device suitable for rubbing an alignment film on a liquid crystal substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラ
ス基板、石英基板等の2枚の基板間に液晶を封入して構
成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例え
ば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、T
FTと称す)をマトリクス状に配置し、他方の基板に対
向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特
性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可
能にする。
2. Description of the Related Art A liquid crystal device such as a liquid crystal light valve is constructed by enclosing a liquid crystal between two substrates such as a glass substrate and a quartz substrate. In a liquid crystal light valve, for example, a thin film transistor (hereinafter, referred to as T
(Referred to as FT) are arranged in a matrix, the counter electrode is arranged on the other substrate, and the optical characteristics of the liquid crystal layer sealed between both substrates are changed according to the image signal, thereby enabling image display. To do.

【0003】TFTを配置したTFT基板と、TFT基
板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。
両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わさ
れた後、液晶が封入される。
The TFT substrate on which the TFTs are arranged and the counter substrate opposed to the TFT substrate are manufactured separately.
After both substrates are bonded with high precision in the panel assembly process, liquid crystal is sealed.

【0004】パネル組立工程においては、先ず、各基板
工程において夫々製造されたTFT基板と対向基板との
対向面、即ち、対向基板及びTFT基板の液晶層と接す
る面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行わ
れる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール
部が形成される。TFT基板と対向基板とをシール部を
用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化
させる。シール部の一部には切り欠きが設けられてお
り、この切り欠きを介して液晶を封入する。
In the panel assembling process, first, an alignment film is formed on the facing surfaces of the TFT substrate and the counter substrate manufactured in each substrate process, that is, on the surfaces of the counter substrate and the liquid crystal layer of the TFT substrate in contact with each other. Then, a rubbing process is performed. Next, a seal portion serving as an adhesive is formed on the edge of one of the substrates. The TFT substrate and the counter substrate are attached to each other using the seal portion, and pressure-bonded and cured while performing alignment. A notch is provided in a part of the seal portion, and the liquid crystal is sealed through this notch.

【0005】配向膜を形成してラビング処理を施すこと
で、電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向
膜は、例えばポリイミド(PI)を約数十ナノメーター
の厚さで塗布することにより形成される。液晶層に対向
する両基板の面上に配向膜を形成することで、液晶分子
を基板面に沿って配向処理することができる。ラビング
処理は、配向膜表面に細かい溝を形成して配向異方性の
膜にするものであり、配向膜に一定方向のラビング処理
を施すことで、液晶分子の配列を規定することができ
る。
By forming an alignment film and performing rubbing treatment, the alignment of liquid crystal molecules when no voltage is applied is determined. The alignment film is formed by applying, for example, polyimide (PI) with a thickness of about several tens of nanometers. By forming the alignment films on the surfaces of both substrates facing the liquid crystal layer, the liquid crystal molecules can be aligned along the surfaces of the substrates. The rubbing treatment is to form fine grooves on the surface of the alignment film to form an anisotropic film, and the alignment film can be rubbed in a certain direction to define the alignment of liquid crystal molecules.

【0006】図9はラビング装置を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic view showing a rubbing device.

【0007】ステージ100上には液晶基板101が載
置されている。ステージ100は、水平方向に移動して
基板101を搬送する。ステージ100の搬送路の上方
にはラビングロール102が配設されている。ラビング
ロール102は周面にベルベット状の生地、例えばレー
ヨンのラビング布103が取り付けられている。ラビン
グロール102を回転させながらステージ100を搬送
させて、ラビングロール102の回転及びステージ10
0の搬送によって、ラビング布103で基板全面を所定
の押し込み量で押し込みながら擦って、ラビングを行
う。
A liquid crystal substrate 101 is placed on the stage 100. The stage 100 moves in the horizontal direction and carries the substrate 101. A rubbing roll 102 is arranged above the transport path of the stage 100. The rubbing roll 102 has a velvet-like cloth, for example, a rayon rubbing cloth 103, attached to its peripheral surface. The stage 100 is conveyed while rotating the rubbing roll 102 to rotate the rubbing roll 102 and the stage 10.
With the conveyance of 0, the entire surface of the substrate is rubbed while being pushed by the rubbing cloth 103 with a predetermined pushing amount, and rubbing is performed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ラビング布
103は布表面にレーヨンのフィラメント104を編み
込んだものである。フィラメント104は布表面から上
方に伸び、その毛先が布表面全体に一様に設けられる。
フィラメント104は製造時に毛先が所定の長さにカッ
トされる。
By the way, the rubbing cloth 103 is formed by weaving rayon filaments 104 on the cloth surface. The filament 104 extends upward from the cloth surface, and the tips of the filaments 104 are provided evenly over the cloth surface.
The tips of the filaments 104 are cut into a predetermined length during manufacturing.

【0009】ところが、フィラメント104の編み込み
密度のばらつきによってフィラメント弾性力にばらつき
が生じることがある。フィラメントの弾性力が変化する
と、ラビングロールの基板表面に対する接触圧(ラビン
グ圧)が変化してしまい、適正なラビングが行われな
い。そうすると、配向不良の発生、パネルの電気光学特
性の劣化等が生じてしまう。
However, variations in the weaving density of the filament 104 may cause variations in the filament elastic force. When the elastic force of the filament changes, the contact pressure (rubbing pressure) of the rubbing roll on the substrate surface changes, and proper rubbing cannot be performed. Then, alignment defects may occur and the electro-optical characteristics of the panel may deteriorate.

【0010】また、フィラメント104の毛先のカット
時にもばらつきが生じることもある。適正なラビングを
行うためには数μmオーダーの精度が要求されるが、フ
ィラメント104の長さ或いはラビング布103の厚さ
が十分な精度でないことがある。この場合にも、ラビン
グ圧が変化し適正なラビングが行われない。
Also, variations may occur when the tips of the filaments 104 are cut. Although accuracy of the order of several μm is required to perform proper rubbing, the length of the filament 104 or the thickness of the rubbing cloth 103 may not be sufficiently accurate. Even in this case, the rubbing pressure changes and proper rubbing cannot be performed.

【0011】また、フィラメント104の起毛方向がば
らつくことも考えられる。この場合にも適正なラビング
が行われずにラビング特性が変動する。
It is also conceivable that the raising direction of the filament 104 varies. Even in this case, proper rubbing is not performed and the rubbing characteristics change.

【0012】これらのラビング材製造時のばらつきにつ
いては、ラビング材を先行入手し、予めトルク特性等の
先行確認を行うことである程度対処することができる。
例えば、ラビング材の面内ばらつきについては、ラビン
グ材の押し込み量をばらつきの吸収可能な領域に設定す
ることで、ラビング圧の変動を吸収することができる。
また、例えば、ラビング時のロール回転トルク特性に応
じて押し込み量を調整することによっても、ラビング圧
を適正なものに設定することが可能である。
These variations in the production of the rubbing material can be dealt with to some extent by obtaining the rubbing material in advance and checking the torque characteristics and the like in advance.
For example, as for the in-plane variation of the rubbing material, the variation of the rubbing pressure can be absorbed by setting the pushing amount of the rubbing material in the area capable of absorbing the variation.
Also, for example, the rubbing pressure can be set to an appropriate value by adjusting the pushing amount according to the roll rotation torque characteristic during rubbing.

【0013】しかしながら、ラビング材のばらつきは製
造ロッド間で大きく異なることから、特性の見直しも製
造ロット単位で行われる。しかも、事前に特性の確認を
行う必要があり、作業性が著しく悪く、また、不良の検
出に比較的長い期間を要することがあるという問題があ
った。
However, since the variation of the rubbing material greatly differs among the manufacturing rods, the characteristics are also reviewed for each manufacturing lot. Moreover, there is a problem that it is necessary to confirm the characteristics in advance, workability is extremely poor, and it may take a relatively long period to detect a defect.

【0014】また、ラビング材を構成するフィラメント
104は使用回数が増大すると、弾性力が低下し、ま
た、表面が摩耗してしまう。弾性力の低下による不良に
対しては、ラビングロールの回転トルク及びロール温度
等を所定の期間毎に測定し、例えば、トルク低下が既定
値よりも大きくなった時点でそのラビング材の使用を停
止することで対処するようになっている。
If the number of times of use of the filament 104 constituting the rubbing material is increased, the elastic force is reduced and the surface is worn. For defects due to a decrease in elastic force, the rubbing roll rotation torque, roll temperature, etc. are measured at predetermined intervals, and for example, the use of the rubbing material is stopped when the torque decrease becomes larger than a predetermined value. It is supposed to be dealt with.

【0015】この場合においても、不良の検出に比較的
長い期間を要することがある。しかも、フィラメント表
面の摩耗については、検出することができないという問
題点もあった。
Even in this case, it may take a relatively long period to detect a defect. Moreover, there is a problem that abrasion of the filament surface cannot be detected.

【0016】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ラビング材の特性を摩擦センサによって検
出することにより、ラビング材の良不良を簡単に検出可
能にして、常に適正なラビングを実施することによって
配向むら及び電気光学特性の劣化を防止することができ
る液晶装置の製造装置、製造方法及び液晶装置を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems. By detecting the characteristics of the rubbing material by a friction sensor, it is possible to easily detect whether the rubbing material is good or bad, and always perform proper rubbing. An object of the present invention is to provide a liquid crystal device manufacturing apparatus, a manufacturing method, and a liquid crystal device that can prevent uneven alignment and deterioration of electro-optical characteristics by carrying out the method.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶装置の
製造装置は、ラビングロールの摩擦特性を検出する摩擦
特性検出手段と、前記摩擦特性検出手段の検出結果に基
づいて前記ラビングロールの特性を取得する制御手段と
を具備したことを特徴とする。
A liquid crystal device manufacturing apparatus according to the present invention comprises a friction characteristic detecting means for detecting a friction characteristic of a rubbing roll, and a characteristic of the rubbing roll based on a detection result of the friction characteristic detecting means. And a control means for acquiring

【0018】このような構成によれば、摩擦特性検出手
段によってラビングロールの摩擦特性が検出される。例
えば、ラビングロールの弾性力が大きい場合、即ち、ラ
ビング圧が大きい場合等には、ラビングロールの摩擦力
は大きい。制御手段は、このようなラビングロールの特
性を摩擦特性の検出結果によって取得する。
According to this structure, the frictional characteristic detecting means detects the frictional characteristic of the rubbing roll. For example, when the elastic force of the rubbing roll is large, that is, when the rubbing pressure is large, the frictional force of the rubbing roll is large. The control means acquires such a characteristic of the rubbing roll from the detection result of the friction characteristic.

【0019】また、前記制御手段は、前記摩擦特性検出
手段の検出結果に基づいて取得した前記ラビングロール
の特性に応じて、前記ラビングロールによってラビング
ステージ上に載置された液晶基板をラビングする際のラ
ビングロールの押し込み量を設定することを特徴とす
る。
Further, the control means rubs the liquid crystal substrate placed on the rubbing stage by the rubbing roll according to the characteristics of the rubbing roll obtained based on the detection result of the frictional characteristic detecting means. It is characterized by setting the pushing amount of the rubbing roll.

【0020】このような構成によれば、制御手段は、摩
擦特性の検出結果によって取得したラビングロールの特
性に応じて、ラビングロールの押し込み量を設定する。
これにより、ラビングロールの特性、例えばラビングロ
ールの摩耗や特性のばらつき等に応じた最適なラビング
強度を設定することができる。
According to this structure, the control means sets the pushing amount of the rubbing roll in accordance with the characteristic of the rubbing roll obtained from the detection result of the frictional characteristic.
As a result, it is possible to set the optimum rubbing strength according to the characteristics of the rubbing roll, for example, the abrasion of the rubbing roll and the variation in the characteristics.

【0021】また、前記制御手段は、前記ラビングロー
ルの押し込み量の設定を前記摩擦特性検出手段の検出結
果に基づいてフィードバック制御することを特徴とす
る。
Further, the control means is characterized in that the setting of the pushing amount of the rubbing roll is feedback-controlled based on the detection result of the friction characteristic detecting means.

【0022】このような構成によれば、ラビング処理に
よってラビングロールの特性が変化する場合でも、フィ
ードバック制御によって最適な押し込み量を設定するこ
とができ、常に、良好なラビング特性を得ることができ
る。
With such a structure, even if the characteristics of the rubbing roll are changed by the rubbing process, the optimum pushing amount can be set by the feedback control, and the good rubbing characteristics can always be obtained.

【0023】また、前記摩擦特性検出手段は、摩擦特性
を検出するための検出部分が前記ラビングステージ上の
液晶基板の表面に対する押し込み量と同一の押し込み量
で前記ラビングロールが接触する位置に配置されること
を特徴とする。
Further, the frictional characteristic detecting means is arranged at a position where the detecting portion for detecting the frictional characteristic is brought into contact with the rubbing roll with the same pushing amount as the pushing amount with respect to the surface of the liquid crystal substrate on the rubbing stage. It is characterized by

【0024】このような構成によれば、実際に液晶基板
にラビング処理するときの押し込み量の設定を簡単に最
適値にすることができる。
With such a configuration, it is possible to easily set the pushing amount when the rubbing process is actually performed on the liquid crystal substrate to the optimum value.

【0025】また、前記制御手段は、前記摩擦特性検出
手段の検出結果に基づいて、前記ラビングロールの寿命
を判断することを特徴とする。
Further, the control means determines the life of the rubbing roll based on the detection result of the frictional characteristic detection means.

【0026】このような構成によれば、摩擦特性の検出
結果によって、例えばラビングロールの摩耗等からラビ
ングロールの寿命を判断することができる。これによ
り、ラビングロールの交換時期を知ることができる。
According to this structure, the life of the rubbing roll can be determined from the abrasion of the rubbing roll or the like based on the detection result of the frictional characteristics. Thus, it is possible to know when to change the rubbing roll.

【0027】本発明に係る液晶装置の製造方法は、ラビ
ングロールの摩擦特性を検出する摩擦特性検出ステップ
と、前記摩擦特性の検出結果に基づいて前記ラビングロ
ールの特性を取得するステップとを具備したことを特徴
とする。
The method of manufacturing a liquid crystal device according to the present invention comprises a friction characteristic detecting step of detecting the friction characteristic of the rubbing roll, and a step of acquiring the characteristic of the rubbing roll based on the detection result of the friction characteristic. It is characterized by

【0028】このような構成によれば、先ず、ラビング
ロールの摩擦特性を検出する。摩擦特性は、ラビングロ
ールの摩耗や弾性力等に応じて変化する。これにより、
摩擦特性の検出結果に基づいてラビングロールの特性を
取得することができる。
According to this structure, first, the frictional characteristics of the rubbing roll are detected. Friction characteristics change according to the abrasion and elastic force of the rubbing roll. This allows
The characteristics of the rubbing roll can be acquired based on the detection result of the friction characteristics.

【0029】また、本発明に係る液晶装置の製造方法
は、ラビングロールの摩擦特性を検出する摩擦特性検出
ステップと、前記摩擦特性の検出結果に基づいて前記ラ
ビングロールの特性を取得するステップと、前記摩擦特
性の検出結果に基づいて取得した前記ラビングロールの
特性に応じて、前記ラビングロールによってラビングス
テージ上に載置された液晶基板をラビングする際のラビ
ングロールの押し込み量を設定するステップとを具備し
たことを特徴とする。
Further, in the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, a friction characteristic detecting step of detecting a friction characteristic of the rubbing roll, a step of acquiring the characteristic of the rubbing roll based on the detection result of the friction characteristic, Depending on the characteristic of the rubbing roll obtained based on the detection result of the frictional characteristic, a step of setting the pushing amount of the rubbing roll when rubbing the liquid crystal substrate placed on the rubbing stage by the rubbing roll, It is characterized by having.

【0030】このような構成によれば、摩擦特性の検出
結果によって取得したラビングロールの特性に応じて、
ラビングロールの押し込み量が設定される。これによ
り、ラビングロールの特性に応じた最適なラビング強度
が設定される。
According to such a structure, according to the characteristics of the rubbing roll obtained from the detection result of the friction characteristics,
The pushing amount of the rubbing roll is set. As a result, the optimum rubbing strength is set according to the characteristics of the rubbing roll.

【0031】前記液晶装置の製造装置又は前記液晶装置
の製造方法によってラビング処理されたことを特徴とす
る。
A rubbing process is performed by the manufacturing apparatus of the liquid crystal device or the manufacturing method of the liquid crystal device.

【0032】このような構成によれば、ラビングロール
の特性に応じた最適なラビング条件でのラビングが行わ
れるので、良好な配向特性の高画質の表示が可能とな
る。
According to such a structure, since rubbing is performed under the optimum rubbing conditions according to the characteristics of the rubbing roll, it is possible to display a high quality image with good alignment characteristics.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図1は本発明の第1
の実施の形態に係る液晶装置の製造装置に採用されるラ
ビング装置及びラビングロールを模式的に示す説明図で
ある。図2は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素
における各種素子、配線等の等価回路図である。図3は
TFT基板等の素子基板をその上に形成された各構成要
素と共に対向基板側から見た平面図であり、図4は素子
基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工
程終了後の液晶装置を、図3のH−H'線の位置で切断
して示す断面図である。また、図5は液晶装置を詳細に
示す断面図である。図6はパネル組立工程を示すフロー
チャートである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the first of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing a rubbing device and a rubbing roll adopted in the liquid crystal device manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels forming a pixel region of a liquid crystal device. FIG. 3 is a plan view of an element substrate such as a TFT substrate as viewed from the counter substrate side together with the constituent elements formed thereon, and FIG. 4 is an assembly process for bonding the element substrate and the counter substrate to enclose liquid crystal. It is sectional drawing which cuts and shows the liquid crystal device after completion | finish in the position of the HH 'line of FIG. FIG. 5 is a sectional view showing the liquid crystal device in detail. FIG. 6 is a flowchart showing the panel assembly process.

【0034】本実施の形態はフィラメントの摩擦特性を
求めることによって、ラビングロール102及びフィラ
メント104の状態を検出して、最適なラビング条件を
設定するようにしたものである。
In this embodiment, the state of the rubbing roll 102 and the filament 104 is detected by obtaining the frictional characteristics of the filament, and the optimum rubbing condition is set.

【0035】先ず、図2乃至図5を参照して、液晶パネ
ルの構造について説明する。
First, the structure of the liquid crystal panel will be described with reference to FIGS.

【0036】液晶パネルは、図3及び図4に示すよう
に、TFT基板等の素子基板10と対向基板20との間
に液晶50を封入して構成される。素子基板10上には
画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置され
る。図2は画素を構成する素子基板10上の素子の等価
回路を示している。
As shown in FIGS. 3 and 4, the liquid crystal panel is constructed by enclosing the liquid crystal 50 between the element substrate 10 such as a TFT substrate and the counter substrate 20. Pixel electrodes that form pixels are arranged in a matrix on the element substrate 10. FIG. 2 shows an equivalent circuit of the elements on the element substrate 10 which form the pixels.

【0037】図2に示すように、画素領域においては、
複数本の走査線3aと複数本のデータ線6aとが交差す
るように配線され、走査線3aとデータ線6aとで区画
された領域に画素電極9aがマトリクス状に配置され
る。そして、走査線3aとデータ線6aの各交差部分に
対応してTFT30が設けられ、このTFT30に画素
電極9aが接続される。
As shown in FIG. 2, in the pixel area,
The plurality of scanning lines 3a and the plurality of data lines 6a are arranged so as to intersect with each other, and the pixel electrodes 9a are arranged in a matrix in a region partitioned by the scanning lines 3a and the data lines 6a. A TFT 30 is provided corresponding to each intersection of the scanning line 3a and the data line 6a, and the pixel electrode 9a is connected to this TFT 30.

【0038】TFT30は走査線3aのON信号によっ
てオンとなり、これにより、データ線6aに供給された
画像信号が画素電極9aに供給される。この画素電極9
aと対向基板20に設けられた対向電極21との間の電
圧が液晶50に印加される。また、画素電極9aと並列
に蓄積容量70が設けられており、蓄積容量70によっ
て、画素電極9aの電圧はソース電圧が印加された時間
よりも例えば3桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積
容量70によって、電圧保持特性が改善され、コントラ
スト比の高い画像表示が可能となる。
The TFT 30 is turned on by the ON signal of the scanning line 3a, whereby the image signal supplied to the data line 6a is supplied to the pixel electrode 9a. This pixel electrode 9
A voltage between a and the counter electrode 21 provided on the counter substrate 20 is applied to the liquid crystal 50. Further, a storage capacitor 70 is provided in parallel with the pixel electrode 9a, and the storage capacitor 70 enables the voltage of the pixel electrode 9a to be retained for a time that is, for example, three digits longer than the time when the source voltage is applied. The storage capacitor 70 improves the voltage holding characteristic and enables image display with a high contrast ratio.

【0039】図5は、一つの画素に着目した液晶パネル
の模式的断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel focusing on one pixel.

【0040】ガラスや石英等の素子基板10には、溝1
1が形成されている。この溝11上に遮光膜12及び第
1層間絶縁膜13を介してLDD構造をなすTFT30
が形成されている。溝11によって、TFT基板の液晶
50との境界面が平坦化される。
The groove 1 is formed in the element substrate 10 such as glass or quartz.
1 is formed. A TFT 30 having an LDD structure is formed on the groove 11 via a light shielding film 12 and a first interlayer insulating film 13.
Are formed. The groove 11 flattens the boundary surface of the TFT substrate with the liquid crystal 50.

【0041】TFT30は、チャネル領域1a、ソース
領域1d、ドレイン領域1eが形成された半導体層に絶
縁膜2を介してゲート電極をなす走査線3aが設けられ
てなる。なお、遮光膜12は、TFT30の形成領域に
対応する領域、後述するデータ線6a及び走査線3a等
の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に
形成されている。この遮光膜12によって、入射光がT
FT30のチャネル領域1a、ソース領域1d及びドレ
イン領域1eに入射することが防止される。
The TFT 30 comprises a scanning line 3a forming a gate electrode via an insulating film 2 in a semiconductor layer in which a channel region 1a, a source region 1d and a drain region 1e are formed. The light shielding film 12 is formed in a region corresponding to the formation region of the TFT 30, a formation region of the data lines 6a and the scanning lines 3a described later, that is, a region corresponding to the non-display region of each pixel. The light-shielding film 12 causes the incident light to reach T
Incident on the channel region 1a, the source region 1d, and the drain region 1e of the FT 30 is prevented.

【0042】TFT30上には第2層間絶縁膜14が積
層され、第2層間絶縁膜14上には中間導電層15が形
成されている。中間導電層15上には誘電体膜17を介
して容量線18が対向配置されている。容量線18は、
容量層と遮光層とからなり、中間導電層15との間で蓄
積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光
機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導
電層15を形成しており、光の乱反射を効率よく防止す
ることができる。
A second interlayer insulating film 14 is laminated on the TFT 30, and an intermediate conductive layer 15 is formed on the second interlayer insulating film 14. Capacitor lines 18 are arranged on the intermediate conductive layer 15 with a dielectric film 17 interposed therebetween. The capacitance line 18 is
It is composed of a capacitance layer and a light-shielding layer, constitutes a storage capacitor with the intermediate conductive layer 15, and has a light-shielding function of preventing internal reflection of light. Since the intermediate conductive layer 15 is formed at a position relatively close to the semiconductor layer, diffused reflection of light can be efficiently prevented.

【0043】容量線18上には第3層間絶縁膜19が配
置され、第3層間絶縁膜19上にはデータ線6aが積層
される。データ線6aは、第3及び第2層間絶縁膜1
8,14を貫通するコンタクトホール24a,24bを
介してソース領域1dに電気的に接続される。データ線
6a上には第4層間絶縁膜25を介して画素電極9aが
積層されている。画素電極9aは、第4〜第2層間絶縁
膜25,19,14を貫通するコンタクトホール26
a,26bにより容量線18を介してドレイン領域1e
に電気的に接続される。画素電極9a上にはポリイミド
系の高分子樹脂からなる配向膜16が積層され、図1の
ラビング装置を用いて所定方向にラビング処理されてい
る。
A third interlayer insulating film 19 is arranged on the capacitance line 18, and a data line 6a is laminated on the third interlayer insulating film 19. The data line 6a is connected to the third and second interlayer insulating films 1
It is electrically connected to the source region 1d through the contact holes 24a and 24b penetrating through 8 and 14. A pixel electrode 9a is stacked on the data line 6a with a fourth interlayer insulating film 25 interposed therebetween. The pixel electrode 9a has a contact hole 26 penetrating the fourth to second interlayer insulating films 25, 19, and 14.
a, 26b through the capacitance line 18 to the drain region 1e
Electrically connected to. An alignment film 16 made of a polyimide-based polymer resin is laminated on the pixel electrode 9a, and is rubbed in a predetermined direction by using the rubbing device shown in FIG.

【0044】走査線3a(ゲート電極)にON信号が供
給されることで、チャネル領域1aが導通状態となり、
ソース領域1dとドレイン領域1eとが接続されて、デ
ータ線6aに供給された画像信号が画素電極9aに与え
られる。
By supplying the ON signal to the scanning line 3a (gate electrode), the channel region 1a becomes conductive,
The source region 1d and the drain region 1e are connected to each other, and the image signal supplied to the data line 6a is applied to the pixel electrode 9a.

【0045】一方、対向基板20には、対向電極(共通
電極)21が基板20全面に亘って形成されている。対
向電極21上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向
膜22が積層され、図1のラビング装置を用いて所定方
向にラビング処理されている。
On the other hand, on the counter substrate 20, a counter electrode (common electrode) 21 is formed over the entire surface of the substrate 20. An alignment film 22 made of a polyimide-based polymer resin is laminated on the counter electrode 21, and is rubbed in a predetermined direction by using the rubbing device shown in FIG.

【0046】そして、素子基板10と対向基板20との
間に液晶50が封入されている。これにより、TFT3
0は所定のタイミングでデータ線6aから供給される画
像信号を画素電極9aに書き込む。書き込まれた画素電
極9aと対向電極21との電位差に応じて液晶50の分
子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示
を可能にする。
Liquid crystal 50 is sealed between the element substrate 10 and the counter substrate 20. As a result, the TFT3
0 writes the image signal supplied from the data line 6a to the pixel electrode 9a at a predetermined timing. Depending on the written potential difference between the pixel electrode 9a and the counter electrode 21, the orientation or order of the molecular assembly of the liquid crystal 50 is changed to modulate light and enable gradation display.

【0047】図3及び図4に示すように、対向基板20
には表示領域を区画する額縁としての遮光膜42が設け
られている。遮光膜42は例えば遮光膜23と同一又は
異なる遮光性材料によって形成されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, the counter substrate 20
Is provided with a light shielding film 42 as a frame that divides the display area. The light shielding film 42 is made of, for example, the same or different light shielding material as the light shielding film 23.

【0048】遮光膜42の外側の領域に液晶を封入する
シール材41が、素子基板10と対向基板20間に形成
されている。シール材41は対向基板20の輪郭形状に
略一致するように配置され、素子基板10と対向基板2
0を相互に固着する。シール材41は、素子基板10の
1辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子
基板10及び対向基板20相互の間隙には、液晶50を
注入するための液晶注入口78が形成される。液晶注入
口78より液晶が注入された後、液晶注入口78を封止
材79で封止するようになっている。
A sealing material 41 for enclosing the liquid crystal in a region outside the light shielding film 42 is formed between the element substrate 10 and the counter substrate 20. The sealing material 41 is arranged so as to substantially match the contour shape of the counter substrate 20, and the element substrate 10 and the counter substrate 2 are arranged.
Stick 0 to each other. The sealing material 41 is missing in a part of one side of the element substrate 10, and a liquid crystal injection port 78 for injecting the liquid crystal 50 is formed in a gap between the element substrate 10 and the counter substrate 20 which are bonded to each other. It After the liquid crystal is injected from the liquid crystal injection port 78, the liquid crystal injection port 78 is sealed with a sealing material 79.

【0049】素子基板10のシール材41の外側の領域
には、データ線駆動回路61及び実装端子62が素子基
板10の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接
する2辺に沿って、走査線駆動回路63が設けられてい
る。素子基板10の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路63間を接続するための複
数の配線64が設けられている。また、対向基板20の
コーナー部の少なくとも1箇所においては、素子基板1
0と対向基板20との間を電気的に導通させるための導
通材65が設けられている。
A data line driving circuit 61 and mounting terminals 62 are provided along one side of the element substrate 10 in a region outside the sealing material 41 of the element substrate 10, and along two sides adjacent to the one side. , A scanning line drive circuit 63 is provided. A plurality of wirings 64 for connecting the scanning line drive circuits 63 provided on both sides of the screen display area are provided on the remaining side of the element substrate 10. The element substrate 1 is provided at least at one corner of the counter substrate 20.
A conductive material 65 is provided to electrically connect 0 and the counter substrate 20.

【0050】次に、図6を参照してパネル組立工程につ
いて説明する。素子基板10(TFT基板)と対向基板
20とは、別々に製造される。ステップS1 ,S6 で夫
々用意されたTFT基板及び対向基板20に対して、次
のステップS2 ,S7 では、配向膜16,22となるポ
リイミド(PI)を塗布する。次に、ステップS3 ,S
8 において、素子基板10表面の配向膜16及び対向基
板20表面の配向膜22に対して、ラビング処理を施
す。このラビング処理は図1のラビング装置を用いて行
われる。
Next, the panel assembling process will be described with reference to FIG. The element substrate 10 (TFT substrate) and the counter substrate 20 are manufactured separately. Polyimide (PI) to be the alignment films 16 and 22 is applied to the TFT substrate and the counter substrate 20 prepared in steps S1 and S6, respectively, in the next steps S2 and S7. Next, steps S3 and S
In 8, the rubbing process is performed on the alignment film 16 on the surface of the element substrate 10 and the alignment film 22 on the surface of the counter substrate 20. This rubbing process is performed using the rubbing apparatus shown in FIG.

【0051】次に、ステップS4 ,S9 において、洗浄
工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生
じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工程が終了
すると、ステップS5 において、シール材41(図2参
照)を形成する。次に、ステップS10で、素子基板10
と対向基板20とを貼り合わせ、ステップS11でアライ
メントを施しながら圧着し、シール材41を硬化させ
る。最後に、ステップS12において、シール材41の一
部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞い
で液晶を封止する。
Next, in steps S4 and S9, a cleaning process is performed. This cleaning step is for removing dust generated by the rubbing process. When the cleaning process is completed, the sealing material 41 (see FIG. 2) is formed in step S5. Next, in step S10, the element substrate 10
And the counter substrate 20 are attached to each other, and pressure is applied while performing alignment in step S11 to cure the sealing material 41. Finally, in step S12, the liquid crystal is sealed from the notch provided in a part of the sealing material 41, and the notch is closed to seal the liquid crystal.

【0052】本実施の形態においては、図1に示すラビ
ング装置によってステップS3 ,S8 のラビング処理が
行われる。
In the present embodiment, the rubbing apparatus shown in FIG. 1 performs the rubbing processing in steps S3 and S8.

【0053】図1において、ラビング装置は、ラビング
ステージ100及びラビングロール102を有してい
る。ラビングステージ100上には液晶基板101が載
置されるようになっている。基板101は、例えば、貼
り合わせ前のポリイミド塗布後の素子基板10(図5参
照)である。ラビングステージ100とラビングロール
102とは相対的に移動自在であり、図1では、例え
ば、ラビングステージ100がラビングロール102に
対して矢印にて示す水平方向に相対的に移動することを
示している。
In FIG. 1, the rubbing apparatus has a rubbing stage 100 and a rubbing roll 102. A liquid crystal substrate 101 is placed on the rubbing stage 100. The substrate 101 is, for example, the element substrate 10 (see FIG. 5) after polyimide application before bonding. The rubbing stage 100 and the rubbing roll 102 are relatively movable, and in FIG. 1, for example, the rubbing stage 100 moves relative to the rubbing roll 102 in the horizontal direction indicated by the arrow. .

【0054】ラビングステージ100の移動によって、
液晶基板101はその表面に平行で、ラビングロール1
02の回転軸に略垂直な方向に移動自在である。液晶基
板101の搬送路の上方に、ラビングロール102が設
けられている。
By moving the rubbing stage 100,
The liquid crystal substrate 101 is parallel to the surface of the rubbing roll 1.
It is movable in a direction substantially perpendicular to the rotation axis of 02. A rubbing roll 102 is provided above the transport path of the liquid crystal substrate 101.

【0055】ラビングロール102は、円柱形状に構成
され、円中心を軸にして周方向に回動自在である。ラビ
ングロール102の周面には、ベルベット状の生地、例
えばレーヨンで形成されたラビング布103が巻かれて
いる。ラビング布103の表面からはラビング布103
に編み込まれた所定の長さのフィラメント104が伸び
ている。
The rubbing roll 102 is formed in a cylindrical shape and is rotatable in the circumferential direction about the center of the circle. On the peripheral surface of the rubbing roll 102, a velvet cloth, for example, a rubbing cloth 103 made of rayon is wound. From the surface of the rubbing cloth 103,
The filament 104 having a predetermined length woven into the filament is stretched.

【0056】ラビングステージ100及びラビングロー
ル102の少なくとも一方は垂直方向にも移動自在であ
る。図1の例では、ラビングステージ100が垂直方向
に移動自在である例を示している。
At least one of the rubbing stage 100 and the rubbing roll 102 is also movable in the vertical direction. In the example of FIG. 1, the rubbing stage 100 is movable in the vertical direction.

【0057】ラビングステージ100の水平及び垂直方
向の移動は、夫々基板面方向移動モータ85及び上下移
動モータ84によって行われるようになっている。基板
面方向移動モータ85は、制御回路82に制御されて、
ラビングステージ100を水平方向(基板面方向)に駆
動する。また、上下移動モータ84は、後述する押込み
量制御部83に制御されて、ラビングステージ100を
垂直方向に駆動する。押込み量制御部83は、ラビング
強度を安定化させるために一定の最適な押込み量が得ら
れるように、ラビングステージ100の垂直方向の移動
を制御する。
The horizontal and vertical movements of the rubbing stage 100 are performed by a substrate surface direction movement motor 85 and a vertical movement motor 84, respectively. The board surface direction moving motor 85 is controlled by the control circuit 82,
The rubbing stage 100 is driven in the horizontal direction (substrate surface direction). The vertical movement motor 84 drives the rubbing stage 100 in the vertical direction under the control of the pushing amount control unit 83 described later. The pushing amount control unit 83 controls the vertical movement of the rubbing stage 100 so that a certain optimum pushing amount is obtained in order to stabilize the rubbing strength.

【0058】本実施の形態においては、ラビング材の摩
擦特性を検出するために摩擦感センサ80、摩擦値測定
部81及び制御回路82が設けられており、制御回路8
2は、ラビング材の摩擦特性の検出結果によって、ラビ
ング材の特性を把握するようになっている。また、ラビ
ング材の摩擦特性の検出結果に従って、押込み量の制御
を行うことにより、最適なラビング強度によるラビング
を可能にしている。
In this embodiment, a friction sensor 80, a friction value measuring section 81 and a control circuit 82 are provided to detect the friction characteristics of the rubbing material, and the control circuit 8 is provided.
In No. 2, the characteristic of the rubbing material is grasped by the detection result of the friction characteristic of the rubbing material. In addition, the amount of pushing is controlled according to the detection result of the frictional characteristics of the rubbing material to enable rubbing with the optimum rubbing strength.

【0059】即ち、ラビング時におけるラビングステー
ジ100の上方の液晶基板101の先端側には摩擦感セ
ンサ80が設けられている。摩擦感センサ80は、測定
面が液晶基板101の表面に面一に配置され、且つ測定
面の材質が略液晶基板101の表面と同様に構成され
る。摩擦感センサ80は、ラビング時における液晶基板
101の表面に対する押込み量と同一の押込み量でラビ
ングロール102のフィラメント104が測定面を擦る
ことができるような位置に配置される。
That is, a friction sensor 80 is provided on the tip side of the liquid crystal substrate 101 above the rubbing stage 100 during rubbing. The friction sensor 80 has a measurement surface flush with the surface of the liquid crystal substrate 101, and the material of the measurement surface is substantially the same as the surface of the liquid crystal substrate 101. The friction sensor 80 is arranged at a position where the filament 104 of the rubbing roll 102 can rub the measurement surface with the same pressing amount as the pressing amount with respect to the surface of the liquid crystal substrate 101 during rubbing.

【0060】なお、ラビング時に液晶基板101の表面
を擦るラビングロール102のフィラメント部分が、液
晶基板101の表面に対する押し込み量と同一の押し込
み量で測定面を擦ることができれば、摩擦感センサ80
の設置場所は限定されない。例えば、摩擦感センサ80
をラビングステージ100上方の液晶基板101の後端
側に配置してもよく、また、ステージ100の上面と異
なる平面上に設けてよい。
If the filament portion of the rubbing roll 102 rubbing the surface of the liquid crystal substrate 101 at the time of rubbing can rub the measurement surface with the same pushing amount as the pushing amount with respect to the surface of the liquid crystal substrate 101, the friction sensor 80.
The installation location of is not limited. For example, the friction sensor 80
May be disposed on the rear end side of the liquid crystal substrate 101 above the rubbing stage 100, or may be provided on a plane different from the upper surface of the stage 100.

【0061】摩擦感センサ80は、測定面をフィラメン
ト104が通過するときの垂直抗力及び摩擦力を検出し
て検出結果を摩擦値測定部81に出力するようになって
いる。摩擦値測定部81は、フィラメント104が摩擦
感センサ80の測定面を通過する間における垂直抗力及
び摩擦力から逐次摩擦係数等を求め、フィラメント10
4の滑りやすさ及びざらつきの度合い等を夫々平均摩擦
係数及び平均摩擦係数の変動として数値化し、取得した
摩擦特性に関する情報を摩擦検出結果として制御回路8
2に出力するようになっている。
The friction sensor 80 detects the vertical drag force and the friction force when the filament 104 passes through the measurement surface, and outputs the detection result to the friction value measuring section 81. The friction value measuring unit 81 obtains a successive friction coefficient and the like from the normal force and the frictional force while the filament 104 passes through the measurement surface of the friction sensor 80, and the filament 10
The slipperiness and the degree of roughness of 4 are digitized as the average friction coefficient and the variation of the average friction coefficient, respectively, and the acquired friction characteristic information is used as a friction detection result in the control circuit 8.
It is designed to output to 2.

【0062】制御回路82は、入力された摩擦検出結果
に基づいて、最適ラビング条件を算出する。制御回路8
2は求めた最適ラビング条件に応じた押し込み量を押し
込み量制御部83に設定するようになっている。
The control circuit 82 calculates the optimum rubbing condition based on the input friction detection result. Control circuit 8
2, the pushing amount according to the obtained optimum rubbing condition is set in the pushing amount control unit 83.

【0063】次に、このように構成された実施の形態の
動作について図7を参照して説明する。図7は図6中の
「ラビング工程」の具体的なフローを示すフローチャー
トである。
Next, the operation of the embodiment thus configured will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart showing a specific flow of the "rubbing step" in FIG.

【0064】本実施の形態においては、ラビング処理に
際して、先ず摩擦値を検出して押し込み量を決定するよ
うになっている。即ち、図7のステップS21において先
ず、配向膜となるポリイミドが塗布された状態の素子基
板10又は対向基板20に相当する基板101をステー
ジ100上に載置する。
In the present embodiment, during the rubbing process, the friction value is first detected to determine the pushing amount. That is, in step S21 of FIG. 7, first, the substrate 101 corresponding to the element substrate 10 or the counter substrate 20 in a state where the polyimide serving as the alignment film is applied is placed on the stage 100.

【0065】この状態で、ステージ100をラビングロ
ール102側に搬送する。また、ラビングロール102
を回転させる。ステージ100がラビングロール102
の底部近傍に到達すると、ラビング布103のフィラメ
ント104は、基板101に接触する前に、摩擦感セン
サ80の測定面に接触する。摩擦感センサ80は、測定
面がフィラメント104によって擦られることにより、
フィラメント104通過時における垂直抗力及び摩擦力
を検出して検出結果を摩擦値測定部81に出力する。
In this state, the stage 100 is conveyed to the rubbing roll 102 side. Also, the rubbing roll 102
To rotate. The stage 100 is a rubbing roll 102
When the filament 104 of the rubbing cloth 103 reaches the vicinity of the bottom of the rubbing cloth 103, the filament 104 contacts the measurement surface of the friction sensor 80 before contacting the substrate 101. In the friction sensor 80, the measurement surface is rubbed by the filament 104,
The normal force and the frictional force when passing through the filament 104 are detected and the detection result is output to the friction value measuring unit 81.

【0066】摩擦値測定部81は、摩擦感センサ80の
検出結果に基づいて摩擦係数等を逐次求め、摩擦検出結
果として制御回路82に出力する(ステップS22)。制
御回路82は、ステップS23において、入力された摩擦
検出結果に基づいてラビングロール102の特性を把握
して、最適ラビング条件を決定する。
The friction value measuring section 81 sequentially calculates the friction coefficient and the like based on the detection result of the friction sensor 80, and outputs it to the control circuit 82 as the friction detection result (step S22). In step S23, the control circuit 82 grasps the characteristics of the rubbing roll 102 based on the input friction detection result and determines the optimum rubbing condition.

【0067】摩擦値測定部81の摩擦検出結果は、フィ
ラメント104のトルク特性が反映される。即ち、摩擦
検出結果のうち垂直抗力及び摩擦力の絶対値は、フィラ
メント104の弾性力、フィラメント104の毛先の摩
耗、フィラメント104の起毛方向等に対応したものと
なる。また、摩擦検出結果のうち垂直抗力及び摩擦力の
変化は、フィラメント104の長さのばらつき、ラビン
グ布103の布厚のばらつき、フィラメント104の編
み込み密度のばらつき等に対応したものとなる。
The friction detection result of the friction value measuring section 81 reflects the torque characteristic of the filament 104. That is, the absolute values of the normal force and the frictional force among the friction detection results correspond to the elastic force of the filament 104, the wear of the tip of the filament 104, the raising direction of the filament 104, and the like. Further, changes in the normal force and the frictional force among the friction detection results correspond to variations in the length of the filament 104, variations in the thickness of the rubbing cloth 103, variations in the weaving density of the filament 104, and the like.

【0068】制御回路82は、ラビング条件として例え
ばラビングロール102の押し込み量を制御する。押し
込み量制御部83は、ステップS24において、制御回路
82が設定したラビング条件に応じた押し込み量を設定
する。これにより、上下移動モータ84が駆動されて、
ラビングロール102を上下動させる。
The control circuit 82 controls, for example, the pushing amount of the rubbing roll 102 as a rubbing condition. In step S24, the pushing amount control unit 83 sets the pushing amount according to the rubbing condition set by the control circuit 82. As a result, the vertical movement motor 84 is driven,
The rubbing roll 102 is moved up and down.

【0069】次に、ステップS25においてラビング処理
が行われる。すなわち、ラビングロール102が回転し
ながら、更にステージ100が搬送されることによっ
て、フィラメント104(ラビング布103)は、基板
101の表面を擦りながら進行する。こうして、基板1
01の全面がラビング処理される。
Next, a rubbing process is performed in step S25. That is, as the rubbing roll 102 rotates and the stage 100 is further transported, the filament 104 (rubbing cloth 103) advances while rubbing the surface of the substrate 101. Thus, the substrate 1
The entire surface of 01 is rubbed.

【0070】このように本実施の形態においては、ステ
ップS24において、摩擦検出結果に応じて押し込み量が
設定されており、ラビング布103及びフィラメント1
04等の経年変化、ロット間ばらつき等に拘わらず、常
に、最適なラビング強度でのラビングが可能である。
As described above, in the present embodiment, in step S24, the pushing amount is set according to the friction detection result, and the rubbing cloth 103 and the filament 1
Rubbing with optimum rubbing strength is always possible regardless of secular changes such as 04 and variation between lots.

【0071】ところで、フィラメント104の摩擦検出
結果によって、ラビング材の良不良を判定することも可
能である。例えば、検出した摩擦係数の絶対値が所定の
閾値よりも小さくなった場合には、ラビング材の寿命で
あるものと判断することも可能である。この場合には、
制御回路82において、寿命を判断し、操作者に警告表
示を行うようにしてもよい。
By the way, it is also possible to judge the quality of the rubbing material based on the friction detection result of the filament 104. For example, when the absolute value of the detected friction coefficient becomes smaller than a predetermined threshold value, it is possible to determine that the life of the rubbing material is reached. In this case,
The control circuit 82 may determine the life and display a warning to the operator.

【0072】また、図7において液晶基板を投入後に摩
擦測定を行ったが、液晶基板を投入することなく、事前
にラビングロールの摩擦測定検査を実施し、ラビング工
程時には検査結果に基づく押し込み量を設定するように
してもよい。
Further, in FIG. 7, the friction measurement was performed after the liquid crystal substrate was charged, but the friction measurement inspection of the rubbing roll was carried out in advance without charging the liquid crystal substrate, and the pushing amount based on the inspection result was measured during the rubbing process. It may be set.

【0073】更に、検出した垂直抗力及び摩擦力の値が
所定の設定範囲内に入るように押し込み量をフィードバ
ック制御することにより、常に最適なラビング強度での
ラビングを可能にすることができる。また、ラビング材
の寿命等により押し込み量等の制御だけでは、最適なラ
ビング条件の設定が不可能であると判断した場合には、
自動的にラビングロールを交換するようにしてもよく、
また、交換のためのメッセージを出力するようにしても
よい。
Further, by performing feedback control of the pushing amount so that the detected values of the normal force and the frictional force are within the predetermined setting range, it is possible to always perform rubbing with the optimum rubbing strength. Further, when it is determined that the optimum rubbing condition cannot be set only by controlling the pushing amount or the like depending on the life of the rubbing material,
The rubbing roll may be replaced automatically,
Also, a message for exchange may be output.

【0074】図8はこの場合の動作フローを示すフロー
チャートである。
FIG. 8 is a flow chart showing the operation flow in this case.

【0075】図8において、液晶基板101が投入され
ると、先ず、押し込み量初期値が設定されて、ラビング
処理が行われる。ラビング処理によってラビングロール
102は、液晶基板101表面を擦ると共に、摩擦感セ
ンサ80の測定面を擦る。これにより、摩擦感センサ8
0は、垂直抗力及び摩擦力を検出して摩擦値測定部81
に出力する。
In FIG. 8, when the liquid crystal substrate 101 is put in, first, the pushing amount initial value is set and the rubbing process is performed. By the rubbing process, the rubbing roll 102 rubs the surface of the liquid crystal substrate 101 and rubs the measurement surface of the friction sensor 80. As a result, the friction sensor 8
0 is a frictional value measuring unit 81 that detects the normal force and the frictional force.
Output to.

【0076】摩擦値測定部81は、摩擦感センサ80の
検出結果に基づいて摩擦係数等を求めて、摩擦測定結果
として制御回路82に出力する。制御回路82は、入力
された摩擦測定結果に基づいて最適なラビング条件を求
める。
The friction value measuring section 81 obtains the friction coefficient and the like based on the detection result of the friction sensor 80, and outputs it as the friction measurement result to the control circuit 82. The control circuit 82 determines the optimum rubbing condition based on the input friction measurement result.

【0077】この場合には、制御回路82は、求めたラ
ビング条件を例えばラビングロール102の押し込み量
に換算し、設定可能な範囲であるか否かを判定する(ス
テップS36)。設定可能な範囲である場合には、制御回
路82は、押し込み量を押し込み量制御部83に指示す
る。一方、設定不能である場合には、ステップS38にお
いて、ラビングロールを交換し、ステップS32以降の処
理を繰返す。
In this case, the control circuit 82 converts the obtained rubbing condition into, for example, the pushing amount of the rubbing roll 102, and determines whether it is within a settable range (step S36). When it is within the settable range, the control circuit 82 instructs the pushing amount control unit 83 to set the pushing amount. On the other hand, if the setting is not possible, the rubbing roll is replaced in step S38, and the processing from step S32 is repeated.

【0078】例えば、ラビングロール102のフィラメ
ント104の弾性力の低下及び摩耗が小さく、また、長
さのばらつき、編み込み密度のばらつき、起毛方向のば
らつき等が比較的小さい場合には、摩擦測定結果のうち
摩擦力は十分に大きく、そのばらつきも比較的小さい。
この場合には、制御回路82が求めた押し込み量は設定
可能な範囲となり、測定したラビングロール102をそ
のまま用いたラビングが行われる。
For example, when the decrease in elastic force and wear of the filament 104 of the rubbing roll 102 is small, and the variation in length, the variation in the weaving density, the variation in the raising direction, etc. are relatively small, the friction measurement results Of these, the frictional force is sufficiently large and its variation is relatively small.
In this case, the pushing amount obtained by the control circuit 82 is in a settable range, and rubbing is performed using the measured rubbing roll 102 as it is.

【0079】逆に、フィラメント104の弾性力の低下
及び摩耗が大きくなると、摩擦力は小さくなり、或い
は、ばらつきが比較的大きくなることが考えられる。こ
の場合には、制御回路82が摩擦測定結果に基づいて算
出した押し込み量は設定可能な範囲を超えることがあ
る。この場合には、制御回路82は、処理をステップS
38に移行させ、不良のラビングロールを使用したラビン
グが行われることを防止する。
On the contrary, when the elastic force of the filament 104 is reduced and the wear thereof is increased, the frictional force may be decreased or the variation may be relatively increased. In this case, the pushing amount calculated by the control circuit 82 based on the friction measurement result may exceed the settable range. In this case, the control circuit 82 performs the process in step S
Move to 38 to prevent rubbing using a defective rubbing roll.

【0080】これにより、常に適正なラビングが可能と
なり、配向むら及び電気光学特性の劣化が確実に防止さ
れる。
As a result, proper rubbing is always possible, and uneven alignment and deterioration of electro-optical characteristics are surely prevented.

【0081】なお、押し込み量が設定可能な範囲内であ
るか否かによってラビング材の寿命を判断する例につい
て説明したが、初期の摩擦係数に対して、所定の変化率
以上の変化率で摩擦係数が変化した場合に、ラビング材
の寿命と判定するようにしてもよい。
An example in which the life of the rubbing material is judged depending on whether or not the pushing amount is within a settable range has been described. The friction coefficient is changed at a rate of change equal to or higher than a predetermined change rate with respect to the initial friction coefficient. When the coefficient changes, it may be determined that the life of the rubbing material is reached.

【0082】[0082]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ラ
ビング材の特性を摩擦センサによって検出することによ
り、ラビング材の良不良を簡単に検出可能にして、常に
適正なラビングを実施することによって配向むら及び電
気光学特性の劣化を防止することができるという効果を
有する。
As described above, according to the present invention, by detecting the characteristics of the rubbing material by the friction sensor, it is possible to easily detect whether the rubbing material is good or bad, and always perform proper rubbing. This has the effect of preventing uneven alignment and deterioration of electro-optical characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る液晶装置の製
造装置に採用されるラビング装置及びラビングロールを
模式的に示す説明図。
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a rubbing device and a rubbing roll adopted in a liquid crystal device manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素にお
ける各種素子、配線等の等価回路図。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels forming a pixel region of a liquid crystal device.

【図3】TFT基板等の素子基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
FIG. 3 is a plan view of an element substrate such as a TFT substrate as viewed from the counter substrate side together with the constituent elements formed thereon.

【図4】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組立工程終了後の液晶装置を、図4のH−H'線
の位置で切断して示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the liquid crystal device after the assembly process in which the element substrate and the counter substrate are attached to each other and the liquid crystal is sealed, taken along line HH ′ in FIG. 4;

【図5】液晶装置を詳細に示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a liquid crystal device in detail.

【図6】パネル組立工程を示すフローチャート。FIG. 6 is a flowchart showing a panel assembly process.

【図7】第1の実施の形態の作用を説明するためのフロ
ーチャート。
FIG. 7 is a flowchart for explaining the operation of the first embodiment.

【図8】第1の実施の形態の作用を説明するためのフロ
ーチャート。
FIG. 8 is a flowchart for explaining the operation of the first embodiment.

【図9】ラビング装置を示す模式図。FIG. 9 is a schematic view showing a rubbing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

80…摩擦感センサ 81…摩擦値測定部 82…制御回路 83…押し込み量制御部 84…上下移動モータ 100…ステージ 101…液晶基板 102…ラビングロール 103…ラビング布 104…フィラメント 80 ... Friction sensor 81 ... Friction value measuring unit 82 ... Control circuit 83 ... Push-in amount controller 84 ... Vertical movement motor 100 ... stage 101 ... Liquid crystal substrate 102 ... Rubbing roll 103 ... rubbing cloth 104 ... Filament

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ラビングロールの摩擦特性を検出する摩
擦特性検出手段と、 前記摩擦特性検出手段の検出結果に基づいて前記ラビン
グロールの特性を取得する制御手段とを具備したことを
特徴とする液晶装置の製造装置。
1. A liquid crystal comprising: a friction characteristic detecting means for detecting a friction characteristic of a rubbing roll; and a control means for acquiring a characteristic of the rubbing roll based on a detection result of the friction characteristic detecting means. Equipment manufacturing equipment.
【請求項2】 前記制御手段は、前記摩擦特性検出手段
の検出結果に基づいて取得した前記ラビングロールの特
性に応じて、前記ラビングロールによってラビングステ
ージ上に載置された液晶基板をラビングする際のラビン
グロールの押し込み量を設定することを特徴とする請求
項1に記載の液晶装置の製造装置。
2. The rubbing roll rubbing a liquid crystal substrate placed on a rubbing stage according to the characteristics of the rubbing roll acquired based on the detection result of the frictional characteristic detecting means. The apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the pushing amount of the rubbing roll is set.
【請求項3】 前記制御手段は、前記ラビングロールの
押し込み量の設定を前記摩擦特性検出手段の検出結果に
基づいてフィードバック制御することを特徴とする請求
項2に記載の液晶装置の製造装置。
3. The apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to claim 2, wherein the control means performs feedback control of setting the pushing amount of the rubbing roll based on the detection result of the friction characteristic detection means.
【請求項4】 前記摩擦特性検出手段は、摩擦特性を検
出するための検出部分が前記ラビングステージ上の液晶
基板の表面に対する押し込み量と同一の押し込み量で前
記ラビングロールが接触する位置に配置されることを特
徴とする請求項2又は3のいずれか一方に記載の液晶装
置の製造装置。
4. The frictional characteristic detecting means is arranged at a position where a detecting portion for detecting a frictional characteristic is in contact with the rubbing roll with the same pressing amount as the pressing amount with respect to the surface of the liquid crystal substrate on the rubbing stage. 4. The liquid crystal device manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the manufacturing apparatus is a liquid crystal device manufacturing apparatus.
【請求項5】 前記制御手段は、前記摩擦特性検出手段
の検出結果に基づいて、前記ラビングロールの寿命を判
断することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製
造装置。
5. The apparatus for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the control unit determines the life of the rubbing roll based on the detection result of the frictional characteristic detection unit.
【請求項6】 ラビングロールの摩擦特性を検出する摩
擦特性検出ステップと、 前記摩擦特性の検出結果に基づいて前記ラビングロール
の特性を取得するステップとを具備したことを特徴とす
る液晶装置の製造方法。
6. A liquid crystal device manufacturing method, comprising: a friction characteristic detecting step of detecting a friction characteristic of a rubbing roll; and a step of acquiring a characteristic of the rubbing roll based on a detection result of the friction characteristic. Method.
【請求項7】 ラビングロールの摩擦特性を検出する摩
擦特性検出ステップと、 前記摩擦特性の検出結果に基づいて前記ラビングロール
の特性を取得するステップと、 前記摩擦特性の検出結果に基づいて取得した前記ラビン
グロールの特性に応じて、前記ラビングロールによって
ラビングステージ上に載置された液晶基板をラビングす
る際のラビングロールの押し込み量を設定するステップ
とを具備したことを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. A friction characteristic detecting step of detecting a friction characteristic of a rubbing roll, a step of acquiring a characteristic of the rubbing roll based on a detection result of the friction characteristic, and a step of acquiring based on a detection result of the friction characteristic. According to the characteristics of the rubbing roll, a step of setting the pushing amount of the rubbing roll when rubbing the liquid crystal substrate placed on the rubbing stage by the rubbing roll, the manufacturing of a liquid crystal device characterized by the following. Method.
【請求項8】 前記請求項1乃至請求項5のいずれか1
つに記載の液晶装置の製造装置又は前記請求項6若しく
は7のいずれか一方に記載の液晶装置の製造方法によっ
てラビング処理されたことを特徴とする液晶装置。
8. The method according to any one of claims 1 to 5.
9. A liquid crystal device that has been subjected to a rubbing treatment by the device for manufacturing a liquid crystal device according to claim 6 or the method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 6 or 7.
JP2002013482A 2002-01-22 2002-01-22 Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device Withdrawn JP2003215594A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002013482A JP2003215594A (en) 2002-01-22 2002-01-22 Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002013482A JP2003215594A (en) 2002-01-22 2002-01-22 Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003215594A true JP2003215594A (en) 2003-07-30

Family

ID=27650429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002013482A Withdrawn JP2003215594A (en) 2002-01-22 2002-01-22 Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003215594A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7482188B2 (en) 2005-12-29 2009-01-27 Lg Display Co., Ltd. Rubbing system for alignment layer of LCD and method thereof
JP2010507837A (en) * 2008-01-30 2010-03-11 ネックスコム グローバル カンパニー リミテッド Rubbing cloth defect removal device
KR100971661B1 (en) * 2003-08-21 2010-07-22 삼성전자주식회사 Equipment for aligning liquid crystal

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100971661B1 (en) * 2003-08-21 2010-07-22 삼성전자주식회사 Equipment for aligning liquid crystal
US7482188B2 (en) 2005-12-29 2009-01-27 Lg Display Co., Ltd. Rubbing system for alignment layer of LCD and method thereof
US7871838B2 (en) 2005-12-29 2011-01-18 Lg Display Co., Ltd. Rubbing system for alignment layer of LCD and method thereof
US8881671B2 (en) 2005-12-29 2014-11-11 Lg Display Co., Ltd. Rubbing system for alignment layer of LCD and method thereof
JP2010507837A (en) * 2008-01-30 2010-03-11 ネックスコム グローバル カンパニー リミテッド Rubbing cloth defect removal device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101799491B1 (en) Automatic bonding system for LCD and automatic bonding method using the same
JP2003215594A (en) Device and method for producing liquid crystal device and liquid crystal device
JP4098449B2 (en) Method for rubbing substrate for liquid crystal device
JP4381938B2 (en) Liquid crystal display panel, inspection method thereof, and inspection apparatus used therefor
JP3801002B2 (en) Liquid crystal device manufacturing apparatus, manufacturing method, and liquid crystal device
JP2003279994A (en) Manufacturing equipment and manufacturing method for liquid crystal device and liquid crystal device
KR101053303B1 (en) Inspection device and inspection method of liquid crystal display
JP3873601B2 (en) LIQUID CRYSTAL DEVICE MANUFACTURING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, LIQUID CRYSTAL SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DEVICE
JP3858618B2 (en) Liquid crystal device, manufacturing apparatus and manufacturing method thereof
JP3855646B2 (en) Liquid crystal device manufacturing apparatus and manufacturing method thereof
JP2010185920A (en) Device for inspecting alignment layer, method of inspecting alignment layer, and method for manufacturing electrooptical apparatus
KR101245902B1 (en) Fabricating Equipment for Liquid Crystal Display and Fabricating Method of Liquid Crystal Display by using the Fabricating Equipment
JP3800056B2 (en) Liquid crystal device manufacturing apparatus, manufacturing method, and liquid crystal device
KR100351126B1 (en) Method for testing alignment failure
JP2002162612A (en) Foreign matter removing method for liquid crystal device
JP2003043491A (en) Liquid crystal device and manufacturing device and manufacturing method therefor
JP3994743B2 (en) Method for manufacturing liquid crystal device and liquid crystal device
JP3932873B2 (en) Inspection apparatus and inspection method for liquid crystal panel
JP2613980B2 (en) Active matrix substrate inspection apparatus and active matrix substrate inspection method
KR20070051149A (en) Method and apparatus for testing source polarizer plate
KR100860477B1 (en) Apparatus and method for examining bad rubbing in the liquid display unit
JP2622193B2 (en) Active matrix substrate inspection apparatus and active matrix substrate inspection method
JP2003098528A (en) Manufacturing device and manufacturing method for liquid crystal device and liquid crystal device
JP2730537B2 (en) Liquid crystal display device
JPH0922016A (en) Cell gap controller and its control method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050124

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060222