JP2003213460A - Etching solution for silver-based thin film - Google Patents
Etching solution for silver-based thin filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、銀系薄膜用エッチ
ング液に関し、さらに詳しくは、高反射率を有する銀系
薄膜を使用した反射型液晶表示装置の反射体などの表示
素子用反射体、装飾用反射体、電極などをパターニング
する銀系薄膜用エッチング液に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching solution for silver-based thin films, and more specifically, a reflector for a display element such as a reflector of a reflective liquid crystal display device using a silver-based thin film having a high reflectance, The present invention relates to a silver-based thin film etching solution for patterning a decorative reflector, an electrode and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、液晶表示装置としては、バックラ
イトとして光源を内蔵する装置が使用されてきたが、こ
れらの装置は、バックライトの消費電力が高いために、
バックライトを用いる表示装置は、バックライトとして
光源を使用せず、外光を利用する反射型液晶表示装置に
代わりつつある。この反射型液晶表示装置に使用される
反射体としては、従来アルミニウム薄膜が使用されてき
たが、これらのアルミニウム薄膜は耐熱性や耐経時変化
性が劣り、十分な高反射率を維持する耐久性がなく、ま
た、一般的に光反射率があまり高くない。2. Description of the Related Art Conventionally, as liquid crystal display devices, devices having a built-in light source as a backlight have been used. However, since these devices have high power consumption of the backlight,
A display device using a backlight is being replaced with a reflective liquid crystal display device that uses external light without using a light source as a backlight. Conventionally, aluminum thin films have been used as the reflectors used in this reflective liquid crystal display device, but these aluminum thin films are inferior in heat resistance and aging resistance, and are durable enough to maintain a sufficiently high reflectance. In addition, the light reflectance is generally not very high.
【０００３】このために、アルミニウム薄膜に替えて液
晶表示素子用反射体として、銀を主成分として、Ｐｄ、
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｏなどの他の金属元素を含
む銀合金をスパッタリング法や蒸着法でガラス基板に薄
膜形成した銀系薄膜が検討されている。これらの銀系薄
膜のパターニングに使用されるエッチング液としては、
一般に、硝酸や、硫酸−酸化クロム、硫酸第２鉄などの
硫酸系、アンモニア−過酸化水素水、塩化第２鉄などの
酸性系エッチング液が使用されている。Therefore, instead of the aluminum thin film, as a reflector for a liquid crystal display element, silver as a main component, Pd,
A silver-based thin film in which a silver alloy containing another metal element such as Cu, Cr, Ti, Ni, and Mo is formed on a glass substrate as a thin film by a sputtering method or a vapor deposition method has been studied. As the etching solution used for patterning these silver-based thin films,
Generally, nitric acid, a sulfuric acid-based solution such as sulfuric acid-chromium oxide or ferric sulfate, or an acidic-based etching solution such as ammonia-hydrogen peroxide solution or ferric chloride is used.
【０００４】上記の銀系薄膜を構成する銀は、他の金属
元素に比べて光学反射率が極めて高いが、熱的経時変化
による光沢低下、白濁、湿度変化による変色など、本来
の光学反射率が低下するという問題がある。このために
銀系薄膜中に各種の金属が添加されているが、これらの
銀系薄膜を上記の酸性系エッチング液でエッチングして
パターニングした場合、一部の金属がエッチングされず
に基板上に残ってしまうという問題がある。特に、金が
添加された銀系薄膜では、該薄膜のパターニング後に、
薄膜が除去された基板上に金がエッチング残渣として残
るという問題がある。このように、光学反射率が極めて
高く、経時変化によって光沢変化のない銀系薄膜に対し
て、金属の一部がエッチング残渣として残らない銀系薄
膜用エッチング液が要望されている。The silver constituting the above-mentioned silver-based thin film has an extremely high optical reflectance as compared with other metal elements, but the original optical reflectance such as a decrease in gloss due to thermal aging, white turbidity, discoloration due to humidity change, etc. There is a problem that For this reason, various metals have been added to the silver-based thin film, but when these silver-based thin films are etched and patterned with the above-mentioned acidic etching solution, some of the metal is not etched on the substrate. There is a problem that it will remain. Particularly in the case of a silver-based thin film to which gold is added, after patterning the thin film,
There is a problem that gold remains as an etching residue on the substrate from which the thin film has been removed. As described above, there is a demand for a silver-based thin film etching solution in which a part of metal does not remain as an etching residue for a silver-based thin film having extremely high optical reflectance and no change in gloss over time.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来の銀系薄膜用エッチング液よりも、エッチング
残渣が発生せず（とくに金残渣が発生しない）、エッチ
ング精度およびエッチング速度が優れた銀系薄膜用エッ
チング液を提供することである。Therefore, an object of the present invention is that etching residues are not generated (especially, gold residues are not generated) and etching accuracy and etching rate are superior to those of conventional silver-based thin film etching solutions. Another object is to provide an etching solution for a silver-based thin film.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の本
発明によって達成される。すなわち、本発明は、沃素
（Ｉ2）３〜３０重量％と沃化物１０〜５０重量％とを
水性媒体中に含有することを特徴とする基板上に形成さ
れた銀系薄膜用エッチング液を提供する。The above object can be achieved by the present invention described below. That is, the present invention provides an etching solution for a silver-based thin film formed on a substrate, which comprises 3 to 30% by weight of iodine (I 2 ) and 10 to 50% by weight of iodide in an aqueous medium. provide.
【０００７】本発明者は、前記の課題を解決すべく鋭意
検討した結果、上記のエッチング液が、従来の銀系薄膜
用エッチング液よりも、金属、特に金のエッチング残渣
が発生せず、エッチング精度およびエッチング速度が優
れた銀系薄膜用エッチング液であることを見い出した。As a result of earnest studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that the above etching solution does not generate etching residues of metal, particularly gold, and is more effective than conventional etching solutions for silver-based thin films. It has been found that the etching solution for silver-based thin films has excellent accuracy and etching rate.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】次に好ましい実施の形態を挙げて
本発明をさらに詳しく説明する。本発明を特徴づける沃
素（Ｉ2）および沃化物の使用量は、水性媒体中におい
て、沃素の濃度が３〜３０重量％、沃化物の濃度が１０
〜５０重量％、好ましくは沃素の濃度が５〜１５重量％
および沃化物の濃度が２０〜３０重量％である。なお、
水性媒体は、通常の水道水でもよいが、イオン交換水を
用いることが好ましい。さらに水単独でもよく、少量の
水溶性有機溶剤を含有してもよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in more detail with reference to the following preferred embodiments. The amounts of iodine (I 2 ) and iodide which characterize the present invention are 3 to 30% by weight of iodine and 10 of iodide in an aqueous medium.
~ 50% by weight, preferably 5-15% by weight of iodine
And the iodide concentration is 20 to 30% by weight. In addition,
The aqueous medium may be ordinary tap water, but ion-exchanged water is preferably used. Further, water may be used alone or may contain a small amount of a water-soluble organic solvent.
【０００９】上記のエッチング液中の沃素の濃度が、上
記上限を越える場合には、銀系薄膜のエッチングに要す
る時間が長くなり、また、沃素ガスが発生しやすく作業
環境が良くない。一方、上記下限未満の場合には、エッ
チング速度が速過ぎて、エッチングのコントロールおよ
びエッチングの寸法精度の制御が難しい。また、上記の
沃化物の濃度が、上記上限を越える場合には、エッチン
グ速度が速過ぎてエッチングのコントロールおよびエッ
チングの寸法精度の制御が難しく、また、沃化物が沈殿
しやすくなり得られるエッチング液の貯蔵安定性が低下
する。一方、上記の沃化物の濃度が、上記下限未満の場
合には、エッチングにかかる時間が長くなり作業性が低
下する。沃素と沃化物との実用的な配合割合は、銀系薄
膜のエッチング時間（パターニング時間）が３０〜９０
秒間になる範囲が好ましい。If the iodine concentration in the above etching solution exceeds the above upper limit, the time required for etching the silver-based thin film becomes long, and iodine gas is liable to be generated, and the working environment is not good. On the other hand, when it is less than the lower limit, the etching rate is too fast, and it is difficult to control etching and dimensional accuracy of etching. When the above iodide concentration exceeds the above upper limit, the etching rate is too high, and it is difficult to control etching and dimensional accuracy of etching, and iodide easily precipitates. Storage stability is reduced. On the other hand, when the concentration of the iodide is less than the lower limit, the etching time becomes long and the workability deteriorates. The practical mixing ratio of iodine and iodide is such that the etching time (patterning time) of the silver-based thin film is 30 to 90.
A range of 2 seconds is preferable.
【００１０】上記の沃素および沃化物の配合割合は、上
記の実用的なエッチング時間との関係（表１）から実証
された。
＊エッチング時間（秒）は、Ａｇ９８．１重量％−Ｃｕ
１．０重量％−Ａｕ０．９重量％の銀系合金からなる厚
み１０００Åの薄膜を２５℃にてエッチング液に浸漬
し、薄膜が除去されてガラス基板が肉眼で見えるまでの
時間である。The above-mentioned mixing ratio of iodine and iodide was proved from the relation with the above practical etching time (Table 1). * Etching time (sec) is Ag 98.1 wt% -Cu
It is the time until a thin film having a thickness of 1000Å made of a silver-based alloy of 1.0 wt% -Au 0.9 wt% is immersed in an etching solution at 25 ° C. and the thin film is removed and the glass substrate is visible to the naked eye.
【００１１】前記の沃化物としては、沃化カリウム、沃
化ナトリウム、沃化アンモニウム、沃化セリウム、沃化
バリウム、沃化スズなどの金属沃化物および非金属沃化
物など、およびそれらの混合物、好ましくは沃化カリウ
ム、沃化ナトリウムおよび沃化アンモニウムが挙げられ
る。これらの沃化物は、１０〜５０重量％の水溶液に調
製して使用する。上記の水溶液に必要量の沃素を添加し
て、本発明のエッチング液を調製する。Examples of the above-mentioned iodides include metal iodides such as potassium iodide, sodium iodide, ammonium iodide, cerium iodide, barium iodide and tin iodide, and non-metal iodides, and mixtures thereof. Preferred are potassium iodide, sodium iodide and ammonium iodide. These iodides are used by preparing them in an aqueous solution of 10 to 50% by weight. A necessary amount of iodine is added to the above aqueous solution to prepare the etching solution of the present invention.
【００１２】また、本発明のエッチング液は、必要に応
じて、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリ
エチレングリコール脂肪酸エステル、ポリエチレングリ
コールアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、
脂肪酸モノグリセリド、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニールエーテルなどのノニオン界面活性剤や、その
他、カチオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、両性界
面活性剤などの界面活性剤を、本発明の目的を妨げない
範囲において添加して使用することができる。その添加
量は本発明のエッチング液に対して０．１〜０．２重量
％が好ましい。Further, the etching solution of the present invention contains polyethylene glycol alkyl ether, polyethylene glycol fatty acid ester, polyethylene glycol alkyl ether, sorbitan fatty acid ester, if necessary.
Nonionic surfactants such as fatty acid monoglyceride and polyoxyethylene alkyl phenyl ether, and other surfactants such as cationic surfactants, anionic surfactants and amphoteric surfactants are added within a range not hindering the object of the present invention. Can be used. The addition amount is preferably 0.1 to 0.2% by weight with respect to the etching solution of the present invention.
【００１３】本発明に使用する銀系薄膜は、光学反射率
が極めて高く、経時変化によって光沢変化のない銀系薄
膜であり、Ａｕを含むＡｇを主成分とし、さらにＣｕ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉ
ｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｗ、Ｆｅなどのうちの少なくとも１種
の元素を含む銀合金からなる薄膜であり、好ましくはＡ
ｇ（９５．０〜９９．０重量％）−Ｃｕ（５．０〜２．
５重量％）−Ａｕ（０．５〜４．０重量％）の銀合金か
らなる薄膜で、かつ反射率が６５０ｎｍにて９５〜９８
％である銀系薄膜である。これらの銀系薄膜は、公知の
スパッタリング法や蒸着法によって、基板表面に１００
〜１０，０００Åの厚みに積層形成される。上記の銀系
薄膜は、前記の外光を利用する反射型液晶表示装置に使
用される反射体として好ましく使用することができる。The silver-based thin film used in the present invention is a silver-based thin film having an extremely high optical reflectance and no change in gloss over time. It contains Ag containing Au as a main component, and further contains Cu,
Pt, Al, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, Si, I
A thin film made of a silver alloy containing at least one element selected from the group consisting of n, Mo, Pd, W and Fe, and preferably A
g (95.0-99.0% by weight) -Cu (5.0-2.
5% by weight) -Au (0.5 to 4.0% by weight), which is a thin film made of a silver alloy and has a reflectance of 95 to 98 at 650 nm.
% Is a silver-based thin film. These silver-based thin films are formed on the substrate surface by a known sputtering method or vapor deposition method.
Laminated to a thickness of ~ 10,000Å. The silver-based thin film described above can be preferably used as a reflector used in the reflection type liquid crystal display device utilizing the external light.
【００１４】上記銀系薄膜を形成させる基板としては、
液晶表示装置用無アルカリガラス、プラズマディスプレ
イ用ガラス、ソーダーライムガラス、フロートガラスな
どのガラス基板や、これらのガラス面に本発明のエッチ
ング液に対して耐エッチング性がある金属または金属酸
化物、例えば、好ましくはチタン、酸化インジウム、酸
化スズ、酸化チタン、酸化珪素などを公知のスパッタリ
ング法や蒸着法によって数１０Å〜１００Å程度の透明
の薄膜を形成したガラス基板が挙げられる。As a substrate on which the silver-based thin film is formed,
Alkali-free glass for liquid crystal display, glass for plasma display, soda lime glass, glass substrates such as float glass, and metals or metal oxides having etching resistance to the etching solution of the present invention on these glass surfaces, for example, Of these, a glass substrate having a transparent thin film of several tens of Å to 100 Å formed by a known sputtering method or vapor deposition method is preferable, for example, titanium, indium oxide, tin oxide, titanium oxide, or silicon oxide.
【００１５】本発明のエッチング液を使用したエッチン
グ方法の１例として、反射型液晶表示装置の反射体のパ
ターニングが挙げられる。該反射体のパターニング方法
は、次の第一工程〜第四工程からなる。第一工程は、前
記ガラス基板に、前記銀合金を用いてスパッタリング法
や蒸着法によって厚み１００〜１０，０００Åの銀系薄
膜を形成する。As an example of the etching method using the etching solution of the present invention, patterning of the reflector of the reflective liquid crystal display device can be mentioned. The patterning method of the reflector comprises the following first to fourth steps. In the first step, a silver-based thin film having a thickness of 100 to 10,000 Å is formed on the glass substrate by using the silver alloy by a sputtering method or a vapor deposition method.
【００１６】第二工程は、上記の銀系薄膜の表面にポジ
型レジスト（例えば、東京応化製、ＯＦＰＲ−８００）
を使用して、公知のコーティング方法、例えば、浸漬
法、カーテンコート、ロールコート、スプレイコート、
スピンコート、フローコート法などで塗布し、５０〜９
０℃の雰囲気下で乾燥して、０．５〜１．２μｍの膜厚
（乾燥膜厚）に調製する。In the second step, a positive type resist (for example, OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka) is formed on the surface of the silver-based thin film.
Using a known coating method, for example, dipping method, curtain coating, roll coating, spray coating,
50 to 9 by spin coating, flow coating, etc.
It is dried in an atmosphere of 0 ° C. to prepare a film thickness (dry film thickness) of 0.5 to 1.2 μm.
【００１７】第三工程は、上記の工程のレジスト膜に所
望のパターンを介してキセノンや超高圧水銀灯などから
の紫外線または電子線にて露光描画し、その後、アルカ
リ現像液、例えば、炭酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン
などを使用してスプレイ法、浸漬法などの方法にて現像
し、必要に応じてレジスト膜を硬化処理して銀系薄膜と
レジスト膜との密着性を強固にしてエッチングマスクを
形成する。In the third step, the resist film of the above step is exposed and drawn with ultraviolet rays or an electron beam from a xenon or ultra-high pressure mercury lamp through a desired pattern, and then an alkaline developing solution such as sodium carbonate, Adhesion between the silver-based thin film and the resist film by developing using a spray method, dipping method, etc. using sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, choline, etc., and curing the resist film if necessary. To form an etching mask.
【００１８】第四工程は、上記のエッチングマスクを形
成した基板を、本発明のエッチング液を使用して、エッ
チング液の液温を２０〜２５℃にて、エッチング液を濾
過循環しながら、スプレイ法、浸漬法などの方法にて３
０秒間〜２分間エッチングし、銀系薄膜をパターニング
する。なお、浸漬法においては、エッチング液を循環濾
過しなくても使用することができる。また、エッチング
は必要に応じて、超音波照射を併用して行なうことがで
きる。The fourth step is to spray the substrate on which the above etching mask is formed with the etching liquid of the present invention at a liquid temperature of the etching liquid of 20 to 25 ° C. while filtering and circulating the etching liquid. Method, dipping method, etc. 3
The silver-based thin film is patterned by etching for 0 second to 2 minutes. In the immersion method, the etching solution can be used without circulating filtration. In addition, etching can be performed by using ultrasonic irradiation in combination, if necessary.
【００１９】[0019]
【実施例】次に実施例および比較例を挙げて本発明をさ
らに詳しく説明する。なお、文中「部」または「％」と
あるのは特に断りのない限り重量基準である。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. In the text, "part" or "%" is based on weight unless otherwise specified.
【００２０】実施例１〜５、比較例１〜４（エッチング
液の調製）
下記の成分を均一に溶解撹拌分散し、本発明のエッチン
グ液Ｕ１〜Ｕ５および比較例のエッチング液Ｗ１〜Ｗ４
を調製した。Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 (Preparation of Etching Solution) The following components were uniformly dissolved and stirred and dispersed, and the etching solutions U1 to U5 of the present invention and the etching solutions W1 to W4 of the comparative example were prepared.
Was prepared.
【００２１】実施例１（エッチング液Ｕ１） ・沃素 ５．０部 ・沃化カリウム ２５．０部 ・イオン交換水 ７０．０部Example 1 (Etching liquid U1) ・ Iodine 5.0 parts ・ Potassium iodide 25.0 parts ・ Ion-exchanged water 70.0 parts
【００２２】実施例２（エッチング液Ｕ２） ・沃素 １０．０部 ・沃化カリウム ２５．０部 ・イオン交換水 ６５．０部Example 2 (Etching liquid U2) ・ Iodine 10.0 parts ・ Potassium iodide 25.0 parts ・ Ion-exchanged water 65.0 parts
【００２３】実施例３（エッチング液Ｕ３） ・沃素 １５．０部 ・沃化カリウム ３０．０部 ・イオン交換水 ５５．０部Example 3 (Etching liquid U3) ・ Iodine 15.0 parts ・ Potassium iodide 30.0 parts ・ Ion-exchanged water 55.0 parts
【００２４】実施例４（エッチング液Ｕ４） ・沃素 ５．０部 ・沃化アンモニウム ２５．０部 ・イオン交換水 ７０．０部Example 4 (Etching solution U4) ・ Iodine 5.0 parts ・ Ammonium iodide 25.0 parts ・ Ion-exchanged water 70.0 parts
【００２５】実施例５（エッチング液Ｕ５） ・沃素 １５．０部 ・沃化ナトリウム ３０．０部 ・イオン交換水 ５５．０部Example 5 (Etching liquid U5) ・ Iodine 15.0 parts ・ Sodium iodide 30.0 parts ・ Ion-exchanged water 55.0 parts
【００２６】比較例１（エッチング液Ｗ１） ・リン酸 ６０．０部 ・硝酸 ５．０部 ・酢酸 ３．０部 ・イオン交換水 ３２．０部Comparative Example 1 (Etching liquid W1) ・ Phosphoric acid 60.0 parts ・ Nitric acid 5.0 parts ・ Acetic acid 3.0 parts ・ Ion-exchanged water 32.0 parts
【００２７】比較例２（エッチング液Ｗ２） ・塩化第二鉄 ５０．０部 ・イオン交換水 ５０．０部Comparative Example 2 (Etching liquid W2) ・ Ferric chloride 50.0 parts ・ Ion-exchanged water 50.0 parts
【００２８】比較例３（エッチング液Ｗ３） ・硝酸 ５０．０部 ・イオン交換水 ５０．０部Comparative Example 3 (Etching liquid W3) ・ Nitric acid 50.0 parts ・ Ion-exchanged water 50.0 parts
【００２９】比較例４（エッチング液Ｗ４） ・硫酸（９８％） ５０．０部 ・イオン交換水 ５０．０部Comparative Example 4 (Etching liquid W4) ・ Sulfuric acid (98%) 50.0 parts ・ Ion-exchanged water 50.0 parts
【００３０】実施例６〜１０、比較例５〜８
液晶表示装置用無アルカリガラス上に酸化珪素をスパッ
タリング加工（膜厚１００Å）した基板上に、Ａｇ９
８．１％−Ｃｕ１．０％−Ａｕ０．９％の合金をスパッ
タリングして形成した銀系薄膜（膜厚１０００Å）を形
成した。この薄膜上にポジ型レジスト（東京応化製、Ｏ
ＦＰＲ−８００）を０．５〜１．２μｍの膜厚（乾燥膜
厚）に塗布しレジスト膜を形成した。露光後、公知のア
ルカリ現像液にてスプレイ現像した。その後、レジスト
膜をベーキング硬化してエッチングマスクを形成し、前
記実施例および比較例のそれぞれのエッチング液を用い
て、液温２５℃の条件下において、浸漬法にて銀系薄膜
をエッチングした。エッチング物を洗浄後、基板上の金
属残渣によるエッチング精度を下記の測定方法により測
定した。Examples 6 to 10 and Comparative Examples 5 to 8 Ag9 was formed on a substrate obtained by sputtering silicon oxide on a non-alkali glass for liquid crystal display (film thickness 100 Å).
A silver-based thin film (thickness 1000Å) formed by sputtering an alloy of 8.1% -Cu1.0% -Au0.9% was formed. A positive type resist (Tokyo Ohka, O
FPR-800) was applied to a film thickness (dry film thickness) of 0.5 to 1.2 μm to form a resist film. After exposure, spray development was performed using a known alkaline developer. After that, the resist film was baked and cured to form an etching mask, and the silver-based thin film was etched by the dipping method under the condition of the liquid temperature of 25 ° C. using each of the etching liquids of the examples and the comparative examples. After cleaning the etching product, the etching accuracy due to the metal residue on the substrate was measured by the following measuring method.
【００３１】（エッチング精度）前述の方法でエッチン
グされた銀系薄膜を有する基板を、倍率１０００の顕微
鏡およびエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）を使
用して、開口部（銀系薄膜が除去された部分）のガラス
基板上の銀系薄膜のエッチング残渣を下記の基準にて判
定した。評価結果を表２に示す。
評価点：
◎：エッチング不良によるエッチング残渣が認められな
い。
×：エッチング不良によるエッチング残渣が認められ
る。
Ａ○：Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕの残渣が認められない。
Ａ×：ＡｇおよびＡｕの残渣が認められる。(Etching accuracy) The substrate having the silver-based thin film etched by the above-mentioned method was used to remove the opening (the silver-based thin film was removed by using a microscope with a magnification of 1000 and an energy dispersive X-ray analyzer (EDX). The etching residue of the silver-based thin film on the glass substrate was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 2. Evaluation point: ⊚: No etching residue due to poor etching is observed. X: An etching residue due to poor etching is recognized. A ◯: Residues of Ag, Cu and Au are not recognized. Ax: Residues of Ag and Au are observed.
【００３２】 [0032]
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明によれば、従来の銀系薄膜用エッ
チング液よりも、エッチング残渣が発生せず（とくに金
残渣が発生しない）、エッチング精度およびエッチング
速度が優れた銀系薄膜用エッチング液を提供することが
できる。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, an etching residue is not generated (especially, no gold residue is generated), and etching accuracy and etching rate are excellent as compared with the conventional silver-based thin film etching solution. A liquid can be provided.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA18 HA01 HA02 HA04 HA21 MA20 2H091 FA14Y FB08 FC02 FC26 FD23 GA01 GA02 GA07 LA12 2H092 HA05 KB13 MA04 MA05 MA18 NA25 PA01 PA12 4K057 WA01 WA10 WA11 WB01 WE01 WF10 WN01 5F043 AA26 BB18 DD10 DD13 DD30 EE21 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F term (reference) 2H088 FA18 HA01 HA02 HA04 HA21 MA20 2H091 FA14Y FB08 FC02 FC26 FD23 GA01 GA02 GA07 LA12 2H092 HA05 KB13 MA04 MA05 MA18 NA25 PA01 PA12 4K057 WA01 WA10 WA11 WB01 WE01 WF10 WN01 5F043 AA26 BB18 DD10 DD13 DD30 EE21
Claims (6)
重量％とを水性媒体中に含有することを特徴とする基板
上に形成された銀系薄膜用エッチング液。1. Iodine 3 to 30% by weight and iodide 10 to 50
An etching solution for a silver-based thin film formed on a substrate, characterized in that the etching solution contains 100% by weight in an aqueous medium.
ムおよび沃化アンモニウムから選ばれる少なくとも１種
である請求項１に記載の銀系薄膜用エッチング液。2. The silver-based thin film etching solution according to claim 1, wherein the iodide is at least one selected from potassium iodide, sodium iodide and ammonium iodide.
し、さらにＣｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、ＷおよびＦｅから
選ばれる少なくとも１種の元素からなる銀合金薄膜であ
る請求項１に記載の銀系薄膜用エッチング液。3. The silver-based thin film is mainly composed of Ag containing Au, and further contains Cu, Pt, Al, Ta, Cr, Ti and N.
The silver-based thin film etching solution according to claim 1, which is a silver alloy thin film made of at least one element selected from i, Co, Si, In, Mo, Pd, W, and Fe.
量％、Ｃｕ０．５〜２．５重量％およびＡｕ０．５〜
４．０重量％からなる請求項１〜３のいずれか１項に記
載の銀系薄膜用エッチング液。4. The silver-based thin film comprises Ag 95.0-99.0 wt%, Cu 0.5-2.5 wt% and Au 0.5-.
4. The silver-based thin film etching solution according to claim 1, which comprises 4.0% by weight.
ンジウム、酸化スズ、酸化チタンおよび酸化珪素のいず
れか１種からなる透明薄膜を被覆したガラスである請求
項１に記載の銀系薄膜用エッチング液。5. The etching for silver-based thin films according to claim 1, wherein the substrate is glass or glass coated with a transparent thin film made of any one of titanium, indium oxide, tin oxide, titanium oxide and silicon oxide. liquid.
ッチング液を使用することを特徴とする銀系薄膜のエッ
チング方法。6. A method for etching a silver-based thin film, which comprises using the etching solution according to claim 1.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008111389A1 (en) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Etching solution and etching method |
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-
2002
- 2002-01-16 JP JP2002007003A patent/JP2003213460A/en active Pending
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