JP2003203595A - Electron microscope - Google Patents

Electron microscope

Info

Publication number
JP2003203595A
JP2003203595A JP2002001198A JP2002001198A JP2003203595A JP 2003203595 A JP2003203595 A JP 2003203595A JP 2002001198 A JP2002001198 A JP 2002001198A JP 2002001198 A JP2002001198 A JP 2002001198A JP 2003203595 A JP2003203595 A JP 2003203595A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron microscope
sample
ionization chamber
electron
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002001198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masato Kudou
政都 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP2002001198A priority Critical patent/JP2003203595A/en
Publication of JP2003203595A publication Critical patent/JP2003203595A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron microscope such as a scanning electron microscope and a transmission type electron microscope capable of effectively neutralizing charge-up on a sample surface such as an insulator. <P>SOLUTION: A thermoelectron generated from a filament 9 enters a chamber 7 by passing through an opening 8. In this case, the electron ionizes gas by colliding with a gas molecule in the chamber 7. Among generated ions, an ion having an upward directional velocity vector is changed in the downward direction on the direction by an electric field formed by an ion shielding electrode 13. This ion current moves along a line of magnetic force made by an objective lens 3, and finally reaches a sample surface. Thus, the charge-up can be efficiently neutralized. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、試料のチャージア
ップを中和するようにした透過型電子顕微鏡や走査電子
顕微鏡のごとき電子顕微鏡に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron microscope such as a transmission electron microscope or a scanning electron microscope, which neutralizes charge-up of a sample.

【0002】[0002]

【従来の技術】走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し
た電子ビームを試料上に細く集束し、更に、試料上の電
子ビームの照射位置を2次元的に走査するようにしてい
る。この試料への電子ビームの照射によって発生した例
えば2次電子が検出され、その検出信号は、電子ビーム
の走査に同期した陰極線管に輝度変調信号として供給さ
れることから、陰極線管には試料の2次電子像が表示さ
れる。
2. Description of the Related Art In a scanning electron microscope, an electron beam generated from an electron gun is focused on a sample finely, and the irradiation position of the electron beam on the sample is two-dimensionally scanned. Secondary electrons generated by irradiating the sample with the electron beam are detected, and the detection signal is supplied as a brightness modulation signal to the cathode ray tube synchronized with the scanning of the electron beam. The secondary electron image is displayed.

【0003】また、透過型電子顕微鏡では、試料に電子
ビームを照射し、試料を透過した電子を結像し、蛍光板
上に投影するようにしている。このような走査電子顕微
鏡や透過型電子顕微鏡において、試料が絶縁物や半導体
の場合、試料表面に電荷が蓄積し、いわゆるチャージア
ップ現象が生じる。チャージアップが生じると、像が全
体的に白っぽくなり、不鮮明となって観察が困難とな
る。
Further, in the transmission electron microscope, the sample is irradiated with an electron beam, and the electron transmitted through the sample is imaged and projected on the fluorescent screen. In such a scanning electron microscope or transmission electron microscope, when the sample is an insulator or a semiconductor, electric charges are accumulated on the sample surface, and a so-called charge-up phenomenon occurs. When the charge-up occurs, the image becomes whitish as a whole and becomes unclear and difficult to observe.

【0004】このため、試料に蓄積された電荷を中和
(チャージアップを緩和)することが行われている。そ
の中和の方式の一つとして、試料の近傍にイオン源を設
置し、イオン源から発生する正イオンをチャージアップ
した試料表面に照射することが行われている。
Therefore, the charge accumulated in the sample is neutralized (charge-up is alleviated). As one of the neutralization methods, an ion source is installed in the vicinity of the sample, and positive ions generated from the ion source are irradiated on the surface of the charged sample.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記したイオンを試料
に照射する方式を試料を対物レンズ磁場内に配置するイ
ンレンズ型走査電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡に適用し
ようとすると、試料面上に強い磁場が存在するため、上
記のような方式では、イオン源からのイオンがその磁場
の磁力線に巻き付かれてしまい、試料面に到達できなく
なる。
When the above-mentioned method of irradiating a sample with ions is applied to an in-lens type scanning electron microscope or a transmission electron microscope in which the sample is placed in the magnetic field of the objective lens, the sample surface is strongly affected. Since there is a magnetic field, in the above method, the ions from the ion source are wrapped around the magnetic field lines of the magnetic field and cannot reach the sample surface.

【0006】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、絶縁物等の試料表面上のチャージ
アップを有効に中和させることができる走査電子顕微
鏡、透過型電子顕微鏡等の電子顕微鏡を実現するにあ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a scanning electron microscope and a transmission electron microscope capable of effectively neutralizing charge-up on the surface of a sample such as an insulator. Etc. to realize an electron microscope.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に基づく電子顕微
鏡は、試料上部に配置され電子ビームの通過開口を有し
たイオン化チャンバーと、チャンバー内にイオン化のた
めの電子を供給するために、チャンバーの側部に設けら
れた電子源と、イオン化チャンバーの上部にイオン化チ
ャンバーの電位より高い電位が印加され、イオン化チャ
ンバー内で発生し上方に向かうイオンを反転させるため
のイオン遮蔽電極とを備え、イオン化チャンバーの電位
をアース電位に対して僅かに高い正の電位とし、イオン
化チャンバー内で発生させたイオンを効率よく試料面に
導き、試料面上のチャージアップを中和するようにし
た。
An electron microscope according to the present invention comprises an ionization chamber arranged above a sample and having an electron beam passage opening, and a chamber for supplying electrons for ionization into the chamber. The ionization chamber is provided with an electron source provided on a side part and an ion shield electrode for inverting the ions generated in the ionization chamber and upwardly generated by applying a potential higher than the potential of the ionization chamber to the upper part of the ionization chamber. The potential of was set to a positive potential slightly higher than the ground potential, so that the ions generated in the ionization chamber were efficiently guided to the sample surface and the charge-up on the sample surface was neutralized.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1は本発明に基づく走査
電子顕微鏡の一例を示しており、電子銃1より発生し加
速された電子ビームEBは、コンデンサレンズ2と対物レ
ンズ3によって試料4上に細く集束される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a scanning electron microscope according to the present invention, in which an electron beam EB generated and accelerated by an electron gun 1 is finely focused on a sample 4 by a condenser lens 2 and an objective lens 3.

【0009】また、電子ビームEBは、走査コイル5によ
って試料4の所望領域で2次元的に走査される。試料4
への電子ビームの照射によって発生した例えば2次電子
は、対物レンズ4上部の光軸から離れた位置に設けられ
た2次電子検出器6によって検出される。
The electron beam EB is two-dimensionally scanned by the scanning coil 5 on a desired region of the sample 4. Sample 4
Secondary electrons generated by the irradiation of the electron beam on the secondary electron detector 6 are detected by the secondary electron detector 6 provided at a position apart from the optical axis above the objective lens 4.

【0010】2次電子検出器6は、2次電子を収集する
正の高電圧が印加されたコロナリング、2次電子が衝突
して光を発生するシンチレータ、シンチレータの光を導
く光ファイバー、シンチレータからの光によって電子を
発生し、その電子を増倍する2次電子増倍管より成って
いる。
The secondary electron detector 6 includes a corona ring to which a positive high voltage is applied to collect secondary electrons, a scintillator which collides with the secondary electrons to generate light, an optical fiber which guides the light of the scintillator, and a scintillator. It is composed of a secondary electron multiplier tube that generates electrons by the light of and emits electrons.

【0011】この2次電子検出器6の検出信号は、図示
していないが、増幅器、像の輝度やコントラストの調整
を行う信号処理回路を介して、輝度変調信号として陰極
線管に供給される。その結果、陰極線管には、試料の所
望領域の2次電子像が表示されることになる。
Although not shown, the detection signal of the secondary electron detector 6 is supplied to the cathode ray tube as a brightness modulation signal via an amplifier and a signal processing circuit for adjusting the brightness and contrast of the image. As a result, the secondary electron image of the desired region of the sample is displayed on the cathode ray tube.

【0012】さて、試料4の2次電子像は、上記した動
作により観察することができるが、試料4が絶縁物や半
導体等の場合、試料への電子ビームEBの照射によって試
料4の表面には電荷が蓄積し、いわゆるチャージアップ
が生じる。このチャージアップが生じると、前記したよ
うに像が白っぽくなり、不鮮明となって像観察に支障を
来すことになる。
The secondary electron image of the sample 4 can be observed by the above-mentioned operation. When the sample 4 is an insulator or a semiconductor, the surface of the sample 4 is irradiated with the electron beam EB on the sample. Charges are accumulated, and so-called charge-up occurs. When this charge-up occurs, the image becomes whitish as described above, and the image becomes unclear, which hinders image observation.

【0013】このため、図1の実施の形態では、対物レ
ンズ3の上部に電子ビームEBの通過開口を有したイオン
化チャンバー7が設けられている。このイオン化チャン
バー7の一方の側部には電子通過開口8が設けられてお
り、この開口8に接近してフィラメント9が設けられて
いる。
Therefore, in the embodiment shown in FIG. 1, an ionization chamber 7 having an opening for passing the electron beam EB is provided above the objective lens 3. An electron passage opening 8 is provided on one side of the ionization chamber 7, and a filament 9 is provided close to the opening 8.

【0014】イオン化チャンバー7は、電源10によっ
てフィラメント9に対して+数10〜+数100V程度
の電位差が与えられ、電源11によってアースに対して
+Vg(V)の電位が印加されている。また、フィラメン
ト9は加熱電源12によって加熱されるように構成され
ている。
In the ionization chamber 7, a potential difference of + several tens to + several hundreds V is applied to the filament 9 by the power source 10, and a potential of + Vg (V) is applied to the ground by the power source 11. Further, the filament 9 is configured to be heated by the heating power supply 12.

【0015】イオン化チャンバー7の上部には、電子ビ
ームEB通過開口を有したイオン遮蔽電極13が設けられ
ているが、このイオン遮蔽電極13には、電源14によ
りVg+10(V)程度の電圧が印加されている。
An ion shield electrode 13 having an electron beam EB passage opening is provided above the ionization chamber 7, and a voltage of about Vg + 10 (V) is applied to the ion shield electrode 13 by a power supply 14. Has been done.

【0016】イオン化チャンバー7と対物レンズ3との
間には、アース電極15が設けられ、コンデンサレンズ
2とイオン遮蔽電極13との間には、アース電極16が
設けられている。なお、イオン化チャンバー7,イオン
遮蔽電極13,アース電極15,16は、それぞれ電子
ビームEBの光軸に対して軸対称の構造とされており、電
子ビームEBに対して不正な偏向を防止するようにされて
いる。
A ground electrode 15 is provided between the ionization chamber 7 and the objective lens 3, and a ground electrode 16 is provided between the condenser lens 2 and the ion shield electrode 13. The ionization chamber 7, the ion shield electrode 13, and the ground electrodes 15 and 16 are each structured to be axisymmetric with respect to the optical axis of the electron beam EB, so as to prevent improper deflection of the electron beam EB. Has been

【0017】上記した構成で、電子銃1から発生し加速
された電子ビームEBは、コンデンサレンズ2,対物レン
ズ3によって試料4の表面上に細く集束される。また、
電子ビームEBは、走査コイル5によって試料4の所望領
域で2次元的に走査される。試料4への電子ビームの照
射によって発生した例えば2次電子は、対物レンズ4上
部の光軸から離れた位置に設けられた2次電子検出器6
によって検出される。この2次電子検出器6の検出信号
は、図示していないが、増幅器、像の輝度やコントラス
トの調整を行う信号処理回路を介して、輝度変調信号と
して陰極線管に供給される。その結果、陰極線管には、
試料の所望領域の2次電子像が表示されることになる。
With the above structure, the electron beam EB generated and accelerated by the electron gun 1 is finely focused on the surface of the sample 4 by the condenser lens 2 and the objective lens 3. Also,
The electron beam EB is two-dimensionally scanned on the desired region of the sample 4 by the scanning coil 5. For example, secondary electrons generated by irradiating the sample 4 with the electron beam are secondary electron detectors 6 provided at positions above the objective lens 4 away from the optical axis.
Detected by. Although not shown, the detection signal of the secondary electron detector 6 is supplied to the cathode ray tube as a brightness modulation signal via an amplifier and a signal processing circuit for adjusting the brightness and contrast of the image. As a result, the cathode ray tube has
A secondary electron image of the desired area of the sample will be displayed.

【0018】さて、試料4が絶縁物や半導体等の場合、
試料への電子ビームEBの照射によって試料4の表面には
電荷が蓄積し、いわゆるチャージアップが生じる。この
チャージアップが生じると、前記したように像が白っぽ
くなり、不鮮明となって像観察に支障を来すことにな
る。
When the sample 4 is an insulator or semiconductor,
By irradiating the sample with the electron beam EB, charges are accumulated on the surface of the sample 4, so-called charge-up occurs. When this charge-up occurs, the image becomes whitish as described above, and the image becomes unclear, which hinders image observation.

【0019】このチャージアップが生じた場合、フィラ
メント9が加熱され、熱電子を発生させる。熱電子は、
フィラメント9に対して+数10〜+数100V程度の
電位差を有したイオン化チャンバー7に向け引き込ま
れ、開口8を通ってチャンバー7内に入り込む。この
際、電子はチャンバー7内のガス分子と衝突してガスを
イオン化する。
When this charge-up occurs, the filament 9 is heated and thermoelectrons are generated. Thermoelectrons
The filament 9 is drawn toward the ionization chamber 7 having a potential difference of + several tens to + several hundreds of V, and enters the chamber 7 through the opening 8. At this time, the electrons collide with gas molecules in the chamber 7 and ionize the gas.

【0020】発生したイオンの内、下方向の速度ベクト
ルを有するものは、そのままアース電極15に引き込ま
れ、更に下の方向へ移動していく。一方、上方向の速度
ベクトルを有するイオンは、Vg+10(V)程度の電圧
が印加されているイオン遮蔽電極13が形成する電場に
よってその方向を下方向に変えられる。
Among the generated ions, those having a downward velocity vector are drawn into the ground electrode 15 as they are, and move further downward. On the other hand, the direction of the ions having the upward velocity vector can be changed to the downward direction by the electric field formed by the ion shield electrode 13 to which a voltage of about Vg + 10 (V) is applied.

【0021】このようにして、下方向に向かうイオン流
が作られる。このイオン流は、アースに対してVg(e
V)のエネルギーを有するものである。このイオン流
は、対物レンズ3の作る磁力線に沿って移動し、最終的
に試料面に到達する。図2はイオン化チャンバー7内で
発生したイオンの流れを示している。
In this way, a downward ion flow is created. This ion flow is Vg (e
V). This ion flow moves along the magnetic field lines created by the objective lens 3 and finally reaches the sample surface. FIG. 2 shows the flow of ions generated in the ionization chamber 7.

【0022】試料面は、対物レンズ3が形成する磁場の
磁束密度が最も大きくなった付近に配置されているた
め、イオン流も試料面上に到達するときにその密度が最
大となる。そのため、効率の良いチャージアップの中和
が可能となる。
Since the sample surface is disposed in the vicinity of the maximum magnetic flux density of the magnetic field formed by the objective lens 3, the density of the ion flow reaches the maximum when reaching the sample surface. Therefore, it is possible to efficiently neutralize the charge-up.

【0023】なお、最適な中和状態を実現するために
は、フィラメント9の加熱電源12を調整して熱電子の
発生量をコントロールし、それによってチャンバー7内
で発生するイオンの量を調整し、結果として試料4に照
射される正イオンの数を制御すればよい。また、他の方
法としては、可変電源11により、イオン化チャンバー
7の電圧を調整することにより、試料4に向かうイオン
の量を調整してもよい。
In order to realize the optimum neutralization state, the heating power source 12 for the filament 9 is adjusted to control the amount of thermoelectrons generated, and thereby the amount of ions generated in the chamber 7 is adjusted. As a result, the number of positive ions with which the sample 4 is irradiated may be controlled. Further, as another method, the amount of ions toward the sample 4 may be adjusted by adjusting the voltage of the ionization chamber 7 with the variable power source 11.

【0024】以上本発明の一実施の形態を説明したが、
本発明は、この形態に限定されず幾多の変形が可能であ
る。例えば、走査電子顕微鏡に本発明を適用した場合に
ついて説明したが、対物レンズ磁場内に試料が配置され
る透過型電子顕微鏡にも本発明を適用することができ
る。
The embodiment of the present invention has been described above.
The present invention is not limited to this form, and many variations are possible. For example, the case where the present invention is applied to a scanning electron microscope has been described, but the present invention can also be applied to a transmission electron microscope in which a sample is arranged in the magnetic field of the objective lens.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく電
子顕微鏡は、試料上部に配置され電子ビームの通過開口
を有したイオン化チャンバーと、チャンバー内にイオン
化のための電子を供給するために、チャンバーの側部に
設けられた電子源と、イオン化チャンバーの上部にイオ
ン化チャンバーの電位より高い電位が印加され、イオン
化チャンバー内で発生し上方に向かうイオンを反転させ
るためのイオン遮蔽電極とを備え、イオン化チャンバー
の電位をアース電位に対して僅かに高い正の電位とし
た。その結果、イオン化チャンバー内で発生させたイオ
ンを効率よく試料面に導き、試料面上のチャージアップ
を中和することができる。
As described above, the electron microscope according to the present invention is provided with an ionization chamber having an opening for passing an electron beam, which is arranged above a sample, and for supplying electrons for ionization into the chamber. An electron source provided on the side of the chamber and an ion shield electrode for reversing ions generated in the ionization chamber and directed upward are applied with a potential higher than the potential of the ionization chamber at the upper part of the ionization chamber, The potential of the ionization chamber was a positive potential slightly higher than the ground potential. As a result, the ions generated in the ionization chamber can be efficiently guided to the sample surface, and the charge-up on the sample surface can be neutralized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一例を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a scanning electron microscope according to the present invention.

【図2】イオン化チャンバー内で発生したイオンの流れ
を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a flow of ions generated in an ionization chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子銃 2 コンデンサレンズ 3 対物レンズ 4 試料 5 走査コイル 6 2次電子検出器 7 イオン化チャンバー 8 開口 9 フィラメント 10,11,12,14 電源 13 イオン遮蔽電極 15,16 アース電極 1 electron gun 2 condenser lens 3 Objective lens 4 samples 5 scanning coils 6 Secondary electron detector 7 Ionization chamber 8 openings 9 filament 10, 11, 12, 14 Power supply 13 Ion shielding electrode 15,16 Earth electrode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料を対物レンズ磁場内に配置するよう
にした電子顕微鏡において、試料上部に配置され電子ビ
ームの通過開口を有したイオン化チャンバーと、チャン
バー内にイオン化のための電子を供給するために、チャ
ンバーの側部に設けられた電子源と、イオン化チャンバ
ーの上部にイオン化チャンバーの電位より高い電位が印
加され、イオン化チャンバー内で発生し上方に向かうイ
オンを反転させるためのイオン遮蔽電極とを備え、イオ
ン化チャンバーの電位をアース電位に対して僅かに高い
正の電位とした電子顕微鏡。
1. An electron microscope in which a sample is arranged in a magnetic field of an objective lens, for supplying an ionization chamber having an opening for passing an electron beam, which is arranged above the sample, and electrons for ionization into the chamber. In addition, an electron source provided on the side of the chamber and an ion shield electrode for reversing the ions generated in the ionization chamber and directed upward when a potential higher than the potential of the ionization chamber is applied to the upper part of the ionization chamber. An electron microscope equipped with the positive potential of the ionization chamber that is slightly higher than the ground potential.
【請求項2】 イオン化チャンバーの下方とイオン遮蔽
電極の上方にアース電極を設けた請求項1記載の電子顕
微鏡。
2. The electron microscope according to claim 1, wherein ground electrodes are provided below the ionization chamber and above the ion shield electrode.
【請求項3】 イオン化チャンバー、イオン遮蔽電極、
アース電極は、電子ビームの光軸に軸対称に形成されて
いる請求項2記載の電子顕微鏡。
3. An ionization chamber, an ion shield electrode,
The electron microscope according to claim 2, wherein the ground electrode is formed symmetrically with respect to the optical axis of the electron beam.
【請求項4】 試料は対物レンズが形成する磁場内に配
置され、試料の所望領域が集束された電子ビームによっ
て2次元的に走査される走査電子顕微鏡である請求項1
〜3記載の電子顕微鏡。
4. A scanning electron microscope in which a sample is placed in a magnetic field formed by an objective lens and a desired region of the sample is two-dimensionally scanned by a focused electron beam.
The electron microscope according to 3 above.
【請求項5】 試料は対物レンズが形成する磁場内に配
置され、試料を透過した電子が結像される透過型電子顕
微鏡である請求項1〜3記載の電子顕微鏡。
5. The electron microscope according to claim 1, wherein the sample is a transmission electron microscope arranged in a magnetic field formed by an objective lens, and an electron transmitted through the sample is imaged.
JP2002001198A 2002-01-08 2002-01-08 Electron microscope Withdrawn JP2003203595A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002001198A JP2003203595A (en) 2002-01-08 2002-01-08 Electron microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002001198A JP2003203595A (en) 2002-01-08 2002-01-08 Electron microscope

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003203595A true JP2003203595A (en) 2003-07-18

Family

ID=27641384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002001198A Withdrawn JP2003203595A (en) 2002-01-08 2002-01-08 Electron microscope

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003203595A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013035866A1 (en) * 2011-09-09 2015-03-23 独立行政法人科学技術振興機構 Observation method using an electron microscope for observing a biological sample as it is, a composition for suppressing evaporation under vacuum, a scanning electron microscope and a transmission electron microscope

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013035866A1 (en) * 2011-09-09 2015-03-23 独立行政法人科学技術振興機構 Observation method using an electron microscope for observing a biological sample as it is, a composition for suppressing evaporation under vacuum, a scanning electron microscope and a transmission electron microscope

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4236742B2 (en) Scanning electron microscope
US5387793A (en) Scanning electron microscope
JP4176159B2 (en) Environmentally controlled SEM using magnetic field for improved secondary electron detection
JP4215282B2 (en) SEM equipped with electrostatic objective lens and electrical scanning device
JP4302316B2 (en) Scanning electron microscope
JP3905382B2 (en) Optical column of charged particle beam equipment
US7541580B2 (en) Detector for charged particle beam instrument
JP2000200579A (en) Scanning electron microscope
JPH09171791A (en) Scanning type electron microscope
JP2006093161A (en) Electron scanning microscope
JP6736756B2 (en) Charged particle beam device
JP2005174766A (en) Scanning electron microscope
JP3432091B2 (en) Scanning electron microscope
JPH0955181A (en) Scanning electron microscope
JP2003203595A (en) Electron microscope
JP3494152B2 (en) Scanning electron microscope
JP4179390B2 (en) Scanning electron microscope
JP4179369B2 (en) Scanning electron microscope
JPH08264149A (en) Secondary electron detecting apparatus for scanning electron microscope
JP2006140162A (en) Method of forming testpiece image
KR100711198B1 (en) Scanning electron microscope
JP3992021B2 (en) Scanning electron microscope
JP7313499B2 (en) Scanning electron microscope and secondary electron detection method for scanning electron microscope
JP7253647B2 (en) Electron beam ion generator and electron beam ion generation method
JP3101141B2 (en) Electron beam equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050405