JP2003207538A - High frequency characteristic measuring system - Google Patents

High frequency characteristic measuring system

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JP2003207538A
JP2003207538A JP2002004364A JP2002004364A JP2003207538A JP 2003207538 A JP2003207538 A JP 2003207538A JP 2002004364 A JP2002004364 A JP 2002004364A JP 2002004364 A JP2002004364 A JP 2002004364A JP 2003207538 A JP2003207538 A JP 2003207538A
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JP
Japan
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high frequency
frequency
optical
measuring
signal
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Japanese (ja)
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Keisuke Maekawa
慶介 前川
Masaki Funahashi
政樹 舟橋
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency characteristic measuring system capable of measuring various high frequency characteristics, for example, of a communication semiconductor laser, efficiently and highly accurately in a short time without reconnecting a high frequency cable or the like. <P>SOLUTION: This system is equipped with a plurality of signal generators for generating respectively a high-frequency signal for controlling emission of a device (semiconductor laser). A high-frequency relay circuit interposed in a high-frequency signal transmission path for connecting each signal generator to the semiconductor laser is switched, to thereby select the high-frequency signal applied to the semiconductor laser, and an optical path is switched by using an optical channel switch, to thereby introduce selectively a laser beam (output of the device) emitted by the semiconductor laser into a plurality of kinds of optical measuring instruments (measuring control means). <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信用半
導体レーザの各種高周波特性を短時間に効率良く、しか
も高精度に測定することのできる高周波特性測定システ
ムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency characteristic measuring system capable of efficiently measuring various high frequency characteristics of, for example, a semiconductor laser for optical communication in a short time and with high accuracy.

【0002】[0002]

【関連する背景技術】近時、光を情報媒体とした高速・
大容量情報通信技術の発達が目覚ましい。この種の光情
報通信は、専ら、半導体レーザをその光源として用い、
通信情報(データ)に応じて上記半導体レーザから出力
されるレーザ光を変調して行われる。この際、変調レー
ザ光に欠陥があったり、或いは変調レーザ光が不安定で
あると通信エラーの要因となるので、その動作特性・信
頼性が確実に保証された半導体レーザだけを用いること
が必要である。これ故、半導体レーザの高周波特性を予
め測定し、不具合(欠陥)のないものだけを選別するこ
とが重要である。
[Related background art] Recently, high-speed optical information media
The development of large-capacity information communication technology is remarkable. This kind of optical information communication uses a semiconductor laser as its light source,
It is performed by modulating the laser light output from the semiconductor laser according to communication information (data). At this time, if the modulated laser light is defective or the modulated laser light is unstable, it may cause a communication error. Therefore, it is necessary to use only a semiconductor laser whose operation characteristics and reliability are surely guaranteed. Is. Therefore, it is important to measure the high frequency characteristics of the semiconductor laser in advance and select only those having no defect (defect).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで光通信用半導
体レーザの性能を評価する為の高周波特性は多種の項目
に亘り、様々な測定器を用いて計測される。例えばその
アイパターンを測定する場合には、パルス・パターン発
生器(PPG)を用いて半導体レーザを発光駆動し、そ
の出力光を光オシロスコープを用いて計測することによ
りなされる。またその変調周波数特性やチャーピング等
を測定する場合には、光スペクトル・アナライザやコン
ポーネント・アナライザ、シグナル・アナライザ等が適
宜用られる。
By the way, the high frequency characteristics for evaluating the performance of the semiconductor laser for optical communication cover various items and are measured by using various measuring instruments. For example, when the eye pattern is measured, the semiconductor laser is driven to emit light by using a pulse pattern generator (PPG), and the output light thereof is measured by using an optical oscilloscope. When measuring the modulation frequency characteristic, chirping, etc., an optical spectrum analyzer, component analyzer, signal analyzer or the like is used as appropriate.

【0004】しかしながら従来一般的には、その測定内
容(項目)に応じて選択される各種測定器に、その都
度、高周波ケーブル(高周波信号伝送路)や光ファィバ
ケーブル(光信号伝送路)を繋ぎ替えて半導体レーザの
特性を測定している。この為、その計測に多大な時間を
要する上、手間が掛かると言う不具合があった。しかも
高周波ケーブルを繋ぎ替える際の該ケーブルを締め付け
る僅かなトルク圧の違いにより半導体レーザの駆動条件
が変化したり、その測定精度が左右されると言う問題も
あった。このような問題は、各種の高周波半導体素子か
らなる電子デバイスにおける種々の高周波特性を計測す
る場合にも同様に生じる。
However, in general, conventionally, a high-frequency cable (high-frequency signal transmission line) or an optical fiber cable (optical signal transmission line) is added to each measuring instrument selected in accordance with the measurement content (item). The characteristics of the semiconductor laser are measured by reconnecting. Therefore, there is a problem that the measurement takes a lot of time and is troublesome. In addition, there is a problem in that the driving conditions of the semiconductor laser may change and the measurement accuracy may be affected by a slight difference in the torque pressure that tightens the high-frequency cable when it is reconnected. Such a problem also occurs when measuring various high-frequency characteristics in an electronic device including various high-frequency semiconductor elements.

【0005】更には上述した光デバイスや電子デバイス
における各種の特性パラメータは互いに相関を持つ。し
かし個々の測定器において、これらの特性パラメータの
全てを測定することは困難であり、その都度、測定器を
繋ぎ替える必要がある。従って各種の特性パラメータの
相関関係を把握しながら、光デバイスや電子デバイスの
各種高周波特性を総合的に評価することが非常に困難で
ある。
Further, various characteristic parameters in the above-mentioned optical device and electronic device are correlated with each other. However, it is difficult to measure all of these characteristic parameters with individual measuring instruments, and it is necessary to switch the measuring instruments each time. Therefore, it is very difficult to comprehensively evaluate various high-frequency characteristics of optical devices and electronic devices while grasping the correlation between various characteristic parameters.

【0006】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、高周波ケーブル等の繋ぎ換えを
行うことなく、通信用半導体レーザ等の光デバイスや電
子デバイスの各種高周波特性を短時間に効率良く、しか
も高精度に測定することのできる高周波測定システムを
提供することにある。
The present invention has been made in consideration of such circumstances, and an object thereof is to obtain various high frequency characteristics of an optical device such as a semiconductor laser for communication and an electronic device without reconnection of a high frequency cable. An object of the present invention is to provide a high-frequency measurement system that can perform efficient and highly accurate measurement in a short time.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る高周波特性測定システムは、例えば通
信用半導体レーザからなる光デバイスや高周波半導体素
子等の電子デバイスの各種高周波特性を測定するに好適
なものであって、前記デバイスの駆動を制御する複数種
の高周波信号をそれぞれ発生する複数の信号発生器を備
え、特にこれらの各信号発生器と前記デバイスとを結ぶ
高周波信号伝送路に介挿した高周波リレー回路を、計測
すべき高周波特性の種別に応じて切り替えることで前記
デバイスに加える高周波信号を選択しながら(計測制御
手段)、前記デバイスの出力を取り込んで該デバイスの
高周波特性を計測するようにしたことを特徴としている
(請求項1)。
In order to achieve the above object, a high frequency characteristic measuring system according to the present invention measures various high frequency characteristics of an electronic device such as an optical device or a high frequency semiconductor element including a semiconductor laser for communication. A plurality of signal generators that respectively generate a plurality of types of high-frequency signals for controlling the drive of the device, and particularly in a high-frequency signal transmission line connecting each of these signal generators and the device. By switching the inserted high-frequency relay circuit according to the type of high-frequency characteristics to be measured, a high-frequency signal to be applied to the device is selected (measurement control means), while taking in the output of the device to determine the high-frequency characteristics of the device. It is characterized in that it is measured (claim 1).

【0008】即ち、本発明に係る測定システムは、複数
の信号発生器がそれぞれ発生する複数種の高周波信号を
高周波リレー回路を用いて選択的に半導体レーザ等のデ
バイスに加えるように構成することで、複数の信号発生
器と半導体レーザ(デバイス)との間の高周波ケーブル
の繋ぎ替えを不要とし、これによって前記半導体レーザ
の各種の高周波特性を、その計測精度を一定に保ったま
ま、短時間に効率的に測定し得るようにしたことを特徴
としている。
That is, the measurement system according to the present invention is configured so that a plurality of types of high-frequency signals generated by a plurality of signal generators are selectively applied to a device such as a semiconductor laser using a high-frequency relay circuit. , It is not necessary to reconnect a high frequency cable between a plurality of signal generators and a semiconductor laser (device), which enables various high frequency characteristics of the semiconductor laser to be measured in a short time while keeping the measurement accuracy constant. The feature is that the measurement can be performed efficiently.

【0009】また本発明に係る高周波特性測定システム
は、前記デバイスの駆動を制御する高周波信号を発生す
る信号発生器とを備えたものであって、特に前記デバイ
スの互いに異なる種別の高周波特性をそれぞれ計測する
複数種の計測器に対して、計測すべき高周波特性の種別
に応じてチャネルスイッチを用いてその信号伝送路を切
り替え(計測制御手段)、これによって前記デバイスの
出力を前記計測器に選択的に導入するようにしたことを
特徴としている(請求項2)。
The high-frequency characteristic measuring system according to the present invention comprises a signal generator for generating a high-frequency signal for controlling the driving of the device, and particularly, the high-frequency characteristics of different types of the device are respectively provided. For a plurality of types of measuring instruments to be measured, the signal transmission path is switched using a channel switch according to the type of high-frequency characteristics to be measured (measurement control means), thereby selecting the output of the device to the measuring instrument. It is characterized in that it is introduced selectively (claim 2).

【0010】即ち、本発明に係る測定システムは、半導
体レーザ(デバイス)から出力される光(変調レーザ
光)を、例えば光チャネルスイッチを用いて複数種の光
計測器に選択的に導入することで、その光路(例えば光
ファイバ)の繋ぎ替えを行うことなく、各種の高周波特
性を上記複数種の光計測器を選択的に用いて計測し得る
ようにしたことを特徴としている。
That is, in the measurement system according to the present invention, the light (modulated laser light) output from the semiconductor laser (device) is selectively introduced into a plurality of types of optical measuring instruments using, for example, an optical channel switch. It is characterized in that various high-frequency characteristics can be measured by selectively using the plurality of kinds of optical measuring instruments without changing the optical path (for example, optical fiber).

【0011】更に本発明に係る高周波特性測定システム
は、複数の信号発生器とデバイスとを結ぶ高周波信号伝
送路に介挿した高周波リレー回路を、計測すべき高周波
特性の種別に応じて切り替えることで前記デバイスに加
える高周波信号を選択すると共に、複数種の計測器に対
して前記デバイスの出力を伝達する信号伝送路を、計測
すべき高周波特性の種別に応じてチャネルスイッチを用
いて切り替えるようにしたことを特徴としている(請求
項3)。
Further, in the high frequency characteristic measuring system according to the present invention, a high frequency relay circuit inserted in a high frequency signal transmission line connecting a plurality of signal generators and devices is switched according to the type of high frequency characteristic to be measured. A high-frequency signal to be applied to the device is selected, and a signal transmission path for transmitting the output of the device to a plurality of types of measuring instruments is switched using a channel switch according to the type of high-frequency characteristics to be measured. (Claim 3)

【0012】即ち、本発明に係る測定システムは、高周
波リレー回路とチャネルスイッチとを、その計測すべき
高周波特性の種別に応じて切り替えることで、例えば高
周波ケーブル(高周波信号伝送路)および光ファイバ
(光路)をそれぞれ繋ぎ替えることなく、各種の高周波
特性を上記複数種の光計測器を選択的に用いて計測し得
るようにしたことを特徴としている。
That is, the measuring system according to the present invention switches between the high-frequency relay circuit and the channel switch according to the type of high-frequency characteristics to be measured, so that, for example, a high-frequency cable (high-frequency signal transmission line) and an optical fiber ( The present invention is characterized in that various high-frequency characteristics can be measured by selectively using a plurality of types of optical measuring instruments described above without connecting the respective optical paths).

【0013】好ましくは前記計測制御手段は、前記高周
波リレー回路および/または前記光チャネルスイッチを
順に切り換えて、前記デバイスの複数種の高周波特性の
連続した計測を実行させるように制御動作する(請求項
4)。尚、前記高周波信号伝送路を介して伝送される高
周波信号を複数のデバイスに選択的に加える出力選択用
高周波リレー回路を更に設け、この出力選択用高周波リ
レー回路を順に切り替えることで上記複数のデバイスの
高周波特性を順に測定し得るように構成することも望ま
しい(請求項5)。
Preferably, the measurement control means controls the high-frequency relay circuit and / or the optical channel switch in order to perform a control operation so as to continuously measure a plurality of types of high-frequency characteristics of the device. 4). It should be noted that an output selection high-frequency relay circuit for selectively applying a high-frequency signal transmitted through the high-frequency signal transmission path to a plurality of devices is further provided, and the output selection high-frequency relay circuit is sequentially switched to the plurality of devices. It is also desirable to configure so that the high frequency characteristics of can be sequentially measured (claim 5).

【0014】ちなみに前記光デバイスは、半導体レー
ザ、光変調器、または光変調器を同時集積した集積型半
導体レーザからなり、前記デバイスと計測器とを結ぶ信
号線路は、光路をなす光ファイバからなる(請求項
6)。この場合、前記高周波特性測定システムとして
は、半導体レーザの駆動条件を設定するバイアス設定手
段を備えることが望ましい(請求項8)。また前記電子
デバイスは、高周波半導体素子からなり、この場合には
前記デバイスと計測器とを結ぶ信号線路は、高周波電気
信号を伝達する高周波信号伝送路からなる(請求項
7)。
Incidentally, the optical device comprises a semiconductor laser, an optical modulator, or an integrated semiconductor laser in which an optical modulator is integrated at the same time, and a signal line connecting the device and the measuring instrument comprises an optical fiber forming an optical path. (Claim 6). In this case, it is preferable that the high-frequency characteristic measuring system includes a bias setting unit that sets a driving condition of the semiconductor laser. Further, the electronic device is composed of a high-frequency semiconductor element, and in this case, the signal line connecting the device and the measuring device is a high-frequency signal transmission line for transmitting a high-frequency electric signal (claim 7).

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態に係る高周波特性測定システムについて、半導
体レーザの高周波特性測定システムを例に説明する。図
1はこの実施形態に係る特性測定システムの概略構成を
示しており、1a,1b,〜1nは高周波特性の測定対象
である通信用半導体レーザである。これらの半導体レー
ザ1(1a,1b,〜1n)は、その出力光を直接変調し
得る直接変調型の半導体レーザあっても良く、或いは光
変調器を同時集積した変調器集積型の半導体レーザであ
っても良い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A high frequency characteristic measuring system according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings, taking a high frequency characteristic measuring system for a semiconductor laser as an example. FIG. 1 shows a schematic configuration of a characteristic measuring system according to this embodiment. Reference numerals 1a, 1b, to 1n are communication semiconductor lasers whose high-frequency characteristics are to be measured. These semiconductor lasers 1 (1a, 1b, to 1n) may be direct modulation type semiconductor lasers capable of directly modulating the output light, or modulator integrated type semiconductor lasers in which optical modulators are simultaneously integrated. It may be.

【0016】この特性測定システムは上述した半導体レ
ーザ1(1a,1b,〜1n)の発光を、特にその変調を
制御する複数種の高周波信号をそれぞれ発生する複数の
信号発生器2を備えると共に、上記半導体レーザ1(1
a,1b,〜1n)から出力されるレーザ光(変調光)を
導入(受光)して、その高周波特性を測定する複数種の
光測定器3を備える。ちなみに上記複数の信号発生器2
は、例えばシグナル・アナライザ2aとパルスパターン
発生器2bとからなる。また前記複数の光測定器3は、
例えば光オシロスコープ3aや光パワーメータ3b、光
スペクトル・アナライザ3c、O/Eコンバータ(図示
せず)を備えたBERT(ビットエラーレート)測定器
3d等からなる。尚、前記シグナル・アナライザ2a
は、光測定器3としての機能も備える。
This characteristic measuring system is provided with a plurality of signal generators 2 for respectively generating a plurality of types of high-frequency signals for controlling the light emission of the above-mentioned semiconductor laser 1 (1a, 1b, to 1n), in particular its modulation. The semiconductor laser 1 (1
a, 1b, to 1n) is provided with a plurality of types of optical measuring devices 3 for introducing (receiving) laser light (modulated light) output from the laser light (modulated light) and measuring the high-frequency characteristics thereof. By the way, the signal generators 2
Is composed of, for example, a signal analyzer 2a and a pulse pattern generator 2b. Further, the plurality of light measuring devices 3 are
For example, it comprises an optical oscilloscope 3a, an optical power meter 3b, an optical spectrum analyzer 3c, a BERT (bit error rate) measuring device 3d equipped with an O / E converter (not shown), and the like. The signal analyzer 2a
Also has a function as the light measuring device 3.

【0017】さてこの高周波特性測定システムは、前記
複数の信号発生器2(シグナル・アナライザ2a,パル
スパターン発生器2b)がそれぞれ発生する高周波信号
を選択する高周波スイッチ回路4を備える。そしてこの
高周波スイッチ回路4を介して選択した高周波信号を、
バイアス回路5を介して前記半導体レーザ1に与えるこ
とで、その高周波伝送路をなす高周波ケーブル(図示せ
ず)を繋ぎ替えることなしに半導体レーザ1の駆動(変
調)条件を変え得るように構成される。
The high frequency characteristic measuring system includes a high frequency switch circuit 4 for selecting high frequency signals generated by the plurality of signal generators 2 (signal analyzer 2a, pulse pattern generator 2b). Then, the high frequency signal selected through the high frequency switch circuit 4 is
By giving the semiconductor laser 1 through the bias circuit 5, the driving (modulation) condition of the semiconductor laser 1 can be changed without switching the high-frequency cable (not shown) forming the high-frequency transmission path. It

【0018】尚、前記バイアス回路5は、前記半導体レ
ーザ1の動作条件を規定するバイアス電流を発生して前
記高周波信号と共に半導体レーザ1に与えるものであ
り、バイアス調整回路6によりそのバイアス条件が設定
される。またこの実施形態においては、上記バイアス回
路5から出力される高周波信号を、更に出力選択用高周
波リレー回路7を介して前記各半導体レーザ1a,1b,
〜1nに選択的に与えるように構成されている。
The bias circuit 5 generates a bias current for defining the operating conditions of the semiconductor laser 1 and supplies it to the semiconductor laser 1 together with the high frequency signal. The bias adjusting circuit 6 sets the bias condition. To be done. Further, in this embodiment, the high frequency signal output from the bias circuit 5 is further passed through the output selecting high frequency relay circuit 7 to the semiconductor lasers 1a, 1b,
.About.1n are selectively applied.

【0019】一方、このシステムは、前記高周波信号を
受けて駆動される半導体レーザ1が出力するレーザ光
(変調光)から前記半導体レーザ1の高周波特性を測定
するに際して、受光部8から導入されたレーザ光(変調
光)を導く光路を光チャネルスイッチ9を用いて選択的
に切り替えることで、その光路をなす光ファイバケーブ
ル(図示せず)を繋ぎ替えることなしに、測定すべき高
周波特性の内容(種別)に応じた光計測器3(シグナル
アナライザ2a,光オシロスコープ3a,光パワーメー
タ3b,光スペクトル・アナライザ3c,BERT測定
器3d等)を選択するものとなっている。
On the other hand, this system was introduced from the light receiving section 8 when measuring the high frequency characteristics of the semiconductor laser 1 from the laser light (modulated light) output from the semiconductor laser 1 driven by receiving the high frequency signal. By selectively switching the optical path for guiding the laser light (modulated light) using the optical channel switch 9, the contents of the high frequency characteristics to be measured without switching the optical fiber cable (not shown) forming the optical path. The optical measuring device 3 (signal analyzer 2a, optical oscilloscope 3a, optical power meter 3b, optical spectrum analyzer 3c, BERT measuring device 3d, etc.) corresponding to the (type) is selected.

【0020】ちなみに前記高周波リレー回路4および光
チャネルスイッチ9は、半導体レーザ1の測定すべき高
周波特性の内容(種別)に応じて、その制御部10をな
すコンピュータによりそれぞれ切り替え制御される(測
定項目設定手段11)。この際、制御部10(測定項目
設定手段11)は上記高周波リレー回路4および光チャ
ネルスイッチ9の切り替えに連動して、前記複数の信号
発生器2および複数種の光計測器3の選択的な作動をそ
れぞれ制御する。また信号発生器2と光計測器3とを互
いに同期させて作動させる必要がある場合には、前記制
御部10から同期信号を発生して両者の同期を確立する
ようにすれば良い。尚、特定の信号発生器2(例えばパ
ルスパターン発生器2b)と特定の光計測器3(例えば
BERT測定器3d)とを、予め同期信号伝送用の高周
波ケーブルを用いて接続しておいても良い。
Incidentally, the high frequency relay circuit 4 and the optical channel switch 9 are switched and controlled by a computer forming a control unit 10 thereof according to the contents (type) of the high frequency characteristics of the semiconductor laser 1 to be measured (measurement items). Setting means 11). At this time, the control unit 10 (measurement item setting means 11) is interlocked with the switching of the high frequency relay circuit 4 and the optical channel switch 9 to selectively select the plurality of signal generators 2 and the plurality of types of optical measuring instruments 3. Control each operation. Further, when it is necessary to operate the signal generator 2 and the optical measuring instrument 3 in synchronization with each other, the control unit 10 may generate a synchronization signal to establish the synchronization between the two. The specific signal generator 2 (for example, the pulse pattern generator 2b) and the specific optical measuring device 3 (for example, the BERT measuring device 3d) may be connected in advance by using a high-frequency cable for transmitting the synchronization signal. good.

【0021】また前記バイアス調整回路6は前記半導体
レーザ1の駆動条件に応じて上記制御部10により動作
制御される(測定条件設定手段12)。更に前記出力切
替用高周波リレー回路7は、複数の半導体レーザ1a,
1b,〜1n中のどの半導体レーザ1の高周波特性を測
定するかに応じて、前記制御部10により切り替え制御
される(測定対象切替手段13)。
The operation of the bias adjusting circuit 6 is controlled by the controller 10 according to the driving conditions of the semiconductor laser 1 (measurement condition setting means 12). Further, the output switching high frequency relay circuit 7 includes a plurality of semiconductor lasers 1a,
Switching control is performed by the control unit 10 (measurement target switching unit 13) according to which of the semiconductor lasers 1 1b to 1n the high frequency characteristic is to be measured.

【0022】このように構成された通信用半導体レーザ
の特性測定システムによれば、制御部(コンピュータ)
10の制御の下で高周波リレー回路4,7および光チャ
ネルスイッチ9をそれぞれ切り替え制御することで、高
周波ケーブルや光ファイバケーブルを繋ぎ替えることな
しに、測定すべき高周波特性の内容(測定項目)に応じ
た信号発生器2と光測定器3とを選択的に用いて、その
高周波特性を精度良く測定することができる。特に或る
測定系(光測定器3)を用いて調整された半導体レーザ
1の動作条件を維持したまま別の測定系(光測定器3)
に切り替えることで、その特性パラメータを揃えながら
複数種の項目に亘る高周波特性を連続して測定すること
が可能となる。従って複数種の項目に亘る高周波特性を
総合的に評価する上での信頼性を飛躍的に高めることが
できる。
According to the communication semiconductor laser characteristic measuring system configured as described above, the control section (computer)
By controlling the switching of the high frequency relay circuits 4 and 7 and the optical channel switch 9 respectively under the control of 10, the contents (measurement items) of the high frequency characteristics to be measured can be obtained without reconnecting the high frequency cable or the optical fiber cable. By selectively using the corresponding signal generator 2 and the optical measuring device 3, the high frequency characteristics can be accurately measured. In particular, another measuring system (optical measuring device 3) is maintained while maintaining the operating conditions of the semiconductor laser 1 adjusted using a certain measuring system (optical measuring device 3).
By switching to, it becomes possible to continuously measure the high frequency characteristics over a plurality of types of items while aligning the characteristic parameters. Therefore, the reliability in comprehensively evaluating the high-frequency characteristics over a plurality of types of items can be dramatically improved.

【0023】また測定すべき高周波特性の種別に応じ
て、その都度、高周波ケーブルや光ファイバケーブルを
繋ぎ替える必要がないので、その作業性が非常に良好で
あり、複数項目に亘る高周波特性を短時間に効率的に測
定することができる。しかも高周波ケーブルや光ファイ
バケーブルを繋ぎ替えに伴う計測誤差のバラツキを抑え
て高精度な測定を行うことが可能となる等の効果が奏せ
られる。
Further, since it is not necessary to reconnect the high frequency cable or the optical fiber cable each time according to the type of high frequency characteristic to be measured, the workability is very good and the high frequency characteristic over a plurality of items is short. It can be measured efficiently in time. In addition, it is possible to suppress variations in measurement error caused by reconnection of the high frequency cable and the optical fiber cable and to perform highly accurate measurement.

【0024】ちなみに上述した如く構成されたシステム
によれば、半導体レーザ1のアイパターン、変調周波数
特性、光スペクトル、RIN(相対雑音強度)、チャー
ピング、BERT等の高周波特性を順次連続して測定す
ることが可能となる。しかも複数の半導体レーザ1a,
1b,〜1nを順次切り替えて、これらの各半導体レー
ザ1a,1b,〜1nについての上述した高周波特性を連
続して測定することが可能となる。
By the way, according to the system configured as described above, the high frequency characteristics such as the eye pattern of the semiconductor laser 1, the modulation frequency characteristic, the optical spectrum, RIN (relative noise intensity), chirping and BERT are successively measured. It becomes possible to do. Moreover, a plurality of semiconductor lasers 1a,
By sequentially switching 1b to 1n, it becomes possible to continuously measure the above-mentioned high-frequency characteristics of each of the semiconductor lasers 1a, 1b to 1n.

【0025】具体的には図2に例示するように、I-L
測定[ステップS1]、RIN測定[ステップS2]、
アイパターン測定[ステップS3]、スペクトル測定
[ステップS4]、BERT測定[ステップS5]を順
に連続して実行することができる。特に最初の測定(I
-L測定)で求められた半導体レーザ1の高周波特性に
基づいて該半導体レーザ1の動作条件を設定しながら、
その後の他の項目についての高周波特性の測定を効率的
に行うことができる。
Specifically, as illustrated in FIG. 2, I-L
Measurement [step S1], RIN measurement [step S2],
The eye pattern measurement [step S3], the spectrum measurement [step S4], and the BERT measurement [step S5] can be successively performed in sequence. Especially the first measurement (I
While setting the operating conditions of the semiconductor laser 1 based on the high frequency characteristics of the semiconductor laser 1 obtained by
The high frequency characteristics of other items thereafter can be efficiently measured.

【0026】即ち、上記I-L測定により半導体レーザ
1のI-L特性を評価すれば、このI-L特性に従って半
導体レーザ1におけるキンク(I-L曲線上に生じる折
れ曲がり)を検査することが可能となる。次いでアイパ
ターン測定を行う場合には、先に測定したI-L特性を
用いることで前記半導体レーザ1の指定パワーでの消光
比や指定電流での消光比を求めたり、電流・緩和振動周
波数特性、光出力・緩和振動周波数特性、電流・RIN
特性、光出力・RIN特性等をそれぞれ求めることが可
能となる。
That is, if the I-L characteristic of the semiconductor laser 1 is evaluated by the above-mentioned I-L measurement, it is possible to inspect a kink (a bend occurring on the I-L curve) in the semiconductor laser 1 according to the I-L characteristic. It will be possible. When the eye pattern is measured next, the extinction ratio at the specified power of the semiconductor laser 1 or the extinction ratio at the specified current is obtained by using the IL characteristic measured previously, or the current / relaxation oscillation frequency characteristic is obtained. , Optical output / relaxation oscillation frequency characteristics, current / RIN
It is possible to obtain the characteristics, the optical output / RIN characteristics, and the like.

【0027】尚、緩和振動周波数については、半導体レ
ーザ1のバイアス電流を変化させながらRIN測定を行
い、その緩和振動周波数が変調信号周波数を上回ったと
きにおける前記パルスパターン発生器2aからの変調信
号(高周波信号)を測定することにより求められる。こ
のような計測法を採用することで、光伝送不可能なバイ
アス点での不必要な測定を省くことができる。
With respect to the relaxation oscillation frequency, RIN measurement is performed while changing the bias current of the semiconductor laser 1, and the modulation signal (from the pulse pattern generator 2a when the relaxation oscillation frequency exceeds the modulation signal frequency). It is obtained by measuring a high frequency signal). By adopting such a measuring method, unnecessary measurement at a bias point where optical transmission is impossible can be omitted.

【0028】更に変調レーザ光のアイパターン測定を行
うことで、半導体レーザ1の変調電圧・消光比特性、変
調電圧・アイパターン測定パラメータ、指定消光比での
変調電圧、指定電流と指定消光比でのアイパターン測定
パラメータ、指定パワーと指定消光比でのアイパターン
測定パラメータ等を求めることができる。ちなみに消光
比は、バイアス電流またはパワーを指定し、パルスパタ
ーン発生器2bの電圧を、指定した消光比が得られるま
で可変調整し、消光比・パルスパターン発生電圧(変調
電流)のデータを求めることによって測定される。
Further, by measuring the eye pattern of the modulated laser light, the modulation voltage / extinction ratio characteristic of the semiconductor laser 1, the modulation voltage / eye pattern measurement parameter, the modulation voltage at the specified extinction ratio, the specified current and the specified extinction ratio are obtained. The eye pattern measurement parameters, the eye pattern measurement parameters at the specified power and the specified extinction ratio, etc. can be obtained. For the extinction ratio, specify bias current or power, variably adjust the voltage of the pulse pattern generator 2b until the specified extinction ratio is obtained, and obtain data of the extinction ratio / pulse pattern generation voltage (modulation current). Measured by

【0029】次いで変調レーザ光のスペクトル測定を行
えば、これによって指定消光比でのスペクトル特性や、
指定パワーと指定消光比でのスペクトル特性を求めるこ
とができる。この際、スペクトルアナライザ2aを用い
ることにより、上記指定パワーと指定消光比でのスペク
トル特性からそのチャーピングを測定することが可能と
なる。この際、光チャネルスイッチ9の後段に所定長の
光ファイバを接続しておけば、実際の使用形態に近いチ
ャーピング量を測定することが可能となる。
Next, when the spectrum of the modulated laser light is measured, the spectrum characteristic at the specified extinction ratio and
It is possible to obtain the spectral characteristics at the designated power and the designated extinction ratio. At this time, by using the spectrum analyzer 2a, the chirping can be measured from the spectral characteristics at the designated power and the designated extinction ratio. At this time, if an optical fiber of a predetermined length is connected to the subsequent stage of the optical channel switch 9, it is possible to measure the chirping amount close to the actual usage pattern.

【0030】更に任意の距離長の光ファイバを介してB
ERT測定を行うことにより、例えば指定消光比でのビ
ットエラーレートや、指定パワーと指定消光比でのビッ
トエラーレートを計測することが可能となる。即ち、複
数の測定系を用いてそれぞれ計測される高周波特性を、
その動作条件(駆動条件)を規定しながらそれぞれ関連
性を持たせて測定することができ、種別の異なる高周波
特性間の相関を精度良く評価することが可能となる。
Further, B is connected via an optical fiber of an arbitrary distance length.
By performing the ERT measurement, for example, the bit error rate at the designated extinction ratio or the bit error rate at the designated power and the designated extinction ratio can be measured. That is, the high-frequency characteristics measured using a plurality of measurement systems,
The operating conditions (driving conditions) can be defined and associated with each other, and the measurement can be performed, and the correlation between high-frequency characteristics of different types can be accurately evaluated.

【0031】ところで上述した実施形態は、半導体レー
ザの高周波特性を測定するシステムに適用したものであ
ったが、光変調器や、半導体レーザに光変調器を同時集
積した、例えばEA(電気・音響)変調器集積型の半導
体レーザ等の光デバイスの測定にも同様に適用すること
ができる。この場合、光変調器の高周波特性だけを測定
する場合には、半導体レーザに対するバイオス調整回路
が不要となることは言うまでもない。そして他の光源か
ら導かれるレーザ光を光変調器に導入しながら、該光変
調器に高周波信号を印加してその高周波特性を測定する
ようにすれば良い。
The above-described embodiment has been applied to the system for measuring the high frequency characteristics of the semiconductor laser. ) It can be similarly applied to the measurement of an optical device such as a modulator-integrated semiconductor laser. In this case, needless to say, when measuring only the high frequency characteristics of the optical modulator, the bios adjusting circuit for the semiconductor laser is not necessary. Then, while introducing the laser light guided from another light source into the optical modulator, a high frequency signal may be applied to the optical modulator to measure its high frequency characteristics.

【0032】またこのような光デバイスのもみならず、
高周波半導体素子等の電子デバイスの高周波特性を測定
する場合にも同様に適用することができる。この場合に
は、その電子デバイスの電気的出力信号を、同軸ケーブ
ル等の高周波信号伝送路を介して所定の計測器に導くよ
うにすれば良い。そして前述した光チャネルスイッチに
代えて、高周波リレー回路等を用いてそのチャネル切り
替えを行うように構成すれば良い。このように構成され
たシステムにおいても、先の実施形態と同様な効果を奏
することが可能となる。
In addition, without seeing such an optical device,
The same can be applied to the case of measuring the high frequency characteristics of an electronic device such as a high frequency semiconductor element. In this case, the electrical output signal of the electronic device may be guided to a predetermined measuring instrument via a high frequency signal transmission path such as a coaxial cable. Then, instead of the above-mentioned optical channel switch, the channel may be switched by using a high frequency relay circuit or the like. Even in the system configured as described above, it is possible to obtain the same effect as that of the above-described embodiment.

【0033】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。例えば高周波リレー回路4を介して半
導体レーザ1に接続する信号発生器2の種類やその数、
また光チャネルスイッチ9を介して半導体レーザ1の出
力光を検出する光検出器3の種類やその数は、システム
仕様に応じて定めれば良いものである。また高周波リレ
ー回路4および光チャネルスイッチ9をそれぞれ切り替
え制御して実行する複数種の高周波特性の測定手順も種
々変形可能である。この測定手順の設定は、制御部(コ
ンピュータ)10における測定プログラムの実行手順を
入れ替えることで簡単に変更可能である。その他、本発
明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施する
ことができる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the type and number of signal generators 2 connected to the semiconductor laser 1 via the high frequency relay circuit 4,
Further, the type and the number of the photodetectors 3 that detect the output light of the semiconductor laser 1 via the optical channel switch 9 may be determined according to the system specifications. Further, the measurement procedure of a plurality of types of high frequency characteristics, which is executed by controlling the switching of the high frequency relay circuit 4 and the optical channel switch 9, can be variously modified. The setting of the measurement procedure can be easily changed by changing the execution procedure of the measurement program in the control unit (computer) 10. In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波ケーブルや光ファィバケーブルを繋ぎ替えることな
く複数種の測定系を選択して半導体レーザ等のデバイス
の種々の高周波特性を短時間に効率的に測定することが
できる。しかも高周波ケーブル等の繋ぎ替えに伴う測定
誤差のバラツキを招来することなく、また半導体レーザ
の高周波特性に応じてその動作条件を設定しながら、所
定の動作条件下での種々の高周波特性を互いに関連付け
て測定することができ、その実用的利点が多大である。
As described above, according to the present invention, various high frequency characteristics of a device such as a semiconductor laser can be shortened by selecting a plurality of types of measurement systems without switching high frequency cables or optical fiber cables. It can be measured efficiently in time. Moreover, various high-frequency characteristics can be associated with each other under predetermined operating conditions without causing variations in measurement errors due to reconnection of high-frequency cables and setting operating conditions according to the high-frequency characteristics of the semiconductor laser. It is possible to measure by the above, and its practical advantage is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る半導体レーザの特性
を測定する高周波特性測定システムの全体的な概略構成
図。
FIG. 1 is an overall schematic configuration diagram of a high frequency characteristic measuring system for measuring characteristics of a semiconductor laser according to an embodiment of the present invention.

【図2】半導体レーザの種々の高周波測定の測定手順の
一例を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a measurement procedure for various high-frequency measurements of a semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,〜1c 半導体レーザ(デバイス) 2,2a,2b 信号発生器 3,3a,〜3d 光測定器 4 高周波リレー回路 5 バイアス回路 6 バイアス調整回路 7 出力選択用高周波リレー回路 9 光チャネルスイッチ 10 制御部(コンピュータ) 1, 1a, ~ 1c Semiconductor laser (device) 2,2a, 2b signal generator 3,3a, -3d optical measuring instrument 4 High frequency relay circuit 5 Bias circuit 6 Bias adjustment circuit High frequency relay circuit for 7 output selection 9 Optical channel switch 10 Control unit (computer)

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光デバイスまたは電子デバイスの高周波
特性を測定するシステムであって、 前記デバイスの駆動を制御する複数種の高周波信号をそ
れぞれ発生する複数の信号発生器と、 これらの各信号発生器と前記デバイスとを結ぶ高周波信
号伝送路に介挿されて、前記複数種の高周波信号を選択
して前記デバイスに加える高周波リレー回路と、 前記デバイスの出力を取り込んで該デバイスの高周波特
性を計測する計測器と、 前記デバイスの計測すべき高周波特性の種別に応じて前
記高周波リレー回路を切り替え設定する計測制御手段と
を具備したことを特徴とする高周波特性測定システム。
1. A system for measuring high frequency characteristics of an optical device or an electronic device, comprising: a plurality of signal generators respectively generating a plurality of types of high frequency signals for controlling driving of the device; and signal generators thereof. And a high-frequency signal transmission line that connects the device and a high-frequency relay circuit that selects the plurality of types of high-frequency signals and applies the high-frequency signals to the device, and captures the output of the device to measure the high-frequency characteristics of the device. A high frequency characteristic measuring system comprising: a measuring instrument; and a measurement control unit that switches and sets the high frequency relay circuit according to the type of high frequency characteristic of the device to be measured.
【請求項2】 光デバイスまたは電子デバイスの高周波
特性を測定するシステムであって、 前記デバイスの駆動を制御する高周波信号を発生し、高
周波信号伝送路を介して上記高周波信号を前記デバイス
に加える信号発生器と、 前記デバイスの出力を取り込んで該デバイスの互いに異
なる種別の高周波特性をそれぞれ計測する複数種の計測
器と、 前記デバイスと前記各計測器とをそれぞれ結ぶ信号線路
を切り替えて前記デバイスの出力を前記各計測器に選択
的に導入するチャネルスイッチと、 前記デバイスの計測すべき高周波特性の種別に応じて前
記チャネルスイッチを切り替え設定する計測制御手段と
を具備したことを特徴とする高周波特性測定システム。
2. A system for measuring high-frequency characteristics of an optical device or an electronic device, which is a signal for generating a high-frequency signal for controlling driving of the device and applying the high-frequency signal to the device via a high-frequency signal transmission path. A generator, a plurality of types of measuring instruments that respectively capture the output of the device and measure different types of high-frequency characteristics of the device, and a signal line that connects the device and each of the measuring instruments to each other to switch the device. A high-frequency characteristic comprising: a channel switch for selectively introducing an output into each of the measuring instruments; and a measurement control unit for switching and setting the channel switch according to the type of the high-frequency characteristic to be measured by the device. Measuring system.
【請求項3】 光デバイスまたは電子デバイスの高周波
特性を測定するシステムであって、 前記デバイスの駆動を制御する複数種の高周波信号をそ
れぞれ発生する複数の信号発生器と、 前記デバイスと上記各信号発生器とをそれぞれ結ぶ高周
波信号伝送路に介挿されて、前記複数種の高周波信号を
選択して前記デバイスに加える高周波リレー回路と、 前記デバイスの出力を取り込んで該デバイスの互いに異
なる種別の高周波特性をそれぞれ計測する複数種の計測
器と、 前記デバイスと前記各計測器とをそれぞれ結ぶ信号線路
を切り替えて前記デバイスの出力を前記各計測器に選択
的に導入するチャネルスイッチと、 前記デバイスの計測すべき高周波特性の種別に応じて前
記高周波リレー回路と前記チャネルスイッチとをそれぞ
れ切り替え設定する計測制御手段とを具備したことを特
徴とする高周波特性測定システム。
3. A system for measuring high frequency characteristics of an optical device or an electronic device, comprising: a plurality of signal generators respectively generating a plurality of types of high frequency signals for controlling driving of the device; A high-frequency relay circuit that is inserted in a high-frequency signal transmission path that connects each of the generators and that selects the plurality of types of high-frequency signals and applies the high-frequency signals to the device; and a high-frequency wave of a different type of the device that captures the output of the device A plurality of types of measuring instruments that respectively measure the characteristics, a channel switch that selectively introduces the output of the device to each of the measuring instruments by switching the signal lines that respectively connect the device and each of the measuring instruments, and the device Switching between the high frequency relay circuit and the channel switch is set according to the type of high frequency characteristics to be measured. Frequency characteristic measuring system characterized by comprising a measurement control means for.
【請求項4】 前記計測制御手段は、前記高周波リレー
回路および/または前記チャネルスイッチを順に切り換
えて、前記デバイスの複数種の高周波特性の連続した計
測を実行させるものである請求項1〜3のいずれかに記
載の高周波特性測定システム。
4. The measurement control means switches the high frequency relay circuit and / or the channel switch in order to execute continuous measurement of a plurality of types of high frequency characteristics of the device. The high frequency characteristic measuring system according to any one of the above.
【請求項5】 請求項1〜3のいずれかに記載の高周波
特性測定システムにおいて、 更に前記高周波信号伝送路を介して伝送される高周波信
号を複数のデバイスに選択的に加える出力選択用高周波
リレー回路を備えることを特徴とする高周波特性測定シ
ステム。
5. The high frequency characteristic measuring system according to claim 1, further comprising: a high frequency relay for output selection, which selectively applies a high frequency signal transmitted through the high frequency signal transmission path to a plurality of devices. A high frequency characteristic measuring system comprising a circuit.
【請求項6】 前記光デバイスは、半導体レーザ、光変
調器、または光変調器を同時集積した集積型半導体レー
ザからなり、 前記デバイスと計測器とを結ぶ信号線路は、光路をなす
光ファイバからなる請求項1〜5のいずれかに記載の高
周波特性測定システム。
6. The optical device comprises a semiconductor laser, an optical modulator, or an integrated semiconductor laser in which optical modulators are integrated simultaneously, and a signal line connecting the device and the measuring instrument is an optical fiber forming an optical path. The high frequency characteristic measuring system according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 前記電子デバイスは、高周波半導体素子
からなり、 前記デバイスと計測器とを結ぶ信号線路は、高周波電気
信号を伝達する高周波信号伝送路からなる請求項1〜5
のいずれかに記載の高周波特性測定システム。
7. The electronic device comprises a high frequency semiconductor element, and the signal line connecting the device and the measuring instrument comprises a high frequency signal transmission line for transmitting a high frequency electrical signal.
The high frequency characteristic measuring system according to any one of 1.
【請求項8】 請求項6に記載の高周波特性測定システ
ムにおいて、 更に半導体レーザの駆動条件を設定するバイアス設定手
段を備えることを特徴とする高周波特性測定システム。
8. The high frequency characteristic measuring system according to claim 6, further comprising bias setting means for setting a driving condition of the semiconductor laser.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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