JP2003208583A - Contact type data carrier - Google Patents

Contact type data carrier

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JP2003208583A JP2002005423A JP2002005423A JP2003208583A JP 2003208583 A JP2003208583 A JP 2003208583A JP 2002005423 A JP2002005423 A JP 2002005423A JP 2002005423 A JP2002005423 A JP 2002005423A JP 2003208583 A JP2003208583 A JP 2003208583A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact type data carrier that can eliminate erroneous demodulation even when a skew occurs between signals applied to connection terminals VA and VB. <P>SOLUTION: The contact type data carrier rectifies signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals VA and VB to cover electric power for internal circuits, generates an internal processing clock signal from the opposite phase signal components, and demodulates a received signal component. An internal impedance regulating means 120 switches the impedance of the internal circuits to a high level when the opposite phase signal components are changed, and the internal circuit impedance to a low level when a data signal is demodulated. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電力、クロック、
データの3つの信号を、2線のインターフェースにて伝
送することでリーダライタユニットと通信を行う接触式
データキャリアに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to power, clock,
The present invention relates to a contact-type data carrier that communicates with a reader / writer unit by transmitting three signals of data with a two-wire interface.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来の接触式データキャリアを示
す。501は整流回路、502は受信信号復調回路、5
03はクロック発生回路、504はロジック回路、50
5は不揮発性メモリ、506は送信信号変調回路、50
7,508は外部との接続端子で、以後の説明において
はそれぞれ接続端子VA,VBと記す。
2. Description of the Related Art FIG. 8 shows a conventional contact type data carrier. 501 is a rectifier circuit, 502 is a received signal demodulation circuit, 5
03 is a clock generation circuit, 504 is a logic circuit, 50
5 is a non-volatile memory, 506 is a transmission signal modulation circuit, 50
Reference numerals 7 and 508 denote external connection terminals, which will be referred to as connection terminals VA and VB, respectively, in the following description.

【0003】図示しないリーダライタユニット(以後、
R/Wと記す)から接続端子VA,VBに入力された信
号を、整流回路501にて整流して内部電源Vddおよ
び内部グランドVssを発生させる。この時、内部電源
Vddにはまだ信号成分が多重されたままであり、これ
を受信信号復調回路502にて信号成分を抽出して復調
を行うことで、デジタルの受信データ513が得られ
る。
A reader / writer unit (not shown) (hereinafter,
A signal input from the R / W) to the connection terminals VA and VB is rectified by the rectifier circuit 501 to generate the internal power supply Vdd and the internal ground Vss. At this time, the signal component is still multiplexed in the internal power supply Vdd, and the received signal demodulation circuit 502 extracts the signal component and demodulates it, whereby digital received data 513 is obtained.

【0004】この受信データ513をロジック回路50
4に入力してプロトコル処理を行い、必要に応じて不揮
発性メモリ505とデータのやり取りを行う。また、お
なじく接続端子VA,VBに入力された信号からクロッ
ク発生回路503にてクロック抽出を行い、内部処理ク
ロック信号を発生させる。
The received data 513 is transferred to the logic circuit 50.
4 to perform protocol processing, and exchange data with the non-volatile memory 505 as necessary. The clock generation circuit 503 extracts a clock from the signals input to the connection terminals VA and VB, and generates an internal processing clock signal.

【0005】データキャリアから前記R/Wへデータを
送信する場合には、送信信号変調回路506にて所定の
形に変調した後、接続端子VA,VBを介して信号を前
記R/Wへ伝送する。この時、一般にはロードスイッチ
方式として接続端子VA,VB間のインピーダンスをス
イッチにより送信データに応じて切り換えることによ
り、インピーダンスの変化を前記R/Wに読み取らせて
伝送を行う方法がよく用いられる。
When transmitting data from the data carrier to the R / W, the signal is transmitted to the R / W via the connection terminals VA and VB after being modulated into a predetermined shape by the transmission signal modulation circuit 506. To do. At this time, generally, as a load switch method, a method is often used in which the impedance between the connection terminals VA and VB is switched by a switch according to transmission data, and the change in impedance is read by the R / W to perform transmission.

【0006】図9は前記R/Wからの信号受信時の具体
的な信号波形例を示す。図のように、接続端子VA,V
Bへの印加信号波形は互いに逆相のクロック信号であ
り、それに振幅変調の受信信号成分が多重されて伝送さ
れるため、受信データ信号が”0”論理の場合に、振幅
が変調電圧分ΔVだけ下がった波形となる。また、受信
データ信号の変化点のタイミングは、接続端子VAもし
くは接続端子VBの安定した”H”期間に発生するよう
通信仕様に規定されているものとする。
FIG. 9 shows an example of a concrete signal waveform when a signal is received from the R / W. As shown in the figure, the connection terminals VA, V
The waveforms of the signals applied to B are clock signals of opposite phases, and the amplitude-modulated received signal components are multiplexed and transmitted. Therefore, when the received data signal is "0" logic, the amplitude is the modulation voltage component ΔV. The waveform is lowered only by. Further, it is assumed that the timing of the change point of the received data signal is defined in the communication specifications so that it occurs in the stable "H" period of the connection terminal VA or the connection terminal VB.

【0007】このような印加信号から、図8のクロック
発生回路503により内部処理クロック信号514が図
のように抽出されて、ロジック回路504の動作クロッ
クとして提供される。
From such an applied signal, an internal processing clock signal 514 is extracted by the clock generation circuit 503 of FIG. 8 as shown in the figure and provided as an operation clock of the logic circuit 504.

【0008】また、整流回路501で整流された内部V
dd511の波形としては、内部Vssを基準としてみ
た場合に、図のように、受信データが”0”論理の場合
にΔVだけ下がった波形となる。また、クロックの切り
換わり点において接続端子VA−VB間電圧が一旦下が
るため、内部回路のインピーダンスに応じて小さなノイ
ズが発生する。この波形を復調回路502にて復調する
と復調後受信データ513が得られる。復調回路502
は信号波形の電圧変化を検出して復調を行うエッジ検出
型となっており、図のように変調電圧ΔV分の立ち下が
りを検出して論理”0”を、また、立ち上がりを検出し
て論理”1”を出力する。
Further, the internal V rectified by the rectifying circuit 501
As a waveform of dd511, when the internal Vss is used as a reference, as shown in the figure, when the received data is a “0” logic, the waveform is lowered by ΔV. Further, since the voltage between the connection terminals VA and VB once drops at the clock switching point, a small noise is generated according to the impedance of the internal circuit. When this waveform is demodulated by the demodulation circuit 502, demodulated reception data 513 is obtained. Demodulation circuit 502
Is an edge detection type that detects a voltage change of a signal waveform and performs demodulation. As shown in the figure, a logical voltage "0" is detected by detecting the falling edge of the modulation voltage ΔV, and a logical edge is detected by detecting the rising edge. Outputs "1".

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
接続端子VA,VBへの印加信号間のスキューが大きく
なった場合に、整流後の内部Vdd511に発生するノ
イズが増大し、信号成分と誤って復調してしまう場合が
発生する。この場合のメカニズムを図10を用いて説明
する。
SUMMARY OF THE INVENTION In the above conventional method,
When the skew between the signals applied to the connection terminals VA and VB becomes large, the noise generated in the internal Vdd 511 after rectification increases, and the signal component may be erroneously demodulated. The mechanism in this case will be described with reference to FIG.

【0010】図において接続端子VA,VBへの印加信
号間にスキューが発生した場合に、内部Vdd511の
波形のノイズによる降下電圧ΔVtsは、スキューによ
る接続端子VA−VB間の電圧降下時間と、内部回路の
インピーダンスによる放電時定数によって定まる。
In the figure, when skew occurs between the signals applied to the connection terminals VA and VB, the voltage drop ΔVts due to noise in the waveform of the internal Vdd 511 is the voltage drop time between the connection terminals VA and VB due to the skew, and It is determined by the discharge time constant due to the impedance of the circuit.

【0011】復調回路502の復調特性は、基本的には
電圧変化の傾きと変化した電圧値の大きさで大部分が決
まってしまうが、ノイズによる立ち下がりの傾きと、信
号成分による立ち下がりの傾きとはどちらも等しく内部
回路のインピーダンスで決定される。
The demodulation characteristic of the demodulation circuit 502 is basically largely determined by the slope of the voltage change and the magnitude of the changed voltage value. However, the slope of the fall due to noise and the fall due to the signal component Both slopes are equal and are determined by the impedance of the internal circuit.

【0012】よって、スキューΔtsが増大することに
よって降下電圧ΔVtsが信号変調電圧分ΔVに近づい
た場合には、このノイズにより復調回路502が誤復調
を起こしてしまう。ΔVtsの増大を抑えるために、内
部回路のインピーダンスを高くした場合には復調回路の
特性が悪くなるため、通常の受信信号の復調に対して悪
影響が出てしまう。
Therefore, when the voltage drop ΔVts approaches the signal modulation voltage component ΔV due to the increase of the skew Δts, the noise causes the demodulation circuit 502 to erroneously demodulate. When the impedance of the internal circuit is increased in order to suppress the increase of ΔVts, the characteristics of the demodulation circuit deteriorate, and this adversely affects the demodulation of a normal received signal.

【0013】図10においては、復調後受信データ51
3が内部Vdd511のスキューによるノイズにより、
論理”1”から論理”0”へ復調してしまうため、本来
の正しい受信データに対して誤復調を起こしていること
を示している。これを、防ぐためには、接続端子VA,
VB間の信号間スキューを抑える必要があり、前記R/
Wの回路、または前記R/Wから接続端子VA,VBへ
の伝送路の設計制約がかなり厳しくなり、設計負担、コ
スト負担が増大するという課題がある。
In FIG. 10, the demodulated received data 51
3 is due to the noise due to the skew of the internal Vdd 511,
Since the logical "1" is demodulated to the logical "0", it indicates that the originally correct received data is erroneously demodulated. To prevent this, the connection terminals VA,
It is necessary to suppress the signal skew between VB, and
There is a problem that the design constraint of the circuit of W or the transmission path from the R / W to the connection terminals VA and VB becomes considerably strict and the design burden and cost burden increase.

【0014】本発明は、接続端子VA,VBへの印加信
号間にスキューが発生した場合であっても、誤復調を解
消できる接触式データキャリアを提供することを目的と
する。
An object of the present invention is to provide a contact type data carrier which can eliminate erroneous demodulation even when a skew occurs between the signals applied to the connection terminals VA and VB.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明では、前記R/W
からのクロック信号変化時には内部回路のインピーダン
スを高く、信号電圧振幅変化時は内部回路のインピーダ
ンスを低く調整するように構成したことを特徴とする。
According to the present invention, the R / W
It is characterized in that the impedance of the internal circuit is adjusted to be high when the clock signal changes from 0 to 1, and the impedance of the internal circuit is adjusted to be low when the signal voltage amplitude changes.

【0016】本発明の請求項1記載の接触式データキャ
リアは、第1,第2の接続端子に印加された互いに逆相
の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うとともに、
前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する内部処
理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成分に多
重された受信信号成分を復調する接触式データキャリア
において、前記逆相の信号成分の変化時に前記内部回路
のインピーダンスを高くする内部インピーダンス調整手
段を設け、前記逆相の信号成分の変化時は前記内部回路
のインピーダンスを高く、データ信号の復調時は前記内
部回路のインピーダンスを低く切り換えることを特徴と
する。
The contact type data carrier according to claim 1 of the present invention rectifies the signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals to cover the electric power of the internal circuit.
In the contact-type data carrier for creating an internal processing clock signal to be used in the internal circuit from the opposite phase signal component and demodulating a received signal component multiplexed with the opposite phase signal component, the opposite phase signal component Is provided with an internal impedance adjusting means for increasing the impedance of the internal circuit, the impedance of the internal circuit is increased when the signal component of the opposite phase changes, and the impedance of the internal circuit is switched low when the data signal is demodulated. It is characterized by

【0017】本発明の請求項2記載の接触式データキャ
リアは、第1,第2の接続端子(に印加された互いに逆
相の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うととも
に、前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する内
部処理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成分
に多重された受信信号成分を復調する接触式データキャ
リアにおいて、前記内部処理クロック信号の極性によっ
て前記内部回路のインピーダンスを高くする内部インピ
ーダンス調整手段を設け、外部から入力されたクロック
信号変化時は前記内部回路のインピーダンスを高く、デ
ータ信号の復調時は前記内部回路のインピーダンスを低
く切り換えることを特徴とする。
The contact type data carrier according to claim 2 of the present invention rectifies the signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals (to rectify the electric power of the internal circuit and to In a contact-type data carrier that creates an internal processing clock signal to be used in the internal circuit from a phase signal component and demodulates a received signal component multiplexed with the opposite phase signal component, depending on the polarity of the internal processing clock signal. Internal impedance adjusting means for increasing the impedance of the internal circuit is provided, and the impedance of the internal circuit is switched to high when the clock signal input from the outside changes, and the impedance of the internal circuit is switched to low when demodulating a data signal. And

【0018】本発明の請求項3記載の接触式データキャ
リアは、第1,第2の接続端子に印加された互いに逆相
の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うとともに、
前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する内部処
理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成分に多
重された受信信号成分を復調する接触式データキャリア
において、入力されたデータ信号の位相を検出した結果
と外部から入力されたクロック信号を基にして前記内部
処理クロック信号を生成するとともに、前記外部から入
力されたクロック信号に基づいて前記内部処理クロック
信号よりも周波数の高い伝送クロックを出力するクロッ
ク発生回路と、前記伝送クロックを計数して前記内部処
理クロック信号のレート内でのデータ信号の変化点を検
出するカウンタと、前記カウンタのカウント値により前
記内部回路のインピーダンスを切り換える内部インピー
ダンス調整手段とを設け、前記カウンタのカウント値に
よりデータ信号の変化点を予測して前記内部回路のイン
ピーダンスを切り換えることを特徴とする。
The contact type data carrier according to claim 3 of the present invention rectifies the signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals to supply the electric power of the internal circuit.
In the contact-type data carrier that creates an internal processing clock signal to be used in the internal circuit from the opposite-phase signal component and demodulates the received signal component multiplexed in the opposite-phase signal component, The internal processing clock signal is generated based on a result of detecting the phase and a clock signal input from the outside, and a transmission clock having a higher frequency than the internal processing clock signal based on the clock signal input from the outside , A counter for counting the transmission clock to detect a change point of the data signal within the rate of the internal processing clock signal, and an internal circuit for switching the impedance of the internal circuit according to the count value of the counter. Impedance adjusting means is provided, and the count value of the counter causes the data signal To predict the reduction points, characterized in that for switching the impedance of the internal circuit.

【0019】本発明の請求項4記載の接触式データキャ
リアは、請求項1〜請求項3の何れかにおいて、前記内
部インピーダンス調整手段の低インピーダンスを決定す
る素子を可変素子とすると共に、この可変素子の出力イ
ンピーダンスをメモリから読み出した初期設定データに
基づいて変化させることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the contact type data carrier according to any one of the first to third aspects, the element for determining the low impedance of the internal impedance adjusting means is a variable element, and the variable. The output impedance of the element is changed based on the initial setting data read from the memory.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を図
1〜図7に基づいて説明する。なお、従来例を示す図8
と同様の作用を成すものには同一の符号を付けて説明す
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. In addition, FIG. 8 showing a conventional example
Those having the same operation as the above will be described with the same reference numerals.

【0021】(実施の形態1)図1と図2は本発明の
(実施の形態1)の接触式データキャリアを示し、内部
インピーダンス調整手段120が追加されている点が図
8に示した構成とは異なっている。なお、この内部イン
ピーダンス調整手段120を含むデータキャリアはLS
I化して構成されている。
(Embodiment 1) FIGS. 1 and 2 show a contact type data carrier according to (Embodiment 1) of the present invention, in which an internal impedance adjusting means 120 is added, which is shown in FIG. Is different from. The data carrier including the internal impedance adjusting means 120 is LS.
It is configured as I.

【0022】必要なタイミングに応じて内部回路のイン
ピーダンスを切り換える内部インピーダンス調整手段1
20は、抵抗素子121と制御用トランジスタ122,
123とから構成されている。
Internal impedance adjusting means 1 for switching the impedance of the internal circuit according to the required timing
20 is a resistance element 121 and a control transistor 122,
And 123.

【0023】そして、本実施の形態では、Vdd−Vs
s間に接続された抵抗素子121とスイッチング素子と
しての制御用トランジスタ122,123により、前記
R/Wからのクロック信号の切り換わりによる接続端子
VA−VB間の電圧降下を検出して制御用トランジスタ
122,123を共にオフすることで内部回路のVdd
−Vss間等価抵抗を高くする。
In this embodiment, Vdd-Vs
A resistance element 121 connected between s and control transistors 122 and 123 as switching elements detect a voltage drop between the connection terminals VA and VB due to switching of the clock signal from the R / W to control transistor. By turning off both 122 and 123, Vdd of the internal circuit
Increase the equivalent resistance between −Vss.

【0024】このように構成された接触式データキャリ
アの内部インピーダンス調整動作を以下に説明する。整
流回路501により整流されたVddには、データ信号
の変調成分のほかに、前記R/Wから入力された接続端
子VA,VBへのクロック信号間にスキューがあった場
合に発生するノイズが重畳されている。ノイズによる降
下電圧が増大した場合に、受信信号復調回路502では
データ信号の変調電圧による立ち下がりと区別が困難に
なり、誤って論理”1”から論理”0”へ復調してしま
う。
The internal impedance adjusting operation of the contact type data carrier configured as described above will be described below. In addition to the modulation component of the data signal, noise generated when there is a skew between the clock signals input from the R / W to the connection terminals VA and VB is superimposed on the Vdd rectified by the rectification circuit 501. Has been done. When the voltage drop due to noise increases, it becomes difficult for the reception signal demodulation circuit 502 to distinguish it from the fall due to the modulation voltage of the data signal, and erroneously demodulates from logic “1” to logic “0”.

【0025】ノイズによる降下電圧の大きさはスキュー
の時間と内部回路のインピーダンス(放電時定数)で決
定されるので、スキューによる影響を軽減するためには
内部回路のインピーダンスを高くすればよいが、その場
合には受信したデータ信号の復調特性に悪影響を及ぼす
ため、データ信号の復調時には内部回路のインピーダン
スを低く、入力クロックの切り換わり時にはインピーダ
ンスを高くしてやればよい。
Since the magnitude of the voltage drop due to noise is determined by the skew time and the impedance (discharge time constant) of the internal circuit, the impedance of the internal circuit may be increased to reduce the effect of the skew. In that case, since the demodulation characteristics of the received data signal are adversely affected, the impedance of the internal circuit may be lowered when demodulating the data signal, and the impedance may be raised when the input clock is switched.

【0026】図1において、接続端子VA,VBへの入
力クロック信号の切り換わり時の他においては、例え
ば、接続端子VAが高電圧、接続端子VBが低電圧とす
ると、トランジスタ122がオンしているためVdd−
Vss間に抵抗素子121が接続され等価抵抗値が低く
なっているため、復調回路502におけるデータ信号の
復調には有利な状態となっている。ここで、接続端子V
A,VBへの入力クロック信号の切り換わりが発生した
場合、高電圧であった接続端子VAが低電圧に下がった
場合、整流されたVddの電圧はVssを基準としてみ
た場合には内部回路の放電時定数によりゆっくりと降下
していくが、接続端子VBを基準としてみた場合には降
下する接続端子VAの電圧に追随して急激に低下する。
このためPMOS構成のトランジスタ122のゲート電
圧(接続端子VBと同位)は、Vddとの間の電位差が
なくなるためオフ状態となる。123も同じくオフ状態
のため、抵抗素子121がVdd−Vss間から切り離
され、内部回路の等価抵抗が高くなり、Vddに発生す
るノイズの増大を抑えることができる。
In FIG. 1, except when the input clock signals to the connection terminals VA and VB are switched, for example, when the connection terminal VA has a high voltage and the connection terminal VB has a low voltage, the transistor 122 is turned on. Vdd-
Since the resistance element 121 is connected between Vss and the equivalent resistance value is low, the demodulation circuit 502 is in an advantageous state for demodulating the data signal. Here, the connection terminal V
When the switching of the input clock signal to A, VB occurs, when the connection terminal VA that has been a high voltage drops to a low voltage, the rectified voltage of Vdd is based on Vss, the internal circuit Although it slowly drops due to the discharge time constant, when the connection terminal VB is used as a reference, it drops sharply following the voltage of the connection terminal VA that drops.
Therefore, the gate voltage of the PMOS-structured transistor 122 (coincident with the connection terminal VB) is turned off because there is no potential difference with Vdd. Similarly, since 123 is also in the off state, the resistance element 121 is separated from between Vdd and Vss, the equivalent resistance of the internal circuit increases, and the increase in noise generated in Vdd can be suppressed.

【0027】この間の動作を、図2を用いて、もう少し
詳しく説明する。図2において、整流回路501の一例
としてPMOSトランジスタ102a,103a,10
4a,105aにより構成している。106aは整流回
路501と内部インピーダンス調整手段120を除いた
内部回路全体のインピーダンス等価回路であり、具体的
には内部等価抵抗107aと内部電源間容量108aで
表される。
The operation during this period will be described in more detail with reference to FIG. In FIG. 2, as an example of the rectifier circuit 501, PMOS transistors 102a, 103a, 10
4a and 105a. Reference numeral 106a denotes an impedance equivalent circuit of the entire internal circuit excluding the rectifying circuit 501 and the internal impedance adjusting means 120, and is specifically represented by the internal equivalent resistance 107a and the internal power supply capacity 108a.

【0028】ここで、接続端子VAが高電位、接続端子
VBが低電位の場合には、トランジスタ103aを通し
て接続端子VAからVddへ電流が供給され、トランジ
スタ104aを通してVssから接続端子VBへ電流が
流れる。Vdd−Vss間の電位差は,接続端子VA−
VB間の電位差からトランジスタ103a,104aの
オン抵抗による電圧降下分を引いた電圧値となる。ここ
で、接続端子VAの入力電圧が低下した場合、接続端子
VBの電位を基準とした場合のVddの電位は、接続端
子VA−Vdd間がトランジスタ103aによりクラン
プされるため、接続端子VAの電位に追随して低下す
る。Vdd−Vss間の電圧は内部電源間容量108a
により瞬間的には保持されるため、トランジスタ104
aのゲート・ソース間電圧が低下して104aがオフ状
態となり、その結果,接続端子VAが接続端子VBと同
電位まで下がった場合にはVddも接続端子VBと同電
位近くまで低下する。この時、内部インピーダンス調整
手段120の動作としては、最初、接続端子VAが高電
位でVddの電位は接続端子VBの電位に対して十分高
い状態であるので、トランジスタ122がオン状態で、
トランジスタ123がオフ状態となっている。ここで、
接続端子VAが低電位に低下した場合は,Vdd基準で
みた場合には接続端子VBの電位は相対的に高電位(V
dd電位)となり、この時、トランジスタ122はオフ
状態となり,抵抗素子121には電流が流れなくなるの
で、Vdd−Vss間の等価抵抗としては、前の状態に
比較して、抵抗値が高くなる。よって、入力クロックの
切り換わり時で、スキューにより接続端子VA−VB間
の電圧が低下した状態では、内部回路の等価抵抗値が高
くなる。次に、データ信号の変調電圧による接続端子V
A−VB間電圧の低下時については、信号の変調電圧は
現在使用されている例では接続端子VA−VB間電圧振
幅の10数パーセント程度であり、よって、接続端子V
Aがその程度低下したとしても接続端子VBの電位に対
してVddの電位はまだ十分高い状態にあり、トランジ
スタ122はオフしない。よって、この場合には、Vd
d−Vss間の等価抵抗を低いままに保つことができ
る。
When the connection terminal VA has a high potential and the connection terminal VB has a low potential, a current is supplied from the connection terminal VA to Vdd through the transistor 103a and a current flows from Vss to the connection terminal VB through the transistor 104a. . The potential difference between Vdd and Vss is determined by the connection terminal VA-
The voltage value is obtained by subtracting the voltage drop due to the ON resistance of the transistors 103a and 104a from the potential difference between VB. Here, when the input voltage of the connection terminal VA decreases, the potential of Vdd based on the potential of the connection terminal VB is clamped by the transistor 103a between the connection terminals VA and Vdd, and thus the potential of the connection terminal VA. Will fall following. The voltage between Vdd and Vss is the internal power supply capacity 108a.
Momentarily held by the transistor 104
The gate-source voltage of a decreases and 104a is turned off. As a result, when the connection terminal VA decreases to the same potential as the connection terminal VB, Vdd also decreases to the same potential as the connection terminal VB. At this time, as the operation of the internal impedance adjusting means 120, first, the connection terminal VA has a high potential and the potential of Vdd is sufficiently higher than the potential of the connection terminal VB, so that the transistor 122 is in the ON state,
The transistor 123 is off. here,
When the connection terminal VA is lowered to a low potential, the potential of the connection terminal VB is relatively high potential (V
dd potential), the transistor 122 is turned off at this time, and no current flows through the resistance element 121. Therefore, the equivalent resistance between Vdd and Vss is higher than that in the previous state. Therefore, when the input clock is switched and the voltage between the connection terminals VA and VB is reduced due to the skew, the equivalent resistance value of the internal circuit becomes high. Next, the connection terminal V by the modulation voltage of the data signal
When the voltage between A and VB decreases, the modulation voltage of the signal is about 10% or more of the amplitude of the voltage between the connection terminals VA and VB in the example currently used.
Even if A is lowered to that extent, the potential of Vdd is still sufficiently higher than the potential of the connection terminal VB, and the transistor 122 is not turned off. Therefore, in this case, Vd
The equivalent resistance between d and Vss can be kept low.

【0029】なお、抵抗値を制御することで説明した
が、内部回路の放電時定数で復調特性がきまるので、内
部抵抗の代わりに内部電源間容量を調整するような方法
でも実現可能である。
Although the description has been made by controlling the resistance value, the demodulation characteristic is determined by the discharge time constant of the internal circuit. Therefore, the method of adjusting the capacitance between internal power supplies instead of the internal resistance can also be realized.

【0030】また、接続端子VA,VBの電位を制御用
トランジスタで直接に検知してスイッチングさせている
が、内部回路上に基準電圧発生回路で基準電位をつく
り、それと接続端子VA,VBの電位を比較してその結
果によりスイッチングさせるような構成も可能である。
Further, although the potentials of the connection terminals VA and VB are directly detected by the control transistor and switched, a reference potential is created in the internal circuit by the reference voltage generation circuit, and the potentials of the connection terminals VA and VB are changed. It is also possible to adopt a configuration in which the above are compared and switching is performed according to the result.

【0031】この構成によれば、スキューによるノイズ
に対しては内部回路のインピーダンスが高いのでノイズ
電圧を小さく抑えることができて誤復調の危険を減少さ
せ、また、受信信号による電圧振幅変化時には内部イン
ピーダンスを低くして復調特性を良好に保つことがで
き、スキューに強い良好な復調特性のLSIが得られ、
システムの負担を軽減することができる。
According to this structure, since the impedance of the internal circuit is high with respect to the noise due to the skew, the noise voltage can be suppressed to a low level and the risk of erroneous demodulation can be reduced. The impedance can be lowered to maintain good demodulation characteristics, and an LSI with good demodulation characteristics that is resistant to skew can be obtained.
The load on the system can be reduced.

【0032】また、前記R/Wからの入力クロックの信
号切り換わり時を、簡単なアナログ回路で検出して内部
回路のインピーダンスを高くすることにより、入力信号
間のスキューの影響による復調回路の誤動作を防ぎ、シ
ステムの設計負担を低減することができる。
Further, when the signal of the input clock from the R / W is switched, it is detected by a simple analog circuit and the impedance of the internal circuit is increased, so that the demodulation circuit malfunctions due to the influence of the skew between the input signals. Can be prevented and the system design load can be reduced.

【0033】(実施の形態2)図3と図4は本発明の
(実施の形態2)の接触式データキャリアを示し、内部
インピーダンス調整手段220が追加されている点が図
8に示した構成とは異なっている。なお、この内部イン
ピーダンス調整手段220を含むデータキャリアはLS
I化して構成されている。
(Embodiment 2) FIGS. 3 and 4 show a contact type data carrier according to (Embodiment 2) of the present invention, in which an internal impedance adjusting means 220 is added, which is shown in FIG. Is different from. The data carrier including the internal impedance adjusting means 220 is LS.
It is configured as I.

【0034】内部インピーダンス調整手段220は、内
部処理クロック信号514によりスイッチ素子201を
直接にスイッチングすることにより、内部回路の等価抵
抗を切り換えるように構成されている。
The internal impedance adjusting means 220 is configured to switch the equivalent resistance of the internal circuit by directly switching the switch element 201 by the internal processing clock signal 514.

【0035】スイッチ素子201は内部処理クロック信
号514が”H”の時にオンして、Vdd−Vss間の
等価抵抗を低くするように動作する。図9に示したよう
に、受信したデータ信号の変調電圧による振幅電圧の変
化は接続端子VAの”H”電圧区間に発生するような信
号仕様となっている。このため、接続端子VAの入力ク
ロック極性と同一になるような内部処理クロック信号5
14をクロック発生回路503で発生させることによ
り、データ信号の復調が発生するクロックの”H”期間
は等価抵抗を低く、その他の期間は等価抵抗を高く切り
換えることが可能となる。
The switch element 201 is turned on when the internal processing clock signal 514 is "H", and operates so as to reduce the equivalent resistance between Vdd and Vss. As shown in FIG. 9, the signal specifications are such that the change of the amplitude voltage due to the modulation voltage of the received data signal occurs in the “H” voltage section of the connection terminal VA. Therefore, the internal processing clock signal 5 that has the same polarity as the input clock of the connection terminal VA
By generating 14 in the clock generation circuit 503, it is possible to switch the equivalent resistance low during the "H" period of the clock in which the demodulation of the data signal occurs, and switch the equivalent resistance high during the other periods.

【0036】しかしながら、内部処理クロック信号51
4を単に接続端子VAの入力クロック特性と同一にする
だけでは、入力クロックの切り換わり時の一方は等価抵
抗が高くなるが、もう一方は等価抵抗が低くなってしま
うので、内部処理クロック信号514を発生させる場合
に、工夫が必要となる。発生させる内部処理クロック信
号514の波形を図4にて説明する。
However, the internal processing clock signal 51
If 4 is simply made equal to the input clock characteristic of the connection terminal VA, the equivalent resistance becomes high at one of the input clocks when switching, but the equivalent resistance becomes low at the other, so the internal processing clock signal 514 It is necessary to devise it when generating. The waveform of the internal processing clock signal 514 generated will be described with reference to FIG.

【0037】内部処理クロック信号514は図4のに
示すように、接続端子VAが”H”期間で接続端子VB
が”L”期間のみ”H”で、その逆の場合およびスキュ
ーによる重なりの区間は”L”となるのように生成され
る。この信号をスイッチ素子201の制御信号として使
用することで、データ信号の復調時は内部等価抵抗を低
く、入力クロックの切り換わり時には内部等価抵抗を高
くなるように制御することができる。
The internal processing clock signal 514 is supplied to the connection terminal VB when the connection terminal VA is in the "H" period as shown in FIG.
Is "H" only during the "L" period, and the opposite case and the overlapping section due to the skew are "L". By using this signal as a control signal for the switch element 201, it is possible to control the internal equivalent resistance to be low when demodulating the data signal and to be high when switching the input clock.

【0038】なお、抵抗値を制御することで説明した
が、内部回路の放電時定数で復調特性がきまるので、内
部抵抗の代わりに内部電源間容量を調整するような方法
でも実現可能である。
Although the description has been made by controlling the resistance value, the demodulation characteristic is determined by the discharge time constant of the internal circuit, so that it can be realized by a method of adjusting the capacitance between internal power supplies instead of the internal resistance.

【0039】この構成によれば、デジタル的な制御にて
簡単にクロック信号変化時と、受信変調信号変化時とで
インピーダンスを変更させることが可能で、スキューに
よる誤復調を防ぎ、システムの負担を軽減することがで
きる。
With this configuration, it is possible to easily change the impedance when the clock signal changes and when the received modulation signal changes by digital control, prevent erroneous demodulation due to skew, and reduce the system load. Can be reduced.

【0040】(実施の形態3)図5と図6は本発明の
(実施の形態3)の接触式データキャリアを示し、内部
インピーダンス調整手段220を駆動する制御信号をカ
ウンタ301の出力から得ている点が(実施の形態2)
とは異なる。
(Third Embodiment) FIGS. 5 and 6 show a contact type data carrier according to the third embodiment of the present invention, in which a control signal for driving the internal impedance adjusting means 220 is obtained from the output of the counter 301. Point is (Embodiment 2)
Is different from.

【0041】なお、この内部インピーダンス調整手段2
20とカウンタ301を含むデータキャリアはLSI化
して構成されている。また、前記R/Wからの入力クロ
ックの周波数が、同じく前記R/Wから受信するデータ
信号の伝送速度に対して複数倍(2倍以上)の関係にあ
る通信仕様を対象としている。
The internal impedance adjusting means 2
The data carrier including 20 and the counter 301 is configured as an LSI. Further, it is intended for communication specifications in which the frequency of the input clock from the R / W is also a multiple (twice or more) relationship with the transmission rate of the data signal received from the R / W.

【0042】この実施の形態のクロック発生回路503
は、入力されたデータ信号の位相を検出した結果と外部
から入力されたクロック信号を基にして前記内部処理ク
ロック信号514を生成するとともに、前記外部から入
力されたクロック信号に基づいて前記内部処理クロック
信号514よりも周波数の高い伝送クロック302を出
力する。
The clock generation circuit 503 of this embodiment
Generates the internal processing clock signal 514 based on the result of detecting the phase of the input data signal and a clock signal input from the outside, and also performs the internal processing based on the clock signal input from the outside. The transmission clock 302 having a frequency higher than that of the clock signal 514 is output.

【0043】具体的には、伝送クロック302は前記接
続端子VA,VBから入力された信号から抽出したクロ
ックまたはそれを分周した信号で、内部処理クロック信
号514は伝送クロック302を分周した信号である。
Specifically, the transmission clock 302 is a clock extracted from the signals input from the connection terminals VA and VB or a signal obtained by dividing the clock, and the internal processing clock signal 514 is a signal obtained by dividing the transmission clock 302. Is.

【0044】カウンタ301は、伝送クロック302を
カウントして内部動作に用いるクロックレート内でのデ
ータ信号の復調動作が発生するタイミングを予測するた
め、前記伝送クロック302のカウントを行い、そのカ
ウント値から内部インピーダンス調整回路220を制御
するための制御信号303を発生する。
The counter 301 counts the transmission clock 302 and counts the transmission clock 302 in order to predict the timing at which the demodulation operation of the data signal occurs within the clock rate used for the internal operation. A control signal 303 for controlling the internal impedance adjusting circuit 220 is generated.

【0045】内部インピーダンス調整動作を、図6の波
形例を用いて説明する。図6において、,は前記R
/Wから接続端子VA,VBへの入力信号波形、はク
ロック発生回路503により生成されたロジック回路5
04を動作させるための内部処理クロック信号514の
信号波形、は前記R/Wから入力されるクロックから
抽出された同一周波数の伝送クロック302の信号波
形、はカウンタ301のカウント値、はカウンタ3
01にて生成された制御信号303の信号波形、はV
ssを基準とした場合のVdd波形、は復調後受信デ
ータ513のデータ値である。
The internal impedance adjusting operation will be described with reference to the waveform example of FIG. In FIG. 6, is the R
/ W is an input signal waveform from the connection terminals VA and VB to the logic circuit 5 generated by the clock generation circuit 503.
04 is a signal waveform of an internal processing clock signal 514, is a signal waveform of a transmission clock 302 of the same frequency extracted from the clock input from the R / W, is a count value of a counter 301, is a counter 3
The signal waveform of the control signal 303 generated in 01 is V
The Vdd waveform with ss as a reference is the data value of the demodulated received data 513.

【0046】ここでは、伝送クロックレート対データ信
号レートが1対4の関係の例を示してある。クロック発
生回路503においては、生成されるの内部処理クロ
ック信号514に対して、受信するデータ信号のデータ
変化点が一定のタイミングになるように位相調整を行っ
ている。
Here, an example is shown in which the transmission clock rate and the data signal rate are 1: 4. The clock generation circuit 503 adjusts the phase of the generated internal processing clock signal 514 so that the data change point of the received data signal has a constant timing.

【0047】これにより、のカウンタ301のカウン
ト値が”1”の前半において、データ信号の変化点が発
生することがわかるので、これによりの制御信号30
3を生成して、内部インピーダンス調整回路220のス
イッチ素子201をオンするように制御する。
As a result, it can be seen that the change point of the data signal occurs in the first half of the count value of the counter 301 of "1", so that the control signal 30
3 is generated and the switch element 201 of the internal impedance adjusting circuit 220 is controlled to be turned on.

【0048】このようにして、受信したデータ信号を受
信信号復調回路502にて復調するタイミングにおいて
内部回路の等価抵抗を低く、その他の期間においては等
価抵抗を高くするように制御することができる。
In this way, it is possible to control the equivalent resistance of the internal circuit to be low at the timing of demodulating the received data signal by the reception signal demodulation circuit 502 and to increase the equivalent resistance in other periods.

【0049】なお、抵抗値を制御することで説明した
が、内部回路の放電時定数で復調特性がきまるので、内
部抵抗の代わりに内部電源間容量を調整するような方法
でも実現可能である。
Although the explanation has been made by controlling the resistance value, since the demodulation characteristic is determined by the discharge time constant of the internal circuit, it can be realized by a method of adjusting the capacitance between internal power supplies instead of the internal resistance.

【0050】この構成によれば、クロック周波数がデー
タ信号の伝送速度に対して何倍も速い場合の通信プロト
コルにおいて適用可能であり、データ信号による電圧振
幅変化時をある程度限定してインピーダンスを変化させ
ることができ、スキューに強い良好な復調特性のLSI
が得られる。また、インピーダンスを変化させる期間を
ある程度限定できるため、余分な電力消費を減らせる利
点もある。
According to this structure, it can be applied to a communication protocol in which the clock frequency is many times faster than the transmission rate of the data signal, and the impedance is changed by limiting the voltage amplitude change due to the data signal to some extent. LSI with good demodulation characteristics that can withstand skew
Is obtained. Further, since the period for changing the impedance can be limited to some extent, there is an advantage that extra power consumption can be reduced.

【0051】したがって、本実施の形態によれば、デー
タ信号の変化が発生する期間をカウンタにて予測して内
部回路のインピーダンスを低くし、その他の期間を高く
することで、スキューによる誤復調を防ぎ、システムの
負担を軽減することができる。
Therefore, according to the present embodiment, the counter predicts the period in which a change in the data signal occurs, lowers the impedance of the internal circuit, and raises the other periods to prevent erroneous demodulation due to skew. It can prevent and reduce the burden on the system.

【0052】(実施の形態4)図7は本発明の(実施の
形態4)の接触式データキャリアを示す。(実施の形態
1)における抵抗素子121は固定であったが、この
(実施の形態4)における内部インピーダンス調整手段
420は(実施の形態1)における抵抗素子121に相
当する部分が可変抵抗素子401に置き換えられてお
り、この可変抵抗素子401の抵抗値が制御情報用レジ
スタ402の出力で可変されるように構成されている点
が(実施の形態1)とは異なっている。
(Fourth Embodiment) FIG. 7 shows a contact type data carrier according to the fourth embodiment of the present invention. Although the resistance element 121 in (Embodiment 1) is fixed, in the internal impedance adjusting means 420 in this (Embodiment 4), the portion corresponding to the resistance element 121 in (Embodiment 1) has a variable resistance element 401. Is different from that of the first embodiment in that the resistance value of the variable resistance element 401 is changed by the output of the control information register 402.

【0053】なお、この内部インピーダンス調整手段4
20と制御情報用レジスタ402を含むデータキャリア
はLSI化して構成されている。制御情報用レジスタ4
02は、不揮発性メモリ505から可変抵抗素子401
の最適値となるデータを読み出して可変抵抗素子401
を制御する初期値設定手段としての動作をする。
The internal impedance adjusting means 4
The data carrier including 20 and the control information register 402 is configured as an LSI. Control information register 4
02 is a variable resistance element 401 from the nonvolatile memory 505.
The optimum resistance value of the variable resistance element 401 is read out.
It operates as an initial value setting means for controlling.

【0054】さらに詳しく説明する。製品の検査段階で
の測定結果に基づき決定された可変値情報を不揮発性メ
モリ505の所定の番地に記憶させておき、LSIの接
続端子VA,VBに所定の信号が印加された場合の初期
動作として、前記可変値情報をロジック回路504を通
して制御情報用レジスタ402に設定する。
A more detailed description will be given. The variable value information determined based on the measurement result at the product inspection stage is stored in a predetermined address of the non-volatile memory 505, and the initial operation when a predetermined signal is applied to the connection terminals VA and VB of the LSI. Then, the variable value information is set in the control information register 402 through the logic circuit 504.

【0055】制御情報用レジスタ402は設定された可
変値情報に基づき、抵抗値制御情報403を出力して可
変抵抗素子401の抵抗値を制御する。それ以後の動作
については、前記(実施の形態1)で記載した通りであ
る。
The control information register 402 outputs the resistance value control information 403 based on the set variable value information to control the resistance value of the variable resistance element 401. The subsequent operation is as described in (Embodiment 1) above.

【0056】したがって、製造工程でのばらつき等によ
る製造歩留りの悪化を後工程で救済することができ、製
造コストの負担が軽減される。さらには、ユーザが使用
したいシステムにおいて最適な値にチューニングするこ
とも可能で、複数システムに対するLSIの許容度が高
められることで、システムの開発負担を減らす効果も期
待できる。
Therefore, the deterioration of the manufacturing yield due to the variation in the manufacturing process can be relieved in the subsequent process, and the burden of the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, it is possible to tune to an optimum value in the system that the user wants to use, and the tolerance of the LSI to a plurality of systems can be increased, so that the effect of reducing the system development load can be expected.

【0057】なお、(実施の形態4)では前記(実施の
形態1)の例に適用して説明したが、(実施の形態2)
および(実施の形態3)の抵抗素子121を可変抵抗素
子に置き換えて、この抵抗値を上記と同様に不揮発性メ
モリ505から読み出した初期値に設定するように適用
できることはいうまでもない。
Although (Fourth Embodiment) has been described by applying it to the above-mentioned (First Embodiment), (Second Embodiment)
It goes without saying that the resistance element 121 of (and the third embodiment) may be replaced with a variable resistance element, and the resistance value may be set to the initial value read from the nonvolatile memory 505 in the same manner as described above.

【0058】上記の各実施の形態において、内部インピ
ーダンス調整手段120,220,420は、前記内部
回路の全体の電源間のインピーダンスを切り換えたが、
少なくとも受信信号復調回路502の電源間のインピー
ダンスを切り換えるように構成することによって目的を
達成できる。
In each of the above-mentioned embodiments, the internal impedance adjusting means 120, 220, 420 switch the impedance between the power supplies of the entire internal circuit.
The object can be achieved by arranging at least the impedance between the power supplies of the reception signal demodulation circuit 502.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上のように本発明の接触式データキャ
リアによると、第1,第2の接続端子に印加された互い
に逆相の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うとと
もに、前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する
内部処理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成
分に多重された受信信号成分を復調する接触式データキ
ャリアにおいて、内部インピーダンス調整手段を設け、
外部からのクロック信号変化時には前記内部回路のイン
ピーダンスを高く、信号電圧振幅変化時は前記内部回路
のインピーダンスを低く切り換えるので、入力信号間の
スキューの影響による復調回路の誤動作を防ぎ、システ
ムの設計負担を低減することができる。
As described above, according to the contact type data carrier of the present invention, the signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals are rectified to supply the electric power of the internal circuit and In the contact-type data carrier for creating an internal processing clock signal to be used in the internal circuit from the opposite phase signal component and demodulating the received signal component multiplexed in the opposite phase signal component, an internal impedance adjusting means is provided,
When the clock signal from the outside changes, the impedance of the internal circuit is switched to high, and when the signal voltage amplitude changes, the impedance of the internal circuit is switched to low, which prevents malfunction of the demodulation circuit due to the influence of skew between input signals and reduces the system design burden. Can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の(実施の形態1)に係る接触式データ
キャリアのブロック図
FIG. 1 is a block diagram of a contact-type data carrier according to (Embodiment 1) of the present invention.

【図2】同実施の形態の説明図FIG. 2 is an explanatory diagram of the same embodiment.

【図3】本発明の(実施の形態2)に係る接触式データ
キャリアのブロック図
FIG. 3 is a block diagram of a contact-type data carrier according to (Embodiment 2) of the present invention.

【図4】同実施の形態の要部のタイミングチャート図FIG. 4 is a timing chart diagram of a main part of the embodiment.

【図5】本発明の(実施の形態3)に係る接触式データ
キャリアのブロック図
FIG. 5 is a block diagram of a contact-type data carrier according to (Embodiment 3) of the present invention.

【図6】同実施の形態の動作の状態遷移を表すタイミン
グチャート図
FIG. 6 is a timing chart showing the state transition of the operation of the embodiment.

【図7】本発明の(実施の形態4)に係る接触式データ
キャリアのブロック図
FIG. 7 is a block diagram of a contact-type data carrier according to (Embodiment 4) of the present invention.

【図8】従来の接触式データキャリアのブロック図FIG. 8 is a block diagram of a conventional contact type data carrier.

【図9】同従来例の動作の状態遷移を表すタイミングチ
ャート図
FIG. 9 is a timing chart showing the state transition of the operation of the conventional example.

【図10】入力信号間にタイミングスキューが発生した
場合の動作の状態遷移を表すタイミングチャート図
FIG. 10 is a timing chart showing the state transition of the operation when a timing skew occurs between input signals.

【符号の説明】 120,220,420 内部インピーダンス調整手
段 121 抵抗素子 201 スイッチ素子 301 カウンタ 302 伝送クロック 401 可変抵抗素子(可変素子) 402 制御情報用レジスタ 501 整流回路 502 受信信号復調回路 503 クロック発生回路 504 ロジック回路 505 不揮発性メモリ(メモリ) 506 送信信号変調回路 507 接続端子(第1の接続端子VA) 508 接続端子(第2の接続端子VB) 514 内部処理クロック信号
[Explanation of reference numerals] 120, 220, 420 Internal impedance adjusting means 121 Resistance element 201 Switch element 301 Counter 302 Transmission clock 401 Variable resistance element (variable element) 402 Control information register 501 Rectifier circuit 502 Received signal demodulation circuit 503 Clock generation circuit 504 logic circuit 505 non-volatile memory (memory) 506 transmission signal modulation circuit 507 connection terminal (first connection terminal VA) 508 connection terminal (second connection terminal VB) 514 internal processing clock signal

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Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1,第2の接続端子に印加された互いに
逆相の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うととも
に、前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する内
部処理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成分
に多重された受信信号成分を復調する接触式データキャ
リアにおいて、 前記逆相の信号成分の変化時に前記内部回路のインピー
ダンスを高くする内部インピーダンス調整手段を設け、
前記逆相の信号成分の変化時は前記内部回路のインピー
ダンスを高く、データ信号の復調時は前記内部回路のイ
ンピーダンスを低く切り換える接触式データキャリア。
1. An internal process for rectifying opposite-phase signal components applied to first and second connection terminals to cover the electric power of an internal circuit and using the opposite-phase signal component in the internal circuit. In a contact-type data carrier for creating a clock signal and demodulating a received signal component multiplexed with the opposite-phase signal component, an internal impedance adjusting means for increasing the impedance of the internal circuit when the opposite-phase signal component changes Is provided
A contact-type data carrier that switches the impedance of the internal circuit to high when the signal component of the opposite phase changes and switches the impedance of the internal circuit to low when demodulating a data signal.
【請求項2】第1,第2の接続端子に印加された互いに
逆相の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うととも
に、前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する内
部処理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成分
に多重された受信信号成分を復調する接触式データキャ
リアにおいて、 前記内部処理クロック信号の極性によって前記内部回路
のインピーダンスを高くする内部インピーダンス調整手
段を設け、外部から入力されたクロック信号変化時は前
記内部回路のインピーダンスを高く、データ信号の復調
時は前記内部回路のインピーダンスを低く切り換える接
触式データキャリア。
2. An internal process for rectifying signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals to cover the electric power of an internal circuit and using the signal components of the opposite phase in the internal circuit. In a contact-type data carrier that creates a clock signal and demodulates a received signal component that is multiplexed with the opposite-phase signal component, an internal impedance adjusting unit that increases the impedance of the internal circuit according to the polarity of the internal processing clock signal is provided. A contact-type data carrier that is provided to switch the impedance of the internal circuit to high when a clock signal input from the outside changes and to switch the impedance of the internal circuit to low when demodulating a data signal.
【請求項3】第1,第2の接続端子に印加された互いに
逆相の信号成分を整流して内部回路の電力を賄うととも
に、前記逆相の信号成分から前記内部回路で使用する内
部処理クロック信号を作成し、かつ前記逆相の信号成分
に多重された受信信号成分を復調する接触式データキャ
リアにおいて、 入力されたデータ信号の位相を検出した結果と外部から
入力されたクロック信号を基にして前記内部処理クロッ
ク信号を生成するとともに、前記外部から入力されたク
ロック信号に基づいて前記内部処理クロック信号よりも
周波数の高い伝送クロックを出力するクロック発生回路
と、 前記伝送クロックを計数して前記内部処理クロック信号
のレート内でのデータ信号の変化点を検出するカウンタ
と、 前記カウンタのカウント値により前記内部回路のインピ
ーダンスを切り換える内部インピーダンス調整手段とを
設け、前記カウンタのカウント値によりデータ信号の変
化点を予測して前記内部回路のインピーダンスを切り換
える接触式データキャリア。
3. An internal process for rectifying signal components of opposite phases applied to the first and second connection terminals to cover the electric power of an internal circuit and using the signal components of the opposite phase in the internal circuit. In a contact-type data carrier that creates a clock signal and demodulates a received signal component that is multiplexed with the opposite-phase signal component, based on the result of detecting the phase of the input data signal and the externally input clock signal, And a clock generation circuit that generates the internal processing clock signal and outputs a transmission clock having a higher frequency than the internal processing clock signal based on the clock signal input from the outside, and counts the transmission clock. A counter for detecting a change point of the data signal within the rate of the internal processing clock signal; and the internal circuit based on the count value of the counter. Internal impedance and adjusting means is provided, contact data carrier for switching the impedance of the internal circuit to predict the change point of the data signal by the count value of the counter for switching the impedance.
【請求項4】前記内部インピーダンス調整手段の低イン
ピーダンスを決定する素子を可変素子とすると共に、こ
の可変素子の出力インピーダンスをメモリから読み出し
た初期設定データに基づいて変化させる請求項1〜請求
項3の何れかに記載の接触式データキャリア。
4. An element for determining a low impedance of said internal impedance adjusting means is a variable element, and an output impedance of this variable element is changed based on initial setting data read from a memory. A contact-type data carrier according to any one of 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011123735A (en) * 2009-12-11 2011-06-23 Yoshikawa Rf System Kk Electronic apparatus and driving device
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