JP2003202506A - 光デバイスの同調をとる装置 - Google Patents
光デバイスの同調をとる装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】同調可能なファブリペローフィルタや同調可能
なＶＣＳＥＬを同調して正確な、既知の波長へとするの
に用いられる、新たな波長ロッカーを備えること。 【解決手段】 同調可能な光デバイスのターゲット波長
に同調させるために用いられる装置において、前記同調
可能な光デバイスから得られる光の集まりを反射するた
めのビーム分離器と、前記ビーム分離器から得られる光
の集まりを複数のビームに分割するウォークオフ反射器
と、前記ウォークオフ反射器により供給された複数ビー
ムのうち少なくとも２つからの光を加工する多重エタロ
ンと、前記多重エタロン及び前記ウォークオフ反射器か
らの光を検出し、複数の出力信号を出力する多重検知器
と、前記多重検知器により出力された前記出力信号に対
応した制御信号を前記同調可能な光デバイスに出力する
ことにより、前記同調可能な光デバイスを制御する制御
ユニットとを備える。
なＶＣＳＥＬを同調して正確な、既知の波長へとするの
に用いられる、新たな波長ロッカーを備えること。 【解決手段】 同調可能な光デバイスのターゲット波長
に同調させるために用いられる装置において、前記同調
可能な光デバイスから得られる光の集まりを反射するた
めのビーム分離器と、前記ビーム分離器から得られる光
の集まりを複数のビームに分割するウォークオフ反射器
と、前記ウォークオフ反射器により供給された複数ビー
ムのうち少なくとも２つからの光を加工する多重エタロ
ンと、前記多重エタロン及び前記ウォークオフ反射器か
らの光を検出し、複数の出力信号を出力する多重検知器
と、前記多重検知器により出力された前記出力信号に対
応した制御信号を前記同調可能な光デバイスに出力する
ことにより、前記同調可能な光デバイスを制御する制御
ユニットとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に音声装置に関
し、特に同調可能なフィルタ及び同調可能なレーザに関
する。
し、特に同調可能なフィルタ及び同調可能なレーザに関
する。
【０００２】
【従来の技術】同調可能なファブリペローフィルタ（Fa
bry-Perot filter）及び同調可能な面発光型半導体レー
ザー（ＶＣＳＥＬ）は、当分野においてかなりの関心を
集めてきている。他の分野でも、これらの機器は光学素
子及びシステムの様々な幅広い分野で適用されると考え
られる。例えば、波長分割多重（ＷＤＭ）の光ファイバ
システム、スイッチ、ルータ、等である。
bry-Perot filter）及び同調可能な面発光型半導体レー
ザー（ＶＣＳＥＬ）は、当分野においてかなりの関心を
集めてきている。他の分野でも、これらの機器は光学素
子及びシステムの様々な幅広い分野で適用されると考え
られる。例えば、波長分割多重（ＷＤＭ）の光ファイバ
システム、スイッチ、ルータ、等である。
【０００３】同調可能なファブリペローフィルタ及び同
調可能なＶＣＳＥＬでは、トップミラーからボトムミラ
ーへ動かす静電界を用いて、ファブリペロー空洞の長さ
を変え、よって装置の波長を変えることで同調がなされ
る。
調可能なＶＣＳＥＬでは、トップミラーからボトムミラ
ーへ動かす静電界を用いて、ファブリペロー空洞の長さ
を変え、よって装置の波長を変えることで同調がなされ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そうした仕組みは、装
置を同調するのに迅速かつ容易な方法であるために有利
であるが、実際には互いに同じとなる型の装置を製造す
るのが難しいということが証明されている。
置を同調するのに迅速かつ容易な方法であるために有利
であるが、実際には互いに同じとなる型の装置を製造す
るのが難しいということが証明されている。
【０００５】一般的に、主な性能は装置間、バッチ間で
様々に異なる。さらにまた主な性能の変化は、特定装置
において時間が経つにつれておこるが、これは装置の年
数、気温変化に関しても同様である。
様々に異なる。さらにまた主な性能の変化は、特定装置
において時間が経つにつれておこるが、これは装置の年
数、気温変化に関しても同様である。
【０００６】結果的に本発明の目的は、同調可能なファ
ブリペローフィルタや同調可能なＶＣＳＥＬを同調して
正確な、既知の波長へとするのに用いられる、新たな波
長ロッカーを提供することである。
ブリペローフィルタや同調可能なＶＣＳＥＬを同調して
正確な、既知の波長へとするのに用いられる、新たな波
長ロッカーを提供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、同調可能なファブリ
ペローフィルタや同調可能なＶＣＳＥＬを同調して正確
な、既知の波長へとするための新たな方法を提供するこ
とである。
ペローフィルタや同調可能なＶＣＳＥＬを同調して正確
な、既知の波長へとするための新たな方法を提供するこ
とである。
【０００８】さらに、本発明の他の目的は、前述の波長
ロッカーを含む新しい光学システムを提供することであ
る。これら及び他の目的は本発明により示される。
ロッカーを含む新しい光学システムを提供することであ
る。これら及び他の目的は本発明により示される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの形態によ
れば、同調可能な光デバイスのターゲット波長への同調
に用いられる装置であって、前記同調可能な光デバイス
から得られる光の集まりを反射するためのビーム分離器
と、前記ビーム分離器から得られる光の集まりを複数の
ビームに分割するウォークオフ反射器と、前記ウォーク
オフ反射器により供給された複数ビームのうち少なくと
も２つからの光を加工する多重エタロンと、前記多重エ
タロン及び前記ウォークオフ反射器からの光を検出し、
複数の出力信号を出力する多重検知器と、前記多重検知
器により出力された前記出力信号に対応した制御信号を
前記同調可能な光デバイスに出力することにより、前記
同調可能な光デバイスを制御する制御ユニットとを備え
る装置を提供している。
れば、同調可能な光デバイスのターゲット波長への同調
に用いられる装置であって、前記同調可能な光デバイス
から得られる光の集まりを反射するためのビーム分離器
と、前記ビーム分離器から得られる光の集まりを複数の
ビームに分割するウォークオフ反射器と、前記ウォーク
オフ反射器により供給された複数ビームのうち少なくと
も２つからの光を加工する多重エタロンと、前記多重エ
タロン及び前記ウォークオフ反射器からの光を検出し、
複数の出力信号を出力する多重検知器と、前記多重検知
器により出力された前記出力信号に対応した制御信号を
前記同調可能な光デバイスに出力することにより、前記
同調可能な光デバイスを制御する制御ユニットとを備え
る装置を提供している。
【００１０】
【発明の実施の形態】ここで図１は、同調可能なファブ
リペローフィルタ５を示している。フィルタ５は一般的
に次のものを含む。基板１０、基板１０の上に置かれた
下部ミラー１５、下部ミラーの上に置かれた下部電極２
０、下部電極２０のすぐ上に薄膜サポート２５、薄膜サ
ポート２５の下面に固定された上部電極３０、薄膜サポ
ート２５の外周に固定された補強部３５、薄膜サポート
２５のすぐ上にセットされた共焦点の上部ミラー４０、
下部ミラー１５と上部ミラー４０の間に形成された空洞
４５である。
リペローフィルタ５を示している。フィルタ５は一般的
に次のものを含む。基板１０、基板１０の上に置かれた
下部ミラー１５、下部ミラーの上に置かれた下部電極２
０、下部電極２０のすぐ上に薄膜サポート２５、薄膜サ
ポート２５の下面に固定された上部電極３０、薄膜サポ
ート２５の外周に固定された補強部３５、薄膜サポート
２５のすぐ上にセットされた共焦点の上部ミラー４０、
下部ミラー１５と上部ミラー４０の間に形成された空洞
４５である。
【００１１】こうして形成した結果、ファブリーペロー
フィルタは、上部ミラー４０と下部ミラー１５の間に効
果的に生成される。さらに、上部電極３０と下部電極２
０の間に適切な電圧をかけることで、上部ミラー４０の
位置を、下部ミラー１５の位置に対応して移動すること
ができ、それによってファブリーペロー空洞の長さを変
化させ、従ってファブリーペローフィルタ５を同調す
る。
フィルタは、上部ミラー４０と下部ミラー１５の間に効
果的に生成される。さらに、上部電極３０と下部電極２
０の間に適切な電圧をかけることで、上部ミラー４０の
位置を、下部ミラー１５の位置に対応して移動すること
ができ、それによってファブリーペロー空洞の長さを変
化させ、従ってファブリーペローフィルタ５を同調す
る。
【００１２】付随して次に図２を見ると、同調可能な面
発光型半導体レーザ（VCSEL）５０の形成は、利得領域
（又は「アクティブ」領域）５５の位置を下部ミラー１
５及び下部電極２０の間で動かすことで可能となる。そ
の上さらに、上部電極３０及び下部電極２０の間で適切
な電圧をかけることで、上部ミラー４０の位置は下部ミ
ラー１５の位置に対応して変化させることができ、そし
てそれによってレーザーの共振穴の長さを変え、よって
VCSEL５０を同調することができる。
発光型半導体レーザ（VCSEL）５０の形成は、利得領域
（又は「アクティブ」領域）５５の位置を下部ミラー１
５及び下部電極２０の間で動かすことで可能となる。そ
の上さらに、上部電極３０及び下部電極２０の間で適切
な電圧をかけることで、上部ミラー４０の位置は下部ミ
ラー１５の位置に対応して変化させることができ、そし
てそれによってレーザーの共振穴の長さを変え、よって
VCSEL５０を同調することができる。
【００１３】以上説明した通り、上で開示したタイプの
同調可能なファブリーペローフィルタ５及び同調可能な
VCSEL５０は有効である、というのも単純に上部電極３
０及び下部電極２０の間の電圧を変化させることで、そ
れらを迅速かつ容易に望ましい波長に同調することがで
きるからである。
同調可能なファブリーペローフィルタ５及び同調可能な
VCSEL５０は有効である、というのも単純に上部電極３
０及び下部電極２０の間の電圧を変化させることで、そ
れらを迅速かつ容易に望ましい波長に同調することがで
きるからである。
【００１４】しかしながら、上で開示したタイプの同調
可能なファブリーペローフィルター及び同調可能なVCSE
Lは、ユニットごとに微かに変化し得る性能特性を持っ
ている。さらに、与えられたユニットの性能特性は、そ
の使用期間、温度、などに対応して微かに変化し得るこ
ともまた分かっている。従って、その装置を特定波長に
同調するためにかけなければならない正確な電圧を、あ
らかじめ正確に予測することは一般的に不可能である。
このことはいくつかの出願、特に通信関連の出願で見る
ことができるが、そこでその装置は、正確かつ既知の波
長（すなわちITU−WDMグリッド）への同調が必要とな
る。
可能なファブリーペローフィルター及び同調可能なVCSE
Lは、ユニットごとに微かに変化し得る性能特性を持っ
ている。さらに、与えられたユニットの性能特性は、そ
の使用期間、温度、などに対応して微かに変化し得るこ
ともまた分かっている。従って、その装置を特定波長に
同調するためにかけなければならない正確な電圧を、あ
らかじめ正確に予測することは一般的に不可能である。
このことはいくつかの出願、特に通信関連の出願で見る
ことができるが、そこでその装置は、正確かつ既知の波
長（すなわちITU−WDMグリッド）への同調が必要とな
る。
【００１５】次に図３を見ると新しい光学システム１０
０が示されており、これは同調可能なファブリーペロー
フィルター又は同調可能なVCSEL１０５を含んでいる。
これはさらに新しい波長ロッカー２００を含み、同調可
能なファブリーペローフィルター又は同調可能なVCSEL
１０５を正確かつ既知の波長に同調するのに用いられて
いる。
０が示されており、これは同調可能なファブリーペロー
フィルター又は同調可能なVCSEL１０５を含んでいる。
これはさらに新しい波長ロッカー２００を含み、同調可
能なファブリーペローフィルター又は同調可能なVCSEL
１０５を正確かつ既知の波長に同調するのに用いられて
いる。
【００１６】さらには、新しい光学システム１００は一
般に、同調可能なファブリーペローフィルター又は同調
可能なVCSEL１０５、一組の光ファイバ１１０と１１
５、及び一組の平行レンズ１２０と１２５を含んでい
る。
般に、同調可能なファブリーペローフィルター又は同調
可能なVCSEL１０５、一組の光ファイバ１１０と１１
５、及び一組の平行レンズ１２０と１２５を含んでい
る。
【００１７】ここで同調可能なデバイス１０５は同調可
能なファブリーペローフィルターとしてもよく、光ファ
イバ１１０は入力線を含んでもよく、光ファイバ１１５
は出力線を含んでもよいが、ここでは同調可能なファブ
リーペローフィルターが与えられ、ここで入力線から出
力線までの選択波長のみの通過を確保している。同調可
能なデバイス１０５は同調可能なVSCELとしてもよく、
光ファイバ１１０は光ポンプレーザからVCSELへポンプ
光を送る入力線とすることができ、光ファイバ１１５は
VCSELによって生成されたレーザ光を運ぶ出力線とする
ことができる。
能なファブリーペローフィルターとしてもよく、光ファ
イバ１１０は入力線を含んでもよく、光ファイバ１１５
は出力線を含んでもよいが、ここでは同調可能なファブ
リーペローフィルターが与えられ、ここで入力線から出
力線までの選択波長のみの通過を確保している。同調可
能なデバイス１０５は同調可能なVSCELとしてもよく、
光ファイバ１１０は光ポンプレーザからVCSELへポンプ
光を送る入力線とすることができ、光ファイバ１１５は
VCSELによって生成されたレーザ光を運ぶ出力線とする
ことができる。
【００１８】同調可能なデバイスは、好ましいものとし
ては上述の型の同調可能なファブリーペローフィルタ又
は同調可能なVCSELがある。しかしながらまた、次のこ
とを理解されたい。同調可能なファブリーペローフィル
タ又は同調可能なVCSEL１０５は、本発明と互換の、他
の既知のタイプの同調可能なフィルタ及び同調可能なVC
SELとすることができることである。
ては上述の型の同調可能なファブリーペローフィルタ又
は同調可能なVCSELがある。しかしながらまた、次のこ
とを理解されたい。同調可能なファブリーペローフィル
タ又は同調可能なVCSEL１０５は、本発明と互換の、他
の既知のタイプの同調可能なフィルタ及び同調可能なVC
SELとすることができることである。
【００１９】新しい光学システム１００はまた新しい波
長ロッカーとすることができ、これは同調可能なファブ
リーペローフィルタ又は同調可能なVCSEL１０５を正確
な、既知の波長に同調するのに用いられる。
長ロッカーとすることができ、これは同調可能なファブ
リーペローフィルタ又は同調可能なVCSEL１０５を正確
な、既知の波長に同調するのに用いられる。
【００２０】波長ロッカー２００は、一般的に次のもの
を含む。ビーム分離器２０５は、同調可能なデバイス１
０５から現れた少量の光を出力する。ウォークオフ反射
器２１０は、ビーム分離器２０５からの光を第１、第
２、第３、第４ビームに分割する。多重エタロン２１５
は、ウォークオフ反射器２１０から得られた第１、第
２、第３ビームからの光を加工する。多重検知器２２０
は、多重エタロン２１５から現れた第１、第２、第３ビ
ームからの光、及びウォークオフ反射器２１０から得ら
れた第４ビームからの光を検知する。制御ユニット２２
５は、同調可能なデバイス１０５に与えられた同調電圧
を多重検知器２２０の出力に従って制御し、それによっ
て同調可能なデバイス１０５を正確で、既知の波長に同
調する。
を含む。ビーム分離器２０５は、同調可能なデバイス１
０５から現れた少量の光を出力する。ウォークオフ反射
器２１０は、ビーム分離器２０５からの光を第１、第
２、第３、第４ビームに分割する。多重エタロン２１５
は、ウォークオフ反射器２１０から得られた第１、第
２、第３ビームからの光を加工する。多重検知器２２０
は、多重エタロン２１５から現れた第１、第２、第３ビ
ームからの光、及びウォークオフ反射器２１０から得ら
れた第４ビームからの光を検知する。制御ユニット２２
５は、同調可能なデバイス１０５に与えられた同調電圧
を多重検知器２２０の出力に従って制御し、それによっ
て同調可能なデバイス１０５を正確で、既知の波長に同
調する。
【００２１】ビーム分離器２０５は、同調可能なデバイ
ス１０５から現れた少量の光をウォークオフ反射器２１
０へ迂回させるものであるが、その一方で同調可能なデ
バイス１０５から得られた大多数の光は光ファイバ１１
５へと通過していく。あくまで一例であり限定するもの
ではないが、ビーム分離器２０５は、同調可能なデバイ
ス１０５から得られた光の２％をウォークオフ（walk-o
ff）反射器２１０に迂回し、その一方で同調可能なデバ
イス１０５から得られた光の９８％を光ファイバ１１５
に通過させたままとすることもできる。
ス１０５から現れた少量の光をウォークオフ反射器２１
０へ迂回させるものであるが、その一方で同調可能なデ
バイス１０５から得られた大多数の光は光ファイバ１１
５へと通過していく。あくまで一例であり限定するもの
ではないが、ビーム分離器２０５は、同調可能なデバイ
ス１０５から得られた光の２％をウォークオフ（walk-o
ff）反射器２１０に迂回し、その一方で同調可能なデバ
イス１０５から得られた光の９８％を光ファイバ１１５
に通過させたままとすることもできる。
【００２２】ビーム分離器２０５は、業界でよく知られ
た種類の従来型のデザインを有するのが好ましいが、長
方形の列の光（例えば長方形の横断面を有する光の列）
をウォークオフ反射器２１０に迂回させることは意図さ
れていない。最後に、ビーム反射器２０５は、図３Ａに
示すように反射面２０５A及び非反射面２０５Bによる長
方形の輪郭を有した動作表面を有するのが望ましい。
た種類の従来型のデザインを有するのが好ましいが、長
方形の列の光（例えば長方形の横断面を有する光の列）
をウォークオフ反射器２１０に迂回させることは意図さ
れていない。最後に、ビーム反射器２０５は、図３Ａに
示すように反射面２０５A及び非反射面２０５Bによる長
方形の輪郭を有した動作表面を有するのが望ましい。
【００２３】ウォークオフ反射器２１０は、さらにその
詳細を図４に示している。ウォークオフ反射器２１０
は、ビーム分離器２０５から受信した単一光から４つの
平行光を効果的に生成する。具体的には、ウォークオフ
反射器２１０はビーム分離器２０５から光B０のビーム
を受信して第１ビームB１、第２ビームB２、第３ビーム
B ３、及び第４ビームB４を生成する。
詳細を図４に示している。ウォークオフ反射器２１０
は、ビーム分離器２０５から受信した単一光から４つの
平行光を効果的に生成する。具体的には、ウォークオフ
反射器２１０はビーム分離器２０５から光B０のビーム
を受信して第１ビームB１、第２ビームB２、第３ビーム
B ３、及び第４ビームB４を生成する。
【００２４】次の点を理解しておくべきである。それ
は、ウォークオフ反射器２１０が単純にビームB０を４
つの別々なビームB１、B２、B３、及びB４に分割するこ
とであり、ウォークオフ反射器がこのビーム分割におい
て、光の波長に影響を与えないことである。従ってビー
ムB１、B２、B３、及びB４の波長はB０の波長と全く同
じである。
は、ウォークオフ反射器２１０が単純にビームB０を４
つの別々なビームB１、B２、B３、及びB４に分割するこ
とであり、ウォークオフ反射器がこのビーム分割におい
て、光の波長に影響を与えないことである。従ってビー
ムB１、B２、B３、及びB４の波長はB０の波長と全く同
じである。
【００２５】ウォークオフ反射器２１０は、好ましくは
１．２６１ｍｍの厚さのヒューズシリカ（ｎ＝１．４４
４）からできたものであり、前面２３０はｒ＝３８．２
％でコートされ、後面２３５はｒ＝１００％でコートさ
れたものであることであることが望ましいが、その結果
ビームは１ｍｍ間隔で飛ぶ。
１．２６１ｍｍの厚さのヒューズシリカ（ｎ＝１．４４
４）からできたものであり、前面２３０はｒ＝３８．２
％でコートされ、後面２３５はｒ＝１００％でコートさ
れたものであることであることが望ましいが、その結果
ビームは１ｍｍ間隔で飛ぶ。
【００２６】多重エタロン２１５は図５において詳細に
示されている。多重エタロン２１５の構成として必須な
ものは、３つの分離したファブリーペローエタロン、第
１エタロン２４０、第２エタロン２４５、及び第３エタ
ロン２５０である。
示されている。多重エタロン２１５の構成として必須な
ものは、３つの分離したファブリーペローエタロン、第
１エタロン２４０、第２エタロン２４５、及び第３エタ
ロン２５０である。
【００２７】ここで図６を見ると、一般的にファブリー
ペローエタロンは周期送信プロファイルTPを有している
が、これは複数の送信ピークであって、あるレンジの波
長に渡って広がっているものを含んでいる。また次のこ
とが理解されるであろう。これらの送信ピークPの正確
な位置（波長など）は、エタロンに入ってくる光の波長
の関数であり、またエタロンの基板の厚さ及び屈折係数
の関数であるが、いずれも時間による重要な変化はな
い。
ペローエタロンは周期送信プロファイルTPを有している
が、これは複数の送信ピークであって、あるレンジの波
長に渡って広がっているものを含んでいる。また次のこ
とが理解されるであろう。これらの送信ピークPの正確
な位置（波長など）は、エタロンに入ってくる光の波長
の関数であり、またエタロンの基板の厚さ及び屈折係数
の関数であるが、いずれも時間による重要な変化はな
い。
【００２８】本発明において、第１エタロン２４０、第
２エタロン、及び第３エタロンは、各送信プロファイル
間にあらかじめ定められた関係が生じるよう製造され
る。さらにここで図７を見ると、エタロン２４０から得
られたビームB１’は、第１送信プロファイルを持つよ
うになる。エタロン２４５から得られたビームB２’
は、エタロン２４０から得られたビームB１’の送信プ
ロファイルを１／４波長移動したものである第２送信プ
ロファイルを持つようになる。エタロン２５０から得ら
れたビームB３’は、ここでの波長において単一送信ピ
ークを構成する第３送信プロファイルを持つようにな
る。
２エタロン、及び第３エタロンは、各送信プロファイル
間にあらかじめ定められた関係が生じるよう製造され
る。さらにここで図７を見ると、エタロン２４０から得
られたビームB１’は、第１送信プロファイルを持つよ
うになる。エタロン２４５から得られたビームB２’
は、エタロン２４０から得られたビームB１’の送信プ
ロファイルを１／４波長移動したものである第２送信プ
ロファイルを持つようになる。エタロン２５０から得ら
れたビームB３’は、ここでの波長において単一送信ピ
ークを構成する第３送信プロファイルを持つようにな
る。
【００２９】多重エタロン２１５は、業界において知ら
れる様々な方法で作ることができる。あくまで例であっ
て限定するものではないが、多重エタロン２１５は多層
誘電スタックであり、基礎層２５５、基礎層２５５の上
に載せられた第２層２６０、及び第２層２６０の上に載
せられた第３層２６５を含んでいる。
れる様々な方法で作ることができる。あくまで例であっ
て限定するものではないが、多重エタロン２１５は多層
誘電スタックであり、基礎層２５５、基礎層２５５の上
に載せられた第２層２６０、及び第２層２６０の上に載
せられた第３層２６５を含んでいる。
【００３０】本質的には、基礎層２５５は第１エタロン
２４０を形成し、基礎層２５５及び第２層２６０は共に
第２エタロン２４５を形成し、基礎層２５５、第２層２
６０、及び第３層２６５は共に第３エタロン２５０を形
成する。本発明の好ましい一実施形態によると、基礎層
２５５、第２層２６０、及び第３層２６５はすべてSiO2
から形成されている。
２４０を形成し、基礎層２５５及び第２層２６０は共に
第２エタロン２４５を形成し、基礎層２５５、第２層２
６０、及び第３層２６５は共に第３エタロン２５０を形
成する。本発明の好ましい一実施形態によると、基礎層
２５５、第２層２６０、及び第３層２６５はすべてSiO2
から形成されている。
【００３１】ウォークオフ反射器２１０及び多重エタロ
ン２１５を、図３に示されるように続けて配置すると次
の通りとなる。ウォークオフ反射器２１０を出たビーム
B１は、ビームB１’を生成すべく第１エタロン２４０の
送信プロファイルにより加工される。ウォークオフ反射
器２１０を出たビームB２は、ビームB２’を生成すべく
第２エタロン２４５の送信プロファイルにより加工され
る。そしてウォークオフ反射器２１０を出たビームB３
は、ビームB３’を生成すべく第３エタロン２５０の送
信プロファイルにより加工される。
ン２１５を、図３に示されるように続けて配置すると次
の通りとなる。ウォークオフ反射器２１０を出たビーム
B１は、ビームB１’を生成すべく第１エタロン２４０の
送信プロファイルにより加工される。ウォークオフ反射
器２１０を出たビームB２は、ビームB２’を生成すべく
第２エタロン２４５の送信プロファイルにより加工され
る。そしてウォークオフ反射器２１０を出たビームB３
は、ビームB３’を生成すべく第３エタロン２５０の送
信プロファイルにより加工される。
【００３２】多重検知器２２０は、４つの分離した検知
器２７０、２７５、２８０、及び２８５を含んでいる。
多重検知器２２０の配置では、ビームB１’が検知器２
７０に当たり、ビームB２’が検知器２７５に当たり、
ビームB３’が検知器２８０に当たり、そしてビーム
B４’（ウォームオフ反射器２１０から直接得られ、多
重エタロン２２０を通過しない）が検知器２８５に当た
る。出力I１，I２，I３，I ４は、それぞれ検知器２７
０，２７５，２８０，２８５から制御ユニット２２５へ
と通過する。
器２７０、２７５、２８０、及び２８５を含んでいる。
多重検知器２２０の配置では、ビームB１’が検知器２
７０に当たり、ビームB２’が検知器２７５に当たり、
ビームB３’が検知器２８０に当たり、そしてビーム
B４’（ウォームオフ反射器２１０から直接得られ、多
重エタロン２２０を通過しない）が検知器２８５に当た
る。出力I１，I２，I３，I ４は、それぞれ検知器２７
０，２７５，２８０，２８５から制御ユニット２２５へ
と通過する。
【００３３】この点において、次のことが理解されるで
あろう。出力I１，I２，I３は、ビームB１’，B２’，
及びB３’に対応し、これらのビームはそれぞれ第１エ
タロン２４０、第２エタロン２４５、第３エタロンから
得られ、検知器２７０，２７５，２８０に当たるので、
出力I１，I２，I３は、ビームB１’，B２’，及びB３’
の出力プロファイルにそれぞれ類似の出力プロファイル
を有している。例えば、図８に示された出力I１，I２，
I３の出力プロファイルを、ビームB１’，B２’，及びB
３’の出力プロファイルと比べてみてもらいたい。
あろう。出力I１，I２，I３は、ビームB１’，B２’，
及びB３’に対応し、これらのビームはそれぞれ第１エ
タロン２４０、第２エタロン２４５、第３エタロンから
得られ、検知器２７０，２７５，２８０に当たるので、
出力I１，I２，I３は、ビームB１’，B２’，及びB３’
の出力プロファイルにそれぞれ類似の出力プロファイル
を有している。例えば、図８に示された出力I１，I２，
I３の出力プロファイルを、ビームB１’，B２’，及びB
３’の出力プロファイルと比べてみてもらいたい。
【００３４】一方、次のこともまた理解されるであろ
う。出力I４は、ビームB４に対応し、ウォークオフ反射
器２１０から直接得られ、検知器２８５に当たり、多重
エタロン２１５は通過しないので、出力I４は図８に示
されるような、実質的に平坦なプロファイルを有するこ
とになる。
う。出力I４は、ビームB４に対応し、ウォークオフ反射
器２１０から直接得られ、検知器２８５に当たり、多重
エタロン２１５は通過しないので、出力I４は図８に示
されるような、実質的に平坦なプロファイルを有するこ
とになる。
【００３５】また、次のことも理解されるであろう。図
６及び図７に示される送信プロファイル、及び図８に示
される現在のプロファイルは、パワーに応じて多岐に渡
る。
６及び図７に示される送信プロファイル、及び図８に示
される現在のプロファイルは、パワーに応じて多岐に渡
る。
【００３６】従って、例えばここで図９を見ると、２つ
の異なるパワーレベルで与えられたエタロンについての
送信プロファイルが示されている。
の異なるパワーレベルで与えられたエタロンについての
送信プロファイルが示されている。
【００３７】しかしながら、出力I４が実質的に平坦で
あるということで、次のことが起きる。それは例えば、
図８に示された現在のプロファイルを正規化するという
こと、すなわち値（I１／I４），（I２／I４），（I３
／I４），を決定することにより、パワーから独立させ
ることである。従って、ここで図１０を見ると、正規化
され、パワーから独立した現在のプロファイル（I１／I
４），（I２／I４），（I３／I４）が示されているが、
これはビームB１’，B２’，及びB３’にそれぞれ対応
し、第１エタロン２４０、第２エタロン２４５、及び第
３エタロン２５０からそれぞれ得られるものである。
あるということで、次のことが起きる。それは例えば、
図８に示された現在のプロファイルを正規化するという
こと、すなわち値（I１／I４），（I２／I４），（I３
／I４），を決定することにより、パワーから独立させ
ることである。従って、ここで図１０を見ると、正規化
され、パワーから独立した現在のプロファイル（I１／I
４），（I２／I４），（I３／I４）が示されているが、
これはビームB１’，B２’，及びB３’にそれぞれ対応
し、第１エタロン２４０、第２エタロン２４５、及び第
３エタロン２５０からそれぞれ得られるものである。
【００３８】初期の較正の間、制御ユニット２２５は出
力I１，I２，I３，I４を検知器２７０，２７５，２８
０，２８５からそれぞれ受信し、それらの出力を用いて
参照テーブルを構築し、それによって制御ユニット２２
５は、それ以降フィールドでの操作中、同調可能なデバ
イス１０５を同調して望ましい波長にしている。
力I１，I２，I３，I４を検知器２７０，２７５，２８
０，２８５からそれぞれ受信し、それらの出力を用いて
参照テーブルを構築し、それによって制御ユニット２２
５は、それ以降フィールドでの操作中、同調可能なデバ
イス１０５を同調して望ましい波長にしている。
【００３９】より詳細には、較正の間、同調可能なデバ
イス１０５は、その同調範囲内で動かすことにより、あ
る範囲にわたる波長の光を連続して出力する。このこと
は、同調可能なデバイス１０５が同調フィルタの場合、
広帯域の光源を通過して同調フィルタへ進む一方同調フ
ィルタをその同調範囲内で動かすことで可能となる。別
の方法として、このことは、同調可能なデバイス１０５
が同調可能なVCSELの場合、VCSELをその同調範囲内で動
かす一方レーザー出力することで可能となる。
イス１０５は、その同調範囲内で動かすことにより、あ
る範囲にわたる波長の光を連続して出力する。このこと
は、同調可能なデバイス１０５が同調フィルタの場合、
広帯域の光源を通過して同調フィルタへ進む一方同調フ
ィルタをその同調範囲内で動かすことで可能となる。別
の方法として、このことは、同調可能なデバイス１０５
が同調可能なVCSELの場合、VCSELをその同調範囲内で動
かす一方レーザー出力することで可能となる。
【００４０】別の場合では、同調可能なデバイス１０５
からある範囲にわたる波長の光が出力されるとき、この
光は一斉に次の個所を通過する。１）光ファイバ１１５
の下流に位置する波長モニタ、２）波長ロッカー２０
０。制御ユニット２２５は参照テーブルをつくることに
より、制御ユニット２２５は、それ以降同調可能なデバ
イス１０５を所望の波長に同調する。
からある範囲にわたる波長の光が出力されるとき、この
光は一斉に次の個所を通過する。１）光ファイバ１１５
の下流に位置する波長モニタ、２）波長ロッカー２０
０。制御ユニット２２５は参照テーブルをつくることに
より、制御ユニット２２５は、それ以降同調可能なデバ
イス１０５を所望の波長に同調する。
【００４１】特に、同調可能なデバイスをその同調範囲
内で動かすにあたり、正規化された出力（I３／I４）は
そのピークに当たるまで観測される；こうすることで、
装置は既知の波長λRへと同調される。そして、当該各
波長（例えば光チャンネル）については、特定の正規化
された出力プロファイル（I１／I４）又は（I２／I４）
に従い、次のことによってその配置を識別することがで
きる。１）λRから「上」又は「下」となるピークの数
を求めること、２）正規化された出力プロファイルの傾
斜がその時点において陽性か陰性かを識別すること、
３）正規化された出力（I１／I４）又は（I２／I４）の
特定の大きさを識別すること。
内で動かすにあたり、正規化された出力（I３／I４）は
そのピークに当たるまで観測される；こうすることで、
装置は既知の波長λRへと同調される。そして、当該各
波長（例えば光チャンネル）については、特定の正規化
された出力プロファイル（I１／I４）又は（I２／I４）
に従い、次のことによってその配置を識別することがで
きる。１）λRから「上」又は「下」となるピークの数
を求めること、２）正規化された出力プロファイルの傾
斜がその時点において陽性か陰性かを識別すること、
３）正規化された出力（I１／I４）又は（I２／I４）の
特定の大きさを識別すること。
【００４２】理論的には、正規化された出力プロファイ
ル（I３／I４）に加え、正規化された出力プロファイル
（I１／I４）又は（I２／I４）のうちの１つだけを用い
て特定波長を識別することは可能である。しかしながら
実際には、正規化された出力プロファイル（I１／I４）
及び（I２／I４）は、そのピークに比較的浅めの傾斜を
有する傾向があることが分かっている。：その結果とし
て、ある程度実質的に波長が変化すると、正規化された
出力がかなりゆるやかに変化しうる。このことで、検出
が困難となったり、より高感度な、そのためより高価な
部品の利用が必要となったりし得る。
ル（I３／I４）に加え、正規化された出力プロファイル
（I１／I４）又は（I２／I４）のうちの１つだけを用い
て特定波長を識別することは可能である。しかしながら
実際には、正規化された出力プロファイル（I１／I４）
及び（I２／I４）は、そのピークに比較的浅めの傾斜を
有する傾向があることが分かっている。：その結果とし
て、ある程度実質的に波長が変化すると、正規化された
出力がかなりゆるやかに変化しうる。このことで、検出
が困難となったり、より高感度な、そのためより高価な
部品の利用が必要となったりし得る。
【００４３】このようにするためには、少なくとも２つ
の正規化された出力プロファイル（I１／I４）又は（I
２／I４）が備えられていることが望ましいが、ここで
２つの正規化された出力プロファイルは１／４波長分も
う一方からずれている。このように構築することによ
り、他の正規化された出力プロファイルが名目上の傾斜
を有したりその逆となったりする時はいつも、正規化さ
れた出力の１つが重要な傾斜を有することになる。
の正規化された出力プロファイル（I１／I４）又は（I
２／I４）が備えられていることが望ましいが、ここで
２つの正規化された出力プロファイルは１／４波長分も
う一方からずれている。このように構築することによ
り、他の正規化された出力プロファイルが名目上の傾斜
を有したりその逆となったりする時はいつも、正規化さ
れた出力の１つが重要な傾斜を有することになる。
【００４４】フィールドの操作の間、同調可能なデバイ
ス１０５を特定波長に同調することが望ましいときは、
正規化された出力（I３／I４）が観測されるまでその同
調範囲内で装置が動かされる。正規化された出力（I３
／I４）のピークが配置されるとき、同調電圧は図１１
に示された参照テーブルに従って所望の波長が得られる
まで調節される。
ス１０５を特定波長に同調することが望ましいときは、
正規化された出力（I３／I４）が観測されるまでその同
調範囲内で装置が動かされる。正規化された出力（I３
／I４）のピークが配置されるとき、同調電圧は図１１
に示された参照テーブルに従って所望の波長が得られる
まで調節される。
【００４５】例として、同調可能なデバイス１０５を光
学チャンネル「２４」に同調することが望ましい場合を
考える。第１に、同調可能なデバイス１０５は、正規化
された出力（I３／I４）のピークに達するまでその同調
範囲内で動かされる。そして、正規化された出力（I２
／I４）を観測している間、チャンネル２４の参照テー
ブルに示されるように、同調電圧が次のことを実現する
よう同調される。１）２つのピークをカウントするこ
と、２）正規化された出力（I２／I４）の傾斜を陰性
（又は降下）にもっていくこと、３）正規化された出力
（I２／I４）をX２４の大きさにもっていくこと。この
点において、同調可能なデバイス１０５は波長λ２４、
すなわちチャンネル２４に正確に合わせられる。
学チャンネル「２４」に同調することが望ましい場合を
考える。第１に、同調可能なデバイス１０５は、正規化
された出力（I３／I４）のピークに達するまでその同調
範囲内で動かされる。そして、正規化された出力（I２
／I４）を観測している間、チャンネル２４の参照テー
ブルに示されるように、同調電圧が次のことを実現する
よう同調される。１）２つのピークをカウントするこ
と、２）正規化された出力（I２／I４）の傾斜を陰性
（又は降下）にもっていくこと、３）正規化された出力
（I２／I４）をX２４の大きさにもっていくこと。この
点において、同調可能なデバイス１０５は波長λ２４、
すなわちチャンネル２４に正確に合わせられる。
【００４６】これに対応して、これから同調可能なデバ
イス１０５を光学チャンネル「２２」に同調するのが望
ましい場合について考える。第１に、同調可能なデバイ
ス１０５は、正規化された出力（I３／I４）がピークに
達するまで同調範囲内で動かされる。そして、正規化さ
れた出力（I１／I４）を観測している間、チャンネル２
２の参照テーブルに示されるように、同調電圧が次のこ
とを実現するよう同調される。１）１つのピークをカウ
ントすること、２）正規化された出力（I１／I ４）の傾
斜を陽性（又は上昇）にもっていくこと、３）正規化さ
れた出力（I１／I４）をX２２の大きさにもっていくこ
と。この点において、同調可能なデバイス１０５は波長
λ２２、すなわちチャンネル２２に正確に合わせられ
る。
イス１０５を光学チャンネル「２２」に同調するのが望
ましい場合について考える。第１に、同調可能なデバイ
ス１０５は、正規化された出力（I３／I４）がピークに
達するまで同調範囲内で動かされる。そして、正規化さ
れた出力（I１／I４）を観測している間、チャンネル２
２の参照テーブルに示されるように、同調電圧が次のこ
とを実現するよう同調される。１）１つのピークをカウ
ントすること、２）正規化された出力（I１／I ４）の傾
斜を陽性（又は上昇）にもっていくこと、３）正規化さ
れた出力（I１／I４）をX２２の大きさにもっていくこ
と。この点において、同調可能なデバイス１０５は波長
λ２２、すなわちチャンネル２２に正確に合わせられ
る。
【００４７】次のことが理解されるであろう。前述の構
築において、ビーム分離器２０５及びウォークオフ反射
器２１０は、本質的に分離ユニットとして、同調可能な
デバイス１０５から得られる光の集まりをとるのに用い
られており、多重エタロン２１５及び多重検知器２２０
に与えられる複数のビームを生成する。しかしながら、
代替の構築方法を備えうることもまた理解されたい。
築において、ビーム分離器２０５及びウォークオフ反射
器２１０は、本質的に分離ユニットとして、同調可能な
デバイス１０５から得られる光の集まりをとるのに用い
られており、多重エタロン２１５及び多重検知器２２０
に与えられる複数のビームを生成する。しかしながら、
代替の構築方法を備えうることもまた理解されたい。
【００４８】したがって例えば、ビーム分離器２０５の
配置により、単一な円形の光の集まりを生成することも
可能であるが、多重エタロン２１５及び多重検知器２２
０を適切に配置することで、その光の集まり（すなわち
四分円）を適切に加工し、検知していく。代わりとし
て、ビーム分離器の配置にあたり生成するものであり、
多重エタロン２１５及び多重検知器２２０の配置にあた
り利用するものとして、他にも様々な断面の形をもつ光
のビームがある。この形には長円形、正方形、矩形、他
の多角形、ドーナツ型、などがある。
配置により、単一な円形の光の集まりを生成することも
可能であるが、多重エタロン２１５及び多重検知器２２
０を適切に配置することで、その光の集まり（すなわち
四分円）を適切に加工し、検知していく。代わりとし
て、ビーム分離器の配置にあたり生成するものであり、
多重エタロン２１５及び多重検知器２２０の配置にあた
り利用するものとして、他にも様々な断面の形をもつ光
のビームがある。この形には長円形、正方形、矩形、他
の多角形、ドーナツ型、などがある。
【００４９】本発明は、上述の文章や図面で示された特
定の構成及び方法に限定されるものでは決してないが、
請求項の範囲内でのあらゆる修正や同等の構成を含んで
いることを理解されたい。
定の構成及び方法に限定されるものでは決してないが、
請求項の範囲内でのあらゆる修正や同等の構成を含んで
いることを理解されたい。
【図１】同調可能なファブリーペローフィルタの断面図
である。
である。
【図２】同調可能なVCSELの断面図である。
【図３】同調可能なファブリーペローフィルタ又は同調
可能なVCSELを含み、同調可能なファブリーペローフィ
ルタ又は同調可能なVCSELを正確で既知の波長に同調す
るのに用いられる波長ロッカーを含む新しい光学システ
ムの概略図である。
可能なVCSELを含み、同調可能なファブリーペローフィ
ルタ又は同調可能なVCSELを正確で既知の波長に同調す
るのに用いられる波長ロッカーを含む新しい光学システ
ムの概略図である。
【図３Ａ】図３を３Ａで分けて取り出したときの図であ
る。
る。
【図４】図３で示す波長ロッカーに含まれるウォークオ
フ反射器の概略図である。
フ反射器の概略図である。
【図５】図３で示す波長ロッカーに含まれる多重エタロ
ンの概略図である。
ンの概略図である。
【図６】典型的なエタロンの送信プロファイルの概略図
である。
である。
【図７】図３で示す多重エタロンの送信プロファイルを
示す概略図である。
示す概略図である。
【図８】図３で示す波長ロッカーに含まれる多重検知器
の出力プロファイルの概略図である。
の出力プロファイルの概略図である。
【図９】２つの異なるパワーレベルにある典型的なエタ
ロンの送信プロファイルの概略図である。
ロンの送信プロファイルの概略図である。
【図１０】図３で示す波長ロッカーに含まれる多重検知
器の、正規化されたパワー独立出力プロファイルの概略
図である。
器の、正規化されたパワー独立出力プロファイルの概略
図である。
【図１１】図１０で示す正規化されたパワー独立出力プ
ロファイルが、どのように同調可能なデバイスを同調し
てターゲット波長にするのに用いられるかを示した参照
テーブルである。
ロファイルが、どのように同調可能なデバイスを同調し
てターゲット波長にするのに用いられるかを示した参照
テーブルである。
５ ファブリーペローフィルタ
１０ 基板
１５ 下部ミラー
２０ 下部電極
２５ 薄膜サポート
３０ 上部電極
３５ 補強部
４０ 上部ミラー
４５ 空洞
５０ VCSEL
５５ 利得領域
１００ 光学システム
２００ 波長ロッカー
２０５ ビーム分離器
２１０ ウォークオフ反射器
２１５ 多重エタロン
２２０ 多重検知器
２２５ 制御ユニット
２４０ 第１エタロン
２４５ 第２エタロン
２５０ 第３エタロン
２５５ 基礎層
２６０ 第２層
２６５ 第３層
２７０、２７５、２８０、２８５ 検知器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 マスド・アジミ
アメリカ合衆国 03060 ニュー・ハンプ
シャー州 ナシュア、ダンフォース・ロー
ド ６、アパートメント ９
(72)発明者 バートレイ・シー・ジョンソン
アメリカ合衆国 01845 マサチューセッ
ツ州、ノース・アンドヴァー、サマー・ス
トリート 399
(72)発明者 ロン・ハン
アメリカ合衆国 01801 マサチューセッ
ツ州、ウォバーン、キンボール・コート
３、アパートメント 113
Ｆターム(参考） 2H041 AA21 AB15 AB16 AC06 AZ02
AZ06
2H048 GA03 GA09 GA13 GA21 GA62
5F073 AB12 AB17 AB21 BA01 EA03
Claims (26)
- 【請求項１】同調可能な光デバイスのターゲット波長に
同調させるために用いられる装置であって、 前記同調可能な光デバイスから得られる光の集まりを反
射するためのビーム分離器と、 前記ビーム分離器から得られる光の集まりを複数のビー
ムに分割するウォークオフ反射器と、 前記ウォークオフ反射器により供給された複数ビームの
うち少なくとも２つからの光を加工する多重エタロン
と、 前記多重エタロン及び前記ウォークオフ反射器からの光
を検出し、複数の出力信号を出力する多重検知器と、 前記多重検知器により出力された前記出力信号に対応し
た制御信号を前記同調可能な光デバイスに出力すること
により、前記同調可能な光デバイスを制御する制御ユニ
ットとを備える装置。 - 【請求項２】前記ウォークオフ反射器は、前記ビーム分
離器から得られる光の集まりを第１ビーム、第２ビー
ム、第３ビーム、及び第４ビームに分割する請求項１に
記載の装置。 - 【請求項３】前記多重エタロンは、前記ウォークオフ反
射器により供給された第１ビーム、第２ビーム、及び第
３ビームを加工する請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】前記多重検知器は、次のことを行う請求項
３に記載の装置。 １）第１ビームから加工され、前記多重エタロンから得
られ、第１出力信号を生成する光を検知し、 ２）第２ビームから加工され、前記多重エタロンから得
られ、第２出力信号を生成する光を検知し、 ３）第３ビームから加工され、前記多重エタロンから得
られ、第３出力信号を生成する光を検知し、 ４）第４ビームから加工され、前記ウォークオフ反射器
から得られ、第４出力信号を生成する光を検知する。 - 【請求項５】前記多重検知器により出力される前記第
１、第２、第３、及び第４出力信号は、電流の形式であ
る請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】前記制御ユニットにより出力される制御信
号は、電圧の形式である請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】前記ウォークオフ反射器により出力される
前記複数のビームの各々は、前記ビーム分離器から得ら
れた光の集まりの波長と同一の波長を有する請求項１に
記載の装置。 - 【請求項８】前記ウォークオフ反射器はヒューズシリカ
により生成される請求項１に記載の装置。 - 【請求項９】前記ヒューズシリカによるウォークオフ反
射器は、相互に反対側となる前面と後面を有しており、
前記後面はコーティングされている請求項８に記載の装
置。 - 【請求項１０】前記ヒューズシリカによるウォークオフ
反射器の、前面はコーティングされている請求項８に記
載の装置。 - 【請求項１１】前記後面におけるコーティングの反射率
は１００％である請求項９に記載の装置。 - 【請求項１２】前記前面におけるコーティングの反射率
は３８．２％である請求項１０に記載の装置。 - 【請求項１３】前記後面におけるコーティングの反射率
は１００％である請求項１２に記載の装置。 - 【請求項１４】前記ヒューズシリカによるウォークオフ
反射器は、１．２６１ｍｍの厚さを有している請求項１
３に記載の装置。 - 【請求項１５】前記複数ビームは、１ｍｍ間隔で分離さ
れている請求項１４に記載の装置。 - 【請求項１６】前記多重エタロンは、少なくとも１つの
分離されたエタロンを有する請求項１に記載の装置。 - 【請求項１７】前記多重エタロンは、第１エタロン、第
２エタロン、及び第３エタロンを含んでいる請求項１６
に記載の装置。 - 【請求項１８】前記多重エタロンは、第１エタロン、第
２エタロン、及び第３エタロンを含んでいる請求項２に
記載の装置。 - 【請求項１９】前記第１エタロン、第２エタロン、及び
第３エタロンはそれぞれ送信プロファイルを有し、さら
にこれらの送信プロファイルは相互に予め決められた関
係を有している請求項１８に記載の装置。 - 【請求項２０】前記第１及び第２エタロンは、１／４波
長ずれた送信プロファイルを有している請求項１８に記
載の装置。 - 【請求項２１】前記第３エタロンは、当波長内で単一の
送信ピークを有するよう形成されている請求項１８に記
載の装置。 - 【請求項２２】前記光デバイスは、同調可能なファブリ
ーペローフィルタである請求項１に記載の装置。 - 【請求項２３】前記光デバイスは、同調可能なVCSELで
ある請求項１に記載の装置。 - 【請求項２４】同調可能な光デバイス及び前記同調可能
な光デバイスのターゲット波長に同調させるために用い
られる装置を有する光学システムであって、前記装置
は、 前記同調可能な光デバイスから得られる光の集まりを反
射するためのビーム分離器と、 前記ビーム分離器から得られる光の集まりを複数のビー
ムに分割するウォークオフ反射器と、 前記ウォークオフ反射器により供給された複数ビームの
うち少なくとも２つからの光を加工する多重エタロン
と、 前記多重エタロン及び前記ウォークオフ反射器からの光
を検出し、複数の出力信号を出力する多重検知器と、 前記多重検知器により出力された前記出力信号に対応し
た制御信号を前記同調可能な光デバイスに出力すること
により、前記同調可能な光デバイスを制御する制御ユニ
ットとを備える光学システム。 - 【請求項２５】前記ビーム分離器は、実質的に長方形の
配置となる反射表面を有している請求項１に記載の装
置。 - 【請求項２６】同調可能な光デバイスのターゲット波長
に同調させるために用いられる装置であって、 前記同調可能な光デバイスから得られる光の集まりを反
射するためのビーム分離器と、 前記ビーム分離器により供給された光を加工する多重エ
タロンと、 前記多重エタロンからの光を検出し、複数の出力信号を
出力する多重検知器と、 前記多重検知器により出力された前記出力信号に対応し
た制御信号を前記同調可能な光デバイスに出力すること
により、前記同調可能な光デバイスを制御する制御ユニ
ットとを備える装置。
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